TW201539482A - 透明導電層形成用組合物 - Google Patents

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Yoshimi Machida
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Abstract

一種透明導電層形成用組合物，其包含(A)導電性奈米纖維；(B)(B-1)具有胺基及烷氧基之矽烷化合物、及選自(B-2)四烷氧基矽烷化合物、(B-3)不含胺基、環氧基及異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物、(B-4)具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物、(B-5)具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物中之1種以上之具有烷氧基之矽烷化合物的水解縮合物；(C)有機高分子微粒子及/或無機微粒子；(D)硬化觸媒；(E)分散介質。

Description

透明導電層形成用組合物
本發明係關於一種透明導電層形成用組合物、由該組合物所獲得之透明導電層、及該透明導電層之製造方法。
透明導電膜係於液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、有機電致發光(OLED)、太陽電池(PV)及觸控面板(TP)等透明電極、防靜電(ESD)膜以及電磁波遮蔽(EMI)膜等各種領域而使用，要求較低之表面電阻、較高之光線透過率、較高之可靠性。
該等透明電極所使用之透明導電膜先前使用ITO(氧化銦錫)。
然而，ITO所使用之銦有供給不穩及價格昂貴之問題。又，ITO之製膜時使用必需高真空之濺鍍法，因此製造裝置成為大規模，製造時間及成本較大。進而，ITO膜由於彎曲等物理性應力而產生龜裂容易破壞。ITO膜之濺鍍時產生高熱，因此可撓性基板之高分子受到損傷，因此難以應用於賦予可撓性之基板。
因此，積極推進消除該等問題方面的代替ITO之導電層材料之探索。
代替ITO之導電層材料之中，集中注目於無需濺鍍而能塗佈之材料，例如報告有(i)聚(3,4-乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(PEDOT：PSS)等高分子系導電材料(專利文獻1)；(ii)含有金屬奈米線之導電性材料(專利文獻2及非專利文獻1)；(iii)包含由銀微粒子形成之無規網狀結構之導電性材料(專利文獻3)；(iv)含有奈米碳管之導電性材料等 含有奈米結構之導電性成分之導電性材料(專利文獻4)；(v)包含使用金屬之微細配線之微細篩網的導電性材料(專利文獻5)。
然而，(i)之光線透過率較低且導電材料為有機分子，因此缺乏環境耐性，(iii)由於使用自組裝來製備透明導電膜，因此步驟複雜，(iv)由於為奈米碳管，因此色調變黑，且光線透過率變低，(v)由於利用照相技術，因此具有無法利用先前步驟之缺點。
關於(ii)之含有金屬奈米線之導電性材料，報告於基材上形成之導電層。專利文獻6中，於導電層包含以-M1-O-M1-(M1=Si、Ti、Zr、Al)所示之結合，於與基材之間必需中間層，與基材之密著性有課題。專利文獻7中導電層使用將烷氧化物化合物水解．聚縮合獲得之溶膠凝膠硬化物作為基質，為了提高與基材之密著性，必需基材之表面處理。專利文獻8中，形成導電層之組合物以水溶性高分子及與水溶性高分子之-OH基熱交聯之化合物或含烷氧基矽烷基之化合物及水作為必需成分，若大量含有水，則有塗佈時易於產生泡，又乾燥時易於殘留水之課題。專利文獻9中形成透明導電層之基質樹脂含有金屬奈米線、透光性微粒子，但不明確與基材之密著性。又，透光性微粒子之粒徑較大，透明性及表面電阻不充分。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-59666號公報
[專利文獻2]日本專利特開2009-505358號公報
[專利文獻3]日本專利特開2008-78441號公報
[專利文獻4]日本專利特開2007-112133號公報
[專利文獻5]日本專利特開2007-270353號公報
[專利文獻6]日本專利特開2012-238579號公報
[專利文獻7]日本專利特開2013-137982號公報
[專利文獻8]日本專利特開2013-16455號公報
[專利文獻9]日本專利特開2011-29099號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Shin-Hsiang Lai, Chun-Yao Ou, "SID 08 DIGEST", 2008, P1200-1202
本發明之目的在於提供一種可形成耐久性及與基板之密著性良好之透明導電層的透明導電層形成用組合物。
根據本發明，可提供以下之透明導電層形成用組合物等。
1.一種透明導電層形成用組合物，其含有下述成分(A)-(E)。
(A)導電性奈米纖維
(B)下述(B-1)、及選自下述(B-2)~(B-5)中之1種以上之具有烷氧基之矽烷化合物的水解縮合物
(B-1)具有胺基及烷氧基之矽烷化合物
(B-2)四烷氧基矽烷化合物、
(B-3)不含胺基、環氧基及異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物
(B-4)具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物
(B-5)具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物
(C)有機高分子微粒子及/或無機微粒子
(D)硬化觸媒
(E)分散介質。
2.如1之透明導電層形成用組合物，其中上述具有烷氧基之矽烷化合物之水解縮合物包含上述(B-1)~(B-5)。
3.如1或2之透明導電層形成用組合物，其中於將上述無機微粒子之平均粒徑設為D，將上述導電性奈米纖維之平均長度設為L時，滿足D/L<0.010。
4.如1至3中任一項之透明導電層形成用組合物，其中於將上述有機高分子微粒子之平均粒徑設為D，將上述導電性奈米纖維之平均長度設為L時，滿足D/L<0.010。
5.如1至4中任一項之透明導電層形成用組合物，其中上述無機微粒子為膠體二氧化矽。
6.如1至5中任一項之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖維之平均直徑為0.5nm以上且100nm以下，平均長度為1μm以上且100μm以下。
7.如1至6中任一項之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖維之平均直徑為1nm以上且100nm以下，平均長度為1μm以上且100μm以下。
8.如1至7中任一項之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖維之平均直徑為5nm以上且50nm以下，平均長度為3μm以上且50μm以下。
9.如1至8中任一項之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖維為奈米銀線或奈米碳管。
10.如1至9中任一項之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖維為奈米銀線。
11.如10之透明導電層形成用組合物，其中上述奈米銀線之平均直徑為5nm以上且50nm以下，平均長度為5μm以上且30μm以下。
12.如1至11中任一項之透明導電層形成用組合物，其中由透明導電層形成用組合物所獲得之透明導電層可進行圖案化。
13.如1至11中任一項之透明導電層形成用組合物，其利用酸及鹼之任一者均可進行圖案化。
14.一種透明導電層，其由如1至11中任一項之透明導電層形成用組合物而獲得。
15.如14之透明導電層，其可進行圖案化。
16.如15之透明導電層，其利用酸及鹼之任一者均可進行圖案化。
17.一種附透明導電層之基板，其具有將如1至13中任一項之透明導電層形成用組合物塗佈於基材上而獲得之透明導電層。
18.如17之附透明導電層之基板，其中上述透明導電層包含奈米銀線，上述奈米銀線之含量為5重量%以上且98重量%以下。
19.如17或18之附透明導電層之基板，其中上述透明導電層之全光線透過率為85~100%，霧度為3.0%以下，表面電阻為5~500Ω/□。
20.一種附透明導電層之基板之製造方法，其具有將如1至13中任一項之透明導電層形成用組合物直接塗佈於基板上而成之透明導電層。
21.一種觸控面板，其使用如17至19中任一項之附透明導電層之基板。
22.一種電氣機器，其使用如17至19中任一項之附透明導電層之基板。
23.一種車輛，其使用如14至19中任一項之透明導電層或附透明導電層之基板。
根據本發明，可提供一種可形成耐久性及與基板之密著性良好之透明導電層的透明導電層形成用組合物。
[透明導電層形成用組合物]
本發明之透明導電層形成用組合物包含下述成分(A)-(E)：
(A)導電性奈米纖維
(B)下述(B-1)、及選自下述(B-2)~(B-5)中之1種以上之具有烷氧基之矽烷化合物之水解縮合物
(B-1)具有胺基及烷氧基之矽烷化合物
(B-2)四烷氧基矽烷化合物、
(B-3)不含胺基、環氧基及異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物
(B-4)具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物
(B-5)具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物
(C)有機高分子微粒子及/或無機微粒子
(D)硬化觸媒
(E)分散介質
本發明之透明導電層形成用組合物包含成分(A)-(E)，係塗佈性優異之組合物。所獲得之透明導電層係與基板之密著性良好，因此本發明之透明導電層形成用組合物可直接塗佈於基板而形成透明導電層。
又，所獲得之透明導電層中導電性奈米纖維均勻分散，可顯示優異之透明性及導電性兩者，耐久性亦優異。
以下，對各成分進行說明。
(A)導電性奈米纖維
作為(A)成分之導電性奈米纖維包含金屬奈米線、奈米碳管。導電性奈米纖維係於由組合物所獲得之塗膜中形成網格，對塗膜提供導電性。
作為構成作為導電性奈米纖維之金屬奈米線之金屬，係包含選自由金、銀、鉑、銅、鎳、鐵、鈷、鋅、釕、銠、鈀、鎘、鐵、銥所組成之群中之任一個，或選自該群中之2個以上之合金。金屬奈米線可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。就獲得較高之全光線透過 率及較高之導電性之觀點而言，金屬奈米線較佳為金奈米線、奈米銀線、銅奈米線，更佳為奈米銀線。
作為金屬奈米線之形狀，例如可採用圓柱狀、直方體狀、剖面為多角形之柱狀等任意形狀，於必需較高之透明性之用途中，較佳為圓柱狀或剖面為5角形以上之多角形。
金屬奈米線之剖面形狀可藉由於基材上塗佈金屬奈米線分散液，利用透過型電子顯微鏡(TEM)觀察剖面而檢測。
金屬奈米線之平均直徑較佳為100nm以下，更佳為50nm以下，進而較佳為30nm以下。為了確保耐久性，金屬奈米線之平均直徑較佳為5nm以上。
作為金屬奈米線之平均長度，較佳為1μm~100μm，更佳為3μm~50μm，進而較佳為5μm~30μm。若金屬奈米線之平均長度過長，則有金屬奈米線製造時產生凝集物之擔心，若平均長度過短，則有時無法獲得充分之導電性。
金屬奈米線之平均直徑及平均長度可藉由使用透過型電子顯微鏡(TEM)及光學顯微鏡，觀察TEM像或光學顯微鏡像而測定。
例如可使用光學顯微鏡，觀察300個金屬奈米線，根據其平均值求出金屬奈米線之平均長度。
再者，金屬奈米線之短軸方向剖面並非圓形之情形之平均直徑係將短軸方向之測定中最長部位之長度的平均值設為平均直徑。又，於金屬奈米線彎曲之情形時，考慮以其為弧之圓，將自其半徑、及曲率算出之值的平均值設為平均長度。
導電層為透明，因此較佳為平均直徑50nm以下、且平均長度為5μm以上之金屬奈米線。
作為金屬奈米線之縱橫比，只要為10以上，則無特別限制，可根據目的適當選擇，較佳為50~1,000,000，更佳為100~1,000,000。
所謂縱橫比通常意指纖維狀物質之長邊與短邊之比(平均長度/平均直徑之比)，可自藉由上述方法所測得之平均長度及平均直徑之值而算出。
作為導電性奈米纖維之奈米碳管係包含厚度為數層原子層之石墨狀碳原子面(石墨烯片)捲成筒形之形狀的碳系纖維材料，根據其周壁之構成數大致分為單層奈米管(SWNT)及多層奈米管(MWNT)。又，單層奈米碳管因石墨烯片之結構之差異而分為手性(螺旋)型、鋸齒型、扶手椅型，已知有各種。
於本發明中，只要為稱為此種奈米碳管者，則亦可使用任一類型之奈米碳管。又，可將該等各種奈米碳管混合複數種而使用。
奈米碳管較佳為使用縱橫比較大、即細長之單層奈米管。例如可列舉縱橫比為102以上、較佳為103以上之奈米碳管。
奈米碳管之長度通常為1μm以上，較佳為5μm以上，進而較佳為10μm以上，長度之上限並無特別限定，例如為10mm左右。作為外徑，已知有奈米級之極微小之奈米碳管。較佳為利用有機化合物對奈米碳管進行表面處理，具體而言，較佳為使用界面活性劑而提高分散性。
(B)具有烷氧基之矽烷化合物之水解縮合物
作為具有烷氧基之矽烷化合物之水解縮合物，包含(B-1)之矽烷化合物之水解縮合物，進而包含選自(B-2)~(B-5)中之1種以上之矽烷化合物的水解縮合物。
(B-1)具有胺基及烷氧基之矽烷化合物
(B-2)四烷氧基矽烷化合物、
(B-3)不含胺基、環氧基及異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物
(B-4)具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物
(B-5)具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物
本發明之透明導電層形成用組合物於包含(B-1)及選自(B-2)~(B-5)中之1種以上之矽烷化合物的水解縮合物作為(B)成分之情形時，亦可進而包含選自(B-6)及(B-7)中之1種以上之矽烷化合物。
(B-6)碳間具有雙鍵之矽烷化合物
(B-7)具有巰基及烷氧基之矽烷化合物
(B-1)~(B-5)成分可為水解縮合物，(B-6)~(B-7)成分亦可為水解縮合物。水解縮合物可為(B-1)~(B-7)成分之單獨化合物的水解縮合物，亦可為包含(B-1)~(B-7)成分中任意2種以上之混合物的水解縮合物。
於本發明中，所謂包含烷氧基之矽烷化合物係指烷氧基矽烷化合物及/或其部分縮合物，所謂烷氧基矽烷化合物之部分縮合物係指烷氧基矽烷化合物之一部分發生縮合，於分子內形成矽氧烷鍵(Si-O鍵)而成之聚烷氧基矽烷化合物或聚有機烷氧基矽烷化合物。
又，所謂包含烷氧基之矽烷化合物之水解縮合物除包含烷氧基之矽烷化合物之水解縮合物以外，亦可包含水解縮合前之含有該烷氧基之矽烷化合物。
具有烷氧基之矽烷化合物之水解縮合物較佳為包含全部(B-1)~(B-5)。
(B-1)具有胺基及烷氧基之矽烷化合物
具有胺基及烷氧基之矽烷化合物係不含環氧基及異氰酸酯基之烷氧基矽烷化合物。又，亦可使用其部分縮合物(含胺基之聚有機烷氧基矽烷化合物)。該等化合物可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
作為具有胺基及烷氧基之矽烷化合物之含胺基之有機烷氧基矽烷化合物及其部分縮合物例如可由下述式(3)表示。
R4 bSi(OR5)4-b...(3)
[式中，R4係碳數1~4之烷基；苯基；或經選自胺基(-NH2基)、胺基烷基[-(CH2)x-NH2基(其中，x為1~3之整數)])、烷基胺基[-NHR基(其中，R為碳數1~3之烷基)]中之1個以上之基取代之碳數1~3的烷基，R4之至少一個為經胺基、胺基烷基或烷基胺基之任一者取代之碳數1~3的烷基。R5係碳數1~4之烷基，b為1或2。於R4有複數個之情形時，複數個R4可相同亦可不同，複數個OR5可相同亦可不同]
上述式(3)中，關於碳數1~3之烷基、碳數1~4之烷基，與下述式(1)或(2)相同。較佳為R4為碳數1~4之烷基或經胺基取代之碳數1~3的烷基。較佳為R5為碳數1~4之烷基。較佳為b為1。
作為式(3)所表示之含胺基之有機烷氧基矽烷化合物的具體例，可列舉：N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三乙氧基矽烷等。
又，作為含胺基之聚有機烷氧基矽烷化合物，例如可列舉信越矽酮股份有限公司製造之「KBP-90」等。
(B-2)四烷氧基矽烷化合物
作為四烷氧基矽烷化合物，可使用四烷氧基矽烷化合物或經矽氧烷鍵(Si-O鍵)結合之部分縮合物(聚烷氧基矽烷化合物)。該等化合物可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
四烷氧基矽烷化合物及其部分縮合物例如可由下述式(1)表示，特別較佳為下述式(6)所表示之化合物。
Si(OR1)4 (1)
[式中，R1係碳數1~4之烷基或碳數1~4之烷氧基烷基。複數個R1可相同亦可不同]
[式中，R1與上述相同，n為1~15之整數]
式(1)及(6)中，作為碳數1~4之烷基，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、各種丁基，又，作為R1為碳數1~4之烷氧基烷基之OR1，例如可列舉：2-甲氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基等。
作為四烷氧基矽烷化合物，可列舉：四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丁氧基矽烷、四異丁氧基矽烷等。
又，作為聚烷氧基矽烷化合物，可列舉：多摩化學工業股份有限公司製造之「M矽酸鹽51」「矽酸鹽40」「矽酸鹽45」、COLCOAT股份有限公司製造之「甲基矽酸鹽51」「甲基矽酸鹽53A」「乙基矽酸鹽40」「乙基矽酸鹽48」等。
(B-3)不含胺基、環氧基及異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物
作為有機烷氧基矽烷化合物，可使用有機烷氧基矽烷化合物或其部分縮合物。有機烷氧基矽烷化合物不含胺基、環氧基、及異氰酸酯基。
該等化合物可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
作為有機烷氧基矽烷化合物，有機烷氧基矽烷化合物及其部分縮合物較佳為2官能烷氧基矽烷、3官能烷氧基矽烷，例如可由下述式(2)表示，特別較佳為下述式(7)所表示之化合物。
R2 aSi(OR3)4-a...(2)
[式中，R2為碳數1~10之烷基、碳數1~10之氟化烷基或苯基，R3為碳數1~4之烷基或碳數1~4之烷氧基烷基，a為1或2。於R2有複數之情形時，複數個R2可相同亦可不同，複數個OR3可相同亦可不同]
[式中，R2及R3與上述相同，m為1~15之整數]
式(2)及(7)中，作為碳數1~10之烷基，可為直鏈狀、分支狀之任一者，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、各種丁基、各種己基、各種辛基、各種癸基等，作為氟化烷基，例如可列舉：三氟乙基、三氟丙基等。又，作為碳數1~3之烷基，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基。關於碳之1~4之烷基或烷氧基烷基，如式(1)所說明所述。較佳為R2為碳數1~4之烷基。較佳為R3為碳數1~4之烷基。較佳為a為1。
式(2)所表示之有機烷氧基矽烷化合物之中，作為3官能烷氧基矽烷，可列舉：甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、甲基-三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、乙基三丁氧基矽烷、乙基-三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、己基三甲氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、己基三丙氧基矽烷、己基三丁氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、癸基三丙氧基矽烷、癸基三丁氧基矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷等氟化烷基(三烷氧基)矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等。又，亦可列舉包含2種烷氧基之甲基二甲 氧基(乙氧基)矽烷、乙基二乙氧基(甲氧基)矽烷等。
作為2官能烷氧基矽烷，可列舉：二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、雙(2-甲氧基乙氧基)二甲基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷等。
作為聚有機烷氧基矽烷化合物之具體例，可列舉：多摩化學工業股份有限公司製造之「MTMS-A」、COLCOAT股份有限公司製造之「SS-101」、東麗道康寧股份有限公司製造之「AZ-6101」「SR2402」「AY42-163」等。
(B-4)具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物
具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物係具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物且不含胺基及異氰酸酯基之烷氧基矽烷化合物。又，亦可使用其部分縮合物(含環氧基之聚有機烷氧基矽烷化合物)。該等化合物可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
作為具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物之含環氧基之有機烷氧基矽烷化合物及其部分縮合物例如可由下述式(4)表示。
R6 cSi(OR7)4-c...(4)
[式中，R6為碳數1~4之烷基；苯基；或經選自縮水甘油氧基、3,4-環氧環己基中之一個以上之基取代的碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基，R6之至少一個為經縮水甘油氧基或3,4-環氧環己基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基。
R7為碳數1~4之烷基，c為1或2。於R6有複數個之情形時，複數個R6可相同亦可不同，複數個OR7可相同亦可不同]
上述式(4)中，關於碳數1~4之烷基，如上述式(1)所說明，碳數1~6之烷基為上述式(2)之碳數1~10之烷基中碳數1~6者。較佳為R6為碳數1~4之烷基或經選自縮水甘油氧基、3,4-環氧環己基中之1種以上之基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基，更佳為碳數1~4 之烷基或經縮水甘油氧基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基。較佳為R7為碳數1~4之烷基。較佳為c為2。
作為式(4)所表示之含環氧基之有機烷氧基矽烷化合物之具體例，可列舉：3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷等。
(B-5)具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物
具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物(通常亦稱為封端化異氰酸酯矽烷化合物、封端化異氰酸基矽烷化合物)係包含烷氧基及封端化異氰酸酯基但不含胺基及環氧基之烷氧基矽烷化合物。又，亦可使用其部分縮合物(含封端化異氰酸酯基之聚有機烷氧基矽烷化合物)。該等化合物可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
再者，所謂封端化異氰酸酯矽烷化合物係指先利用肟等封端劑保護異氰酸酯基而使之成為非活性，再藉由加熱進行脫封端化而使異氰酸酯基活化(再生)的異氰酸酯矽烷化合物(通常亦稱為異氰酸酯矽烷化合物)。
作為具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物的含封端化異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物及其部分縮合物例如可以下述式(5)表示。
R8 dSi(OR9)4-d...(5)
[式中，R8為碳數1~4之烷基；苯基；或經封端化異氰酸酯基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基，R8之至少一個經封端化異氰酸酯基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基。R9係碳數1~4之烷基，d為1或2。於R8有複數個之情形時，複數個R8可相同亦可不同，複數個OR9可相同亦可不同]
上述式(5)中，關於碳數1~4之烷基、碳數1~6之烷基，如上述式(1)或(4)所說明所述。較佳為R8為碳數1~4之烷基或經封端化異氰酸酯基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基。較佳為R9為碳數1~4之烷基。較佳為d為1。
作為上述式(5)所表示之含封端化異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物的具體例，可列舉：3-異氰酸酯基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基乙基二乙氧基矽烷等利用封端化劑將化合物中之異氰酸酯基保護而成者。該等之中，作為較佳之化合物，可列舉3-封端化異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷。
作為異氰酸酯基之封端化劑，可使用丙酮肟、2-丁酮肟、環己酮肟、甲基異丁基酮肟等肟化合物，ε-己內醯胺等內醯胺類，單烷基苯酚(甲酚、壬基苯酚等)等烷基酚類，3,5-二甲苯酚、二-第三丁基苯酚等二烷基酚類，三甲基苯酚等三烷基酚類，丙二酸二乙酯等丙二酸二酯，如乙醯丙酮、乙醯乙酸乙酯之類之乙醯乙酸酯等活性亞甲基化合物類，甲醇、乙醇、正丁醇等醇類，甲基溶纖劑、丁基溶纖劑等含羥基之醚類，乳酸乙酯、乳酸戊酯等含羥基之酯類，丁基硫醇、己基硫醇等硫醇類，乙醯苯胺、二聚醯胺等醯胺類，咪唑、2-乙基咪唑等咪唑類，3,5-二甲基吡唑等吡唑類，1,2,4-三唑等三唑類，丁二醯亞胺、鄰苯二甲醯亞胺等醯亞胺類等。又，為了控制封端化劑解離溫度，亦可併用二丁基二月桂酸錫等觸媒。
(B-6)具有碳間雙鍵之矽烷化合物
(B-6)成分係包含乙烯基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基等具有碳間雙鍵之基的矽烷化合物，且較佳為包含烷氧基。又，不含胺基、環氧基及異氰酸酯基。
再者，(B-6)成分之「碳間雙鍵」不含芳香族雙鍵。於本說明書中，所謂芳香族雙鍵係指具有4n+2個(n為0以上之整數)之π電子的環狀共軛化合物中的雙鍵。
本發明之組合物於包含(B-6)具有碳間雙鍵之矽烷化合物之情形時，除進行熱硬化外，能進行光硬化(UV硬化)、電子束硬化(EB硬化)。
作為具有碳間雙鍵之矽烷化合物，亦可使用其部分縮合物(含有具有碳間雙鍵之基之聚有機烷氧基矽烷化合物)。該等化合物可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
具有碳間雙鍵之矽烷化合物及其部分縮合物例如可由下述式(20)所表示。
R20 eSi(OR21)4-e...(20)
[式中，R20係碳數1~4之烷基；乙烯基；或經具有選自乙烯基、丙烯酸基及甲基丙烯酸基中之1個以上的基之取代基取代的碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基，R20之至少一個係經具有選自乙烯基、丙烯酸基及甲基丙烯酸基中之1個以上的基之取代基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基。R21為碳數1~4之烷基，e為1或2。於R20具有複數個情形時，複數個R20可相同亦可不同，複數個OR21可相同亦可不同]
上述式(20)中，關於碳數1~6之烷基、碳數1~4之烷基，如式(1)或(4)所說明所述。較佳為R20為碳數1~4之烷基、或經選自乙烯基、丙烯酸基及甲基丙烯酸基中之1個以上之基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基。較佳為e為1。
經具有選自乙烯基、丙烯酸基及甲基丙烯酸基中之1個以上之基的取代基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基較佳為經選自乙烯基、乙烯氧基、丙烯酸基、丙烯醯氧基、甲基丙烯酸基及甲基丙烯醯 氧基中之1個以上之基取代的碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基，更佳為經選自丙烯酸基、丙烯醯氧基、甲基丙烯酸基及甲基丙烯醯氧基中之1個以上之基取代的碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基。
作為式(20)表示化合物之具體例，可列舉：3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等丙烯酸矽烷化合物(含丙烯酸基之矽烷化合物)、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等含乙烯基之矽烷化合物。
(B-7)具有巰基及烷氧基之矽烷化合物
具有巰基及烷氧基之矽烷化合物係含有具有硫醇基(「IUPAC；別名為硫基、巰基、硫氫基)之基之矽烷化合物，且包含烷氧基。又，不含胺基、環氧基及異氰酸酯基。又，可為包含具有三嗪硫醇基之基之矽烷化合物。
作為(B-7)成分之具體例，可列舉：3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷。作為烷氧基低聚物，可列舉：信越化學工業股份有限公司製造之X-41-1805、X-41-1818、X-41-1810等。進而，作為含三嗪硫醇基之矽酮烷氧基低聚物，可列舉：信越化學工業股份有限公司製造之X-24-9451、X-24-9452、X-24-9453、X-24-9454。
(C)有機高分子微粒子及/或無機微粒子
本發明之透明導電層形成用組合物包含有機高分子微粒子及/或無機微粒子。即，本發明之組合物可包含有機高分子微粒子及無機微粒子之任一者，亦可包含有機高分子微粒子及無機微粒子兩者。
作為有機高分子微粒子，可例示使乙烯系不飽和化合物(丙烯酸、甲基丙烯酸及該等之衍生物、苯乙烯、乙酸乙烯酯等)聚合而成 者。
就製造性、組合物中之分散性、組合物之塗佈性及塗膜之透明性等觀點而言，有機高分子微粒子較佳為平均粒徑為1~200nm之範圍者，更佳為1~100nm之範圍者。再者，該有機高分子微粒子之平均粒徑可利用動態光散射法而測定。又，於無法利用動態光散射法而測定之情形時，可利用X射線小角散射法而測定。
上述動態光散射法例如可使用動態光散射法粒徑分佈測定裝置(貝克曼庫爾特股份有限公司製造，庫爾特計數器N5)，對將有機高分子微粒子以離子交換水稀釋100倍之液體進行測定，求出利用單峰分析(單分散模式分析)之平均粒徑。將該過程重複進行5次，可將5次分之平均粒徑之平均值設為有機高分子的平均粒徑。
於將有機高分子微粒子之平均粒徑設為D，將導電性奈米纖維之平均長度設為L時，較佳為未達D/L<0.010，更佳為未達D/L<0.0050。
於本發明中，該有機高分子微粒子可以分散於分散介質之形態使用，作為分散介質，例如較佳可列舉：水、甲醇、乙醇、丙醇、1-甲氧基-2-丙醇等低級醇，甲基溶纖劑等溶纖劑類等。藉由使用此種分散介質，可提高有機高分子微粒子之分散性，可防止沈降。進而較佳為分散介質為水者。於分散介質為水之情形時，上述源自(B-1)~(B-5)成分之包含Si-O鍵之基質形成時，亦可應用於矽烷化合物之水解、縮合反應。
有機高分子微粒子之製造方法並無特別限制，可採用先前公知之方法例如乳化聚合法或微細懸浮聚合法等。
乳化聚合法係使用包含乙烯性不飽和單體、水性分散介質、陰離子性或非離子性界面活性劑之乳化劑及水溶性聚合起始劑，乳化成微細之液滴，於包含上述單體混合物之界面活性劑微胞層內推進聚 合，獲得有機高分子微粒子之分散液的方法。
另一方面，係微細懸浮聚合液首先於水性介質中添加上述單體、油溶性聚合起始劑、乳化劑及視需要之其他添加劑，進行預混料，利用均質器進行均質化處理，進行油滴之粒徑調節。繼而，將經均質化處理之液體送至聚合器，進行聚合反應，獲得有機高分子微粒子之分散液的方法。
上述任一方法均為聚合溫度為30~80℃左右。
作為乳化聚合使用之水溶性聚合起始劑，例如可列舉：過硫酸鉀、過硫酸銨、過氧化氫等水溶性過氧化物、該等之起始劑或氫過氧化異丙苯、氫過氧化第三丁基等氫過氧化物中組合酸性亞硫酸鈉、亞硫酸銨、抗壞血酸等還原劑而成之氧化還原系起始劑、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙脒)二鹽酸鹽等水溶性偶氮化合物等。
另一方面，作為微細懸浮聚合使用之油溶性聚合起始劑，例如可列舉：過氧化二乙醯類、過氧化酮類、過氧酯類、過氧化二碳酸酯類等油溶性有機過氧化物、2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)等偶氮化合物等。
作為有機高分子微粒子之具體例，可列舉一方社油脂工業股份有限公司製之乳液系高分子紫外線吸收劑ULS-700、ULS-1700、ULS-383MA、ULS-1383MA、ULS-383MG、ULS-385MG、ULS-1383MG、ULS-1385MG、ULS-635MH等、日信化學工業股份有限公司製造之Vinibran700、701、711、日本Zeon股份有限公司製造之Nipol系列等。
上述有機高分子微粒子可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
作為無機微粒子，可列舉銀或銅等金屬微粒子、膠體二氧化矽、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯、ITO、ATO(三氧化銻)等金屬氧化物 微粒子。
無機微粒子較佳為膠體二氧化矽。所謂膠體二氧化矽亦係指膠體氧化矽、膠體矽酸。係指於水中，藉由水合於表面具有Si-OH基之氧化矽之膠體懸浮液，於矽酸鈉之水溶液中添加鹽酸而生成。最近，逐漸開發出新製備法，有分散於非水溶液中者，利用氣相法製作之微粉末狀者，又，亦有中空類型者，粒徑亦自數nm至數μm，多種多樣。
作為無機微粒子之平均粒徑，較佳為1~200nm左右者。粒子之組成為不定，亦有形成矽氧烷鍵(-Si-O-、-Si-O-Si-)而高分子化者。粒子表面為多孔性，於水中通常帶負電。
再者，上述平均粒徑例如可藉由如下方式而測定：將無機微粒子乾燥．焙燒．粉碎之後，使用BET比表面積測定裝置(Monosorb MS-17)，利用氮吸附法求出BET比表面積，換算成假定為真狀粒子時之粒徑。於無法利用BET比表面積測定平均粒子系之情形時，可利用X射線小角散射法而測定。
於將無機微粒子之平均粒徑設為D，將導電性奈米纖維之平均長度設為L時，較佳為未達D/L<0.010，更佳為未達D/L<0.0050。
作為膠體二氧化矽之市售品，可列舉：扶桑化學工業股份有限公司製造之「超高純度膠體二氧化矽」Quartron PL系列(品名：PL-1、PL-3、PL-7)、扶桑化學工業股份有限公司製造之「高純度有機溶膠」、或日產化學工業股份有限公司製造之「膠體二氧化矽(品名：Snowtex20、Snowtex30、Snowtex40、Snowtex O、Snowtex O-40、Snowtex C、Snowtex N、Snowtex S、Snowtex20L、Snowtex OL等)」或「有機氧化矽溶膠(品名：甲醇氧化矽溶膠、MA-ST-MS、MA-ST-L、IPA-ST、IPA-ST-MS、IPA-ST-L、IPA-ST-ZL、IPA-ST-UP、EG-ST、NPC-ST-30、MEK-ST、MEK-ST-MS、MIBK-ST、XBA-ST、 PMA-ST、DMAC-ST、PGM-ST等)」。
作為(C)成分，可將膠體二氧化矽單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
(D)硬化觸媒
硬化觸媒係使上述矽烷化合物(B-1)~(B-7)成分水解及縮合(硬化)之觸媒，例如可列舉：鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、亞硝酸、過氯酸、胺基磺酸等無機酸，甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、草酸、檸檬酸、酒石酸、琥珀酸、順丁烯二酸、麩胺酸、乳酸、對甲苯磺酸等有機酸。
又，氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、正己基胺、二甲基胺、三丁基胺、二氮雜雙環十一烯、乙酸乙醇胺、甲酸二甲基苯胺、苯甲酸四乙基銨鹽、乙酸鈉、乙酸鉀、丙酸鈉、麩胺酸鈉、丙酸鉀、甲酸鈉、甲酸鉀、乙酸苯甲醯基三甲基銨鹽、四甲基乙酸銨、辛基酸錫等有機金屬鹽、四異丙基鈦酸酯、四丁基鈦酸酯、三異丁氧化鋁、三異丙氧化鋁、乙醯丙酮鋁、SnCl4、TiCl4、ZnCl4等路易斯酸等。
該等硬化觸媒中，就即便增加(C)之調配量亦可高分散化，可提高獲得之膜之透明性而言，可較佳使用有機酸。尤其可使用有機接酸，其中可較佳使用乙酸。
作為(D)成分，可將上述硬化觸媒單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
(E)分散介質
本發明之組合物係以導電性奈米纖維或無機微粒子、有機微粒子等分散於分散介質中之狀態使用。分散介質只要為可將導電性奈米纖維等均勻混合而分散者即可，並無特別限定，例如除水外，可列舉：醇類、芳香族烴類、醚類、酯類等有機系分散介質。該等有機系分散介質之中，作為醇類之具體例，可列舉：甲醇、乙醇、正丙醇、 異丙醇、正丁醇、第二丁醇、第三丁醇、正己醇、正辛醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚、1-甲氧基-2-丙醇(丙二醇單甲醚)、丙烯單甲醚乙酸酯、二丙酮醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙基溶纖劑、丁基溶纖劑、苄醇等。
作為其他分散介質之具體例，可列舉：四氫呋喃、1,4-二烷、1,2-二甲氧基乙烷、二甲苯、二氯乙烷、甲苯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸乙氧基乙酯等。
該等分散介質之中，就作為分散介質之性能之觀點而言，較佳為水及醇類。
作為(E)成分，可將上述分散介質單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
(任意添加成分)
本發明之組合物中除上述成分以外，亦可視需要適當含有先前組合物使用之公知之各種添加成分。
作為可視需要含有之添加成分，例如可列舉：分散穩定劑、調平劑、可撓性賦予劑、進而潤滑性賦予劑、抗氧化劑、抗硫化劑、抗金屬腐蝕劑、防腐劑、上藍劑、消泡劑(抗發泡劑)、光穩定劑、耐候性賦予劑、著色劑、黏度調整劑、微粒子之分散劑(抗沈降劑)或微粒子表面活性之改質劑等。
〈調平劑〉
為了提高獲得之塗膜之平滑性、以及塗佈時之流動性，組合物中可添加調平劑，作為該等之添加劑，可列舉：矽酮系調平劑、氟系調平劑、丙烯酸系調平劑、乙烯系調平劑、以及氟系與丙烯酸系經複合化之調平劑等。全部於塗膜表面發揮功能，降低表面張力。具有各種特徵，可根據目的而使用。表面張力之下降能力，於矽酮系與氟系 較強，但於丙烯酸系與乙烯系進行再塗佈之情形時，不易於產生潤濕不良，從而較為有利。
作為矽酮系調平劑之具體例，可使用聚氧伸烷基與聚二甲基矽氧烷之共聚物等。作為矽酮系調平劑之市售品，可列舉：東麗道康寧股份有限公司製造之FZ-2118、FZ-77、FZ-2161等、信越化學工業股份有限公司製造之KP321、KP323、KP324、KP326、KP340、KP341等、邁圖高新材料日本有限公司製造之TSF4440、TSF4441、TSF4445、TSF4450、TSF4446、TSF4452、TSF4453、TSF4460等、日本BYK-Chemie股份有限公司製造之BYK-300、BYK-302、BYK-306、BYK-307、BYK-320、BYK-325、BYK-330、BYK-331、BYK-333、BYK-337、BYK-341、BYK-344、BYK-345、BYK-346、BYK-348、BYK-377、BYK-378、BYK-UV3500、BYK-3510、BYK-3570等聚醚改性矽酮油(聚氧伸烷基改性矽酮油)等。
又，於需要150℃以上之耐熱性之情形時，適合為聚酯改性或具有苯環之芳烷基改性矽酮油。作為聚酯改性矽酮油之市售品，可列舉：日本BYK-Chemie股份有限公司製造之BYK-310、BYK-315、BYK-370等，作為具有苯環之芳烷基改性矽酮油之市售品，可列舉：日本BYK-Chemie股份有限公司製造之BYK-322、BYK-323等。
作為氟系調平劑，可使用聚氧伸烷基與氟碳之共聚物等。
作為氟系調平劑之市售品，可列舉：DIC股份有限公司製造之MEGAFAC系列、住友3M股份有限公司製造之FC系列等。
作為丙烯酸系調平劑之市售品，可列舉：日本BYK-Chemie股份有限公司製造之BYK-350、BYK-352、BYK-354、BYK-355、BYK358N、BYK-361N、BYK-380N、BYK-381、BYK-392等導入氟之BYK-340等。
藉由調配此種調平劑，可改善塗膜之修飾外觀，作為薄膜亦可 均勻塗佈。調平劑之使用量相對於組合物總量，較佳為0.01~10質量%，進而較佳為0.02~5質量%。
作為調配調平劑之方法，可於製備組合物時調配，亦可於即將形成塗膜之前調配於組合物，進而亦可於製備組合物及即將形成塗膜前之兩個階段中調配。
〈可撓性賦予劑〉
為了提高獲得之塗膜之柔軟性，組合物中可含有可撓性賦予劑作為應力緩和劑。
作為可撓性賦予劑，例如可使用矽酮樹脂等。
作為矽酮樹脂之市售品，可列舉：Wacker公司製造之Resin MK系列例如Belsil PMS MK(包含CH3SiO3/2之重複單元(單元T)之聚合物且亦包含直至1質量%之(CH3)2SiO2/2單元(單元D)者)、或信越化學工業股份有限公司製造之KR-242A(包含98質量%之單元T及2質量%之二甲基單元D且包含Si-OH末端基者)、KR-251(包含88質量%之單元T及12質量%之二甲基單元D且包含Si-OH末端基者)、KR-220L(包含式CH3SiO3/2之單元T，包含Si-OH(矽烷醇)末端基者)等。
(透明導電層形成用組合物中之各成分之含量)
組合物中之各成分之含量可適當選定，各成分之含量例如較佳為按以下所示之範圍而選定。
除去(E)成分之分散介質，相對於(A)、(B)[(B-1)~(B-7)]、(C)及(D)之合計量，以質量%計表示各成分含量。再者，作為分散狀態較佳使用之(C)成分係僅使用固形物成分而計算，各成分中所含之分散介質包含於(E)成分中。
(A)成分之含量例如為5質量%以上且98質量%，較佳為10~75質量%。於未達5質量%之情形時，有無法表現導電性之虞，於多於98質量%之情形時，有與基材之密著性下降之虞。
(B-1)成分之含量通常為0.1~30質量%左右，較佳為1~20質量%。
(B-2)成分之含量通常為0.01~40質量%左右，較佳為1~20質量%。
(B-3)成分之含量通常為0.1~40質量%左右，較佳為1~30質量%。
(B-4)成分之含量通常為0.1~30質量%左右，較佳為1~20質量%。
(B-5)成分之含量通常為0.1~50質量%左右，較佳為1~40質量%。
(B-6)成分之含量通常為0~50質量%左右，較佳為0.1~40質量%。
(B-7)成分之含量通常為0~50質量%左右，較佳為0.1~40質量%。
作為(C)成分之有機高分子微粒子之含量通常為0~50質量%左右，較佳為0.1~20質量%。
作為(C)成分之無機微粒子之含量通常為0~70質量%左右，較佳為1~50質量%。
(D)成分之含量通常為0.001~30質量%左右，較佳為0.001~20質量%。
(E)成分之含量相對於(A)、(B)、(C)及(D)成分之合計質量份，通常為5~100000質量份左右，較佳為100~50000質量份。
再者，作為(B-1)成分與(B-5)成分之調配莫耳比，並無特別限制，較佳為1：1~1：5，更佳為1：2~1：4。只要(B-1)成分與(B-5)成分之調配莫耳比在上述範圍，則更提高所獲得之塗膜之耐久性。
本發明之透明導電層形成用組合物可實質上僅包含(A)、(B)、 (C)、(D)及(E)，或僅包含(A)、(B)、(C)、(D)及(E)。
作為其他成分，可列舉上述任意添加成分。
此處，所謂「實質上」意指透明導電層形成用組合物之95重量%以上且100重量%以下(較佳為98重量%以上且100重量%以下)為(A)、(B)、(C)、(D)及(E)。
本發明中使用之透明導電層形成用組合物於無損本發明之效果之範圍內除(A)、(B)、(C)、(D)及(E)外亦可包含不可避免之雜質。
[導電層形成用組合物之製備方法]
本發明之導電層形成用組合物較佳為於使(B-2)、(B-3)成分及(B-4)成分與(C)~(E)成分接觸而獲得之反應液中添加(B-5)成分使之反應後，進而添加(B-1)成分使之反應而製備組合物，並於該組合物中添加(A)成分而製造。
又，更佳為於藉由將包含(B-2)、(B-3)成分及(B-4)成分與(C)~(E)成分之混合物加熱而獲得之反應生成物中添加(B-5)成分使之反應後，進而添加(B-1)成分使之反應而製備組合物，於該組合物中添加(A)成分而製造。
具體而言，製備至少包含(B-2)、(B-3)成分及(B-4)成分及作為(C)成分之有機高分子微粒子、(D)及(E)成分的第1混合液，其次混合包含(C)成分及(E)成分之無機微粒子分散液而製備第2混合液，進而添加(B-5)成分而製備第3混合液。於該第3混合液中添加(B-1)成分而製備組合物。更佳為於該組合物中添加包含(A)成分及(E)成分之導電性奈米纖維分散液而製造。
如此，若將各成分分離而製備，則組合物之液體保存穩定性(不進行凝膠化等)提高，故而較佳。
尤其是，於藉由增加(C)成分之添加量而增加液體中之水量時，進一步發揮該效果。例如，將作為(B-2)、(B-3)、(B-4)、(C)成分之有 機高分子微粒子、(D)及(E)成分加以混合後，添加作為(C)成分之無機微粒子。其次，混合(B-5)成分，進而添加(B-1)成分，而製備組合物即可。
再者，(E)成分可藉由在製備組合物後進而添加，而將組合物加以稀釋。
已知如上述組合物之混合材料之液體保存穩定性容易影響液體pH值(例如，「溶膠-凝膠法之對奈米技術之應用/監修：作花濟夫」CMC出版)。於製備組合物時，由於混合酸性成分作為作為(D)成分，混合鹼性成分作為作為(B-1)成分及(C)成分之無機微粒子，故而液體pH值根據混合順序而發生變化。作為液體pH值、例如利用校正用pH標準液進行修正之利用可攜式pH計(Hanna公司製造：商品名Checker-1)評價之液體pH值，較佳上述第一混合液及第二混合液之pH值≦6、第三混合液及最終混合液之pH值≦7。尤其是，若於第三混合液、即(B-1)成分之混合時液體pH值超過8，則有液穩定性下降之虞。自組合物之製備開始時至製備結束時為止，較佳為液體保持於酸性狀態。即，較佳為以維持此種條件之順序製備組合物。
又，較佳為上述第1混合液、第2混合液、及第3混合液於混合各成分後，進行加熱處理。溫度較佳為30℃~130℃，更佳為50℃~90℃，加熱處理時間較佳為30分鐘~24小時，更佳為1小時~8小時。關於混合、加熱機構，只要為可均勻混合、加熱之機構，則無特別限制。
藉由如此加熱，推進液體內之(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4)及(B-5)成分之縮合反應，提高耐久性。(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4)及(B-5)成分之反應可利用溶液Si-NMR而分析，可設計成適合其之結構。於未達30℃或未達30分鐘時，較多情況下反應極端較遲，又，於超過130℃或超過24小時之情形時，過於推進(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4) 及(B-5)成分之反應，有液體凝膠化或高黏性化，無法塗佈之虞。
較佳為混合(B-1)成分之後之組合物亦進行加熱處理。於室溫下之混合之情形時，容易受到攪拌效率之影響，其引起(B-1)成分之分散度較低之情形時，有塗膜之透明性(全光線透過率下降、霧度上升)下降之虞。溫度較佳為30℃~130℃，更佳為50℃~90℃，時間較佳為5分鐘~10小時，更佳為15分鐘~6小時。關於混合、加熱機構，只要為可均勻混合、加熱之機構，則無特別限制。於未達30℃或未達5分鐘時較多情況下加熱處理之效果較差，又，若超過130℃或超過10小時，則有液體凝膠化或高黏性化，無法塗佈之虞。
[透明導電層]
藉由將本發明之透明導電層形成用組合物塗佈於基板上而形成塗膜。例如，利用旋轉塗佈機、噴霧、浸漬、簾幕式流動、棒式塗佈機、模嘴塗佈機、刮刀塗佈機、凹版塗佈機或輥塗等公知之方法而塗佈。
作為塗膜之厚度，較佳為調整為10~500nm，更佳為30~200nm。
其後，以適當之乾燥條件，通常室溫~190℃、較佳為80~140℃，加熱乾燥1分鐘~24小時左右，較佳為2~60分鐘，藉此獲得透明導電層。
又，本發明之組合物於包含具有碳間雙鍵之矽烷化合物((B-6)成分)之情形時，可光硬化(UV硬化)及電子束硬化(EB硬化)。
由本發明之組合物所獲得之透明導電層於膜中分散導電性奈米纖維((A)成分)有機高分子微粒子及無機微粒子((C)成分)。
作為可用於基板之樹脂，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、環烯系樹脂(例：JSR股份有限公司製造之「ARTON」、日本Zeon股份有限公司製造之「ZEONOR」「ZEONEX」)、聚甲基戊烯等聚烯烴系樹 脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂、二乙醯纖維素、三乙醯纖維素、乙醯纖維素丁酸酯等纖維素系樹脂、聚苯乙烯、間規聚苯乙烯、丙烯腈．丁二烯．苯乙烯樹脂(ABS樹脂)等苯乙烯系樹脂、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等醯亞胺系樹脂、尼龍等聚醯胺系樹脂、聚醚酮、聚醚醚酮等酮系樹脂、聚碸、聚醚碸等碸系樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等氯乙烯系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯硫醚、聚縮醛、改性聚苯醚、聚乙烯醇、環氧基樹脂、氟樹脂、塑膠透鏡用樹脂聚甲基丙烯酸甲酯、脂環式聚烯烴、丙烯腈苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸苯乙烯共聚物、脂環式丙烯酸、二乙二醇碳酸二烯丙酯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、聚胺基甲酸酯、聚硫代胺基甲酸酯、環硫等，可為將上述聚合物混合複數個之聚合物合金．聚合物摻合物。又，可為將上述樹脂積層複數個而成之積層結構體。上述樹脂之中，較佳為聚酯系樹脂(尤其為聚對苯二甲酸乙二酯)、聚烯烴系樹脂及聚碳酸酯樹脂。
以該等樹脂為素材之基板可為透明、半透明之任一者，又，可經著色，亦可為未經著色，只要根據用途適當選擇即可。較佳為透明性優異，未經著色者。
又，基板並不限定於樹脂製基板，可為玻璃基板、或金屬基板、金屬氧化物基板、陶瓷基板等。例如可為如樹脂與玻璃之複合材料之基板。
基板之厚度並無特別限制，可根據狀況適當選定，通常為5μm~30mm左右，較佳為15μm~10mm。
本發明之組合物可密著性良好地於基板上形成塗膜，為了進而提高其密著性，亦可於基板之至少形成塗膜之側的表面根據所需利用氧化法或凹凸化法等實施表面處理。作為上述氧化法，例如可列舉： 電暈放電處理、低壓電漿法或大氣壓電漿法等電漿處理、鉻酸處理(濕式)、火炎處理、熱風處理、臭氧．紫外線照射處理、電子束處理、ITRO處理等，又，作為凹凸化法，例如可列舉：噴砂法、溶劑處理法等。該等表面處理法可根據基板之種類適當選擇，通常就效果及操作性等方面而言，較佳使用電暈放電處理法。又，亦可利用矽烷偶合劑進行表面處理或設置底塗層。其中，於本發明中，無需設置底塗層，因此可使結構簡易。
又，亦可於基板上形成之透明導電層之上設置保護層或金屬層、金屬氧化物層。亦可於基板與透明導電層之間設置金屬層、金屬氧化物層、樹脂層等。
由本發明之組合物所獲得之透明導電層之全光線透過率較佳為85~100%，更佳為90~100%。
由本發明之組合物所獲得之透明導電層之霧度較佳為3.0%以下，更佳為2.0%以下。
由本發明之組合物所獲得之透明導電層之表面電阻較佳為5~500Ω/□，更佳為5~200Ω/□。
該等物性可利用公知之方法而確認，例如全光線透過率及霧度可利用霧度計確認，表面電阻可利用使用低電阻計之四探針測定法或四端子測定法而確認。
[透明導電層之圖案化]
由本發明之組合物所獲得之透明導電層可經圖案化。圖案化可直接應用公知之光微影法等濕式蝕刻步驟或雷射蝕刻步驟。又，亦可利用網版印刷、軟版印刷、噴墨印刷等直接印刷圖案。圖案化步驟並無特別限定，於使用之導電性奈米纖維為奈米銀線等金屬奈米線之情形時，可較佳地使用濕式蝕刻、雷射蝕刻。於導電性奈米纖維為奈米碳管等碳纖維之情形時，較佳為雷射蝕刻。
[利用濕式蝕刻之圖案化方法]
利用濕式蝕刻之圖案化之方法有使用光阻及光罩之通常之光微影法、或根據欲形成非導通區域之圖案而印刷塗佈蝕刻劑的方法、通過非腐蝕性之遮罩來塗佈蝕刻劑之方法等。該等之中，就再現性或精度方面而言，可較佳地使用光微影法。又，亦可使用轉印感光性膜之乾燥膜代替光阻。
於使用光微影法之情形時，於形成之透明導電層上塗佈光阻液形成光阻層。其次，使用光罩，對該光阻層進行紫外線照射，其後進行顯影，藉此進行光阻層之圖案化。繼而，將未經光阻層被覆之透明導電層蝕刻而除去，進而剝離殘存之光阻部分，藉此獲得經圖案化之透明導電層。
本發明之透明導電層由於蝕刻劑之浸透性良好，因此可有效地蝕刻含有之奈米銀線等導電性奈米纖維。
作為蝕刻劑，可使用具有溶解導電性奈米纖維或將奈米纖維切斷變短之效果的酸性藥劑。於導電性奈米纖維為奈米銀線等金屬奈米線之情形時，例如可使用溴化氫酸、硝酸、硫酸、磷酸、鹽酸等無機酸，或乙酸、草酸、甲磺酸等有機酸等。又，亦可使用將該等組合複數個而含有之混合酸。尤其較佳為溴化氫酸或硝酸。
亦可使用使金屬氧化溶解之藥劑。於導電性奈米纖維為奈米銀線等金屬奈米線之情形，例如可使用硝酸鐵(III)液(硝酸鐵液)、氯化鐵(III)液(氯化鐵液)、氯化銅(II)液(氯化銅液)等金屬化合物之水溶液、過氧化氫水、該等之混合液等。為了控制反應，可與酸或鹼混合使用。例如可較佳使用氯化銅(II)與鹽酸之混合水溶液、過氧化氫水與氨水之混合液等。
亦可使用鹼性蝕刻劑。於導電性奈米纖維為奈米銀線等金屬奈米線之情形時，例如可列舉：氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液等。
於市售之蝕刻劑中，可使用SEA-NW01、SEA-NW02、SEA-1、SEA-2、SEA-4、SEA-5、ITO-02、ITO-06N、ITO-07N、ITO-101N、Cu-01、Cu-02、Cu-03(關東化學股份有限公司製造)、GNW203、GNW300、GNW410(林純藥工業股份有限公司製造，Pure Etch系列)等。
該等藥劑可直接使用原液，亦可利用水等溶劑稀釋使用。可添加添加劑而使用。蝕刻之處理溫度及處理時間並無特別限定，較佳為根據蝕刻液之種類及透明導電層之厚度而設定。於最佳之狀態下，霧度或全光線透過率等光學特性與處理前同等，經蝕刻之區域之表面電阻為104Ω/□以上。若處理不足，則絕緣性變得不充分，若處理過剩，則有時產生對基板等之損傷，從而光學特性變差。又，藉由將處理溫度及處理時間適當控制，可不使奈米銀線等導電性奈米纖維完全溶解而切斷成較短之纖維，形成非導通區域，進行部分蝕刻。藉此，可縮小導通部與非導通部之反射率或光散射之差，可降低圖案之視認性。
[利用雷射蝕刻之圖案化方法]
作為於透明導電層之圖案化乾燥蝕刻之一方法，可較佳地使用雷射蝕刻。於該情形時，利用聚光之雷射光將導電層蒸發除去，藉此使其非導通化。與必需光阻塗佈、遮罩曝光、顯影、蝕刻、光阻剝離、洗淨之一系列之步驟的利用濕式蝕刻之圖案化相比，可以簡便之設備與較短之步驟，獲得高精度之圖案。本發明應用雷射蝕刻之情形時，利用雷射照射之除去性良好，可抑制對基底基板之損傷，有效地進行蝕刻。
作為雷射光源，可列舉：YAG或YVO4等脈衝雷射光、二氧化碳雷射等連續振盪雷射光。尤其較佳為YAG或YVO4等波長1064nm或使用其2次諧波之532nm的脈衝狀雷射光。
由本發明之組合物所獲得之透明導電層、或具備透明導電層之附透明導電層之基板可較佳地用於觸控面板、液晶顯示器、有機EL顯示器、有機EL照明、太陽電池、調光膜、調光玻璃、透明加熱器等電氣機器等，或汽車或電車等車輛等。又，該觸控面板較佳用於顯示裝置。
實施例 [組合物] 製造例1
製備具有表1所示之組成之組合物。
再者，以表1之商品名記載之成分具體而言如以下所示：ULS-1385MG有機高分子微粒子，一方社油脂工業股份有限公司製造(水分散/固形物成分濃度30質量%)，平均粒徑55~75nm(利用上述動態光散射法而測定))
MTMS-A：作為甲基三甲氧基矽烷之部分縮合物之聚有機烷氧基矽烷，多摩化學工業股份有限公司製造
M矽酸鹽51：作為四甲氧基矽烷之部分縮合物(平均3~5聚物)之聚烷氧基矽烷，多摩化學工業股份有限公司製造
IPA-ST-L：膠體二氧化矽，日產化學工業股份有限公司製造(異丙醇分散，膠體二氧化矽濃度30質量%，平均粒徑40~50nm(利用使用上述BET比表面積測定裝置之測定法而測定))
於容積50ml之樣品管中添加有機高分子微粒：ULS-1385MG((C)成分+(E)成分)0.80g，一面以500rpm攪拌，一面依1-甲氧基-2-丙醇((E)成分)4.25g、水((E)成分)0.50g、乙酸((D)成分)0.50g、M矽酸鹽51((B-2)成分)0.40g、MTMS-A((B-3)成分)1.10g、二甲氧基-3-縮水甘油氧基丙基甲基矽烷((B-4)成分)0.55g、20質量%對甲苯磺酸甲醇液((D)成分+(E)成分)0.05g之順序，分別用1分鐘滴加。繼續，於室溫 下，以500rpm攪拌60分鐘後，靜置一天，將其設為A液。
於容積20ml之樣品管中添加3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷1.10g及2-丁酮肟(異氰酸酯基之封端化劑)0.35g，於室溫下，以500rpm攪拌10分鐘後，靜置一天，將其設為C液。關於異氰酸酯基經封端化，以13C-NMR藉由異氰酸酯基之訊號消失而確認。將3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷與2-丁酮肟之調配量之合計設為封端化異氰酸酯矽烷化合物：(B-5)成分之量。
於安裝冷卻管之200ml三口燒瓶中添加A液及攪拌子，一面以500rpm攪拌，一面用5分鐘滴加作為B液之IPA-ST-L((C)成分+(E)成分)6.50g，於室溫下攪拌60分鐘。繼而，於氮氣流下，以600rpm、80℃加熱3小時。繼續添加C液，以相同條件於80℃下攪拌4小時後，於室溫下靜置一晚。
進而，於其中用2分鐘滴加作為D液之3-胺基丙基三甲氧基矽烷((B-1)成分)0.40g。於室溫下攪拌10分鐘後，進而於氮氣流下，以700rpm、80℃加熱3小時。
製造例2-5
除使用表1所示之成分及調配量以外，以與製造例1同樣之方式製備組合物。
[奈米銀線分散液之製備]
以固形物成分濃度成為0.5質量%之方式，將平均直徑25nm且平均長度20μm之奈米銀線分散於異丙醇，製備奈米銀線分散液A。
以同樣之方式製備表2所示之奈米銀線分散液B-F。
實施例1
於製造例1中製備而成之組合物1.65g中添加異丙醇(IPA)93.90g，添加製備之奈米銀線分散液A 95.50g，於室溫下進行攪拌，藉此製備透明導電層形成用組合物。獲得之透明導電層形成用組合物具有表3-1所示之組成。
再者，表3-1~3-6中括弧內之數值(%)表示將(A)~(D)成分之合計質量設為100%時之質量%。又，(E)成分之數值(份)表示相對於(A)~(D)成分之合計量100質量份之質量份。
利用旋轉塗佈機將所獲得之透明導電層形成用組合物以1500rpm塗佈至玻璃基板上，於100℃下乾燥30分鐘，於玻璃基板上形成透明 導電層。針對所獲得之透明導電層進行以下之評價。將結果示於表4-1。
(1)膜厚測定
於基材為玻璃基板之情形時，使用觸針式膜厚計進行透明導電層之膜厚測定，將5點之平均值設為膜厚。
於基材為樹脂基板之情形時，使用AFM進行透明導電層之膜厚測定，將自基板之距離之最小值與最大值的平均設為膜厚。
(2)全光線透過率
使用霧度計(日本電色工業股份有限公司製造，NDH5000)，基於ASTM D1003，使用包含基材及透明導電層之積層體，以基材為基準測定透明導電層之全光線透過率。
(3)霧度
使用霧度計(日本電色工業股份有限公司製造，NDH5000)，基於ASTM D1003，使用包含基材及透明導電層之積層體，以基材為基準測定透明導電層之霧度值。
(4)表面電阻測定
使用低電阻率計(Loresta-GP MCP-T-610，三菱化學製造)，基於JIS K7194，利用四探針測定法來測定透明導電層之表面電阻。
(5)密著性評價
將市售之透明膠帶(米其邦製造CT-24(寬度24mm))貼合於透明導電層上，利用指腹牢固密著後，剝離透明膠帶。測定透明膠帶剝離後之透明導電層之表面電阻，使用奈米銀線者，將未達500Ω/□者設為「￮」，將500Ω/口以上者設為「×」，使用奈米碳管者，將未達3000Ω/□者設為「￮」，將3000Ω/□以上者設為「×」。
(6)耐久性
利用小型環境試驗器(愛斯佩克公司製造，SH-221)，以60℃、 90%RH、500小時之條件，暴露包含基材及透明導電層之積層體，實施耐久性試驗。關於耐久試驗後之積層體，再次評價上述全光線透過率、霧度、表面電阻及密著性。
關於全光線透過率，將耐久性試驗前後之差未達10%者設為「￮」，將10~20%者設為「△」，將20%以上者設為「×」。
關於霧度，將耐久性試驗前後之差未達3%者設為「￮」，將3~5%者設為「△」，將5%以上者設為「×」。
關於表面電阻，試驗後之表面電阻，使用奈米銀線者，將未達500Ω/□者設為「￮」，將500Ω/口以上者設為「×」，使用奈米碳管者，將未達3000Ω/□者設為「￮」，3000Ω/口以上者設為「×」。
關於密著性，進行試驗後之透明導電層之密著性評價，密著性評價後之表面電阻，使用奈米銀線者，將未達500Ω/□者設為「￮」，將500Ω/□以上者設為「×」，使用奈米碳管者，將未達3000Ω/□者設為「￮」，將3000Ω/□以上者設為「×」。
實施例2-27
除製備具有表3-1~3-6所示之組成之透明導電層形成用組合物以外，以與實施例1同樣之方式形成透明導電層並進行評價。將結果示於表4-1、4-2及表5。
再者，實施例2-27具體而言如以下所示。
實施例2及3
除使用製造例2或3中製備之組合物以外，以與實施例1同樣之方式製備透明導電層形成用組合物。
實施例4-7
除將實施例3中使用之奈米銀線分散液A(Seashell Technologies製造之Ag-NW-25)之添加量變更為表3-1及3-2所記載之量以外，以與實施例3同樣之方式製備透明導電層形成用組合物。
實施例8-12
除分別使用表2所示之奈米銀線分散液B-F代替實施例4中使用之奈米銀線分散液A以外，以與實施例3同樣之方式製備透明導電層形成用組合物。
實施例13及14
使用棒# 3，利用棒式塗佈機將實施例3中製備之透明導電層形成用組合物塗佈至易接著PET膜(東洋紡製造之COSMOSHINE A4300，100μm)或PC片材(SABIC Innovative Plastics製造之氯美紮酮膜8010，100μm)以外，以與實施例3同樣之方式形成透明導電層。
實施例15及16
除將實施例13中塗佈透明導電層形成用組合物時之棒分別變更為棒# 5或# 7以外，以與實施例13同樣之方式，形成透明導電層。
藉由棒使用棒# 5或# 7，獲得膜厚厚於實施例13之塗膜。
實施例17
於製造例3中製備之組合物1.69g中進而滴加3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷0.12g，於室溫下攪拌2小時，進而添加奈米銀線分散液A 112.28g，於室溫下進行攪拌，藉此製備透明導電層形成用組合物。
使用棒# 3，利用棒式塗佈機，將所獲得之透明導電層形成用組合物塗佈至易接著PET膜(東洋紡製造之COSMOSHINE A4300，100μm)，於100℃下乾燥5分熱後，以累計光量成為500mJ/cm2之方式照射紫外線，藉此使其硬化。
實施例18及19
除代替實施例17之易接著PET膜(東洋紡製造之COSMOSHINE A4300)，分別變更為易接著PET膜(東麗製造之Lumirror U46，100μm)或(東麗製造之Lumirror U48，100μm)以外，以與實施例17同樣之 方式形成透明導電層。
實施例20及21
除於實施例13之透明導電層形成用組合物進而分別添加含三嗪硫醇基之矽酮烷氧基低聚物甲醇溶液(信越化學製造之X-24-9452)1.91g或19.11g以外，以與實施例13同樣之方式，製備透明導電層形成用組合物。
實施例22及23
除於實施例8之透明導電層形成用組合物中進而分別添加含三嗪硫醇基之矽酮烷氧基低聚物甲醇溶液2.86g或28.65g，將基材自玻璃變更為易接著PET膜(東洋紡製造，COSMOSHINE A4300)，使用棒# 3，利用棒式塗佈進行塗佈以外，以與實施例8同樣之方式，製備透明導電層形成用組合物，形成透明導電層。
實施例24及25
於實施例13中，使用奈米碳管分散液(KH化學製造之SWCNT Water solution Gen2.2；直徑1.0~1.4nm，長度5~50μm(目錄值))代替奈米銀線分散液，製備具有表3-5及3-6所示之組成之透明導電層形成用組合物。
於實施例24中，以與實施例13同樣之方式塗佈獲得之透明導電層形成用組合物，進而於60℃下乾燥5分鐘，繼而於100℃下乾燥5分鐘而形成透明導電層。
於實施例25中，將於實施例24中獲得之透明導電層浸漬於加熱為60℃之濃硝酸中10分鐘後，利用離子交換水進行洗淨，於100℃下乾燥5分鐘，形成透明導電層。
實施例26及27
除了於製造例4或製造例5中製備之組合物中添加表3-6記載之量之奈米銀線分散液A以外，以與實施例15同樣之方式，製備透明導電 層形成用組合物，形成透明導電層。
比較例1
利用旋轉塗佈機，將奈米銀線分散液A以1500rpm塗佈至玻璃基板上，於100℃下乾燥30分鐘，形成透明導電層。針對所獲得之透明導電層進行與實施例1同樣之評價。將結果示於表6。
比較例2
使用棒# 3，利用棒式塗佈機，將奈米銀線分散液A塗佈至易接著PET膜(東洋紡製造之COSMOSHINE A4300，100μm)，於100℃下乾燥30分鐘，形成透明導電層。針對所獲得之透明導電層進行與實施例1同樣之評價。將結果示於表6。
比較例3
向在室溫下將M矽酸鹽51、乙酸、對甲苯磺酸甲醇溶液、IPA混合而成之組合物中進而添加奈米銀線分散液A，而製備於室溫下攪拌之透明導電層形成用組合物。使用棒# 3，利用棒式塗佈機，將所獲得之組合物塗佈至易接著PET膜(東洋紡製造之COSMOSHINE A4300，100μm)，於100℃下乾燥30分鐘，形成透明導電層。針對所獲得之透明導電層進行與實施例1同樣之評價。將結果示於表6。
比較例4
向市售之矽酸鹽塗佈液(COLCOAT公司製造，製品名：COLCOAT PX)中添加IPA後，添加奈米銀線分散液A，於室溫下進行攪拌，製備透明導電層形成用組合物，使用棒# 3，利用棒式塗佈機，將所獲得之組合物塗佈至易接著PET膜(東洋紡製造之COSMOSHINE A4300，100μm)，於100℃下乾燥30分鐘，形成透明導電層。針對所獲得之透明導電層進行與實施例1同樣之評價。將結果示於表6。
比較例5
於市售之含無機微粒子之矽酸鹽塗佈液(邁圖高新材料製造之UVHC3000)中添加1-甲氧基-2-丙醇後，添加奈米銀線分散液A，於室溫下攪拌而製備透明導電層形成用組合物。使用棒# 3，利用棒式塗佈機，將所獲得之組合物塗佈至易接著PET膜(東洋紡製造之COSMOSHINE A4300，100μm)，於室溫下乾燥2分鐘，於85℃下乾燥5分鐘後，以累計光量成為1000mJ/cm2之方式照射紫外線，藉此使其硬化，形成透明導電層。針對所獲得之透明導電層進行與實施例1同樣之評價。將結果示於表6。
比較例6
除於實施例1之透明導電層形成用組合物中不添加奈米銀線分散液A以外，以與實施例1同樣之方式製備組合物，於玻璃基板上形成塗膜層，對獲得之塗膜層進行與實施例1同樣之評價。將結果示於表6。
比較例7
除使用棒# 3，利用棒式塗佈機，將比較例6之組合物塗佈至易接著PET膜(東洋紡製造之COSMOSHINE A4300，100μm)以外，以與比較例6同樣之方式，於玻璃基板上形成塗膜層，對獲得之塗膜層進行與實施例1同樣之評價。將結果示於表6。
於實施例1中製作之透明導電層上，藉由旋轉塗佈而塗佈光阻(東京應化工業製造之OFPR-800LB)，於115℃下預烘烤2分鐘，形成薄膜。繼而，對具有該薄膜之基板，利用設置遮罩之曝光裝置曝光g射線，浸漬於顯影液中將圖案進行顯影，利用純水進行洗淨(沖洗)，於140℃下後烘烤2分鐘。其後，於蝕刻劑中(關東化學製造之SEA-NW01)，於25℃下浸漬2分鐘，利用純水進行洗淨，於光阻剝離液(丙酮)中，於常溫下浸漬10分鐘後，使其乾燥獲得圖案形狀透明導電膜。
確認可藉由上述蝕刻而形成特定之圖案。藉由蝕刻而殘存之部分未發現表面電阻之變化，藉由蝕刻而除去之部分為表面電阻>107Ω/□(超過107Ω/□)。
上文詳細說明了本發明之若干實施形態及/或實施例，業者在不實質上脫離本發明之新穎之教導及效果之情況下，容易對該等作為例示之實施形態及/或實施例施加大量變更。因此，該等大量變更包含於本發明之範圍內。
將成為本申請之巴黎公約優先權基礎之日本專利申請說明書之內容全部引用至本文中。

Claims (23)

  1. 一種透明導電層形成用組合物，其包含下述成分(A)~(E)：(A)導電性奈米纖維(B)下述(B-1)、及選自下述(B-2)~(B-5)中之1種以上之具有烷氧基之矽烷化合物的水解縮合物(B-1)具有胺基及烷氧基之矽烷化合物(B-2)四烷氧基矽烷化合物、(B-3)不含胺基、環氧基及異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物(B-4)具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物(B-5)具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物(C)有機高分子微粒子及/或無機微粒子(D)硬化觸媒(E)分散介質。
  2. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中上述具有烷氧基之矽烷化合物之水解縮合物包含上述(B-1)~(B-5)。
  3. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中於將上述無機微粒子之平均粒徑設為D，將上述導電性奈米纖維之平均長度設為L時，滿足D/L<0.010。
  4. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中於將上述有機高分子微粒子之平均粒徑設為D，將上述導電性奈米纖維之平均長度設為L時，滿足D/L<0.010。
  5. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中上述無機微粒子為膠體二氧化矽。
  6. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖 維之平均直徑為0.5nm以上且100nm以下，平均長度為1μm以上且100μm以下。
  7. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖維之平均直徑為1nm以上且100nm以下，平均長度為1μm以上且100μm以下。
  8. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖維之平均直徑為5nm以上且50nm以下，平均長度為3μm以上且50μm以下。
  9. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖維為奈米銀線或奈米碳管。
  10. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中上述導電性奈米纖維為奈米銀線。
  11. 如請求項10之透明導電層形成用組合物，其中上述奈米銀線之平均直徑為5nm以上且50nm以下，平均長度為5μm以上且30μm以下。
  12. 如請求項1之透明導電層形成用組合物，其中由透明導電層形成用組合物所獲得之透明導電層可進行圖案化。
  13. 如請求項12之透明導電層形成用組合物，其利用酸及鹼之任一者均可進行圖案化。
  14. 一種透明導電層，其係由如請求項1至11中任一項之透明導電層形成用組合物所獲得。
  15. 如請求項14之透明導電層，其可進行圖案化。
  16. 如請求項15之透明導電層，其利用酸及鹼之任一者均可進行圖案化。
  17. 一種附透明導電層之基板，其具有將如請求項1至13中任一項之透明導電層形成用組合物塗佈於基材上而獲得之透明導電層。
  18. 如請求項17之附透明導電層之基板，其中上述透明導電層包含奈米銀線，上述奈米銀線之含量為5重量%以上且98重量%以下。
  19. 如請求項17或18之附透明導電層之基板，其中上述透明導電層之全光線透過率為85~100%，霧度為3.0%以下，表面電阻為5~500Ω/□。
  20. 一種附透明導電層之基板之製造方法，其具有將如請求項1至13中任一項之透明導電層形成用組合物直接塗佈於基板上而成之透明導電層。
  21. 一種觸控面板，其使用如請求項17至19中任一項之附透明導電層之基板。
  22. 一種電氣機器，其使用如請求項17至19中任一項之附透明導電層之基板。
  23. 一種車輛，其使用如請求項14至19中任一項之透明導電層或附透明導電層之基板。
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