TW201615764A - 組合物 - Google Patents

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Naoko Arai
Mitsutake Nakamura
Kenichi Sasaki
Atsushi Yao
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Idemitsu Kosan Co
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Abstract

本發明之組合物包含：(A)金屬奈米線、與(B)選自聚陰離子及陰離子單體之1種以上。

Description

組合物
本發明係關於一種組合物、由其而獲得之導電性物質及透明導電膜、包含透明導電膜之含透明導電膜之基材、及使用該等之觸控面板、液晶顯示器、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器、有機EL照明、太陽電池、調光膜、調光玻璃、透明加熱器等電氣設備、及使用組合物之含透明導電層之基材之製造方法。
透明導電膜被用於液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、有機電致發光(OLED)、太陽電池(PV)及觸控面板(TP)等之透明電極、抗靜電(ESD)膜以及電磁波屏蔽(EMI)膜等各種領域，且要求較低之表面電阻、較高之透光率、及較高之可靠性。
該等透明電極所使用之透明導電膜自先前以來一直使用ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)。
然而，ITO所使用之銦存在供給不穩定與價格高昂之問題。又，由於ITO之製膜使用必需高真空之濺鍍法，故而製造裝置變得大規模且製造時間與成本較大。進而，ITO膜容易因彎曲等物理應力產生龜裂而破損。又，於ITO膜之濺鍍時會產生高熱，故而可撓性基材之高分子會受損，因此難以應用於被賦予有可撓性之基材。
因此，業界正活躍地推進探索可消除該等問題之代替ITO之導電層材料。
於代替ITO之導電層材料中，無需濺鍍且可塗佈製膜之各種材料 受到關注，且報告有含有金屬奈米線之導電性材料(專利文獻1及非專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-505358號公報
[專利文獻2]美國專利第8618531號說明書
[專利文獻3]國際公開第2009/035059號說明書
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Shin-Hsiang Lai，Chun-Yao Ou，“SID 08 DIGEST”，2008、P1200-1202
關於使用金屬奈米線之透明導電膜，為了降低表面電阻(即改善電阻)而採取對金屬奈米線之交點進行壓接或對金屬奈米線進行鍍敷或者於高溫下進行焙燒之方法(專利文獻2、3)，但存在步驟繁雜之問題。又，高溫焙燒存在基材被限定之問題。
本發明之目的在於提供一種藉由低溫乾燥且不經由複雜之步驟便可製造出表面電阻、基板密接性及全光線透過率優異之透明導電膜之組合物。
根據本發明，提供以下之組合物等。
1.一種組合物，其包含：(A)金屬奈米線、與(B)選自聚陰離子及陰離子單體之1種以上。
2.如1之組合物，其中上述(A)成分之質量比相對於除分散介質以外之組合物中之成分總量為5~98wt%。
3.如1或2之組合物，其中上述金屬奈米線之平均直徑為5nm以上且150nm以下，平均長度為1μm以上且100μm以下。
4.如1至3中任一項之組合物，其中上述金屬奈米線為銀奈米線。
5.如1至4中任一項之組合物，其中上述聚陰離子包含選自含磺酸基之聚合物、含磷酸基之聚合物及含羧基之聚合物中之1種以上。
6.如1至5中任一項之組合物，其中上述陰離子單體係具有磺基之乙烯基單體。
7.如1至6中任一項之組合物，其係透明導電層形成用組合物。
8.一種導電性物質，其係使如1至7中任一項之組合物乾燥而獲得。
9.一種透明導電膜，其係將如1至7中任一項之組合物進行塗佈或印刷而獲得。
10.一種含透明導電膜之基材，其包含如9之透明導電膜。
11.一種觸控面板，其使用如8之導電性物質、如9之透明導電膜、或如10之含透明導電膜之基材。
12.一種顯示裝置，其使用如11之觸控面板。
13.一種電氣設備，其使用如8之導電性物質、如9之透明導電膜、或如10之含透明導電膜之基材。
14.一種含透明導電層之基材之製造方法，其包括將如1至7中任一項之組合物塗佈於基材。
根據本發明，可提供一種藉由低溫乾燥且不經由複雜之步驟便可製造出表面電阻、基板密接性及全光線透過率優異之透明導電膜之組合物。
[組合物]
本發明之組合物包含(A)金屬奈米線、與(B)選自聚陰離子及陰離 子單體之1種以上。又，本發明之組合物通常包含(C)分散介質(溶劑)，且為該等成分分散或溶解於分散介質中之狀態。
以下，對各成分進行說明。
[(A)金屬奈米線]
金屬奈米線係於由組合物而獲得之塗膜中形成網絡而對塗膜賦予導電性。
作為構成金屬奈米線之金屬，可列舉選自由金、銀、鉑、銅、鎳、鐵、鈷、鋅、釕、銠、鈀、鎘、鋨、銥所組成之群中之任1種或包含選自該群中之2種以上之合金等。金屬奈米線可單獨使用1種，亦可將2種以上組合後使用。就獲得較高之全光線透過率及較高之導電性觀點而言，較佳為金奈米線、銀奈米線或銅奈米線，更佳為銀奈米線。
作為金屬奈米線之形狀，例如可採取圓柱狀、長方體狀、剖面成為多邊形之柱狀等任意之形狀，但於必需較高之透明性之用途中，較佳為圓柱狀或剖面成為5邊形以上之多邊形。
金屬奈米線之剖面形狀可藉由於基材上塗佈金屬奈米線分散液並利用穿透型電子顯微鏡(TEM)對剖面進行觀察而檢測。
金屬奈米線之平均直徑較佳為150nm以下，更佳為100nm以下，進而較佳為50nm以下，尤佳為45nm以下。為了確保耐久性，金屬奈米線之平均直徑更佳為5nm以上，亦可設為10nm以上且20nm以上。
金屬奈米線之平均長度較佳為1μm~100μm，更佳為3μm~50μm，進而較佳為5μm~30μm。若金屬奈米線之平均長度過長，則存在於製造金屬奈米線時會產生凝聚物之顧慮，若平均長度過短，則存在無法獲得充分之導電性之情形。
金屬奈米線之平均直徑及平均長度係藉由根據金屬奈米線之尺 寸，使用穿透型電子顯微鏡(TEM)或掃描式電子顯微鏡(SEM)或光學顯微鏡對TEM像或SEM像、光學顯微鏡像進行觀察而測定。
關於平均直徑，可對100個金屬奈米線進行觀察，測定各者之短軸方向之測定中最短之部位之長度，並將其平均值設為平均直徑。又，關於平均長度，可對100個金屬奈米線進行觀察，測定各者之長度，並將其平均值設為平均長度。於金屬奈米線彎曲之情形時，認為係以其為弧之圓，並將根據其半徑、及曲率而算出之值之平均值設為平均長度。
又，關於透明導電層中之金屬奈米線之平均直徑及平均長度，對在將透明導電層之對角線之交點設為中心之視野中所觀察之金屬奈米線進行測定。於在視野中不存在100個金屬奈米線之情形時，進而擴大視野進行測定。
作為金屬奈米線之縱橫比，只要為10以上，則並未特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為50~1,000,000，更佳為100~1,000,000。
所謂縱橫比，通常意指纖維狀物質之長邊與短邊之比(平均長度/平均直徑之比)，可根據利用上述方法所測得之平均長度及平均直徑之值而算出。
[(B)聚陰離子(含陰離子基之高分子)]
所謂聚陰離子，係指具有含有陰離子基之構成單元之聚合物。作為陰離子基，可列舉：磺酸基(磺基)、一取代硫酸酯基、一取代磷酸酯基、磷酸基、羧基等，較佳為磺酸基、磷酸基及羧基。即，作為聚陰離子，較佳為含磺酸基之聚合物、含磷酸基之聚合物及含羧基之聚合物。又，聚陰離子亦可為鹽之狀態。
作為含磺酸基之聚合物，可列舉：聚苯乙烯磺酸、聚乙烯基磺酸、聚烯丙基磺酸、聚丙烯醯基磺酸、聚甲基丙烯醯基磺酸、聚-2- 丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、聚異戊二烯磺酸等。
作為含磷酸基之聚合物，可列舉多磷酸、多磷酸酯等。
作為含羧基之聚合物，可列舉：聚乙烯基羧酸、聚苯乙烯羧酸、聚烯丙基羧酸、聚丙烯醯基羧酸、聚甲基丙烯醯基羧酸、聚-2-丙烯醯胺-2-甲基丙烷羧酸、聚異戊二烯羧酸、聚丙烯酸等。
聚陰離子可單獨含有，亦可將2種以上組合而含有。又，亦可與不具有含有陰離子基之結構單元之單體、例如丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯及苯乙烯等形成共聚物。
[(B)陰離子單體]
所謂陰離子單體，係指具有陰離子基之聚合性化合物，具體而言，較佳為包含陰離子基與具有碳-碳間雙鍵之基之化合物。陰離子基如上所述。作為具有碳-碳間雙鍵之基，較佳為乙烯基、丙烯醯基等。陰離子單體較佳為包含磺基之乙烯基單體。
作為陰離子單體，可列舉：乙烯基磺酸、2-丙烯醯胺-2-丙基磺酸、丙烯醯胺第三丁基磺酸等。陰離子單體可單獨使用，亦可將2種以上組合。又，亦可與不含陰離子基之單體組合。
[(C)分散介質(溶劑)]
分散介質只要為可將上述成分均勻地混合並分散或溶解者，則並未特別限定，例如可列舉水，此外亦可列舉醇類、芳香族烴類、醚類、酯類等有機系分散介質。
有機系分散介質(有機溶劑)中，作為醇類之具體例，可列舉：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇、第三丁醇、正己醇、正辛醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚、1-甲氧基-2-丙醇(丙二醇單甲醚)、伸丙基單甲醚乙酸酯、二丙酮醇、甲基溶纖素、乙基溶纖素、丙基溶纖素、丁基溶纖素、苄醇等。
作為其他分散介質之具體例，可列舉：四氫呋喃、1,4-二烷、1,2-二甲氧基乙烷、二甲苯、二氯乙烷、甲苯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸乙氧基乙酯等。
該等分散介質中，就作為分散介質之性能之觀點而言，較佳為水及醇類。
分散介質可單獨使用1種，亦可將2種以上組合後使用。例如可列舉僅為水、僅為有機溶劑(例如乙醇或異丙醇等醇)、或水與有機溶劑(例如乙醇或異丙醇等醇)之混合溶劑。
銀奈米線於水中之分散性優異，有機溶劑可降低組合物於基板上之排斥。因此，較佳為將有機溶劑與水混合後作為混合溶劑而使用。關於相對於組合物中之除分散介質((C)成分)以外之成分之合計100質量份之水添加量，於添加水之情形時，較佳為1000~20000質量份。若為20000質量份以下，則可防止於基板上之排斥。又，可無問題地將水去除而防止其殘存於膜。若為1000質量份以上，則銀奈米線之分散性優異，從而可進一步提高表面電阻。
[任意添加成分]
除上述成分以外，本發明之組合物亦可視需要適當含有先前組合物所使用之公知之各種添加成分。
作為此種添加成分，例如可列舉：各種矽烷化合物、有機高分子微粒子、無機微粒子、聚合起始劑、分散穩定劑、調平劑、進而列舉潤滑性賦予劑、抗氧化劑、抗硫化劑、金屬腐蝕防止劑、防腐劑、上藍劑、消泡劑(發泡防止劑)、光穩定劑、耐候性賦予劑、著色劑、黏度調整劑、微粒子之分散劑(懸浮劑)或微粒子表面活性之改質劑等。
<矽烷化合物>
作為矽烷化合物，可列舉以下之(D-1)~(D-7)之化合物。
(D-1)具有胺基及烷氧基之矽烷化合物
作為具有胺基及烷氧基之矽烷化合物的含胺基之有機烷氧基矽烷化合物及其部分縮合物例如可由下述式(3)表示。
R4 bSi(OR5)4-b．．．(3)
[式中，R4為碳數1~4之烷基；苯基；或經選自胺基(-NH2基)、胺基烷基[-(CH2)x-NH2基(其中，x為1~3之整數)]、烷基胺基[-NHR基(其中，R為碳數1~3之烷基)]中之1種以上之基取代之碳數1~3之烷基，R4之至少1個為經胺基、胺基烷基或烷基胺基中之任一者取代之碳數1~3之烷基；R5為碳數1~4之烷基，b為1或2。於具有複數個R4之情形時，複數個R4可相同亦可不同，複數個OR5可相同亦可不同]
於上述式(3)中，關於碳數1~3之烷基、碳數1~4之烷基，與下述式(1)或(2)相同。
(D-2)四烷氧基矽烷化合物
四烷氧基矽烷化合物及其部分縮合物例如可由下述式(1)表示，尤佳為下述式(6)所表示之化合物。
Si(OR1)4(1)
[式中，R1為碳數1~4之烷基或碳數1~4之烷氧基烷基。複數個R1可相同亦可不同]
[式中，R1與上述相同，n為1~15之整數]
於式(1)及(6)中，作為碳數1~4之烷基，可列舉：甲基、乙基、 正丙基、異丙基、正丁基、各種丁基，又，作為R1為碳數1~4之烷氧基烷基之OR1，例如可列舉2-甲氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基等。
(D-3)不含胺基、環氧基及異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物
作為有機烷氧基矽烷化合物，有機烷氧基矽烷化合物及其部分縮合物較佳為二官能烷氧基矽烷、三官能烷氧基矽烷，例如可由下述式(2)表示，尤佳為下述式(7)所表示之化合物。
R2 aSi(OR3)4-a．．．(2)
[式中，R2為碳數1~10之烷基、碳數1~10之氟化烷基或苯基，R3為碳數1~4之烷基或碳數1~4之烷氧基烷基，a為1或2。於具有複數個R2之情形時，複數個R2可相同亦可不同，複數個OR3可相同亦可不同]
[式中，R2及R3與上述相同，m為1~15之整數]
於式(2)及(7)中，作為碳數1~10之烷基，可為直鏈狀、支鏈狀之任一種，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、各種丁基、各種己基、各種辛基、各種癸基等，作為氟化烷基，例如可列舉三氟乙基、三氟丙基等。又，作為碳數1~3之烷基，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基。關於碳數1~4之烷基或者烷氧基烷基，如式(1)所說明。
(D-4)具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物
作為具有環氧基及烷氧基之矽烷化合物的含環氧基之有機烷氧 基矽烷化合物及其部分縮合物例如可由下述式(4)表示。
R6 cSi(OR7)4-c．．．(4)
[式中，R6為碳數1~4之烷基；苯基；或經選自縮水甘油氧基、3,4-環氧基環己基中之1種以上之基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基，R6之至少1個為經縮水甘油氧基或3,4-環氧基環己基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基。R7為碳數1~4之烷基，c為1或2。於具有複數個R6之情形時，複數個R6可相同亦可不同，複數個OR7可相同亦可不同]
於上述式(4)中，關於碳數1~4之烷基，如上述式(1)所說明，碳數1~6之烷基為上述式(2)之碳數1~10之烷基中之碳數1~6者。R6較佳為碳數1~4之烷基或經選自縮水甘油氧基、3,4-環氧基環己基中之1種以上之基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基，更佳為碳數1~4之烷基或經縮水甘油氧基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基。R7較佳為碳數1~4之烷基。c較佳為2。
(D-5)具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物
作為具有烷氧基之封端化異氰酸酯矽烷化合物的含封端化異氰酸酯基之有機烷氧基矽烷化合物及其部分縮合物例如可由下述式(5)表示。
R8 dSi(OR9)4-d．．．(5)
[式中，R8為碳數1~4之烷基；苯基；或經封端化異氰酸酯基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基，R8之至少1個為經封端化異氰酸酯基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基。R9為碳數1~4之烷基，d為1或2。於具有複數個R8之情形時，複數個R8可相同亦可不同，複數個OR9可相同亦可不同]
於上述式(5)中，關於碳數1~4之烷基、碳數1~6之烷基，係如上述式(1)或(4)所說明。R8較佳為碳數1~4之烷基或經封端化異氰酸 酯基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基。R9較佳為碳數1~4之烷基。d較佳為1。
(D-6)具有碳-碳間雙鍵之矽烷化合物
(D-6)成分為包含乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基等具有碳-碳間雙鍵之基之矽烷化合物，且較佳為包含烷氧基。
於本發明之組合物包含(D-6)具有碳-碳間雙鍵之矽烷化合物之情形時，除進行熱硬化以外，亦可進行光硬化(UV(ultraviolet，紫外線)硬化)、電子束硬化(EB硬化)。
具有碳-碳間雙鍵之矽烷化合物及其部分縮合物例如可由下述式(20)表示。
R20 eSi(OR21)4-e．．．(20)
[式中，R20為碳數1~4之烷基；乙烯基；或經具有選自乙烯基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基中之1種以上之基之取代基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基，R20之至少1個為經具有選自乙烯基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基中之1種以上之基之取代基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基。R21為碳數1~4之烷基，e為1或2。於具有複數個R20之情形時，複數個R20可相同亦可不同，複數個OR21可相同亦可不同]
於上述式(20)中，關於碳數1~6之烷基、碳數1~4之烷基，如式(1)或(4)所說明。R20為碳數1~4之烷基、或經選自乙烯基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基中之1種以上之基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基。e較佳為1。
經具有選自乙烯基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基中之1種以上之基之取代基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基較佳為經選自乙烯基、乙烯基氧基、丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯基及甲基丙烯醯氧基中之1種以上之基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基， 更佳為經選自丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯基及甲基丙烯醯氧基中之1種以上之基取代之碳數1~6(較佳為碳數1~4)之烷基。
(D-7)具有巰基及烷氧基之矽烷化合物
具有巰基及烷氧基之矽烷化合物為包含具有硫醇基(IUPAC；別名為硫氫基、巰基、氫硫基(sulfhydryl))之基之矽烷化合物，且包含烷氧基。
<有機高分子微粒子、無機微粒子>
作為有機高分子微粒子，可例示使乙烯系不飽和化合物(丙烯酸、甲基丙稀酸及其等之衍生物、苯乙烯、乙酸乙烯酯等)聚合而成者。
關於有機高分子微粒子，就製造性、組合物中之分散性、組合物之塗佈性及塗膜之透明性等觀點而言，較佳為平均粒徑處於1~200nm之範圍者，更佳為處於1~100nm之範圍者。再者，該有機高分子微粒子之平均粒徑可藉由動態光散射法進行測定。又，於無法藉由動態光散射法進行測定之情形時，亦可藉由X射線小角散射法進行測定。
上述動態光散射法例如係使用動態光散射法粒徑分佈測定裝置(貝克曼庫爾特股份有限公司製造，庫爾特計數器N5)對利用離子交換水將有機高分子微粒子稀釋100倍而成之液體進行測定，並求出基於單峰(Unimodal)解析(單分散模式解析)之平均粒徑。反覆進行5次該操作，可將5次之平均粒徑之平均值設為有機高分子之平均粒徑。
於將有機高分子微粒子之平均粒徑設為D、將導電性奈米纖維之平均長度設為L時，較佳為D/L<0.010，更佳為D/L<0.0050。
於本發明中，該有機高分子微粒子較佳為以分散於分散介質中之形態使用，作為分散介質，例如可較佳地列舉：水、甲醇、乙醇、丙醇、1-甲氧基-2-丙醇等低級醇、甲基溶纖素等溶纖素類等。藉由使 用此種分散介質，可提高有機高分子微粒子之分散性，從而可防止沈澱。
作為有機高分子微粒子之具體例，可列舉一方社油脂工業股份有限公司製造之乳液系高分子紫外線吸收劑ULS-700、ULS-1700、ULS-383MA、ULS-1383MA、ULS-383MG、ULS-385MG、ULS-1383MG、ULS-1385MG、ULS-635MH等、日信化學工業股份有限公司製造之BINYBLAN 700、701、711、日本ZEON股份有限公司製造之Nipol系列等。
可單獨使用1種上述有機高分子微粒子，亦可將2種以上組合後使用。
作為無機微粒子，可列舉銀或銅等金屬微粒子、膠體二氧化矽、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯、ITO、ATO(Antimony Trioxide，三氧化二銻)等金屬氧化物微粒子。
無機微粒子較佳為膠體二氧化矽。所謂膠體二氧化矽(colloidal silica)，亦指膠體二氧化矽(Colloid silica)、膠體矽酸。指於水中藉由水合而於表面具有Si-OH基之氧化矽之膠體懸浮液，且係向烯酸鈉之水溶液中添加鹽酸而產生。最近，新的製備法逐步被開發，存在分散於非水溶液中者或利用氣相法製成之微粉末狀者，又，亦存在中空型者，粒徑亦為數nm至數μm而多種多樣。
作為無機微粒子之平均粒徑，較佳為1~200nm左右。亦存在粒子之組成不固定且形成矽氧烷鍵(-Si-O-、-Si-O-Si-)而高分子化者。粒子表面為多孔性，且於水中通常帶負電。
再者，上述平均粒徑例如可藉由於對無機微粒子進行乾燥、焙燒、粉碎後，使用BET(Brunauer-Emmett-Teller，布厄特)比表面積測定裝置(MONOSORB MS-17)並藉由氮吸附法而求出BET比表面積，換算為假定為真狀粒子時之粒徑而進行測定。於無法藉由BET比表面積 測定平均粒徑之情形時，亦可藉由X射線小角散射法進行測定。
於將無機微粒子之平均粒徑設為D、將導電性奈米纖維之平均長度設為L時，較佳為D/L<0.010，更佳為D/L<0.0050。
作為膠體二氧化矽之市售品，可列舉扶桑化學工業股份有限公司製造之「超高純度膠體二氧化矽」Quartron PL系列(商品名：PL-1、PL-3、PL-7)、扶桑化學工業股份有限公司製造之「高純度有機溶膠」或日產化學工業股份有限公司製造之「膠體二氧化矽(商品名：Snowtex 20、Snowtex 30、Snowtex 40、Snowtex O、Snowtex O-40、Snowtex C、Snowtex N、Snowtex S、Snowtex 20L、Snowtex OL等)」或「有機二氧化矽溶膠(商品名：甲醇二氧化矽溶膠、MA-ST-MS、MA-ST-L、IPA-ST、IPA-ST-MS、IPA-ST-L、IPA-ST-ZL、IPA-ST-UP、EG-ST、NPC-ST-30、MEK-ST、MEK-ST-MS、MIBK-ST、XBA-ST、PMA-ST、DMAC-ST、PGM-ST等)」。
可單獨使用1種膠體二氧化矽，亦可將2種以上組合後使用。
<聚合起始劑>
於本發明中，於使用陰離子單體作為(B)成分之情形等時，組合物較佳為含有聚合起始劑。
聚合起始劑係藉由光及熱之至少任一者而分解而產生自由基或陽離子，從而使自由基聚合與陽離子聚合進行者。
作為聚合起始劑，可適當選擇使用自由基聚合起始劑、陽離子聚合起始劑、自由基及陽離子聚合起始劑等。
自由基聚合起始劑只要可藉由光及熱之至少任一者而釋出使自由基聚合開始之物質即可。例如，作為光自由基聚合起始劑，可列舉：咪唑衍生物、雙咪唑衍生物、N-芳基甘胺酸衍生物、有機疊氮化合物、二茂鈦類、鋁酸鹽錯合物、有機過氧化物、N-烷氧基吡啶鎓鹽、9-氧硫衍生物等。作為具體例，可列舉日本專利特開2010- 102123號公報及日本專利特開2010-120182號公報所記載者。
陽離子聚合起始劑只要可藉由光及熱之至少任一種而釋出使陽離子聚合開始之物質即可。作為陽離子聚合起始劑，可例示：磺酸酯、醯亞胺磺酸酯、二烷基-4-羥基鋶鹽、芳基磺酸對硝基苄酯、矽烷醇-鋁錯合物、(η6-苯)(η5-環戊二烯基)鐵(II)等。作為具體例，可列舉日本專利特開2010-102123號公報及日本專利特開2010-120182號公報所記載者。
作為既可用作自由基聚合起始劑亦可用作陽離子聚合起始劑者，可例示芳香族錪鹽、芳香族鏡鹽、芳香族重氮鎓鹽、芳香族鏻鹽、三化合物、芳茂鐵錯合物等。作為具體例，可列舉日本專利特開2010-102123號公報及日本專利特開2010-120182號公報所記載者。
<調平劑>
為了提高所獲得之塗膜之平滑性、以及塗佈時之流動性，可於組合物中添加調平劑，作為其等添加劑，可列舉聚矽氧系調平劑、氟系調平劑、丙烯酸系調平劑、乙烯系調平劑、以及氟系與丙烯酸系經複合化而成之調平劑等。全部調平劑均於塗膜表面起作用而使表面張力降低。各者均具有特徵，且可根據目的而使用。關於表面張力之降低能力，聚矽氧系與氟系較強，丙烯酸系與乙烯系於進行再塗佈之情形時不易產生濕潤不良而較為有利。
作為聚矽氧系調平劑之具體例，可使用聚氧伸烷基與聚二甲基矽氧烷之共聚物等。作為聚矽氧系調平劑之市售品，可列舉：東麗道康寧股份有限公司製造之FZ-2118、FZ-77、FZ-2161等、信越化學工業股份有限公司製造之KP321、KP323、KP324、KP326、KP340、KP341等、Momentive Performance Materials Japan合同公司製造之TSF4440、TSF4441、TSF4445、TSF4450、TSF4446、TSF4452、TSF4453、TSF4460等、BYK-Chemie Japan股份有限公司製造之BYK- 300、BYK-302、BYK-306、BYK-307、BYK-320、BYK-325、BYK-330、BYK-331、BYK-333、BYK-337、BYK-341、BYK-344、BYK-345、BYK-346、BYK-348、BYK-377、BYK-378、BYK-UV3500、BYK-3510、BYK-3570等聚醚改性聚矽氧油(聚氧伸烷基改性聚矽氧油)等。
又，於必需150℃以上之耐熱性之情形時，適合的是聚酯改性或具有苯環之芳烷基改性聚矽氧油。作為聚酯改性聚矽氧油之市售品，可列舉BYK-Chemie Japan股份有限公司製造之BYK-310、BYK-315、BYK-370等，作為具有苯環之芳烷基改性聚矽氧油之市售品，可列舉BYK-Chemie Japan股份有限公司製造之BYK-322、BYK-323等。
作為氟系調平劑，可使用聚氧伸烷基與氟碳之共聚物等。
作為氟系調平劑之市售品，可列舉DIC股份有限公司製造之MEGAFAC系列、Sumitomo 3M股份有限公司製造之FC系列等。
作為丙烯酸系調平劑之市售品，可列舉BYK-Chemie Japan股份有限公司製造之BYK-350、BYK-352、BYK-354、BYK-355、BYK358N、BYK-361N、BYK-380N、BYK-381、BYK-392等、導入有氟之BYK-340等。
藉由調配此種調平劑，可改善塗膜之加工外觀，且亦可以薄膜之形式均勻地塗佈。調平劑之使用量相對於組合物總量，較佳為0.01~10質量%，進而較佳為0.02~5質量%。
作為調配調平劑之方法，可於製備組合物時調配，亦可於即將形成塗膜之前調配於組合物中，進而亦可於製備組合物與即將形成塗膜之前之兩個階段進行調配。
[各成分之含量]
本發明之組合物中之各成分之含量可適當選定，例如較佳為以成為以下所示之範圍之方式選定。
以下，以質量%表示相對於除(C)成分之分散介質以外之組合物中之成分總量之各成分含量。再者，即便於各成分係以預先分散於分散介質中之狀態添加至組合物中之情形時，設為該分散介質亦包含於(C)成分中。
(A)成分之含量例如為5~98質量%(wt%)，較佳為10~75質量%，更佳為20~60質量%。若為5質量%以上，則導電性良好，若為98質量%以下，則與基材之密接性優異。
(B)成分之含量通常為2~95質量%，較佳為5~90質量%，更佳為5~70質量%。若為2質量%以上，則與基材之密接性優異，若為95質量%以下，則導電性良好。
本發明之組合物實質上可僅由(A)成分、(B)成分、(C)成分及任意添加成分構成。又，亦可僅由(A)成分、(B)成分、(C)成分及任意添加成分構成。
所謂「實質上僅由(A)成分、(B)成分、(C)成分及任意添加成分構成」，意指組合物之95質量%以上且100質量%以下(較佳為98質量%以上且100質量%以下)為(A)成分、(B)成分、及(C)成分或(A)成分、(B)成分、(C)成分及任意添加成分。
再者，組合物除可含有(A)成分、(B)成分、(C)成分及任意添加成分以外，亦可於不損害本發明效果之範圍內包含不可避免之雜質。
又，本發明之組合物既可包含亦可不包含選自不含陰離子基之聚合物及不含陰離子基之單體中之1種以上。作為不包含陰離子基之聚合物，可列舉聚胺基甲酸酯等，作為不包含陰離子基之單體，可列舉丙烯醯啉等。
於包含本成分之情形時，通常為5~40質量%、10~35質量%。
[組合物之製造方法]
本發明之組合物可藉由利用公知之方法將上述各成分混合而製 備。(A)成分及(B)成分亦可預先分散於分散介質中後再與其他成分混合。
[導電性物質、透明導電膜]
可藉由對本發明之組合物進行乾燥而獲得導電性物質。尤其是藉由將本發明之組合物塗佈於基材等並進行乾燥而可獲得透明導電膜(層)。本發明之透明導電層於膜中分散或溶解有(A)成分、(B)成分及任意添加成分。
透明導電膜係藉由將組合物塗佈於基材上而形成塗膜從而獲得。塗佈例如係藉由旋轉塗佈機、噴霧、浸漬、幕式淋塗、棒式塗佈機、模嘴塗佈機、刮刀塗佈機、凹版塗佈機、或輥式塗佈等公知之方法進行。
塗膜之厚度較佳為10~500nm，更佳為30~200nm。
其後，於適當之乾燥條件(通常為10~190℃，較佳為25℃~150℃，更佳為80~140℃)下加熱乾燥30秒~24小時左右、較佳為1~60分鐘、更佳為2分鐘~60分鐘，藉此獲得透明導電層。
又，於本發明之組合物包含陰離子單體作為(B)成分之情形等時，亦可進行光硬化(UV硬化)及電子束硬化(EB硬化)。
作為可用於基材之樹脂，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、環烯烴系樹脂(例：JSR股份有限公司製造之「ARTON」、日本ZEON股份有限公司製造之「ZEONOR」「ZEONEX」)；聚甲基戊烯等聚烯烴系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂；雙乙醯纖維素、三乙醯纖維素、乙醯纖維素丁酸酯等纖維素系樹脂；聚苯乙烯、間規聚苯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS樹脂)等苯乙烯系樹脂；聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等醯亞胺系樹脂；尼龍等聚醯胺系樹脂；聚醚酮、聚醚醚酮等酮系樹脂；聚碸、聚醚碸等碸系樹脂；聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等氯乙 烯系樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯樹脂、聚苯硫醚、聚縮醛、改性聚苯醚、聚乙烯醇、環氧樹脂、氟樹脂、塑膠透鏡用樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、脂環式聚烯烴、丙烯腈-苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸-苯乙烯共聚物、脂環式丙烯酸系樹脂、二甘醇二(碳酸烯丙基)酯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、聚胺基甲酸酯、聚硫代胺基甲酸酯、環硫化物等；亦可為將複數種上述聚合物混合而成之聚合物合金、聚合物摻合物。又，亦可為將複數種上述樹脂積層而成之積層構造體。上述樹脂之中，較佳為聚酯系樹脂(尤其是聚對苯二甲酸乙二酯)、聚烯烴系樹脂及聚碳酸酯樹脂。
將該等樹脂作為素材之基材可為透明、半透明之任一種，又，可經著色，亦可為未經著色者，只要根據用途適當選擇即可。較佳為透明性優異且未經著色者。
又，基材並不限定於樹脂製基材，亦可為玻璃基材。
基材之厚度並未特別限制，根據狀況而適當選定，通常為5μm~30mm左右，較佳為15μm~10mm。
本發明之組合物可於基材上密接性良好地形成塗膜，為了進一步提高其密接性，可根據需要藉由氧化法或凹凸化法等對基材之至少供塗膜形成之側之表面實施表面處理。作為上述氧化法，例如可列舉電暈放電處理、低壓電漿法或大氣壓電漿法等電漿處理、鉻酸處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理、電子束處理、ITRO處理等，又，作為凹凸化法，例如可列舉噴砂法、溶劑處理法等。該等表面處理法係根據基材之種類而適當選擇，一般而言，就硬化及操作性等方面而言，較佳為使用電暈放電處理法。又，亦可利用矽烷偶合劑進行表面處理或設置底塗層。又，亦可設置具有防止損傷之硬塗層或用以調整折射率之折射率調整層等之功能之層。
又，亦可於形成於基材上之透明導電層上設置保護層或金屬 層、金屬氧化物層。
本發明之透明導電層之全光線透過率較佳為85~100%，更佳為90~100%，進而較佳為95~100%。
本發明之透明導電層之霧度較佳為3.0%以下，更佳為2.0%以下。
本發明之透明導電層之表面電阻較佳為5Ω/□以上且未達200Ω/□，更佳為5~150Ω/□，進而較佳為5~100Ω/□，尤佳為5~80Ω/□、5~50Ω/□。
該等物性係利用實施例所記載之測定方法而測定。
本發明之透明導電層亦可經圖案化。圖案化可直接應用公知之光微影法等濕式蝕刻步驟或雷射蝕刻步驟。又，亦可利用網版印刷、軟版印刷、噴墨印刷等直接印刷圖案。圖案化步驟並未特別限定，可較佳地使用濕式蝕刻、雷射蝕刻。
藉由濕式蝕刻進行圖案化之方法有使用光阻劑與光罩之一般之光微影法或根據欲形成非導通區域之圖案而印刷塗佈蝕刻劑之方法、通過非腐蝕性遮罩而塗佈蝕刻劑之方法等。該等之中，就再現性或精度之方面而言，可較佳地使用光微影法。又，亦可使用轉印感光性膜之乾膜代替光阻劑。
於使用光微影法之情形時，於所形成之透明導電層上塗佈抗蝕液而形成抗蝕層。繼而，使用光罩對該抗蝕層照射紫外線，其後進行顯影，藉此進行抗蝕層之圖案化。然後，對未被抗蝕層被覆之透明導電層進行蝕刻而將其去除，進而將殘存之抗蝕劑部分剝離，藉此獲得經圖案化之透明導電層。
作為蝕刻劑，可使用發揮溶解金屬奈米線或者將金屬奈米線切斷而減短之效果之酸性藥劑。關於銀奈米線等金屬奈米線，例如可使用氫溴酸、硝酸、硫酸、磷酸、鹽酸、乙酸等無機酸或甲磺酸等有機 酸等。又，亦可使用將複數種該等酸組合而包含之混合酸。尤佳為氫溴酸或硝酸。
亦可使用使金屬氧化溶解之藥劑。關於銀奈米線等金屬奈米線，例如可使用硝酸鐵(III)液(硝酸鐵液)、氯化鐵(III)液(氯化鐵液)、氯化銅(II)液(氯化銅液)等金屬化合物之水溶液、過氧化氫水、該等之混合液等。為了控制反應，亦可與酸或鹼混合後使用。例如，可較佳地使用氯化銅(II)與鹽酸之混合水溶液、過氧化氫水與氨水之混合液等。
亦可使用鹼性蝕刻劑。作為銀奈米線等金屬奈米線之鹼性蝕刻劑，例如可列舉氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液等。
市售之蝕刻劑中可使用SEA-NW01、SEA-NW02、SEA-1、ITO-02(關東化學股份有限公司製造)、GNW203、GNW300、GNW410(林純藥工業股份有限公司製造，Pure Etch系列)等。
該等藥劑可直接使用原液，亦可利用水等溶劑稀釋後使用。亦可添加添加劑後使用。蝕刻之處理溫度及處理時間並未特別限定，較佳為根據蝕刻液之種類及試樣之厚度而設定。於最佳之狀態下，霧度或全光線透過率等光學特性與處理前相同，經蝕刻之區域之表面電阻成為104Ω/□以上。若處理不充分，則絕緣性會變得不充分，若過度處理，則存在會對黏合劑樹脂或基材產生損害而使光學特性惡化之情形。又，藉由適當地控制處理溫度及處理時間，可進行不使銀奈米線等金屬奈米線完全溶解而將其切斷成較短之纖維從而形成非導通區域的部分蝕刻。藉此，可縮小導通部與非導通部之反射率或光散射之差，從而可降低圖案之視認性。
於透明導電層之圖案化時，作為乾式蝕刻之一方法，可較佳地使用雷射蝕刻。於此情形時，利用經聚光之雷射光將導電層蒸發去除，藉此進行非導通化。與藉由必需抗蝕劑塗佈、遮罩曝光、顯影、 蝕刻、抗蝕劑剝離、洗淨等一系列步驟之濕式蝕刻進行之圖案化相比，可利用簡單之設備與較短之步驟獲得高精度之圖案。
作為雷射光源，可列舉YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔-鋁-石榴石)或YVO4等脈衝雷射光、二氧化碳雷射等連續振盪雷射光。尤佳為YAG或YVO4等波長1064nm或者使用了其二次諧波之532nm之脈衝狀雷射光。
[含透明導電膜之基材]
本發明之包含透明導電膜之基材可用於各種電氣設備，例如可用於觸控面板、液晶顯示器等電氣設備。又，該等可用於各種顯示裝置。
本發明之含透明導電膜之基材可藉由將本發明之組合物塗佈於基材進行製造。塗佈方法如上所述。
又，藉由塗佈而獲得之膜較佳為於適當之乾燥條件(通常為10~190℃，較佳為25℃~150℃，更佳為80~140℃)下加熱乾燥30秒~24小時左右、較佳為1~60分鐘、更佳為2分鐘~60分鐘。
又，本發明之含透明導電膜之基材與上述透明導電層同樣地可進行光硬化(UV硬化)及電子束硬化(EB硬化)，又，與上述同樣地可簡便地進行圖案化。
實施例
以下表示實施例、比較例中所使用之材料。
．0.5wt%銀奈米線IPA(異丙醇)分散液：Seashell Technology公司製造之「Silver Nanowires AgNW-25」(平均直徑：25nm，平均長度：23μm)
．0.5wt%銀奈米線水分散液：Seashell Technology公司製造之「Silver Nanowires AgNW-25」(平均直徑：25nm，平均長度：23μm)
．0.5wt%銀奈米線水/IPA分散液：向星光PMC股份有限公司製造之「銀奈米線水性分散液T-AG103」(固形物成分濃度2wt%之水分散液，平均直徑：40nm，平均長度：20μm)中添加IPA而製成0.5wt%之水/IPA分散液。
．0.5wt%銀奈米線水/乙醇分散液：向星光PMC股份有限公司製造之「銀奈米線水性分散液T-AG103」(固形物成分濃度2wt%之水分散液，平均直徑：40nm，平均長度：20μm)中添加乙醇而製成0.5wt%之水/乙醇分散液。
．0.5wt%銀奈米線乙醇分散液：向BlueNano公司製造之「SLV-series Silver Nanowires SLV-NW-35」(固形物成分濃度1.25wt%之乙醇分散液，平均直徑：35nm，平均長度：10μm)中添加乙醇而製成0.5wt%乙醇分散液。
．0.5wt%聚苯乙烯磺酸水溶液：向AkzoNobel股份有限公司製造之18wt%聚苯乙烯磺酸水溶液中添加離子交換水而製成0.5wt%之水溶液。
．0.5wt%乙烯基磺酸IPA溶液：向Asahi Kasei Finechem股份有限公司製造之「VSA-H」(固形物成分100%)中添加IPA而製成0.5wt%IPA溶液。
．0.5wt%聚胺基甲酸酯IPA溶液：向DIC股份有限公司製造之「CRISVON ASPU112」(固形物成分濃度30wt%之IPA溶液)中添加IPA而製成0.5wt%IPA溶液。
．0.5wt%丙烯醯啉IPA溶液：向興人化學股份有限公司製造之「ACMO」(固形物成分100%)中添加IPA而製成0.5wt%IPA溶液。
實施例1
向0.5wt%銀奈米線IPA分散液100g中添加0.5wt%聚苯乙烯磺酸水溶液100g，並於室溫下攪拌而製備組合物。藉由旋轉塗佈機以 1500rpm將所獲得之組合物塗佈於玻璃基材上，並於100℃下使其乾燥30分鐘而於玻璃基材上形成透明導電層。
對於所獲得之透明導電層進行以下之評價。將結果示於表1。再者，表1中之%表述表示各成分相對於組合物中之除(C)成分以外之成分總量之含有比率(質量%)。又，份表述表示將組合物中之除(C)成分以外之成分之合計設為100質量份時之(C)成分之質量份。
又，所謂成分「B'」，表示雖不包含於本發明之(B)成分中但與(B)成分對應之成分。
(1)膜厚測定
於基材為玻璃基板之情形時，使用觸針式膜厚計進行透明導電層之膜厚測定，並將5點之平均值設為膜厚。於基材為樹脂基板之情形時，使用AFM(Atomic Force Microscopy，原子力顯微鏡)進行透明導電層之膜厚測定，並將距基板之距離之最小值與最大值之平均值設為膜厚。
(2)全光線透過率
利用霧度計(日本電色工業股份有限公司製造，NDH5000)，依據ASTMD1003，並使用包含基材及透明導電層之積層體且以基材為基準測定透明導電層之全光線透過率。
(3)霧度
利用霧度計(日本電色工業股份有限公司製造，NDH5000)，依據ASTMD1003，並使用含有基材及透明導電層之積層體且以基材為基準測定透明導電層之霧度值。
(4)表面電阻測定
利用低電阻率計(Loresta-GP MCP-T-610，三菱化學製造)，依據JIS K 7194，並藉由四探針測定法測定透明導電層之表面電阻。
(5)密接性評價
將市售之透明膠帶(米其邦製造之CT-24(寬24mm))貼附於透明導電層上，利用指腹使其良好地密接，然後將透明膠帶剝離。測定透明膠帶剝離後之透明導電層之表面電阻，若透明膠帶密接前之表面電阻與剝離後之電阻同等，則設為「○」，於表面電阻高出同等之範圍之情形時設為「×」。
實施例2
除了將組合物之組成設為表1所示者以外，以與實施例1相同之方式形成透明導電層並對其進行評價。將結果示於表1。
實施例3、4
製備具有表1所示之組成之組合物。藉由旋轉塗佈機以1500rpm將所獲得之組合物塗佈於玻璃基材上，並於100℃下使其加熱乾燥10分鐘，然後進行UV照射(累計光量250mJ/cm2)，而於玻璃基材上形成透明導電層。對於所獲得之透明導電層，以與實施例1相同之方式進行評價。將結果示於表1。
實施例5~7
除了將組合物之組成設為表1所示者以外，以與實施例1相同之方式形成透明導電層並對其進行評價。
實施例8
使用Bar#6(Tester產業股份有限公司製造之SA-203 RODNo.6)並利用棒式塗佈機將實施例1之組合物塗佈於玻璃基板上，於100℃下使其乾燥1分鐘而於玻璃基板上形成透明導電層。以與實施例1相同之方式對透明導電層進行評價。
實施例9
將組合物之組成設為表1所示者並使用Bar#8(Tester產業股份有限公司製造之SA-203 RODNo.8)，除此以外，以與實施例8相同之方式形成透明導電層並對其進行評價。
實施例10
將基板變更為易接著PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜(東麗股份有限公司製造之Lumirror U48，厚度100μm)，除此以外，以與實施例9相同之方式形成透明導電層並對其進行評價。
實施例11
將組合物之組成設為表1所示者並使用Bar#8(Tester產業股份有限公司製造之SA-203 RODNo.8)，除此以外，以與實施例8相同之方式形成透明導電層並對其進行評價。
實施例12
除了將組合物之組成設為表1所示者以外，以與實施例3、4相同之方式形成透明導電層並對其進行評價。
比較例1~3
除了將組合物之組成設為表1所示者以外，以與實施例1相同之方式形成透明導電層並對其進行評價。將結果示於表1。
於比較例3中，因未包含黏合劑而未形成膜，故而無法測定膜厚。
根據表1可知，使用本發明之組合物而形成之透明導電層之表面電阻優異。
[產業上之可利用性]
由本發明之組合物而獲得之物質或導電性物質、包含透明導電膜之基材等可較佳地用於觸控面板、液晶顯示器、有機EL顯示器、有機EL照明、太陽電池、調光膜、調光玻璃、透明加熱器等電氣設備。又，該觸控面板可較佳地用於顯示裝置。
於上文中對本發明之若干實施形態及/或實施例詳細地進行了說明，但業者於不實質性脫離本發明之新穎之教導及效果之情況下容易對作為該等例示之實施形態及/或實施例添加較多之變更。因此，該等較多之變更包含於本發明之範圍。
將成為本案之巴黎優先基礎之日本申請說明書之內容全部引用至本說明書中。

Claims (14)

  1. 一種組合物，其包含：(A)金屬奈米線、與(B)選自聚陰離子及陰離子單體之1種以上。
  2. 如請求項1之組合物，其中上述(A)成分之質量比相對於除分散介質以外之組合物中之成分總量為5~98wt%。
  3. 如請求項1或2之組合物，其中上述金屬奈米線之平均直徑為5nm以上且150nm以下，平均長度為1μm以上且100μm以下。
  4. 如請求項1或2之組合物，其中上述金屬奈米線為銀奈米線。
  5. 如請求項1或2之組合物，其中上述聚陰離子包含選自含磺酸基之聚合物、含磷酸基之聚合物及含羧基之聚合物中之1種以上。
  6. 如請求項1或2之組合物，其中上述陰離子單體係具有磺基之乙烯基單體。
  7. 如請求項1或2之組合物，其係透明導電層形成用組合物。
  8. 一種導電性物質，其係使如請求項1至7中任一項之組合物乾燥而獲得。
  9. 一種透明導電膜，其係將如請求項1至7中任一項之組合物進行塗佈或印刷而獲得。
  10. 一種含透明導電膜之基材，其包含如請求項9之透明導電膜。
  11. 一種觸控面板，其使用如請求項8之導電性物質、如請求項9之透明導電膜、或如請求項10之含透明導電膜之基材。
  12. 一種顯示裝置，其使用如請求項11之觸控面板。
  13. 一種電氣設備，其使用如請求項8之導電性物質、如請求項9之透明導電膜、或如請求項10之含透明導電膜之基材。
  14. 一種含透明導電層之基材之製造方法，其包括將如請求項1至7中任一項之組合物塗佈於基材。
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