TW201538662A - 黏著劑組成物及光學構件表面保護膜 - Google Patents

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Nippon Carbide Kogyo Kk
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Abstract

本發明之黏著劑組成物包含:具酸性基及羥基之(甲基)丙烯酸共聚物、含有有機陽離子且熔點為25℃以上之離子性固體，以及具反應性基之聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物。該離子性固體之含量相對於該(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為0.2質量份以下。該聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物之含量相對於該(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為1質量份以下。

Description

黏著劑組成物及光學構件表面保護膜
本發明係關於黏著劑組成物及光學構件表面保護膜。
液晶顯示裝置由於薄型輕量、耗電少等，近年已作為各種資訊相關設備，例如文字處理器、筆記型電腦之畫面顯示裝置而為人利用。如此之液晶顯示裝置中，使用係本體之內藏液晶之玻璃單元(液晶單元)、以及偏光板、相位差板等光學構件。
通常會以表面保護膜黏著被覆該等光學構件，以避免在經過衝壓加工、檢查查、輸送、液晶顯示板之組裝等各步驟之期間其表面受到污染或損傷。在表面保護變得不需要之階段將該表面保護膜自光學構件剝離去除。
如此之表面保護膜，在光學構件之表面保護為必要之期間，會要求以在前述構件之表面上不發生偏移或不會從表面脱落之程度黏著於其表面。另一方面，為避免剝離伴隨之歪斜變形造成光學構件及液晶單元損傷，又為避免光學構件從液晶單元剝離等不良情況發生，會要求表面保護膜能夠容易地自被黏著體剝離。再者，對於表面保護膜亦要求剝離時在光學構件上不發生來自表面保護膜之殘渣，亦即，要求對被黏著體之污染性(以下，亦簡單稱為「污染性」)低。
又，由於光學構件或表面保護膜一般係由塑膠構成，故電絕緣性高，於摩擦或剝離時易產生靜電。將表面保護膜自光學構件剝離時若產生靜電，在光學膜表面會吸附污垢、灰塵而於產品發生不良情況。又，剝離保護膜時若產生大的靜電，亦有顯示構件之電路受到破壞之疑慮。因此，期待表面保護膜為在自光學構件剝離之際展現良好之抗靜電性者。
就抗靜電相關之技術而言，為了提高抗靜電性，有人揭示含有鹼金屬鹽或二甲基聚矽氧烷化合物之黏著劑組成物 (例如，參照國際公開第2012/133343號公報及日本特開2009-275128號公報)。
又，有人揭示一種附設黏著劑之樹脂膜，該黏著劑使用室溫下為固體之離子性化合物作為抗靜電成分 (例如，參照日本特開2009-79205號公報)。又，有人揭示含有離子性化合物作為抗靜電劑之表面保護片(例如，參照日本特開2009-19162號公報)。再者，亦有關於含有離子液體等離子對之黏著劑組成物之揭示(例如，參照日本特開2009-155586號公報)。
【發明所欲解決之課題】
如上述，過去以來人們已針對黏著劑之抗靜電性進行各種之探討，但當實際上欲充分抑制剝離所致之靜電發生時，無法避免抗靜電成分之滲出乃為實情。滲出係污染被黏著體而使商品價值顯著下降之原因之一。
因此，本發明之課題係提供能形成剝離時發生之靜電少、且被黏著體之污染少之黏著膜之黏著劑組成物。 【解決課題之手段】
解決前述課題之具體手段如以下。 ＜1＞一種黏著劑組成物，其包含: 具酸性基及羥基之(甲基)丙烯酸共聚物、 含有有機陽離子且熔點為25℃以上之離子性固體、與 具反應性基之聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物； 該離子性固體之含量相對於該(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為0.2質量份以下； 該聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物之含量相對於該(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為1質量份以下。
＜2＞如＜1＞之黏著劑組成物，其更包含交聯劑； 該聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物相對於該交聯劑之質量比(聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物/交聯劑)為3/100~20/100。
＜3＞如＜2＞之黏著劑組成物，其中，該交聯劑為聚異氰酸酯化合物。
＜4＞如＜1＞至＜3＞中任1項之黏著劑組成物，其中，該(甲基)丙烯酸共聚物之酸價大於0且為1以下。
＜5＞如＜1＞至＜4＞中任1項之黏著劑組成物，其用於光學構件表面保護膜。
＜6＞一種光學構件表面保護膜，其具備: 基材、與 設置於該基材上且來自於如＜1＞至＜4＞中任1項之黏著劑組成物之黏著劑層。 【發明之效果】
依本發明，可提供能夠形成剝離時發生之靜電少、且被黏著體之污染少之黏著膜之黏著劑組成物及使用該黏著劑組成物而成之光學構件表面保護膜。
本說明書中以「~」表示之數值範圍，表示以「~」之前後所載之數值分別作為最小值及最大值而涵蓋之範圍。又，本說明書中組成物中之各成分之量，當於組成物中併用多數種相當於各成分之物質時，除非特別聲明，否則意指相當於該成分之多數種物質之合計量。 再者，(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之至少一者，類比(甲基)丙烯酸酯之(甲基)丙烯酸共聚物等用語亦為同樣語意。
＜黏著劑組成物＞ 本發明之黏著劑組成物包含具酸性基及羥基之(甲基)丙烯酸共聚物(以下，有時稱為「特定(甲基)丙烯酸共聚物」)、含有有機陽離子且熔點為25℃以上之離子性固體(以下，有時稱為「特定離子性固體」)、與具反應性基之聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物(以下，有時稱為「特定聚矽氧烷化合物」)，該離子性固體之含量相對於該(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為0.2質量份以下，該聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物之含量相對於該(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為1質量份以下。該黏著劑組成物能夠理想地應用在光學構件表面保護膜用。
藉由設計成上述構成之黏著劑組成物，由該黏著劑組成物製作而得之黏著膜於剝離時發生之靜電少，且被黏著體之污染少。其可認為如以下。
含有有機陽離子且具有25℃以上之熔點之特定離子性固體，會發揮作為抗靜電劑之機能。本發明中藉由將特定離子性固體與特定聚矽氧烷化合物一起使用，特定離子性固體和特定聚矽氧烷化合物具有之聚醚基相互作用並形成導電通道。因此，本發明之黏著劑組成物，即使以較一般使用之量為少之量使用特定離子性固體仍可發揮優異之抗靜電性。又，由於能夠使特定離子性固體為少量，故特定離子性固體滲出至黏著劑組成物之表面之量減少，可抑制對於被黏著體之污染。
又，本發明使用具酸性基及羥基之特定(甲基)丙烯酸共聚物。例如，除了具羥基之單體以外只使用不具官能基之單體作為(甲基)丙烯酸共聚物之合成原料時，從共聚合性之觀點，具羥基之單體之消耗速度變快。因此，於聚合反應之終點會生成幾乎不具官能基之(甲基)丙烯酸共聚物，成為具官能基(即羥基)之(甲基)丙烯酸共聚物與幾乎不具官能基之(甲基)丙烯酸共聚物混雜之情形。因為幾乎不具官能基之 (甲基)丙烯酸共聚物難以交聯，故將含此之黏著膜自被黏著體剝離時，幾乎不具官能基之(甲基)丙烯酸共聚物易殘留於被黏著體而污染被黏著體。
相對於此，例如，除了具羥基之單體以外，還使用不具官能基之單體以及具酸性基之單體作為(甲基)丙烯酸共聚物之合成原料時，具羥基之單體之消耗速度變慢。因此，於聚合反應之終點也會生成具某種程度之羥基之(甲基)丙烯酸共聚物。因此，不交聯之(甲基)丙烯酸共聚物幾乎不存在，故含此之黏著膜之(甲基)丙烯酸共聚物難以殘留於被黏著體，可防止被黏著體之污染。
再者，本發明中，聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物具有反應性基。可藉由此反應性基使特定聚矽氧烷化合物交聯，未交聯之自由之特定聚矽氧烷化合物減少。其結果，可防止未交聯之自由之特定聚矽氧烷化合物所致之被黏著體之污染。
[(甲基)丙烯酸共聚物] 本發明之黏著劑組成物含有具酸性基及羥基之特定(甲基)丙烯酸共聚物之至少1種。黏著劑組成物，視需要，亦可更包含與特定(甲基)丙烯酸共聚物不同之(甲基)丙烯酸共聚物。 在此所謂之(甲基)丙烯酸共聚物，係指構成共聚物之全部單體成分(有時將構成共聚物之單體簡單記為共聚合成分)之50質量%以上，較佳為90質量%以上為(甲基)丙烯酸單體之共聚物。
特定(甲基)丙烯酸共聚物包含具酸性基之第一結構單元、及具羥基之第二結構單元。第一結構單元只要為來自於具有酸性基與能和形成第二結構單元之單體形成共聚物之聚合性基之單體之結構單元即可，不特別限制。第一結構單元宜為來自於具羧基之單體之結構單元。來自於具羧基之單體之結構單元，可舉例來自於(甲基)丙烯酸之結構單元、來自於具羧基之 (甲基)丙烯酸酯之結構單元等。來自於具羧基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元，可舉例下列通式(1)表示之結構單元。具酸性基之第一結構單元宜為下列通式(1)表示之結構單元。
【化1】
通式(1)表示之結構單元中，L表示由選自於由伸烷基、伸芳基、羰基及氧原子構成之群組中之至少1種構成之2價連結基，R1 表示氫原子或甲基。惟，當L含氧原子時，氧原子與選自於由伸烷基、伸芳基及羰基構成之群組中之至少1種一起被包含，並鍵結於-CO-。
將具有通式(1)表示之結構單元之特定(甲基)丙烯酸共聚物與後述特定聚矽氧烷化合物及特定離子性固體一起使用時，能使特定聚矽氧烷化合物與特定離子性固體所致之黏著劑組成物之表面電阻值之降低效果有效地發揮。
L之伸烷基可為直鏈狀、分支鏈狀及環狀之任一者。L之伸烷基為直鏈狀或分支鏈狀時，伸烷基之碳數宜為1~12，較佳為2~10，更佳為2~6。
又，L之伸烷基為環狀時，伸烷基之碳數宜為3~12，較佳為4~8，更佳為5~6。例如環狀之伸烷基為伸環己基時，鍵結位置可為1,4位、1,2位及1,3位之任一者，較佳為1,2位。
L之伸芳基之碳數宜為6~10，較佳為伸苯基。伸芳基之鍵結位置不特別限制。例如伸芳基為伸苯基時，鍵結位置可為1,4位、1,2位及1,3位之任一者，較佳為1,2位。
L之伸烷基及伸芳基亦可具有取代基。取代基可舉例碳數1~12之烷基、鹵素原子、羥基、胺基、硝基、苯基等。
通式(1)中之L表示之2價連結基，從抗靜電性及對被黏著體之污染性之觀點，宜為下列通式(2a)或通式(2b)表示之2價連結基。
【化2】
通式(2a)及(2b)中，R21 ~R24 各自獨立地表示碳數1~12之伸烷基或碳數6~10之伸芳基。n表示0~10之數，m表示1~10之數。 R21 ~R24 之伸烷基可為直鏈狀、分支鏈狀及環狀之任一者，宜為直鏈狀或分支鏈狀，較佳為直鏈狀。 R21 ~R24 之伸芳基之鍵結位置不特別限制。例如伸芳基為伸苯基或伸環己基時，鍵結位置可為1,4位、1,2位及1,3位之任一者，較佳為1,2位。
R21 及R22 之伸烷基各自獨立，宜為碳數2~10，較佳為碳數2~6。R21 及R22 之伸烷基可相同亦可不同。 R21 及R22 之伸芳基各自獨立，宜為伸苯基或伸萘基，較佳為伸苯基。
通式(2a)之R21 及R22 ，從抗靜電性及對被黏著體之污染性之觀點，宜各自獨立地為碳數1~12之伸烷基，較佳為碳數2~6之伸烷基，更佳為碳數2~6且為直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基。
通式(2a)中，n表示0~10之數。特定(甲基)丙烯酸共聚物僅含有1種類之通式(1)表示之結構單元時，n為整數；含2種以上時，n為係平均值之有理數。n宜為0~4，較佳為0~2。
R23 宜為碳數1~12之伸烷基，較佳為碳數2~6之伸烷基，更佳為碳數2~4之伸烷基。
R24 宜為碳數2~6之直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基、碳數4~8之環狀伸烷基、或碳數6~10之伸芳基，較佳為碳數2~4之直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基、碳數5~6之環狀伸烷基、或伸苯基，更佳為碳數2~4之直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基、伸環己基、或伸苯基。
通式(2b)中，m表示1~10之數。特定(甲基)丙烯酸共聚物僅含有1種類之通式(1)表示之結構單元時，m為整數；含2種以上時，m為係平均值之有理數。m宜為1~4，較佳為1~2。
例如，可藉由將下列通式(1a)表示之單體與構成特定(甲基)丙烯酸共聚物之其他單體一起共聚合，以將通式(1)表示之結構單元導入到特定(甲基)丙烯酸共聚物。
【化3】
通式(1a)中，R1 及L各與通式(1)中之R1 及L同義。
通式(1a)表示之單體可為以常法製造而得者，亦可為從市售單體適當選擇而得者。通式(1a)表示之單體中L以通式(2a)表示之單體，可舉例(甲基)丙烯酸二聚物(較佳為通式(2a)中之n之平均值為約0.4者)、ω-羧基-聚己內酯單(甲基)丙烯酸酯(較佳為通式(2a)中之n之平均值為約1.0者)等。該等單體，例如可使用「ARONIX M-5600」、「ARONIX M-5300」(以上，東亞合成(股)公司製，商品名)等市售者。
又，通式(1a)表示單體中L以通式(2b)表示之單體，可舉例2-(甲基)丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基富馬酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸等。該等單體例如可使用「LIGHT ESTER HO-MS」、「LIGHT ACRYLATE HOA-MS(N)」、「LIGHT ACRYLATE HOA-HH(N)」、「LIGHT ACRYLATE HOA-MPL(N)」(以上，共榮社(股)公司製，商品名)等市售者。
特定(甲基)丙烯酸共聚物中的具酸性基之第一結構單元之含有率，宜為0.005質量%~1質量%，較佳為0.025質量%~0.5質量%，更佳為0.025質量%~0.25質量%。 具酸性基之第一結構單元之含有率為0.005質量%以上時，污染性變得更低。又，具酸性基之第一結構單元之含有率為1質量%以下時，黏著劑組成物之貯存期長，作業性優異。
特定(甲基)丙烯酸共聚物含有具羥基之第二結構單元之至少1種。形成第二結構單元之具羥基之單體，只要為具有至少1個羥基、與能和形成第一結構單元之單體形成共聚物之聚合性基之單體即可，不特別限制，可從通常使用之單體適當選用。
具羥基之單體，例如可舉例具有羥基及乙烯性不飽和鍵結基之單體。具羥基之單體，具體而言，可舉例:(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、 (甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、 (甲基)丙烯酸3-甲基-3-羥基丁酯、 (甲基)丙烯酸1,3-二甲基-3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2,2,4-三甲基-3-羥基戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-3-羥基己酯、單(甲基)丙烯酸甘油酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚(乙二醇-丙二醇)單(甲基)丙烯酸酯等 (甲基)丙烯酸酯化合物;N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥基乙基(甲基)丙烯醯胺等具羥基之(甲基)丙烯醯胺化合物;烯丙醇、甲基烯丙醇等不飽和醇等。
其中，從與其他單體之互溶性及共聚合性為良好之觀點、及與交聯劑之交聯反應為良好之觀點，宜為於碳數2~6之烷基具有1個羥基之(甲基)丙烯酸酯，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯或(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯。
特定(甲基)丙烯酸共聚物中的來自於具羥基之單體之第二結構單元之含有率，於特定(甲基)丙烯酸共聚物之總質量中宜為0.1質量%以上10.0質量%以下，較佳為2.0質量%以上8.0質量%以下，更佳為2.0質量%以上5.0質量%以下。藉由使來自於具羥基之單體之結構單元之含有率為前述下限值以上，可更有效抑制對被黏著體之污染之發生。又藉由使成為前述上限值以下，有對被黏著體之順應性(透濕性)變得更良好之傾向。
特定(甲基)丙烯酸共聚物中的第一結構單元與第二結構單元之含有比率不特別限制。從對被黏著體之污染性之觀點，第一結構單元相對於第二結構單元之含有比率(第一結構單元/第二結構單元)以質量基準計宜為1/2000~5/1，較佳為1/350~1/8，更佳為1/200~1/50。
特定(甲基)丙烯酸共聚物中的第一結構單元及第二結構單元之總含有率不特別限制。從對被黏著體之污染性之觀點，第一結構單元及第二結構單元之總含有率宜為1質量%以上15質量%以下，較佳為2質量%以上10質量%以下，更佳為3質量%以上8質量%以下。
特定(甲基)丙烯酸共聚物，除了第一結構單元及第二結構單元以外，宜更包含來自於(甲基)丙烯酸烷酯之第三結構單元之至少1種。 (甲基)丙烯酸烷酯之烷基可為直鏈狀，也可為分支鏈狀。又，(甲基)丙烯酸烷酯之烷基之碳數，從黏著性之觀點宜為1~18，較佳為2~10。
(甲基)丙烯酸烷酯，具體而言，可舉例(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、 (甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、 (甲基)丙烯酸異壬酯、 (甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸正十二烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯等具有碳數1~18之直鏈狀或分支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷酯及該等之衍生物。
特定(甲基)丙烯酸共聚物，可包含單獨1種，亦可包含2種以上之來自於(甲基)丙烯酸烷酯之第三結構單元，較佳係包含2種以上。特定(甲基)丙烯酸共聚物包含2種之第三結構單元時，較佳係一方為來自於具有碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元，另一方為來自於具有碳數6~18之直鏈狀或分支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元；更佳係一方為來自於具有碳數2~5之直鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元，另一方為來自於具有碳數6~10之分支鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元。具有碳數2~5之直鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷酯，以(甲基)丙烯酸正丁酯為較佳。
藉由調節來自於具有碳數2~5之直鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元之含有率，以使離子性固體滲出至黏著劑組成物之表面之量變動，傾向能使抗靜電性提升。由此觀點，來自於具有碳數2~5之直鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元之含有率，於(甲基)丙烯酸共聚物之總質量中宜大於0質量%且為30質量%以下，較佳為1質量%以上25質量%以下，更佳為5質量%以上25質量%以下，特佳為5質量%以上15質量%以下。
特定(甲基)丙烯酸共聚物包含第三結構單元時，第三結構單元之總含有率，於特定(甲基)丙烯酸共聚物之總質量中宜為60質量%以上99.9質量%以下，較佳為72質量%以上99.5質量%以下，更佳為85質量%以上99質量%以下。第三結構單元之總含有率若為前述下限值以上，有順應性(透濕性)變得更良好之傾向。又，第三結構單元之總含有率若為前述上限值以下，高速剝離時之黏著力不會過大，高速剝離時之作業性有更優異之傾向。
特定(甲基)丙烯酸共聚物，視需要，亦可更包含第一結構單元、第二結構單元及第三結構單元以外之其他結構單元。形成其他結構單元之單體，可舉例:(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯等具有環狀基之(甲基)丙烯酸酯;飽和脂肪酸乙烯酯，例如甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、「叔碳酸乙烯酯(vinyl versatate)」(商品名，新癸酸乙烯酯)等脂肪族乙烯基單體;苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等芳香族乙烯基單體;丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基乙烯基單體;馬來酸二甲酯、馬來酸二正丁酯、馬來酸二-2-乙基己酯、馬來酸二正辛酯、富馬酸二甲酯、富馬酸二正丁酯、富馬酸二-2-乙基己酯、富馬酸二正辛酯等馬來酸或富馬酸之二酯單體等。
再者，形成其他結構單元之單體，可舉例和形成第一結構單元之單體及形成第二結構單元之單體不同之單體(以下，亦稱為「官能性單體」)，其係於分子內除了具有1個自由基聚合性基以外還具有至少1個官能基之單體。官能性單體，可舉例具有經取代或未經取代之醯胺基、經取代或未經取代之胺基、烷氧基、環氧基、巰基、含矽基等官能基之單體。又，亦可使用分子內具有2個以上之自由基聚合性基之單體。
該等官能性單體之具體例，例如可舉例: (甲基)丙烯醯胺、二丙酮丙烯醯胺、N-正丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-異丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺等經取代或未經取代之含醯胺基之單體;(甲基)丙烯酸胺基乙酯、N,N-二甲基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二乙基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯等經取代或未經取代之含胺基之單體;(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-正丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-正丁氧基乙氧基乙酯、甲氧基聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇單甲基丙烯酸酯等含烷氧基之單體;(甲基)丙烯酸環氧丙酯、環氧丙基烯丙醚、環氧丙基甲基烯丙醚等含環氧基之單體;烯丙基硫醇等含巰基之單體;乙烯基三氯矽烷、乙烯基三溴矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三正丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三正丁氧基矽烷、乙烯基參(2-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基參(2-羥基甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基二乙氧基矽醇、乙烯基乙氧基矽二醇、乙烯基甲基二乙氧基矽烷、乙烯基二甲基乙氧基矽烷、乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧丙基參(2-甲氧基乙氧基)矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧丙基二甲基乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧丙基二甲基甲氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯胺乙基三乙氧基矽烷等具有含矽基之單體等單體群。
特定(甲基)丙烯酸共聚物包含其他結構單元時，其他結構單元之含有率於特定(甲基)丙烯酸共聚物之總質量中宜為30質量%以下，較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下。其他結構單元之含有率若為前述上限值以下，有能使低速剝離與高速剝離之黏著力之平衡成為良好之傾向。
特定(甲基)丙烯酸共聚物之酸價大於0且為1以下，較佳係大於0且為1.8以下，更佳係大於0且為1以下，進而更佳係0.01以上0.5以下，特佳係0.05以上0.5以下。藉由使(甲基)丙烯酸共聚物之酸價大於0，可使在合成特定(甲基)丙烯酸共聚物時幾乎不生成不具羥基之(甲基)丙烯酸共聚物，因此含有此而製作而得之黏著膜所含之(甲基)丙烯酸共聚物不易殘留於被黏著體，能防止被黏著體之污染。特定(甲基)丙烯酸共聚物之酸價若為1.0以下，初始硬化性優異。初始硬化速度若低，作業性差，再者將黏著片捲成芯時有捲痕殘留之情形。
(甲基)丙烯酸共聚物之酸價係利用以下方法測定。 (1)取(甲基)丙烯酸共聚物約5g於三角燒瓶，於常溫減壓下去除溶劑後，再以105℃熱風乾燥機將其乾固，將乾固後所得者作為聚合物樣品。 (2)將聚合物樣品溶解於混合溶劑(體積比:甲苯/乙醇=50/50)100ml而製作成樣品溶液。 (3)以下列條件進行樣品溶液之滴定並測定滴定量。 滴定溶液: 乙醇性氫氧化鉀溶液(0.1N，和光純藥工業(股)公司製，容量分析用) 指示劑: 酚酞        (4)依下式計算酸價。        A={(Y-X)×f×5.61}/M A;酸價 Y;樣品溶液之滴定量(ml) X;僅混合溶劑100ml之溶液之滴定量(ml) f;滴定溶液之因子 M;聚合物樣品之質量(g)
特定(甲基)丙烯酸共聚物之重量平均分子量不特別限制。特定(甲基)丙烯酸共聚物之重量平均分子量(Mw)宜為20萬以上100萬以下，較佳為30萬以上80萬以下。特定(甲基)丙烯酸共聚物之重量平均分子量(Mw)若為前述下限值以上，有能更有效抑制對被黏著體之污染發生的傾向。又，若為前述上限值以下，有順應性(透濕性)變得更良好之傾向。
又，係特定(甲基)丙烯酸共聚物之重量平均分子量(Mw)與數目平均分子量(Mn)之比的分散度(Mw/Mn)宜為20以下，較佳為3~15之範圍。分散度(Mw/Mn)之值若為前述上限值以下，有能更有效抑制對被黏著體之污染發生的傾向。
又，(甲基)丙烯酸共聚物之重量平均分子量(Mw)及數目平均分子量(Mn)係依下列(1)~(3)之方法測定而得之值。
(1)將(甲基)丙烯酸共聚物之溶液塗佈於剝離紙，於100℃乾燥2分鐘，獲得膜狀之(甲基)丙烯酸共聚物。 (2)使用由上述(1)獲得之膜狀之(甲基)丙烯酸共聚物與四氫呋喃，獲得固體成分濃度為0.2質量%之試樣溶液。 (3)於下列條件使用凝膠滲透層析(GPC)，以標準聚苯乙烯換算值之形式測定(甲基)丙烯酸共聚物之重量平均分子量(Mw)及數目平均分子量(Mn)。
(條件) GPC             :HLC-8220 GPC[東曹(股)公司製] 管柱             :使用TSK-GEL GMHXL 4根 移動相溶劑 :四氫呋喃 流速             :0.6mL/分鐘 管柱溫度     :40℃
黏著劑組成物中的特定(甲基)丙烯酸共聚物之含有率可視目的等適當選擇。特定(甲基)丙烯酸共聚物之含有率，於黏著劑組成物之固體成分總質量中宜為80質量%以上99質量%以下，較佳為85質量%以上99質量%以下，更佳為90質量%以上98質量%以下。又，固體成分總質量意指自黏著劑組成物去除溶劑等揮發性成分而得之殘渣之總質量。
特定(甲基)丙烯酸共聚物，可藉由將能形成特定(甲基)丙烯酸共聚物之結構單元之單體聚合以製造。上述共聚物之聚合方法不特別限制，可從溶液聚合法、乳化聚合法、懸浮聚合法等公知方法適當選擇。當使用利用聚合而得之共聚物來製造本發明之黏著劑組成物時，能較簡單地實行處理步驟，因此特定(甲基)丙烯酸共聚物宜利用溶液聚合法進行聚合。
溶液聚合法，一般可使用公知方法，如藉由在聚合槽內加入既定之有機溶劑、單體、聚合起始劑、及視需要使用之鏈轉移劑，於氮氣氣流中，於有機溶劑之回流溫度下，邊攪拌邊使其加熱反應數小時以實行之公知方法。
又，特定(甲基)丙烯酸共聚物之重量平均分子量及分散度，能藉由反應溫度、時間、溶劑量、觸媒之種類及量容易地予以調節。
用於特定(甲基)丙烯酸共聚物之聚合的聚合用有機溶劑，可舉例:苯、甲苯、乙苯、正丙苯、三級丁苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、四氫萘、十氫萘、芳香族石油腦等芳香族烴化合物;正己烷、正庚烷、正辛烷、異辛烷、正癸烷、雙戊烯、石油精、石油腦、松節油等脂肪系或脂環族系烴化合物;乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸正戊酯、乙酸2-羥基乙酯、乙酸2-丁氧基乙酯、乙酸3-甲氧基丁酯、苯甲酸甲酯等酯化合物;丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、異佛爾酮、環己酮、甲基環己酮等酮化合物;乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚等二醇醚化合物;甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、二級丁醇、三級丁醇等醇化合物等。該等有機溶劑，可各別單獨使用1種，也可混用2種以上。
聚合起始劑，可使用能在通常之溶液聚合法使用的有機過氧化物、偶氮化合物等。有機過氧化物，例如可舉例:三級丁基過氧化氫、異丙苯過氧化氫、過氧化二異丙苯、過氧化苯甲醯基、過氧化月桂醯基、過氧化己醯基、二(異丙基)過氧化二碳酸酯、二(2-乙基己基)過氧化二碳酸酯、三級丁基過氧化三甲基乙酸酯、2,2-雙(4,4-二-三級丁基過氧環己基)丙烷、2,2-雙(4,4-二-三級戊基過氧環己基)丙烷、2,2-雙(4,4-二-三級辛基過氧環己基)丙烷、2,2-雙(4,4-二-α-異丙苯基過氧環己基)丙烷、2,2-雙(4,4-二-三級丁基過氧環己基)丁烷、2,2-雙(4,4-二-三級辛基過氧環己基)丁烷等。偶氮化合物，例如可舉例:2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙-2,4-二甲基戊腈、2,2’-偶氮雙-4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈等。
又，於製造特定(甲基)丙烯酸共聚物之際，在無損本發明之目的及效果之範圍，亦可視需要使用鏈轉移劑。鏈轉移劑，例如可舉例:氰乙酸;氰乙酸之碳數1~8之烷酯化合物;溴乙酸;溴乙酸之碳數1~8之烷酯化合物;蒽、菲、茀、9-苯基茀等芳香族化合物;對硝基苯胺、硝基苯、二硝基苯、對硝基苯甲酸、對硝基苯酚、對硝基甲苯等芳香族硝基化合物;苯醌、2,3,5,6-四甲基對苯醌等苯醌衍生物;三丁基硼烷等硼烷衍生物;四溴化碳、四氯化碳、1,1,2,2-四溴乙烷、三溴乙烯、三氯乙烯、溴三氯甲烷、三溴甲烷、3-氯-1-丙烯等鹵化烴化合物;氯醛、呋喃甲醛等醛化合物:碳數1~18之烷基硫醇化合物;硫苯酚、甲苯硫醇等芳香族硫醇化合物;巰基乙酸、巰基乙酸之碳數1~10之烷酯化合物;碳數1~12之羥基烷基硫醇化合物;蒎烯、萜品油烯(terpinolene)等萜化合物等。
聚合溫度，一般為約30℃~180℃之範圍。 在製造特定(甲基)丙烯酸共聚物之際，亦可設置對於由聚合反應獲得之聚合物進行精製之精製步驟。藉此，當以溶液聚合法等獲得之聚合物中含未反應之單體時可去除該單體。精製步驟可從通常使用之精製方法適當選擇。例如，能以利用甲醇等所為之再沈澱法進行精製。
(其他(甲基)丙烯酸共聚物) 本發明之黏著劑組成物，亦可併用上述具酸性基及羥基之特定(甲基)丙烯酸共聚物以外之其他(甲基)丙烯酸共聚物。當黏著劑組成物含其他(甲基)丙烯酸共聚物時，其含有率可視目的等適當選擇，較佳為相對於特定(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為2.0質量份以下，更佳為1.5質量份以下，進而更佳為1.0質量份以下。
[具反應性基之聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物] 黏著劑組成物含有具反應性基之聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物(特定聚矽氧烷化合物)之至少1種。藉由讓聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物具有反應性基，可使由此製作而得之黏著膜容易地自被黏著體剝離，且使被黏著體之污染減少。
因特定聚矽氧烷化合物有降低黏著力之效果，故可理解含特定聚矽氧烷化合物而製作而得之黏著膜之黏著力低，能夠容易地自被黏著體剝離。
又，藉由將特定聚矽氧烷化合物與特定離子性固體一起使用以產生相互作用，即使特定離子性固體為少量仍展現優異之抗靜電性。而且，由於能夠使特定離子性固體為少量，故特定離子性固體所致之對被黏著體之污染可受到抑制。
特定聚矽氧烷化合物之反應性基，可舉例羥基、羧基、經取代或未經取代之醯胺基、經取代或未經取代之胺基、烷氧基、環氧基、巰基、含矽基等反應性基等，較佳為羥基。特定聚矽氧烷化合物中，具反應性基之結構單元之含有數宜為100以下，較佳為1~80。
特定聚矽氧烷化合物，從抗靜電性與對被黏著體之污染性之觀點，較佳為包含來自於二烷基矽氧烷之結構單元與來自於烷基(羥基聚伸烷氧基烷基)矽氧烷之結構單元之聚矽氧烷化合物。 二烷基矽氧烷之烷基之碳數宜為1~4，較佳為1。 又，烷基(羥基聚伸烷氧基烷基)矽氧烷之伸烷氧基之碳數宜為2~4，較佳為2~3。烷基(羥基聚伸烷氧基烷基)矽氧烷之伸烷氧基之含有數宜為1~100，較佳為10~100。烷基(羥基聚伸烷氧基烷基)矽氧烷之烷基之碳數宜為1~4。
當特定聚矽氧烷化合物包含來自於二烷基矽氧烷之結構單元與來自於烷基(羥基聚伸烷氧基烷基)矽氧烷之結構單元時，來自於二烷基矽氧烷之結構單元之含有數宜為100以下，較佳為1~80。又，來自於烷基(羥基聚伸烷氧基烷基)矽氧烷之結構單元之含有數宜為2~100，較佳為2~80。
特定聚矽氧烷化合物，從黏著力之易調整性、抗靜電性及對被黏著體之污染性之觀點，宜為下列通式(3)表示之聚矽氧烷化合物。
【化4】
通式(3)中，p為二甲基矽氧烷結構單元之重複數，表示0~100之數。q為具有聚氧伸乙基之甲基伸丙基矽氧烷結構單元之重複數，表示2~100之數。又a為伸乙基氧基結構單元之重複數，各表示1~100之數。在此，當通式(3)表示之化合物為多數化合物之集合體時，p、q及a為作為化合物之集合體之平均值，為有理數。
聚氧伸乙基結構單元之重複數a為1~100之數，較佳為10~100之數。a若為1以上可獲得充分之導電性，抗靜電效果有提高之傾向。又a若為100以下，與構成黏著劑組成物之其他成分之互溶性提高，黏著劑層之透明性有提高之傾向。
又，二甲基矽氧烷結構單元之重複數p為0~100之數，較佳為1~80之數。p若為100以下，與構成黏著劑組成物之其他成分之互溶性提高，黏著劑層之透明性有提高之傾向。 再者，甲基伸丙基矽氧烷結構單元之重複數q為2~100之數，較佳為2~80之數。q若為2以上可獲得充分之導電性，抗靜電效果有提高之傾向。又，q若為100以下，與構成黏著劑組成物之其他成分之互溶性提高，黏著劑層之透明性有提高之傾向。
通式(3)表示之聚矽氧烷化合物於分子內含有二甲基矽氧烷結構單元與具有聚氧伸乙基之甲基伸丙基矽氧烷結構單元。該等結構單元可構成嵌段共聚物，亦可構成無規共聚物。
前述通式(3)表示之特定聚矽氧烷化合物之具體例，例如可舉例「SF8428」、「FZ-2162」、「SH3773M」[以上，東麗･道康寧(股)公司製]等。
通式(3)表示之聚矽氧烷化合物，可為選自於如上述之市售品者，又，也可將具有不飽和鍵及聚氧伸乙基之有機化合物藉由氫化矽烷化反應接枝於具有氫化矽之二甲基聚矽氧烷主鏈而獲得。
黏著劑組成物，除了含有特定聚矽氧烷化合物以外，還可含有具有與特定聚矽氧烷化合物不同之結構之聚矽氧烷化合物。惟，當添加不具有與交聯劑之反應性之聚矽氧烷化合物時，從保持良好污染性之觀點宜限於不影響污染性之程度之添加量。 具有與特定聚矽氧烷化合物不同之結構之聚矽氧烷化合物，例如可舉例聚氧伸乙基之末端為烷氧基、醯氧基等之聚矽氧烷化合物等。
具體而言，例如可舉例「FZ-77」、「FZ-2104」、「FZ-2110」、「FZ-2203」、「FZ-2207」、「FZ-2208」、「L-7001」、「L-7002」、「SH3749」、「SH8400」[以上，東麗･道康寧(股)公司製]等。
當黏著劑組成物含有具有與特定聚矽氧烷化合物不同之結構之聚矽氧烷化合物時，其含有率於聚矽氧烷化合物之總質量中宜為0.05質量%以下，較佳為0.03質量%以下。
就特定聚矽氧烷化合物之重量平均分子量無特別限制，例如可定為5,000以上20,000以下，較佳為6,000以上15,000以下。
又，就特定聚矽氧烷化合物之HLB值不特別限制，但從與樹脂之互溶性、表面不均勻分布性、及黏著性之觀點，宜為5以上低於16，較佳為7以上15以下。 HLB值為表示特定聚矽氧烷化合物(界面活性劑)之親水性與疏水性之平衡之尺度。本發明中，HLB值可依由下列式1算出之格力芬法(Griffin method)之定義求取，但當特定聚矽氧烷化合物為市售品時，優先採用其商品型錄資料。 式1 {(親水性基部分之式量之總和)/(界面活性劑之分子量)}×20
特定聚矽氧烷化合物之含量，相對於後述交聯劑以質量比(特定聚矽氧烷化合物/交聯劑)計，宜為3/100~20/100，較佳為3/100~15/100，更佳為5/100~15/100，進而更佳為5/100~10/100。特定聚矽氧烷化合物之含量相對於交聯劑100質量份若為3質量份以上，傾向能夠兼顧黏著力、與對被黏著體之順應性(透濕性)。若為20質量份以下時，未交聯之自由之特定聚矽氧烷化合物減少，可防止未交聯之自由之特定聚矽氧烷化合物所致之被黏著體之污染。
本發明之黏著劑組成物中之特定聚矽氧烷化合物之含量，相對於特定(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為1質量份以下，較佳為0.05質量份以上0.5質量份以下，更佳為0.05質量份以上0.4質量份以下，進而更佳為0.10質量份以上0.3質量份以下。
特定聚矽氧烷化合物之含量相對於特定(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為1質量份以下時，做成黏著膜時發生對被黏著體之污染之情形可受到抑制，且可抑制與特定(甲基)丙烯酸共聚物之互溶性低而發生白濁之情形。
[離子性固體] 本發明之黏著劑組成物含有包含有機陽離子且熔點為25℃以上之離子性固體之至少1種。藉由將特定離子性固體與特定聚矽氧烷化合物一起使用，即使減低黏著劑組成物中之特定離子性固體之含量仍可賦予充分之抗靜電性。可藉此大幅減低特定離子性固體所致之黏著劑組成物對被黏著體之污染。又，由於離子性固體比起自以往已作為抗靜電劑廣泛利用之鹼金屬鹽，親水性較低，故能大幅減低黏著劑組成物對被黏著體之污染。
特定離子性固體為熔點25℃以上之離子性化合物，包含有機陽離子與其相對離子。由於在接近室溫之溫度範圍保持固體狀態，且陽離子部為親水性低的有機陽離子，故使其含於黏著劑組成物時不易發生溶出。亦即，離子性固體之熔點若為低於25℃之範圍，離子性固體易在黏著劑組成物或黏著劑層中移動，對被黏著體之污染惡化。特定離子性固體之熔點以高者為理想，宜為35℃以上，較佳為45℃以上。另一方面，就與特定(甲基)丙烯酸共聚物之互溶性之觀點，特定離子性固體之熔點宜為80℃以下。
有機陽離子，例如可舉例咪唑鎓陽離子、吡啶鎓陽離子、烷基吡咯烷鎓(alkyl pyrrolidinium)陽離子、銨陽離子、鋶陽離子、鏻陽離子等。當使其含於光學構件表面保護膜之黏著劑層時，從更減低將設於黏著劑層上之剝離膜揭下時之帶電之觀點，以該等之中的吡啶鎓陽離子、咪唑鎓陽離子為較佳。
為有機陽離子之相對離子之陰離子部不特別限定，可為無機陰離子或有機陰離子之任一者。陰離子部之例，可舉例:氯陰離子[Cl- ]、溴陰離子[Br- ]、碘陰離子[I- ]、四氯鋁酸根陰離子[AlCl4 - ]、七氯二鋁酸根陰離子[Al2 Cl7 - ]、四氟硼酸根陰離子[BF4 - ]、六氟磷酸根陰離子[PF6 - ]、過氯酸根陰離子[ClO4 - ]、硝酸根陰離子[NO3 - ]、乙酸根陰離子[CH3 COO- ]、三氟乙酸根陰離子[CF3 COO- ]、甲烷磺酸根陰離子[CH3 SO3 - ]、三氟甲烷磺酸根陰離子[CF3 SO3 - ]、對甲苯磺酸根陰離子[p-CH3 C6 H4 SO3 - ]、雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺陰離子[(CF3 SO2 )2 N- ]、參(三氟甲烷磺醯基)甲烷化物陰離子[(CF3 SO2 )3 C- ]、六氟砷化物陰離子[AsF6 - ]、六氟銻酸根陰離子[SbF6 - ]、六氟鈮酸根陰離子[NbF6 - ]、六氟鉭酸根陰離子[TaF6 - ]、二甲基次膦酸根陰離子[(CH3 )2 POO- ]、(聚)氫化氟氟化物陰離子[F(HF)n - ](n為約1~3)、二氰胺化物陰離子[(CN)2 N- ]、硫化氰陰離子[SCN- ]、全氟丁烷磺酸根陰離子[C4 F9 SO3 - ]、雙(五氟乙烷磺醯基)醯亞胺陰離子[(C2 F5 SO2 )2 N- ]、全氟丁酸根陰離子[C3 F7 COO- ]、(三氟甲烷磺醯基)(三氟甲烷羰基)醯亞胺陰離子[(CF3 SO2 )(CF3 CO)N- ]等。 上述中，尤其就提供抗靜電性能優異之離子性固體之觀點，以含有氟原子的含氟陰離子為較佳，更佳為六氟磷酸根陰離子(PF6 - )。
離子性固體之例，可列舉吡啶鎓鹽、咪唑鎓鹽、烷基銨鹽、烷基吡咯烷鎓鹽、烷基鏻鹽等為合適。其中，以吡啶鎓鹽、咪唑鎓鹽為較佳，以吡啶鎓陽離子、咪唑鎓陽離子之含氟陰離子鹽為特佳。
將離子性固體之具體例列舉如下。惟，本發明不限於該等。 (1)吡啶鎓鹽之例，可舉例:六氟磷酸N-己基吡啶鎓(熔點:45℃)、六氟磷酸N-辛基吡啶鎓、六氟磷酸N-丁基-4-甲基吡啶鎓(熔點:48℃)、六氟磷酸N-丁基-吡啶鎓(熔點:75℃)、溴化1-丁基-3-甲基吡啶鎓、溴化1-丁基-4-甲基吡啶鎓(熔點:137℃)、氯化1-丁基-4-甲基吡啶鎓(熔點:158℃)、溴化1-丁基吡啶鎓(熔點:104℃)、氯化1-丁基吡啶鎓(熔點:132℃)、六氟磷酸1-丁基吡啶鎓(熔點:75℃)、溴化1-乙基吡啶鎓(熔點:120℃)等。
(2)咪唑鎓鹽之例，可舉例: 六氟磷酸1-甲基-3-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟辛基)-咪唑鎓(熔點:80℃)、六氟磷酸1-丁基-1-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟辛基)-咪唑鎓(熔點:120~121℃)、六氟磷酸1-乙基-3-甲基咪唑鎓(熔點:61℃)、六氟磷酸1-苄基-3-甲基咪唑鎓(熔點:136℃)、四氟硼酸1-苄基-3-甲基咪唑鎓(熔點:77℃)、對甲苯磺酸1-乙基-3-甲基咪唑鎓、甲烷磺酸1-丁基-3-甲基咪唑鎓(熔點:75~80℃)、甲基硫酸1,2,3-三甲基咪唑鎓(熔點:113℃)、氯化1,3-二甲基咪唑鎓(熔點:125℃)、氯化1-丁基-2,3-二甲基咪唑鎓(熔點:99℃)、溴化1-丁基-3-甲基咪唑鎓(熔點:78℃)、氯化1-丁基-3-甲基咪唑鎓(熔點:65℃)、溴化1-乙基-3-甲基咪唑鎓(熔點:74℃)、氯化1-乙基-3-甲基咪唑鎓(熔點:80~84℃)、碘化1-乙基-3-甲基咪唑鎓(熔點:79℃)、氯化1-乙基-2,3-二甲基咪唑鎓(熔點:181℃)、氯化1-甲基咪唑鎓(熔點:75℃)、氯化1-芳基-3-甲基咪唑鎓(熔點:55℃)、氯化1-苄基-3-甲基咪唑鎓(熔點:70℃)等。
(3)烷基銨鹽之例，可舉例: 六氟磷酸四丁基銨、對甲苯磺酸四丁基銨、雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺環己基三甲基銨、氯化四正丁基銨(熔點:75℃)、溴化四丁基銨(熔點:119℃)、甲基硫酸三丁基甲基銨(熔點:62℃)、雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺四丁基銨(熔點:94~96℃)、三氟甲烷磺酸四乙基銨(熔點:161~163℃)、苯甲酸四丁基銨(熔點:64~67℃)、甲烷磺酸四丁基銨(熔點:78~80℃)、九氟丁烷磺酸四丁基銨(熔點:50~53℃)、六氟磷酸四正丁基銨(熔點:246℃)、三氟乙酸四丁基銨(熔點:74~76℃)、四氟硼酸四己基銨(熔點:90~92℃)、溴化四己基銨(熔點:97℃)、碘化四己基銨(熔點:99℃)、氯化四辛基銨(熔點:50~54℃)、溴化四辛基銨(熔點:95~98℃)、溴化四庚基銨(熔點:89~91℃)、溴化四戊基銨(熔點:99℃)、六氟磷酸正十六烷基三甲基銨(熔點:185℃)、雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺 (2-羥基乙基)三甲基銨、二甲基次膦酸(2-羥基乙基)三甲基銨等。
(4)烷基吡咯烷鎓鹽之例，可舉例: 六氟磷酸N-丁基-N-甲基吡咯烷鎓、溴化1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓(熔點:160℃以上)、氯化1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓(熔點:114℃以上)、四氟硼酸1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓(熔點:152℃)等。
(5)烷基鏻鹽之例，可舉例:溴化四丁基鏻(熔點:104℃)、氯化四丁基鏻(熔點:62~66℃)、四氟硼酸四丁基鏻(熔點:96~99℃)、甲烷磺酸四丁基鏻(熔點:59~62℃)、對甲苯磺酸四丁基鏻(熔點:54~57℃)、溴化三丁基十六烷基鏻(熔點:57~62℃)等。
特定離子性固體可單獨使用1種，也可組合2種以上來使用。 黏著劑組成物中的特定離子性固體之含量，相對於特定(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為0.2質量份以下。本發明之黏著劑組成物，即使離子性固體之含量為0.2質量份以下，仍可展現優異之抗靜電性。 本發明之特定離子性固體之含量較佳為相對於特定(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為0.05質量份~0.2質量份，更佳為0.07質量份~0.18質量份。
[交聯劑] 黏著劑組成物宜包含交聯劑。交聯劑不特別限定，可舉例聚異氰酸酯化合物、聚環氧化合物、聚氮丙啶(polyaziridine)化合物、三聚氰胺甲醛縮合物、金屬鹽、金屬螯合物等。該等交聯劑可各別單獨使用1種，或組合2種以上來使用。
該等交聯劑中，以聚異氰酸酯化合物為較佳。藉由聚異氰酸酯化合物、特定(甲基)丙烯酸共聚物、與特定聚矽氧烷化合物各自進行交聯反應，可均衡地提升黏著性、與對被黏著體之污染性。
聚異氰酸酯化合物，例如可舉例:亞二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、三苯基甲烷三異氰酸酯、伸甲苯基二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯化合物;六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、芳香族聚異氰酸酯化合物之氫化物等脂肪族或脂環族聚異氰酸酯化合物;該等聚異氰酸酯化合物之2聚物或3聚物;該等聚異氰酸酯化合物與三羥甲基丙烷等多元醇化合物之加成物等。從與特定聚矽氧烷化合物之反應性之觀點，該等聚異氰酸酯化合物之中，較佳為選自於由六亞甲基二異氰酸酯及六亞甲基二異氰酸酯之2聚物、3聚物與加成物構成之群組中之至少1種，特佳為六亞甲基二異氰酸酯之3聚物。該等聚異氰酸酯化合物可單獨使用1種或混用2種以上。
聚異氰酸酯化合物，例如可理想地使用以「CORONATE HX」、「CORONATE HL-S」、「CORONATE 2234」「AQUANATE 200」、「AQUANATE 210」[以上，日本聚氨酯工業(股)公司製]、「DESMODUR N3300」、「DESMODUR N3400」[以上，住友拜耳聚氨酯(股)公司製]、「DURANATE E-405-80T」、「DURANATE 24A-100」、「DURANATE TSE-100」[以上，旭化成工業(股)公司製]、「TAKENATE D-110N」、「TAKENATE D-120N」、「TAKENATE M-631N」「MT-OLESTER NP1200」[以上，三井武田藥品(股)公司製]等商品名市售者。
交聯劑宜以交聯劑之官能基量相對於前述(甲基)丙烯酸共聚物之官能基量之當量比(交聯劑/(甲基)丙烯酸共聚物)為0.1~1.5的量來使用，較佳係以該當量比為0.3~1.0的量來使用，更佳係以該當量比為0.5~0.8的量來使用。
本發明之黏著劑組成物，除了包含交聯劑以外，從加速初始硬化速度之觀點宜更包含交聯觸媒。交聯觸媒，例如可舉例:二月桂酸二丁基錫、二月桂酸二辛基錫等有機錫化合物、二丁氧雙(乙醯乙酸乙酸)鋯等有機鋯化合物等。該等交聯觸媒之中，從與特定聚矽氧烷之反應性之觀點，以有機錫化合物為較佳。
當本發明之黏著劑組成物包含交聯觸媒時，宜更包含螯合劑。螯合劑，例如可舉例β-二酮類、β-酮酯類等。β-二酮類、β-酮酯類，例如可舉例:乙醯丙酮、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯乙酸正丙酯、乙醯乙酸異丙酯等。該等螯合劑之中，從黏著劑組成物之貯存期與反應速度之平衡為良好之觀點，以乙醯丙酮為較佳。
[其他成分] 本發明之黏著劑組成物，除了含有特定(甲基)丙烯酸共聚物、特定聚矽氧烷化合物及交聯劑以外，視需要，還可適當地含有耐候性安定劑、增黏劑、塑化劑、軟化劑、剝離助劑、染料、顏料、無機填充劑、界面活性劑等。
＜光學構件表面保護膜＞ 本發明之光學構件表面保護膜具備基材、與設於該基材上之來自於本發明之黏著劑組成物之黏著劑層。 由於該黏著劑層係來自於本發明之黏著劑組成物，故能構成於剝離時發生之靜電少、抗靜電性優異、且對被黏著體之污染性低的黏著劑層。
用於本發明之光學構件表面保護膜之基材，只要能於該基材上形成黏著劑層即可，不特別限制。 基材，從藉由透視進行光學構件之檢查及管理之觀點，可舉例由聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂等構成之膜。其中，從表面保護性能之觀點，以聚酯系樹脂為較佳，若考慮實用性以聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂為特佳。
基材之厚度，一般可定為500μm以下，較佳為5μm~300μm，更佳為約10μm~200μm之厚度。
基於剝離時之抗靜電之目的，亦可在基材之單面或兩面設置抗靜電層。又，為了提高與黏著劑層之密合性，亦可在基材之設置黏著劑層側之表面實施電暈放電處理等。
於基材上設置有來自於本發明之黏著劑組成物之黏著劑層。 黏著劑層之形成方法，例如可採用以下方法:將黏著劑組成物直接使用或視需要以適當溶劑加以稀釋，將其塗佈於基材後，進行乾燥而去除溶劑。 又，亦可採用以下方法:先於由已利用矽酮樹脂等實施脫模處理的紙或聚酯膜等適宜之膜構成之剝離片上塗佈黏著劑組成物，並進行加熱乾燥而形成黏著劑層，然後將前述剝離片之黏著劑層側壓接於基材而使前述黏著劑層轉印至前述保護膜。
本發明之黏著劑層，宜為利用交聯劑將特定(甲基)丙烯酸共聚物及特定聚矽氧烷化合物交聯而成之黏著劑層。可藉此更提高黏著劑層之黏著性與對被黏著體之污染性。 利用交聯劑將特定(甲基)丙烯酸共聚物及特定聚矽氧烷化合物交聯之條件不特別限制。
形成於基材上之黏著劑層之厚度，可視光學構件表面保護膜所需之黏著力、光學構件之表面粗糙度等適當設定，一般為1μm~100μm，較佳為5μm~50μm，更佳為約15μm~30μm之厚度。
黏著劑層之黏著力若增高，進行大面積之高速剝離時作業性會下降，故於剝離速度30m/分鐘(高速剝離)時之黏著力(剝離力)宜低於1.0N/25mm，較佳為低於0.6N/25mm。
光學構件表面保護膜係疊層於光學構件之表面，保護該光學構件之表面免於受到污染或損傷，在將光學構件加工至液晶顯示板等之際，保持保護膜疊層於光學構件之狀態供應至衝壓加工、檢查、輸送、液晶顯示板之組裝等各步驟，視需要實施高壓釜處理、高溫熟成處理等加熱加壓處理，在表面保護變得不需要之階段將其自光學構件剝離去除。 【實施例】
以下，以實施例具體説明本發明，但本發明不限於該等實施例。又，除非特別聲明，否則「份」及「%」為質量基準。
(製造例1) -(甲基)丙烯酸共聚物A之製造- 於具備溫度計、攪拌機、氮氣導入管及回流冷卻器之反應器內，加入20份之乙酸乙酯、10份之甲苯；又於另一容器加入15份之丙烯酸丁酯(BA)、81.995份之丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)作為單體，加入3份之丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)作為具羥基之單體，加入0.005份之M-5300(ARONIX M-5300，通式(1a)表示之單體，東亞合成(股)公司製)作為具酸性基之單體，並加以混合而製成單體混合物，將其中之25質量%添加於反應容器中，接著以氮氣置換前述反應容器之空氣後，添加0.02份之偶氮雙異丁腈(以下稱為AIBN)作為聚合起始劑，於攪拌下在氮氣環境中將前述反應容器內之混合物溫度升溫至70℃而使初始反應開始。初始反應幾乎結束後，邊將剩餘之單體混合物75質量%與乙酸乙酯20份、甲苯10份及AIBN0.2份之混合物分別逐次添加邊使其反應約2小時，接著再使其反應2小時。之後，費時1小時滴加使0.25份之AIBN溶於25份之甲苯而得之溶液，再使其反應1.5小時。反應結束後，將反應混合物以100份之甲苯稀釋，獲得固體成分35質量%之(甲基)丙烯酸共聚物A溶液。 (甲基)丙烯酸共聚物A(表中表示成「樹脂A」)之酸價為0.01，重量平均分子量(Mw)為62萬，分散度(Mw/Mn)為11。
(製造例2) -(甲基)丙烯酸共聚物B之製造- 於製造例1中，不使用M-5300並將使用之單體之摻合量變更成表1所示者，除此以外，以與製造例1同樣之方式製造(甲基)丙烯酸共聚物B溶液。又，表1表示之單體之摻合量表示質量%。(甲基)丙烯酸共聚物B(表中表示成「樹脂B」)之酸價為0，重量平均分子量(Mw)為61萬，分散度(Mw/Mn)為11。
(製造例3) -(甲基)丙烯酸共聚物C~G、J、K之製造- 於製造例1中，將摻合量變更成下列表1所示者，除此以外，以與製造例1同樣之方式製造(甲基)丙烯酸共聚物C~G、J、K溶液。將(甲基)丙烯酸共聚物C~G、J、K(表中各表示成「樹脂C」~「樹脂G」、「樹脂J」「樹脂K」)之酸價、重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)表示於表1。
(製造例4) -(甲基)丙烯酸共聚物H之製造- 於製造例1中，將M-5300替換成丙烯酸(AA)並將其摻合量變更成下列表1所示者，除此以外，以與製造例1同樣之方式製造(甲基)丙烯酸共聚物H溶液。在此，AA為丙烯酸。(甲基)丙烯酸共聚物H(表中表示成「樹脂H」)之酸價為0.1，重量平均分子量(Mw)為61萬，分散度(Mw/Mn)為11。
(製造例5) -(甲基)丙烯酸共聚物I之製造- 於製造例1中，不使用丙烯酸丁酯(BA)並將使用之單體之摻合量變更成表1所示者，除此以外，以與製造例1同樣之方式製造(甲基)丙烯酸共聚物I溶液。(甲基)丙烯酸共聚物I(表中表示成「樹脂I」)之酸價為0.1，重量平均分子量(Mw)為50萬，分散度(Mw/Mn)為9。
表1中之簡稱如以下。 (樹脂) ･BA:丙烯酸正丁酯 ･2EHA:丙烯酸2-乙基己酯 ･4HBA:丙烯酸4-羥基丁酯 ･M-5300:東亞合成(股)公司製，ARONIX M-5300，ω-羧基-聚己內酯(n≒2)單丙烯酸酯 ･AA:丙烯酸
＜實施例1＞ 於具備攪拌葉片、溫度計、冷卻器、滴液漏斗之四口燒瓶，各加入上述獲得之(甲基)丙烯酸共聚物A溶液以固體成分換算計100份、作為特定聚矽氧烷化合物之SH3773M(東麗･道康寧(股)公司製，側鏈聚醚改性矽酮，聚醚末端為羥基)0.3份、作為離子性固體之六氟磷酸N-己基吡啶鎓(N-己基吡啶鎓･PF6 - )0.1份、將作為交聯觸媒之二月桂酸二辛基錫[商品名;ADEKASTAB OT-1;ADEKA(股)公司製]以乙醯丙酮稀釋300倍而得之交聯觸媒溶液以固體成分換算計0.02份，保持燒瓶內之液溫於25℃並進行4.0小時之混合攪拌，而獲得(甲基)丙烯酸共聚物混合溶液。 於此添加商品名:DESMODUR N3300[HMDI 3聚物型，固體成分100質量%;住友拜耳聚氨酯(股)公司製]3份作為係交聯劑之聚異氰酸酯化合物，加以充分攪拌，而獲得黏著劑組成物。 使用獲得之黏著劑組成物，依以下試驗用膜之製作方法製作試驗用膜，並進行各種物性試驗。將獲得之結果表示於表2。
(1) 試驗用膜之製作 於聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜[商品名;TetoronG2;帝人TetoronFilm(股)公司製]上，以乾燥後之塗佈量為20g/m2 之方式塗佈黏著劑組成物，利用熱風循環式乾燥機於100℃乾燥60秒而形成黏著劑層後，將其載置於經矽酮系脫模劑表面處理過的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜[商品名;FILMBYNA 100E-0010NO23;藤森工業(股)公司製]，使黏著劑層面接觸，並透過加壓軋輥予以壓接貼合後，於23℃、50%RH之環境下實施5天之熟化而獲得試驗用膜。
(2) 污染性評價(氣泡痕) 利用丙烯酸系黏著劑將偏光板以偏光軸成為正交偏光鏡(Crossed Nichol)狀態之方式貼合於玻璃基板(松浪玻璃工業(股)公司製，藍板玻璃)之正面與背面，製作成附設偏光板之基板。又，使用之丙烯酸系黏著劑，只要於試驗中不發生剝落等且可獲得某種程度之透明性的話，任何黏著劑皆可。 利用為評價對象之黏著劑組成物將保護膜貼合於附設偏光板之基板之偏光板。於5~10秒後將保護膜自被黏著體剝離，之後立即以有氣泡進入之方式再次貼合。之後，於60℃之乾燥機中放置3小時。再於25℃、50%RH之環境下放置30分鐘後，剝離保護膜，在氙燈螢光燈(POLARION製，NP1型)下以目視確認偏光板表面之氣泡痕，並依下列評價基準評價污染性。 又，以經防眩處理之偏光板(AG板)[商品名;SQ-1852AP-AG6;住友化學工業(股)公司製]、與未經防眩處理之偏光板(眩光板)[商品名;SRDB31E;住友化學工業(股)公司製]之2種偏光板實施污染性之評價。
~評價基準~ A:極淺的氣泡痕殘留，但為實用上沒問題之程度。 B:能確認有氣泡痕，為無法實用化之程度。 C:能清楚確認有氣泡痕，為無法實用化之程度。
(3) 剝離性之評價 將由前述(1)製作而得之試驗用膜裁切成25mm×150mm後，自該膜片揭下脫模紙，使用桌上型疊合機將其壓接於經防眩處理之偏光板[商品名;SQ-1852AP-AG6;住友化學工業(股)公司製]而製作成試驗樣品。 將此試驗樣品於23℃、50%RH之環境下放置24小時 (調理處理)。之後，測定自偏光板將表面保護膜連同黏著層一起沿長邊(150mm)方向以剝離角度180ﾟ、剝離速度30m/分鐘之條件高速剝離時之黏著力。依下列評價基準，根據高速剝離時之黏著力評價剝離性。
~評價基準~ A:黏著力為0.6N/25mm以下。 B:黏著力大於0.6N/25mm，為1.0N/25mm以下。
(4)抗靜電性之評價 -表面電阻值- 自於上述製作之試驗用表面保護膜揭下脫模膜，以表面電阻測定裝置(Advantest(股)公司:R12704 RESISTIVITY CHAMBER)測定露出之黏著劑層之表面之表面電阻值(Ω/□)。
-剝離帶電壓- 將於上述製作之試驗用表面保護膜裁切成25mm×150mm後，將此試驗用黏著片之試片，利用桌上型疊合機，邊揭下脫模膜邊將黏著劑層面壓接於經防眩處理之偏光板[商品名;SQ-1852AP-AG6;住友化學工業(股)公司製]而製作成試驗樣品。將此試驗樣品於23℃、50%RH之條件下放置24小時(調理處理)後，以剝離角度:180ﾟ、剝離速度:30m/分鐘之條件(高速剝離條件)進行剝離。將此時發生之偏光板表面之電位(kV)以固定於既定位置之電位測定機[春日電機(股)公司製KSD-0303]測定。測定係於23℃、50%RH之環境下實施。
根據上述表面電阻值及上述剝離帶電壓之測定值，依下列評價基準評價抗靜電性。
~評價基準~ AA:表面電阻值低於1.0E+11(Ω/□)，且剝離帶電壓之絕對值低於0.5kV。 A:表面電阻值為1.0E+11(Ω/□)以上低於5.0E+11(Ω/□)，且剝離帶電壓之絕對值低於0.5kV。 B:表面電阻值為5.0E+11(Ω/□)以上低於1.0E+12(Ω/□)，且剝離帶電壓之絕對值低於0.5kV。 C:表面電阻值為1.0E+12(Ω/□)以上，或剝離帶電壓之絕對值為0.5kV以上。
＜實施例2~實施例26、比較例1~8＞ 將實施例1中用於黏著劑組成物之製備的各成分分別變更成表2所示者，除此以外，以與實施例1同樣方式製作黏著劑組成物，並以同樣方式進行各種物性試驗，將獲得之結果表示於表2。
【表2】
表2中的簡稱如以下。 (聚矽氧烷) ･矽氧烷A:SH3773M[東麗･道康寧(股)公司製，側鏈聚醚改性矽酮，通式(3)表示之聚矽氧烷化合物，於末端具有羥基] ･矽氧烷B:SF8427[東麗･道康寧(股)公司製，兩末端聚醚改性矽酮，於末端具有羥基] ･矽氧烷C:SH8400[東麗･道康寧(股)公司製，側鏈聚醚改性矽酮，於末端具有乙醯氧基] ･矽氧烷D:KF-859[信越化學工業(股)公司製，二甲基聚矽氧烷，於末端具有胺基]
(離子性固體) ･AS劑A:N-己基吡啶鎓･PF6- [具有己基吡啶鎓離子作為有機陽離子的離子性固體，熔點:45℃] ･AS劑B:N-丁基-4-甲基吡啶鎓･PF6- [具有丁基-4-甲基吡啶鎓離子作為有機陽離子的離子性固體;熔點:48℃] ･AS劑C:N-丁基-吡啶鎓･PF6- [具有丁基吡啶鎓離子作為有機陽離子的離子性固體;熔點:75℃] ･AS劑D:N-辛基-4-甲基吡啶鎓FSI(具有辛基吡啶鎓作為有機陽離子的離子性液體;熔點低於25℃) ･AS劑E:LiF3 SO3 (LiTFS，鹼金屬鹽;熔點:423℃)
(交聯劑) ･交聯劑A:N3300:DESMODUR N3300[六亞甲基二異氰酸酯3聚物，住友拜耳聚氨酯(股)公司製] ･交聯劑B:MHG-80B(旭化成化學(股)公司製，HMDI系交聯劑)
比較例1，由於使用不具酸性基且酸價為0之(甲基)丙烯酸共聚物，故可知污染性差。比較例2，由於使用熔點低於25℃之離子性固體，故可知污染性差。比較例3，由於使用不具有有機陽離子之離子性固體，故可知污染性差。比較例4，由於離子性固體之含量大於0.2質量份，故可知污染性差。比較例5，由於未含有離子性固體，故可知抗靜電性差。比較例6，由於二甲基聚矽氧烷化合物之含量大於1質量份，故可知抗靜電性差。比較例7，由於使用不具反應性基之二甲基聚矽氧烷化合物，故可知污染性差。比較例8，由於使用非聚醚改性之二甲基聚矽氧烷化合物，故可知抗靜電性差。
相對於此，由本發明之黏著劑組成物形成之膜，由於抗污性及抗靜電性優異，且高速剝離時之黏著力低，故可知能夠容易地剝離。
無

Claims (10)

  1. 一種黏著劑組成物，其包含: 具酸性基及羥基之(甲基)丙烯酸共聚物、 含有有機陽離子且熔點為25℃以上之離子性固體、與 具反應性基之聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物； 該離子性固體之含量相對於該(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為0.2質量份以下； 該聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物之含量相對於該(甲基)丙烯酸共聚物100質量份為1質量份以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之黏著劑組成物，更包含交聯劑； 該聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物相對於該交聯劑之質量比(聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物/交聯劑)為3/100~20/100。
  3. 如申請專利範圍第2項之黏著劑組成物，其中，該交聯劑為聚異氰酸酯化合物。
  4. 如申請專利範圍第1項之黏著劑組成物，其中，該(甲基)丙烯酸共聚物之酸價大於0且為1以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之黏著劑組成物，其中，該(甲基)丙烯酸共聚物中的來自於具酸性基之單體之第一結構單元之含有率為0.005質量%~1質量%。
  6. 如申請專利範圍第1項之黏著劑組成物，其中，該(甲基)丙烯酸共聚物中的來自於具羥基之單體之第二結構單元之含有率為0.1質量%~10.0質量%。
  7. 如申請專利範圍第1項之黏著劑組成物，其中，該聚醚改性二甲基聚矽氧烷化合物之該反應性基包括羥基、羧基、經取代或未經取代之醯胺基、經取代或未經取代之胺基、烷氧基、環氧基、巰基、或含矽基。
  8. 如申請專利範圍第1項之黏著劑組成物，其中，該離子性固體包括吡啶鎓鹽、咪唑鎓鹽、烷基銨鹽、烷基吡咯烷鎓鹽、或烷基鏻鹽。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任1項之黏著劑組成物，其用於光學構件表面保護膜。
  10. 一種光學構件表面保護膜，其具備: 基材、與 設置於該基材上且來自於如申請專利範圍第1至8項中任1項之黏著劑組成物之黏著劑層。
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