TW201537650A - 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體 - Google Patents

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TW201537650A
TW201537650A TW103122667A TW103122667A TW201537650A TW 201537650 A TW201537650 A TW 201537650A TW 103122667 A TW103122667 A TW 103122667A TW 103122667 A TW103122667 A TW 103122667A TW 201537650 A TW201537650 A TW 201537650A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
gas supply
cleaning
pipe
shower head
Prior art date
Application number
TW103122667A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI549213B (zh
Inventor
Takashi Yahata
Original Assignee
Hitachi Int Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Int Electric Inc filed Critical Hitachi Int Electric Inc
Publication of TW201537650A publication Critical patent/TW201537650A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI549213B publication Critical patent/TWI549213B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

本發明係可將清洗氣體以高效率之方式加以供給至蓮蓬頭(shower head)內之期望部位。 本發明係一種基板處理裝置，其經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭，而向處理空間加以供給氣體，並對該處理空間內之基板進行處理，其具備有：氣體供給管，其連接至上述蓮蓬頭；氣體排氣管，其連接至上述蓮蓬頭；及清洗氣體供給系統，其連接至上述氣體供給管與上述氣體排氣管，且自上述氣體供給管與上述氣體排氣管之兩側，向上述蓮蓬頭內供給清洗氣體。

Description

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明係關於一種基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
通常，於半導體裝置之製造步驟中，使用對晶圓等基板進行成膜處理等製程處理之基板處理裝置。作為基板處理裝置，已知有逐片地對基板進行處理之單片式者。於單片式基板處理裝置中，有以如下方式構成者：為了謀求氣體(gas)相對於基板之供給之均勻化，經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭(shower head)向處理空間供給處理氣體而對該處理空間內之基板進行處理。
於此種基板處理裝置中，為了去除附著於蓮蓬頭或處理空間等之多餘之膜(反應副產物等)，進行利用清洗氣體之清洗處理。作為進行清洗處理之單片式基板處理裝置，已知有例如記載於專利文獻1、2之技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-109194號公報
[專利文獻2]日本專利特開2011-228546號公報
於如上所述之具有蓮蓬頭之單片式基板處理裝置中，較理想為有效率地自蓮蓬頭向處理空間供給處理氣體(有助於成膜之氣體)。另一方面，於清洗處理中，較理想為為了不遺漏地去除附著於蓮蓬頭內之膜，不僅將清洗氣體高效率地供給至處理空間，而且亦高效率地供給至蓮蓬頭之期望部位(例如易於形成反應產物之部位)。
因此，本發明之目的在於提供一種藉由使清洗氣體可高效率地供給至蓮蓬頭內之期望部位，而可提高清洗效率之基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，其經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭，而向處理空間加以供給氣體，並對該處理空間內之基板進行處理，其具備有：氣體供給管，其連接至上述蓮蓬頭；氣體排氣管，其連接至上述蓮蓬頭；及清洗氣體供給系統，其連接至上述氣體供給管與上述氣體排氣管，且自上述氣體供給管與上述氣體排氣管之兩側，向上述蓮蓬頭內供給清洗氣體。
根據本發明之其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具備有：基板處理步驟，其經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭，而向處理空間加以供給氣體，並對該處理空間內之基板進行處理；及 清洗步驟，其自氣體供給管與氣體排氣管之兩側而將清洗氣體加以供給至上述蓮蓬頭內，該氣體供給管係用於供給朝向該蓮蓬頭內之氣體而連接至該蓮蓬頭內，該氣體排氣管係用於排出來自該蓮蓬頭內之氣體而連接至該蓮蓬頭內。
根據本發明之其他態樣，提供一種儲存有程式之電腦可讀取之記錄媒體，該程式係在電腦中執行如下之程序(procedure)：基板處理程序，其經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭，而向處理空間加以供給氣體，並對該處理空間內之基板進行處理；及清洗程序，其自氣體供給管與氣體排氣管之兩側而將清洗氣體加以供給至上述蓮蓬頭內，該氣體供給管係用於供給朝向該蓮蓬頭內之氣體而連接至該蓮蓬頭內，該氣體排氣管係用於排出來自該蓮蓬頭內之氣體而連接至該蓮蓬頭內。
根據本發明，可將清洗氣體以高效率之方式加以供給至蓮蓬頭內之期望部位，藉此可提高清洗效率。
100、102‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧間隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入搬出口
207‧‧‧頂起銷
210‧‧‧基板支持部
211‧‧‧基板載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214、234a‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧波紋管
230‧‧‧蓮蓬頭
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧分散板
235‧‧‧氣體導向器
241‧‧‧氣體導入孔
242‧‧‧共通氣體供給管
243‧‧‧氣體供給系統
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧原料氣體供給源
243c、244c、245c、246c、247c、248c、248h‧‧‧質量流量控制器
243d、244d、245d、246d、247d、248d、248i、249b、261b、266、267、268、271‧‧‧閥
244‧‧‧反應氣體供給系統
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧反應氣體供給源
244e、248e‧‧‧遠程電漿單元
245‧‧‧沖洗氣體供給系統
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧沖洗氣體供給源
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b、247b、248g‧‧‧惰性氣體供給源
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
248‧‧‧清洗氣體供給系統
248a‧‧‧清洗氣體供給管
248b‧‧‧清洗氣體供給源
248f‧‧‧第三惰性氣體供給管
249‧‧‧清洗氣體輔助供給系統
249a‧‧‧連接管
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
261‧‧‧第一排氣管
261a‧‧‧旁通管
262‧‧‧第二排氣管
263‧‧‧第三排氣管
264‧‧‧第四排氣管
265‧‧‧渦輪分子泵
269‧‧‧自動壓力控制器(APC)
272‧‧‧乾式泵
280‧‧‧控制器
281‧‧‧運算部
282‧‧‧記憶部
283‧‧‧外部記憶裝置
S101~S405‧‧‧步驟
圖1係本發明之第一實施形態之單片式基板處理裝置之概略構成圖。
圖2係表示本發明之第一實施形態之基板處理步驟之流程圖。
圖3係表示圖2之成膜步驟之詳細內容之流程圖。
圖4係表示圖1之第二排氣管之變形例之圖。
圖5係表示圖1之第二排氣管之其他變形例之圖。
圖6(a)及(b)係表示圖2之清洗步驟之一具體例之詳細內容的流 程圖。
圖7係本發明之第二實施形態之單片式基板處理裝置之概略構成圖。
<本發明之第一實施形態>
以下，一方面參照圖式，一方面對本發明之第一實施形態進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
本實施形態之基板處理裝置係構成為逐片地對成為處理對象之基板進行處理之單片式基板處理裝置。
作為成為處理對象之基板，例如可列舉製作半導體裝置(半導體元件)之半導體晶圓基板(以下，簡稱為「晶圓」)。
作為對此種基板進行之處理，可列舉蝕刻、灰化、成膜處理等，但於本實施形態中，特別設為進行成膜處理者。
以下，一方面參照圖1，一方面對本實施形態之基板處理裝置之構成進行說明。圖1係本實施形態之單片式基板處理裝置之概略構成圖。
(處理容器)
如圖1所示，基板處理裝置100具備處理容器202。處理容器202係例如構成為橫剖面為圓形且扁平之密閉容器。又，處理容器202係例如由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等金屬材料構成。於處理容器 202內，形成有處理空間201及搬送空間203，該處理空間201係對晶圓200進行處理，該搬送空間203係於將晶圓200搬送至處理空間201時，供晶圓200通過。處理容器202由上部容器202a與下部容器202b構成。於上部容器202a與下部容器202b之間，設置間隔板204。
於下部容器202b之側面，設有鄰接於閘閥205之基板搬入搬出口206，晶圓200係經由基板搬入搬出口206而與未圖示之搬送室之間移動。於下部容器202b之底部，設有複數個頂起銷207。進而，下部容器202b為接地。
(基板支持部)
於處理空間201之下部，設有支持晶圓200之基板支持部210。基板支持部210主要具有：基板載置面211，其載置晶圓200；基板載置台212，其於表面具有基板載置面211；及作為加熱源之加熱器213，其內包於基板載置台212。於基板載置台212，在與頂起銷207對應之位置分別設有供頂起銷207貫通之貫通孔214。
基板載置台212係由軸217支持。軸217係貫通處理容器202之底部，進而於處理容器202之外部，連接於升降機構218。使升降機構218作動而使軸217及基板載置台212升降，藉此可使載置於基板載置面211上之晶圓200升降。再者，軸217之下端部之周圍係由波紋管(bellows)219覆蓋，從而氣密地保持處理容器202內。
基板載置台212係於搬送晶圓200時，基板載置面211下降至與基板搬入搬出口206對向之位置(晶圓搬送位置)為 止，於處理晶圓200時，如圖1所示般晶圓200上升至成為處理空間201內之處理位置(晶圓處理位置)為止。
具體而言，於使基板載置台212下降至晶圓搬送位置為止時，頂起銷207之上端部自基板載置面211之上表面突出，從而頂起銷207自下方支持晶圓200。又，於使基板載置台212上升至晶圓處理位置為止時，頂起銷207係自基板載置面211之上表面埋沒，從而基板載置面211自下方支持晶圓200。再者，頂起銷207係與晶圓200直接接觸，故較理想為例如由石英或氧化鋁等材質形成。
(蓮蓬頭)
於處理空間201之上部(氣體供給方向之上游側)，設有作為氣體分散機構之蓮蓬頭230。於蓮蓬頭230之蓋231，設有氣體導入孔241，於該氣體導入孔241，連接下文敍述之氣體供給系統。自氣體導入孔241導入之氣體係供給至蓮蓬頭230之緩衝空間232。
蓮蓬頭230之蓋231由具有導電性之金屬形成，用作用以於緩衝空間232或處理空間201內產生電漿之電極。於蓋231與上部容器202a之間，設有絕緣塊233，使蓋231與上部容器202a之間絕緣。
蓮蓬頭230具備分散板234，該分散板234係用以使經由氣體導入孔241而自供給系統供給之氣體分散。該分散板234之上游側為緩衝空間232，下游側為處理空間201。於分散板234，設有複數個貫通孔234a。分散板234係以與基板載置面211對向之方式配置。
於緩衝空間232，設置形成所供給之氣體之流動之氣 體導向器235。氣體導向器235呈以氣體導入孔241為頂點，隨著朝向分散板234之方向而直徑變寬之圓錐形狀。氣體導向器235係以如下方式形成：其下端位於較形成於分散板234之最外周側之貫通孔234a更靠外周側。
(電漿產生部)
於蓮蓬頭230之蓋231，連接有整合器251、高頻電源252。而且，藉由利用高頻電源252、整合器251調整阻抗，而於蓮蓬頭230、處理空間201產生電漿。
(氣體供給系統)
於設於蓮蓬頭230之蓋231之氣體導入孔241，連接有共通氣體供給管242。共通氣體供給管242係藉由向氣體導入孔241之連接而連通於蓮蓬頭230內之緩衝空間232。又，於共通氣體供給管242，連接有第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a、及連接管249a。第二氣體供給管244a係經由遠程電漿單元(RPU)244e而連接於共通氣體供給管242。
於該等中，自包含第一氣體供給管243a之原料氣體供給系統243係主要供給原料氣體，自包含第二氣體供給管244a之反應氣體供給系統244係主要供給反應氣體。自包含第三氣體供給管245a之沖洗氣體供給系統245係於對晶圓進行處理時，主要供給惰性氣體，於對蓮蓬頭230或處理空間201進行清洗時，主要供給清洗氣體。
(原料氣體供給系統)
於第一氣體供給管243a，自上游方向依序設有原料氣體供給源243b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)243c、及作為開閉閥之閥243d。而且，原料氣體係自第一氣體供給管243a經由MFC243c、閥243d、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。
原料氣體係處理氣體之一，例如係使作為包含Ti(鈦)元素之金屬液體原料之TiCl4(Titanium Tetrachloride，四氯化鈦)氣化而獲得之原料氣體(即TiCl4氣體)。再者，原料氣體係於常溫常壓下，可為固體、液體、及氣體中之任一者。於原料氣體於常溫常壓下為液體之情形時，只要於原料氣體供給源243b與質量流量控制器243c之間，設置未圖示之氣化器即可。此處，作為氣體而進行說明。
主要由第一氣體供給管243a、MFC243c、閥243d構成原料氣體供給系統243。再者，原料氣體供給系統243亦可包含原料氣體供給源243b、下文敍述之第一惰性氣體供給系統而考慮。又，原料氣體供給系統243係供給作為處理氣體之一之原料氣體者，因此相當於處理氣體供給系統之一。
於較第一氣體供給管243a之閥243d更下游側，連接有第一惰性氣體供給管246a之下游端。於第一惰性氣體供給管246a，自上游方向依序設有惰性氣體供給源246b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)246c、及作為開閉閥之閥246d。而且，惰性氣體係自第一惰性氣體供給管246a經由MFC246c、閥246d、第一氣體供給管243a、共通氣體供給管242 而供給至蓮蓬頭230內。
惰性氣體係作為原料氣體之載流氣體(carrier gas)而發揮作用者，較佳為使用不與原料反應之氣體。具體而言，例如可使用氮(N2)氣。又，除N2氣體外，例如可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等稀有氣體。
主要由第一惰性氣體供給管246a、MFC246c及閥246d構成第一惰性氣體供給系統。再者，第一惰性氣體供給系統亦可包含惰性氣體供給源246b、第一氣體供給管243a而考慮。又，第一惰性氣體供給系統亦可包含於原料氣體供給系統243而考慮。
(反應氣體供給系統)
於第二氣體供給管244a，自上游方向依序設有反應氣體供給源244b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)244c、及作為開閉閥之閥244d。於較第二氣體供給管244a之閥244d更下游側，設有RPU244e。而且，反應氣體係自第二氣體供給管244a經由MFC244c、閥244d、RPU244e、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。反應氣體係藉由遠程電漿單元244e而設為電漿狀態，從而照射至晶圓200上。
反應氣體係處理氣體之一，例如可使用氨(NH3)氣。
主要由第二氣體供給管244a、MFC244c、閥244d構成反應氣體供給系統244。再者，反應氣體供給系統244亦可包含反應氣體供給源244b、RPU244e、下文敍述之第二惰性氣體供給系統而考慮。又，反應氣體供給系統244係供給作為處理氣體之一之反應氣體者，因此相當於處理氣體供給系統之另一者。
於較第二氣體供給管244a之閥244d更下游側，連接有第二惰性氣體供給管247a之下游端。於第二惰性氣體供給管247a，自上游方向依序設有惰性氣體供給源247b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)247c、及作為開閉閥之閥247d。而且，惰性氣體係自第二惰性氣體供給管247a經由MFC247c、閥247d、第二氣體供給管244a、RPU244e、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。
惰性氣體係作為反應氣體之載流氣體或稀釋氣體而發揮作用者。具體而言，例如可使用氮(N2)氣。又，除N2氣體外，例如亦可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等稀有氣體。
主要由第二惰性氣體供給管247a、MFC247c、及閥247d構成第二惰性氣體供給系統。再者，第二惰性氣體供給系統亦可包含惰性氣體供給源247b、第二氣體供給管244a、RPU244e而考慮。又，第二惰性氣體供給系統亦可包含於反應氣體供給系統244而考慮。
(沖洗氣體供給系統)
於第三氣體供給管245a，自上游方向依序設有沖洗氣體供給源245b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)245c、及作為開閉閥之閥245d。而且，於基板處理步驟中，作為沖洗氣體之惰性氣體係自第三氣體供給管245a經由MFC245c、閥245d、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。又，於清洗步驟中，視需要而作為清洗氣體之載流氣體或稀釋氣體之惰性氣體經由MFC245c、閥245d、共通氣體供給管242供給至 蓮蓬頭230內。
自沖洗氣體供給源245b供給之惰性氣體係於基板處理步驟中，作為沖洗殘留於處理容器202或蓮蓬頭230內之氣體之沖洗氣體而發揮作用。又，於清洗步驟中，亦可作為清洗氣體之載流氣體或者稀釋氣體而發揮作用。具體而言，作為惰性氣體，例如可使用氮(N2)氣。又，除N2氣體外，例如亦可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等稀有氣體。
主要由第三氣體供給管245a、MFC245c、閥245d構成沖洗氣體供給系統245。再者，沖洗氣體供給系統245亦可包含沖洗氣體供給源245b、下文敍述之清洗氣體供給系統而考慮。
(清洗氣體供給系統)
於較第三氣體供給管245a之閥245d更下游側，連接有清洗氣體供給管248a之下游端。於清洗氣體供給管248a，自上游方向依序設有清洗氣體供給源248b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)248c、及作為開閉閥之閥248d。而且，於清洗步驟中，清洗氣體係自第三氣體供給管245a經由MFC248c、閥248d、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。
再者，清洗氣體供給系統係經由共通氣體供給管242與下文敍述之連接管249a而亦連接於下文敍述之第二排氣管262。於清洗步驟中，清洗氣體係亦自通過共通氣體供給管242、連接管249a及第二排氣管262之路徑供給至蓮蓬頭230內。
自清洗氣體供給源248b供給之清洗氣體係於清洗步驟中，作為去除附著於蓮蓬頭230或處理容器202之副產物等之清 洗氣體而發揮作用。具體而言，作為清洗氣體，例如可考慮使用三氟化氮(NF3)氣體。又，例如亦可使用氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、氟(F2)氣等，又，亦可組合該等而使用。
主要由清洗氣體供給管248a、MFC248c、及閥248d構成清洗氣體供給系統。再者，清洗氣體供給系統亦可包含清洗氣體供給源248b、第三氣體供給管245a而考慮。又，清洗氣體供給系統亦可包含於沖洗氣體供給系統245而考慮。
(氣體排氣系統)
對處理容器202之環境氣體進行排氣之排氣系統具有連接於處理容器202之複數個排氣管。具體而言，具有連接於搬送空間203之排氣管(第一排氣管)261、連接於緩衝空間232之排氣管(第二排氣管)262、及連接於處理空間201之排氣管(第三排氣管)263。又，於各排氣管261、262、263之下游側，連接排氣管(第四排氣管)264。
(第一氣體排氣系統)
第一排氣管261係連接於搬送空間203之側面或者底面。於第一排氣管261，作為實現高真空或者超高真空之真空泵，設置渦輪分子泵(TMP：Turbo Molecular Pump)265。於第一排氣管261中，在TMP265之下游側設置閥266。又，於第一排氣管261中，在TMP265之上游側設置閥267。又，於第一排氣管261中，在閥267之上游側連接旁通管261a。於旁通管261a設置閥261b。旁通管261a之下游側係連接於第四排氣管264。
主要由第一排氣管261、TMP265、閥266、267、旁 通管261a、及閥261b構成第一氣體排氣系統。
(第二氣體排氣系統)
第二排氣管262係連接於緩衝空間232之上表面(具體而言為氣體導向器235之上方之位置)。即，第二排氣管262係連接於蓮蓬頭230，藉此連通於蓮蓬頭230內之緩衝空間232。又，於第二排氣管262設置閥268。該閥268係進行第二排氣管262之氣體流路開閉者。再者，閥268亦可為與氣體流路開閉之開度調整功能對應者。
主要由第二排氣管262、及閥268構成第二氣體排氣系統。
(第三氣體排氣系統)
第三排氣管263係連接於處理空間201之側方。於第三排氣管263，設置將處理空間201內控制成既定之壓力之壓力控制器即自動壓力控制器(APC，Auto Pressure Controller)269。APC269具有可調整開度之閥體(未圖示)，根據來自下文敍述之控制器之指示而調整第三排氣管263之導率(conductance)。於第三排氣管263中，在APC269之上游側設置閥271。
主要由第三排氣管263、APC269、及閥271構成第三氣體排氣系統。
第四排氣管264係設有乾式泵(DP：Dry Pump)272。如圖所示，於第四排氣管264，自其上游側連接第二排氣管262、第三排氣管263、第一排氣管261、旁通管261a，進而於其等之下 游設置DP272。DP272係經由第二排氣管262、第三排氣管263、第一排氣管261及旁通管261a之各者，對緩衝空間232、處理空間201及搬送空間203之各者之環境氣體進行排氣。又，DP272係於TMP265進行動作時，亦作為其輔助泵而發揮功能。
(連接管(分支管))
於氣體供給系統之共通氣體供給管242，連接有連接管249a。連接管249a係將共通氣體供給管242與第二排氣管262連接。
連接管249a係於較清洗氣體供給系統(具體而言為於清洗步驟中供給清洗氣體之第三氣體供給管245a)之向共通氣體供給管242之連接部位更靠氣體供給方向之下游側，連接於共通氣體供給管242。再者，連接管249a係亦可考慮為自共通氣體供給管242分支之分支管。
一端側連接於共通氣體供給管242之連接管249a係另一端側連接於第二氣體排氣系統之第二排氣管262。然而，連接管249a係於較設於第二排氣管262之閥268更靠氣體排氣方向之上游側，連接於第二排氣管262。即，第二氣體排氣系統之閥268係於較連接管249a之向第二排氣管262之連接部位更靠氣體排氣方向的下游側，進行氣體流路開閉。
如此，連接管249a係以如下方式構成：可不經過蓮蓬頭230內之緩衝空間232，而使共通氣體供給管242(特別是較清洗氣體供給系統更靠氣體供給方向之下游側)與第二排氣管262(特別是較閥268更靠氣體排氣方向之上游側)連通。
又，於連接管249a設置閥249b。該閥249b係進行 連接管249a之氣體流路開閉者。再者，閥249b亦可為與氣體流路開閉之開度調整功能對應者。
主要由連接管249a、及閥249b構成清洗氣體輔助供給系統249。該構成之清洗氣體輔助供給系統249係如下者：於清洗步驟中，視需要而輔助清洗氣體供給系統進行之清洗氣體向蓮蓬頭230內之供給。
(控制器)
基板處理裝置100具有對基板處理裝置100之各部之動作進行控制之控制器280。控制器280至少具有運算部281及記憶部282。控制器280係連接於上述各構成，根據上位控制器或使用者之指示而自記憶部282叫出程式或配方(recipe)，從而根據其內容而對各構成之動作進行控制。具體而言，控制器280係對閘閥205、升降機構218、加熱器213、高頻電源252、整合器251、MFC243c~248c、閥243d~248d、APC269、TMP265、DP272、閥266、267、268、271、261b等之動作進行控制。
再者，控制器280可構成為專用之電腦，亦可構成為通用之電腦。例如，準備儲存有上述程式之外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、光碟(CD，Compact Disc)或數位多功能光碟(DVD，Digital Versatile Disc)等光碟、磁光(MO，Magneto Optical)等磁光碟、通用串列匯流排(USB，Universal Serial Bus)記憶體或記憶卡等半導體記憶體)283，使用外部記憶裝置283而於通用之電腦安裝程式，藉此可構成本實施形態之控制器280。
又，用以向電腦供給程式之手段並不限定於經由外部 記憶裝置283而供給之情形。例如，亦可使用網路或專用線路等通訊手段，不經由外部記憶裝置283而供給程式。再者，記憶部282或外部記憶裝置283係構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，將該等總稱而亦簡稱為記錄媒體。再者，於在本說明書中使用所謂記錄媒體之詞語之情形時，存在僅包含記憶部282之單體之情形、僅包含外部記憶裝置283之單體之情形、或包含該兩者之情形。
(2)基板處理步驟
其次，作為半導體裝置之製造方法之一步驟，對使用基板處理裝置100而於晶圓200上形成薄膜之步驟進行說明。再者，於以下之說明中，構成基板處理裝置100之各部之動作係藉由控制器280而控制。
此處，對如下之例進行說明：作為原料氣體(第一處理氣體)，使用使TiCl4氣化而獲得之TiCl4氣體，作為反應氣體(第二處理氣體)，使用NH3氣體，藉由交替地供給該等原料氣體與反應氣體，於晶圓200上作為金屬薄膜而形成TiN膜。
圖2係表示本實施形態之基板處理步驟之流程圖。圖3係表示圖2之成膜步驟之詳細內容之流程圖。
(基板搬入、載置步驟：S101)
基板處理裝置100係首先使基板載置台212下降至晶圓200之搬送位置為止，藉此使頂起銷207貫通至基板載置台212之貫通孔214。其結果，頂起銷207成為較基板載置台212之表面僅突出既定之高度之狀態。繼而，打開閘閥205而使搬送空間203與移載室 (未圖示)連通。接著，使用晶圓移載機(未圖示)而將晶圓200自該移載室搬入至搬送空間203，從而將晶圓200移載至頂起銷207上。藉此，晶圓200係以水平姿勢支持於自基板載置台212之表面突出之頂起銷207上。
於將晶圓200搬入至處理容器202內後，使晶圓移載機向處理容器202外退避，從而關閉閘閥205而使處理容器202內密閉。其後，使基板載置台212上升，藉此使晶圓200載置至設於基板載置台212之基板載置面211上，進而使基板載置台212上升，藉此使晶圓200上升至上述處理空間201內之處理位置為止。
於將晶圓200搬入至處理容器202內時，將閥266與閥267設為開狀態(開閥)而使搬送空間203與TMP265之間連通，並且使TMP265與DP272之間連通。另一方面，除閥266與閥267外之排氣系統之閥係設為閉狀態(閉閥)。藉此，搬送空間203之環境氣體藉由TMP265(及DP272)而排氣。
若晶圓200於搬入至搬送空間203後，上升至處理空間201內之處理位置為止，則將閥266與閥267設為閉狀態。藉此，搬送空間203與TMP265之間、以及TMP265與排氣管264之間被阻斷而利用TMP265進行之搬送空間203之排氣結束。另一方面，打開閥271而使處理空間201與APC269之間連通。APC269係藉由調整排氣管263之導率，而控制利用DP272進行之處理空間201之排氣之流量，從而將處理空間201維持成既定之壓力。再者，其他排氣系統之閥係維持閉狀態。
再者，於該步驟中，亦可一方面對處理容器202內進行排氣，一方面自惰性氣體供給系統向處理容器202內供給作為惰 性氣體之N2氣體。即，亦可藉由一方面藉由TMP265或者DP272對處理容器202內進行排氣，一方面至少打開第三氣體供給系統之閥245d，而向處理容器202內供給N2氣體。藉此，可抑制顆粒朝向晶圓200上之附著。
又，於將晶圓200載置至基板載置台212上時，向埋入於基板載置台212之內部之加熱器213供給電力，以晶圓200之表面成為既定之處理溫度之方式控制。此時，加熱器213之溫度係藉由如下方式調整：基於藉由未圖示之溫度感測器而檢測到之溫度資訊，控制向加熱器213之通電狀況。
以此方式，於基板搬入、載置步驟(S101)中，以使處理空間201內成為既定之處理壓力之方式進行控制，並且以晶圓200之表面溫度成為既定之處理溫度之方式進行控制。此處，所謂既定之處理溫度、處理壓力係於下文敍述之成膜步驟(S102)中，可形成TiN膜之處理溫度、處理壓力。例如係於原料氣體供給步驟(S201)中供給之原料氣體不會自我分解之程度之處理溫度、處理壓力。具體而言，可考慮如下情形：處理溫度係例如設為室溫以上500℃以下，較佳為室溫以上400℃以下，處理壓力係設為50~5000Pa。該處理溫度、處理壓力係於下文敍述之成膜步驟(S102)中亦維持。
(成膜步驟：S102)
其次，於基板搬入、載置步驟(S101)後，進行成膜步驟(S102)。以下，參照圖3，詳細地對成膜步驟(S102)進行說明。再者，成膜步驟(S102)係重複交替地供給不同之處理氣體之步驟之循環處理。
(原料氣體供給步驟：S201)
於成膜步驟(S102)中，首先進行原料氣體供給步驟(S201)。於原料氣體供給步驟(S201)時，預先使原料(TiCl4)氣化而產生(預氣化)原料氣體(即TiCl4氣體)。原料氣體之預氣化係亦可與上述基板搬入、載置步驟(S101)並列進行。其原因在於，為了穩定地產生原料氣體，需要既定之時間。
接著，於產生原料氣體後，打開閥243d，並且以原料氣體之流量成為既定流量之方式調整質量流量控制器243c，藉此開始原料氣體(TiCl4氣體)向處理空間201內之供給。原料氣體之供給流量係例如為100~3000sccm。原料氣體係藉由蓮蓬頭230分散而均勻地供給至處理空間201內之晶圓200上。
此時，打開第一惰性氣體供給系統之閥246d而自第一惰性氣體供給管246a供給惰性氣體(N2氣體)。惰性氣體之供給流量係例如為500~5000sccm。再者，亦可自沖洗氣體供給系統之第三氣體供給管245a流通惰性氣體。
剩餘之原料氣體係於第三氣體排氣系統之第三排氣管263內流動，從而向第四排氣管264排氣。具體而言，以如下方式進行控制：閥271設為開狀態，從而藉由APC269而處理空間201之壓力成為既定之壓力。再者，除閥271外之排氣系統之閥係全部設為閉。
此時之處理空間201內之處理溫度、處理壓力係設為第一原料氣體不會自我分解之程度之處理溫度、處理壓力。因此，於晶圓200上，吸附原料氣體之氣體分子。
於自開始原料氣體之供給經過既定時間後，關閉閥243d而停止原料氣體之供給。原料氣體及載流氣體之供給時間係例如為0.1~20秒。
(沖洗步驟：S202)
於停止原料氣體之供給後，自第三氣體供給管245a供給惰性氣體(N2氣體)，從而進行蓮蓬頭230及處理空間201之沖洗。此時，亦以如下方式進行控制：閥271設為開狀態，從而藉由APC269而處理空間201之壓力成為既定之壓力。另一方面，除閥271外之氣體排氣系統之閥係全部設為閉狀態。藉此，於原料氣體供給步驟(S201)中，無法吸附至晶圓200之原料氣體係藉由DP272而經由第三排氣管263自處理空間201去除。
接著，自第三氣體供給管245a供給惰性氣體(N2氣體)，進行蓮蓬頭230之沖洗。此時之氣體排氣系統之閥係閥271設為閉狀態，另一方面，閥268設為開狀態。其他氣體排氣系統之閥係仍為閉狀態。即，於進行蓮蓬頭230之沖洗時，阻斷處理空間201與APC269之間，並且阻斷APC269與第四排氣管264之間，從而停止利用APC269進行之壓力控制，另一方面，將緩衝空間232與DP272之間連通。藉此，殘留於蓮蓬頭230(緩衝空間232)內之原料氣體係經由第二排氣管262而藉由DP272自蓮蓬頭230排氣。
若蓮蓬頭230之沖洗結束，則將閥271設為開狀態而再次開始利用APC269進行之壓力控制，並且將閥268設為閉狀態而阻斷蓮蓬頭230與排氣管264之間。其他氣體排氣系統之閥係仍為閉狀態。此時，亦繼續惰性氣體自第三氣體供給管245a之供給， 從而繼續蓮蓬頭230及處理空間201之沖洗。
再者，此處於沖洗步驟(S202)中，在經由第二排氣管262之沖洗之前後進行經由排氣管263之沖洗，但亦可僅為經由第二排氣管262之沖洗。又，亦可同時進行經由排氣管262之沖洗與經由第三排氣管263之沖洗。
沖洗步驟(S202)之惰性氣體(N2氣體)之供給流量係例如為1000~10000sccm。又，惰性氣體之供給時間係例如為0.1~10秒。
(反應氣體供給步驟：S203)
於蓮蓬頭230及處理空間201之沖洗完成後，繼而進行反應氣體供給步驟(S203)。於反應氣體供給步驟(S203)中，打開閥244d而經由遠程電漿單元244e、蓮蓬頭230開始反應氣體(NH3氣體)向處理空間201內之供給。此時，以反應氣體之流量成為既定流量之方式，調整質量流量控制器244c。反應氣體之供給流量係例如為1000~10000sccm。
電漿狀態之反應氣體係藉由蓮蓬頭230分散而均勻地供給至處理空間201內之晶圓200上，從而與吸附於晶圓200上之原料氣體之氣體分子反應而於晶圓200上產生未滿1原子層(未滿1Å)之程度之TiN膜。
此時，打開第二惰性氣體供給系統之閥247d，自第二惰性氣體供給管247a供給惰性氣體(N2氣體)。惰性氣體之供給流量係例如為500~5000sccm。再者，亦可自沖洗氣體供給系統之第三氣體供給管245a流通惰性氣體。
剩餘之反應氣體或反應副產物係於第三氣體排氣系統之第三排氣管263內流動，從而向第四排氣管264排氣。具體而言，以如下方式進行控制：閥271設為開狀態，從而藉由APC269而處理空間201之壓力成為既定之壓力。再者，除閥271外之排氣系統之閥係全部設為閉。
於自開始反應氣體之供給經過既定時間後，關閉閥244d而停止反應氣體之供給。反應氣體及載流氣體之供給時間係例如為0.1~20秒。
(沖洗步驟：S204)
於停止反應氣體之供給後，進行沖洗步驟(S204)，從而去除殘留於蓮蓬頭230及處理空間201之反應氣體或反應副產物。該沖洗步驟(S204)係只要與已說明之沖洗步驟(S202)相同地進行即可，故省略此處之說明。
(判定步驟：S205)
將以上之原料氣體供給步驟(S201)、沖洗步驟(S202)、反應氣體供給步驟(S203)、沖洗步驟(S204)設為1週期，而控制器280判定是否已實施既定次數(n週期)之該處理週期(S205)。若實施既定次數之處理週期，則於晶圓200上形成期望膜厚之氮化鈦(TiN)膜。
(基板搬出步驟：S103)
其次，於由以上之各步驟(S201~S205)所構成之成膜步驟(S102)後，如圖2所示般進行基板搬出步驟(S103)。
於基板搬出步驟(S103)中，使基板載置台212下降而使晶圓200支持於自基板載置台212之表面突出之頂起銷207上。藉此，晶圓200係自處理位置成為搬送位置。此後，打開閘閥205，使用晶圓移載機而向處理容器202外搬出晶圓200。此時，關閉閥245d而停止自第三氣體供給系統向處理容器202內供給惰性氣體。
於基板搬出步驟(S103)中，在晶圓200自處理位置移動至搬送位置為止之期間，將閥271設為閉狀態而停止利用APC269進行之壓力控制。另一方面，將閥261b設為開狀態而將搬送空間203與DP272之間連通，從而藉由DP272對搬送空間203進行排氣。此時，其他排氣系統之閥係設為閉狀態。
接著，若晶圓200移動至搬送位置，則將閥261b設為閉狀態而阻斷搬送空間203與排氣管264之間。另一方面，將閥266與閥267設為開狀態，從而藉由TMP265(及DP272)而對搬送空間203之環境氣體進行排氣。於該狀態下，打開閘閥205而自處理容器202向移載室搬出晶圓200。
(處理次數判定步驟：S104)
於搬出晶圓200後，控制器280判定基板搬入、載置步驟(S101)、成膜步驟(S102)及基板搬出步驟(S103)之一連串之各步驟之實施次數是否到達既定之次數(S104)。若判斷為到達既定之次數，則移行至清洗步驟(S105)。若判斷為未到達既定之次數，則為了開始下一處於待機之晶圓200之處理，移行至基板搬入、載置步驟(S101)。
(清洗步驟：S105)
於清洗步驟(S105)中，打開清洗氣體供給系統之閥248d，經由蓮蓬頭230而向處理空間201供給清洗氣體。此時，藉由高頻電源252而施加電力，並且藉由整合器251而使阻抗整合，從而對蓮蓬頭230及處理空間201內之清洗氣體進行電漿激發。經電漿激發之清洗氣體係去除附著於蓮蓬頭230及處理空間201內之壁之副產物。
(3)清洗步驟
此處，列舉具體例而進一步詳細地對基板處理裝置100進行之清洗步驟(S105)進行說明。
此處，特別是一方面參照圖1，一方面分為第一具體例、第二具體例、第三具體例而對進行清洗步驟(S105)時之清洗氣體之流動進行說明。
(第一具體例)
於清洗步驟(S105)時，控制器280係打開清洗氣體供給系統之閥248d，經由第三氣體供給管245a而向共通氣體供給管242內供給來自清洗氣體供給源248b之清洗氣體。於是，清洗氣體係通過共通氣體供給管242內而送入至蓮蓬頭230內之緩衝空間232。
又，與此同時，控制器280係打開清洗氣體輔助供給系統249之閥249b，並且使第二氣體排氣系統之閥268仍處於閉狀態。於是，自清洗氣體供給源248b向共通氣體供給管242內供給之清洗氣體係自共通氣體供給管242與連接管249a之連接部位亦 向連接管249a內分支而流動，從而於通過該連接管249a內後，進而通過第二氣體排氣系統之第二排氣管262內而送入至蓮蓬頭230內之緩衝空間232。
即，於清洗步驟(S105)之第一具體例中，自共通氣體供給管242與第二排氣管262之兩者(換言之，同時使用共通氣體供給管242與第二排氣管262)，向蓮蓬頭230內供給清洗氣體，該共通氣體供給管242係為了實現氣體向蓮蓬頭230內之供給而連接於該蓮蓬頭230，該第二排氣管262係為了實現氣體自蓮蓬頭230內之排氣而連接於該蓮蓬頭230。
再者，清洗氣體之排氣係將第三氣體排氣系統之閥271設為開狀態而經由APC269進行。
根據如上之第一具體例，於蓮蓬頭230內，不僅積極地向連接共通氣體供給管242之部位之附近供給清洗氣體，而且亦積極地向連接第二排氣管262之部位之附近供給清洗氣體。
第二排氣管262係於沖洗步驟S202、S204中，成為處理氣體之排氣路徑，故於在蓮蓬頭230中連接有第二排氣管262之部位之附近附著多餘之膜(反應副產物等)的可能性較高。另一方面，於第二排氣管262與共通氣體供給管242之間，介置氣體導向器235，故自共通氣體供給管242所供給之清洗氣體難以轉入至連接有第二排氣管262之部位之附近。
然而，若如上所述般不僅利用共通氣體供給管242，而且亦利用連接管249a及第二排氣管262而供給清洗氣體，則可提高蓮蓬頭230之內部之期望部位、特別是清洗氣體難以轉入且難以清洗之部位(較氣體導向器235更靠上部之空間)、進而為易於附著膜且難 以清洗之部位(第二排氣管262之連接部位之附近)之清洗效率。而且，由於利用第二排氣管262，因此無需另外設置專用之清洗氣體供給路徑，而可極力抑制連接於蓮蓬頭230之氣體路徑之複雜化等。
於利用第二排氣管262而向蓮蓬頭230內供給清洗氣體之情形時，如圖4所示般第二排氣管262之向蓮蓬頭230之連接部位形成為包圍共通氣體供給管242之管外周之環狀、或亦可如圖5所示般第二排氣管262之向蓮蓬頭230之連接部位由配置於共通氣體供給管242之周圍之複數根管路構成。其原因在於，藉由如上所述般構成，可更進一步均勻地對蓮蓬頭230內供給清洗氣體，藉此可提高清洗效率。又，分散供給清洗氣體，故亦可抑制被清洗部位之過蝕刻。
(第二具體例)
於清洗步驟(S105)之第二具體例中，選擇性地(不同時)進行第一清洗處理與第二清洗處理，該第一清洗處理係自共通氣體供給管242向蓮蓬頭230內供給清洗氣體，該第二清洗處理係自共通氣體供給管242與第二排氣管262之兩者向蓮蓬頭230內供給清洗氣體。
於第一清洗處理時，控制器280係打開清洗氣體供給系統之閥248d，經由第三氣體供給管245a而向共通氣體供給管242內供給來自清洗氣體供給源248b之清洗氣體。然而，對於清洗氣體輔助供給系統249之閥249b、及第二氣體排氣系統之閥268係仍設為閉狀態。於是，清洗氣體係通過共通氣體供給管242內而僅自該共通氣體供給管242送入至蓮蓬頭230內之緩衝空間232。
藉此，於第一清洗處理中，主要對處理空間201內進行僅自利 用共通氣體供給管242之主流之清洗。
另一方面，於第二清洗處理時，控制器280係與上述第一具體例之情形同樣地，不僅利用共通氣體供給管242，而且亦利用連接管249a及第二排氣管262而向蓮蓬頭230內之緩衝空間232供給清洗氣體。
藉此，於第二清洗處理中，除處理空間201外，亦對蓮蓬頭230內之上部空間(難以清洗之部位(較氣體導向器235更靠上部之空間))積極地進行利用共通氣體供給管242、連接管249a及第二排氣管262之清洗。
於第一清洗處理及第二清洗處理中之任一情形時，清洗氣體之排氣係均將第三氣體排氣系統之閥271設為開狀態而經由APC269進行。
第一清洗處理與第二清洗處理之選擇(切換)係可考慮以如下方式進行。
圖6係表示清洗步驟之一具體例之詳細內容之流程圖。
例如，如圖6(a)所示，控制器280係首先進行第一清洗處理(S301)，從而於進行既定時間之該第一清洗處理後，開始第二清洗處理(S302)。各者之時間係只要為預先適當地設定者即可。
若以此方式，則於執行更強烈地附著膜之部位(處理空間201)之清洗後，開始蓮蓬頭230之整體之清洗，因此可謀求清洗步驟(S105)整體之時間之縮短，又，亦可抑制被清洗部位之過蝕刻。
又，例如控制器280亦可使第一清洗處理與第二清洗處理之執行頻度存在差異。更具體而言，如圖6(b)所示，控制器280 係於清洗步驟(S105)時，判斷第一清洗處理之執行計數數量是否為既定次數(S401)，若到達既定次數，則進行第一清洗處理(S402)。接著，於進行既定時間之第一清洗處理後，加上1次第一清洗處理之執行計數數量(S403)。又，於第一清洗處理之執行計數數量到達既定次數之情形時，進行第二清洗處理，而並非第一清洗處理(S404)。接著，於進行既定時間之第二清洗處理後，重設第一清洗處理之執行計數數量(S405)。
如此，若使第一清洗處理與第二清洗處理之執行頻度存在差異，則關於第二清洗處理係僅於認為需要之情形時進行，而並非每次均進行，因此除清洗步驟(S105)整體之時間之縮短外，可謀求清洗氣體之消耗量之減少，又，亦可抑制被清洗部位之過蝕刻。
如上之第一清洗處理與第二清洗處理之選擇係並非固定地藉由圖6(a)所示之情形與圖6(b)所示之情形中之任一方法進行，亦可考慮適當地切換。例如，於因如ULT-SiO之低溫處理而處理空間201與蓮蓬頭230內部之溫度差相對較小，從而於蓮蓬頭230內，與處理空間201同樣地亦易於產生膜附著之情形時，如第一具體例或第二具體例之圖6(a)般每次均進行第二清洗處理，另一方面，於如TiN成膜般為相對高溫之處理即如於處理空間201與蓮蓬頭230之內部設置相對較大之溫度差之情形時(於相對於處理空間201，難以於蓮蓬頭230附著膜之情形時)，降低亦利用連接於蓮蓬頭230之第二排氣管262之第二清洗處理之頻度。
再者，於選擇性地進行第一清洗處理與第二清洗處理之情形時，亦可於各者中使清洗氣體之流量存在差異。即，控制器280係亦可於進行第一清洗處理之情形時、與進行第二清洗處理之 情形時，使自清洗氣體供給系統供給之清洗氣體之流量存在差異。更具體而言，於進行亦利用連接於蓮蓬頭230之第二排氣管262之第二清洗處理之情形時，與進行第一清洗處理之情形相比，可認為將使清洗氣體之流量變大。
若以此方式，則於選擇性地進行第一清洗處理與第二清洗處理之情形時，亦可謀求清洗氣體之消耗量之減少，又，亦可預先防範清洗氣體之供給量不足之情形。
(第三具體例)
於清洗步驟(S105)之第三具體例中，在進行第二清洗處理之情形時，控制器280將第二氣體排氣系統之閥268打開既定開度。於是，經由連接管249a而向第二排氣管262送入之清洗氣體係其一部分向蓮蓬頭230內供給，另一方面，殘餘部分自第二排氣管262向第四排氣管264流動，藉此亦一同清洗連接於蓮蓬頭230之第二氣體排氣系統。
此時，控制器280係藉由進行閥268之開度之調整，而對向蓮蓬頭230內供給之清洗氣體、與自第二排氣管262向第四排氣管264流動之清洗氣體調整各者之流量平衡。又，此時控制器280亦可藉由將第三氣體排氣系統之閥271設為閉狀態，而謀求對第二氣體排氣系統之清洗效率之提高。
進而，對於將閥268設為開狀態而進行對第二氣體排氣系統之清洗之情形時係與上述第二具體例之情形時相同地，只要對其執行頻度設置差即可。具體而言，作為執行頻度，可考慮以如下方式設定：成為第一清洗處理之執行次數>關閉閥268之狀態下 之第二清洗處理(利用第二排氣管262之蓮蓬頭230內之上部之積極清洗)≧打開閥268之狀態下之第二清洗處理(同時實施對第二氣體排氣系統之清洗)。
再者，此處對控制器280進行閥268之開度調整之情形進行了說明，控制器280亦可為如下者：與閥268之開度調整一同進行清洗氣體輔助供給系統249之閥249b之開度調整。若以此方式，則可對利用共通氣體供給管242之主流之清洗氣體、利用連接管249a及第二排氣管262而向蓮蓬頭230內供給之清洗氣體、及自第二排氣管262向第四排氣管264流動之清洗氣體，調整各者之流量平衡。
該情形不僅可應用於第三具體例之情形，而且亦可應用於第一具體例或第二具體例之情形。即，控制器280進行閥249b之開度調整，藉此可對利用共通氣體供給管242之主流之清洗氣體、利用連接管249a及第二排氣管262而向蓮蓬頭230內供給之清洗氣體，調整各者之流量平衡。
(4)實施形態之效果
根據本實施形態，發揮以下所示之1個或複數個效果。
(a)根據本實施形態，基板處理裝置100具備由連接管249a及閥249b構成之清洗氣體輔助供給系統249，該連接管249a係以如下方式構成：可不經由蓮蓬頭230內之緩衝空間232而使共通氣體供給管242(特別是較清洗氣體供給系統更靠氣體供給方向之下游側)與第二排氣管262(特別是較閥268更靠氣體排氣方向之上游側)連通。而且，於連接管249a，設有進行該連接管249a之氣 體流路開閉之閥249b。因此，基板處理裝置100係於作為半導體裝置之製造步驟之一步驟之清洗步驟(S105)中，可自共通氣體供給管242與第二排氣管262之兩者向蓮蓬頭230內供給清洗氣體，該共通氣體供給管242係為了實現氣體向蓮蓬頭230內之供給而連接於該蓮蓬頭230，該第二排氣管262係為了實現氣體自蓮蓬頭230內之排氣而連接於該蓮蓬頭230。即，於蓮蓬頭230內，不僅積極地向連接共通氣體供給管242之部位之附近供給清洗氣體，而且亦積極地向連接第二排氣管262之部位之附近供給清洗氣體。
因此，根據本實施形態，不僅可利用共通氣體供給管242向蓮蓬頭230之內部供給清洗氣體，而且亦可利用連接管249a及第二排氣管262向蓮蓬頭230之內部供給清洗氣體，因此可使清洗氣體有效率地到達蓮蓬頭230之內部之期望部位、特別是難以清洗之部位、進而為易於附著膜且難以清洗之部位，其結果可謀求清洗效率之提高。而且，根據本實施形態，由於利用為了實現氣體自蓮蓬頭230內之排氣而連接於該蓮蓬頭230之第二排氣管262，因此亦無需對蓮蓬頭230另外連接專用之清洗氣體供給路徑等，從而可極力抑制連接於蓮蓬頭230之氣體路徑(即基板處理裝置100之裝置構成)之複雜化等。即，根據本實施形態，一方面極力抑制裝置構成之複雜化等，一方面不洩漏地向蓮蓬頭230內之期望部位供給清洗氣體，藉此可有效地提高清洗效率。
(b)又，根據本實施形態，於利用第二排氣管262而向蓮蓬頭230內供給清洗氣體之情形時，若將第二排氣管262之連接部位之形狀形成為環狀、或由複數根管路構成第二排氣管262之連接部位，則與不包括此種構成之情形相比，可更進一步均勻地對 蓮蓬頭230內供給清洗氣體，藉此可謀求進一步之清洗效率之提高。
(c)又，根據本實施形態，於清洗步驟(S105)時，控制器280可切換進行第一清洗處理與第二清洗處理中之哪一個，因此可根據情況而進行認為需要之清洗處理，根據該方面，亦可謀求清洗效率之提高。
(d)又，根據本實施形態，藉由使第一清洗處理與第二清洗處理之執行頻度存在差異，除可期待明顯之清洗效率之提高外，可謀求清洗氣體之消耗量之減少，又，亦可抑制被清洗部位之過蝕刻。
(e)又，根據本實施形態，於使第一清洗處理與第二清洗處理之執行頻度存在差異之情形時，若進行既定次數之第一清洗處理，則進行第二清洗處理，因此對於第二清洗處理係僅於認為需要之情形時進行，而並非每次均進行，從而除清洗步驟(S105)整體之時間之縮短外，可謀求清洗氣體之消耗量之減少，又，亦可抑制被清洗部位之過蝕刻。
(f)又，根據本實施形態，於選擇性地進行第一清洗處理與第二清洗處理之情形時，在進行既定時間之第一清洗處理後，開始第二清洗處理，因此可謀求清洗步驟(S105)整體之時間之縮短，又，亦可抑制被清洗部位之過蝕刻。
(g)又，根據本實施形態，於切換進行第一清洗處理與第二清洗處理中之任一個之情形時，在進行第一清洗處理之情形時與進行第二清洗處理之情形時，使自清洗氣體供給系統供給之清洗氣體之流量存在差異，因此可謀求清洗氣體之消耗量之減少，又，可預先防範清洗氣體之供給量不足之情形。
(h)又，根據本實施形態，於進行第二清洗處理之情形時，控制器280將第二氣體排氣系統之閥268(相當於本發明之「第一閥」)打開既定開度，因此可實現如下情形：連同對蓮蓬頭230內之清洗一併對連接於該蓮蓬頭230之第二氣體排氣系統進行清洗。
(i)又，根據本實施形態，於進行第二清洗處理之情形時，控制器280進行清洗氣體輔助供給系統249之閥249b(相當於本發明之「第二閥」)之開度調整，因此可對利用共通氣體供給管242之主流之清洗氣體、或利用連接管249a及第二排氣管262而供給之清洗氣體等調整各者之流量平衡。因此，若與不具備此種構成之情形相比，則就不洩漏地向蓮蓬頭230內之期望部位供給清洗氣體之方面而言，成為非常有效者，其結果可期待清洗效率之進一步之提高。
<本發明之第二實施形態>
其次，對本發明之第二實施形態進行說明。然而，此處主要對與上述第一實施形態之情形之差異方面進行說明。
(裝置構成)
圖7係第二實施形態之單片式基板處理裝置之概略構成圖。再者，於圖中，對與第一實施形態之基板處理裝置100相同之構成要素標示相同之符號。
第二實施形態之基板處理裝置102係氣體供給系統與第一實施形態之基板處理裝置100不同。詳細而言，於共通氣體 供給管242連接有原料氣體供給系統243、反應氣體供給系統244、沖洗氣體供給系統245、及包含連接管249a之清洗氣體輔助供給系統249之方面係與第一實施形態之基板處理裝置100同樣，但於清洗氣體供給系統248亦連接於共通氣體供給管242之方面，與第一實施形態之基板處理裝置100不同。因此，於沖洗氣體供給系統245，不包含清洗氣體供給系統。
(清洗氣體供給系統)
於共通氣體供給管242，經由遠程電漿單元(RPU)248e而連接有清洗氣體供給管248a之下游端。於清洗氣體供給管248a，自上游方向依序設有清洗氣體供給源248b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)248c、及作為開閉閥之閥248d。而且，清洗氣體供給管248a係於清洗步驟中，經由MFC248c、閥248d、RPU248e、共通氣體供給管242而向蓮蓬頭230內供給清洗氣體。
自清洗氣體供給源248b供給之清洗氣體係於清洗步驟中，作為去除附著於蓮蓬頭230或處理容器202之副產物等之清洗氣體而發揮作用。具體而言，作為清洗氣體，例如可考慮使用三氟化氮(NF3)氣體。又，例如亦可使用氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、氟(F2)氣等，又，亦可組合使用該等氣體。然而，清洗氣體係使用可藉由RPU248e而設為電漿狀態者。再者，於本實施形態中，藉由RPU248e而對清洗氣體進行電漿激發，故無需於清洗步驟中使用連接於處理容器202之整合器251或高頻電源252。取而代之，例如亦可於反應氣體供給步驟中使用整合器251或高頻電源252而對反應氣體進行電漿激發。又，亦可不設置整合器251 或高頻電源252。
主要由清洗氣體供給管248a、MFC248c、閥248d、RPU248e構成清洗氣體供給系統248。再者，清洗氣體供給系統248亦可包含清洗氣體供給源248b、下文敍述之第三惰性氣體供給系統而考慮。
於較清洗氣體供給管248a之閥248d更靠下游側，連接有第三惰性氣體供給管248f之下游端。於第三惰性氣體供給管248f，自上游方向依序設有惰性氣體供給源248g、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)248h、及作為開閉閥之閥248i。而且，惰性氣體係自第三惰性氣體供給管248f，經由MFC248h、閥248i、清洗氣體供給管248a、RPU248e而供給至蓮蓬頭230內。
惰性氣體係作為清洗氣體之載流氣體或稀釋氣體而發揮作用者。具體而言，例如可使用氮(N2)氣。又，除N2氣體外，例如亦可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等稀有氣體。
主要由第三惰性氣體供給管248f、MFC248h及閥248i構成第三惰性氣體供給系統。再者，第三惰性氣體供給系統係亦可包含惰性氣體供給源248g、清洗氣體供給管248a而考慮。又，第三惰性氣體供給系統係亦可包含於清洗氣體供給系統248而考慮。然而，第三惰性氣體供給系統並非必須具備，亦可考慮由沖洗氣體供給系統245代替。
(連接管(分支管))
連接於共通氣體供給管242之連接管249a係至少於較清洗氣 體供給系統248之RPU248e更靠氣體供給方向之下游側，連接於共通氣體供給管242。再者，連接管249a亦可考慮為自共通氣體供給管242分支之分支管。
進而，連接管249a係至少於較處理氣體供給系統之向共通氣體供給管242之連接部位更靠氣體供給方向之上游側，連接於共通氣體供給管242。原料氣體供給系統243與反應氣體供給系統244之兩者相當於此處所言之處理氣體供給系統。因此，連接管249a係於較原料氣體供給系統243之第一氣體供給管243a之向共通氣體供給管242之連接部位更靠氣體供給方向的上游側、且較反應氣體供給系統244之第二氣體供給管244a之向共通氣體供給管242之連接部位更靠氣體供給方向的上游側，連接於共通氣體供給管242。
(基板處理步驟)
接著，對第二實施形態之基板處理裝置102進行之基板處理步驟進行說明。
於基板處理裝置102中，與上述第一實施形態之情形同樣地，亦將原料氣體供給步驟(S201)、沖洗步驟(S202)、反應氣體供給步驟(S203)、沖洗步驟(S204)設為1週期而實施既定次數(n週期)之該處理週期，藉此於晶圓200上形成期望膜厚之氮化鈦(TiN)膜(參照圖3)。
於此種處理週期中，在原料氣體供給步驟(S201)中，自原料氣體供給系統243向共通氣體供給管242供給原料氣體(TiCl4氣體)，於反應氣體供給步驟(S203)中，自反應氣體供給系統 244向共通氣體供給管242供給反應氣體(NH3氣體)。此時，於共通氣體供給管242，不僅連接有原料氣體供給系統243或反應氣體供給系統244等，而且亦連接有構成清洗氣體輔助供給系統249之連接管249a。因此，可考慮發生如下等事態之情形：即便清洗氣體輔助供給系統249之閥249b處於閉狀態，若重複進行處理週期，則原料氣體(TiCl4氣體)或反應氣體(NH3氣體)亦流入至連接管249a之內部或閥249b之設置部位等。
然而，第二實施形態之基板處理裝置102係連接管249a於較原料氣體供給系統243及反應氣體供給系統244之向共通氣體供給管242之連接部位更靠氣體供給方向的上游側，連接於共通氣體供給管242。因此，即便重複進行處理週期，原料氣體(TiCl4氣體)或反應氣體(NH3氣體)亦不會流入至連接管249a之內部或閥249b之設置部位等，從而可抑制多餘之膜向連接管249a或閥249b等之附著。
(清洗步驟)
接著，對第二實施形態之基板處理裝置102進行之清洗步驟進行說明。
於基板處理裝置102中，在清洗步驟(參照圖2之S105)時，打開清洗氣體供給系統248之閥248d而向清洗氣體供給管248a供給來自清洗氣體供給源248b之清洗氣體。接著，向清洗氣體供給管248a供給之清洗氣體係經由RPU248e而向共通氣體供給管242供給。此時，清洗氣體係藉由RPU248e而電漿激發，從而成為被電漿化之狀態。
電漿狀態之清洗氣體係經由共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。此時，連接管249a於較RPU248e更靠氣體供給方向之下游側，連接於共通氣體供給管242。因此，若清洗氣體輔助供給系統249之閥249b處於開狀態(於上述第一實施形態之第一具體例之情形時、或於第二具體例或者第一具體例進行之第二清洗處理之情形時)，則電漿狀態之清洗氣體經由連接管249a及第二排氣管262而供給至蓮蓬頭230內。
如此，第二實施形態之基板處理裝置102係將經電漿激發之清洗氣體供給至蓮蓬頭230內。因此，若與供給未電漿激發之清洗氣體之情形相比，則對蓮蓬頭230內之清洗效率提高。
而且，於蓮蓬頭230內，經電漿激發之清洗氣體不僅積極地供給至連接共通氣體供給管242之部位之附近，而且亦積極地供給至連接第二排氣管262之部位之附近。因此，可使電漿狀態之清洗氣體不失活地到達連接第二排氣管262之部位之附近。即，不僅利用共通氣體供給管242，而且亦利用連接管249a及第二排氣管262而供給經電漿激發之清洗氣體，藉此於該清洗氣體失活前，亦到達蓮蓬頭230內之上部(特別是易於附著膜之第二排氣管262之連接部位之附近)。
(實施形態之效果)
根據本實施形態，發揮以下所示之1個或複數個效果。
(j)根據本實施形態，清洗氣體供給系統248具備RPU248e，該RPU248e對清洗氣體進行電漿激發，因此若與供給未電漿激發之清洗氣體之情形相比，則對蓮蓬頭230內之清洗效率提 高。
(k)又，根據本實施形態，連接管249a於較RPU248e更靠共通氣體供給管242之氣體供給方向之下游側，連接於共通氣體供給管242，因此可利用該連接管249a及第二排氣管262而向蓮蓬頭230內供給經電漿激發之清洗氣體。因此，亦可使電漿狀態之清洗氣體不失活地到達蓮蓬頭230內之第二排氣管262之連接部位之附近。即，不僅單純地向蓮蓬頭230內供給電漿狀態之清洗氣體，而且可於該電漿狀態之清洗氣體失活前，使其到達蓮蓬頭230之內部之期望部位、特別是易於附著膜且難以清洗之部位。如上所述，若組合進行清洗氣體之電漿激發、與利用連接管249a及第二排氣管262之清洗氣體向蓮蓬頭230內之供給，則可使電漿狀態之清洗氣體不失活地到達蓮蓬頭230內之期望部位，因此其結果可期待非常明顯之清洗效率之提高。
(l)又，根據本實施形態，連接管249a於較原料氣體供給系統243及反應氣體供給系統244之向共通氣體供給管242之連接部位更靠氣體供給方向之上游側，連接於共通氣體供給管242，因此即便重複進行處理週期，亦可抑制多餘之膜向連接管249a或閥249b等之附著。
<本發明之其他實施形態>
以上，具體地對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述各實施形態，可於不脫離其主旨之範圍內實現各種變更。
例如，第一實施形態係將自清洗氣體供給源248b向 蓮蓬頭230內供給未電漿化之狀態之清洗氣體之情形列舉為例，且第二實施形態係將於RPU248e將來自清洗氣體供給源248b之清洗氣體電漿化後，向蓮蓬頭230內供給之情形列舉為例，但本發明並不限定於此。即，於第二實施形態之情形時，亦可於清洗氣體充滿蓮蓬頭230、處理空間201後，藉由高頻電源252施加電力，並且藉由整合器251整合阻抗，從而於蓮蓬頭230、處理空間201產生清洗氣體之電漿。又，於第一實施形態中，亦可無須一定對清洗氣體進行電漿激發。
例如，上述各實施形態係作為基板處理裝置100、102進行之處理而將成膜處理列舉為例，但本發明並不限定於此。即，除成膜處理外，亦可為形成氧化膜、氮化膜之處理、形成包含金屬之膜之處理。又，基板處理之具體內容並無限制，不僅可較佳地應用成膜處理，而且亦可較佳地應用退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理、微影(lithography)處理等其他基板處理。進而，本發明係亦可較佳地應用其他基板處理裝置，例如退火處理裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、乾燥裝置、加熱裝置、利用有電漿之處理裝置等其他基板處理裝置。又，本發明係亦可混合存在該等裝置。又，可將某個實施形態之構成之一部分置換成其他實施形態之構成，又，亦可於某個實施形態之構成中追加其他實施形態之構成。又，對於各實施形態之構成之一部分，亦可實現其他構成之追加、刪除、置換。
<本發明之較佳之態樣>
以下，對本發明之較佳之態樣進行附記。
[附記1]
根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，其係經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭向處理空間供給氣體而對該處理空間內之基板進行處理者，且具備：氣體供給管，其連接於上述蓮蓬頭；氣體排氣管，其連接於上述蓮蓬頭；及清洗氣體供給系統，其連接於上述氣體供給管與上述氣體排氣管，自上述氣體供給管與上述氣體排氣管之兩者向上述蓮蓬頭內供給清洗氣體。
[附記2]
較佳為，提供如附記1之基板處理裝置，其具備將上述氣體供給管與上述氣體排氣管連接之連接管，且上述清洗氣體供給系統係於較上述連接管更靠上述氣體供給管之氣體供給方向之上游側，連接於該氣體供給管。
[附記3]
較佳為，提供如附記2之基板處理裝置，其具備：第一閥，其設於較上述連接管之向上述氣體排氣管之連接部位更靠該氣體排氣管之氣體排氣方向的下游側，進行該氣體排氣管之氣體流路之開閉；及第二閥，其設於上述連接管，進行該連接管之氣體流路之開閉。
[附記4]
較佳為，提供如附記2或3之基板處理裝置，其具備對上述清洗氣體供給系統供給至上述氣體供給管內之清洗氣體進行電漿激發之電漿單元，並且上述連接管係於較上述電漿單元更靠上述氣體供給管之氣體供給方向之下游側，連接於該氣體供給管。
[附記5]
較佳為，提供如附記2至4中任一項之基板處理裝置，其具備處理氣體供給系統，該處理氣體供給系統係連接於上述氣體供給管，向該氣體供給管內供給對上述基板進行處理之處理氣體，並且上述連接管係於較上述處理氣體供給系統之向上述氣體供給管之連接部位更靠氣體供給方向之上游側，連接於該氣體供給管。
[附記6]
較佳為，提供如附記1至5中任一項之基板處理裝置，其中上述氣體排氣管係與上述蓮蓬頭之連接部位之形狀形成為包圍上述氣體供給管之管外周之環狀。
[附記7]
較佳為，提供如附記1至5中任一項之基板處理裝置，其中上述氣體排氣管係與上述蓮蓬頭之連接部位由配置於上述氣體供給管之周圍之複數根管路構成。
[附記8]
較佳為，提供如附記3至7中任一項之基板處理裝置，其具備控制器，該控制器係對利用上述清洗氣體供給系統進行之清洗氣體向上述氣體供給管內之供給動作、利用上述第一閥進行之上述氣體排氣管之氣體流路之開閉動作、及利用上述第二閥進行之上述連接管之氣體流路之開閉動作進行控制，並且上述控制器進行第一清洗處理與第二清洗處理，該第一清洗處理係關閉上述第二閥而自上述氣體供給管向上述蓮蓬頭內供給來自上述清洗氣體供給系統之清洗氣體，該第二清洗處理係關閉上述第一閥且打開上述第二閥而自上述氣體供給管及上述氣體排氣管之兩者向上述蓮蓬頭內供給來自上述清洗氣體供給系統之清洗氣體。
[附記9]
較佳為，提供如附記8之基板處理裝置，其中上述控制器係使上述第一清洗處理與上述第二清洗處理之執行頻度存在差異。
[附記10]
較佳為，提供如附記8或9記載之基板處理裝置，其中上述控制器係若進行既定次數之上述第一清洗處理，則進行上述第二清洗處理。
[附記11]
較佳為，提供如附記8至10中任一項之基板處理裝置，其中 上述控制器係於進行既定時間之上述第一清洗處理後，開始上述第二清洗處理。
[附記12]
較佳為，提供如附記8至11中任一項之基板處理裝置，其中上述控制器係於進行上述第一清洗處理之情形時、與進行上述第二清洗處理之情形時，使自上述清洗氣體供給系統供給之清洗氣體之流量存在差異。
[附記13]
較佳為，提供如附記8至12中任一項之基板處理裝置，其中上述控制器係進行打開上述第二閥時之開度調整。
[附記14]
較佳為，提供如附記8至13中任一項之基板處理裝置，其中上述控制器係於進行上述第二清洗處理之情形時，將上述第一閥打開既定開度。
[附記15]
根據本發明之另一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具備如下步驟：基板處理步驟，其係經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭向處理空間供給氣體而對該處理空間內之基板進行處理；及清洗步驟，其係自為了實現氣體向上述蓮蓬頭內之供給而連接 於該蓮蓬頭之氣體供給管、與為了實現氣體自該蓮蓬頭內之排氣而連接於該蓮蓬頭之氣體排氣管之兩者向該蓮蓬頭內供給清洗氣體。
[附記16]
較佳為，提供如附記15之半導體裝置之製造方法，其中上述清洗步驟係選擇性地進行第一清洗處理與第二清洗處理，該第一清洗處理係自上述氣體供給管向上述蓮蓬頭內供給清洗氣體，該第二清洗處理係自上述氣體供給管與上述氣體排氣管之兩者向上述蓮蓬頭內供給清洗氣體。
[附記17]
根據本發明之另一態樣，提供一種程式，其於電腦中執行如下程序(procedure)：基板處理程序，其係經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭向處理空間供給氣體而對該處理空間內之基板進行處理；及清洗程序，其係自為了實現氣體向上述蓮蓬頭內之供給而連接於該蓮蓬頭之氣體供給管、與為了實現氣體自該蓮蓬頭內之排氣而連接於該蓮蓬頭之氣體排氣管之兩者向該蓮蓬頭內供給清洗氣體。
[附記18]
較佳為，提供如附記17之程式，其中上述清洗程序係選擇性地進行第一清洗處理與第二清洗處理，該第一清洗處理係自上述氣體供給管向上述蓮蓬頭內供給清洗氣體，該第二清洗處理係自上述氣體供給管與上述氣體排氣管之兩者向上述蓮蓬頭內供給清洗氣 體。
[附記19]
根據本發明之另一態樣，提供一種儲存有程式之電腦可讀取之記錄媒體，該程式係於電腦中執行如下程序：基板處理程序，其係經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭向處理空間供給氣體而對該處理空間內之基板進行處理；及清洗程序，其係自為了實現氣體向上述蓮蓬頭內之供給而連接於該蓮蓬頭之氣體供給管、與為了實現氣體自該蓮蓬頭內之排氣而連接於該蓮蓬頭之氣體排氣管之兩者向該蓮蓬頭內供給清洗氣體。
[附記20]
較佳為，提供如附記19之儲存有程式之電腦可讀取之記錄媒體，上述清洗程序係選擇性地進行第一清洗處理與第二清洗處理，該第一清洗處理係自上述氣體供給管向上述蓮蓬頭內供給清洗氣體，該第二清洗處理係自上述氣體供給管與上述氣體排氣管之兩者向上述蓮蓬頭內供給清洗氣體。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧間隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入搬出口
207‧‧‧頂起銷
210‧‧‧基板支持部
211‧‧‧基板載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214、234a‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧波紋管
230‧‧‧蓮蓬頭
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧分散板
235‧‧‧氣體導向器
241‧‧‧氣體導入孔
242‧‧‧共通氣體供給管
243‧‧‧氣體供給系統
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧原料氣體供給源
243c、244c、245c、246c、247c、248c‧‧‧質量流量控制器
243d、244d、245d、246d、247d、248d、249b、261b、266、267、268、271‧‧‧閥
244‧‧‧反應氣體供給系統
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧反應氣體供給源
244e‧‧‧遠程電漿單元
245‧‧‧沖洗氣體供給系統
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧沖洗氣體供給源
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b、247b‧‧‧惰性氣體供給源
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
248a‧‧‧清洗氣體供給管
248b‧‧‧清洗氣體供給源
249‧‧‧清洗氣體輔助供給系統
249a‧‧‧連接管
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
261‧‧‧第一排氣管
261a‧‧‧旁通管
262‧‧‧第二排氣管
263‧‧‧第三排氣管
264‧‧‧第四排氣管
265‧‧‧渦輪分子泵
269‧‧‧自動壓力控制器(APC)
272‧‧‧乾式泵
280‧‧‧控制器
281‧‧‧運算部
282‧‧‧記憶部
283‧‧‧外部記憶裝置

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭，而向處理空間加以供給氣體，並對該處理空間內之基板進行處理，其具備有：氣體供給管，其連接至上述蓮蓬頭；氣體排氣管，其連接至上述蓮蓬頭；及清洗氣體供給系統，其連接至上述氣體供給管與上述氣體排氣管，且自上述氣體供給管與上述氣體排氣管之兩側，向上述蓮蓬頭內供給清洗氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，其具備有將上述氣體供給管與上述氣體排氣管加以連接之連接管，且上述清洗氣體供給系統係在較上述連接管為更靠近在上述氣體供給管中之氣體供給方向的上游側，而連接至該氣體供給管。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，其具備有：第一閥，其設置在較上述連接管之朝向上述氣體排氣管之連接部位為更靠近該氣體排氣管之氣體排氣方向的下游側，進行該氣體排氣管之氣體流路的開閉；及第二閥，其設置在上述連接管，進行該連接管之氣體流路的開閉。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，其具備有電漿單元，該電漿單元係對上述清洗氣體供給系統所供給至上述氣體供給管內之清洗氣體進行電漿激發，並且上述連接管係在較上述電漿單元為更靠近在上述氣體供給管中之氣體供給方向的下游側，而連接至該氣體供給管。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，其具備有處理 氣體供給系統，該處理氣體供給系統係連接至上述氣體供給管，且向該氣體供給管內加以供給對上述基板進行處理之處理氣體，並且上述連接管係在較上述處理氣體供給系統之朝向上述氣體供給管之連接部位為更靠近氣體供給方向的上游側，而連接至該氣體供給管。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述氣體排氣管之與上述蓮蓬頭之連接部位的形狀係形成為將上述氣體供給管之管外周加以包圍之環狀。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述氣體排氣管之與上述蓮蓬頭之連接部位係藉由配置在上述氣體供給管之周圍的複數根管路而加以構成。
  8. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，其具備有控制器，該控制器係對以下之動作進行控制：利用上述清洗氣體供給系統所進行之對上述氣體供給管內之清洗氣體供給動作、利用上述第一閥所進行之上述氣體排氣管之氣體流路開閉動作、及利用上述第二閥所進行之上述連接管之氣體流路開閉動作；並且上述控制器係進行第一清洗處理與第二清洗處理，該第一清洗處理係將上述第二閥加以關閉，並且自上述氣體供給管而朝向上述蓮蓬頭內加以供給來自上述清洗氣體供給系統之清洗氣體，該第二清洗處理係將上述第一閥加以關閉且將上述第二閥加以打開，並且自上述氣體供給管及上述氣體排氣管之兩者而朝向上述蓮蓬頭內加以供給來自上述清洗氣體供給系統之清洗氣體。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述控制器係使上述第一清洗處理與上述第二清洗處理之執行頻度產生差異。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述控制器係若進行既定次數之上述第一清洗處理，則進行上述第二清洗處理。
  11. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述控制器係於進行既定時間之上述第一清洗處理之後，開始上述第二清洗處理。
  12. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述控制器係在進行上述第一清洗處理之情形時與在進行上述第二清洗處理之情形時，使自上述清洗氣體供給系統所供給之清洗氣體之流量產生差異。
  13. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述控制器係進行將上述第二閥加以打開時之開度調整。
  14. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述控制器係於進行上述第二清洗處理之情形時，將上述第一閥加以打開既定開度。
  15. 一種半導體裝置之製造方法，其具備有：基板處理步驟，其經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭，而向處理空間加以供給氣體，並對該處理空間內之基板進行處理；及清洗步驟，其自氣體供給管與氣體排氣管之兩側而將清洗氣體加以供給至上述蓮蓬頭內，該氣體供給管係用於供給朝向該蓮蓬頭內之氣體而連接至該蓮蓬頭內，該氣體排氣管係用於排出來自該蓮蓬頭內之氣體而連接至該蓮蓬頭內。
  16. 如申請專利範圍第15項之半導體裝置之製造方法，其中，上述清洗步驟係選擇性地進行第一清洗處理與第二清洗處理，該第一 清洗處理係自上述氣體供給管將清洗氣體加以供給至上述蓮蓬頭內，該第二清洗處理係自上述氣體供給管與上述氣體排氣管之兩側將清洗氣體加以供給至上述蓮蓬頭內。
  17. 一種儲存有程式之電腦可讀取之記錄媒體，該程式係在電腦中執行如下之程序：基板處理程序，其經由作為氣體分散機構之蓮蓬頭，而向處理空間加以供給氣體，並對該處理空間內之基板進行處理；及清洗程序，其自氣體供給管與氣體排氣管之兩側而將清洗氣體加以供給至上述蓮蓬頭內，該氣體供給管係用於供給朝向該蓮蓬頭內之氣體而連接至該蓮蓬頭內，該氣體排氣管係用於排出來自該蓮蓬頭內之氣體而連接至該蓮蓬頭內。
  18. 如申請專利範圍第17項之儲存有程式之電腦可讀取之記錄媒體，其中，上述清洗程序係選擇性地進行第一清洗處理與第二清洗處理，該第一清洗處理係自上述氣體供給管將清洗氣體加以供給至上述蓮蓬頭內，該第二清洗處理係自上述氣體供給管與上述氣體排氣管之兩側將清洗氣體加以供給至上述蓮蓬頭內。
TW103122667A 2014-03-18 2014-07-01 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體 TWI549213B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014055513A JP5764228B1 (ja) 2014-03-18 2014-03-18 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201537650A true TW201537650A (zh) 2015-10-01
TWI549213B TWI549213B (zh) 2016-09-11

Family

ID=53887818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103122667A TWI549213B (zh) 2014-03-18 2014-07-01 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9340879B2 (zh)
JP (1) JP5764228B1 (zh)
KR (1) KR101552532B1 (zh)
CN (1) CN104934313B (zh)
TW (1) TWI549213B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US9920425B2 (en) * 2014-08-13 2018-03-20 Toshiba Memory Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP6417471B2 (ja) * 2015-03-27 2018-11-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 成膜装置及び成膜装置のクリーニング方法
US11384432B2 (en) 2015-04-22 2022-07-12 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate
JP6285411B2 (ja) * 2015-12-25 2018-02-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
WO2017149738A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 コアテクノロジー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理用反応容器の構造
US10403474B2 (en) 2016-07-11 2019-09-03 Lam Research Corporation Collar, conical showerheads and/or top plates for reducing recirculation in a substrate processing system
JP6763274B2 (ja) * 2016-10-14 2020-09-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法及び記憶媒体
JP2018186235A (ja) * 2017-04-27 2018-11-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、インジェクタ内のパーティクル除去方法及び基板処理方法
US20190048467A1 (en) * 2017-08-10 2019-02-14 Applied Materials, Inc. Showerhead and process chamber incorporating same
JP6778166B2 (ja) * 2017-09-08 2020-10-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法
US10722925B2 (en) 2017-12-04 2020-07-28 Suss Micro Tec Photomask Equipment Gmbh & Co Kg Treatment head, treatment system and method for treating a local surface area of a substrate
KR102515110B1 (ko) * 2018-01-29 2023-03-28 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
CN109182999B (zh) * 2018-09-29 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 用于原子层沉积工艺的进气系统和控制方法
CN111118473A (zh) * 2018-11-01 2020-05-08 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室、原子层沉积方法及半导体加工设备
CN111584336B (zh) * 2019-02-18 2023-01-10 台湾积体电路制造股份有限公司 进气装置、气体反应系统与其清洗方法
FI129040B (fi) * 2019-06-06 2021-05-31 Picosun Oy Fluidia läpäisevien materiaalien päällystäminen
JP7116248B2 (ja) 2020-04-03 2022-08-09 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5637153A (en) * 1993-04-30 1997-06-10 Tokyo Electron Limited Method of cleaning reaction tube and exhaustion piping system in heat processing apparatus
US6055927A (en) * 1997-01-14 2000-05-02 Applied Komatsu Technology, Inc. Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology
US6383300B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and cleaning method of the same
JP4764574B2 (ja) * 2001-08-31 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置の運転方法
JP2003197614A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Toshiba Corp 半導体製造装置およびガス供給方法
US6787481B2 (en) 2002-02-28 2004-09-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for manufacturing semiconductor device
JP3527914B2 (ja) * 2002-03-27 2004-05-17 株式会社ルネサステクノロジ Ｃｖｄ装置およびそれを用いたｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP4356943B2 (ja) 2003-09-05 2009-11-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2005109194A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Japan Steel Works Ltd:The Ｃｖｄ反応室のクリーニング装置
JPWO2005098922A1 (ja) * 2004-03-31 2008-03-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法
US7273526B2 (en) * 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
US20060093756A1 (en) * 2004-11-03 2006-05-04 Nagarajan Rajagopalan High-power dielectric seasoning for stable wafer-to-wafer thickness uniformity of dielectric CVD films
US20060266288A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Applied Materials, Inc. High plasma utilization for remote plasma clean
JP4813480B2 (ja) * 2005-06-13 2011-11-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
KR100975268B1 (ko) * 2005-11-18 2010-08-11 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
WO2007084493A2 (en) * 2006-01-19 2007-07-26 Asm America, Inc. High temperature ald inlet manifold
KR100794661B1 (ko) * 2006-08-18 2008-01-14 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 그 장치의 세정 방법
US8235001B2 (en) * 2007-04-02 2012-08-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US7736441B2 (en) * 2007-10-09 2010-06-15 Lam Research Corporation Cleaning fixtures and methods of cleaning electrode assembly plenums
US7699935B2 (en) * 2008-06-19 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber
JP5270476B2 (ja) * 2009-07-07 2013-08-21 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US20130012030A1 (en) * 2010-03-17 2013-01-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for remote plasma source assisted silicon-containing film deposition
JP2011228546A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corp プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法
JP2012169409A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Toshiba Corp 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2014158253A2 (en) * 2013-03-14 2014-10-02 Applied Materials, Inc. Thermal treated sandwich structure layer to improve adhesive strength
JP5793170B2 (ja) * 2013-09-30 2015-10-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
WO2015045164A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
TWI524388B (zh) * 2013-12-27 2016-03-01 Hitachi Int Electric Inc A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium
JP5859583B2 (ja) * 2014-01-30 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5897617B2 (ja) * 2014-01-31 2016-03-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US9214340B2 (en) * 2014-02-05 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of forming an indium gallium zinc oxide layer
JP5941491B2 (ja) * 2014-03-26 2016-06-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
CN104934313A (zh) 2015-09-23
TWI549213B (zh) 2016-09-11
JP2015178644A (ja) 2015-10-08
US9340879B2 (en) 2016-05-17
JP5764228B1 (ja) 2015-08-12
KR101552532B1 (ko) 2015-09-11
US20150270119A1 (en) 2015-09-24
CN104934313B (zh) 2016-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI549213B (zh) 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體
KR101601662B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
TWI534866B (zh) 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體
TWI554640B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method and a program for a semiconductor device
JP5800969B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体
JP6001131B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム
TWI524388B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium
KR101576135B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP5800957B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP2018064058A (ja) 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法及び記憶媒体
TW202124758A (zh) 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式
JP5885870B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体