JP2003197614A

JP2003197614A - 半導体製造装置およびガス供給方法

Info

Publication number: JP2003197614A
Application number: JP2001393740A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kubota; 浩史久保田; Renpei Nakada; 田錬平中; Itsuko Sakai; 井伊都子酒
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-12-26
Filing date: 2001-12-26
Publication date: 2003-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】成膜時のパーティクルの発生を可及的に抑制
することを可能にする。【解決手段】処理ガスを導入して所定の処理を行う処
理部２と、処理部からのガスを排気する第１の排気部１
０と、第１の排気部からのガスを外部に排気する第２の
排気部１４と、第１の排気部の背圧を調整する背圧調整
部１２と、第１の排気部から排出されたガスの一部を循
環ガスとしてガス導入配管２８を介して処理部に供給す
るガス循環用配管１６，２０と、成膜時に成膜ガスを処
理部に供給する成膜ガス供給配管２２と、クリーニング
時に処理部にクリーニングガスを供給するクリーニング
ガス供給配管２４と、を備えた半導体製造装置におい
て、クリーニング時に、クリーニングガス供給配管を介
してクリーニングガスを処理部に、ガス循環用配管を介
して循環ガスを処理部に供給するとともに循環ガスが成
膜ガス供給配管に回り込むのを防止する防止ガスを、成
膜ガス供給配管を介して処理部に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理ガスを循環さ
せて再利用する半導体製造装置およびその半導体製造装
置のガス供給方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＣＶＤ装置等のチャンバーのク
リーニングには、炭素にフッ素が結合した化合物Ｃ
Ｆ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８や、ＮＦ_３などのガスが用い
られる。これらのガスをチャンバー内に導入し放電さ
せ、ガスを分解、励起し、それにより得られた活性種を
用いて、チャンバー内に成膜されたＳｉＯ_２膜などのク
リーニングを行っている。しかし、クリーニングに用い
られているガスのチャンバー内での放電による分解効率
は低く、大部分がクリーニングに寄与せずに排気されて
しまっている。

【０００３】また、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８やＮＦ
_３といったガスはＧＷＰ（地球温暖化係数）が高いの
で、これらのガスの放出量削減が求められている。この
ため、ＣＶＤ装置のチャンバーのクリーニングプロセス
に用いられるこれらのクリーニングガスの利用効率を高
めて、ガス使用量を削減することが必要とされている。

【０００４】また、Ｆ_２のような温暖化に関与しないガ
スにおいても、循環クリーニングを行うことにより、チ
ャンバーのクリーニングで未反応であったＦ_２やＦの活
性種といった物の再利用によりＦ_２ガスの使用量削減に
よる低コスト化が可能である。

【０００５】以上の理由から、クリーニングガスの使用
量削減目的で、一度、ＣＶＤ装置のチャンバー内に導入
されたクリーニングガスを再度チャンバー内に戻すＣＶ
Ｄ装置のチャンバーのクリーニングガス循環処理を行っ
ている。

【０００６】従来の半導体製造装置を、図７を参照して
説明する。この従来の半導体製造装置は、ＴＥＯＳ(Tet
ra-Etoxy-Ortho-Silicate)酸化膜を成膜するＣＶＤ装置
であって、クリーニング循環処理機構を備えている。こ
の従来の半導体製造装置は、Ｃ_２Ｆ_６／Ｏ_２／Ｎ_２を含
むクリーニングガスをチャンバー内に導入し、ガスの循
環を行いながらＳｉＯ_２膜をエッチングする。

【０００７】循環機構を備えた従来のＣＶＤ装置の概略
の構成を図７に示す。このＣＶＤ装置は、チャンバー２
を有している。このチャンバー２内には、シャワーヘッ
ドと高周波電極を兼ねた上部電極４と、ヒーターおよび
ウェハ搬送機構を有する下部電極６と、圧力モニター７
とが備えられ、上部電極４と下部電極６との間で放電を
生じさせて処理ガスを活性化させることで下部電極６上
に載置された試料（半導体ウェハ等）上への膜堆積やチ
ャンバー２内のクリーニングが行われる。

【０００８】チャンバー２内のクリーニングに用いる処
理ガスとしては、上述のＣＦ_４、Ｃ _２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８や
ＮＦ_３といったガスを用いることができる。このような
処理ガスを活性化させることで、チャンバー２内に付着
したシリコン酸化膜（ＳｉＯ _２膜）等をエッチング除去
することができる。

【０００９】チャンバー２のガス排出側には圧力調整用
のバルブ８が接続されており、このバルブ８の開度を調
整することで、チャンバー２内の圧力Ｐ１を一定に保つ
ことが可能となる。また、上記バルブ８には配管９を介
してガス循環用の循環装置１０が接続されており、更に
循環装置１０には循環装置１０の背圧を調整する背圧調
整用バルブ１２を介して、ガスを外部に排出するための
排気装置１４が接続されている。また、循環装置１０と
背圧調整用バルブ１２との間の配管１１から分岐点１５
においてガス循環用配管１６が分岐しており、背圧調整
用のバルブ１２の開度を調整することでガス循環率を調
整することが可能となる。

【００１０】ガス循環用配管１６は循環用ガスの流量を
調整するためのバルブ１８を介してガス循環用配管２０
に接続されている。このガス循環用配管２０は、合流点
２６においてガス供給配管２２およびクリーニングガス
供給配管２４並びにガス導入配管２８に接続されてい
る。ガス供給配管２２にはＴＥＯＳの成膜ガスが供給さ
れ、クリーニングガス供給配管２４にはＣ_２Ｆ_６／Ｏ_２
／Ｎ_２を含むクリーニングガスが供給される。

【００１１】上記成膜ガス、循環ガス、またはクリーニ
ングガスはガス導入配管２８を介してチャンバー２内に
導入される。

【００１２】図７において、バルブ１８を全開とした状
態で、循環装置１０の背圧Ｐ２を、バルブ１２の開度調
整によりガス合流地点２６の圧力Ｐ３よりも大きくし、
その後バルブ８を開けてガス循環を開始する。循環率は
ガス循環を行わない循環率０％時のＣ_２Ｆ_６／Ｏ_２／Ｎ
_２を含むクリーニングガスを用いたクリーニング条件で
のガス流量を基準とし、例えば循環率が５０％の場合
は、循環率０％時のガス流量の５０％をＣＶＤ装置内に
流し、ＣＶＤ装置内の圧力が循環率０％時の圧力と同じ
になるようにバルブ１２を用いて制御を行う。所望の循
環率にするためにはＰ２の圧力を制御すればよい。ガス
の循環が十分行われ、各圧力が定常状態となったらチャ
ンバー２内を放電させて、ＳｉＯ_２膜の付いたＣＶＤ装
置内のクリーニングを開始する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】このような従来のＣＶ
Ｄ装置においては、循環クリーニング中には成膜ガス供
給配管２２から成膜ガスが供給されていないため、循環
ガスが成膜ガス供給配管２２に回り込み、循環ガス中に
存在する活性化酸素と成膜ガス供給配管２２中に付着し
ているＴＥＯＳ成分が反応し、配管２２内でＳｉＯ_２粉
が生成され、成膜時のパーティクル発生の原因となって
しまう。これを防止するためには、成膜ガス供給配管２
２とガス合流点２６の間にバルブを設ける手段が考えら
れる。しかし、バルブを設けるにはガス配管の再構築
や、設けられたバルブ内でのＴＥＯＳ付着によるパーテ
ィクル発生も考えられあまり好ましくない。

【００１４】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであって、成膜時のパーティクルの発生を可及的に抑
制することのできる半導体製造装置およびその半導体製
造装置のガス供給方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様によ
る半導体製造装置のガス供給方法は、処理ガスを導入し
て所定の処理を行う処理部と、前記処理部に前記処理ガ
スを導入するガス導入配管と、前記処理部からのガスを
排気する第１の排気部と、前記第１の排気部からのガス
を外部に排気する第２の排気部と、前記第１の排気部と
前記第２の排気部との間に設けられ前記第１の排気部の
背圧を調整する背圧調整部と、前記第１の排気部から排
出されたガスの一部を循環ガスとして前記ガス導入配管
を介して前記処理部に供給するガス循環用配管と、前記
ガス導入配管を介して前記処理部に接続され成膜時に成
膜ガスを前記処理部に供給する成膜ガス供給配管と、前
記ガス導入配管を介して前記処理部に接続されクリーニ
ング時に前記処理部にクリーニングガスを供給するクリ
ーニングガス供給配管と、を備えた半導体製造装置の前
記クリーニング時に、前記クリーニングガス供給配管を
介して前記クリーニングガスを前記処理部に、前記ガス
循環用配管を介して前記循環ガスを前記処理部に供給す
るとともに、前記循環ガスが前記成膜ガス供給配管に回
り込むのを防止する防止ガスを、前記成膜ガス供給配管
を介して前記処理部に供給するように構成したことを特
徴とする。

【００１６】また、本発明の第２の態様による半導体製
造装置は、処理ガスを導入して所定の処理を行う処理部
と、前記処理部に前記処理ガスを導入するガス導入配管
と、前記処理部からのガスを排気する第１の排気部と、
前記第１の排気部からのガスを外部に排気する第２の排
気部と、前記第１の排気部と前記第２の排気部との間に
設けられ前記第１の排気部の背圧を調整する背圧調整部
と、前記第１の排気部から排出されたガスの一部を循環
ガスとして前記ガス導入配管を介して前記処理部に供給
するガス循環用配管と、前記ガス導入配管を介して前記
処理部に接続され成膜時に成膜ガスを前記処理部に供給
する成膜ガス供給配管と、前記ガス導入配管を介して前
記処理部に接続されクリーニング時に前記処理部にクリ
ーニングガスを供給するクリーニングガス供給配管と、
を備え、前記ガス循環用配管は、前記ガス導入配管との
接続点が、前記成膜ガス供給配管と前記ガス導入配管と
の接続点よりも前記処理部に近くかつ前記クリーニング
ガス供給配管と前記ガス導入配管との接続点よりも前記
処理部に近くなるように配置されたことを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら具体的に説明する。

【００１８】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
よる半導体製造装置のガス供給方法を、図１を参照して
説明する。図１は、本実施形態のガス供給方法が用いら
れる半導体製造装置の概略の構成を示す図である。図１
に示す半導体製造装置は、循環クリーニング機構を備え
た平行平板型のプラズマＣＶＤ装置である。このＣＶＤ
装置を用いてＴＥＯＳ酸化膜の成膜プロセスを例にと
り、循環クリーニングを行う場合について説明をする。

【００１９】このＣＶＤ装置は、図７に示す従来のＣＶ
Ｄ装置と同じ構成となっている。すなわち、このＣＶＤ
装置は、チャンバー２を有している。このチャンバー２
内には、シャワーヘッドと高周波電極を兼ねた上部電極
４と、ヒーターおよびウェハ搬送機構を有する下部電極
６と、圧力モニター７とが備えられ、上部電極４と下部
電極６との間で放電を生じさせて処理ガスを活性化させ
ることで下部電極６上に載置された試料（半導体ウェハ
等）上への膜堆積やチャンバー２内のクリーニングが行
われる。

【００２０】チャンバー２内のクリーニングに用いる処
理ガスとしては、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８やＮＦ_３
といったフッ素を含むガスを用いることができる。この
ような処理ガスを活性化させることで、チャンバー２内
に付着したシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）等をエッチン
グ除去することができる。

【００２１】チャンバー２のガス排出側には圧力調整用
のバルブ８が接続されており、このバルブ８の開度を調
整することで、チャンバー２内の圧力Ｐ１をほぼ一定に
保つことが可能となる。また、上記バルブ８には配管９
を介してガス循環用の循環装置１０が接続されており、
更に循環装置１０には循環装置１０の背圧を調整する背
圧調整用バルブ１２を介して、ガスを外部に排出するた
めの排気装置１４が接続されている。循環装置１０とし
ては、例えばターボ分子ポンプやルーツ型ポンプを用い
ることができ、排気装置１４としては、例えばドライポ
ンプを用いることができる。また、循環装置１０と背圧
調整用バルブ１２との間の配管１１から分岐点１５にお
いてガス循環用配管１６が分岐しており、背圧調整用の
バルブ１２の開度を調整することでガス循環率を調整す
ることが可能となる。

【００２２】ガス循環用配管１６は循環用ガスの流量を
調整するためのバルブ１８を介してガス循環用配管２０
に接続されている。このガス循環用配管２０は、合流点
２６においてガス供給配管２２およびクリーニングガス
供給配管２４並びにガス導入配管２８に接続されてい
る。ガス供給配管２２にはＴＥＯＳの成膜ガスが供給さ
れ、クリーニングガス供給配管２４にはＣ_２Ｆ_６／Ｏ_２
／Ｎ_２を含むクリーニングガスが供給される。

【００２３】上記成膜ガス、または循環ガスおよびクリ
ーニングガスはガス導入配管２８を介してチャンバー２
内に導入される。

【００２４】図１において、バルブ１８を全開とした状
態で、循環装置１０の背圧Ｐ２を、バルブ１２の開度調
整によりガス合流地点２６の圧力Ｐ３よりも大きくし、
その後バルブ８を開けてガス循環を開始する。循環率は
ガス循環を行わない循環率０％時のＣ_２Ｆ_６／Ｏ_２／Ｎ
_２を含むクリーニングガスを用いたクリーニング条件
（トータルガス流量が１２００ｓｃｍｍ、チャンバー２
内の圧力が５．５Ｔｏｒｒ）でのガス流量を基準とし、
例えば循環率が５０％の場合は、循環率０％時のガス流
量の５０％をＣＶＤ装置内に流し、ＣＶＤ装置内の圧力
が循環率０％時の圧力と同じ（５．５Ｔｏｒｒ）になる
ようにバルブ１２を用いて制御を行う。所望の循環率に
するためにはＰ２の圧力を制御すればよい。ガスの循環
が十分行われ、各圧力が定常状態となったらチャンバー
２内を放電させて、ＳｉＯ_２膜の付いたＣＶＤ装置内の
クリーニングを開始する。

【００２５】上述のようにして循環クリーニングを行っ
たときと、バルブ１８を全閉にして循環なしでクリーニ
ング（標準クリーニング）を行ったときの、０．２μｍ
以上の大きさのＴＥＯＳ酸化膜中パーティクル数の測定
結果を図２に示す。この図２に示す測定結果から分かる
ように、循環クリーニング使用時の方がＴＥＯＳ酸化膜
中のパーティクル数が多い。配管内を調査したところ循
環クリーニング後、成膜ガス供給配管２２にＳｉＯ_２粉
が観測された。循環クリーニング使用時のＴＥＯＳ酸化
膜のパーティクル増加にこのＳｉＯ_２粉が関与してお
り、循環ガス中に存在する活性化酸素が成膜ガス供給配
管２２に回り込み、成膜ガス供給配管２２に付着してい
るＴＥＯＳと反応しＳｉＯ_２粉となっている。

【００２６】そこで、本実施形態のガス供給方法におい
ては、循環クリーニング時に循環ガスが成膜ガス供給配
管２２に回り込むのを防ぐために、循環クリーニング中
に成膜ガス供給配管２２からＨｅガスを流すように構成
したものである。これによりパーティクルの低減が可能
となり、成膜ガス供給配管２２中のＳｉＯ_２粉も観測さ
れなくなった。循環ガス流量と循環クリーニング時の成
膜ガス供給配管２２に流すＨｅ流量を変えたときの、Ｔ
ＥＯＳ酸化膜中のパーティクル数の測定結果を図３に示
す。なお、このとき、クリーニングガスの流量は循環ガ
スの流量と同じとした。図３に示す測定結果から分かる
ように、成膜ガス供給配管２２からＨｅを流すことによ
りＴＥＯＳ酸化膜中パーティクル数を下げることが可能
となる。Ｈｅ流量が循環ガス流量の１／３以上であれ
ば、パーティクル数を、従来の循環クリーニングを行っ
た場合の約半数程度にすることができる。特にＨｅ流量
が循環ガス流量の半分以上であれば、パーティクル数を
標準クリーニング（循環無し）と同じレベルとすること
が可能となった。

【００２７】また、今回は成膜ガス供給配管２２からＨ
ｅガスを流した場合を例にとって説明したが、循環ガス
が成膜ガス供給配管２２に回り込むのを防ぐことが目的
であるため、Ｈｅガスの代わりにＡｒ、Ｎ_２といった不
活性ガスやＣ_２Ｆ_６、Ｏ_２と行ったプロセスガスを流し
ても同様の効果が得られる。

【００２８】また、成膜ガスとしてＳｉＨ_４ガスを用い
た酸化膜の成膜プロセスや、ＷＦ_６を用いたＷ−ＣＶＤ
法において循環クリーニングを用いた場合においても、
成膜ガス供給配管からガスを流してやることにより、循
環ガス中に含まれるクリーニング副生成物が成膜ガス供
給配管に回り込むのを防ぎ、安定した成膜プロセスが得
られる。

【００２９】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、循環クリーニング中に成膜ガス供給配管からガスを
流すことにより、成膜時のパーティクルの発生を可及的
に抑制することができる。

【００３０】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態による半導体製造装置を図４を参照して説明する。
図４は、本実施形態の半導体製造装置の概略の構成を示
すブロック図である。この実施形態の半導体製造装置
は、図１に示す半導体製造装置において、ガス循環用配
管２０、成膜ガス供給配管２２，およびクリーニングガ
ス供給配管２４の接続を変えた構成となっている。すな
わち、ガス循環用配管２０を成膜ガス供給配管２２と合
流点２１で接続してガス導入配管２３を形成し、このガ
ス導入配管２３をクリーニングガス供給配管２４と合流
点２５で合流させガス導入配管２８に接続した構成とな
っている。

【００３１】この実施形態の半導体製造装置は、循環ク
リーニング時には、第１実施形態の場合と同様に、成膜
ガス供給配管２２から不活性ガス（例えば、Ｈｅ等）ま
たはクリーニングプロセスガスを流すように構成されて
いる。

【００３２】このため、この第２実施形態の半導体製造
装置においては、循環クリーニング中に、循環ガスが成
膜ガス供給配管２２に回り込むのを防ぐことが可能とな
り、成膜時のパーティクルの発生を可及的に抑制するこ
とができる。

【００３３】（第３実施形態）次に、本発明の第３実施
形態による半導体製造装置を図５を参照して説明する。
図５は、第３実施形態の半導体製造装置の概略の構成を
示すブロック図である。この第３実施形態の半導体製造
装置は、図７に示す従来の半導体製造装置において、ガ
ス循環用配管２０を、成膜ガス供給配管２２とクリーニ
ングガス供給配管２４との合流点２６に接続する代わり
に、ガス循環用配管２０を、ガス導入配管２８に合流点
２７で接続するように構成したものである。なお、合流
点２７は、合流点２６よりも下流側、すなわちガス導入
配管２８と成膜ガス供給配管２２およびクリーニングガ
ス供給配管２４との合流点よりも下流側にある。

【００３４】このような構成とすることにより、循環ク
リーニング時には、クリーニングガスが合流点２７の上
流側のガス導入配管２８内で流れているので、循環ガス
が成膜ガス供給配管２２に逆流しない。このため、循環
クリーニング時に成膜ガス供給配管２２から不活性ガス
（例えば、Ｈｅ等）またはクリーニングプロセスガスを
流さなくとも、循環ガスが成膜ガス供給配管２２に回り
込むのを防ぐことが可能となり、成膜時のパーティクル
の発生を可及的に抑制することができる。

【００３５】（第４実施形態）次に、本発明の第４実施
形態による半導体製造装置を図６を参照して説明する。
図６は、本実施形態の半導体製造装置の概略の構成を示
すブロック図である。この実施形態の半導体製造装置
は、第１実施形態のガス供給方法で用いた図１に示す半
導体製造装置において、ガス循環用配管２０、成膜ガス
供給配管２２、およびクリーニングガス供給配管２４の
合流点２６とチャンバー２との間のガス導入配管２８に
クリーニングガス活性化手段３０を設けた構成となって
いる。

【００３６】このクリーニングガス活性化手段３０は、
クリーニングガスを、マイクロ波放電によって解離させ
て活性種を生成するものであり、例えば、マイクロ波を
キャビティに導入する方式（アプライドマテリアルズ
社：マイクロ波クリーン（商標名））あるいは誘導結合
方式（アステックス社製：アストロンAX7650（商標
名））がある。

【００３７】本実施形態の半導体製造装置は、予めマイ
クロ波放電によって解離させた活性種をチャンバー２内
に導入し、ＣＶＤ装置のチャンバー２内のクリーニング
を、ダウンフロークリーニングによって行う。第１実施
形態と同様に、循環クリーニング中に成膜ガス供給配管
２２から不活性ガスもしくはクリーニングプロセスガス
を流す。これにより第１実施形態と同様の効果を得るこ
とができる。

【００３８】なお、クリーニングガス活性化手段３０
は、第２および第３実施形態の半導体製造装置に設けて
も良い。

【００３９】

【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
循環クリーニング中に、循環ガスが成膜ガス供給配管に
回り込むのを防ぐことが可能となり、成膜時のパーティ
クルの発生を可及的に抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態によるガス供給方法に用
いられる半導体製造装置の概略の構成を示すブロック
図。

【図２】循環なしでクリーニングを行った場合と、循環
クリーニングを行った場合の、０．２μｍ以上の大きさ
のＴＥＯＳ酸化膜中パーティクル数の測定結果を示す
図。

【図３】循環ガス流量と循環クリーニング時の成膜ガス
配管２２に流すＨｅ流量を変えたときの、ＴＥＯＳ酸化
膜中パーティクル数の測定結果を示す図。

【図４】本発明の第２実施形態による半導体製造装置の
概略の構成を示すブロック図。

【図５】本発明の第３実施形態による半導体製造装置の
概略の構成を示すブロック図。

【図６】本発明の第４実施形態による半導体製造装置の
概略の構成を示すブロック図。

【図７】従来の半導体製造装置の概略の構成を示す図。

【符号の説明】

２チャンバー４上部電極６下部電極７圧力モニター８圧力調整用バルブ９配管１０循環装置１１配管１２背圧調整用バルブ１４排気装置１５分岐点１６ガス循環用配管１８バルブ２０ガス循環用配管２１合流点２２成膜ガス供給配管２３ガス導入配管２４クリーニングガス供給配管２５合流点２６合流点２７合流点２８ガス導入配管３０クリーニングガス活性化手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者酒井伊都子神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内Ｆターム(参考） 4K030 DA06 EA06 EA14 JA05 JA06 5F045 AB32 AC02 AC09 AC11 BB15 DP03 EB02 EH05 EH13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理ガスを導入して所定の処理を行う処理
部と、前記処理部に前記処理ガスを導入するガス導入配
管と、前記処理部からのガスを排気する第１の排気部
と、前記第１の排気部からのガスを外部に排気する第２
の排気部と、前記第１の排気部と前記第２の排気部との
間に設けられ前記第１の排気部の背圧を調整する背圧調
整部と、前記第１の排気部から排出されたガスの一部を
循環ガスとして前記ガス導入配管を介して前記処理部に
供給するガス循環用配管と、前記ガス導入配管を介して
前記処理部に接続され成膜時に成膜ガスを前記処理部に
供給する成膜ガス供給配管と、前記ガス導入配管を介し
て前記処理部に接続されクリーニング時に前記処理部に
クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給配管
と、を備えた半導体製造装置の前記クリーニング時に、
前記クリーニングガス供給配管を介して前記クリーニン
グガスを前記処理部に、前記ガス循環用配管を介して前
記循環ガスを前記処理部に供給するとともに、前記循環
ガスが前記成膜ガス供給配管に回り込むのを防止する防
止ガスを、前記成膜ガス供給配管を介して前記処理部に
供給するように構成したことを特徴とする半導体製造装
置のガス供給方法。
【請求項２】前記防止ガスは、不活性ガスおよび前記ク
リーニングガスならびに酸素ガスの少なくとも一つであ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置のガ
ス供給方法。
【請求項３】前記防止ガスの流量は、前記循環ガスの流
量の１／３以上であることを特徴とする請求項１または
２記載の半導体製造装置のガス供給方法。
【請求項４】前記クリーニングガスは、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３
Ｆ_８、ＣＦ_４、ＮＦ_４の少なくとも一つであることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体製造
装置のガス供給方法。
【請求項５】前記クリーニングガスは前記処理部に導入
される前に解離されて活性種を含むガスに変換されるこ
とを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
体製造装置のガス供給方法。
【請求項６】処理ガスを導入して所定の処理を行う処理
部と、前記処理部に前記処理ガスを導入するガス導入配
管と、前記処理部からのガスを排気する第１の排気部
と、前記第１の排気部からのガスを外部に排気する第２
の排気部と、前記第１の排気部と前記第２の排気部との
間に設けられ前記第１の排気部の背圧を調整する背圧調
整部と、前記第１の排気部から排出されたガスの一部を
循環ガスとして前記ガス導入配管を介して前記処理部に
供給するガス循環用配管と、前記ガス導入配管を介して
前記処理部に接続され成膜時に成膜ガスを前記処理部に
供給する成膜ガス供給配管と、前記ガス導入配管を介し
て前記処理部に接続されクリーニング時に前記処理部に
クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給配管
と、を備え、前記ガス循環用配管は、前記ガス導入配管との接続点
が、前記成膜ガス供給配管と前記ガス導入配管との接続
点よりも前記処理部に近くかつ前記クリーニングガス供
給配管と前記ガス導入配管との接続点よりも前記処理部
に近くなるように配置されたことを特徴とする半導体製
造装置。