TW201535767A - 太陽能電池之製造方法 - Google Patents

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Shinetsu Chemical Co
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Abstract

本發明係一種太陽能電池之製造方法，其課題為提供：可有效率地製造之太陽能電池之製造方法。 解決手段係提供：包含於矽基板之至少單面之一部分，形成介電體膜之工程，和於介電體膜上之一部分或全部，塗佈p型擴散摻雜劑之工程，和經由一次的熱處理而使n型摻雜劑與p型摻雜劑擴散之工程者為特徵之太陽能電池之製造方法。較上述使擴散之工程之前，更具備：在矽基板中未加以形成介電體膜的範圍，塗佈n型擴散摻雜劑之工程者為佳。

Description

太陽能電池之製造方法
本發明係有關太陽能電池之製造方法，特別是有關pn接合形成工程。
近年，為了解決能源資源的枯竭或大氣中之二氧化碳量之增加的環境問題，清淨能源的開發則繁盛地加以進行。特別是，可將無窮盡之太陽光能源變換為電性能源之太陽能電池，係作為新世代之能源的期待為高，而廣泛地加以進行高效率化或成本削減作為目標之研究。
對於太陽能電池之性能提升，係將太陽光有效率地導入於基板內部情況則為重要。在最近中，成為呈加以製作為了減少在受光面之光吸收，而於矽基板的受光面，未形成電極，而僅於背面形成電極之背面接合型太陽能電池，例如，揭示有如專利文獻1或專利文獻2記載之太陽能電池之製造方法。
在此等之製造方法中，於矽半導體基板上，預先形成圖案狀之SiO2層等之擴散抑制光罩，再進行摻雜處理而形成加以圖案化之擴散層，製作背面接合型太陽 能電池。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2007-81300號公報
〔專利文獻2〕日本特開2012-94739號公報
但此等以往之太陽能電池之製造方法係各另外進行n型擴散摻雜劑與p型擴散摻雜劑之擴散處理。也就是必須進行2次的擴散熱處理，每次包含形成擴散抑制光罩的工程和在摻雜處理後，除去光罩之工程。因此，工程數多而變為煩雜，背負製造成本變高的問題。本發明係有鑑於如此之問題所做為之構成，提供：削減工程數，可有效率地製造之太陽能電池之製造方法。
欲解決上述課題，有關本發明之實施形態的太陽能電池之製造方法係包含：於矽基板之至少單面之一部分，形成介電體膜之工程，和於介電體膜上之一部分或全部，塗佈p型擴散摻雜劑之工程，和經由一次的熱處理而使n型摻雜劑與p型摻雜劑擴散之工程。
在本發明中，較使其擴散之工程之前，更具 備：在矽基板中未加以形成介電體膜的範圍，塗佈n型擴散摻雜劑之工程者為佳。另外，介電體膜係矽氧化膜者為佳。另外，介電體膜之厚度係10~150nm者為佳。
在本發明中，p型摻雜劑係為硼，而n型摻雜劑係為磷者為佳。
在本發明中，更包含：以含有磷酸之電糊而除去介電體膜之一部分的工程者為佳。
在本發明中，擴散有n型摻雜劑之範圍與擴散有p型摻雜劑之範圍係位於矽基板的同一面上者為佳。
100、200、300‧‧‧半導體基板
101、201、301‧‧‧太陽能電池用基板
102、202、302‧‧‧介電體膜
103、203、303‧‧‧蝕刻電糊
104、204、304‧‧‧開口部
105、205、305‧‧‧n型擴散摻雜劑
106、206、306‧‧‧p型擴散摻雜劑
107、207、307‧‧‧n型摻雜範圍
108、208、208‧‧‧p型摻雜範圍
109、209、309‧‧‧反射防止膜
110、210、310‧‧‧保護膜
111、211、311‧‧‧n型電極
112、212、312‧‧‧p型電極
圖1係顯示有關本發明之第1實施形態的背面接合型太陽能電池之製造方法的一例之流程圖。
圖2係顯示有關本發明之第2實施形態的兩面接合型太陽能電池之製造方法的一例之流程圖。
圖3係顯示共通於實施例及比較例之製作處理之流程圖。
圖4係顯示在實施例之圖3的處理之後續處理之流程圖。
圖5係顯示在比較例之圖3的處理之後續處理之流程圖。
圖6係顯示後續於圖4或圖5之處理，共通於實施例及比較例之處理之流程圖。
如前述，以往的太陽能電池之製造方法係各另外進行n型擴散摻雜劑與p型擴散摻雜劑之擴散處理之故，必須進行2次的擴散熱處理，每次包含形成擴散抑制光罩的工程和在摻雜處理後，除去光罩之工程之故，而工程數多而變為煩雜，加上背負製造成本變高的問題。
本發明者們係進行銳意研究的結果，在使10~150nm之介電體膜形成於矽基板上之狀態，當使含有硼(硼素)之p型擴散摻雜劑及含有磷之n型擴散摻雜劑進行熱擴散時，硼摻雜劑係即使介電體膜存在，亦擴散於矽基板中，但磷摻雜劑係被介電體膜阻礙擴散，發現對於矽基板中係未引起擴散者。由利用此現象者，可由1次的擴散熱處理而完成以往需要2次之擴散熱處理之工程，大可幅度地省略工程數者。
〔第1實施形態〕
以下，使用圖1，對於有關本發明之第1實施形態的太陽能電池之製造方法加以說明，但本發明係不限定於此等。
首先，準備半導體基板100(圖1(a))。半導體基板100係例如，可使用對於高純度矽，摻雜如硼素或鎵之3族元素，做為比阻抗0.1~5Ω．cm之原切割單結晶{100}p型矽基板。
半導體基板100係不僅單結晶，而亦可使用多結晶的基板，另外，即使非p型矽基板而亦可使用n型矽基板。
將此半導體基板100之表面裁切損傷，使用濃度5~60%之如氫氧化鈉或氫氧化鉀之高濃度的鹼，或氟酸與硝酸之混酸等而進行蝕刻，接著，於基板表面形成具有隨機錐體構造之紋理(圖1(b))。然而，在圖中，紋理之凹凸構造係加以省略描繪。
紋理係為了使太陽能電池之反射率降低之有效的方法。紋理係於加熱過之氫氧化鈉，氫氧化鉀，碳酸鉀，碳酸鈉，碳酸氫鈉等之鹼性溶液(濃度1~10%、溫度60~100℃)中，由浸漬10分鐘至30分鐘程度而加以形成。於上述溶液中，使特定量之2-丙醇溶解，而促進反應者為佳。形成紋理後係以純水清洗洗淨，而轉移至接下來的工程。
紋理形成後，在鹽酸，硫酸，硝酸，氟酸等，或此等混合液之酸性水溶液中，洗淨基板。從經濟性及效率性見解，在鹽酸中加以洗淨者為佳。為了提升洗淨度，於鹽酸溶液中，使0.5~5%之過氧化氫混合，加溫至60~90℃而進行洗淨亦可。之後基板係以純水清洗，再由乾燥基板者，得到太陽能電池用基板101。
接著，於太陽能電池用基板101兩面，形成介電體膜102(圖1(c))。作為介電體膜102，係例如，加以使用經由熱氧化處理之矽氧化膜。例如以氧環境 之900~1100℃的高溫熱處理爐，進行4分~7小時熱處理者，加以形成厚度10~150nm之熱氧化膜於太陽能電池用基板101。
對於氧化膜之形成方法，係除了對於使用氧之乾式氧化以外，亦有濕式氧化，高溫氧化之其他，還有導入HCl或Cl2等之氣體等之方法，均可使用任一之方法。
另外，介電體膜102係例如，將矽氧烷，四甲氧基矽烷，四乙氧基矽烷，四丙氧基矽烷，四乙基矽氧烷等，以單獨或混合此等之塗佈劑，塗佈於基板全面，以100~300℃程度之加熱板而使其進行數分鐘乾燥而形成亦可，而亦可使用常壓CVD等而形成氧化膜。
對於加以形成介電體膜102之後，例如，將含有磷酸的蝕刻電糊103，使用分配器而加以塗佈(圖1(d))，於介電體膜102之一部分形成開口部104(圖1(e))。然而，蝕刻電糊103係經由印刷而進行塗佈亦可。
另外，對於開口部104之形成係使用光微影技術亦可，而由噴墨印刷含有微量氟化氫酸之塗佈液，亦可形成開口部104。然而，開口部104係寬度50~400μm程度為佳，以1~5mm間隔而形成為佳。
之後，於介電體膜102之中未設置開口部104之範圍，例如經由分配器或印刷而塗佈含有硼之p型擴散摻雜劑106。在此，電糊係亦可經由印刷而塗佈。對於硼 以外，亦可使用含有鎵、銦等之3價元素之p型擴散摻雜劑，但從成本面，使用含有硼之p型擴散摻雜劑者為佳。
此p型擴散摻雜劑106的寬度係50~1000μm程度為佳，而以1~5mm間隔而形成為佳。另外，p型擴散摻雜劑106之印刷位置係至少做為從開口部104隔離10μm程度者為佳。
更且，於前述開口部104上，經由分配器或印刷而塗佈例如含有磷之n型擴散摻雜劑105(圖1(f))。對於磷以外，亦可使用含有砷、銻等之5價元素之n型擴散摻雜劑105，但從成本面，或材料的處理容易度的觀點，使用含有磷之n型擴散摻雜劑105者為佳。
接著，在圖1(f)狀態，進行擴散熱處理。對於p型擴散摻雜劑106正下方係存在有介電體膜102，但如為至150nm為止之介電體膜厚，熱擴散時，硼等之3價的p型摻雜劑係可透過介電體膜102而擴散至半導體基板中，而可形成p型摻雜範圍108。
另一方面，磷等5價的n型擴散摻雜劑105係有著含有例如五氧化二磷之n型摻雜劑的氧化物則在熱處理時從電糊中飛散，於電糊印刷部以外的範圍的情形，形成n型摻雜範圍的情形，但如本發明，在塗佈n型擴散摻雜劑105之範圍以外，形成介電體膜102時，此介電體膜102則可阻礙p型摻雜劑之對於基板中的擴散，而如圖1(g)所示，可將p型摻雜範圍108與n型摻雜範圍107，僅形成於電糊塗佈正下部者。
然而，熱處理係例如，由氬或氮素等非活性氣體環境之800~1000度之熱處理爐，進行10~120分程度者為佳，對於氣體係亦可使用混合氧之混合氣體。
另外，具有磷之n型擴散摻雜劑105係經由使用三氯氧磷等之氣相擴散法而形成亦可，而亦可旋塗含有磷之n型擴散摻雜劑105之後進行熱處理而形成者。
擴散工程之後，以數%~數十%之氟酸等而除去包含形成於表面之p型摻雜劑及/或n型摻雜劑之玻璃層及介電膜102(圖1(h))。
接著，於基板之表面(受光面)，形成反射防止膜109，而於背面(非受光面)形成保護膜110(圖1(i))。作為反射防止膜109及保護膜110，例如加以使用熱氧化膜。由使用熱氧化膜者，表面之保護效果提高，對於變換效率提升亦有貢獻。熱氧化膜之形成方法係除了以950~1100℃進行5~120分程度之乾式氧化、濕式氧化、高溫氧化之其他，亦可為導入HCl或Cl2等之氣體等之任一方法。經由此等任一之方法，於受光面，形成90~150nm之矽氧化膜。當從此範圍脫離時，產生有反射率變高，而短路電流降低等之不良情況。
作為反射防止膜109係除了熱氧化膜之外，亦可使用SiNx(氮化矽)膜。做為將SiNx膜製膜之方法，係例如，有著使用電漿CVD裝置而將SiNx膜進行約100nm製膜之方法。作為反應氣體，混合使用甲矽烷(SiH4)及氨氣(NH3)之情況為多，但取代NH3而使用 氮素亦可。
從保護效果與反射防止之觀點，層積作為保護膜而發揮機能之氧化膜與作為反射防止膜而發揮機能之SiNx膜雙方而形成亦可。
接著，進行電極的形成(圖1(j))。於n型摻雜範圍107上形成n型電極111，而於p型摻雜範圍108上形成p型電極112。此等電極係可以蒸鍍法，濺鍍法，電鍍法，噴墨法，網版印刷法任一方法而形成。網版印刷法之情況係將銀(Ag)粉末與玻璃粉末，與有機黏合劑混合之銀電糊加以網版印刷之後，經由熱處理而使銀粉末貫通於SiNx膜(燒成貫通)，使電極與矽導通。
如以上說明地，在本實施形態中，在熱擴散處理時，以介電膜102而加以被覆開口部104以外的範圍之故，於開口部104以外之範圍，加以形成有n型摻雜範圍之情況係完全未加以引起。因此，可將在以往的太陽能電池之製造方法中，需要對於n型擴散摻雜劑105與p型擴散摻雜劑106各分為2次進行之擴散熱處理，作為1次擴散熱處理者。
〔第2實施形態〕
在上述之第1實施形態中，說明過對於未形成電極於矽基板之受光面，而於僅背面形成電極之背面接合型太陽能電池之製造工程，適用本發明之製造方法的例，但對於其他，本發明之太陽能電池的製造方法係在於單面，由射 極，而相反的面則由基極加以構成之太陽能電池的製造工程，亦可適用者。以下，使用圖2加以說明本發明之第2實施形態。
以與在第1實施形態所說明者同樣之方法，對於半導體基板200而言，進行損傷層除去及紋理構造之形成而得到之太陽能電池用基板201兩面，進行介電體膜202之形成(圖2(a)~(c))。
接著，於介電體膜202單面之一部分，形成開口部204。然而，之後將設置開口部204的面作為背面(非受光面)，將相反的面表現為表面(受光面)。在此，亦使用分配器而塗佈或印刷含有磷酸之蝕刻電糊203(圖2(d))、而可於介電體膜202之一部分，形成開口部204者(圖2(e))。開口部204係亦可使用光微影技術加以形成，而噴墨印刷含有微量氟化氫酸之塗佈液係加以形成亦可。然而，開口部204之寬度係為50~400μm程度為佳，以1~5mm間隔而形成為佳。
接著，於所形成之開口部204上，由分配器而塗佈，或印刷例如含有磷之n型擴散摻雜劑205(圖2(f))。對於磷以外，亦可使用含有砷或銻等之5價元素之n型擴散摻雜劑205，但從成本面，或材料的處理容易度的觀點，使用含有磷之n型擴散摻雜劑205者為佳。
在此之印刷處理係並非圖案狀，或將n型擴散摻雜劑205印刷於背面(非受光面)全面均可，另外，亦可將n型擴散摻雜劑205旋塗佈於背面(非受光面)全 面。
另外，在此係未將n型擴散摻雜劑205賦予於背面，而僅設置開口部204，在接下工程，使用三氯氧磷等而進行氣相擴散亦可。
另一方面，對於表面(受光面)，係使用分配器而塗佈，或印刷例如含有硼之p型擴散摻雜劑206。對於硼以外，亦可使用含有鎵、銦等之3價元素之p型擴散摻雜劑206，但從成本面，使用含有硼之p型擴散摻雜劑者206為佳。
此時，p型擴散摻雜劑206的寬度係50~1000μm程度為佳，而以1~5mm間隔而形成為佳。然而，在此係將電糊塗佈於表面(受光面)全面亦可，而亦可將p型擴散摻雜劑206，旋轉塗佈於表面(受光面)全面。
經由如以上之處理，如圖2(f)所示，在塗佈有n型擴散摻雜劑205及p型擴散摻雜劑206之狀態，進行擴散熱處理。對於p型擴散摻雜劑206正下方係存在有介電體膜202，但如前述，如為至150nm為止之膜厚，熱擴散時，硼等之3價的p型摻雜劑係可透過介電體膜202而擴散至半導體基板中，而可形成p型摻雜範圍208者。另一方面，對於未形成有介電體膜202之部分，係可形成n型摻雜範圍207者(圖2(g))。
如前述，磷等5價之n型擴散摻雜劑205係有著含有n型摻雜劑之氧化物則在熱處理時從電糊中飛 散，於電糊塗佈部以外之範圍，形成n型摻雜範圍207之情況，但在本實施形態中，經由於印刷n型擴散摻雜劑205之範圍以外，形成介電體膜202之時，此介電體膜202則可阻礙n型摻雜劑之對於基板中的擴散者。
然而，熱處理係例如，由氬或氮素等非活性氣體環境之800~1000度之熱處理爐，進行10~120分程度者為佳，對於氣體係亦可使用混合氧之混合氣體。
擴散工程之後，以數%~數十%之氟酸等而除去包含形成於表面之p型摻雜劑及/或n型摻雜劑之玻璃層及介電膜202(圖2(h))。
接著，於基板表面進行反射防止膜209之形成，而於背面進行保護膜210之形成(圖2(i))。作為反射防止膜209，例如使用熱氧化膜即可。藉由使用熱氧化膜，保護效果提高，對於變換效率提升有著貢獻。熱氧化膜之形成方法係除了以950~1100℃進行5~120分程度之乾式氧化，濕式氧化，高溫氧化之其他，亦可為導入HCl或Cl2等之氣體等之任一方法。經由此等任一之方法，於受光面，形成90~150nm之矽氧化膜。當從此範圍脫離時，產生有反射率變高，而短路電流降低等之不良情況。
作為反射防止膜209係除了熱氧化膜之外，亦可使用SiNx膜。做為將SiNx膜製膜之方法，係例如，有著使用電漿CVD裝置而將SiNx膜進行約100nm製膜之方法。作為反應氣體，混合使用甲矽烷(SiH4)及氨氣 (NH3)之情況為多，但取代NH3而使用氮素亦可。從保護效果與反射防止之觀點，對於製作高效率之太陽能電池，係形成作為保護膜而發揮機能之氧化膜與作為反射防止膜而發揮機能之SiNx膜雙方亦可。
接著，進行電極的形成(圖2(j))。於n型摻雜範圍207上形成n型電極211，而於p型摻雜範圍208上形成p型電極212。此等係可以蒸鍍法，濺鍍法，電鍍法，噴墨法，網版印刷法任一方法而形成。網版印刷法之情況係將銀粉末與玻璃粉末，與有機黏合劑混合之銀電糊加以網版印刷之後，經由熱處理而使銀粉末貫通於SiNx膜(燒成貫通)，使電極與矽導通。
如將背面(非受光面)設置為與受光面同樣的梳型電極，亦可作為兩面型太陽能電池而利用者。如此作為，本發明係不僅背面接合型之太陽能電池，而可使用於將單面由射極，另一方的面由基極加以構成之太陽能電池之製造工程者。
如前述，可將在以往的太陽能電池之製造方法中，必須對於n型擴散摻雜劑205與p型擴散摻雜劑206各分為2次進行之擴散熱處理，作為1次擴散熱處理者。在此製造方法中，熱擴散處理時，開口部204以外之範圍係由介電膜202所被覆之故，完全未引起有形成n型摻雜範圍於開口部204以外之範圍者，而未引起經由此之特性的下降。
〔實施例〕
為了確認本發明之有效性，使用記載於上述實施形態之太陽能電池之製造方法，實際製作背面接合型之太陽能電池。將共通於實施例及比較例之製作處理，示於圖3。另外，將在實施例之圖3的處理之後續處理示於圖4。另外，將在比較例之圖3的處理之後續處理示於圖5。更且，後續於圖4或圖5之處理，共通於實施例及比較例之處理示於圖6。以下，參照圖3至圖6進行實施例及比較例之說明。
準備厚度200μm、比阻抗1Ω．cm之磷摻雜{100}n型原切割矽基板300，再經由熱濃氫氧化鉀水溶液而除去損傷層(圖3(a))後、將基板300浸漬於氫氧化鉀/2-丙醇水溶液而形成紋理。然而，在圖中，紋理之凹凸構造係加以省略描繪。接著，將基板300，在鹽酸/過氧化氫混合溶液中洗淨，準備100片太陽能電池用基板301(圖3(b))。
之後，將所得到之太陽能電池用基板301，由氧環境下1000℃之熱處理爐進行90分鐘熱處理，而於基板的兩面，形成70nm之矽氧化膜302(圖3(c))。
接著，使用分配器而塗佈含有磷酸之蝕刻電糊303(圖3(d))，形成開口部304。開口部304係形成為將寬度作成200μm、而將間隔作成1.5mm之線狀(圖3(e))。
之後，同樣使用分配器而塗佈含有磷之n型 擴散摻雜劑305於開口部304(圖3(f))。
至此為止所處理之基板之中，對於50片的基板300而言，以實施例之方法進行處理(圖4(a)、(b))、而對於剩餘之50片而言係以比較例的方法進行處理(圖5(a)~(g))、各製作50片以實施例及比較例之製造方法所製作之太陽能電池。以下對於各製造方法，使用圖示同時加以敘述。
〔實施例〕
基於至圖3(f)為止進行處理之50片的基板300，使用分配器而塗佈含有硼之p型擴散摻雜劑306。另外，p型擴散摻雜劑306係形成寬度作成400μm、而將間隔作成1.5mm之線狀的構成，而與n型擴散摻雜劑305係拉開200μm之間隔而形成(圖4(a))。
在此狀態進行熱擴散處理(圖4(b))。熱擴散處理係以950℃之氬環境之熱處理爐，進行30分鐘處理。
〔比較例〕
在比較例中，將至圖3(f)為止所處理之基板50片，暫時進行熱擴散處理，形成n型摻雜範圍307(圖5(a))。熱擴散處理係以950℃之氬環境之熱處理爐，進行30分鐘處理。
接著，將經由熱擴散處理所形成之磷玻璃 層，浸漬於10%的氟酸溶液而除去(圖5(b))。
之後，再一次進行熱氧化膜302之形成。此處理係實施與圖3(c)同樣的熱處理，於基板的兩面，再次形成70nm之矽氧化膜302(圖5(c))。
接著，再次使用分配器而塗佈含有磷之蝕刻電糊303(圖5(d))，形成開口部304(圖5(e))。然而，在此係作為開口部304，形成寬度作成400μm、而將間隔作成1.5mm之線狀的構成，而與在圖5(a)所形成之n型摻雜範圍307係拉開200μm之間隔而形成。
之後，同樣使用分配器而塗佈含有硼之p型擴散摻雜劑306於開口304部(圖5(f))，進行熱擴散處理(圖5(g))。熱擴散處理係以950℃之氬環境之熱處理爐，進行30分鐘。
如此，將以實施例及比較例之方法所處理之基板各50片，浸漬於10%之氟酸溶液中，來進行殘留於基板表面之氧化膜302，磷玻璃層及硼玻璃層之除去，準備將n型摻雜範圍307與p型摻雜範圍308加以形成於同一面之基板(圖6(a))。
之後，對於所有的基板，形成反射防止膜309及保護膜310(圖6(b))首先，經由以氧環境900℃之熱處理爐進行40分鐘熱處理，而於基板兩面，形成熱氧化膜，之後使用電漿CVD裝置，於基板兩面，堆積80nm程度之SiNx膜，而形成反射防止膜309及保護膜310。
接著，於n型摻雜範圍307上形成n型電極 311，而於p型摻雜範圍308上形成p型電極312(圖6(c))。由將含有銀粉末與玻璃粉末之銀電極電糊，進行網版印刷，再經由熱處理而使銀粉末貫通於SiNx膜(燒成貫通)，使電極與矽導通者，形成n型電極311及p型電極312。
由如以上做為所製作成之太陽能電池，進行25℃、100mW/cm2、光譜AM1.5全域之擬似太陽光照射時的電氣特性測定結果(各50片之平均值)，示於表1。
經由使用本申請記載之太陽能電池的製造方法，大幅度改善開放電壓，加以製作變換效率高之太陽能電池。此係比較於比較例，在實施例中，進行高溫熱處理之次數少，不易引起整體生命週期下降之故。
另外，熱處理時，經由以介電膜而保護n型摻雜範圍以外之時，可防止n型摻雜範圍形成於n型摻雜範圍以外之範圍，而亦可使形狀因子增加，更增大變換效率。
當使用在以上所說明之太陽能電池之製造方 法時，不僅可大幅度地省略工程，亦可使太陽能電池之變換效率提升。
即，可大幅度地縮短製造工程。特別是減少高溫熱處理工程之次數之故而可防止整體生命週期之下降，開放電壓增加，並可提高變換效率。
另外，通常，由一次的熱擴散處理欲形成n型摻雜範圍與p型摻雜範圍時，經由摻雜劑之自動摻雜而成為無法控制擴散圖案之形成，而太陽能電池特性則顯著下降，但在本申請記載之太陽能電池之製造方法中，以介電膜而保護形成n型摻雜範圍之範圍以外之故，可使p型、n型各摻雜劑，選擇性地擴散於基板中。經由此，對於形狀因子之增加亦有貢獻，更可使變換效率增大者。
〔產業上之利用可能性〕
有關本申請發明之太陽能電池之製造方法係作為可削減工程數，有效率地進行製造者。
100‧‧‧半導體基板
101‧‧‧太陽能電池用基板
102‧‧‧介電體膜
103‧‧‧蝕刻電糊
104‧‧‧開口部
105‧‧‧n型擴散摻雜劑
106‧‧‧p型擴散摻雜劑
107‧‧‧n型摻雜範圍
108‧‧‧p型摻雜範圍
109‧‧‧反射防止膜
110‧‧‧保護膜
111‧‧‧n型電極
112‧‧‧p型電極

Claims (7)

  1. 一種太陽能電池之製造方法，其特徵為包含：於矽基板之至少單面之一部分，形成介電體膜之工程，和於前述介電體膜上之一部分或全部，塗佈p型擴散摻雜劑之工程，和經由一次的熱處理而使n型摻雜劑與p型摻雜劑擴散之工程者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之太陽能電池之製造方法，其中，較前述使擴散之工程之前，更具備：在前述矽基板中未加以形成前述介電體膜的範圍，塗佈n型擴散摻雜劑之工程者。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之太陽能電池之製造方法，其中，前述介電體膜係矽氧化膜者。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之太陽能電池之製造方法，其中，前述介電體膜之厚度係10~150nm者。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之太陽能電池之製造方法，其中，前述p型摻雜劑係為硼，而前述n型摻雜劑係為磷者。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之太陽能電池之製造方法，其中，更包含：以含有磷酸之電糊而除去前述介電體膜之一部分的工程者。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之太陽能電池之製造方法，其中，擴散有前述n型摻雜劑之範圍與擴 散有前述p型摻雜劑之範圍係位於前述矽基板的同一面上者。
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