TW201533278A - 鍍覆浴及方法 - Google Patents

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Abstract

具有某些光亮劑之組合的含錫電鍍浴係提供具有降低之孔隙形成及光滑形態的含錫焊料沉積物。

Description

鍍覆浴及方法
本發明通常係關於電解式金屬鍍覆之領域。本發明尤其係關於電解式錫鍍覆之領域。
金屬及金屬合金於商業上係重要者，尤其在電子工業中，他們往往用作電性觸點(electrical contacts)、最終精加工劑(final finishes)及焊料。由於對鉛之限制增加，一種曾經最常用之錫合金焊料錫-鉛的使用業經下滑。無鉛焊料如錫、錫-銀、錫-銅、錫-鉍、錫-銀-銅及其他無鉛焊料，係錫-鉛焊料之常用替代品。往往使用鍍覆浴如電鍍浴將此等焊料沉積於基板上。
以金屬塗層電鍍物件之方法通常係包括：令電流通過位於鍍覆溶液中之兩個電極之間，其中，該等電極之一者(典型係陰極)係該待鍍覆之物件。典型之錫鍍覆溶液係包含經溶解之錫離子、水、其量足以賦予該浴以導電性之酸電解質如甲磺酸、抗氧化劑、及適宜之添加劑以改善鍍覆之均一性及金屬沉積物之品質。此等添加劑係包括界面活性劑、細晶劑等。
於電子工業中，對於無鉛焊料鍍覆之某些 應用係存在挑戰。舉例而言，當用作銅導柱上之封蓋層時，係將相對小量之無鉛焊料(如錫-銀焊料)沉積於銅導柱之頂部。於鍍覆如此小量之焊料時，無論於晶粒內或橫越晶圓，往往皆難以將均一高度之焊料組成物鍍覆於各導柱上。使用傳統之焊料電鍍浴亦導致具有相對粗糙表面形態之沉積物，舉例而言，具有平均表面粗糙度(Ra)約為800奈米(nm)或更大，粗糙度係藉由光學輪廓儀量測。此相對粗糙表面形態往往係與回焊後焊料中孔隙之形成相關聯，其根本上引起對於焊料接合(joint)可靠性之關注。藉此，於工業中，對於避免相對粗糙表面形態之問題並提供改善之晶粒內均一性的純錫或錫合金焊料沉積存在興趣。
多種錫電鍍浴係已知者。當所欲者係光亮 表面時，光亮劑典型係用於錫電鍍浴中。傳統光亮劑係包括醛類、酮類、羧酸類、羧酸衍生物、胺類、或其混合物。 舉例而言，第4,582,576號美國專利揭露了錫或錫-鉛電鍍浴，其係含有選自芳族醛類、苯乙酮類、及具有式Ar-C(H)=C(H)-C(O)-CH3之羰基化合物類所組成群組的至少一種主要光亮劑，其中，Ar係苯基、萘基、吡啶基、噻吩基、或呋喃基；以及，選自低級脂族醛類及具有式R4C(R3)=C(R2)R1之經取代之烯烴類所組成群組的至少一種次要光亮劑，其中，R1係羧基、甲醯胺、鹼金屬羧酸鹽、羧酸銨、胺羧酸鹽(amine carboxylate)或羧酸烯丙酯，且R2、R3及R4係各自獨立為氫或低級烷基。該專利揭露，該等主要及次要光亮劑係各自以相對大量使用之，亦即，每公升幾十公克或更 多。當用於某些電子應用，如當用以在銅導柱上形成純錫封蓋時，此等傳統錫電鍍浴係導致具有孔隙之錫沉積物，及/或導致具有不可接受之形態的錫沉積物，及/或導致具有相對高水準之雜質的錫沉積物。藉此，工業中，對用於沉積含錫焊料層特別是作為銅導柱上之封蓋的電鍍浴及方法存在需求，且該等封蓋係具有可接受之形態且實質上不具孔隙。
本發明係提供一種電鍍組成物，其係包含：錫離子源；酸電解質；0.0001至0.045g/L之第一細晶劑；作為第二細晶劑之0.005至0.75g/L之α,β-不飽和脂族羰基化合物；非離子性界面活性劑；以及水；其中，該第一細晶劑係選自式(1)或(2)之化合物： 其中，各R1係獨立為(C1-6)烷基、(C1-6)烷氧基、羥基、或鹵素；R2與R3係獨立選自H及(C1-6)烷基；R4係H、OH、(C1-6)烷基或O(C1-6)烷基；m係0至2之整數；各R5係獨立為(C1-6)烷基；各R6係獨立選自H、OH、(C1-6)烷基、或O(C1-6)烷基；n係1或2；以及，p係1或2。
本發明亦提供一種在半導體基板上沉積含錫層的方法，係包含：提供包含複數個導電性接合特徵(conductive bonding feature)之半導體晶圓；令該半導體晶 圓與上揭之組成物接觸；以及，施用足量之電流密度，以於該等導電性接合特徵上沉積含錫層。
本發明亦提供一種半導體裝置，其係包含 複數個導電性接合特徵，以及置於該等結合特徵上的含錫層，其中，該含錫層於經鍍覆後及回焊後係不具孔隙。
本說明書全文中，除非文中另外明確指出者外，下述縮寫應具有下述意義：ASD=A/dm2=安培每平方分米；℃=攝氏度；g=公克；mg=毫克；L=公升；Å=埃；nm=奈米；μm=micron=微米；mm=毫米；min=分鐘；DI=去離子；以及，mL=毫升。除了另行指出者外，全部之量係重量百分比(「wt%」)，且全部之比例係重量比。全部數值範圍係包括邊值且可以任何次序組合，除非此等數值範圍係明確受限於其加和為至高為100%。
本說明書中，術語「鍍覆」係指金屬電鍍。本說明書中，「沉積」與「鍍覆」可互換使用。「純錫」係指非錫合金之錫沉積物，但此沉積物可含有最高5原子%之雜質。「鹵化物」係指氯化物、溴化物、碘化物及氟化物。冠詞「一(a,an)」、「該」係指單數及複數。「烷基」係指直鏈、分支鏈、及環狀烷基。「芳基」係指芳族碳環及芳族雜環。術語「(甲基)丙烯酸系」係指「丙烯酸系」及「甲基 丙烯酸系」兩者。當一元件被指為「沉積於」另一元件上時，其可係直接位於該另一元件上或於其與另一元件之間存在間隔元件。反之，當一元件被指為「直接沉積於」另一元件上，則不存在間隔元件。本文中，術語「及/或」係包括一個或多個所列述之相關項目的任何一者及全部組合。
本發明之組成物係包含：錫離子源；酸電 解質；0.0001至0.045g/L之第一細晶劑；作為第二細晶劑之0.005至0.75g/L之α,β-不飽和脂族羰基化合物；非離子性界面活性劑；以及水；其中，該第一細晶劑係選自式(1)或(2)之化合物： 其中，各R1係獨立為(C1-6)烷基、(C1-6)烷氧基、羥基、或鹵素；R2與R3係獨立選自H及(C1-6)烷基；R4係H、OH、(C1-6)烷基或O(C1-6)烷基；m係0至2之整數；各R5係獨立為(C1-6)烷基；各R6係獨立選自H、OH、(C1-6)烷基、或O(C1-6)烷基；n係1或2；以及，p係0、1或2。
任何之浴溶性二價錫鹽可適於作為該錫離 子源。此等錫鹽之實例係包括，但不限於，氧化錫；及鹽類，如鹵化錫，硫酸錫，烷磺酸錫如甲(烷)磺酸錫，及磺酸錫，芳基磺酸錫如苯磺酸錫、苯酚磺酸錫、甲酚磺酸錫、及甲苯磺酸錫，烷醇磺酸錫等。當使用鹵化錫時，較佳係 該鹵化物為氯化物。較佳係該錫化合物為氧化錫、硫酸錫、氯化錫、烷磺酸錫或芳基磺酸錫。更佳地，該錫鹽係甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、2-羥基乙烷-1-磺酸、2-羥基丙烷-1-磺酸、1-羥基丙烷-2-磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、苯酚磺酸或甲酚磺酸之亞錫鹽，甚至更佳係甲磺酸、苯磺酸或苯酚磺酸之亞錫鹽。可使用錫鹽之混合物。可用於本發明之錫化合物通常可自多種來源商購之，且可不經進一步之純化而使用。或者，可用於本發明之錫化合物可藉由文獻中已知之方法製備之。典型地，本發明之組成物中錫離子的量係10至300g/L之範圍，較佳係20至200g/L，更佳係30至100g/L。
於本發明中，可使用浴溶性且不對電解質 組成物造成負面影響之任何酸電解質。適宜之酸電解質係包括，但不限於：烷磺酸類，如甲磺酸、乙磺酸及丙磺酸；芳基磺酸類如苯磺酸、甲苯磺酸、苯酚磺酸、及甲酚磺酸；烷醇磺酸類；硫酸；磺胺酸；及無機酸類，如鹽酸、氫溴酸及氟硼酸。烷磺酸類及芳基磺酸類係較佳之酸電解質，且烷磺酸類更佳。甲磺酸係特佳。特別有用者係酸電解質之混合物，例如，但不限於，烷磺酸類及硫酸之混合物。 由是，於本發明中，較佳係使用超過一種酸電解質。可用於本發明之酸性電解質通常係習知且可商購者，且可不經進一步之純化而使用。或者，該等酸電解質可藉由文獻中已知之方法製備之。典型地，本發明之組成物中酸的量係10至1000g/L之範圍，較佳係20至750g/L，更佳係30 至500g/L。
本發明之組成物係包含第一細晶劑與第二細晶劑之混合物。該第一細晶劑係選自式(1)或(2)之化合物： 其中，各R1係獨立為(C1-6)烷基、(C1-6)烷氧基、羥基、或鹵素；R2與R3係獨立選自H及(C1-6)烷基；R4係H、OH、(C1-6)烷基或O(C1-6)烷基；m係0至2之整數；各R5係獨立為(C1-6)烷基；各R6係獨立選自H、OH、(C1-6)烷基、或O(C1-6)烷基；n係1或2；以及，p係0、1或2。較佳地，各R1係獨立為(C1-6)烷基、(C1-3)烷氧基、或羥基，更佳係(C1-4)烷基、(C1-2)烷氧基、或羥基。較佳地，R2與R3係獨立選自H及(C1-3)烷基，更佳係H及甲基。較佳地，R4係H、OH、(C1-4)烷基或O(C1-4)烷基，更佳係H、OH、或(C1-4)烷基。較佳地，R5係(C1-4)烷基，更佳係(C1-3)烷基。各R6較佳係選自H、OH、或(C1-6)烷基，更佳係H、OH、或(C1-3)烷基，再更佳係H或OH。較佳地，m係0或1，更佳地，m係0。較佳地，n=1。較佳地，p係0或1，更佳地，p=0。可使用第一細晶劑之混合物，如2種不同之式(1)之細晶劑的混合物，2種不同之式(2)之細晶劑的混合物，或式(1)之細晶劑與式(2)之細晶劑的混合物。較佳地，該第一細晶劑係式(1)之化合物。
可用作第一細晶劑之例示性化合物係包 括，但不限於，肉桂酸、肉桂醛、亞苄基丙酮、2-吡啶甲酸、吡啶二甲酸、吡啶甲醛、吡啶二甲醛、或其混合物。 較佳之第一細晶劑係包括肉桂酸、肉桂醛、及亞苄基丙酮。
於本發明之鍍覆浴中，第一細晶劑係以 0.0001至0.045g/L之量存在。較佳地，第一細晶劑係以0.0001至0.04g/L，更佳係0.0001至0.035g/L，再更佳係0.0001至0.03g/L之量存在。可用作第一細晶劑之化合物通常係可自多種來源商購之，且可直接使用或可經進一步純化後使用。
可用於本發明之鍍覆浴中之第二細晶劑係 α,β-不飽和脂族羰基化合物。適宜之α,β-不飽和脂族羰基化合物係包括，但不限於，α,β-不飽和羧酸類、α,β-不飽和羧酸酯類、α,β-不飽和醯胺類、及α,β-不飽和醛類。較佳地，第二細晶劑係選自α,β-不飽和羧酸類、α,β-不飽和羧酸酯類、及α,β-不飽和醛類，更佳係α,β-不飽和羧酸類及α,β-不飽和醛類。例示性α,β-不飽和脂族羰基化合物係包括(甲基)丙烯酸、巴豆酸、(甲基)丙烯酸(C1-6)烷基酯、(甲基)丙烯醯胺、巴豆酸(C1-6)烷基酯、巴豆醯胺、巴豆醛、(甲基)丙烯醛、或其混合物。較佳之α,β-不飽和脂族羰基化合物係(甲基)丙烯酸、巴豆酸、巴豆醛、(甲基)丙烯醛、或其混合物。
於本發明之鍍覆浴中，第二細晶劑係以 0.005至0.75g/L之量存在。較佳地，第二細晶劑係以0.005 至0.5g/L，更佳係0.005至0.25g/L，再更佳係0.01至0.25g/L之量存在。可用作第二細晶劑之化合物通常係可自多種來源商購之，且可直接使用或可經進一步純化後使用。
一種或多種非離子性界面活性劑係用於本 發明之組成物中。此等非離子性界面活性劑典型係具有平均分子量為200至100,000，較佳係500至50,000，更佳係200至25,000，且再更佳係750至15,000。於該電解質組成物中，此等非離子性界面活性劑之存在濃度典型係，以該組成物之重量為基準計，1至10,000ppm，較佳係5至10,000ppm。較佳之環氧烷(alkylene oxide)化合物係包括聚伸烷基二醇類，包括具有至少一個羥基及20個或更少個碳原子之有機化合物的環氧乙烷/環氧丙烷(「EO/PO」)共聚物環氧烷縮合產物、及源自藉由將氧伸丙基加入聚氧伸乙基二醇而製備之不同環氧烷與乙二胺化合物之加成反應的四官能性聚醚。
典型地，有用於該等組成物中之聚伸烷基 二醇類係彼等具有平均分子量為200至100,000，較佳係900至20,000範圍者。較佳之聚伸烷基二醇類係聚乙二醇及聚丙二醇。此等聚伸烷基二醇類通常可自多種來源商購之且不經進一步純化而使用。亦可適宜地使用經封蓋之聚伸烷基二醇類，其中，一個或多個末端氫係經由烴基替代。 適宜之聚伸烷基二醇的實例係式R-O-(CXYCX’Y’O)nR’之彼等，其中，R與R’係獨立選自H、(C2-20)烷基、及C6-20芳基；X、Y、X’及Y’係各自獨立選自氫，烷基如甲基、 乙基或丙基，芳基如苯基，或芳烷基如苄基；以及，n係5至100,000之整數。典型地，X、Y、X’及Y’之一者或多者係氫。
適宜之EO/PO共聚物通常係具有自10：90 至90：10，較佳係10：90至80：20的EO：PO重量比。 此等EO/PO共聚物較佳係具有平均分子量為1000至15,000。較佳之EO/PO共聚物係具有結構EO/PO/EO或PO/EO/PO的嵌段共聚物。此等EO/PO共聚物可自多種來源獲得，如彼等可自BASF於PLURONIC品牌商購者。
適宜之具有至少一個羥基及20個或更少個 碳原子之有機化合物的環氧烷縮合產物係包括彼等具有下述者：1個至7個碳原子之脂族烴、未經取代之芳族化合物、或於烷基部分具有6個或更少碳原子之烷基化芳族化合物，如彼等於第5,174,887號美國專利中揭露者。脂族醇類可係飽和或不飽和。適宜之芳族化合物係彼等具有最多兩個芳環者。於經環氧乙烷衍生化之前，芳族醇類係具有最多20個碳原子。此等脂族及芳族醇類可進一步經諸如硫酸酯基或磺酸酯基取代。此等適宜之環氧烷化合物係包括，但不限於：具有12莫耳之EO的乙氧基化聚苯乙烯化苯酚、具有5莫耳之EO的乙氧基化丁醇、具有16莫耳之EO的乙氧基化丁醇、具有8莫耳之EO的乙氧基化丁醇、具有12莫耳之EO的乙氧基化辛醇、具有13莫耳之EO的乙氧基化β-萘酚、具有10莫耳之EO的乙氧基化雙酚A、具有30莫耳之EO的乙氧基化硫酸化雙酚A、及具有8莫 耳之EO的乙氧基化雙酚A。
式(3)或(4)係表示非離子性界面活性劑，其 係源自不同環氧烷與乙二胺之加成反應的四官能性聚醚： 其中，A與B係表示不同之環氧烷基部分，且x與y係分別表示各環氧烷基重複單元的數目。較佳地，A與B係選自(C2-4)環氧烷基，更佳係選自環氧丙烷及環氧乙烷。於式(1)及(2)之化合物中，該等環氧烷基部分可為嵌段、交替或隨機排列。於式(3)及(4)中，x：y之莫耳比典型係自10：90至90：10，較佳係自10：90至80：20。此等四官能性聚醚通常可自如BASF(Ludwigshafen,Germany)於TETRONIC品牌下商購。
通常，本發明之組成物係含有水。水可以 寬範圍之量存在。可使用任何類型之水，如蒸餾水、去離子水或自來水。
本發明之組成物可視需要包括一種或多種 添加劑，如抗氧化劑、有機溶劑、合金金屬、導電性酸、錯合試劑、及其混合物。儘管額外之細晶劑可用於本發明之鍍覆浴中，但較佳係該等鍍覆浴僅包含上揭之第一及第二細晶劑。
抗氧化劑可視需要添加至本發明之組成物 中，以輔助將該錫保持為可溶之二價狀態。較佳係於本發明之組成物中使用一種或多種抗氧化劑。例示性抗氧化劑係包括，但不限於，氫醌，以及羥基化之芳族化合物，包括此等芳族化合物之磺酸衍生物，且較佳係：氫醌；甲基氫醌；間苯二酚；兒茶酚；1,2,3-三羥基苯；1,2-二羥基苯-4-磺酸；1,2-二羥基苯-3,5-二磺酸；1,4-二羥基苯-2-磺酸；1,4-二羥基苯-2,5-二磺酸；及2,4-二羥基苯磺酸。此等抗氧化劑係揭露於第4,871,429號美國專利中。其他適宜之抗氧化劑或還原劑係包括，但不限於，釩化合物，如乙醯基丙酮氧釩、三乙醯基丙酮釩、鹵化釩、氧鹵化釩、烷氧化釩、及烷氧化氧釩。此等還原劑之濃度係技術領域中具有通常知識者所習知者，但典型係自0.1至10g/L之範圍，較佳係自1至5g/L。此等抗氧化劑通常可自多種來源商購之。
視需要可將有機溶劑加至本發明之錫電鍍 組成物。典型之有用於本發明之組成物的溶劑係脂族醇類。較佳之有機溶劑係甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、及異丁醇。此溶劑可以自0.05至15g/L，較佳自0.05至10g/L之量存在於本發明之錫電鍍組成物中。
視需要，本發明之鍍覆浴可含有一種或多 種合金金屬離子源。適宜之合金金屬係包括，而不限於，銀、金、銅、鉍、銦、鋅、銻、錳、及其混合物。較佳之合金金屬係銀、銅、鉍、銦、及其混合物，更佳係銀。較佳地，本發明之組成物係不含鉛。該合金金屬之任何浴溶性鹽可適合用作該合金金屬離子源。此等合金金屬鹽類之 實例係包括，但不限於：金屬氧化物；金屬鹵化物；金屬氟硼酸鹽；金屬硫酸鹽；金屬烷磺酸鹽，如金屬甲磺酸鹽、金屬乙磺酸鹽及金屬丙磺酸鹽；金屬芳基磺酸鹽，如金屬苯磺酸鹽、金屬甲苯磺酸鹽及金屬苯酚磺酸鹽；金屬羧酸鹽類，如金屬葡萄糖酸鹽及金屬乙酸鹽等。較佳之合金金屬鹽類係金屬硫酸鹽；金屬烷磺酸鹽；及金屬芳基磺酸鹽。 當將一種合金金屬加至本發明之組成物中時，係達成二元合金沉積。當將2種、3種或更多種不同之合金金屬加至本發明之組成物中時，則達成三元、四元或更高級合金沉積物。此合金金屬於本發明之組成物中的用量將取決於所欲之特定錫合金。合金金屬之此等量的選擇係屬於技術領域中具有通常知識者的能力範圍內。技術領域中具有通常知識者將明晰，當使用某種合金金屬如銀時，可能需要額外之錯合劑。此等錯合劑(或錯合試劑)係該技術領域中習知者且可以任何適宜之量使用。
導電性酸可視需要加至本發明之組成物 中。此等導電性酸係包括，但不限於，硼酸、烷酸、羥基烷酸、及此等酸之鹽，到他們可溶於水之程度。較佳係甲酸、乙酸、草酸、檸檬酸、蘋果酸、酒石酸、葡萄糖酸、葡萄糖二酸、葡萄糖醛酸、及此等酸之鹽。當使用時，此等導電性酸及其鹽係以傳統量採用之。
本發明之電鍍組成物可藉由該技術領域中 已知之任何適宜之方法製備。典型地，他們係藉由將酸電解質加至容器內，之後加入一種或多種錫化合物、一種或 多種界面活性劑、一種或多種細晶劑、視需要之水及任何其他視需要之組分而製備。可使用其他加入該等組成物之組分的次序。一旦該組成物製備完成，即藉由諸如過濾而移除任何非所欲之材料，並隨後加入水以調節該組成物之最終體積。該組成物可藉由任何已知手段如攪拌、泵浦、通氣(sparging)、或噴射該組成物而攪動，從而提高沉積速度。
本發明之鍍覆浴係酸性，亦即，其具有<7 之pH值。典型地，本發明之鍍覆浴的pH值係自-1至<7，較佳係自-1至6.5，更佳係自-1至5，且再更佳係自-1至2。
本發明之電鍍組成物係適用於沉積含錫 層，該等可係純錫層或錫合金層。例示性錫合金層係包括，而不限於，錫-銀、錫-銀-銅、錫-銀-銅-銻、錫-銀-銅-錳、錫-銀-鉍、錫-銀-銦、錫-銀-鋅-銅、及錫-銀-銦-鉍。較佳地，本發明之電鍍組成物係沉積純錫、錫-銀、錫-銀-銅、錫-銀-鉍、錫-銀-銦、及錫-銀-銦-鉍，且更佳係沉積純錫、錫-銀、或錫-銀-銅。自本發明之電鍍浴沉積之合金係含有其量為0.01至99.99wt%範圍之錫，以及其量為99.99至0.01wt%範圍之一種或多種合金金屬，該等量係以該合金之重量為基準計，且係藉由原子吸收光譜(AAS)、X-射線螢光(XRF)、感應耦合電漿(ICP)或示差掃描量熱法(DSC)量測之。較佳地，使用本發明沉積之錫-銀合金係含有自75至99.99wt%之錫及0.01至10wt%之銀以及任何其他合金金屬。更佳地，該等錫-銀合金沉積物係含有自95至99.9wt% 之錫及0.1至5wt%之銀以及任何其他合金金屬。錫-銀合金係較佳之錫合金沉積物，且較佳係含有自90至99.9wt%之錫及自10至0.1wt%之銀。更佳地，該等錫-銀合金沉積物係含有自95至99.9wt%之錫及自5至0.1wt%之銀。對於多種應用，可使用合金之共晶組成物。根據本發明沉積之合金係實質上不含鉛，亦即，他們含有1wt%之鉛，更佳係0.5wt%，再更佳係0.2wt%，且又更佳係不含鉛。
本發明之鍍覆組成物係有用於其中所欲者 係含錫層的多種鍍覆方法中，尤其有用於在包含複數個導電性接合特徵之半導體晶圓上沉積含錫之焊料層。鍍覆方法係包括，但不限於，水平或垂直晶圓鍍覆、滾筒鍍覆、掛鍍、高速鍍覆如卷盤至卷盤及噴鍍、以及無架鍍覆，且較佳係水平或垂直晶圓鍍覆。根據本發明，可對多種基板鍍覆含錫之沉積物。待鍍覆之基板係具導電性，且可包含銅、銅合金、鎳、鎳合金、含鎳-鐵之材料。此等基板可係電子元件之形式，如鉛框、連接器、晶片電容器、晶片電阻器、及半導體封裝件；塑膠，如電路板；以及半導體晶圓；且較佳係半導體晶圓。藉此，本發明亦提供一種於半導體晶圓上沉積含錫層的方法，係包含：提供包含複數個導電性接合特徵之半導體晶圓；令該半導體晶圓與上揭組成物接觸；以及，施用足夠之電流密度以於該等導電性接合特徵上沉積含錫層。較佳地，該等結合特徵係包含銅，其係純銅層、銅合金層、或包含銅之任何互連結構的形式。 銅導柱係一種較佳之導電性接合特徵。視需要，該等銅導 柱可包含頂部金屬層，如鎳層。當該等導電性接合特徵具有頂部金屬層時，則該純錫焊料層係沉積於該結合特徵之該頂部金屬層上。導電性接合特徵，如接合墊、銅導柱等，係該技術領域中習知者，如第7,781,325號美國專利及美國專利申請案公開第2008/0054459號、第2008/0296761號及第2006/0094226號中揭示者。
本發明中，術語「半導體晶圓」係試圖涵 蓋「電子裝置基板」、「半導體基板」、「半導體裝置」、及用於多種水平之互連的封裝件，包括單晶片晶圓、多晶片晶圓、用於多種水平之封裝件、或需要焊料連結之其他組裝件。尤其適宜之基板係圖案化晶圓，如圖案化矽晶圓、圖案化藍寶石晶圓、及圖案化砷化鎵晶圓。此等晶圓可係任何適宜之尺寸。較佳之晶圓直徑係200mm至300mm，但亦可根據本發明適宜地採用具有更小及更大直徑之晶圓。 本文中，術語「半導性基板」係包括具有一層或多層半導體層或結構之任何基板，其係包括半導體裝置之主動或可操作部分。術語「半導體基板」係定義為意指包含半導性材料之任何構件，包括，但不限於，整體半導性材料如單獨之半導性晶圓或其上包含其他材料之組件形式的半導性晶圓，以及單獨之半導性材料層或包含其他材料之組裝件形式的半導性材料層。半導體裝置係指其上業經或正在被批次加工之至少一個微電子裝置的半導體基板。
藉由下述者以含錫層鍍覆基板：令該基板 與本發明之組成物接觸，以及施用一段時間之電流密度以 將該含錫層沉積於該基板上。該接觸可藉由將待鍍覆之基板置於該鍍覆浴組成物中或將該鍍覆浴組成物泵浦至該基板上而實施。該基板係具導電性且係陰極。該鍍覆浴係含有陽極，其可為可溶或不可溶。電勢(potential)典型係施用至該陰極。施用足夠之電流密度，且鍍覆係實施足夠之一段時間，以於該基板上沉積具有所欲厚度的含錫層。藉由下述者電鍍包含複數個結合特徵之半導體晶圓：令該晶圓與本發明之鍍覆浴接觸，並對其施以一段時間之電流密度，以於該複數個結合特徵上沉積含錫層。該半導體晶圓係作為陰極。
用以沉積該含錫層之具體電流密度係取決 於具體鍍覆方法、待鍍覆之基板、以及待鍍覆者係純錫層或錫合金層。適宜之電流密度係自0.1至200A/dm2。該電流密度較佳係自0.5至100A/dm2，更佳係自0.5至30A/dm2，甚至更佳係自0.5至20A/dm2，且最佳係自2至20A/dm2。取決於待鍍覆之具體結合特徵以及彼等技術領域中具有通常知識者已知之其他考量，可使用其他電流密度。 此電流密度之選擇係屬於彼等技術領域中具有通常知識者的能力內。
可於10℃或更高之溫度，較佳於自10至65 ℃之範圍，更佳係自15至40℃，沉積含錫層。通常，對於給定之溫度及電流密度，基板被鍍覆之時間愈長，則沉積愈厚；而時間愈短，則愈薄。由是，基板於鍍覆組成物中停留之時間長度可用以控制所得含錫沉積之厚度。通 常，金屬沉積速率可高達15μm/min。典型地，沉積速率可係自0.5至15μm/min之範圍，且較佳係自1至10μm/min。
如上揭者，儘管本發明之電解質組成物可 用於多種應用中，例示性應用仍為用於形成晶圓級封裝之互連凸點(焊料凸點)。本方法係包括：提供具有複數個導電性接合特徵(如互連凸點墊)之半導體晶粒(晶圓晶粒)；於該等結合特徵上形成晶種層；藉由令該半導體晶粒與本發明之電鍍組成物接觸並令電流穿行通過該電鍍組成物，以於該基板上形成含錫互連凸點層，從而於該等結合特徵上形成含錫凸點層；以及，回焊該互連凸點層以形成焊料凸點。該導電性互連凸點墊可係一層或多層金屬、複合金屬或金屬合金，其典型係藉由物理氣相沉積(PVD)如濺鍍形成。典型之導電性接合特徵係包含，而不限於，鋁、銅、氮化鈦、及其合金。
鈍化層係形成於該等結合特徵及藉由蝕刻 製程，典型藉由乾式蝕刻，於該鈍化層內部形成延伸至該等結合特徵之開口的上方。該鈍化層典型係絕緣材料，例如，氮化矽、氧氮化矽、或氧化矽，如磷矽酸鹽玻璃。此等材料可藉由化學氣相沉積(CVD)製程如電漿增強CVD沉積之。典型由複數層金屬或金屬合金層形成之凸點下金屬化(UBM)結構係沉積於該裝置之上方。該UBM係作為黏著層及用於待形成之互連凸點的電性接觸基質(晶種層)。形成該UBM結構之層可藉由PVD製程如濺鍍或蒸發、或CVD 製程沉積之。該UBM結構可係，舉例而言，依次包括底部鉻層、銅層、及上方錫層之複合結構，而不限於此。鎳係一種用於UBM應用之金屬。
通常，係將光阻層施用至半導體晶圓，之 後進行標準光微影曝光及顯影技術以形成其內部具有開口或通孔(鍍覆通孔)的經圖案化之光阻層(或鍍覆罩)。該鍍覆罩之維度(該鍍覆罩之厚度及該圖案中開口之尺寸)係定義沉積於I/O墊及UBM上方之錫-銀層的尺寸及位置。此等沉積之直徑典型係自5至300μm之範圍，較佳係自10至150μm。此等沉積之高度典型係自10至150μm之範圍，較佳係自15至150μm，更佳係自20至80μm。適宜之光阻劑材料係可商購者(如自陶氏電子材料公司(Dow Electronic Materials,Marlborough,Massachusetts,USA)購得)且係該技術領域中習知者。
互連凸點材料係藉由電鍍製程使用上揭之 電鍍組成物沉積於該裝置上。互連凸點材料係包括，舉例而言，純錫或任何適宜之錫合金。例示性錫合金係上揭之彼等。所欲者可係作為共晶組成物或任何其他適宜之組成物而使用此等合金。該凸點材料係電沉積於藉由該鍍覆通孔界定之區域內。對於這一目標，典型係使用水平或垂直晶圓鍍覆系統如噴塗鍍覆(fountain plating)系統並採取直流或脈衝鍍覆技術。於該鍍覆製程中，該互連凸點材料係完全填充向上延伸之通孔以及該鍍覆罩上表面之一部分，得到蘑菇型金屬沉積。這確保沉積足夠體積之互連凸點材 料以於回焊後達成所欲之球形尺寸。於該通孔鍍覆製程中，該光阻劑係具有足夠之厚度，故適當體積之互連凸點材料係容納於該鍍覆罩通孔內。於鍍覆該互連凸點材料之前，可於該鍍覆罩通孔內電沉積一層銅或鎳。該層可作為回焊時該互連凸點之可潤濕基底。
於該互連凸點材料之沉積後，使用適當之 溶劑或其他剝除劑剝離該鍍覆罩。該等剝除劑係該技術領域中習知者。隨後，使用已知技術選擇性蝕刻該UBM結構，自該等互連凸點之周邊及之間區域移除全部金屬。
或者，於該光阻劑層中形成鍍覆通孔後， 可將不含錫之金屬互連結構如導柱沉積於該等結合特徵上。往往為銅導柱。典型地，該金屬沉積將於鍍覆通孔被完全填充之前停止。隨後，可使用上揭電鍍組成物透過電鍍製程藉由含錫層將該等互連結構(如銅導柱)封蓋。該含錫層係電沉積於該鍍覆通孔所界定之區域內。對於這一目標，典型係使用水平或垂直晶圓鍍覆系統如噴塗鍍覆系統並採取直流或脈衝鍍覆技術。於鍍覆該含錫層之前，可將頂部金屬層(如鎳)電沉積於該鍍覆通孔內該銅導柱之上方。該頂部金屬層可作為純錫焊料層之可潤濕基底，及/或提供阻擋層。該含錫層之高度可係自20至50μm之範圍，但其他高度亦適宜，且係具有實質上與其上沉積有該含錫層之互連結構相等的直徑。於該含錫焊料層之沉積之後，使用適當之溶劑或其他剝除劑剝離該鍍覆罩。該等剝除劑係該技術領域中習知者。隨後，使用已知技術選擇性 蝕刻該UBM結構，自該等互連凸點之周邊及之間區域移除全部金屬。
隨後，該晶圓視需要經於回焊箱中助焊及 加熱至該含錫焊料層熔化並流動成為截斷之實質上球形的溫度。加熱技術係該技術領域中已知者，且係包括，舉例而言，紅外技術、傳導技術、對流技術、及其組合。經回焊之互連凸點通常係與該UBM結構之邊緣同延。該熱處理步驟可於惰性氣氛或空氣中施行，且具體製程溫度及時間係取決於該互連凸點材料之具體組成。
當經沉積(或經鍍覆)後，自本發明之組成物 電沉積之含錫含量係實質上不具孔隙，此等焊料較佳係於一次回焊循環之後，較佳於重複之回焊循環如3次回焊循環之後，更佳於5次回焊循環之後，實質上不具孔隙。適宜之回焊循環係使用來自Sikama International,Inc.之具有5個加熱區及2個冷卻區的Falcon 8500工具，使用條件為140/190/230/230/260℃溫度，30秒駐留時間，運載器速率約100cm/min，且氮氣流速為40立方呎/小時。Alpha 100-40助焊劑(Cookson Electronics,Jersey City,New Jersey,USA)係本回焊製程中使用之適宜助焊劑。本文中，術語「孔隙」係意指界面處孔隙及整體含錫層內之孔隙兩者。「實質上不具孔隙」係意指，使用Cougar微焦X-射線系統(YXLON International GmbH,Hamburg,Germany)未見直徑大於3μm，較佳係大於2μm，更佳係大於1μm之孔隙。
本發明之電鍍組成物亦提供具有鍍覆後相 對平滑之表面的含錫焊料沉積物，亦即，經鍍覆後，該表面係具有平均表面粗糙度(Ra)為200nm，較佳係150nm，且甚至更佳係100nm，該粗糙度係使用光學輪廓儀(Leica DCM3D,Leica Microsystems GmbH,Wetzlar,Germany)量測。
[實施例] 實施例1
藉由組合下述者而製備用於沉積純錫之電鍍組成物：75g/L之錫(來自甲磺酸錫)、104g/L之甲磺酸、8.8g/L之乙氧基化β-萘酚非離子性界面活性劑、9.7g/L之乙氧基化雙酚A非離子性界面活性劑、0.0166g/L作為第一細晶劑之亞苄基丙酮、0.1g/L作為第二細晶劑之甲基丙烯酸、1.5g/L之醇溶劑、1g/L之商用抗氧化劑、及DI水(餘量)。該組成物之pH值係<1。
實施例2
使用實施例1之組成物於導電性接合特徵上沉積純錫。將具有75μm(直徑)×50μm(深度)之光阻劑圖案化通孔及37μm高之預形成銅導柱的晶圓片段(4cm×4cm)浸潤於含有實施例1之組成物的鍍覆槽中，並以純錫層鍍覆之。樣本係以8A/dm2於該浴中鍍覆。該浴之溫度為25℃。使用不溶之鍍鉑的鈦電極作為陽極，且該晶圓片段係陰極。進行電鍍，直至於銅導柱之頂部鍍覆完成高度為23μm的蘑菇狀錫蓋。所得錫層之形態係使用Hitachi S2460TM掃描電子顯微鏡檢查之。該純錫沉積係均一、平滑、緊緻、 且不具結節。
實施例3
藉由混合下述者而製備用於沉積錫-銀合金之電鍍組成物：75g/L之錫(來自甲磺酸錫)、0.65g/L之銀(來自甲磺酸銀)、104g/L之甲磺酸、5g/L之將EO與PO依序加成至乙二胺而衍生之四官能嵌段共聚物(EO：PO約為40：60,Tetronic 90R4)非離子性界面活性劑、0.0166g/L作為第一細晶劑之亞苄基丙酮、0.1g/L作為第二細晶劑之甲基丙烯酸、0.6g/L作為第一銀錯合劑之二硫雜烷基二醇、3.1g/L作為第二銀錯合劑之巰基四唑衍生物、1.5g/L之醇溶劑、1g/L之商用抗氧化劑、及DI水(餘量)。該組成物之pH值係<1。
將具有75μm(直徑)×72μm(深度)之光阻 劑圖案化通孔及銅晶種層的4cm×4cm晶圓片段浸潤於含有該錫-銀電鍍組成物之鍍覆槽中，並鍍覆錫-銀凸點。 樣本係以8A/dm2於該浴中鍍覆。該浴之溫度為25℃。使用不溶之鍍鉑的鈦電極作為陽極。進行電鍍，直至鍍覆完成60μm之凸點。所得錫-銀焊料凸點沉積物係平坦且具有平滑形態，使用Leica DCM3D光學輪廓儀量測之平均表面粗糙度為150nm。使用具有5個加熱區及2個冷卻區之Falcon 8500工具(Sikama International,Inc.)將該錫-銀焊料沉積回焊一次，回焊條件為140/190/230/230/260℃溫度、30秒駐留時間、運載器速率約100cm/min、且氮氣流速為40立方呎/小時。該焊料沉積物係以Alpha 100-40助焊劑助 焊。使用Cougar微焦X-射線系統(YXLON International GmbH,Hamburg,Germany)評估經回焊之錫-銀沉積物，發現其不具孔隙。
實施例4
藉由重複實施例3之過程並以表1中列述之金屬離子源替代銀離子源而製備多種錫合金電鍍組成物。
實施例5
重複實施例1及實施例3之電鍍組成物，但使用表2中列述之細晶劑。
比較例1
重複實施例3之步驟，但第一細晶劑亞苄基丙酮之量係0.166g/L。所得錫-銀凸點沉積係呈顯著凹形，且向該凸點之一側傾斜。藉由微焦X-射線對該沉積評估顯示，該沉積於一次回焊後形成孔隙(>3μm)。
比較例2
重複實施例3之步驟，但不使用第一細晶劑。所得錫-銀凸點沉積物之粗糙度係不可接受，藉由Leica DCM3D光學輪廓儀測得之平均表面粗糙度(Ra)大於800nm。

Claims (10)

  1. 一種電鍍組成物，其係包含：錫離子源；酸電解質；0.0001至0.045g/L之第一細晶劑；作為第二細晶劑之0.005至0.75g/L之α,β-不飽和脂族羰基化合物；非離子性界面活性劑；以及水；其中，該第一細晶劑係選自式(1)或式(2)之化合物： 其中，各R1係獨立為(C1-6)烷基、(C1-6)烷氧基、羥基、或鹵素；R2與R3係獨立選自H及(C1-6)烷基；R4係H、OH、(C1-6)烷基或O(C1-6)烷基；m係0至2之整數；各R5係獨立為(C1-6)烷基；各R6係獨立選自H、OH、(C1-6)烷基、或O(C1-6)烷基；n係1或2；以及，p係0、1或2。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，復包含合金金屬離子源。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中，該α,β-不飽和脂族羰基化合物係選自α,β-不飽和羧酸類、α,β-不飽和羧酸酯類、α,β-不飽和醯胺類、及α,β-不飽和醛類。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之組成物，其中，該α,β-不飽和脂族羰基化合物係選自(甲基)丙烯酸、巴豆酸、(甲基)丙烯酸(C1-6)烷基酯、(甲基)丙烯醯胺、巴豆 酸(C1-6)烷基酯、巴豆醯胺、巴豆醛、或其混合物。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中，該第一細晶劑係選自肉桂酸、肉桂醛、亞苄基丙酮、2-吡啶甲酸、吡啶二甲酸、吡啶甲醛、吡啶二甲醛、或其混合物。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中，該第一細晶劑係以0.001至0.04g/L之量存在。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中，該非離子性界面活性劑係包含烷氧基化胺部分。
  8. 一種在半導體基板上沉積含錫層的方法，係包含：提供包含複數個導電性接合特徵之半導體晶圓；令該半導體晶圓與如申請專利範圍第1項所述之組成物接觸；以及，施用足量之電流密度，以於該等導電性接合特徵上沉積含錫層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該等結合特徵係包含銅。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，於該等結合特徵上之該含錫層經鍍覆後及一個回焊(reflow)循環之後係實質上不具孔隙(void)。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5590259B1 (ja) * 2014-01-28 2014-09-17 千住金属工業株式会社 Ｃｕ核ボール、はんだペーストおよびはんだ継手
CN108779566A (zh) * 2016-02-16 2018-11-09 鲁米士德科技公司 含水介质中元素的电化学沉积
US10879156B2 (en) 2016-03-08 2020-12-29 Washington State University Mitigation of whisker growth in tin coatings by alloying with indium
US20170321340A1 (en) * 2016-03-08 2017-11-09 Washington State University Method of electroplating tin films with indium using an alkanesulfonic acid based electrolyte
KR101757192B1 (ko) * 2016-03-30 2017-07-12 주식회사 호진플라텍 웨이퍼 범프 도금을 위한 주석-은 합금 전기도금액
JP6818520B2 (ja) * 2016-11-11 2021-01-20 ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 中性スズめっき液を用いたバレルめっきまたは高速回転めっき方法
WO2019082885A1 (ja) * 2017-10-24 2019-05-02 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金めっき液
JP6620859B2 (ja) * 2017-10-24 2019-12-18 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金めっき堆積層の形成方法
JP2021508359A (ja) * 2017-12-20 2021-03-04 ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアＢａｓｆ Ｓｅ 抑制剤を含むスズまたはスズ合金電気めっき用組成物
US20190259722A1 (en) * 2018-02-21 2019-08-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Copper pillars having improved integrity and methods of making the same
WO2019201753A1 (en) 2018-04-20 2019-10-24 Basf Se Composition for tin or tin alloy electroplating comprising suppressing agent
KR102634250B1 (ko) * 2018-12-27 2024-02-07 솔브레인 주식회사 도금 조성물 및 솔더 범프 형성 방법
WO2021193696A1 (ja) * 2020-03-27 2021-09-30 三菱マテリアル株式会社 電解めっき液及び電解めっき方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL151449B (nl) * 1966-09-14 1976-11-15 Philips Nv Werkwijze voor de bereiding van een zuur bad voor het elektrolytisch neerslaan van tin.
US4384930A (en) * 1981-08-21 1983-05-24 Mcgean-Rohco, Inc. Electroplating baths, additives therefor and methods for the electrodeposition of metals
US4871429A (en) 1981-09-11 1989-10-03 Learonal, Inc Limiting tin sludge formation in tin or tin/lead electroplating solutions
JPH0233795B2 (ja) * 1983-05-16 1990-07-30 Matsugiin Rooko Inc Metsukyokusoseibutsu
US4582576A (en) * 1985-03-26 1986-04-15 Mcgean-Rohco, Inc. Plating bath and method for electroplating tin and/or lead
US5174887A (en) 1987-12-10 1992-12-29 Learonal, Inc. High speed electroplating of tinplate
US5061351A (en) * 1990-07-23 1991-10-29 Enthone-Omi, Inc. Bright tin electrodeposition composition
JP2001181889A (ja) * 1999-12-22 2001-07-03 Nippon Macdermid Kk 光沢錫−銅合金電気めっき浴
US6578754B1 (en) * 2000-04-27 2003-06-17 Advanpack Solutions Pte. Ltd. Pillar connections for semiconductor chips and method of manufacture
JP4362568B2 (ja) * 2000-06-02 2009-11-11 奥野製薬工業株式会社 錫−銅合金電気めっき液
US6818545B2 (en) 2001-03-05 2004-11-16 Megic Corporation Low fabrication cost, fine pitch and high reliability solder bump
TWI245402B (en) 2002-01-07 2005-12-11 Megic Corp Rod soldering structure and manufacturing process thereof
TWI240979B (en) 2004-10-28 2005-10-01 Advanced Semiconductor Eng Bumping process
KR100921919B1 (ko) 2007-11-16 2009-10-16 (주)화백엔지니어링 반도체 칩에 형성되는 구리기둥-주석범프 및 그의 형성방법
TR201816579T4 (tr) * 2007-12-11 2018-11-21 Macdermid Enthone Inc Nano parçacıklar içeren metal bazlı kompozit kaplamaların elektrolitik biriktirmesi.
JP5583894B2 (ja) * 2008-06-12 2014-09-03 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 電気錫めっき液および電気錫めっき方法
WO2010046235A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-29 Atotech Deutschland Gmbh Method to form solder deposits on substrates
JP5033979B1 (ja) * 2011-09-29 2012-09-26 ユケン工業株式会社 スズからなるめっき用酸性水系組成物
US8888984B2 (en) * 2012-02-09 2014-11-18 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Plating bath and method

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