TW201532834A - 用於暫時性晶片接合製程之環烯烴聚合物組成物及聚矽氧烷脫離層 - Google Patents

用於暫時性晶片接合製程之環烯烴聚合物組成物及聚矽氧烷脫離層 Download PDF

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Abstract

本發明廣泛地係關於待獨立地或一起使用之環烯烴聚合物接合組成物及脫離組成物，其實現微電子製造期間尤其整晶片機械去接合製程期間之薄晶片處置。該等脫離組成物包含由摻合於極性溶劑中之矽氧烷聚合物及共聚物製成之組成物，且該等脫離組成物在室溫下在大於一個月之時間內穩定。該等環烯烴聚合物接合組成物提供高熱穩定性，可接合至經充分處理之載體晶片，可在高溫熱處理之後經機械或雷射去接合，且容易藉由工業上可接受之溶劑而移除。根據本發明接合之晶片相比於其他商業接合材料而言展現較低之總研磨後堆疊TTV，且可經受得住200℃之PECVD處理。

Description

用於暫時性晶片接合製程之環烯烴聚合物組成物及聚矽氧烷脫離層 【相關申請案】
本申請案主張以下各申請案之優先權權益：2014年1月7日申請之題為「用於暫時性晶片接合製程之環烯烴聚合物組成物(Cyclic Olefin Polymer Compositions for Use in Temporary Wafer Bonding Processes)」之臨時申請案(申請案第61/924,442號)，及2014年3月14日申請之題為「作為用於黏附地接合之微電子基板之低機械力脫離層的超薄聚矽氧烷塗層(Ultrathin Polysiloxane Coatings as Low-force Mechanical Release Layers for Adhesively Bonded Microelectronics Substrates)」之臨時申請案(申請案第61/952,545號)，該等臨時申請案中之每一者以引用之方式併入本文中。
本發明係關於用於暫時性晶片接合製程之脫離層及接合材料。
晶片接合材料保護裝置基板之前側上之裝置特徵，且在背側處理期間提供至載體基板之黏著力及對變薄之晶片的機械支撐。3D-IC處理(尤其在矽穿孔(「through-silicon via；TSV」)及玻璃穿孔(「through-glass via；TGV」)技術之情況下)需要暫時性晶片接合材料經受得住高溫及高真空下 之製程，諸如電漿-增強型化學氣相沈積(「plasma-enhanced chemical vapr deposition；PECVD」)。該技術亦需要可在處理之後容易地將材料自晶片移除。另外，3D-IC將為製造商所採用需要較低擁有成本。
積體電路及半導體封裝製造商不斷地尋求具有低擁有成本之暫時性晶片接合技術，該技術使用能夠經受得住高溫及高真空下之處理且可在處理之後容易地進行清潔的材料。迄今為止，無單一技術/材料可滿足所有此等要求。環烯烴共聚物(cyclic olefin copolymer；COC)接合材料為一類常用材料。此等COC(諸如，使用TOPAS®及APEL®材料調配之彼等共聚物)係藉由環狀單體與乙烯之鏈共聚合生成。此等COC材料對於一些應用而言為良好的，但極難以在常用溶劑(諸如，d-檸檬烯及均三甲苯)中獲得清透溶液，且亦可能難以在處理之後自基板清除掉該等材料。
在一些暫時性接合方案中，諸如，來自布魯爾科技有限公司(Brewer Science Inc.)之ZoneBOND®區帶接合(描述於美國專利公開案第2009/0218560號及申請案第12/819,680號中，該公開案及該申請案兩者藉此以引用之方式併入本文中)，載體晶片可能需要在將晶片接合在一起之前對塗層進行預處理。先前，使用氟化溶劑(諸如，3M FC-40 FluorinertTM電子液體)中之鹵化矽烷來進行載體晶片製備。然而，矽烷/FC-40溶液並非實用之塗層材料，此係因為其不穩定，且FC-40由於環境關注而在用於微電子製造中受限。先前使用氟化矽烷之氣相沈積來處理矽晶片之表面。然而，氣相沈積為昂貴之製程，因為其需要的所涉及時間及昂貴的高品質工具兩者。
存在對克服上述缺點之額外接合方法及材料之需求。
在具體實例中，提供一種暫時性接合方法。該方法涉及提供堆疊，該堆疊包含：第一基板，其具有背表面及前表面；接合層，其鄰近該前表面，其中該接合層係由包含溶解或分散於溶劑系統中之環烯烴聚合物的組成物形成；及第二基板，其具有第一表面。在不使該堆疊經受熱之情況下分離該第一基板與該第二基板。
在另一具體實例中，本發明提供一種暫時性接合方法，其包含提供堆疊，該堆疊包含：第一基板，其具有背表面及前表面；接合層，其鄰近該前表面；及第二基板，其具有第一表面，其中該第一表面包括鄰近該接合層之聚矽氧烷不黏層。接著分離該第一基板與該第二基板。
在最後具體實例中，本發明提供一種物件，其包含第一基板，該第一基板具有背表面及前表面。存在鄰近該前表面之接合層。該物件亦包含第二基板，該第二基板具有第一表面，其中該第一表面包括鄰近該接合層之聚矽氧烷不黏層。
圖1為展示本發明之較佳具體實例之示意圖的橫截面圖。
圖2為描繪實施例18之接合材料之熱解重量分析(「thermogravimetric analysis；TGA」)資料的曲線圖。
圖3為在實施例19中接合之晶片的掃描聲學顯微影像。
圖4為實施例20之晶片對在300℃之熱處理後的相片。
圖5為實施例21之變薄之晶片對在PECVD製程後的IR影像。
圖6為實施例23之經接合之晶片對在於熱板上在260℃下熱處理達30分鐘之後的掃描聲學顯微影像。
脫離層
在具體實例中，利用脫離層。若干類型之脫離層可用於本發明，如下文更詳細解釋，但一種較佳類型為不黏層。用於形成根據本發明之不黏脫離層之較佳組成物包含矽氧烷聚合物及共聚物(具有矽氧烷之共聚物以及具有非矽氧烷之共聚物兩者)。較佳矽氧烷為選自由以下各者組成之群組的矽氧烷：環氧基、乙氧基、丙烯酸、羥基、乙烯基及胺，及其混合物。尤其較佳矽氧烷為環氧環己基乙基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(來自Gelest之ECMS-327)、ECMS-924(Gelest)、VDT-5035(Gelest)、EBP-234(Gelest)、AMS-2202(Gelest)、AMS-1203(Gelest)及其混合物。基於組成物之被視為按重量計100%之總重量，組成物較佳包含按重量計約0.01%至約8.0%、更佳按重量計約0.05%至約5.0%且甚至更佳按重量計約0.1%至約0.8%之矽氧烷。較佳地，聚合物具有約200道耳頓至約4,000,000道耳頓、更佳約1,000道耳頓至約400,000道耳頓且甚至更佳約2,000道耳頓至約40,000道耳頓之重量平均分子量。
不黏組成物亦較佳包含催化劑。合適的催化劑包括選自由以 下各者組成之群組之催化劑：光酸產生劑、熱酸產生劑及其混合物。尤其較佳催化劑包括來自King Industries公司之K-PURE®TAG-2689或1,1'-偶氮雙(環己烷甲腈)。基於組成物之被視為按重量計100%之總重量，不黏組成物較佳包含按重量計約0.002%至約0.1%之催化劑、更佳按重量計約0.005%至約0.1%之催化劑，且甚至更佳按重量計約0.008%至約0.1%之催化劑。
不黏組成物亦包含工業接受之安全溶劑，該安全溶劑典型地為極性溶劑。合適的溶劑包括選自由以下各者組成之群組之溶劑：丙二醇單甲醚(「propylene glycol monomethyl ether；PGME」)、d-檸檬烯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙氧基丙醇(「PnP」)、丙二醇甲基醚乙酸酯(「propylene glycol methyl ether acetate；PGMEA」)、乳酸乙酯及其混合物。基於不黏組成物之被視為按重量計100%之總重量，組成物較佳包含按重量計約90%至約99.99%之溶劑、更佳按重量計約92%至約99.5%之溶劑，且甚至更佳按重量計約95%至約99%之此溶劑。一種尤其較佳溶劑混合物為PGME(按重量計約5%至約40%)及d-檸檬烯(按重量計約60%至約95%)之混合物。
在具體實例中，不黏組成物基本上不含矽烷。亦即，基於不黏組成物之被視為按重量計100%之總重量，不黏組成物包含按重量計小於約0.5%、較佳小於約0.1%且更佳為約0%之矽烷。在另一具體實例中，不黏組成物基本上由以下各者組成或甚至由以下各者組成：矽氧烷、催化劑及溶劑(較佳為極性溶劑)。不黏組成物係藉由將上述成份簡單地混合在一起而形成。
接合組成物
接合材料包含溶解或分散於溶劑系統中之聚合物或聚合物 摻合物。取決於所要塗佈、接合及去接合效能，可將諸如抗氧化劑、界面活性劑、增黏劑及調色劑之其他添加劑包括於接合材料中。
在具體實例中，聚合物或聚合物摻合物係選自由以下各者之聚合物及寡聚物組成之群組：環烯烴、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯類、乙烯基鹵化物、乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、環烯烴、聚烯烴橡膠、聚胺基甲酸酯、乙烯-丙烯橡膠、聚醯胺酯、聚醯亞胺酯、聚縮醛類及聚乙烯醇縮丁醛(polyvinyl buterol)，其中最佳者為環烯烴聚合物。合適的環烯烴聚合物包括藉由複分解聚合技術用諸如降冰片烯之單一單體製備且接著經氫化以產生最終產物之聚合物。特別較佳COP材料包括以商品名Zeonex® 5000及Zeonex 480R銷售之材料。
基於接合組成物之被視為按重量計100%之總重量，聚合物或聚合物摻合物應以按重量計約1%至按重量計約60%、更佳按重量計約20%至按重量計約40%且甚至更佳按重量計約25%至按重量計約35%之含量存在於接合組成物中。較佳地，聚合物具有約1,000道耳頓至約200,000道耳頓、更佳約5,000道耳頓至約150,000道耳頓且甚至更佳約10,000道耳頓至約100,000道耳頓之重量平均分子量。
合適的溶劑系統包括烴溶劑，諸如選自由以下各者組成之群組之溶劑：d-檸檬烯、均三甲苯、環辛烷及雙環己烷。基於組成物之被視為按重量計100%之總重量，一或多種溶劑應以按重量計約40%至按重量計約99%、更佳按重量計約60%至按重量計約80%且甚至更佳按重量計約65%至按重量計約75%之含量存在於組成物中。
合適的抗氧化劑包括酚系抗氧化劑，諸如選自由以下各者組 成之群組的抗氧化劑：1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3,5-二第三丁基-4-羥苄基)苯(以Irganox®1330銷售)及苯丙酸、3,5-雙(1,1-二甲基乙基)-4-羥基-1,6-己二醇酯(Irganox®L-109)。基於組成物之被視為按重量計100%之總重量，抗氧化劑應以按重量計約0.05%至按重量計約10%、更佳按重量計約1%至按重量計約5%且甚至更佳按重量計約2%至按重量計約4%之含量存在於組成物中。
在較佳具體實例中，接合組成物基本上不含環烯烴共聚物。亦即，基於接合組成物之被視為按重量計100%之總重量，接合組成物包含按重量計小於約0.5%、較佳小於約0.1%且更佳約0%之環烯烴共聚物。
在另一具體實例中，接合組成物基本上不含蒎烯及聚(蒎烯)。亦即，基於接合組成物之被視為按重量計100%之總重量，接合組成物包含按重量計小於約0.5%、較佳小於約0.1%且更佳約0%之蒎烯及聚(蒎烯)。
在另一具體實例中，接合組成物基本上不含松香酯。亦即，基於接合組成物之被視為按重量計100%之總重量，接合組成物包含按重量計小於約0.5%、較佳小於約0.1%且更佳約0%之松香酯。
在另一具體實例中，接合組成物基本上不含聚矽氧。亦即，基於接合組成物之被視為按重量計100%之總重量，接合組成物包含按重量計小於約0.5%、較佳小於約0.1%且更佳約0%之聚矽氧。
在具體實例中，接合組成物基本上由以下各者組成或甚至由以下各者組成：環烯烴聚合物、抗氧化劑及溶劑。在另一具體實例中，接合組成物基本上由以下各者組成或甚至由以下各者組成：環烯烴聚合物、抗氧化劑、溶劑及任何界面活性劑、調色劑及/或增黏劑。
組成物係藉由簡單混合上述成份以產生該等成份之實質上 均勻混合物而形成。較佳地，首先將任何額外成份(諸如，抗氧化劑)溶解於溶劑中，且最後添加一或多種聚合物。有利地，此舉導致形成視覺上清透之溶液。此外，與此等接合組成物接合之晶片對能夠經受得住於熱板上在約300℃下處理達約30分鐘(亦即，接合線中不存在缺陷)。此等接合材料亦提供極佳之整體總厚度變化(「total thickness variation；TTV」，針對50μm之接合線小於約3μm)，且可經受得住200℃之PECVD製程。
本發明之方法
參看圖1(a)(未按比例繪製)，在示意性及橫截面圖中描繪前驅體結構10。結構10包括第一基板12。基板12具有前表面或裝置表面14、背表面16及最外邊緣18。雖然基板12可具有任何形狀，但其形狀典型地為圓形。較佳第一基板12包括裝置晶片，諸如裝置表面包含選自由以下各者組成之群組的裝置之陣列(圖中未示)的裝置晶片：積體電路、MEMS、微感測器、功率半導體、發光二極體、光子電路、插入件、嵌入式被動裝置，及製造於矽及其他半導體材料上或由矽及其他半導體材料製造之其他微裝置，該等半導體材料諸如矽鍺、砷化鎵、氮化鎵、砷化鋁鎵、磷化鋁銦鎵及磷化銦鎵。此等裝置之表面通常包含由以下材料中之一或多者形成之結構(同樣圖中未示)：矽、多晶矽、二氧化矽、氮(氧)化矽、金屬(例如，銅、鋁、金、鎢、鉭)、低k介電質、聚合物介電質及各種金屬氮化物及矽化物。裝置表面14亦可包括選自由以下各者組成之群組的至少一結構：焊料凸塊；金屬柱；金屬支柱；及由選自由以下各者組成之群組之材料形成的結構：矽、多晶矽、二氧化矽、氮(氧)化矽、金屬、低k介電質、聚合物介電質、金屬氮化物及金屬矽化物。
將組成物塗覆至第一基板12以在裝置表面14上形成接合層20，如圖1(a)中所示。接合層20具有遠離第一基板12之上表面21，且較佳地，接合層20直接鄰近裝置表面14而形成(亦即，接合層20與基板12之間不存在任何中間層)。雖然接合層20經展示為覆蓋第一基板12之整個裝置表面14，但應瞭解，其可僅存在於裝置表面14之數部分或「區」上，如美國專利公開案第2009/0218560號中所示。
可藉由任何已知塗覆方法(包含浸塗、滾塗、狹縫塗佈、模塗法、絲網印刷、下拉塗佈或噴塗)來塗覆接合組成物。此外，可在將塗層塗覆至裝置基板或載體基板表面之前將塗層形成為獨立式膜。一種較佳方法涉及在約5秒至約120秒(較佳約10秒至約60秒)之時間段內以約200rpm至約3,000rpm(較佳約500rpm至約2,000rpm)之速度旋塗組成物。在塗覆組成物之後，較佳將組成物加熱至約40℃至約250℃、且更佳約90℃至約220℃之溫度且加熱達約60秒至約90分鐘(較佳約180秒至約60分鐘)之時間段。取決於用以形成接合層20之組成物，烘烤亦可引發交聯反應以使層20固化。在一些具體實例中，較佳使層經受多級烘烤製程，此情形取決於所利用之組成物。此外，在一些情況下，可對組成物之另一等分試樣重複上述塗覆及烘烤製程，以使得在多個步驟中將第一接合層20「建置」於第一基板12上。所得層20應具有約1μm至約200μm、更佳約10μm至約150μm且甚至更佳約30μm至約120μm之平均厚度(取五次量測結果之平均值)。
形成接合層20之材料應能夠分別與第一基板12及第二基板24形成強黏著性接合。需要將具有如藉由ASTM D4541/D7234測定之大於 約50psig、較佳約80psig至約250psig且更佳約100psig至約150psig之黏著強度的任何層用作接合層20，其中上文已描述例示性組成物。
亦在圖1(a)之示意性及橫截面圖中描繪第二前驅體結構22。第二前驅體結構22包括第二基板24。在此具體實例中，第二基板24為載體晶片。亦即，第二基板24具有前表面或載體表面26、背表面28及最外邊緣30。雖然第二基板24可具有任何形狀，但其形狀典型地為圓形，且按類似於第一基板12之方式設定大小。較佳第二基板24包括矽、藍寶石、石英、金屬(例如，鋁、銅、鋼)及各種玻璃及陶瓷。
將組成物塗覆至第二基板24以在載體表面26上形成脫離層32(在此具體實例中，較佳為不黏層)，如圖1(a)中所示。(替代地，可提供已形成之結構22。)不黏層32具有遠離第二基板24之上表面33及鄰近第二基板24之下表面35。較佳地，不黏層32直接鄰近載體表面26而形成(亦即，第二接合層32與第二基板24之間不存在任何中間層)。
可藉由任何已知塗覆方法來塗覆不黏組成物，其中一種較佳方法為：在約5秒至約120秒(較佳約30秒至約90秒)之時間段內以約500rpm至約5,000rpm(較佳約500rpm至約2,000rpm)之速度旋塗組成物。在塗覆組成物之後，較佳將組成物加熱至約100℃至約300℃且更佳約150℃至約250℃之溫度且加熱達約30秒至約5分鐘(較佳約90至約3分鐘)之時間段。不黏層32較佳具有小於約1μm、較佳約0.1μm至約1μm且更佳約1nm至約25nm之平均厚度。
再次參看圖1(a)之結構22，雖然不黏層32經展示為覆蓋第二基板24之整個表面26，但應瞭解，其可僅存在於載體表面26之數部 分或「區」上，類似於在接合層20之情況下所描述之情形。無論如何，經脫水/固化層32將與水具有較高接觸角，此情形實現去接合步驟(下文論述)期間之聚合物脫離。典型接觸角(如實施例10中描述般量測)將為至少約60°，較佳約60°至約120°，更佳約90°至約110°且甚至更佳約100°至約110°。較佳地，不黏層32亦具有如上文所描述般測定之小於約50psig、較佳小於約35psig且更佳約1psig至約30psig之黏著強度。
接著將結構10及22以面對面關係按壓在一起，以使得接合層20之上表面21接觸不黏層32之上表面33(圖1(b))。在按壓時，在足夠時間量內施加足夠壓力及熱，以實現兩個結構10及22在一起之接合從而形成經接合之堆疊34。接合參數將取決於形成接合層20之組成物而變化，但此步驟期間之典型溫度將在約100℃至約400℃且較佳約150℃至約250℃之範圍內(其中典型壓力在約100N至約20,000N且較佳約1,000N至約10,000N之範圍內)，在長達約1分鐘至約20分鐘、較佳約2分鐘至約10分鐘且更佳約3分鐘至約5分鐘之時間段內。
在替代具體實例中，應瞭解，可使用先前所描述之塗覆製程將接合層20塗覆至不黏層32之上表面33，而非塗覆至第一基板12之表面14。在此情況下，接著使第一基板12經受上述接合製程以將第一基板12之表面14接合至接合層20，該接合層20先前已形成於不黏層32之上表面33上。
不管使用哪個具體實例形成經接合之堆疊34，現在均可安全地處置第一基板12且使其經受進一步處理，該進一步處理可能在不接合至第二基板24之情況下以其他方式破壞第一基板12。因此，可使結構安全 地經受背側處理，諸如背側研磨、化學-機械拋光(「chemincal-mechanical polishing；CMP」、蝕刻、金屬化、介電質沈積、圖案化(例如，光微影、介層孔蝕刻)、鈍化、退火及其組合，而不會發生基板12及24之分離，且不會發生在此等後續處理步驟期間遇到之任何化學物質之浸潤。接合層20不僅可經受得住此等製程，而且可經受得住高達約450℃、較佳約200℃至約400℃且更佳約200℃至約350℃之處理溫度。
一旦處理完成，便可藉由任何數目種分離方法(圖中未示)分離基板12及24。一種方法涉及將接合層20溶解於溶劑(例如，檸檬烯、十二烯、PGME)中。替代地，亦可藉由首先使用雷射切除、電漿蝕刻、水噴射或有效地蝕刻或分解接合層20之其他高能量技術機械地分裂或破壞接合層20來分離基板12及24。首先藉由某種等效手段鋸斷或切斷接合層20或劈裂層20亦係合適的。此外，應瞭解，其他層(圖中未示)可能包括於堆疊中，且去接合可發生於彼其他層處，而非發生於接合層20處。舉例而言，可能包括清潔層，且可藉由溶解彼清潔層來執行去接合。作為另一實例，可包括雷射脫離層，且可藉由跨越彼雷射脫離層進行之雷射切除來實現去接合。
在利用除含環烯烴聚合物之組成物外的接合組成物之情境中，合適的分離方法涉及將經接合之堆疊34加熱至至少約100℃、較佳約150℃至約220℃且更佳約180℃至約200℃之溫度。應瞭解，在此等溫度下，接合層20將軟化，從而允許分離基板12及24(例如，藉由滑動去接合方法，諸如以引用之方式併入本文中的美國專利公開案第2008/0200011號中所描述之方法)。
應瞭解，使用本發明之含環烯烴聚合物之組成物的具體實例避免了在分離之前加熱接合層20之需求。亦即，在處理完成之後，可在無任何熱曝露之情況下使用低機械力去接合方法分離堆疊34。在此情況下，在分離之前及期間，將堆疊34曝露於小於約100℃、較佳小於約75℃、更佳小於約50℃、甚至更佳小於約30℃且最佳約環境溫度(且當然不低於環境溫度)之溫度。應理解，分離期間之熱曝露之缺乏並不排除在堆疊處理期間、分離之前發生之熱曝露，而僅為熱曝露在處理完成之後停止。因此，例如，可能在堆疊處理期間發生之熱曝露將在堆疊分離之前在至少約60秒且更佳至少約300秒時結束。
不管利用上述手段中之哪種手段，均可接著施加低機械力(例如，指壓、平緩楔入)以完全分離基板12及24。在分離之後，可用能夠溶解特定層20之溶劑移除任何剩餘接合層20。實際上，可藉由習知使用之溶劑高度移除本發明之接合層20。亦即，當在環境溫度下將接合層20與典型清潔溶劑(例如，d-檸檬烯)接觸達約1分鐘至約10分鐘且較佳約3分鐘至約5分鐘之時間段後，可將接合層20移除至少約95%，較佳移除至少約98%且更佳移除約100%。
在上述具體實例中，不黏層32經展示為在第二基板24上，該第二基板24為載體晶片，而接合層20經展示為在第一基板12上，該第一基板12為裝置晶片。應瞭解，可將此基板/層方案逆轉。亦即，不黏層32可形成於第一基板12(裝置晶片)上，而接合層20形成於第二基板24(載體晶片)上。相同組成物及處理條件可適用於此具體實例，如上文所描述之具體實例。此外，不黏層32之使用為任選的。可在不存在不黏層32 之情況下單獨使用接合層20。接合層20亦可與額外接合材料、結構支撐層、其他類型之脫離層(如先前所提及，包括(但不限於)機械去接合、雷射去接合及熱或化學去接合)、層壓輔助層、連接層(用於黏著至初始基板)、污染控制層及清潔層一起使用。較佳結構及塗覆技術將藉由塗覆及處理流程指定。
可結合COP接合材料使用之聚合結構支撐層可包含單體、寡聚物、聚合物、懸浮粒子及/或其組合。合適的單體、寡聚物及聚合物之實例包括選自由以下各者組成之群組的物質：環烯烴聚合物及共聚物、聚醯亞胺、聚異丁烯、烴樹脂、環氧樹脂、氟聚合物、聚碸、聚醚碸、聚醚醚酮、聚羥基醚及聚乙烯醇縮丁醛。合適的懸浮粒子包括選自由以下各者組成之群組之粒子：氧化鋁、二氧化鈰、二氧化鈦、二氧化矽、二氧化鋯、石墨及奈米粒子、溶膠-凝膠粒子及其混合物。較佳組成物在如藉由玻璃轉變溫度、熱膨脹係數及模數指示之使用溫度下在結構上將為硬質的。
結合COP接合材料使用之機械載體脫離層(另外或代替，上文所論述之聚矽氧烷層)可由單體、寡聚物及/或聚合物構成。合適的單體、寡聚物及聚合物之實例包括環烯烴聚合物及共聚物、聚異丁烯、烴樹脂、環氧樹脂、氟聚合物、聚醯亞胺、聚碸、聚羥基醚、聚乙烯醇縮丁醛、具有高原子氟含量之無晶型氟聚合物，諸如氟化矽氧烷聚合物、氟化乙烯-丙烯共聚物、四氟乙烯六氟丙烯、偏二氟乙烯三元共聚物、六氟丙烯、亞乙烯基氟共聚物、偏二氟乙烯聚合物及具有側位全氟烷氧基之聚合物。 結合COP接合材料使用之雷射載體脫離層可由單體、寡聚物及/或聚合物構成。合適的雷射脫離層之一實例為聚醯亞胺。
實施例
以下實施例闡述根據本發明之較佳方法。然而，應理解，此等實施例係以說明之方式提供，且不應將其中之內容視為對本發明之整體範疇之限制。
實施例1
0.5%之ECMS-327矽氧烷溶液之調配
將0.02公克之K-PURE® TAG-2689(King Industries有限公司，Norwalk，CT)及19.9公克之丙二醇單甲醚(「propylene glycol monomethyl ether；PGME」，Ultra Pure有限公司，Castroville，CA)添加至250mL之玻璃瓶。將溶液混合達5至10分鐘直至所有K-PURE® TAG-2689溶解為止。接下來，接著將79.58公克之d-檸檬烯(Florida Chemical公司，Winter Haven，FL)及0.5公克之ECMS-327(聚矽氧烷，結構如下文所示；Gelest，Morrisville，PA)添加至該溶液。將最終溶液混合達30至60分鐘直至所有聚矽氧烷溶解為止，此後，藉由0.1-μm盤式過濾器(Whatman有限公司，Florham Park NJ)將該溶液過濾一次。聚矽氧烷在此溶液中之總濃度為按重量計0.5%。
實施例2
0.5%之ECMS-924矽氧烷溶液之調配
將0.02公克之K-PURE® TAG-2689(King Industries有限公 司，Norwalk，CT)及19.9公克之PGME(Ultra Pure有限公司，Castroville，CA)添加至250mL之玻璃瓶。將溶液混合達5至10分鐘直至所有K-PURE® TAG-2689溶解為止。接著將79.58公克之d-檸檬烯(Florida Chemical公司，Winter Haven，FL)及0.5公克之ECMS-924(聚矽氧烷，Gelest，Morrisville，PA)添加至溶液。(此聚合物之結構類似於針對實施例1所示之結構，其中數目之差異表示分子量之差異。)將最終溶液混合達30至60分鐘直至所有聚矽氧烷溶解為止，且接著藉由0.1-μm盤式過濾器(Whatman有限公司，Florham Park NJ)將溶液過濾一次。聚矽氧烷在此溶液中之總濃度為按重量計0.5%。
實施例3
0.5%之VDT-5035矽氧烷溶液之調配
將100公克之PGME(Ultra Pure有限公司，Castroville，CA)、0.5公克之VDT-5035(Gelest，結構如下文所示；Morrisville，PA)及0.025公克之1,1'-偶氮雙(環己烷甲腈)(Sigma-Aldrich，St.Louis，MO)添加至250mL之玻璃瓶。將最終溶液混合達30至60分鐘直至所有聚矽氧烷溶解為止。聚矽氧烷在此溶液中之總濃度為按重量計約0.5%。
實施例4
0.5%之EBP-234矽氧烷溶液之調配
將100公克之PGME(Ultra Pure有限公司，Castroville，CA)、 0.5公克之EBP-234(Gelest，結構如下文所示；Morrisville，PA)及0.027公克之K-PURE® TAG-2689添加至250mL之玻璃瓶。將最終溶液混合達30至60分鐘直至所有聚矽氧烷溶解為止。聚矽氧烷在此溶液中之總濃度為按重量計約0.5%。
實施例5
0.6%之ECMS-327矽氧烷溶液之調配
將0.02公克之K-PURE®TAG-2689(King Industries有限公司，Norwalk，CT)及4.969公克之PGME(Ultra Pure有限公司，Castroville，CA)添加至250mL之塑膠瓶。將溶液混合達5至10分鐘直至所有K-PURE® TAG-2689溶解為止。接著將94.411公克之3-乙氧基丙酸酯(EEP，Sigma-Aldrich有限公司，St.Louis，MO)及0.6公克之ECMS-327(聚矽氧烷，Gelest，Morrisville，PA)添加至溶液。將最終溶液混合達30至60分鐘直至所有聚矽氧烷溶解為止，且接著藉由0.1-μm盤式過濾器(Whatman有限公司，Florham Park NJ)將溶液過濾一次。聚矽氧烷在此溶液中之總濃度為按重量計0.6%。
實施例6
0.1%之ECMS-327矽氧烷溶液之調配
將0.004公克之K-PURE® TAG-2689(King Industries有限公 司，Norwalk，CT)及4.9948公克之PGME(Ultra Pure有限公司，Castroville，CA)添加至250mL之塑膠瓶。將溶液混合達5至10分鐘直至所有K-PURE® TAG-2689溶解為止。接下來，接著將94.9012公克之3-乙氧基丙酸酯(EEP，Sigma-Aldrich有限公司，St.Louis，MO)及0.1公克之ECMS-327(聚矽氧烷，Gelest，Morrisville，PA)添加至溶液。將最終溶液混合達30至60分鐘直至所有聚矽氧烷溶解為止，且接著藉由0.1-μm盤式過濾器(Whatman有限公司，Florham Park NJ)將溶液過濾一次。聚矽氧烷在此溶液中之總濃度為按重量計0.1%。
實施例7
0.2%之ECMS-327矽氧烷溶液之調配
將0.008公克之K-PURE® TAG-2689(King Industries有限公司，Norwalk，CT)及4.9896公克之PGME(Ultra Pure有限公司，Castroville，CA)添加至250mL之塑膠瓶。將溶液混合達5至10分鐘直至所有K-PURE® TAG-2689溶解為止。接下來，將94.8024公克之3-乙氧基丙酸酯(EEP，Sigma-Aldrich有限公司，St.Louis，MO)及0.2公克之ECMS-327(聚矽氧烷，Gelest，Morrisville，PA)添加至溶液。將最終溶液混合達30至60分鐘直至所有聚矽氧烷溶解為止，後續接著藉由0.1-μm盤式過濾器(Whatman有限公司，Florham Park NJ)將溶液過濾一次。聚矽氧烷在此溶液中之總濃度為按重量計0.2%。
實施例8
0.6%之AMS-2202矽氧烷溶液之調配
將49.7公克之PGME(Ultra Pure有限公司，Castroville，CA) 及0.3公克之AMS-2202(Gelest，結構如下文所示；Morrisville，PA)添加至250mL之塑膠瓶。將最終溶液混合達30至60分鐘直至所有聚矽氧烷溶解為止。聚矽氧烷在此溶液中之總濃度為按重量計約0.6%。
實施例9
0.6%之AMS-1203矽氧烷溶液之調配
將49.7公克PGME(Ultra Pure有限公司，Castroville，CA)及0.3公克之AMS-1203(Gelest，Morrisville，PA)添加至250mL之塑膠瓶。將最終溶液混合達30至60分鐘直至所有聚矽氧烷溶解為止。聚矽氧烷在此溶液中之總濃度為按重量計約0.6%。
實施例10
矽氧烷溶液之測試
藉由在10,000rpm/s斜度之情況下以1,500rpm自旋達30秒將在實施例1至9中調配之溶液旋塗至100-mm矽晶片上，且接著在205℃下烘烤達60秒。所有晶片經由視覺觀測具有良好塗佈品質。藉由橢偏儀量測厚度。使用VCA Optima Tool(AST Products有限公司，Billerica，MA)量測與水之接觸角。結果列於表1中。
表1.矽氧烷溶液之溶液外觀、厚度及接觸角。
實施例11
實施例1之矽氧烷溶液與環烯烴聚合物之接合測試
藉由在10,000rpm/s之斜度之情況下以1,500rpm自旋達30秒將在實施例1中調配之溶液旋塗至200-mm矽晶片上，且接著在205℃下烘烤達60秒。經完全塗佈之晶片之接觸角經測定為105。藉由在3,000rpm/s之斜度之情況下以1,000rpm旋塗達30秒將實施例16之環烯烴聚合物接合材料之50-μm膜塗佈至另一200-mm矽晶片上，且接著在60℃下烘烤達3分鐘，在160℃下烘烤達2分鐘及在205℃下烘烤達2分鐘。
將兩個晶片在EVG510接合機上在200℃下於加熱真空中達3分鐘及在具有1,800N之接合壓力的壓力腔下以面對面關係接合。在冷卻至室溫後，使用ZoneBOND®分離工具藉由剝離製程容易地分離經接合之晶片。
實施例12
實施例5之矽氧烷溶液與環烯烴聚合物之接合測試
藉由在10,000rpm/s之斜度之情況下以1,500rpm自旋達30秒將在實施例5中調配之溶液旋塗至200-mm矽晶片上，且接著在205℃下烘烤達60秒。經完全塗佈之晶片之接觸角經量測為105。藉由在3,000rpm/s 之斜度之情況下以1,000rpm旋塗達30秒將實施例16之環烯烴聚合物接合材料之50-μm膜塗佈至另一200-mm矽晶片上，且接著在60℃下烘烤達3分鐘，在160℃下烘烤達2分鐘及在205℃下烘烤達2分鐘。
將兩個晶片在EVG510接合機上在200℃下於加熱真空中達3分鐘及在具有1,800N之接合壓力的壓力腔下以面對面關係接合。在冷卻至室溫後，使用ZoneBOND®分離工具藉由剝離製程容易地分離經接合之晶片。
實施例13
實施例5之矽氧烷溶液與環烯烴聚合物之接合及背側處理測試
藉由在10,000rpm/s之斜度之情況下以1,500rpm自旋達30秒將在實施例5中調配之溶液旋塗至200-mm矽晶片上，且接著在205℃下烘烤達60秒。經完全塗佈之晶片之接觸角經量測為105。藉由在3,000rpm/s之斜度之情況下以1,000rpm旋塗達30秒將實施例16之環烯烴聚合物接合材料之50-μm膜塗佈至另一200-mm矽晶片上，且接著在60℃下烘烤達3分鐘，在160℃下烘烤達2分鐘及在205℃下烘烤達2分鐘。
將兩個晶片在EVG510接合機上在200℃下於加熱真空中達3分鐘及在具有1,800N之接合壓力的壓力腔下以面對面關係接合。接著將晶片對冷卻至室溫。使晶片對經受背側研磨製程，該製程使裝置晶片之厚度變薄至50μm。接著在260℃下將晶片對熱處理達30分鐘且再次將其冷卻至室溫。
使用ZoneBOND®分離工具藉由剝離製程容易地分離經接合之晶片。
實施例14
實施例5之矽氧烷溶液與WaferBOND® HT-10.10材料之接合測試
藉由在10,000rpm/s之斜度之情況下以1,500rpm自旋達30秒將在實施例5中調配之溶液旋塗至200-mm矽晶片上，且接著在205℃下烘烤達60秒。經完全塗佈之晶片之接觸角經量測為105。藉由在500rpm/s之斜度之情況下以400rpm旋塗達35秒將WaferBOND® HT-10.10材料(Brewer Science有限公司)之50-μm膜塗佈至另一200-mm矽晶片上，且接著在120℃下烘烤達3分鐘及在180℃下烘烤達4分鐘。
將兩個晶片在EVG510接合機上在180℃下於加熱真空中達3分鐘及在具有1,800N之接合壓力的壓力腔下以面對面關係接合。在冷卻至室溫後，使用ZoneBOND®分離工具藉由剝離製程容易地分離經接合之晶片。
實施例15
實施例5之矽氧烷溶液與WaferBOND® HT-10.10材料之接合及背側處理測試
藉由在10,000rpm/s之斜度之情況下以1,500rpm自旋達30秒將在實施例5中調配之溶液旋塗至200-mm矽晶片上，且接著在205℃下烘烤達60秒。經完全塗佈之晶片之接觸角經量測為105。藉由在500rpm/s之斜度之情況下以400rpm旋塗達35秒將WaferBOND® HT-10.10材料(Brewer Science有限公司)之50-μm膜塗佈至另一200-mm矽晶片上，且接著在120℃下烘烤達3分鐘及在180℃下烘烤達4分鐘。
將兩個晶片在EVG510接合機上在180℃下於加熱真空中達3分鐘及在具有1,800N之接合壓力的壓力腔下以面對面關係接合。接著將 晶片對冷卻至室溫。使晶片對經受背側研磨製程，該製程使裝置晶片之厚度變薄至50μm。接著在260℃下將晶片對熱處理達30分鐘且再次將其冷卻至室溫。接著使用ZoneBOND®分離工具藉由剝離製程容易地分離經接合之晶片。
實施例16
接合材料1之調配
首先，將1.8公克之Irganox® 1330抗氧化劑(Sigma-Aldrich，MO)溶解於138.2公克之d-檸檬烯(Florida Chemical公司，FL)中。接著，將60公克之ZEONEX® 5000環烯烴聚合物(日本Zeon公司)添加至溶液，且在旋轉輪上旋轉溶液直至聚合物完全溶解為止。接著用0.2-μm之Meissner Vangard過濾器過濾溶液。
實施例17
接合材料2之調配
首先，將1.8公克之Irganox® 1330抗氧化劑溶解於140公克之d-檸檬烯中。接著，將54公克之ZEONEX® 5000及6公克之ZEONEX® 480R環烯烴聚合物(日本Zeon公司)添加至溶液，且在旋轉輪上旋轉溶液直至聚合物完全溶解為止。接著用0.2-μm之Meissner Vangard過濾器過濾溶液。
實施例18
接合材料之熱穩定性測試
將實施例16之接合材料在3,000rpm/s之加速度之情況下在30秒內以750rpm旋塗至八吋晶片上。接著將晶片在60℃下烘烤達2分鐘，在160℃下烘烤達2分鐘且在200℃下烘烤達13分鐘。將膜自晶片刮掉以用 於TGA。使用10℃/min斜度在空氣中執行TGA。結果展示於圖2中。分解溫度為436℃，且2%之重量損失點係在363℃。
實施例19
使用接合材料進行之基板之接合
在此實施例中，藉由在3,000rpm/s之加速度之情況下以1,000rpm旋塗材料達30秒將實施例16之接合材料之50-μm塗層塗佈於八吋Si晶片上。接著將晶片在60℃下烘烤達3分鐘，在160℃下烘烤達2分鐘且在200℃下烘烤達2分鐘。藉由在250rpm/s之加速度之情況下以1,250rpm旋塗達30秒對載體Si晶片塗佈Brewer Science® ZoneBOND® 3500-02防黏材料。接著將載體晶片在160℃下烘烤達3分鐘。接著使用EVG型號510接合機在真空(<5毫巴)下在200℃、1,800N下接合晶片對達3分鐘。使用Sonoscan之掃描聲學顯微鏡檢查該經接合對。影像展示晶片對經良好接合，且未偵測到空隙(圖3)。
實施例20
使用實施例16之接合材料接合之晶片對的熱處理
在此實施例中，藉由在3,000rpm/s之加速度之情況下以1,000rpm旋塗材料達30秒將實施例16之接合材料之50-μm塗層塗佈於八吋矽晶片上。接著將晶片在60℃下烘烤達3分鐘，在160℃下烘烤達2分鐘且在205℃下烘烤達2分鐘。藉由在250rpm/s之加速度之情況下以1,250rpm旋塗達30秒對玻璃載體晶片塗佈Brewer Science® ZoneBOND® 3500-02防黏材料。接著將載體晶片在160℃下烘烤達3分鐘。接著在EVG510接合機中在真空(<5毫巴)下在200℃、1,800N下接合晶片對達3分鐘。接著將該經 接合對在300℃下置放於熱板上達30分鐘。在熱處理後未觀測到空隙或缺陷，如圖4中可見。在熱處理後，在無邊緣浸泡或清潔之情況下用Brewer Science®剝離去接合機分離晶片。
實施例21
經接合之變薄之晶片對的PECVD
在此實施例中，藉由在3,000rpm/s之加速度之情況下以1,000rpm旋塗材料達30秒將實施例16之接合材料之50-μm塗層塗佈於八吋Si晶片上。接著將晶片在60℃下烘烤達3分鐘，在160℃下烘烤達2分鐘且在200℃下烘烤達2分鐘。藉由在250rpm/s之加速度之情況下以1,250rpm旋塗達30秒對玻璃載體塗佈Brewer Science® ZoneBOND® 3500-02防黏材料。接著將載體晶片在160℃下烘烤達3分鐘。接著在EVG510接合機中在真空(<5毫巴)下在200℃、1,800N下接合晶片對達3分鐘。使用市售DISCO®牌晶片研磨工具使裝置晶片變薄至50-μm之厚度。將SiOx層在PECVD腔中在200℃下沈積於變薄之晶片上達2分鐘。晶片對經極良好地接合，且藉由IR觀測未偵測到空隙(圖5)。
實施例22
去接合後之接合材料之清潔
在此實施例中，將實施例16之材料之50-μm膜塗佈於八吋坯料矽晶片上。對矽載體晶片塗佈BrewerScience® ZoneBOND® 3500-02防黏材料。接著使用EVG型號510接合機在真空(<5毫巴)下在210℃、1,800N下接合晶片對達3分鐘。接著在室溫下在Brewer Science剝離去接合機上將晶片對去接合。接著，在Brewer Science® Cee® 200FX旋塗器上使用中央施配 製程用400mL之d-檸檬烯來清潔裝置晶片，其中條件列於表2中。在清潔之後，晶片在綠光下在視覺上為清透的且無殘留。
實施例23
使用實施例17之材料接合之晶片對的熱處理
在此實施例中，藉由在3,000rpm/s之加速度之情況下以1,000rpm旋塗材料達30秒將實施例17之接合材料之44-μm塗層塗佈於八吋矽晶片上。接著將晶片在60℃下烘烤達3分鐘，在160℃下烘烤達2分鐘且在200℃下烘烤達2分鐘。藉由在10,000rpm/s之加速度之情況下以1,500rpm旋塗達30秒對載體Si晶片塗佈實施例7之脫離材料。接著將載體晶片在205℃下烘烤達1分鐘。接著使用EVG510接合機在真空(<5毫巴)下在200℃、1,800N下接合晶片對達3分鐘。接著將該經接合對在260℃下置放於熱板上達30分鐘。在熱處理後未觀測到空隙或缺陷，如圖6中可見。在熱處理後，在無邊緣浸泡或清潔之情況下用Brewer Science®剝離去接合機分離晶片。
實施例24
在熱處理後使用實施例16之材料接合之晶片對的雷射去接合
在此實施例中，藉由在3,000rpm/s之加速度之情況下以1,000 rpm旋塗材料達30秒將實施例16之接合材料之50-μm塗層塗佈於八吋矽晶片上。接著將晶片在60℃下烘烤達3分鐘，在160℃下烘烤達2分鐘且在200℃下烘烤達2分鐘。藉由在5,000rpm/s之加速度之情況下以2,500rpm旋塗達60秒對載體玻璃晶片塗佈實驗聚醯亞胺雷射脫離材料(Brewer Science有限公司)。將載體晶片在300℃下烘烤達5分鐘，且接著使用EVG510接合機在真空(<5毫巴)下在200℃及1,800N下接合晶片對達3分鐘。在接合之後，藉由視覺檢查未觀測到空隙或缺陷。接著在SUSS雷射去接合工具上在308nm之波長及175mJ/cm2之通量下對晶片對進行雷射去接合。在與上述條件相同之條件下塗佈及接合之第二晶片對亦在Kingyoup雷射去接合工具上以3.2W經成功地雷射去接合。Kingyoup工具之波長為355nm。
10‧‧‧前驅體結構
12‧‧‧第一基板
14‧‧‧前表面或裝置表面
16‧‧‧背表面
18‧‧‧最外邊緣
20‧‧‧接合層
21‧‧‧上表面
22‧‧‧第二前驅體結構
24‧‧‧第二基板
26‧‧‧前表面或載體表面
28‧‧‧背表面
30‧‧‧最外邊緣
32‧‧‧脫離層
33‧‧‧上表面
34‧‧‧經接合之堆疊
35‧‧‧下表面

Claims (45)

  1. 一種暫時性接合方法，其包含：提供堆疊，該堆疊包含：第一基板，其具有背表面及前表面；接合層，其鄰近該前表面，該接合層由包含溶解或分散於溶劑系統中之環烯烴聚合物的組成物形成；及第二基板，其具有第一表面；及在不使該堆疊經受熱之情況下分離該第一基板與該第二基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該堆疊在該分離之前及期間曝露於小於約100℃之一溫度。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該堆疊在該分離之前曝露於小於約100℃之溫度達約60秒。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含在該分離之前使該堆疊經受處理，其中該堆疊在該處理完成後曝露於小於約100℃之溫度。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該處理係選自由以下各者組成之群組：在分離該第一基板與該第二基板之前，背側研磨、化學-機械拋光、蝕刻、金屬化、介電質沈積、圖案化、鈍化、退火、及其組合。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，該組成物基本上不含環烯烴共聚物。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，該組成物基本上不含蒎烯及聚(蒎烯)。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，該組成物基本上不含松香酯。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，該組成物基本上不含聚矽氧。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，該第一表面包括形成於其上之脫離層。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該脫離層為不黏層。
  12. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該脫離層為雷射脫離層。
  13. 如申請專利範圍第11項之方法，該不黏層由包含溶解或分散於溶劑系統中之聚矽氧烷的組成物形成。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該聚矽氧烷係選自由以下各者組成之群組：環氧基、乙氧基、丙烯酸、羥基、乙烯基及胺矽氧烷，及前述各者之混合物。
  15. 一種暫時性接合方法，其包含：提供堆疊，該堆疊包含：第一基板，其具有背表面及前表面；接合層，其鄰近該前表面；及第二基板，其具有第一表面，該第一表面包括鄰近該接合層之聚矽氧烷不黏層；及分離該第一基板與該第二基板。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該聚矽氧烷不黏層由包含溶解或分散於溶劑系統中之聚矽氧烷的組成物形成。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，該組成物進一步包含選自由以下各者組成之群組的溶劑：丙二醇單甲基醚、d-檸檬烯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙氧基丙醇(「PnP」)、丙二醇甲基醚醋酸、乳酸乙酯及其混合物。
  18. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該聚矽氧烷係選自由以下各者組成之群組：環氧基、乙氧基、丙烯酸、羥基、乙烯基及胺矽氧烷，及前述各者之混合物。
  19. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該不黏層不含矽烷。
  20. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該組成物進一步包含催化劑。
  21. 如申請專利範圍第16項之方法，其進一步包含藉由將該組成物塗覆至該第一表面而形成該不黏層。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該塗覆包含將該層旋塗於該第一表面上。
  23. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該接合層由包含溶解或分散於溶劑系統中之聚合物或寡聚物的組成物形成，該聚合物或寡聚物係選自由以下各者之聚合物及寡聚物組成之群組：環烯烴、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯類、乙烯基鹵化物、乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、環烯烴、聚烯烴橡膠、聚胺基甲酸酯、乙烯-丙烯橡膠、聚醯胺酯、聚醯亞胺酯、聚縮醛及聚乙烯醇縮丁醛。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該聚合物或寡聚物包含環烯烴聚合物。
  25. 如申請專利範圍第24項之方法，該堆疊在該分離之前及期間曝露於小於約100℃之溫度。
  26. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該堆疊在該分離之前曝露於小於約100℃之溫度達約60秒。
  27. 如申請專利範圍第24項之方法，其進一步包含在該分離之前使該堆疊經受處理，其中該堆疊在該處理完成後曝露於小於約100℃之溫度。
  28. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該前表面為裝置表面，該裝置表面包含選自由以下各者組成之群組的裝置之陣列：積體電路；MEMS； 微感測器；功率半導體；發光二極體；光子電路；插入件；嵌入式被動裝置；及製造於矽、矽鍺、砷化鎵及氮化鎵上或由矽、矽鍺、砷化鎵及氮化鎵製造之微裝置。
  29. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該第一表面為裝置表面，該裝置表面包含選自由以下各者組成之群組的裝置之陣列：積體電路；MEMS；微感測器；功率半導體；發光二極體；光子電路；插入件；嵌入式被動裝置；及製造於矽、矽鍺、砷化鎵及氮化鎵上或由矽、矽鍺、砷化鎵及氮化鎵製造之微裝置。
  30. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該第二基板包含選自由以下各者組成之群組的材料：矽、藍寶石、石英、金屬、玻璃及陶瓷。
  31. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該第一基板包含選自由以下各者組成之群組的材料：矽、藍寶石、石英、金屬、玻璃及陶瓷。
  32. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該前表面為裝置表面，該裝置表面包含選自由以下各者組成之群組的至少一結構：焊料凸塊；金屬柱；金屬支柱；及由選自由以下各者組成之群組之材料形成的結構：矽、多晶矽、二氧化矽、氮(氧)化矽、金屬、低k介電質、聚合物介電質、金屬氮化物及金屬矽化物。
  33. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該第一表面為裝置表面，該裝置表面包含選自由以下各者組成之群組的至少一結構：焊料凸塊；金屬柱；金屬支柱；及由選自由以下各者組成之群組之材料形成的結構：矽、多晶矽、二氧化矽、氮(氧)化矽、金屬、低k介電質、聚合物介電質、金屬氮化物及金屬矽化物。
  34. 如申請專利範圍第15項之方法，其進一步包含在分離該第一基板與該第二基板之前使該堆疊經受選自由以下各者組成之群組的處理：背側研磨、化學-機械拋光、蝕刻、金屬化、介電質沈積、圖案化、鈍化、退火及其組合。
  35. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該分離包含將該堆疊加熱至足夠高之溫度，以充分軟化該接合層從而允許分離該第一基板與該第二基板。
  36. 如申請專利範圍第15項之方法，其進一步包含在該分離後自該第一基板移除該接合層。
  37. 一種物件，其包含：第一基板，其具有背表面及前表面；接合層，其鄰近該前表面；及第二基板，其具有第一表面，該第一表面包括聚矽氧烷不黏層，該不黏層鄰近該接合層。
  38. 如申請專利範圍第37項之物件，其中該接合層由包含溶解或分散於溶劑系統中之聚合物或寡聚物的組成物形成，該聚合物或寡聚物係選自由以下各者之聚合物及寡聚物組成之群組：環烯烴、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯類、乙烯基鹵化物、乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、環烯烴、聚烯烴橡膠、聚胺基甲酸酯、乙烯-丙烯橡膠、聚醯胺酯、聚醯亞胺酯、聚縮醛及聚乙烯醇縮丁醛。
  39. 如申請專利範圍第38項之物件，其中該聚合物或寡聚物包含環烯烴聚合物。
  40. 如申請專利範圍第37項之物件，其中該前表面為裝置表面，該裝置表面包含選自由以下各者組成之群組的裝置之陣列：積體電路；MEMS；微感測器；功率半導體；發光二極體；光子電路；插入件；嵌入式被動裝置；及製造於矽、矽鍺、砷化鎵及氮化鎵上或由矽、矽鍺、砷化鎵及氮化鎵製造之微裝置。
  41. 如申請專利範圍第37項之物件，其中該第一表面為裝置表面，該裝置表面包含選自由以下各者組成之群組的裝置之陣列：積體電路；MEMS；微感測器；功率半導體；發光二極體；光子電路；插入件；嵌入式被動裝置；及製造於矽、矽鍺、砷化鎵及氮化鎵上或由矽、矽鍺、砷化鎵及氮化鎵製造之微裝置。
  42. 如申請專利範圍第37項之物件，其中該第二基板包含選自由以下各者組成之群組的材料：矽、藍寶石、石英、金屬、玻璃及陶瓷。
  43. 如申請專利範圍第37項之物件，其中該第一基板包含選自由以下各者組成之群組的材料：矽、藍寶石、石英、金屬、玻璃及陶瓷。
  44. 如申請專利範圍第37項之物件，其中該前表面為裝置表面，該裝置表面包含選自由以下各者組成之群組的至少一結構：焊料凸塊；金屬柱；金屬支柱；及由選自由以下各者組成之群組之材料形成的結構：矽、多晶矽、二氧化矽、氮(氧)化矽、金屬、低k介電質、聚合物介電質、金屬氮化物及金屬矽化物。
  45. 如申請專利範圍第37項之物件，其中該第一表面為裝置表面，該裝置包含選自由以下各者組成之群組的至少一結構：焊料凸塊；金屬柱；金屬支柱；及由選自由以下各者組成之群組之材料形成的結構：矽、 多晶矽、二氧化矽、氮(氧)化矽、金屬、低k介電質、聚合物介電質、金屬氮化物及金屬矽化物。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5975918B2 (ja) * 2013-03-27 2016-08-23 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP6050170B2 (ja) * 2013-03-27 2016-12-21 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
CN113380928A (zh) * 2014-10-22 2021-09-10 安相贞 半导体装置的制造方法
US20160133486A1 (en) 2014-11-07 2016-05-12 International Business Machines Corporation Double Layer Release Temporary Bond and Debond Processes and Systems
JP6691504B2 (ja) * 2016-05-12 2020-04-28 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びその製造方法並びにウエハ上における有機膜の被覆性確認方法
FR3052098B1 (fr) * 2016-06-03 2019-08-09 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d’un dispositif de manipulation, dispositif de manipulation et procede de collage reversible utilisant un tel dispositif
US10784100B2 (en) * 2016-07-21 2020-09-22 Tokyo Electron Limited Back-side friction reduction of a substrate
US10617010B2 (en) 2016-08-29 2020-04-07 Brewer Science, Inc. Polymer film stencil process for fan-out wafer-level packaging of semiconductor devices
SG11202005465SA (en) * 2017-12-22 2020-07-29 Brewer Science Inc Laser-releasable bonding materials for 3-d ic applications
FR3078821B1 (fr) 2018-03-09 2020-04-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat
JP7059387B2 (ja) 2018-09-26 2022-04-25 富士フイルム株式会社 硬化性組成物、硬化膜、パターンの形成方法、光学フィルタおよび光センサ
WO2020154225A1 (en) * 2019-01-22 2020-07-30 Brewer Science, Inc. Laser-releasable bonding materials for 3-d ic applications

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4332923A (en) 1980-10-23 1982-06-01 Dow Corning Corporation Composition for coating heat sensitive substrates
US6523803B1 (en) 1998-09-03 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Mold apparatus used during semiconductor device fabrication
US6345881B1 (en) 1999-09-29 2002-02-12 Eastman Kodak Company Coating of printhead nozzle plate
JP2005064239A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Lintec Corp 半導体装置の製造方法
US8268449B2 (en) 2006-02-06 2012-09-18 Brewer Science Inc. Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive
US20080200011A1 (en) 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
US7713835B2 (en) 2006-10-06 2010-05-11 Brewer Science Inc. Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
US7935780B2 (en) 2007-06-25 2011-05-03 Brewer Science Inc. High-temperature spin-on temporary bonding compositions
KR101096142B1 (ko) * 2008-01-24 2011-12-19 브레우어 사이언스 인코포레이션 캐리어 기판에 디바이스 웨이퍼를 가역적으로 장착하는 방법
US8822560B2 (en) * 2008-10-29 2014-09-02 3M Innovative Properties Company Electron beam cured silicone release materials
US8092628B2 (en) 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
JP2010153570A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Nippon Zeon Co Ltd 太陽電池モジュール
US20110243874A1 (en) 2010-04-01 2011-10-06 Rajan Keshav Panandiker Care polymers
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
US9263314B2 (en) * 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
TWI557786B (zh) * 2011-02-28 2016-11-11 道康寧公司 晶圓膠合系統及其用來膠合和脫膠的方法
JP5846060B2 (ja) * 2011-07-27 2016-01-20 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US20130201635A1 (en) 2012-02-08 2013-08-08 Brewer Science Inc. Fluorinated silane coating compositions for thin wafer bonding and handling
JP2013172033A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 分離方法及び積層構造体
JP2014017462A (ja) * 2012-03-02 2014-01-30 Fujifilm Corp 半導体装置の製造方法
JP5942539B2 (ja) * 2012-03-29 2016-06-29 日本ゼオン株式会社 光学用樹脂組成物
JP5909460B2 (ja) * 2012-09-28 2016-04-26 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。
JP5982248B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-31 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法。
US9269623B2 (en) * 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
JP6170672B2 (ja) * 2012-12-27 2017-07-26 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法
US8962449B1 (en) * 2013-07-30 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for processing semiconductor devices
US9315696B2 (en) * 2013-10-31 2016-04-19 Dow Global Technologies Llc Ephemeral bonding

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