TW201528500A - 有機電致發光顯示裝置 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- -1 quinacridone compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/84—Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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Abstract
本發明之目的係維持高障壁性能且抑制光之折射或水分之擴散。
本發明之有機電致發光顯示裝置包含：電路基板10；元件層18，其係以包含有機電致發光膜20以及夾著有機電致發光膜20之陽極及陰極之方式形成於電路基板10上；及密封膜38，其密封元件層18。密封膜38包含：無機層36，其係以覆蓋元件層18之方式設置；及有機層32，其係介於元件層18之一部分與無機層36之一部分之間。元件層18之上表面具有：無機接觸區域40，其係與無機層36接觸；及有機接觸區域34，其係與有機層32接觸。有機接觸區域34係元件層18之上表面之凹部30。有機層32係以上表面的面積小於與凹部30之內表面接觸之下表面之方式形成。
Description
本發明係關於一種有機電致發光顯示裝置。
於有機電致發光顯示裝置，需要用以將發光層等之有機EL(Electro-Luminescence：電致發光)膜自大氣阻斷之密封構造。例如，已知一種將以無機膜包夾包含樹脂之有機膜之多層構造之密封膜，使用於有機EL膜之密封之構造(專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利第4303591號公報
密封膜具有有機膜之構造雖可獲得高障壁性能，但由於有機膜與無機膜之折射率相差較大，故有於兩者之界面上光容易折射之問題。又，若將容易吸收水分之有機膜連續設置，則有水分容易傳播而擴散之問題。
本發明之目的在於提供一種可維持高障壁性能且抑制光之折射或水分之擴散之密封膜。
(1)本發明之有機電致發光顯示裝置其特徵在於包含：電路基板；元件層，其係以包含有機電致發光膜以及夾著上述有機電致發光
膜之陽極及陰極之方式形成於上述電路基板；及密封膜，其密封上述元件層；且上述密封膜包含：無機層，其係以覆蓋上述元件層之方式設置；及有機層，其介於上述元件層之一部分與上述無機層之一部分之間；且上述元件層之上表面具有：無機接觸區域，其係與上述無機層接觸；及有機接觸區域，其係與上述有機層接觸；且上述有機接觸區域係上述元件層之上述上表面之凹部；上述有機層係以上表面的面積小於與上述凹部之內表面接觸之下表面之方式形成。根據本發明，由於在密封膜之凹部填入有機層，故可於凹凸較少之面形成無機層，而可發揮高障壁性能。由於未在無機接觸區域介存折射率較高之有機層，故可抑制光之折射，由於將有機層斷續設置，故可抑制水分之擴散。
(2)如技術方案(1)之有機電致發光顯示裝置，其中上述陽極及上述陰極包含位於上述有機電致發光膜下之複數個像素電極及位於上述有機電致發光膜上之共通電極。
(3)如技術方案(2)之有機電致發光顯示裝置，其中上述元件層之上述上表面係於與各個上述像素電極重疊之區域，具有上述無機接觸區域及上述有機接觸區域。
(4)如技術方案(2)或(3)之有機電致發光顯示裝置，其中進而具有絕緣層，該絕緣層介於各個上述像素電極之端部與上述共通電極之間；且上述元件層之上述上表面具有沿著上述絕緣層之形狀之凸部，且自於各個上述像素電極之上方鄰接於上述凸部且變低之區域，遍及上述凸部上升之區域而形成上述凹部。
(5)如技術方案(1)至(4)中任一項之有機電致發光顯示裝置，其中上述有機接觸區域係由上述無機接觸區域完全包圍。
10‧‧‧電路基板
12‧‧‧積體電路晶片
14‧‧‧可撓性配線基板
16‧‧‧對向基板
18‧‧‧元件層
20‧‧‧有機電致發光膜
22‧‧‧像素電極(陽極)
24‧‧‧共通電極(陰極)
26‧‧‧絕緣層
28‧‧‧凸部
30‧‧‧凹部
32‧‧‧有機層
34‧‧‧有機接觸區域
36‧‧‧無機層
38‧‧‧密封膜
40‧‧‧無機接觸區域
圖1係本發明之實施形態之有機電致發光顯示裝置之立體圖。
圖2係顯示電路基板之細節之剖面圖。
以下，對本發明之實施形態，參照圖式進行說明。圖1係本發明之實施形態之有機電致發光顯示裝置之立體圖。
如圖1所示，有機電致發光顯示裝置具有電路基板10。於電路基板10搭載有用以驅動用於顯示圖像之元件之積體電路晶片12。於電路基板10，用於與外部之電性連接，連接有可撓性配線基板14。
顯示裝置具有對向基板16。對向基板16係以與電路基板10空出間隔而對向之方式配置。對向基板16亦可為彩色濾光片基板。對向基板16雖省略圖示，但係藉由填充於壩材所包圍之區域之填充劑而貼合於電路基板10。
圖2係顯示電路基板10之細節之剖面圖。於電路基板10設置有元件層18。元件層18包含有機電致發光膜20。有機電致發光膜20包含電洞輸送層(未圖示)。
電洞輸送層可由如下材料形成：銅酞菁、四(t-丁基)銅酞菁等之金屬酞菁類及無金屬酞菁類、喹吖啶酮化合物、1,1-雙(4-二-p-甲苯胺基苯)環己烷、N,N’-聯苯-N,N’-雙(3-甲基苯基)-1,1’-聯二苯-4,4’-二胺、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-聯苯-1,1’-聯二苯-4,4’-二胺等之芳香族胺系低分子電洞注入輸送材料或聚(對位-亞苯乙烯)、聚苯胺等之高分子電洞輸送材料、聚噻吩低聚物材料、其他周知之電洞輸送材料。
形成電洞輸送層後，形成有機發光層(未圖示)。有機發光層係藉由流通電流而發光之層，形成有機發光層之有機發光材料只要為一般用作有機發光材料者即可，舉出香豆素系、苝系、吡喃系、蒽酮系、卟啉系、喹吖啶酮系、N,N’-二烷基取代喹吖啶酮系、萘亞甲基醯亞胺系、N,N’-二芳基取代吡咯並吡咯系等、可自單態發光之周知之螢光性低分子材料，或可自稀土類金屬錯合物系之三重態發光之周知之
磷光性低分子材料。
形成有機發光層後，形成電子輸送層(未圖示)。作為電子輸送層之材料，只要為一般用作電子輸送材料者即可，舉出三唑系、噁唑系、噁二唑系、噻咯系、硼系等之低分子系材料，可進行利用真空蒸鍍法之成膜形成。
作為電洞輸送層、有機發光層及電子輸送層之形成方法，只要為蒸鍍型材料則可應用真空蒸鍍法，對塗佈型材料可使用噴嘴印刷法、旋轉塗佈法、狹縫塗佈法、噴墨法或凸版印刷法等周知之成膜方法。
元件層18包含複數個像素電極22(陽極)。作為像素電極22之材料，可使用ITO(銦錫複合氧化物)、IZO(銦鋅複合氧化物)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化鋁複合氧化物等之透明電極材料。另，由於須為低電阻，有耐溶劑性，有透明性等，故較佳為ITO(氧化銦錫)。ITO係藉由濺鍍法成膜而形成像素電極22。
元件層18包含共通電極24(陰極)。作為共通電極24之材料，例如亦可使用ITO、IZO、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化鋁複合氧化物等之透明電極材料等，但並非限定於此。作為共通電極24(陰極層)之形成方法，舉出利用濺鍍法進行之形成方法。
另，本實施形態係於陽極即像素電極22與陰極即共通電極24之間自像素電極22側積層有電洞輸送層與有機發光層、電子輸送層之構成。可採取如下一種積層構造：於像素電極22與共通電極24之間除了電洞輸送層、有機發光層以外亦根據需要選擇電洞區塊層、電子注入層之類之層。又，於形成該等層時可使用與電洞輸送層或有機發光層、陰極層相同之形成方法。
於複數個像素電極22(陽極)與共通電極24(陰極)，隔著有機電致發光膜20。像素電極22位於有機電致發光膜20下。共通電極24位於有
機電致發光膜20上。
於各個像素電極22之端部與共通電極24之間介存絕緣層26。藉由絕緣層26，可防止像素電極22與共通電極24之接觸(短路)。絕緣層26係使用感光性材料，藉由光微影法而形成。詳細而言，將感光性樹脂組合物塗佈於電路基板10，進行圖案曝光，且顯影而形成隔壁圖案。絕緣層26係以將與各像素對應之發光區域區劃之方式藉由樹脂組合物形成者，且以覆蓋例如像素電極22之端部之方式形成。
元件層18之上表面具有沿著絕緣層26之形狀之凸部28。自於各個像素電極22之上方鄰接於凸部28且變低之區域，遍及凸部28上升之區域，於元件層18之上表面形成凹部30。
於凹部30設置有機層32。有機層32包含丙烯酸樹脂或聚對苯二甲酸乙二酯等，可藉由包含蒸鍍、升華及其等之組合等真空製程、及噴嘴印刷法、旋轉塗佈法、狹縫塗佈法、噴墨法或凸版印刷法、凹版平板印刷法、凸版反轉平板印刷法等塗佈製程的任意之適當之製程而成膜。有機層32係於成膜後，藉由UV照射而重合。
元件層18之上表面具有與有機層32接觸之有機接觸區域34。有機接觸區域34位於與各個像素電極22重疊之區域。有機接觸區域34係元件層18之上表面之凹部30。有機層32係以上表面面積小於與凹部30之內表面接觸之下表面之方式形成。
於有機層32上形成無機層36。藉由例如電漿CVD法，將SiN、SiO或SiON成膜。若為SiN，則於其成膜時，將SiH4、NH3、N2作為混合氣體，產生電漿而SiN成膜。以SiN膜厚為400nm且基板溫度為100℃以下而成膜。
無機層36可藉由包含濺鍍、蒸鍍、升華、CVD(化學蒸鍍法)、PECVD(電漿增強化學蒸鍍法)、ECR-PECVD(電子迴旋共振-電漿增強化學蒸鍍法)及其等之組合等之、先前方式之真空製程的任意之適當
之製程而成膜。
藉由無機層36及有機層32構成密封元件層18之密封膜38。密封膜38包含有機層32。有機層32介於元件層18之一部分與無機層36之一部分之間。有機接觸區域34係由無機接觸區域40完全包圍。密封膜38包含無機層36。無機層36係以覆蓋元件層18之方式設置。元件層18之上表面具有與無機層36接觸之無機接觸區域40。無機接觸區域40位於與各個像素電極22重疊之區域。
藉由如此般將密封膜38自先前之3層構造設為2層構造，可縮短密封步驟與其後之端子抽出步驟之時間或降低成本。
根據本實施形態，由於在密封膜38之凹部30填入有機層32，故可於凹凸較少之面形成無機層36，而可發揮高障壁性能。由於未在無機接觸區域40介存折射率較高之有機層32，故可抑制光之折射，由於將有機層32斷續設置，故可抑制水分之擴散。
本發明並非限定於上述實施形態，可進行各種變化。例如，實施形態所說明之構成可置換成實質上相同之構成、發揮相同作用效果之構成或可達成相同目的之構成。
10‧‧‧電路基板
18‧‧‧元件層
20‧‧‧有機電致發光膜
22‧‧‧像素電極
24‧‧‧共通電極
26‧‧‧絕緣層
28‧‧‧凸部
30‧‧‧凹部
32‧‧‧有機層
34‧‧‧有機接觸區域
36‧‧‧無機層
38‧‧‧密封膜
40‧‧‧無機接觸區域
Claims (5)
- 一種有機電致發光顯示裝置，其特徵在於包含：電路基板；元件層，其係以包含有機電致發光膜以及夾著上述有機電致發光膜之陽極及陰極之方式形成於上述電路基板；及密封膜，其密封上述元件層；且上述密封膜包含：無機層，其係以覆蓋上述元件層之方式設置；及有機層，其介於上述元件層之一部分與上述無機層之一部分之間；且上述元件層之上表面具有：無機接觸區域，其係與上述無機層接觸；及有機接觸區域，其係與上述有機層接觸；且上述有機接觸區域係上述元件層之上述上表面之凹部；上述有機層係以上表面的面積小於與上述凹部之內表面接觸之下表面之方式形成。
- 如請求項1之有機電致發光顯示裝置，其中上述陽極及上述陰極包含位於上述有機電致發光膜下之複數個像素電極及位於上述有機電致發光膜上之共通電極。
- 如請求項2之有機電致發光顯示裝置，其中上述元件層之上述上表面係於與各個上述像素電極重疊之區域，具有上述無機接觸區域及上述有機接觸區域。
- 如請求項2或3之有機電致發光顯示裝置，其中進而包含絕緣層，該絕緣層介於各個上述像素電極之端部與上述共通電極之間；且上述元件層之上述上表面具有沿著上述絕緣層之形狀之凸部，且自於各個上述像素電極之上方鄰接於上述凸部且變低之 區域，遍及上述凸部上升之區域而形成上述凹部。
- 如請求項1至3中任一項之有機電致發光顯示裝置，其中上述有機接觸區域係由上述無機接觸區域完全包圍。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013251216A JP2015109192A (ja) | 2013-12-04 | 2013-12-04 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201528500A true TW201528500A (zh) | 2015-07-16 |
| TWI545748B TWI545748B (zh) | 2016-08-11 |
Family
ID=53266062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103139434A TWI545748B (zh) | 2013-12-04 | 2014-11-13 | Organic electroluminescent display device |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20150155523A1 (zh) |
| JP (1) | JP2015109192A (zh) |
| KR (1) | KR101701009B1 (zh) |
| CN (1) | CN104701462A (zh) |
| TW (1) | TWI545748B (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102167315B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2020-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| US10340479B2 (en) * | 2015-08-27 | 2019-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device |
| JP2017151313A (ja) | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
| JP2017174606A (ja) | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| US10176984B2 (en) | 2017-02-14 | 2019-01-08 | Lam Research Corporation | Selective deposition of silicon oxide |
| US10242866B2 (en) | 2017-03-08 | 2019-03-26 | Lam Research Corporation | Selective deposition of silicon nitride on silicon oxide using catalytic control |
| US10043656B1 (en) | 2017-03-10 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide |
| US9911595B1 (en) | 2017-03-17 | 2018-03-06 | Lam Research Corporation | Selective growth of silicon nitride |
| US10559461B2 (en) | 2017-04-19 | 2020-02-11 | Lam Research Corporation | Selective deposition with atomic layer etch reset |
| CN107623076B (zh) * | 2017-09-29 | 2019-12-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 全溶液oled器件及其制作方法 |
| US10460930B2 (en) | 2017-11-22 | 2019-10-29 | Lam Research Corporation | Selective growth of SiO2 on dielectric surfaces in the presence of copper |
| WO2019130480A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| KR20200118504A (ko) | 2018-03-02 | 2020-10-15 | 램 리써치 코포레이션 | 가수분해를 사용한 선택적인 증착 |
| US20210066660A1 (en) * | 2018-03-28 | 2021-03-04 | Sakai Display Products Corporation | Organic electroluminescent display device and method for producing same |
| JP6883668B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2021-06-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| WO2020065837A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04303591A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-27 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 高圧放電灯の点灯方法 |
| US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| JP4004709B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-11-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
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| JP4884320B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-02-29 | 京セラ株式会社 | 画像表示装置 |
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| TWI587734B (zh) * | 2009-03-26 | 2017-06-11 | 精工愛普生股份有限公司 | 有機ｅｌ裝置、有機ｅｌ裝置之製造方法、及電子機器 |
| JP5341701B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2013-11-13 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびデジタルカメラ |
| JP5471691B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-04-16 | 日本精機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP5772085B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2015-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
| JP2013089510A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Sony Corp | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
| JP5918509B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2016-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
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| US9012927B2 (en) * | 2011-11-30 | 2015-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device |
| KR101900364B1 (ko) * | 2011-12-22 | 2018-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| JP2012094539A (ja) * | 2012-01-12 | 2012-05-17 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機ｅｌ装置の製造方法 |
| KR101703343B1 (ko) * | 2012-02-13 | 2017-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101903054B1 (ko) * | 2012-07-11 | 2018-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-12-04 JP JP2013251216A patent/JP2015109192A/ja active Pending
-
2014
- 2014-11-13 TW TW103139434A patent/TWI545748B/zh active
- 2014-12-01 KR KR1020140169446A patent/KR101701009B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-03 CN CN201410725055.9A patent/CN104701462A/zh active Pending
- 2014-12-04 US US14/559,960 patent/US20150155523A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-06-14 US US15/181,592 patent/US9608232B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI545748B (zh) | 2016-08-11 |
| KR20150065144A (ko) | 2015-06-12 |
| CN104701462A (zh) | 2015-06-10 |
| US9608232B2 (en) | 2017-03-28 |
| US20160285040A1 (en) | 2016-09-29 |
| KR101701009B1 (ko) | 2017-01-31 |
| US20150155523A1 (en) | 2015-06-04 |
| JP2015109192A (ja) | 2015-06-11 |
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