TW201526138A - 半導體裝置的製造方法、程式及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於效率佳地除去淋浴頭內的副生成物，抑制微粒發生。 其解決手段是以能具有下列工程的方式構成半導體裝置的製造方法，成膜工程，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及堆積膜除去工程，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。

Description

半導體裝置的製造方法、程式及基板處理裝置
本發明是有關具有處理基板的工程之半導體裝置的製造方法或基板處理方法，及實施該半導體裝置的製造方法或基板處理方法的工程之基板處理裝置。
近年來，快閃記憶體等的半導體裝置有高集成化的傾向。隨之，圖案大小顯著被微細化。形成該等的圖案時，有實施對基板進行氧化處理或氮化處理等預定的處理的工程之情況，作為半導體裝置的製造工程之一工程。
作為形成上述圖案的方法之一，有在電路間形成溝，在此形成襯裡膜或配線的工程存在。此溝隨近年來的微細化，而形成高長寬比(Aspect Ratio)。
在形成襯裡膜等時，被要求在上述溝的上部側面，中部側面，下部側面，底部分別形成良好的階梯覆蓋(step coverage)的膜，其係在所被形成的膜厚無偏差。在設為良好的階梯覆蓋的膜之下，可使半導體裝置的特性形成均一，藉此可抑制半導體裝置的特性偏差。
對於如此的高長寬比的溝，嘗試將氣體加熱進行成膜處理或將氣體設為電漿狀態進行成膜處理，但不容易形成具有良好的階梯覆蓋的膜。作為形成具有良好的階梯覆蓋的膜的方法，有至少交替供給二種類的處理氣體，使反應於基板表面的方法為人所知。
並且，因為需要將半導體裝置的特性設為均一，所以在形成薄膜時，需要對於基板面內均一地供給氣體。為了予以實現，而作為可對於基板的處理面均一地供給氣體的基板處理裝置，例如使用單片式裝置。在此單片式裝置中，為了更均一地供給氣體，例如設置用以在基板上供給氣體的淋浴頭，更在淋浴頭內設置緩衝空間。
在具有淋浴頭的單片式裝置使用上述方法時，為了抑制各處理氣體在基板表面以外反應，而需要在不供給各處理氣體的期間以惰性氣體來淨化(排出)殘留處理氣體，但因為具有如此的淨化工程，所以會有成膜速度慢的問題。於是，為了縮短成膜處理時間，可思考流動大量的淨化氣體，將殘留氣體排出，作為有效的手段之一。
而且，為了防止各處理氣體的混合，可思考按各氣體種類設置淋浴頭內的緩衝空間，作為淋浴頭之一形態，但構造會變複雜，因此會有維修麻煩，且成本變高的問題。為此，實際使用具有共通於複數種類的氣體之緩衝空間的淋浴頭。
如此，為了實現氣體的均一供給及成膜處理 的高速化，而使用複數種類的氣體的共通淋浴頭，且為了排出殘留氣體，可思考流動大流量的淨化氣體。然而，一旦淋浴頭藉由淨化氣體而被冷卻，則可想像副生成物會附著於淋浴頭內。附著的副生成物會成為微粒，對形成於基板上的膜的特性造成不良影響。
本發明的目的是在於提供一種可效率佳地除去淋浴頭內的堆積膜，抑制微粒發生之技術。
用以解決前述課題之本發明的半導體裝置的製造方法的代表性的構成是如其次般。亦即，一種半導體裝置的製造方法，其係具有：成膜工程，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及堆積膜除去工程，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
又，本發明的程式之代表性的構成如其次般。亦即，一種程式，係使下列程序實行於電腦的程式， 成膜程序，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及堆積膜除去程序，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
又，本發明的基板處理裝置之代表性的構成如其次般。亦即，一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理室，其係具有淋浴頭，處理基板；成膜氣體供給系，其係連接至前述淋浴頭，經由前述淋浴頭來供給成膜氣體至前述處理室；惰性氣體供給系，其係連接至前述淋浴頭，經由前述淋浴頭來供給惰性氣體至前述處理室；控制部，其係控制前述成膜氣體供給系及前述惰性氣體供給系，而使能夠進行下列處理：成膜處理，其係從前述成膜氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述成膜氣體供給至前述處理室內之後，從前述惰性氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述惰性氣體供給至前述處理室內，在基板上形成膜；及堆積膜除去處理，其係於該成膜處理後，在前述處理室內無基板的狀態中，從前述惰性氣體供給系供給比在前述成膜處理時供給的惰性氣體更低溫度的惰性氣體至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜處理來堆積於前述淋浴頭 內的堆積膜。
若根據上述的構成，則可效率佳地除去淋浴頭內的堆積膜，抑制微粒發生。
100‧‧‧半導體製造裝置(基板處理裝置)
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理室
220‧‧‧第1排氣系(處理室排氣管線)
221‧‧‧排氣口
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧壓力調整器(APC閥)
224‧‧‧真空泵
230‧‧‧淋浴頭
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧蓋孔
231b‧‧‧淋浴頭加熱部
231c‧‧‧淋浴頭排氣孔
232‧‧‧緩衝室
234‧‧‧分散板
235‧‧‧氣導
241‧‧‧氣體導入口
243‧‧‧第1氣體供給系
244‧‧‧第2氣體供給系
245‧‧‧第3氣體供給系
246‧‧‧第1惰性氣體供給系
247‧‧‧第2惰性氣體供給系
249‧‧‧第4氣體供給系
260‧‧‧控制器(控制部)
261‧‧‧運算部
262‧‧‧記憶部
270‧‧‧第2排氣系(淋浴頭排氣管線)
271‧‧‧排氣管
272‧‧‧開閉閥(閥)
273‧‧‧壓力調整器(APC閥)
274‧‧‧真空泵
圖1是本發明的第1實施形態的基板處理裝置的縱剖面概略圖。
圖2是說明本發明的第1實施形態的基板處理工程的流程圖。
圖3是說明本發明的第1實施形態的成膜工程的流程圖。
圖4是本發明的第1實施形態的基板處理工程的順序圖。
圖5是說明本發明的第2實施形態的第3氣體供給系的圖。
圖6是本發明的第2實施形態的基板處理工程的順序圖。
圖7是說明本發明的第3實施形態的第3氣體供給系的圖。
圖8是本發明的第3實施形態的基板處理工程的順序圖。
<第1實施形態> (1)基板處理裝置的構成
首先，一邊參照圖1一邊說明有關第1實施形態的基板處理裝置100(以下亦簡稱裝置)的構成。圖1是本發明的第1實施形態的基板處理裝置的縱剖面(垂直剖面)概略圖。基板處理裝置100是形成薄膜的裝置，如圖1所示般，構成為各處理1片或數片的基板之單片式基板處理裝置。
如圖1所示般，基板處理裝置100是具備處理容器202。處理容器202是例如橫剖面(水平剖面)為圓形，構成為圓筒形扁平的密閉容器。並且，在處理容器202的側壁或底壁是例如藉由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等的金屬材料所構成。
在處理容器202內是形成有處理基板的矽晶圓等的晶圓200之處理室201。處理室201是包含：處理晶圓200的處理空間201a，及搬送晶圓200的搬送空間201b。處理容器202是以上部容器202a，下部容器202b，及頂部的淋浴頭230來構成其外殼。在上部容器202a與下部容器202b之間是設有隔開處理空間201a與搬送空間201b的隔板204。
處理空間201a是以上部處理容器202a，淋浴 頭230，及後述的基板載置部210所包圍的空間，比隔板204更上方的空間。搬送空間201b是以下部容器202b及基板載置部210所包圍的空間，比隔板更下方的空間。在上部處理容器202a與隔板204之間(接觸部)或隔板204與下部容器202b之間(接觸部)等是設有用以將處理容器202內維持於氣密的O型環208。
在下部容器202b的側面設有與閘閥205鄰接的基板搬出入口206。晶圓200是經由基板搬出入口206來移動於與鄰接的基板搬送室(未圖示)之間。在下部容器202b的底部設有複數個升降銷207於垂直方向。而且，下部容器202b是被電性接地。
在處理空間201a與搬送空間201b之間是配置有支撐晶圓200的基板載置部210。基板載置部210是例如以氮化鋁(AlN)，陶瓷，石英等的非金屬材料所形成。基板載置部210是包含：載置晶圓200的基板載置面211，及被基板載置部210所內包之作為加熱源的基板載置部加熱器213。基板載置面211是位於處理空間201a內。在基板載置部210中，升降銷207所貫通的基板載置部貫通孔214是分別設在與升降銷207對應的位置。
基板載置部210是藉由軸(shaft)217來支撐。軸217是在垂直方向貫通處理容器202的底部，更在處理容器202的外部連接至昇降機構218。使昇降機構218作動來令軸217及基板載置部210昇降。藉此，可使載置於基板載置面211上的晶圓200昇降。另外，軸217 下端部的周圍是藉由波紋管219所覆蓋，處理容器202內是保持成氣密。
基板載置部210是在晶圓200的搬送時，以基板載置面211能夠成為基板搬出入口206的位置(晶圓搬送位置)之方式下降，在晶圓200的處理時，如圖1所示搬，以晶圓200能夠成為處理位置(晶圓處理位置)的方式上昇。
具體而言，使基板載置部210下降至晶圓搬送位置時，升降銷207的上端部會從基板載置面211的上面突出，升降銷207會由下方來支撐晶圓200。並且，在使基板載置部210上昇至晶圓處理位置時，升降銷207是從基板載置面211的上面埋沒，基板載置面211會由下方來支撐晶圓200。另外，由於升降銷207是與晶圓200直接接觸，因此最好是例如以石英或礬土等的材質所形成。
(氣體導入口)
在後述的淋浴頭230的上面(頂壁)是設有用以對處理室201內供給各種氣體的氣體導入口241。有關連接至氣體導入口241的氣體供給系的構成是在往後敘述。
(淋浴頭)
在處理室201上設有處理室201的頂部之淋浴頭230。氣體導入口241是設在淋浴頭230的蓋231。淋浴頭230是用以使氣體分散至處理室201的氣體分散機構。 淋浴頭230是配置在氣體導入口241與處理室201之間，與氣體導入口241及處理室201連通。
淋浴頭230是在氣體導入口241與處理空間201a之間具備用以使從氣體導入口241導入的氣體分散之分散板234。在分散板234是設有複數的貫通孔234a。貫通孔234a是配置成與基板載置面211對向。分散板234是具有：設有貫通孔234a的凸狀部234b，及設在凸狀部的周圍之凸緣部234c。凸緣部234c是以電絕緣性的構造體之絕緣塊233所支撐。
在淋浴頭230中，在蓋231與分散板234之間設有：用以使從氣體導入口241導入的氣體擴散於分散板234表面的全域之緩衝空間的緩衝室232。
在緩衝室232中設有氣導235，其係用以形成被供給至緩衝室232內之氣體的流動。氣導235是與氣體導入口241連通，以設於蓋231的蓋孔231a為頂點，隨朝分散板234方向(亦即下方向)擴徑的圓錐形狀。氣導235的下端的水平方向的直徑是比貫通孔234a群的最外周的直徑更大。藉由氣導235來供給至緩衝室232內的氣體是被分散成更均一。
如此一來，從氣體導入口241導入的氣體是經由設在蓋231的蓋孔231a來供給至設在淋浴頭230內的緩衝室232內。然後，藉由分散板234及氣導235來分散成均一，從分散板234的貫通孔234a往處理室201內供給。
淋浴頭的蓋231是以具有導電性的金屬所形成，作為用以在緩衝室232內或處理室201內生成電漿的電極使用。在蓋231與上部容器202a之間是設有絕緣塊233，將蓋231與上部容器202a之間電性絕緣。而且，在蓋231中設有淋浴頭加熱部的電阻加熱器231b。
在緩衝室232的上方的蓋231中設有用以將緩衝室232內的氣氛排出之第2排氣系(淋浴頭排氣管線)270。有關第2排氣系270會在後面敘述。
(氣體供給系)
被連接至淋浴頭230的蓋231之氣體導入口241是連接共通氣體供給管242。共通氣體供給管242是連接第1氣體供給管243a，第2氣體供給管244a及第3氣體供給管245a。第2氣體供給管244a是經由遠距電漿單元244e來連接至共通氣體供給管242。
從包含第1氣體供給管243a的第1氣體供給系243是主要供給含第1元素氣體，從包含第2氣體供給管244a的第2氣體供給系244是主要供給含第2元素氣體。從包含第3氣體供給管245a的第3氣體供給系245是在處理晶圓200時主要供給惰性氣體，在洗滌淋浴頭230或處理室201時主要是供給洗滌氣體。
(第1氣體供給系)
在第1氣體供給管243a中，從氣流的上游方向依序 設有：第1氣體供給源243b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)243c，及開閉閥的閥243d。
從第1氣體供給管243a，含有第1元素的氣體(以下稱為「含第1元素氣體」)會經由質量流控制器243c，閥243d，共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230。
含第1元素氣體是原料氣體，亦即處理氣體之一。
在此，第1元素是例如鈦(Ti)。亦即，含第1元素氣體是例如含鈦氣體。含鈦氣體是例如可使用TiCl4氣體。另外，含第1元素氣體是亦可在常溫常壓下為固體，液體，及氣體的任一者。當含第1元素氣體在常溫常壓下為液體時，只要在第1氣體供給源232b與質量流控制器243c之間設置未圖示的氣化器即可。在此是作為氣體進行說明。
另外，含第1元素氣體是亦可使用含矽氣體，例如可使用有機矽材料的BTBAS(SiH2(NH(C4H9))2(bis(tertiary-butylamino)silane)或六甲基二矽氧(C6H19NSi2，簡稱：HMDS)或三矽胺((SiH3)3N，簡稱：TSA)等。該等的氣體是當作先驅者作用。
在第1氣體供給管243a之比閥243d更下游側連接第1惰性氣體供給管246a的下游端。在第1惰性氣體供給管246a中，從上游方向依序設有惰性氣體供給源246b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器 (MFC)246c，及開閉閥的閥246d。
從第1氣體供給管243a供給的惰性氣體是例如氮(N2)氣體。另外，惰性氣體是除了N2氣體以外，例如可使用氦(He)氣體，氖(Ne)氣體，氬(Ar)氣體等的稀有氣體。
惰性氣體是從第1惰性氣體供給管246a經由質量流控制器246c，閥246d，第1氣體供給管243a來供給至淋浴頭230內。惰性氣體是在後述的成膜工程(S104)中當作載流氣體或稀釋氣體作用。
主要藉由第1氣體供給管243a，質量流控制器243c，閥243d來構成第1氣體供給系之含第1元素氣體供給系243(亦稱含鈦氣體供給系)。
又，主要藉由第1惰性氣體供給管246a，質量流控制器246c及閥246d來構成第1惰性氣體供給系246。另外，亦可思考在第1惰性氣體供給系246中包含惰性氣體供給源246b，第1氣體供給管243a。
而且，亦可思考在含第1元素氣體供給系243中包含第1氣體供給源243b，第1惰性氣體供給系。
(第2氣體供給系)
在第2氣體供給管244a的下游是設有遠距電漿單元244e。在第2氣體供給管244a中，從上游方向依序設有第2氣體供給源244b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)244c，及開閉閥的閥244d。
含有第2元素的氣體(以下稱為「含第2元素氣體」)是從第2氣體供給管244a經由質量流控制器244c，閥244d，遠距電漿單元244e，共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230內。含第2元素氣體是藉由遠距電漿單元244e來成為電漿狀態，照射至晶圓200上。
含第2元素氣體是處理氣體之一。另外，含第2元素氣體是亦可思考作為反應氣體或改質氣體。
在此，含第2元素氣體是含有與第1元素不同的第2元素。第2元素是例如可舉氮(N)。在本實施形態中，含第2元素氣體是例如含氮氣體。具體而言，使用NH3氣體作為含氮氣體。
主要藉由第2氣體供給管244a，質量流控制器244c，閥244d來構成第2氣體供給系之含第2元素氣體供給系244(亦稱為含氮氣體供給系)。
並且，在第2氣體供給管244a之比閥244d更下游側連接第2惰性氣體供給管247a的下游端。在第2惰性氣體供給管247a中，從上游方向依序設有惰性氣體供給源247b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)247c，及開閉閥的閥247d。
惰性氣體是從第2惰性氣體供給管247a經由質量流控制器247c，閥247d，第2氣體供給管244a，遠距電漿單元244e來供給至淋浴頭230內。惰性氣體是在後述的成膜工程(S104)中作為載流氣體或稀釋氣體作用。
從第2惰性氣體供給管247a供給的惰性氣體是例如氮(N2)氣體。另外，惰性氣體是除了N2氣體以外，例如還可使用氦(He)氣體，氖(Ne)氣體，氬(Ar)氣體等的稀有氣體。
主要藉由第2惰性氣體供給管247a，質量流控制器247c及閥247d來構成第2惰性氣體供給系247。另外，亦可思考在第2惰性氣體供給系247中包含惰性氣體供給源247b，第2氣體供給管244a，遠距電漿單元244e。
而且，亦可思考在含第2元素氣體供給系244中包含第2氣體供給源244b，遠距電漿單元244e，第2惰性氣體供給系247。
(第3氣體供給系)
在第3氣體供給管245a中，從上游方向依序設有第3氣體供給源245b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)245c，及開閉閥的閥245d，加熱淨化氣體的氣體加熱部之配管加熱部245e。
例如作為淨化氣體的惰性氣體是從第3氣體供給源245b經由質量流控制器245c，閥245d，共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230。所謂淨化氣體是為了將處理室201或緩衝室232內的氣氛(氣體)排出，而被導入至處理室201或緩衝室232內的氣體。
從第3氣體供給源245b供給的惰性氣體是例 如氮(N2)氣體。另外，惰性氣體是除了N2氣體以外，例如還可使用氦(He)氣體，氖(Ne)氣體，氬(Ar)氣體等的稀有氣體。
藉由配管加熱部245e來加熱的淨化氣體是經由緩衝室232，分散板234來供給至處理室201。如此一來，可將分散板234維持於所望的溫度。
假設藉由淨化氣體的供給而分散板234被過度冷卻時，可想像有其次的問題。亦即，藉由殘留於處理室201內的氣體形成熱分解溫度以下，副生成物被堆積於分散板234的基板對向面，或在其次的處理氣體供給工程(例如供給含第2元素氣體之後的含第1元素氣體供給工程)中無法維持有關溫度的製程容許度(process window)，其結果可想像其次的工程的膜處理特性會有變差的問題。
例如，供給TiCl4氣體作為含第1元素氣體，供給NH3氣體作為含第2元素氣體時，產生氯化氨(NH4Cl)作為副生成物，一旦分散板234的溫度降低至氯化氨的附著溫度(例如150℃)，則氯化氨會附著於分散板234。
另一方面，像本實施形態那樣在加熱淨化氣體之下，可抑制上述問題。
在第3氣體供給管245a之比閥245d更下游側連接洗滌氣體供給管248a的下游端。在洗滌氣體供給管248a中，從上游方向依序設有洗滌氣體供給源248b， 流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)248c，及開閉閥的閥248d。
主要藉由第3氣體供給管245a，質量流控制器245c，閥245d來構成第3氣體供給系245。
又，主要藉由洗滌氣體供給管248a，質量流控制器248c及閥248d來構成洗滌氣體供給系248。另外，亦可思考在洗滌氣體供給系248中包含洗滌氣體源248b，第3氣體供給管245a。
更亦可思考在第3氣體供給系245中包含第3氣體供給源245b，洗滌氣體供給系。
在基板處理工程中惰性氣體是從第3氣體供給管245a經由質量流控制器245c，閥245d，共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230內。並且，在洗滌工程中，洗滌氣體會經由質量流控制器248c，閥248d，共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230內。
從惰性氣體供給源245b供給的惰性氣體是在後述的成膜工程(S104)中，作為淨化留在處理室201或淋浴頭230內的殘留氣體之淨化氣體作用。並且，在洗滌工程中，亦可作為洗滌氣體的載流氣體或稀釋氣體作用。
從洗滌氣體供給源248b供給的洗滌氣體是在洗滌工程中作為除去附著於淋浴頭230內或處理室201內的副生成物等之洗滌氣體作用。
在此，洗滌氣體是例如可舉三氟化氮(NF3)氣體。另外，洗滌氣體是亦可例如使用氟化氫(HF)氣 體，三氟化氯(ClF3)氣體，氟(F2)氣體等，且亦可組合該等使用。
(第4氣體供給系)
在上部容器202a的側壁(亦即處理室201的側方)設有第4氣體供給系249。在第4氣體供給系249的第4氣體供給管249a中，從上游方向依序設有第4氣體供給源249b，流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)249c，及開閉閥的閥249d，加熱淨化氣體的氣體加熱部之配管加熱部249e。
主要是藉由第4氣體供給管249a，質量流控制器249c，閥249d來構成第4氣體供給系249。更亦可思考在第4氣體供給系249中包含第4氣體供給源249b。
作為淨化氣體的惰性氣體是從第4氣體供給源249b經由質量流控制器249c，閥249d，配管加熱部249e來供給至處理室201的處理空間201a。
在此，惰性氣體是例如氮(N2)氣體。另外，惰性氣體是除了N2氣體以外，例如亦可使用氦(He)氣體，氖(Ne)氣體，氬(Ar)氣體等的稀有氣體。
在後述的成膜工程S104中，藉由配管加熱部249e來加熱的淨化氣體是被供給至處理室201之後，至少其一部分會經由分散板234及緩衝室232來從第2排氣 系270排出。如此一來，可以短時間淨化緩衝室232內，且與第3氣體供給系245的配管加熱部245e同樣，可將分散板234維持於所望的溫度。
或，在後述的堆積膜除去工程S110中，未在配管加熱部249e被加熱供給至處理室201的淨化氣體是至少其一部分會經由分散板234及緩衝室232來從第2排氣系270排出。堆積膜除去工程S110的詳細是後述。
(第1排氣系)
在處理室201(上部容器202a)的內壁側面設有將處理室201內的氣氛排氣的排氣口221。排氣口221是連接排氣管222，在排氣管222中，將處理室201內控制於預定的壓力之APC(Auto Pressure Controller)等的壓力調整器223，及真空泵224是依氣流的順序串聯。以包含排氣口221，排氣管222及壓力調整器223的方式構成第1排氣系(處理室排氣管線)220。另外，亦可思考在第1排氣系220中包含真空泵224。
(第2排氣系)
在緩衝室232的上方的蓋231中，用以將緩衝室232內的氣氛排出的淋浴頭排氣孔231c是貫通於垂直方向而設。淋浴頭排氣口231c是連接排氣管271。在排氣管271中，切換排氣的ON/OFF的閥272，及將緩衝室232內控制於預定的壓力之APC等的壓力調整器273，以及真空泵 274是依氣流的順序串聯。以包含排氣管271，閥272及壓力調整器273的方式，構成第2排氣系(淋浴頭排氣管線)270。另外，亦可思考在第2排氣系270中包含真空泵274。
由於淋浴頭排氣孔231c是位於氣導235的上方，因此以在後述的淋浴頭排氣工程(S204，S210)中氣體會如其次般流動的方式構成。亦即，從蓋孔231a供給的惰性氣體是藉由氣導235來分散，流至緩衝室232的空間中央及下方。然後在氣導235的端部折返，從淋浴頭排氣孔231c排氣。
(電漿生成部)
淋浴頭的蓋231是經由匹配器251來連接高頻電源252。在匹配器251調整阻抗，從高頻電源252施加高頻電力至蓋231，藉此在淋浴頭230內(詳細是緩衝室232內)或處理室201內(詳細是處理空間201a內)生成電漿。
(控制器)
基板處理裝置100是具有控制基板處理裝置100的各部的動作之控制部的控制器260。控制器260是至少具有運算部261及記憶部262。運算部261是按照上位控制器或使用者的指示，從記憶部262叫出基板處理裝置100的程式或控制處方，按照其內容來控制基板處理裝置100的 各構成。
(2)基板處理工程
其次，說明有關使用作為半導體製造裝置的基板處理裝置100來處理基板的基板處理工程的概略。此基板處理工程是例如用以製造半導體裝置的一工程。另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置100的各部的動作或處理是藉由控制器260來控制。圖2是說明本發明的第1實施形態的基板處理工程的流程圖。
在此是說明有關使用TiCl4氣體(四氯化鈦氣體)作為含第1元素氣體，使用NH3氣體(氨氣體)作為含第2元素氣體，在晶圓200上形成TiN膜(氮化鈦膜)作為薄膜之例。另外，例如，亦可在晶圓200上預先形成有預定的膜。又，亦可在晶圓200或預定的膜中預先形成有預定的圖案。
(基板搬入．載置工程S102)
首先，如圖2所示般，進行基板搬入．載置工程S102，其係將晶圓200搬入至處理室201內，載置於基板載置部210上。
詳細是使基板載置部210下降至晶圓200的搬送位置，藉此使升降銷207貫通於基板載置部210的貫通孔214。其結果，升降銷207會成為只比基板載置部210表面更突出預定的高度量的狀態。接著，開啟閘閥205，利 用未圖示的晶圓搬送機，將晶圓200(處理基板)搬入至處理室201內，把晶圓200移載至升降銷207上。藉此，晶圓200是在從基板載置部210的表面突出的升降銷207上以水平姿勢支撐。
將晶圓200搬入至處理容器202內之後，使晶圓搬送機往處理容器202之外退避，關閉閘閥205來密閉處理容器202內。然後，使基板載置部210上昇，藉此將晶圓200載置於設在基板載置部210的基板載置面211上。
另外，在將晶圓200搬入至處理容器202內時，或從處理容器202內搬出晶圓200時，一面藉由第1排氣系220來將處理容器202內排氣，一面從惰性氣體供給系供給惰性氣體(例如N2氣體)至處理容器202內為理想。例如，使真空泵224作動，開啟APC閥223，藉此由第1排氣系220來將處理容器202內排氣的狀態下，至少開啟第3氣體供給系245的閥245d，供給N2氣體至處理容器202內為理想。藉此，可抑制微粒從基板搬出入口206侵入至處理容器202內，或微粒往晶圓200上附著。另外，第1排氣系220的真空泵224是至少從基板搬入．載置工程(S102)到後述的基板搬出工程(S106)終了的期間設為經常使作動的狀態。
將晶圓200載置於基板載置部210上時，對埋入於基板載置部210的內部之加熱器213供給電力，控制成晶圓200的表面會成為預定的溫度。晶圓200的溫度 是例如室溫以上500℃以下，較理想是室溫以上，400℃以下。所謂室溫是表示約10℃~30℃的溫度帶。在此是20℃。此時，加熱器213的溫度是控制器260會根據藉由未圖示的溫度感測器所檢測出的溫度資訊來控制往加熱器213的通電情況而調整。
(成膜工程S104)
其次，進行在晶圓200的表面上形成薄膜的成膜工程S104。在此是說明有關成膜工程S104的基本流程，有關成膜工程S104的詳細是利用圖3後述。
在成膜工程S104中，首先，經由淋浴頭230的緩衝室232，從第1氣體供給系243供給TiCl4氣體至處理室201內，而於晶圓200上形成含鈦膜。開始TiCl4氣體的供給，預定的時間經過後，停止TiCl4氣體的供給。然後，從第3氣體供給系245及第4氣體供給系249供給淨化氣體(N2氣體等的惰性氣體)，藉由此淨化氣體，從緩衝室232內及處理室201內，經由第1排氣系220及第2排氣系270來將TiCl4氣體排出。此時，在將淨化氣體供給至處理室201內時，藉由配管加熱部245e及配管加熱部249e來將淨化氣體加熱至預定的溫度以上，而使淨化氣體不會冷卻分散板234。
將TiCl4氣體排出後，經由緩衝室232，從第2氣體供給系244供給電漿狀態的NH3氣體至處理室201內。NH3氣體是與被形成的含鈦膜反應，形成氮化鈦膜。 預定的時間經過後，停止NH3氣體的供給。然後，從第3氣體供給系245及第4氣體供給系249供給淨化氣體，藉由此淨化氣體，從緩衝室232內及處理室201內，經由第1排氣系220及第2排氣系270來將NH3氣體排出。此時也在將淨化氣體供給至處理室201內時，藉由配管加熱部245e及配管加熱部249e來將淨化氣體加熱至預定的溫度以上，而使淨化氣體不會冷卻分散板234。
在成膜工程S104中，藉由重複以上的工程，形成所望的膜厚的氮化鈦膜。另外，成膜工程104的期間，為了抑制副生成物附著堆積於緩衝室232的內壁，而藉由淋浴頭加熱部231b來加熱緩衝室232或分散板234。
(基板搬出工程S106)
其次，從處理容器203搬出形成有氮化鈦膜的晶圓200。
詳細是使基板載置部210下降，使晶圓200支撐於從基板載置部210的表面突出的升降銷207上。然後，一面從第3氣體供給系245往處理容器202內供給惰性氣體，一面開啟閘閥205，利用晶圓搬送機來將晶圓200搬出至處理容器202外。然後，終了基板處理工程時，停止從第3氣體供給系245往處理容器202內的惰性氣體供給。
(處理次數判定工程S108)
搬出晶圓200後，判定成膜工程S104的實施次數是否到達預定的次數。到達預定的次數時，移至堆積膜除去工程S110。未到達預定的次數時，為了開始待機之新的晶圓200的處理，而移至基板搬入．載置工程S102。
(堆積膜除去工程S110)
在成膜工程S104中，加熱緩衝室232，而使副生成物不會附著於緩衝室232的內壁或分散板234，但藉重複成膜工程S104，副生成物隨即附著於緩衝室232的內壁或分散板234，或依情況，僅1次的成膜工程S104多數的副生成物附著。在堆積膜除去工程S110中，除去在成膜工程S104中附著於緩衝室232的內壁或分散板234的副生成物之堆積膜。堆積膜除去工程S110的詳細是利用圖4後述。
(處理次數判定工程S112)
進行堆積膜除去工程S110後，判定堆積膜除去工程S110的實施次數是否到達預定的次數。當到達預定的次數，移至洗滌工程S114。未到達預定的次數時，為了開始待機的晶圓200的處理，而移至基板搬入．載置工程S102。
(洗滌工程S114)
在處理次數判定工程S108中判定成膜工程S104的實 施次數到達預定的次數時，進行洗滌工程S114。在洗滌工程S114中，基板載置部210處於晶圓處理位置的狀態，且在基板載置部210上無晶圓200的狀態下，開啟洗滌氣體供給系248的閥248d，經由淋浴頭230來將洗滌氣體供給至處理室201內。
洗滌氣體充滿淋浴頭230內及處理室201內之後，從高頻電源252往淋浴頭230施加電力，且藉由匹配器251使阻抗匹配，在淋浴頭230內(詳細是緩衝室232內)及處理室201內(詳細是處理空間201a內)生成洗滌氣體的電漿。被生成的洗滌氣體電漿是除去附著於淋浴頭230內及處理室201內的壁之副生成物。
其次，利用圖3來說明有關成膜工程S104的詳細。圖3是說明本發明的第1實施形態的成膜工程的流程圖。
(第1處理氣體供給工程S202)
基板載置部210上的晶圓200藉由加熱器213加熱達到所望溫度之後，一面進行來自第1排氣系220的排氣，一面開啟第1氣體供給系243的閥243d，經由氣體導入口241，緩衝室232，分散板234的複數的貫通孔234a，開始供給作為第1處理氣體的TiCl4氣體至處理室201內。在緩衝室232內，TiCl4氣體會藉由氣導235來均一地分散。被均一分散的氣體是經由複數的貫通孔234a來均一地供給至處理室201內的晶圓200上。
此時，調整質量流控制器243c，使TiCl4氣體的流量能夠成為預定的流量。TiCl4氣體的供給流量是例如100sccm以上5000sccm以下。另外，亦可與TiCl4氣體一起從第1惰性氣體供給系246流放N2氣體作為載流氣體至處理室201內。並且，藉由適當調整第1排氣系220的APC閥223的閥開度，將處理容器202內的壓力設為預定的壓力(例如10~3000Pa)。
在處理室201內，TiCl4氣體是預定的時間，例如0.05~0.5秒，供給至晶圓200上。在晶圓200表面上，TiCl4氣體會接觸於晶圓200的表面，藉此形成作為「含第1元素層」的含鈦層。
含鈦層是例如按照處理容器202內的壓力，TiCl4氣體的流量，基板載置部(基座)210的溫度，及在處理室201的處理時間等，以預定的厚度及預定的分布形成。
預定的時間經過後，關閉閥243d，停止TiCl4氣體的供給。但，來自第1排氣系220的排氣繼續進行。
(第1淋浴頭排氣工程S204)
停止TiCl4氣體的供給之後，開啟第2排氣系270的閥272，將淋浴頭230內(詳細是緩衝室232內)的氣氛排出。具體而言，由第3氣體供給系245及第4氣體供給系249供給被加熱的淨化氣體，一面維持成不使分散板234及緩衝室232的溫度降低，一面將緩衝室232內的氣 氛排出。此時，真空泵274是事前作動。
此時，控制調整第2排氣系270的APC閥273的閥開度，或第1排氣系220的APC閥223的閥開度，而使緩衝室232的第2排氣系270的排氣傳導能夠比經由處理室201的第1排氣系220的傳導更大。在如此調整下，形成從緩衝室232的中央往淋浴頭排氣孔231c的氣流。如此一來，附著於緩衝室232的壁之氣體或浮游於緩衝室232內之氣體不會進入處理室201，而從第2排氣系270排出。
另外，在第1淋浴頭排氣工程S204中，從第3氣體供給系245供給淨化氣體時，從第4氣體供給系249也供給淨化氣體為理想，但亦可構成從第4氣體供給系249是不供給淨化氣體。
預定的時間，進行第1淋浴頭排氣工程S204之後，終了第1淋浴頭排氣工程S204。
(第1處理室排氣工程S206)
第1淋浴頭排氣工程S204終了後，接著進行來自第1排氣系220及第2排氣系270的排氣。具體而言，由第3氣體供給系245及第4氣體供給系249來供給被加熱的淨化氣體，一面維持分散板234及緩衝室232的溫度，一面將緩衝室232內及處理室201內的氣氛排出。
此時，調整APC閥273的閥開度或APC閥223的閥開度，而使處理空間201a之來自第1排氣系220 的排氣傳導能夠比經由淋浴頭230之來自第2排氣系270的排氣傳導更大。在如此調整之下，形成從淋浴頭230經由處理室201內往第1排氣系220之惰性氣體的流動。因此，可將被供給至緩衝室232的惰性氣體確實地供給至晶圓200上，晶圓200上的殘留氣體的除去效率會變高。
在第1處理室排氣工程S206中被供給的惰性氣體是從晶圓200上除去在第1處理氣體供給工程S202未能結合於晶圓200的鈦成分。而且，在第1處理室排氣工程S206中也藉由控制APC閥273的閥開度或APC閥223的閥開度，可由第2排氣系270除去殘留於淋浴頭230內(詳細是緩衝室232內)的TiCl4氣體。
從第1處理室排氣工程S206開始經過預定的時間後，關閉閥272，停止來自第2排氣系270的排氣。如此，從第1處理室排氣工程S206的開始經過預定的時間經過後，最好一面進行來自第1排氣系220的排氣，一面關閉閥272停止來自第2排氣系270的排氣。如此一來，從淋浴頭230經由處理室201往第1排氣系220之惰性氣體的流動不會受到第2排氣系270的影響，因此可更確實地將惰性氣體供給至晶圓200上，晶圓200上的殘留氣體的除去效率會變更高。
另外，亦可從第1處理室排氣工程S206的開始時間點停止來自第2排氣系270的排氣。如此一來，容易形成從淋浴頭230經由處理室201內往第1排氣系220之惰性氣體的流動。
如此，在第1淋浴頭排氣工程S204之後繼續進行第1處理室排氣工程S206之下，可發現其次的效果。亦即，在第1淋浴頭排氣工程S204除去緩衝室232內的殘留物，因此即使在第1處理室排氣工程S206中氣流經由晶圓200上，還是可防止殘留氣體附著於晶圓200上。
另外，在第1處理室排氣工程S206中，如上述般，亦可構成從第3氣體供給系245供給淨化氣體時，從第4氣體供給系249也供給淨化氣體，但亦可構成從第4氣體供給系249是不供給淨化氣體。
預定的時間，進行第1處理室排氣工程S206之後，關閉閥245d及閥249d，停止來自第3氣體供給系245及第4氣體供給系249之淨化氣體的供給，且關閉閥272，停止來自第2排氣系270的排氣，終了第1處理室排氣工程S206。
(第2處理氣體供給工程S208)
第1處理室排氣工程S206之後，一面進行來自第1排氣系220的排氣，一面開啟第2氣體供給系244的閥244d，經由遠距電漿單元244e，氣體導入口241，緩衝室232，分散板234的複數的貫通孔234a，開始供給作為第2處理氣體的NH3氣體至處理室201內。被供給至處理室201內的NH3氣體是藉由遠距電漿單元244e來電漿化。經由緩衝室232及貫通孔234a來將被電漿化的NH3氣體 供給至處理室201內，所以在晶圓200上可均一地供給NH3氣體。因此，可使形成於晶圓200上的膜厚形成均一。
此時，調整質量流控制器244c，而使NH3氣體的流量能夠成為預定的流量。另外，NH3氣體的供給流量是例如100sccm以上5000sccm以下。另外，亦可與NH3氣體一起從第2惰性氣體供給系247流放N2氣體作為載流氣體至處理室201內。並且，藉由適當調整第1排氣系220的APC閥223的閥開度，將處理容器202內的壓力設為預定的壓力(例如60~600Pa)。
在處理室201內，電漿狀態的NH3氣體是預定的時間，例如0.1~0.3秒，供給至晶圓200上。已被形成於晶圓200上的含鈦層會藉由NH3氣體的電漿來改質，藉此在晶圓200上形成含有鈦元素及氮元素的層。
含有鈦元素及氮元素的改質層是例如按照處理容器203內的壓力，NH3氣體的流量，基板載置部210的溫度，電漿生成部250的電力供給情況等，以預定的厚度，預定的分布，預定的氮成分等對於含鈦層的侵入深度來形成。
預定的時間經過後，關閉閥244d，停止往處理室201內之NH3氣體的供給。但，來自第1排氣系220的排氣繼續進行。
(第2淋浴頭排氣工程S210)
停止NH3氣體的供給之後，開啟第2排氣系270的閥272，將淋浴頭230內的氣氛排出，亦即，將緩衝室232內的氣氛排出。此時，從第3氣體供給系245及第4氣體供給系249供給所被加熱的淨化氣體，一面維持成不使分散板234及緩衝室232的溫度降低，一面將緩衝室232內的氣氛排出。
在第2淋浴頭排氣工程S210中，控制調整第2排氣系270的APC閥273的閥開度，或第1排氣系220的APC閥223的閥開度，而使緩衝室232之第2排氣系270的排氣傳導能夠比經由處理室201之第1排氣系220的傳導更大。在如此調整之下，形成從緩衝空間232的中央往淋浴頭排氣孔231c的氣流。如此一來，附著於緩衝室232的壁之氣體或浮游於緩衝室232內之氣體不會進入處理室201，而從第2排氣系270排氣。
另外，在第2淋浴頭排氣工程S210中，從第3氣體供給系245供給淨化氣體時，如上述般，從第4氣體供給系249也供給淨化氣體為理想，但亦可構成從第4氣體供給系249是不供給淨化氣體。
預定的時間，進行第2淋浴頭排氣工程S210之後，終了第2淋浴頭排氣工程S210。
(第2處理室排氣工程S212)
第2淋浴頭排氣工程S210終了後，接著進行來自第1排氣系220及第2排氣系270的排氣。具體而言，由第 3氣體供給系245及第4氣體供給系249來供給被加熱的淨化氣體，一面維持分散板234及緩衝室232的溫度，一面將緩衝室232內及處理室201內的氣氛排出。
此時，調整APC閥273的閥開度或APC閥223的閥開度，而使處理空間201a之來自第1排氣系220的排氣傳導能夠比經由淋浴頭230之來自第2排氣系270的排氣傳導更大。在如此調整之下，形成從淋浴頭230經由處理室201內往第1排氣系220之惰性氣體的流動。因此，可將被供給至緩衝室232的惰性氣體確實地供給至晶圓200上，晶圓200上的殘留氣體的除去效率會變高。
在第2處理室排氣工程S212中被供給的惰性氣體是從晶圓200上除去在第2處理氣體供給工程S208未能結合於晶圓200的氮成分。而且，在第2處理室排氣工程S212中也藉由控制APC閥273的閥開度或APC閥223的閥開度，可從第2排氣系270除去殘留於淋浴頭230內(詳細是緩衝室232內)的NH3氣體。
從第2處理室排氣工程S212開始經過預定的時間後，關閉閥272，停止來自第2排氣系270的排氣。如此，從第2處理室排氣工程S212開始經過預定的時間後，最好一面進行來自第1排氣系220的排氣，一面關閉閥272停止來自第2排氣系270的排氣。如此一來，從淋浴頭230經由處理室201往第1排氣系220之惰性氣體的流動不會受到第2排氣系270的影響，因此可更確實地將惰性氣體供給至晶圓200上，晶圓200上的殘留氣體的除 去效率會變更高。
如此，在第2淋浴頭排氣工程S210之後接著進行第2處理室排氣工程S212之下，可發現其次的效果。亦即，在第2淋浴頭排氣工程S210除去緩衝室232內的殘留物，因此即使在第2處理室排氣工程S212中氣流經由晶圓200上，還是可防止殘留氣體附著於晶圓200上。
另外，亦可從第2處理室排氣工程S212的開始時間點停止來自第2排氣系270的排氣。如此一來，容易形成從淋浴頭230經由處理室201內往第1排氣系220之惰性氣體的流動。
並且，在第2處理室排氣工程S212中，從第3氣體供給系245供給淨化氣體時，如上述般，亦可構成從第4氣體供給系249也供給淨化氣體，但亦可構成從第4氣體供給系249是不供給淨化氣體。
預定的時間，進行第2處理室排氣工程S212之後，關閉閥245d及閥249d，停止來自第3氣體供給系245及第4氣體供給系249之淨化氣體的供給，且關閉閥272，停止來自第2排氣系270的排氣，終了第2處理室排氣工程S212。
(判定S214)
第2處理室排氣工程S212終了後，控制器260是判定是否實施了預定次數以從第1處理氣體供給工程S202 到第2處理室排氣工程S212作為1循環的處理循環。
當未實施預定次數時(在S214為No時)，移至第1處理氣體供給工程S202，進行第1處理氣體供給工程S202，第1淋浴頭排氣工程S204，第1處理室排氣工程S206，第2處理氣體供給工程S208，第2淋浴頭排氣工程S210，第2處理室排氣工程S212。當實施了預定次數時(在S214為Yes時)，終了成膜工程S104。
其次，利用圖4來說明堆積膜除去工程S110的詳細。圖4是本發明的第1實施形態的基板處理工程的順序圖。
在圖4中顯示成膜工程S104，基板搬出工程S106，及堆積膜除去工程S110之氣體A(第1處理氣體，TiCl4氣體)及氣體B(第2處理氣體，NH3氣體)往處理室201的供給狀態，第3氣體供給系245的配管加熱部245e及第4氣體供給系249的配管加熱部249e的加熱狀態，基板載置部加熱器213的加熱狀態，淋浴頭加熱部231b的加熱狀態，第1排氣系220的APC閥223的閥開度狀態，及第2排氣系270的閥272的開閉狀態。
圖4的例子是在時刻t1~t2的成膜工程S104中，依氣體A的供給工程A1，氣體A的排氣工程P1(第1淋浴頭排氣工程S204及第1處理室排氣工程S206)，氣體B的供給工程B1，氣體B的排氣工程P2(第2淋浴頭排氣工程S210及第2處理室排氣工程S212)，氣體A的供給工程A2，氣體A的排氣工程P3，氣體B的供給工 程B2，氣體B的排氣工程P4的順序進行處理。另外，在A1，A2，B1，B2中亦可含N2等的惰性氣體作為載流氣體。並且，在圖4中，淨化氣體供給工程P1~P4是描繪成不連續，但亦可為連續性。
如圖4所示般，在成膜工程S104中，第3氣體供給系245的配管加熱部245e，第4氣體供給系249的配管加熱部249e，基板載置部加熱器213及淋浴頭加熱部231b皆是ON狀態，亦即被加熱。並且，第1排氣系220的APC閥223的閥開度是經常為開狀態，亦即來自第1排氣系220的排氣是經常進行。而且，第2排氣系270的閥272是只在淨化氣體被供給的P1，P2，P3，P4的期間設為開狀態。另外，如前述般，分別在P1，P2，P3，P4中，第1處理室排氣工程S206及第2處理室排氣工程S212是亦可將閥272關閉，停止來自第2排氣系270的排氣。
其次，在時刻t2~t3的基板搬出工程S106中，處理完成的晶圓200會從處理室201搬出。在基板搬出工程S106中，來自第1排氣系220的排氣會被進行，但來自第2排氣系270的排氣是停止。並且，從第3氣體供給系245供給淨化氣體至處理室201。而且，第3氣體供給系245的配管加熱部245e及第4氣體供給系249的配管加熱部249e的加熱皆是OFF狀態，亦即被停止，但基板載置部加熱器213及淋浴頭加熱部231b皆是ON狀態，亦即被加熱。
其次，在時刻t3~t5的堆積膜除去工程S110中，進行附著於緩衝室232的內壁或分散板234之堆積膜的除去。詳細是在時刻t3~t4進行堆積膜除去工程S110的第1步驟C1，在時刻t4~t5進行堆積膜除去工程S110的第2步驟C2。
例如，第1步驟C1之處理室201內的壓力是約2050~2100Pa，緩衝室232內的壓力是約2000Pa。並且，第2步驟C2之處理室201內的壓力是約500Pa，緩衝室232內的壓力是約2000Pa。如此，在第1步驟C1中，處理室201內的壓力是比緩衝室232內的壓力更高，在第2步驟C2中，緩衝室232內的壓力是比處理室201內的壓力更高。
在堆積膜除去工程S110中，進行來自第1排氣系220及第2排氣系270的排氣。並且，從第3氣體供給系245及第4氣體供給系249供給淨化氣體至緩衝室232內或處理室201內。而且，基板載置部加熱器213及淋浴頭加熱部231b皆是ON狀態。又，第3氣體供給系245的配管加熱部245e及第4氣體供給系249的配管加熱部249e的加熱皆是OFF狀態。
在第1步驟C1中，將第3氣體供給系245的配管加熱部245e及第4氣體供給系249的配管加熱部249e設為OFF狀態，且將來自第3氣體供給系245的淨化氣體及來自第4氣體供給系249的淨化氣體設為不加熱的狀態。亦即，使堆積膜除去工程S110之淨化氣體的溫 度形成比成膜工程S104之淨化氣體的溫度更低。例如，堆積膜除去工程S110之淨化氣體的溫度是10℃~300℃(較理想是280℃)，成膜工程S104之淨化氣體的溫度是300℃~500℃(較理想是380℃)。此時，如上述般，將淋浴頭加熱部231b設為ON狀態，加熱緩衝室232的內壁或分散板234。
如此一來，藉由被供給至緩衝室232內的淨化氣體與緩衝室232的內壁或分散板234的溫度差所產生的熱應力，在附著於緩衝室232的內壁或分散板234的堆積膜產生龜裂(破裂)，容易引起膜剝落。
緩衝室232的內壁或分散板234的熱膨脹率與堆積膜的熱膨脹率是依溫度而異。因此，一旦成膜時附著於緩衝室232的內壁或分散板234的堆積膜形成比成膜時更低溫的狀態，則藉由熱膨脹率的差而產生應力。本實施形態是更將淨化氣體的溫度形成比成膜時更低，且加熱緩衝室232的內壁或分散板234，而擴大與低溫的淨化氣體的溫度差，藉此容易引起膜剝落。
並且，在第1步驟C1中，開啟淋浴頭排氣閥272及處理室排氣閥的APC閥223，進行來自第1排氣系220及第2排氣系270的排氣。此時，控制第2排氣系270的APC閥273或第1排氣系220的APC閥223，而使第2排氣系270所排氣之淨化氣體的流量(排氣流量)能夠比第1排氣系220所排氣之淨化氣體的流量更大。
如此一來，從緩衝室232的內壁或分散板234 剝落的膜被供給至分散板234的貫通孔234a內的情形會被抑制。因此，藉由剝落的膜而堵塞貫通孔234a的情形會被抑制。並且，容易剝下堵塞於分散板234的貫通孔234a內的堆積膜而從第2排氣系270排出。並且，從處理室201的內壁剝落的膜或微粒是藉由來自第1排氣系220的排氣而從處理室201內排出。
較理想是控制第2排氣系270的APC閥273或第1排氣系220的APC閥223，而使緩衝室232內之第2排氣系270的傳導能夠比經由處理室201之第1排氣系220的傳導更大。如此一來，緩衝室232內的氣氛不會流入處理室201內，處理室201內的氣氛會流入緩衝室232內。
如此，從緩衝室232的內壁或分散板234剝落的膜會從第2排氣系270排出。然後，從緩衝室232的內壁或分散板234剝落的膜的大部分從第2排氣系270排出的程度時間經過後，一旦關閉淋浴頭排氣閥272，則終了第1步驟C1，開始第2步驟C2。
另外，在第1步驟C1中，亦可構成停止來自第1排氣系220的排氣。如此，雖無法從處理室201內排出自處理室201的內壁剝落的膜或微粒，但可由第2排氣系270排出自緩衝室232的內壁或分散板234剝落的膜。
在第2步驟C2中，來自第2排氣系270的排氣會被停止，因此來自第3氣體供給系245之淨化氣體的流動會成為從緩衝室232往處理室201方向。並且，來自 第4氣體供給系249之淨化氣體的流動不會有形成從處理室201往緩衝室232方向的情形。
來自第3氣體供給系245的淨化氣體是通過分散板234的貫通孔234a，因此一面將貫通孔234a內的附著物剝下，一面從貫通孔234a推出。被推出的附著物是從第1排氣系220排出。
另外，如上述般，在第2步驟C2中，最好將基板載置部加熱器(基座加熱器)213設為ON。藉由將基座加熱器213設為ON，分散板234會更被加熱，溫度由低方起依序為淨化氣體，堆積膜，分散板234，基板載置部210。藉此，分散板234與淨化氣體的溫度差，亦即附著於分散板234的堆積膜與淨化氣體的溫度差會變更大。亦即，堆積膜的熱應力會變更大。因此，更容易剝下附著於分散板234的堆積膜。
並且，在第1步驟C1及第2步驟C2的任一或雙方，藉由控制質量流控制器245c或249c，將來自第3氣體供給系245或第4氣體供給系249的淨化氣體的流量形成比成膜工程S104的淨化氣體的流量更大為理想。
如此一來，比成膜工程S104時更大流量的淨化氣體會衝突於緩衝室232內壁或分散板234，因此更容易剝下附著於緩衝室232內壁或分散板234的堆積膜。
另外，在第1步驟C1及第2步驟C2的任一或雙方，亦可構成使基座加熱器213或淋浴頭加熱部231b形成OFF狀態。如此也會因為淨化氣體的溫度比成 膜工程S104之淨化氣體的溫度更低，所以某程度可剝下附著於緩衝室232的內壁或分散板234的膜。
並且，上述的實施形態是在第3氣體供給系及第4氣體供給系設置加熱淨化氣體的配管加熱部，但亦可設為具有加熱機能及冷卻機能，調節淨化氣體的溫度之配管調節部。如此一來，在堆積膜除去工程中，容易將淨化氣體設為所望的溫度。
(4)第1實施形態的效果
若根據第1實施形態，則可取得以下所示的效果的至少1個。
(A1)在堆積膜除去工程中，由於構成將比成膜工程時供給的淨化氣體(惰性氣體)更低的溫度的惰性氣體供給至淋浴頭內，因此可冷卻堆積於設在淋浴頭內的氣導等的構件的堆積膜，相較於在外部設置冷卻部的情況，可對淋浴頭內的堆積膜施加大的熱應力。亦即，容易除去淋浴頭內的堆積膜。
(A2)在堆積膜除去工程中，由於構成將比成膜工程時供給的淨化氣體(惰性氣體)更低的溫度的惰性氣體供給至處理室內，因此可直接冷卻堆積在露出於處理室內的隔板204等的處理室內構件的堆積膜，可對堆積膜施加大的熱應力。亦即，容易除去處理室內的堆積膜。
(A3)此時，由於加熱淋浴頭內(內壁或分散板)，因此更容易除去淋浴頭內的堆積膜。
(A4)在堆積膜除去工程中，由於構成藉由設在淋浴頭的第2排氣系來進行將淋浴頭內的氣氛排出的第1排氣工程，及第1排氣工程後，藉由設在處理室的第1排氣系來進行將處理室內的氣氛排出的第2排氣工程，因此更容易除去淋浴頭內的堆積膜。
(A5)在上述第1排氣工程中，由於構成第2排氣系的排氣流量會比第1排氣系的排氣流量更大，因此可抑制淋浴頭內的堆積膜剝落而往處理室內流入。
(A6)在上述第1排氣工程中，由於構成處理室內的氣氛會流入淋浴頭內，因此更能抑制淋浴頭內的堆積膜剝落而往處理室內流入。
(A7)在上述第2排氣工程中，由於構成第1排氣系的排氣流量會比第2排氣系的排氣流量更大，因此容易排出處於處理室內的微粒。
(A8)在上述第2排氣工程中，由於構成淋浴頭內的氣氛會流入處理室內，因此更容易排出處於處理室內的微粒(例如，起因於淋浴頭內的堆積膜)。
(A9)在成膜工程的淨化工程中，被供給至淋浴頭的淨化氣體(惰性氣體)會藉由氣體加熱部來加熱，在堆積膜除去工程中，氣體加熱部的加熱被停止的狀態下，供給淨化氣體(惰性氣體)至淋浴頭，因此容易除去淋浴頭內的堆積膜。並且，在成膜工程中，由於容易將淋浴頭的溫度維持於製程容許度的範圍內，因此可取得良好的膜質。
(A10)在堆積膜除去工程中，由於構成使被供給至 淋浴頭的淨化氣體(惰性氣體)的流量會比在成膜工程的淨化工程中被供給至淋浴頭的淨化氣體(惰性氣體)的流量更大，因此容易除去淋浴頭內的堆積膜。
(A11)在上述第1排氣工程中，由於構成從設於處理室的淨化氣體供給系(第4氣體供給系)供給淨化氣體(惰性氣體)至處理室內，因此更容易除去淋浴頭內的堆積膜。
<第2實施形態>
其次，利用圖5及圖6來說明本發明的第2實施形態。圖5是說明本發明的第2實施形態的第3氣體供給系的圖。圖6是本發明的第2實施形態的基板處理工程的順序圖。第2實施形態的基板處理裝置與第1實施形態的基板處理裝置相異的點是僅圖5所示的第3氣體供給系及控制該第3氣體供給系的控制器，有關其他的構成是與第1實施形態同樣。
如圖5所示般，第2實施形態的第3氣體供給系是在第1實施形態的第3氣體供給系245中，在第3氣體供給源245b與質量流控制器245c之間追加開閉閥的閥245f，儲存氣體的氣體積存部之槽245g，及開閉閥的閥245h者。
利用圖6來說明第2實施形態的第3氣體供給系的動作。圖6與第1實施形態的圖4相異的點是時刻t3~t4的淨化氣體的流量，及淨化氣體的流動方式，其他 的點是與圖4同樣。
如圖6的P6所示般，第2實施形態是與第1實施形態同樣，在堆積膜除去工程S110的第1步驟C1中，未被加熱的淨化氣體會從第3氣體供給系245及第4氣體供給系249供給至緩衝室232內或處理室201內。此時，在時刻t3，被積蓄於第3氣體供給系245的槽245g之淨化氣體會藉由閥245d及閥245h開啟來一口氣供給至緩衝室232內。以被供給至緩衝室232內的淨化氣體的初期流量(供給開始時的流量)形成比第1實施形態的淨化氣體的流量更大的方式設定槽245g的容量。
如圖6的P6所示般，被供給至緩衝室232內的淨化氣體的流量是在供給開始時大，但逐漸變小，不久形成與在第1實施形態中被供給至緩衝室232內的淨化氣體的流量相同。另外，圖6的P6的形狀是顯示流量的概略者，非正確者。
由於如此使被供給至淋浴頭的淨化氣體初期流量形成比供給終了時的流量更大，因此容易擴大被供給至淋浴頭的淨化氣體的流量。並且，衝突於緩衝室232內壁或分散板234的淨化氣體的壓力會短時間變化，且可短時間大幅度冷卻緩衝室232內壁或分散板234的溫度，因此更容易剝下附著於緩衝室232內壁或分散板234的堆積膜。
另外，將淨化氣體積蓄於槽245g是在時刻t2~t3的P5終了後，閥245d及閥245h被關閉的狀態中， 藉由閥245f開啟來進行。然後，淨化氣體預定量積蓄於槽245g後，如上述般，在圖6的t3的時機，藉由閥245d及閥245h開啟，淨化氣體一口氣從槽245g供給至緩衝室232內。
第2實施形態的第2步驟C2的第3氣體供給系的動作是與第1實施形態的第2步驟C2的第3氣體供給系的動作同樣。又，第2實施形態的成膜工程S104的第3氣體供給系的動作是在閥245f及閥245h經常被開啟的狀態下進行，因此與第1實施形態的成膜工程S104的第3氣體供給系的動作同樣。
另外，在第2實施形態中，亦可在第4氣體供給系中也具備槽，設為與第3氣體供給系同樣的構成，進行與第3氣體供給系同樣的動作。
若根據第2實施形態，則可取得以下所示的效果的至少1個。
(B1)在堆積膜除去工程中，由於構成使被供給至淋浴頭的淨化氣體(惰性氣體)的流量會比在成膜工程中被供給至淋浴頭的淨化氣體(惰性氣體)的流量更大，因此容易除去淋浴頭內的堆積膜。
(B2)在堆積膜除去工程中，由於構成使被供給至淋浴頭的淨化氣體(惰性氣體)的供給開始時的流量會比供給終了時的流量更大，因此更容易除去淋浴頭內的堆積膜。
<第3實施形態>
其次，利用圖7及圖8來說明本發明的第3實施形態。圖7是說明本發明的第3實施形態的第3氣體供給系的圖。圖8是本發明的第3實施形態的基板處理工程的順序圖。第3實施形態的基板處理裝置與第1實施形態的基板處理裝置相異的點是僅圖7所示的第3氣體供給系及控制該第3氣體供給系的控制器，有關其他的構成是與第1實施形態同樣。
如圖7所示般，第3實施形態的第3氣體供給系是在第1實施形態的第3氣體供給系245中，在第3氣體供給源245b與質量流控制器245c之間並聯第1氣體積存系與第2氣體積存系者。第1氣體積存系是構成包含開閉閥的閥245f，及積存氣體的氣體積存部的槽245g，及開閉閥的閥245h。第2氣體積存系是設在從第3氣體供給管245a分歧的氣體分岐管245p，構成包含開閉閥的閥245k，及積存氣體的氣體積存部的槽245m，及開閉閥的閥245n。
利用圖8來說明第3實施形態的第3氣體供給系的動作。圖8與第1實施形態的圖4不同的點是時刻t3~t5的淨化氣體的流量，及淨化氣體的流動方式，其他的點是與圖4同樣。並且，第3實施形態的時刻t3~t4(第1步驟C1)的第3氣體供給系的動作是與第2實施形態的時刻t3~t4(第1步驟C1)的第3氣體供給系的動作同樣，因此省略說明。
如圖8的P7所示般，第3實施形態是在堆積膜除去工程S110的第2步驟C2中，從第3氣體供給系245及第4氣體供給系249供給未被加熱的淨化氣體至緩衝室232內或處理室201內。此時，在時刻t4，被積蓄於第3氣體供給系245的槽245m之淨化氣體會藉由閥245n開啟而一口氣供給至緩衝室232內。將如此的氣體的流動方式稱為Flush Flow(泄流)。閥245d是在圖8的P6中已經被開啟。以在P7中被供給至緩衝室232內的淨化氣體的初期流量形成比第1實施形態的淨化氣體的流量更大的方式設定槽245m的容量。
如圖8的P7所示般，在P7中被供給至緩衝室232內的淨化氣體的流量是在供給開始時大，但逐漸變小，不久形成與在第1實施形態中被供給至緩衝室232內的淨化氣體的流量相同。另外，圖8的P7的形狀是顯示流量的概略者，非正確者。
另外，將淨化氣體積蓄於槽245m是在至時刻t4為止的期間，閥245n被關閉的狀態中，藉由閥245k開啟來進行。然後，淨化氣體預定量積蓄於槽245m之後，如上述般，在圖8的t4的時機，藉由閥245n開啟，淨化氣體一口氣從槽245m供給至緩衝室232內。一旦預定時間經過，P7(第2步驟C2)終了，則關閉閥245n，開始淨化氣體往槽245m的積存。
如上述般，第3實施形態的第1步驟C1之第3氣體供給系的動作是與第2實施形態的第1步驟C1之 第3氣體供給系的動作同樣。並且，第3實施形態的成膜工程S104之第3氣體供給系的動作是在閥245f及閥245h被開啟的狀態下進行，因此與第1實施形態的成膜工程S104之第3氣體供給系的動作同樣。
另外，在第3實施形態中，亦可在第4氣體供給系中也具備槽，設為與第3氣體供給系同樣的構成，進行與第3氣體供給系同樣的動作。
若根據第3實施形態，則可取得以下所示的效果的至少1個。
(C1)分別在第1排氣工程及第2排氣工程中，由於構成被供給至淋浴頭的淨化氣體(惰性氣體)的供給開始時的流量比供給終了時的流量更大，因此除去淋浴頭內的堆積膜及排出處於處理室內的微粒會更容易。
<本發明的其他實施形態>
以上，具體說明本發明的各實施形態，但本發明並非限於上述的實施形態，亦可在不脫離其要旨的範圍實施各種的變更，其效果也可配合各種的變更來取得。
在上述的實施形態是說明有關形成氮化鈦(TiN)膜的TiN形成處理，但本發明並非是限於TiN膜形成處理者，亦可適用在形成氧化矽(SiO)膜的SiO膜形成處理，或形成氮化矽(SiN)膜的SiN膜形成處理，或形成鎢(W)膜的W膜形成處理等。
並且，在上述的實施形態是說明有關將2種 類的處理氣體交替地供給至基板上的成膜處理，但本發明是不限於將複數種類的處理氣體交替地供給至基板上的成膜處理，亦可適用在將複數種類的處理氣體同時供給至基板上的成膜處理。並且，成膜處理以外的基板處理也可適用。
並且，在上述的實施形態中，將基板200設為圓形的晶圓，但亦可為矩形的基板。
以下，附記本發明的形態。
(附記1)
一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：成膜工程，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及堆積膜除去工程，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
(附記2)
如附記1記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述成膜工程中，藉由設在前述處理室的第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出，在前述堆積膜除去工程中，進行：第1排氣工程，其係藉由設在前述淋浴頭的第2排氣系來將前述淋浴頭內的氣氛排出；及 第2排氣工程，其係於前述第1排氣工程後，藉由前述第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出。
(附記3)
如附記2記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述第1排氣工程中，前述處理室內的氣氛係流入前述淋浴頭內。
(附記4)
如附記2或3記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述第2排氣工程中，前述淋浴頭內的氣氛係流入前述處理室內。
(附記5)
如附記1~4的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述第1排氣工程中，前述第2排氣系的排氣流量比前述第1排氣系的排氣流量更大。
(附記6)
如附記1~5的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述第2排氣工程中，前述第1排氣系的前述排氣流量比前述第2排氣系的前述排氣流量更大。
(附記7)
如附記1~6的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，述惰性氣體供給系具有加熱前述惰性氣體的氣體加熱部，在前述成膜工程中，從前述惰性氣體供給系供給至前述淋浴頭的惰性氣體藉由前述氣體加熱部加熱。
(附記8)
如附記7記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述堆積膜除去工程中，前述氣體加熱部之加熱被停止的狀態下，從前述惰性氣體供給系供給惰性氣體至前述淋浴頭。
(附記9)
如附記1~8的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述堆積膜除去工程中，從前述惰性氣體供給系供給至前述淋浴頭的惰性氣體的流量比在前述成膜工程中從前述惰性氣體供給系供給至前述淋浴頭的惰性氣體的流量更大。
(附記10)
如附記1~9的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述堆積膜除去工程中，從前述惰性氣體供給系供給至前述淋浴頭的惰性氣體的供給開始時的流量比供給 終了時的流量更大。
(附記11)
如附記1~10的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述堆積膜除去工程中，加熱淋浴頭內。
(附記12)
如附記2~11的任一記載的半導體裝置的製造方法，其中，在前述第1排氣工程中，從被連接至前述處理室的第2惰性氣體供給系供給惰性氣體至前述處理室。
(附記13)
一種基板處理方法，係具有：成膜工程，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及堆積膜除去工程，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
(附記14)
一種程式，係使下列程序實行於電腦，成膜程序，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及 堆積膜除去程序，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
(附記15)
一種電腦可讀取記錄媒體，係記錄使下列程序實行於電腦的程式，成膜程序，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及堆積膜除去程序，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
(附記16)
一種基板的製造方法，係具有：成膜工程，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及堆積膜除去工程，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
(附記17)
一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理室，其係具有淋浴頭，處理基板；成膜氣體供給系，其係連接至前述淋浴頭，經由前述淋浴頭來供給成膜氣體至前述處理室；惰性氣體供給系，其係連接至前述淋浴頭，經由前述淋浴頭來供給惰性氣體至前述處理室；控制部，其係控制前述成膜氣體供給系及前述惰性氣體供給系，而使能夠進行下列處理：成膜處理，其係從前述成膜氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述成膜氣體供給至前述處理室內之後，從前述惰性氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述惰性氣體供給至前述處理室內，在基板上形成膜；及堆積膜除去處理，其係於該成膜處理後，在前述處理室內無基板的狀態中，從前述惰性氣體供給系供給比在前述成膜處理時供給的惰性氣體更低溫度的惰性氣體至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜處理來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
(附記18)
如附記17記載的基板處理裝置，其中，更具有：設在前述處理室的第1排氣系，及設在前述淋浴頭的第2排氣系，前述控制部係進行： 第1排氣處理，其係於前述成膜處理中，藉由前述第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出，在前述堆積膜除去處理中，藉由前述第2排氣系來將前述淋浴頭內的氣氛排出；及第2排氣處理，其係於前述第1排氣處理後，藉由前述第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出。
(附記19)
一種基板處理裝置，係具有：處理室，其係具有淋浴頭，處理基板；成膜氣體供給系，其係連接至前述淋浴頭，經由前述淋浴頭來交替供給第1成膜氣體及第2成膜氣體至前述處理室；惰性氣體供給系，其係連接至前述淋浴頭，經由前述淋浴頭來供給惰性氣體至前述處理室；配管加熱部，其係設在前述惰性氣體供給系，加熱前述惰性氣體的供給配管；及控制部，其係控制前述成膜氣體供給系，前述惰性氣體供給系，前述配管加熱部及前述淋浴頭加熱部，前述控制部係控制成進行：成膜處理，其係於使前述配管加熱部形成ON的狀態下，從前述成膜氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述第1成膜氣體供給至前述處理室內之後，從前述惰性氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述惰性氣體供給至前述處理室 內，然後，從前述成膜氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述第2成膜氣體供給至前述處理室內之後，從前述惰性氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述惰性氣體供給至前述處理室內，在基板上形成膜；及堆積膜除去處理，其係於該成膜處理後，在前述處理室內無基板的狀態中，使前述配管加熱部形成OFF的狀態下，將比在前述成膜處理時供給的惰性氣體更低的溫度的惰性氣體，由前述惰性氣體供給系來供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜處理來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
(附記20)
如附記19記載的基板處理裝置，其中，更具有：設在前述處理室的第1排氣系，及設在前述淋浴頭的第2排氣系，前述控制部係進行：第1排氣處理，其係於前述成膜處理中，藉由前述第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出，在前述堆積膜除去處理中，藉由前述第2排氣系來將前述淋浴頭內的氣氛排出，且藉由前述第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出；及第2排氣處理，其係於前述第1排氣處理後，藉由前述第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出。
(附記21)
一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：成膜工程，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；淨化工程，其係為了淨化前述成膜工程時被供給的前述成膜氣體，而供給惰性氣體，淨化前述淋浴頭內及前述處理室內；及堆積膜除去工程，其係對於藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭及前述處理室的內壁的堆積膜供給比前述堆積膜更低的溫度的惰性氣體，除去前述堆積膜。

Claims (15)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：成膜工程，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及堆積膜除去工程，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述成膜工程中，藉由設在前述處理室的第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出，在前述堆積膜除去工程中，進行：第1排氣工程，其係藉由設在前述淋浴頭的第2排氣系來將前述淋浴頭內的氣氛排出；及第2排氣工程，其係於前述第1排氣工程後，藉由前述第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第1排氣工程中，前述處理室內的氣氛係流入前述淋浴頭內。
  4. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第2排氣工程中，前述淋浴頭內的氣氛係流入前述處理室內。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方 法，其中，在前述第1排氣工程中，前述第2排氣系的排氣流量比前述第1排氣系的排氣流量更大。
  6. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第2排氣工程中，前述第1排氣系的前述排氣流量比前述第2排氣系的前述排氣流量更大。
  7. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，前述惰性氣體供給系具有加熱前述惰性氣體的氣體加熱部，在前述成膜工程中，從前述惰性氣體供給系供給至前述淋浴頭的惰性氣體藉由前述氣體加熱部加熱。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述堆積膜除去工程中，前述氣體加熱部之加熱被停止的狀態下，從前述惰性氣體供給系供給惰性氣體至前述淋浴頭。
  9. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述堆積膜除去工程中，從前述惰性氣體供給系供給至前述淋浴頭的惰性氣體的流量比在前述成膜工程中從前述惰性氣體供給系供給至前述淋浴頭的惰性氣體的流量更大。
  10. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述堆積膜除去工程中，從前述惰性氣體供給系供給至前述淋浴頭的惰性氣體的供給開始時的流量比供給終了時的流量更大。
  11. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方 法，其中，在前述堆積膜除去工程中，加熱淋浴頭內。
  12. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第1排氣工程中，從被連接至前述處理室的第2惰性氣體供給系供給惰性氣體至前述處理室。
  13. 一種電腦可讀取記錄媒體，係記錄使下列程序實行於電腦的程式，成膜程序，其係經由淋浴頭來供給成膜氣體及惰性氣體至處理室內的基板上，在前述基板上形成膜；及堆積膜除去程序，其係於前述處理室內無基板的狀態中，將比在前述成膜工程時供給的前述惰性氣體更低溫度的惰性氣體供給至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜工程來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
  14. 一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理室，其係具有淋浴頭，處理基板；成膜氣體供給系，其係連接至前述淋浴頭，經由前述淋浴頭來供給成膜氣體至前述處理室；惰性氣體供給系，其係連接至前述淋浴頭，經由前述淋浴頭來供給惰性氣體至前述處理室；控制部，其係控制前述成膜氣體供給系及前述惰性氣體供給系，而使能夠進行下列處理：成膜處理，其係從前述成膜氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述成膜氣體供給至前述處理室內之後，從前述惰性氣體供給系經由前述淋浴頭來將前述惰性氣體供給至前述處理室內，在基板上形成膜；及 堆積膜除去處理，其係於該成膜處理後，在前述處理室內無基板的狀態中，從前述惰性氣體供給系供給比在前述成膜處理時供給的惰性氣體更低溫度的惰性氣體至前述淋浴頭，藉此除去藉由前述成膜處理來堆積於前述淋浴頭內的堆積膜。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，更具有：設在前述處理室的第1排氣系，及設在前述淋浴頭的第2排氣系，前述控制部係進行：第1排氣處理，其係於前述成膜處理中，藉由前述第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出，在前述堆積膜除去處理中，藉由前述第2排氣系來將前述淋浴頭內的氣氛排出；及第2排氣處理，其係於前述第1排氣處理後，藉由前述第1排氣系來將前述處理室內的氣氛排出。
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