TW201524128A - 半導體裝置的操作模式設定電路及使用該電路之資料處理系統 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種半導體裝置的操作模式設定電路，包含：一模式暫存器組，設置成根據初步資訊資料更新在該半導體裝置內部產生的一操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號；以及一初步資訊提供區塊，設置成將選自於複數個預存初步資訊資料的該初步資訊資料提供給該模式暫存器設定，以回應該初步資訊設定訊號，該選取的初步資訊資料對應至回應該初步資訊設定訊號所偵測的一操作參數內一偵測到之變動。

Description

半導體裝置的操作模式設定電路及使用該電路之資料處理系統
許多具體實施例一般係關於半導體裝置，尤其係關於半導體裝置的操作模式設定電路以及使用該電路之資料處理系統。
半導體裝置通常在許多不同的操作環境之下操作，不同操作模式可關聯於一或多個不同的操作環境。在許多情況下，該半導體裝置使用一操作模式設定電路，設定該半導體裝置的操作模式。
操作環境可由許多不同操作參數所定義，這種操作參數的範例包含但不受限於供應至該半導體裝置的外部時脈循環之循環時間、該半導體裝置的外部溫度、該半導體裝置的內部溫度以及供應至該半導體裝置的電源供應電壓。
在許多情況下，定義該半導體裝置操作環境的一或多個該等操作參數會改變。
半導體裝置的操作模式設定電路之具體實施例可包含：一模式暫存器組，設置成根據初步資訊資料更新在該半導體裝置內部產生的一操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號；以及一初步資訊提供區塊，設置成將選 自於複數個預存初步資訊資料的該初步資訊資料提供給該模式暫存器設定，以回應該初步資訊設定訊號，該選取的初步資訊對應至回應該初步資訊設定訊號所偵測的一操作參數內一偵測到之變動。
在一個具體實施例內，一資料處理系統可包含：一控制器，設置成提供一初步資訊設定訊號；以及一半導體裝置，設置成根據選自於複數個預存初步資訊資料的初步資訊資料，來更新一模式暫存器組的一操作模式資訊，以回應該初步資訊設定訊號，該選取的初步資訊資料對應至一操作參數內一偵測到的變動。
在一個具體實施例內，一半導體裝置的操作模式設定電路可包含：一模式暫存器，設置成根據初步資訊資料更新在該半導體裝置上產生的一操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號；以及一初步資訊提供區塊，設置成將選自於複數個預存初步資訊資料的該初步資訊資料提供給該模式暫存器，以回應該初步資訊設定訊號，該選取的初步資訊資料對應至一操作參數的偵測值。
1‧‧‧操作模式設定電路
20‧‧‧模式暫存器組
30‧‧‧功能電路區塊
100‧‧‧操作模式設定電路
101‧‧‧操作模式設定電路
102‧‧‧操作模式設定電路
103‧‧‧操作模式設定電路
104‧‧‧操作模式設定電路
200‧‧‧模式暫存器組
300‧‧‧初步資訊提供區塊
301‧‧‧初步資訊提供區塊
302‧‧‧初步資訊提供區塊
303‧‧‧初步資訊提供區塊
304‧‧‧初步資訊提供區塊
305‧‧‧初步資訊提供區塊
400‧‧‧偵測單元
401‧‧‧偵測單元
402‧‧‧同步電路
403‧‧‧閂鎖器
410‧‧‧控制部
420‧‧‧內部時脈產生部
430‧‧‧分割部
440‧‧‧比較計數器
450‧‧‧計數器
500‧‧‧初步模式暫存器組
501‧‧‧初步模式暫存器組
510‧‧‧初步模式暫存器
511‧‧‧初步模式暫存器
520‧‧‧多工部
600‧‧‧可程式保險絲陣列
901‧‧‧溫度感測器
902‧‧‧電壓偵測單元
1000‧‧‧資料處理系統
2000‧‧‧控制器
3000‧‧‧半導體裝置
3100‧‧‧指令解碼器
CLK‧‧‧外部時脈訊號
CNT‧‧‧計數訊號
EN1‧‧‧第一致能訊號
EN2‧‧‧第二致能訊號
iCLK‧‧‧內部時脈訊號
iCLK_DIV‧‧‧已分割時脈訊號
MRS_SET‧‧‧操作模式設定指令
MRS_SET2‧‧‧初步資訊控制指令
N‧‧‧更新控制訊號
PDMRS‧‧‧初步資訊資料
PDMRS_SET‧‧‧初步資訊模式設定訊號
tCK‧‧‧循環時間
底下將參閱附圖說明特徵、領域與具體實施例，其中：第1圖為顯示一半導體裝置的一操作模式設定電路具體實施例之方塊圖。
第2圖為顯示一半導體裝置的一操作模式設定電路具體實施例之方塊圖。
第3圖為第2圖所示該偵測單元之方塊圖。
第4圖為第2圖所示該初步模式暫存器組之方塊圖。
第5圖為顯示一半導體裝置的一操作模式設定電路具體實施例之方塊圖。
第6圖為第5圖所示該偵測單元之方塊圖。
第7圖為顯示一半導體裝置的一操作模式設定電路具體實施例之方塊圖。
第8圖為顯示第7圖所示該可程式保險絲陣列與該初步模式暫存器組之間該電耦合關係之方塊圖。
第9圖為顯示一半導體裝置的一操作模式設定電路具體實施例之方塊圖。
第10圖為顯示一半導體裝置的一操作模式設定電路具體實施例之方塊圖。
第11圖為顯示一資料處理系統具體實施例之方塊圖。
此後，底下將參考附圖來描述一半導體裝置的操作模式設定電路以及使用該電路的資料處理系統之許多具體實施例。
如第1圖所示，一半導體裝置的一操作模式設定電路1之具體實施例包含一模式暫存器組(MRS,mode register set)20。該半導體裝置可設置成將與該等不同操作模式當中的二或多者相關聯之操作模式資訊儲存在一模式暫存器組20之內，該半導體裝置包含一些功能電路區塊30。該模式暫存器組20可設置成將操作模式資訊的初始集合提供給該等功能電路區塊30。
該模式暫存器組20可設置成重設該操作模式資訊，以回應一操作模式設定指令MRS_SET，該操作模式設定指令MRS_SET係從該半導體裝置之外的一裝置而在該半導體裝置上被接收。這種外部裝置的一個範例為一控制器，其控制該半導體裝置的操作。
該模式暫存器組20可設置成更新該操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號PDMRS_SET。該初步資訊設定訊號PDMRS_SET係該半導體裝置之外的一裝置而在該半導體裝置上被接收。這種裝置的一個範例為一控制 器，其控制該半導體裝置的操作。
該初步資訊設定訊號PDMRS_SET可為該半導體裝置內部產生的一訊號，以回應與該半導體裝置初始化相關聯的一訊號。與該半導體裝置初始化相關聯的訊號範例為一開機訊號(PWR,power-up signal)。
該模式暫存器組20可設置成將該重設操作模式資訊傳輸給該等功能電路區塊30。該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如包含依照該模式暫存器組20所提供的該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
如第2圖所示，一半導體裝置的一操作模式設定電路100之具體實施例可包含一模式暫存器組200以及一初步資訊提供區塊300。
該模式暫存器組200可設置成依照並回應該半導體裝置上所接收的一操作模式設定指令MRS_SET，來設定一操作模式資訊。
該模式暫存器組200可設置成根據該半導體裝置內部產生的初步資訊資料PDMRS來更新操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該操作模式設定指令MRS_SET可為用於重設模式暫存器組200上該操作模式資訊之指令。該操作模式設定指令MRS_SET可接收自該半導體裝置之外的裝置。這種外部裝置的一個範例為一控制器，其控制該半導體裝置的操作。
該初步資訊設定訊號PDMRS_SET可為該半導體裝置內部產生的一訊號，以回應與該半導體裝置初始化相關聯的一訊號。與該半導體裝置初始化相關聯的訊號範例為開機訊號(PWR)。
從該控制器，可將該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置。
在該控制器提供該初步資訊設定訊號PDMRS_SET給該半導體裝置之情況下，該控制器可將一指令形式的該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置。該半導體裝置可內部產生用於設定該操作模式資訊的該初步資訊資料PDMRS，並且可根據該內部產生的初步資訊資料PDMRS來執行一操作模式資訊更新操作，以回應該已接收的初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該模式暫存器組200提供該操作模式資訊給該等功能電路區塊30。
該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如依照由該模式暫存器組200所提供的該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊300可設置成將該初步資訊資料PDMRS提供給該模式暫存器組200，其中該初部資訊資料PDMRS對應至一或多操作參數內一偵測變化或改變。在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊300可設置成將該初步資訊資料提供給模式暫存器組200，其中該初步資訊資料對應至一或多操作參數的偵測值。操作參數內變化的一個範例為一外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)內之改變。偵測到該外部時脈訊號CLK的該循環時間tCK，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該初步資訊提供區塊300可設置成偵測該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且輸出該已偵測一個循環時間(tCK)的代表當成一更新控制訊號N。
該初步資訊提供區塊300可設置成將對應至回應該初步資訊設 定訊號PDMRS_SET而產生的該更新控制訊號N之該初步資訊資料PDMRS，提供給該模式暫存器組200。
該初步資訊提供區塊300可包含一偵測單元400以及一初步模式暫存器組500。
該偵測單元400可設置成產生該更新控制訊號N，以回應在該偵測單元400上接收的該初步資訊設定訊號PDMRS_SET以及該外部時脈訊號CLK。該偵測單元400將該更新控制訊號N傳輸至該初步模式暫存器組500。
該初步模式暫存器組500可設置成儲存複數個初步資訊資料，其中各該初步資訊資料都關聯於該更新控制訊號N的不同值。該初步模式暫存器組500可設置成將對應至該已接收更新控制訊號N的該等預存初步資訊資料PDMRS之一者，提供給該模式暫存器組200。
如第3圖所示，該偵測單元400可包含一控制部410、一內部時脈產生部420、一分割部430、一比較計數器440以及一計數器450。
該控制部410可設置成產生一第一致能訊號EN1和一第二致能訊號EN2，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET以及接收自該計數器450的一計數訊號CNT。
該控制部410可設置成啟動該第一致能訊號EN1或/及該第二致能訊號EN2，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，以及停止該第一致能訊號EN1或/及該第二致能訊號EN2，以回應該計數訊號CNT。
該控制部410以在該第一致能訊號EN1的啟動週期期間發生該第二致能訊號EN2的啟動週期之方式，產生該第一致能訊號EN1以及該第二致能訊號EN2。
該控制部410可設置成啟動該第一致能訊號EN1，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。該控制部410可設置成在該第一致能訊號EN1的該上升邊緣之後，將該第二致能訊號EN2啟動一預定時間週期。換言之，該控制部410可設置成在該第一致能訊號EN1的該上升邊緣之後，將該第二致能訊號EN2延遲啟動一預定時間週期。
該控制部410可設置成當該計數訊號CNT之值到達一預定值時，停止該第二致能訊號EN2，並且在該第二致能訊號EN2的下降邊緣之後，將該第一致能訊號EN1停止一預定時間週期。換言之，該控制部410可設置成在該已停止第二致能訊號EN2的該下降邊緣之後，將該第一致能訊號EN1延遲停止一預定時間週期。
該內部時脈產生部420從該控制部410接收該第一致能訊號EN1，該內部時脈產生部420可設置成在該第一致能訊號EN1的該啟動週期期間，產生一內部時脈訊號iCLK。
該內部時脈產生部420可包含一振盪器。
該分割部430可設置成接收來自該內部時脈產生部420的該內部時脈訊號iCLK。該分割部430可設置成依照一預定分割比例來分割該內部時脈訊號iCLK，並且產生一已分割時脈訊號iCLK_DIV。
該比較計數器440可設置成接收該外部時脈訊號CLK、該內部時脈訊號iCLK以及該第二致能訊號EN2當成輸入。比較計數器440可設置成在該第二致能訊號EN2的該啟動週期期間，比較該已分割時脈訊號iCLK_DIV與該時脈訊號CLK，並且產生該更新控制訊號N。
該比較計數器440可設置成在該第二致能訊號EN2的該啟動週 期期間，比較該已分割時脈訊號iCLK_DIV與該時脈訊號CLK。該比較計數器440可設置成在該第二致能訊號的該啟動週期期間，計數該已分割時脈訊號iCLK_DIV的上升邊緣之發生次數，並且產生代表該比較結果的一更新控制訊號N。該比較計數器440可設置成在該第二致能訊號的該啟動週期期間，計數該已分割時脈訊號iCLK_DIV的下降邊緣之發生次數，並且產生該代表比較結果的一更新控制訊號N。
也就是說，該更新控制訊號N可包含在該外部時脈訊號CLK的單一循環(tCK)期間所發生的內部時脈訊號iCLK次數之資訊。
在其中該外部時脈訊號CLK的單一循環(tCK)要比該內部時脈訊號iCLK的單一循環還要長的情況下，可延長該第一致能訊號EN1的啟動週期。該內部時脈產生部420可設置成根據該第一致能訊號EN1的該已延長啟動週期，產生一延長的內部時脈訊號iCLK。該分割部可設置成依照一預定分割比例來分割該已延長的內部時脈訊號iCLK，並且產生一已延長的已分割時脈訊號iCLK_DIV。該比較計數器440可設置成比較該已延長的已分割時脈訊號iCLK_DIV與該外部時脈訊號CLK，以產生該更新控制訊號N。
該初步資訊提供區塊300的一個具體實施例設置成如上述，比較該已分割時脈訊號iCLK_DIV與該外部時脈訊號CLK。在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊300可比較該內部時脈訊號iCLK與該外部時脈訊號CLK。
該計數器450可設置成計數該內部時脈訊號iCLK，並且產生該計數訊號CNT。該控制部410接收自該計數器450的該計數訊號CNT。該控制部410可設置成停止該第一致能訊號EN1及/或該第二致能訊號EN2，以回應該 計數訊號CNT。
該初步模式暫存器組500可設置成接收該更新控制訊號N當成一輸入，並且產生與該已接收更新控制訊號N之值相關聯的初步資訊資料PDMRS。如第4圖所示，該初步模式暫存器組500可包含複數個初步模式暫存器510以及一多工部520。
該等初步模式暫存器510可設置成儲存複數個初步資訊資料PDMRS，其中各該初步資訊資料PDMRS都對應至該更新控制訊號N之值。
該多工部520可設置成從儲存於該等初步模式暫存器510內的該等初步資訊資料PDMRS當中選擇該初步資訊資料PDMRS，其對應至該初步模式暫存器組500接收自該偵測單元400的該更新控制訊號N之值。該初步模式暫存器組500將該選取的初步資訊資料PDMRS傳輸至該模式暫存器組200。
上述半導體裝置的操作模式設定電路100之具體實施例自動偵測該外部時脈訊號CLK的該循環(tCK)內之變化或改變，並且產生代表該已偵測變更或變化的一更新控制訊號N，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。在一個具體實施例內，半導體裝置的操作模式設定電路100自動偵測該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)之值，並且產生代表該已偵測的該循環時間(tCK)之一更新控制訊號N，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。在一個具體實施例內，該初步資訊設定訊號PDMRS_SET由該半導體裝置內部產生。在一個具體實施例內，從該控制器接收該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。如上所述，初步的模式暫存器組200將該初步資訊資料PDMRS轉送至該模式暫存器組200，其中該初步資訊資料PDMRS係選自儲存在該初步模式暫存器組500上的該等初步資訊資料PDMRS。該轉送的初步資訊資料PDMRS對應至該更新控制 訊號N之值。該操作模式設定電路100使用該已接收的初步資訊資料PDMRS，更新模式暫存器組200上的該操作模式資訊。
該模式暫存器組200提供該已更新操作模式資訊給該等功能電路區塊30。
該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如包含依照該模式暫存器組200所提供該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
如第5圖所示，一半導體裝置的一操作模式設定電路101之具體實施例可包含一模式暫存器組200以及一初步資訊提供區塊301。。
該模式暫存器組200可設置成依照並回應該半導體裝置上所接收的一操作模式設定指令MRS_SET，來設定一操作模式資訊。
該模式暫存器組200可設置成根據該半導體裝置產生的初步資訊資料PDMRS來更新操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該操作模式設定指令MRS_SET可為用於重設該模式暫存器組200上該操作模式資訊之指令。該模式設定指令MRS_SET可接收自該半導體裝置之外的裝置。這種外部裝置的一個範例為一控制器，其控制該半導體裝置的操作。
該初步資訊設定訊號PDMRS_SET可為該半導體裝置內部產生的訊號，以回應與該半導體裝置初始化相關聯的訊號。與該半導體裝置初始化相關聯的訊號範例為開機訊號(PWR)。
從該控制器，可將該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置。
在該控制器提供該初步資訊設定訊號PDMRS_SET給該半導體裝置之情況下，該控制器可將一指令形式的該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置。該半導體裝置可內部產生用於設定該操作模式資訊的該初步資訊資料PDMRS，並且可執行一操作模式資訊更新操作，以回應該已接收的初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該模式暫存器組200提供該操作模式資訊給該等功能電路區塊30。
該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如依照由該模式暫存器組200所提供的該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊301可設置成將該初步資訊資料PDMRS提供給該模式暫存器組200，其中該初步資訊資料PDMRS對應至一或多操作參數內一偵測變化或改變。在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊301可設置成將該初步資訊資料提供給模式暫存器組200，其中該初步資訊資料對應至一或多操作參數的偵測值。操作參數的一個範例為一外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)。偵測到該外部時脈訊號CLK的該循環時間tCK，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該初步資訊提供區塊301可設置成偵測該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且輸出該已偵測循環時間(tCK)的代表當成一更新控制訊號N。
該初步資訊提供區塊301可設置成將對應至回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET而產生的該更新控制訊號N之該初步資訊資料PDMRS，提供給該模式暫存器組200。
該初步資訊提供區塊301可包含一偵測單元401以及一初步模式暫存器組500。
該偵測單元401可設置成產生該更新控制訊號N，以回應在該偵測單元401上接收的該初步資訊設定訊號PDMRS_SET以及該外部時脈訊號CLK。該偵測單元401將該更新控制訊號N傳輸至該初步模式暫存器組500。
該初步模式暫存器組500可設置成儲存複數個初步資訊資料PDMRS，其中各該初步資訊資料PDMRS都關聯於該更新控制訊號N的不同值。該初步模式暫存器組500可設置成將對應至該已接收更新控制訊號N的該等預存初步資訊資料PDMRS之一者，提供給該模式暫存器組200。
該初步模式暫存器組500可依第4圖所示來設置。
如第6圖所示，該偵測單元401可包含一同步電路402與一閂鎖器403。
同步電路402可包含一延遲鎖定迴路(DLL,delay-locked loop)電路或一相位鎖定迴路(PLL,phase-locked loop)電路。
該半導體裝置可使用該延遲鎖定迴路(DLL)電路或該相位鎖定迴路(PLL)電路，用於跨越該半導體裝置上接收的該外部時脈訊號CLK以及該半導體裝置的內部訊號處理時序。
該延遲鎖定迴路(DLL)電路或該相位鎖定迴路(PLL)電路執行該外部時脈訊號CLK的該延遲鎖定或該相位鎖定，將該外部時脈訊號CLK與該半導體裝置的內部時序同步，藉此在該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)上產生資訊。
該同步電路402內的該閂鎖器403可設置成鎖定該外部時脈訊 號CLK的該循環時間(tCK)。該閂鎖器403可設置成發出該外部時脈訊號CLK的該循環時間tCK上之資訊，以該更新控制訊號N的形式，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該閂鎖器403的組態為一個機制的範例，可用來產生由使用該延遲鎖定迴路(DLL)電路或該相位鎖定迴路(PLL)電路當成該更新控制訊號N所產生的該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)上該資訊。
上述半導體裝置的操作模式設定電路101之具體實施例，可使用透過使用該延遲鎖定迴路(DLL)電路或該相位鎖定迴路(PLL)電路當成該更新控制訊號N所產生，該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)上該資訊，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。在一個具體實施例內，該初步資訊設定訊號PDMRS_SET由該半導體裝置內部產生。在一個具體實施例內，由該控制器提供該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。該偵測單元401將該更新控制訊號N轉送至該初步模式暫存器200。
該初步模式暫存器組500可設置成將對應至該已接收更新控制訊號N的該等預存初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組200。
該操作模式設定電路101使用該已接收的初步資訊資料PDMRS，更新該模式暫存器組200上的該操作模式資訊。
該模式暫存器組200提供該已更新操作模式資訊給該等功能電路區塊30。
該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如包含依照由該模式暫存器組200所提供的該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
如第7圖所示，一半導體裝置的一操作模式設定電路102之具體實施例可包含一模式暫存器組200以及一初步資訊提供區塊302。
該模式暫存器組200可設置成依照並回應該半導體裝置上所接收的一操作模式設定指令MRS_SET，來設定一操作模式資訊。
該模式暫存器組200可設置成根據該半導體裝置內部產生的初步資訊資料PDMRS來更新操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該操作模式設定指令MRS_SET可為用於重設該模式暫存器組200從該半導體裝置之外一裝置所接收的該操作模式資訊之指令。這種外部裝置的一個範例為一控制器，其控制該半導體裝置的操作。
該初步資訊設定訊號PDMRS_SET可為該半導體裝置內部產生的訊號，以回應與該半導體裝置初始化相關聯的訊號。與該半導體裝置初始化相關聯的訊號範例為開機訊號(PWR)。
從該控制器，可將該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置。
在該控制器提供該初步資訊設定訊號PDMRS_SET給該半導體裝置之情況下，該控制器可將一指令形式的該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置。該半導體裝置可內部產生用於設定該操作模式資訊的該初步資訊資料PDMRS，並且可根據該內部產生的初步資訊資料PDMRS來執行一操作模式資訊更新操作，以回應該已接收的初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該模式暫存器組200提供該操作模式資訊給該等功能電路區塊30。
該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如依照由該模式暫存器組200所提供的該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊302可設置成將該初步資訊資料PDMRS提供給該模式暫存器組200，其中該初步資訊資料PDMRS對應至一或多操作參數內一偵測變化或改變。在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊302可設置成將該初步資訊資料PDMRS提供給該模式暫存器組200，其中該初步資訊資料PDMRS對應至一或多操作參數的偵測值。操作參數的一個範例為一外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)。偵測到該外部時脈訊號CLK的該循環時間tCK，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該初步資訊提供區塊302可設置成儲存複數個初步資訊資料PDMRS，該初步資訊提供區塊302可設置成控制複數個預存的初步資訊資料PDMRS之值，以回應一初步資訊控制指令MRS_SET2。
從該半導體裝置以外的裝置，可將該初步資訊控制指令MRS_SET2提供給該半導體裝置。這種裝置的一個範例就是控制器。該初步資訊控制指令MRS_SET2可包含一測試模式指令。
該初步資訊提供區塊302可設置成偵測該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)，並且輸出該已偵測循環時間(tCK)的代表當成一更新控制訊號N。
該初步資訊提供區塊302可設置成將對應至與該外部時脈訊號CLK的該已偵測循環時間(tCK)相關聯的該更新控制訊號N之該初步資訊資料PDMRS，提供給該模式暫存器組200，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該初步資訊提供區塊302可包含一偵測單元400、一初步模式暫 存器組501以及一可程式保險絲陣列600。
該偵測單元400可設置成產生該更新控制訊號N，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET以及該外部時脈訊號CLK。在一個具體實施例內，該偵測單元400可設置成如第3圖所示。在一個具體實施例內，該偵測單元400可設置成如第6圖所示。該偵測單元400將該更新控制訊號N轉送至該初步模式暫存器組501。
該初步模式暫存器組501可設置成儲存複數個初步資訊資料PDMRS，其中每一該等初步資訊資料PDMRS都關聯於該更新控制訊號N的不同值。該初步模式暫存器組501可設置成將對應至該更新控制訊號N的該等預存初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組200。
該可程式保險絲陣列600可設置成控制該初步模式暫存器組501內複數個預存的初步資訊資料PDMRS之值，以回應該初步資訊控制指令MRS_SET2。
雖然未顯示，不過該可程式保險絲陣列600可包含一保險絲陣列以及一保險絲控制單元，用來根據該初步資訊控制指令MRS_SET2控制該保險絲陣列的電耦合狀態。
如第8圖所示，該初步模式暫存器組501可包含複數個初步模式暫存器511以及一多工部520。
該等初步模式暫存器511可設置成儲存複數個初步資訊資料PDMRS，其中每一初步資訊資料PDMRS都對應至該更新控制訊號N之值。
該等初步模式暫存器511可設置成由該可程式保險絲陣列600控制複數個預存的初步資訊資料PDMRS之個別值。
該多工部520可設置成從該等初步模式暫存器511內儲存的該等初步資訊資料PDMRS當中選擇該初步資訊資料PDMRS，其對應至從該初步模式暫存器組501上該偵測單元400所接收之該更新控制訊號N之值。該初步模式暫存器組501將該選取的初步資訊資料PDMRS傳輸至模式暫存器組200。
一半導體裝置的操作模式設定電路102之具體實施例自動偵測該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)內之變化或改變，並且產生代表該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)內之已偵測變化或改變的一更新控制訊號N，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。該半導體裝置的操作模式設定電路102之具體實施例自動偵測該外部時脈訊號CLK的該循環時間(tCK)之值，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。在一個具體實施例內，該初步資訊設定訊號PDMRS_SET由該半導體裝置內部產生。在一個具體實施例內，從該控制器接收該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。該偵測單元401將該更新控制訊號N轉送至該初步模式暫存器200。
當該初步資訊控制指令MRS_SET2已經由該操作模式設定電路102處理過，則該操作模式設定電路102控制該初步模式暫存器組501內預存的該等初步資訊資料PDMRS之個別值。
該操作模式設定電路102使用該初步模式暫存器組501所產生並且對應至該偵測單元400所產生的該更新控制訊號N的該初步資訊資料PDMRS來更新該模式暫存器組200上的該操作模式資訊。
該模式暫存器組200提供該已更新操作模式資訊給該功能電路區塊30。
該功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功 能，例如包含依照該模式暫存器組200所提供該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
如第9圖所示，一半導體裝置的一操作模式設定電路103之具體實施例可包含一模式暫存器組200以及一初步資訊提供區塊303。
該模式暫存器組200可設置成依照外部並回應該半導體裝置上所接收的一操作模式設定指令MRS_SET，來設定一操作模式資訊。
模式暫存器組200可設置成根據該半導體裝置內部產生的初步資訊資料PDMRS來更新操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該操作模式設定指令MRS_SET可為用於重設該模式暫存器組200上該操作模式資訊之指令。該操作模式設定指令MRS_SET可接收自該半導體裝置之外的裝置。這種裝置的一個範例為一控制器，其控制該半導體裝置的操作。
該初步資訊設定訊號PDMRS_SET可為該半導體裝置內部產生的訊號，以回應與該半導體裝置初始化相關聯的訊號。與該半導體裝置初始化相關聯的訊號範例為開機訊號(PWR)。
從該控制器，可將該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置。
在該控制器提供該初步資訊設定訊號PDMRS_SET給該半導體裝置之情況下，該控制器可用一指令形式提供該初步資訊設定訊號PDMRS_SET給該半導體裝置。該半導體裝置可內部產生該初步資訊資料PDMRS用於設定該操作模式資訊，並且可執行一操作模式資訊更新操作，以回應該已接收的初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該模式暫存器組200提供該操作模式資訊給該等功能電路區塊30。
該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如包含依照由該模式暫存器組200所提供的該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊303可設置成將該初步資訊資料PDMRS提供給模式暫存器組200，其中該初步資訊資料PDMRS對應至一或多操作參數內一偵測變化或改變。在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊303可設置成將該初步資訊資料提供給模式暫存器組200，其中該初步資訊資料對應至一或多操作參數的偵測值。操作參數的一個範例為一外部溫度。偵測該外部溫度，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該初步資訊提供區塊303可設置成偵測該外部溫度，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且輸出該已偵測外部溫度資訊的代表當成一更新控制訊號N。
該初步資訊提供區塊303可設置成將對應至回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET而產生的該更新控制訊號N之值的該初步資訊資料PDMRS，提供給模式暫存器組200。
該初步資訊提供區塊303可包含一偵測單元，該偵測單元包含一溫度感測器901以及一初步模式暫存器組500。
該溫度感測器901可設置成偵測一溫度，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且輸出該已偵測溫度的代表當成該更新控制訊號N。該溫度感測器901將該更新控制訊號N轉送至該初步模式暫存器組500。
該溫度感測器901可包含一數位型溫度感測器。在一個具體實施例內，該溫度感測器901可設置成偵測該半導體裝置內部溫度。在一個具體實施例內，該溫度感測器901可設置成偵測該半導體裝置外部溫度。
該初步模式暫存器組500可設置成可將對應至該已接收更新控制訊號N的複數個預存初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組200。
該初步模式暫存器組500可依第4圖所示來設置。
半導體裝置的操作模式設定電路103之具體實施例自動偵測溫度之變化或改變，並且產生代表該已偵測變更或變化的一更新控制訊號N，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。該半導體裝置的操作模式設定電路103之具體實施例自動偵測該溫度，並且產生代表該已偵測溫度值的一更新控制訊號N。在一個具體實施例內，該初步資訊設定訊號PDMRS_SET由該半導體裝置內部產生。在一個具體實施例內，從該控制器接收該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
如上述，該初步模式暫存器組500將該初步資訊資料PDMRS轉送至該模式暫存器組200，其中該初步資訊資料PDMRS係選自儲存在該初步暫存器組500上的該等初步資料PRMRS。該轉送的初步資訊資料PDMRS對應至該更新控制訊號N。該操作模式設定電路103使用該初步資訊資料PDMRS，更新該模式暫存器組200上的該操作模式資訊。
該模式暫存器組200提供該已更新操作模式資訊給該等功能電路區塊30。
該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如包含依照由該模式暫存器組200所提供的該操作模式資訊之資料輸入/ 輸出。
如第10圖所示，一半導體裝置的一操作模式設定電路104之具體實施例可包含一模式暫存器組200以及一初步資訊提供區塊304。
該模式暫存器組200可設置成依照並回應該半導體裝置上所接收的一操作模式設定指令MRS_SET，來設定一操作模式資訊。
該模式暫存器組200可設置成根據該半導體裝置內部產生的初步資訊資料PDMRS來更新操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該操作模式設定指令MRS_SET可為用於重設該模式暫存器組200上該操作模式資訊之指令。該模式設定指令MRS_SET可接收自該半導體裝置之外的裝置。這種外部裝置的一個範例為一控制器，其控制該半導體裝置的操作。
該初步資訊設定訊號PDMRS_SET可為該半導體裝置內部產生的訊號，以回應與該半導體裝置初始化相關聯的訊號。與該半導體裝置初始化相關聯的訊號範例為開機訊號(PWR)。
從該控制器，可將該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置。
在該控制器提供該初步資訊設定訊號PDMRS_SET給該半導體裝置之情況下，該控制器可將一指令形式的該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置。該半導體裝置可內部產生用於設定該操作模式資訊的該初步資訊資料PDMRS，並且可執行一操作模式資訊更新操作，以回應該已接收的初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
該模式暫存器組200提供該操作模式資訊給該等功能電路區塊30。
該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如包含依照由該模式暫存器組200所提供的該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊304可設置成將該初步資訊資料PDMRS提供給該模式暫存器組200，其中該初步資訊資料PDMRS對應至一或多操作參數內一偵測變化或改變。在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊304可設置成將該初步資訊資料PDMRS提供給模式暫存器組200，其中該初步資訊資料PDMRS對應至一或多操作參數的偵測值。操作參數的一個範例為供應至該半導體裝置的一外部電壓(電源供應電壓)，偵測該外部電壓，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊304可設置成偵測該外部電壓之變化，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且輸出一代表性更新控制訊號N。在一個具體實施例內，該初步資訊提供區塊304可設置成偵測該外部電壓之值，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且輸出一代表性更新控制訊號N。
該初步資訊提供區塊304可設置成將對應至回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET而產生的該更新控制訊號N之該初步資訊資料PDMRS，提供給該模式暫存器組200。
該初步資訊提供區塊304可包含一電壓偵測單元902以及一初步模式暫存器組500。
在一個具體實施例內，該電壓偵測單元902可設置成偵測一外部電壓，也就是一電源供應電壓(VDD,power supply voltage)之變化，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且輸出一代表性更新控制訊號N。在一個具體實施例內，該電壓偵測單元902可設置成偵測一外部電壓，也就是一電源供應電壓(VDD)之值，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且輸出一代表性更新控制訊號N。
該初步模式暫存器組500可設置成可將對應至該已接收更新控制訊號N的複數個預存初步資訊資料之一者，提供給模式暫存器組200。
該初步模式暫存器組500可依第4圖所示來設置。
半導體裝置的操作模式設定電路104之具體實施例自動偵測該電源供應電壓(VDD)之變化或改變，並且輸出代表該已偵測變更或變化的該更新控制訊號N，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。半導體裝置的操作模式設定電路104之具體實施例自動偵測該電源供應電壓VDD之值，並且輸出代表該已偵測值的一更新控制訊號N，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。在一個具體實施例內，該初步資訊設定訊號PDMRS_SET由該半導體裝置內部產生。在一個具體實施例內，從該控制器接收該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。
如上述，該初步模式暫存器組500將該初步資訊資料PDMRS轉送至模式暫存器組200，其中該初步資訊資料PDMRS係選自儲存在該初步暫存器組500的該等初步資訊資料PDMRS。該操作模式設定電路104使用該初步資訊資料PDMRS，更新該模式暫存器組200上的該操作模式資訊。
該模式暫存器組200提供該已更新操作模式資訊給該等功能電路區塊30。
該等功能電路區塊30執行與該半導體裝置操作相關聯的個別功能，例如包含依照由該模式暫存器組200所提供的該操作模式資訊之資料輸入/輸出。
如第11圖所示，該資料處理系統1000的具體實施例可包含一控制器2000以及一半導體裝置3000。在一個具體實施例內，該半導體裝置3000為一記憶體裝置，並且該控制器2000為一記憶體控制器。
該控制器2000可設置成提供一外部時脈訊號CLK、一電源供應電壓VDD、一指令CMD以及一初步資訊設定訊號PDMRS_SET給該半導體裝置3000。
該半導體裝置3000可包含一指令解碼器3100、一初步資訊提供區塊305以及一模式暫存器組200。
一操作模式設定指令MRS_SET可在該指令CMD之內編碼。
該初步資訊設定訊號PDMRS_SET為從該控制器2000發出至半導體裝置3000的一指令，用於在該模式暫存器組200上執行一操作模式資訊更新操作。在該半導體裝置3000的內部產生用於重設該操作模式資訊的該資訊。
透過一位址接腳、一資料輸入/輸出接腳或一分離備援接腳，可將該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置3000。
在該指令CMD之內可將該初步資訊設定訊號PDMRS_SET編碼，該控制器2000將使用該初步資訊設定訊號PDMRS_SET編碼的該指令CMD提供給該半導體裝置3000。
在由該控制器2000提供給該半導體裝置3000的這些元件之操作參數中發生變化或改變之情況內，該控制器2000可將該初步資訊設定訊號 PDMRS_SET提供給該半導體裝置3000。由該控制器2000提供元件給該半導體裝置3000的範例包含但不受限於該外部時脈訊號CLK以及該電源供應電壓VDD。其他操作參數的範例包含但不受限於一半導體裝置內部溫度以及一半導體外部溫度。
該指令解碼器3100接收該指令CMD當成一輸入，並且可設置成將該指令CMD解碼來產生該操作模式設定指令MRS_SET。
該初步資訊提供區塊305可包含一或多種不同的初步資訊提供區塊，包含第2圖的初步資訊提供區塊300、第5圖的初步資訊提供區塊301、第7圖的初步資訊提供區塊302、第9圖的初步資訊提供區塊303以及第10圖的初步資訊提供區塊304。
該半導體裝置3000可設置成重設該操作模式資訊，以回應接收的一操作模式設定指令MRS_SET。
該半導體裝置3000的具體實施例可設置成偵測一或多個操作參數內的變化，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。該半導體裝置的具體實施例可設置成偵測一或多個操作參數之值，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET。這種操作參數的範例包含但不受限於該外部時脈訊號CLK、該電源供應電壓VDD以及該溫度。該半導體裝置3000可設置成當接收到該初步資訊設定訊號PDMRS_SET時，使用該初步資訊提供區塊305，在內部產生該初步資訊資料PDMRS。該半導體裝置3000根據該初步資訊資料PDMRS，在內部執行該模式暫存器組200上的該操作模式資訊更新操作。
上面已經參閱第2圖至第10圖，提供由該半導體裝置3000執行來偵測一操作參數s內變化，並且據此更新該操作模式資訊之操作說明。上面 已經參閱第2圖至第10圖，提供由該半導體裝置3000執行來偵測一操作參數之值，並且據此更新該操作模式資訊之操作說明。
在該資料處理系統1000的具體實施例內，該控制器2000偵測與由該控制器2000提供給該半導體裝置3000的一或多個元件相關聯之操作參數變化，並且將該初步資訊設定訊號PDMRS_SET提供給該半導體裝置3000。
在一個具體實施例內，該半導體裝置3000直接偵測一或多個操作參數內的變化，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且在該模式暫存器組200上執行一操作模式資訊更新。在一個具體實施例內，該半導體裝置3000直接偵測一或多個操作參數之值，以回應該初步資訊設定訊號PDMRS_SET，並且在該模式暫存器組上執行一操作模式資訊更新。
在一個具體實施例內，可根據一或多個操作參數內偵測到的變化，自動更新該操作模式資訊。在一個具體實施例內，可根據一或多個操作參數內偵測到之值，自動更新該操作模式資訊。
雖然上面已經說明特定具體實施例，不過精通此技術的人士瞭解所說明的具體實施例僅為範例。因此，本說明書說明的一半導體裝置之該操作模式設定電路以及使用該電路之該資料處理系統不應受限於所說明的具體實施例。而在與上述說明與附圖結合時，本說明書說明的一半導體裝置之該操作模式設定電路以及使用該電路之該資料處理系統應只受限於底下的申請專利範圍。
1‧‧‧操作模式設定電路
20‧‧‧模式暫存器組
30‧‧‧功能電路區塊

Claims (28)

  1. 一種半導體裝置的操作模式設定電路，包含：一模式暫存器組，設置成根據初步資訊資料更新在該半導體裝置內部產生的一操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號；以及一初步資訊提供區塊，設置成將選自於複數個預存初步資訊資料的該初步資訊資料提供給該模式暫存器組，以回應該初步資訊設定訊號，該選取的初步資訊對應至回應該初步資訊設定訊號所偵測的一操作參數內一偵測到之變動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之操作模式設定電路，其中在該半導體裝置內部產生該初步資訊設定訊號，以回應與該半導體裝置初始化相關聯的一訊號。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之操作模式設定電路，更包含：複數個功能電路區塊，設置成根據接收自該模式暫存器組的該操作模式資訊，執行該半導體裝置的操作。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊設置成控制該等初步資訊資料之值，以回應一初步資訊控制指令。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊設置成將選自於該等初步資訊資料的初步資訊資料提供給該模式暫存器組，該選取的初步資訊對應至回應該初步資訊設定訊號所偵測的一時脈訊號之一循環時間變動。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊包含： 一偵測單元，設置成產生一更新控制訊號，以回應該初步資訊設定訊號以及該時脈訊號；以及一初步模式暫存器組，設置成將對應至該更新控制訊號的該等初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之操作模式設定電路，其中該偵測單元設置成將回應該初步資訊設定訊號所產生的一內部時脈訊號與該時脈訊號比較，並且根據該比較產生該更新控制訊號。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之操作模式設定電路，其中該偵測單元包含一延遲鎖定迴路電路與一相位鎖定迴路電路之一者。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之操作模式設定電路，其中該偵測單元包含：一控制部，設置成產生一致能訊號，以回應該初步資訊設定訊號以及一計數訊號；一內部時脈產生部，設置成在該致能訊號的一啟動週期期間，產生一內部時脈訊號；以及一比較計數器，設置成在該致能訊號的該啟動週期期間，比較一已分割時脈訊號與該時脈訊號，並且根據該比較產生該更新控制訊號。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之操作模式設定電路，其中該初步模式暫存器組包含：複數個初步模式暫存器，設置成儲存該等初步資訊資料；以及一多工部，設置成選擇儲存在對應至該更新控制訊號之值的該等初步模式暫存器內的該等初步資訊資料之一者。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊包含：一偵測單元，設置成產生一更新控制訊號，以回應該初步資訊設定訊號以及該時脈訊號；一初步模式暫存器組，設置成將對應至該更新控制訊號的該等初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組；以及一可程式保險絲陣列，設置成控制儲存在該初步模式暫存器組的該等初步資訊資料之值，以回應該初步資訊控制指令。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊設置成將選自於該等初步資訊資料的初步資訊資料提供給該模式暫存器組，該選取的初步資訊資料對應至回應該初步資訊設定訊號所偵測的該半導體裝置之外一外部溫度變動。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊包含：一溫度感測器，設置成偵測該外部溫度，以回應該初步資訊設定訊號，並且輸出該已偵測溫度的代表當成一更新控制訊號；以及一初步模式暫存器組，設置成將對應至該更新控制訊號的該等初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊包含：一溫度感測器，設置成偵測該外部溫度，以回應該初步資訊設定訊號，並且輸出該已偵測溫度的代表當成一更新控制訊號； 一初步模式暫存器組，設置成將對應至該更新控制訊號的該等初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組；以及一可程式保險絲陣列，設置成控制該等初步資訊資料之值，以回應一初步資訊控制指令。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊設置成將選自於該等初步資訊資料的初步資訊資料提供給該模式暫存器組，該選取的初步資訊資料對應至回應該初步資訊設定訊號所偵測的一外部電壓變動。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊包含：一電壓偵測單元，設置成偵測該外部電壓變化，以回應該初步資訊設定訊號，並且輸出該已偵測電壓變化的代表當成一更新控制訊號；以及一初步模式暫存器組，設置成將對應至該更新控制訊號的該等初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之操作模式設定電路，其中該初步資訊提供區塊包含：一電壓偵測單元，設置成偵測該外部電壓變化，以回應該初步資訊設定訊號，並且輸出該已偵測電壓變化的代表當成一更新控制訊號；一初步模式暫存器組，設置成將對應至該更新控制訊號的該等初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組；以及一可程式保險絲陣列，設置成控制該等初步資訊資料之值，以回應該初步資訊控制指令。
  18. 一種資料處理系統，包含：一控制器，設置成提供一初步資訊設定訊號；以及一半導體裝置，設置成根據選自於複數個預存初步資訊資料的初步資訊資料，來更新一模式暫存器組的一操作模式資訊，以回應該初步資訊設定訊號，該選取的初步資訊資料對應至一操作參數內一偵測到之變動。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之資料處理系統，其中該控制器設置成將一操作模式設定指令提供給該半導體裝置，以直接重設該模式暫存器組的該操作模式資訊。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之資料處理系統，其中該半導體裝置設置成將選自於該等初步資訊資料的初步資訊資料提供至該模式暫存器組，以回應該初步資訊設定訊號，該選取的初步資訊資料對應至回應該初步資訊設定訊號所偵測的一操作參數，其中該操作參數選自於一時脈訊號循環時間、一外部溫度變化以及一外部電壓變化所構成群組。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之資料處理系統，其中該半導體裝置包含：一偵測單元，設置成產生一更新控制訊號，以回應該初步資訊設定訊號以及該時脈訊號；以及一初步模式暫存器組，設置成將對應至該更新控制訊號的該等初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之資料處理系統，其中該半導體裝置包含：一溫度感測器，設置成偵測該外部溫度，以回應該初步資訊設定訊號，並且輸出該已偵測溫度的代表當成一更新控制訊號；以及 一初步模式暫存器組，設置成將對應至該更新控制訊號的該等初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之資料處理系統，其中該半導體裝置包含：一電壓偵測單元，設置成偵測該外部電壓變化，以回應該初步資訊設定訊號，並且輸出該已偵測電壓變化的代表當成一更新控制訊號；以及一初步模式暫存器組，設置成將對應至該更新控制訊號的該等初步資訊資料之一者，提供給該模式暫存器組。
  24. 一種半導體裝置的操作模式設定電路，包含：一模式暫存器，設置成根據初步資訊資料更新在該半導體裝置上內部產生的一操作模式資訊，以回應一初步資訊設定訊號；以及一初步資訊提供區塊，設置成將選自於複數個預存初步資訊資料的該初步資訊資料提供給該模式暫存器，以回應該初步資訊設定訊號，該選取的初步資訊資料對應至一操作參數的偵測值。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之操作模式設定電路，其中該選取的初步資訊資料對應至一時脈循環的循環時間之偵測值。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之操作模式設定電路，其中該選取的初步資訊資料對應至該半導體裝置之外的一外部溫度之偵測值。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之操作模式設定電路，其中該選取的初步資訊資料對應至一電源供應電壓之偵測值。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之操作模式設定電路，其中該半導體裝置為一記憶體裝置，並且該初步資訊設定訊號接收自一記憶體控制器。
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