TW201517219A - 利用激發的混合氣體的晶粒安裝裝置和方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種用於將半導體晶粒安裝在襯底上的晶粒安裝裝置，該襯底具有金屬表面，該裝置包含有：材料滴塗平臺，其用於將鍵合材料滴塗在襯底上；晶粒安裝平臺，其用於將半導體晶粒放置在已經滴塗在襯底上的鍵合材料中；以及活化氣體產生器，其設置在晶粒安裝平臺前側，以將激發的混合氣體引導在襯底上，而便於還原襯底上的氧化物。

Description

利用激發的混合氣體的晶粒安裝裝置和方法
本發明涉及將半導體晶片或晶粒安裝在襯底上，尤其是涉及在這樣的安裝以前對襯底和/或晶粒安裝介質的處理。
電子器件的製造常常包括在最終封裝電子器件以前將半導體晶粒安裝在襯底上。在將半導體安裝於具有金屬表面的襯底如引線框以前，該襯底或引線框通常在加熱通道中被預熱以便於創造有助於晶粒安裝的環境。加熱通道具有加熱器以將引線框預熱至高於軟焊料(soft solder)的熔點以上的溫度，而使得焊料成為晶粒安裝的介質。通過一段長度的焊接導線被降低至預熱的引線框上並且一旦和預熱的引線框接觸就融化的方式，焊料可以被滴塗。然後將引線框傳送至位於加熱通道內部的鍵合區，在那裡半導體晶粒得以被鍵合。最後，引線框被冷卻以將焊料固化而完成鍵合。傳統的軟焊料晶粒安裝應用採用混合氣體(forming gases)，該混合氣體可包含有5-15%的氫氣，以防止在這種加熱處理過程中引線框氧化。
無焊劑焊接(fluxless soldering)是用於晶粒安裝最合適的方法，其被廣泛地使用於工業中。在各種無焊劑回流和焊接方法中，氫氣作為反應氣體以減少襯底上的氧化物的使用尤其具有吸引力，因為它是清 潔處理並且相容於開放的連續的生產線。因此，在存在氫氣的情形下完成無焊劑焊接已經成為技術目標一段時間。一種方法已經用來利用在氮氣運載(carrier)氣體中包含有5-15%氫氣的混合氣體，以從加熱通道中排出空氣尤其是氧氣。加熱通道中的氧氣水準保持在50ppm以下，以避免引線框氧化。而且，混合氣體能夠被使用來還原出現在引線框表面上的銅氧化物，以改善焊料的可沾性(wettability)。
加熱通道通常會充滿上述的混合氣體。而且，對於晶粒安裝中所使用的焊接處理而言，主要的限制是還原金屬氧化物速度的低效和緩慢，尤其是關於焊料氧化物。氫氣的這種低效歸因於低溫時氫分子(hydrogen molecules)的缺失活性。由於活性的氫對於還原氧化物而言是重要的，所以高度反應性的活性基(reactive radicals)如單原子氫僅僅能夠在高溫下得以形成。例如，用於還原銅氧化物的有效溫度變化範圍是在350℃以上，而甚至更加高得多的溫度(超過450℃的溫度)是有必要地有效還原焊料氧化物的。通常，相對有限數量的氫氣能夠在軟焊料晶粒鍵合機的傳統加熱通道中能夠得以啟動。因此，能夠產生高度反應性的氫，從而降低所需數量的氫氣濃度和處理溫度以有效地還原氧化如焊料氧化，是令人期望的。
另外，由於加熱通道中存在幾個開放視窗用於處理操作，例如焊料滴塗、拍打(spanking)和晶粒鍵合，空氣常常在作為旋風漫射和流動進入加熱通道。這使得在加熱通道中實現不受氧氣干擾的環境具有挑戰性，以達到高水準的抗氧化而進行良好的焊接。在沒有有效還原焊料氧化物的情形下，在晶粒安裝過程中，所產生的焊料氧化將會導致空洞和晶粒斜置問題，和會引起可靠性問題。
更多的負面趨勢是越來越多具有低級焊料可沾性的低檔引線框正被使用。這些引線框更易於在它們的表面形成銅氧化，這證明在使用傳統的混合氣體阻止氧化方面具有挑戰性。
基於上述理由，傳統意義上已經使用的還原氣體(reducing gases)的有效性應該被改善。
所以，本發明的一個目的是尋求在焊料晶粒安裝環境中使用一種活性還原氣體，以避免前述傳統的晶粒安裝裝置的至少部分不足。
本發明的另一個目的是尋求實現一種比現有技術更為簡潔的再激勵方法(reactivating technique)，以便於提高還原處理的速度和有效性。
因此，本發明第一方面提供一種用於將半導體晶粒安裝在襯底上的晶粒安裝裝置，該襯底具有金屬表面，該裝置包含有：材料滴塗平臺，其用於將鍵合材料滴塗在襯底上；晶粒安裝平臺，其用於將半導體晶粒放置在已經滴塗在襯底上的鍵合材料上；以及活化氣體產生器，其設置在晶粒安裝平臺前側，以將激發的混合氣體引導在襯底上，該激發的混合氣體被操作來還原襯底上的氧化物。
本發明第二方面提供一種用於將半導體晶粒安裝在襯底上的方法，該襯底具有金屬表面，該方法包含有以下步驟：使用活化氣體產生器，將激發的混合氣體引導在襯底上，以還原襯底上的氧化物；在材料滴塗平臺處，將鍵合材料滴塗在襯底上；其後在晶粒安裝平臺處，將半導體晶粒放置在已經滴塗在襯底上的鍵合材料上。
本發明協力廠商面提供一種製造電子器件的方法，該電子器件包括具有金屬表面的襯底，該方法包含有以下步驟：使用活化氣體產生器，將激發的混合氣體引導在襯底上，以還原襯底上的氧化物；在材料滴塗平臺處，將鍵合材料滴塗在襯底上；其後在晶粒安裝平臺處，將半導體晶粒放置在已經滴塗在襯底上的鍵合材料上。
參閱後附的描述本發明實施例的附圖，隨後來詳細描述本發明是很方便的。附圖和相關的描述不能理解成是對本發明的限制，本發明的特點限定在權利要求書中。
10‧‧‧晶粒安裝裝置
11‧‧‧加熱通道
12‧‧‧加熱通道封蓋
14‧‧‧襯底
16‧‧‧保護氣體
18‧‧‧活化氣體產生器
20‧‧‧氣體供應管道
22‧‧‧混合氣體
24‧‧‧激發的混合氣體
26‧‧‧滑動蓋
27‧‧‧材料滴塗平臺
28‧‧‧導線滴塗器
30‧‧‧焊接導線
32‧‧‧焊點
33‧‧‧晶粒安裝平臺
34‧‧‧鍵合工具
36‧‧‧半導體晶粒
38‧‧‧焊料
40‧‧‧鍵合
50‧‧‧晶粒安裝裝置
52‧‧‧活化氣體產生器
54‧‧‧氣體供應管道
56‧‧‧混合氣體
58‧‧‧激發的混合氣體
60‧‧‧滑動蓋、晶粒安裝裝置
62‧‧‧導線滴塗器
70‧‧‧產生器固定器
72‧‧‧絕緣材料
74‧‧‧氣體渦旋式噴嘴
76‧‧‧孔洞
78‧‧‧氣體
80‧‧‧中央圓柱形電極
82‧‧‧交流電源
84‧‧‧金屬氧化物層
現參考附圖描述本發明所述具有還原氧化的用於完成晶粒安裝的裝置和工藝的實例，其中：圖1所示為根據本發明第一較佳實施例所述的使用激發的(activated)混合氣體的軟焊料晶粒安裝裝置的剖面示意圖；圖2所示為根據本發明第二較佳實施例所述的使用激發的混合氣體的軟焊料晶粒安裝裝置的剖面示意圖；圖3所示為根據本發明第三較佳實施例所述的晶粒安裝裝置的局部放大示意圖，其中活化氣體產生器被安裝在導線滴塗器(wire dispenser)上；圖4所示為同根據本發明第一和第二較佳實施例所述裝置一起使用的活化氣體產生器的實施例；和圖5(a)至圖5(c)所示為使用根據本發明較佳實施例所述的清潔工序進行還原之後去除氧化物的示意圖。
圖1所示為根據本發明第一較佳實施例所述的使用激發的混合氣體22的晶粒安裝裝置10的剖面示意圖。雖然此處所述的工序涉及軟焊料的使用，值得注意的是，晶粒安裝裝置10也可以適用於不使用軟焊料的晶粒安裝的其它方式。
晶粒安裝裝置10包含有封閉加熱通道11的加熱通道封蓋12，具有金屬表面的襯底14，如引線框被配置來傳輸通過該加熱通道，以便於將半導體晶粒36安裝至襯底14上。保護氣體16，其可能是氮氣或混合氣體，被引導進入和充滿加熱通道11的通路中，以當襯底14正在進行處理時封閉容置在加熱通道11中的襯底14，並保護設置在通路中的元件避免氧化。晶粒安裝裝置10具有至少一個加熱器，以將襯底14加熱至高於所使用的軟焊料的熔點大約30-80℃的溫度，以便於軟焊料一旦和襯底14接觸將會熔化。
活化氣體產生器18設置在加熱通道封蓋12上開口的上方，以將激發的混合氣體噴射通過該開口進入加熱通道11和襯底14之上，以還原襯底14上的氧化物。在焊接之前，激發的混合氣體主要被引入來清潔襯底14，其另外也被操作來在將半導體晶粒鍵合至襯底以前還原軟焊料安裝介質，如下所述。可供選擇的是，活化氣體產生器18可以被直接集成在加熱通道封蓋12上。氣體供應管道20耦接至活化氣體產生器18上，以提供大氣壓力下的已經啟動的混合氣體22。
混合氣體22已經被激發以產生活性物質(activated species)或活性基(excited radicals)，和氫離子。激發的混合氣體24和尤其是在混合氣體中出現的活性基作用在預熱襯底14上以還原氧化物。滑動蓋26閉合了 活化氣體產生器18和加熱通道封蓋12之間的間隙，以使得保護氣體16和激發的混合氣體24從加熱通道11的通路處的流失最小化。
材料滴塗平臺27設置在活化氣體產生器18的下游，用於滴塗鍵合材料。在所描述的實施例中，以軟焊料形式存在的鍵合材料被滴塗在襯底14上。在材料滴塗平臺27處，導線滴塗器28引入一段焊接導線30以將焊料滴塗在襯底14上，此時一旦焊接導線30和襯底14接觸會熔化而形成焊點32。可選的是，導線滴塗器28也可以生成焊料圖案。在焊點32已經滴塗在襯底14上之後，其上具有焊點32的襯底14被步進器(圖中未示)傳輸至晶粒安裝平臺33。設置在晶粒安裝平臺33上的鍵合工具34拾取和放置半導體晶粒36于已經滴塗在襯底14上的焊點32上。最後，半導體晶粒36連同來自焊點32的鍵合焊料38一起被冷卻以固化半導體晶粒36和襯底14之間的鍵合40。襯底14和鍵合後的半導體晶粒36然後被封裝成電子器件。
圖2所示為根據本發明第二較佳實施例所述的使用激發的混合氣體的晶粒安裝裝置50的剖面示意圖。在這個實施例中，除了設置在導線滴塗器28前面的第一活化氣體產生器18之外，第二活化氣體產生器52設置在位於導線滴塗器28和鍵合工具34之間的加熱通道封蓋12中另一個開口的上方。第二活化氣體產生器52還包括：用於提供大氣壓力下的已經啟動的混合氣體56的第二氣體供應管道54，用於閉合第二活化氣體產生器52和加熱通道封蓋12之間的間隙的滑動蓋60，以使得保護氣體16和激發的混合氣體58從加熱通道11的通路處的流失最小化。
當第一活化氣體產生器18至少在襯底14上滴塗有一定數量焊料的一個位置處(和在襯底14的其它部位上)被操作來還原襯底14上的 氧化物的同時，第二活化氣體產生器52被操作來主要還原已經滴塗在襯底14上的一定數量焊料上的氧化物。具體地，第二活化氣體產生器52主要地被操作來還原形成在已滴塗的焊點32上或已經于導線滴塗器28位置處引入於襯底14上的焊料圖案上的任何焊料氧化物。
也就是說，在晶粒安裝裝置50的這個實施例中採用了兩個活化氣體產生器18、52，它們安裝在導線滴塗器28之前和之後，以分別還原襯底14和焊點32上的氧化物。在晶粒安裝過程中，在襯底14已經被加熱至預定的溫度之後，襯底14上的任何氧化物被來自第一活化氣體產生器18的激發的混合氣體還原。在焊點32已經被滴塗在襯底14上之後，在半導體晶粒36被放置在焊點32或焊料圖案上以前，出現在焊點32或焊料圖案上的焊料氧化物被第二活化氣體產生器52還原。此後，鍵合後的焊料38被冷卻以將半導體晶粒36牢牢地鍵合在襯底14上。由於焊料相當清潔和可沾濕良好，所以良好的晶粒鍵合40能夠得以實現。
在另一個較佳的應用中，在材料滴塗平臺27處，所述的活化氣體產生器18、52可以直接被集成至導線滴塗器62上，該導線滴塗器62引入一段焊接導線64以將焊料滴塗在材料滴塗平臺27處。圖3所示為根據本發明第三較佳實施例所述的晶粒安裝裝置的局部放大示意圖，其中活化氣體產生器18被安裝在導線滴塗器62上。
連同活化氣體產生器，興奮的氫離子被引入和噴射在滴塗區域上，以不僅覆蓋將要滴塗焊料的襯底14的鍵合盤，而且覆蓋襯底14上已經滴塗的焊點32和焊料圖案。加熱後的襯底14被傳送至材料滴塗平臺27處，襯底14上存在的氧化物(如銅氧化物)立即被激發的混合氣體24還原。 在同一個位置，已經滴塗在襯底14的鍵合盤上的焊點32同樣也被還原。所以，在這個實施例中，單個的活化氣體產生器18可同時還原襯底14和焊點32。清潔後的襯底14上具有良好沾濕的清潔鍵合焊料38將會產生具有期望鍵合性能的焊料鍵合40。
啟動的混合氣體能夠被使用來處理不同類型的封裝件，包括單排或多排引線框和其他襯底。活化氣體產生器18、52相對於引線框設置在加熱通道封蓋12上，以還原設置在同一列上的所有單元，每列垂直於引線框的傳輸方向。較佳地，在加熱通道11的內部，活化氣體產生器18、52應該至少可垂直於襯底14的傳輸方向移動。滑動蓋26、60連接至活化氣體產生器18、52，且其被利用來蓋住加熱通道封蓋12的開口。在這種定位過程中，它被進一步適合來連同活化氣體產生器18、52一起移動。當活化氣體產生器18、52被使用來處理多排封裝件或器件時，滑動蓋26、60尤其可用於使得激發的混合氣體24、58自加熱通道處的洩漏最小化。
圖4所示為同根據本發明第一和第二較佳實施例所述裝置一起使用的活化氣體產生器18、52的實施例。具體地，活化氣體產生器18、52行使激發混合氣體中氫離子的功能。
活化氣體產生器18、52包含有：以中央圓柱形電極80形式存在的第一電極、氣體渦旋式噴嘴(gas swirler)74、絕緣材料72(dielectric material)和包括產生器固定器70的第二電極，和/或加熱通道封蓋12。這個氣體渦旋式噴嘴74會適合通過多個氣體渦旋式噴嘴的孔洞76使得混合氣體22旋轉進行圓周分佈。第一和第二電極被操縱來產生電場。
在這個實施例中，交流電場被提供在活化氣體產生器18、52 中以激勵氫氣。活化氣體產生器18被連接至加熱通道11。交流電場產生自一種包含有錐形的中央圓柱形電極80的裝置，該中央圓柱形電極80是導電的和凸伸的，並具有高表面曲率。該中央圓柱形電極80在其上部被絕緣材料72部分地環繞，其接著被導電的產生器固定器70所環繞。在其最低點，中央圓柱形電極80相鄰于加熱通道封蓋12的在加熱通道11中開設的開口設置。所述的產生器固定器70和加熱通道封蓋12電性連接至交流電源82上。包含於產生器固定器70中的第二電極圍繞中央圓柱形電極80，並被接地(參見圖4)。交流電源82的頻率除了可從10kHz變化至20MHz之外不被特定地限制，較合適地是在10至50kHz之間變化。電壓為100V至50kV，更為合適地是1kV至10kV的交流電已經被證明是特別有益於完成根據本發明所述的方法。
在中央圓柱形電極80和絕緣材料72之間以及絕緣材料72和包含於產生器固定器70的第二電極之間分別形成有細微的間隙。兩個電極之間的絕緣材料72被極性化以提供電場。交流電場同樣也產生在位於加熱通道封蓋12和中央電極80之間的活化氣體產生器18的底部。首先，混合氣體被氣體渦旋式噴嘴74旋轉，然後旋轉的氣體78高速地向下通過交流電場進入加熱通道11。包含於氣體混合物中的氫氣被至少部分地啟動以形成活性基，其後它進入加熱通道11的腔室以進行清潔的目的。
中央圓柱形電極80相鄰於活化氣體產生器18的噴嘴設置一段預定的距離，該距離位於中央圓柱形電極80的端部和待清潔的襯底14的表面或焊點32之間。該距離相對於中央電極的直徑得以確定，且該距離可以是中央電極的直徑的0.1倍至5倍之間，較合適地是0.5倍至3倍之間的範 圍。在中央圓柱形電極80和第二電極或絕緣材料72之間的間隙可以在從1mm至20mm之間，較合適地是從5mm變化至10mm的範圍，該間隙包含有交流電場。在活化氣體產生器18、52的排出口，加熱通道封蓋12的開口具有很大的直徑，以便於減緩啟動的混合氣體24、58進入加熱通道11和分別噴射在襯底14、焊點32上的速度，而為了避免任何損壞，尤其是對熔融焊料的損壞。
在氫氣從氣體渦旋式噴嘴74處被彈出之後，當氫氣通過由位於中央圓柱形電極80和包含於產生器固定器70的第二電極和/或加熱通道封蓋12之間的、頻率為10-50kHz的低頻交流電源82或RF電源產生的交流電場時，氫氣至少進一步被部分地激發。激發的氫物質可能進一步包含在氣體混合物中，其包括分子、原子、非氫離子和其他活性物質。活性物質被傳送通過加熱通道封蓋12中的開口進入加熱通道11，並作用在已經接地的襯底14和/或焊料32上。
圖5(a)至圖5(c)所示為使用根據本發明較佳實施例所述的清潔工序進行還原之後去除氧化物的示意圖。處理以前，金屬氧化物層84位於襯底14或焊點32的表面(參見圖5(a))。活性基和金屬氧化物(MO：metal oxide)在高溫下有效地反應，以將氧化物還原成純金屬和氣態水，該氣態水可能從加熱通道中得以耗盡，參見圖5(b)所示。
活性基是類似等離子體顆粒，其包括原子、離子和放電氫，以及其他活性物質。它們原地生產，並作用在襯底14或焊點32的表面。激發的活性基非常活潑且它們的密度非常高，和傳統的軟焊料晶粒鍵合中的熱分解顆粒相比多達100至1000倍。
大家相信，氧化物的還原發生如下：分解：nH2->H2*(激發的分子)+2H(激發的原子)+2H(離子)+2e'
氧化物的還原：2H(+)+MO->H2O(氣態)+M(此處M=焊料或銅)
圖5(c)顯示了還原之後，帶有良好可沾濕性效果的清潔後的金屬表面86。
所以，此處所述的是一種使用活化氣體產生器18、52的方式用於從襯底14和/或焊料32處移除金屬氧化物(MO)的裝置和方法。激發的活性基可得以被創造出，其後直接被引導入晶粒安裝裝置10、50、60的加熱通道11中，以還原諸如銅和焊料表面之類的金屬表面。在大氣壓力下，從混合氣體中活性基被激發出，它們高速地通過強大的電場，該電場通過來自電發生器的無線電波所產生。激發出的活性基也可以由相對於絕緣屏障環繞的放電所產生。
基於氮氣相對較低的成本和釋放的排出廢氣的環境友好的原因，氣體混合物通常包含有作為還原氣體的氫氣和作為載體的氮氣。載體氣體也可以包括但不限於氦氣(helium)和氬氣(argon)。在所描述的實施例中，氣體混合物可包括體積占0.1%至15%的氫氣，更為合適地為體積占3%至5%的氫氣；混合氣體流動可以以0.1-0.5Mpa的壓力被引入，但是更為合適地是從0.2Mpa至0.4Mpa。
此處描述的本發明在所具體描述的內容基礎上很容易產生變化、修正和/或補充，可以理解的是所有這些變化、修正和/或補充都包括 在本發明的上述描述的精神和範圍內。
10‧‧‧晶粒安裝裝置
11‧‧‧加熱通道
12‧‧‧加熱通道封蓋
14‧‧‧襯底
16‧‧‧保護氣體
18‧‧‧活化氣體產生器
20‧‧‧氣體供應管道
22‧‧‧混合氣體
24‧‧‧激發的混合氣體
26‧‧‧滑動蓋
27‧‧‧材料滴塗平臺
28‧‧‧導線滴塗器
30‧‧‧焊接導線
32‧‧‧焊點
33‧‧‧晶粒安裝平臺
34‧‧‧鍵合工具
36‧‧‧半導體晶粒
38‧‧‧焊料
40‧‧‧鍵合

Claims (20)

  1. 一種用於將半導體晶粒安裝在襯底上的晶粒安裝裝置，該襯底具有金屬表面，該裝置包含有：材料滴塗平臺，其用於將鍵合材料滴塗在襯底上；晶粒安裝平臺，其用於將半導體晶粒放置在已經滴塗在襯底上的鍵合材料上；以及活化氣體產生器，其設置在晶粒安裝平臺前側，以將激發的混合氣體引導在襯底上，該激發的混合氣體被操作來還原襯底上的氧化物。
  2. 如請求項1所述的晶粒安裝裝置，該裝置還包含有：加熱通道，其填充有保護氣體和使用加熱通道封蓋封閉以在襯底於各個平臺經過處理時容置襯底。
  3. 如請求項2所述的晶粒安裝裝置，其中，活化氣體產生器設置在加熱通道封蓋中的開口上方，激發的混合氣體通過該開口噴射在位於加熱通道中的襯底上。
  4. 如請求項3所述的晶粒安裝裝置，其中，活化氣體產生器至少垂直於襯底在加熱通道內部的傳送方向移動。
  5. 如請求項4所述的晶粒安裝裝置，該裝置還包含有：滑動蓋，其連接於活化氣體產生器並隨著活化氣體產生器移動，該滑動蓋被操作來使得激發的混合氣體通過該開口從加熱通道處的洩漏最小化。
  6. 如請求項3所述的晶粒安裝裝置，其中，該加熱通道封蓋中的開口具有足夠大的直徑以減緩啟動的混合氣體從活化氣體產生器露出進入加熱通道的速度。
  7. 如請求項1所述的晶粒安裝裝置，其中，該活化氣體產生器包含有第一氣體產生器和/或第二氣體產生器，該第一氣體產生器設置在材料滴塗 平臺前側，第二氣體產生器設置在材料滴塗平臺和晶粒安裝平臺之間。
  8. 如請求項7所述的晶粒安裝裝置，其中，該第一氣體產生器被操作來在襯底上至少將要滴塗一定數量的鍵合材料的位置處還原襯底上的氧化物，而第二氣體產生器被操作來還原已經滴塗在襯底上的一定數量的鍵合材料上的氧化物。
  9. 如請求項1所述的晶粒安裝裝置，其中，活化氣體產生器設置在材料滴塗平臺處。
  10. 如請求項9所述的晶粒安裝裝置，其中，活化氣體產生器被安裝在設置于材料滴塗平臺處的材料滴塗器上，活化氣體產生器被操作來既引導激發的混合氣體至少在襯底將要滴塗鍵合材料的局部處，又引導激發的混合氣體在已經滴塗在襯底的所述局部的鍵合材料上。
  11. 如請求項1所述的晶粒安裝裝置，其中，活化氣體產生器包含有：用於產生電場的第一電極和第二電極、氣體渦旋式噴嘴，該氣體渦旋式噴嘴包含有多個氣體渦旋式孔洞，以使得混合氣體進行圓周分佈的情形下旋轉通過電場。
  12. 如請求項11所述的晶粒安裝裝置，其中，第一電極包含有錐形的圓柱形電極，該圓柱形電極是導電的和凸伸的。
  13. 如請求項12所述的晶粒安裝裝置，其中，在其最低點，錐形的圓柱形電極相鄰於加熱通道中的開口設置，該加熱通道被操作來在各個平臺處理期間容置襯底。
  14. 如請求項12所述的晶粒安裝裝置，該裝置還包含有：絕緣材料，其設置在錐形的圓柱形電極和活化氣體產生器的固定器之間，該絕緣材料被極性化以提供電場。
  15. 如請求項12所述的晶粒安裝裝置，其中，第二電極連接至交流電 源上，其包含有用於活化氣體產生器的固定器和/或加熱通道封蓋，該加熱通道封蓋用於封閉加熱通道，該加熱通道被操作來在各個平臺處理襯底期間容置襯底。
  16. 如請求項15所述的晶粒安裝裝置，其中，交流電源的頻率是在10kHz至20MHz之間，電壓是在100V至50kV之間。
  17. 如請求項1所述的晶粒安裝裝置，其中，激發的混合氣體被活化氣體產生器所激勵，以產生活性物質和/或活性基而還原氧化物。
  18. 如請求項1所述的晶粒安裝裝置，其中，激發的混合氣體包含有激發的氫物質，該氫物質被激發來形成類似等離子體顆粒，該類似等離子體顆粒包括原子、離子和放電氫，以及其他活性物質。
  19. 一種用於將半導體晶粒安裝在襯底上的方法，該襯底具有金屬表面，該方法包含有以下步驟：使用活化氣體產生器，將激發的混合氣體引導在襯底上，以還原襯底上的氧化物；在材料滴塗平臺處，將鍵合材料滴塗在襯底上；在晶粒安裝平臺處，將半導體晶粒放置在已經滴塗在襯底的鍵合材料上。
  20. 一種製造電子器件的方法，該電子器件包括具有金屬表面的襯底，該方法包含有以下步驟：使用活化氣體產生器，將激發的混合氣體引導在襯底上，以還原襯底上的氧化物；在材料滴塗平臺處，將鍵合材料滴塗在襯底上；在晶粒安裝平臺處，將半導體晶粒放置在已經滴塗在襯底的鍵合材料上。
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