TW201517197A - 測量基底溫度用的溫度探針、組合件以及支撐基底用的壓板 - Google Patents

Abstract

本發明大體上描述了在半導體裝置製造期間用於測量基底的溫度的低壓溫度感測器。各項實施例描述了具有安置在壓板的介電板內的開口的氣室，其中密封件安置在氣室中的開口周圍，使得氣室中的開口可以抵著基底密封。此外，溫度感測器以及彈簧安置在氣室中，所述彈簧經偏置以將溫度感測器放置成與基底接觸。另外，提供了經配置以利用低壓氣體對氣室加壓以便增加基底與溫度感測器之間的熱導率的氣體源。

Description

用於基板溫度量測的氣體耦合探針

本發明的實施例大體上涉及基底加工的領域，並且更確切地說涉及在半導體裝置製造期間測量基底的溫度。

半導體裝置通常使用多步驟過程來製造，其中半導體裝置逐漸在基底(例如，半導體晶圓)上產生。在製造過程的各種步驟期間，期望控制基底的溫度。例如，在製造過程期間，出於改變基底的導電性的類型以及水準的目的，可以將離子植入在基底內(有時被稱作摻雜)。在積體電路(integrated circuit，IC)基底以及其薄膜結構中的精確的摻雜分佈通常對於恰當的IC性能是關鍵的。為了實現所需的摻雜分佈，可以不同的劑量並且在不同的能量處植入一種或多種離子種類。植入的植入劑量以及有效能量可能受到在植入過程期間基底的溫度的影響。事實上，一些離子植入過程被設計成在基底的溫度相對於室溫升高時執行。替代地，一些離子植入過程被設計成在基底的溫度相對於室溫降低時 執行。

如將瞭解，基底的精確溫度影響離子植入過程的結果。因此，需要在半導體製造期間測量基底溫度以便提供對製造過程的更好的控制。

提供此發明內容是為了以簡化形式引入下文在具體實施方式中進一步描述的概念的選擇。此發明內容並非意圖確認所主張的標的物的關鍵特徵或基本特徵，並且也非意圖作為對確定所主張的標的物的範圍的輔助。

大體來說，本發明的各項實施例提供用於在半導體製造過程期間測量基底的溫度的氣體耦合溫度探針。實例溫度探針包含用於測量基底的溫度的溫度感測器；具有開口的氣室，所述氣室安置在溫度感測器周圍；安置在氣室中的開口周圍的密封件，所述密封件經配置以抵著基底密封氣室中的開口；以及安置在氣室內的彈簧，所述彈簧經偏置以將溫度感測器放置成與基底接觸。

作為替代實例，一些實施例揭示了用於在半導體製造加工期間支撐基底的壓板，所述壓板包括用於支撐基底的介電板、安置在介電板中用於測量基底的溫度的溫度探針，所述溫度探針包括用於測量基底的溫度的溫度感測器；具有開口的氣室，所述氣室安置在溫度感測器周圍；安置在氣室中的開口周圍的密封件，所述密封件經配置以抵著基底密封氣室中的開口；以及安置 在氣室內的彈簧，所述彈簧經偏置以將溫度感測器放置成與基底接觸。

另一實例，一些實施例揭示了用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的溫度探針，所述溫度探針包括具有安置在壓板的介電板內的開口的氣室，所述壓板經配置以支撐基底；用於測量基底的溫度的溫度感測器；與溫度感測器進行熱接觸的溫度感測器觸點(temperature sensor contact)；具有開口的氣室，所述氣室安置在溫度感測器周圍；安置在氣室中的開口周圍的密封件，所述密封件經配置以抵著基底密封氣室中的開口；以及安置在氣室內的彈簧，所述彈簧經偏置將溫度感測器觸點放置成與基底接觸。

100‧‧‧壓板

102‧‧‧掃描器機構

110、202、402、502、602‧‧‧介電板

112‧‧‧電極

114‧‧‧臺面結構

116‧‧‧介面

118‧‧‧加熱組件

120‧‧‧介面板

122‧‧‧冷卻通道

140、142、200、300、400、500、600‧‧‧溫度探針

104、204、304、404、504、604‧‧‧基底

210、310、410、510、610‧‧‧氣室

211、311、411‧‧‧腔

212、312‧‧‧開口

214、314、414、514、614‧‧‧氣體源

216、316、416、516、616‧‧‧氣體

218、318、418、518、618‧‧‧壓力感測器

220、320、420、520、620‧‧‧溫度感測器

230、330、430、530、532、630、632‧‧‧彈簧

240、340、440、540、640‧‧‧密封件

250、350、450、550、650‧‧‧溫度感測器模組

306‧‧‧移動控制器

422、522、622‧‧‧溫度感測器觸點

513、613‧‧‧運載管

現將藉由實例參考附圖描述所揭示的裝置的各項實施例，在所述附圖中：圖1是用於半導體製造設備的示例性壓板的框圖。

圖2A到圖2B是實例溫度感測器的框圖。

圖3A到圖3B是另一實例溫度感測器的框圖。

圖4是溫度探針的另一替代實例的框圖。

圖5是溫度探針的又一實例的框圖。

圖6是完全根據本發明的實施例佈置的溫度探針的又一替代 實例的框圖。

本發明的實施例可以提供用於在半導體裝置製造過程期間對基底的溫度進行測量。如將瞭解，半導體裝置藉由在基底(例如，半導體晶圓等)中以及基底上形成裝置結構來製造。在製造過程期間，基底通常支撐在壓板上。壓板有助於向各種加工步驟暴露基底。圖1繪示了示出根據本發明的各項實施例佈置的實例壓板100的剖視圖的框圖。如將瞭解，壓板100可以併入到用於製造半導體裝置的較大設備(例如，離子植入設備、電漿室，或其類似者)中，在所述設備中需要測量正被加工的基底的溫度。

如所描繪，壓板100可以耦合到(coupled to)有助於壓板100的各種移動的掃描器機構102。壓板100可以包括介電板110以及介面板120。介電板110可以具有嵌入在其中以施加靜電力以將基底104(例如，半導體晶圓或其類似者)固持到介電板110的表面上的電極112。介電板110的表面可以是平滑的或者含有臺面結構114以減少與基底104的背面接觸並且減少背面顆粒。在基底104與介電板110之間形成的介面116可以含有背面氣體以改進或調整其間的熱接觸。

一個或多個加熱元件118可以嵌入在介電板110中以加熱介電板110並且將其溫度維持在所需溫度處。在操作期間，例如當將加熱基底104時，可以啟動加熱元件118，由於與介電板 110進行熱接觸，這將導致基底104的溫度增加。介面板120可以包含冷卻通道122，其中可以傳遞冷卻流體以冷卻壓板100。在操作期間，例如當將要對基底104進行冷卻時，冷卻流體可以經過冷卻通道，由於與介面板進行熱接觸，這將導致介電板110以及基底104的溫度降低。

如將瞭解，在操作期間，有利的是觀察基底104的溫度。因此，壓板100可以包含一個或多個溫度探針。例如，壓板100示出為包含溫度探針140以及溫度探針142。溫度探針140以及溫度探針142的各種實例將在下文關於圖2到圖6提供。在一些實例中，溫度探針(例如，溫度探針140)可以安置在與其上固持有基底的表面相鄰的介電板110內。因此，當基底104安置在壓板100上時，溫度探針140可與基底104相鄰並且與之接觸以測量基底的溫度。另外，溫度探針(例如，溫度探針142)可以安置成與延伸超出介電板110的基底104的一部分相鄰。

應瞭解，圖1中示出的溫度探針的數量是為了呈現的清楚性而設置。實際上，可以提供任何數目的溫度探針(例如，比圖1中示出的更多或更少)。例如，出於在各種不同位置處測量基底104的溫度的目的，可能需要將多個溫度探針140嵌入在介電板110中。

圖2A到圖2B繪示了示出實例溫度探針200的剖視圖的框圖。如所描繪，溫度探針200安置在壓板的介電板202內。大體來說，圖2A繪示了在與基底接觸之前的溫度探針，而圖2B繪 示了在基底204已經安置在介電板202上之後的溫度探針。如將瞭解，在一些實施例中，溫度探針200可以在圖1的壓板100中實施為溫度探針140。溫度探針200包含其中具有開口212的氣室210。在一些實例中，氣室210由陶瓷材料製成。在其他實例中，氣室210由具有低電導率以及低熱導率的陶瓷材料製成。氣室210安置在介電板202內，其中開口212暴露於介電板202的表面，基底204(圖2B中示出)可以附接到所述表面上。

氣室210包含經配置以利用氣體216對氣室210加壓的氣體源214，這將在下文更加詳細描述。在一些實例中，氣體216可以是惰性氣體，例如氮氣等。其他氣體可以包含氦氣或氬氣。在一些實例的情況下，氣體源214可以經配置以將氣室210加壓到較低壓力(例如，在2托與20托(單位：Torr)之間)。在一些實例中，氣室210中的壓力可以在8托與10托之間。為了維持此較低壓力，氣體源214可以經配置以使用真空來減少氣室210中的壓力。可以基於壓力感測器218監視和/或調整腔室內的壓力，所述壓力感測器可以耦合到氣體源214上。在一些實例中，溫度探針200可以安置在離子植入設備的加工室內。如將瞭解，在離子植入期間，加工室處於一定程度的真空下。在一些實例中，氣體源214可以經配置以將氣室210加壓到相對於離子植入設備的加工室中的壓力較高的壓力。

溫度探針200還包含溫度感測器220，所述溫度感測器安置在與開口212以及介電板202的頂部表面(例如，經配置以支 撐基底204的表面)相鄰的氣室內。在一些實例中，溫度感測器220可以是熱電偶(thermocouple，TC)、電阻溫度裝置(resistive temperature device，RTD)，或包含但不限於熱敏電阻或基於半導體的感測器的能夠測量溫度的另一裝置。溫度感測器220電耦合到經配置以啟動和/或操作溫度感測器220的溫度感測器模組250上。

彈簧230安置在氣室210中並且經偏置以朝向介電板202的頂部表面按壓溫度感測器220，使得當基底204放置在介電板202上時，溫度感測器220可以與基底204接觸(例如，如圖2B中所繪示)。密封件240安置在氣室210中的開口212周圍。配置密封件240，使得當基底204安置在介電板202上時，氣室210的內部空腔(例如，圖2B中示出的內部空腔211)將藉由密封件240抵著基底204的下表面密封。在一些實例中，密封件240可以是O型環。在其他實例中，密封件240可以由能夠耐受在操作期間介電板202可以加熱或冷卻到的溫度的材料(例如，矽、充氣金屬O型環，或其類似者)製成。

更具體地轉至圖2B，基底204示出為安置在介電板202上。由於彈簧230的偏置，溫度感測器220示出為與基底204的下表面接觸。此外，密封件240抵著基底240密封氣室，從而形成內腔211。由此，氣體源214可以利用氣體216對氣室210的內腔211加壓。

在操作期間，當氣室210的內腔211被加壓時，由於氣 室210中的壓力，溫度感測器220與基底204之間的熱傳導可增加。在一些實例中，氣室210中的相對較低壓力可以增加溫度感測器220與基底204之間的熱傳導。因此，可以有助於確定基底的溫度。此外，如上文所描述，一些介電板(例如，圖1的介電板110)是主動加熱或冷卻的。氣室210可以充當在溫度感測器220與介電板202之間的溫度遮罩。由此，溫度感測器220可能夠更加準確地測量基底204的溫度，而不會過分地受介電板202的溫度影響。

圖3A到圖3B繪示了示出實例溫度探針300的剖視圖的框圖。如所描繪，溫度探針300並不安置在介電板內。如將瞭解，在一些實施例中，溫度探針300可以在圖1的壓板100中實施為溫度探針142。大體來說，圖3A繪示了在與基底304接觸之前的溫度探針，而圖3B繪示了在與基底304接觸之後的溫度探針。

溫度探針300包含經配置以將溫度探針移動遠離基底304以及朝向基底304的移動控制器306。更具體來說，移動控制器306可以使溫度探針朝向基底304移動，使得溫度探針經定位以便測量基底304的溫度，如圖3B中所示出。因此，在實踐期間，當需要測量基底304的溫度時，移動控制器306可以抵著基底304定位溫度探針300，如圖3B中所描繪。

更具體地轉至圖3A，溫度探針300包含其中具有開口312的氣室310。在一些實例中，氣室310由陶瓷材料製成。在其他實例中，氣室310由具有低電導率以及低熱導率的陶瓷材料製成。 氣室310包含經配置以利用氣體316對氣室310加壓的氣體源314，這將在下文更加詳細描述。在一些實例中，氣體316可以是惰性氣體，例如氬氣等。在一些實例的情況下，氣體源314可以經配置以將氣室310加壓到較低壓力(例如，在2托與20托之間、在8托與10托之間，或其類似者)。為了維持此較低壓力，氣體源314可以經配置以使用真空來減少氣室310中的壓力。可以基於壓力感測器318監視和/或調整腔室內的壓力，所述壓力感測器可以耦合到氣體源314。在一些實例中，溫度探針300可以安置在離子植入設備的加工室內。如將瞭解，在離子植入期間，加工室處於一定程度的真空下。在一些實例中，氣體源314可以經配置以將氣室310加壓到相對於離子植入設備的加工室中的壓力較低的壓力。

溫度探針300還包含溫度感測器320。在一些實例中，溫度感測器320可以是熱電偶、電阻溫度裝置，或能夠測量溫度的另一裝置。溫度感測器320電耦合到經配置以啟動和/或操作溫度感測器320的溫度感測器模組350上。

彈簧330安置在氣室310中並且經偏置以朝向氣室310的頂部表面按壓溫度感測器320，使得當溫度探針300移動到與基底304相鄰時，溫度感測器320可以與基底304接觸(例如，如圖3B中所繪示)。密封件340安置在氣室310中的開口312周圍。配置密封件340，使得當溫度探針300移動到與基底304相鄰時，氣室310的內部空腔(例如，圖3B中示出的內部空腔311)將藉 由密封件340抵著基底304的下表面密封。在一些實例中，密封件340可以是O型環。在其他實例中，密封件340可以由能夠耐受在操作期間基底304可以加熱或冷卻到的溫度的材料(例如，矽、充氣金屬O型環，或其類似者)製成。

更具體地轉至圖3B，溫度探針300示出為移動到與基底304相鄰。由於彈簧330的偏置，溫度感測器320示出為與基底304的下表面接觸。此外，密封件340抵著基底340密封氣室，從而形成內腔311。由此，氣體源314可以利用氣體316對氣室310的內腔311加壓。

在操作期間，當氣室310的內腔311被加壓時，由於氣室310中的壓力，溫度感測器320與基底304之間的熱傳導可能增加。在一些實例中，氣室310中的相對較低壓力可以增加溫度感測器320與基底304之間的熱傳導。因此，可以有助於確定基底304的溫度。此外，如上文所描述，溫度探針300可以安置在離子植入設備的加工室內。如將瞭解，加工室內的較低壓力可能干擾基底304與溫度感測器320之間的熱傳導。然而，由於內腔311內部的氣體，溫度感測器320可能夠更加準確地測量基底304的溫度，而不會過分地受離子植入設備的加工室內的較低壓力影響。

圖4到圖6繪示了對應地示出實例溫度探針400、溫度探針500以及溫度探針600的剖視圖的框圖。應瞭解，儘管溫度探針400、溫度探針500以及溫度探針600描繪為安置在介電板(例 如，402、502以及602)內，但它們可以類似於溫度探針300進行配置。更具體來說，溫度探針400、溫度探針500或溫度探針600中的一個或多個可以不安置在介電板內，而是替代地可以經配置以在操作期間移動到與基底相鄰，使得可以測量基底的溫度(例如，如關於圖3A到圖3B所描述)。

此外，應瞭解，圖4到圖6僅示出在其已經與基底接觸之後的溫度探針400、溫度探針500以及溫度探針600。然而，可以設想成對佈置(例如，如圖2A到圖2B或圖3A到圖3B中所示)。更具體地轉至圖4，溫度探針400包含具有經配置以利用氣體416對氣室410加壓的氣體源414的氣室410。在一些實例中，氣體416可以是惰性氣體，例如氬氣等。在一些實例的情況下，氣體源414可以經配置以將氣室410加壓到較低壓力(例如，在2托與20托之間、在8托與10托之間，或其類似者)。為了維持此較低壓力，氣體源414可以經配置以使用真空來減少氣室410中的壓力。可以基於壓力感測器418監視和/或調整腔室內的壓力，所述壓力感測器可以耦合到氣體源414。在一些實例中，溫度探針400可以安置在離子植入設備的壓力室內。如將瞭解，在離子植入期間，加工室處於一定程度的真空下。在一些實例中，氣體源414可以經配置以將氣室410加壓到相對於離子植入設備的加工室中的壓力較低的壓力。

溫度探針400還包含安置在氣室內並且與介電板402的頂部表面相鄰的溫度感測器420以及溫度感測器觸點422。在一些 實例中，溫度感測器420可以是熱電偶、電阻溫度裝置，或能夠測量溫度的另一裝置。溫度感測器420電耦合到經配置以啟動和/或操作溫度感測器420的溫度感測器模組450上。如將瞭解，在一些實例中，溫度感測器420可能在尺寸上較小並且不適合於與基底404進行充分的熱接觸。由此，溫度感測器420可以附接(例如，膠合、結合、焊接或其類似者)到溫度感測器觸點422上。溫度感測器觸點422可以經配置以具有足夠的表面積以便產生用於基底404的熱接觸點。在一些實例中，溫度感測器觸點422可以由具有足夠高的熱傳導特性的材料(例如，鋁、氧化鋁、氧化鋯或其類似者)製成。因此，如所繪示，溫度感測器420安置在溫度感測器觸點422的第一表面上，而與第一表面相對的溫度感測器觸點的第二表面經配置以與基底404接觸。

彈簧430安置在氣室410中並且經偏置以朝向介電板402的頂部表面按壓溫度感測器觸點422(以及因此，溫度感測器420)，使得當基底404放置在介電板402上時，溫度感測器觸點422與基底404接觸。密封件440安置在氣室410中的開口412周圍。配置密封件440，使得當基底404安置在介電板402上時，氣室410的內部空腔411將藉由密封件440抵著基底404的下表面密封。在一些實例中，密封件440可以是O型環。在其他實例中，密封件440可以由能夠耐受在操作期間介電板402可以加熱或冷卻到的溫度的材料(例如，矽、充氣金屬O型環，或其類似者)製成。

如上文所描述，由於在內腔中形成的低壓區域，可以藉由溫度感測器觸點422導致基底404與溫度感測器420之間增加的熱狀態。

現在轉至圖5，包含氣室510的溫度探針500具有經配置以利用氣體516對氣室510加壓的氣體源514。在一些實例中，氣體516可以是惰性氣體，例如氬氣等。在一些實例的情況下，氣體源514可以經配置以將氣室510加壓到較低壓力(例如，在2托與20托之間、在8托與10托之間，或其類似者)。為了維持此較低壓力，氣體源514可以經配置以使用真空來減少氣室510中的壓力。可以基於壓力感測器518監視和/或調整腔室內的壓力，所述壓力感測器可以耦合到氣體源514上。在一些實例中，溫度探針500可以安置在離子植入設備的壓力室內。如將瞭解，在離子植入期間，加工室處於一定程度的真空下，例如，作為特定實例的2.0E-5托，但也可以在2托與20托之間。在一些實例中，氣體源514可以經配置以將氣室510加壓到相對於離子植入設備的加工室中的壓力較低的壓力。

溫度探針500還包含安置在氣室內並且與介電板502的頂部表面相鄰的溫度感測器520以及溫度感測器觸點522。在一些實例中，溫度感測器520可以是熱電偶、電阻溫度裝置，或能夠測量溫度的另一裝置。溫度感測器520電耦合到經配置以啟動和/或操作溫度感測器520的溫度感測器模組550上。如將瞭解，在一些實例中，溫度感測器520可能在尺寸上較小並且不適合於與 基底504進行充分的熱接觸。由此，溫度感測器520可以附接(例如，膠合、結合、焊接，或其類似者)到溫度感測器觸點522上。溫度感測器觸點522可以經配置以具有足夠的表面積以便產生用於基底504的熱接觸點。在一些實例中，溫度感測器觸點522可以由具有足夠高的熱傳導特性的材料(例如，鋁、氧化鋁、氧化鋯，或其類似者)製成。

彈簧530、彈簧532以及運載管513安置在氣室510中並且經偏置以朝向介電板502的頂部表面按壓溫度感測器觸點522(以及因此，溫度感測器520)，使得當基底504放置在介電板502上時，溫度感測器觸點522可以與基底504接觸。密封件540安置在氣室510中的開口512周圍。配置密封件540，使得當基底504安置在介電板502上時，氣室510的內部空腔511將藉由密封件540抵著基底504的下表面密封。在一些實例中，密封件540可以是O型環。在其他實例中，密封件540可以由能夠耐受在操作期間介電板502可以加熱或冷卻到的溫度的材料(例如，矽、充氣金屬O型環，或其類似者)製成。

如上文所描述，由於在內腔中形成的低壓區域，可以藉由溫度感測器觸點522導致基底504與溫度感測器520之間增加的熱狀態。

現在轉至圖6，包含氣室610的溫度探針600具有經配置以利用氣體616對氣室610加壓的氣體源614。在一些實例中，氣體616可以是惰性氣體，例如氬氣等。在一些實例的情況下，氣 體源614可以經配置以將氣室610加壓到較低壓力(例如，在2托與20托之間、在8托與10托之間，或其類似者)。為了維持此較低壓力，氣體源614可以經配置以使用真空來減少氣室610中的壓力。可以基於壓力感測器618監視和/或調整腔室內的壓力，所述壓力感測器可以耦合到氣體源614上。在一些實例中，溫度探針600可以安置在離子植入設備的加工室內。如將瞭解，在離子植入期間，加工室處於一定程度的真空下。在一些實例中，氣體源614可以經配置以將氣室610加壓到相對於離子植入設備的加工室中的壓力較低的壓力。

溫度探針600還包含安置在氣室內並且與介電板602的頂部表面相鄰的溫度感測器620以及溫度感測器觸點622。在一些實例中，溫度感測器620可以是熱電偶、電阻溫度裝置，或能夠測量溫度的另一裝置。溫度感測器620電耦合到經配置以啟動和/或操作溫度感測器620的溫度感測器模組650上。如將瞭解，在一些實例中，溫度感測器620可能在尺寸上較小並且不適合於與基底604進行充分的熱接觸。由此，溫度感測器620可以嵌入在溫度感測器觸點622內。溫度感測器觸點622可以經配置以具有足夠的表面積以便產生用於基底604的熱接觸點。在一些實例中，溫度感測器觸點622可以由具有足夠高的熱傳導特性的材料(例如，鋁、氧化鋁、氧化鋯，或其類似者)製成。

彈簧630、彈簧632以及運載管613安置在氣室610中並且經偏置以朝向介電板602的頂部表面按壓溫度感測器觸點622 (以及因此，溫度感測器620)，使得當基底604放置在介電板502上時，溫度感測器觸點622可以與基底604接觸。密封件640安置在氣室610中的開口612周圍。配置密封件640，使得當基底604安置在介電板602上時，氣室610的內部空腔611將藉由密封件640抵著基底604的下表面密封。在一些實例中，密封件640可以是O型環。在其他實例中，密封件640可以由能夠耐受在操作期間介電板602可以加熱或冷卻到的溫度的材料(例如，矽、充氣金屬O型環，或其類似者)製成。

如上文所描述，由於在內腔中形成的低壓區域，可以藉由溫度感測器觸點622導致基底604與溫度感測器620之間增加的熱狀態。

應瞭解，上述實例僅出於說明的目的給出且並不意圖是限制性的。此外，本發明的範圍不應受本文中所描述的具體實施例限制。實際上，所屬領域的一般技術人員根據前述描述和附圖將瞭解(除本文所描述的那些實施例和修改外)本發明的其他各項實施例和對本發明的修改。因此，此類其他實施例和修改意圖落入本發明的範圍內。此外，儘管本文已出於特定目的而在特定環境中在特定實施方案背景下描述了本發明，但所屬領域一般技術人員將認識到，本發明的效用不限於此，並且本發明可有利地在許多環境中實施用於許多目的。因此，應鑒於如本文所描述的本發明的整個廣度和精神來解釋上文陳述的申請專利範圍。

100‧‧‧壓板

102‧‧‧掃描器機構

104‧‧‧基底

110‧‧‧介電板

112‧‧‧電極

114‧‧‧臺面結構

116‧‧‧介面

118‧‧‧加熱組件

120‧‧‧介面板

122‧‧‧冷卻通道

140、142‧‧‧溫度探針

Claims (15)

1. 一種用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的組合件，包括：溫度感測器，用於測量基底的溫度；氣室，具有開口，所述氣室安置在所述溫度感測器周圍；密封件，安置在所述氣室中的所述開口周圍，所述密封件經配置以抵著所述基底密封所述氣室中的所述開口；以及彈簧，安置在所述氣室內，所述彈簧經偏置以將所述溫度感測器放置成與所述基底接觸。
2. 如申請專利範圍第1項所述的用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的組合件，進一步包括氣體源，所述氣體源經配置以利用氣體對所述氣室加壓，其中所述氣體源可以將所述氣室加壓到8托與10托之間的壓力。
3. 如申請專利範圍第1項所述的用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的組合件，進一步包括溫度感測器觸點，所述溫度感測器觸點安置在所述氣室內，所述溫度感測器與所述溫度感測器觸點進行熱接觸，並且所述彈簧經偏置以將所述溫度感測器觸點放置成與所述基底接觸。
4. 如申請專利範圍第3項所述的用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的組合件，其中所述溫度感測器安置在所述溫度感測器觸點的第一表面上，所述第一表面與所述溫度感測器觸點的第二表面相對，所述第二表面經配置以與所述基底接觸。
5. 如申請專利範圍第3項所述的用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的組合件，其中所述溫度感測器嵌入在所述溫度 感測器觸點內。
6. 一種用於在半導體製造加工期間支撐基底的壓板，包括：介電板，用於支撐基底；溫度探針，安置在所述介電板中用於測量所述基底的溫度，所述溫度探針包括：溫度感測器，用於測量所述基底的溫度；氣室，具有開口，所述氣室安置在所述溫度感測器周圍；密封件，安置在所述氣室中的所述開口周圍，所述密封件經配置以抵著所述基底密封所述氣室中的所述開口；以及彈簧，安置在所述氣室內，所述彈簧經偏置以將所述溫度感測器放置成與所述基底接觸。
7. 如申請專利範圍第6項所述的用於在半導體製造加工期間支撐基底的壓板，進一步包括氣體源，所述氣體源經配置以利用氣體對所述氣室加壓，其中所述氣體源可以將所述氣室加壓到8托與10托之間的壓力。
8. 如申請專利範圍第7項所述的用於在半導體製造加工期間支撐基底的壓板，其中所述氣體是惰性氣體。
9. 如申請專利範圍第6項所述的用於在半導體製造加工期間支撐基底的壓板，進一步包括溫度感測器觸點，所述溫度感測器觸點安置在所述氣室內，所述溫度感測器與所述溫度感測器觸點進行熱接觸，並且所述彈簧經偏置以將所述溫度感測器觸點放置成與所述基底接觸。
10. 如申請專利範圍第9項所述的用於在半導體製造加工期間支撐基底的壓板，其中所述溫度感測器安置在所述溫度感測器 觸點的第一表面上，所述第一表面與所述溫度感測器觸點的第二表面相對，所述第二表面經配置以與所述基底接觸。
11. 如申請專利範圍第9項所述的用於在半導體製造加工期間支撐基底的組合件，其中所述溫度感測器嵌入在所述溫度感測器觸點內。
12. 一種用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的溫度探針，包括：具有開口的氣室，安置在壓板的介電板內，所述壓板經配置以支撐基底；溫度感測器，用於測量所述基底的溫度；溫度感測器觸點，與所述溫度感測器進行熱接觸；具有開口的氣室，所述氣室安置在所述溫度感測器周圍；密封件，安置在所述氣室中的所述開口周圍，所述密封件經配置以抵著所述基底密封所述氣室中的所述開口；以及彈簧，安置在所述氣室內，所述彈簧經偏置以將所述溫度感測器觸點放置成與所述基底接觸。
13. 如申請專利範圍第12項所述的用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的溫度探針，進一步包括氣體源，所述氣體源經配置以利用氣體對所述氣室加壓。
14. 如申請專利範圍第13項所述的用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的溫度探針，其中所述氣體源經配置以將所述氣室加壓到8托與10托之間的壓力。
15. 如申請專利範圍第14項所述的用於在半導體製造加工期間測量基底的溫度的溫度探針，其中所述氣體是惰性氣體。