CN105659371B - 测量基板温度用的温度探针、组合件和支撑基板用的压板 - Google Patents

Abstract

本发明描述了在半导体制造期间用于测量基板温度的温度探针与组合件和用于支撑基板的传感器压板。温度探针包括温度传感器。各项实施例描述了具有安置在压板的介电板内的开口的气室，其中密封件安置在气室中的开口周围，使得气室中的开口可以抵着基板密封。此外，温度传感器以及弹簧安置在气室中，所述弹簧经偏置以将温度传感器放置成与基板接触。另外，提供了经配置以利用低压气体对气室加压以便增加基板与温度传感器之间的热导率的气体源。

Description

测量基板温度用的温度探针、组合件和支撑基板用的压板

技术领域

本发明的实施例大体上涉及基板加工的领域，并且更确切地说涉及在半导体装置制造期间测量基板的温度。

背景技术

本半导体装置通常使用多步骤过程来制造，其中半导体装置逐渐在基板(例如，半导体晶圆)上产生。在制造过程的各种步骤期间，期望控制基板的温度。例如，在制造过程期间，出于改变基板的导电性的类型以及水准的目的，可以将离子植入在基板内(有时被称作掺杂)。在积体电路(integrated circuit，IC)基板以及其薄膜结构中的精确的掺杂分布通常对于恰当的IC性能是关键的。为了实现所需的掺杂分布，可以不同的剂量并且在不同的能量处植入一种或多种离子种类。植入的植入剂量以及有效能量可能受到在植入过程期间基板的温度的影响。事实上，一些离子植入过程被设计成在基板的温度相对于室温升高时执行。替代地，一些离子植入过程被设计成在基板的温度相对于室温降低时执行。

如将了解，基板的精确温度影响离子植入过程的结果。因此，需要在半导体制造期间测量基板温度以便提供对制造过程的更好的控制。

发明内容

提供此发明内容是为了以简化形式引入下文在具体实施方式中进一步描述的概念的选择。此发明内容并非意图确认所主张的标的物的关键特征或基本特征，并且也非意图作为对确定所主张的标的物的范围的辅助。

大体来说，本发明的各项实施例提供用于在半导体制造过程期间测量基板的温度的气体耦合温度探针。实例温度探针包含用于测量基板的温度的温度传感器；具有开口的气室，所述气室安置在温度传感器周围；安置在气室中的开口周围的密封件，所述密封件经配置以抵着基板密封气室中的开口；以及安置在气室内的弹簧，所述弹簧经偏置以将温度传感器放置成与基板接触。

作为替代实例，一些实施例揭示了用于在半导体制造加工期间支撑基板的压板，所述压板包括用于支撑基板的介电板、安置在介电板中用于测量基板的温度的温度探针，所述温度探针包括用于测量基板的温度的温度传感器；具有开口的气室，所述气室安置在温度传感器周围；安置在气室中的开口周围的密封件，所述密封件经配置以抵着基板密封气室中的开口；以及安置在气室内的弹簧，所述弹簧经偏置以将温度传感器放置成与基板接触。

另一实例，一些实施例揭示了用于在半导体制造加工期间测量基板的温度的温度探针，所述温度探针包括具有安置在压板的介电板内的开口的气室，所述压板经配置以支撑基板；用于测量基板的温度的温度传感器；与温度传感器进行热接触的温度传感器触点(temperature sensor contact)；具有开口的气室，所述气室安置在温度传感器周围；安置在气室中的开口周围的密封件，所述密封件经配置以抵着基板密封气室中的开口；以及安置在气室内的弹簧，所述弹簧经偏置将温度传感器触点放置成与基板接触。

附图说明

现将通过实例参考附图描述所揭示的装置的各项实施例，在所述附图中：

图1是用于半导体制造设备的示例性压板的框图。

图2A到图2B是实例温度传感器的框图。

图3A到图3B是另一实例温度传感器的框图。

图4是温度探针的另一替代实例的框图。

图5是温度探针的又一实例的框图。

图6是完全根据本发明的实施例布置的温度探针的又一替代实例的框图。

具体实施方式

本发明的实施例可以提供用于在半导体装置制造过程期间对基板的温度进行测量。如将了解，半导体装置通过在基板(例如，半导体晶圆等)中以及基板上形成装置结构来制造。在制造过程期间，基板通常支撑在压板上。压板有助于向各种加工步骤暴露基板。图1绘示了示出根据本发明的各项实施例布置的实例压板100的剖视图的框图。如将了解，压板100可以并入到用于制造半导体装置的较大设备(例如，离子植入设备、电浆室，或其类似者)中，在所述设备中需要测量正被加工的基板的温度。

如所描绘，压板100可以耦合到(coupled to)有助于压板100的各种移动的扫描器机构102。压板100可以包括介电板110以及介面板120。介电板110可以具有嵌入在其中以施加静电力以将基板104(例如，半导体晶圆或其类似者)固持到介电板110的表面上的电极112。介电板110的表面可以是平滑的或者含有台面结构114以减少与基板104的背面接触并且减少背面颗粒。在基板104与介电板110之间形成的介面116可以含有背面气体以改进或调整其间的热接触。

一个或多个加热元件118可以嵌入在介电板110中以加热介电板110并且将其温度维持在所需温度处。在操作期间，例如当将加热基板104时，可以启动加热元件118，由于与介电板110进行热接触，这将导致基板104的温度增加。介面板120可以包含冷却通道122，其中可以传递冷却流体以冷却压板100。在操作期间，例如当将要对基板104进行冷却时，冷却流体可以经过冷却通道，由于与介面板进行热接触，这将导致介电板110以及基板104的温度降低。

如将了解，在操作期间，有利的是观察基板104的温度。因此，压板100可以包含一个或多个温度探针。例如，压板100示出为包含温度探针140以及温度探针142。温度探针140以及温度探针142的各种实例将在下文关于图2A到图6提供。在一些实例中，温度探针(例如，温度探针140)可以安置在与其上固持有基板的表面相邻的介电板110内。因此，当基板104安置在压板100上时，温度探针140可与基板104相邻并且与之接触以测量基板的温度。另外，温度探针(例如，温度探针142)可以安置成与延伸超出介电板110的基板104的一部分相邻。

应了解，图1中示出的温度探针的数量是为了呈现的清楚性而设置。实际上，可以提供任何数目的温度探针(例如，比图1中示出的更多或更少)。例如，出于在各种不同位置处测量基板104的温度的目的，可能需要将多个温度探针140嵌入在介电板110中。

图2A到图2B绘示了示出实例温度探针200的剖视图的框图。如所描绘，温度探针200安置在压板的介电板202内。大体来说，图2A绘示了在与基板接触之前的温度探针，而图2B绘示了在基板204已经安置在介电板202上之后的温度探针。如将了解，在一些实施例中，温度探针200可以在图1的压板100中实施为温度探针140。温度探针200包含其中具有开口212的气室210。在一些实例中，气室210由陶瓷材料制成。在其他实例中，气室210由具有低电导率以及低热导率的陶瓷材料制成。气室210安置在介电板202内，其中开口212暴露于介电板202的表面，基板204(图2B中示出)可以附接到所述表面上。

气室210包含经配置以利用气体216对气室210加压的气体源214，这将在下文更加详细描述。在一些实例中，气体216可以是惰性气体，例如氮气等。其他气体可以包含氦气或氩气。在一些实例的情况下，气体源214可以经配置以将气室210加压到较低压力(例如，在2托与20托(单位:Torr)之间)。在一些实例中，气室210中的压力可以在8托与10托之间。为了维持此较低压力，气体源214可以经配置以使用真空来减少气室210中的压力。可以基于压力传感器218监视和/或调整腔室内的压力，所述压力传感器可以耦合到气体源214上。在一些实例中，温度探针200可以安置在离子植入设备的加工室内。如将了解，在离子植入期间，加工室处于一定程度的真空下。在一些实例中，气体源214可以经配置以将气室210加压到相对于离子植入设备的加工室中的压力较高的压力。

温度探针200还包含温度传感器220，所述温度传感器安置在与开口212以及介电板202的顶部表面(例如，经配置以支撑基板204的表面)相邻的气室内。在一些实例中，温度传感器220可以是热电偶(thermocouple，TC)、电阻温度装置(resistive temperaturedevice，RTD)，或包含但不限于热敏电阻或基于半导体的传感器的能够测量温度的另一装置。温度传感器220电耦合到经配置以启动和/或操作温度传感器220的温度传感器模组250上。

弹簧230安置在气室210中并且经偏置以朝向介电板202的顶部表面按压温度传感器220，使得当基板204放置在介电板202上时，温度传感器220可以与基板204接触(例如，如图2B中所绘示)。密封件240安置在气室210中的开口212周围。配置密封件240，使得当基板204安置在介电板202上时，气室210的内部空腔(例如，图2B中示出的内部空腔211)将通过密封件240抵着基板204的下表面密封。在一些实例中，密封件240可以是O型环。在其他实例中，密封件240可以由能够耐受在操作期间介电板202可以加热或冷却到的温度的材料(例如，硅、充气金属O型环，或其类似者)制成。

更具体地转至图2B，基板204示出为安置在介电板202上。由于弹簧230的偏置，温度传感器220示出为与基板204的下表面接触。此外，密封件240抵着基板204密封气室，从而形成内腔211。由此，气体源214可以利用气体216对气室210的内腔211加压。

在操作期间，当气室210的内腔211被加压时，由于气室210中的压力，温度传感器220与基板204之间的热传导可增加。在一些实例中，气室210中的相对较低压力可以增加温度传感器220与基板204之间的热传导。因此，可以有助于确定基板的温度。此外，如上文所描述，一些介电板(例如，图1的介电板110)是主动加热或冷却的。气室210可以充当在温度传感器220与介电板202之间的温度遮罩。由此，温度传感器220可能够更加准确地测量基板204的温度，而不会过分地受介电板202的温度影响。

图3A到图3B绘示了示出实例温度探针300的剖视图的框图。如所描绘，温度探针300并不安置在介电板内。如将了解，在一些实施例中，温度探针300可以在图1的压板100中实施为温度探针142。大体来说，图3A绘示了在与基板304接触之前的温度探针，而图3B绘示了在与基板304接触之后的温度探针。

温度探针300包含经配置以将温度探针移动远离基板304以及朝向基板304的移动控制器306。更具体来说，移动控制器306可以使温度探针朝向基板304移动，使得温度探针经定位以便测量基板304的温度，如图3B中所示出。因此，在实践期间，当需要测量基板304的温度时，移动控制器306可以抵着基板304定位温度探针300，如图3B中所描绘。

更具体地转至图3A，温度探针300包含其中具有开口312的气室310。在一些实例中，气室310由陶瓷材料制成。在其他实例中，气室310由具有低电导率以及低热导率的陶瓷材料制成。气室310包含经配置以利用气体316对气室310加压的气体源314，这将在下文更加详细描述。在一些实例中，气体316可以是惰性气体，例如氩气等。在一些实例的情况下，气体源314可以经配置以将气室310加压到较低压力(例如，在2托与20托之间、在8托与10托之间，或其类似者)。为了维持此较低压力，气体源314可以经配置以使用真空来减少气室310中的压力。可以基于压力传感器318监视和/或调整腔室内的压力，所述压力传感器可以耦合到气体源314。在一些实例中，温度探针300可以安置在离子植入设备的加工室内。如将了解，在离子植入期间，加工室处于一定程度的真空下。在一些实例中，气体源314可以经配置以将气室310加压到相对于离子植入设备的加工室中的压力较低的压力。

温度探针300还包含温度传感器320。在一些实例中，温度传感器320可以是热电偶、电阻温度装置，或能够测量温度的另一装置。温度传感器320电耦合到经配置以启动和/或操作温度传感器320的温度传感器模组350上。

弹簧330安置在气室310中并且经偏置以朝向气室310的顶部表面按压温度传感器320，使得当温度探针300移动到与基板304相邻时，温度传感器320可以与基板304接触(例如，如图3B中所绘示)。密封件340安置在气室310中的开口312周围。配置密封件340，使得当温度探针300移动到与基板304相邻时，气室310的内部空腔(例如，图3B中示出的内部空腔311)将通过密封件340抵着基板304的下表面密封。在一些实例中，密封件340可以是O型环。在其他实例中，密封件340可以由能够耐受在操作期间基板304可以加热或冷却到的温度的材料(例如，硅、充气金属O型环，或其类似者)制成。

更具体地转至图3B，温度探针300示出为移动到与基板304相邻。由于弹簧330的偏置，温度传感器320示出为与基板304的下表面接触。此外，密封件340抵着基板304密封气室，从而形成内腔311。由此，气体源314可以利用气体316对气室310的内腔311加压。

在操作期间，当气室310的内腔311被加压时，由于气室310中的压力，温度传感器320与基板304之间的热传导可能增加。在一些实例中，气室310中的相对较低压力可以增加温度传感器320与基板304之间的热传导。因此，可以有助于确定基板304的温度。此外，如上文所描述，温度探针300可以安置在离子植入设备的加工室内。如将了解，加工室内的较低压力可能干扰基板304与温度传感器320之间的热传导。然而，由于内腔311内部的气体，温度传感器320可能够更加准确地测量基板304的温度，而不会过分地受离子植入设备的加工室内的较低压力影响。

图4到图6绘示了对应地示出实例温度探针400、温度探针500以及温度探针600的剖视图的框图。应了解，尽管温度探针400、温度探针500以及温度探针600描绘为安置在介电板(例如，402、502以及602)内，但它们可以类似于温度探针300进行配置。更具体来说，温度探针400、温度探针500或温度探针600中的一个或多个可以不安置在介电板内，而是替代地可以经配置以在操作期间移动到与基板相邻，使得可以测量基板的温度(例如，如关于图3A到图3B所描述)。

此外，应了解，图4到图6仅示出在其已经与基板接触之后的温度探针400、温度探针500以及温度探针600。然而，可以设想成对布置(例如，如图2A到图2B或图3A到图3B中所示)。更具体地转至图4，温度探针400包含具有经配置以利用气体416对气室410加压的气体源414的气室410。在一些实例中，气体416可以是惰性气体，例如氩气等。在一些实例的情况下，气体源414可以经配置以将气室410加压到较低压力(例如，在2托与20托之间、在8托与10托之间，或其类似者)。为了维持此较低压力，气体源414可以经配置以使用真空来减少气室410中的压力。可以基于压力传感器418监视和/或调整腔室内的压力，所述压力传感器可以耦合到气体源414。在一些实例中，温度探针400可以安置在离子植入设备的压力室内。如将了解，在离子植入期间，加工室处于一定程度的真空下。在一些实例中，气体源414可以经配置以将气室410加压到相对于离子植入设备的加工室中的压力较低的压力。

温度探针400还包含安置在气室内并且与介电板402的顶部表面相邻的温度传感器420以及温度传感器触点422。在一些实例中，温度传感器420可以是热电偶、电阻温度装置，或能够测量温度的另一装置。温度传感器420电耦合到经配置以启动和/或操作温度传感器420的温度传感器模组450上。如将了解，在一些实例中，温度传感器420可能在尺寸上较小并且不适合于与基板404进行充分的热接触。由此，温度传感器420可以附接(例如，胶合、结合、焊接或其类似者)到温度传感器触点422上。温度传感器触点422可以经配置以具有足够的表面积以便产生用于基板404的热接触点。在一些实例中，温度传感器触点422可以由具有足够高的热传导特性的材料(例如，铝、氧化铝、氧化锆或其类似者)制成。因此，如所绘示，温度传感器420安置在温度传感器触点422的第一表面上，而与第一表面相对的温度传感器触点的第二表面经配置以与基板404接触。

弹簧430安置在气室410中并且经偏置以朝向介电板402的顶部表面按压温度传感器触点422(以及因此，温度传感器420)，使得当基板404放置在介电板402上时，温度传感器触点422与基板404接触。密封件440安置在气室410中的开口周围。配置密封件440，使得当基板404安置在介电板402上时，气室410的内部空腔411将通过密封件440抵着基板404的下表面密封。在一些实例中，密封件440可以是O型环。在其他实例中，密封件440可以由能够耐受在操作期间介电板402可以加热或冷却到的温度的材料(例如，硅、充气金属O型环，或其类似者)制成。

如上文所描述，由于在内腔中形成的低压区域，可以通过温度传感器触点422导致基板404与温度传感器420之间增加的热传导。

现在转至图5，包含气室510的温度探针500具有经配置以利用气体516对气室510加压的气体源514。在一些实例中，气体516可以是惰性气体，例如氩气等。在一些实例的情况下，气体源514可以经配置以将气室510加压到较低压力(例如，在2托与20托之间、在8托与10托之间，或其类似者)。为了维持此较低压力，气体源514可以经配置以使用真空来减少气室510中的压力。可以基于压力传感器518监视和/或调整腔室内的压力，所述压力传感器可以耦合到气体源514上。在一些实例中，温度探针500可以安置在离子植入设备的压力室内。如将了解，在离子植入期间，加工室处于一定程度的真空下，例如，作为特定实例的2.0E-5托，但也可以在2托与20托之间。在一些实例中，气体源514可以经配置以将气室510加压到相对于离子植入设备的加工室中的压力较低的压力。

温度探针500还包含安置在气室内并且与介电板502的顶部表面相邻的温度传感器520以及温度传感器触点522。在一些实例中，温度传感器520可以是热电偶、电阻温度装置，或能够测量温度的另一装置。温度传感器520电耦合到经配置以启动和/或操作温度传感器520的温度传感器模组550上。如将了解，在一些实例中，温度传感器520可能在尺寸上较小并且不适合于与基板504进行充分的热接触。由此，温度传感器520可以附接(例如，胶合、结合、焊接，或其类似者)到温度传感器触点522上。温度传感器触点522可以经配置以具有足够的表面积以便产生用于基板504的热接触点。在一些实例中，温度传感器触点522可以由具有足够高的热传导特性的材料(例如，铝、氧化铝、氧化锆，或其类似者)制成。

弹簧530、弹簧532以及运载管513安置在气室510中并且经偏置以朝向介电板502的顶部表面按压温度传感器触点522(以及因此，温度传感器520)，使得当基板504放置在介电板502上时，温度传感器触点522可以与基板504接触。密封件540安置在气室510中的开口周围。配置密封件540，使得当基板504安置在介电板502上时，气室510的内部空腔将通过密封件540抵着基板504的下表面密封。在一些实例中，密封件540可以是O型环。在其他实例中，密封件540可以由能够耐受在操作期间介电板502可以加热或冷却到的温度的材料(例如，硅、充气金属O型环，或其类似者)制成。

如上文所描述，由于在内腔中形成的低压区域，可以通过温度传感器触点522导致基板504与温度传感器520之间增加的热传导。

现在转至图6，包含气室610的温度探针600具有经配置以利用气体616对气室610加压的气体源614。在一些实例中，气体616可以是惰性气体，例如氩气等。在一些实例的情况下，气体源614可以经配置以将气室610加压到较低压力(例如，在2托与20托之间、在8托与10托之间，或其类似者)。为了维持此较低压力，气体源614可以经配置以使用真空来减少气室610中的压力。可以基于压力传感器618监视和/或调整腔室内的压力，所述压力传感器可以耦合到气体源614上。在一些实例中，温度探针600可以安置在离子植入设备的加工室内。如将了解，在离子植入期间，加工室处于一定程度的真空下。在一些实例中，气体源614可以经配置以将气室610加压到相对于离子植入设备的加工室中的压力较低的压力。

温度探针600还包含安置在气室内并且与介电板602的顶部表面相邻的温度传感器620以及温度传感器触点622。在一些实例中，温度传感器620可以是热电偶、电阻温度装置，或能够测量温度的另一装置。温度传感器620电耦合到经配置以启动和/或操作温度传感器620的温度传感器模组650上。如将了解，在一些实例中，温度传感器620可能在尺寸上较小并且不适合于与基板604进行充分的热接触。由此，温度传感器620可以嵌入在温度传感器触点622内。温度传感器触点622可以经配置以具有足够的表面积以便产生用于基板604的热接触点。在一些实例中，温度传感器触点622可以由具有足够高的热传导特性的材料(例如，铝、氧化铝、氧化锆，或其类似者)制成。

弹簧630、弹簧632以及运载管613安置在气室610中并且经偏置以朝向介电板602的顶部表面按压温度传感器触点622(以及因此，温度传感器620)，使得当基板604放置在介电板602上时，温度传感器触点622可以与基板604接触。密封件640安置在气室610中的开口612周围。配置密封件640，使得当基板604安置在介电板602上时，气室610的内部空腔将通过密封件640抵着基板604的下表面密封。在一些实例中，密封件640可以是O型环。在其他实例中，密封件640可以由能够耐受在操作期间介电板602可以加热或冷却到的温度的材料(例如，硅、充气金属O型环，或其类似者)制成。

如上文所描述，由于在内腔中形成的低压区域，可以通过温度传感器触点622导致基板604与温度传感器620之间增加的热传导。

应了解，上述实例仅出于说明的目的给出且并不意图是限制性的。此外，本发明的范围不应受本文中所描述的具体实施例限制。实际上，所属领域的一般技术人员根据前述描述和附图将了解(除本文所描述的那些实施例和修改外)本发明的其他各项实施例和对本发明的修改。因此，此类其他实施例和修改意图落入本发明的范围内。此外，尽管本文已出于特定目的而在特定环境中在特定实施方案背景下描述了本发明，但所属领域一般技术人员将认识到，本发明的效用不限于此，并且本发明可有利地在许多环境中实施用于许多目的。因此，应鉴于如本文所描述的本发明的整个广度和精神来解释上文陈述的申请专利范围。

Claims (14)

1.一种用于在半导体制造加工期间测量基板的温度的组合件，包括：

温度传感器，用于测量基板的温度；

气室，整个设置在所述基板的背面上，所述气室具有开口且安置在所述温度传感器周围；

密封件，安置在所述气室中的所述开口周围，所述密封件经配置以抵着所述基板密封所述气室中的所述开口；

弹簧，安置在所述气室内，所述弹簧经偏置以将所述温度传感器放置成与所述基板接触；以及

气体源，经配置以利用气体对所述气室加压。

2.根据权利要求1所述的用于在半导体制造加工期间测量基板的温度的组合件，其中所述气体源可以将所述气室加压到8托与10托之间的压力。

3.根据权利要求1所述的用于在半导体制造加工期间测量基板的温度的组合件，进一步包括温度传感器触点，所述温度传感器触点安置在所述气室内，所述温度传感器与所述温度传感器触点进行热接触，并且所述弹簧经偏置以将所述温度传感器触点放置成与所述基板接触。

4.根据权利要求3所述的用于在半导体制造加工期间测量基板的温度的组合件，其中所述温度传感器安置在所述温度传感器触点的第一表面上，所述第一表面与所述温度传感器触点的第二表面相对，所述第二表面经配置以与所述基板接触。

5.根据权利要求3所述的用于在半导体制造加工期间测量基板的温度的组合件，其中所述温度传感器嵌入在所述温度传感器触点内。

6.一种用于在半导体制造加工期间支撑基板的压板，包括：

介电板，用于支撑基板；

温度探针，安置在所述介电板中用于测量所述基板的温度，所述温度探针包括：

温度传感器，用于测量所述基板的温度；

气室，整个设置在所述基板的背面上，所述气室具有开口且安置在所述温度传感器周围；

密封件，安置在所述气室中的所述开口周围，所述密封件经配置以抵着所述基板密封所述气室中的所述开口；

弹簧，安置在所述气室内，所述弹簧经偏置以将所述温度传感器放置成与所述基板接触；以及

气体源，经配置以利用气体对所述气室加压。

7.根据权利要求6所述的用于在半导体制造加工期间支撑基板的压板，其中所述气体源可以将所述气室加压到8托与10托之间的压力。

8.根据权利要求7所述的用于在半导体制造加工期间支撑基板的压板，其中所述气体是惰性气体。

9.根据权利要求6所述的用于在半导体制造加工期间支撑基板的压板，进一步包括温度传感器触点，所述温度传感器触点安置在所述气室内，所述温度传感器与所述温度传感器触点进行热接触，并且所述弹簧经偏置以将所述温度传感器触点放置成与所述基板接触。

10.根据权利要求9所述的用于在半导体制造加工期间支撑基板的压板，其中所述温度传感器安置在所述温度传感器触点的第一表面上，所述第一表面与所述温度传感器触点的第二表面相对，所述第二表面经配置以与所述基板接触。

11.根据权利要求9所述的用于在半导体制造加工期间支撑基板的压板，其中所述温度传感器嵌入在所述温度传感器触点内。

12.一种用于在半导体制造加工期间测量基板的温度的温度探针，包括：

气室，整个设置在所述基板的背面上且在压板的介电板内界定开口，所述压板经配置以支撑所述基板；

温度传感器，用于测量所述基板的温度；

温度传感器触点，与所述温度传感器进行热接触；

密封件，安置在所述气室中的所述开口周围，所述密封件经配置以抵着所述基板密封所述气室中的所述开口；

弹簧，安置在所述气室内，所述弹簧经偏置以将所述温度传感器触点放置成与所述基板接触；以及

气体源，经配置以利用气体对所述气室加压。

13.根据权利要求12所述的用于在半导体制造加工期间测量基板的温度的温度探针，其中所述气体源经配置以将所述气室加压到8托与10托之间的压力。

14.根据权利要求13所述的用于在半导体制造加工期间测量基板的温度的温度探针，其中所述气体是惰性气体。

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