TW201516581A - 液浸構件、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之液浸構件(4A)係用以將從光學構件(3)射出之曝光用光(EL)通過之液浸空間(LS)形成在曝光裝置(EX1)內，其具備：配置在光學構件周圍之至少一部分且具備與能在光學構件下方移動之物體(5、51、52、6、61)對向之第1下面(4111)的第1構件(41)、以及具備相對光學構件之光軸(AX)位在第1下面外側並與物體對向之第2下面(4211)與相對光軸位在第2下面內側並且至少一部分位在第1下面之至少一部分之上方之第3下面(4221)且能移動的第2構件(42)。

Description

液浸構件、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
本發明係關於液浸構件、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法之技術領域。
作為於微影製程使用之曝光裝置，有一種使用透過在光學構件之射出面與基板間之液體投影之曝光用光，使基板曝光的液浸曝光裝置(例如，參照專利文獻1)。
先行技術文獻
〔專利文獻1〕美國專利第7,864,292號
液浸曝光裝置中，例如當液體從既定空間流出或殘留在基板等物體上時，極有可能發生曝光不良。其結果，可能產生不良元件。
本發明之目的在提供一種能抑制曝光不良之發生的液浸構件、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法。
第1態樣之液浸構件，係將從光學構件射出之曝光用光通過 之液浸空間形成在曝光裝置內，其具備：第1構件，係配置在該光學構件周圍之至少一部分，且具備與可在該光學構件下方移動之物體對向的第1下面；以及第2構件，具備相對該光學構件之光軸位在該第1下面之外側並與該物體對向的第2下面、與相對該光軸位在該第2下面之內側並且至少一部分位在該第1下面之至少一部分之上方的第3下面，且可移動。
第2態樣之液浸構件，係將從光學構件射出之曝光用光通過之液浸空間形成在曝光裝置內，其具備：第1構件，配置在該光學構件周圍之至少一部分；第2構件，至少一部分位在該第1構件下方，具備該曝光用光能通過之第1開口、且能移動；以及第3構件，配置在該第1開口且該曝光用光通過。
第3態樣之液浸構件，係將從光學構件射出之曝光用光通過之液浸空間形成在曝光裝置內，其具備：第1構件，配置在該光學構件周圍之至少一部分；以及第2構件，至少一部分位在該第1構件下方，具備該曝光用光能通過之第1開口、且能移動；位在從該光學構件射出之該曝光用光之光路上之該第2構件之至少一部分，係該曝光用光可通過之第3構件。
第1態樣之曝光裝置，係使用透過液浸空間投影之曝光用光使基板曝光，其特徵在於：使用上述第1、第2或第3態樣之液浸構件形成該液浸空間。
第1態樣之曝光方法，係使用透過液浸空間投影之曝光用光使基板曝光，其特徵在於：使用上述第1、第2或第3態樣之液浸構件形成該液浸空間。
第1態樣之元件製造方法，具備：使用上述第1態樣之曝光裝置使基板曝光的動作，以及使曝光後之該基板顯影的動作。
第2態樣之元件製造方法，具備：使用上述第1態樣之曝光方法使基板曝光的動作，以及使曝光後之該基板顯影的動作。
1‧‧‧光罩載台
2‧‧‧照明系
3‧‧‧投影光學系
4A、4B‧‧‧液浸構件
5、5A、5B‧‧‧基板載台
6‧‧‧測量載台
7‧‧‧測量系統
8‧‧‧處理室裝置
9‧‧‧控制裝置
11‧‧‧光罩
12‧‧‧驅動系統
31‧‧‧終端光學元件
32‧‧‧射出面
33‧‧‧外面
37‧‧‧基準框架
38‧‧‧裝置框架
39‧‧‧防振裝置
41、41B‧‧‧第1構件
42、42B‧‧‧第2構件
49B‧‧‧第3構件
51、51A、51B‧‧‧基板
52‧‧‧基板載台之上面
61‧‧‧測量構件
81‧‧‧基座構件
82‧‧‧驅動系統
91‧‧‧控制器
92‧‧‧記憶體
411‧‧‧第1構件之第1部分
412‧‧‧第1構件之第2部分
413‧‧‧第1構件之第3部分
415‧‧‧開口
421‧‧‧第2構件之第1部分
422‧‧‧第2構件之第2部分
425‧‧‧開口
431、432‧‧‧液體供應口
441、442‧‧‧流體回收口
451‧‧‧驅動裝置
452、453‧‧‧支承構件
811‧‧‧基座構件之引導面
825‧‧‧動子
826‧‧‧可動子
828‧‧‧固定子
4111‧‧‧第1部分411之下面
4112‧‧‧第1部分之上面
4113‧‧‧第1部分之外側面
4121‧‧‧第2部分412之內側面
4122‧‧‧第2部分412之外側面
4131‧‧‧第3部分413之上面
4132‧‧‧第3部分413之下面
4211‧‧‧第1部分421之下面
4212‧‧‧第1部分421之內側面
4221‧‧‧第2部分422之下面
4222‧‧‧第2部分422之內側面
4411‧‧‧孔構件
AT、ATO、ATL‧‧‧光路
AX‧‧‧光軸
CS‧‧‧空間
EL‧‧‧曝光用光
EX1‧‧‧曝光裝置
LG1、LG2、LG3‧‧‧界面
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
PR‧‧‧影區域
SP1、SP2、SP3‧‧‧空間
SPK‧‧‧光路空間
圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一構成例的概略構成圖。
圖2係顯示第1實施形態之液浸構件的剖面圖(與XZ平面平行的剖面圖)。
圖3係將從下側(-Z軸方向側)觀察第1實施形態之液浸構件的俯視圖與第1實施形態之液浸構件的剖面圖(與XZ平面平行的剖面圖)對應顯示的說明圖。
圖4係顯示第2構件之移動態樣之第1具體例的剖面圖。
圖5係顯示第2構件之移動態樣之第2具體例的剖面圖。
圖6係顯示基板載台所保持之基板之一例的俯視圖。
圖7係顯示投影區域之移動軌跡及第2構件之移動軌跡之一具體例的俯視圖。
圖8係在圖7所示態樣下基板及第2構件移動時、將第2構件之移動態樣於基板上加以顯示的俯視圖。
圖9係在圖7所示態樣下基板及第2構件移動時、將第2構件之移動態樣於基板上加以顯示的俯視圖。
圖10係顯示在圖7所示態樣下基板及第2構件移動時、基板及第2構 件各個之移動速度的圖表。
圖11係顯示第1變形例之液浸構件所具備之第1構件之構成的剖面圖。
圖12係顯示第2變形例之液浸構件所具備之第1構件之構成的剖面圖。
圖13係顯示第3變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖14係顯示第4變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖15係顯示第5變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖16係顯示第6變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖17係顯示第7變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖18係顯示第8變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖19係顯示第9變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖20係顯示第10變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖21係顯示第11變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖22係顯示第12變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖23係顯示第13變形例之液浸構件之構成的剖面圖。
圖24係第2實施形態之曝光裝置具備之液浸構件的剖面圖(與XZ平面平行的剖面圖)。
圖25係顯示基板載台之一例的俯視圖。
圖26係用以說明元件之一製造方法例的流程圖。
以下，一邊參照圖式、一邊說明本發明之實施形態。但，本發明當然不受限於以下說明之實施形態。
以下之說明中，使用一以彼正交之X軸、Y軸及Z軸定義 之XYZ正交座標系，針對構成曝光裝置之各種構成要素之位置關係加以說明。又，以下之說明中，設X軸方向及Y軸方向分別為水平方向(也就是水平面內之既定方向)、Z軸方向為鉛直方向(也就是與水平面正交之方向，實質上為上下方向)。此外，將繞X軸、Y軸及Z軸之旋轉方向(換言之，傾斜方向)分別稱為θX方向、θY方向及θZ方向。
(1)第1實施形態
首先，參照圖1至圖23，說明第1實施形態之曝光裝置EX1。
(1-1)第1實施形態之曝光裝置EX1之構成
首先，一邊參照圖1、一邊說明第1實施形態之曝光裝置EX1之構成之一例。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX1之一構成例的構成圖。
如圖1所示，曝光裝置EX1具備光罩載台1、照明系2、投影光學系3、液浸構件4A、基板載台5、測量載台6、測量系統7、處理室裝置8、以及控制裝置9。
光罩載台1可保持光罩11。光罩載台1可釋放所保持之光罩11。光罩11，包含形成有待投影至基板載台5所保持之基板51之元件圖案的標線片。光罩11，例如可以是包含玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之元件圖案的穿透型光罩。不過，光罩11液可以是所謂的反射型光罩。
光罩載台1，可在保持有光罩11的狀態下，沿著包含從照明系2射出之曝光用光EL照射之區域(也就是後述照明區域IR)的平面(例如，XY平面)移動。
例如，光罩載台1可以是藉由包含平面馬達之驅動系統12 之動作來移動。又，包含平面馬達之驅動系統12之一例，已揭示於例如美國專利第6,452,292號。不過，驅動系統12，亦可取代平面馬達或再加上其他馬達(例如，線性馬達)。第1實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統12之動作，沿X軸方向、Y軸方向及Z軸方向、以及θX方向、θY方向及θZ方向中之至少一個移動。又，「光罩載台1沿既定方向之移動」，包含「光罩載台1僅沿既定方向移動」及「光罩載台1沿著包含沿既定方向成分之任意方向的移動」中之雙方或其中一方。
照明系2射出曝光用光EL。來自照明系2之曝光用光EL照射於照明區域IR。來自照明系2之曝光用光EL，照射於配置在照明區域IR之光罩11之一部分。
曝光用光EL，可以是例如從水銀燈射出之輝線(例如，g線、h線或i線等)或KrF準分子雷射光(波長248nm)等之遠紫外光(DUV光：Deep Ultra Violet光)。曝光用光EL，亦可以是例如ArF準分子雷射光(波長193nm)或F2雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光：Vacuum Ultra Violet光)。
投影光學系3將來自光罩11之曝光用光EL(亦即，形成在光罩11之元件圖案之像)投影於基板51。具體而言，投影光學系3將曝光用光EL投影於投影區域PR。投影光學系3將元件圖案之像投影於配置在投影區域PR之基板51之一部分(例如，後述照射(shot)區域S之至少一部分)。
第1實施形態中，投影光學系3為縮小系。例如，投影光學系之投影倍率可以是1/4、1/5、1/8、亦可以是其他值。但投影光學系3 亦可以是等倍系或放大系。
投影光學系3可以是不包含反射光學元件之折射系。投影光學系3亦可以是不包含折射光學元件之反射系。投影光學系3，當然亦可以是包含反射光學元件及折射光學元件之雙方的折反射系。投影光學系3，可將元件圖案之像投影成倒立像。投影光學系3，亦可將元件圖案之像投影成正立像。
投影光學系3，具備包含射出曝光用光EL之射出面32的終端光學元件31。射出面32，朝投影光學系3之像面射出曝光用光EL。終端光學元件31，係投影光學系3包含之複數個光學元件中、最接近投影光學系3之像面的光學元件。
終端光學元件31之光軸AX與Z軸平行。此場合，當著眼於終端光學元件31之與光軸AX平行之方向時，從投影光學元件31之入射面朝向射出面32之方向為-Z軸方向，且從射出面32朝向終端光學元件31之入射面之方向為+Z軸方向。但，終端光學元件31之光軸AX可以不是與Z軸平行。
又，投影光學系3之光軸之至少一部分，可與終端光學元件31之光軸AX一致且與Z軸平行。此場合，當著眼於Z軸方向時，從投影光學系3朝向當該投影光學系3之像面之方向為-Z軸方向、且從投影光學系3朝向當該投影光學系3之物體面之方向為+Z軸方向。
又，上述投影區域PR之中心可與光軸AX一致、亦可以不是一致。此外，投影區域PR可以不是位在光軸AX上。
射出面32朝向-Z軸方向。因此，從射出面32射出之曝光 用光EL朝向-Z軸方向行進。射出面32係與XY平面(亦即，水平面)平行的平面。但，射出面32之至少一部分可相對XY平面傾斜。射出面32之至少一部分可以是曲面(例如，凹面或凸面)。
終端光學元件31，除朝向-Z軸方向之射出面32外，亦包含配置在當該射出面32周圍之外面33。曝光用光EL從射出面32射出，另一方面，可不從外面33射出。外面33，具有隨著朝向+Z軸方向側而慢慢地遠離光軸AX之形狀(亦即，相對光軸AX傾斜之形狀)。但，外面33之至少一部分可以是其他形狀。
投影光學系3被基準框架37支承。基準框架37，係被配置在當該基準框架37下側(亦即，-Z軸方向側)之裝置框架38所支承。基準框架37與裝置框架38之間配置有防振裝置39。防振裝置39，抑制振動從裝置框架38往基準框架37之傳遞。防振裝置39，例如可包含彈簧裝置。作為彈簧裝置之一例，有包含金屬或橡膠等彈性構件之彈簧、或包含空氣等氣體之彈簧(所謂的air mount)。
液浸構件4A形成液浸空間LS。液浸空間LS，意指例如以純水液體LQ充滿之空間(換言之，部分或區域)。又，關於液浸構件4A之詳細構成，參照圖2至圖3等詳述於後。
基板載台5，具備將基板51以可釋放之方式加以保持之保持部、與配置在保持部周圍之上面52。上面52係與基板51之上面平行的平面。上面52與基板51之上面配置在同一平面內。但，上面52之至少一部分可以是相對基板51之上面傾斜、亦可包含曲面。上面52之至少一部分可以不是與基板51之上面配置在同一平面內。又，基板載台5之一例，已 揭示於例如美國專利申請公開第2007/0177125號及美國專利申請公開第2008/0049209號。
基板載台5能在保持有基板51之狀態下，沿包含投影區域PR之平面(例如，XY平面)移動。基板載台5能在基座構件81之引導面811上移動。又，引導面811與包含投影區域PR之平面(例如，XY平面)，可實質平行。
例如，基板載台5可藉由包含平面馬達之驅動系統82之動作來移動。又，包含平面馬達之驅動系統82之一例，已揭示於例如美國專利第6,452,292號。驅動系統82包含之平面馬達，可包含配置在基板載台5之可動子825、與配置在基座構件81之固定子828。但，驅動系統82可取代平面馬達、或再加上其他馬達(例如，線性馬達)。第1實施形態中，基板載台5可藉由驅動系統82之動作，沿X軸方向、Y軸方向及Z軸方向、以及θX方向、θY方向及θZ方向中之至少一個移動。又，「基板載台5沿既定方向之移動」，包含「基板載台5僅沿既定方向移動」及「基板載台5沿著包含沿既定方向成分之任意方向之移動」中之雙方或一方。
基板51係用以製造元件之基板。基板51，例如包含半導體晶圓等之基材、於形成在該基材上之感光膜。感光膜，例如係感光材(例如，光阻劑)之膜。又，基板51，亦可取代感光膜而包含其他膜(例如，為防止在基板51表面之曝光用光EL之未預期的反射之反射防止膜、及保護基板51表面之保護膜之雙方或一方等)。
測量載台6雖不保持基板51，另一方面卻能保持測量曝光用光EL之測量構件(換言之，測量器)61。亦即，第1實施形態之曝光裝 置EX1係具備基板載台5與測量載台6之曝光裝置。此種曝光裝置之一例，例如已揭露於美國專利第6,897,963號及歐洲專利申請公開第1713113號。
測量載台6，能在保持有測量構件61之狀態下，沿著包含投影區域PR之平面(例如，XY平面)移動。測量載台6與基板載台5同樣的，能在基座構件81之引導面811上移動。
例如，測量載台6可與基板載台5同樣的，藉由包含平面馬達之驅動系統82之動作來移動。包含驅動系統82之平面馬達，可包含配置在測量載台6之可動子826、與配置在基座構件81之固定子828。但，驅動系統82，可在平面馬達外再加上或取而代之以其他馬達(例如，線性馬達)。第1實施形態中，測量載台6可藉由驅動系統82之動作，沿著X軸方向、Y軸方向及Z軸方向、以及θX方向、θY方向及θZ方向中之至少一方向移動。又，「測量載台6沿既定方向之移動」，包含「測量載台6僅沿既定方向移動」及「測量載台6沿著包含沿既定方向成分之任意方向之移動」中之雙方或一方。
測量系統7係測量基板載台5及測量載台6之位置。為測量基板載台5及測量載台6之位置，測量系統7可包含干涉儀系統。干涉儀系統，可藉由對配置在基板載台5之測量鏡及配置在測量載台6之測量鏡之各個照射測量光，並檢測當該測量光之反射光以測量基板載台5及測量載台6之位置。不過，測量系統7，亦可在干涉儀系統之外再加上或取而代之以測量基板載台5及測量載台6之位置的編碼器系統。又，編碼器系統之一例，例如以揭露於美國專利申請公開第2007/0288121號。
處理室裝置8，調整空間CS之環境(例如，温度、濕度、 壓力及潔淨度中之至少一個)。於空間CS，至少配置有終端光學元件31、液浸構件4A、基板載台5及測量載台6。不過，光罩載台1及照明系2中之至少一部分可配置在空間CS。
控制裝置9控制曝光裝置EX1全體之動作。控制裝置9，包含控制曝光裝置EX1全體之動作的控制器91、與連接於控制器91且儲存用於曝光裝置EX1之動作之各種資訊的記憶體92。
控制器91，在曝光裝置EX1使用曝光用光EL使基板51曝光時，根據測量系統7之測量結果控制基板載台5之位置。亦即，控制器91係控制驅動系統82以使基板載台5移動。控制器91，在曝光裝置EX1使用曝光用光EL使基板51曝光時，控制光罩載台1之位置。亦即，控制器91控制驅動系統12以使光罩載台1移動。控制器91，在曝光裝置EX1使用測量載台6測量曝光用光EL時，根據測量系統7之測量結果控制測量載台6之位置。亦即，控制器91，控制驅動系統82使測量載台6移動。
控制器91，如後所詳述，控制液浸構件4A之至少部分構件(例如，參照圖2詳述之第2構件42)之位置。又，關於液浸構件4A之至少部分構件之移動態樣，參照圖4及圖5詳述於後。
(1-2)第1實施形態之液浸構件4A
接著，參照圖2至圖5，說明第1實施形態之液浸構件4A。
(1-2-1)第1實施形態之液浸構件4A之構成
首先，參照圖2、圖3說明第1實施形態之液浸構件4A之構成。圖2係第1實施形態之液浸構件4A的剖面圖(與XZ平面平行的剖面圖)。圖3係將從下側(-Z軸方向側)觀察第1實施形態之液浸構件4A的俯視圖與 第1實施形態之液浸構件4A的剖面圖(與XZ平面平行的剖面圖)對應顯示的說明圖。
以下之說明中，若未特別說明，則“上側(上方側)”意指+Z軸方向側。“下側(下方側)”意指-Z軸方向側。“內側”意指在光軸AX之放射方向的內側、靠近光軸AX之側。“外側”則指於光軸AX之放射方向的外側、遠離光軸AX之側。
如圖2所示，液浸構件4A在能於射出面32及液浸構件4A下側移動之物體的至少一部分上形成液浸空間LS。因此，物體能在面向液浸空間LS之同時，與射出面32及液浸構件4A之兩方對向。
物體可以是基板載台5。此場合，液浸構件4A於基板載台5之至少一部分上形成液浸空間LS。物體亦可以是基板載台5所保持之基板51。此場合，液浸構件4A在基板51之至少一部分上形成液浸空間LS。物體亦可以是測量載台6或測量載台6所保持之測量構件61。此場合，液浸構件4A係在測量載台6之至少一部分上或測量構件61之至少一部分上形成液浸空間LS。
液浸構件4A亦可形成跨於2個不同物體之液浸空間LS。例如，液浸構件4A可形成一跨於上面52與基板51之液浸空間LS。例如，液浸構件4A可形成跨於基板載台5與測量載台6之液浸空間LS。
又，以下之說明中，就簡化說明之觀點，係設物體為基板51進行說明。
液浸構件4A，以曝光用光EL之光路AT被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS。例如，液浸構件4A，可以光路AT中、射出面32 與基板51間之光路ATL被液體LQ充滿之方式，形成液浸空間LS。液浸構件4A，亦可以包含投影區域PR之基板51之上面至少部分區域被液體LQ覆蓋之方式，形成液浸空間LS。來自射出面32之曝光用光EL，透過液體LQ投影於基板51。亦即，第1實施形態之曝光裝置EX1係使用透過液體LQ投影之曝光用光EL使基板51曝光的液浸曝光裝置。
液浸構件4A，將液浸空間LS之一部分形成在終端光學元件31與基板51間之空間。液浸構件4A，將液浸空間LS之一部分形成在液浸構件4A與基板51間之空間。
為形成此種液浸空間LS，如圖2及圖3所示，液浸構件4A具備第1構件41與第2構件42。以下，針對第1構件41及第2構件42，依序加以說明。
首先，說明第1構件41。第1構件41配置在光路AT之周圍。第1構件41具有可圍繞光路AT之形狀。此處所言之「光路AT」，可包含上述光路ATL及終端光學元件31內之曝光用光EL之光路ATO之雙方或其中一方。圖3所示例中，第1構件41具有可圍繞光路AT之形狀、例如環狀或封閉環之形狀。作為可圍繞光路AT之形狀的其他例，例如有框狀之形狀(例如，形成非圓形、多角形、或橢圓形等框之形狀)。
第1構件41被配置成在第1構件41與終端光學元件31之間形成有間隙(具體而言，空間SP2)。第1構件41係以不接觸終端光學元件31之方式配置。
第1構件41配置在終端光學元件31之周圍。第1構件41具有可圍繞終端光學元件31之形狀。此場合，第1構件41亦可具有保護終 端光學元件31之保護構件的功能。例如，第1構件41可作為防止第2構件42與終端光學元件31接觸之保護構件。
第1構件41之一部分(例如，後述下面4111及內側面4121之一部分)配置在射出面32之下側。不過，第1構件41亦可不配置在射出面32之下側。
第1構件41之一部分(例如，後述第1部分411之一部分)配置在第2構件42之一部分(例如，後述第2部分422)之下側。因此，第1構件41之一部分(例如，後述下面4111)與基板51對向。第1構件41之一部分(例如，後述第3部分413)配置在第2構件42之一部分(例如，後述第2部分422之一部分)之上側。第1構件41之一部分(例如，後述第1部分411)配置在第2構件42之一部分(例如，後述第1部分421)之內側。
第1構件41實質上不移動。亦即，第1構件41實質上是固定的。例如，第1構件41可透過未圖示之支承構件固定於裝置框架38。又，投影光學系3及終端光學元件31之雙方或其中一方亦是實質上不移動(亦即，實質上固定的)。
此種第1構件41具備第1部分411、第2部分412、及第3部分413。
第1部分411，透過可作為液浸空間LS之一部分之空間SP1與基板51之一部分對向。第1部分411具有沿XY平面(或與基板51表面平行的平面)擴張之板狀(換言之，plate狀的)形狀。
第1部分411具備下面4111、上面4112、及外側面4113。
下面4111係朝向下側之平面。下面4111透過空間SP1與基板51之一部分對向。下面4111配置在較上面4112及外側面4113之雙方或其中一方下側處。下面4111與XY平面平行(亦即，與光軸AX垂直)。下面4111配置在較射出面32下側處。
上面4112係朝向上側之平面。上面4112配置在較外側面4113上側處。上面4112與XY平面平行。因此，藉由上面4112與下面4111，形成第1部分411之具有板狀形狀的部分。
上面4112之至少一部分對液體LQ具有撥液性。例如，有可能面向液浸空間LS之上面4112之至少一部分對液體LQ具有撥液性。為使上面4112具有撥液性，例如，上面4112之至少一部分可包含含氟之樹脂膜之表面。作為此種樹脂，例如，有PFA(tetra fluoro ethylen-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、或PTFE(Poly Tetra Floro Ethylene)。
外側面4113係朝向外側之平面。外側面4113與光軸AX平行。外側面4113將下面4111之外側端部與上面4112之外側端部加以連結(換言之，連結或接續)。因此，外側面4113之下側端部與下面4111之外側端部一致。外側面4113之上側端部與上面4112之外側端部一致。
第2部分412之一部分，透過可作為液浸空間LS之一部分之空間SP2與外面33對向。
第2部分412具備內側面4121與外側面4122。內側面4121係朝向內側之平面。內側面4121從下面4111之內側端部朝向上側延伸。因此，內側面4121之下側端部與下面4111之內側端部一致。
內側面4121之一部分透過空間SP2與外面33對向。內側面 4121與外面33平行。內側面4121相對XY平面傾斜。內側面4121與外面33同樣的，從下側端部朝上側且朝外側延伸。
外側面4122係朝向外側之平面。外側面4122從上面4112之內側端部朝向上側延伸。因此，外側面4122之下側端部與上面4112之內側端部一致。
外側面4122不與外面33對向。外側面4122與內側面4121平行。外側面4122相對XY平面傾斜。外側面4122與內側面4121同樣的，從下側端部朝向上側且朝外側延伸。
第3部分413不與基板51對向。第3部分413可具有沿XY平面(或與基板51表面平行的平面)擴張之板狀(換言之，plate狀的)形狀。
第3部分413具備上面4131與下面4132。上面4131係朝向上側之平面。上面4131與XY平面平行。上面4131從內側面4121之上側端部朝外側延伸。因此，上面4131之內側端部與內側面4121之上側端部一致。
上面4131之至少一部分，與上面4112同樣的，對液體LQ具有撥液性。其結果，液體LQ從空間SP2往上面4131之流出受到抑制。
下面4132係朝向下側之平面。下面4132從外側面4122之上側端部朝外側延伸。因此，下面4132之內側端部與外側面4122之上側端部一致。下面4132配置在較上面4131下側處。下面4132與XY平面平行。藉由上面4131與下面4132，形成第3部分413之板狀部分。
第1構件41，進一步具備來自射出面32之曝光用光EL可 通過之開口415。開口415係以內側面4121之下側端部加以規定。於開口415之周圍，配置有下面4111。開口415之中心與光軸AX一致。開口415之中心與射出面32之中心一致。沿XY平面之開口415之直徑及面積較射出面32之直徑及面積小。於XY平面上之開口415之形狀，例如可以是圓形形狀(參照圖3)。
又，為便於說明，上述說明中，第1構件41具備第1部分411、第2部分412及第3部分413。然而，第1構件41可以是不規定第1部分411、第2部分412及第3部分413中之至少一個。
接著，說明第2構件42。第2構件42配置在光路AT之周圍。因此，第2構件42具有可圍繞光路AT之形狀。圖3所示例中，第2構件42具有可圍繞光路AT之一形狀例的環狀或封閉環狀的形狀。
第2構件42，係配置成第1構件41之一部分配置在第2構件42與終端光學元件31之間。第2構件42係以和終端光學元件31不接觸之方式配置。
第2構件42，係以第2構件42之一部分(例如，後述下面4211及下面4221之雙方或其中一方之至少一部分)與基板51對向之方式配置。第2構件42係以和第1構件41不接觸之方式配置。第2構件42，被配置成第2構件42與第1構件41之間形成有間隙。第2構件42之一部分(例如，後述第2部分422之一部分)係配置在第1構件41之一部分(例如，第1部分411之一部分)之上側。第2構件42之一部分(例如，後述第1部分421)配置在第1構件41之一部分(例如，第1部分411)之外側。
第2構件42為可動構件。例如，第2構件42可以是藉由受 控制器91控制之驅動裝置451之動作而移動。驅動裝置451可以透過支承構件453固定於裝置框架38。不過，亦可不設置支承構件453。驅動裝置451例如可包含馬達等。例如，可將驅動裝置451之可動子(未圖示)連接於支承構件452，將固定子連接於裝置框架38。隨著驅動裝置451驅動第2構件42移動而產生之反作用力之至少一部分，可使之傳遞至裝置框架38。即使因伴隨第2構件42之移動之反作用力使裝置框架38振動，藉由防振裝置39，投影光學系3不會實質受其影響。又，驅動裝置451，亦可具有可抵消隨著第2構件42之移動而產生之反作用力之至少一部分的機構。例如，可將與搭載於基板載台5之驅動系統82等之配衡質量方式之反作用力抵消機構相同之機構適用於驅動裝置451。
驅動裝置451，亦可使一端連結於第2構件42且另一端連結於驅動裝置451之支承構件452移動。可隨著支承構件452之移動，使連結於支承構件452之第2構件42移動。
第2構件42沿X軸方向及Y軸方向之各個移動。亦即，第2構件42係沿與光軸AX垂直之方向(亦即，XY平面內之任意方向)移動。又，「第2構件42沿既定方向之移動」，包含「第2構件42僅沿既定方向之移動」及「第2構件42沿包含沿既定方向成分之任意方向之移動」之雙方或其中一方。
第2構件42亦可相對實質被固定之終端光學元件31能移動。隨著第2構件42之移動，終端光學元件31與第2構件42間之相對位置會變化。
第2構件42能在光路AT之外側移動。第2構件42相對第 1構件41移動。隨著第2構件42之移動，第1構件41與第2構件42間之相對位置會變化。
第2構件42之至少一部分能在第1構件41之上側移動。第2構件42之至少一部分能在第1構件41之外側移動。第2構件42之至少一部分能在基板51之上側移動。
第2構件42可在形成有液浸空間LS之狀態下移動。例如，第2構件42亦可在射出面32與基板51之間充滿液體LQ之狀態下移動。當然，第2構件42亦可在未形成液浸空間LS之狀態下移動。
第2構件42具備第1部分421與第2部分422。第1部分421之一部分，透過可作為液浸空間LS之一部分之空間SP1與基板51之一部分對向。第1部分421配置在較第1構件41之一部分(例如，第1部分411)外側處。第1部分421配置在較第2部分422之外側處。
第1部分421之厚度(例如，Z軸方向之尺寸)較第1部分411之厚度厚。第1部分421，具有在第2構件42移動時可作為剛體動作的形狀。例如，第1部分421，具有在第2構件42移動時可作為剛體動作之程度的尺寸(例如，長度及厚度之雙方或其中一方)。
第1部分421具有下面4211與內側面4212。下面4211係朝向下側之平面。下面4211透過空間SP1與基板51之一部分對向。下面4211配置在較內側面4212下側且外側處。下面4211係配置在較第1構件41之一部分(例如，包含下面4111之第1部分411)外側處之面。下面4211與XY平面平行。下面4211配置在較射出面32下側處。下面4211對液體LQ具有親液性。
在Z軸方向之下面4211與基板51間之距離，與在Z軸方向之下面4111與基板51間之距離相同。在Z軸方向之下面4211與基板51間之距離，較在Z軸方向之上面4112與基板51間之距離小。亦即，下面4211配置在較上面4112下側處。
內側面4212係朝向內側之平面。內側面4212與光軸AX平行。內側面4212與外側面4113平行。內側面4212將下面4211之內側端部與後述下面4221之外側端部加以連結。因此，內側面4212之下側端部與下面4211之內側端部一致。內側面4212之上側端部與下面4221之外側端部一致。
內側面4212之一部分，沿著與XY平面平行之方向、與外側面4113對向。內側面4212之一部分，沿與XY平面平行之方向、對向於上面4112與下面4221間之間隙(具體而言，空間SP3)。
第2構件42係以內側面4212和外側面4113不接觸之方式移動。亦即，第2構件42係以內側面4212與外側面4113間能確保且持續間隙之方式移動。
第2部分422配置在較第1部分421內側處。第2部分422之一部分，配置在被第1部分411與第2部分412與第3部分413圍成之空隙。其結果，非常適合防止隨第2構件422之移動而產生之第2構件42對終端光學元件31之意外的接觸。
第2部分422之一部分(例如，後述下面4221之一部分)係配置在第1構件41之一部分(例如，上面4112之一部分)的上側。第2部分422之一部分透過空間SP3與第1構件41之一部分對向。又，第2部 分422亦可具有隨著第2構件42之移動而配置或不配置在第1構件41上側之部分。
第2部分422具備下面4221與內側面4222。下面4221係朝向下側之平面。下面4221配置在較內側面4222下側處。下面4221與上面4112平行。下面4221與XY平面。
下面4221之一部分透過空間SP3與上面4112之一部分對向。第2構件42，係以下面4221之一部分持續配置在上面4112之上側之方式移動。第2構件42，以下面4221之一部分與上面4112之一部分間之空間SP3能確保且持續之方式移動。又，下面4221亦可包含隨著第2構件42之移動而與上面4112之一部分對向、或不對向之部分。
在Z軸方向之下面4221與基板51間之距離，較在Z軸方向之下面4211與基板51間之距離大。亦即，下面4221配置在較下面4211上側處。
在Z軸方向之下面4221與上面4112間之空間SP3之尺寸，係可因毛細管現象而使液體LQ從空間SP1滲透至空間SP3之程度的尺寸。例如，在Z軸方向之空間SP3之尺寸，可以是0.2mm~1.0mm之範圍內的任意尺寸。
下面4221對液體LQ具有親液性。但，下面4221亦可以是對液體LQ具有撥液性。
內側面4222係朝向內側之面。內側面4222與外側面4122之一部分對向。內側面4222與外側面4122平行。內側面4222從下側端部朝上側且外側延伸。內側面4222之下側端部與下面4221之內側端部一致。 內側面4222從下面4221之內側端部朝上側延伸。
第2構件42，係以內側面4222與外側面4122不接觸之方式移動。第2構件42，以內側面4222與外側面4122間能確保且持續間隙之方式移動。
第2構件42，進一步具備來自射出面32之曝光用光EL可通過之圓形開口425。開口425係以內側面4222之下側端部規定。於開口425之周圍，配置有下面4221。於開口425之內側，配置有第1構件41之一部分。在第2構件42位於開口425之中心與光軸AX一致之情形時，如圖2所示，下面4221之內緣部與上面4112之外緣部對向，形成一環狀(loop狀)空間SP3。
於XY平面之開口425之直徑及面積，較於XY平面之開口415之直徑及面積大。
又，為便於說明，上述說明中，第2構件42具備第1部分421及第2部分422。然而，第2構件42亦可不規定第1部分421及第2部分422之至少一部分。
液浸構件4A，進一步具備液體供應口431、液體供應口432、流體回收口441、及流體回收口442。以下，針對液體供應口431、液體供應口432、流體回收口441、及流體回收口442依序加以說明。
首先，說明液體供應口431。液體供應口431供應用以形成液浸空間LS之液體LQ。液體供應口431形成在內側面4121。液體供應口431形成為面向空間SP2。液體供應口431亦可形成為面向光路空間SPK，而不與外面33對向。
液體供應口431，在終端光學元件31之周圍(換言之，光路AT之周圍)以斷續分布之方式形成。例如，液體供應口431可沿內側面4121上被定義之假想圓(例如，開口415中心周圍之假想的圓)，以等間隔或隨機形成複數個。
於液體供應口431，在控制器91之控制下透過液體供應路供應有潔淨且温度經調整之液體LQ。從液體供應口431對空間SP2供應液體LQ。從液體供應口431對空間SP2供應之液體LQ之至少一部分，被供應至包含光路ATL之光路空間SPK，光路ATL被液體LQ充滿。
從液體供應口431對空間SP2供應之液體LQ之至少一部分，可透過開口415供應至空間SP1。從液體供應口431對空間SP2供應之液體LQ之至少一部分，可透過開口415供應至空間SP3。
接著，說明液體供應口432。液體供應口432供應用以形成液浸空間LS之液體LQ。液體供應口432形成在下面4211。液體供應口432形成為面向空間SP1。液體供應口432形成為面向基板51。
液體供應口432，在終端光學元件31之周圍(曝光用光EL之光路AT周圍)以斷續分布之方式形成。例如，液體供應口432，如圖3所示，可沿下面4211上被定義之假想圓(例如，開口425中心周圍之假想圓)、以等間隔或隨機形成複數個。
於液體供應口432，在控制器91之控制下，透過與將液體LQ供應至液體供應口431之流體供應路相同或不同之液體供應路，供應潔淨且温度經調整之液體LQ。從液體供應口432對空間SP1供應液體LQ。從液體供應口432對空間SP1供應之液體LQ之至少一部分，亦可供應至空 間SP3。
接著，說明流體回收口441。流體回收口441從液浸空間LS(尤其是空間SP1)回收液體LQ。流體回收口441形成在下面4211之外側。流體回收口441形成在下面4211之周圍。流體回收口441形成為面向空間SP1。流體回收口441形成為透過空間SP1與基板51對向。又，第1部分421之流體回收口441之外側下面(流體回收口44155之周圍下面)，對液體LQ具有撥液性。
流體回收口441較液體供應口432形成在外側。流體回收口441在終端光學元件31之周圍(換言之，光路AT之周圍)以連續分布之方式形成。例如，流體回收口441可沿在下面4211上被定義之假想圓(例如，開口425中心為之假想的圓)連續分布之方式形成。
於流體回收口441，配置有網眼板等之多孔構件4411。多孔構件4411，包含與基板51之上面對向的下面、面向流體回收路之上面、與連結當該上面及當該下面的複數個孔。液體回收口441透過多孔構件4411從液浸空間LS(尤其是空間SP1)回收液體LQ。當然，於流體回收口441亦可不配置多孔構件4411。又，亦可將多孔構件4411之複數個孔中之一個稱為流體回收口441。
從流體回收口441，在控制器91之控制下，透過配置在流體回收口441之多孔構件4411回收液體LQ。例如，在控制器91之控制下，調整多孔構件4411之上面側之壓力與多孔構件4411之下面側之壓力的差，據以從流體回收口441回收液體LQ。
接著，說明流體回收口442。流體回收口442從液浸空間LS (尤其是空間SP3)回收液體LQ。流體回收口442形成在下面4221。流體回收口442形成為面向空間SP3。流體回收口442形成為透過空間SP3與上面4112對向。
第2構件42以流體回收口442持續面向空間SP3之方式移動。第2構件42以流體回收口442持續對向於上面4112之方式移動。
流體回收口442，較形成在第2構件42之液體供應口432更形成在內側。流體回收口442形成在下面4221中、相對較內側之處。
流體回收口442係以在終端光學元件31之周圍(換言之，曝光用光EL之光路AT之周圍)以連續分布之方式形成。例如，流體回收口442，可沿著在下面4221上被定義之假想圓(例如，開口425之中心周圍之假想圓)以連續分布之方式形成。流體回收口442亦可沿開口425形成在下面4221。從流體回收口442，在控制器91之控制下，回收液體LQ。
以上所說明之第1實施形態之液浸構件4A中，由於第2構件42之至少一部分係面向液浸空間LS，第2構件42之移動有可能會引起液浸空間LS內之液體LQ之壓力的變動。然而，第1實施形態中，由於第2構件42係在較第1構件41外側移動，因此第2構件42之移動造成之液浸空間LS內之液體LQ之壓力之變動，不易傳遞至終端光學元件31。
第1實施形態之液浸構件4A中，由於內側面4212係朝向內側，因此內側面4212中以接近光路AT之方式移動之部分，係以將液浸空間LS內之液體LQ推開之方式移動。然而，第1實施形態之液浸構件4A中，由於內側面4212配置在較第1部分411外側處，因此，內側面4212之移動造成之液浸空間LS內之液體LQ之壓力之變動，不易傳遞至終端光學 元件31。
又，沿光軸AX之內側面4212之大小例如為數mm、內側面4212之面積較小，因內側面4212之移動造成液浸空間LS內之液體LQ之壓力之變動不易發生。
又，第1構件41(例如，外側面4113)與第2構件42(例如，內側面4212)間之液體LQ之至少一部分可進入空間SP3。因此，內側面4212之移動造成之液浸空間LS內之液體LQ之壓力之變動易受液體LQ流入空間SP3而被抵消。從而，第2構件42之移動造成之液浸空間LS內之液體LQ之壓力之變動，將更不易傳遞至終端光學元件31。
如以上所述，第1實施形態之液浸構件4A中，因第2構件42之移動造成之液浸空間LS內之液體LQ之壓力之變動，變得不易傳遞至終端光學元件31。因此，能適當地抑制終端光學元件31從液浸空間LS內之液體LQ受到之壓力之變動。其結果，終端光學元件31之變動適當地受到抑制。
第1實施形態之液浸構件4A中，液浸空間LS內之液體LQ之界面LG之一部分會形成在第2構件42與基板51之間。以下，將形成在第2構件42與基板51間之界面LG，適當地稱為“界面LG1”。第1實施形態之液浸構件4，例如，係與從液體供應口432之液體LQ之供應並行，從流體回收口441回收液體LQ，界面LG1形成在下面4211與多孔構件4411之下面中之至少一方與基板51之上面之間。
液浸空間LS內之液體LQ之界面LG之一部分，形成在終端光學元件31與第1構件41之間。以下，將形成在終端光學元件31與第 1構件41之間之界面LG，適當的稱為“界面LG2”。
液浸空間LS內之液體LQ之界面LG之一部分形成在第1構件41與第2構件42之間。以下，將形成在第1構件41與第2構件42之間之界面LG，適當地稱為“界面LG3”。例如，界面LG3形成在下面4221與上面4112之間。第1實施形態之液浸構件4A，由於係透過流體回收口442從空間SP3回收(除去)液體LQ，因此外側面4122與內側面4222之間之空間中，幾乎或完全不存在液體LQ。其結果，外側面4122與內側面4222間之空間成為氣體空間。因此，第2構件42可相對圓滑的移動。此外，亦可將下面4221與上面4112間之空間SP3內之液體LQ作為擠壓膜阻尼軸承。此場合，能使第2構件42更為圓滑安定的動作。
又，使用圖2及圖3說明之液浸構件4A僅為一例。因此，液浸構件4A之部分構成可適當地加以變更。以下，說明液浸構件4A之部分構成之變更例。
第1構件41，可以不是具有可圍繞光路AT及終端光學元件31之雙方或其中一方之形狀。例如，第1構件41可以是具有配置在光路AT及終端光學元件31之雙方或其中一方之周圍之一部分、而不配置在光路AT及終端光學元件31之雙方或其中一方之周圍之另一部分的形狀(例如，部分開放之開環形狀)。
第1構件41，可在上述未圖示之支承構件外，透過配置在當該未圖示之支承構件與裝置框架38間之防振裝置，被支承於裝置框架38。此場合，防振裝置與上述防振裝置39同樣的，可包含彈簧裝置。
第1構件41之至少一部分，可以是藉由受控制器91控制之 驅動裝置(例如，致動器)之動作而能移動之可動構件。驅動裝置，可藉由使支承第1構件41之支承構件移動，以移動第1構件41之至少一部分。驅動裝置可以是配置在支承第1構件41之支承構件與裝置框架38之間。又，亦可以在支承第1構件41之支承構件與裝置框架38之間配置防振裝置、並於當該防振裝置搭載驅動機構。
第1部分411，亦可以是具有與板狀(換言之，plate狀)形狀不同之任意形狀。
下面4111之一部分，可以不是配置在較上面4112及外側面4113之雙方或其中一方下側處。例如，下面4111之一部分可以是配置在較上面4112及外側面4113之雙方或其中一方上側處。下面4111之至少一部分可以是配置在較射出面32下側處。例如，下面4111之至少一部分可以是配置在較射出面32上側處。下面4111之至少一部分可以相對XY平面傾斜。下面4111之至少一部分亦可以是曲面。
上面4112之一部分，可以不是配置在較外側面4113上側。例如，上面4112之一部分可以是配置在較外側面4113下側。上面4112之至少一部分，可相對XY平面傾斜。上面4112之至少一部分可以是曲面。上面4112之至少一部分可以對液體LQ具有親液性。
外側面4113之至少一部分，可相對光軸AX傾斜。外側面4113之至少一部分可以是曲面。又，關於外側面4113之形狀之其他例(亦即，與圖2及圖3所示形狀不同之形狀之例)，將留待後詳述(參照圖19等)。
內側面4121之至少一部分，可相對外面33傾斜。內側面 4121，可包含相對光軸AX以第1角度傾斜之面、與相對光軸AX以第2角度傾斜之面。內側面4121之至少一部分，可以是與XY平面平行。內側面4121之至少一部分，可與光軸AX平行。內側面4121之至少一部分，可以是曲面。
外側面4122之至少一部分，可相對內側面4121傾斜。外側面4122，可包含相對光軸AX以第1角度傾斜之面、與相對光軸AX以第2角度傾斜之面。外側面4122之至少一部分，可以是與XY平面平行。外側面4122之至少一部分，可以是與光軸AX平行。外側面4122之至少一部分，可以是曲面。
第3部分413，可具有與板狀(換言之，plate狀的)形狀不同之任意形狀。第3部分413，可以是無助於液浸空間LS之形成。
上面4131及下面4132之雙方或其中一方之至少一部分，可相對XY平面傾斜。上面4131及下面4132之雙方或其中一方之至少一部分可以是曲面。上面4131之至少一部分，可以對液體LQ具有親液性。
第1構件41，可以不具備第3部分413(上面4131及下面4132)。
開口415之中心，可以不是與光軸AX一致。開口415之中心，可以不是與射出面32之中心一致。沿XY平面之開口415之直徑及面積，可以較射出面32之直徑及面積大或相同。
開口415於XY平面上之形狀，可以是與圓形狀不同之任意形狀(例如，多角形、橢圓形、或者幾乎或完全不回妨礙曝光用光EL圓滑通過之任意形狀)。於XY平面上之第1構件41之各面(例如，下面4111、 上面4112及內側面4113、內側面4121及外側面4122、以及上面4131及下面4132)或各端部(例如，外側端部及內側端部、以及上側端部及下側端部)之形狀，亦同樣的可以是圓形或與圓形不同之任意形狀。
第2構件42，可以不具有可圍繞光路AT之形狀。例如，第2構件42可以是配置在光路AT周圍之一部分、而不配置在光路AT周圍之另一部分的形狀(例如，部分開放之開環狀)。
第2構件42，可以在沿X軸方向及Y軸方向之各方向外、或再加上沿X軸方向、Y軸方向及Z軸方向、以及θX方向、θY方向及θZ方向中之至少一方向移動。
下面4211之一部分，可以不是配置在較內側面4212外側或下側。例如，下面4211之一部分，可以配置在較內側面4212之一部分內側處。下面4211之一部分，可以配置在較內側面4212之一部分上側處。下面4211之至少一部分，可以不是配置在射出面32下側處。例如，下面4211之至少一部分，可以配置在較射出面32上側處。下面4211之至少一部分，可相對XY平面傾斜。例如，下面4211，可以從其內側端部朝上方、且向外側延伸之方式傾斜。又，下面4211(例如，流體回收口441)之Z軸方向位置可以是在開口425之周圍相同。例如，開口425之Y軸方向側之下面4221(流體回收口441)之一部分，可以是配置在較開口425之位於X軸方向側之下面4221(流體回收口441)之其他部分低之位置。此外，下面4211之至少一部分可以是曲面。下面4211之至少一部分，可對液體LQ具有撥液性。
於Z軸方向之下面4211與基板51間之距離，可以不與在Z 軸方向之下面4111與基板51間之距離相同。又，於Z軸方向之下面4211與基板51間之距離與於Z軸方向之下面4111與基板51間之距離之關係的其他例(亦即，與圖2所示關係不同之關係的例)，待後詳述(參照圖22等)。
於Z軸方向之下面4211與基板51間之距離，可以不較於Z軸方向之上面4112與基板51間之距離小。換言之，下面4211可以不是配置在較上面4112下側處。又，關於於Z軸方向之下面4211與基板51間之距離與於Z軸方向之上面4112與基板51間之距離之關係的其他例(亦即，與圖2所示關係不同之關係的例)，留待後詳述(參照圖23等)。
內側面4212，可以不是沿著與XY平面平行之方向與外側面4113對向。內側面4212，可以不是沿著與XY平面平行之方向、與空間SP3對向。內側面4212之至少一部分，可相對光軸AX傾斜。內側面4212之至少一部分可以是曲面。內側面4212之至少一部分，可相對外側面4113之至少一部分傾斜。此外，針對內側面4212之形狀之其他例(亦即，與圖2及圖3所示形狀不同形狀之例)，留待後詳述(參照圖16至圖18等)。
下面4221之一部分，可以不是配置在較內側面4222下側處。例如，下面4221之一部分，可以是配置在較內側面4222之一部分上側處。下面4221之至少一部分，可相對XY平面傾斜。下面4221之至少一部分，可相對上面4112傾斜(亦即，可以不是平行)。下面4221之至少一部分可以是曲面。
於Z軸方向之下面4221與基板51間之距離，可以不是較於Z軸方向之下面4211與基板51間之距離大。亦即，下面4221可以不是配 置在較下面4211上側處。於Z軸方向之空間SP3之尺寸，可以是較液體LQ能因毛細管現象而從空間SP1滲透至空間SP3之程度的尺寸小、亦可較其大。又，針對於Z軸方向之下面4221與基板51間之距離與於Z軸方向之下面4211與基板51間之距離之關係的其他例(亦即，與圖2所示關係不同之關係的例)，留待後詳述(參照圖20至圖21等)。
內側面4222之至少一部分，可相對外側面4122傾斜。內側面4222，可包含相對Z軸以第1角度傾斜之面、與以第2角度傾斜之面。內側面4222之至少一部分可以是曲面。
於XY平面上之開口425之形狀，可以是與圓形不同之任意形狀(例如，多角形、橢圓形、或幾乎或完全不會妨礙曝光用光EL之圓滑通過的任意形狀)。於XY平面上之第2構件42之各面(例如，下面4211及內側面4212、以及下面4221及內側面4222或各端部(例如，外側端部及內側端部、以及上側端部及下側端部)之形狀亦可以是與圓形或與圓形不同之任意形狀。
液體供應口431，可於終端光學元件31之周圍以連續分布之方式形成。亦可取代複數個液體供應口431，而形成單一的液體供應口431。液體供應口431，可在內側面4121之外或取代內側面4121，形成在有可能面向液浸空間LS之可能性的第1構件41之任意面。又，關於液體供應口431之形成位置之其他例(亦即，與圖2所示形成不同之形成位置之例)，留待後詳述(參照圖12等)。
液體供應口432可於終端光學元件31之周圍以連續分布之方式形成。亦可取代複數個液體供應口432，而形成單一的液體供應口432。 液體供應口432，可在下面4211之外或取代下面4211，形成在有可能面向液浸空間LS之可能性的第2構件42之任意面。又，關於液體供應口432之形成位置之其他例(亦即，與圖2所示形成不同之形成位置之例)，留待後詳述(參照圖13至圖14等)。
液體供應口432供應之液體LQ之特性(例如，温度及種類之雙方或其中一方)，可與液體供應口431供應之液體LQ之特性相同。液體供應口432供應之液體LQ之特性，可與液體供應口431供應之液體LQ之特性不同。
液浸構件4A，可以不具備形成在第2構件42之液體供應口432。亦即，於第2構件42可以不形成液體供應口432。
多孔構件4411之下面之至少一部分，可以是配置在較下面4211上側處。多孔構件4411之下面之至少一部分，可以是配置在較下面4211下側處。多孔構件4411之下面之至少一部分，可以是配置在與下面4211相同高度。
多孔構件4411之下面可與下面4211平行。不過，多孔構件4411之下面之至少一部分，可相對下面4211傾斜。多孔構件4411之下面可以是平面。多孔構件4411之下面之至少一部分可以是曲面。
流體回收口442，可以形成在第2構件42之下面4221中的任意處。又，亦可在流體回收口442之外或取代流體回收口442，將從空間SP3回收液體LQ之流體回收口形成在第1構件41之上面4112。於流體回收口442，可與流體回收口441同樣的，配置網眼板等之多孔構件4421。
第2構件42，可以能產生流體回收口442之一部分不面向 空間SP3之期間的方式移動。第2構件42，可以能產生流體回收口442之一部分不對向上面4112之期間的方式移動。
流體回收口441及流體回收口442之雙方或其中一方，可以在終端光學元件31之周圍以斷續分布之方式形成。例如，流體回收口441，可沿著在下面4211上被定義之假想圓(例如，開口425中心周圍之假想圓)，以等間隔或隨機形成複數個。例如，流體回收口442，可沿著在下面4221上被定義之假想圓(例如，開口425中心周圍之假想圓)，以等間隔或隨機形成複數個。亦可取代複數個流體回收口441，形成單一的流體回收口441。亦可取代複數個流體回收口442，形成單一的流體回收口442。
從流體回收口441及流體回收口442之雙方或其中一方，可僅回收液體LQ而不回收氣體。透過配置有多孔構件之流體回收口回收液體而不回收氣體之技術之一例，例如以揭露於美國專利第7.292.313號。不過，當然可以從流體回收口441及流體回收口442之雙方或其中一方，回收液體LQ及氣體之雙方。
從液體供應口431及液體供應口432之雙方或其中一方之液體LQ之供應、與從流體回收口441及流體回收口442之雙方或其中一方之液體LQ之回收，可並行。不過，從液體供應口431之液體LQ之供應、從液體供應口432之液體LQ之供應、從流體回收口441之液體LQ之回收、與從流體回收口442之液體LQ之回收，無需全部並行。
第2構件42，可在從液體供應口431供應液體LQ之期間中之至少部分期間中移動。第2構件42，可在從液體供應口431不供應液體LQ之期間中之至少部分期間中移動。第2構件42，可在從液體供應口432 供應液體LQ之期間中之至少部分期間中移動。第2構件42，可在從液體供應口432不供應液體LQ之期間中之至少部分期間中移動。第2構件42，可在從流體回收口441回收液體LQ之期間中之至少部分期間中移動。不過，第2構件42，亦可在從流體回收口441不回收液體LQ之期間中之至少部分期間中移動。第2構件42，可在從流體回收口442回收液體LQ之期間中之至少部分期間中移動。不過，第2構件42，亦可在從流體回收口442不回收液體LQ之期間中之至少部分期間中移動。
第1構件41之下面4111不回收液體LQ。因此，下面4111在與基板51之間保持液體LQ。第1構件41之內側面4121、上面4112及外側面4113亦不回收液體LQ。
第2構件42之下面4211不回收液體LQ。因使，下面4211在與基板51之間保持液體LQ。第2構件42之下面4221亦不回收液體LQ。因此，下面4221在與基板51及上面4112之雙方或其中一方之間保持液體LQ。第2構件42之內側面4212亦不回收液體LQ。
(1-2-2)液浸構件所具備之第2構件之移動態樣的具體例
接著，參照圖4及圖5，說明第2構件42之移動態樣之具體例。圖4係顯示第2構件42之移動態樣之第1具體例的剖面圖。圖5係顯示第2構件42之移動態樣之第2具體例的剖面圖。又，圖4及圖5中，為簡化圖面，省略了圖2所示液浸構件4A之構成要件中的一部分。
第1實施形態中，第2構件42係根據基板51之移動態樣移動。換言之，第2構件42係以根據基板51之移動態樣(例如，移動方向、 移動速度、加速度及移動距離中之至少一種)所定之移動態樣移動。不過，第2構件42亦可與基板51之移動分開獨立移動。
例如，第2構件42，可以基板51相對第2構件42之相對速度之絶對值變小之方式移動。第2構件42，與第2構件42不移動之場合比較，可以基板51相對第2構件42之相對速度之絶對值變小之方式移動。
例如，第2構件42，可以基板51相對第2構件42之相對加速度之絶對值變小之方式移動。第2構件42，與第2構件42不移動之場合比較，可以基板51相對第2構件42之相對加速度之絶對值變小之方式移動。
第2構件42，藉由受控制器91控制之驅動裝置451之動作而移動之情形已如上述。因此，以下所說明之第2構件42之移動，係由控制器91之控制來實現。
在第2構件42不移動之情形下之基板51相對第2構件42之相對速度，實質上，與基板51相對第1構件41之相對速度一致。因此，第2構件42，可以基板51相對第2構件42之相對速度之絶對值，較基板51相對第1構件41之相對速度之絶對值小的方式移動。針對相對加速度亦同樣的，第2構件42，可以基板51相對第2構件42之相對加速度之絶對值，較基板51相對第1構件41之相對加速度之絶對值小的方式移動。
為了縮小基板51相對第2構件42之相對速度及相對加速度之雙方或其中一方之絶對值，第2構件42可朝向與基板51之移動方向相同之方向移動。
例如，如圖4所示，在基板51朝+X軸方向移動之情形時，第2構件42可朝向+X軸方向移動。此處，係設基板51沿X軸方向之移 動速度為+V51、第2構件42沿X軸方向之移動速度為+V42。第2構件42不移動時基板51相對第2構件42之相對速度之絶對值為| V51 |。另一方面，在第2構件42移動時基板51相對第2構件42之相對速度之絶對值為| V51-V42 |(<| V51 |)。因此，在第2構件42移動之情形時，與第2構件42不移動之情形相較，基板51相對第2構件42之相對速度之絶對值變小。此外，關於基板51相對第2構件42之相對加速度，亦與基板51相對第2構件42之相對速度相同。
例如，如圖5所示，在基板51朝向-X軸方向移動之情形時，第2構件42可朝向-X軸方向移動。此處，係設基板51沿X軸方向之移動速度為-V51、第2構件42沿X軸方向之移動速度為-V42。在第2構件42不移動時基板51相對第2構件42之相對速度之絶對值為| -V51 |。另一方面，在第2構件42移動時基板51相對第2構件42之相對速度之絶對值為| -V51+V42 |(<| -V51 |)。因此，在第2構件42移動之情形時，與第2構件42不移動之情形相較，基板51相對第2構件42之相對速度之絶對值變小。又，關於基板51相對第2構件42之相對加速度，亦與基板51相對第2構件42之相對速度相同。
在基板51朝向+Y軸方向移動之情形時，第2構件42可朝向+Y軸方向移動。在基板51朝向-Y軸方向移動之情形時，第2構件42可朝向-Y軸方向移動。在基板51朝向XY平面內之既定方向移動之情形時，第2構件42可朝向當該既定方向移動。
第2構件42，亦可以基板51相對第2構件42之相對速度中、沿基板51之移動方向之速度成分之絶對值變小的方式移動。第2構件42， 與第2構件42不移動之情形相較，可以基板51相對第2構件42之相對速度中、沿基板51之移動方向之速度成分之絶對值變小的方式移動。
第2構件42，可以基板51相對第2構件42之相對加速度中、沿基板51之移動方向之加速度成分之絶對值變小的方式移動。第2構件42，與第2構件42不移動之情形相較，可以基板51相對第2構件42之相對加速度中、沿基板51之移動方向之加速度成分之絶對值變小的方式移動。
第2構件42，可在朝向與基板51之移動方向同一方向移動之同時、進一步朝向與基板51移動之方向交叉或正交之方向移動。亦即，第2構件42，為縮小基板51相對第2構件42之相對速度及相對加速度之雙方或其中一方之絶對值時，可往包含基板51之移動方向成分之XY平面內的任意方向移動。例如，在基板51朝向+X軸方向移動之情形時，第2構件42可在朝向+X軸方向移動之同時、朝+Y軸方向或-Y軸方向移動。
如以上之說明，第1實施形態中，第2構件42可以縮小基板51相對第2構件42之相對速度及相對加速度之雙方或其中一方之絶對值的方式移動。因此，即使在形成有液浸空間LS之狀態下基板51以相對高速度移動，形成液浸空間LS之液體LQ之一部分在基板51上分離、且當該分離之液體LQ成為殘水殘留在基板51上之情形即會受到抑制。此外，即使在形成有液浸空間LS之狀態下基板51以相對高速度移動，液浸空間LS產生氣泡之情形亦會受到抑制。因此，能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
(1-3)使用曝光裝置EX1之基板51之曝光方法
接著，參照圖6至圖10，說明曝光裝置EX1之基板51之曝光方法。
曝光裝置EX1在進行基板51之曝光的曝光處理前，首先，控制器91控制驅動系統82，使基板載台5移動至離開液浸構件4A之基板更換位置。之後，控制器91，將曝光前之基板51搬入(亦即，控制未圖示之基板搬入裝置，以進行搬入)位於基板更換位置之基板載台5。
在基板載台5位於從液浸構件4A離開之基板更換位置之期間，控制器91控制驅動系統82，以將測量載台6配置在與終端光學元件31及液浸構件4A沿Z軸方向對向之位置。又，在測量載台6配置於與終端光學元件31及液浸構件4A沿Z軸方向對向之位置的期間，藉由測量載台6保持之測量構件61，透過液體LQ進行接受曝光用光EL之測量。
在基板載台5保持曝光前之基板51後，控制器91使搬入有曝光前之基板51之基板載台5，移動至與終端光學元件31及液浸構件4A沿Z軸方向對向之位置。
又，在上述動作之進行期間，亦在基板載台5或測量載台6與終端光學元件31之間持續形成液浸空間LS。
其次，控制器91開始對基板51之曝光處理。具體而言，在控制器91之控制下，照明系2對光罩11照射曝光用光EL。來自光罩11之曝光用光EL透過投影光學系3及液浸空間LS投影於基板51。其結果，於基板51投影形成在光罩11之元件圖案之像，基板51曝光。
第1實施形態中，曝光裝置EX1係於曝光時使光罩11及基板51之雙方沿既定掃描方向(掃描方向)移動的掃描型曝光裝置(所謂的掃描步進機)。第1實施形態中，光罩11之掃描方向及基板51之掃描方向皆為Y軸方向。因此，控制器91使基板51相對曝光用光EL投影之投影區 域PR沿Y軸方向移動。控制器91使光罩11相對曝光用光EL照射之照明區域IR沿Y軸方向移動。
接著，一邊參照圖6、一邊說明基板51之移動態樣。圖6係保持於基板載台5之基板51之一例的俯視圖。
如圖6所示，於基板51之上面，複數個照射區域S分布成矩陣狀。照射區域S係使用曝光用光EL之一次曝光處理被曝光之區域。
例如，在對某一照射區域S1進行曝光處理時，係在當該照射區域S1之上側形成有液浸空間LS之狀態下，控制器91使基板51相對曝光用光EL投影之投影區域PR沿Y軸方向移動。控制器91並使光罩11相對曝光用光EL照射之照明區域IR沿Y軸方向移動。與基板51及光罩11之移動並行，照明系2對光罩11照射曝光用光EL。其結果，照射區域S1被透過投影光學系3及液浸空間LS投影之曝光用光EL曝光。
當照射區域S1到達曝光結束位置時，對照射區域S1之曝光處理即結束。在對照射區域S1之曝光處理結束後，為開始對次一照射區域S2(例如，於+X軸方向側與照射區域S1相鄰之照射區域S2)之曝光處理，進行將次一照射區域S2移動至曝光開始位置之動作。具體而言，在形成有液浸空間LS之狀態下，控制器91沿著與Y軸方向相交之方向(例如，X軸方向、或相對X軸方向及Y軸方向之各個之傾斜方向)移動基板51。在使次一照射區域S2移動至曝光開始位置之動作進行之期間，照明系2不對光罩11照射曝光用光EL。當次一照射區域S2到達曝光開始位置時，以和對照射區域S1之曝光用光EL之曝光處理相同的態樣，開始對照射區域S2之曝光用光EL之曝光處理。之後，以基板51上之複數個照射區域為對象 進行同樣的動作。
以下之說明中，將為進行對照射區域S之曝光處理，而使基板51沿Y軸方向移動以相對投影區域PR使照射區域S沿Y軸方向移動之動作，適當的稱為“掃描移動動作”。掃描移動動作，亦可包含照射區域S從位於曝光開始位置之狀態到照射區域S位於曝光結束位置之狀態為止，使基板51沿Y軸方向移動的動作。掃描移動動作，主要包含使基板51沿Y軸方向等速移動之動作。不過，掃描移動動作亦可包含使基板51沿Y軸方向加減速移動的動作。又，如以上所述，在進行掃描移動動作之期間，照明系2係對光罩11照射曝光用光EL。掃描移動動作進行之期間，可形成有或持續形成液浸空間LS。
另一方面，將為了在對一照射區域S之曝光處理結束後開始對次一照射區域S之曝光處理，而使基板51沿與Y軸方向相交之方向移動以移動至次一照射區域S之曝光開始位置的動作，適當的稱為“步進移動動作”。步進移動動作，可包含從在照射區域S位於曝光結束位置之狀態至次一照射區域S位於曝光開始位置之狀態為止，使基板51沿與Y軸方向相交之方向移動的動作。步進移動動作，主要包含使基板51沿與Y軸方向相交之方向加減速移動的動作。例如，步進移動動作，可包含使基板51沿X軸方向加減速移動的動作及使基板51沿Y軸方向加減速移動的動作之雙方或其中。不過，步進移動動作，亦可包含使基板51沿與Y軸方向相交之方向等速移動的動作。又，如前所述，在步進移動動作進行之期間，照明系2不對光罩11照射曝光用光EL。在步進移動動作進行之期間，可形成有或持續形成液浸空間LS。
又，曝光開始位置，可包含在投影區域P之前側端部通過一照射區域S沿Y軸方向之一方端部(例如，相對投影區域PR之行進方向之後方側端部)之時間點時，該一照射區域S之位置(換言之，基板51之位置)。曝光結束位置，可包含在投影區域RP之後側端部通過一照射區域S沿Y軸方向之另一方端部(例如，相對投影區域PR之行進方向之前方側端部)之時間點時，該一照射區域S之位置(換言之，基板51之位置)。
又，以下之說明中，將用以對一照射區域S進行曝光處理而進行掃描移動動作之期間，適當的稱為“掃描移動期間”。另一方面，將對一照射區域S之曝光處理結束後為開始對次一照射區域S之曝光處理而進行步進移動動作之期間，適當的稱為“步進移動期間”。
控制器91，交互的反覆進行掃描移動動作與步進移動動作。其結果，及依序進行對基板51上之複數個照射區域S之曝光處理。
在進行對複數個照射區域S之曝光處理時，控制器91可根據複數個照射區域S之曝光條件，使基板51移動。例如，控制器91可根據複數個照射區域S之曝光條件，調整基板51之移動條件(例如，移動速度、加速度、移動距離、移動方向及在XY平面內之移動軌跡中之至少一種)。例如，如圖6所示，控制器91可根據曝光條件，以投影區域PR相對基板51沿移動軌跡Sr相對移動之方式，使基板51移動。
複數個照射區域S之曝光條件，例如，係規定於被稱為曝光處方之曝光控制資訊。曝光控制資訊，例如係儲存於記憶體92。曝光控制資訊所規定之曝光條件，例如，可包含複數個照射區域S之排列資訊(例如，複數個照射區域S各個之位置)。曝光控制資訊所規定之曝光條件，例 如，亦可包含複數個照射區域S之尺寸(例如，複數個照射區域S之Y軸方向長度)。
如圖6所示，在掃描移動期間及步進移動期間中之至少部分期間中，液浸空間LS之至少一部分可形成在上面52上。在掃描移動期間及步進移動期間中之至少部分期間中，液浸空間LS之至少一部分可以跨在基板51與上面52之方式形成。在測量載台6與基板載台5相鄰或接觸之狀態下進行對基板51之曝光處理之情形時，於掃描移動期間及步進移動期間中之至少部分期間中，液浸空間LS之至少一部分可以跨在基板載台5與測量載台6之方式形成。
第2構件42，可在步進移動期間中之至少部分期間中移動。第2構件42，可在照明系2不照射曝光用光EL(亦即，不從終端光學元件31射出曝光用光EL)之期間中之至少部分期間中移動。第2構件42，亦可在基板51沿X軸方向移動之期間中之至少部分期間中移動。不過，第2構件42當然可在步進移動期間中不移動。第2構件42，亦可在照明系2不照射曝光用光EL之期間中不移動。第2構件42，亦可在基板51沿X軸方向移動之期間中不移動。
第2構件42，可在掃描移動期間中之至少部分期間中移動。第2構件42，可在照明系2照射曝光用光EL(亦即，從終端光學元件31射出曝光用光EL)之期間中至少部分期間中移動。第2構件42，可在基板51沿Y軸方向移動之期間中之至少部分期間中移動。不過，第2構件42當然可在掃描移動期間中不移動。第2構件42，可在照明系2照射曝光用光EL之期間中不移動。第2構件42，可在基板51沿Y軸方向移動之期間 中不移動。
在此種第2構件42之移動態樣的前提下，參照圖7至圖10，說明基板51之具體的移動態樣與第2構件42之具體的移動態樣間之關係的一例。圖7係顯示投影區域PR之移動軌跡Sr及第2構件42之移動軌跡Sr’之一具體例的俯視圖。圖8及圖9，分別為顯示基板51及第2構件42以圖7所示態樣移動時之第2構件42之移動態樣的剖面圖。圖10係顯示基板51及第2構件42以圖7所示態樣移動時之基板51及第2構件42各個之移動速度的圖表。
如圖7(a)所示，以對沿X軸方向相鄰之2個照射區域S(亦即，照射區域Sa及照射區域Sb)進行曝光處理之情形為例。此場合，控制器91，以投影區域PR相對基板51沿以實線所示移動軌跡Sr相對移動之方式，使基板51移動。
具體而言，控制器91，以投影區域PR相對基板51沿著從照射區域Sa上之-Y軸方向側之端部位置d1至照射區域Sa上之+Y軸方向側之端部位置d2的路徑Tp1相對移動之方式，使基板51移動。亦即，在投影區域PR相對基板51沿路徑Tp1相對移動之場合，控制器91係進行使基板51沿Y軸方向(例如，朝向-Y軸方向)移動之掃描移動動作。因此，在投影區域PR相對基板51沿路徑Tp1相對移動之期間，照射區域Sa被曝光。
之後，控制器91，以投影區域PR相對基板51以沿著從照射區域Sa上之端部位置d2至照射區域Sb上之+Y軸方向側之端部位置d3的路徑Tp2相對移動之方式，使基板51移動。亦即，在投影區域PR相對 基板51沿路徑Tp2相對移動之場合，控制器91係進行使基板51沿與Y軸方向相交之方向移動的步進移動動作。投影區域PR相對基板51沿路徑Tp2相對移動之期間，基板51不會曝光。例如，投影區域PR從圖7(a)中之端部位置d2移動至中間位置d2.5之期間，控制器91使基板51朝向-X軸方向移動、並朝向-Y軸方向移動。此外，投影區域PR從圖7(a)中之中間位置d2.5移動至端部位置d3之移動期間，控制器91使基板51朝-X軸方向移動、並朝向+Y軸方向移動。
之後，控制器91，以投影區域PR相對基板51沿著從照射區域Sb上之端部位置d3至照射區域Sb上之-Y軸方向側之端部位置d4的路徑Tp3相對移動之方式，使基板51移動。亦即，在投影區域PR相對基板51沿路徑Tp3相對移動之場合，控制器91係進行使基板51沿Y軸方向(例如，朝向+Y軸方向)移動之掃描移動動作。因此，投影區域PR相對基板51沿路徑Tp3相對移動之期間，照射區域Sb被曝光。
之後，控制器91，以投影區域PR相對基板51沿著從照射區域Sb上之端部位置d4至照射區域Sc上之-Y軸方向側之端部位置d5的路徑Tp4相對移動之方式，使基板51移動。亦即，在投影區域PR相對基板51沿路徑Tp4相對移動之場合，控制器91係進行使基板51沿與Y軸方向相交之方向移動的步進移動動作。在投影區域PR相對基板51沿路徑Tp4相對移動之期間，基板51不會曝光。例如，在投影區域PR從圖7(a)中之端部位置d4移動至中間位置d4.5之期間，控制器91係使基板51朝向-X軸方向移動、並朝向+Y軸方向移動。又，在投影區域PR從圖7(a)中之中間位置d4.5移動至端部位置d5之期間，控制器91係使基板51朝向- X軸方向移動、並朝向-Y軸方向移動。
在投影區域PR位於照射區域Sc上之端部位置d5後，則反覆進行與投影區域PR從端部位置d1到達端部位置d5為止之進行之動作相同的動作。
在基板51以圖7(a)所示態樣移動之場合，第2構件42係進行包含與基板51移動之方向相同方向成分的移動。例如，基板51以投影區域PR依序移動於路徑Tp1、路徑Tp2、路徑Tp3及路徑Tp4之方式移動時，第2構件42，如圖7(b)所示，係依序移動於路徑Tp1’、路徑Tp2’、路徑Tp3’及路徑Tp4’。
具體而言，在進行投影區域PR沿路徑Tp1移動之掃描移動動作之場合，第2構件42係沿著從位置d1’朝向位置d2’之路徑Tp1’移動。
位置d1’，係顯示在投影區域PR位於端部位置d1之時間點，第2構件42之中心(例如，開口425之中心)相對投影區域PR之位置。例如，位置d1’，如圖8(a)所示，係從投影區域PR往-X軸方向及+Y軸方向移動之位置。
位置d2’，係顯示投影區域PR位於端部位置d2之時間點，第2構件42之中心相對投影區域PR之位置。例如，位置d2’，如圖8(b)所示，係從投影區域PR往+X軸方向及-Y軸方向移動之位置。
如圖7(b)所示，路徑Tp1’係包含朝向-Y軸方向之成分及朝向+X軸方向之成分的路徑。路徑Tp1’係第2構件42一邊朝+X軸方向移動、一邊朝-Y軸方向移動的路徑。路徑Tp1’係包含朝向掃描移動 動作中之基板51之移動方向之成分、及朝向與步進移動動作中之基板51之移動方向相反方向之成分的路徑。
之後，在進行投影區域PR沿路徑Tp2移動[之步進移動動作之場合，第2構件42沿著從位置d2’經由位置d2.5’朝向位置d3’的路徑Tp2’移動。
位置d2.5’，係顯示在投影區域PR位於中間位置d2.5之時間點，第2構件42之中心相對投影區域PR之位置。例如，位置d2.5’，如圖8(c)所示，係從投影區域PR往-Y軸方向移動之位置。
位置d3’，係顯示在投影區域PR位於端部位置d3之時間點，第2構件42之中心相對投影區域PR之位置。例如，位置d3’，如圖8(d)所示，係從投影區域PR往-X軸方向及-Y軸方向移動之位置。
如圖7(b)所示，路徑Tp2’係包含含朝向-Y軸方向之成分及朝向-X軸方向之成分的路徑、以及含朝向+Y軸方向之成分及朝向-X軸方向之成分的路徑之双方的路徑。路徑Tp2’，係第2構件42一邊朝-Y軸方向移動、一邊朝-X軸方向移動後，一邊朝+Y軸方向移動、一邊朝-X軸方向移動的路徑。路徑Tp2’，係第2構件42係在反轉沿Y軸方向之移動方向、一邊朝-X軸方向移動的路徑。路徑Tp2’係包含朝向步進移動動作中基板51之移動方向之成分、及沿掃描移動動作中基板51之移動方向之成分的路徑。
不過，路徑Tp2’亦可以是不包含沿Y軸方向之成分(亦即，沿掃描移動動作中基板51之移動方向之成分)的路徑。亦即，路徑Tp2’可以是第2構件42僅朝向-X軸方向移動的路徑。
之後，在進行投影區域PR沿路徑Tp3移動之掃描移動動作之場合，第2構件42沿著從位置d3’朝向位置d4’之路徑Tp3’移動。
位置d4’，係顯示投影區域PR位於端部位置d4之時間點，第2構件42之中心相對投影區域PR之位置。例如，位置d4’，如圖9(a)所示，係從投影區域PR往+X軸方向及+Y軸方向移動之位置。
如圖7(b)所示，路徑Tp3’係包含朝向+Y軸方向之成分及朝向+X軸方向之成分的路徑。路徑Tp3’係第2構件42一邊朝+X軸方向移動、一邊朝+Y軸方向移動的路徑。路徑Tp3’係包含朝向掃描移動動作中基板51之移動方向之成分、及朝向與步進移動動作中基板51之移動方向相反方向之成分的路徑。
之後，在進行投影區域PR沿路徑Tp4移動之步進移動動作之場合，第2構件42沿著從位置d4’經由位置d4.5’朝向位置d5’之路徑Tp4’移動。
位置d4.5’，係顯示投影區域PR位於端部位置d4.5之時間點，第2構件42之中心之位置。例如，位置d4.5’，如圖9(b)所示，係從投影區域PR往+X軸方向移動之位置。
位置d5’，係顯示投影區域PR位於端部位置d5之時間點，第2構件42之中心之位置。例如，位置d5’，如圖9(c)所示，係從投影區域PR往-X軸方向及+Y軸方向移動之位置。又，投影區域PR與位置d5’間之位置關係，實質上，可與投影區域PR與位置d1’間之位置關係相同。
如圖7(b)所示，路徑Tp4’，係包含含朝向+Y軸方向之 成分及朝向-X軸方向之成分的路徑、以及含朝向-Y軸方向之成分及朝向-X軸方向之成分之路徑之雙方的路徑。路徑Tp4’係第2構件42在一邊朝+Y軸方向移動、一邊朝-X軸方向移動後，一邊朝-Y軸方向移動、一邊朝-X軸方向移動的路徑。路徑Tp4’係第2構件42在一邊反轉沿Y軸方向之移動方向、一邊朝-X軸方向移動的路徑。路徑Tp4’係包含朝向步進移動動作中基板51之移動方向之成分、及沿掃描移動動作中基板51之移動方向之成分的路徑。
不過，路徑Tp4’亦可以是不包含沿Y軸方向之成分(亦即，沿掃描移動動作中基板51之移動方向之成分)的路徑。亦即，路徑Tp4’可以是第2構件42僅往-X軸方向移動的路徑。
移動於上述路徑Tp1’、路徑Tp2’、路徑Tp3’及路徑Tp4’之第2構件42，如圖7(b)所示，實質上，係以描繪阿拉伯數字「8」之方式移動。
在基板51以投影區域PR沿圖7(a)所示之移動軌跡Sr移動之方式移動、且第2構件42沿圖7(b)所示之移動軌跡Sr’移動之場合，基板51及第2構件42之移動速度，係以圖10所示態樣變化。又，圖10之第一層之圖型，係顯示沿X軸方向之基板51之移動速度。圖10之第二層之圖型，係顯示沿Y軸方向之基板51之移動速度。圖10之第三層之圖型，係顯示沿X軸方向之第2構件42之移動速度。圖10之第四層之圖型，則係顯示沿Y軸方向之第2構件42之移動速度。
又，圖10之圖表僅為一例，圖10之第一層及第二層圖型所示基板51之移動態樣可適當變更。圖10之第三層及第四層圖型所示之第2 構件42之移動態樣亦可適當變更。因此，第2構件42可以和圖7(b)所示路徑不同之路徑移動。
例如，圖10之第三層圖型中，在掃描移動期間之移動速度絶對值之變化與在步進移動期間之移動速度絶對值之變化雖相同，但亦可使之不同。例如，可控制第2構件42往X軸方向之移動，以使在掃描移動期間(例如，從端部位置d1’往端部位置d2’之移動期間)之移動速度絶對值之最大值小於在步進移動期間(例如，從端部位置d2’往端部位置d3’之移動期間)之移動速度絶對值之最大值小。又，亦可控制第2構件42往X軸方向之移動，以使在掃描移動期間(例如，從端部位置d1’往端部位置d2’之移動期間)之至少一部分，第2構件42往X軸方向以等速移動。
又，圖10之第四層圖型中，於掃描移動期間，第2構件42雖係往Y軸方向以等速移動，但亦可以在掃描移動期間(例如，從端部位置d1’往端部位置d2’之移動期間)之至少一部分中移動速度變化之方式，控制第2構件42往Y軸方向之移動。例如，可於掃描移動期間(例如，從端部位置d1’往端部位置d2’之移動期間)中，以開始掃描移動動作後再開始第2構件42之移動之方式，控制第2構件42往Y軸方向之移動。例如，可在投影區域PR通過照射區域S之中間位置(例如，端部位置d1與端部位置d2之中間位置)之時間點，開始第2構件42往Y軸方向之移動。
(1-4)液浸構件4A之變形例
接著，參照圖11至圖23，說明液浸構件4A之各種變形例。又，針對與液浸構件4A之構成要素相同之構成要素，係賦予相同參照番號省略其詳 細之說明。
(1-4-1)第1變形例
參照圖11，說明第1變形例之液浸構件4Aa。圖11係顯示第1變形例之液浸構件4Aa所具備之第1構件41a之構成的剖面圖。
如圖11所示，第1變形例中，第1構件41a具備液體供應口431a與流體回收口443a。液體供應口431a對液浸空間LS(特別是空間SP2)供應液體LQ。流體回收口443a從液浸空間LS(特別是空間SP2)回收液體LQ。液體供應口431a及流體回收口443a形成在內側面4121。液體供應口431a及流體回收口442係面向空間SP2形成。又，液體供應口431a及流體回收口443a中之一方或雙方，可面向光路空間SPK形成。液體供應口431a配置在光軸AX之一側，流體回收口443a形成在光軸AX之另一側。圖11中，係相對光軸AX，於-X軸方向側形成液體供應口431a、於+X軸方向側形成流體回收口443a。流體回收口443a距離基板51之高度，與液體供應口431a距離基板51之高度相同。
又，亦可相對光軸AX於-Y軸方向側形成液體供應口431、於+Y軸方向側形成流體回收口443a。此外，液體供應口431距離基板51之高度與流體回收口443a距離基板51之高度可以不同。
液體供應口431a可於內側面4121形成複數個。例如，可沿XY平面、以等間隔或隨機形成複數個液體供應口431a。流體回收口443a可於內面4121形成複數個。例如，可沿XY平面、以等間隔或隨機形成複數個流體回收口443a。
從液體供應口431a之液體供應及從流體回收口443a之液體 回收係在控制器91之控制下進行。從流體回收口443a可僅回收液體LQ而不回收氣體。不過，從流體回收口443a當然是可以回收液體LQ及氣體之雙方。
具備第1變形例之液浸構件4Aa之曝光裝置EX1中，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
又，流體回收口443a距離基板51之高度，可以較液體供應口431a距離基板51之高度大或小。於流體回收口443a可配置多孔構件。此外，配置於流體回收口443a之多孔構件，可與配置於流體回收口441之多孔構件4411相同。
液浸構件4A，亦可於第1構件41之下面4111具備流體回收口。此外，液浸構件4Aa，亦可於第1構件41a之下面4111具備流體回收口。
(1-4-2)第2變形例
參照圖12、說明第2變形例之液浸構件4Ab。圖12係顯示第2變形例之液浸構件4Ab所具備之第1構件41b之構成的剖面圖。
如圖12所示，第2變形例中，第1構件41b於下面4111具備液體供應口431b。
具備第2變形例之液浸構件4Ab的曝光裝置EX1，亦能非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
又，與第2變形例同樣的，液浸構件4A亦可於第1構件41 之下面4111具備流體回收口。此外，液浸構件4Aa亦可於第1構件41a之下面4111具備流體回收口。
(1-4-3)第3變形例
參照圖13、說明第3變形例之液浸構件4Ac。圖13係顯示第3變形例之液浸構件4Ac之構成的剖面圖。如圖13所示，第3變形例中，液體供應口432c形成在下面4221。液體供應口432c雖係以不對向於空間SP3(上面4112)之方式形成，但亦可形成為面向空間SP3。
具備第3變形例之液浸構件4Ac之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
又，液浸構件4Ac中，可於下面4211設置液體供應口432。
(1-4-4)第4變形例
參照圖14、說明第4變形例之液浸構件4Ad。圖14係顯示第4變形例之液浸構件4Ad之構成的剖面圖。如圖14所示，第4變形例中，液體供應口432d係形成在內側面4212。
具備第4變形例之液浸構件4Ad之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
又，液體供應口432d可較上面4112及下面4111之雙方或其中一方形成在上側、亦可形成在下側。液體供應口432d可形成在與上面4112或下面4111相同高度。
液體供應口432d可沿著與XY平面平行之方向與外側面 4113對向、或不對向。液體供應口432可沿著與XY平面平行之方向與空間SP3對向、或不對向。
又，液浸構件4Ad中，除了液體供應口432d之外，亦可再設置設於下面4211之液體供應口432、與設於下面4221之液體供應口432b中之一方或雙方。
(1-4-5)第5變形例
參照圖15、說明第5變形例之液浸構件4Ae。圖15係顯示第5變形例之液浸構件4Ae之構成的剖面圖。
如圖15所示，於第5變形例，第2構件42e除流體回收口442外亦具備流體回收口444e。
流體回收口444e，從內側面4222與外側面4122與上面4112間之空間回收液體LQ及氣體中之一方或雙方。流體回收口444e形成在第2構件42e之內側面4222。從流體回收口444e之液體LQ之回收係在控制器91之控制下進行。
流體回收口444e在終端光學元件31之周圍(換言之，曝光用光EL之光路AT之周圍)斷續的或連續的形成。例如，複數個流體回收口444e以等間隔或隨機形成。
具備第5變形例之液浸構件4Ae之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
於第5變形例，即使是在液體LQ流出至較空間SP3更內側之空間時，亦能回收當該液體LQ。
又，流體回收口444e可形成在面向內側面4222與外側面4122間之空間之任意的面。例如，流體回收口444e可形成在上面4112。例如，流體回收口444e可形成在外側面4122。例如，流體回收口444e可形成在下面4221中、較流體回收口442內側之部分。例如，流體回收口444e可形成在下面4132。
可於流體回收口444e配置多孔構件。又，配置在流體回收口444e之多孔構件，可以是與配置在流體回收口441之多孔構件4411相同種。
上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ad)可具備流體回收口444e。上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ae)具備流體回收口444e之情形時，可不具備流體回收口442。
上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ae)，可具備從第2構件42與基板51(或物體)間之空間SP1之外側空間(例如，較流體回收口441外側之空間)回收液體LQ及氣體中之一方或雙方之流體回收口。此種流體回收口，可形成在第2構件42、亦可形成在與第1構件41及第2構件42不同之構件。
上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ae)，可具備從較空間SP2外側之空間(例如，較內側面4121外側、或較上面4131上側之空間)回收液體LQ及氣體中之一方或雙方之流體回收口。此種流體回收口可形成在第1構件41(例如，上面4131)、亦可形成在與第1構件41及第2構件42不同之構件。
(1-4-6)第6變形例
參照圖16、說明第6變形例之液浸構件4Af。圖16係顯示第6變形例之液浸構件4Af之構成的剖面圖。
如圖16所示，於第6變形例，第2構件42f之內側面4212f相對光軸AX傾斜。內側面4212f，從下面4211之內側端部朝上側、且向內側延伸。內側面4212f，從下面4221之外側端部朝下側、且向外側延伸。
具備第6變形例之液浸構件4Af之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
於第6變形例中，與內側面4212f和光軸AX平行之場合相較，因內側面4212f之移動造成之液浸空間LS內液體LQ之壓力變動相對較小。因此，例如，能非常佳的抑制終端光學元件31受到液浸空間LS內液體LQ之壓力的變動。其結果，能非常佳的抑制終端光學元件315之變動。
又，因內側面4212f之移動造成之液浸空間LS內液體LQ之壓力之變動，會隨著內側面4212f之投影面積(具體而言，對與第2構件42f之移動方向正交之面的投影面積)越小而越小。因此，內側面4212f可具有內側面4212f之投影面積盡可能小的形狀。
第6變形例，與內側面4212f和光軸AX平行之情形相較，於第2構件42之下側界面LG1可圓滑的移動。例如，圖16中，在界面LG1形成在內側面4212f與基板51間之狀態下，例如，因基板51與第2構件42之相對移動而使界面LG1往-X軸方向移動之場合，界面LG1亦不會在下面4211之內側端部其動作受到抑制，而能從內側面4121f往下面4211圓滑的移動。界面LG1從下面4211往內側面4121f移動之場合亦同。因此，空 間SP1之液體LQ之一部分分離、而往空間SP1之外側空間移動或殘留之情形受到抑制。
內側面4212f之全體可以不相對光軸AX傾斜。例如，可以是內側面4212f之一部分與光軸AX平行。
內側面4212f，亦可包含分別以不同傾斜角度(例如，相對XY平面之傾斜角度或相對光軸AX之傾斜角度)傾斜的複數個傾斜面。例如，內側面4212f，可包含以第1傾斜角度傾斜之第1傾斜面、與以和第1傾斜角度不同之第2傾斜角度傾斜之第2傾斜面。
又，於上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ae)，亦可採用傾斜之內側面4212f。
(1-4-7)第7變形例
參照圖17、說明第7變形例之液浸構件4Ag。圖17係顯示第7變形例之液浸構件4Ag之構成的剖面圖。
如圖17所示，第7變形例中，第2構件42g之內側面4212g與第6變形例之內側面4212f同樣的，相對光軸AX傾斜。於第7變形例中，進一步的，內側面4212g與下面4211連接之部分及內側面4212g與下面4221連接之部分之雙方或其中一方為曲面。
具備第7變形例之液浸構件4Ag之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
於第7變形例，與內側面4212g和光軸AX平行之情形相較，因內側面4212g之移動造成之液浸空間LS內液體LQ之壓力之變動亦相對 較小。
又，第7變形例中，在第2構件42g之下側，界面LG1可更圓滑的移動。亦即，在界面LG1形成於下面4211與基板51間之狀態及界面LG形成於內側面4121g與基板51間之狀態中之一狀態遷移至另一狀態之場合，界面LG1亦能圓滑的移動。因此，空間SP1之液體LQ之一部分分離、而往空間SP1之外側空間移動或殘留的情形受到抑制。
又，上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ae)，亦皆可採用傾斜之內側面4212g、且內側面4212g與下面4212及下面4222連接之部分之雙方或其中一方為曲面。
又，不僅限於內側面4212g，上述各面之端部或上述各面彼此連接之部分可以是曲面。
(1-4-8)第8變形例
參照圖18、說明第8變形例之液浸構件4Ah。圖18係顯示第8變形例之液浸構件4Ah之構成的剖面圖。
如圖18所示，第8變形例中，第2構件42h之內側面4212h相對光軸AX傾斜。進一步的，第8變形例中，內側面4212h係從下面4211之內側端部往上側、且向外側延伸。內側面4212h從下面4221之外側端部向下側、且向內側延伸。
具備第8變形例之液浸構件4Ah之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
第8變形例中，與內側面4212h和光軸AX平行之情形相較， 因內側面4212h之移動而被擠出之液體LQ不易朝向基板51。因此，因內側面4212h之移動造成之液浸空間LS內液體LQ之壓力變動而引起之基板51之變動會受到抑制。此外，因內側面4212h之移動造成之液浸空間LS內液體LQ之壓力之變動，將更不易傳至終端光學元件31。
又，內側面4212h之整體可相對光軸AX傾斜。例如，亦可以是內側面4212h之一部分相對光軸AX平行。
內側面4212h可包含分別以不同傾斜角度傾斜之複數個傾斜面。例如，內側面4212h可包含以第1傾斜角度傾斜之第1傾斜面、與以第1傾斜角度不同之第2傾斜角度傾斜之第2傾斜面。
又，上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ae)亦皆可採用傾斜之內側面4212h。
(1-4-9)第9變形例
參照圖19、說明第9變形例之液浸構件4Ai。圖19係顯示第9變形例之液浸構件4Ai之構成的剖面圖。
如圖19所示，第9變形例中，第1構件41i之外側面4113i係相對光軸AX傾斜。第9變形例中，外側面4113i從下面4111之外側端部向上側、且向內側延伸。外側面4113i從上面4112之外側端部向下側、且向外側延伸。
具備第9變形例之液浸構件4Ai之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
第9變形例中，與外側面4113i和光軸AX平行之情形相較， 液體LQ亦朝向空間SP3。此外，與外側面4113i和光軸AX平行之情形相較，因內側面4212之移動造成之液浸空間LS內液體LQ之壓力不易變動。因此，能抑制因液體LQ之壓力變動造成之影響(終端光學元件31之變動、基板51之變動等)。
又，外側面4113i可從下面4111之外側端部朝向上側、且向外側延伸。亦即，外側面4113i可從上面4112之外側端部向下側、且向內側延伸。
又，外側面4113i之整體可不相對光軸AX傾斜。外側面4113i之一部分可與光軸AX平行。
又，外側面4113i可包含分別以不同傾斜角度傾斜之複數個傾斜面。例如，外側面4113i可包含以第1傾斜角度傾斜之第1傾斜面、與以第1傾斜角度不同之第2傾斜角度朝向外側向下方傾斜之第2傾斜面。例如，第1傾斜面可以從下面4111之外側端部向上側且向外側延伸之方式、第2傾斜面可以從上面4112之外側端部向下側且向外側延伸之方式傾斜。此場合，第1傾斜面之外側端部與第2傾斜面之外側端部可以一致。
又，上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ai)可以不具備外側面。例如，可以將從下面4111之外側端部向外側面4122之下側端部延伸之面定義為上面4112。
(1-4-10)第10變形例
參照圖20、說明第10變形例之液浸構件4Aj。圖20係顯示第10變形例之液浸構件4Aj之構成的剖面圖。
如圖20所示，第10變形例中，下面4211從基板51起算之 高度與下面4221從基板51起算之高度相同。第10變形例中，第2構件42j不具備內側面4212。
具備第10變形例之液浸構件4Aj之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
於第10變形例，與第2構件42j具備內側面4212之情形相較，因第2構件42j之移動造成之液浸空間LS內液體LQ之壓力之變動相對較小。因此，終端光學元件31從液浸空間LS內液體LQ承受之壓力之變動能非常佳的受到抑制。其結果，非常佳的抑制了因液體LQ之壓力變動而產生的影響(終端光學元件31之變動、基板51之變動等)。
(1-4-11)第11變形例
參照圖21、說明第11變形例之液浸構件4Ak。圖21係顯示第11變形例之液浸構件4Ak之構成的剖面圖。
如圖21所示，於第11變形例，下面4211從基板51起算之高度較下面4221從基板51起算之高度大。
具備第11變形例之液浸構件4Ak之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
(1-4-12)第12變形例
參照圖22、說明第12變形例之液浸構件4Al。圖22係顯示第12變形例之液浸構件4Al之構成的剖面圖。
如圖22所示，於第12變形例，下面4211從基板51起算之 高度較下面4111從基板51起算之高度大。
具備第12變形例之液浸構件4Al之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
於第12變形例，與下面4211從基板51起算之高度不大於下面4111從基板51起算之高度之情形相較，因第2構件42之移動造成之液浸空間LS內液體LQ之壓力之變動會受到抑制。因此，因液體LQ之壓力變動引起之影響(終端光學元件31之變動、基板51之變動等)受到抑制。
(1-4-13)第13變形例
參照圖23、說明第13變形例之液浸構件4Am。圖23係顯示第13變形例之液浸構件4Am之構成的剖面圖。
如圖23所示，於第13變形例，下面4211從基板51起算之高度較上面4112從基板51起算之高度大。
具備第13變形例之液浸構件4Am之曝光裝置EX1，亦可非常佳的獲得與具備上述液浸構件4A之曝光裝置EX1可獲得之各種效果。例如，可抑制曝光不良之發生。
於第13變形例，與下面4211從基板51起算之高度不大於上面4112從基板51起算之高度之情形相較，因第2構件42之移動造成之液浸空間LS內液體LQ之壓力之變動受到抑制。因此，因液體LQ之壓力變動帶來之影響(終端光學元件31之變動、基板51之變動等)受到抑制。
又，第10變形例之液浸構件4Aj與第13變形例之液浸構件4Am不同，上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ai)中，下面4211從基板51 起算之高度較下面4221從基板51起算之高度小。其結果，於上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Ah)，亦形成安定的界面LG1，可抑制液體LQ從空間SP1之流出。因此，於第1實施形態，在考慮形成安定的界面LG1之形成的效果與液浸空間LS內液體LQ之壓力變動的效果之雙方後，將下面4211從基板51起算之高度設定為適當的高度。
又，上述各種液浸構件(4A及4Aa至4Am)中，可於流體回收口441之外側設置供應氣體之氣體供應口。此種氣體供應口，可設於例如第2構件42等、亦可設於與第1構件41等及第2構件42等不同之構件。此外，所供應之氣體可與液浸空間LS周圍空間之氣體實質相同、亦可不同。例如，所供應之氣體可以是空氣、氮氣或二氧化碳。從氣體供應口之氣體供應，可以是以抑制液體LQ從空間SP1之流出(界面LG1之維持)為目的而進行、亦可以是因其他目的而進行，當然亦可以是以流出抑制之目的與其他目的之雙方而進行。例如，可藉由在流體回收口441之外側供應二氧化碳，據以抑制液體LQ之流出並抑制液浸空間LS之液體LQ中產生氣泡。
(2)第2實施形態
接著，說明第2實施形態之曝光裝置EX2。又，第2實施形態之曝光裝置EX2，與第1實施形態之曝光裝置EX1相較，其不同點在於液浸構件4B所具備之構成要素之一部分與第1實施形態之液浸構件4A所具備之構成要素之一部分不同。第2實施形態之曝光裝置EX2所具備之其他構成要素，可與第1實施形態之曝光裝置EX1所具備之其他構成要素相同。因此，以下，係一邊參照圖24、一邊著眼於第2實施形態之液浸構件4B中與第1 實施形態之液浸構件4A不同之構成要素進行說明。圖24係第2實施形態之曝光裝置EX2所具備之液浸構件4B的剖面圖(與XZ平面平行的剖面圖)。又，針對與第1實施形態之曝光裝置EX1所具備之構成要素相同之構成要素，係賦予相同參照番號以省略其詳細之說明。
如圖24所示，液浸構件4B與液浸構件4A同樣的，係在能於終端光學元件31下側移動之物體上形成液浸空間LS。液浸構件4B具備第1構件41B與第2構件42B。以下，針對第1構件41B及第2構件42B依序加以說明。
首先，說明第1構件41B。又，以下，係著眼於第2實施形態之第1構件41B之構成要素中與第1實施形態之第1構件41之構成要素不同之部分進行說明。因此，針對第2實施形態之第1構件41B之構成要素中、以下未特別說明之構成要素，可與第1實施形態之第1構件41之構成要素相同。
第2實施形態中，第1構件41B可以不配置在第2構件42B之一部分之下側。亦即，第1構件41B係配置在第2構件42B之上側。因此，在第1構件41B與基板51之間配置有第2構件42B之一部分。
第1構件41B具備內側面4121B、外側面4122B、以及下面4111B。
內側面4121B，與上述內側面4121同樣的，係朝向內側之面、且透過空間SP2與外面33之一部分對向。
外側面4122B，與上述外側面4122同樣的，係朝向外側之面、且未與外面33對向。外側面4122B，係從下面4112B之外側端部向上 側延伸之面，此點與外側面4122不同。又，外側面4122B之其他特徵可與上述外側面4122之特徵相同。
下面4111B，與上述下面4111同樣的，係朝向下側之面。下面4111B，可以不是透過空間SP1與基板51對向，此點與下面4111不同。下面4111B，透過空間SP3與第2構件42B之一部分(例如，後述上面4231B之一部分)對向，此點與下面4111不同。又，下面4111B之其他特徵可與上述下面4111之特徵相同。
接著，說明第2構件42B。又，以下，係著眼於第2實施形態之第2構件42B之構成要素中與第1實施形態之第2構件42之構成要素不同之部分進行說明。因此，針對第2實施形態之第2構件42B之構成要素中未特別說明知構成要素，可與第1實施形態之第1構件41之構成要素相同。
第2實施形態中，第2構件42B可以不是配置在第1構件41B之一部分之上側。亦即，第2構件42B係配置在第1構件41B之下側。
第2構件42B具備上面4231B、下面4211B、內側面4222B、以及內側面4232B。
上面4231B係朝向上側之平面。上面4231B較下面4211B配置在上側。上面4231B較內側面4222B配置在內側。上面4231B較內側面4232B配置在外側。上面4231B較射出面32配置在下側。上面4231係與XY平面平行之平面。上面4231B對液體LQ具有撥液性。
上面4231B較第1構件41B配置在下側。上面4231B之一部分透過空間SP3與下面4111B之一部分對向。上面4231B與下面4111B 間之空間SP3之高度較光路空間SPK之高度小。
下面4211B，與上述下面4211同樣的，係朝向下側之平面。下面4211B，其一部分配置在下面4111B之下側，此點與下面4211不同。下面4211B，其至少一部分可以不是較第1構件41B之至少一部分(例如，下面4111B)配置在外側，此點與下面4211不同。又，下面4211B之其他特徵可與上述下面4211之特徵相同。
內側面4222B，與內側面4222同樣的，係朝向內側之平面且與外側面4122B之一部分對向。內側面4222B從上面4231B之外側端部向上側延伸之點，與內側面4222不同。又，內側面4222B之其他特徵可與上述內側面4222之特徵相同。
內側面4232B係朝向內側之平面。內側面4232B連接上面4231B之內側端部與下面4211B之內側端部。因此，內側面4232B之上側端部與上面4231B之內側端部一致。內側面4232B之下側端部與下面4211B之內側端部一致。內側面4232B與光軸AX平行。
第2構件42B具備來自射出面32之曝光用光EL可通過之圓形開口425B。開口425B，在開口425B之內側未配置第1構件41B之點，與上述開口425不同。又，開口425B之其他特徵可與上述開口425之特徵相同。
液浸構件4B，進一步的，與液浸構件4同樣的，具備液體供應口431與流體回收口441與流體回收口442。又，第2實施形態中，流體回收口442不是形成在第2構件42B、而是形成在第1構件41B。
第2實施形態之液浸構件4B，進一步具備配置在第2構件 42B之開口425B的第3構件49B。
第3構件49B配置在開口425B之內部。此場合，第3構件49B可配置於開口425B，以與第2構件42B一體化。例如，第3構件49B可藉由埋入或嵌入開口425B而與第2構件42B一體化之方式，配置於開口425B。又，此處所言之「第2構件42B與第3構件49B一體化」之狀態，可以是指隨著第2構件42B之移動，第3構件49B亦與第2構件42B同樣移動之狀態。
第3構件49B係曝光用光EL可通過之構件。第3構件49B係可使基板51曝光程度之量之曝光用光EL通過之構件。例如，第3構件49B可以是曝光用光EL之穿透率為既定值(例如，80%、90%或100%亦或是其他任意值)之構件。
第3構件49B係構成投影光學系3之至少一部分之光學元件。例如，第3構件49B可以是與終端光學元件31一起構成投影光學系3之光學元件。例如，第3構件49B可以是構成終端光學元件31之至少一部分之光學元件。當然，第3構件49B可以不是投影光學系3之至少一部分之光學元件。
在第3構件49B是構成投影光學系3之至少一部分之光學元件的情形時，第3構件49B之傾斜(亦即，傾斜(tilt)方向之傾斜，例如沿θX方向及θY方向之雙方或其中一方之傾斜)，有可能會引起投影至基板51之元件圖案像之像偏移。因此，於第2實施形態中，第3構件49B可以調整傾斜方向之傾斜之方式移動。第3構件49B，例如可沿θX方向及θY方向之雙方或其中一方移動。
在第3構件49B與第2構件42B一體化的情形時，因第2構件42B移動，第3構件49B亦移動。因此，亦可以調整第3構件49B之傾斜方向之傾斜之方式，移動第2構件42B。例如，可以調整第3構件49B之傾斜方向之傾斜之方式，沿θX方向及θY方向之雙方或其中一方移動第2構件42B。
第3構件49B之形狀為平板狀或片狀。於XY平面上之第3構件49B之形狀，與於XY平面上之開口425B之形狀相同。於XY平面上之第3構件49B之外緣，與在XY平面上之開口425B之外緣一致。第3構件49B之厚度與第2構件42B之厚度相同。例如，第3構件49B之厚度，與上面4231B和下面4211B間之Z方向長度相同。
第3構件49B具備上面491B、下面492B、以及外側面493B。
上面491B係朝向上側之平面。上面491B係與XY平面平行之平面。上面491B配置在較下面492B及外側面493B之雙方或其中一方之上側。上面491B從基板51起算之高度與上面4231B從基板51起算之高度相同。亦即，上面491B與上面4231B係配置在同一平面上。此場合，上面491B之外側端部，與上面4231B之內側端部及內側面4232B之上側端部之雙方或其中一方一致。
下面492B係朝向下側之平面。下面492B係與XY平面平行之平面。下面492從基板51起算之高度與下面4211B從基板51起算之高度相同。亦即，下面492B與下面4211B係配置在同一平面上。此場合，下面492B之外側端部，可與下面4211B之內側端部及內側面4232B之下側端部之雙方或其中一方一致。
外側面493B係朝向外側之平面。外側面493B係與光軸AX平行之平面。外側面493係將上面491B之外側端部與下面492B之外側端部加以連接之面。因此，外側面493B之上側端部與上面491B之外側端部一致。例如，外側面493B之下側端部與下面492B之外側端部一致。外側面493B之Z方向長度與第2構件42B之內側面4232B之Z方向長度相同。外側面493B可與內側面4232B接觸或緊貼。
第2構件42B，進一步具備用以將空間SP2及空間SP3之雙方或其中一方與空間SP1加以連結之一或複數個連結孔476B。一或複數個連結孔476B之各個，係從上面4231B朝向下面4211B、或從下面4211B朝向上面4231B貫通第2構件42B之孔。一或複數個連結孔476B之各個，配置在流體回收口441及流體回收口442之雙方或其中一方內側。
空間SP2及空間SP3之雙方或其中一方內之液體LQ，可透過至少一個連結孔476B流入空間SP1。空間SP1內之液體LQ，可透過至少一個連結孔476B流入空間SP2及空間SP3之雙方或其中一方。因此，一或複數個連結孔476B各個之內部，可構成液浸空間LS之至少一部分。
根據以上說明之第2實施形態之液浸構件4B，由於在開口425B配置了第3構件49B，因此幾乎或完全不會有隨著第2構件42B之移動，內側面4232B以推擠出液浸空間LS內之液體LQ之方式移動的情形。因此，於第2實施形態，與未在開口425B配置有第3構件49B之情形相較，不易產生隨著液浸空間LS內之液體LQ隨著第2構件42B之移動而發生壓力變動。從而，非常佳的抑制了終端光學元件31從液浸空間LS內之液體LQ承受之壓力變動。其結果，可非常佳的抑制終端光學元件31之變動。
又，圖24所示液浸構件4B之構成僅為一例。例如，液浸構件只要是至少具備被固定之第1構件、與具有開口且能移動之第2構件即可。於此種液浸構件中，只要是在開口配置第3構件的話，即能相應的享受上述各種效果。
第2構件42B亦可不具備開口425B。此場合，第2構件42B之一部分可以是曝光用光EL可通過之構件(亦即，如上述第3構件49B般之構件)。例如，第2構件42B中相當於開口425B之部分(亦即，應可使曝光用光EL通過之部分)、可以是曝光用光EL可通過之構件。第2構件42B之整體可以是曝光用光EL可通過之構件。曝光用光EL可通過之構件，可具有與上述第3構件49B相同之特徵。在此種情形下，與第2構件42B具備未配置第3構件49B之開口425B的情形相較，可非常佳的抑制終端光學元件31之變動。
用以使第2構件42B移動之構成要素(例如，驅動裝置451、支承構件452及支承構件453)之至少一部分，可透過沿Z方向貫通第1構件41B之貫通孔連結於第2構件42B。例如，一端連結於第2構件42B之支承構件452之至少一部分，可透過沿Z方向貫通第1構件41B之貫通孔連結於第2構件42B。
第2構件42B可不具備流體回收口441。此場合，形成在第1構件41B之流體回收口442，可配置在第2構件42B之外側端部外，並從空間SP1及空間PS3之雙方回收液體LQ。
第1構件41B，可在流體回收口442之外或取代此流體回收口442，將氣體供應至空間SP3之供氣口。供氣口可以是供應用以形成防止 液體LQ飛出至較當該供氣口外側之氣簾(air curtain)的氣體。亦可取代第1構件41B，而由第2構件42B具備此種供氣口。
第2構件42B，可在流體回收口441之外或取代此流體回收口441，具備將氣體供應至空間SP1之供氣口。供氣口可以是供應用以形成防止液體LQ飛出至較當該供氣口外側之氣簾的氣體。
上面4231B之至少一部分，可相對XY平面傾斜。上面4231B之至少一部分可以是曲面。上面4231B之至少一部分，可對液體LQ具有親液性。
內側面4232B之至少一部分，可相對光軸AX傾斜。內側面4232B之至少一部分可以是曲面。上面4231B之至少一部分，可對液體LQ具有親液性。
開口425B之直徑可大於開口415之直徑。此場合，內側面4232B之上側端部及下側端部之雙方或其中一方，係配置在較內側面4121B之下側端部外側處。開口425B之直徑可較開口415之直徑小。此場合，內側面4232B之上側端部及下側端部之雙方或其中一方，係配置在內側面4121B之下側端部內側處。開口425B之直徑可與開口415之直徑相同。此場合，內側面4232B之上側端部及下側端部之雙方或其中一方，係沿著與光軸AX平行之方向，配置在與內側面4121B之下側端部相同位置。
第3構件49B之至少一部分，可以是配置在開口425B之外部。第3構件49B，可以不是與第2構件42B一體化。
第3構件49B之形狀，可以是與平板狀或片狀相異之形狀。第3構件49B在XY平面上之形狀，可以與開口425B在XY平面上之形狀 不同。第3構件49B在XY平面上之外緣之至少一部分，可以與開口425B在XY平面上之外緣之至少一部分不一致。第3構件49B之至少一部分之厚度，可以較第2構件42B之厚度小。第3構件49B之至少一部分之厚度，可以較第2構件42B之厚度大。
上面491B之至少一部分可相對XY平面傾斜。上面491B之至少一部分可以是曲面。上面491B從基板51起算之高度，可以較上面4231B從基板51起算之高度大。上面491B從基板51起算之高度，可以較上面4231B從基板51起算之高度小。
下面492B之至少一部分可相對XY平面傾斜。下面492B之至少一部分可以是曲面。下面492B從基板51起算之高度，可以較下面4211B從基板51起算之高度大。下面492B從基板51起算之高度，可以較下面4211B從基板51起算之高度小。
外側面493B之Z方向長度，可以較內側面4232B之Z方向長度小。外側面493B之Z方向長度，可以較內側面4232B之Z方向長度大。外側面493B之至少一部分，可以不與內側面4232B接觸或緊貼。
一或複數個連結孔476B中之至少一部分，可以較流體回收口441及流體回收口442之雙方或其中一方配置在外側。一或複數個連結孔476B中之至少一部分，可以沿與光軸AX平行之方向，與流體回收口441及流體回收口442之雙方或其中一方配置在同一位置。
又，於上述第1實施形態至第2實施形態中，控制器91可包含含CPU等之電腦系統。控制器91，可包含進行在電腦系統與外部裝置之間之通訊的介面。於控制器91可連接可輸入輸入訊號之輸入裝置。輸入 裝置，可包含例如鍵盤、滑鼠及觸控面板等中之至少一種的輸入機器等。輸入裝置，可包含例如可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。於控制器91可連接液晶顯示器等之顯示裝置。
記憶體92，可包含例如含RAM(Random Access Memory)、硬碟及CD-ROM等中之至少一種的儲存媒體。於記憶體92，可儲存有用以控制電腦系統之OS(操作系統)。於記憶體92，可儲存有用以控制曝光裝置EX1(EX2，以下同)之程式。於記憶體92，以使用透過充滿於光路AT之液體LQ被投影之曝光用光EL使基板51曝光之方式控制曝光裝置EX1之程式。
儲存於記憶體92之程式，可由控制器91加以讀取且實行。其結果，液浸構件4A(4B)、基板載台5及測量載台6等曝光裝置EX1所具備之各種構成要素及協同動作，在形成有液浸空間LS之狀態下進行使基板51曝光之曝光處理等的各種處理。
上述說明中，係例示了終端光學元件31之射出面32側(亦即，像面側)之光路AT被液體LQ充滿之投影光學系3。然而，亦可使用終端光學元件31之入射側(亦即，物體面側)之光路AT被液體LQ充滿之投影光學系。終端光學元件31之入射側之光路被液體LQ充滿之投影光學系之例，以揭露於例如國際公開第2004/019128號小冊子。
上述說明中，係例示了液體LQ為水(例如，純水)之例。然而，液體LQ亦可以是水以外之液體。液體LQ可以相對曝光用光EL具有穿透性。液體LQ可相對曝光用光EL具有高折射率。液體LQ，亦可以是具有相對形成投影光學系3或基板51表面之感光材(亦即，抗蝕劑)等 安定之特性。作為此種液體LQ之例，例如有氟系液體(例如，氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin oil)等)。液體LQ亦可以是各種流體(例如，超臨界流體)。
上述說明中，係例示了基板51包含半導體元件製造用之半導體晶圓之例。然而，基板51亦可包含顯示器元件用之玻璃基板。基板51亦可包含薄膜磁頭用之陶瓷晶圓。基板51可包含用於曝光裝置之光罩或標線片之原版(例如，合成石英或矽晶圓)。
上述說明中，曝光裝置EX1係例示了藉由使光罩11與基板51移動據以掃描曝光形成在光罩11之元件圖案的步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(所謂的掃描步進機)之例。然而，曝光裝置EX1亦可以是使光罩11與基板51在靜止之狀態下使形成在光罩11之元件圖案一次曝光、並在每次該一次曝光結束時使基板51步進移動之步進重複(srep & repeat)方式之投影曝光裝置(所謂的步進機)。步進重複方式之投影曝光裝置，可以是在使第1光罩11與基板51大致靜止之狀態下將形成於第1光罩11之第1元件圖案之縮小像曝光於基板51後，在使第2光罩11與基板51大致靜止之狀態下將形成於第2光罩11之第2元件圖案之縮小像重疊在第1元件圖案之縮小像後曝光於基板51之曝光裝置(所謂的接合(stitch)方式之曝光裝置)。接合方式之曝光裝置，可以是在基板51上將2個以上之元件圖案部分重疊後加以曝光、並使基板51依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。
曝光裝置EX1亦可以是透過投影光學系3將2個光罩11之元件圖案合成在基板51上，並藉由1次掃描曝光使基板51上之照射區域S 大致同時雙重曝光之曝光裝置。此種曝光裝置之例，已揭露於例如美國專利第6,611,316號。曝光裝置EX1亦可以是近接方式之曝光裝置。曝光裝置EX1也可以是鏡面投影對準曝光器(mirror projection aligner)等。
曝光裝置EX1亦可以是具備複數個基板載台5之雙載台型或多載台之曝光裝置。雙載台型曝光裝置之例，已接露於例如美國專利第6,341,007號、美國專利第6,208,407號及美國專利第6,262,796號。例如圖25所示，曝光裝置EX1具備2個基板載台5A及5B之情形時，與終端光學元件31之射出面32對向配置之物體，可以是一方之基板載台5A、該一方之基板載台5A所保持之基板51A、另一方之基板載台5B及該另一方之基板載台5B所保持之基板51B中之至少一者。
曝光裝置EX1亦可以是具備複數個基板載台5及測量載台6之雙載台型或多載台型之曝光裝置。
曝光裝置EX1亦可以是於基板51曝光半導體元件圖案之半導體元件製造用曝光裝置。曝光裝置EX1亦可以是液晶顯示元件製造用或顯示器製造用曝光裝置。曝光裝置EX1亦可以是用造薄膜磁頭、攝影元件(例如，CCD)、微機器、MEMS、DNA晶片及光罩11(或標線片)中之至少一種的曝光裝置。
上述說明中，係例示了光罩11為在光穿透性之透明板上形成有既定遮光圖案(或移動圖案或減光圖案)之穿透型光罩例。然而，光罩11亦可以是根據待曝光之元件圖案之電子資料形成穿透圖案、反射圖案或發光圖案之可變成形光罩(所謂的電子光罩、主動式光罩或影像產生器)。可變成形光罩之例，已揭露於美國專利第6,778,257號。光罩11，可 取代具備非發光型影像顯示元件之可變成形光罩而具備自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。
上述說明中，係例示了具備投影光學系3之曝光裝置EX1。然而，亦可針對不具備投影光學系3之曝光裝置及曝光方法，適用上述各種實施形態。例如，針對在透鏡等之光學構件與基板之間形成液浸空間、並以透過光學構件投影之曝光用光使基板曝光之曝光裝置及曝光方法，亦可適用上述各種實施形態。
曝光裝置EX1亦可以是藉由於基板51形成干涉條紋以將線與空間(line & space)圖案曝光於基板51之曝光裝置(所謂的微影系統)。此種曝光裝置之例，以揭露於例如國際公開第2001/035168號小冊子。
上述曝光裝置EX1，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，有各次系統個別之組裝製程。在各種次系統組裝至曝光裝置EX1之製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX1整體之各種精度。此外，曝光裝置EX1之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。
半導體元件等之微元件，可經由圖26所示之各步驟加以製造。用以製造微元件之步驟，可包含進行微元件之功能及性能設計的步驟 S201、製造依據功能及性能設計之光罩(標線片)11的步驟S202、製造元件之基材基板51的步驟S203、依據上述實施形態以來自光罩11之元件圖案之曝光用光EL使基板51且使曝光後之基板51顯影的步驟S204、包含元件組裝處理(切割處理、結合處理、封裝處理等之加工處理)的步驟S205及檢查步驟S206。
上述各實施形態之要件可適當的加以組合。上述各實施形態之要件中之一部分可以不使用。此外，在法令許可範圍內，援用與上述各實施形態所引用之曝光裝置等相關之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分。
又，本發明在不違反可從申請專利範圍及說明書整體讀取之發明要旨或思想的範圍內可適當的加以變化，此種變化後之液浸構件、曝光裝置及曝光方法以及元件製造方法亦包含於本發明之技術思想中。
4A‧‧‧液浸構件
31‧‧‧終端光學元件
32‧‧‧射出面
33‧‧‧外面
38‧‧‧裝置框架
41‧‧‧第1構件
42‧‧‧第2構件
51‧‧‧基板
411‧‧‧第1構件之第1部分
412‧‧‧第1構件之第2部分
413‧‧‧第1構件之第3部分
415‧‧‧開口
421‧‧‧第2構件之第1部分
422‧‧‧第2構件之第2部分
425‧‧‧開口
431、432‧‧‧液體供應口
441、442‧‧‧流體回收口
451‧‧‧驅動裝置
452、453‧‧‧支承構件
4111‧‧‧第1部分411之下面
4112‧‧‧第1部分之上面
4113‧‧‧第1部分之外側面
4121‧‧‧第2部分412之內側面
4122‧‧‧第2部分412之外側面
4131‧‧‧第3部分413之上面
4132‧‧‧第3部分413之下面
4211‧‧‧第1部分421之下面
4212‧‧‧第1部分421之內側面
4221‧‧‧第2部分422之下面
4222‧‧‧第2部分422之內側面
4411‧‧‧多孔構件
AT、ATO、ATL‧‧‧光路
AX‧‧‧光軸
EL‧‧‧光用光
LG1、LG2、LG3‧‧‧界面
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
SP1、SP2、SP3‧‧‧空間
SPK‧‧‧光路空間

Claims (46)

  1. 一種液浸構件，係將從光學構件射出之曝光用光通過之液浸空間形成在曝光裝置內，其具備：第1構件，係配置在該光學構件周圍之至少一部分，且具備與可在該光學構件下方移動之物體對向的第1下面；以及第2構件，具備相對該光學構件之光軸位在該第1下面之外側並與該物體對向的第2下面、與相對該光軸位在該第2下面之內側並且至少一部分位在該第1下面之至少一部分之上方的第3下面，且可移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其具備形成在該第2下面之至少一部分的第1液體供應口。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其具備形成在該第2下面之至少一部分的第1液體回收口。
  4. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其具備：形成在該第2下面之至少一部分的第1液體供應口；以及形成在該第2下面之至少一部分且相對該光軸形成在較該1液體供應口外側的第1液體回收口。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液浸構件，其具備形成在該第3下面之至少一部分的第2液體供應口。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之液浸構件，其具備形成在該第3下面之至少一部分的第2液體回收口。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液浸構件，其具備：形成在該第3下面之至少一部分的第2液體供應口；以及 形成在該第3下面之至少一部分且相對該光軸形成在較該2液體供應口內側的第2液體回收口。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之液浸構件，其中，該第1構件之至少一部分與該第3下面之至少一部分透過間隙對向；該第2液體回收口，面向該第1構件之至少一部分與該第3下面間之間隙之至少一部分。
  9. 如申請專利範圍第8項之液浸構件，其中，該第2構件係以該第2液體回收口持續面向該第1構件之至少一部分與該第3下面間之間隙之至少一部分的方式移動。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之液浸構件，其中，該第2構件具備連接該第2下面內側端部之至少一部分與該第3下面外側端部之至少一部分的第1內側面。
  11. 如申請專利範圍第10項之液浸構件，其中，該第1內側面包含相對該光軸朝外側向上方傾斜之面。
  12. 如申請專利範圍第10項之液浸構件，其中，該第1內側面包含相對該光軸朝外側向下方傾斜之面。
  13. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件之至少一部分與該第3下面之至少一部分透過間隙對向；該第1內側面之至少一部分，沿著該第2構件之移動方向，對向於該第1構件之至少一部分與該第3下面間之間隙之至少一部分。
  14. 如申請專利範圍第13項之液浸構件，其中，該第1構件之至少一部分與該第3下面間之間隙在與該光軸平行方向之長度，較該第1內側面在 與該光軸平行之方向之長度長或相同。
  15. 如申請專利範圍第10至14項中任一項之液浸構件，其具備形成在該第1內側面之至少一部分的第3液體供應口。
  16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件具備連接於該第1下面之外側端部至少一部分的第1外側面。
  17. 如申請專利範圍第16項之液浸構件，其中，該第1外側面包含相對該光軸朝外側向下方傾斜的面。
  18. 如申請專利範圍第1至17項中任一項之液浸構件，其中，該第2下面配置在與該第3下面同高處。
  19. 如申請專利範圍第1至17項中任一項之液浸構件，其中，該第2下面配置在較該第3下面下方處。
  20. 如申請專利範圍第1至17項中任一項之液浸構件，其中，該第2下面配置在較該第3下面上方處。
  21. 如申請專利範圍第1至20項中任一項之液浸構件，其中，該第2下面配置在與該第1下面同高處或較該第1下面上方處。
  22. 如申請專利範圍第1至21項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件具備至少一部分與該第3下面之至少一部分透過間隙對向之第1上面。
  23. 如申請專利範圍第22項之液浸構件，其中，該第2下面配置在與該第1上面同高或較該第1上面上方處。
  24. 如申請專利範圍第22或23項之液浸構件，其中，該第1構件具備連接於該第1上面內側端部之至少一部分的第2外側面。
  25. 如申請專利範圍第24項之液浸構件，其中，該第2構件之至少一部 分位在被該第2外側面及該第1上面圍成之空間。
  26. 如申請專利範圍第1至25項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件具備至少一部分與該光學構件之至少一部分對向的第2內側面。
  27. 如申請專利範圍第26項之液浸構件，其具備形成在該第2內側面至少一部分的第4液體供應口。
  28. 如申請專利範圍第26或27項之液浸構件，其具備形成在該第2內側面至少一部分的第3液體回收口。
  29. 如申請專利範圍第1至28項中任一項之液浸構件，其中，該第2構件具備連接於該第3下面之內側端部至少一部分的第3內側面。
  30. 如申請專利範圍第1至29項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件具有曝光用光通過之第1開口。
  31. 如申請專利範圍第1至30項中任一項之液浸構件，其中，該第1下面位在較該物體之上面所對向之該光學構件之端面的下方。
  32. 一種液浸構件，係將從光學構件射出之曝光用光通過之液浸空間形成在曝光裝置內，其具備：第1構件，配置在該光學構件周圍之至少一部分；第2構件，至少一部分位在該第1構件下方，具備該曝光用光能通過之第1開口、且能移動；以及第3構件，配置在該第1開口且該曝光用光通過。
  33. 一種液浸構件，係將從光學構件射出之曝光用光通過之液浸空間形成在曝光裝置內，其具備：第1構件，配置在該光學構件周圍之至少一部分；以及 第2構件，至少一部分位在該第1構件下方、且能移動；位在從該光學構件射出之該曝光用光之光路上之該第2構件之至少一部分，係該曝光用光可通過之第3構件。
  34. 如申請專利範圍第32或33項之液浸構件，其中，該第2構件具備將該第2構件和該第1構件間之空間、與該第2構件和能在該第2構件下方移動之物體間之空間加以連結的連結孔；液體可從該第2構件與該第1構件間之空間流入該第2構件與該物體間之空間。
  35. 如申請專利範圍第32至34項中任一項之液浸構件，其具備形成在該第1構件之至少一部分的第1液體回收口；該連結孔，相對該光學構件之光軸位在較該第1液體回收口內側。
  36. 如申請專利範圍第32至35項中任一項之液浸構件，其具備形成在該第2構件之至少一部分的第2液體回收口；該連結孔，相對該光學構件之光軸位在較該第2液體回收口內側。
  37. 一種曝光裝置，係使用透過液浸空間投影之曝光用光使基板曝光，其特徵在於：使用申請專利範圍第1至36項中任一項之液浸構件形成該液浸空間。
  38. 如申請專利範圍第37項之曝光裝置，其中，係以和該物體之相對速度及相對加速度中之雙方或一方變小之方式，移動該第2構件。
  39. 如申請專利範圍第37或38項之曝光裝置，其中，係以該第2構件與該物體之相對速度變得較該第1構件與該物體之相對速度小之方式，移動該第2構件。
  40. 如申請專利範圍第37至39項中任一項之曝光裝置，其中，係以該第2構件與該物體之相對加速度變得較該第1構件與該物體之相對加速度小的方式，移動該第2構件。
  41. 如申請專利範圍第37至40項中任一項之曝光裝置，其中，係使該第2構件，沿在與該光學構件之光軸垂直之面內中與第1軸平行的第1方向及在與該光學構件之光軸垂直之面內中、且與該第1軸相交之第2軸平行的第2方向之各個移動。
  42. 如申請專利範圍第41項之曝光裝置，其中，該物體包含該基板；該基板在移動於該第1路徑後，移動於第2路徑；該基板於該第1路徑之移動，包含沿該第1方向之移動；該基板於該第2路徑之移動，包含沿該第2方向之移動；該第2構件在該基板移動於該第1路徑之期間之至少一部分中，至少沿該第1方向移動；該第2構件在該基板移動於該第2路徑之期間之至少一部分中，至少沿該第2方向移動。
  43. 如申請專利範圍第37至42項中任一項之曝光裝置，其中，該物體包含該基板；該基板在沿掃描方向移動後，沿步進方向移動；該第2構件在該基板沿該掃描方向移動期間之至少一部分中，至少沿該掃描方向移動；該第2構件在該基板沿該步進方向移動期間之至少一部分中，至少沿該步進方向移動。
  44. 一種曝光方法，係使用透過液浸空間之液體投影之曝光用光使基板曝光，其特徵在於：係使用申請專利範圍第1至36項中任一項之液浸構件形成該液浸空間。
  45. 一種元件製造方法，其具備：使用申請專利範圍第37至43項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。
  46. 一種元件製造方法，其具備：使用申請專利範圍第44項之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。
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