TW201511105A - 基板分離設備 - Google Patents

基板分離設備 Download PDF

Info

Publication number
TW201511105A
TW201511105A TW103116765A TW103116765A TW201511105A TW 201511105 A TW201511105 A TW 201511105A TW 103116765 A TW103116765 A TW 103116765A TW 103116765 A TW103116765 A TW 103116765A TW 201511105 A TW201511105 A TW 201511105A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
path
holding unit
unit
auxiliary
Prior art date
Application number
TW103116765A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI604518B (zh
Inventor
Seung-Jun Lee
Joon-Hyoung Kim
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201511105A publication Critical patent/TW201511105A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI604518B publication Critical patent/TWI604518B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/0046—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by constructional aspects of the apparatus
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0875—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using particle radiation
    • B32B2310/0881—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using particle radiation using ion-radiation, e.g. alpha-rays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • B32B38/1858—Handling of layers or the laminate using vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1132—Using vacuum directly against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y10T156/1184—Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1944—Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
    • Y10T156/1967—Cutting delaminating means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)

Abstract

本發明提供一種基板分離設備。該基板分離設備包含：上傳送部分，係固定上基板以及在由X軸及Y軸彼此相交構成的XY座標系統中的正X軸方向傳送上基板；以及下傳送部分，以一間隙於其間地安裝在上傳送部分下並且固定及傳送下基板，其中下傳送部分包含：其上放置下基板的下保持單元；以及包含第一路徑導引及第二路徑導引以導引該下保持單元的移動的下導引單元，其中第一路徑導引平行於X軸並且第二路徑導引與該第一路徑導引連續，並且接觸在XY座標系統中具有負斜率的直線。

Description

基板分離設備
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2013年5月31日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2013-0062721號之優先權，其揭露之全部內容於此併入作為參考。
本發明係關於一種基板分離設備。
近來，具有可撓性的電子設備的重要性不斷增加。因此，需要在可撓性基板上實施有機發光二極體(OLED)顯示器、電泳顯示器(EPD)、電漿顯示面板(PDP)、薄膜電晶體(TFT)、微處理器、隨機存取記憶體(RAM)等的各種技術。
為製造電子裝置於可撓性基板上，已經提出連接可撓性基板於堅硬材料製成的載體基板上，然後形成電子裝置的方法。在此方法中，分離載體基板及可撓性基板的過程是不可或缺的。
然而，電子裝置在分離載體基板及可撓性基板的過程中可能被損壞或破裂，由於在分離過程中產生的靜電可能無法順利分離載體基板及可撓性基板，且當異物因為靜電而附著在載體基板及可撓性基板時可能發生汙染。
本發明提供了可穩定分離上基板及可撓性下基板之一種基板分離設備及方法。
本發明亦提供了可經由在基板分離過程中控制靜電而減少汙染之一種基板分離設備及方法。
然而，本發明的態樣不限於本說明書所闡述的。上述及其他態樣經由參照以下所給的詳細描述，對於在相關領域中的普通技術人員將變得更加顯而易見。
根據一個態樣，提供了分離彼此接觸的上基板及下基板的設備。該設備包含：固定上基板並且在包含彼此相交的X軸及Y軸之XY座標系統中的正X軸方向中傳送上基板之上傳送部分；以一間隙於其間地安裝於上傳送部分之下並且固定及傳送下基板之下傳送部分，其中該下傳送部分包含：其上放置下基板之下保持單元；以及包含第一路徑導引及第二路徑導引以導引下保持單元的移動之下導引單元，其中第一路徑導引平行於X軸且第二路徑導引與第一路徑導引連續並且沿著在XY座標系統中具有負斜率之線形成。線的斜率的絕對值可為常數。線的斜率的絕對值可隨第一路徑導引的距離增加而增加。
本揭露的優點及特徵以及實現其的方法經由參照下列實施例及附隨圖式的詳細描述，可更容易地理解。然而，本發明可以多種不同形式實施以及不應被解釋為限於本說明書所闡述的實施例。在全文中，相似數字指相似元件。在附圖中，層及區域大小及相對大小為了清楚可被誇大。
將理解的是當元件或層被稱為在另一元件或層“上”時，其可直接在另一元件或層上，或可能存在中間元件或層。
將理解的是，雖然用語第一、第二、第三等在這裡可被使用於描述各種元件，但這些元件不應受這些用語的限制。這些用語僅用於區分一元件與另一元件。因此，下面討論的第一元件可被稱為第二元件，而不脫離本揭露的教示。
在下文中，例示性實施例將參照附隨圖式描述。
第1圖係為根據一個例示性實施例的基板分離設備的示意性剖視圖。
參照第1圖，根據本揭露的基板分離設備被配置以將下基板11及上基板13彼此接觸的堆疊結構10分離成下基板11及上基板13。
堆疊結構10的下基板11可為可撓性的並且只要是可撓性的，其可以為任何形式。例如，下基板11可為薄膜或薄板或可為可撓性印刷電路板(FPCB)。此外，下基板11可包含具有可撓性的電子裝置。電子裝置可為例如選自由有機發光二極體(OLED)顯示器、液晶顯示器(LCD)以及白色有機發光二極體(WOLED)顯示器組成的群組中的一或多個顯示器。下基板11也可包含可撓性絕緣基板(例如，聚醯亞胺基板)以及安裝在可撓性絕緣基板上的電子裝置。然而，這些僅為示例，且所有已開發並商業化或根據未來技術發展而實現的可撓性物體可被用作本發明的下基板11。
上基板13可為可撓性的或剛性的。例如，上基板13可為薄膜或薄板或包含薄膜或薄板的電子裝置。此外，上基板13可為剛性載體基板或顯示器的窗口。若為剛性的，上基板13可為玻璃基板、石英基板、藍寶石基板以及陶瓷基板中的任何一個，但不限於此。
基板分離設備可包含下傳送部分100及上傳送部分300，上傳送部分300以其間具有間隙地被設置於下傳送部分100上，且可進一步包含分離器500。
下傳送部分100被設置以固定及傳送下基板11。下傳送部分100可包含下保持單元110，其支撐放置在其上的堆疊結構10的下基板11底表面；以及下導引單元190，其導引下保持單元110的移動路徑。下傳送部分100可進一步包含下固定單元130，該下固定單元130固定堆疊結構10底表面，更具體地，接觸及固定下基板11底表面。下傳送部分100也可進一步包含下驅動單元(未示出)，其移動下保持單元110以傳送下基板11；以及多個下連接單元150。
如用於本文中，正的方向是指在附圖中所示每個軸的箭頭所指示的方向，負的方向是指在附圖中所示每個軸的箭頭所指示方向的相反方向。此外，符號“⊙”表示圖式向前方向的箭頭點。亦即，符號“⊙”表示箭頭伸出於圖式外。此外，符號“ⓧ”表示圖式向後方向的箭頭點。亦即，符號“ⓧ”表示與符號“⊙”表示的方向相反方向的箭頭點。雖然圖中所示的XY座標系統表示以垂直方式相交之X、Y及Z軸，XY座標系統不必需為垂直相交座標系統，並且XY座標系統可僅具有相交之X、Y及Z軸。
堆疊結構10被放置在下保持單元110上。下保持單元110可在路徑導引的導引下移動。下保持單元110可經由下連接單元150被連接至路徑導引。下保持單元110可包含複數個分離的輔助保持單元，但不限於此。
各個下連接單元150的第一側153可被固定在下保持單元110，且各個下連接單元150的第二側151可接觸路徑導引。例如，下連接單元150的第二側151可形似滾輪且因此滾動接觸路徑導引。然而，本揭露不限於此。
亦即，下連接單元150的形狀及構造可根據路徑導引的形狀及構造而變化。
下固定單元130可被安裝在下保持單元110上以固定下基板11的底表面。為此，下固定單元130可包含例如一或多個真空吸附部分(在第1圖中未示出)。例如，下固定單元130可包含在下保持單元110中形成的複數個真空孔並且真空吸附放置在下保持單元110上的下基板11。亦即，當下基板11被放置在下保持單元110上時，下固定單元130可通過孔吸入空氣，從而在下保持單元110及下基板11之間產生真空。因此，下基板11可固定在下保持單元110上。另外，下固定單元130可包含例如形成於下保持單元110的真空吸盤或橡膠吸盤，且真空吸盤或橡膠吸盤可具有一定程度的彈性。亦即，所有已開發並商業化或根據未來技術發展可實現的吸附工具可被用作本揭露的下固定單元130。
下導引單元190包含導引下保持單元110移動路徑的路徑導引。亦即，下保持單元110經由與路徑導引維持接觸以沿著路徑導引移動，且下基板11經由下固定單元130固定在下保持單元110上。結果，下基板11及下保持單元110一起移動。
路徑導引可包含第一路徑導引191及第二路徑導引193。第一路徑導引191可導引下保持單元110以箭頭C指示的方向移動，亦即，正X軸方向。與第一路徑導引191連續的第二路徑導引193可於在XY座標系統中具有負斜率之箭頭D所指示的方向，亦即，正X軸方向及負Y軸方向的總和所指示的方向，導引由第一路徑導引191所導引的下保持單元110。
更具體地，當堆疊結構10被安裝在下保持單元110上時，下固定單元130可固定下基板11的底表面於下保持單元110上。然後，下驅動單元可移動下保持單元110。因此，下保持單元110可在第一路徑導引191的導引下沿著箭頭C所指示的方向傳送且然後在第二路徑導引193的導引下沿著箭頭D所指示的方向傳送。
第一路徑導引191及第二路徑導引193在型式上沒有限制。例如，各第一路徑導引191及第二路徑導引193可包含導引槽、導引孔及導引軌或它們的組合中的任何一個。然而，本揭露不限於此。亦即，所有已開發並商業化或根據未來技術發展可實現的導引型式可應用在本揭露的第一路徑導引191及第二路徑導引193。
第一路徑導引191及第二路徑導引193的具體形狀將在後面描述。
上傳送部分300被設置為固定及傳送上基板13。上傳送部分300可包含其上放置上基板13的上保持單元310、被設置在上保持單元310下部以固定上基板13的頂表面的上固定單元330，以及移動上保持單元310以傳送上基板13的上驅動單元(未示出)。
上保持單元310可形成用於傳送上基板13之部分的外部。上保持單元310的大小及形狀可基於上基板13的大小及形狀而設計。
上固定單元330可設置在上保持單元310的下部以固定上基板13且可包含例如真空吸附部分。
當堆疊結構10被放置在下傳送部分100上時，上驅動單元可在箭頭A所指示的方向移動上保持單元310，亦即，負Y軸方向。因此，上固定單元330可固定上基板13的頂表面。然後，上驅動單元可藉由在箭頭B所指示的方向移動上保持單元310而傳送上基板13，亦即，正X軸方向。為在箭頭A所指示的方向導引上保持單元310的移動，可進一步安裝上導引單元390。
在第一區域PA1中，上基板13及下基板11可以相同速度移動。在這裡，用語“速度”表示包含方向分量及大小分量的向量值。亦即，上基板13在第一區域PA1中移動的距離及方向可與下基板11在第一區域PA1中移動的距離及方向相同。也就是說，在第一區域PA1中，堆疊結構10可在上基板13及下基板11彼此接觸之狀態下，沿著正X軸方向被傳送，且其中上基板13頂表面被上固定單元330固定以及下基板11底表面被下固定單元130固定。亦即，第一區域PA1可被定義為在物理上未彼此分離之上基板13及下基板11同時在相同方向傳送的區域。另外，第一區域PA1可被定義為對應至第一路徑導引191位置的區域。
在第二區域PA2中，上基板13及下基板11可以不同速度移動。更具體地，上基板13移動速度的Y軸方向分量可不同於下基板11移動速度的Y軸方向分量。例如，上基板13在第二區域PA2中移動速度的Y軸方向分量可基本上為零，並且下基板11在第二區域PA2中移動速度的Y軸方向分量可具有負值。因此，上基板13及下基板11在第二區域PA2中可逐漸彼此分離。上基板13在第二區域PA2中移動速度的X軸方向分量可與下基板11在第二區域PA2中移動速度的X軸方向分量相同或不同。
亦即，第二區域PA2可被定義為隨著上基板13及下基板11相對於Y軸方向相對於彼此移動，上基板13及下基板11彼此分離的區域。另外，第二區域PA2可被定義為對應至第二路徑導引193位置的區域。因為進入第二區域PA2之下基板11及上基板13逐漸從它們之間的邊界分離，它們可被穩定地分離，同時減少施加於下基板11或上基板13的壓力，而且可調整分離速度。此外，能夠防止在基板分離過程中接觸下基板11的頂表面，從而防止下基板11的頂表面在分離過程中被汙染。
為了便於分離下基板11及上基板13，基板分離設備可進一步包含分離器500。
分離器500可包含例如具有鋒利邊緣刀具片的刀具510。刀具510可沿著與X軸及Y軸相交的Z軸方向，部分分離彼此接觸的下基板11及上基板13。亦即，分離器500可初步分離下基板11及上基板13。使用刀具510分離下基板11及上基板13的過程可在堆疊結構10進入第二區域PA2前施行，亦即，當具有下基板11放置於其上的下保持單元110被第一路徑導引191導引的同時。
也就是說，彼此接觸的下基板11及上基板13可經由分離器500的刀具510沿著Z軸方向部分分離，並且在被刀具510部分分離後，堆疊結構10可被傳送至第二區域PA2。因此，下基板11及上基板13在第二區域PA2中可更容易地分離。
為了便於使用刀具510部分分離下基板11及上基板13的過程，堆疊結構10可在進入第二區域PA2前停止。然後，使用刀具510部分分離下基板11及上基板13的過程可在堆疊結構10靜止的同時施行。
第2圖及第3圖係為描繪在第1圖所示的下傳送部分100的一個實施例的示意性結構的剖視圖。
參照第2圖及第3圖，下保持單元110(參見第1圖)可由彼此分離的複數個輔助保持單元110a至110c組成而且複數個彼此分離的下固定單元130a至130c可被安裝於輔助保持單元110a至110c之上。下固定單元130a至130c可以真空孔、真空吸盤或橡膠吸盤的形式形成，但不限於此。
輔助保持單元110a至110c可分別經由下連接單元150連接至第一路徑導引191及第二路徑導引193。
因此，當輔助保持單元110a至110c被基本上平行於X軸之第一路徑導引191導引時，如在第2圖所示，輔助保持單元110a至110c的頂表面之間不會形成階梯，而是在同一平面上對齊且形成一平坦表面。
如在第3圖所示，當輔助保持單元110a至110c被第二路徑導引193導引時，因為第二路徑導引193導引形成的路徑方向在XY座標系統中具有負斜率，所以輔助保持單元110a至110c的頂表面可位於不同平面上。亦即，因為下保持單元110(參見第1圖)包含彼此分離的輔助保持單元110a至110c並且輔助保持單元110a至110c在第二路徑導引193的導引下移動，由於第二路徑導引193的導引，在輔助保持單元110a至110c的頂表面之間可能會形成階梯。因此，當下保持單元110(參見第1圖)沿著第二路徑導引193移動時，該階梯(由輔助保持單元110a至110c的頂表面形成)被反映在下基板11(參見第1圖)。結果，下基板11(參見第1圖)及上基板13(參見第1圖)可逐漸彼此分離。輔助保持單元110a至110c可具有相同或不同的寬度。
在一個實施例中，在附圖中所描繪的三個輔助保持單元110a至110c可被定義為第一輔助保持單元110a、第二輔助保持單元110b以及第三輔助保持單元110c。在這種情況下，第一輔助保持單元110a的寬度W1、第二輔助保持單元110b的寬度W2以及第三輔助保持單元110c的寬度W3可為相同或不同。例如，輔助保持單元110a至110c的分別寬度W1至W3可具有各種關係，如W1 = W2 = W3、W1 = W2 ＞ W3、W1 ＞ W2 ＞ W3以及W1 ＞ W2 = W3。亦即，輔助保持單元110a至110c的寬度W1至W3之間的關係沒有限制。
在第3圖中，下保持單元110(參見第1圖)包含三個分離的輔助保持單元110a至110c。然而，這僅為一個示例。亦即，構成下保持單元110(參見第1圖)的輔助保持單元的數量沒有限制。為了簡單描述，將下保持單元110(參見第1圖)包含三個分離的輔助保持單元110a至110c的情況作為一個示例來描述。
第4圖及第5圖係為描繪在第1圖所示的下傳送部分100的另一個實施例的示意性結構的剖視圖。
參見第4圖及第5圖，下保持單元110(參見第1圖)可由彼此分離的複數個輔助保持單元110a至110c組成，並且形成為單件的下固定單元130可安裝於輔助保持單元110a至110c之上。下輔助保持單元110a至110c可分別經由下連接單元150被連接至下導引單元190(參見第1圖)。亦即，根據本實施例的下傳送部分與第2圖及第3圖的下傳送部分之部分不同處為被安裝在輔助保持單元110a至110c上之下固定單元130形成為單件。下固定單元130可為真空吸盤或橡膠吸盤且可具有彈性。
因此，當輔助保持單元110a至110c被基本上平行於X軸之第一路徑導引191導引時，如在第4圖所示，輔助保持單元110a至110c的頂表面可不形成階梯於其間，而是形成平坦表面。
此外，當輔助保持單元110a至110c被第二路徑導引193導引時，如在第5圖所示，輔助保持單元110a至110c的頂表面之間可形成階梯。如在第5圖所示，藉由階梯暴露的輔助保持單元110a至110c(例如輔助保持單元110a及110b)的一些側表面可以彈性下固定單元130覆蓋。
因此，當下保持單元110沿著第二路徑導引193移動時，該階梯(由輔助保持單元110a至110c的頂表面形成)反映在下基板11(參見第1圖)。結果，下基板11(參見第1圖)及上基板13(參見第1圖)可逐漸彼此分離。此外，彈性下固定單元130可減少在下基板11中形成陡峭的階梯(參見第1圖)。
第6圖係為描繪在第1圖所示的第一路徑導引191及第二路徑導引193的一個實施例的剖視圖。更具體地，第6圖為描繪與以上參照第1圖所述之下連接單元150第二側151接觸的第一路徑導引191及第二路徑導引193之部分的示意性剖視圖。
參照第6圖，根據本實施例的第一路徑導引191可平行於X軸。例如，接觸下連接單元150第二側151的第一路徑導引191的表面(在下文中，被稱為‘第一路徑導引表面’191a)可平行於X軸。第一路徑導引191所導引的下保持單元110(參見第1圖)以及經由下固定單元130被固定在下保持單元110的下基板11(參見第1圖)可在正X軸方向傳送。第二路徑導引193與第一路徑導引191連續，且第二路徑導引193所導引的下保持單元110(參見第1圖)在負Y軸方向以及正X軸方向移動。亦即，第二路徑導引193所導引的下保持單元110(參見第1圖)於在XY座標系統中具有負斜率的方向傳送。
接觸下連接單元150第二側151的第二路徑導引193的表面(在下文中，被稱為‘第二路徑導引表面’193a)可沿著具有負斜率的直線L1形成。直線L1的斜率可為常數。例如，假設接觸下連接單元150(參見第1圖)第二側151的第一路徑導引191及第二路徑導引193之間的邊界部分，亦即，第一路徑導引表面191a以及第二路徑導引表面193a的交點為XY座標系統的原點P，原點P可具有(0, 0)的座標值。此外，在第二路徑導引表面193a上的第一位置P1 、第二位置P2 以及第三位置P3 可分別具有(x1 , -y1 )、(x2 , -y2 )及(x3 , -y3 )的座標值，xn及yn具有正的實數值且n為正整數。在這裡，接觸第一位置P1 的直線斜率、接觸第二位置P2 的直線斜率以及接觸第三位置P3 的直線斜率可為相等。亦即，被投射在XY座標系統上的第一位置P1 、第二位置P2 及第三位置P3 在XY座標系統中可位在相同直線L1上。也就是說，第二路徑導引193或第二路徑導引表面193a形成的導引路徑在XY座標系統中可為直線的形式。
在XY座標系統中由直線L1與正X軸形成的銳角α1可為例如在大於0至45度的範圍中。亦即，第二路徑導引表面193a及第一路徑導引表面191a形成的角度可在大於135至小於180度的範圍中。然而，這僅為一個示例，並且如有需要可以改變第一路徑導引191及第二路徑導引193形成的角度以及第一路徑導引表面191a及第二路徑導引表面193a形成的角度。
第7圖係為描述在第1圖所示的第一路徑導引191及第二路徑導引193的另一個實施例的剖視圖。除了第二路徑導引193的形狀外，在第7圖所示的結構相同於在第6圖所示的結構。
參照第7圖，接觸下連接單元150第二側151(參見第6圖)的第二路徑導引表面193a可沿著接觸具有負斜率的直線L2、L3及L4的曲線形成。直線L2、L3及L4的斜率可隨著與第一路徑導引191(參見第6圖)或第一路徑導引表面191a的距離增加而減少。例如，假設第一路徑導引表面191a及第二路徑導引表面193a的交點為XY座標系統的原點P，原點P可具有(0, 0)的座標值。此外，在第二路徑導引表面193a上的第四位置P4 、第五位置P5 以及第六位置P6 可分別具有(x4 , -y4 )、(x5 , -y5 )及(x6 , -y6 )的座標值。在這裡，接觸第四位置P4 的直線L2的斜率可比接觸第五位置P5 的直線L3斜率平緩，且接觸第五位置P5 的直線L3斜率可比接觸第六位置P6 的直線L4斜率平緩。亦即，正X軸與分別接觸第四位置P4 、第五位置P5 以及第六位置P6 的直線L2、L3及L4形成的銳角α2、α3及α4可隨著與第一路徑導引191的距離增加而增加，並且銳角α2、α3及α4之間的關係可為α2 ＜ α3 ＜ α4。綜上所述，各直線的斜率的絕對值可隨著與第一路徑導引191(參見第6圖)或第一路徑導引表面191a的距離增加而增加。
在本實施例中，第二路徑導引193或第二路徑導引表面193a形成的導引路徑可為曲線的形式，該曲線的曲率中心在XY座標系統中位在圖中的下部(未示出)。
第8圖係為描述在第1圖所示的第一路徑導引191及第二路徑導引193的另一個實施例的剖視圖。
參照第8圖，根據本實施例的第二路徑導引表面193a的第一側193b可與第一路徑導引表面191a連續，並且第二路徑導引表面193a的第二側193c相較於第一路徑導引表面191a可位在較低位置。第一路徑導引表面191a與第二路徑導引表面193a之間的階梯或高度差可從第二路徑導引表面193a的第一側193b往第二側193c逐漸增加。亦即，第二路徑導引表面193a可形成從第一側193b往第二側193c的方向傾斜之表面。因此，第二路徑導引可形成向下傾斜的導引路徑。
在本實施例中，第一路徑導引表面191a與第二路徑導引表面193a之間的高度差可從第二路徑導引表面193a第一側193b往第二側193c以恆定比例增加。例如，假設第一路徑導引表面191a與第二路徑導引表面193a之間的邊界為XY座標系統的原點P，原點P可具有(0, 0)的座標值。此外，在第二路徑導引表面193a上的第七位置P7 、第八位置P8 以及第九位置P9 可分別具有(x7 , -y7 )、(x8 , -y8 )及(x9 , -y9 )的座標。在這裡，y7 /x7 = y8 /x8 = y9 /x9 或(y8 -y7 )/(x8 -x7 ) = (y9 -y8 )/(x9 -x8 )。亦即，第一路徑導引表面191a與第二路徑導引表面193a之間的高度差可隨著與第一路徑導引表面191a的距離增加而以恆定比例增加。因此，第二路徑導引表面193a可形成從第一側193b往第二側193c的方向傾斜之導引路徑。
第9圖係為描繪在第1圖所示的第一路徑導引191及第二路徑導引193的另一個實施例的剖視圖。除了第二路徑導引193外，在第9圖所示的結構相同於在第8圖所示的結構。
參照第9圖，在本實施例中，第一路徑導引表面191a與第二路徑導引表面193a之間的高度差增加率可從第二路徑導引表面193a第一側193b往第二側193c增加。例如，假設第一路徑導引表面191a與第二路徑導引表面193a之間的邊界為XY座標系統的原點P，原點P可具有(0, 0)的座標。此外，在第二路徑導引表面193a上的第十位置P10 、第十一位置P11 以及第十二位置P12 可分別具有(x10 , -y10 )、(x11 , -y11 )及(x12 , -y12 )的座標。在這裡，y10 /x10 ＜ y11 /x11 ＜ y12 /x12 或(y11 -y10 )/(x11 -x10 ) ＜ (y12 -y11 )/(x12 -x11 )。亦即，第一路徑導引表面191a與第二路徑導引表面193a之間的高度差可隨著與第一路徑導引表面191a在正X軸方向的距離增加而增加。此外，高度差的增加率可隨著與第一路徑導引表面191a的距離增加而增加。因此，第二路徑導引193(參見第1圖)形成的導引路徑可為曲線的形式，該曲線的曲率中心在XY座標系統中位在圖中的下部(未示出)。也就是說，第二路徑導引表面193a可為曲面，該曲面的曲率中心在XY座標系統中位在圖中的下部。
第10圖係為在第1圖所示的第一路徑導引191及第二路徑導引193的另一個實施例的剖視圖。
參照第10圖，上保持單元310可與上基板13(參見第1圖)同時沿著直線S1移動。
下基板11(參見第1圖)可以其固定在下保持單元110上的狀態下傳送。下保持單元110(參見第1圖)可經由下連接單元150被連接至第一路徑導引191及第二路徑導引193，並且被第一路徑導引191及第二路徑導引193導引。
第一路徑導引191所導引的下保持單元110可與上基板13(參見第1圖)平行傳送，且直線S1與接觸下連接單元150(參見第1圖)第二側151(參見第1圖)之第一路徑導引191(參見第1圖)的部分(即第一路徑導引表面191a)的垂直距離D0 可為常數。
第二路徑導引193(參見第1圖)從第一路徑導引191(參見第1圖)向下傾斜。直線S1與接觸下連接單元150第二側151第二路徑導引193(參見第1圖)的部分(即第二路徑導引表面193a)的垂直距離可逐漸增加。例如，若上保持單元310從第一導引路徑191及第二導引路徑193之間的邊界移動r、2r及3r時，直線S1與第二路徑導引表面193a的垂直距離可為D1 、D2 及D3 。在這種情況下，D0 ＜ D1 ＜ D2 ＜ D3 。
在這裡，D1 -D0 = D2 -D1 = D3 -D2 。在這種情況下，第二路徑導引193(參見第1圖)或第二路徑導引表面193a可形成形似向下傾斜的直線的導引路徑。此外，D1 -D0 ＜ D2 -D1 ＜ D3 -D2 。在這種情況下，第二路徑導引193(參見第1圖)或第二路徑導引表面193a可形成形似向下傾斜的曲線的導引路徑，如在第10圖所示。
亦即，只要上述垂直距離之間的關係滿足D0 ＜ D1 ＜ D2 ＜ D3 ，第二路徑導引193(參見第1圖)或第二路徑導引表面193a在形狀上沒有限制。
第11圖係為描繪在第1圖所示的上傳送部分300的示意性結構的透視圖。
參照第11圖，根據本揭露的上傳送部分300可包含上保持單元310、上固定單元(未示出)以及上驅動單元(未示出)，並且可進一步包含第一上支撐350、第二上支撐370、第三上支撐380以及上導引390a及390b。
第一上支撐350被連接至上保持單元310頂表面以支撐上保持單元310。第一上支撐350經由上驅動單元(未示出)在Y軸方向移動，進而升高或降低上保持單元310。第一上支撐350在Y軸方向的移動可由第二上支撐370導引。
第二上支撐370可被連接至第三上支撐380。第二上支撐370可經由上驅動單元(未示出)在Z軸方向移動，進而移動上保持單元310。在這裡，第二上支撐370的移動可由第三上支撐380導引。
第三上支撐380可經由上驅動單元(未示出)在X軸方向移動，進而移動上保持單元310。在這裡，第三上支撐380的移動可由上導引390a及390b導引。如在附圖中所示，上導引390a及390b可接觸第三上支撐380的兩端。
上述第一上支撐350、第二上支撐370以及第三上支撐380之間的聯結關係僅為示例，且本揭露不限於此。亦即，第一上支撐350、第二上支撐370及第三上支撐380之間的聯結關係沒有限制，並且它們之間的聯結關可適當地改變。此外，第一上支撐350、第二上支撐370及第三上支撐380中的任何一個可被省略或可與另一個一體成形。
第12圖及第13圖係為描繪在第1圖所示的上固定單元330的一個實施例的示意性結構的剖視圖及下視圖。
參照第12圖及第13圖，如同以上參照第1圖所述，上固定單元330可被設置在上保持單元310的底表面上。上固定單元330可包含例如真空吸附部分，以經由吸附固定上基板13頂表面在上保持單元310。
更具體地，上固定單元330可包含沿著上保持單元310的底表面之邊緣部分提供的複數個第一真空吸附部分331以及形成於未形成第一真空吸附部分331的上保持單元310底表面部分的複數個第二真空吸附部分333。
用以真空吸附上基板13頂表面側的第一真空吸附部分331被配置為具有強大的吸力。如同第12圖及第13圖所示，第一真空吸附部分331可在上保持單元310底表面之邊緣排列成線。雖然在附圖中第一真空吸附部分331僅形成於上保持單元310底表面的一邊緣，這僅為一個示例，而且第一真空吸附部分331可另外形成於另一邊緣。第一真空吸附部分331的形成沒有限制。例如，第一真空吸附部分331可以真空孔的形式形成。為具有較強大的吸力，第一真空吸附部分331可如同在第12圖及第13圖所示，以吸盤的形式形成。
如在第13圖所示，第二真空吸附部分333可位在形成第一真空吸附部分331的部分以外之上保持單元310的底表面之部分。除了頂表面的邊緣，第二真空吸附部分333可真空吸附上基板13的頂表面。第二真空吸附部分333不需具有如第一真空吸附部分331般強大的吸力。因此，第二真空吸附部分333可以真空孔的形式形成，但不限於此。
雖然在附圖中未示出，上固定單元330可進一步包含輔助上驅動單元。輔助上驅動單元可在如第12圖中經由第一真空吸附部分331旁邊的箭頭所示之Y軸方向移動第一真空吸附部分331，並且可為圓柱體的形式，但不限於此。第一真空吸附部分331獨立於上保持單元310，如在第12圖中向上及向下箭頭所指示地移動。
第14圖及第15圖係為描繪在第1圖所示的分離器500的一個實施例的示意性結構的剖視圖及透視圖。
參照第14圖及第15圖，根據本實施例的分離器500可包含具有鋒利邊緣刀具片的刀具510、移動刀具510的刀具驅動單元(未示出)，以及可進一步包含第一刀具支撐530、第二刀具支撐540、第三刀具支撐550以及第四刀具支撐560中的至少其一。
第一刀具支撐530可經由固定刀具510於其側邊以支撐刀具510。第一刀具支撐530可經由刀具驅動單元(未示出)在X軸方向移動，進而移動刀具510。第一刀具支撐530在X軸方向的移動可由第二刀具支撐540導引，但不限於此。
第二刀具支撐540可被連接至第三刀具支撐550。第二刀具支撐540可經由刀具驅動單元(未示出)在Y軸方向移動，進而在Y軸方向移動刀具510。第二刀具支撐540可經由第三刀具支撐550導引，但不限於此。
第三刀具支撐550可經由刀具驅動單元(未示出)在Z軸方向移動，進而移動刀具510。在這裡，第三刀具支撐550的移動可經由支撐第三刀具支撐550之第四刀具支撐560導引。
然而，在上述第一至第四刀具支撐530至560之間的聯結關係僅為示例，且本揭露不限於此。亦即，在第一至第四刀具支撐530至560之間的聯結關係上沒有限制，並且它們之間的聯結關係如果需要可以改變。此外，第一至第四刀具支撐530至560中的任何一個可被省略。
第16圖係為描述在第1圖所示的分離器500及上傳送部分300的另一個實施例的示意性結構的透視圖。在第16圖所示的分離器500的結構基本上相同於在第15圖所示的結構。
參照第16圖，根據本實施例的分離器500可與上傳送部分300一體成形。例如，分離器500的第四刀具支撐560可被連接至上傳送部分300的上保持單元310。因此，分離器500可根據上保持單元310在藉由上固定單元300所固定的上基板13(參見第1圖)的傳送過程中的移動而移動。
第17圖係為描述根據一個實施例的分離器500的操作的透視圖。
參照第17圖，分離器500的刀具510可在負X軸方向移動以被插入下基板11及上基板13之間。然後，刀具510可沿著Z軸方向移動，進而部分分離彼此接觸的下基板11及上基板13。刀具510在Z軸方向的移動路徑沒有限制。在一個實施例中，經由在負X軸方向的移動而被插入下基板11及上基板13之間的刀具510可經由沿著正Z軸方向移動而部分分離上基板13及下基板11然後經由沿著負Z軸方向移動部分而再次分離上基板13及下基板11。另外，刀具510可經由在負Z軸方向移動然後在正Z軸方向移動而部分分離上基板13及下基板11。上基板13及下基板11。這發生在基板分離設備的第一區域PA1(第1圖)。
第18圖係為描繪根據一個實施例的上固定單元330及分離器500的操作的示意性剖視圖。
參照第18圖，如同以上參照第12圖及第13圖所述，作為上固定單元330之第一真空吸附部分331以及第二真空吸附部分333可被設置在上保持單元310下部分下或在下部分中。在上基板13的頂表面係經由第一真空吸附部分331及第二真空吸附部分333固定且其中下基板11的底表面係經由下保持單元110的下固定單元130固定的狀態中，第一真空吸附部分331可經由輔助上驅動單元在正Y軸方向移動。因此，上基板13的邊緣部分可在向上方向被升高，亦即，在正Y軸方向，並且在負X軸方向中，間隙19可形成於上基板13及下基板11的表面之間。在這種狀態下，刀具510可經由在負X軸方向移動而插入間隙19並且可經由在Z軸方向移動而部分分離彼此接觸的上基板13及下基板11。亦即，根據本實施例，因為間隙19利用第一真空吸附部分331形成於下基板11及上基板13之間，刀具510可更容易被插入兩基板11及13之間。
第19圖係為描述根據另一個實施例的上固定單元330及分離器500的操作的示意性剖視圖。
根據本實施例，真空吸附上基板13的頂表面邊緣的第一真空吸附部分331可在Y軸方向移動以在負Z軸方向形成間隙19於上基板13及下基板11的表面之間。刀具510可在負Z軸方向從上基板13及下基板11的側表面移動以插入間隙19並且可陸續在負Z軸方向移動以切割連接上基板13及下基板11的連接件(未示出)。亦即，根據本實施例，刀具510一開始被插入上基板13及下基板11之間的方向不同於如同上述參照第17圖及第18圖的方向。亦即，本實施例與第17圖及第18圖的實施例不同之處在於，刀具510一開始被插入上基板13及下基板11之間的方向與刀具510部分分離上基板13及下基板11的方向相同。也就是說，在第17圖及第18圖中，刀具510被插在上基板13及下基板11的前面(面對下保持單元110移動方向的前面)，並且在第18圖中，刀具510被插入上基板13及下基板11的側面。根據本實施例，刀具510可更容易地插入兩基板11及13之間。此外，其可能陸續施行插入刀具510於上基板13及下基板11之間的操作及使用刀具510分離上基板13及下基板11的操作。
第20圖係為描繪根據本揭露的根據在基板分離設備的一個實施例的輔助分離器700a及700b以及離子產生器810a、810b、830a及830b的佈置的示意性透視圖。
參照第20圖，在堆疊結構10(參見第1圖)被傳送的過程期間或同時，靜電可累積在用於基板分離之放置在下保持單元130(參見第1圖)上的堆疊結構10上。累積在堆疊結構10上的靜電可能會汙染堆疊結構10暴露的表面，因為該帶電的表面吸引堆疊結構10周圍的細顆粒。因此，根據本實施例的基板分離設備可進一步包含離子產生器810a及810b以移除下基板11(參見第1圖)及上基板13(參見第1圖)的至少一個之上所帶的靜電電荷。
離子產生器810a及810b可為光游離劑。光游離劑至多僅減少外部條件如抗靜電距離(用以移除靜電)及風向之影響，並且利用空氣游離。因此，光游離劑不會產生灰塵、電磁波及臭氧。此外，由於其高離子產生密度，光游離劑在移除靜電上為高效的。當離子產生器810a及810b照射X射線至被放置在下保持單元110(參見第1圖)上的堆疊結構10(參見第1圖)時，X射線可撞擊存在於空氣中的氣體或原子以產生正/負離子。正/負離子可中和堆疊結構10上所帶的靜電電荷，從而移除靜電。
在第20圖中，離子產生器810a及810b分別被設置在對應第一路徑導引191-1及191-2的下導引單元190-1及190-2的側邊位置。然而，這僅為一個示例。亦即，離子產生器810a及810b亦可被放置在下導引單元190-1及190-2之間的空間上方使它們可同時提供離子至堆疊結構10(參見第1圖)的所有區域。亦即，離子產生器810a及810b的數量及位置沒有限制。
離子產生器830a及830b亦可被設置在對應第一路徑導引191-1及191-2以及第二路徑導引193-1及193-2之間的邊界的下導引單元190-1及190-2的側邊位置。如同上述，若靜電累積，帶電表面會吸引細顆粒。因此，表面可能被污染。因此，若在將堆疊結構10(參見第1圖)分離成下基板11及上基板13的過程中於下基板11(參見第1圖)或上基板(參見第1圖)上產生靜電，下基板11的頂表面或上基板13的底表面可能會被靜電汙染。
為了解決這個問，在根據本實施例的基板分離設備中，離子產生器830a及830b被設置在對應第一路徑導引191-1及191-2以及第二路徑導引193-1及193-2之間的邊界的下導引單元190-1及190-2的側邊位置，該下導引單元190-1及190-2對應至第一路徑導引191-1及191-2以及第二路徑導引193-1及193-2之間的邊界。因此，其可能移除在基板分離過程中產生的靜電，進而防止在基板分離過程中可能的汙染。離子產生器830a及830b可為光游離劑，而且離子產生器830a及830b在數量上沒有限制。此外，離子產生器830a及830b的位置沒有限制。
根據本實施例的基板分離設備可進一步包含輔助分離器700a及700b以進一步部分分離上基板13(參見第1圖)及下基板11(參見第1圖)。輔助分離器700a及700b可沿著經由吸力固定及傳送分離上基板13(參見第1圖)及下基板11(參見第1圖)的位置側邊設置，亦即，第一路徑導引191-1及191-2以及第二路徑導引193-1及193-2之間的邊界側邊位置。輔助分離器700a及700b可分別包含沿著Z軸方向突出的輔助刀具710a及710b以及固定及支撐輔助刀具710a及710b之輔助刀具支撐730a及730b。
在一個實施例中，沿著Z軸方向突出的輔助刀具710a及710b可被放置於在正X軸方向移動之上基板13(參見第1圖)及下基板11(參見第1圖)彼此分離的位置。在這種情況下，當上基板13及下基板11移動時，輔助刀具710a及710b可被插入兩基板11及13(參見第1圖)之間。在這裡，當上基板13(參見第1圖)及下基板11(參見第1圖)在正X軸方向移動時，它們可經由輔助刀具710a及710b在X軸的負方向分離。亦即，輔助刀具710a及710b可被固定在特定位置，並且當上基板13(參見第1圖)及下基板11(參見第1圖)移動時，上基板13(參見第1圖)及下基板11(參見第1圖)可經由輔助刀具710a及710b在負X軸方向被分離。然而，這僅為一個示例，且輔助分離器700a及700b可分別進一步包含驅動單元以移動輔助刀具710a及710b。
對於輔助分離器700a及700b以及離子產生器830a及830b之間的位置關係，離子產生器830a及830b基於X軸被放置在輔助分離器700a及700b的前方。然而，這僅為一個示例。亦即，輔助分離器700a及700b亦可基於X軸被放置在離子產生器830a及830b的前方。
第21圖至第23圖係為分別描繪根據一個實施例的基板分離方法的步驟及基板分離設備的操作的剖視圖。下傳送部分100被建構如在第2圖及第3圖中所示的情況將在下面描述。然而，這僅為用以簡易描述的一個示例。
參照第21圖，上基板13的頂表面以及下基板11的底表面可被固定。更具體地，堆疊結構10被放置在下傳送部分100的下保持單元110上，亦即，彼此獨立之複數個輔助保持單元110a至110c，而且下基板11的底表面利用下固定單元130固定。然後，上傳送部分300的上保持單元310被放置在堆疊結構10的上方且然後在箭頭A所指示的方向移動，即負Y軸方向，且上基板13的頂表面利用上固定單元固定。
另外，雖然在附圖中未示出，上基板13的頂表面可先被固定。例如，在堆疊結構10經由上固定單元固定的狀態中，上保持單元310可移動至下傳送部分100上方。然後，上保持單元310可在負Y軸方向中移動，即箭頭A所指示的方向，以放置堆疊結構10在下保持單元110上，並且下固定單元130可固定下基板11的底表面。
具固定頂表面的上基板13以及具固定底表面的下基板11在第一區域PA1中在正X軸方向中一起被傳送。更具體地，上保持單元310可在箭頭B所指示的方向移動，即正X軸方向，進而傳送具由上固定單元固定之頂表面的上基板13。同時，第一路徑導引191所導引的輔助保持單元110a至110c在平行於箭頭B所指示的方向的箭頭C所指示的方向傳送，即正X軸方向。
也就是說，具固定頂表面的上基板13可在第一區域PA1中沿著直線S1移動，其中直線S1可平行於X軸。
此外，具固定底表面的下基板11可與下保持單元110一起被傳送，並且下保持單元110可藉由與直線S1的垂直距離為常數之第一路徑導引191導引。
參照第22圖，上基板13及下基板11在第一區域PA1中或在第一區域PA1及第二區域PA2之間的邊界可部分分離。
具體地，上基板13及下基板11在進入第二區域PA2前停止。亦即，上保持單元310的移動及下保持單元110的移動可停止。然後，分離器的刀具510在負X軸方向中移動以被插入上基板13及下基板11之間並且在Z軸方向中移動以部分分離彼此接觸的上基板13及下基板11。
此外，經由在正Y軸方向移動固定上基板13頂表面的邊緣之上固定單元的第一真空吸附部分331，在上基板13及下基板11之間形成的間隙19的過程可被進一步施行。在這種情況下，如同以上參照第18圖所述，間隙19使其更容易將刀具510插入上基板13及下基板11之間。
雖然在附圖中未示出，如同以上參照第19圖所述，間隙19亦可形成於上基板13及下基板11的側表面之間。在這種情況下，刀具510可在負Z軸方向中移動以插入間隙19。
參照第23圖，當上基板13及下基板11移動進第二區域PA2時，上基板13及下基板11移動被分離。
更具體地，具藉由上固定單元固定之頂表面的上基板13，經由在箭頭B所指示的方向，即正X軸方向，移動上保持單元310而於正X軸方向中被傳送。在同時，下基板11被放置及固定在其上之輔助保持單元110a至110c經由第二路徑導引193導引以在箭頭D所指示的方向移動，即正X軸方向及負Y軸方向總和所指示的方向。
階梯形成於第二路徑導引193所導引的輔助保持單元110a至110c之間，而且下基板11及上基板13可藉由階梯逐漸分離。
亦即，固定上基板13頂表面的力、在正X軸方向中移動上基板13的力、固定下基板11底表面的力以及移動下基板11置於其上之輔助保持單元110a至110c的力，在正X軸方向及負Y軸方向上充當可逐漸分離上基板13及下基板11之外力。
也就是說，具固定頂表面的上基板13可在第二區域PA2內沿著以上直線S1被傳送，並且具固定底表面的下基板11可在與直線S1的垂直距離增加之第二路徑導引19的導引下傳送。因此，上基板13及下基板11可逐漸彼此分離。
如同以上參照第20圖所述，包含輔助刀具710a的輔助分離器可進一步被放置在下導引單元190的上述側邊上以進一步分離上基板13及下基板11。
雖然在附圖中未示出，離子產生器可被放置在上基板13及下基板11的開始分離之第一區域PA1及第二區域PA2之間的邊界側邊上或第一路徑導引191及第二路徑導引193之間。在這種情況下，如同以上參照第20圖所述，離子產生器可提供離子至分離的上基板13及下基板11表面，進而移除靜電。如同以上參照第20圖所述，在上基板13及下基板11的分離之前，亦可初步利用離子產生器提供離子以移除在堆疊結構10上所帶的靜電電荷。
本揭露的實施例可提供下列優點中的至少一項。
其可能經由逐漸增加上基板及下基板之間的間隙以更穩定地分離上基板及下基板。其可能減少在分離過程中基板損壞的機率。
此外，其可能經由在分離過程中控制靜電以減少靜電的作用以及防止因為異物的汙染。
然而，本揭露的作用不限於此處所闡述的那些。上述及其他作用對於該包含附屬申請專利範圍之本揭露所屬之相關領域中的普通技術人員而言將變得更加明顯。
雖然本揭露已參照其例示性實施例具體示出並描述，將被所屬領域的普通技術人員理解的是，在不脫離包含下列申請專利範圍之本揭露的精神及範圍下，在形式及細節上可做各種改變。例示性實施例應被認為僅是描述性意義，而非限制性目的。
10‧‧‧堆疊結構
11‧‧‧下基板
13‧‧‧上基板
19‧‧‧間隙
100‧‧‧下傳送部分
110‧‧‧下保持單元
110a、110b、110c‧‧‧輔助保持單元
130、130a、130b、130c‧‧‧下固定單元
150‧‧‧下連接單元
151‧‧‧下連接單元的第二側
153‧‧‧下連接單元的第一側
190、190-1、190-2‧‧‧下導引單元
191、191-1、191-2‧‧‧第一路徑導引
191a‧‧‧第一路徑導引表面
193、193-1、193-2‧‧‧第二路徑導引
193a‧‧‧第二路徑導引表面
193b‧‧‧第二路徑導引表面第一側
193c‧‧‧第二路徑導引表面第二側
300‧‧‧上傳送部分
310‧‧‧上保持單元
330‧‧‧上固定單元
331‧‧‧第一真空吸附部分
333‧‧‧第二真空吸附部分
350‧‧‧第一上支撐
370‧‧‧第二上支撐
380‧‧‧第三上支撐
390‧‧‧上導引單元
390a、390b‧‧‧上導引
500‧‧‧分離器
510‧‧‧刀具
530‧‧‧第一刀具支撐
540‧‧‧第二刀具支撐
550‧‧‧第三刀具支撐
560‧‧‧第四刀具支撐
700a、700b‧‧‧輔助分離器
710a、710b‧‧‧輔助刀具
730a、730b‧‧‧輔助刀具支撐
810a、810b、830a、830b‧‧‧離子產生器
A、B、C、D‧‧‧箭頭
D0、D1、D2、D3‧‧‧垂直距離
P‧‧‧原點
P1‧‧‧第一位置
P2‧‧‧第二位置
P3‧‧‧第三位置
P4‧‧‧第四位置
P5‧‧‧第五位置
P6‧‧‧第六位置
P7‧‧‧第七位置
P8‧‧‧第八位置
P9‧‧‧第九位置
P10‧‧‧第十位置
P11‧‧‧第十一位置
P12‧‧‧第十二位置
PA1‧‧‧第一區域
PA2‧‧‧第二區域
r‧‧‧移動距離
L1、L2、L3 L4、S1‧‧‧直線
W1、W2、W3‧‧‧寬度
α1、α2、α3、α4‧‧‧銳角
上述及其它態樣及特徵經由參照附圖詳細描述其例示性實施例將變得更加明顯，在附圖中：
第1圖係為根據一個實施例的基板分離設備的示意性剖視圖；
第2圖及第3圖係為描繪在第1圖所示的下傳送部分的一個實施例的示意性結構的剖視圖；
第4圖及第5圖係為描繪在第1圖所示的下傳送部分的另一個實施例的示意性結構的剖視圖；
第6圖係為描繪在第1圖所示的第一路徑導引及第二路徑導引的一個實施例的剖視圖；
第7圖係為描繪在第1圖所示的第一路徑導引及第二路徑導引的另一個實施例的剖視圖；
第8圖係為描繪在第1圖所示的第一路徑導引及第二路徑導引的另一個實施例的剖視圖；
第9圖係為描繪在第1圖所示的第一路徑導引及第二路徑導引的另一個實施例的剖視圖；
第10圖係為描繪在第1圖所示的第一路徑導引及第二路徑導引的另一個實施例的剖視圖；
第11圖係為描繪在第1圖所示的上傳送部分的示意性結構的透視圖；
第12圖及第13圖係為描繪在第1圖所示的上固定單元的一個實施例的示意性結構的剖視圖及下視圖；
第14圖及第15圖係為描繪在第1圖所示的分離器的一個實施例的示意性結構的剖視圖及透視圖；
第16圖係為描繪在第1圖所示的分離器的另一個實施例的示意性結構的透視圖；
第17圖係為描繪根據一個實施例的分離器的操作的透視圖；
第18圖係為描繪根據一個實施例的上固定單元及分離器的操作的示意性剖視圖；
第19圖係為描繪根據另一個實施例的上固定單元及分離器的操作的示意性剖視圖；
第20圖係為描繪根據本揭露的根據在基板分離設備的一個實施例的輔助分離器及離子產生器的佈置的示意性透視圖；以及
第21圖至第23圖係為分別描繪根據一個實施例的基板分離方法的步驟及基板分離設備的操作的剖視圖。
10‧‧‧堆疊結構
11‧‧‧下基板
13‧‧‧上基板
100‧‧‧下傳送部分
110‧‧‧下保持單元
130‧‧‧下固定單元
150‧‧‧下連接單元
151‧‧‧下連接單元的第二側
153‧‧‧下連接單元的第一側
190‧‧‧下導引單元
191‧‧‧第一路徑導引
193‧‧‧第二路徑導引
300‧‧‧上傳送部分
310‧‧‧上保持單元
330‧‧‧上固定單元
390‧‧‧上導引單元
500‧‧‧分離器
510‧‧‧刀具
PA1‧‧‧第一區域
PA2‧‧‧第二區域
A、B、C、D‧‧‧箭頭

Claims (10)

  1. 一種用於分離彼此接觸的一上基板及一下基板的設備，該設備包含： 一上傳送部分，固定該上基板及於包含彼此相交的X軸及Y軸之XY座標系統中的正X軸方向中傳送該上基板；以及 一下傳送部分，以一間隙於其間地被安裝於該上傳送部分下並且固定及傳送該下基板， 其中該下傳送部分包含： 一下保持單元，其上放置該下基板；以及 一下導引單元，包含一第一路徑導引及一第二路徑導引以導引該下保持單元的移動， 其中該第一路徑導引平行於X軸而且該第二路徑導引與該第一路徑導引連續並且沿著在XY座標系統中具有負斜率的一線形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該線的斜率的絕對值為常數。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該線的斜率的絕對值隨著與該第一路徑導引的距離增加而增加。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該下保持單元由彼此分離的複數個輔助保持單元構成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該下傳送部分進一步包括： 一下固定單元，安裝在該下保持單元的上部上或在該下保持單元的上部中以固定該下基板的底表面；以及 一下驅動單元，係移動該下保持單元， 其中該下固定單元包括真空吸附該下基板之底表面的一或多個下真空吸附部分。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之設備，進一步包括： 一分離器，係在與X軸與Y軸相交的Z軸方向中分離該下基板及該上基板， 其中該分離器包括： 一刀具，插入該下基板及該上基板之間以分離該上基板及該下基板； 一刀具支撐，連接至該刀具以固定該刀具；以及 一刀具驅動單元，移動該刀具支撐。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之設備，進一步包括： 一輔助分離器，係在負X軸方向分離該下基板及該上基板， 其中該輔助分離器被放置在該第二路徑導引之側邊上或被放置在該第一路徑導引及該第二路徑導引之間的邊界之側邊上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之設備，其中該輔助分離器包括： 一輔助刀具，插入該下基板及該上基板之間以在負X軸方向中分離該上基板及該下基板；以及 一輔助刀具支撐，連接至該輔助刀具以固定該輔助刀具。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該上傳送部分包括： 一上保持單元；以及 一上固定單元，安裝在該上保持單元的下部下或在該上保持單元的下部中以固定該上基板的頂表面；以及 一上驅動單元，移動該上保持單元， 其中該上固定單元包括真空吸附該上基板之頂表面的一上真空吸附部分。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之設備，進一步包括，提供離子於該下基板或該上基板周圍的區域之一或多個離子產生器。
TW103116765A 2013-05-31 2014-05-12 基板分離設備 TWI604518B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130062721A KR102087124B1 (ko) 2013-05-31 2013-05-31 기판 분리 장치 및 기판 분리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201511105A true TW201511105A (zh) 2015-03-16
TWI604518B TWI604518B (zh) 2017-11-01

Family

ID=51983788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103116765A TWI604518B (zh) 2013-05-31 2014-05-12 基板分離設備

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9259910B2 (zh)
KR (1) KR102087124B1 (zh)
CN (1) CN104210221B (zh)
TW (1) TWI604518B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI663115B (zh) * 2016-12-23 2019-06-21 盟立自動化股份有限公司 用於剝離兩基板的裝置及方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105493631B (zh) * 2013-08-30 2017-11-24 株式会社半导体能源研究所 叠层体的加工装置及加工方法
KR102274315B1 (ko) * 2015-01-13 2021-07-07 주식회사 나인테크 고형 박판 분리 장치
KR102283920B1 (ko) 2015-01-16 2021-07-30 삼성디스플레이 주식회사 필름 박리 장치
CN104932125B (zh) * 2015-06-12 2017-11-14 合肥京东方光电科技有限公司 一种液晶显示器拆解装置
CN112478783B (zh) * 2020-12-09 2022-03-29 河北光兴半导体技术有限公司 基板玻璃分离机及分离方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4798645A (en) * 1984-09-10 1989-01-17 Pak Chong Il Wafer segment separator and method
US5399228A (en) * 1992-02-21 1995-03-21 Best Label Co., Inc. Apparatus and method for automatically applying adhesive-backed labels to moving articles
US5482899A (en) * 1994-03-21 1996-01-09 Texas Instruments Incorporated Leveling block for semiconductor demounter
JPH0837395A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップ供給装置および供給方法
US5911850A (en) * 1997-06-20 1999-06-15 International Business Machines Corporation Separation of diced wafers
US6039833A (en) * 1998-03-04 2000-03-21 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for component pickup
JP2002322436A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Nitto Denko Corp 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4272501B2 (ja) * 2003-12-03 2009-06-03 リンテック株式会社 フィルム供給装置およびフィルム貼着システム
US6932136B1 (en) * 2004-04-08 2005-08-23 National Semiconductor Corporation Post singulation die separation apparatus and method for bulk feeding operation
JP2006264020A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 積層基板の製造方法及び装置
KR20080089730A (ko) 2007-04-02 2008-10-08 삼성전자주식회사 편광판의 제거 장치 및 그 방법
US8029642B2 (en) * 2007-07-27 2011-10-04 The Boeing Company Tape removal apparatus and process
JP4892507B2 (ja) * 2008-02-29 2012-03-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 平面表示体マザー基板の分離装置及び方法
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
CN102044404B (zh) * 2009-10-12 2015-12-09 桑迪士克科技公司 用于使经切分的半导体裸片与裸片贴胶带分离的系统
KR100987836B1 (ko) * 2010-04-08 2010-10-13 에스티에스 주식회사 캐리어 테이프 로딩장치
US8298463B2 (en) * 2010-04-14 2012-10-30 Bridgestone Bandag, Llc Double tread
KR101262464B1 (ko) 2010-11-24 2013-05-08 주식회사 포스코 레이저를 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법
KR20120062193A (ko) 2010-12-06 2012-06-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
US8261804B1 (en) * 2011-10-28 2012-09-11 Meicer Semiconductor Inc. IC layers separator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI663115B (zh) * 2016-12-23 2019-06-21 盟立自動化股份有限公司 用於剝離兩基板的裝置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102087124B1 (ko) 2020-03-11
CN104210221B (zh) 2018-02-16
TWI604518B (zh) 2017-11-01
US9259910B2 (en) 2016-02-16
KR20140141841A (ko) 2014-12-11
CN104210221A (zh) 2014-12-17
US20140352892A1 (en) 2014-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI604518B (zh) 基板分離設備
EP2803484B1 (en) Substrate separation apparatus and method
JP5598912B2 (ja) ワークの外観検査装置およびワークの外観検査方法
JP6009167B2 (ja) ワークの外観検査装置およびワークの外観検査方法
JP2016216351A (ja) 板ガラス作製方法
US9673070B2 (en) Dust collecting mechanism for groove machining head and groove machining apparatus
JP2012033282A (ja) 電極積層装置
TW201832276A (zh) 靜電卡盤台的使用方法
TW201627217A (zh) 片材操作方法
JP2010195592A (ja) 浮上ユニット及び基板検査装置
KR20160007400A (ko) 적층체의 박리 장치 및 박리 방법, 그리고 전자 디바이스의 제조 방법
JP6593142B2 (ja) パーツフィーダ
JP2007281285A (ja) 基板搬送装置
JP2014166928A (ja) ガラスフィルム切断装置及びガラスフィルム切断方法
JP2012148858A (ja) 基板浮上装置
US20130038855A1 (en) Lithography apparatus and manufacturing method of commodities
JP2014165322A (ja) 露光用基板搬送装置
JP7205846B2 (ja) 搬送装置、搬送方法、及び外観検査装置
JP6550932B2 (ja) ブレイク装置、ブレイクシステムおよびブレイクユニット
TW201803714A (zh) 裂斷裝置
KR102147129B1 (ko) 기판 가공 장치
JP4748391B2 (ja) 搬送装置
CN104395624A (zh) 工作台装置及输送装置
KR20100007774A (ko) 비접촉 웨이퍼 이송 장치