CN104210221B - 基底分离装置和方法 - Google Patents

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Abstract

提供基底分离装置和方法。基底分离装置包括：固定上基底并在由彼此相交的X轴和Y轴组成的XY坐标系中的正X轴方向传送上基底的上传送部件；以及被安装在上传送部件的下方且在之间具有间隙并固定和传送下基底的下传送部件，其中下传送部件包括：下基底被放置在其上的下保持单元；以及包括用于引导下保持单元的移动的路径引导件的下引导单元，其中路径引导件包括平行于X轴的第一路径引导件以及和第一路径引导件连续并接触具有在XY坐标系中的负斜率的直线的第二路径引导件。

Description

基底分离装置和方法
相关申请的交叉引用
此申请要求2013年5月31日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2013-0062721号的优先权，其公开通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明涉及基底分离装置和方法。
背景技术
具有柔性的电子设备的重要性近来不断增加。因此，需要用于在柔性基底上实现有机发光显示器(OLED)、电泳显示器(EPD)、等离子体显示面板(PDP)、薄膜晶体管(TFT)、微处理器、随机存取存储器(RAM)等的各种技术。
为了在柔性基底上制造电子设备，已经提出将柔性基底附着到由硬质材料制成的载体基底上且然后形成该电子设备的方法。在该方法中，分离载体基底和柔性基底的过程是至关重要的。
然而，在分离载体基底和柔性基底的过程中，电子设备可能会损坏或破裂，载体基底和柔性基底可能由于在分离过程中产生的静电而无法顺利分离，并且当外来物质由于静电附着到载体基底和柔性基底时，可能会发生污染。
发明内容
提供可以稳定地分离上基底和柔性下基底的基底分离装置和方法。
还提供可以通过控制基底分离过程中的静电而最小化污染的基底分离装置和方法。
然而，本发明的方面并不限于本文所提出的方面。通过参照下面给出的详细描述，上述和其他方面对于相关领域的普通技术人员来说将变得更明显。
根据一个方面，提供用于分离彼此接触的上基底和下基底的装置。该装置包括上传送部件和下传送部件，上传送部件固定上基底并在包括彼此相交的X轴和Y轴的XY坐标系中的正X轴方向传送上基底，所述下传送部件被安装在上传送部件的下方且在之间具有间隙并固定和传送下基底，其中下传送部件包括：下基底被放置在其上的下保持单元以及包括用于引导下保持单元的移动的路径引导件的下引导单元，其中路径引导件包括平行于X轴的第一路径引导件以及和第一路径引导件连续并沿具有在XY坐标系中的负斜率的线形成的第二路径引导件。线的斜率的绝对值可以是恒定的。线的斜率的绝对值可以随着到第一路径引导件的距离增大而增大。
根据另一方面，提供一种用于分离彼此接触的上基底和下基底的装置。该装置包括：固定上基底的顶表面并沿直线传送上基底的上传送部件以及被安装在上传送部件的下方、固定下基底的底表面并传送下基底的下传送部件，其中下传送部件包括：下基底被放置在其上的下保持单元以及包括用于引导下保持单元的移动的路径引导件的下引导单元，其中路径引导件包括第一路径引导件和第二路径引导件，第一路径引导件到直线的垂直距离恒定，第二路径引导件和第一路径引导件连续并且第二路径引导件到直线的垂直距离随着到第一路径引导件的距离增大而增大。
根据另一方面，提供一种分离彼此接触的上基底和下基底的方法。该方法包括：固定下基底的底表面和上基底的顶表面；沿直线传送上基底；以及在传送上基底的同时传送下基底，其中传送下基底包括：沿到直线的垂直距离保持不变的第一路径引导件移动下基底被放置在其上的下保持单元；以及通过沿第二路径引导件移动下保持单元而分离下基底和上基底，第二路径引导件和第一路径引导件连续并且到直线的垂直距离随着到第一路径引导件的距离增大而增大。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施例，上述和其他方面和特征将变得更加明显，附图中：
图1是根据一个实施例的基底分离装置的示意性剖视图；
图2和图3是示出图1所示的下传送部件的一个实施例的示意性结构的剖视图；
图4和图5是示出图1所示的下传送部件的另一实施例的示意性结构的剖视图；
图6是示出图1所示的第一路径引导件和第二路径引导件的一个实施例的剖视图；
图7是示出图1所示的第一路径引导件和第二路径引导件的另一实施例的剖视图；
图8是示出图1所示的第一路径引导件和第二路径引导件的另一实施例的剖视图；
图9是示出图1所示的第一路径引导件和第二路径引导件的另一实施例的剖视图；
图10是图1所示的第一路径引导件和第二路径引导件的另一实施例的剖视图；
图11是示出图1所示的上传送部件的示意性结构的透视图；
图12和图13是示出图1所示的上固定单元的一个实施例的示意性结构的剖视图和仰视图；
图14和图15是示出图1所示的分离器的一个实施例的示意性结构的剖视图和透视图；
图16是示出图1所示的分离器的另一实施例的示意性结构的透视图；
图17是示出根据一个实施例的分离器的操作的透视图；
图18是示出根据一个实施例的上固定单元和分离器的操作的示意性剖视图；
图19是示出根据另一实施例的上固定单元和分离器的操作的示意性剖视图；
图20是示出根据本公开的基底分离装置中的根据一个实施例的辅助分离器和离子发生器的设置的示意性透视图；和
图21至图23是分别示出根据一个实施例的基底分离方法的步骤和基底分离装置的操作的剖视图。
具体实施方式
通过参照示例实施例的下面详细描述和附图，本公开以及实现它们的方法的优点和特征可以更容易理解。然而，本发明可以体现为许多不同的形式，并且不应被解释为限于本文所提出的实施例。在整个文件中，相同的数字指代相同的元件。在图中，层和区域的尺寸和相对尺寸可能为了清楚而被夸大。
将理解的是，当一个元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在另一元件或层上，或者可以存在中间元件或层。
将理解的是，虽然在本文中使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。
在下文中，将参照附图描述示例实施例。
图1是根据一个示例实施例的基底分离装置的示意性剖视图。
参照图1，根据本公开的基底分离装置被配置为将彼此接触的下基底11和上基底13的层叠结构10分开成分离的下基底11和上基底13。
层叠结构10的下基底11可以是柔性的，并且可以是任何形式，只要它是柔性的。例如，下基底11可以是例如膜或片，或者可以是柔性印刷电路板(FPCB)。此外，下基底11可以包括具有柔性的电子设备。电子设备可以是例如从由有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)和白色有机发光二极管(WOLED)显示器组成的组中选择的一种或多种显示器。下基底11还可以包括柔性绝缘基底(例如聚酰亚胺基底)和安装在该柔性绝缘基底上的电子设备。然而，这些仅仅是示例，已经开发和商用或者取决于将来的技术发展可实现的所有柔性物体可被用作本发明的下基底11。
上基底13可以是柔性或刚性的。例如，上基底13可以是膜或片，或者可以是包括膜或片的电子设备。另外，上基底13可以是刚性载体基底或显示器的视窗。如果为刚性，上基底13可以是，但不限于，玻璃基底、石英基底、蓝宝石基底和陶瓷基底中的任意一种。
基底分离装置可以包括下传送部件100和被设置在下传送部件100上并且之间有间隙的上传送部件300，并可以进一步包括分离器500。
下传送部件100被配置为固定和传送下基底11。下传送部件100可以包括支撑被放置在其上的层叠结构10的下基底11的底表面的下保持单元110以及引导下保持单元110的移动路径的下引导单元190。下传送部件100可以进一步包括固定层叠结构10的底表面(更具体地讲，接触并固定下基底11的底表面)的下固定单元130。下传送部件100可以进一步包括移动下保持单元110以传送下基底11的下驱动单元(未示出)以及多个下连接单元150。
如本文所用，正方向是由图中所示的各轴的箭头所指的方向，负方向是由图中所示的各轴的箭头所指的方向相反的方向。此外，符号“⊙”表示箭头指向图中的向前方向。也就是，符号“⊙”表示箭头伸出图。此外，符号表示箭头指向图中的向后方向。也就是，符号表示箭头指向和符号“⊙”表示的方向相反的方向。尽管图中所示的XY坐标系以垂直相交的方式显示X、Y和Z轴，但是垂直相交的坐标系不是必须的，XY坐标系可以只具有相交的X、Y和Z轴。
层叠结构10被放置在下保持单元110上。下保持单元110可在路径引导件(191、193)的引导下移动。下保持单元100可由下连接单元150联接到路径引导件(191、193)。下保持单元110可以包括，但不限于，多个单独的辅助保持单元。
下连接单元150的每一个的第一侧153可被固定到下保持单元110，下连接单元150的每一个的第二侧151可接触路径引导件(191、193)。例如，下连接单元150的第二侧151可被成形为类似辊，从而辊接触路径引导件(191、193)。然而，本公开不限于此。
也就是，下连接单元150的形状和结构可以根据路径引导件(191、193)的形状和结构变化。
下固定单元130可以被安装在下保持单元110上，以固定下基底11的底表面。为此，下固定单元130可包括，例如，一个或多个真空吸附部分(未在图1中示出)。例如，下固定单元130可以包括被形成在下保持单元110中的多个真空孔，并真空吸附被放置在下保持单元110上的下基底11。也就是，当下基底11被放置在下保持单元110上时，下固定单元130可通过孔吸入空气，从而在下保持单元110和下基底11之间产生真空。因此，下基底11可以被固定到下保持单元110上。可替代地，下固定单元130可包括，例如，被形成在下保持单元110中的真空吸附垫或橡胶吸垫，真空吸附垫或橡胶吸附垫可有一定程度的弹性。也就是，已经开发和商用或者取决于将来的技术发展可实现的所有吸附装置可被用作本公开的下固定单元130。
下引导单元190包括引导下保持单元110的移动路径的路径引导件(191、193)。也就是，下保持单元110通过保持与路径引导件(191、193)接触而沿着路径引导件(191、193)移动，下基底11由下固定单元130固定在下保持单元110上。因此，下基底11和下保持单元110一起移动。
路径引导件(191、193)可包括第一路径引导件191和第二路径引导件193。第一路径引导件191可以在由箭头C表示的方向(也就是正X轴方向)引导下保持单元110的移动。和第一路径引导件191连续的第二路径引导件193可以在由箭头D表示的在XY坐标系中具有负斜率的方向(也就是由正X轴方向和负Y轴方向的和表示的方向)引导由第一路径引导件191引导的下保持单元110。
更具体地说，当层叠结构10被安装在下保持单元110上时，下固定单元130可以将下基底11的底表面固定在下保持单元110上。然后，下驱动单元可移动下保持单元110。因此，下保持单元110可以在第一路径引导件191的引导下在箭头C所表示的方向上被传送，然后在第二路径引导件193的引导下在箭头D所表示的方向上被传送。
对于路径引导件(191、193)的类型没有限制。例如，路径引导件(191、193)的每一个可以包括引导槽、引导孔和引导轨中的任意一种或它们的组合。然而，本公开不限于此。也就是，已经开发和商用或者取决于将来的技术发展可实现的所有类型的引导件可被应用到本公开的路径引导件(191、193)。
第一路径引导件191和第二路径引导件193的具体形状将在后面描述。
上传送部件300被配置为固定和传送上基底13。上传送部件300可包括上基底13被放置在其上的上保持单元310、被设置在上保持单元310的下部中以固定上基底13的顶表面的上固定单元330以及移动上保持单元310以传送上基底13的上驱动单元(未示出)。
上保持单元310可形成用于传送上基底13的部件的外部。上保持单元310的尺寸和形状可根据上基底13的尺寸和形状进行设计。
上固定单元330可以被设置在上保持单元310的下部中，以固定上基底13，并且可以包括真空吸附部分。
当层叠结构10被设置在下传送部件100上时，上驱动单元可在箭头A表示的方向(也就是负Y轴方向)移动上保持单元310。因此，上固定单元330可固定上基底13的顶表面。然后，上驱动单元可以通过在箭头B表示的方向(也就是正X轴方向)移动上保持单元310来传送上基底13。为了在箭头A表示的方向上引导上保持单元310的移动，可以进一步安装上引导单元390。
在第一区域PA1中，上基底13和下基底11可以以相同的速度移动。这里，术语“速度”表示包括方向分量和幅度分量的矢量值。也就是，上基底13在第一区域PA1中行进的距离和方向可以和下基底11在第一区域PA1中行进的距离和方向相同。换句话说，在第一区域PA1中，以上基底13和下基底11彼此接触并且上基底13的顶表面由上固定单元330固定以及下基底11的底表面由下固定单元130固定的状态，层叠结构10可以沿着正X轴方向被传送。也就是，第一区域PA1可以被定义为其中没有物理上彼此分离的上基底13和下基底11在同一方向被同时传送的区域。可替代地，第一区域PA1可以被定义为对应于第一路径引导件191的位置的区域。
在第二区域PA2中，上基底13和下基底11可以以不同的速度移动。更具体地说，上基底13的移动速度的Y轴方向分量可以和下基底11的移动速度的Y轴方向分量不同。例如，在第二区域PA2中上基底13的移动速度的Y轴方向分量可大致为零，在第二区域PA2中下基底11的移动速度的Y轴方向分量可具有负值。因此，上基底13和下基底11可以在第二区域PA2中逐渐彼此分离。在第二区域PA2中上基底13的移动速度的X轴方向分量可以和第二区域PA2中下基底11的移动速度的X轴方向分量相同或不同。
也就是，第二区域PA2可以被定义为上基底13和下基底11随着它们在Y轴方向相对于彼此移动而彼此分离的区域。可替代地，第二区域PA2可以被定义为对应于第二路径引导件193的位置的区域。因为进入第二区域PA2的下基底11和上基底13从它们之间的边界逐渐彼此分离，因此它们可以被稳定地分离，同时最小化施加到下基底11或上基底13的应力，并且分离速度可被调节。此外，可以防止在基底分离过程中接触下基底11的顶表面，从而防止在分离过程中下基底11的顶表面被污染。
为了利于下基底11和上基底13的分离，基底分离装置可进一步包括分离器500。
分离器500可以包括例如具有带有锋利边缘的刃的刀510。刀510可以沿与X轴和Y轴相交的Z轴的方向部分分离彼此接触的下基底11和上基底13。也就是，分离器500可以初始分离下基底11和上基底13。使用刀510分离上基底13和下基底11的过程可在层叠结构10进入第二区域PA2之前进行，也就是，在具有被放置在其上的下基底11的下保持单元110由第一路径引导件191引导时进行。
换句话说，彼此接触的下基底11和上基底13可以由分离器500的刀510沿Z轴方向部分分离，在被刀510部分分离之后，层叠结构10可以被传送到第二区域PA2。因此，下基底11和上基底13可以在第二区域PA2中更容易地被分离。
为了利于使用刀510部分分离下基底11和上基底13的过程，层叠结构10可以在进入第二区域PA2之前停止。然后，可以在层叠结构10静止时使用刀510执行部分分离下基底11和上基底13的过程。
图2和图3是示出图1所示的下传送部件100的一个实施例的示意性结构的剖视图。
参照图2和图3，下保持单元110(参见图1)可以由彼此分开的多个辅助保持单元110a至110c以及彼此分开并可以被分别安装在辅助保持单元110a至110c上的多个下固定单元130a至130c组成。下固定单元130a至130c可以被形成为，但不限于，真空孔、真空吸附垫或橡胶吸附垫的形式。
辅助保持单元110a至110c可由下连接单元150分别连接到路径引导件(191、193)。
因此，如图2所示，当辅助保持单元110a至110c由基本上平行于X轴的第一路径引导件191引导时，辅助保持单元110a至110c的顶表面不会在其间形成台阶，而是在同一平面上对齐，并形成平坦表面。
如图3所示，当辅助保持单元110a至110c由第二路径引导件193引导时，因为由第二路径引导件193形成的路径的方向在XY坐标系中具有负斜率，辅助保持单元110a至110c的顶表面可以位于不同的平面上。也就是，因为下保持单元110(参见图1)包括彼此分开的辅助保持单元110a至110c并且辅助保持单元110a至110c在第二路径引导件193的引导下移动，由于第二路径引导件193的引导，辅助保持单元110a至110c的顶表面可以在其间形成台阶。因此，随着下保持单元110(参见图1)沿第二路径引导件193移动，台阶(由辅助保持单元110a至110c的顶表面形成)可被反映在下基底11(参见图1)中。因此，下基底11(参见图1)与上基底13(参见图1)可以逐渐彼此分离。辅助保持单元110a至110c可以具有相等或不同的宽度。
在一个示例中，图中所示的三个辅助保持单元110a至110c可以被定义为第一辅助保持单元110a、第二辅助保持单元110b和第三辅助保持单元110c。在这种情况下，第一辅助保持单元110a的宽度W1、第二辅助保持单元110b的宽度W2和第三辅助保持单元110c的宽度W3可以相等或不同。例如，辅助保持单元110a至110c的各自宽度W1至W3可以具有如W1＝W2＝W3、W1＝W2>W3、W1>W2>W3和W1>W2＝W3的各种关系。也就是，对辅助保持单元110a至110c的宽度W1至W3间的关系没有限制。
在图3中，下保持单元110(参见图1)包括三个单独的辅助保持单元110a至110c。然而，这仅仅是示例。也就是，对构成下保持单元110(参见图1)的辅助保持单元的数目没有限制。为了便于描述，将保持单元110(参见图1)包括三个单独的辅助保持单元110a至110c的情况作为示例进行描述。
图4和图5是示出图1所示的下传送部件100的另一实施例的示意性结构的剖视图。
参照图4和图5，下保持单元110(参见图1)可以由彼此分开的多个辅助保持单元110a至110c组成，被形成为单件的下固定单元130可被安装在辅助保持单元110a至110c上。下辅助保持单元110a至110c可以由下连接单元150分别连接到路径引导件190(参见图1)。也就是，根据当前实施例的下传送部件与图2和图3的下传送部件部分不同在于被安装在辅助保持单元110a至110c上的下固定单元130被形成为单件。下固定单元130可以是真空吸附垫或橡胶吸附垫，并且可以具有弹性。
因此，如图4所示，当辅助保持单元110a至110c由基本上平行于X轴的第一路径引导件191引导时，辅助保持单元110a至110c的顶表面不会在其间形成台阶，而是形成平坦表面。
另外，如图5所示，当辅助保持单元110a至110c由第二路径引导件193引导时，辅助保持单元110a至110c的顶表面可以在其间形成台阶。如图5所示，辅助保持单元110a至110c中的一些(110a、110b)的由台阶露出的侧表面可用弹性下固定单元130覆盖。
因此，随着下保持单元110(参见图1)沿第二路径引导件193移动，台阶(由辅助保持单元110a至110c的顶表面形成)可被反映在下基底11(参见图1)中。因此，下基底11(参见图1)与上基底13(参见图1)可以逐渐彼此分离。此外，弹性下固定单元130可以最小化下基底11(参见图1)中陡峭台阶的形成。
图6是示出图1所示的第一路径引导件191和第二路径引导件193的一个实施例的剖视图。更具体地说，图6是示意性地示出第一路径引导件191和第二路径引导件193的如上面参照图1所描述的接触下连接单元150的第二侧151的部分的剖视图。
参照图6，根据当前实施例的第一路径引导件191可以平行于X轴。例如，第一路径引导件191的接触下连接单元150的第二侧151的表面(在下文中称为“第一路径引导件表面”191a)可以平行于X轴。由第一路径引导件191引导的下保持单元110(参见图1)和由下固定单元130固定到下保持单元110的下基底11(参见图1)可以在正X轴方向被传送。第二路径引导件193和第一路径引导件191连续，由第二路径引导件193引导的下保持单元110(参见图1)在负Y轴方向以及正X轴方向上移动。也就是，由第二路径引导件193引导的下保持单元110(参见图1)在具有XY坐标系中的负斜率的方向被传送。
第二路径引导件193的接触下连接单元150的第二侧151的表面(在下文中称为“第二路径引导件表面”193a)可以沿具有负斜率的直线L1形成。直线L1的斜率可以是恒定的。例如，假设第一路径引导件191和第二路径引导件193之间的边界的接触下连接单元150(参见图1)的第二侧151的部分，也就是，第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a的交点，是XY坐标系的原点P，原点P可具有坐标值(0，0)。此外，第二路径引导件表面193a的第一位置P1、第二位置P2、第三位置P3可分别具有坐标值(x1，-y1)、(x2，-y2)和(x3，-y3)，其中xn和yn具有正实数的值，n是正整数。这里，接触第一位置P1的直线的斜率、接触第二位置P2的直线的斜率和接触第三位置P3的直线的斜率可以相等。也就是，投影到XY坐标系上的第一位置P1、第二位置P2和第三位置P3可以位于XY坐标系中的同一直线L1上。换句话说，由第二路径引导件193或第二路径引导件表面193a形成的引导路径可以是XY坐标系中的直线的形式。
由XY坐标系中的直线L1和正X轴形成的锐角α1可以，例如，在大于0至45度的范围内。也就是，由第二路径引导件表面193a和第一路径引导件表面191a形成的角度可以在大于135至小于180度的范围内。然而，这仅仅是示例，由第一路径引导件191和第二路径引导件193形成的角度或者由第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a形成的角度可根据需要改变。
图7是示出图1所示的第一路径引导件191和第二路径引导件193的另一实施例的剖视图。除了第二路径引导件193的形状，图7所示的结构和图6所示的结构相同。
参照图7，接触下连接单元150的第二侧151(参见图6)的第二路径引导件表面193a可沿着接触具有负斜率的直线L2、L3和L4的曲线形成。直线L2、L3和L4的斜率可以随着到第一路径引导件191(参见图6)或第一路径导引表面191a的距离增大而增大。例如，假设第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a的交点是XY坐标系的原点P，原点P可具有坐标值(0，0)。此外，第二路径引导件表面193a上的第四位置P4、第五位置P5和第六位置P6可以分别具有坐标值(x4，-y4)、(x5，-y5)和(x6，-y6)。这里，接触第四位置P4的直线L2的斜率可以大于接触第五位置P5的直线L3的斜率，接触第五位置P5的直线L3的斜率可以大于接触第六位置P6的直线L4的斜率。也就是，由正X轴和分别接触第四位置P4、第五位置P5和第六位置P6的直线L2、L3和L4形成的锐角α2、α3和α4可以随着到第一路径引导件191的距离增大而增大，锐角α2、α3和α4之间的关系可以是α2<α3<α4。总地来说，每个直线的斜率的绝对值可以随着到第一路径引导件191(参见图6)或第一路径引导件表面191a的距离增大而增大。
在当前实施例中，由第二路径引导件193或第二路径导向表面193a形成的引导路径可以是其在XY坐标系中的曲率的中心位于图的下部(未示出)的曲线的形式。
图8是示出图1所示的第一路径引导件191和第二路径引导件193的另一实施例的剖视图。
参照图8，根据当前实施例的第二路径引导件表面193a的第一侧193b可以和第一路径引导件表面191a连续，其第二侧193c可以位于比第一路径引导件表面191a更低的位置。第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a的之间的台阶或高度差可以从第二路径引导件表面193a的第一侧193b向第二侧193c逐渐增大。也就是，第二路径引导件表面193a可以在从第一侧193b向第二侧193c的方向上形成倾斜表面。因此，第二路径引导件可形成向下倾斜的引导路径。
在当前实施例中，第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a之间的高度差可以从第二路径引导件表面193a的第一侧193b向第二侧193c以恒定的比率增大。例如，假设第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a的边界是XY坐标系的原点P，原点P可具有坐标值(0，0)。此外，第二路径引导件表面193a上的第七位置P7、第八位置P8和第九位置P9可以分别具有坐标值(x7，-y7)、(x8，-y8)和(x9，-y9)。这里，y7/x7＝y8/x8＝y9/x9或(y8-y7)/(x8-x7)＝(y9-y8)/(x9-x8)。也就是，第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a之间的高度差随着到第一路径引导件表面191a的距离增大而以恒定的比率增大。因此，第二路径引导件表面193a可在从第一侧193b向第二侧193c的方向上形成倾斜的引导路径。
图9是示出图1所示的第一路径引导件191和第二路径引导件193的另一实施例的剖视图。除了第二路径引导件193，图9所示的结构和图8所示的结构相同。
参照图9，在当前实施例中，第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a之间的高度差的增大比率可以从第二路径引导件表面193a的第一侧193b向第二侧193c增大。例如，假设第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a之间的边界是XY坐标系的原点P，原点P可具有坐标值(0，0)。此外，第二路径引导件表面193a上的第十位置P10、第十一位置P11和第十二位置P12可以分别具有坐标值(x10，-y10)、(x11，-y11)和(x12，-y12)。这里，y10/x10<y11/x11<y12/x12或(y11–y10)/(x11–x10)<(y12–y11)/(x12–x11)。也就是，第一路径引导件表面191a和第二路径引导件表面193a之间的高度差随着在正X轴方向上到第一路径引导件表面191a的距离增大而增大。并且，高度差的增大比率随着到第一路径引导件表面191a的距离增大而增大。因此，由第二路径引导件193(参见图1)形成的引导路径可以是其在XY坐标系中的曲率的中心位于图的下部(未示出)的曲线的形式。换句话说，第二路径引导件表面193a可以是其在XY坐标系中的曲率中心位于图的下部的曲面。
图10是图1所示的第一路径引导件191和第二路径引导件193的另一实施例的剖视图。
参照图10，上保持单元310可以和上基底13(参见图1)同时沿直线S1移动。
下基底11(参见图1)可以以其被固定在下保持单元110上的状态被传送。下保持单元110(参见图1)可以由下连接单元150连接到第一路径引导件191和第二路径引导件193，并由第一路径引导件191和第二路径引导件193引导。
由第一路径引导件191引导的下保持单元110可以平行于上基底13(参见图1)被传送，从直线S1到第一路径引导件191(参见图1)的接触下连接单元150(参见图1)的第二侧151(参见图1)的部分(即，第一路径引导件表面191a)的垂直距离D0可以是恒定的。
第二路径引导件193(参见图1)从第一路径引导件191(参见图1)向下倾斜。从直线S1到第二路径引导件193(参见图1)的接触下连接单元150的第二侧151的部分(即，第二路径引导件表面193a)的垂直距离可以逐渐增大。例如，如果上保持单元310从第一路径引导件191和第二路径引导件193之间的边界移动r、2r和3r，从直线S1到第二路径引导件表面193a的垂直距离可以是D1、D2和D3。在这种情况下，D0<D1<D2<D3。
这里，D1-D0＝D2-D1＝D3-D2。在这种情况下，第二路径引导件193(参见图1)或第二路径引导件表面193a可形成类似向下倾斜的直线的形状的引导路径。另外，D1-D0<D2-D1<D3-D2。在这种情况下，第二路径引导件193(参见图1)或第二路径引导件表面193a可形成如图10所示的类似向下倾斜的曲线的形状的引导路径。
也就是，对第二路径引导件193(参见图1)或第二路径引导件表面193a的形状没有限制，只要上述垂直距离之间的关系满足D0<D1<D2<D3。
图11是示出图1所示的上传送部件300的示意性结构的透视图。
参照图11，根据本公开的上传送部件300可以包括上保持单元310、上固定单元(未示出)和上驱动单元(未示出)，并且可以进一步包括第一上支撑件350、第二上支撑件370、第三上支撑件380和上引导件390a和390b。
第一上支撑件350被连接到上保持单元310的顶表面，从而支撑上保持单元310。第一上支撑件350在Y轴方向被上驱动单元(未示出)移动，从而升高或降低上保持单元310。第一上支撑件350在Y轴方向上的移动可以由第二上支撑件370引导。
第二上支撑件370可被连接到第三上支撑件380。第二上支撑件370可以在Z轴方向上被上驱动单元(未示出)移动，从而移动上保持单元310。这里，第二上支撑件370的移动可以由第三上支撑件380引导。
第三上支撑件380可以在X轴方向被上驱动单元(未示出)移动，从而移动上保持单元310。这里，第三上支撑件380的移动可以由上引导件390a和390b引导。如图所示，上引导件390a和390b可以接触第三上支撑件380的两端。
第一上支撑件350、第二上支撑件370和第三上支撑件380之间的上述联接关系仅是示例，本公开并不限于此。也就是，对第一上支撑件350、第二上支撑件370和第三上支撑件380之间的联接关系没有限制，它们之间的联接关系可以被适当地改变。此外，第一上支撑件350、第二上支撑件370和第三上支撑件380中的任何一个可以被省略，或者可以和另一个一体形成。
图12和图13是示出图1所示的上固定单元330的一个实施例的示意性结构的剖视图和仰视图。
参照图12和图13，如上参照图1描述的，上固定单元330可以被设置在上保持单元310的底表面上。上固定单元330可以包括例如真空吸附部分，从而通过吸附将上基底13的顶表面固定到上保持单元310。
更具体地说，上固定单元330可以包括沿上保持单元310的底表面的边缘部分提供的多个第一真空吸附部分331以及被形成在上保持单元310的底表面的没有形成第一真空吸附部分331的部分中的多个第二真空吸附部分333。
用于真空吸附上基底13的顶表面的一侧的第一真空吸附部分331可被配置为具有较强的吸附力。如图12和图13所示，第一真空吸附部分331可以在上保持单元310的底表面的边缘被布置成一直线。尽管在图中第一真空吸附部分331仅被形成在上保持单元310的底表面的一个边缘处，但这仅仅是示例，第一真空吸附部分331可以额外地形成在另一边缘处。对第一真空吸附部分331的形式没有限制。第一真空吸附部分331可被形成为真空孔的形式。为了具有更强的吸附力，第一真空吸附部分331可被形成为如图12和图13所示的吸盘的形式。
如图13所示，第二真空吸附部分333可以位于上保持单元310的底表面的除了形成第一真空吸附部分331的部分之外的部分。第二真空吸附部分333可真空吸附上基底13的顶表面，但不包括顶表面的边缘。第二真空吸附部分333不需要具有和第一真空吸附部分331一样强的吸附力。因此，第二真空吸附部分333可被形成为，但不限于，真空孔的形式。
虽然在图中未示出，上固定单元330可进一步包括辅助上驱动单元。如图12中由真空吸附部分331旁边的箭头所表示，辅助上驱动单元可以在Y轴方向移动第一真空吸附部分331，并可被形成为，但不限于，圆柱体的形式。真空吸附部分331独立于上保持单元310如图12中的上下箭头所示地移动。
图14和图15是示出图1所示的分离器500的一个实施例的示意性结构的剖视图和透视图。
参照图14和图15，根据当前实施例的分离器500可以包括具有带有锋利边缘的刃的刀510与用于移动刀510的刀驱动单元(未示出)，并可以进一步包括第一刀支撑件530、第二刀支撑件540、第三刀支撑件550和第四刀支撑件560中的至少一个。
第一刀支撑件530可通过将刀510固定到其一侧而支撑刀510。第一刀支撑件530可在X轴方向被刀驱动单元(未示出)移动，从而移动刀510。第一刀支撑件530在X轴方向上的移动可由，但不限于，第二刀支撑件540引导。
第二刀支撑件540可被连接到第三刀支撑件550。第二刀支撑件540可在Y轴方向被刀驱动单元(未示出)移动，从而在Y轴方向移动刀510。第二刀支撑件540的移动可由，但不限于，第三刀支撑件550引导。
第三刀支撑件550可以在Z轴方向被刀驱动单元(未示出)移动，从而移动刀510。这里，第三刀支撑件550的移动可以由支撑第三刀支撑件550的第四刀支撑件560引导。
然而，第一至第四刀支撑件530至560之间的上述联接关系仅是示例，本公开不限于此。也就是，对第一至第四刀支撑件530至560之间的联接关系没有限制，它们之间的联接关系在必要时可以被改变。此外，第一至第四刀支撑件530至560中的任何一个可以被省略。
图16是示出图1所示的分离器500和上传送部件300的另一实施例的示意性结构的透视图。图16中所示的分离器500的结构和图15中所示的结构基本相同。
参照图16，根据当前实施例的分离器500可以和上传送部件300一体形成。例如，分离器500的第四刀支撑件560可被连接到上传送部件300的上保持单元310。因此，在由上固定单元330(331、333)固定的上基底13(参见图1)的传送过程中，分离器500可以根据上保持单元310的移动而移动。
图17是示出根据一个实施例的分离器500的操作的透视图。
参照图17，分离器500的刀510可以在负X轴方向上移动，以被插入到下基底11和上基底13之间。然后，刀510可以沿Z轴方向移动，从而部分分离彼此接触的下基底11和上基底13。对于刀510在Z轴方向的移动路径没有限制。在一个示例中，通过在负X轴方向移动而插入在下基底11和上基底13之间的刀510可以通过沿正Z轴方向移动而部分分离上基底13和下基底11，然后再通过沿负Z轴方向移动而部分分离上基底13和下基底11。可替代地，刀510可通过在负Z轴方向移动然后在正Z轴方向移动而部分分离上基底13和下基底11。这发生在基底分离装置的第一区域PA1(参见图1)中。
图18是示出根据一个实施例的上固定单元330和分离器500的操作的示意性剖视图。
参照图18，作为上固定单元330，第一真空吸附部分331和第二真空吸附部分333可以被设置在上保持单元310的下部的下方或上保持单元310的下部中，如上参照图12和图13所描述的那样。以上基底13的顶表面由第一真空吸附部分331和第二真空吸附部分333固定并且下基底11的底表面由下保持单元110的下固定单元130固定的状态，第一真空吸附部分331可以在正Y轴方向被辅助上驱动单元移动。因此，上基底13的边缘的一部分可以在向上的方向(也就是在正Y轴方向)被升高，间隙19可以在负X轴方向上被形成在上基底13和下基底11的表面之间。在这种状态下，刀510通过在负X轴方向移动可被插入到间隙19中，并且可以通过在Z轴方向移动而部分分离彼此接触的上基底13和下基底11。也就是，根据当前实施例，因为使用第一真空吸附部分331在下基底11和上基底13之间形成有间隙19，刀510可以更容易地被插入到两个基底11和13之间。
图19是示出另一实施例的上固定单元330和分离器500的操作的示意性剖视图。
根据当前实施例，用于真空吸附上基底13的顶表面的边缘的第一真空吸附部分331可以在Y轴方向移动，以在上基底13和下基底11的表面之间在负Z轴方向形成间隙19。刀510可以在负Z轴方向从上基底13和下基底11的侧表面移动，以被插入到间隙19中，并且可以在负Z轴方向连续移动，以切割联接上基底13和下基底11的联接件(未示出)。也就是，根据当前实施例，刀510被初始插入在上基底13和下基底11之间的方向和如上参照图17和图18描述的方向不同。也就是，当前实施例与图17和图18的实施例的不同在于刀510被初始插入在上基底13和下基底11之间的方向，而刀510部分分离上基底13和下基底11的方向相同。换句话说，在图17和图18中，刀510被插入在上基底13和下基底11的前部(面对下保持单元110移动的方向的前部)，在图19中，刀510被插入在上基底13和下基底11的侧部。根据当前实施例，刀510可以被更容易地插入在两个基底11和13之间。另外，可以连续地执行在上基底13和下基底11之间插入刀510的操作以及使用刀510分离上基底13和下基底11的操作。
图20是示出根据本公开的基底分离装置中的根据一个实施例的辅助分离器700a和700b以及离子发生器810a、810b、830a和830b的布置的示意性透视图。
参照图20，在过程期间或在层叠结构10(参见图1)被传送时，静电可能积聚在被放置于下保持单元110(参见图1)上的用于基底分离的层叠结构10上。因为带电表面吸引层叠结构10周围的微粒，积聚在层叠结构10上的静电可能污染层叠结构10的暴露表面。因此，为了移除在下基底11(参见图1)和上基底13(参见图1)的至少一个上带的静电，根据当前实施例的基底分离装置可以进一步包括离子发生器810a和810b。
离子发生器810a和810b可以是光电离器。光电离器最多仅受如(用于去除静电)抗静电距离和风向的外部条件的很小影响，并利用空气电离。因此，光电离器不产生灰尘、电磁波和臭氧。此外，由于其高离子发生密度，光电离器去除静电很有效。当离子发生器810a和810b照射X射线到被放置在下保持单元110(参见图1)上的层叠结构10(参见图1)时，X射线可以击中气体或存在于空气中的原子，以产生正/负离子。正/负离子可中和在层叠结构10上所带的静电，从而去除静电。
在图20中，离子发生器810a和810b被分别设置在对应于第一路径引导件191-1和191-2的下引导单元190-1和190-2的侧部的位置处。然而，这仅仅是示例。也就是，离子发生器810a和810b也可以被放置在下引导单元190-1和190-2之间的空间上方，这样它们可以同时向层叠结构10(参见图1)的所有区域供给离子。也就是，对离子发生器810a和810b的数量和位置没有限制。在一实施方式中，离子发生器810a和810b可以供给离子到下基底11或上基底13周围的区域。
离子发生器830a和830b也可以被设置在对应于第一路径引导件191-1和191-2和第二路径引导件193-1和193-2之间的边界的下引导单元190-1和190-2的侧部的位置处。如上所述，如果静电积聚，带电的表面吸引微粒。因而，表面可能被污染。因此，如果在将层叠结构10(参见图1)分离成下基底11和上基底13的过程中在下基底11(参见图1)或上基底13(参见图1)上产生静电，下基底11的顶表面或上基底13的底表面可能被静电污染。
为了解决这个问题，在根据当前实施例的基底分离装置中，离子发生器830a和830b被设置在对应于第一路径引导件191-1和191-2和第二路径引导件193-1和193-2之间的边界的下引导单元190-1和190-2的侧部的位置处。因此，可以移除在基底分离过程中产生的静电，从而防止基底分离过程中可能的污染。离子发生器830a和830b可以是光电离器，对于离子发生器830a和830b的数目没有限制。另外，对于离子发生器830a和830b的位置没有限制。
根据当前实施例的基底分离装置可以进一步包括用于进一步部分分离上基底13(参见图1)和下基底11(参见图1)的辅助分离器700a和700b。辅助分离器700a和700b可以被设置为沿上基底13(参见图1)和下基底11(参见图1)通过吸附固定并传送而分离的位置的侧部，也就是，第一路径引导件191-1和191-2与第二路径引导件193-1和193-2之间的边界的侧部的位置。辅助分离器700a和700b可以分别包括沿Z轴方向伸出的辅助刀710a和710b以及固定并支撑辅助刀710a和710b的辅助刀支撑件730a和730b。在一实施方式中，辅助分离器700a和700b可以设置在第一路径引导件191-1和191-2的侧部。
在一个示例中，沿Z轴方向伸出的辅助刀710a和710b可被放置在沿正X轴方向移动的上基底13(参见图1)和下基底11(参见图1)被彼此分离的位置处。在这种情况下，随着上基底13和下基底11移动，辅助刀710a和710b可以被插入在两个基底11和13(参见图1)之间。这里，随着上基底13(参见图1)和下基底11(参见图1)在X轴的正方向移动，它们可以在X轴的负方向由辅助刀710a和710b分离。也就是，辅助刀710a和710b可以被固定在指定的位置，随着上基底13(参见图1)和下基底11(参见图1)移动，它们可以在负X轴方向由辅助刀710a和710b分离。然而，这仅仅是示例，辅助分离器700a和700b可以进一步包括驱动单元来分别移动辅助刀710a和710b。
对于辅助分离器700a和700b以及离子发生器830a和830b的位置关系，离子发生器830a和830b基于X轴被放置在辅助分离器700a和700b前方。然而，这仅仅是示例。也就是，辅助分离器700a和700b也可以基于X轴被放置在离子发生器830a和830b前方。
图21至图23是分别示出根据一个实施例的基底分离方法的步骤和基底分离装置的操作的剖视图。下面将描述如图2和图3所示构造的下传送部件100的情况。然而，这仅仅是为了方便描述而使用的示例。
参照图21，上基底13的顶表面和下基底11的底表面可以被固定。具体地说，层叠结构10被放置在下传送部件100的下保持单元110(也就是，彼此独立的多个辅助保持单元110a至110c)上，下基底11的底表面使用下固定单元130(130a至130c)被固定。然后，上传送部件300的上保持单元310被放置在层叠结构10上，然后在箭头A表示的方向(即负Y轴方向)被移动，上基底13的顶表面使用上固定单元(331、333)被固定。
可替代地，尽管在图中没有示出，上基底13的顶表面可以被首先固定。例如，以层叠结构10被上固定单元(331、333)固定的状态，上保持单元310可以移动到下传送部件100上方。然后，上保持单元310可以在负Y轴方向(即箭头A表示的方向)移动，以将层叠结构10放置在下保持单元110上，下固定单元130(130a至130c)可固定下基底11的底表面。
顶表面被固定的上基底13和底表面被固定的下基底11在第一区域PA1中一起在正X轴方向被传送。更具体地说，上保持单元310可以在箭头B表示的方向(即正X轴方向)移动，从而传送其顶表面被上固定单元(331、333)固定的上基底13。同时，由第一路径引导件191引导的辅助保持单元110a至110c在平行于箭头B表示的方向的箭头C表示的方向(也就是正X轴方向)被传送。
换句话说，顶表面被固定的上基底13可以在第一区域PA1中沿直线S1被移动，其中直线S1可以平行于X轴。
此外，底表面被固定的下基底11可以和下保持单元110一起被传送，下保持单元110可以由到直线S1的垂直距离是恒定的第一路径引导件191引导。
参照图22，上基底13和下基底11可以在第一区域PA1中或在第一区域PA1和第二区域PA2之间的边界处被部分分离。
具体地说，上基底13和下基底11在进入第二区域PA2之前被停止。也就是，上保持单元310的移动和下保持单元110的移动可以被停止。然后，分离器的刀510在负X轴方向被移动，以被插入在上基底13和下基底11之间，并在Z轴方向被移动，以部分分离彼此接触的上基底13和下基底11。
此外，可以进一步执行通过在正Y轴方向移动上固定单元(331、333)中固定上基底13的顶表面的边缘的第一真空吸附部分331而在上基底13和下基底11之间形成间隙19的过程。在这种情况下，间隙19使得在上基底13和下基底11之间插入刀510更容易，如上参照图18描述的那样。
虽然在图中未示出，间隙19也可以被形成在上基底13和下基底11的侧表面之间，如上参照图19所描述的那样。在这种情况下，刀510可以在负Z轴方向移动，以被插入到间隙19中。
参照图23，上基底13和下基底11随着它们被移动到第二区域PA2中而被分离。
更具体地说，通过在箭头B表示的方向(即正X轴方向)移动上保持单元310，顶表面被上固定单元(331、333)固定的上基底13在正X轴方向被传送。同时，下基底11被放置和固定在其上的辅助保持单元110a至110c由第二路径引导件193引导，以在由箭头D表示的方向(即由正X轴方向和负Y轴方向的和表示的方向)被传送。
通过第二路径引导件193的引导，在辅助保持单元110a至110c之间形成台阶，下基底11和上基底13可以通过台阶逐渐分离。
也就是，固定上基底13的顶表面的力、在正X轴方向移动上基底13的力、固定下基底11的底表面的力、在正X轴方向和负Y轴方向移动下基底11被放置在其上的辅助保持单元110a至110c的力用作能够逐渐分离上基底13和下基底11的外力。
换句话说，顶表面被固定的上基底13可以在第二区域PA2中沿着上述直线S1被传送，底表面被固定的下基底11可以在其和直线S1的垂直距离增大的第二路径引导件193的引导下被传送。因此，上基底13和下基底11可以逐渐彼此分离。
包括辅助刀710a的辅助分离器可以进一步被放置在下引导单元190的侧部，以进一步分离上基底13和下基底11，如上参照图20描述的那样。
虽然在图中未示出，离子发生器可以被放置在上基底13和下基底11的分离在该处开始的第一区域PA1和第二区域PA2之间的边界或第一路径引导件191和第二路径引导件193之间的边界的侧部。在这种情况下，离子发生器可提供离子到上基底13和下基底11的分离后的表面，从而去除静电，如上参照图20描述的那样。在上基底13和下基底11分离前，层叠结构10上带的静电也可以通过使用离子发生器供应离子而被初始去除，如上参照图20描述的那样。
本公开的实施例可以提供以下优点中的至少一个。
通过逐步增大上基底和下基底之间的间隙，可以更稳定地分离上基底和下基底。还可以最小化分离过程中基底损坏的可能性。
此外，通过控制分离过程中的静电，可以最小化静电的作用，并防止由于外来物质造成的污染。
然而，本公开的效果并不仅限于这里提出的效果。上述和其他效果对于包括权利要求的本公开所属的相关领域的普通技术人员来说将变得更加明显。
尽管已经参照其示例实施例特别示出和描述了本公开，本领域普通技术人员将理解在不背离包括所附权利要求的本公开的精神和范围的情况下，可以对形式和细节进行各种改变。示例实施例应当被认为仅仅是描述性的，而不用于限制的目的。

Claims (19)

1.一种用于分离彼此接触的上基底和下基底的装置，该装置包括：
上传送部件，所述上传送部件固定所述上基底并在包括彼此相交的X轴和Y轴的XY坐标系中的正X轴方向传送所述上基底；和
下传送部件，所述下传送部件被安装在所述上传送部件的下方且在之间具有间隙并固定和传送所述下基底，
其中所述下传送部件包括：
所述下基底被放置在其上的下保持单元；和
包括用于引导所述下保持单元的移动的路径引导件的下引导单元，
其中所述路径引导件包括平行于X轴的第一路径引导件以及和所述第一路径引导件连续并沿具有在XY坐标系中的负斜率的线形成的第二路径引导件，
其中所述下保持单元由彼此分离的多个辅助保持单元组成，当所述多个辅助保持单元由所述第二路径引导件引导时，所述多个辅助保持单元的顶表面在其间形成台阶。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述线的斜率的绝对值是恒定的。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述线的斜率的绝对值随着到所述第一路径引导件的距离增大而增大。
4.根据权利要求1所述的装置，进一步包括各自具有被连接到所述下保持单元的第一侧和接触所述路径引导件的第二侧的下连接单元。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述下传送部件进一步包括：
被安装在所述下保持单元的上部上或所述下保持单元的上部中以固定所述下基底的底表面的下固定单元；和
移动所述下保持单元的下驱动单元。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述下固定单元包括真空吸附所述下基底的所述底表面的一个或多个下真空吸附部分。
7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括在和X轴和Y轴相交的Z轴的方向上分离所述下基底和所述上基底的分离器。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述分离器包括：
被插入在所述下基底和所述上基底之间以分离所述上基底和所述下基底的刀；
被连接到所述刀以固定所述刀的刀支撑件；和
移动所述刀支撑件的刀驱动单元。
9.根据权利要求7所述的装置，其中所述分离器被连接到所述上传送部件。
10.根据权利要求1所述的装置，进一步包括在负X轴方向上分离所述下基底和所述上基底的辅助分离器。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述辅助分离器被放置在所述第一路径引导件的侧部或在所述第一路径引导件和所述第二路径引导件之间的边界的侧部。
12.根据权利要求10所述的装置，其中所述辅助分离器包括：
被插入在所述下基底和所述上基底之间以在负X轴方向上分离所述上基底和所述下基底的辅助刀；和
被连接到所述辅助刀以固定所述辅助刀的辅助刀支撑件。
13.根据权利要求1所述的装置，其中所述上部传送部件包括：
上保持单元；和
被安装在所述上保持单元的下部的下方或所述上保持单元的下部中以固定所述上基底的顶表面的上固定单元；和
移动所述上保持单元的上驱动单元。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述上固定单元包括真空吸附所述上基底的所述顶表面的上真空吸附部分。
15.根据权利要求1所述的装置，进一步包括供给离子到所述下基底或所述上基底周围的区域的一个或多个离子发生器。
16.一种用于分离彼此接触的上基底和下基底的装置，该装置包括：
固定所述上基底的顶表面并沿直线传送所述上基底的上传送部件；和
被安装在所述上传送部件的下方并固定所述下基底的底表面且传送所述下基底的下传送部件，
其中所述下传送部件包括：
所述下基底被放置在其上的下保持单元；和
包括用于引导所述下保持单元的移动的路径引导件的下引导单元，
其中所述路径引导件包括：
第一路径引导件，所述第一路径引导件到所述直线的垂直距离恒定；和
第二路径引导件，所述第二路径引导件和所述第一路径引导件连续并且所述第二路径引导件到所述直线的垂直距离随着到所述第一路径引导件的距离增大而增大，
其中所述下保持单元由彼此分离的多个辅助保持单元组成，当所述多个辅助保持单元由所述第二路径引导件引导时，所述多个辅助保持单元的顶表面在其间形成台阶。
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述直线和所述第二路径引导件之间的垂直距离增大的比率是恒定的。
18.根据权利要求16所述的装置，其中所述直线和所述第二路径引导件之间的垂直距离增大的比率随着到所述第一路径引导件的距离增大而增大。
19.一种分离彼此接触的上基底和下基底的方法，该方法包括：
固定所述下基底的底表面和所述上基底的顶表面；
沿直线传送所述上基底；和
在传送所述上基底的同时传送所述下基底，
其中所述传送所述下基底包括：
沿第一路径引导件移动所述下基底被放置在其上的下保持单元，所述第一路径引导件到所述直线的垂直距离保持不变；和
通过沿第二路径引导件移动所述下保持单元而分离所述下基底和所述上基底，所述第二路径引导件和所述第一路径引导件连续并且所述第二路径引导件到所述直线的垂直距离随着到所述第一路径引导件的距离增大而增大，
其中所述下保持单元由彼此分离的多个辅助保持单元组成，当所述多个辅助保持单元由所述第二路径引导件引导时，所述多个辅助保持单元的顶表面在其间形成台阶。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107731716A (zh) * 2013-08-30 2018-02-23 株式会社半导体能源研究所 叠层体的加工装置及加工方法
KR102274315B1 (ko) * 2015-01-13 2021-07-07 주식회사 나인테크 고형 박판 분리 장치
KR102283920B1 (ko) 2015-01-16 2021-07-30 삼성디스플레이 주식회사 필름 박리 장치
CN104932125B (zh) * 2015-06-12 2017-11-14 合肥京东方光电科技有限公司 一种液晶显示器拆解装置
CN206546833U (zh) * 2016-12-23 2017-10-10 盟立自动化股份有限公司 用于剥离两基板的装置
CN112478783B (zh) * 2020-12-09 2022-03-29 河北光兴半导体技术有限公司 基板玻璃分离机及分离方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4798645A (en) * 1984-09-10 1989-01-17 Pak Chong Il Wafer segment separator and method
US5399228A (en) * 1992-02-21 1995-03-21 Best Label Co., Inc. Apparatus and method for automatically applying adhesive-backed labels to moving articles
US5482899A (en) * 1994-03-21 1996-01-09 Texas Instruments Incorporated Leveling block for semiconductor demounter
JPH0837395A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップ供給装置および供給方法
US5911850A (en) * 1997-06-20 1999-06-15 International Business Machines Corporation Separation of diced wafers
US6039833A (en) * 1998-03-04 2000-03-21 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for component pickup
JP2002322436A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Nitto Denko Corp 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4272501B2 (ja) * 2003-12-03 2009-06-03 リンテック株式会社 フィルム供給装置およびフィルム貼着システム
US6932136B1 (en) * 2004-04-08 2005-08-23 National Semiconductor Corporation Post singulation die separation apparatus and method for bulk feeding operation
JP2006264020A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 積層基板の製造方法及び装置
KR20080089730A (ko) 2007-04-02 2008-10-08 삼성전자주식회사 편광판의 제거 장치 및 그 방법
US8029642B2 (en) * 2007-07-27 2011-10-04 The Boeing Company Tape removal apparatus and process
JP4892507B2 (ja) 2008-02-29 2012-03-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 平面表示体マザー基板の分離装置及び方法
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
CN102044404B (zh) * 2009-10-12 2015-12-09 桑迪士克科技公司 用于使经切分的半导体裸片与裸片贴胶带分离的系统
KR100987836B1 (ko) 2010-04-08 2010-10-13 에스티에스 주식회사 캐리어 테이프 로딩장치
US8298463B2 (en) * 2010-04-14 2012-10-30 Bridgestone Bandag, Llc Double tread
KR101262464B1 (ko) 2010-11-24 2013-05-08 주식회사 포스코 레이저를 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법
KR20120062193A (ko) 2010-12-06 2012-06-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
US8261804B1 (en) * 2011-10-28 2012-09-11 Meicer Semiconductor Inc. IC layers separator

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