TW201505831A - 脫模薄膜 - Google Patents
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Abstract
本發明的目的係提供於製造陶瓷片時的加熱張力下具有適當的尺寸變化率、乾燥陶瓷淤漿時的熱收縮平衡亦優異、可充分地符合作為陶瓷片製造時所使用的脫模薄膜所要求的性能之脫模薄膜。
本發明係於特定的載重下具有特定的伸長率、於無載重下具有特定的熱伸長率之脫模薄膜。
Description
本發明係關於脫模薄膜，更詳細而言，係關於可充分地符合作為陶瓷片製造時所使用的脫模薄膜所要求的性能之脫模薄膜。
以聚酯薄膜作為基材之脫模薄膜，作為製造層合陶瓷電容器、陶瓷基板等之各種陶瓷電子零件製造時所使用的陶瓷片(綠帶(green sheet))等時的承載薄膜(carrier film)使用。
製造層合陶瓷電容器時所使用的陶瓷片，例如於承載薄膜之上，藉由逆輥法等塗佈使陶瓷粉體與黏合劑等分散於溶劑之陶瓷淤漿，加熱乾燥去除溶劑後形成陶瓷層後，藉由蒸鍍或印刷等於該陶瓷層上形成成為內部電極之金屬膜，製成金屬膜/陶瓷層/承載薄膜複合體，藉由從該相關的複合體剝離去除承載薄膜而製造。
層合陶瓷電容器，係將如上述作法所製造的金屬膜/陶瓷層複合體，以所望的尺寸進行層合，熱壓後，藉由剪斷成矩形狀而得到片狀的層合體，將此片狀的層合體進行
燒成，藉由於燒成體的所定的表面上形成外部電極而得到。
但是，近年來，於層合陶瓷電容器等之電容器的領域，隨著小型化‧大容量化而要求電路零件的高密度化，故，必須令所使用的陶瓷片的厚度亦更薄膜化、使內部電極更多層化。
惟，使陶瓷片的厚度變薄、增加層合片數，則連陶瓷片之少許的厚度斑，都會成為引起內部電極的位置偏移的原因。
因此，提議減少陶瓷片製造時之承載薄膜的熱變形，降低所製造的陶瓷片的厚度斑(參考專利文獻1)。專利文獻1中記載著若於120℃之1.47MPa應力下的尺寸變化率的絶對值在長邊方向及寬度方向皆為0.3%以下之脫模薄膜，因為加熱處理時的熱變形變得非常小，可抑制所得到的陶瓷片的厚度斑。
惟，陶瓷片係通常100℃附近的溫度下，在寬度方向未被把持下使其乾燥，因此，陶瓷片製造時所使用的承載薄膜，於陶瓷乾燥時，在往寬度方向幾乎未施加下張力的狀態下收縮，故，如專利文獻1所記載，僅使用在施加張力的狀態之長邊方向與寬度方向的各自熱收縮率低的脫模薄膜，一直到陶瓷的乾燥為止的所有的步驟中之承載薄膜的收縮斑無法消除，仍然會有所製造的陶瓷片中發生厚度斑、層合時引起內部電極的位置偏移之問題殘留。
此外，陶瓷片的厚度薄時，承載薄膜的表面粗度高，
則發生因為針孔發生所造成的不良、或陶瓷片剝離時陶瓷片的斷裂等，引起生產性的降低。亦即，陶瓷片薄時，就連先前技術未造成問題之程度的承載薄膜表面的擦傷或異物等之微細的表面缺點，亦明顯地成為所得到的陶瓷片的針孔缺點等之原因。
故，近來隨著電容器領域的小型化‧大容量化，對於用於製造陶瓷片的承載薄膜，要求更高精度的尺寸安定性，及，更高程度的表面凹凸的平滑化。
另一方面，使承載薄膜的表面平滑，則會有剝離帶電變高的傾向，例如為了生產性提昇而提高陶瓷淤漿的塗佈速度，則於捲出承載薄膜的步驟中會有火花易發生，因此而有火災易發生的之問題。此外，從承載薄膜剝離陶瓷片時造成陶瓷片帶電，在接下來的步驟中層合該陶瓷片時，因為該帶電而發生內部電極的位置偏移。因此，對於作為具有更平滑的表面之承載薄膜，強烈要求抑制剝離帶電。
特別是厚度薄的(1μm以下)陶瓷片的製造中，不僅是如上述的高精度的尺寸安定性、及高程度的平滑化(所謂表面粗度)，更高度地控制薄膜的平坦性(亦稱為平面度)這點很重要。亦即，承載薄膜的平坦性差時，塗佈於其上的陶瓷淤漿的塗佈厚度斑變不良，因而陶瓷片的厚度斑變不良，於層合陶瓷電容器中則變成容量不均勻者。
惟，如上述的承載薄膜，一般而言以捲取為滾筒狀的形態使用，但因為表面具有脫模層，易發生易滑動、滾筒於捲取中或運搬中等易捲取偏移等的問題。因此，先前技
術將如上述的承載薄膜捲取於滾筒狀時，為了不發生捲取偏離，採取使滾筒硬度提高的條件為一般作法。惟，滾筒硬度太高，則承載薄膜易追隨滾筒形狀，因為微細的滾筒形狀之不佳狀況而造成承載薄膜伸長，成為平坦性劣化者。
此外，特別是於厚度薄的(1μm以下)陶瓷片的製造中，更高度地控制薄膜的厚度斑這點很重要。亦即，承載薄膜的厚度斑差時，塗佈於其上的陶瓷淤漿的塗佈厚度斑變不良，因而陶瓷片的厚度斑變不良，於層合陶瓷電容器中則變成容量不均勻者。
(專利文獻1)特開2000-343663號公報
本發明的目的係提供鑑於如此先前技術而完成者，於製造陶瓷片時的加熱張力下具有適當的尺寸變化率、乾燥陶瓷淤漿時的熱收縮平衡亦優異、可充分地符合作為陶瓷片製造時所使用的脫模薄膜所要求的性能之脫模薄膜。
本發明者係為了解決上述課題進行精心檢討，其結果，發現於特定的載重下具有特定的伸長率、於無載重下具有特定的熱伸長率之脫模薄膜，可符合對於製造陶瓷片時所使用的脫模薄膜所要求的性能，而達到完成本發明。
亦即，本發明係聚酯薄膜的至少一方的面上具有脫模層之脫模薄膜，係在脫模薄膜的長邊方向施加0.2MPa以上4.0MPa以
下的張力時，於100℃之長邊方向的伸長率(SMD)符合下述式(1)，在垂直於脫模薄膜的長邊方向的方向施加0.01MPa的張力時，於100℃之垂直於長邊方向的方向的伸長率(STD)符合下述式(2)，脫模薄膜在無載重下，於100℃之長邊方向的熱伸長率(HSMD)，符合下述式(3)，脫模薄膜在無載重下，於100℃之垂直於長邊方向的方向的熱伸長率(HSTD)，符合下述式(4)，長邊方向的熱伸長率(HSMD)與垂直於前述長邊方向的方向的熱伸長率(HSTD)，符合下述式(5)之脫模薄膜。
0.0961X-0.45≦SMD≦0.0961X-0.25 (1)(式(1)中，X係施加於薄膜單位面積的張力(MPa)，X表示0.2MPa以上4.0MPa以下之值。)
-0.6≦STD≦-0.2 (2)
-0.4≦HSMD≦-0.1 (3)
-0.6≦HSTD≦-0.2 (4)
HSMD>HSTD (5)
而且本發明的脫模薄膜，用脫模層表面的接觸式三維
表面粗度計所測量的最大高度(Rmax)，為100nm以上600nm以下的範圍較佳。此外脫模層表面及不具有脫模層之側的表面之用接觸式三維表面粗度計所測量的最大高度(Rmax)，各自為100nm以上600nm以下較佳。此外脫模層係相對於脫模層的重量含有0.5質量%以上10質量%以下的界面活性劑較佳。此外縱方向的厚度斑為3.0%以下，橫方向的厚度斑為3.0%以下較佳。此外脫模層，藉由於在一方向經延伸的聚酯薄膜上塗佈脫模層形成組成物而形成較佳。
本發明的脫模薄膜，為陶瓷片製造用較佳，特別佳為陶瓷電容器製造用。
本發明係將上述脫模薄膜捲成滾筒狀之薄膜滾筒，包含滾筒表層的維氏硬度(Hv)為0以上450以下的薄膜滾筒。本發明係包括使用具備上述式(1)~(5)的特性之薄膜作為陶瓷片用的脫模薄膜之方法。
本發明中，會有將薄膜製膜的機械軸方向稱為長邊方向或縱方向的情況；此外，會有將垂直於長邊方向的方向稱為寬度方向或橫方向的情況。
本發明的脫模薄膜，係於聚酯薄膜的至少一側的面具有脫模層之脫模薄膜，於特定的載重下具有特定的伸長
率、於無載重下具有特定的熱伸長率者。以下，說明關於本發明的脫模薄膜的物性及構成。
本發明的脫模薄膜，係於脫模薄膜的長邊方向施加0.2MPa以上4.0MPa以下的張力時，於100℃之長邊方向的伸長率(SMD)為符合下述式(1)。陶瓷層/脫模薄膜複合體，通常在100℃附近的溫度下施加張力的狀態下搬運。故，藉由選擇100℃作為溫度條件，可達到更符合實際步驟的狀況判斷。
0.0961X-0.45≦SMD≦0.0961X-0.25 (1)(式(1)中，X係施加於薄膜單位面積的張力(MPa)，X表示0.2MPa以上4.0MPa以下之值)
長邊方向的伸長率(SMD)小於上述式(1)的左邊之值時，相對於陶瓷層/脫模薄膜複合體的搬運張力，薄膜的長邊方向的收縮應力變大，其結果，係長邊方向上不均勻地收縮，而引起陶瓷片的厚度斑。另一方面，長邊方向的伸長率(SMD)大於上述式(1)的右邊之值時，相對於陶瓷層/脫模薄膜複合體的搬運張力，因為薄膜的長邊方向的收縮應力小，薄膜的平坦性變差，而引起陶瓷片的厚度斑。長邊方向的伸長率(SMD)若符合上述式(1)的範圍，相對於陶瓷層/脫模薄膜複合體的搬運張力，長邊方
向的收縮應力具有適當的均衡，可抑制所得到的陶瓷片的長邊方向的厚度斑。由如此的觀點而言，本發明的脫模薄膜，於脫模薄膜的長邊方向施加0.3MPa以上2.5MPa以下的張力時，於100℃之長邊方向的伸長率(SMD)為符合上述式(1)的形態更佳。
再者，長邊方向的伸長率(SMD)及後述之寬度方向的伸長率(STD)係由下述式所計算得到。式中，M0表示昇溫開始前的薄膜的長邊方向或寬度方向的長度，M表示昇溫開始後到達100℃時的薄膜的同方向的長度。亦即，伸長率(SMD)及伸長率(STD)，負時表示薄膜收縮，正時表示薄膜伸長。
伸長率(SMD、STD)=(△M/M0)×100(%)
△M=M-M0
本發明的脫模薄膜，於脫模薄膜的寬度方向施加0.01MPa的張力時，於100℃之寬度方向的伸長率(STD)符合下述式(2)。故，藉由選擇100℃作為溫度條件，與上述同樣，可達到更符合實際步驟的狀況判斷。再者，伸長率(STD)係藉由上述式從熱處理前後的薄膜的寬度方向的長度計算得到。
-0.6≦STD≦-0.2 (2)
寬度方向的伸長率(STD)小於-0.6%時，於陶瓷層/脫模薄膜複合體的搬運步驟中，薄膜的寬度方向的收縮大，而引起陶瓷片的厚度斑。另一方面，寬度方向的伸長率(STD)大於-0.2%時，伸長率(STD)大於0(薄膜伸長)時，陶瓷層/脫模薄膜複合體因為於搬運中薄膜的寬度方向的伸長，而使薄膜的平坦性失去，而引起陶瓷片的厚度斑。此外，陶瓷層的收縮與脫模薄膜的伸長的平衡差，會產生陶瓷層部分剝離而浮起等之問題。伸長率(STD)超過-0.2%而0%以下時，陶瓷層的收縮與脫模薄膜的收縮的平衡差，而產生陶瓷層從脫模薄膜產生部分剝離而浮起等之問題。
本發明的脫模薄膜，無載重下之於100℃之長邊方向的熱伸長率(HSMD)符合下述式(3)，同時，無載重下之於100℃之寬度方向的熱伸長率(HSTD)符合下述式(4)，且，長邊方向的熱伸長率(HSMD)與寬度方向的熱伸長率(HSTD)符合下述式(5)。
-0.4≦HSMD≦-0.1 (3)
-0.6≦HSTD≦-0.2 (4)
HSMD>HSTD (5)
薄膜的長邊方向的熱伸長率(HSMD)與寬度方向的熱伸長率(HSTD)各自為上述的範圍，且，藉由使長邊方向的熱伸長率(HSMD)大於寬度方向的熱伸長率(HSTD)，於陶瓷淤漿塗佈後加熱乾燥去除陶瓷層所含有的溶劑時，取得脫模薄膜的長邊方向的收縮與寬度方向的收縮之平衡，其結果，可降低所得到的乾燥陶瓷層的厚度斑。
再者，長邊方向的熱伸長率(HSMD)、及寬度方向的熱伸長率(HSTD)，係藉由下述式計算得到。式中、L0表示熱處理前的薄膜的長邊方向或寬度方向的長度，L表示熱處理後的薄膜的同方向的長度。亦即，熱伸長率(HSMD)及熱伸長率(HSTD)，負時表示薄膜收縮，正時表示薄膜伸長。
熱伸長率(HSMD、HSTD)=(△L/L0)×100(%)
△L=L-L0
而且本發明的脫模薄膜，用脫模層表面的接觸式三維表面粗度計所測量的最大高度(Rmax)，為100nm以上600nm以下較佳。最大高度(Rmax)，更佳為200nm以上550nm以下，特別佳為300nm以上500nm以下。
最大高度(Rmax)係指依照JIS規格(B0601-2001：
表面粗度-定義及表示、B0651-2001：觸針表面粗度測量器)，從使用三維表面粗度計所計算得到的粗度曲線，去掉基準長度的部分的最大高度。最大高度(Rmax)，係輪廓曲線的最大高度(maximum height of profile)，基準長度中之輪廓曲線的波峰高度的最大值與波谷深度的最大值之和。B0651-2001所記載的觸針式表面粗度測量機(stylus instrument)，係可於表面上移動觸針而測量表面的輪廓形狀的偏差，計算參數，記錄輪廓曲線之測量機。
JIS B0601-2001係對應於ISO 4287：1997，又JIS B0651-2001為對應於ISO 3274：1996。
最大高度(Rmax)表示最大突起高度，成為陶瓷片的針孔缺點的指標。具體的而言，脫模層表面的最大高度(Rmax)超過600nm時，形成於該最大高度(Rmax)超過600nm的部分的陶瓷片的厚度變薄，結果易產生針孔缺點。另一方面，脫模層表面的Rmax低於100nm時，會有無法得到滑動性而捲取性變差、生產性變差的傾向。
亦即，本發明的脫模薄膜的脫模層表面的最大高度(Rmax)為上述數值範圍，因為表面平滑性及滑動性優異，故可抑制所得到的陶瓷片的凹凸形狀，可得到厚度斑受到抑制的陶瓷片。其結果，係使用所得到的陶瓷片製造陶瓷電容器時，可得到內部電極的位置偏移更加受到抑制的電容器。
此外，本發明的脫模薄膜，係與上述脫模層表面同
時，將不具有脫模層之側的表面用接觸式三維表面粗度計所測量的最大高度(Rmax)為100nm以上600nm以下較佳。最大高度(Rmax)，更佳為200nm以上550nm以下，特別佳為300nm以上500nm以下。
該相關的最大高度(Rmax)，係表示不具有脫模層之側的表面中的最大突起高度，成為陶瓷片的針孔缺點的指標。具體而言，不具有脫模層之側的表面的最大高度(Rmax)超過600nm時，將陶瓷淤漿進行塗佈、乾燥後捲取時，該最大高度(Rmax)超過600nm的部分壓往陶瓷片，於陶瓷片表面形成了凹部，該凹部變薄，結果針孔缺點易產生。此外，藉此雖然未達到針孔缺點，但因為陶瓷片中形成極端地薄的部分，而變成陶瓷電容器的缺點。
亦即，藉由使本發明的脫模薄膜之脫模層表面、及不具有脫模層之側的表面的最大高度(Rmax)同時位在上述數值範圍，因為表面平滑性更優異，故更抑制所得到的陶瓷片的表面凹凸形狀，可得到厚度斑更加受到抑制的陶瓷片。其結果，係使用所得到的陶瓷片製造陶瓷電容器時，可更抑制內部電極的位置偏移。此外，可抑制於陶瓷片之針孔發生，且成為陶瓷片的剝離性優良者。
再者，最大高度(Rmax)，可藉由調整過濾熔融聚合物之條件、或聚酯薄膜所含有的粒子的形態等而達成。
本發明的脫模薄膜係縱方向的厚度斑為3.0%以下較
佳，此外，本發明的脫模薄膜係橫方向的厚度斑為3.0%以下較佳。本發明之脫模薄膜，係縱方向的厚度斑與橫方向的厚度斑同時在上述數值範圍較佳。特別是藉由使用厚度斑優異的脫模薄膜，可更高度地抑制所得到的陶瓷片的厚度斑。使用如此的脫模薄膜製造陶瓷片，使用該相關的陶瓷片製造陶瓷電容器時，可得到容量更均勻的陶瓷電容器。由如此的觀點而言，縱方向的厚度斑，較佳為2.9%以下，更佳為2.5%以下，特別佳為2.0%以下。由如此的觀點而言，縱方向的厚度斑，較佳為2.8%以下，更佳為2.6%以下，特別佳為2.5%以下。
縱方向的厚度斑，可藉由縱延伸倍率而調整，此外，調整縱延伸步驟中的補助加熱溫度、延伸溫度亦重要。橫方向的厚度斑，可藉由縱延伸倍率、橫延伸倍率而調整，此外，調整橫延伸步驟中的補助加熱溫度、延伸溫度調整亦重要。
關於製造具有如上述的物性之本發明的脫模薄膜之方法，說明如下。本發明的脫模薄膜，藉由如下述之未延伸聚酯薄膜成形步驟、一次延伸步驟、線上(in line)塗佈步驟、二次延伸步驟、及熱固定步驟而製造。
得到本發明的脫模薄膜時，首先，於未延伸聚酯薄膜
成形步驟，將後述的聚酯原料擠壓成形，得到未延伸聚酯薄膜。
擠壓成形時，使用擠壓機，將藉由模具擠壓出的熔融片用冷卻滾筒進行冷卻固化而得到未延伸聚酯薄膜。此時，對於減少聚合物中的粗大粒子之目的，在熔融擠壓前，先使用由線徑15μm以下的不鏽鋼細線所成的平均網目大小為10μm以上30μm以下的不織布型過濾器，較佳為10μm以上20μm以下的不織布型過濾器，過濾熔融聚合物較佳。如上述，藉由減少聚合物中的粗大粒子的個數，可使脫模薄膜之脫模層表面、及不具有脫模層之側的表面的最大高度(Rmax)在100nm以上600nm以下的數值範圍。
而且，該相關的濾過處理後，在模具的噴嘴的前方，使用平均網目大小為10μm以上50μm以下、較佳為15μm以上30μm以下的過濾器，過濾熔融擠壓聚合物，但由可更高度地去掉聚酯的熱劣化物之觀點而言，可使最大高度(Rmax)值在更佳的數值範圍。
此外，於提昇未延伸聚酯薄膜的平面性之觀點中，提高藉由模具擠壓出的熔融片與冷卻滾筒的密著性較佳，例如較佳為採取靜電外加密著法及/或液體塗佈密著法。
於一次延伸步驟中，藉由將藉由上述的未延伸聚酯薄膜成形步驟所得到的未延伸聚酯薄膜，於長邊方向進行延
伸(以下，亦稱為縱延伸)，得到長邊方向一軸延伸聚酯薄膜。
此時，在一次延伸步驟前，預先在(Tg-10)℃以上(Tg-2)℃以下的溫度條件下預熱備用，因為可得到具有均勻的厚度，同時具有所望的長邊方向的伸長率(SMD)及熱伸長率(HSMD)之脫模薄膜而較佳。再者，此處之Tg，表示未延伸聚酯薄膜的玻璃轉化溫度(單位：℃)。
於一次延伸步驟中，將任意地施加預熱之未延伸聚酯薄膜，在(Tg+2)℃以上(Tg+40)℃以下的溫度條件下，於長邊方向以3.3倍以上4.0倍以下的範圍進行延伸。
延伸倍率小於3.3倍時，會有長邊方向的熱伸長率HSMD成為正值的傾向，亦即會有薄膜伸長的傾向而較不佳。另一方面，延伸倍率大於4.0倍時，會有長邊方向的伸長率(SMD)太小的傾向而較不佳，此外，會有長邊方向的熱伸長率(HSMD)太小的傾向而較不佳。使延伸倍率為3.3倍以上4.0倍以下，對於為了使長邊方向的伸長率(SMD)及熱伸長率(HSMD)為所望的數值範圍而言亦重要。
此外，使未延伸聚酯薄膜在(Tg+2)℃以上(Tg+40)℃以下的溫度條件下，於長邊方向以3.7倍以上4.0倍以下的範圍進行延伸，則可使縱方向的厚度斑為3.0%以下。長邊方向的延伸倍率降太低，則會有縱方向的厚度斑變差的傾向。由如此的觀點而言，長邊方向的延伸
倍率的下限，更佳為3.8倍以上。另一方面，長邊方向的延伸倍率太高，則於縱延伸步驟所得到的長邊方向一軸延伸聚酯薄膜中，因為有橫方向的厚度斑變差的傾向，此外，因為部分的配向結晶化部分被形成，故會有使脫模薄膜的橫方向的厚度斑優良這點變困難的傾向。
於線上塗佈步驟中，於長邊方向一軸延伸聚酯薄膜的至少一方的面，以線上，藉由塗佈脫模層形成組成物(以下，亦稱為塗劑)，得到具有塗膜之聚酯薄膜。亦即，脫模層係藉由於在一方向經延伸的聚酯薄膜上塗佈脫模層形成組成物而形成。
作為於線上塗佈步驟中所使用的塗劑，使用含有後述之水系的熱硬化性聚矽氧烷樹脂組成物之水性塗液較佳。
此外，作為塗佈方法，並沒有特別的限制，作為水性乳膠的塗佈方法，可使用既知的任意的塗佈技法，例如藉由輥式塗佈、噴霧塗佈、照相凹版塗佈、逆照相凹版塗佈，或，擠壓型塗佈等之方法，於一次延伸步驟所得到的長邊方向一軸延伸聚酯薄膜上塗佈塗劑。
本發明的脫模薄膜，其特徵係以線上塗佈塗劑。本發明的脫模薄膜，藉由使以線上塗佈塗劑，然後進行第二軸的延伸，再進行熱固定，而完成對於脫模薄膜的熱處理。而且，然後用線外(off line)而不施加熱。因此，可在決定作為脫模薄膜的製造的目標值之物性，特別是長邊方向
的伸長率(SMD)、寬度方向的伸長率(STD)、或長邊方向的熱伸長率(HSMD)、寬度方向的熱伸長率(HSTD)，直接維持的狀態下，使用於實際的使用。亦即，本發明的脫模薄膜因為藉由以線上塗佈塗劑，脫模薄膜製造的物性的目標值直接成為脫模薄膜的最終的物性，故成為尺寸安定性優異的脫模薄膜。
另一方面，使用一度經製膜的聚酯薄膜，以線外塗佈用於形成脫模層的塗劑之方法，係必須經由乾燥去除塗劑所有的溶劑，使成為脫模層的樹脂進行硬化之步驟。使成為脫模層的樹脂進行硬化之步驟，因為必須施加150℃附近的溫度，故以線外形成脫模層的脫模薄膜，於脫模薄膜的長邊方向及寬度方向的兩者，伸長率變大，在陶瓷層/脫模薄膜複合體的搬運步驟中薄膜伸長而較不佳。
再者，本發明的脫模薄膜中，以線上塗佈塗劑得到塗膜後，可僅藉由塗佈後的預熱、第二軸的延伸、及熱固定的各步驟所施加的熱，乾燥去除來自塗膜的溶劑，使塗劑所含有的樹脂硬化，而且，使成為脫模層的樹脂密著於聚酯薄膜。故，並不需要特別設置使塗膜乾燥硬化的步驟，因此，不需要使為了在得到尺寸安定性優異的脫模薄膜的同時得到脫模薄膜之步驟變煩雜。
此外，本發明的脫模薄膜，其特徵係以線上將塗劑塗佈於一軸延伸聚酯薄膜。藉由成為如此的形態，可更提高脫模層與聚酯薄膜的密著性。此外，調整脫模層所含有的界面活性劑的種類、及添加量變容易，可提高剝離帶電防
止性的提昇效果。
再者，塗劑的固形分濃度，0.5質量%以上30質量%以下較佳，1質量%以上15質量%以下更佳，1.5質量%以上10質量%以下特別佳。塗劑的固形分濃度低於0.5質量%時，於聚酯薄膜表面塗佈塗劑時，會有塗劑被聚酯薄膜表面彈開，無法均勻地塗佈的傾向。另一方面，超過30質量%時，會有發生所得到的脫模層產生混濁，此外，塗劑易凝膠化，塗佈的費用較高但效果反而低的問題之情況。
於二次延伸步驟中，藉由將具有藉由線上塗佈步驟所得到的塗膜之聚酯薄膜，於寬度方向進行延伸(以下，亦稱為橫延伸)，得到二軸延伸聚酯薄膜。
此時，在二次延伸步驟前，預先在(Tg+10)℃以上(Tg+30)℃以下的溫度條件下施加補助加熱，因為可充分地乾燥塗劑所含有的溶劑，然後於所進行的二次延伸步驟中均勻地進行延伸而較佳。
二次延伸步驟中，在(Tg+10)℃以上(Tg+80)℃以下，較佳為補助加熱溫度以上(Tg+70)℃以下的溫度條件下，於寬度方向以3.0倍以上5.0倍以下的範圍進行延伸。寬度方向的延伸倍率在上述數值範圍，則橫方向的厚度斑優異。寬度方向的延伸倍率太低時，會有橫方向的厚度斑變差的傾向。另一方面，寬度方向的延伸倍率太高
時，會有於製造中薄膜變得易斷裂的傾向。由如此的觀點而言，寬度方向的延伸倍率，較佳為3.5倍以上4.5倍以下，更佳為3.9倍以上4.3倍以下，特別佳為4.0倍以上4.2倍以下。
此外，本發明中，面延伸倍率(縱延伸倍率×橫延伸倍率)為15以上較佳，可使縱方向及橫方向的厚度斑更佳，面延伸倍率，更佳為16以上。
再者，本發明中一次延伸步驟的延伸倍率(以下，亦稱為縱延伸倍率)與二次延伸步驟的延伸倍率(以下，亦稱為橫延伸倍率)的關係，縱延伸倍率≦橫延伸倍率較佳。若是縱延伸倍率≦橫延伸倍率的關係，使長邊方向的伸長率(SMD)、寬度方向伸長率(STD)，及，長邊方向的熱伸長率(HSMD)、寬度方向的熱伸長率(HSTD)，控制在所望之值這點變容易。
熱固定步驟中，將藉由二次延伸步驟所得到的二軸延伸聚酯薄膜，藉由熱固定，而得到脫模薄膜。
熱固定的溫度條件，因構成聚酯薄膜之聚酯的種類而不同，但一般而言在(Tg+70)℃以上(Tm)℃以下的溫度範圍進行較佳。例如聚酯為聚對苯二甲酸乙二醇酯時，於180℃以上235℃以下的溫度範圍進行熱固定較佳。此外，聚酯為聚2,6-萘二酸乙二醇酯時，以185℃以上240℃以下的溫度範圍進行熱固定較佳。藉由於此溫度範圍進
行熱固定，可得到所望的伸長率(SMD及STD)、熱伸長率(HSMD及HSTD)。再者，此處Tm表示聚酯的熔點(單位：℃)。
此外，希望熱固定不僅在1區域實施，分成複數的區域而段階地實施，較佳為以3區域以上控制溫度進行。例如熱固定於3區域實施時，第1區域為180℃以上210℃以下，第2區域設定為高於第1區域，使其成為3區域最大的溫度。而且，使第3區域低於第2區域的溫度，設定在180℃以上200℃以下較佳。如上述可藉由使第2區域成為最高溫度，使第3區域為低於此的溫度進行熱固定，優良地保持所得到的脫模薄膜的平面性，可降低陶瓷片的厚度斑。再者，熱固定時間，並沒有特別的限定，例如以1秒以上60秒以下左右進行較佳。
此外，為了使脫模薄膜的寬度方向的熱伸長率(HSTD)成為所望之值，於熱固定步驟的最後的區域，將導軌寬度縮為2%以上5%以下左右而弛緩處理薄膜較佳。
本發明的脫模薄膜，係可在熱固定步驟之後，任意地設置冷卻步驟。藉由設置冷卻步驟，可優良地保持所得到的脫模薄膜的平面性，降低陶瓷片的厚度斑。
冷卻步驟中，使冷卻溫度為(Tg-30)℃以上(Tg+20)℃以下的範圍而實施較佳，與上述的熱固定步驟同樣，分成複數的區域進行較佳。冷卻溫度低於上述數
值範圍時，會有熱伸長率(HSMD、HSTD)皆太小的情況。另一方面，冷卻溫度高於上述數值範圍時，即使薄膜的長邊方向的中心線附近之物性在各方向皆均等，但長邊方向的側緣部則產生斜面配向變強之現象而較不佳。再者，長邊方向的側緣部成為斜面配向之現象，即使於上述的熱固定溫度的較適範圍的下限側亦可能引起，但其程度比較小。
作為形成本發明所使用的聚酯薄膜之聚酯，可為均聚酯，亦可為共聚合聚酯。
本發明所使用的聚酯薄膜由均聚酯所成時，芳香族二羧酸與脂肪族二醇進行聚縮合而得到者較佳。其中，作為所使用的芳香族二羧酸，可列舉例如對苯二甲酸、2,6-萘二甲酸等。此外，作為所使用的脂肪族二醇，可列舉例如乙二醇、二乙二醇、1,4-環己烷二甲醇等。作為本發明所使用的聚酯薄膜的代表均聚酯，可列舉聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二酸乙二醇酯(PEN)等。
另一方面，形成本發明所使用的聚酯薄膜之聚酯，為共聚合聚酯時，相對於全酸成分，以使20莫耳%以下之成為第三成分的二羧酸及/或二醇進行共聚合之共聚合物較佳。
作為成為共聚合聚酯的單體成分之二羧酸，可列舉例
如間苯二甲酸、對苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、己二酸、癸二酸、羥酸(例如P-羥基苯甲酸等)等，可使用此等的一種或二種以上。此外，作為成為共聚合聚酯的單體成分之二醇，可列舉乙二醇、二乙二醇、丙二醇、丁二醇、1,4-環己烷二甲醇、新戊二醇等，可使用此等的一種或二種以上。
作為本發明所使用的聚酯薄膜的材料，此等之中，又以80莫耳%以上、較佳為90莫耳%以上為對苯二甲酸乙二醇酯單位之聚對苯二甲酸乙二醇酯，或，80莫耳%以上、較佳為90莫耳%以上為2,6-萘二酸乙二醇酯單位之聚2,6-萘二酸乙二醇酯較佳，以聚對苯二甲酸乙二醇酯為特別佳。一般而言聚對苯二甲酸乙二醇酯之Tg，因為為78℃附近之低溫，故使用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜作為以100℃附近的溫度進行處理之陶瓷片之製造用承載薄膜時，於步驟中尺寸安定性並無特別的問題。相對於此，本發明的脫模薄膜，因為尺寸安定性優異，故即使於遠超過Tg的溫度中使用，亦可充分地發揮作為脫模薄膜的性能。
作為本發明所使用的聚酯薄膜的材料之聚酯中，主要以賦予作為薄膜時的易滑性為目的，摻合粒子較佳。作為所摻合的粒子的種類，只要是可賦予易滑性之粒子即可，並沒有特別的限制，具體而言，可列舉例如二氧化矽、碳
酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋇、硫酸鈣、磷酸鈣、磷酸鎂、高嶺土、氧化鋁、氧化鈦等之粒子。
此外，可使用如特公昭59-5216號公報、特開昭59-217755號公報等所記載之耐熱性的有機粒子。作為耐熱性有機粒子之其他例子，可列舉由聚矽氧烷樹脂、熱硬化性尿素樹脂、熱硬化性酚樹脂、熱硬化性環氧樹脂、苯並鳥糞胺樹脂等所成的粒子。而且，於聚酯的製造步驟中，可使用令觸媒等之金屬化合物的一部分沈殿、微分散之析出粒子。
用於賦予如上述的易滑性之粒子的形狀，並無特別的限制，可使用球狀、塊狀、棒狀、扁平狀等之任一者。此外，關於其硬度、比重、顏色等，亦無特別的限制。而且，此等的粒子，必要時可併用2種以上。
再者，粒子的平均粒徑，為0.1μm以上1μm以下較佳，為0.2μm以上0.5μm以下更佳。平均粒徑低於0.1μm時，會有粒子易凝聚，分散性變不足之情況。另一方面，超過1μm時，所得到的聚酯薄膜的表面粗度變太粗，使脫模薄膜之脫模層表面的最大高度(Rmax)、及不具有脫模層之側的表面的最大高度(Rmax)為100nm以上600nm以下變困難。
此外，為了賦予易滑性所摻合的粒子的含量，於聚酯薄膜中，為0.01質量%以上2質量%以下較佳，為0.01質量%以上1質量%以下為更佳。粒子的含量低於0.01質量%時，會有薄膜的易滑性變不足的傾向。另一方面，超過
2質量%時，會有薄膜表面的平滑性變不足的傾向。
作為使聚酯薄膜中含有粒子之方法，並沒有特別的限制，但可採用先前技術的方法。例如在製造聚酯之任意的段階，雖然可添加欲摻合的粒子，但在酯化的段階、或酯交換反應終了後摻合粒子，然後，進行聚縮合反應較佳。此外，使用附有通風口的混練擠壓機，摻合被分散於乙二醇或水等的粒子之淤漿與聚酯原料之方法，或，亦可使用混練擠壓機，藉由摻合經乾燥的粒子與聚酯原料之方法等進行。
本發明中之聚酯薄膜的構成，並無特別的限制，可為單層構成，亦可為層合構成。此外，為層合構成時，除了2層、3層構成以外，只要未超越本發明的要旨，可為4層或4層以上的多層。層合構成亦無特別的限制，可列舉例如A/B、A/B/A、A/B/C、A/B/A’等之層合構成。其中，A、B、C各自表示由上述聚酯所成的層，可相同，亦可為相異。A’特別是表示由與A構造類似之聚酯所成之層。
本發明中之聚酯薄膜全體的厚度，並沒有特別的限制，但較佳為9μm以上50μm以下，更佳為15μm以上38μm以下，特別佳為25μm以上31μm以下。
本發明中之脫模層，因為以乳膠而言為安定，故主要由聚矽氧烷樹脂組成物所形成較佳。聚矽氧烷樹脂組成物，係由含有1分子中至少具有2個之不飽和基或羥基的至少任一者之聚矽氧烷所成的主劑，及，由1分子中至少具有2個之直接鍵結於矽原子之氫原子之氫聚矽氧烷所成的交聯劑作為構成成分者。本發明中，塗佈含有該相關的聚矽氧烷樹脂組成物之水性塗液(塗劑)，形成塗膜，使該相關的塗膜硬化而形成脫模層。
本發明之聚矽氧烷樹脂組成物，為水系的聚矽氧烷樹脂組成物較佳。水系的聚矽氧烷樹脂組成物，因為作為乳膠時的安定性優異，結果可提高塗劑的安定性。此外，後述之界面活性劑的選擇性變廣，例如可使用含有更多羥基之界面活性劑，可提高剝離帶電防止性的提昇效果。再者，使其成為水系的塗劑，由環境面而言亦較佳。
此外，本發明中，作為使聚矽氧烷樹脂組成物進行硬化之方法，可列舉熱硬化、紫外線硬化、電子線硬化等，其中又以熱硬化較佳，亦即作為聚矽氧烷樹脂組成物，以熱硬化性聚矽氧烷樹脂組成物較佳。本發明中，如前述，於線上塗佈步驟中得到具有塗膜之聚酯薄膜，於之後的熱固定步驟中進行熱處理。聚矽氧烷樹脂組成物若為熱硬化性聚矽氧烷樹脂組成物，於該相關的熱固定步驟中使其藉由熱處理促進交聯反應，可充分地進行聚矽氧烷樹脂組成
物的硬化，可得到具有脫模性優異等之優異特性之脫模層。
由上述而言，本發明中作為聚矽氧烷樹脂組成物，以水系的熱硬化性聚矽氧烷樹脂組成物為特別佳。再者，此處之「主要」之意，係表示相對於脫模層的重量，由75質量%以上為聚矽氧烷樹脂組成物所形成。
作為聚矽氧烷樹脂組成物，可為加成聚合型(主劑係由1分子中具有至少2個不飽和基之聚矽氧烷所成時)及縮合型(主劑係由1分子中具有至少2個羥基之聚矽氧烷所成時)的任一者，但為加成聚合型時，為塗劑中含有作為觸媒之鉑者，為縮合型時，為塗劑含有作為觸媒的錫者較佳。其中，由剝離特性優異之觀點而言，以加成聚合型者較佳。此外，交聯劑，較佳為可使用同時所使用的主劑之製造者所推薦者。
以下，列舉於本發明中可適用之水系的熱硬化性聚矽氧烷樹脂組成物的具體例子。
1)Wacker Silicone(密西根州、Adrian)之水性的400E聚矽氧烷樹脂組成物，含有由聚矽氧烷、鉑觸媒，及，甲基氫聚矽氧烷所成的V20交聯劑系。
2)Dow Corning(密西根州、Midland)之水性的X2-7720聚矽氧烷樹脂組成物，由含有甲基乙烯基聚矽氧烷，及，鉑聚矽氧烷所成的X2-7721交聯劑系之甲基氫聚矽氧烷所成。
3)PCL(Phone-Poulenc Inc.，南卡羅萊納州、Rock
Hill)之水性的PC-105聚矽氧烷樹脂組成物，由含有甲基乙烯基聚矽氧烷，及，鉑聚矽氧烷所成的PC-95的觸媒成分之甲基氫聚矽氧烷所成。
4)PCL PC-107水性之聚矽氧烷樹脂組成物(與PC-105類似)，含有上述的PC-95交聯劑。
5)PCL PC-188水性之聚矽氧烷樹脂組成物(與PC-105類似)，含有上述的PC-95交聯劑。
再者，此等之水系的熱硬化性聚矽氧烷樹脂組成物，藉由加入脫離子水等適當調整固形分濃度，可作為塗劑使用。
而且，本發明之脫模層，含有矽烷偶合劑較佳。作為矽烷偶合劑，聚酯樹脂及聚矽氧烷樹脂組成物之任一者，或者具有與雙方鍵結的反應基之有機矽低分子化合物較佳，作為該相關的反應基，以具有甲氧基、乙氧基、矽烷醇基、乙烯基、環氧基、(甲基)丙烯基、胺基、氫硫基、氯基、羥基、羧基等之至少1種以上之有機矽低分子化合物較佳。
該相關的矽烷偶合劑的含量，相對於脫模層的固形分重量，為0.1質量%以上20質量%較佳，1質量%以上10質量%以下為更佳，3質量%以上7質量%以下為特別佳。藉由使含量為上述數值範圍，可提高脫模層的密著性。
本發明之脫模層，相對於脫模層的固形分重量，含有0.5質量%以上10質量%以下的界面活性劑較佳。脫模層藉由含有上述數值範圍的量之界面活性劑，可抑制在捲出滾筒狀的脫模薄膜時的剝離帶電、及從脫模薄膜剝離陶瓷片時的剝離帶電。此外，製造層合陶瓷電容器時，可抑制內部電極的位置偏移。而且，於塗劑中，藉由添加界面活性劑，相對於聚酯薄膜表面之塗劑的濕潤性變優良，其結果，塗劑的局部的彈開缺點等受到抑制，不但可得到均勻的塗膜，亦可抑制剝離陶瓷片時所發生的針孔缺點。
由如此的觀點而言，界面活性劑的含量，以脫模層的全乾燥重量為基準，更佳為1.0質量%以上7.0質量%以下，特別佳為2.0質量%以上5.0質量%以下。含量低於0.5質量%時，造成剝離帶電變高。此外，相對於聚酯薄膜表面，會有塗劑的濕潤性變不足的傾向。另一方面，超過10質量%時，會有相對於陶瓷片之剝離力變成重剝離的傾向，而較不佳。
作為界面活性劑，可列舉離子系界面活性劑(陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、兩性離子系界面活性劑)、及非離子系界面活性劑(nonionic surfactant)，其中又以非離子系界面活性劑較佳。使用陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、兩性離子系界面活性劑等之離子系界面活性劑時，此等的界面活性劑相對於用於形成脫模層之聚矽氧烷樹脂組成物而言變成觸媒毒，會有聚矽
氧烷樹脂組成物未充分地硬化的情況。
作為非離子系界面活性劑，可列舉聚氧化乙烯型、多元醇脂肪酸酯型、多元醇烷基醚型、含氮型等之界面活性劑、及非離子系的聚矽氧烷系界面活性劑、非離子系的氟系界面活性劑等。
作為聚氧化乙烯型界面活性劑，可列舉聚(氧化乙烯)烷基醚、聚(氧化乙烯)烷基苯基醚、聚(氧化乙烯)聚(氧化丙烯)烷基醚、聚(氧化乙烯)脂肪酸酯、聚(氧化乙烯)山梨糖醇酐脂肪酸酯等。其中，作為聚(氧化乙烯)烷基醚，又較佳為聚氧化乙烯月桂基醚、聚氧化乙烯肉豆蔻基醚、聚氧化乙烯鯨蠟基醚、聚氧化乙烯硬脂醯醚、聚氧化乙烯油醯基醚等之具有碳數12以上的烷基的聚(氧化乙烯)烷基醚。該相關的烷基，可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。作為多元醇脂肪酸酯型界面活性劑，可列舉丙二醇脂肪酸酯、甘油脂肪酸酯、聚甘油脂肪酸酯、山梨糖醇酐脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯等。作為多元醇烷基醚型界面活性劑，可列舉烷基聚葡萄糖苷等。作為含氮型界面活性劑，可列舉烷基二乙醇醯胺、烷基胺氧化物等。
作為聚矽氧烷系界面活性劑，可列舉聚醚改性聚矽氧烷、聚甘油改性聚矽氧烷等。此外，作為該相關的改性聚矽氧烷的構造，分類為側鏈變形型、兩末端改性型(ABA型)、單末端改性型(AB型)、兩末端側鏈改性型、直鏈嵌段型(ABn型)、支鏈型等，但可為任一結構。
作為本發明之界面活性劑，其中，又以聚氧化乙烯型界面活性劑、聚矽氧烷系界面活性劑較佳。此等，較不易變成聚矽氧烷樹脂組成物的觸媒毒，此外可表現出充分的濕潤性。特別佳為聚矽氧烷系界面活性劑，更不易變成觸媒毒，可為脫模特性更優異者，此外可更提高剝離帶電防止性的提昇效果。
再者，本發明之脫模層的厚度(亦即乾燥後的厚度)，並沒有特別的限制，但較佳為20nm以上90nm以下。一般而言，低於20nm，發揮輕剝離力等之作為脫模層的效果變困難，另一方面，超過90nm時，費用高但所得到的效果反而變少。
本發明的脫模薄膜，可作為樹脂片、陶瓷片等之片成形用薄膜，或，標簽用、醫療用、事務用品用等之黏著用薄膜之分離器使用。
特別是本發明的脫模薄膜，因為充分地符合陶瓷片製造時對於脫模薄膜所要求的性能，故適合作為陶瓷片製造用的承載薄膜使用。使用本發明的脫模薄膜製造陶瓷片，則可精度佳地得到薄膜的陶瓷片，此外，所得到的薄膜的陶瓷片，可適用於隨著小型化‧大容量化而要求內部電極的多層化之層合陶瓷電容器。
再者，陶瓷片的製造時，將所準備的陶瓷淤漿，塗佈於本發明的脫模薄膜的脫模層表面，可乾燥去除陶瓷淤漿
所含有的溶劑。此外，作為陶瓷淤漿的塗佈方法，並沒有特別的限制，可使用先前技術的塗佈方法。例如可使手將使陶瓷粉體與黏合劑等分散於溶劑的陶瓷淤漿，藉由逆輥法塗佈，藉由加熱乾燥去除溶劑之方法。作為所使用的黏合劑，並沒有特別的限制，例如可使用聚乙烯丁縮醛等。此外，作為所使用的溶劑，並沒有特別的限制，例如可使用乙醇、甲苯等。
本發明的薄膜滾筒，將上述所得到的脫模薄膜捲取於滾筒狀者。作為脫模薄膜滾筒，可為藉由上述的脫模薄膜的製造步驟直接得到的母滾筒，亦可為由該相關的母滾筒切割成顧客要求的寬度及長度之切割滾筒(slit roll)。
本發明的薄膜滾筒，係滾筒表層的維氏硬度(Hv)為0以上450以下。藉由使滾筒表層的維氏硬度(Hv)在上述數值範圍，可得到平坦性優異的脫模薄膜。此外，脫模薄膜滾筒中，不易產生捲取偏移或皺褶。
維氏硬度，係將使用對面角為136度的鑽石四角垂壓頭，將於試験面造成角錐型的坑窪時的載重，除以由永久坑窪對角線的長度所計算得到的表面積之商數，以下述式計算出。
Hv=(2‧P‧sin(α/2))/d2
P：載重(kg)、d：坑窪的對角線的長度的平均
(mm)、α：對面角
因為α=136度，故上式係如下述。
Hv=1.854×P/d2
一般而言，將薄膜捲成滾筒狀，則薄膜厚度為厚的部分，隨著捲取徑增大而捲緊，會有成為所謂帶狀缺點的情況。該相關的部分中，造成薄膜伸長，薄膜的平坦性受損。此傾向，係隨著滾筒表層的維氏硬度(Hv)變高而變得更顯著。亦即，滾筒表層的維氏硬度(Hv)超過450時，捲得太緊，而成為薄膜的伸長太大，薄膜的平坦性亦劣者。由如此的觀點而言，滾筒表層的維氏硬度(Hv)的上限，較佳為430以下，更佳為420以下，特別佳為410以下。另一方面，滾筒表層的維氏硬度(Hv)太低時，會有變得易產生捲取偏移的傾向，但在不會產生如此問題下愈低愈好。由如此的觀點而言，滾筒表層的維氏硬度(Hv)的下限，較佳為340以上，更佳為360以上，特別佳為380以上。
如上述的滾筒表層的維氏硬度(Hv)，可藉由捲取脫模薄膜時捲取張力或隙壓(nip pressure)等之捲取條件而達成。
作為捲取張力，必須使初期張力為49N/m以下。藉由使初期張力為上述數值範圍，可使滾筒表層的維氏硬度
(Hv)為450以下。此外，捲取中之捲入空氣量為適度的量，可降低薄膜的厚度斑的影響，亦即可抑制捲緊，平坦性更優異，此外可抑制捲取偏移。初期張力太高時，會有滾筒表層的維氏硬度(Hv)變太高的傾向。此外，會有捲取中之捲入空氣量變少的傾向，而會有平坦性差的傾向。由如此的觀點而言，初期張力的上限，較佳為48N/m以下，更佳為47N/m以下。另一方面，初期張力降過低時，會有捲取變不安定，薄膜易變成蛇行的傾向，會有滾筒端面變得不整齊，皺褶發生，切割變不良之傾向，但在不會產生此等的問題下愈低愈好。由如此的觀點而言，初期張力的下限，較佳為30N/m以上。再者，該相關的初期張力，係表示將實質上成為製品之脫模薄膜開始捲成滾筒狀時的張力，並非一定表示開始捲於卷芯後的張力。亦即，一般而言，為了減少卷芯表面的異物或傷等的影響之目的，使用令開始捲於卷芯後直到數m乃至數十m的長度為止的捲取張力特別高之手法，並非表示如此部分中之捲取張力。
此外，施加張力錐度(tension taper)，必須對於初期張力降低最後張力。具體而言，必須使相對於初期張力之最後張力的比率(張力錐度率)為80%以下。藉由使張力錐度率在上述數值範圍，可在降低滾筒表層的維氏硬度(Hv)下，抑制捲取偏移。張力錐度率太高時，會有滾筒表層的維氏硬度(Hv)變太高的傾向。由如此的觀點而言，張力錐度率的上限，較佳為70%以下，更佳為60%以
下。另一方面，由滾筒硬度的觀點而言，張力錐度率低較佳，但張力錐度率太低時，最後張力變太低，會有變得易產生滾筒端面偏移等之問題的傾向。由如此的觀點而言，張力錐度率的下限，較佳為30%以上。本發明中，從初期張力至最後張力為止之間，只要在捲取張力不超過49N/m，亦可有捲取張力增加的部分，於滾筒的主要部分中，以使捲取張力連續地漸減之形態較佳，以一定的比例使其連續地漸減之形態較佳。藉由使張力錐度成為如上述的形態，於滾筒中，可使捲取方向的內部應力經常為0以上，可抑制橫方向的折皺狀缺點(T-BAR)或間隙等之不佳狀況。再者，其中，滾筒之主要部分，係表示於滾筒徑方向，距離卷芯的表層為5mm以上外側，且距離滾筒的表層為5mm以上內側的部分。
由如上述的初期張力及張力錐度率而言，最後張力必須為39N/m以下。藉由使最後張力在上述數值範圍，可使滾筒表層的維氏硬度(Hv)為450以下。最後張力太高時，會有滾筒表層的維氏硬度(Hv)變太高的傾向。由如此的觀點而言，最後張力的上限，較佳為38N/m以下，更佳為30N/m以下。另一方面，由滾筒硬度的觀點而言，最後張力低較佳，但最後張力太低時，會有捲取變不安定，薄膜變得易蛇行的傾向，會有滾筒端面偏移等之問題易產生的傾向。由如此的觀點而言，最後張力的下限，較佳為10N/m以上，更佳為15N/m以上。
隙壓，必須使初期隙壓為200N/m以下。藉由使初期
隙壓在上述數值範圍，可使滾筒表層的維氏硬度(Hv)為450以下。此外，捲取中之捲入空氣量成為適度量，可降低薄膜的厚度斑的影響，亦即可抑制捲緊，平坦性更優異，此外可抑制捲取偏移。初期隙壓太高時，會有滾筒表層的維氏硬度(Hv)變太高的傾向。此外，會有捲取中之捲入空氣量變少的傾向，而會有平坦性差的傾向。由如此的觀點而言，初期隙壓的上限，較佳為180N/m以下，更佳為160N/m以下，特別佳為120N/m以下。另一方面，初期隙壓太低時，會有捲取變不安定的傾向，會有捲取偏移或皺褶變得易發生的傾向。由如此的觀點而言，初期隙壓的下限，較佳為50N/m以上，更佳為80N/m以上。
此外，隙壓錐度，不增添亦可，但藉由以-10%以上10%以下的隙壓錐度率增添隙壓錐度，可抑制皺褶或疙瘩的發生、滾筒的端面偏移。
由如上述的初期隙壓及隙壓錐度率，最終隙壓為220N/m以下即可，但最終隙壓太高時，會有滾筒表層的維氏硬度(Hv)變太高的傾向。由如此的觀點而言，最終隙壓的上限，較佳為170N/m以下，更佳為150N/m以下，特別佳為140N/m以下。另一方面，最終隙壓太低時，會有捲取變不安定的傾向。由如此的觀點而言，最終隙壓的下限，較佳為50N/m以上，更佳為70N/m以上，特別佳為90N/m以上。
以下，列舉實施例及比較例更具體地說明本發明，但本發明只要未超越其要旨，並不限定於此等。
實施例及比較例中，關於以下的項目，藉由以下的方法實施各測量‧評估。
使用島津製作所製、商品名：CP-50型離心式粒度分析器(Centrifugal Particle Size Analyzer)進行測量。由以藉由測量所得到的離心沈降曲線為基礎所算出的各粒徑的粒子、與其存在量的累積曲線，讀取相當於50質量百分比的粒徑之「等價球直徑」，將此值作為粒子的平均粒徑(單位：μm)(Book「粒度測量技術」日刊工業新聞發行、1975年、頁242~頁247參照)。
依據JIS規格(B0601：表面粗度-定義及表示、B0651：觸針表面粗度測量器)，藉由3次元表面粗度計(小坂研究所公司製、商品名：SE-3AK)，以倍率：2萬倍、掃描間距：2μm、掃描長度：1mm、掃描條數：100條、截止(cut-off)：0.25mm的條件，計算得到其面積的最大高度，測量10處的結果的平均值作為Rmax(單
位：nm)。
使用TMA(Seiko Instruments(股)製、商品名：SS6000)，於濕度：50%RH下，以試樣寬度：4mm、夾頭(chuck)間距：20mm，於長邊方向施加每單位面積各為0.3MPa、1.0MPa、2.5MPa的載重，從開始溫度：30℃，以昇溫速度：10℃/分鐘使其昇溫，從達到100℃時的薄膜的伸縮舉動，以下述式計算得到於0.3MPa、1.0MPa、2.5MPa的各載重條件下的伸長率(SMD)(單位：%)。同樣於寬度方向施加0.01MPa的載重實施測量，計算得到於該相關的載重條件下之伸長率(STD)(單位：%)。再者，伸長率(SMD、STD)，係對各10片的試料測量，計算其平均值。
伸長率(SMD、STD)=(△M/M0)×100(%)
△M=M-M0
上述式中，M0表示熱處理前的薄膜的長邊方向或寬度方向的長度，M表示熱處理後的薄膜的同方向的長度。亦即，伸長率(SMD)及伸長率(STD)，負時表示薄膜收縮，正時表示薄膜伸長。
在被設定於溫度100℃的烘箱中，懸垂預先測量正確的長度之長度約30cm四方的薄膜試樣，在無載重下進行30分鐘保持處理。30分鐘經過後，從烘箱取出薄膜試樣，回復至室溫後，測量其尺寸變化，以下述式計算得到熱伸長率(HSMD、HSTD)(單位：%)。再者，伸長率(HSMD、HSTD)，係對10片的試料各自採集數據，計算其平均值。
熱伸長率(HSMD、HSTD)=(△L/L0)×100(%)
△L=L-L0
上述式中，L0表示熱處理前的薄膜的長邊方向或寬度方向的長度，L表示熱處理後的薄膜的同方向的長度。亦即，熱伸長率(HSMD)及熱伸長率(HSTD)、負時表示薄膜收縮，正時表示薄膜伸長。
(條件1)於脫模薄膜的脫模層側之面，將由下述組成所成的陶瓷淤漿用擠壓式塗佈(die coater)塗佈，形成乾燥後的厚度成為5μm之陶瓷層，捲取200m。
(條件2)準備寬度450mm、長度2,000m的脫模薄膜的滾筒。於該相關的脫模薄膜之脫模層側的表面，將由下述組成所成的陶瓷淤漿，使用擠壓式塗佈，以60m/分鐘的薄膜搬運速度進行塗佈，形成乾燥後的厚度成為5μm
的陶瓷層，得到長度1,900m的陶瓷層/脫模薄膜複合體，捲成滾筒狀。
然後，由條件1及2所得到的陶瓷層/脫模薄膜複合體中，藉由從脫模薄膜剝離陶瓷層而得到陶瓷片。對於所得到的陶瓷片(測量對象面積：1m2)的兩面，使用掃描型雷射顯微鏡(LASERTEC公司製)進行表面觀察，依下述的評估基準實施表面平滑性的評估。
‧鈦酸鋇(富士鈦公司製、平均粒徑：0.7μm)：100份
‧聚乙烯丁縮醛樹脂(積水化學公司製、商品名：S-LEC BM-S)：30份
‧可塑劑(苯二甲酸二辛酯)：5份
‧甲苯/乙醇混合溶劑(混合比率：6：4)：200份
○：深度0.5μm以上的陷坑(凹陷)為2個/m2以下
(實用上，無問題的程度)
△：深度0.5μm以上的陷坑(凹陷)為超過2個/m2
(實用上，會有成為問題之情況的程度)
×：深度0.5μm以上的陷坑(凹陷)為6個/m2以上
(實用上，無問題的程度)
實施上述(5)(條件2)的評估時，測量捲出脫模薄膜的滾筒時的剝離帶電量。距離從滾筒剛捲出的後的脫模薄膜表面(滾筒中，捲取內側的表面)，在垂直上方之距離5cm的位置，設置集中電位測量器(春日電機(股)製、商品名：靜電電位測量器SV-10)，於溫度：22℃、濕度：44%RH的氣體環境下測量剝離帶電量。捲出脫模薄膜的滾筒的全長2,000m之間，每100m，測量至少15處剝離帶電量，將此等的平均值作為脫模薄膜的剝離帶電量(單位：kV)。或，藉由下述的評估基準實施評估。
○：剝離帶電量為2.0kV以下(剝離帶電良好)
×：剝離帶電量超過2.0kV(剝離帶電不良)
用與上述(5)(條件2)同樣的方法，得到陶瓷層/脫模薄膜複合體。於所得到的陶瓷層/脫模薄膜複合體的陶瓷層的表面，藉由網版印刷法，形成膜乾燥後的厚度為3μm之經圖型化的Ni電極印刷層，作為金屬。接著，將所得到的金屬膜/陶瓷層/脫模薄膜複合體，裁剪成300mm×300mm的大小，得到片狀的試樣。關於所得到的片狀的
試樣，以20m/分鐘的剝離速度，從脫模薄膜剝離金屬膜/陶瓷層複合體，測量該相關的剝離之剝離帶電量。經剝離的金屬膜/陶瓷層複合體之距離陶瓷層的表面為5cm的位置，設置集中電位測量器(春日電機(股)製、商品名：靜電電位測量器SV-10)，於溫度：22℃、濕度：44%RH的氣體環境下測量剝離帶電量。測量係對片狀的試樣100片實施，此等的平均值作為陶瓷片的剝離帶電量(單位：kV)，或，藉由下述的評估基準實施評估。
○：剝離帶電量為20kV以下(剝離帶電良好)
×：剝離帶電量為超過20kV(剝離帶電不良)
關於上述(7)中片狀的試樣，從脫模薄膜剝離金屬膜/陶瓷層複合體時，該相關的剝離的狀況藉由下述的評估基準實施評估。
◎：剝離力適度，金屬膜/陶瓷層未斷裂，未看到陶瓷層的殘存於脫模薄膜(實用上完全無問題的程度)
○：剝離力稍重，或金屬膜/陶瓷層看到稍微的斷裂，或看到陶瓷層的稍微殘存於脫模薄膜(實用上完全無問題的程度)
×：剝離力過重，金屬膜/陶瓷層看到斷裂，看到陶瓷層的殘存於脫模薄膜(實用上有問題的程度)
於上述(5)(條件1)所得到的陶瓷片的上，層合經圖型印刷的Ni電極印刷層(乾燥後的厚度為3μm)。使用所得到的陶瓷片/電極層合體，以單側的端部為基準層合10層，對於此時的電極印刷層的位置偏移的程度，藉由下述的評估基準實施位置偏移評估。
◎：位置偏移為低於200μm(實用上完全無問題的程度)
○：位置偏移為200μm以上且低於400μm(實用上無問題的程度)
×：位置偏移為400μm以上(實用上有問題的程度)
將用與上述(7)同樣的方法所得到之裁剪及剝離後的金屬膜/陶瓷層複合體，使用藉由CCD相機檢測出位置之方式的疊膜機層合10層，得到層合體。關於所得到的層合體，以第1層的金屬膜/陶瓷層複合體作為基準，各層的偏移量，用顯微鏡測量，所得到的值作為位置偏移(單位：μm)。評估係藉由下述的評估基準實施。再
者，層合係剝離脫模薄膜後，馬上實施。
◎：位置偏移為低於200μm(實用上完全無問題的程度)
○：位置偏移為200μm以上且低於400μm(實用上無問題的程度)
×：位置偏移為400μm以上(實用上有問題的程度)
依據JIS Z2244(1961)的手法用以下的方法測量。測量係於實施例所得到的脫模薄膜滾筒的表層，去除距離端面5mm的部分，在寬度方向測量10處，將最大值作為滾筒表層的維氏硬度(Hv)。
關於於實施例所得到的脫模薄膜滾筒，端面的捲取偏移的狀況，藉由下述的評估基準進行評估。
◎：捲取偏移為1mm以下(可完全無問題地適切地使用之程度)
○：捲取偏移為超過1mm且2mm以下(可無問題地使用之程度)
△：捲取偏移為超過2mm且3mm以下(有稍微的問
×：捲取偏移為超過3mm(有問題而無法使用之程度)
從脫模薄膜滾筒，採集長度2m的薄膜試樣，捲於滾筒時使滾筒的表面側之側往上，水平地攤開在平坦的台上。10分靜置後，觀察薄膜試樣的全表面，測量殘留於該表面之皺褶(flute、薄膜浮出高於上述台的部分)的長度(單位：cm)，將合計除以測量面積(單位：m2)而算出平坦度(單位：cm/m2)。平坦性的評估，藉由下述的評估基準實施。
◎：平坦度為28cm/m2以下(實用上完全無問題的程度)
○：平坦度為超過28cm/m2、33cm/m2以下(實用上無問題的程度)
×：平坦度為超過33cm/m2(實用上有問題的程度)
使用測微計(Anritsu(股)製、商品名「K-402B」
型)，於薄膜的縱方向以10cm間隔測量10處，該相關的縱方向10處的測量，係於橫方向以10cm間隔測量10列、全部為100處的薄膜厚度，計算出所得到的100處的薄膜厚度的平均值作為薄膜厚度(單位：μm)。
接著，使用電子測微計(Anritsu(股)製、商品名「K-312A」型，以針壓30g、進行速度25mm/秒，於薄膜的縱方向1m、橫方向450mm的長度範圍進行測量，得到連續厚度圖表。從所得到的圖表，讀取縱方向、橫方向各自的最大厚度(單位：μm)與最小厚度(單位：μm)，配合上述的薄膜厚度，由下述式計算得到厚度斑(單位：%)。
厚度斑(%)=((最大厚度-最小厚度)/薄膜厚度)×100
對於用上述(5)(條件2)所得到的陶瓷層/脫模薄膜複合體，使用測微計(Anritsu(股)製、商品名「K-402B」型)測量厚度，接著完全地剝離經測量厚度之處的陶瓷層，於同一處所中再度測量厚度，將此等相差的數值當作陶瓷片厚度而計算。該相關的操作，係於縱方向以1m間隔測量10處，該相關的縱方向10處的測量，係於橫方向以1cm間隔測量10列、全部為100處的薄膜實施，將所得到的100處的陶瓷片厚度的平均值作為陶瓷片厚度(單位：μm)。
接著，上述100處的測量中，最大者作為最大厚度
(單位：μm)、最小者作為最小厚度(單位：μm)，由下述式計算得到厚度斑(單位：%)。
厚度斑(%)=((最大厚度-最小厚度)/陶瓷片厚度)×100
評估係藉由下述的評估基準實施。
◎：厚度斑為2.0%以下(厚度斑非常優異，實用上完全無問題的程度)
○：厚度斑為超過2.0%、3.0%以下(厚度斑優異，實用上無問題的程度)
×：厚度斑為超過3.0%(厚度斑差，實用上有問題的程度)
於對苯二甲酸甲二醇酯100份與乙二醇70份之混合物中，添加作為酯交換觸媒之乙酸錳‧4水鹽，使所得到的聚酯中之錳的元素量成為80ppm，一邊將內溫從150℃慢慢地提高一邊進行酯交換反應。在酯交換反應變成95%時，添加作為安定劑之亞磷酸0.01份，充分攪拌後，添加三氧化銻0.03份。接著，於混入系統內的水充分地蒸餾出後，添加作為內添填充劑(易滑劑)之平均粒徑
0.6μm的合成碳酸鈣粒子，使其相對於所得到的聚酯的質量成為0.2質量%，充分地攪拌。接著，將反應生成物移至聚合反應器，藉由於高溫真空下(最終內溫295℃)進行聚縮合，得到固有黏度0.65(35℃、鄰氯酚中)的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物。
藉由於88.5份的脫離子水、10份的聚矽氧烷乳膠400E(Wacker Silicones公司製、添加具有聚矽氧烷：乙烯基之甲基聚矽氧烷、交聯劑時，併用用於防止與鉑觸媒之早熟的反應之禁止劑)、1份的交聯劑V72(Wacker Silicones公司製、甲基氫聚矽氧烷之乳膠，於甲基矽氧烷之中與雙鍵反應)中，添加0.5份的矽烷偶合劑(信越聚矽氧烷公司製、商品名：KBM-403)而得到塗劑。再者，固形分重量為5質量%。
將上述所得到的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物，以170℃乾燥5小時，使聚合物的水分率成為0.05質量%為止。接著，將經乾燥的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物供給至擠壓機，以熔融溫度280~300℃進行熔融擠壓，使用平均網目大小11μm的鋼線過濾器進行高精度過濾後，使用擠壓模具，藉由用靜電密著法使其接觸冷卻轉筒令其急冷，得到厚度450μm的未延伸聚酯薄膜。
將所得到的未延伸聚酯薄膜，以75℃預熱，接著，於低速‧高速的滾筒之間以薄膜溫度105℃在長邊方向延伸3.6倍，然後，藉由急冷而得到長邊方向(縱方向)延伸聚酯薄膜。
接著，於所得到的長邊方向延伸聚酯薄膜，塗佈上述所調製的塗劑，使乾燥後的厚度成為40nm，得到具有塗膜之聚酯薄膜。
接著，將所得到之具有塗膜的聚酯薄膜供給定型機(STENTER)，於105℃、115℃的2區域中，各自預備加熱2秒後，於120℃、130℃、145℃、155℃的4區域中，各自均勻地延伸2秒，合計為垂直於長邊方向的方向(寬度方向)的延伸倍率(橫延伸倍率)成為4.1倍，製成二軸延伸聚酯薄膜。
針對所得到的二軸延伸聚酯薄膜，於210℃、225℃、195℃的3區域，實施各自2秒、合計6秒的熱固定，於最後的195℃的熱固定區域，藉由於長邊方向與垂
直的方向(寬度方向)實施2.5%的弛緩處理，得到全厚度31μm的脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估。結果列示於表1。
於二次延伸步驟，除了使垂直於長邊方向的方向(寬度方向)的延伸倍率為4.5倍，熱固定步驟的第3區域中之弛緩量為4.0%以外，與實施例1同樣作法而得到脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表1。
於脫模薄膜的製造中，除了不以線上塗佈由水系的熱硬化型聚矽氧烷組成物所成的脫模劑塗液以外，與實施例1同樣作法，得到不具有脫模層的二軸延伸聚酯薄膜。
此外，於加成型聚矽氧烷系化合物(東芝聚矽氧烷公司製、商品名：TPR-6721)的甲苯溶液(固形分濃度：3質量%)中，加入Pt觸媒(東芝聚矽氧烷公司製、商品名：CM670)，使其相對於加成型聚矽氧烷型化合物的固形分100質量份成為1質量份，調製脫模劑塗液。
接著，將上述所得到之不具有脫模層的二軸延伸聚酯薄膜滾筒捲出，被捲出的二軸延伸聚酯薄膜之垂直於長邊方向的方向(寬度方向)中之中央部上，塗佈上述之經調整的脫模劑塗液，使塗佈量為(wet)6g/m2，使用下方及
上方的空氣流吹出口的間隔各自為38cm的空氣浮上搬運式乾燥裝置，以搬運張力：2,000kPa、乾燥溫度：160℃使其乾燥16秒而形成脫模層，得到脫模層的乾燥硬化後的重量為0.2g/m2的脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表1。
於一次延伸步驟中，除了使長邊方向(縱方向)的延伸倍率為3.0倍以外，與實施例1同樣作法，得到脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表1。
除了於一次延伸步驟中除了長邊方向(縱方向)的延伸倍率為4.8倍，於二次延伸步驟中垂直於長邊方向的方向(寬度方向)的延伸倍率為3.0倍以外，與實施例1同樣作法而得到脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表1。
與實施例1同樣作法，得到固有黏度0.65(35℃、鄰氯酚中)的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物。
藉由於87份的脫離子水中，攪拌下，添加作為主劑之10份的聚矽氧烷乳膠400E(Wacker Silicones公司製、添加具有聚矽氧烷：乙烯基之甲基聚矽氧烷、交聯劑時，併用用於防止與鉑觸媒之早熟的反應之禁止劑，固形分濃度50質量%)、1份的交聯劑V72(Wacker Silicones公司製、甲基氫聚矽氧烷的乳膠，於甲基矽氧烷之中與雙鍵反應，固形分濃度50質量%)、0.3份的矽烷偶合劑(信越聚矽氧烷(股)製、商品名：KBM-403)，及，作為非離子系的界面活性劑之0.15份的聚氧化乙烯油醯基醚(花王(股)製、商品名：Emulgen 404)(S1成分)而得到塗劑。再者，塗劑的固形分重量為6.0質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：84.1質量%
交聯劑：8.4質量%
矽烷偶合劑：5.0質量%
界面活性劑：2.5質量%
將上述所得到的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物，以170℃乾燥5小時，使聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物的水分率成為0.05質量%以下為止，接著，將經乾燥的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物供給至擠壓機，於熔融溫度280~300℃進行熔融擠壓，使用平均網目大小11μm的鋼線過濾器進行高精度過濾後，藉由模具進行擠壓製成熔融片，藉由將該相關的熔融片用靜電密著法接觸於冷卻轉筒令其急冷，得到厚度450μm的未延伸聚酯薄膜。
使用所得到的未延伸聚酯薄膜，與實施例1同樣作法，得到長邊方向一軸延伸聚酯薄膜。
接著，於所得到的長邊方向一軸延伸聚酯薄膜，藉由塗佈上述所調製的塗劑，使得到的脫模薄膜中之脫模層的厚度成為40nm，得到具有塗膜之聚酯薄膜。再者，塗劑的塗佈，係在於未延伸聚酯薄膜成形步驟中未接觸冷卻轉筒之面上實施。
接著，將具有所得到的塗膜之聚酯薄膜供給至定型機，與實施例1同樣作法，製成二軸延伸聚酯薄膜。
針對所得到的二軸延伸聚酯薄膜，與實施例1同樣作法，得到全厚度31μm的脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估。結果列示於表2。
各步驟中的各條件如下述以外，與實施例3同樣作法而得到脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表2。
作為界面活性劑，使用0.06份的非離子系的聚矽氧烷系界面活性劑之聚氧化乙烯‧甲基聚矽氧烷共聚合物(日本乳膠(股)製、商品名：EMALEX SS-5051)(S2成分)，取代聚氧化乙烯油醯基醚。再者，塗劑的固形分重量為6.0質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：85.4質量%
交聯劑：8.5質量%
矽烷偶合劑：5.1質量%
界面活性劑：1.0質量%
使橫延伸倍率為4.5倍。
使弛緩處理中的弛緩量為4.0%。
於各步驟之各條件如下述以外，與實施例4同樣作法而得到脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表2。
作為界面活性劑，使用0.15份的非離子系的聚矽氧烷系界面活性劑之聚氧化乙烯‧甲基聚矽氧烷共聚合物(日本乳膠(股)製、商品名：EMALEX SS-5051)(S2成分)。再者，塗劑的固形分重量為6.0質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：84.1質量%
交聯劑：8.4質量%
矽烷偶合劑：5.0質量%
界面活性劑：2.5質量%
於各步驟之各條件如下述以外，與實施例4同樣作法
而得到脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表2。
作為界面活性劑，使用0.3份的非離子系的聚矽氧烷系界面活性劑之聚氧化乙烯‧甲基聚矽氧烷共聚合物(日本乳膠(股)製、商品名：EMALEX SS-5051)(S2成分)。再者，塗劑的固形分重量為6.2質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：82.0質量%
交聯劑：8.2質量%
矽烷偶合劑：4.9質量%
界面活性劑：4.9質量%
於各步驟之各條件如下述以外，與實施例4同樣作法而得到脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表2。
作為界面活性劑，使用0.6份的非離子系的聚矽氧烷系界面活性劑之聚氧化乙烯‧甲基聚矽氧烷共聚合物(日本乳膠(股)製、商品名：EMALEX SS-5051)(S2成
分)。再者，塗劑的固形分重量為6.5質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：78.1質量%
交聯劑：7.8質量%
矽烷偶合劑：4.7質量%
界面活性劑：9.4質量%
各步驟中之各條件如下述以外，與實施例4同樣作法而得到脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表2。
未使用界面活性劑，再者，塗劑的固形分重量為5.9質量%，此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：86.2質量%
交聯劑：8.6質量%
矽烷偶合劑：5.2質量%
界面活性劑：0質量%
使縱延伸倍率為3.0倍。
各步驟中之各條件如下述以外，與比較例4同樣作法而得到脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表2。
使縱延伸倍率為4.8倍。
使橫延伸倍率為3.0倍。
除了不塗佈塗劑外，與實施例3同樣作法，得到不具有脫模層之二軸延伸聚酯薄膜。
接著，於加成型聚矽氧烷系化合物(東芝聚矽氧烷(股)製、商品名：TPR-6721)的甲苯溶液(固形分濃度：3質量%)中，加入Pt觸媒(東芝聚矽氧烷(股)製、商品名：CM670)，使其相對於加成型聚矽氧烷型化合物的固形分100質量份成為1質量份，調製脫模劑塗液。再者，此脫模劑塗液中未含界面活性劑。
接著，將上述所得到之不具有脫模層的二軸延伸聚酯薄膜滾筒捲出，被捲出的二軸延伸聚酯薄膜之寬度方向中之中央部上，塗佈上述所調製的脫模劑塗液，使塗佈量為
(wet)6g/m2，使用下方及上方的空氣流吹出口的間隔各自為38cm的空氣浮上搬運式乾燥裝置，以搬運張力：2,000kPa、乾燥溫度：160℃、乾燥時間：16秒使其乾燥而形成脫模層，得到脫模層的乾燥硬化後的重量為0.2g/m2的脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表2。再者，脫模劑塗液的塗佈，係於未延伸聚酯薄膜成形步驟中未接觸冷卻轉筒之面上實施。
與實施例1同樣作法，得到固有黏度0.65(35℃、鄰氯酚中)的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物。
與實施例3同樣作法，得到塗劑。再者，塗劑的固形分重量為6.0質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：84.1質量%
交聯劑：8.4質量%
矽烷偶合劑：5.0質量%
界面活性劑：2.5質量%
使用上述所得到的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物，與實施例3同樣作法，得到厚度450μm的未延伸聚酯薄膜。
使用所得到的未延伸聚酯薄膜，與實施例1同樣作法，得到長邊方向一軸延伸聚酯薄膜。
接著，於所得到的長邊方向一軸延伸聚酯薄膜，藉由塗佈上述所調製的塗劑，使得到的脫模薄膜中之脫模層的厚度成為40nm，得到具有塗膜之聚酯薄膜。再者，塗劑的塗佈，係在於未延伸聚酯薄膜成形步驟中未接觸冷卻轉筒之面上實施。
接著，將具有所得到的塗膜之聚酯薄膜供給至定型機，與實施例1同樣作法，製成二軸延伸聚酯薄膜。
針對所得到的二軸延伸聚酯薄膜，與實施例1同樣作法，得到全厚度31μm的脫模薄膜。使用此處所得到的脫模薄膜作為切割前的脫膜薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
捲取條件，係初期張力47N/m、張力錐度率60%(一定)、隙壓150N/m、隙壓錐度率100%、速度180m/分鐘，得到450mm寬度2,000m長的脫模薄膜滾筒。針對所得到的脫模薄膜滾筒，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
此外，距離所得到的脫模薄膜滾筒的表層為500m的位置上進行取樣，得到脫模薄膜。使用此處所得到的脫模
薄膜作為切割後的脫膜薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
各步驟中之各條件如下述以外，與實施例8同樣作法而得到脫模薄膜，得到切割前的脫模薄膜、脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
未使用界面活性劑，再者，塗劑的固形分重量為5.9質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：86.2質量%
交聯劑：8.6質量%
矽烷偶合劑：5.2質量%
界面活性劑：0質量%
使橫延伸倍率為4.5倍。
使弛緩處理中的弛緩量為4.0%。
各步驟中之各條件如下述以外，與實施例9同樣作法而，得到切割前的脫模薄膜、脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
作為界面活性劑，使用0.06份的非離子系的聚矽氧烷系界面活性劑之聚氧化乙烯‧甲基聚矽氧烷共聚合物(日本乳膠股份有限公司製、商品名：EMALEX SS-5051)(S2成分)。再者，塗劑的固形分重量為6.0質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：85.4質量%
交聯劑：8.5質量%
矽烷偶合劑：5.1質量%
界面活性劑：1.0質量%
各步驟中之各條件如下述以外，與實施例10同樣作法，得到切割前的脫模薄膜、脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
使界面活性劑(S2成分)的添加量為0.15份。再者，塗劑的固形分重量為6.0質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：84.1質量%
交聯劑：8.4質量%
矽烷偶合劑：5.0質量%
界面活性劑：2.5質量%
切割步驟中的捲取條件，如表3所述。
除了使切割步驟中的捲取條件，如表3所述以外，與實施例11同樣作法，得到切割前的脫模薄膜、脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
各步驟中之各條件如下述以外，與實施例10同樣作法，得到切割前的脫模薄膜、脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
使界面活性劑(S2成分)的添加量為0.3份。再者，塗劑的固形分重量為6.2質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：82.0質量%
交聯劑：8.2質量%
矽烷偶合劑：4.9質量%
界面活性劑：4.9質量%
各步驟中之各條件如下述以外，與實施例10同樣作法，得到切割前的脫模薄膜、脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
使界面活性劑(S2成分)的添加量為0.6份。再者，塗劑的固形分重量為6.5質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：78.1質量%
交聯劑：7.8質量%
矽烷偶合劑：4.7質量%
界面活性劑：9.4質量%
各步驟中之各條件如下述以外，與實施例9同樣作法，得到切割前的脫模薄膜、脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
使縱延伸倍率為3.0倍。
各步驟中之各條件如下述以外，與實施例9同樣作法，得到切割前的脫模薄膜、脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
使縱延伸倍率為4.8倍。
使橫延伸倍率為3.0倍。
除了不塗佈塗劑以外，與實施例8同樣作法，得到不
具有脫模層之二軸延伸聚酯薄膜。
接著，於加成型聚矽氧烷系化合物(東芝聚矽氧烷公司製、商品名：TPR-6721)的甲苯溶液(固形分濃度：3質量%)中，加入Pt觸媒(東芝聚矽氧烷公司製、商品名：CM670)，使其相對於加成型聚矽氧烷型化合物的固形分100質量份成為1質量份，調製脫模劑塗液。再者，此脫模劑塗液中未含有界面活性劑。
接著，將上述所得到之不具有脫模層的二軸延伸聚酯薄膜滾筒捲出，被捲出的二軸延伸聚酯薄膜之寬度方向中之中央部上，塗佈上述之經調整的脫模劑塗液，使塗佈量為(wet)6g/m2，使用下方及上方的空氣流吹出口的間隔各自為38cm的空氣浮上搬運式乾燥裝置，以搬運張力：2,000kPa、乾燥溫度：160℃、乾燥時間：16秒使其乾燥而形成脫模層，得到脫模層的乾燥硬化後的重量為0.2g/m2的脫模薄膜。此處所得到的脫模薄膜作為切割前的脫膜薄膜，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。再者，脫模劑塗液的塗佈，係在於未延伸聚酯薄膜成形步驟中未接觸冷卻轉筒之面上實施。
使切割步驟中的捲取條件，如表3所述，得到脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
除了使切割步驟中的捲取條件，如表3所述以外，與實施例11同樣作法，得到切割前的脫模薄膜、脫模薄膜滾筒、切割後的脫模薄膜。使用此等，進行各種的測量‧評估的結果列示於表3。
與實施例1同樣作法，得到固有黏度0.65(35℃、鄰氯酚中)的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物。
與實施例3同樣作法，得到塗劑。再者，塗劑的固形分重量為6.0質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：84.1質量%
交聯劑：8.4質量%
矽烷偶合劑：5.0質量%
界面活性劑：2.5質量%
將上述所得到的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物組成物，以170℃乾燥5小時，使聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物組成物的水分率成為0.05質量%以下為止，接著，將經乾燥的聚對苯二甲酸乙二醇酯組成物組成物供給至擠壓機，於熔融溫度280~300℃進行熔融擠壓，使用平均網目大小11μm的鋼線過濾器進行高精度過濾後，藉由模具進行擠壓製成熔融片，藉由將該相關的熔融片用靜電密著法接觸於冷卻轉筒令其急冷，得到厚度480μm的未延伸聚酯薄膜。
將所得到的未延伸聚酯薄膜，以75℃預熱，接著，於低速‧高速的滾筒之間以薄膜溫度105℃在長邊方向延伸3.8倍，然後，藉由急冷而得到長邊方向一軸延伸聚酯薄膜。
接著，於所得到的長邊方向一軸延伸聚酯薄膜，藉由塗佈上述所調製的塗劑，使得到的脫模薄膜中之脫模層的厚度成為40nm，得到具有塗膜之聚酯薄膜。再者，塗劑的塗佈，係在於未延伸聚酯薄膜成形步驟中未接觸冷卻轉筒之面上實施。
接著，將具有所得到的塗膜之聚酯薄膜供給至定型機，與實施例1同樣作法，製成二軸延伸聚酯薄膜。
針對所得到的二軸延伸聚酯薄膜，與實施例1同樣作法，得到全厚度31μm的脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估。結果列示於表4。
各步驟中之各條件如下述以外，與實施例18同樣作法而得到全厚度31μm的脫模薄膜。使用所得到的脫模薄膜，進行各種的測量‧評估。結果列示於表4。
作為界面活性劑，使用0.06份的非離子系的聚矽氧烷系界面活性劑之聚氧化乙烯‧甲基聚矽氧烷共聚合物(日本乳膠(股)製、商品名：EMALEX SS-5051)(S2成分)，取代聚氧化乙烯油醯基醚。再者，塗劑的固形分重量為6.0質量%。此外，由此塗劑所得到的脫模層100質量%中之各成分的固形分比率，如下述。
主劑：84.1質量%
交聯劑：8.4質量%
矽烷偶合劑：5.0質量%
界面活性劑：2.5質量%
使縱延伸倍率為4.0倍。
使弛緩處理中的弛緩量為4.0%。
本發明的脫模薄膜，係於製造陶瓷片時的加熱張力下具有適度的尺寸變化率，乾燥陶瓷淤漿時的熱收縮平衡優異。亦即，充分地符合作為陶瓷片製時所使用的脫模薄膜所要求的性能。故，使用本發明的脫模薄膜作為陶瓷片製造用的承載薄膜時，因為不僅在搬運步驟，於乾燥步驟中承載薄膜的熱收縮平均亦優異，故可高度地抑制所得到的陶瓷片的厚度斑。
此外，本發明中具有較佳的態樣之脫模薄膜，因為表面平滑性優異，可抑制所得到的陶瓷片中針孔發生。故，若依據本發明中具有較佳的形態之脫模薄膜，可提高陶瓷片及陶瓷電容器的生產性。
而且，本發明中具有較佳形態之脫模薄膜，可高度地抑制於捲出承載薄膜之步驟、或從承載薄膜剝離陶瓷片之步驟中所發生的剝離帶電。其結果，使用用本發明的脫模薄膜所製造的陶瓷片，製造陶瓷電容器時，可高度地抑制所得到的電容器的內部電極的位置偏移。
本發明的薄膜滾筒，可提供平坦性優異的脫模薄膜。使用用該相關的脫模薄膜所製造陶瓷片，製造陶瓷電容器時，可得到容量更均勻的陶瓷電容器。
Claims (9)
- 一種脫模薄膜，其係於聚酯薄膜的至少一側的面具有脫模層之脫模薄膜；其特徵係於脫模薄膜的長邊方向施加0.2MPa以上4.0MPa以下的張力時，於100℃之長邊方向的伸長率(SMD)，符合下述式(1)，於脫模薄膜的垂直於長邊方向的方向施加0.01MPa的張力時，於100℃之垂直於長邊方向的方向的伸長率(STD)，符合下述式(2)，脫模薄膜的無載重下，於100℃之長邊方向的熱伸長率(HSMD)，符合下述式(3)，脫模薄膜的無載重下，於100℃之垂直於長邊方向的方向的熱伸長率(HSTD)，符合下述式(4)，長邊方向的熱伸長率(HSMD)與垂直於前述長邊方向的方向的熱伸長率(HSTD)，符合下述式(5)；0.0961X-0.45≦SMD≦0.0961X-0.25 (1)(式(1)中，X係施加於薄膜單位面積的張力(MPa)，X表示0.2MPa以上4.0MPa以下之值)-0.6≦STD≦-0.2 (2) -0.4≦HSMD≦-0.1 (3) -0.6≦HSTD≦-0.2 (4) HSMD>HSTD (5)。
- 如申請專利範圍第1項之脫模薄膜，其中脫模層表面用接觸式三維表面粗度計所測量的最大高度 (Rmax)，為100nm以上600nm以下的範圍。
- 如申請專利範圍第1項之脫模薄膜，其中脫模層表面及不具有脫模層之側的表面，用接觸式三維表面粗度計所測量的最大高度(Rmax)，各自為100nm以上600nm以下。
- 如申請專利範圍第1~3項中任一項之脫模薄膜，其中脫模層係相對於脫模層的重量而言，含有0.5質量%以上10質量%以下的界面活性劑。
- 如申請專利範圍第1~3項中任一項之脫模薄膜，其中縱方向的厚度斑為3.0%以下，橫方向的厚度斑為3.0%以下。
- 如申請專利範圍第1~3項中任一項之脫模薄膜，其中脫模層係藉由於在一方向上經延伸的聚酯薄膜上塗佈脫模層形成組成物而形成。
- 如申請專利範圍第1~3項中任一項之脫模薄膜，其係陶瓷片製造用。
- 如申請專利範圍第7項之脫模薄膜，其中陶瓷片係陶瓷電容器製造用。
- 一種薄膜滾筒，其係將如申請專利範圍第1~3項中任一項之脫模薄膜捲成滾筒狀之薄膜滾筒，其特徵係滾筒表層的維氏硬度(Hv)為0以上450以下。
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