TW201502154A - 硬化性樹脂組成物、硬化膜、發光元件、波長轉換膜及發光層的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種包含半導體量子點、且可簡便地形成螢光特性優異的、高可靠性的硬化膜的硬化性樹脂組成物，並提供一種硬化膜，提供一種發光元件、波長轉換膜及發光層的形成方法。本發明形成一種硬化性樹脂組成物，其包含：[A]1分子中具有2個以上聚合性基的分子量為150以上、10000以下的化合物、[B]半導體量子點、及[C]烴系溶劑。使用所述硬化性樹脂組成物，在基板12上形成硬化膜。所述硬化膜成為波長轉換膜，使用所述波長轉換膜作為發光層13，而形成波長轉換基板11。與具備光源17的光源基板18組合，而構成發光顯示元件100。
Description
本發明是有關於一種硬化性樹脂組成物、硬化膜、發光元件、波長轉換膜及發光層的形成方法。
為了封閉電子而形成的極小的粒(點)被稱為量子點，近年來受到關注。1粒量子點的大小為直徑數奈米~數十奈米，包含約1萬個原子。
量子點若分散於太陽電池面板的半導體的薄膜中，則可大幅提高能量轉換效率，因此一直研究在太陽電池中的應用(例如參照專利文獻1)。另外，藉由改變量子點的尺寸(改變帶隙)，而可將發出的螢光的顏色(發光波長)進行改變(波長轉換)，因此一直研究生物學研究中的螢光探針(參照非專利文獻1)、或作為波長轉換材料的顯示元件中的應用(參照專利文獻2及專利文獻3)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-216560號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-112154號公報
[專利文獻3]日本專利特開2009-251129號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]神隆、「半導體量子點、其合成法及在生命科學中的應用」、「生產與技術」、第63卷、第2號、2011年、p58~p65
如非專利文獻1或專利文獻1的實施例所示般，代表性的量子點為包含II-V族半導體的CdSe(硒化鎘)、CdTe(碲化鎘)及PbS等的半導體量子點。
但是，例如作為主成分的鉛(Pb)是廣為人知的有毒性擔憂的材料。另外，鎘(Cd)與其化合物是即便為低濃度亦表現出極強的毒性，而擔心腎臟功能障礙或生癌性的材料。因此，要求形成包含更安全的材料的半導體量子點。
另外，在欲將半導體量子點應用於太陽電池面板或顯示元件的顯示器等時，為了利用其螢光發光，而有要求形成包含粒子形態的半導體量子點的膜或層的情況。即，有要求形成表現出螢光發光的波長轉換膜(wavelength conversion film)或發光層的情況。
作為使用粒子形態的半導體量子點的發光層的形成方法，例如已知如專利文獻1的實施例或專利文獻2所示般，在適當的基板上直接形成包含半導體量子點的層的方法。然而，此種形成方法中，所得的發光層的穩定性缺乏。特別是擔心包含半導體量子點的層與基板的結著性。
因此，提出將粒子形態的半導體量子點混合或嵌入至樹脂材料中，而構成層或膜的方法。然而，使用半導體量子點，實現高的分散性而保持作為半導體量子點的螢光特性，並且與樹脂一起形成層或膜的方法，並未進行充分的研究。
因此，要求與樹脂材料一起使用半導體量子點，實現高的分散性而不會降低半導體量子點的螢光發光特性，且形成半導體量子點的層或膜，並形成高可靠性的發光層或波長轉換膜的技術。特別是要求與半導體量子點一起使用、適於形成包含半導體量子點與樹脂的發光層或波長轉換膜的樹脂材料。
此時，樹脂材料特別理想為與包含安全的材料的半導體量子點一起使用、適於形成發光層或波長轉換膜者。
此外，包含半導體量子點與樹脂材料的發光層或波長轉換膜，較佳為可簡便的形成，並具有高的生產性。因此，為了形成包含所述半導體量子點與樹脂材料的發光層或波長轉換膜，例如較佳為可利用塗佈等簡便的形成方法。並且，所述發光層或波長轉換膜例如較佳為：可由包含半導體量子點與樹脂成分的液狀樹脂組成物，利用塗佈等方法而形成。
因此，要求包含半導體量子點與樹脂成分而製備的、藉由利用塗佈等方法，而可形成發光層或波長轉換膜的樹脂組成物。
而且，所述樹脂組成物較佳為具有優異的圖案化性。即，形成發光層或波長轉換膜的樹脂組成物例如較佳為：能以可較佳地用於構成發光顯示元件等發光元件的方式，實現圖案化。此時，經圖案化的發光層或波長轉換膜的形成例如較佳為：可利用光刻(photolithography)法等，而可簡便地實現。
因此，要求可利用光刻法等公知的圖案化方法，簡便地形成經圖案化的發光層或波長轉換膜的感放射線性硬化性樹脂組成物。
本發明鑒於如以上的問題而成。即，本發明的目的在於提供一種硬化性樹脂組成物，其包含半導體量子點，可簡便地形成螢光特性優異、高可靠性的硬化膜。
另外，本發明的目的在於提供一種硬化膜，其使用包含半導體量子點的硬化性樹脂組成物而形成，螢光特性優異，並具有高的可靠性。
另外，本發明的目的在於提供一種發光元件，其具有發光層，所述發光層使用包含半導體量子點的硬化性樹脂組成物而形成。
另外，本發明的目的在於提供一種波長轉換膜，其使用包含半導體量子點的硬化性樹脂組成物而形成，螢光特性優異，並具有高的可靠性。
而且，本發明的目的在於提供一種發光層的形成方法，其使用包含半導體量子點的硬化性樹脂組成物。
本發明的其他目的及優點應根據以下的記載而明瞭。
本發明的第1形態是有關於一種硬化性樹脂組成物，其特徵在於含有：[A]1分子中具有2個以上聚合性基的分子量為150以上、10000以下的化合物、[B]半導體量子點、及[C]烴系溶劑。
在本發明的第1形態中，較佳為進一步包含含有氧原子的有機溶劑。
在本發明的第1形態中，較佳為進一步含有[D]聚合性起始劑。
在本發明的第1形態中，較佳為[D]聚合性起始劑為含有碳數1~20的烴基的聚合性起始劑。
在本發明的第1形態中，較佳為進一步含有[E]具有羧基的重量平均分子量為5000以上、40000以下的聚合物。
在本發明的第1形態中，較佳為[B]半導體量子點包含含有選自由2族元素、11族元素、12族元素、13族元素、14族元素、15族元素及16族元素所組成的組群的至少2種元素的化合物。
在本發明的第1形態中，較佳為[B]半導體量子點包含含有In作為構成成分的化合物。
在本發明的第1形態中，較佳為[B]半導體量子點為選自由InP/ZnS化合物、CuInS2/ZnS化合物、AgInS2化合物、(ZnS/AgInS2)固溶體/ZnS化合物、摻雜Zn的AgInS2化合物及Si化合物所組成的組群的至少1種。
在本發明的第1形態中，較佳為所述[A]化合物為選自由下述式(1)所示的化合物、下述式(2)所示的化合物及下述式(3)所示的化合物所組成的組群的至少1種化合物。
[化1]
(式(1)中，X表示式(5)所示的2價基團、或碳數5~20的2價脂環式烴基，式(5)中，n表示2~20的整數。Y表示式(4)所示的基團，R1表示氫原子、或甲基。
式(2)中，R2表示氫原子、或碳數1~12的烷基。Y表示式(4)所示的基團，R1表示氫原子、或甲基。W表示環氧乙烷基或環氧丙烷基，m表示0~4的整數。
式(3)中，R3表示氫原子、或碳數1~12的烷基。Y表示式(4)所示的基團，R1表示氫原子、或甲基。W表示環氧乙烷基或環氧丙烷基，m表示0~4的整數。)
本發明的第2形態是有關於一種硬化膜，其特徵在於：
使用本發明的第1形態的硬化性樹脂組成物而形成。
本發明的第3形態是有關於一種發光元件，其特徵在於：具有發光層，所述發光層使用本發明的第1形態的硬化性樹脂組成物而形成。
本發明的第4形態是有關於一種波長轉換膜，其特徵在於：使用本發明的第1形態的硬化性樹脂組成物而形成。
本發明的第5形態是有關於一種發光層的形成方法，其是發光元件的發光層的形成方法，且其特徵在於包括：(1)將本發明的第1形態的硬化性樹脂組成物的塗膜形成於基板上的步驟；(2)對步驟(1)中所形成的塗膜的至少一部分照射放射線的步驟；(3)將步驟(2)中照射了放射線的塗膜進行顯影的步驟；及(4)將步驟(3)中經顯影的塗膜進行曝光的步驟。
根據本發明的第1形態，提供一種硬化性樹脂組成物，其包含半導體量子點，可簡便地形成螢光特性優異、高可靠性的硬化膜。
另外，根據本發明的第2形態，提供一種硬化膜，其使用包含半導體量子點的硬化性樹脂組成物而形成，螢光特性優異，並具有高的可靠性。
另外，根據本發明的第3形態，提供一種發光元件，其具有發光層，所述發光層使用包含半導體量子點的硬化性樹脂組成物而形成。
另外，根據本發明的第4形態，提供一種波長轉換膜，其使用包含半導體量子點的硬化性樹脂組成物而形成，螢光特性優異，並具有高的可靠性。
而且，根據本發明的第5形態，提供一種發光元件的發光層的形成方法，其使用包含半導體量子點的硬化性樹脂組成物。
1、1a‧‧‧塗膜
2、12、16‧‧‧基板
3‧‧‧光罩
4、4a‧‧‧放射線
5‧‧‧硬化膜
11‧‧‧波長轉換基板
13、13a、13b、13c‧‧‧發光層
14‧‧‧黑矩陣
15‧‧‧接著劑層
17、17a、17b、17c‧‧‧光源
18‧‧‧光源基板
100‧‧‧發光顯示元件
圖1是說明本發明的第2實施形態的硬化膜的形成中的塗膜形成步驟的基板的剖面圖。
圖2是示意性說明本發明的第2實施形態的硬化膜的形成中的放射線照射步驟的剖面圖。
圖3是說明本發明的第2實施形態的硬化膜的形成中的顯影步驟的基板的剖面圖。
圖4是說明本發明的第2實施形態的硬化膜的形成中的硬化步驟的硬化膜及基板的剖面圖。
圖5是示意性表示本發明的第3實施形態的發光顯示元件的剖面圖。
本發明的硬化性樹脂組成物是包含如下成分而成的硬
化性樹脂組成物：[A]1分子中具有2個以上聚合性基的重量平均分子量為150以上、10000以下的化合物、即[A]1分子中具有2個以上聚合性基的重量平均分子量為150~10000的化合物(以下，亦簡稱為[A]成分)，[B]半導體量子點(以下，亦簡稱為[B]成分)，及[C]烴系溶劑(以下，亦簡稱為[C]成分)。
本發明的硬化性樹脂組成物含有[C]烴系溶劑，成為適合於塗佈等簡便的膜或層的形成方法的液狀樹脂組成物。
本發明的硬化性樹脂組成物與[A]成分一起含有[B]半導體量子點，但藉由含有[C]烴系溶劑，而可實現[B]半導體量子點的良好的分散狀態。
[B]半導體量子點在高極性的溶劑中有發生凝聚的傾向，且難以實現良好的分散狀態。在[B]半導體量子點中，凝聚會使量子點的特性受損。另一方面，[B]半導體量子點在低極性溶劑中具有容易實現良好的分散狀態的傾向。因此，在本發明的硬化性樹脂組成物中，含有可實現低極性的烴系溶劑作為[C]成分。並且，作為樹脂成分，選擇適於溶解、或分散於[C]烴系溶劑者。更具體而言，選擇含有適於溶解、或分散於[C]烴系溶劑的[A]成分。
其結果是，本發明的硬化性樹脂組成物可形成實現了[B]半導體量子點的良好的分散狀態的液狀樹脂組成物。並且，本發明的硬化性樹脂組成物可利用塗佈等簡便的形成方法，形成分散有[B]半導體量子點的層或膜。
另外，本發明的硬化性樹脂組成物可具有感放射線性。
因此，本發明的硬化性樹脂組成物較佳為含有：[D]聚合性起始劑(以下，亦簡稱為[D]成分)、[E]具有羧基的重量平均分子量為5000以上、40000以下的聚合物(以下，亦簡稱為[E]成分)。並且，本發明的硬化性樹脂組成物基於所述感放射線性，例如可實現利用光刻法等的圖案化。
另外，在本發明中，曝光時所照射的「放射線」包括：可見光線、紫外線、遠紫外線、X射線及帶電粒子束等。
另外，光刻法包括：在接受加工或處理的基板的表面，塗佈所謂的抗蝕劑組成物而形成抗蝕劑膜的步驟；藉由照射光或電子束而對特定抗蝕劑圖案進行曝光，而形成抗蝕劑圖案潛像的曝光步驟；根據需要進行加熱處理的步驟；繼而對其進行顯影而形成所期望的微細圖案的顯影步驟；及將所述微細圖案作為遮罩而對基板進行蝕刻等加工的步驟等。
並且，本發明的硬化性樹脂組成物在需要的情況下實施
圖案化，而形成本發明的硬化膜。本發明的硬化膜在樹脂中包含[B]半導體量子點而構成。
並且，本發明的硬化膜具有基於[B]半導體量子點的螢光發光(波長轉換)功能。因此，可用作發出與激發光不同的波長的螢光的波長轉換膜或發光層。
特別是，本發明的硬化膜適合用作發光元件的發光層，可用於構成後述的本發明的發光元件。
以下，對本發明的硬化性樹脂組成物、硬化膜、發光元
件、波長轉換膜、及發光層的形成方法進行說明。
實施形態1.
<硬化性樹脂組成物>
本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物如上所述般，含有[A]成分、[B]半導體量子點、及[C]烴系溶劑作為必須的成分。
藉由含有[C]烴系溶劑，本發明的硬化性樹脂組成物可形成實現了[B]半導體量子點的良好的分散狀態的液狀樹脂組成物。並且，作為樹脂成分即[A]成分，自可與[C]烴系溶劑一起使用，且可溶解或分散的1分子中具有2個以上聚合性基的重量平均分子量為150以上、10000以下的化合物中選擇。
本發明的硬化性樹脂組成物可利用塗佈等方法，形成含有[B]半導體量子點而具備優異的螢光發光(波長轉換)功能(以下，亦簡稱為螢光性或螢光特性等)的本發明的實施形態的硬化膜。
另外，本發明的硬化性樹脂組成物可具有感放射線性。因此，本發明的硬化性樹脂組成物較佳為進一步含有[D]聚合性起始劑，並且較佳為進一步含有[E]具有羧基的重量平均分子量為5000以上、40000以下的聚合物。
並且，只要不損害本發明的效果，本發明的硬化性樹脂組成物可含有所述的其他任意成分。
以下，對本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物的含有成分進行說明。
[[A]1分子中具有2個以上聚合性基的分子量為150以上、10000以下的化合物]
本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物含有[A]1分子中具有2個以上聚合性基的分子量為150以上、10000以下的化合物。
作為[A]成分的聚合性基，可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基、氧雜環丙基、氧雜環丁基。所述中，特佳為(甲基)丙烯醯基。
[A]成分的重量平均分子量為150以上，但在重量平均分子量小於150時，有無法獲得作為硬化膜的硬化膜物性的傾向。另外，在分子量大於10000時，有難以溶解於烴系溶劑的傾向。
並且，[A]成分較佳為具有2個以上(甲基)丙烯醯基，且分子量為150以上、10000以下的化合物。
另外，在本發明中，[A]成分的分子量表示藉由凝膠滲透層析法(gel permeation chromatography)測定的重量平均分子量。
在本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物中，作為[A]成分，可使用多官能丙烯酸酯。其中較佳為可與[C]烴系溶劑一起使用，可溶解或分散的多官能丙烯酸酯。
作為[A]成分所使用的多官能丙烯酸酯，例如可列舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙苯氧基乙醇茀二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二
甲醇二(甲基)丙烯酸酯、甲基丙烯酸2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改質三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)磷酸酯、環氧乙烷改質二季戊四醇六丙烯酸酯、琥珀酸改質季戊四醇三丙烯酸酯、使具有直鏈伸烷基及脂環式結構且具有2個以上異氰酸酯基的化合物、與分子內具有1個以上羥基且具有3個~5個(甲基)丙烯醯氧基的化合物反應而得的(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯化合物等多官能(甲基)丙烯酸酯化合物等。
作為多官能丙烯酸酯的市售品，例如可列舉：Aronix(註冊商標)M-210、Aronix M-220、Aronix M-240、Aronix M-270、Aronix M-305、Aronix M-309、Aronix M-310、Aronix M-315、Aronix M-321、Aronix M-400、Aronix M-402、Aronix M-405、Aronix M-408、Aronix M-450、Aronix M-1310、Aronix M-1600、Aronix M-1960、Aronix M-7100、Aronix M-8030、Aronix M-8060、Aronix M-8100、Aronix M-8530、Aronix M-8560、Aronix M-9050、Aronix TO-1450、Aronix TO-1382(以上，東亞合成股份有限公司製造)；KAYARAD(註冊商標)DPHA、KAYARAD DPCA-20、KAYARAD DPCA-30、KAYARAD DPCA-60、KAYARAD DPCA-120、KAYARAD MAX-3510(以上，日本化藥股份有限公
司製造)；VISCOAT(註冊商標)260、VISCOAT 295、VISCOAT 300、VISCOAT 310HP、VISCOAT 335HP、VISCOAT 360(以上，大阪有機化學工業股份有限公司製造)；作為丙烯酸胺基甲酸酯系化合物，可列舉：New Frontier(註冊商標)R-1150(第一工業製藥股份有限公司製造)；KAYARAD(註冊商標)DPHA-40H、KAYARAD R-526、KAYARAD R-167、KAYARAD R-604、KAYARAD R-684、KAYARAD R-551、KAYARAD R-712、KAYARAD UX-2201、KAYARAD UX-2301、KAYARAD UX-3204、KAYARAD UX-3301、KAYARAD UX-4101、KAYARAD UX-5000、KAYARAD UX-6101、KAYARAD UX-7101、KAYARAD UX-8101、KAYARAD UX-0937、KAYARAD MU-2100、KAYARAD MU-4001(以上，日本化藥股份有限公司製造)；Art Resin(註冊商標)UN-333、Art Resin UN-1255、Art Resin UN-6060PTM、Art Resin UN-7600、Art Resin UN-7700、Art Resin UN-9000PEP、Art Resin UN-9200A(以上，根上工業股份有限公司製造)。
另外，作為[A]成分，特佳為選自由下述式(1)所示的化合物、下述式(2)所示的化合物及下述式(3)所示的化合物所組成的組群的至少1種化合物。
(式(1)中，X表示式(5)所示的2價基團、或碳數5~20的2價脂環式烴基，式(5)中，n表示2~20的整數。Y表示式(4)所示的基團，R1表示氫原子、或甲基。
式(2)中，R2表示氫原子、或碳數1~12的烷基。Y表示式(4)所示的基團，R1表示氫原子、或甲基。W表示環氧乙烷基或環氧丙烷基，m表示0~4的整數。
式(3)中，R3表示氫原子、或碳數1~12的烷基。Y表示式(4)所示的基團，R1表示氫原子、或甲基。W表示環氧乙烷基或環氧丙烷基，m表示0~4的整數。)
作為所述[A]成分而使用的式(1)、式(2)、式(3)所
示的化合物中，可特佳地使用的是在烴系溶劑中的溶解性優異的官能基數為2~4的多官能丙烯酸酯，例如可列舉：1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,10-癸二醇二丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、環氧丙烷改質三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、環氧丙烷改質二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。
作為所述多官能丙烯酸酯的市售品，例如可列舉：Aronix(註冊商標)M-310、Aronix M-321、Aronix M-408(以上，東亞合成股份有限公司製造)；NK Ester(註冊商標)A-NOD-N、NK Ester A-DOD-N、NK Ester A-DCP、NK Ester A-TMPT-3PO、NK Ester A-TMPT-6PO、NK Ester AD-TMP-L、NK Ester AD-TMP-4P(以上，新中村化學工業股份有限公司製造)；New Frontier(註冊商標)L-C9A、New Frontier TMP-3P(以上，第一工業製藥股份有限公司製造)；VISCOAT(註冊商標)260(以上，大阪有機化學工業股份有限公司製造)等。
以上的[A]成分包含在本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物中，進行溶解、或分散，並可形成利用塗佈等簡便的形成方法而形成層或膜的液狀樹脂組成物。
[[B]半導體量子點]
作為本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物的必須成分
的[B]半導體量子點，是不將Cd或Pb作為構成成分，而將例如In(銦)或Si(矽)等作為構成成分而構成的、包含安全的材料的半導體量子點。
[B]半導體量子點較佳為包含以下化合物的半導體量子點：含有選自2族元素、11族元素、12族元素、13族元素、14族元素、15族元素及16族元素所示的元素的組群的至少2種以上元素的化合物。
並且，更具體而言，較佳為關於對人的安全性擔心大的例如Pb及Cd等元素除外，而包含含有選自Be(鈹)、Mg(鎂)、Ca(鈣)、Sr(鍶)、Ba(鋇)、Cu(銅)、Ag(銀)、金(Au)、鋅(Zn)、B(硼)、Al(鋁)、Ga(鎵)、In(銦)、Tl(鉈)、C(碳)、Si(矽)、Ge(鍺)、Sn(錫)、N(氮)、P(磷)、As(砷)、Sb(銻)、Bi(鉍)、O(氧)、S(硫)、Se(硒)、Te(碲)及Po(釙)組群的至少2種以上元素的化合物的半導體量子點。
此時，較佳為[B]半導體量子點包含：在500nm~600nm的波長區域具有螢光極大值的化合物(a)、及/或在600nm~700nm的波長區域具有螢光極大值的化合物(b)。
[B]半導體量子點藉由包含此種具有螢光發光特性的化合物(a)及/或化合物(b)，而可在500nm~600nm的波長區域、及/或600nm~700nm的波長區域具有螢光極大值。其結果，含有[B]半導體量子點的本實施形態的硬化性樹脂組成物，可形成適於構成發光元件的發光層的硬化膜，所述發光層使用可見區域的
光進行圖像的顯示。
而且，本實施形態的硬化性樹脂組成物所含有的[B]半導體量子點，更佳為包含含有In作為構成成分的化合物的半導體量子點。另外，作為[B]半導體量子點，可列舉Si或Si化合物。
作為[B]半導體量子點，Si或Si化合物中特佳為Si。
藉由如上所述般設置[B]半導體量子點的成分構成，而本實施形態的硬化性樹脂組成物可形成安全、且具有優異的螢光特性的硬化膜，而且可形成安全、且具有優異的螢光特性的波長轉換膜或發光元件的發光層。
另外，本實施形態的硬化性樹脂組成物所含有的[B]半導體量子點，較佳為選自包含1種化合物的均質結構型、及包含2種以上化合物的核殼結構型的至少一種結構型的半導體量子點。
核殼結構型的[B]半導體量子點是由一種化合物形成核結構，由另一種化合物被覆核結構的周圍而構成。例如藉由由帶隙更大的半導體被覆核的半導體，而藉由光激發而生成的激子(電子-電洞對)被封閉在核內。其結果，量子點表面的無輻射遷移的機率減少，發光的量子產率及[B]半導體量子點的螢光特性的穩定性提高。
在考慮到成分構成與結構時，本實施形態的硬化性樹脂組成物所含有的[B]半導體量子點，較佳為選自由作為核殼結構型半導體量子點的InP/ZnS、CuInS2/ZnS及(ZnS/AgInS2)固溶體/ZnS、以及作為均質結構型半導體量子點的AgInS2及摻雜Zn的
AgInS2所組成的組群的至少1種。
根據以上所述，本實施形態的硬化性樹脂組成物所含有的[B]半導體量子點較佳為選自InP/ZnS化合物、CuInS2/ZnS化合物、AgInS2化合物、(ZnS/AgInS2)固溶體/ZnS化合物、摻雜Zn的AgInS2化合物及Si化合物的組群的至少1種。
藉由以上所例示的[B]半導體量子點，含有其的本實施形態的硬化性樹脂組成物可形成安全、且具有更優異的螢光特性的硬化膜，而且可形成螢光特性更優異的波長轉換膜或發光元件的發光層。
另外，本實施形態的硬化性樹脂組成物所含有的[B]半導體量子點，平均粒徑較佳為0.5nm~20nm，更佳為1.0nm~10nm。在平均粒徑小於0.5nm時，難以製備[B]半導體量子點，即便可製備，亦存在[B]半導體量子點的螢光特性不穩定的情況。在[B]半導體量子點的平均粒徑超過20nm時，有因半導體量子點大引起的無法獲得量子封閉效果的情況，且無法獲得所期望的螢光特性，而不理想。
另外，[B]半導體量子點的形狀並無特別限定，例如可為球狀、棒狀、圓盤狀、其他形狀。關於量子點的粒徑、形狀、分散狀態等的資訊，可藉由穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope，TEM)而得。
作為獲得本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物所含有的[B]半導體量子點的方法，可利用在配位性有機溶劑中將有
機金屬化合物熱分解的公知的方法。另外，核殼結構型的半導體量子點可藉由以下方式獲得：在藉由反應形成均質的核結構後，在反應體系內添加用以在核表面形成殼的前驅物，在殼形成後，停止反應，並自溶劑分離。另外，亦可利用市售者。
作為本實施形態的硬化性樹脂組成物中的[B]半導體量子點的含量，相對於所述[A]成分100質量份，較佳為0.1質量份~100質量份，更佳為0.2質量份~50質量份。藉由將[B]半導體量子點的含量設為所述範圍，而形成具有優異螢光特性的硬化膜，其結果可形成螢光特性優異的波長轉換膜或發光元件的發光層。若[B]半導體量子點的含量相對於[A]成分100質量份而少於0.1質量份，則在所形成的硬化膜中無法獲得所期望的螢光特性，無法形成波長轉換膜或發光元件的發光層。另外，若[B]半導體量子點的含量相對於[A]成分100質量份而多於100質量份，則所形成的硬化膜的穩定性受損，而無法形成穩定的波長轉換膜或發光元件的發光層。
[[C]烴系溶劑]
本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物含有[C]烴系溶劑。本實施形態的硬化性樹脂組成物藉由含有[C]烴系溶劑，而可形成液狀樹脂組成物，另一方面，可抑制[B]半導體量子點的凝聚，並形成分散有[B]半導體量子點的硬化性樹脂組成物。
所謂烴系溶劑，表示僅包含碳原子與氫原子的溶劑。作為烴系溶劑，可列舉芳香族烴溶劑與脂肪族烴溶劑。作為芳香族
烴溶劑，可列舉：甲苯、乙基苯、戊基苯、異丙基苯、二甲苯、環己基苯、萘、二甲基萘、異丙基甲苯、四氫萘、聯苯、對稱三甲苯等。作為脂肪族烴系溶劑，可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、環己烷、甲基環己烷、乙基環己烷、對薄荷烷、十氫萘(decalin)、異辛烷、異十二烷、環己烯、環戊烷、二戊烯、Isopar E、Isopar G、Isopar H、Isopar L、Isopar M(小倉興產(股)製造)，松節油、十氫萘(decahydronaphthalene)、蒎烷、α-蒎烯、β-蒎烯、檸檬烯、石油精(benzine)、KYOWASOL C-800、Shellsol、Isosol、石油英(ligroin)(郭德(Godo)工業(股)公司製造)等。
另外，在本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物中，可與所述[C]烴系溶劑一起包含含有氧原子的有機溶劑。所謂含有氧的有機溶劑，是分子中包含氧原子的溶劑。藉由含有所述含有氧原子的有機溶劑，而本實施形態的硬化性樹脂組成物可進一步提高[A]成分的溶解性或分散性。
作為此種含有氧原子的有機溶劑，可列舉：乙酸乙酯等酯系溶劑，丙酮、甲基乙基酮、環己酮等酮系溶劑，四氫呋喃、二噁烷、二烷醚等醚系溶劑，二甲基亞碸等溶劑，二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺系溶劑。
在與[C]烴系溶劑混合而使用含有氧原子的有機溶劑時，在將[C]烴系溶劑的使用比例設為100時，理想為在1質量%~50質量%的範圍內使用含有氧原子的有機溶劑。在含有氧原子
的有機溶劑的所述使用量小於1質量%時，有無法充分獲得含有氧原子的有機溶劑的添加效果的情況。另外，在含有氧原子的有機溶劑的所述使用量多於50質量%時，有可能產生[B]半導體量子點凝聚的情況。
[[D]聚合性起始劑]
本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物可進一步含有[D]聚合性起始劑。[D]聚合性起始劑是對放射線進行感應而產生活性種的成分，所述活性種可開始如[A]成分般具有聚合性基的化合物的聚合。本實施形態的硬化性樹脂組成物藉由含有[D]聚合性起始劑，而可提高感放射線性，並提高圖案化性。並且，本實施形態的硬化性樹脂組成物可利用光刻法等公知的圖案化方法，而簡便地形成經圖案化的發光層或波長轉換膜。
在本實施形態的硬化性樹脂組成物中，作為[D]聚合性起始劑，例如可列舉：肟酯化合物、苯乙酮化合物、聯咪唑化合物等。另外，[D]聚合性起始劑可單獨使用或組合2種以上而使用。
作為所述肟酯化合物，例如可列舉：乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、1,2-辛烷二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)]、1-[9-乙基-6-苯甲醯基-9H-咔唑-3-基]-辛烷-1-酮肟-O-乙酸酯、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-乙烷-1-酮肟-O-苯甲酸酯、1-[9-正丁基-6-(2-乙基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-乙烷-1-酮肟-O-苯甲酸酯、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基-4-四氫呋喃基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基
肟)、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基-4-四氫吡喃基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基-5-四氫呋喃基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、乙酮-1-[9-乙基-6-{2-甲基-4-(2,2-二甲基-1,3-二氧雜環戊基)甲氧基苯甲醯基}-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)等O-醯基肟化合物等。
所述中，作為肟酯化合物，較佳為乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、1,2-辛烷二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)]、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基-4-四氫呋喃基甲氧基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、乙酮-1-[9-乙基-6-{2-甲基-4-(2,2-二甲基-1,3-二氧雜環戊基)甲氧基苯甲醯基}-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)。
作為所述苯乙酮化合物，例如可列舉：α-胺基酮化合物、α-羥基酮化合物。
作為所述α-胺基酮化合物，例如可列舉：2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、2-二甲基胺基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮等。
作為所述α-羥基酮化合物，例如可列舉：1-苯基-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、1-羥基環己基苯基酮等。
作為所述苯乙酮化合物，較佳為α-胺基酮化合物，更佳
為2-二甲基胺基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮。
作為所述聯咪唑化合物，例如可列舉：2,2'-雙(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四(4-乙氧基羰基苯基)-1,2'-聯咪唑、2,2'-雙(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑、2,2'-雙(2,4-二氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑、2,2'-雙(2,4,6-三氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑等。所述中，較佳為2,2'-雙(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑、2,2'-雙(2,4-二氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑、2,2'-雙(2,4,6-三氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑，更佳為2,2'-雙(2,4-二氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑。
作為[D]聚合性起始劑的含量，相對於[A]成分100質量份，較佳為0.1質量份~40質量份，更佳為0.5質量份~20質量份。藉由將[D]聚合起始劑的含量設為所述範圍，而本實施形態的硬化性樹脂組成物即便在低曝光量的情況下，亦可表現出良好的圖案化性，並且可形成具有充分的表面硬度及密接性的硬化膜。
而且，[D]聚合起始劑較佳為含有碳數1~20的烴基的聚合性起始劑。藉由設為具有此種結構的[D]聚合起始劑，而在本實施形態的硬化性樹脂組成物中，可提高[D]聚合起始劑在[C]烴系溶劑中的溶解性。
作為此種含有碳數1~20的烴基的聚合性起始劑，例如可列舉：2-二甲基胺基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁烷-1-酮(Irgacure(註冊商標)379)、1,2-辛烷二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-
苯甲醯基肟)](Irgacure(註冊商標)OXE01)、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)(Irgacure(註冊商標)OXE02)(以上，巴斯夫(BASF)公司製造)等。
[[E]具有羧基的重量平均分子量為5000以上、40000以下的聚合物]
本發明的硬化性樹脂組成物中的[E]成分的[E]具有羧基的重量平均分子量為5000以上、40000以下的聚合物，可列舉：可藉由在溶劑中在聚合起始劑的存在下使後述化合物(e1)及化合物(e2)進行自由基聚合而製造的共立聚合物(以下，亦稱為[E1]成分)、或含有羧基的彈性體(以下，亦稱為[E2]成分)。
[E1]成分中，作為(e1)乙烯性不飽和羧酸及/或乙烯性不飽和羧酸酐(以下，將所述總稱為不飽和羧酸系單體(e1))，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸等單羧酸類；順丁烯二酸、反丁烯二酸、檸康酸、中康酸、衣康酸等二羧酸類；所述二羧酸的酐類等。
所述不飽和羧酸系單體(e1)中，就共聚合反應性、所得的聚合物對鹼性水溶液的溶解性及獲得容易的方面而言，較佳為丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸酐、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸等。
[E1]成分中，不飽和羧酸系單體(e1)可單獨使用或混合2種以上而使用。
[E1]成分中，源自不飽和羧酸系單體(e1)的重複單元的含有率較佳為5重量%~50重量%、更佳為10重量%~40重量%、特佳為15重量%~30重量%。此時，若源自不飽和羧酸系單體(e1)的重複單元的含有率小於5重量%，則有對鹼性水溶液的溶解性降低的傾向，另一方面，若源自不飽和羧酸系單體(e1)的重複單元的含有率超過40重量%，則有對鹼性水溶液的溶解性變得過大的擔心。
而且，作為(e2)其他乙烯性不飽和化合物(以下，簡稱為(e2)其他單體)，可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯類、(甲基)丙烯酸脂環式酯類、(甲基)丙烯酸的芳基酯、二羧酸二烷基酯類、(甲基)丙烯酸環氧烷基酯類；二羰基醯亞胺衍生物類；共軛二烯系化合物、乙烯系芳香族化合物等。
所述(e2)其他單體中，就共聚合反應性及所得的聚合物對鹼性水溶液的溶解性的方面而言，較佳為丙烯酸2-甲基環己酯、甲基丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸三環[5.2.1.02,6]癸烷-8-基酯、苯乙烯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷、甲基丙烯酸四氫糠酯、1,3-丁二烯、苯基順丁烯二醯亞胺、環己基順丁烯二醯亞胺等。(e2)其他單體可單獨或混合2種以上而使用。
[E1]成分含有由(e2)其他單體衍生的重複單元的含量，較佳為50質量%~95質量%、更佳為60質量%~90質量%、特佳為70質量%~85質量%。此時，在重複單元小於10質量%時，有
[E1]成分的保存穩定性降低的傾向，另一方面，在重複單元超過70質量%時，[E1]成分難以溶解於鹼性水溶液中。
如上所述般，本發明中所用的[E1]成分具有羧基及/或羧酸酐基以及其他乙烯性不飽和化合物，對鹼性水溶液具有適當的溶解性，並且即便不併用特別的硬化劑，亦可藉由加熱而容易地硬化。
作為[E1]成分的製造時所用的溶劑，例如可列舉：醇、醚、二醇醚、乙二醇烷醚乙酸酯、二乙二醇、二丙二醇、丙二醇單烷醚、丙二醇烷醚乙酸酯、丙二醇烷醚丙酸酯、芳香族烴、酮、酯等。
所述中，較佳為乙二醇烷醚乙酸酯、二乙二醇、二丙二醇、丙二醇單烷醚、丙二醇烷醚乙酸酯，尤其特佳為二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙基甲醚、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚乙酸酯、乙酸3-甲氧基丁酯。
所述溶劑可單獨使用或混合2種以上而使用。
另外，作為所述聚合時所用的自由基聚合起始劑，並無特別限定，例如可列舉：2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙-(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙-(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、4,4'-偶氮雙(4-氰基戊酸)、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸甲酯)、2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)等偶氮化合物；過氧化苯甲醯、過氧化月桂醯、過氧化特戊酸第三丁酯、1,1-雙(第三丁基過氧基)環己烷等有機過氧化物；過氧化氫等。另外，在使用過氧化物作為自由基聚合起
始劑時，可將其與還原劑併用，而作為氧化還原型起始劑。
所述自由基聚合起始劑可單獨使用或混合2種以上而使用。
另外，可使[E1]成分中的羧基與具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯反應，而在聚合物中導入(甲基)丙烯醯氧基。
在聚合物中的羧基與具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯等不飽和化合物的反應中，根據需要在適當的觸媒的存在下，較佳為在包含聚合抑制劑的聚合物的溶液中，投入具有環氧基的不飽和化合物，在加溫下進行特定時間攪拌。作為所述觸媒，例如可列舉溴化四丁基銨等。作為所述聚合抑制劑，例如可列舉對甲氧基苯酚等。反應溫度較佳為70℃~100℃。反應時間較佳為8小時~12小時。
具有(甲基)丙烯醯氧基的結構單元的含量較佳為[E1]成分全部成分中的10mol%~70mol%，更佳為20mol%~50mol%。
在具有(甲基)丙烯醯氧基的結構單元的含量少於10mol%時，有硬化性樹脂組成物對放射線的感光度降低的傾向，所得的硬化膜的耐熱性亦不充分。另外，在含有多於70mol%的具有(甲基)丙烯醯氧基的結構單元時，會導致顯影時的顯影不良，並容易產生顯影殘渣。
作為本發明的硬化性樹脂組成物中的[E2]成分，可列舉含有羧基的彈性體。
作為用作[E2]成分的含有羧基的彈性體，例如可列舉：
含有羧基的聚異戊二烯(可樂麗股份有限公司(Kuraray)製造、商品名「LIR-410」「UC-102」「UC-203」)、順丁烯二酸酐改質乙烯-丙烯酸(Ethylene Acrylic Acid，EEA)樹脂(日本製紙股份有限公司製造、商品名「Auroren 350S」)、順丁烯二酸酐改質苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(Styrene Ethylene Butylene Styrene，SEBS)樹脂(旭化成化學(Asahi Kasei Chemicals)股份有限公司製造、商品名「Tuftec M-1943」)、乙烯-甲基丙烯酸共聚合樹脂(杜邦三井聚化學(Dupont-Mitsui Polychemicals)股份有限公司製造、商品名「NUCREL」)等。
用作所述[E2]成分的含有羧基的彈性體中，就量子點的分散穩定性的觀點而言，特佳為含有羧基的聚異戊二烯(可樂麗股份有限公司製造、商品名「LIR-410」「UC-102」「UC-203」)，其中，就圖案化的觀點而言，特佳為「UC-102」。
在以上[E]成分中，藉由凝膠滲透層析法(GPC)的聚苯乙烯換算重量平均分子量(以下，稱為「Mw」)通常為5000~40000、較佳為5000~20000。此時，若Mw小於5000，則有所得的被膜的顯影性、殘膜率等降低，或圖案形狀、耐熱性等受損的擔心。另一方面，若Mw超過20000，則有解像度降低、或圖案形狀受損的擔心。
作為[E]成分的含量，相對於[A]成分100質量份，較佳為20質量份~200質量份，更佳為40質量份~150質量份。藉由將聚合物的含量設為所述範圍，而本實施形態的硬化性樹脂組成
物可形成密接性優異、且在低曝光量下亦具有充分的表面硬度的硬化膜。
[其他任意成分]
本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物含有：[A]1分子中具有2個以上聚合性基的分子量為150~10000的化合物、[B]半導體量子點、及[C]烴系溶劑作為必須的成分，並且只要不損害本發明的效果，則可含有其他任意成分。作為其他任意成分，例如可列舉：硬化促進劑或熱酸產生劑等。
硬化促進劑是發揮出如下功能的化合物：促進藉由本實施形態的硬化性樹脂組成物而形成的膜的硬化。
熱酸產生劑是可發揮出作為藉由加熱而使樹脂硬化時的觸媒的作用、並釋放酸性活性物質的化合物。
而且，在不損害本發明的效果的範圍內，本實施形態的硬化性樹脂組成物根據需要可含有：界面活性劑、保存穩定劑、黏接助劑、耐熱性提高劑等其他任意成分。所述各任意成分可單獨使用，亦可混合2種以上而使用。
[硬化性樹脂組成物的製備方法]
本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物藉由以下方式製備：將[A]1分子中具有2個以上聚合性基的分子量(重量平均分子量)為150~10000的化合物、[B]半導體量子點、及[C]烴系溶劑均勻地混合。另外，在含有[D]成分或[E]成分時，藉由將[D]成分或[E]成分與[A]成分、[B]成分及[C]成分一起均勻地混合而製
備。
而且，在根據需要選擇其他任意成分，並含有所述成分時，藉由將[A]成分、[B]成分及[C]成分以及其他任意的成分均勻地混合而製備。並且，本實施形態的硬化性樹脂組成物含有[C]烴系溶劑，根據需要亦包含含有氧原子的有機溶劑，將其他成分溶解，較佳為以溶液狀使用。
[C]烴系溶劑及根據需要而使用的含有氧原子的有機溶劑(以下，亦簡稱為溶劑成分)的含量，並無特別限定。但是，就所得的硬化性樹脂組成物的其他成分的溶解性、或硬化性樹脂組成物的塗佈性及穩定性等的觀點而言，硬化性樹脂組成物的除去溶劑成分的各成分的合計濃度，較佳為成為2質量%~50質量%的量，更佳為成為5質量%~40質量%的量。在製備硬化性樹脂組成物的溶液時，實際是在所述濃度範圍中，設定與所期望的膜厚的值等對應的固體成分濃度(硬化性樹脂組成物溶液中所佔的溶劑成分以外的成分)。
如此而製備的溶液狀的本實施形態的硬化性樹脂組成物，較佳為使用孔徑為0.5μm左右的微孔過濾器(millipore filter)等過濾後，用於形成本實施形態的硬化膜。
實施形態2.
<硬化膜>
本發明的第2實施形態的硬化膜是在基板上塗佈所述本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物，根據需要進行圖案化後，
進行加熱硬化而形成。以下，對本實施形態的硬化膜及其形成方法進行說明。
在本實施形態的硬化膜的形成方法中，為了在基板上形成硬化膜，較佳為按照下述順序至少包含下述步驟(1)~步驟(4)。
(1)將本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物的塗膜形成於基板上的塗膜形成步驟。
(2)對步驟(1)中所形成的塗膜的至少一部分照射放射線的放射線照射步驟。
(3)將步驟(2)中照射了放射線的塗膜進行顯影的顯影步驟。
(4)將步驟(3)中經顯影的塗膜進行曝光的硬化步驟。
並且，圖1~圖4是說明本發明的第2實施形態的硬化膜的形成方法的圖。
圖1是說明本發明的第2實施形態的硬化膜的形成中的塗膜形成步驟的基板的剖面圖。
圖2是示意性說明本發明的第2實施形態的硬化膜的形成中的放射線照射步驟的剖面圖。
圖3是說明本發明的第2實施形態的硬化膜的形成中的顯影步驟的基板的剖面圖。
圖4是說明本發明的第2實施形態的硬化膜的形成中的硬化步驟的硬化膜及基板的剖面圖。
以下，對所述步驟(1)(塗膜形成步驟)~步驟(4)(硬化步驟)分別進行說明。
[步驟(1)]
在作為本實施形態的硬化膜的形成方法的步驟(1)的塗膜形成步驟中，如圖1所示般，將本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物的塗膜1形成於基板2上。
形成塗膜1的基板2可使用：包含玻璃、石英、矽、或樹脂(例如聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚碸、聚碳酸酯、聚酯、環狀烯烴的開環聚合物及其氫化物等)等的基板。另外，所述基板根據期望，亦可預先實施藉由矽烷偶合劑等的化學品處理、電漿處理、離子電鍍、濺鍍、氣相反應法、真空蒸鍍等預處理。
在基板2中，在一個面塗佈本實施形態的硬化性樹脂組成物後，進行預烘烤，硬化性樹脂組成物所含有的溶劑等成分蒸發，而形成塗膜1。
作為本步驟中的硬化性樹脂組成物的塗佈方法，例如可採用：噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法(亦有時稱為旋塗法或旋轉器法)、狹縫塗佈法(狹縫模塗法)、棒塗法、噴墨塗佈法等適當的方法。所述中，就可形成均勻的厚度的膜的方面而言，較佳為旋塗法或狹縫塗佈法。
所述的預烘烤的條件根據構成硬化性樹脂組成物的各成分的種類、調配比例等而不同，較佳為在70℃~120℃的溫度下
進行，時間根據加熱板或烘箱等加熱裝置而不同，約為1分鐘~15分鐘左右。
[步驟(2)]
繼而，在作為本實施形態的硬化膜的形成方法的步驟(2)的放射線照射步驟中，如圖2所示般，對在步驟(1)中形成於基板2上的塗膜1的至少一部分照射放射線4。此時，在僅對塗膜1的一部分照射放射線4a時，例如經由具有與所期望的形狀的形成對應的圖案的光罩3進行。藉由使用所述光罩3，而所照射的放射線4的一部分透射光罩，所述一部分放射線4a照射至塗膜1。
作為照射所使用的放射線4，可列舉：可見光線、紫外線、遠紫外線等。所述中，較佳為波長處於200nm~550nm的範圍的放射線，更佳為包含365nm的紫外線的放射線。
關於放射線4的照射量(曝光量)，作為藉由照度計(OAI 356型、光學夥伴公司(Optical Associates Inc.)製造)測定放射線4的波長為365nm時的強度的值，可設為10J/m2~10000J/m2，較佳為100J/m2~5000J/m2，更佳為200J/m2~3000J/m2。
[步驟(3)]
繼而，在作為本實施形態的硬化膜的形成方法的步驟(3)的顯影步驟中，如圖3所示般，將放射線照射後的圖2的塗膜1進行顯影而除去不需要的部分，而獲得圖案化為特定形狀的塗膜1a。
作為用於顯影的顯影液，例如可使用：氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨等無機鹼，或氫氧化四甲
基銨、氫氧化四乙基銨等四級銨鹽，或膽鹼、1,8-二氮雜雙環-[5.4.0]-7-十一碳烯、1,5-二氮雜雙環-[4.3.0]-5-壬烯等鹼性化合物的水溶液。在所述鹼性化合物的水溶液中，亦可添加適當量的甲醇、乙醇等水溶性有機溶劑而使用。而且，可僅添加所述水溶性有機溶劑，或亦可與所述水溶性有機溶劑一起，添加適當量的界面活性劑而使用。
顯影方法可為覆液法、浸漬法、噴淋法、噴霧法等的任一種，顯影時間在常溫下可設為5秒鐘~300秒鐘，較佳為在常溫下為10秒鐘~180秒鐘左右。繼顯影處理後例如進行30秒鐘~90秒鐘的流水清洗後，藉由壓縮空氣或壓縮氮氣進行風乾，藉此獲得所期望的圖案。
[步驟(4)]
繼而，在作為本實施形態的硬化膜的形成方法的步驟(4)的硬化步驟中，藉由使用曝光裝置的曝光，將圖3所示的經圖案化的塗膜1a進行硬化(亦稱為後曝光)。藉此，如圖4所示般，獲得形成於基板2上的本實施形態的硬化膜5。硬化膜5如上所述般，以成為所期望的形狀的方式進行圖案化。
本實施形態的硬化膜5的形成是使用所述第1實施形態的硬化性樹脂組成物，在本步驟中，對所述塗膜的一部分照射放射線。具體而言，對在步驟(1)中形成、在步驟(2)及步驟(3)中圖案化的塗膜，照射特定放射線。作為此時使用的放射線，例如可列舉：紫外線、遠紫外線、X射線、帶電粒子束等。
作為所述紫外線，例如可列舉：g線(波長436nm)、i線(波長365nm)等。作為遠紫外線，例如可列舉：KrF準分子雷射光等。作為X射線，例如可列舉：同步加速器放射線等。作為帶電粒子束，例如可列舉：電子束等。在所述放射線中，較佳為使用紫外線，在紫外線中，更佳為包括g線、h線及i線中的至少一種的放射線。作為放射線的曝光量，較佳為0.1J/m2~30000J/m2。
藉由包括以上步驟(1)~步驟(4)的硬化膜的形成方法而形成的本實施形態的硬化膜，在樹脂中包含[B]半導體量子點而構成，具有基於[B]半導體量子點的螢光發光(波長轉換)功能。因此，可用作發出與激發光不同的波長的螢光的波長轉換膜。因此，本發明的實施形態的波長轉換膜可使用本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物，根據所述第2實施形態的硬化膜的形成方法而形成。並且，本實施形態的波長轉換膜具有基於[B]半導體量子點的螢光發光(波長轉換)功能。
另外，亦可使用本實施形態的硬化膜作為發光層，而提供發光元件。此時，本發明的實施形態的發光元件的發光層可使用本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物，根據所述本實施形態的硬化膜的形成方法，同樣地形成。並且，本實施形態的發光元件的發光層具有基於[B]半導體量子點的螢光發光(波長轉換)功能。
特別是，本實施形態的硬化膜如後述般，適合用作作為發光
元件的例子的發光顯示元件的發光層，並可用於構成發光顯示元件。
因此，硬化膜為了可提高光的利用效率，而在構成其的樹脂中，厚度為0.1mm時的總透光率(JIS K7105)較佳為75%~95%，更佳為78%~95%，尤佳為80%~95%。若總透光率為此種範圍，則所得的硬化膜可構成光利用效率優異的波長轉換膜或發光元件的發光層。
實施形態3.
<發光顯示元件及其發光層>
在本發明中，藉由使用所述本發明的第2實施形態的硬化膜作為波長轉換膜或發光層，而可提供照明裝置或發光顯示元件等發光元件。
作為本發明的第3實施形態的發光顯示元件，是本發明的發光元件的一例。作為本發明的第3實施形態的發光顯示元件，是使用將所述本發明的第2實施形態的硬化膜作為發光層的波長轉換基板而構成。
圖5是示意性表示本發明的實施形態的發光顯示元件的剖面圖。
本發明的第1實施形態的發光顯示元件100具有：在基板12上設置發光層13(13a、13b、13c)與黑矩陣14而構成的波長轉換基板11、以及在波長轉換基板11上經由接著劑層15而貼合的光源基板18。
基板12包含：玻璃、石英、或透明樹脂(例如透明聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯膜、環狀烯烴系樹脂膜等)等。
波長轉換基板11的發光層13是利用所述本發明的第2實施形態的硬化膜而成者。即，發光層13使用所述本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物，進行圖案化而形成。
關於發光層的形成方法，由於所述發光層是使用本發明的第2實施形態的硬化膜而成者，因此與所述本發明的第2實施形態的硬化膜的形成方法相同。
即，在基板12上形成本發明的第2實施形態的硬化膜，所述硬化膜成為發光層13而構成發光顯示元件100的波長轉換基板11。因此，發光層13的形成方法較佳為依序包括與所述者相同的下述步驟(1)~步驟(4)。
(1)將本發明的第1實施形態的硬化性樹脂組成物的塗膜形成於基板上的塗膜形成步驟。
(2)對步驟(1)中所形成的塗膜的至少一部分照射放射線的放射線照射步驟。
(3)將步驟(2)中照射了放射線的塗膜進行顯影的顯影步驟。
(4)將步驟(3)中經顯影的塗膜進行曝光的硬化步驟。
並且，用以形成發光層13的(1)步驟~(4)步驟的各步驟，在本發明的第2實施形態的硬化膜的形成中，如使用圖1
~圖4進行說明般。因此，省略其詳細內容，但以成為圖4中所示的所期望的形狀的方式圖案化的硬化膜5，成為圖5的波長轉換基板11的發光層13。
波長轉換基板11的各發光層13使用所含有的半導體量子點，將來自光源基板18的激發光源17的激發光進行波長轉換，而發出所期望的波長的螢光。
並且，在波長轉換基板11中，發光層13的發光層13a與發光層13b及發光層13c分別包含不同的半導體量子點而構成，並可發出不同的螢光。
例如，波長轉換基板11能以如下方式構成：發光層13a將激發光轉換為紅色的光，發光層13b將激發光轉換為綠色的光，發光層13c將激發光轉換為藍色的光。
此時，發光層13a、發光層13b、發光層13c以分別具有所期望的螢光特性的方式，選擇所含有的半導體量子點。因此，在波長轉換基板11的發光層13a、發光層13b、發光層.13c的形成中，準備包含不同發光特性的半導體量子點的例如3種第1實施形態的硬化性樹脂組成物。
並且，分別使用所述3種第1實施形態的硬化性樹脂組成物，反覆進行包括所述步驟(1)~步驟(4)的發光層13的形成方法，而依序形成發光層13a、發光層13b及發光層13c。並且，在基板12上形成發光層13，而獲得波長轉換基板11。
波長轉換基板11的發光層13的厚度較佳為100nm~
100μm左右，更佳為1μm~100μm。若所述厚度小於100nm，則會產生以下問題：無法充分吸收激發光，由於光轉換效率降低而無法充分確保發光顯示元件的亮度。而且，為了提高激發光的吸收，並充分確保發光顯示元件的亮度，作為膜厚，較佳為設為1μm以上。
在基板12上的各發光層13之間配置黑矩陣14。黑矩陣14可使用公知的遮光性材料，根據公知的方法進行圖案化而形成。另外，黑矩陣14在波長轉換基板11中並非必須的構成要素，波長轉換基板11亦可設為不設置黑矩陣14的構成。
接著劑層15是使用透射後述波長的紫外光或藍色光的公知的接著劑而形成。另外，接著劑層15如圖5所示般，無須以在基板12上被覆發光層13a、發光層13b、發光層13c的整面的方式設置，亦可僅設置於波長轉換基板11的周圍。
光源基板18具備：基板16、配置於基板16的波長轉換基板11之側的光源17。自光源17分別出射作為激發光的紫外光或藍色光。
作為光源17，可使用公知的結構的紫外發光有機電致發光(Electroluminescence，EL)元件及藍色發光有機EL元件等，並無特別限定，可藉由公知的材料、公知的製造方法而製作。此處，作為紫外光，較佳為主發光峰值為360nm~435nm的發光，作為藍色光，較佳為主發光峰值為435nm~480nm的發光。光源17理想為以各出射光照射相向的發光層13的方式具有指向性。
本實施形態的發光顯示元件100藉由相向的波長轉換基板11的發光層13a的半導體量子點，將來自作為光源17之一的光源17a的激發光進行波長轉換。同樣，藉由相向的波長轉換基板11的發光層13b的半導體量子點，將來自光源17b的激發光進行波長轉換，並且藉由相向的波長轉換基板11的發光層13c的半導體量子點，將來自光源17c的激發光進行波長轉換。如此，來自光源17的激發光分別轉換為所期望波長的可見光而用於顯示。
另外，在波長轉換基板11中，如後述般，在發光層13c中將激發光轉換為藍色光。此時，波長轉換基板11亦可使用光散射層代替發光層13c，所述光散射層是在樹脂中分散光散射粒子而構成。藉此，在激發光為藍色光時，可不將所述激發光進行波長轉換，而以原來的波長特性使用。
發光顯示元件100的波長轉換基板11如上所述般，包含半導體量子點與樹脂的發光層13a與發光層13b以及發光層13c分別在基板12上進行圖案化而設置。發光層13a、發光層13b、發光層13c分別由包含半導體量子點的第1實施形態的硬化性樹脂組成物形成。
在發光顯示元件100中，設置有發光層13a的部分構成進行紅色顯示的子畫素。即，波長轉換基板11的發光層13a將來自光源基板18所相向的光源17a的激發光轉換為紅色。另外，設置有發光層13b的部分構成進行綠色顯示的子畫素。即，發光層13b將來自光源基板18所相向的光源17b的激發光轉換為綠色。
另外，設置有發光層13c的部分構成進行藍色顯示的子畫素。即，發光層13c將來自光源基板18所相向的光源17c的激發光轉換為藍色。
並且，發光顯示元件100藉由具備發光層13a的子畫素、具備發光層13b的子畫素及具備發光層13c的子畫素的3種，構成1個畫素，所述畫素成為構成圖像的最小單位。
具有以上構成的本實施形態的發光顯示元件100，分別對具備發光層13a的子畫素、具備發光層13b的子畫素及具備發光層13c的子畫素，控制紅色、綠色或藍色的光的發光。並且，對包含3種子畫素的每1個畫素，控制紅色、綠色及藍色的光的發光，而進行全彩顯示。
另外，在本發明的實施形態的發光顯示元件100中，在發光層13與基板12之間，可設置彩色濾光片。即，可在發光層13a與基板12之間設置紅色的彩色濾光片，在發光層13b與基板12之間設置綠色的彩色濾光片，在發光層13c與基板12之間設置紅色的彩色濾光片。
本發明的第3實施形態的發光顯示元件100可藉由設置彩色濾光片，而提高顯示色的純度。此處，作為彩色濾光片，可藉由公知的方法形成作為液晶顯示元件用途等而公知者而使用。
[實施例]
以下，根據實施例對本發明進行更具體地說明，但本發明不受所述實施例任何限定。
<[B]半導體量子點([B]成分)>
以下表示本實施例中所用的半導體量子點。
半導體量子點A：InP/ZnS核殼型量子點
半導體量子點B：InCuS2/ZnS核殼型量子點
半導體量子點C：Si量子點
並且，下述實施例中所用的半導體量子點A：InP/ZnS核殼型量子點、半導體量子點B：InCuS2/ZnS核殼型量子點、半導體量子點C：Si量子點，可藉由通常已知的方法而合成。
例如，關於半導體量子點A：InP/ZnS核殼型量子點，可參照技術文獻「美國化學學會誌(Journal of American Chemical Society.)2007,129,15432-15433」所記載的方法而合成，關於半導體量子點B：InCuS2/ZnS核殼型量子點，可參照技術文獻「美國化學學會誌(Journal of American Chemical Society.)2009,131,5691-5697」及技術文獻「材料化學(Chemistry of Materials.)2009,21,2422-2429」所記載的方法而合成，關於半導體量子點C：Si量子點，可參照技術文獻「美國化學學會誌(Journal of American Chemical Society.)2010,132,248-253」所記載的方法而合成。
與以上[B]半導體量子點一起使用：[A]1分子中具有2個以上聚合性基的重量平均分子量為150以上、10000以下的化合物([A]成分)及[C]烴系溶劑([C]成分)，進而使用[D]聚合性起始劑([D]成分)、作為[E]具有羧基的重量平均分子量為5000以上、40000以下的聚合物([E]成分)的所述[E1]成分、[E2]成分，
而製備實施例的硬化性樹脂組成物。繼而，使用所述硬化性樹脂組成物形成實施例的硬化膜，並進行其評價。
<[E1]成分的合成例>
在具備冷卻管與攪拌機的燒瓶中，投入丙二醇單甲醚乙酸酯150質量份進行氮氣置換。加熱至80℃，在所述溫度下，歷時2小時滴加丙二醇單甲醚乙酸酯50質量份、甲基丙烯酸20質量份、甲基丙烯酸苄酯5重量份、苯乙烯10質量份、甲基丙烯酸2-羥基乙酯13質量份、甲基丙烯酸2-乙基己酯40質量份、N-苯基順丁烯二醯亞胺12質量份及2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)6質量份的混合溶液，保持所述溫度進行1小時聚合。然後，將反應溶液的溫度升溫至90℃，繼而進行1小時聚合，藉此獲得樹脂溶液(固體成分濃度=33質量%)。所得的樹脂的Mw=11100、Mn=6000、Mw/Mn=1.85。將所述的樹脂溶液設為含有羧基的樹脂溶液(E-1)。
實施例1
[硬化性樹脂組成物(β-I)的製備]
混合以下成分：相當於聚合物30質量份(固體成分)的量的包含作為[E2]成分的含有羧基的聚異戊二烯(可樂麗股份有限公司製造、商品名「UC-102」)的溶液、及作為[D]成分的1,2-辛烷二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)](巴斯夫(BASF)公司製造Irgacure(註冊商標)OXE01)10質量份、作為[A]成分的1,9-壬二醇二丙烯酸酯(新中村化學工業股份有限公司製造NK Ester(註
冊商標)A-NOD-N)70質量份，並溶解於作為[C]成分的對薄荷烷中，混合10質量份的作為[B]成分的半導體量子點A，而製備硬化性樹脂組成物(β-I)。
實施例2
[硬化性樹脂組成物(β-Ⅱ)的製備]
混合以下成分：作為[E2]成分的含有羧基的聚異戊二烯(可樂麗股份有限公司製造、商品名「UC-203」)20質量份、及作為[D]成分的1,2-辛烷二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)](巴斯夫公司製造Irgacure(註冊商標)OXE01)10質量份、作為[A]成分的1,10-癸二醇二丙烯酸酯(新中村化學工業股份有限公司製造NK Ester(註冊商標)A-DOD-N)80質量份，並溶解於作為[C]成分的蒎烷中，混合10質量份的作為[B]成分的半導體量子點A，而製備硬化性樹脂組成物(β-II)。
實施例3
[硬化性樹脂組成物(β-Ⅲ)的製備]
混合以下成分：作為[E2]成分的含有羧基的聚異戊二烯(可樂麗股份有限公司製造、商品名「UC-102」)30質量份、及作為[D]成分的2-二甲基胺基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁烷-1-酮(巴斯夫公司製造Irgacure(註冊商標)379)10質量、作為[A]成分的1,9-壬二醇二丙烯酸酯(新中村化學工業股份有限公司製造NK Ester(註冊商標)A-NOD-N)50質量份、環氧丙烷改質三羥甲基丙烷三丙烯酸酯20質量份(東亞合成股份有限公司製
造Aronix(註冊商標)M-321)，並溶解於作為[C]成分的癸烷中，混合10質量份的作為[B]成分的半導體量子點C，而製備硬化性樹脂組成物(β-Ⅲ)。
實施例4
[硬化性樹脂組成物(β-Ⅳ)的製備]
混合以下成分：作為[E2]成分的含有羧基的聚異戊二烯(可樂麗股份有限公司製造、商品名「UC-102」)40質量份、及作為[D]成分的1,2-辛烷二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)](巴斯夫公司製造Irgacure(註冊商標)OXE01)10質量份、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)(巴斯夫公司製造Irgacure(註冊商標)OXE02)5質量份、作為[A]成分的1,9-壬二醇二丙烯酸酯(新中村化學工業股份有限公司製造NK Ester(註冊商標)A-NOD-N)60質量份，並溶解於作為[C]成分的蒎烷中，混合10質量份的作為[B]成分的半導體量子點B，而製備硬化性樹脂組成物(β-Ⅳ)。
實施例5
[硬化性樹脂組成物(β-V)的製備]
在作為[E1]成分的含有羧基的樹脂溶液(E-1)90質量份中，添加作為[C]成分的對薄荷烷40質量份使其溶解後，混合10質量份的作為[B]成分的半導體量子點A而製作均勻的溶液，並混合作為[D]成分的2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮(巴斯夫公司製造Irgacure(註冊商標)907)5質量份、1,2-辛烷二酮
-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)](巴斯夫公司製造Irgacure(註冊商標)OXE01)5質量份、作為[A]成分的三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(新中村化學工業股份有限公司製造NK Ester(註冊商標)A-DCP)20質量份、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯(東亞合成股份有限公司製造Aronix(註冊商標)M-408)10質量份，而製備硬化性樹脂組成物(β-V)。
實施例6
[使用硬化性樹脂組成物(β-I)的硬化膜的形成]
在無鹼玻璃基板上，藉由旋轉器塗佈實施例1中所製備的硬化性樹脂組成物(β-I)後，在80℃的加熱板上進行2分鐘預烘烤，藉此形成塗膜。
繼而，經由具備特定圖案的光罩，對所得的塗膜使用高壓水銀燈以曝光量為700J/m2進行放射線照射。繼而，藉由0.04質量%的氫氧化鉀水溶液在23℃下進行80秒鐘顯影。
繼而，對所得的圖案使用高壓水銀燈以曝光量為10000J/m2進行放射線照射，而形成圖案化為特定形狀的硬化膜。
繼而，藉由光學顯微鏡觀察經圖案化的硬化膜的端部分，在無顯影殘渣、且成直線狀地形成圖案的直線部分時，判斷為圖案化性良好。
其結果是使用硬化性樹脂組成物(β-I)，進行圖案化而形成的硬化膜的圖案化性良好。
實施例7
[使用硬化性樹脂組成物(β-II)的硬化膜的形成]
在無鹼玻璃基板上，藉由旋轉器塗佈實施例2中所製備的硬化性樹脂組成物(β-II)後，在80℃的加熱板上進行2分鐘預烘烤，藉此形成塗膜。
繼而，經由具備特定圖案的光罩，對所得的塗膜使用高壓水銀燈以曝光量為1000J/m2進行放射線照射，藉由0.04質量%的氫氧化鉀水溶液在23℃下進行80秒鐘顯影。
繼而，對所得的圖案使用高壓水銀燈以曝光量為10000J/m2進行放射線照射，而形成圖案化為特定形狀的硬化膜。
繼而，藉由光學顯微鏡觀察經圖案化的硬化膜的端部分，在無顯影殘渣、且成直線狀地形成圖案的直線部分時，判斷為圖案化性良好。
其結果是使用硬化性樹脂組成物(β-II)，進行圖案化而形成的硬化膜的圖案化性良好。
實施例8
[使用硬化性樹脂組成物(β-Ⅲ)的硬化膜的形成]
在無鹼玻璃基板上，藉由旋轉器塗佈實施例3中所製備的硬化性樹脂組成物(β-III)後，在80℃的加熱板上進行2分鐘預烘烤，藉此形成塗膜。
繼而，經由具備特定圖案的光罩，對所得的塗膜使用高壓水銀燈以曝光量為800J/m2進行放射線照射，藉由0.04質量%的氫氧化鉀水溶液在23℃下進行80秒鐘顯影。
繼而，對所得的圖案使用高壓水銀燈以曝光量為10000J/m2進行放射線照射，而形成圖案化為特定形狀的硬化膜。
繼而，藉由光學顯微鏡觀察經圖案化的硬化膜的端部分，在無顯影殘渣、且成直線狀地形成圖案的直線部分時，判斷為圖案化性良好。
其結果是使用硬化性樹脂組成物(β-III)，進行圖案化而形成的硬化膜的圖案化性良好。
實施例9
[使用硬化性樹脂組成物(β-Ⅳ)的硬化膜的形成]
在無鹼玻璃基板上，藉由旋轉器塗佈實施例3中所製備的硬化性樹脂組成物(β-Ⅳ)後，在80℃的加熱板上進行2分鐘預烘烤，藉此形成塗膜。
繼而，經由具備特定圖案的光罩，對所得的塗膜使用高壓水銀燈以曝光量為800J/m2進行放射線照射，藉由0.04質量%的氫氧化鉀水溶液在23℃下進行80秒鐘顯影。
繼而，對所得的圖案使用高壓水銀燈以曝光量為10000J/m2進行放射線照射，而形成圖案化為特定形狀的硬化膜。
繼而，藉由光學顯微鏡觀察經圖案化的硬化膜的端部分，在無顯影殘渣、且成直線狀地形成圖案的直線部分時，判斷為圖案化性良好。
其結果是使用硬化性樹脂組成物(β-Ⅳ)，進行圖案化而形成的硬化膜的圖案化性良好。
實施例10
[使用硬化性樹脂組成物(β-V)的硬化膜的形成]
在無鹼玻璃基板上，藉由旋轉器塗佈實施例3中所製備的硬化性樹脂組成物(β-V)後，在80℃的加熱板上進行2分鐘預烘烤，藉此形成塗膜。
繼而，經由具備特定圖案的光罩，對所得的塗膜使用高壓水銀燈以曝光量為800J/m2進行放射線照射，藉由0.04質量%的氫氧化鉀水溶液在23℃下進行80秒鐘顯影。
繼而，對所得的圖案使用高壓水銀燈以曝光量為10000J/m2進行放射線照射，而形成圖案化為特定形狀的硬化膜。
繼而，藉由光學顯微鏡觀察經圖案化的硬化膜的端部分，在無顯影殘渣、且成直線狀地形成圖案的直線部分時，判斷為圖案化性良好。
其結果是使用硬化性樹脂組成物(β-V)，進行圖案化而形成的硬化膜的圖案化性良好。
實施例11
[硬化收縮性的評價]
對藉由實施例6的形成方法而得的硬化膜，進一步進行10000J/m2的曝光處理，藉由觸針式膜厚測定機(Alpha Step IQ、科磊(KLA-Tencor)公司)測定所述曝光前後的膜厚。並且，算出殘膜率(處理後膜厚/處理前膜厚×100)，並將所述殘膜率作為硬化收縮性。殘膜率為99%，硬化收縮性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例7的形成方法而得的硬化膜，進一步進行10000J/m2的曝光處理，藉由觸針式膜厚測定機(Alpha Step IQ、科磊公司)測定所述曝光前後的膜厚。並且，算出殘膜率(處理後膜厚/處理前膜厚×100)，並將所述殘膜率作為硬化收縮性。殘膜率為99%，硬化收縮性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例8的形成方法而得的硬化膜，進一步進行10000J/m2的曝光處理，藉由觸針式膜厚測定機(Alpha Step IQ、科磊公司)測定所述曝光前後的膜厚。並且，算出殘膜率(處理後膜厚/處理前膜厚×100)，並將所述殘膜率作為硬化收縮性。殘膜率為99%，硬化收縮性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例9的形成方法而得的硬化膜，進一步進行10000J/m2的曝光處理，藉由觸針式膜厚測定機(Alpha Step IQ、科磊公司)測定所述曝光前後的膜厚。並且，算出殘膜率(處理後膜厚/處理前膜厚×100)，並將所述殘膜率作為硬化收縮性。殘膜率為99%，硬化收縮性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例10的形成方法而得的硬化膜，進一步進行10000J/m2的曝光處理，藉由觸針式膜厚測定機(Alpha Step IQ、科磊公司)測定所述曝光前後的膜厚。並且，算出殘膜率(處理後膜厚/處理前膜厚×100)，並將所述殘膜率作為硬化收縮性。殘膜率為99%，硬化收縮性判斷為良好。
實施例12
[耐光性的評價]
對藉由實施例6的形成方法而得的硬化膜，進一步使用紫外線(ultraviolet，UV)照射裝置(UVX-02516S1JS01、優志旺(Ushio)公司)，以130mW的照度照射800000J/m2的紫外光，調查照射後的膜減少量。膜減少量為2%以下，耐光性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例7的形成方法而得的硬化膜，進一步使用UV照射裝置(UVX-02516S1JS01、優志旺公司)，以130mW的照度照射800000J/m2的紫外光，調查照射後的膜減少量。膜減少量為2%以下，耐光性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例8的形成方法而得的硬化膜，進一步使用UV照射裝置(UVX-02516S1JS01、優志旺公司)，以130mW的照度照射800000J/m2的紫外光，調查照射後的膜減少量。膜減少量為2%以下，耐光性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例9的形成方法而得的硬化膜，進一步使用UV照射裝置(UVX-02516S1JS01、優志旺公司)，以130mW的照度照射800000J/m2的紫外光，調查照射後的膜減少量。膜減少量為2%以下，耐光性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例10的形成方法而得的硬化膜，進一步使用UV照射裝置(UVX-02516S1JS01、優志旺公司)，以130mW的照度照射800000J/m2的紫外光，調查照射後的膜減少量。膜減少量為2%以下，耐光性判斷為良好。
實施例13
[螢光特性的評價]
對藉由實施例6的形成方法而得的硬化膜，進一步使用絕對PL量子產率測定裝置(C11347-01、浜松光子(Hamamatsu Photonics)公司)，調查25℃時的螢光量子產率。螢光量子產率為37%，螢光特性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例7的形成方法而得的硬化膜，進一步使用絕對PL量子產率測定裝置(C11347-01、浜松光子公司)，調查25℃時的螢光量子產率。螢光量子產率為39%，螢光特性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例8的形成方法而得的硬化膜，進一步使用絕對PL量子產率測定裝置(C11347-01、浜松光子公司)，調查25℃時的螢光量子產率。螢光量子產率為38%，螢光特性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例9的形成方法而得的硬化膜，進一步使用絕對PL量子產率測定裝置(C11347-01、浜松光子公司)，調查25℃時的螢光量子產率。螢光量子產率為35%，螢光特性判斷為良好。
同樣，對藉由實施例10的形成方法而得的硬化膜，進一步使用絕對PL量子產率測定裝置(C11347-01、浜松光子公司)，調查25℃時的螢光量子產率。螢光量子產率為36%，螢光特性判斷為良好。
[產業上之可利用性]
使用本發明的硬化性樹脂組成物而形成的硬化膜，耐光
性等可靠性優異，且圖案化亦容易，作為波長轉換層或波長轉換膜，除了可用於顯示元件或使用其的電子設備外，亦可用於發光二極體(Light Emitting Diode，LED)及太陽電池的領域。
11‧‧‧波長轉換基板
12、16‧‧‧基板
13、13a、13b、13c‧‧‧發光層
14‧‧‧黑矩陣
15‧‧‧接著劑層
17、17a、17b、17c‧‧‧光源
18‧‧‧光源基板
100‧‧‧發光顯示元件
Claims (13)
- 一種硬化性樹脂組成物，其特徵在於含有：[A]1分子中具有2個以上聚合性基的分子量為150以上、10000以下的化合物、[B]半導體量子點、及[C]烴系溶劑。
- 如申請專利範圍第1項所述之硬化性樹脂組成物，其中進一步包含含有氧原子的有機溶劑。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之硬化性樹脂組成物，其中進一步包含[D]聚合性起始劑。
- 如申請專利範圍第3項所述之硬化性樹脂組成物，其中所述[D]聚合性起始劑為含有碳數1~20的烴基的聚合性起始劑。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之硬化性樹脂組成物，其中進一步包含[E]具有羧基的重量平均分子量為5000以上、40000以下的聚合物。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之硬化性樹脂組成物，其中所述[B]半導體量子點包含含有選自由2族元素、11族元素、12族元素、13族元素、14族元素、15族元素及16族元素所組成的組群的至少2種元素的化合物。
- 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之硬化性樹脂組成物，其中所述[B]半導體量子點包含含有In作為構成成分的化合物。
- 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之硬化性樹脂組成物，其中所述[B]半導體量子點為選自由InP/ZnS化合物、CuInS2/ZnS化合物、AgInS2化合物、(ZnS/AgInS2)固溶體/ZnS化合物、摻雜Zn的AgInS2化合物及Si化合物所組成的組群的至少1種。
- 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之硬化性樹脂組成物，其中所述[A]化合物為選自由下述式(1)所示的化合物、下述式(2)所示的化合物及下述式(3)所示的化合物所組成的組群的至少1種化合物：Y-X-Y (1)
- 一種硬化膜，其特徵在於：使用如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之硬化性樹脂組成物而形成。
- 一種發光元件，其特徵在於：具有發光層，所述發光層使用如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之硬化性樹脂組成物而形成。
- 一種波長轉換膜，其特徵在於：使用如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之硬化性樹脂組成物而形成。
- 一種發光層的形成方法，其為發光元件的發光層的形成方法，所述發光層的形成方法的特徵在於包括：(1)將如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之硬化性樹脂組成物的塗膜形成於基板上的步驟；(2)對步驟(1)中所形成的塗膜的至少一部分照射放射線的步驟； (3)將步驟(2)中照射了放射線的塗膜進行顯影的步驟；及(4)將步驟(3)中經顯影的塗膜進行曝光的步驟。
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