JP2021033093A - 半導体ナノ粒子含有組成物、波長変換膜及び発光表示素子 - Google Patents

Abstract

【課題】分散安定性及び塗布性が良好であり、蛍光量子収率が高く蛍光半値幅が狭い波長変換膜を形成することができる半導体ナノ粒子含有組成物、このような半導体ナノ粒子含有組成物から形成される波長変換膜及び発光表示素子を提供する。【解決手段】発明の一態様は、（Ａ）亜鉛、テルル及び銅を含む半導体ナノ粒子、（Ｂ）光拡散粒子、並びに（Ｃ）バインダを含有する半導体ナノ粒子含有組成物である。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ナノ粒子含有組成物、波長変換膜及び発光表示素子に関する。

近年、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）等の半導体をナノメートルサイズの大きさに形成して得られた半導体ナノ粒子が注目を集めている。このような半導体ナノ粒子は、ブロードな光吸収を示すとともにスペクトル幅の狭い蛍光を発するという特殊な光学特性を示すため、現在各種の応用が検討されている。例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、マイクロサイズの発光ダイオード素子（マイクロＬＥＤ素子）等を用いたディスプレイや照明等に、上述の半導体ナノ粒子が用いられるようになってきている（特許文献１参照）。

上記ＣｄＳ、ＣｄＴｅ等のＣｄ系半導体ナノ粒子は、蛍光量子収率が高く、蛍光半値幅が狭い半導体ナノ粒子として知られている。しかし、Ｃｄ系半導体粒子においては、カドミウムの毒性のため各国でその使用に制限があることが実用化の障壁となっている。これに対し、Ｃｄ系半導体ナノ粒子に代わる半導体ナノ粒子として、ＩｎＰ等のＩｎ系半導体ナノ粒子、ＺｎＴｅ等のＴｅ系半導体ナノ粒子などの開発及び実用化の検討が進められている（特許文献２及び非特許文献１参照）。

特開２０１４−１７４４０６号公報 特開２０１７−１７１９２７号公報

Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２０１０，２２，２３３−２４０（ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ（Ｃｏｒｅ／Ｓｈｅｌｌ）Ｔｙｐｅ−ＩＩ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔｓ：Ｔｈｅｉｒ Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）

半導体ナノ粒子を各素子等に適用する場合、半導体ナノ粒子及びバインダ等を含む波長変換膜として各素子に備えられることがある。しかし、従来のＩｎ系半導体ナノ粒子やＴｅ系半導体ナノ粒子を用いた波長変換膜は、蛍光量子収率が高いこと、蛍光半値幅が狭いことなどといった蛍光性能が十分であるとはいえない。なお、波長変換膜は、通常、波長変換膜形成用の組成物の塗布及び加熱等を経て形成され、加熱やバインダ等の他の成分が蛍光性能に影響を与え得る。このため、分散液の状態の蛍光性能と、波長変換膜とした場合の蛍光性能とが同様の傾向となるとは限らない。また、良好な波長変換膜を効率的に形成するために、波長変換膜形成用の組成物には、良好な分散安定性及び塗布性が要求される。

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、分散安定性及び塗布性が良好であり、蛍光量子収率が高く蛍光半値幅が狭い波長変換膜を形成することができる半導体ナノ粒子含有組成物、このような半導体ナノ粒子含有組成物から形成される波長変換膜及び発光表示素子を提供することを目的とする。

上記課題を解決するためになされた発明の一態様は、（Ａ）亜鉛、テルル及び銅を含む半導体ナノ粒子、（Ｂ）光拡散粒子、並びに（Ｃ）バインダを含有する半導体ナノ粒子含有組成物である。

上記課題を解決するためになされた発明の他の一態様は、当該半導体ナノ粒子含有組成物から形成される波長変換膜である。

上記課題を解決するためになされた別の発明の他の一態様は、当該波長変換膜を備える発光表示素子である。

本発明によれば、分散安定性及び塗布性が良好であり、蛍光量子収率が高く蛍光半値幅が狭い波長変換膜を形成することができる半導体ナノ粒子含有組成物、このような半導体ナノ粒子含有組成物から形成される波長変換膜及び発光表示素子を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る発光表示素子を模式的に示す断面図である。

＜半導体ナノ粒子含有組成物＞
本発明の一実施形態に係る半導体ナノ粒子含有組成物は、（Ａ）亜鉛、テルル及び銅を含む半導体ナノ粒子、（Ｂ）光拡散粒子、並びに（Ｃ）バインダを含有する。分散安定性及び塗布性が良好であり、蛍光量子収率が高く蛍光半値幅が狭い波長変換膜を形成することができる。特に、当該半導体ナノ粒子含有組成物を用いた場合、加熱処理を経て得られる波長変換膜も、良好な蛍光性能を有する。このような効果が生じる理由は、以下の理論に束縛されるものでないが、半導体ナノ粒子が亜鉛及びテルルに加えて銅を含むことにより欠陥の少ない結晶構造が形成され、上記効果が奏されるものと推測される。

当該半導体ナノ粒子含有組成物は、（Ｄ）分散媒をさらに含有することが好ましい。また、当該半導体ナノ粒子含有組成物は、さらにその他の成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。

（（Ａ）半導体ナノ粒子）
（Ａ）半導体ナノ粒子は、亜鉛（Ｚｎ）、テルル（Ｔｅ）及び銅（Ｃｕ）を含む。（Ａ）半導体ナノ粒子は、通常、半導体物質を含むナノ結晶と、このナノ結晶の少なくとも一部を被覆するリガンドとを有する。ナノ結晶中に、亜鉛、テルル及び銅が含まれることが好ましい。なお、半導体ナノ粒子とは、半導体を含み、平均粒径が１ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下である粒子とすることができる。平均粒径とは、任意に選択した２０個の粒子に対して、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて測定した直径の算術平均値である。また、上記直径とは、長径と短径（長径に直交する径）との平均値（（長径＋短径）／２）をいう（以下、平均粒径について同様である。）。

（ナノ結晶）
ナノ結晶は、半導体物質を含む結晶体である。ナノ結晶を構成する元素として、亜鉛、テルル及び銅が含まれることが好ましい。ナノ結晶における亜鉛の含有量としては、例えば１０質量％以上９０質量％以下であってよく、３０質量％以上８０質量％以下であってもよい。ナノ結晶におけるテルルの含有量としては、例えば１質量％以上８０質量％以下であってよく、１質量％以上７０質量％以下であってもよい。ナノ結晶における銅の含有量としては、例えば１ｐｐｍ以上１０，０００ｐｐｍ以下であってよく、１ｐｐｍ以上１，０００ｐｐｍ以下であってよく、１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であってよく、１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であってもよい。なお、「ｐｐｍ」は、質量基準の含有割合である。ナノ結晶は、例えばテルル化亜鉛結晶構造において、亜鉛の一部が銅に置換されたものなどであってよい。このように、銅が少量含有されることにより、合成時に欠陥の少ない結晶構造が形成され、蛍光半値幅の狭いナノ結晶が得られやすくなると推測される。

ナノ結晶には、さらにその他の元素が含まれていてよい。その他の元素としては、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）等が挙げられる。ナノ結晶における硫黄の含有量としては、例えば１質量％以上６０質量％以下であってよい。ナノ結晶におけるセレンの含有量としては、例えば１質量％以上６０質量％以下であってよい。ナノ結晶は、例えばテルル化硫化亜鉛、テルル化セレン化硫化亜鉛等の結晶構造において、亜鉛の一部が銅に置換されたものなどであってよい。

ナノ結晶は、１種の化合物からなる均質構造型であってもよいが、２種以上の化合物から構成されるコアシェル型であることが好ましい。コアシェル型のナノ結晶においては、コアが亜鉛、テルル及び銅を含むことが好ましい。コアは、さらに硫黄及びセレンの少なくとも一方を含むことが好ましく、硫黄及びセレンの双方を含むことがより好ましい。コアは、例えばＺｎＣｕＴｅ、ＺｎＣｕＴｅＳ、ＺｎＣｕＴｅＳｅＳ等で構成されていることが好ましく、ＺｎＣｕＴｅＳｅＳで構成されていることがより好ましい。なお、例えば「ＺｎＣｕＴｅ」はその構成元素のみを示すものであり、構成する元素の比率を限定するものではない（以下、同様である。）。

シェルは、第１２族元素及び第１６族元素を含むことが好ましい。第１２族元素としては、例えば亜鉛、カドミウム等が挙げられるが、亜鉛が好ましい。第１６族元素としては、例えば硫黄、セレン、テルル等を挙げることができるが、硫黄及びセレンが好ましく、硫黄及びセレンの双方が含まれることがより好ましい。シェルがこのような元素を含む場合、蛍光量子収率が高まる。また、シェルがこのような元素を含む場合、耐熱性も向上し、加熱処理を経て得られる波長変換膜も良好な蛍光性能を有する。する傾向にある。シェルは、例えばＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳｅＳ等で構成されていることが好ましく、ＺｎＳｅＳで構成されていることがより好ましい。

（リガンド）
リガンドは、ナノ結晶の表面の少なくとも一部を被覆する。リガンドは、ナノ結晶の表面を静電的に安定化させる。リガンドは、後述する第一リガンドを含むことが好ましい。リガンドは、後述する第二リガンドを含んでいてもよく、その他のリガンドをさらに含んでいてもよい。

（第一リガンド）
第一リガンドは、基ｘ及び基ｙを有する。基ｘは、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）、チオール基（−ＳＨ）、ホスホノ基（−ＰＯ（ＯＨ）_２）、アミド基（−ＣＯＮＲ_２又は−ＣＯＮＣＯＲ：Ｒは、それぞれ独立して水素原子又は炭化水素基である。）又はこれらの組み合わせである。基ｙは、エーテル基（−Ｏ−）、エステル基（−ＣＯＯ−）、シロキサン基（−ＳｉＲ_２−Ｏ−：Ｒは、それぞれ独立して水素原子又は炭化水素基である。）又はこれらの組み合わせである。これらの基は、イオン（例えば−ＣＯＯ⁻）の状態で存在していてもよい。（Ａ）半導体ナノ粒子のリガンドがこのような第一リガンドを含む場合、（Ａ）半導体ナノ粒子の分散安定性が高まり、その結果、塗布性や得られる波長変換膜の蛍光性能等をより高めることができる。

上記基ｘは、ナノ結晶の表面に良好に吸着することのできる基である。上記基ｘの中でも、カルボキシ基及びチオール基が好ましく、チオール基がより好ましい。

上記基ｙは、（Ｄ）分散媒、特に極性分散媒に対する良好な分散性を発揮する基である。上記基ｙの中でも、エーテル基及びエステル基が好ましく、エーテル基がより好ましい。

第一リガンドとしては、下記式（Ｉ）で表されるものであることが好ましい。

式（Ｉ）中、Ｘは、カルボキシ基、下記式（ａ）で表わされる基、下記式（ｂ）で表される基、チオール基、ホスホノ基又はアミド基である。Ｙは、単結合、酸素原子又は硫黄原子である。Ｚは、エーテル基（酸素原子）、エステル基又はシロキサン基である。Ｒ^ａは、炭素数１〜５の２価の鎖状炭化水素基である。Ｒ^ｂは、炭素数１〜８の１価の鎖状炭化水素基である。ｒは、自然数である。ｒが２以上の場合、複数のＲ^ａは同一であっても異なっていてもよく、複数のＺは同一であっても異なっていてもよい。

式（ａ）及び（ｂ）中、＊は、他部位との結合箇所を示す。

上記Ｘとしては、カルボキシ基、下記式（ａ）で表わされる基、下記式（ｂ）で表される基、及びチオール基が好ましく、チオール基がより好ましい。

上記Ｙとしては、単結合及び硫黄原子が好ましく、単結合が好ましい。また、Ｘがチオール基、ホスホノ基又はアミド基である場合、Ｙは単結合であることが好ましい。

上記Ｚとしては、エーテル基及びエステル基が好ましく、エーテル基がより好ましい。なお、Ｚがエーテル基である場合、式（Ｉ）中の−（Ｒ^ａ−Ｚ）_ｒ−Ｒ^ｂは、ポリオキシアルキレン鎖を形成する。

上記Ｒ^ａで表される炭素数１〜５の２価の鎖状炭化水素基としては、メタンジイル基、エタン−１，２−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基等のアルカンジイル基、エテン−１，２−ジイル基等のアルケンジイル基等を挙げることができる。Ｒ^ａとしては、炭素数２〜４の２価の鎖状炭化水素基が好ましく、炭素数２の２価の鎖状炭化水素基がより好ましい。また、Ｒ^ａは、アルカンジイル基であることも好ましく、エタン−１，２−ジイル基が最も好ましい。

上記Ｒ^ｂで表される炭素数１〜８の１価の鎖状炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、エテニル基、プロペニル基等のアルケニル基、及びエチニル基等のアルキニル基を挙げることができるが、アルキル基が好ましい。また、Ｒ^ｂの炭素数の上限は、５が好ましく、３がより好ましく、１がさらに好ましい。すなわち、Ｒ^ｂとしては、メチル基が最も好ましい。Ｒ^ｂの炭素数が少ない場合、特に極性分散媒中での分散性がより向上する。

上記式（Ｉ）におけるｒの上限としては、例えば５００であり、５０が好ましい。上記ｒの下限は１であるが、２が好ましく、５がより好ましい。

（第二リガンド）
第二リガンドは、第一リガンドと共に上記ナノ結晶の少なくとも一部を被覆する。第二リガンドは、炭素数６〜３０の炭化水素基（基ｚ）を有する。基ｚは特に非極性分散媒（低極性分散媒）に対する良好な分散性を発揮する基であるため、第一リガンドと第一リガンドとを併用することにより、極性分散媒及び非極性分散媒（低極性分散媒）が両存するような分散媒中において、（Ａ）半導体ナノ粒子の分散性がより向上する。また、第二リガンドを用いることで、波長変換膜を形成する際の他の成分との相溶性を高めることもできる。

炭素数６〜３０の炭化水素基（基ｚ）としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基を挙げることができるが、脂肪族炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。基ｚの炭素数の下限としては、８が好ましく、１０がより好ましい。一方、この炭素数の上限としては、２４が好ましく、２０がより好ましく、１６がさらに好ましい。

第二リガンドは、炭素数６〜３０の炭化水素基（基ｚ）に結合する極性基を有することが好ましい。この極性基により、第二リガンドは、ナノ結晶の表面に良好に吸着することができる。極性基としては、カルボキシ基、チオール基、ホスホノ基、アミド基、アミノ基（−ＮＨ_２）、リン原子（Ｐ）、ホスフィンオキシド基（Ｐ＝Ｏ）等を挙げることができる。

第一リガンド及び第二リガンドは、従来公知の方法により、ナノ結晶の表面に配位させることができる。これらのリガンドは、ナノ結晶を合成するときに用いられ、ナノ結晶の表面に付着（配位）したリガンドであってもよいし、ナノ結晶を合成した後にリガンド交換によりナノ結晶の表面に配位させたものであってもよい。但し、リガンド交換によっても完全にはリガンドが交換されず、元のリガンドと共存することがある。すなわち、第二リガンドが配位したナノ結晶を合成した後、第一リガンドとのリガンド交換を行った場合、ナノ結晶の表面には、通常第一リガンドと第二リガンドとの両方が配位した状態となる。

第一リガンドと第二リガンドとの合計含有量に対する第一リガンドの含有量の下限は、３０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、５０質量％がさらに好ましく、６０質量％がよりさらに好ましく、６５質量％がよりさらに好ましい。また、第一リガンドと第二リガンドとの合計含有量に対する第一リガンドの含有量の上限は、９９質量％が好ましく、９０質量％がより好ましい。第一リガンドの含有量が上記範囲内、特に上記下限以上であれば、（Ｃ）バインダや（Ｄ）分散媒との親和性が良好になる結果、より良好な分散性や蛍光性能を発揮することができる。また同様に、（Ａ）半導体ナノ粒子が有する全リガンドに占める第一リガンドの含有量も、上記下限以上又は上記上限以下であることが好ましい。なお、（Ａ）半導体ナノ粒子中の第一リガンド等のリガンドの含有量は、後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。

（Ａ）半導体ナノ粒子の平均粒径の下限としては、０．５ｎｍが好ましく、１．０ｎｍがより好ましい。また、上記平均粒径の上限としては、２０ｎｍが好ましく、１０ｎｍがより好ましい。平均粒径を上記下限以上とすることで、半導体ナノ粒子の蛍光特性の安定性が高まる。一方、平均粒径を上記上限以下とすることで、量子閉じ込め効果を十分に得ることができ、蛍光特性が向上する。また、平均粒径を上記上限以下とすることで、より良好な分散安定性を発揮することができる。

なお、（Ａ）半導体ナノ粒子の蛍光の波長領域は、ナノ結晶の構成材料や平均粒径を適宜選択することにより制御できる。また、ナノ結晶の形状は特に限定されず、例えば球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよいが、球状及び棒状が好ましい。半導体ナノ粒子が球状であれば、粒子の表面エネルギーが小さくなるため、分散安定性を高めることが出来る。また、半導体ナノ粒子が棒状であれば、偏光発光により光の利用効率を向上させることができる。

当該半導体ナノ粒子含有組成物の全固形分に占める（Ａ）半導体ナノ粒子の含有量の下限としては、１質量％が好ましく、５質量％がより好ましく、１０質量％がさらに好ましい。（Ａ）半導体ナノ粒子の含有量を上記下限以上とすることで、得られる波長変換膜における発光を十分なものとすることができる。一方、この含有量の上限としては、５０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましい。（Ａ）半導体ナノ粒子の含有量を上記上限以下とすることで、分散安定性をより高めることなどができる。なお、固形分とは、（Ｄ）分散媒以外の成分をいう。

（（Ａ）半導体ナノ粒子の合成方法）
（Ａ）半導体ナノ粒子の合成方法は特に限定されず、公知の方法を採用することができる。例えば、亜鉛、テルル及び銅を含むナノ結晶を得る方法としては、銅化合物と有機カルコゲン化合物とから前駆体である銅カルコゲニドを合成し、銅カルコゲニド中の銅の一部を亜鉛に置換する方法を用いることができる。前駆体としては、テルル化銅、テルル化硫化銅、テルル化セレン化硫化銅等が挙げられる。

原料となる銅化合物としては、ステアリン酸銅、オレイン酸銅、ミリスチン酸銅、ドデカン酸銅、無水酢酸銅（ＩＩ）、銅アセチルアセトネート、塩化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（Ｉ）、臭化銅（ＩＩ）、ヨウ化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（ＩＩ）等を挙げることができる。

原料となる有機カルコゲン化合物は、有機テルル化合物を含む。このような有機カルコゲン化合物としては、例えばトリオクチルホスフィンにテルルを溶解させて得られるトリオクチルホスフィンテルリド（（Ｃ_８Ｈ_１７）_３Ｐ＝Ｔｅ）、トリブチルホスフィンにテルルを溶解させて得られるトリブチルホスフィンテルリド（（Ｃ_４Ｈ_９）_３Ｐ＝Ｔｅ）等を挙げることができる。なお、テルル源となるこれらの成分は、化合物を形成していない溶液等であってもよい。

ナノ結晶がセレンを含む場合、原料となる有機カルコゲン化合物は、有機セレン化合物を含んでいてよい。このような有機カルコゲン化合物としては、例えばトリオクチルホスフィンにセレンを溶解させて得られるトリオクチルホスフィンセレニド（（Ｃ_８Ｈ_１７）_３Ｐ＝Ｓｅ）、トリブチルホスフィンにセレンを溶解させて得られるトリブチルホスフィンセレニド（（Ｃ_４Ｈ_９）_３Ｐ＝Ｓｅ）、オクタデセン、オレイルアミン等の高沸点溶媒にセレンを溶解させた溶液等を用いることができる。なお、セレン源となるこれらの成分は、化合物を形成していない溶液等であってもよい。

前駆体の合成においては、溶媒中に銅化合物と有機カルコゲン化合物とを混合して、溶解させる。溶媒としては、オクタデセン、ｔ−ブチルベンゼン、ブチルブチレート、ベンジルブチレート等を用いることができる。この混合の際、温度を例えば１６０℃以上２５０℃以下の範囲に設定し、銅カルコゲニド（前駆体）を合成することができる。

ナノ結晶に硫黄を含ませる場合、前駆体の合成において、チオールをテルル（Ｔｅ）に対して１〜５０当量添加することが好ましい。これにより、前駆体として、テルル化硫化銅、テルル化セレン化硫化銅等を得ることができる。チオールとしては、例えばオクタデカンチオール、テトラデカンチオール、ドデカンチオール、デカンチオール等を挙げることができる。

金属交換反応、すなわち、銅カルコゲニド中の銅の一部の亜鉛への置換には、亜鉛化合物が用いられる。亜鉛化合物としては、酢酸亜鉛、硝酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、オレイン酸亜鉛、パルミチン酸亜鉛、ミリスチン酸亜鉛、ドデカン酸亜鉛、オクタン酸亜鉛、亜鉛アセチルアセトネート、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛、カルバミン酸亜鉛等を挙げることができる。

銅と亜鉛との金属交換反応は、前駆体が合成された反応溶液に亜鉛化合物を添加することにより行うことができる。これにより、前駆体である銅カルコゲニドの中の銅の一部と、亜鉛との金属交換反応が生じる。このときの反応温度としては、例えば１８０℃以上２８０℃以下とすることができる。また、反応時間としては、例えば１分以上２時間以下とすることができる。金属交換反応における反応温度及び反応時間を調整することで、残存する銅の含有量を制御することができる。

金属交換反応を行う際、前駆体を含む反応溶液に、銅と錯体を形成可能なリガンドを添加しておくことが好ましい。このようなリガンドそしては、リン系リガンド、アミン系リガンド、硫黄系リガンド等を挙げることができる。

このような方法にて、亜鉛、テルル及び銅を含むナノ結晶を効果的に得ることができる。ナノ結晶に対して、シェルを被覆させる方法は特に限定されず、公知の方法により行うことができる。例えば、得られたナノ結晶を含む反応溶液に、シェルを形成可能な化合物を添加し、加熱撹拌する方法などが挙げられる。シェルを形成可能な化合物としては、上述した各種カルコゲン化合物、亜鉛化合物等を挙げることができる。また、コアシェル構造を前駆体の段階で合成した後、金属交換を行ってもよい。

得られたナノ結晶の分散液においては、通常、ナノ結晶表面にリガンドが配位している。必要に応じて、リガンド交換を行い、好ましいリガンドを配位させることができる。リガンド交換は公知の方法により行うことができる。その他、（Ａ）半導体ナノ粒子の合成方法は、国際公開第２０１９／０２２２１７に記載の方法を用いることができる。

（（Ｂ）光拡散粒子）
（Ｂ）光拡散粒子は、光拡散により半導体ナノ粒子に入射される光の量を増加させることにより、蛍光量子収率（波長変換効率）を高める成分である。

（Ｂ）光拡散粒子は、金属酸化物を含む粒子（金属酸化物粒子）であることが好ましい。金属酸化物の中でも、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、ＩＴＯ（スズをドープした酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛をドープした酸化インジウム）、ＡＴＯ（アンチモンをドープした酸化スズ）、ＡＺＯ（アルミニウムをドープした酸化亜鉛）、Ｎｂ_２Ｏ_３、ＳｎＯ、ＣｅＯ_２、ＭｇＯ又はこれらの組み合わせが好ましく、酸化チタン（ＴｉＯ_２及びＴｉ_３Ｏ_５）及び酸化セリウム（ＣｅＯ_２）がより好ましく、酸化チタンがさらに好ましい。

（Ｂ）光拡散粒子が酸化チタンを含む粒子（酸化チタン粒子）である場合、この粒子の表面の少なくとも一部が酸化アルミニウムで被覆されていることが好ましい。すなわち（Ｂ）光拡散粒子は、酸化チタンから形成される核と、この核の少なくとも一部を被覆し、酸化アルミニウムから形成される被覆層とを有する粒子であることが好ましい。酸化チタンは光触媒作用を強く発揮する材料のため、光によって波長変換膜が劣化し、（Ａ）半導体ナノ粒子の波長変換機能を低下させる場合がある。そこで、（Ｂ）光拡散粒子が酸化チタンを含む場合、表面を酸化アルミニウムによって被覆することで光触媒機能を低減させ、良好な蛍光量子収率を得ることができる。

（Ｂ）光拡散粒子の平均粒径の下限としては、５ｎｍが好ましく、２０ｎｍがより好ましく、５０ｎｍがさらに好ましく、１００ｎｍがよりさらに好ましい場合もある。（Ｂ）光拡散粒子の平均粒径を上記下限以上とすることで、十分な光拡散性を発揮することができる。一方、この平均粒径の上限としては、５００ｎｍが好ましく、３００ｎｍがより好ましく、２５０ｎｍがさらに好ましい。（Ｂ）光拡散粒子の平均粒径を上記上限以下とすることで、十分な光拡散性、分散性等を発揮することができる。

（Ｂ）光拡散粒子の含有量の下限としては、（Ａ）半導体ナノ粒子１００質量部に対して、１０質量部が好ましく、２５質量部がより好ましい。（Ｂ）光拡散粒子の含有量を上記下限以上とすることで、十分な光拡散性が発揮され、蛍光量子収率を高めることができる。一方、この含有量の上限としては、５００質量部が好ましく、３００質量部がより好ましい。（Ｂ）光拡散粒子の含有量を上記上限以下とすることで、分散性がより向上することなどにより、蛍光量子収率をより高めることができる。

（（Ｃ）バインダ）
（Ｃ）バインダは、（Ａ）半導体ナノ粒子及び（Ｂ）光拡散粒子等を固定する成分である。（Ｃ）バインダの一部は、分散剤等として機能していてもよい。（Ｃ）バインダとしては、（Ｃ１）重合性化合物、（Ｃ２）重合体等を挙げることができる。

（（Ｃ１）重合性化合物）
当該半導体ナノ粒子含有組成物が（Ｃ１）重合性化合物を含有する場合、放射線照射や加熱などにより、十分な強度に硬化された波長変換膜を得ることができる。また、後述する（Ｆ）感放射線性化合物と併用することで、放射線によるパターニング性やその際の感度を高めることもできる。（Ｃ１）重合性化合物としては、放射線照射や加熱等により重合する化合物であれば特に限定されないが、感度向上の観点から（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、ビニル基又はこれらの組み合わせを有する化合物が好ましく、分子中に１又は複数の（メタ）アクリロイル基を有する化合物がより好ましい。

分子中に１又は複数の（メタ）アクリロイル基を有する（Ｃ１）重合性化合物としては、例えば
ブチルアクリレート、ステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボニルアクリレート、ブチルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボニルメタクリレート等、１の（メタ）アクリロイル基を有する化合物；
ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、１，１０−デカンジオールジメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタアクリレート、トリペンタエリスリトールオクタアクリレート、テトラペンタエリスリトールノナアクリレート、テトラペンタエリスリトールデカアクリレート、ペンタペンタエリスリトールウンデカアクリレート、ペンタペンタエリスリトールドデカアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタメタクリレート、トリペンタエリスリトールオクタメタクリレート、テトラペンタエリスリトールノナメタクリレート、テトラペンタエリスリトールデカメタクリレート、ペンタペンタエリスリトールウンデカメタクリレート、ペンタペンタエリスリトールドデカメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）−３−メチルフェニル］フルオレン、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）−３、５−ジメチルフェニル］フルオレン、９，９−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）−３、５−ジメチルフェニル］フルオレン等、複数の（メタ）アクリロイル基を有する化合物が挙げられる。

（Ｃ１）重合性化合物としては、複数の重合性基を有するウレタン（メタ）アクリレートも好ましい。複数の重合性基を有するウレタン（メタ）アクリレートを用いることで、得られる波長変換膜の蛍光性能等がより良好なものとなり、特に加熱処理を経て得られる波長変換膜の蛍光性能も向上する。また、複数の重合性基を有するウレタン（メタ）アクリレートを用いることで、分散安定性や塗布性がより高まる場合もある。

ウレタン（メタ）アクリレートとは、ウレタン結合（−ＮＨＣＯＯ−）を有する（メタ）アクリレートをいう。ウレタン（メタ）アクリレートは、重合性基として（メタ）アクリロイル基を有するが、エポキシ基、ビニル基等の他の重合性基をさらに有していてもよい。（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイル基（−ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ_２）又はメタクリロイル基（−ＣＯ−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２）をいい、アクリロイル基であることが好ましい。

ウレタン（メタ）アクリレートが有する重合性基の数の下限としては、２であってよいが、４が好ましく、６がより好ましく、８がさらに好ましく、１０がよりさらに好ましく、１２が特に好ましい。一方、この重合性基の数の上限としては、例えば３０であり、２４が好ましく、１８がより好ましい。このような数の重合性基を有する（Ｂ）ウレタン（メタ）アクリレートを用いることで、塗布性、分散安定性及び得られる波長変換膜の蛍光性能等がより良好なものとなる。

ウレタン（メタ）アクリレートは、イソシアヌル構造、トリアジン構造又はこれらの組み合わせを有することが好ましい。ウレタン（メタ）アクリレートがこのような構造を有する場合、塗布性、分散安定性及び得られる波長変換膜の蛍光性能等がより良好なものとなる。イソシアヌル構造としては、下記式（５）で表される構造が挙げられる。トリアジン構造としては、下記式（６）で表される構造が挙げられる。

式（５）及び（６）中、＊は、他部位との結合箇所を示す。

ウレタン（メタ）アクリレートの分子量の下限としては、例えば３００であり、６００が好ましく、１，０００がより好ましく、１，８００がさらに好ましい。一方、この分子量の上限としては、例えば１０，０００であり、６，０００が好ましく、５，０００がより好ましく、４，０００がさらに好ましい。分子量が上記範囲のウレタン（メタ）アクリレートを用いることで、塗布性、分散安定性及び得られる波長変換膜の蛍光性能等がより良好なものとなる。

ウレタン（メタ）アクリレートの好適な形態としては、下記式（１）で表される化合物を挙げることができる。

式（１）中、Ｒ^１は、炭素数１〜６０のｍ価の有機基である。複数のＲ^２は、それぞれ独立して、１又は複数の（メタ）アクリロイル基を含む基である。ｍは、２又は３である。有機基とは、１以上の炭素原子を含む基をいう。

Ｒ^１で表される炭素数１〜６０のｍ価の有機基としては、ｍ価の炭化水素基、ｍ価の炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部を置換基で置換した基、ｍ価の炭化水素基の炭素−炭素間に、ＣＯ、ＣＳ、Ｏ、Ｓ、ＮＲ’又はこれらのうちの２種以上を組み合わせた基を含む基等が挙げられる。Ｒ’は、水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基である。上記炭化水素基としては、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、これらの組み合わせからなる基等が挙げられる。上記置換基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホンアミド基等が挙げられる。ＣＯ、ＣＳ、Ｏ、Ｓ及びＮＲ’のうちの２種以上を組み合わせた基としては、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯＯ−等が挙げられる。

Ｒ^１で表される有機基の炭素数の下限としては、４が好ましく、１０がより好ましく、１６がさらに好ましい。一方、この炭素数の上限としては、５０が好ましく、４０がより好ましく、３０がさらに好ましい。

ｍは、３であることが好ましい。

Ｒ^１で表される炭素数１〜６０のｍ価の有機基としては、複素環構造を含む基であることが好ましく、窒素を含む複素環構造を含む基であることがより好ましい。窒素を含む複素環構造としては、トリアジン構造及びイソシアヌル構造が挙げられる。Ｒ^１で表される炭素数１〜６０のｍ価の有機基は、窒素を含む複素環構造のみからなる基、及び窒素を含む複素環構造と炭化水素基（より好ましくは鎖状炭化水素基）とからなる基が好ましい。

好適なＲ^１としては、下記式（３−１）及び（３−２）で表される基が挙げられ、特に、式（３−１）で表される基が好ましい。なお、Ｒ^１が下記式（３−１）又は（３−２）で表されるとき、ｍは３である。

式（３−１）及び（３−２）中、複数のＲ^５は、それぞれ独立して、単結合又は炭素数１〜１２のアルカンジイル基である。

上記Ｒ^５としては、アルカンジイル基が好ましい。このアルカンジイル基の炭素数の下限としては、２が好ましく、４がより好ましい。一方、この炭素数の上限としては、１０が好ましく、８がより好ましい。このアルカンジイル基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよいが、直鎖状であることが好ましい。

Ｒ^２で表される基が有する（メタ）アクリロイル基の数としては特に限定されないが、その下限としては例えば２であり、３が好ましい。一方、その上限としては例えば１０であり、５が好ましい。

好適なＲ^２としては、下記式（２）で表される基が挙げられる。

式（２）中、Ｒ^３は、単結合又は炭素数１〜３のアルカンジイル基である。Ｒ^４は、（メタ）アクリロイル基である。ｎは、１又は２である。ｐは、０又は１である。ｑは、１〜３の整数である。

Ｒ^３としては、炭素数１〜３のアルカンジイル基が好ましく、メタンジイル基がより好ましい。

Ｒ^４としては、アクリロイル基が好ましい。

ｎは、２が好ましい。ｐは、１が好ましい。ｑは、３が好ましい。

ウレタン（メタ）アクリレートの市販品としては、新中村化学工業（株）のＵ−６ＨＡ、ＵＡ−１１００Ｈ、Ｕ−６ＬＰＡ、Ｕ−１５ＨＡ、Ｕ−６Ｈ、Ｕ−１０ＨＡ、Ｕ−１０ＰＡ、ＵＡ−５３Ｈ、ＵＡ−３３Ｈ、根上工業（株）のＵＮ−９０４、共栄社化学（株）のＵＡ−３０６Ｈ、ＵＡ−３０６Ｔ、ＵＡ−３０６Ｉ、ＵＡ−５１０Ｈ、ＢＡＳＦ社のＬａｒｏｍｅｒ ＵＡ−９０４８、ＵＡ−９０５０、ＰＲ９０５２、ダイセルオルネクス（株）のＥＢＥＣＲＹＬ ２２０、５１２９、８３０１、ＫＲＭ８２００、８２００ＡＥ、８４５２等が挙げられる。

（Ｃ１）重合性化合物の含有量の下限としては、（Ａ）半導体ナノ粒子１００質量部に対して、５０質量部が好ましく、１００質量部がより好ましく、２００質量部がさらに好ましい。（Ｃ１）重合性化合物の含有量を上記下限以上とすることで、良好な硬化性等を発揮することができる。一方、この含有量の上限としては、１，０００質量部が好ましく、７００質量部がより好ましく、５００質量部がさらに好ましい。（Ｃ１）重合性化合物の含有量を上記上限以下とすることで、（Ａ）半導体ナノ粒子の含有比率が高まることなどにより、より良好な蛍光性能を発現することなどができる。

（（Ｃ２）重合体）
当該半導体ナノ粒子含有組成物が（Ｃ２）重合体を含むことで、耐熱性を高め、得られる波長変換膜における加熱に伴う（Ａ）半導体ナノ粒子の劣化が抑制される。このため、当該半導体ナノ粒子含有組成物が（Ｃ２）重合体を含む場合、特に熱処理を経て得られる波長変換膜の蛍光性能をより高めることなどができる。また、（Ｃ２）重合体は、分散安定性等を高めることもできる。なお、（Ｃ１）重合性化合物は、（Ｃ２）重合体には含まれないものとする。

（Ｃ２）重合体は、酸性基を有することが好ましい。（Ｃ２）重合体が酸性基を有することにより、分散安定性等が高まり、また、良好なアルカリ可溶性を示す。（Ｃ２）重合体がアルカリ可溶性である場合、アルカリ現像液などによる良好なパターニングが可能となる。酸性基としては、カルボキシ基、スルホン酸基、リン酸基、フェノール性水酸基等を挙げることができ、カルボキシ基が好ましい。なお、酸性基における水素原子は、金属原子等で置換されていてもよく、解離していてもよい。

（Ｃ２）重合体は、酸性基を含む炭素数４〜２０の有機基を有することが好ましい。この酸性基を含む炭素数４〜２０の有機基は、側鎖であってよい。側鎖とは、主鎖から分岐した部分である１価の基をいう。（Ｃ２）重合体がこのような有機基（側鎖）を有する場合、（Ａ）半導体ナノ粒子との親和性がより良好になる結果、分散性、塗布性等が特に高まる。また、このようなことから、加熱処理を経て得られる波長変換膜の蛍光性能も向上する。上記有機基の炭素数の下限は、６が好ましく、７がより好ましく、８がさらに好ましい場合もある。この炭素数の上限は、１６が好ましく、１３がより好ましく、１２がさらに好ましい場合もある。酸性基は、鎖状の側鎖の主鎖側とは反対側の先端に位置していることが好ましい。

酸性基を含む有機基としては、＊−ＣＯＯ−Ｒ−ＣＯＯＨ（Ｒは、炭素数２〜１８の２価の有機基である。＊は、主鎖との結合箇所を示す。）で表される基が好ましい。Ｒとしては、２価の炭化水素基、及びこの炭化水素基の炭素−炭素間に−ＣＯＯ−を含む基が好ましく、２価の炭化水素基の炭素―炭素間に−ＣＯＯ−を含む基がより好ましい。Ｒには複数の−ＣＯＯ−が含まれていてよい。Ｒの炭素数の下限としては、４が好ましく、５がより好ましい。Ｒの炭素数の上限としては、１４が好ましく、１２がより好ましく、１０がさらに好ましい場合もある。

（Ｃ２）重合体は、酸性基を有する構造単位を含むことが好ましく、酸性基を含む有機基（側鎖）を有する構造単位を含むことがより好ましい。このような構造単位を与える単量体としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、フタル酸モノ［２−（メタ）アクリロイルオキシエチル］、コハク酸モノ（２−アクリロイルオキシエチル）、コハク酸モノ（２−メタクリロイルオキシエチル）、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノアクリレート、ヘキサヒドロフタル酸モノ（２−メタクリロイルオキシエチル）等を挙げることができる。これらの中でも、フタル酸モノ［２−（メタ）アクリロイルオキシエチル］、コハク酸モノ（２−アクリロイルオキシエチル）、コハク酸モノ（２−メタクリロイルオキシエチル）、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノアクリレート、ヘキサヒドロフタル酸モノ（２−メタクリロイルオキシエチル）等、炭素数４〜２０の側鎖を与えるものが好ましい。

（Ｃ２）重合体における酸性基を含む構造単位の含有割合の下限としては、５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましい。また、この含有割合の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましい。

（Ｃ２）重合体は、炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基を有することが好ましい。（Ｃ２）重合体が炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基を有することにより、分散安定性及び塗布性が高まり、加熱処理を経て得られる波長変換膜の蛍光性能もより良好なものとなる。上記鎖状炭化水素基としては、アルキル基が好ましい。また、この鎖状炭化水素基の炭素数の下限としては、６が好ましく、７がより好ましく、８がさらに好ましい。一方、この炭素数の上限としては、１６が好ましく、１４がより好ましく、１２がさらに好ましい。

（Ｃ２）重合体は、炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基を有する構造単位を含むことが好ましい。このような構造単位を与える単量体としては、例えばブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。

（Ｃ２）重合体における炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基を含む構造単位の含有割合の下限としては、５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましい。また、この含有割合の上限としては、４０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましい。

（Ｃ２）重合体は、酸性基を含む炭素数４〜２０の有機基及び炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基の少なくとも一方を有することが好ましく、双方を有することがより好ましい。また、（Ｃ２）重合体は、酸性基を含む炭素数４〜２０の有機基を含む構造単位及び炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基を含む構造単位の少なくとも一方を有することが好ましく、双方を有することがより好ましい。このような基又は構造単位を有することで、分散安定性及び塗布性が高まり、加熱処理を経て得られる波長変換膜の蛍光性能等もより良好なものとなる。

（Ｃ２）重合体は、炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基以外の炭化水素基を有する構造単位を含むことが好ましく、環状炭化水素基を有する構造単位を含むことがより好ましい。環状炭化水素基としては、アリール基やシクロアルキル基等が挙げられ、シクロアルキル基が好ましい。炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基以外の炭化水素基の炭素数の下限としては、１であってよいが、２が好ましく、４がより好ましい。また、この炭素数の上限としては、２０が好ましく、１２がより好ましく、８がさらに好ましい。このような構造単位を与える単量体としては、炭素数１〜３のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル等の（メタ）アクリル酸エステルが挙げられ、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル及び（メタ）アクリル酸アリールエステルが好ましく、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルがより好ましい。（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

（Ｃ２）重合体における炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基以外の炭化水素基を含む構造単位の含有割合の下限としては、１０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましい。また、この含有割合の上限としては、８０質量％が好ましく、７０質量％がより好ましく、６０質量％がさらに好ましい。

また、（Ｃ２）重合体において、酸性基を含む構造単位、炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基を有する構造単位、及び環状炭化水素基を有する構造単位の合計含有割合の下限が、８０質量％であることが好ましいこともあり、９０質量％、９５質量％、さらには９９質量％がより好ましいこともある。

（Ｃ２）重合体は、さらにその他の構造単位を有していてもよい。このような構造単位を与える単量体としては、不飽和ジカルボン酸ジエステル、マレイミド化合物、不飽和芳香族化合物、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格を有する不飽和化合物、その他の不飽和化合物等が挙げられる。

上記各構造単位を有する（Ｃ２）重合体は、各構造単位を与えるモノマーを公知の方法により重合することにより得ることができる。（Ｄ）重合体としては、その他、ポリイミド、ポリシロキサン、ノボラック樹脂等を用いることもできる。

（Ｃ２）重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限としては、３，０００が好ましく、６，０００がより好ましく、１０，０００がさらに好ましい。一方、この重量平均分子量（Ｍｗ）の上限としては、５０，０００が好ましく、３０，０００がより好ましく、２０，０００がさらに好ましい。（Ｃ２）重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）が上記範囲であることにより、分散安定性、塗布性、耐熱性等をより高めることなどができる。

なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記の条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した値である。
装置：例えば昭和電工社の「ＧＰＣ−１０１」
カラム：例えば昭和電工社の「ＧＰＣ−ＫＦ−８０１」、「ＧＰＣ−ＫＦ−８０２」、「ＧＰＣ−ＫＦ−８０３」及び「ＧＰＣ−ＫＦ−８０４」を連結したもの
移動相：テトラヒドロフラン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料濃度：１．０質量％
試料注入量：１００μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン

（Ｃ２）重合体の含有量の下限としては、（Ａ）半導体ナノ粒子１００質量部に対して、５０質量部が好ましく、１００質量部がより好ましく、２００質量部がさらに好ましい。一方、この含有量の上限としては、１，０００質量部が好ましく、７００質量部がより好ましく、５００質量部がさらに好ましい。（Ｃ２）重合体の含有量を上記範囲とすることで、分散安定性及び塗布性並びに得られる波長変換膜の蛍光性能及び耐熱性等をより良好なものとすることができる。

（Ｃ）バインダの含有量の下限としては、（Ａ）半導体ナノ粒子１００質量部に対して、５０質量部が好ましく、１００質量部がより好ましく、２００質量部がさらに好ましく、４００質量部がよりさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、２，０００質量部が好ましく、１，０００質量部がより好ましく、７００質量部がさらに好ましく、５００質量部であってもよい。（Ｃ）バインダの含有量を上記範囲とすることで、分散安定性及び塗布性並びに得られる波長変換膜の蛍光性能をより良好なものとすることができる。

（（Ｄ）分散媒）
当該半導体ナノ粒子含有組成物は、（Ｄ）分散媒をさらに含有することが好ましい。当該半導体ナノ粒子含有組成物が（Ｄ）分散媒をさらに含有することで、各成分の均一分散性や塗布性が向上する。（Ｄ）分散媒としては、極性分散媒及び非極性分散媒（低極性分散媒）を挙げることができるが、分散安定性をより高める観点などから、極性分散媒を含むことが好ましい。なお、（Ｃ）バインダが例えば流動性を有する重合性化合物であるなどの場合は、（Ｄ）分散媒を用いなくても、良好な分散安定性や塗布性等を発揮することができる。

極性分散媒としては、アルコール類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコールのモノアルキルエーテルモノエステル類、ヒドロキシカルボン酸エステル類、カルボン酸類、エーテル類、ケトン類、アミド類、アミン類又はこれらの組み合わせを挙げることができる。

アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ｎ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、イソプロパノール等のモノアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール類を挙げることができる。

多価アルコールのアルキルエーテル類としては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコールのモノアルキルエーテル類；エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等の多価アルコールのポリアルキルエーテル類などを挙げることができる。

多価アルコールのモノアルキルエーテルモノエステル類としては、多価アルコールのモノアルキルエーテルとカルボン酸とのエステルが挙げられ、多価アルコールのモノアルキルエーテルと酢酸とのエステルが好ましい。多価アルコールのモノアルキルエーテルモノエステル類の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等を挙げることができる。

ヒドロキシカルボン酸エステル類としては、例えばグリコール酸メチル、グリコール酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ヒドロキシプロピオン酸メチル、ヒドロキシプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酪酸メチル、ヒドロキシ酪酸エチル等を挙げることができる。

カルボン酸類としては、例えばギ酸、酢酸等を挙げることができる。

エーテル類としては、環状又は鎖状のアルキルエーテルなどが挙げられる。エーテル類の具体例としては、例えばテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル等を挙げることができる。

ケトン類としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン等を挙げることができる。ケトン類は、置換基を有していてもよく、中でもヒドロキシケトン類が好ましい。ヒドロキシケトン類としては、例えばヒドロキシアセトン、１−ヒドロキシ−２−ブタノン、１−ヒドロキシ−２−ペンタノン、３−ヒドロキシ−２−ブタノン、３−ヒドロキシ−３−ペンタノン等のα−ヒドロキシケトン類；４−ヒドロキシ−２−ブタノン、３−メチル−４−ヒドロキシ−２−ブタノン、ジアセトンアルコール、４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−２−ヘキサノン等のβ−ヒドロキシケトン類；５−ヒドロキシ−２−ペンタノン、５−ヒドロキシ−２−ヘキサノンなどを挙げることができる。

アミド類としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることできる。

アミン類としては、例えばトリエチルアミン、ピリジン等を挙げることができる。

極性分散媒の中でも、多価アルコールのアルキルエーテル類及び多価アルコールのモノアルキルエーテルモノエステル類が好ましく、多価アルコールのモノアルキルエーテルモノエステル類がより好ましい。

非極性分散媒（低極性分散媒）としては、炭化水素、ハロゲン化炭化水素等を挙げることができる。炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素などが挙げられる。非極性分散媒（低極性分散媒）には、酢酸ヘキシル、酢酸オクチル、酢酸デシル等の脂肪酸エステルも含まれる。（Ｄ）分散媒に用いられる非極性分散媒（低極性分散媒）としては、脂肪酸エステルが好ましい。脂肪酸エステルとしては、炭素数６〜２０の脂肪酸エステルが好ましい。

（Ｄ）分散媒に占める極性分散媒の含有量の下限としては、３０質量％が好ましく、５０質量％がより好ましく、７０質量％がさらに好ましいことがあり、９０質量％がさらに好ましいこともある。（Ｄ）分散媒に占める極性分散媒の含有量は、実質的に１００質量％であってもよい。（Ｄ）分散媒に占める極性分散媒の上限としては、１００質量％であってもよく、８０質量％が好ましいこともあり、６０質量％がより好ましいこともある。通常、（Ｄ）分散媒として極性分散媒を用いることで分散性が向上する傾向にある。一方、（Ａ）半導体ナノ粒子が有するリガンドにおいて、第二リガンドがある程度含有されている場合は、極性分散媒と非極性分散媒（低極性溶媒）とを併用することが好ましいこともある。

（Ｄ）分散媒の含有量は特に限定されないが、当該半導体ナノ粒子含有組成物に占める（Ｄ）分散媒の含有量の下限としては、２０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましい。一方、この含有量の上限としては、９０質量％が好ましく、８０質量％がより好ましい。（Ｄ）分散媒の含有量を上記範囲とすることで、分散安定性、塗布性等をより良好なものとすることができる。

（（Ｅ）酸化防止剤）
当該半導体ナノ粒子含有組成物は、（Ｅ）酸化防止剤をさらに含むことが好ましい。（Ｅ）酸化防止剤は、熱や光照射による（Ａ）半導体ナノ粒子、（Ｃ）バインダ等の酸化劣化を抑制することができる。従って当該半導体ナノ粒子含有組成物が（Ｅ）酸化防止剤をさらに含有する場合、特に加熱処理等を経て得られる波長変換膜の蛍光量子収率をより高めることができる。

（Ｅ）酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、ベンゾフェノン系酸化防止剤等を挙げることができる。これらの中でも、フェノール系酸化防止剤が好ましい。フェノール系酸化防止剤を用いることで、耐熱性が高まり、加熱処理等を経て得られる波長変換膜の蛍光量子収率をより高めることができる。

フェノール系酸化防止剤としては、例えば２，４，６−トリス（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンジル）メシチレン、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート（例えばＢＡＳＦ社の「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ノニルフェノール、チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（例えばＢＡＳＦ社の「Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５」）、２，２’−メチレンビス−（６−（１−メチルシクロヘキシル）−ｐ−クレゾール）、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナムアミド）、２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，５−ジ−ｔ−アミル−ヒドロキノン、２，４−ジメチル−６−（１−メチルシクロヘキシル）−フェノール、６−ｔ−ブチル−ｏ−クレゾール、６−ｔ−ブチル−２，４−キシレノール、２，４−ジメチル−６−（１−メチルペンタデシル）フェノール、２，４−ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール、２，４−ビス（ドデシルチオメチル）−ｏ−クレゾール、エチレンビス（オキシエチレン）ビス［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート］（例えばＢＡＳＦ社の「Ｉｒｇａｎｏｘ２４５」）、３，９−ビス[２−〔３−（ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ[５．５]ウンデカン（例えば住友化学社の「スミライザーＧＡ−８０」）、トリエチレングリコールビス[３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート（例えばＡＤＥＫＡ社の「アデカスタブＡＯ−７０」）、２−ｔ−アミルフェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール、１，１，３−トリス−（２’−メチル−４’−ヒドロキシ−５’−ｔ−ブチルフェニル）−ブタン、４，４’−ブチリデン−ビス−（２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノール）等を挙げることができる。

リン系酸化防止剤としては、例えばトリス（イソデシル）フォスファイト、トリス（トリデシル）フォスファイト、フェニルイソオクチルフォスファイト、フェニルイソデシルフォスファイト、フェニルジ（トリデシル）フォスファイト、ジフェニルイソオクチルフォスファイト、ジフェニルイソデシルフォスファイト、ジフェニルトリデシルフォスファイト、トリフェニルフォスファイト、トリス（ノニルフェニル）フォスファイト、４，４’−イソプロピリデンジフェノールアルキルフォスファイト、トリスノニルフェニルフォスファイト、トリスジノニルフェニルフォスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイト、トリス（ビフェニル）フォスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジフォスファイト、ジ（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジフォスファイト、ジ（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジフォスファイト、フェニルビスフェノールＡペンタエリスリトールジフォスファイト、テトラトリデシル４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）ジフォスファイト、ヘキサトリデシル１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタントリフォスファイト、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルフォスファイトジエチルエステル、１，３−ビス（ジフェノキシフォスフォニロキシ）−ベンゼン、亜リン酸エチルビス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）、トリ−ｏ−トリルホスフィン等を挙げることができる。

（Ｅ）酸化防止剤としては、一重項酸素を不活性化させる一重項酸素阻害剤も好適に用いることができる。一重項酸素とは、基底状態の三重項酸素が光の照射などによって励起されて生じる、反応性の高い活性酸素の一種である。当該半導体ナノ粒子含有組成物が、（Ｅ）酸化防止剤の一種として一重項酸素阻害剤を含有する場合、特に加熱処理を経て得られる波長変換膜中の（Ａ）半導体ナノ粒子等の劣化がより抑制され、蛍光量子収率をより高めることなどができる。

一重項酸素阻害剤としては、ニッケル化合物、ジイモニウム塩、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、アニリン化合物、ルミノール、ビリルビン、β−カロテン、フラン化合物等が挙げられる。

ニッケル化合物としては、例えばビス（ジチオベンジル）ニッケル（ＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸ニッケル（ＩＩ）、ビス（１，２−ベンゼンジチオラト）ニッケル（ＩＩＩ）酸テトラブチルホスホニウム、ジブチルジチオカルバミン酸ニッケル（ＩＩ）等が挙げられる。アニリン化合物としては、例えば２，３，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン等が挙げられる。フラン化合物としては、例えば２，５−ジフェニルイソベンゾフラン等が挙げられる。

（Ｅ）酸化防止剤の含有量の下限としては、（Ａ）半導体ナノ粒子１００質量部に対して、１０質量部が好ましく、３０質量部がより好ましい。（Ｅ）酸化防止剤の含有量を上記下限以上とすることで、十分な酸化防止性能が発揮され、蛍光量子収率を高めることができる。一方、この含有量の上限としては、２００質量部が好ましく、１００質量部がより好ましい。（Ｅ）酸化防止剤の含有量を上記上限以下とすることで、（Ａ）半導体ナノ粒子の含有比率が高まることなどにより、より良好な波長変換性能を発現することなどができる。

（（Ｆ）感放射線性化合物）
当該半導体ナノ粒子含有組成物は、さらに（Ｆ）感放射線性化合物を含有することができる。この場合、当該半導体ナノ粒子含有組成物に感放射線性を付与できる。

（Ｆ）感放射線性化合物としては、例えば感放射線性ラジカル重合開始剤、感放射線性酸発生剤、感放射線性塩基発生剤、これらの組み合わせ等が挙げられる。

感放射線性ラジカル重合開始剤は、例えば（Ｃ）バインダとしてラジカル重合性の化合物を用いる場合、当該半導体ナノ粒子含有組成物の放射線による硬化反応を促進させることができる。

感放射線性ラジカル重合開始剤の具体例としては、例えばＯ−アシルオキシム化合物、α−アミノケトン化合物、α−ヒドロキシケトン化合物、アシルホスフィンオキシド化合物等が挙げられる。

Ｏ−アシルオキシム化合物としては、例えば１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセタート、１−［９−エチル−６−ベンゾイル−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］
−オクタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセテート、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾエート、１−［９−ｎ−ブチル−６−（２−エチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾエート、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）等が挙げられる。

Ｏ−アシルオキシム化合物の市販品としては、例えばＮＣＩ−８３１、ＮＣＩ−９３０（以上、株式会社ＡＤＥＫＡ社製）、ＤＦＩ−０２０、ＤＦＩ−０９１（以上、ダイトーケミックス株式会社製）イルガキュアＯＸＥ０１、ＯＸＥ０２、ＯＸＥ０３（以上、ＢＡＳＦ社製）等を使用することもできる。

α−アミノケトン化合物としては、例えば２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルホリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルホリノプロパン−１−オン等が挙げられる。

α−ヒドロキシケトン化合物としては、例えば１−フェニル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ｉ−プロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。

アシルホスフィンオキシド化合物としては、例えば２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。

感放射線性ラジカル重合開始剤としては、放射線による硬化反応をより促進させる観点から、Ｏ−アシルオキシム化合物及びアシルホスフィンオキシド化合物が好ましい。

感放射線性酸発生剤や感放射線性塩基発生剤は、例えば（Ｃ）バインダとしてイオン重合性の化合物を用いる場合、当該半導体ナノ粒子含有組成物の放射線による硬化反応を促進させることができる。

感放射線性酸発生剤の具体例としては、例えば
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート等のヨードニウム塩系感放射線性酸発生剤；
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のスルホニウム塩系感放射線性酸発生剤；
４−ヒドロキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート等のテトラヒドロチオフェニウム塩系感放射線性酸発生剤；
トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エンジカルボキシイミド、スクシンイミドトリフルオロメチルスルホネート等のイミドスルホネート系感放射線性酸発生剤；
（５−プロピルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、（５−オクチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル等のオキシムスルホネート系感放射線性酸発生剤；
トリヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル等のキノンジアジド化合物等が挙げられる。

感放射線性塩基発生剤の具体例としては、例えば４−（メチルチオベンゾイル）−１−メチル−１−モルホリノエタン、（４−モルホリノベンゾイル）−１−ベンジル−１−ジメチルアミノプロパン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン、Ｎ−（２−ニトロベンジルオキシカルボニル）ピロリジン、１−（アントラキノン−２−イル）エチルイミダゾールカルボキシレート等の複素環基含有感放射線性塩基発生剤；
２−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサン−１，６−ジアミン、トリフェニルメタノール、ｏ−カルバモイルヒドロキシルアミド、ｏ−カルバモイルオキシム、ヘキサアンミンコバルト（ＩＩＩ）トリス（トリフェニルメチルボレート）、１，２−ジシクロヘキシル−４，４，５，５−テトラメチルビグアニジウムｎ−ブチルトリフェニルボラート等が挙げられる。

（Ｆ）感放射線性化合物の含有量の下限としては、（Ａ）半導体ナノ粒子１００質量部に対して、１質量部が好ましく、１０質量部がより好ましい。また、上記含有量の上限としては、２００質量部が好ましく、１００質量部がより好ましい。（Ｆ）感放射線性化合物の含有量を上記範囲とすることにより、当該半導体ナノ粒子含有組成物の放射線感度や得られる波長変換膜の硬度などをより高めることができる。

（その他の成分）
当該半導体ナノ粒子含有組成物は、上述した（Ａ）〜（Ｆ）成分以外のその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、熱重合開始剤、接着助剤、保存安定剤等を挙げることができる。当該半導体ナノ粒子含有組成物における上記その他の成分の含有量の上限としては、（Ａ）半導体ナノ粒子１００質量部に対して１０質量部が好ましいことがあり、１質量部がより好ましいことがある。

当該半導体ナノ粒子含有組成物は、公知の方法により調製することが可能である。当該半導体ナノ粒子含有組成物は、例えば（Ｄ）分散媒中で、（Ａ）半導体ナノ粒子、（Ｂ）光拡散粒子、（Ｃ）バインダ及び必要に応じて任意成分を混合することにより調製できる。また、例えば、（Ｃ）バインダとして液状の重合性化合物を用いる場合は、（Ｄ）分散媒を用いなくとも、この液状の重合性化合物を含む各成分を混合することにより調製できる。

＜波長変換膜＞
本発明の一実施形態に係る波長変換膜は、当該半導体ナノ粒子含有組成物から形成される膜である。当該波長変換膜は当該半導体ナノ粒子含有組成物から得られるため、蛍光量子収率が高く、蛍光半値幅も狭い。また、当該波長変換膜は、表面の平滑性が高く、耐熱性も良好である。その結果、当該波長変換膜は、例えば高い色再現性を有することができ、熱による劣化も生じ難い。当該波長変換膜は、パターン化されていてもよいし、パターン化されていなくてもよいが、当該波長変換膜がパターン化されていると、サブ画素として有用な発光層に適用することができる。当該波長変換膜の形成方法は、特に限定されず、例えば放射線照射により硬化させる方法であっても、加熱により硬化させる方法であってもよい。

当該波長変換膜は、発光表示素子の発光層としての利用に適している。以下、当該発光表示素子の好適な実施形態について説明する。

＜発光表示素子＞
図１は、本発明の一実施形態に係る発光表示素子１００を模式的に示す断面図である。発光表示素子１００は、第１基材１２上に発光層１３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）及びブラックマトリクス１４を設けて構成された波長変換基板１１と、波長変換基板１１上に接着剤層１５を介して貼り合わされた光源基板１８とを有する。発光層１３が、本発明の一実施形態に係る波長変換膜である。

第１基材１２は、ガラス、石英、透明樹脂等により構成される。上記透明樹脂としては、例えば透明ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、環状オレフィン系樹脂等が挙げられる。

波長変換基板１１の発光層１３は、上述した半導体ナノ粒子含有組成物を用い、パターニングして形成される。発光層１３は、当該半導体ナノ粒子含有組成物を用いて形成しているため、半導体ナノ粒子の蛍光量子収率が高く、例えば色再現性の高い発光層とすることができる。

波長変換基板１１は、発光層１３のそれぞれが含有する半導体ナノ粒子により、光源基板１８の光源１７からの励起光を波長変換し、所望とする波長の蛍光を発する。波長変換基板１１では、第１発光層１３ａと第２発光層１３ｂと第３発光層１３ｃとが、それぞれ異なる半導体ナノ粒子を含んで構成され、異なる蛍光を発することができる。例えば波長変換基板１１は、第１発光層１３ａが励起光を赤色の光に変換し、第２発光層１３ｂが励起光を緑色の光に変換し、第３発光層１３ｃが励起光を青色の光に変換するように構成することができる。

その場合、各発光層１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、それぞれが所望とする蛍光特性を有するように、含有する半導体ナノ粒子の選択がなされる。そのため、波長変換基板１１の各発光層１３ａ、１３ｂ、１３ｃの形成においては、異なる発光特性の半導体ナノ粒子を含む、例えば３種の半導体ナノ粒子含有組成物が準備される。

波長変換基板１１の発光層１３の平均厚さの下限としては、１００ｎｍが好ましく、１μｍがより好ましい。また、上記平均厚さの上限としては、１００μｍが好ましい。上記平均厚さを上記下限以上とすることで、励起光を特に十分吸収することができるため、光変換効率が高まり、発光表示素子の輝度を高めることができる。

第１基材１２上の各発光層１３の間には、ブラックマトリクス１４が配置されている。ブラックマトリクス１４は、公知の遮光性の材料を用い、公知の方法に従ってパターニングして形成することができる。なお、ブラックマトリクス１４は、波長変換基板１１において、必須の構成要素ではなく、波長変換基板１１は、ブラックマトリクス１４を設けない構成とすることも可能である。

接着剤層１５は、紫外光又は青色光を透過する公知の接着剤を用いて形成される。なお、接着剤層１５は、図１に示すように、第１基材１２上に各発光層１３の全面を被覆するように設ける必要はなく、波長変換基板１１の外縁のみに設けることも可能である。

光源基板１８は、第２基材１６と、第２基材１６の波長変換基板１１側に配置された光源１７とを備えている。光源１７からはそれぞれ励起光として紫外光又は青色光が出射される。

光源１７（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ）としては、特に限定されるものではなく、公知の構造の紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子、紫外発光ＬＥＤ素子、青色発光ＬＥＤ素子等の使用が可能であり、公知の製造方法により作製することが可能である。ここで、紫外光としては、主発光ピークが３６０ｎｍ以上４３５ｎｍ以下であることが好ましく、青色光としては、主発光ピークが４３５ｎｍを超えて４８０ｎｍ以下であることが好ましい。光源１７は、それぞれの出射光が対向する発光層１３を照射するように、指向性を有していることが好ましい。

発光表示素子１００は、第１光源１７ａからの励起光を波長変換基板１１の第１発光層１３ａの半導体ナノ粒子により波長変換する。同様に、第２光源１７ｂからの励起光を波長変換基板１１の第２発光層１３ｂの半導体ナノ粒子により波長変換し、第３光源１７ｃからの励起光を波長変換基板１１の第３発光層１３ｃの半導体ナノ粒子により波長変換する。このようにして、各光源１７からの励起光が、それぞれ所望とする波長の可視光に変換されて表示に用いられる。

発光表示素子１００においては、第１発光層１３ａの設けられた部分が、赤色表示を行うサブ画素を構成する。すなわち、波長変換基板１１の第１発光層１３ａは、光源基板１８の対向する第１光源１７ａからの励起光を赤色光に変換する。また、第２発光層１３ｂの設けられた部分が、緑色表示を行うサブ画素を構成する。すなわち、第２発光層１３ｂは、光源基板１８の対向する第２光源１７ｂからの励起光を緑色光に変換する。また、第３発光層１３ｃの設けられた部分が、青色表示を行うサブ画素を構成する。例えば励起光として紫外光を用いる場合、第３発光層１３ｃは、光源基板１８の対向する第３光源１７ｃからの紫外光を青色光に変換する。

なお、発光表示素子１００においては、第３光源１７ｃからの励起光として青色光を用いることもできる。この場合、波長変換基板１１は、第３発光層１３ｃの代わりに樹脂中に光散乱粒子を分散して構成された光散乱層を用いることも可能である。こうすることで、励起光である青色光を波長変換することなく、そのままの波長特性で使用することができる。

発光表示素子１００は、第１発光層１３ａを備えたサブ画素、第２発光層１３ｂを備えたサブ画素及び第３発光層１３ｃを備えたサブ画素の３種のサブ画素により、画像を構成する最小単位となる１つの画素を構成する。

以上の構成を有する発光表示素子１００は、第１発光層１３ａを備えたサブ画素、第２発光層１３ｂを備えたサブ画素及び第３発光層１３ｃを備えたサブ画素毎に、赤色、緑色又は青色の光の発光が制御され、フルカラーの表示が行われる。

なお、発光表示素子１００においては、発光層１３と第１基材１２との間に、カラーフィルタを設けることが可能である。すなわち、第１発光層１３ａと第１基材１２との間に赤色のカラーフィルタを設け、第２発光層１３ｂと第１基材１２との間に緑色のカラーフィルタを設け、第３発光層１３ｃと第１基材１２との間に青色のカラーフィルタを設けることができる。これにより、表示の色の純度を高めることができる。ここで、カラーフィルタとしては、表示素子用等として公知のものを公知の方法で形成して用いることができる。

＜波長変換膜の形成方法＞
本発明の一実施形態に係る波長変換膜の形成方法は、基板の一方の面側に塗膜を形成する工程（塗膜形成工程）、及び上記塗膜を加熱する工程（加熱工程）を備え、上記塗膜を当該半導体ナノ粒子含有組成物により形成する。当該半導体ナノ粒子含有組成物が（Ｆ）感放射線性化合物等を含有するときなどは、当該形成方法は、上記塗膜形成工程と加熱工程との間に、上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射（露光）する工程（放射線照射工程）、及び放射線照射後の塗膜を現像する工程（現像工程）をさらに備えていてよい。以下、各工程についてそれぞれ説明する。

（塗膜形成工程）
塗膜形成工程では、例えば当該半導体ナノ粒子含有組成物を基板上に塗布することにより塗膜を形成する。当該半導体ナノ粒子含有組成物を塗布後、塗布面を加熱（プレベーク）することにより分散媒等を除去してもよい。

塗膜を形成する基板の材質としては、特に限定されるものではないが、例えばガラス、石英、シリコン、樹脂等が挙げられる。上記樹脂の具体例としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの付加重合体、環状オレフィンの開環重合体、その水素添加物等が挙げられる。また、これらの基板には、所望により、シランカップリング剤等による薬剤処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、真空蒸着等の前処理を施しておいてもよい。

当該半導体ナノ粒子含有組成物の塗布方法としては特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法（スピンコート法）、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、スピンコート法及びスリットダイ塗布法が好ましい。加熱（プレベーク）の条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、例えば７０℃以上１３０℃以下、好ましくは１００℃未満の温度で、１分以上１０分以下の加熱時間とすればよい。

（放射線照射工程）
放射線照射工程では、基板上に形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する。塗膜の一部にのみ放射線を照射する際には、例えば所望の形状のパターンを有するフォトマスクを介して放射線を照射してもよい。このフォトマスクを用いることにより、照射された放射線の一部がフォトマスクを通過し、その一部の放射線が塗膜に照射される。

照射に使用される放射線としては、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等が挙げられる。これらの放射線の中でも、波長が１９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲にある放射線が好ましく、３６５ｎｍの紫外線を含む放射線がより好ましい。

放射線照射工程における積算照射量（露光量）の下限としては、１００Ｊ／ｍ^２が好ましく、２００Ｊ／ｍ^２がより好ましい。また、上記積算照射量の上限としては、３，０００Ｊ／ｍ^２が好ましく、２，０００Ｊ／ｍ^２がより好ましい。なお、本明細書において「積算照射量」とは、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度を照度計（例えばＯＡＩ Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ Ｉｎｃ．社の「ＯＡＩ ｍｏｄｅｌ ３５６」）により測定した値の積算値をいう。

（現像工程）
現像工程では、放射線照射後の塗膜を現像して不要な部分を除去する。現像に使用される現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ性化合物の少なくとも１種を溶解した水溶液を使用することができる。上述のアルカリ性化合物の水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒を適当量添加して使用することもできる。

現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、スプレー法等が挙げられる。現像時間は、半導体ナノ粒子含有組成物の組成によって異なるが、その現像時間の下限としては、５秒が好ましく、１０秒がより好ましい。また、現像時間の上限としては、３００秒が好ましく、１８０秒がより好ましい。現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０秒以上９０秒以下の時間で行った後、圧縮空気や圧縮窒素で乾燥させることにより、所望のパターンが得られる。

（加熱工程）
加熱工程では、塗膜を、ホットプレート、オーブン等の適当な加熱装置により加熱する（ポストベーク）。これにより基板上に十分な硬化がされた波長変換膜が得られる。

本工程の加熱温度の下限としては１００℃が好ましく、１４０℃がより好ましく、１６０℃がさらに好ましい。加熱温度を上記下限以上とすることで、より十分な硬化を行うことができる。また、上記加熱温度の上限としては２５０℃が好ましく、２２０℃がより好ましい。加熱温度を上記上限以下とすることで、半導体ナノ粒子等の劣化を抑え、得られる波長変換膜の蛍光量子収率をより高めることができる。加熱をホットプレートで行う場合、加熱時間の下限としては、５分が好ましく、上限としては３０分が好ましい。また、加熱をオーブン中で行う場合、加熱時間の下限としては１０分が好ましく、上限としては１８０分が好ましい。

上述した発光表示素子１００の発光層の形成に上記方法を適用する場合は、３種の半導体ナノ粒子含有組成物をそれぞれ用いて、上述した工程を含む発光層の形成方法を繰り返して、第１発光層１３ａ、第２発光層１３ｂ及び第３発光層１３ｃをそれぞれ形成すればよい。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）］
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりＭｗ及びＭｎを測定した。
装置：昭和電工社の「ＧＰＣ−１０１」
カラム：昭和電工社の「ＧＰＣ−ＫＦ−８０１」、「ＧＰＣ−ＫＦ−８０２」、「ＧＰＣ−ＫＦ−８０３」及び「ＧＰＣ−ＫＦ−８０４」を連結したもの
移動相：テトラヒドロフラン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料濃度：１．０質量％
試料注入量：１００μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン

［半導体ナノ粒子のナノ結晶（コアシェル粒子）における銅含有量］
半導体ナノ粒子におけるナノ結晶（コアシェル粒子）中の銅の含有量は、ＩＣＰ−ＭＳにより測定した。具体的には、アジレント・テクノロジー社製「８９００」を用い、硝酸に溶解させた後希釈して測定した。

［合成例１］半導体ナノ粒子（Ａ−１）の合成
（１）コアシェル粒子１の分散液の調製
以下、ＴＯＰはトリオクチルホスフィン、ＤＤＴはドデカンチオール、ＯＬＡｍはオレイルアミンを示す。
（１−１）コアの合成
１００ｍＬ反応容器に、
無水酢酸銅（ＩＩ）０．１８２ｇと、
トリオクチルホスフィンテルリド（Ｔｅ−ＴＯＰ溶液：０．５ｍｏｌ／Ｌ）１ｍＬと、
Ｓｅ−ＤＤＴ／ＯＬＡｍ溶液（０．２８５ｍｏｌ／Ｌ）０．４３９ｍＬと、
ＤＤＴ２．５ｍＬと、
ＯＬＡｍ０．２５ｍＬと、
トリオクチルホスフィンオキシド０．３８７ｇと、
オクタデセン２０ｍＬと
を入れ、不活性ガス（Ｎ_２）雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
原料を溶解させた溶液を１８０℃で２０分間攪拌しつつ加熱した。得られた反応溶液を室温まで冷却した。その後、反応溶液に塩化亜鉛１．３７ｇとＴＯＰ１５ｍＬとＯＬＡｍ０．５ｍＬと亜リン酸トリフェニル０．１３１ｍＬとを入れ、不活性ガス（Ｎ_２）雰囲気下、２２０℃で３０分間攪拌しつつ加熱した。さらに、オクタン酸亜鉛溶液（０．１ｍｏｌ／Ｌ）２．５ｍＬを添加し、２２０℃で１０分間攪拌し続けた。オクタン酸亜鉛を追加添加し、加熱撹拌を行う操作を計２回行った。すなわち、金属交換反応として、２２０℃で合計５０分間の加熱を行った。その後、得られた反応溶液（ＺｎＣｕＴｅＳｅＳ粒子の分散液）を室温まで冷却した。

（１−２）シェルの合成
反応溶液１０ｍＬに対して、ヘキサデシルアミン０．２４１ｇを入れ、不活性ガス（Ｎ_２）雰囲気下、２４０℃で５分間攪拌しつつ加熱した。さらに、ＴＯＰ１．１２５ｍＬとＳｅ−ＴＯＰ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ）０．０３１ｍＬとＳ−ＴＯＰ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ）０．０９４ｍＬとを混合し、この混合溶液０．１２５ｍＬを反応溶液に添加し、２４０℃で５分間攪拌し続けた。混合溶液を追加添加し、加熱撹拌を行う操作を計１０回行った。その後、オクタン酸亜鉛溶液（０．１ｍｏｌ／Ｌ）０．５ｍＬを添加し、２４０℃で５分間攪拌し続けた。オクタン酸亜鉛を追加添加し、加熱撹拌を行う操作を計２回行った。
得られた反応液にエタノールを加え沈殿を発生させ、遠心分離を施して沈殿を回収した。その沈殿にトルエンを加えて分散させ、コアシェル粒子１（ナノ結晶であるＺｎＣｕＴｅＳｅＳ／ＺｎＳｅＳ粒子）のトルエン分散液を得た。コアシェル粒子１における銅の含有量は、１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であった。なお、コアシェル粒子１にはドデカンチオール等の第二リガンドが配位したものであった。すなわち、本工程までで、コアシェル粒子１にドデカンチオール等の第二リガンドが配位した半導体ナノ粒子（Ａ−１’）のトルエン分散液を得た。

（２）リガンド交換
コアシェル粒子１（半導体ナノ粒子（Ａ−１’））のトルエン分散液に、第一リガンドとなる下記式で表されるポリエチレングリコールメチルエーテルチオールを加え７０℃で１時間加熱した。その後、分散液を室温に冷却し、ｎ−ブタノールを加え、粒子を沈降させ遠心分離により粒子を分離した。沈降した粒子から上澄み溶媒を除き、粒子を再びトルエンに分散し、ｎ−ブタノールを用いて沈降、遠心分離する操作を３回行った。その後、トルエンへの分散を行い、半導体ナノ粒子（Ａ−１）の分散液を得た。得られた半導体ナノ粒子（Ａ−１）は、「コアシェル粒子１の分散液の調製」において得られたコアシェル粒子１のリガンドであるドデカンチオール等（第二リガンド）の一部が、ポリエチレングリコールメチルエーテルチオール（第一リガンド）に交換されたものである。なお、得られた半導体ナノ粒子（Ａ−１）の第一リガンドと第二リガンドの含有量を核磁気共鳴装置にて測定（ＢＲＵＫＥＲ社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ ＨＤを用い、ＣＤＣｌ_３にサンプルの固形分濃度が２質量％になるように半導体ナノ粒子を溶解させ、^１Ｈ ＮＭＲ測定の標準シークエンスにより測定）したところ、第一リガンドと第二リガンドの合計含有量に対する第一リガンド（ポリエチレングリコールメチルエーテルチオール）の含有量は４０質量％であった。

上記式中、ｎは、約２０である。

［合成例２］半導体ナノ粒子（Ａ−２）の合成
「（１−１）コアの合成」の際、金属交換反応を２２０℃で合計３０分間の加熱で行ったこと以外は合成例１と同様にして、コアシェル粒子２（ナノ結晶であるＺｎＣｕＴｅＳｅＳ／ＺｎＳｅＳ粒子）のトルエン分散液を得た。コアシェル粒子２における銅の含有量は、１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であった。また、コアシェル粒子２のトルエン分散液に対して合成例１と同様の方法にてリガンド交換を行い、半導体ナノ粒子（Ａ−２）の分散液を得た。

［合成例３］半導体ナノ粒子（Ａ−３）の合成
「（１−１）コアの合成」の際、金属交換反応を２２０℃で合計１０分間の加熱で行ったこと以外は合成例１と同様にして、コアシェル粒子３（ナノ結晶であるＺｎＣｕＴｅＳｅＳ／ＺｎＳｅＳ粒子）のトルエン分散液を得た。コアシェル粒子３における銅の含有量は、１００ｐｐｍ以上であった。また、コアシェル粒子３のトルエン分散液に対して合成例１と同様の方法にてリガンド交換を行い、半導体ナノ粒子（Ａ−３）の分散液を得た。

［合成例４］半導体ナノ粒子（Ａ−４）の合成
「（１−２）シェルの合成」の際、Ｓｅ−ＴＯＰ溶液及びＳ−ＴＯＰ溶液を含む混合溶液に替えて、Ｓ−ＴＯＰ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ）０．１２５ｍＬを添加したこと以外は合成例１と同様にして、コアシェル粒子４（ナノ結晶であるＺｎＣｕＴｅＳｅＳ／ＺｎＳ粒子）のトルエン分散液を得た。また、コアシェル粒子４のトルエン分散液に対して合成例１と同様の方法にてリガンド交換を行い、半導体ナノ粒子（Ａ−４）の分散液を得た。

［合成例５］半導体ナノ粒子（Ａ−５）の合成
「（２）リガンド交換」の際、ポリエチレングリコールメチルエーテルチオールを加え７０℃で１時間加熱する工程と、ｎ−ブタノールを加え、粒子を沈降させ遠心分離により粒子を分離する工程とを３回繰り返して行ったこと以外は、合成例１と同様の操作を行った。これにより、第一リガンドと第二リガンドの合計量に対する第一リガンドの含有量が７０質量％である半導体ナノ粒子（Ａ−５）の分散液を得た。

［比較合成例１］半導体ナノ粒子（ａ−１）の合成
国際公開第２０１７／０８６３６２号の段落［０１３５］〜［０１４２］、［０１４６］に記載の合成例１の記載に沿って、ＩｎＰコア粒子の分散液を合成した。このＩｎＰコア粒子に対して、上記合成例４と同様の方法によりＺｎＳのシェルを形成し、コアシェル粒子１’（ナノ結晶であるＩｎＰ／ＺｎＳ粒子）のトルエン分散液を得た。また、コアシェル粒子１’のトルエン分散液に対して合成例１と同様の方法にてリガンド交換を行い、半導体ナノ粒子（ａ−１）の分散液を得た。

[比較合成例２]半導体ナノ粒子（ａ−２）の合成
Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２０１０，２２，２３３−２４０（ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ（Ｃｏｒｅ／Ｓｈｅｌｌ）Ｔｙｐｅ−ＩＩ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔｓ：Ｔｈｅｉｒ Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）（非特許文献１）に記載の方法により、コアシェル粒子２’（ナノ結晶であるＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ粒子）の分散液を得た。また、コアシェル粒子２’の分散液に対して合成例１と同様の方法にてリガンド交換を行い、半導体ナノ粒子（ａ−２）の分散液を得た。

［合成例６］光拡散粒子分散液の調製
酸化アルミニウムでコーティングされた酸化チタン粒子（Ｂ−１）（平均粒径１５０ｎｍ、堺化学社の「Ａ−１９０」）を用意した。この酸化チタン粒子（Ｂ−１）５．０ｇと、高分子分散剤ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２１６４（ビックケミー社製）１．７ｇと、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５．８ｇとを配合した。ジルコニアビーズ（直径：０．１ｍｍ）を加えた後、ペイントコンディショナーを用いて４時間振とうさせることで配合物の分散処理を行った。次いでメッシュフィルターによりジルコニアビーズを除去することで、光拡散粒子（Ｂ−１）の分散液を得た。

［合成例７］重合体（Ｃ−５）の合成
攪拌機を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２００質量部、シクロヘキシルメタクリレート７０質量部、コハク酸モノ（２−メタクリロイルオキシエチル）２０質量部、メタクリル酸１０質量部、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル３．０質量部、及びペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）７．０質量部を仕込んで窒素置換した。混合溶液を８０℃にて保持して４時間重合した。その後、反応溶液の温度を１００℃に昇温させ、さらに１時間重合した後、室温に冷却した。これにより、シクロヘキシルメタクリレートとコハク酸モノ（２−メタクリロイルアクリレート）とメタクリル酸との共重合体である重合体（Ｃ−５）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。得られた重合体（Ｃ−５）のＭｗは１３，５００、Ｍｎは７，１００であった。なお、合成例７〜９において、得られた重合体における各構造単位の含有割合は、対応する単量体の仕込量の比率と同じとみなすことができる。

［合成例８］重合体（Ｃ−６）の合成
合成例７において、コハク酸モノ（２−メタクリロイルオキシエチル）２０質量部を２−エチルヘキシルメタクリレート２０質量部とした以外は、合成例７と同様にして、シクロヘキシルメタクリレートと２−エチルヘキシルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体である重合体（Ｃ−６）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。得られた重合体（Ｃ−６）のＭｗは１３，３００、Ｍｎは７，０００であった。

［合成例９］重合体（Ｃ−７）の合成
合成例７において、シクロヘキシルメタクリレートの仕込量を５０質量部にし、さらに２−エチルヘキシルメタクリレート２０質量部を仕込んだ以外は、合成例７と同様にして、シクロヘキシルメタクリレートと２−エチルヘキシルメタクリレートとコハク酸モノ（２−メタクリロイルアクリレート）とメタクリル酸との共重合体である重合体（Ｃ−７）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。得られた重合体（Ｃ−７）のＭｗは１３，７００、Ｍｎは７，１００であった。

以下に、実施例及び比較例で使用した各成分を示す。
（Ａ）半導体ナノ粒子
・Ａ−１〜Ａ−５：合成例１〜５でそれぞれ得られた半導体ナノ粒子（Ａ−１）〜（Ａ−５）
・Ａ−１’：合成例１の途中工程で得られた半導体ナノ粒子（Ａ−１’）
・ａ−１〜ａ−２：比較合成例１〜２でそれぞれ得られた半導体ナノ粒子（ａ−１）〜（ａ−２）

（Ｂ）光拡散粒子
・Ｂ−１：合成例６で調製した光拡散粒子（Ｂ−１）

（Ｃ）バインダ
・Ｃ−１：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
・Ｃ−２：イソボルニルアクリレート
・Ｃ−３：ウレタン（メタ）アクリレート（ウレタン結合を有し、イソシアヌル構造又はトリアジン構造を有さず、重合性基数が１０であり、分子量が約４９００であるウレタンアクリレート 根上工業社製の「ＵＮ−９０４」）
・Ｃ−４：ウレタン（メタ）アクリレート（イソシアヌル構造及びウレタン結合を有し、重合性基数が１５であり、分子量が約２３００である下記式で表されるウレタンアクリレート 新中村化学社製の「Ｕ−１５ＨＡ」）

・Ｃ−５：合成例７で得られた重合体（Ｃ−５）
・Ｃ−６：合成例８で得られた重合体（Ｃ−６）
・Ｃ−７：合成例９で得られた重合体（Ｃ−７）

（Ｄ）分散媒
・Ｄ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・Ｄ−２：酢酸オクチル

（Ｅ）酸化防止剤
・Ｅ−１：フェノール系酸化防止剤（３，９−ビス［２−〔３−（ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン（住友化学社の「スミライザーＧＡ−８０」））
・Ｅ−２：２，３，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン

（Ｆ）感放射線性化合物
・Ｆ−１：２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦ社の「ルシリンＬＲ８９５３Ｘ」）とＯ−アシルオキシム化合物（ＡＤＥＫＡ社の「ＮＣＩ−９３０」）との質量比１：１の混合物

［実施例１］
分散媒（Ｄ−１）に、半導体ナノ粒子（Ａ−１）１０質量部、光拡散粒子（Ｂ−１）１０質量部、バインダ（Ｃ−１）３０質量部、酸化防止剤（Ｅ−１）５質量部、及び感放射線性化合物（Ｆ−１）５質量部を加え、実施例１の半導体ナノ粒子含有組成物を調製した。なお、半導体ナノ粒子（Ａ−１）は、半導体ナノ粒子（Ａ−１）の配合量が１０質量部となるように、分散液の状態で配合した。光拡散粒子（Ｂ−１）も同様に、光拡散粒子（Ｂ−１）の配合量が１０質量部となるように、分散液の状態で配合した。また、分散媒（Ｄ−１）の含有量が１００質量部となるように調製した。

［実施例２〜６、８〜１４、及び比較例１〜３］
各配合成分の種類及び配合量を下記表１に記載の通りとしたこと以外は、実施例１と同様にして各半導体ナノ粒子含有組成物を調製した。

［実施例７］
半導体ナノ粒子（Ａ−１）１０質量部、光拡散粒子（Ｂ−１）１０質量部、バインダ（Ｃ−１）１０質量部、バインダ（Ｃ−２）２０質量部、酸化防止剤（Ｅ−１）５質量部、及び感放射線性化合物（Ｆ−１）５質量部を混合し、実施例７の半導体ナノ粒子含有組成物を調製した。実施例７においては、半導体ナノ粒子（Ａ−１）は、分散媒を除去した粉末状のものを用いた。なお、実施例７においては、光拡散粒子（Ｂ−１）混合時に持ち込まれる分散媒のみにより各組成が分散していた。

得られた各半導体ナノ粒子含有組成物について、下記の方法に従い評価した。

（波長変換膜の形成）
無アルカリガラス基板上に、各半導体ナノ粒子含有組成物をスピンナにより塗布した後、９０℃のホットプレート上で２分間プレベークすることにより塗膜を形成した。次に、得られた塗膜に、フォトマスクを介さずに、高圧水銀ランプを用いて３６５ｎｍ、４０５ｎｍ及び４３６ｎｍの各波長を含む放射線を２００Ｊ／ｍ^２の積算照射量で照射することにより、平均厚さ１０μｍの波長変換膜を形成した。なお、実施例７については、窒素雰囲気下で放射線を照射した。

［蛍光量子収率］
蛍光量子収率は、上記手順により得られた波長変換膜について、絶対ＰＬ蛍光量子収率測定装置（浜松ホトニクス社の「Ｃ１１３４７−０１」）を用いて、２５℃において測定した。励起光の波長は４５０ｎｍとした。また、別途、上記手順により得られた波長変換膜をクリーンオーブンにて１８０℃、２０分の加熱処理（ポストベーク）を行った後に、上記と同様の方法で蛍光量子収率を測定した。前者の蛍光量子収率（未処理）及び後者の蛍光量子収率（熱処理後）について、以下の基準にて評価した。
・蛍光量子収率（未処理）
Ａ ：１５％以上
Ｂ ：１０％以上１５％未満
Ｃ ：５％以上１０％未満
Ｄ ：５％未満
・蛍光量子収率（熱処理後）
Ａ ：１５％以上
Ｂ ：１０％以上１５％未満
Ｃ ：５％以上１０％未満
Ｄ ：５％未満
Ａ〜Ｃの場合、蛍光量子収率が高く、蛍光性能が良好であると判断した。評価結果を表１に示す。

［蛍光半値幅］
上記手順により得られた波長変換膜（加熱処理後）について、絶対ＰＬ蛍光量子収率測定装置（浜松ホトニクス社の「Ｃ１１３４７−０１」）を用いて、２５℃において蛍光半値幅を測定した。励起光の波長は４５０ｎｍとした。蛍光半値幅は、その値が小さいほど加熱処理後においても色純度の高い蛍光に波長変換できているため良いことを示す。蛍光半値幅について、以下の基準で評価した。
Ａ ：４０ｎｍ未満
Ｂ ：４０ｎｍ以上５０ｎｍ未満
Ｃ ：５０ｎｍ以上６０ｎｍ未満
Ｄ ：６０ｎｍ以上
Ａ及びＢの場合、蛍光半値幅が十分に狭く、蛍光性能が良好であると判断した。評価結果を表１に示す。

［塗布性］
上記手順により得られた波長変換膜（加熱処理後）の表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）を、触診式段差計（商品名「Ａｌｐｈａ−Ｓｔｅｐ ＩＱ ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ ＡＳＩＱ」、ＫＬＡ−ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて測定し、以下の基準にて評価した。
Ａ ：Ｒａ ５００Å未満
Ｂ ：Ｒａ ５００Å以上１０００Å未満
Ｃ ：Ｒａ １０００Å以上
Ａ及びＢの場合、塗布性が良好であると判断した。評価結果を表１に示す。

［分散安定性］
各半導体ナノ粒子含有組成物を調製後、攪拌機を用い１０分攪拌し、２時間経過後の沈降の様子を確認し、以下の基準にて評価した。
Ａ ：殆ど沈降がなかった
Ｂ ：沈降が一部見られた
Ｃ ：沈降が多く見られた
Ａ及びＢの場合、分散安定性が良好であると判断した。評価結果を表１に示す。

表１に示されるように、実施例１〜１４の各半導体ナノ粒子含有組成物から得られた波長変換膜は、蛍光量子収率が高くかつ蛍光半値幅が狭く、蛍光性能に優れていた。また、加熱処理を経て得られた波長変換膜の蛍光量子収率も高く、十分な耐熱性を有することが確認できた。さらに、実施例１〜１４の各半導体ナノ粒子含有組成物は、分散安定性及び塗布性も良好であった。

本発明の半導体ナノ粒子含有組成物は、発光表示素子の波長変換膜等の形成材料として好適に用いることができる。

１１ 波長変換基板
１２ 第１基材
１３ 発光層（波長変換膜）
１３ａ 第１発光層
１３ｂ 第２発光層
１３ｃ 第３発光層
１４ ブラックマトリクス
１５ 接着剤層
１６ 第２基材
１７ 光源
１７ａ 第１光源
１７ｂ 第２光源
１７ｃ 第３光源
１８ 光源基板
１００ 発光表示素子

Claims (12)

1. （Ａ）亜鉛、テルル及び銅を含む半導体ナノ粒子、
   （Ｂ）光拡散粒子、並びに
   （Ｃ）バインダ
   を含有する半導体ナノ粒子含有組成物。
2. 上記（Ａ）半導体ナノ粒子がリガンドを有する請求項１に記載の半導体ナノ粒子含有組成物。
3. 上記リガンドが、カルボキシ基、チオール基、ホスホノ基、アミド基又はこれらの組み合わせと、エーテル基、エステル基、シロキサン基又はこれらの組み合わせとを有する第一リガンドを含む請求項２に記載の半導体ナノ粒子含有組成物。
4. 上記リガンドが、炭素数６〜３０の炭化水素基を有する第二リガンドをさらに含む請求項３に記載の半導体ナノ粒子含有組成物。
5. 上記第一リガンドと上記第二リガンドとの合計含有量に対する第一リガンドの含有量が５０質量％以上である請求項４に記載の半導体ナノ粒子含有組成物。
6. 上記（Ｂ）光拡散粒子が酸化チタンを含む粒子である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体ナノ粒子含有組成物。
7. 上記酸化チタンを含む粒子の表面の少なくとも一部が酸化アルミニウムで被覆されている請求項６に記載の半導体ナノ粒子含有組成物。
8. 上記（Ｃ）バインダが、複数の重合性基を有するウレタン（メタ）アクリレートを含む請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体ナノ粒子含有組成物。
9. 上記（Ｃ）バインダが、酸性基を含む炭素数４〜２０の有機基及び炭素数４〜２０の鎖状炭化水素基の少なくとも一方を有する重合体を含む請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体ナノ粒子含有組成物。
10. （Ｄ）分散媒をさらに含有し、
    上記（Ｄ）分散媒が、アルコール類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコールのモノアルキルエーテルモノエステル類、ヒドロキシカルボン酸エステル類、カルボン酸類、エーテル類、ケトン類、アミド類、アミン類又はこれらの組み合わせを含む請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の半導体ナノ粒子含有組成物。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体ナノ粒子含有組成物から形成される波長変換膜。
12. 請求項１１に記載の波長変換膜を備える発光表示素子。
    
    

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