TW201445773A - 密封片材及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之密封片材之製造方法係一種具備於第1方向上相互隔開間隔而配置之複數個密封構件之密封片材之製造方法。密封片材之製造方法包括：密封層形成步驟，其以沿第1方向連續之方式形成含有粒子之密封層；切斷步驟，其於密封層形成步驟後，以於第1方向上複數分割密封層之方式將密封層切斷，而形成複數個密封構件；以及配置步驟，其於切斷步驟後，以於第1方向上相互隔開間隔之方式配置複數個密封構件。
Description
本發明係關於一種密封片材及其製造方法，詳細而言係一種密封片材之製造方法、及藉由該製造方法所製造之密封片材。
先前，已知有利用密封片材將發光二極體(LED，Light-Emitting Diode)等光半導體元件密封之情況。
例如，提出藉由密封片材而將密封樹脂層對向配置於在長度方向上隔開間隔而配置之複數個LED而將LED密封之方法，該密封片材係對長條狀之剝離片材以沿長度方向連續之方式積層含有螢光體或二氧化矽等粒子之密封樹脂層而成(例如，參照下述專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利特開2012-142364號公報
然而，位於各光半導體元件之相對較近處之密封樹脂層(即，密封區域)將光半導體元件之上表面及側面被覆等，而有助於光半導體元件之密封。另一方面，位於相對於各光半導體元件相對較遠處之密封樹脂層，具體而言，位於鄰接之光半導體元件間之中央(長度方向中間)之密封樹脂層(即，非密封區域)實質上無助於光半導體元件之密封。因此，非密封區域之密封樹脂層成為光半導體元件之密封中無用
之區域，而相應地，上述含有粒子之密封樹脂層之良率降低。其結果，有密封片材之製造成本增大之不良狀況。
另一方面，雖然亦嘗試有暫時形成密封樹脂層後而去除上述非密封區域，但密封樹脂層由於除上述粒子以外亦含有樹脂或添加物，故而難以自去除之非密封區域僅將粒子回收而再利用。因此，依然有無法防止起因於非密封區域之形成之密封樹脂層之良率之降低及起因於其之密封片材之製造成本之增大的不良狀況。
本發明之目的在於提供一種可提高密封層之良率，降低密封片材之製造成本之密封片材之製造方法，及藉由該製造方法所製造之密封片材。
為了達成上述目的，本發明之密封片材之製造方法之特徵在於：其係具備於第1方向上相互隔開間隔而配置之複數個密封構件之密封片材之製造方法，且包括：密封層形成步驟，其以沿上述第1方向連續之方式形成含有粒子之密封層；切斷步驟，其於上述密封層形成步驟後，以於上述第1方向上複數分割上述密封層之方式將上述密封層切斷，而形成複數個上述密封構件；以及配置步驟，其於上述切斷步驟後，以於上述第1方向上相互隔開間隔配置複數個上述密封構件。
於該密封片材之製造方法中，以於第1方向上複數分割密封層之方式將密封層切斷，而形成複數個密封構件，其後，以於第1方向上相互隔開間隔之方式配置複數個密封構件。因此，由於藉由簡便之方法而將切斷後之複數個密封構件以於第1方向上相互隔開間隔之方式進行配置，故而可有效地利用以沿第1方向連續之方式所形成之密封層。因此，可提高密封層之良率，降低密封片材之製造成本。
又，於本發明之密封片材之製造方法中，較佳為於上述密封層
形成步驟中，藉由沿上述第1方向連續之第1基材片材之表面形成上述密封層，而形成具備上述密封層及上述第1基材片材之積層片材，於上述切斷步驟中，藉由以於上述第1方向上複數分割上述積層片材之方式將上述積層片材切斷，而由上述密封層及上述第1基材片材形成上述密封構件。
根據該密封片材之製造方法，由於在密封層形成步驟中，形成具備密封層及第1基材片材之積層片材，故而可藉由第1基材片材而支撐密封層，繼而，由於在切斷步驟中，將積層片材切斷，故而可提高密封層之操作性，提高切斷步驟中之密封層之切斷之精度。
又，於本發明之密封片材之製造方法中，較佳為於上述配置步驟中，以於上述第1方向上相互隔開間隔之方式，將複數個上述密封構件配置於沿上述第1方向連續形成之第2基材片材之表面。
於該密封片材之製造方法中，由於將複數個密封構件配置於第2基材片材之表面，故而可提高複數個密封構件之配置之精度。因此，可藉由複數個密封構件而精度良好地密封複數個光半導體元件。
又，於本發明之密封片材之製造方法中，較佳為粒子含有螢光體。
於該密封片材之製造方法中，可提高含有螢光體之粒子之良率。
本發明之密封片材之製造方法之特徵在於：包括密封層形成步驟，其於第1方向上相互隔開間隔且沿著相對於上述第1方向交差之第2方向而形成含有粒子之密封層；以及切斷步驟，其以於上述第2方向上複數分割上述密封層之方式將上述密封層切斷。
於該密封片材之製造方法中，由於在第1方向上相互隔開間隔且沿著相對於第1方向交差之第2方向而形成含有粒子之密封層，故而，若其後將密封層對於在第1方向上相互隔開間隔所配置之密封對象進
行密封，則可有效地利用密封層。因此，可提高密封層之良率，降低密封片材之製造成本。
於本發明之密封片材之製造方法中，較佳為於上述密封層形成步驟中，藉由沿著上述第2方向塗佈密封組合物，而形成上述密封層。
於該密封片材之製造方法中，由於在密封層形成步驟中，藉由沿著第2方向塗佈密封組合物而形成密封層，故而可沿著第2方向高效率地形成密封層。
進而，於此方法中，由於在沿著第2方向塗佈密封組合物之密封層形成步驟之後，實施以於第2方向上複數分割密封層之方式將密封層切斷之切斷步驟，故可提高第2方向中之密封層之良率，降低密封片材之製造成本。
本發明之密封片材之製造方法較佳為進而包括：以區隔對應於密封對象之密封區域之方式將上述密封層切斷之步驟，及去除上述密封區域之外側之上述密封層之步驟。
於該密封片材之製造方法中，由於以區隔對應於密封對象之密封區域之方式將密封層切斷，且去除密封區域之外側之密封層，故而可更進一步有效地利用密封層。
於本發明之密封片材之製造方法中，較佳為粒子含有螢光體。
於該密封片材之製造方法中，由於粒子含有螢光體，故而可提高含有螢光體之粒子之良率。
本發明之密封片材較佳為進而具備沿上述第1方向連續形成不含粒子之不含螢光體之密封層之步驟，並且，於上述密封層形成步驟中，對上述不含螢光體之密封層積層上述密封層，於上述切斷步驟中，以於上述第2方向上複數分割上述不含螢光體之密封層之方式將上述不含螢光體之密封層與上述密封層一同切斷。
不含螢光體之密封層由於不含螢光體，故而即便沿第1方向連續形成不含螢光體之密封層，亦可低成本地製造不含螢光體之密封層。因此，若形成該不含螢光體之密封層，且對該不含螢光體之密封層積層密封層，則可構成具有各種物性之密封片材。
又，本發明之密封片材之特徵在於：具備第2基材片材，其以沿第1方向連續之方式而形成；以及複數個密封構件，其於上述第1方向上相互隔開間隔而配置於上述第2基材片材之表面；並且，複數個上述密封構件具備：第1基材片材，其積層於上述第2基材片材之表面；以及密封層，其積層於上述第1基材片材之表面且含有粒子。
於該密封片材中，可藉由以沿第1方向連續之方式所形成之第2基材片材，且經由在第1方向上相互隔開間隔所配置之第1基材片材而支撐密封層。因此，可降低製造成本，並且藉由第1基材片材及第2基材片材而柔軟地支撐密封層。
本發明之密封片材之特徵在於：具備基材片材，其沿第1方向連續；以及複數個密封構件，其於上述第1方向上相互隔開間隔而配置；並且，複數個上述密封構件具備：不含螢光體之密封層，其積層於上述基材片材之表面；以及密封層，其積層於上述不含螢光體之密封層之表面且含有粒子。
於該密封片材中，可藉由不含螢光體之密封層與密封層而具有各種物性。
於本發明之密封片材之製造方法中，可提高密封層之良率，降低密封片材之製造成本。
本發明之密封片材可降低製造成本，並且藉由第1基材片材及第2基材片材而柔軟地支撐密封層。又，可構成具有各種物性之密封構件。
1‧‧‧密封片材
2‧‧‧積層基材片材
3‧‧‧第1基材片材
4‧‧‧接著劑層
5‧‧‧脫模片材
6‧‧‧密封層
7‧‧‧皮膜
8‧‧‧積層片材
9‧‧‧第1橫切斷線
9A‧‧‧位於最前側之第1橫切斷線
9B‧‧‧位於最後側之第1橫切斷線
10‧‧‧第1縱切斷線
11‧‧‧密封構件
12‧‧‧內側部分
13‧‧‧外側部分
14‧‧‧第2基材片材
15‧‧‧光半導體元件
16‧‧‧密封區域
17‧‧‧第1切斷線
18‧‧‧第2切斷線
19‧‧‧第2縱切斷線
19C‧‧‧左右方向兩外側之第2縱切斷線
20‧‧‧第2橫切斷線
21‧‧‧基板
22‧‧‧光半導體裝置
23‧‧‧定位標記
24‧‧‧貫通孔
28‧‧‧第2積層片材
31‧‧‧基材片材
32‧‧‧積層片材
33‧‧‧不含螢光體之密封層
L1‧‧‧密封構件11之前後方向之間隔
L2‧‧‧密封構件11間之間距
L3‧‧‧光半導體元件15間之間隔
L4‧‧‧光半導體元件15間之間距
L5‧‧‧密封層6之間隔
L6‧‧‧密封層6間之間距
圖1係表示本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態的密封層形成步驟，圖1A係表示立體圖，圖1B係表示側剖面圖。
圖2係表示本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態的第1切斷步驟，圖2A係表示立體圖，圖2B係表示側剖面圖。
圖3係表示本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態的剝離步驟，圖3A係表示立體圖，圖3B係表示側剖面圖。
圖4係表示本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態的載置步驟，圖4A係表示立體圖，圖4B係表示側剖面圖。
圖5係表示本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態的第2切斷步驟，圖5A係表示立體圖，圖5B係表示側剖面圖。
圖6係表示本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態的去除步驟，圖6A係表示立體圖，圖6B係表示側剖面圖。
圖7係表示本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態的第3切
斷步驟，圖7A係表示立體圖，圖7B係表示側剖面圖，圖7C係表示俯視圖。
圖8係表示本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態的回收步驟，圖8A係表示立體圖，圖8B係表示正剖面圖，圖8C係表示側剖面圖，圖8D係表示俯視圖。
圖9係表示藉由圖8之密封片材而將光半導體元件密封之方法，圖9A係表示將密封片材對向配置於安裝有光半導體元件之基板之步驟，圖9B係表示藉由密封片材而將光半導體元件密封之步驟，圖9C係表示去除第2基材片材、接著劑層及第1基材片材之步驟。
圖10係表示藉由本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態之變化例(設置有定位標記之態樣)所製造之密封片材的俯視圖。
圖11係表示藉由本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態之變化例(設置有定位標記之態樣)所製造之密封片材的俯視圖。
圖12係表示藉由本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態之變化例(密封層為大致楕圓形狀之態樣)所製造之密封片材的俯視圖。
圖13係表示藉由本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態之變化例(密封層為大致六角形狀之態樣)所製造之密封片材的俯視圖。
圖14係表示藉由本發明之密封片材之製造方法之第1實施形態之變化7(密封層為大致矩形狀之態樣)所製造之密封片材的俯視圖。
圖15係表示本發明之密封片材之製造方法之第2實施形態的第3切斷步驟，圖15A係表示立體圖，圖15B係表示側剖面圖，圖15C係表示俯視圖。
圖16係表示本發明之密封片材之製造方法之第2實施形態的回收步驟，圖16A係表示立體圖，圖16B係表示正剖面圖，圖16C係表示側剖面圖，圖16D係表示俯視圖。
圖17係表示本發明之密封片材之製造方法之第3實施形態之第1切斷步驟及剝離步驟的立體圖。
圖18係表示本發明之密封片材之製造方法之第3實施形態之載置步驟的立體圖。
圖19係表示本發明之密封片材之製造方法之第3實施形態之第2切斷步驟及去除步驟的立體圖。
圖20係表示本發明之密封片材之製造方法之第3實施形態之第3切斷步驟及回收步驟的立體圖。
圖21係表示本發明之密封片材之製造方法之第4實施形態的製造步驟圖(立體圖)，圖21A係表示密封層形成步驟(準備基材片材之步驟)，圖21B係表示密封層形成步驟(設置密封層之步驟)，圖21C係表示切斷步驟。
圖22係表示說明藉由第4實施形態之密封片材而將光半導體元件密封之方法的步驟圖(側剖面圖)，
圖22A係表示準備安裝有光半導體元件之基板之步驟、及以各密封層與光半導體元件對向之方式進行配置之步驟，圖22B係表示藉由密封片材而將光半導體元件密封之步驟，圖22C係表示將基材片材自密封層剝離之步驟。
圖23係第4實施形態之變化例之立體圖，圖23A係表示將密封層切斷為大致圓形狀之步驟，圖23B係表示去除密封區域之外側之密封層之步驟，圖23C係表示切斷步驟。
圖24係表示本發明之密封片材之製造方法之第5實施形態的製造步驟圖(立體圖)，圖24A係表示不含螢光體之密封層形成步驟(準備基材片材之步驟)，圖24B係表示不含螢光體之密封層形成步驟(設置不含螢光體之密封層之步驟)，圖24C係表示密封層形成步驟，圖24D係表示切斷步驟。
圖25係表示說明藉由第5實施形態之密封片材而將光半導體元件密封之方法之步驟圖(側剖面圖)，圖25A係表示準備安裝有光半導體元件之基板之步驟、及以各密封層與光半導體元件對向之方式進行配置之步驟，圖25B係表示藉由密封片材而將光半導體元件密封之步驟，圖25C係表示將基材片材自不含螢光體之密封層剝離之步驟。
圖26係第5實施形態之變化例之立體圖，圖26A係表示將密封層切斷為大致圓形狀之步驟，圖26B係表示去除密封區域之外側之密封層之步驟，圖26C係表示切斷步驟。
圖27係表示說明藉由第5實施形態之密封片材之變化例而將光半導體元件密封之方法的步驟圖(側剖面圖)，圖27A係表示準備安裝有光半導體元件之基板之步驟、及以各密封層與光半導體元件對向之方式進行配置之步驟，圖27B係表示藉由密封片材而將光半導體元件密封之步驟，圖27C係表示將基材片材自不含螢光體之密封層剝離之步驟。
以圖1A之箭頭所表示之前後方向(或縱向)係第1方向之一例，以圖1A之箭頭所表示之左右方向(或橫向)係正交於第1方向之第2方向之一例，以圖1A之箭頭所表示之上下方向係正交於第1方向及第2方向之第3方向之一例(或厚度方向)。對於除圖1A以外之圖式，除另有說明，以圖1A之方向作為基準。
如圖1~圖8所示，本發明之第1實施形態之密封片材1之製造方法包括：密封層形成步驟(參照圖1)、作為切斷步驟之第1切斷步驟(參照圖2)、配置步驟(參照圖3及圖4)、第2切斷步驟(參照圖5)、去除步驟(參照圖6)、第3切斷步驟(參照圖7)、及回收步驟(參照圖8)。
於密封層形成步驟中，如參照圖1A及圖1B所示，首先，準備積層基材片材2。
將積層基材片材2形成為沿前後方向(縱向)及左右方向(橫向)延伸之大致矩形之平板形狀。積層基材片材2具備：第1基材片材3；接著劑層4，其積層於第1基材片材3之下表面；及脫模片材5，其積層於接著劑層4之下表面。
關於第1基材片材3，將其形成積層基材片材2之俯視下之外形形狀，具體而言，形成為沿前後方向及左右方向連續之大致矩形之平板
形狀。第1基材片材3係由其次說明之可支撐密封層6之材料所形成，作為此種材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯之聚酯，例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴等樹脂材料等。又，作為材料，亦可列舉：例如陶瓷片材，例如金屬箔等。關於第1基材片材3之厚度，例如為0.03mm以上，較佳為0.05mm以上，又，例如為2mm以下，較佳為1mm以下。又，第1基材片材3之尺寸可根據其次說明之密封層6之尺寸而適當調節，具體而言，一邊之長度例如為10mm以上，較佳為20mm以上，又，例如為300mm以下，較佳為250mm以下。
接著劑層4係設置於第1基材片材3之整個下表面。接著劑層4係由例如丙烯酸系感壓接著劑、胺基甲酸酯系感壓接著性等接著劑等而形成。關於接著劑層4之厚度，例如為0.1mm以上，較佳為0.2mm以上，又，為1mm以下，較佳為0.5mm以下。
脫模片材5係為了防止接著劑層4之下表面被污染而設置於接著劑層4之整個下表面。作為脫模片材5，可列舉：例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET，Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯等)等聚合物膜，例如陶瓷片材，例如金屬箔等。較佳為可列舉聚合物膜。又，亦可對脫模片材5之表面實施氟處理等剝離處理。關於脫模片材5之厚度，例如為0.3mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為2mm以下，較佳為1mm以下。
於製作積層基材片材2時，例如，首先準備第1基材片材3，繼而，將接著劑層4積層於第1基材片材3之下表面，其後，將脫模片材5積層於接著劑層4之下表面。再者，積層基材片材2亦可使用市售者。
關於積層基材片材2之厚度，例如為0.6mm以上，較佳為1mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為3mm以下。
準備積層基材片材2後，如圖1A及圖1B所示，將密封層6設置於
積層基材片材2之上表面。
於將密封層6設置於積層基材片材2之上表面時，例如，首先準備密封組合物。
密封組合物含有粒子作為必需成分，具體而言，含有粒子及樹脂。
作為粒子，例如可列舉：螢光體、填充劑等。
螢光體具有波長轉換功能，例如可列舉：可將藍光轉換為黃光之黃色螢光體、可將藍光轉換為紅光之紅色螢光體等。
作為黃色螢光體，可列舉：例如(Ba,Sr,Ca)2SiO4：Eu、(Sr,Ba)2SiO4：Eu(正矽酸鋇(BOS，Barium Orthosilicate))等矽酸鹽螢光體，例如Y3Al5O12：Ce(YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔-鋁-石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(Terbium Aluminum Garnet，鋱-鋁-石榴石)：Ce)等具有石榴石型結晶結構之石榴石型螢光體，例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。作為紅色螢光體，例如可列舉：CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體等。作為螢光體之形狀，例如可列舉：球狀、板狀、針狀等。就流動性之觀點而言，較佳為可列舉球狀。關於螢光體之最大長度之平均值(於為球狀之情形時，平均粒徑)，例如為0.1μm以上，較佳為1μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100μm以下。螢光體可單獨使用或併用。關於螢光體之調配比率，相對於樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，例如為80質量份以下，較佳為50質量份以下。
作為填充劑，可列舉：例如聚矽氧粒子等有機微粒子，例如二氧化矽、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等無機微粒子。又，關於填充劑之最大長度之平均值(於為球狀之情形時，平均粒徑)，例如為0.1μm以上，較佳為1μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100μm以下。填充劑可單獨使用或併用。關於填充劑之調配比率，相對於樹
脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如為70質量份以下，較佳為50質量份以下。
關於粒子之調配比率，相對於樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如為80質量份以下，較佳為60質量份以下。
作為樹脂，可列舉：例如藉由加熱而塑化之熱塑性樹脂，例如藉由加熱而硬化之熱固性樹脂，例如藉由活性能量線(例如紫外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂等。作為熱塑性樹脂，例如可列舉：乙酸乙烯酯樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，Ethylene Vinyl Acetate)、氯乙烯樹脂、EVA-氯乙烯樹脂共聚物等。作為熱固性樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。作為樹脂，較佳為可列舉：熱固性樹脂及活性能量線硬化性樹脂等硬化性樹脂。
作為硬化性樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。又，作為硬化性樹脂，例如可列舉：2階段硬化性樹脂、1階段硬化性樹脂等，較佳為可列舉2階段硬化性樹脂。
2階段硬化性樹脂具有2階段之反應機構，於第1階段之反應中進行B階段化(半硬化)，於第2階段之反應中進行C階段化(最終硬化)。另一方面，1階段硬化性樹脂具有1階段之反應機構，於第1階段之反應中進行完全硬化。又，B階段係硬化性樹脂為液狀之A階段、與完全硬化之C階段之間之狀態，係僅進行硬化及凝膠化，壓縮彈性模數小於C階段之彈性模數之狀態。
於製備密封組合物時，調配粒子及樹脂。再者，於樹脂為硬化性樹脂之情形時，調配時之樹脂為A階段。
繼而，於該方法中，將製備之密封組合物塗佈於積層基材片材2上。具體而言，將密封組合物藉由例如流延、旋轉塗佈、輥塗等方法，以適當之厚度且以上述圖案，而塗佈於第1基材片材3之上表面，從而形成皮膜7。具體而言，將皮膜7形成為俯視下小於第1基材片材3之圖案，詳細而言，將皮膜7形成為露出第1基材片材3之上表面之周端部之大致矩形狀之圖案。換言之，皮膜7係形成為至少沿前後方向連續之圖案。
其後，根據需要，於樹脂為硬化性樹脂之情形時，對皮膜7進行加熱及/或活性能量線照射。更具體而言，於樹脂為含有2階段硬化性樹脂之情形時，藉由加熱及/或活性能量線照射，而使密封層6進行B階段化(半硬化)。
藉此，將片狀之密封層6於第1基材片材3之上表面形成為上述圖案。
或者，亦可將密封組合物塗佈於未圖示之脫模片材上而形成皮膜7，其後根據需要對皮膜7進行加熱及/或活性能量線照射而形成密封層6後，將密封層6轉印至第1基材片材3之上表面。
密封層6之尺寸可根據其用途及目的而適當調節，具體而言，一邊之長度例如為5mm以上，較佳為10mm以上，又，例如為300mm以下，較佳為250mm以下。
藉此，形成具備積層基材片材2及密封層6之第1積層片材8。
於該方法中，於圖1所示之密封層形成步驟後實施圖2所示之第1切斷步驟。於第1切斷步驟中，以於前後方向(第1方向之一例)上複數(具體而言為5個)分割第1積層片材8之方式將第1積層片材8切斷。
例如，第1積層片材8被區隔為密封層6之外側之外側部分13、與包含密封層6之由外側部分13所包圍之內側部分12，且以於前後方向
上複數(具體而言為5個)分割內側部分12中之密封層6之方式將第1積層片材8切斷。藉由將第1積層片材8切斷，而可形成包含複數個沿著左右方向之第1橫切斷線9、與複數個分別連接於切斷線9之左右方向兩端部之第1縱切斷線10之第1切斷線17。
複數個第1橫切斷線9係於前後方向上相互隔開間隔而並列配置。複數個第1橫切斷線9中位於最前側之第1橫切斷線9A係以俯視下與密封層6之前端緣重疊之方式而形成。又，複數個第1橫切斷線9中位於最後側之第1橫切斷線9B係以俯視下與密封層6之後端緣重疊之方式而形成。
第1縱切斷線10係以沿著前後方向之方式而形成，以於左右方向上相互隔開間隔且對向之方式而形成1對。第1縱切斷線10係於密封層6之左右方向兩外側隔開間隔而形成。
藉由第1切斷線17中位於外側之切斷線，具體而言為位於最前側及最後側之第1橫切斷線9A及9B，與1對第1縱切斷線10，而形成俯視大致矩形狀，從而將第1積層片材8區隔為外側部分13與內側部分12。
於將第1積層片材8切斷時，例如可使用：使用圓盤狀之晶圓切割機(切割刀片，dicing blade)之切割裝置、使用切割器之切割裝置、雷射照射裝置、使用湯姆遜(Thomson)刀具之湯姆遜刀具切斷機等。
藉由切斷步驟，而複數形成具備密封層6、及對應於密封層6之積層基材片材2(具體而言為分別積層有複數個密封層6之複數個積層基材片材2)之密封構件11。詳細而言，密封構件11係藉由在前後方向上複數分割內側部分12，而沿前後方向並排而複數形成。複數個密封構件11分別係形成為沿左右方向延伸之俯視大致矩形之短條狀。
於密封構件11中，其左右方向兩端部包含第1基材片材3、接著劑層4及脫模片材5，又，第1基材片材3之左右方向兩端部自密封層6露出。即，於密封構件11中，密封層6係於第1基材片材3之左右方向中
間形成。
關於各密封構件11之前後方向長度，例如為5mm以上，較佳為8mm以上，又，例如為100mm以下，較佳為50mm以下。
繼而，於該方法中，於圖2所示之第1切斷步驟後實施圖3及圖4所示之配置步驟。配置步驟包括圖3所示之剝離步驟、及圖4所示之載置步驟。
於剝離步驟中，如圖3A及圖3B所示，首先，將各密封構件11自外側部分13依序提起。具體而言，例如藉由用手剝離各密封構件11，而將各密封構件11提起。
繼圖3A及圖3B所示之剝離步驟後，於載置步驟中，如圖4A及圖4B所示，將複數個密封構件11配置於第2基材片材14上。
具體而言，將複數個密封構件11以於前後方向上相互隔開間隔之方式配置於第2基材片材14之上表面。詳細而言，首先，如以圖3A及圖3B之假想線所示，將密封構件11之脫模片材5自接著劑層4剝離，繼而，如圖4A及圖4B所示將接著劑層4載置於第2基材片材14之上表面，而使第1基材片材3與第2基材片材14介隔著接著劑層4而接著。
第2基材片材14係形成為沿前後方向及左右方向延伸之大致矩形之平板形狀。第2基材片材14係由與第1基材片材3相同之材料而形成。又，第2基材片材14係比密封層6(參照圖1A)更大地形成，具體而言，第2基材片材14係至少其前後方向長度比切斷前之密封層6(參照圖1A)之前後方向長度更長地形成。又，第2基材片材14之左右方向長度係比密封構件11之左右方向長度更長地形成。第2基材片材14之尺寸可根據其用途及目的而適當調節，具體而言，前後方向長度例如為
20mm以上，較佳為40mm以上，又，例如為300mm以下，較佳為200mm以下。又，左右方向長度例如為20mm以上，較佳為50mm以上，又，例如為300mm以下，較佳為200mm以下。
又，經配置之密封構件11之前後方向之間隔L1可根據其次說明之光半導體元件15之間距等而適當設定，具體而言，例如為1mm以上，較佳為3mm以上，又，例如為20mm以下，較佳為10mm以下。又，關於密封構件11間之間距L2即上述間隔L1及密封構件11之前後方向長度之總長度L2，例如為5mm以上，較佳為10mm以上，又，例如為100mm以下，較佳為50mm以下。
藉此，構成具備複數個密封構件11、與第2基材片材14之第2積層片材28。
於該方法中，於圖4所示之配置步驟後實施圖5所示之第2切斷步驟。於第2切斷步驟中，如圖5A及圖5B所示，以區隔對應於下述光半導體元件15(參照圖9A)之密封區域16之方式將密封層6切斷。
具體而言，以各密封區域16形成俯視大致圓形狀之方式將密封層6切斷。
於將密封層6切斷時，例如可使用：使用圓盤狀之晶圓切割機(切割刀片)之切割裝置、使用切割器之切割裝置、雷射照射裝置、使用湯姆遜刀具之湯姆遜刀具切斷機等。
再者，如圖5B所示，以橫跨厚度方向且不切斷積層基材片材2之方式，具體而言，以橫跨厚度方向且不切斷第1基材片材3之方式，將密封層6切斷。詳細而言，於第2切斷步驟中，雖然於厚度方向上形成之切斷線完全不形成於第1基材片材3，但形成於密封層6。
於該方法中，於圖5所示之第2切斷步驟後實施圖6所示之去除步
驟。於去除步驟中，如圖6A及圖6B所示，去除密封區域16之外側之密封層6。
於去除密封區域16之外側之密封層6時，例如將密封區域16之外側之密封層6自第1基材片材3剝離。於剝離密封區域16之外側之密封層6時，可使用公知之剝離裝置。具體而言，可使用吸附裝置等。
藉此，圓形狀之密封層6構成實質上有助於密封光半導體元件15之密封區域16。
關於密封區域16之直徑，例如，例如為5mm以上，較佳為8mm以上，又，例如為50mm以下，較佳為30mm以下。
於該方法中，於圖6A及圖6B所示之去除步驟後實施圖7所示之第3切斷步驟。於第3切斷步驟中，如圖7A~圖7C所示，對於密封構件11，以於左右方向上複數(具體而言為5個)分割密封構件11之方式將第2積層片材28切斷。又，與分割密封構件11同時，於第2基材片材14之前後方向兩端部形成貫通孔24。
藉由將第2積層片材28切斷，而形成包含複數個沿著前後方向之第2縱切斷線19、與複數個分別連接於第2縱切斷線19之前後方向兩端部之第2橫切斷線20之第2切斷線18。
複數個第2縱切斷線19係於左右方向上相互隔開間隔而並列形成。第2縱切斷線19係以將第1基材片材3、接著劑層4及第2基材片材14於左右方向上切斷之方式，且以使複數個密封層6單片化之方式而形成。藉由第2橫切斷線19，而密封層6於前後方向上排列為複數行(具體而言為4行)。再者，左右方向兩外側之第2縱切斷線19C係以區隔對應於密封層6之第1基材片材3、接著劑層4及第2基材片材14(即，左右方向內側部分)、與不對應於密封層6之第1基材片材3及接著劑層4(即，左右方向外側部分)之方式而形成。
第2橫切斷線20係以沿著左右方向之方式而形成，於前後方向上相互隔開間隔而形成1對。1對第2橫切斷線20係於比最前側之密封構件11更前側、及比最後側之密封構件11更後側隔開間隔而形成。
再者，藉由第2切斷線18中位於外側之切斷線，具體而言為左右方向兩外側之1對第2縱切斷線19C、與1對第2縱切斷線20，而形成俯視大致矩形狀，且以包含複數個密封層6之方式而形成。
貫通孔24係藉由使第1基材片材3及接著劑層4之前後方向兩外側之第2基材片材14貫通厚度方向之方式而形成。貫通孔24係對藉由第2縱切斷線20而區隔為複數行之第2基材片材14之每1行設置1對，各貫通孔24係形成為俯視大致圓形狀。
於該方法中，於圖7所示之第3切斷步驟後實施圖8所示之回收步驟。於回收步驟中，如圖8A~圖8D所示，回收藉由第2切斷線18所區隔之含有密封構件11之第2積層片材28(參照圖7)。
藉由該回收，而獲得具備以沿前後方向連續之方式所形成之第2基材片材14、與於前後方向上相互隔開間隔而配置於第2基材片材14之上表面(表面)之複數個密封構件11之密封片材1。又，於密封片材1中，複數個密封構件11具備：複數個接著劑層4，其於前後方向上隔開間隔而積層於第2基材片材14之上表面；複數個第1基材片材3，其分別接著於複數個接著劑層4之各個上表面；以及複數個密封層6，其分別積層於複數個第1基材片材3之各個上表面。又，複數個密封層6分別劃分密封區域16。
其後，藉由將設置於搬送容器之接腳等固定構件(未圖示)插入至密封片材1之貫通孔24，而將密封片材1固定至搬送容器，並且搬送至例如光半導體裝置製造工廠等。
其次，參照圖9A~圖9C，說明藉由密封片材1而將光半導體元件
15密封之方法。
於該方法中，如圖9A所示，首先準備安裝有作為密封對象之光半導體元件15之基板21。
基板21係形成為至少沿前後方向延伸之大致矩形之平板狀。基板21包含：於例如矽基板、陶瓷基板、聚醯亞胺樹脂基板、金屬基板上積層有絕緣層之積層基板等絕緣基板。
又，於基板21之上表面形成有具備用以電連接光半導體元件15之端子(未圖示)之電極(未圖示)、與連接於其之佈線之導體圖案(未圖示)。導體圖案係由例如金、銅、銀、鎳等導體所形成。
基板21之俯視下之尺寸可適當選擇，具體而言，前後方向之長度例如為5mm以上，較佳為10mm以上，又，例如為200mm以下，較佳為150mm以下。基板21之厚度例如為100μm以上，較佳為500μm以上，又，例如為5000μm以下，較佳為3000μm以下。
光半導體元件15係將電能轉換為光能之光半導體元件，例如形成為厚度比面方向長度(相對於厚度方向之正交方向長度，具體而言，前後方向長度及左右方向長度)更短之剖面觀察大致矩形狀。又，光半導體元件15係形成為俯視大致矩形狀。
作為光半導體元件15，例如可列舉：發出藍光之藍色LED等LED(發光二極體元件)、或LD(雷射二極體，Laser Diode)等。光半導體元件15之尺寸可視用途及目的而適當設定，具體而言，厚度例如為10~1000μm，俯視下之前後方向之長度及/或左右方向之長度例如為0.01mm以上，較佳為0.1mm以上，又，例如為15mm以下，較佳為20mm以下。
光半導體元件15係於前後方向上隔開間隔而整齊配置。各光半導體元件15間之間隔(前後方向之間隔)L3例如為3mm以上，較佳為5mm以上，又，例如為150mm以下，較佳為70mm以下。又，關於光
半導體元件15間之間距L4即上述間隔L3及光半導體元件15之長度之總長度L4，與上述密封構件11間之間距L2相同，具體而言，例如為5mm以上，較佳為10mm以上，又，例如為100mm以下，較佳為50mm以下。
光半導體元件15係例如倒裝晶片安裝於基板21。或者，光半導體元件15係與基板21之電極(未圖示)打線結合(wire bonding)連接。
繼而，於該方法中，將密封片材1以各密封層6於厚度方向上與光半導體元件15對向之方式進行配置。
於該方法中，繼而，如圖9B所示，藉由密封片材1而將光半導體元件15密封。具體而言，將密封片材1相對於基板21而相對地壓下。藉此，複數個密封層6分別將複數個光半導體元件15被覆且密封。即，複數個密封層6分別將複數個光半導體元件15埋設。其後，於密封層6為含有硬化性樹脂之情形時，使密封層6進行C階段化(完全硬化)。
其後，於該方法中，如圖9C所示，將第2基材片材14、接著劑層4及第1基材片材3自密封層6剝離。
藉此，獲得具備基板21、複數個光半導體元件15及複數個密封層6之光半導體裝置22。
於光半導體裝置22中，複數個密封層6係於前後方向上隔開間隔而設置，形成密封區域16。複數個密封層6分別將複數個光半導體元件15密封。具體而言，密封區域16被覆光半導體元件15之上表面及側面。
其後，根據需要，如以圖9C之虛線所示，將對應於各光半導體元件15之基板21切斷而進行單片化。藉此，獲得具備基板21、單數個光半導體元件15及單數個密封層6之光半導體裝置22。
而且，於該密封片材1之製造方法中，以於前後方向上複數分割
密封層6之方式將密封層6切斷，而形成複數個密封構件11，其後，將複數個密封構件11以於前後方向上相互隔開間隔之方式進行配置(參照圖4A)。因此，由於將切斷後之複數個密封構件11藉由簡便之方法，以於前後方向上相互隔開間隔之方式進行配置，故而可有效地利用以沿前後方向連續之方式所形成之密封層6(參照圖1A)。因此，可提高密封層6之良率，降低密封片材之製造成本。
又，根據該方法，由於在圖1所示之密封層形成步驟中，形成具備密封層6及第1基材片材3之第1積層片材8，故而可藉由第1基材片材3而支撐密封層6，繼而，由於在圖2所示之第1切斷步驟中，將第1積層片材8切斷，故而可提高密封層6之操作性，提高第1切斷步驟中之密封層6之切斷之精度。
於該密封片材1之製造方法中，由於如圖4所示，將複數個密封構件11配置於第2基材片材14之上表面，故而可提高複數個密封構件11之配置之精度。因此，可藉由複數個密封構件11，而精度良好地密封複數個光半導體元件15。
於該密封片材1之製造方法中，可提高含有螢光體之粒子之良率。
於該密封片材1中，可藉由以沿前後方向連續之方式所形成之第2基材片材14，且經由於前後方向上相互隔開間隔所配置之第1基材片材3，而支撐密封層6。因此，可降低密封片材1之製造成本，並且藉由第1基材片材3及第2基材片材14而柔軟地支撐密封層6。
亦可如圖10及圖11所示，於密封片材1設置定位標記23。
定位標記23係於圖7所示之第3切斷步驟中，與形成第2切斷線18同時形成。
定位標記23係如圖10及圖11所示，形成於密封層6之外側。又，
定位標記23係對於各密封層6設置1對。1對定位標記23係以夾持著各密封層6之方式而設置，一個定位標記23係對於密封層6設置於後側且右側，又，另一個定位標記23係對於密封層6設置於前側且左側。
各定位標記23係以於厚度方向上貫通密封片材1之俯視大致圓形狀之貫通孔之形式而形成。
於圖10所示之變化例中，定位標記23係形成於第1基材片材3及接著劑層4之外側，具體而言為前後方向兩外側，以貫通第2基材片材14之方式而形成。再者，設置於複數個密封層6間之定位標記23係於左右方向上對向而形成。
另一方面，於圖11所示之變化例中，定位標記23係於密封層6之外側且第1基材片材3之周緣之內側，以貫通第1基材片材3、接著劑層4及第2基材片材14之方式而形成。詳細而言，1對定位標記23係於大致矩形狀之第1基材片材3之對角線上形成。
再者，於圖10及圖11中，設置於最前側之定位標記23係於前側之貫通孔24之斜左方後側隔開間隔而形成。另一方面，設置於最後側之定位標記23係於後側之貫通孔24之斜右方前側隔開間隔而形成。
雖然如圖8C所示，將各密封層6之密封區域16形成為大致圓形狀，但其形狀並無特別限定，亦可形成為：例如如圖12所示，前後方向上較長之大致楕圓形狀，例如如圖13所示，大致六角形狀，例如如圖14所示，大致矩形狀。
又，亦可於圖2所示之第1切斷步驟後或與第1切斷步驟同時而實施圖5所示之第2切斷步驟。
就密封層6對下述光半導體元件15之定位精度之觀點而言，較佳為於圖4所示之配置步驟後實施圖5所示之第2切斷步驟。
又，亦可不實施圖5所示之第1切斷步驟，而藉由例如乾式蝕刻等蝕刻，而於圖4所示之載置步驟後實施圖6之去除步驟，從而形成密
封層6之密封區域16。
進而，雖然如圖1A所示，於積層基材片材2上設置接著劑層4，但亦可不設置接著劑層4，而由第1基材片材3及脫模片材5構成積層基材片材2。於該情形時，較佳為第1基材片材3較佳為具有接著性，且於其下表面積層有脫模片材5。
進而又，雖然於圖1所示之密封層形成步驟中，將密封層6形成於積層基材片材2上，繼而於圖2所示之第1切斷步驟中，將密封層6與積層基材片材2一同切斷，但亦可例如雖未圖示，但不切斷積層基材片材2而僅切斷密封層6，繼而於載置步驟中，如參照圖4所示，僅將接著劑層4載置於第2基材片材14。進而，亦可不將密封層6形成於積層基材片材2上，而單獨形成為片狀，亦可將該密封層6切斷後，將經切斷之密封層6載置於第2基材片材14。
又，於第1切斷步驟中，不切斷積層基材片材2而僅切斷密封層6，於該情形時，亦可於載置步驟中，僅將切斷之密封層6自積層基材片材2剝離，再次以於前後方向上隔開間隔之方式載置(再配置)於積層基材片材2之上表面。
於第1實施形態中，於圖1A及圖1B之密封層形成步驟中，將接著劑層4設置於第1基材片材3及脫模片材5之間，又，於在圖8A及圖8B之回收步驟中所回收之密封構件11中，將接著劑層4設置於第2基材片材14與第1基材片材3之間。然而，雖然圖1A及圖1B中未圖示，但亦可於密封層形成步驟中，不設置接著劑層4而由第1基材片材3及脫模片材5構成積層基材片材2，又，雖然圖8A及圖8B中未圖示，但亦可由回收步驟中所回收之第2基材片材14、第1基材片材3及密封層6構成密封構件11。即，關於密封構件11，亦可將第1基材片材3直接積層於第2基材片材14之上表面。
又，亦可同時實施圖5之第2切斷步驟及圖7之第3切斷步驟。於
此方法，在第2切斷步驟與第3切斷步驟中，以區隔密封區域16之方式將密封層6切斷，並且以將密封構件11分割為複數個之方式切斷第2積層片材28。
於第2切斷步驟及第3切斷步驟後，實施圖6之去除步驟。亦即，於此去除步驟中，去除密封區域16之外側之密封層6。
藉由此方法，由於同時實施第2切斷步驟與第3切斷步驟，故可提高密封片材1之密封層6之位置精度。
參照圖1~圖4、圖15及圖16說明本發明之密封片材及其製造方法之第2實施形態。
於圖15及圖16中，對於與第1實施形態相同之構件及步驟，附上相同之參照符號，省略其詳細之說明。
於第1實施形態中，雖然實施圖5所示之第2切斷步驟及圖6所示之去除步驟，但亦可不實施第2切斷步驟及去除步驟，而於圖4所示之配置步驟後實施圖15所示之第3切斷步驟。
即，本發明之第2實施形態之密封片材1之製造方法包括：密封層形成步驟(參照圖1)、第1切斷步驟(參照圖2)、配置步驟(參照圖3及圖4)、第3切斷步驟(參照圖15)、及回收步驟(參照圖16)，且依序實施該等各步驟。
如圖16所示，回收步驟後之密封層6形成俯視大致矩形狀，且於前後方向上相互隔開間隔而對向配置。
根據第2實施形態，可取得與第1實施形態同樣之作用效果，進而，由於未實施第2切斷步驟(參照圖5)及去除步驟(參照圖6)，故而可削減製造步驟數，更進一步降低製造成本。
參照圖17~圖20說明本發明之密封片材及其製造方法之第3實施
形態。
於圖17~圖20中，對於與第1實施形態相同之構件及步驟，附上相同之參照符號，省略其詳細之說明。
於第1切斷步驟中，如圖17所示，以於前後方向及左右方向上複數分割第1積層片材8之方式將第1積層片材8切斷。藉由將第1積層片材8切斷，而第1切斷線17形成為俯視大致柵格狀。具體而言，第1縱切斷線10係於左右方向上相互隔開間隔而並列配置。
於配置步驟中之剝離步驟中，如以圖17之箭頭所示，將密封構件11提起。
繼而，於載置步驟中，如以圖18之箭頭所示，將複數個密封構件11以於前後方向及左右方向上相互隔開間隔之方式配置於第2基材片材14之上表面。
如圖19所示，於第2切斷步驟中，將密封層6切斷，繼而如以圖19之箭頭所示，於去除步驟中，去除密封區域16之外側之密封層6。
如圖20所示，對於密封構件11，以於左右方向上複數行(具體而言為4行)分割密封構件11之方式將第2基材片材14切斷。
具體而言，以通過左右方向上鄰接之第1基材片材3及接著劑層4之間之方式形成第2切斷線18之第2縱切斷線19。
於藉此所獲得之密封片材1中，第1基材片材3及接著劑層4係於各第2基材片材14之左右方向中央(中間)形成。即，第2基材片材14之
周端部之上表面自第1基材片材3露出。
根據第3實施形態，亦可取得與第1實施形態相同之作用效果，進而，由於如圖17所示，於第1切斷步驟中，以亦於左右方向上複數分割第1積層片材8之方式將第1積層片材8切斷，繼而如圖18所示，將複數個密封構件11以亦於左右方向上相互隔開間隔之方式配置於第2基材片材14上，故而可更進一步提高密封層6之良率，降低密封片材1之製造成本。
以圖21、圖23、圖24、圖26、及圖27之箭頭所表示之左右方向(或橫向)係第1方向之一例，以圖21~圖27之箭頭所表示之前後方向(或縱向)係第2方向之一例。
參照圖21~圖23說明本發明之密封片材之製造方法之第4實施形態。
於圖21~圖23中，對於與第1實施形態相同之構件及步驟，附上相同之參照符號，省略其詳細之說明。
如圖21所示，本發明之第3實施形態之密封片材1之製造方法包括：密封層形成步驟(參照圖21A及圖21B)、及切斷步驟(參照圖21C)。
如圖21A所示，首先，準備基材片材31。基材片材31係形成為沿前後方向及左右方向延伸之大致矩形之平板形狀，且與第1實施形態之第1基材片材3相同地構成。
繼而，如圖21B所示，將密封層6設置於基材片材31之上表面。具體而言，將複數個密封層6以於左右方向上相互隔開間隔且沿著前後方向之方式設置於基材片材31之上表面。如參照圖22A所示，各密封層6之間隔L5可根據作為密封對象之光半導體元件15(參照圖22A)之
間距等而適當設定，具體而言，例如為1mm以上，較佳為3mm以上，又，例如為20mm以下，較佳為10mm以下。關於複數個密封層6間之間距L6即上述間隔L5及密封層6之前後方向長度之總長度L6，例如為5mm以上，較佳為10mm以上，又，例如為100mm以下，較佳為50mm以下。
為了將密封層6設置於基材片材31之上表面，可列舉：例如將上述密封組合物塗佈於基材片材31之方法，例如將上述密封組合物於左右方向上相互隔開間隔而塗佈於另外準備之剝離片材(未圖示)上而形成密封層6後，將該密封層6轉印至基材片材31之方法。就降低製造步驟數之觀點而言，較佳為將密封組合物塗佈於基材片材31。
於將密封組合物塗佈於基材片材31之方法中，將密封組合物以於左右方向上相互隔開間隔且沿前後方向連續之圖案而塗佈於基材片材31之上表面小於基材片材31之區域，而形成皮膜7。
其後，根據需要，於樹脂為硬化性樹脂之情形時，對皮膜7進行加熱及/或活性能量線照射。更具體而言，於樹脂為含有2階段硬化性樹脂之情形時，藉由加熱及/或活性能量線照射，而使密封層6進行B階段化(半硬化)。
藉此，將片狀之密封層6於左右方向上相互隔開間隔而設置於基材片材31之上表面。
又，獲得包含基材片材31及複數個密封層6之積層片材32。
於切斷步驟中，如圖21C所示，以於前後方向上複數分割積層片材32之方式將積層片材32切斷。
具體而言，以於前後方向上分別複數分割複數個密封層6之方式將密封層6與基材片材31一同切斷。
藉此，獲得具備沿左右方向延伸之基材片材31、與於左右方向
上相互隔開間隔而配置於基材片材31之上表面之密封層6之密封片材1。
其次，參照圖22A~圖22C，說明藉由密封片材1而將光半導體元件15密封之方法。
於該方法中，如圖22A所示，首先，準備安裝有光半導體元件15之基板21。
繼而，於該方法中，將密封片材1以各密封層6於厚度方向上與光半導體元件15對向之方式進行配置。
於該方法中，繼而，如圖22B所示，藉由密封片材1而將光半導體元件15密封。具體而言，將密封片材1相對於基板21而相對地壓下。藉此，複數個密封層6分別將複數個光半導體元件15被覆且密封。即，複數個密封層6分別將複數個光半導體元件15埋設。其後，於密封層6為含有硬化性樹脂之情形時，使密封層6進行C階段化(完全硬化)。
其後，於該方法中，如圖22C所示，將基材片材31自密封層6剝離。
藉此，獲得具備基板21、複數個光半導體元件15及複數個密封層6之光半導體裝置22。
其後，根據需要，如以圖22C之虛線所示，將對應於各光半導體元件15之基板21切斷而進行單片化。藉此，獲得具備基板21、單數個光半導體元件15及單數個密封層6之光半導體裝置22。
而且，於該密封片材1之製造方法中，由於在左右方向上相互隔開間隔且沿著前後方向而形成含有粒子之密封層6，故而，其後將密封層6相對於在左右方向上相互隔開間隔所配置之光半導體元件15進行密封。因此，可有效地利用密封層6。其結果，可提高密封層6之良率，降低密封片材1之製造成本。
又，於該密封片材1之製造方法中，由於在密封層形成步驟中，藉由沿著前後方向塗佈密封組合物，而形成密封層6，故而可沿著前後方向高效率地形成密封層6。
進而，於此方法中，由於在沿著前後方向塗佈密封組合物之密封層形成步驟之後，實施以於前後方向上複數分割密封層6之方式將密封層6切斷之切斷步驟，故可提高前後方向中之密封層6之良率，降低密封片材1之製造成本。
於該密封片材1之製造方法中，若粒子含有螢光體，則可提高含有螢光體之粒子之良率。
亦可如圖23A所示，於進行上述切斷步驟(參照圖21C)之前，將圖21B所示之密封層6切斷為特定形狀。詳細而言，將密封層6以不切斷基材片材31之方式切斷為大致圓形狀。具體而言，可使用：使用圓盤狀之晶圓切割機(切割刀片)之切割裝置、使用切割器之切割裝置、雷射照射裝置、使用湯姆遜刀具之湯姆遜刀具切斷機等。
藉此，構成包含密封層6之大致圓形狀之密封區域16。
繼而，如圖23B所示，去除密封區域16之外側之密封層6。
藉此，獲得具備形成於基材片材31之上表面之密封區域16之密封片材1。
其後，如圖23C所示，實施切斷步驟。
參照圖24~圖26說明本發明之密封片材及其製造方法之第5實施形態。
於圖24~圖26中，對於與第4實施形態相同之構件及步驟，附上相同之參照符號，省略其詳細之說明。
於第4實施形態中，雖然如圖21B所示，於密封片材1中，於基材
片材31上僅設置密封層6，但亦可例如如圖24C所示，進而設置不含螢光體之密封層33。
如圖24及圖25所示，本發明之第4實施形態之密封片材1之製造方法包括：不含螢光體之密封層形成步驟(參照圖24A及圖24B)、密封層形成步驟(參照圖24C)、及切斷步驟(參照圖24D)。
如圖24A所示，首先，準備基材片材31。
繼而，如圖24B所示，將不含螢光體之密封層33設置於基材片材31之上表面。具體而言，由不含螢光體之密封組合物於基材片材31之上表面形成不含螢光體之密封層33。藉此，形成與基材片材31相比稍小之俯視大致矩形狀之不含螢光體之密封層33。即，將不含螢光體之密封層33形成為露出基材片材31之外周端部之圖案。
繼而，如圖24C所示，於不含螢光體之密封層33之上表面形成密封層6。
於形成密封層6之密封組合物中，粒子較佳為含有螢光體。
藉由密封層形成步驟，而獲得包含基材片材31、不含螢光體之密封層33及密封層6之積層片材32。
於切斷步驟中，以於前後方向上複數分割積層片材32之方式將積層片材32切斷。更具體而言，以於前後方向上分別複數分割不含螢光體之密封層33、及密封層6之方式將不含螢光體之密封層33及密封層6與基材片材31一同切斷。
藉此，獲得具備沿左右方向延伸之基材片材31、沿左右方向連續形成於基材片材31之上表面之不含螢光體之密封層33、及於左右方向上相互隔開間隔而配置於不含螢光體之密封層33之上表面之密封層
6之密封片材1。
其次，參照圖25A~圖25C，說明藉由密封片材1而將光半導體元件15密封之方法。
於該方法中，如圖25A所示，首先準備安裝有光半導體元件15之基板21。
繼而，於該方法中，將密封片材1以各密封層6於厚度方向上與光半導體元件15對向之方式進行配置。
於該方法中，繼而，如圖25B所示，藉由密封片材1而將光半導體元件15密封。具體而言，將密封片材1相對於基板21而相對地壓下。藉此，複數個密封層6分別將複數個光半導體元件15被覆且密封。即，複數個密封層6分別將複數個光半導體元件15埋設。又，自密封層6露出之不含螢光體之密封層33填充複數個密封層6間之間隙。其後，於密封層6及/或不含螢光體之密封層33為含有硬化性樹脂之情形時，使密封層6及/或不含螢光體之密封層33進行C階段化(完全硬化)。
其後，於該方法中，如圖25C所示，將基材片材31自不含螢光體之密封層33剝離。
藉此，獲得具備基板21、複數個光半導體元件15、單數個不含螢光體之密封層33及複數個密封層6之光半導體裝置22。
其後，根據需要，如以圖25C之虛線所示，將對應於各光半導體元件15之基板21及不含螢光體之密封層33切斷而進行單片化。藉此，獲得具備基板21、單數個光半導體元件15、單數個不含螢光體之密封層33及單數個密封層6之光半導體裝置22。
而且，於該密封片材1之製造方法中，由於不含螢光體之密封層33不含有螢光體，故而即便以沿左右方向連續之圖案而形成不含螢光體之密封層33，亦可低成本地製造不含螢光體之密封層33。因此，若
形成該不含螢光體之密封層33，且對該不含螢光體之密封層33積層密封層6，則可構成具有各種物性之密封片材1。
又，關於該密封片材密封片材1，可藉由不含螢光體之密封層33與密封層6而具有各種物性。
亦可如圖26A所示，於進行切斷步驟(參照圖24D)之前，將圖24C所示之密封層6及不含螢光體之密封層33切斷為特定形狀。詳細而言，將密封層6及不含螢光體之密封層33以不切斷基材片材31之方式切斷為大致圓形狀。
藉此，構成包含密封層6及不含螢光體之密封層33之大致圓形狀之密封區域16。
繼而，如圖26B所示，去除密封區域16之外側之密封層6及不含螢光體之密封層33。
藉此，獲得具備形成於基材片材31之上表面之密封區域16之密封片材1。
其後，如圖26C所示，實施切斷步驟。
而且，若如圖27A及圖27B所示，藉由該密封片材1而將光半導體元件15密封，則可獲得具備基板21、複數個光半導體元件15、複數個不含螢光體之密封層33及複數個密封層6之光半導體裝置22。
其後，根據需要，如以圖27C之虛線所示，將對應於各光半導體元件15之基板21及不含螢光體之密封層33切斷而進行單片化。藉此，獲得具備基板21、單數個光半導體元件15、單數個不含螢光體之密封層33及單數個密封層6之光半導體裝置22。
再者，上述說明雖然係以本發明之例示之實施形態之形式而提供，但其僅為例示，不應限定性地進行解釋。藉由該技術領域之業者而明確之本發明之變化例係包含於下述申請專利範圍中者。
密封片材之製造方法可用於製造密封片材。
2‧‧‧積層基材片材
3‧‧‧第1基材片材
4‧‧‧接著劑層
6‧‧‧密封層
11‧‧‧密封構件
14‧‧‧第2基材片材
28‧‧‧第2積層片材
L1‧‧‧密封構件11之前後方向之間隔
L2‧‧‧密封構件11間之間距
Claims (11)
- 一種密封片材之製造方法，其特徵在於：其係具備於第1方向上相互隔開間隔而配置之複數個密封構件之密封片材之製造方法，且包括：密封層形成步驟，其以沿上述第1方向連續之方式形成含有粒子之密封層；切斷步驟，其於上述密封層形成步驟後，以於上述第1方向上複數分割上述密封層之方式將上述密封層切斷，而形成複數個上述密封構件；以及配置步驟，其於上述切斷步驟後，以於上述第1方向上相互隔開間隔之方式配置複數個上述密封構件。
- 如請求項1之密封片材之製造方法，其中於上述密封層形成步驟中，藉由在沿上述第1方向連續之第1基材片材之表面形成上述密封層，而形成具備上述密封層及上述第1基材片材之積層片材，且於上述切斷步驟中，藉由以於上述第1方向上複數分割上述積層片材之方式將上述積層片材切斷，而由上述密封層及上述第1基材片材形成上述密封構件。
- 如請求項1之密封片材之製造方法，其中於上述配置步驟中，將複數個上述密封構件以於上述第1方向上相互隔開間隔之方式配置於沿上述第1方向連續形成之第2基材片材之表面。
- 如請求項1之密封片材之製造方法，其中粒子含有螢光體。
- 一種密封片材之製造方法，其特徵在於：包括密封層形成步驟，其於第1方向上相互隔開間隔且沿著相對於上述第1方向交差之第2方向而形成含有粒子之密封層；以及 切斷步驟，其以於上述第2方向上複數分割上述密封層之方式將上述密封層切斷。
- 如請求項5之密封片材之製造方法，其中於上述密封層形成步驟中，藉由沿著上述第2方向塗佈密封組合物，而形成上述密封層。
- 如請求項5之密封片材之製造方法，其進而包括：以區隔對應於密封對象之密封區域之方式將上述密封層切斷之步驟，以及去除上述密封區域之外側之上述密封層之步驟。
- 如請求項5之密封片材之製造方法，其中粒子含有螢光體。
- 如請求項8之密封片材之製造方法，其進而包括沿上述第1方向連續形成不含粒子之不含螢光體之密封層之步驟，並且於上述密封層形成步驟中，對上述不含螢光體之密封層積層上述密封層，且於上述切斷步驟中，以於上述第2方向上複數分割上述不含螢光體之密封層之方式將上述不含螢光體之密封層與上述密封層一同切斷。
- 一種密封片材，其特徵在於：具備第2基材片材，其以沿第1方向連續之方式形成；以及複數個密封構件，其以於上述第1方向上相互隔開間隔而配置於上述第2基材片材之表面；並且複數個上述密封構件具備：第1基材片材，其積層於上述第2基材片材之表面；以及密封層，其積層於上述第1基材片材之表面且含有粒子。
- 一種密封片材，其特徵在於：具備基材片材，其沿第1方向連續；以及複數個密封構件，其於上述第1方向上相互隔開間隔而配置； 並且複數個上述密封構件具備：不含螢光體之密封層，其積層於上述基材片材之表面；以及密封層，其積層於上述不含螢光體之密封層之表面且含有粒子。
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