TW201431128A - 發光元件及其製作方法 - Google Patents

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Li-Fan Lin
Ching-Chuan Shiue
Wen-Chia Liao
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Abstract

一種發光元件，包含二導電層、一可撓性絕緣層、一發光晶粒及一封裝體，該等導電層間具有一開槽；該可撓性絕緣層設置於該開槽中並與該等導電層結合，該發光晶粒置於該二導電層之其中之一導電層上或跨設於該可撓性絕緣層之上，該發光晶粒電連接於該等導電層並由該封裝體所包覆。

Description

發光元件及其製作方法
本發明係有關於一種發光元件及發光元件之製作方法，尤指一種發光二極體及發光二極體的製作方法。
配合參閱第1A圖，為一習知之發光元件之剖視圖。發光元件包含一陶瓷基板90、一第一金屬層92、一第二金屬層94及一發光晶粒96。陶瓷基板90具有複數貫孔900，貫孔900內設置有一導電層902。第一金屬層92設置於陶瓷基板90的上表面，第一金屬層92包含一晶粒黏著層920及位於晶粒黏著層920兩側之導電部922。第二金屬層94設置於陶瓷基板90的下表面，該第二金屬層94係藉由導電層902以電連接於第一金屬層92之導電部922。發光晶粒96設置於晶粒黏著層920，並通過複數焊線98以與導電部922形成電性連接。第二金屬層94係供電連接於一外部的電源，並將電源通過導電層902傳遞至導電部922，並由連接於導電部922之焊線98傳遞至發光晶粒96，以點亮發光晶粒96。因此，設置於貫孔900中的導電層902為使第一金屬層92及第二金屬層94形成電性連接之不可或缺的元件。
然而，陶瓷基板90單價高且為不可撓之脆性材料，故當陶瓷基板90的厚度小於300微米(μm)時，將容易碎裂。其次，在裁切陶瓷基板90時，刀具消耗大，因而增加製作成本，且陶瓷基板90的熱傳導係數K值低，使利用陶瓷基板90製得之45密耳(mil)發光元件的熱阻大於7℃/W。
再者，為避免陶瓷基板90於形成貫孔900時碎裂，則貫孔900的面積比必須小於陶瓷基板90面積的20%，且必須使用雷射穿孔技術以形成貫孔900，造成製作成本及製作複雜度增加。此外，由於貫孔900中必須填導電層92，假若貫孔900的孔徑太大，將增加填孔的困難度或無法填孔。
為了改善上述缺點，部分廠商係提供使用可撓性材料作為基板的發光元件。配合參閱第1B圖，為習知之具可撓性之發光元件之剖視圖。
發光元件包含一可撓性基板80、一導電層82、一黏著層84及複數發光晶粒86，導電層82通過黏著層84以與可撓性基板80結合，發光晶粒86電連接於該導電層82，藉此，發光元件具有可撓性，並可供設置於不規則表面上。然而，可撓性基板80是使用樹脂材料製作而成，樹脂材料的導熱性差，將使得發光晶粒86點亮時產生的熱能無法有效地被導離，進而導致發光晶粒84的發光效率下降。再者，黏著層84的導熱性差，同樣使得發光晶粒86點亮時產生的熱能無法有效地被導離，進而導致發光晶粒84的發光效率下降。
為了使發光元件達到可撓的特性，同時具有良好的熱傳導效果，改善生產時切割刀具的損耗成本及改善生產時基板易碎問題，本發明提供一種發光元件，該發光元件包含二導電層、一可撓性絕緣層、一發光晶粒及一封裝體；該等導電層間具有一開槽；該可撓性絕緣層設置於該開槽中並與該等導電層結合；該發光晶粒置於該二導電層之其中之一導電層上或跨設於該可撓性絕緣層之上，該發光晶粒電連接於該等導電層；該封裝體包覆該發光晶粒。
根據本發明之一具體實施例，其中該可撓性絕緣層的上表面與該導電層的上表面處於同一水平面上。
根據本發明之一具體實施例，其中該可撓性絕緣層的厚度小於200微米。
根據本發明之一具體實施例，其中該導電層的厚度大於10微米。
本發明另提供一種發光元件，該發光元件包含至少二第一導電層、一可撓性絕緣層、至少二第二導電層、至少一發光晶粒及一封裝體；該等第一導電層間具有一開槽，該可撓性絕緣層位於該開槽下方並與該等第一導電層結合；該等第二導電層對應地設置於該等第一導電層下方，該等第二導電層之一下表面係與該可撓性絕緣層之一下表面處於同一水平面，該發光晶粒電連接於該等第一導電層，該封裝體包覆該發光晶粒。
根據本發明之一具體實施例，其中該發光晶粒跨設於該可撓性絕緣層之上，該發光晶粒之一電極連接於其中之一第一導電層，另一電極連接於另一第一導電層。
根據本發明之一具體實施例，其中該封裝體至少部分設置於該開槽中，藉以緊密地包覆該發光晶粒。
根據本發明之一具體實施例，其中發光元件更包含至少一導線，該導線跨設於該開槽之上，該發光晶粒置於該二第一導電層之其中之一第一導電層，該導線之一端連接於該發光晶粒之一電極，另一端連接於另一第一導電層。
根據本發明之一具體實施例，其中該可撓性絕緣層的厚度小於200微米。
根據本發明之一具體實施例，其中該第一導電層的厚度大於10微米。
根據本發明之一具體實施例，其中該可撓性絕緣層的寬度等於該開槽的寬度。
根據本發明之一具體實施例，其中該可撓性絕緣層的寬度大於該開槽的寬度。
根據本發明之一具體實施例，其中該可撓性絕緣層的寬度一致。
根據本發明之一具體實施例，其中該可撓性絕緣層的寬度隨著遠離該第一導電層而遞增。
根據本發明之一具體實施例，其中該可撓性絕緣層的寬度隨著遠離該第一導電層而遞減。
根據本發明之一具體實施例，更包含至少二第三導電層，對應地設置於該等第二導電層下方。
根據本發明之一具體實施例，其中發光元件更包含一中介層，設置於該第二導電層下方。
根據本發明之一具體實施例，其中發光元件更包含至少二第三導電層，設置於該中介層下方。
根據本發明之一具體實施例，其中發光元件包含複數第一導電層及複數發光晶粒，任二導電層之間具有該開槽，該可撓性絕緣層設置於各該開槽下方並與第一導電層結合，各該發光晶粒置於任二第一導電層之其中之一第一導電層上或跨設於該可撓性絕緣層之上，該等發光晶粒係通過該等第一導電層形成串並聯連接。
本發明更提供一種發光元件之製作方法，該發光元件之製作方法包含下列步驟:a)提供一第一導電層及一可撓性絕緣層，該可撓性絕緣層係位於該第一導電層的下方；b)於該第一導電層上形成複數開槽；c)移除部分之該可撓性絕緣層，使露出至少部分之該第一導電層；d)形成一第二導電層於露出該可撓性絕緣層之該第一導電層，該第二導電層之一下表面係與該可撓性絕緣層之一下表面為於同一水平面；e)設置一發光晶粒於該第一導電層上或跨設於該可撓性絕緣層之上；f)形成一包覆該發光晶粒之封裝體。
根據本發明之一具體實施例，其中該發光元件之製作方法更包含:形成一中介層於該第二導電層下方。
根據本發明之一具體實施例，其中該發光元件之製作方法，更包含:形成一第三導電層於該第二導電層或該中介層下方。
本發明還提供另一種發光元件的之製作方法，該製作方法包含以下步驟:a)提供一導電層；b)於該導電層上形成至少一開槽；c)設置一可撓性絕緣層於該開槽中；d)設置至少一發光晶粒於該導電層上或跨設於該可撓性絕緣層之上；e)形成包覆該發光晶粒之一封裝體。
10、11．．．第一導電層
100、110．．．開槽
11．．．導電層
112、120、120a、140．．．上表面
12a、12b、12c、12d．．．可撓性絕緣層
14．．．第二導電層
16．．．第三導電層
18．．．發光晶粒
180、182．．．電極
20．．．封裝體
22．．．中介層
3．．．暫時基板
4．．．電路板
40．．．基板
42．．．金屬層
44．．．穿槽
5．．．散熱件
80．．．可撓性基板
82、902．．．導電層
84．．．黏著層
86、96．．．發光晶粒
90．．．陶瓷基板
900．．．貫孔
92．．．第一電路層
920．．．晶粒黏著層
922．．．導電部
94．．．第二電路層
98．．．焊線
T1、T2．．．厚度
W．．．寬度
第1A圖為習知之發光元件之剖視圖；
第1B圖為習知之具可撓性之發光元件之剖視圖；
第2至26圖為本發明之發光元件之製作流程示意圖；
第27圖為本發明第一實施例之光源模組之示意圖；以及
第28圖為本發明之第二實施例之光源模組之示意圖。
請參考隨附圖示，本發明之以上及額外目的、特徵及優點將透過本發明之較佳實施例之以下闡釋性及非限制性詳細描敘予以更好地理解。其中第2至11圖為對應本發明所提出之用於發光元件之製作方法之一實施例的製作流程示意圖，發光元件例如可為(但是不限定於)發光二極體(Light Emitting Diode，LED)。
首先配合參閱第2圖所示，提供大致呈平板狀之一第一導電層10，以及設置於第一導電層10下方之一可撓性絕緣層12，可撓性絕緣層12大致呈平板狀。以較佳實施例而言，第一導電層10及可撓性絕緣層12是經由壓延而結合。
第一導電層10是使用具有良好導電特性的材料製作而成，藉以提供良好的導電效果；以較佳實施例而言，第一導電層10為金屬。再者，第一導電層10也可以同時具有高導熱係數，藉以提供良好的導熱效果。第一導電層10的厚度T1大於10微米(micrometer，μm)，以較佳實施例而言，第一導電層10的厚度T1為175微米。
可撓性絕緣層12為軟性可撓材料製作而成，軟性可撓性材料可例如為光阻、聚醯亞胺(Polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate，PET)、聚烯烴(polyolefins，PO)、塑膠或高分子聚合物。可撓性絕緣層12的厚度T2小於200微米，以較佳實施例而言，可撓性絕緣層12的厚度T2為125微米。
如第3圖所示，於第一導電層10上形成至少一開槽100，形成開槽100的方法可例如為濕式蝕刻、乾式蝕刻、雷射切割或研磨。開槽100的數量可以為一或多個，於本實施例中，開槽100以三個為例說明。
之後，移除部分可撓性絕緣層12，使第一導電層10至少部分露出，而未移除之可撓性絕緣層12a係結合位於開槽100兩側的第一導電層10，如第4A至4D圖所示。移除部分可撓性絕緣層12的方法可例如為濕式蝕刻、乾式蝕刻或雷射切割。
於第4A圖中，可撓性絕緣層12a剖面的外型輪廓大致呈正方形，且可撓性絕緣層12a的寬度大致等於開槽100的寬度W。如第4B至4D圖所示，可撓性絕緣層12a的寬度大於開槽100的寬度W，藉以提高可撓性絕緣層12a與第一導電層10結合的機械強度。於第4B圖中，可撓性絕緣層12a的寬度隨著遠離第一導電層10而逐漸縮減，使可撓性絕緣層12a的剖面大致呈倒梯形。於第4C圖中，可撓性絕緣層12a的寬度隨著遠離第一導電層10而逐漸增加，使可撓性絕緣層12a的剖面大致呈梯形。於第4D圖中，可撓性絕緣層12a大致呈矩形。
在移除部分可撓性絕緣層12後，設置一第二導電層14於第一導電層10下方，並且，第二導電層14的下表面140與可撓性絕緣層12a的下表面120a處於同一水平面，如第5圖所示。其中，第5圖所示的可撓性絕緣層12a的形狀相同於第4A圖所示的可撓性絕緣層12a的形狀，於實際實施時，可撓性絕緣層12a的形狀也可以為第4B至4D圖中之任一實施態樣。第二導電層14可以使用電鍍、化鍍、蒸鍍、黏貼或濺鍍之方式形成於第一導電層10下方，藉以增加導電性及導熱性。第二導電層14是使用具有良好導電特性的材料製作而成，以較佳實施例而言，第二導電層14的製作材料相同於第一導電層10的製作材料。
發光元件更可以選擇性地包含一第三導電層16，第三導電層16設置於第二導電層14下方，如第6A至6G圖所示，第三導電層16可更加強發光元件的導電性及導熱性。第三導電層16可以使用電鍍、化鍍、蒸鍍、黏貼或濺鍍之方式形成於第二導電層14下方；第三導電層16是使用具有良好導電特性的材料製作而成，以較佳實施例而言，第三導電層16的製作材料相同於第一導電層10的製作材料。
如第6A圖所示，相鄰之二第三導電層16之間可以呈鏤空狀。如第6B至6G圖所示，相鄰之二第三導電層16之間可以設置有可撓性絕緣層12b，且可撓性絕緣層12b的下表面120b與第三導電層16的下表面160位於同一水平面。其中，可撓性絕緣層12a及12b可以於同一製程中形成，或者，可撓性絕緣層12b可於形成第三導電層16後再填入於相鄰之二第三導電層16間的空隙中。
於第6B圖中，可撓性絕緣層12a及12b分別成正方形，且可撓性絕緣層12a及12b的寬度大致等於開槽100的寬度W。於第6C圖中，可撓性絕緣層12a的寬度大於開槽100的寬度W，並隨著遠離第一導電層10而逐漸縮減；可撓性絕緣層12b的寬度小於可撓性絕緣層12a的寬度並隨著遠離第二導電層14而逐漸縮減。於第6D圖中，可撓性絕緣層12a的寬度大於開槽100的寬度W，並隨著遠離第一導電層10而逐漸縮減；可撓性絕緣層12b大致呈矩形且寬度大於可撓性絕緣層12a的寬度。於第6E圖中，可撓性絕緣層12a的寬度大於開槽100的寬度W，並隨著遠離第一導電層10而逐漸增加，可撓性絕緣層12b的寬度大於可撓性絕緣層12a的寬度，並隨著遠離第二導電層14而逐漸增加。於第6F圖中，可撓性絕緣層12a的寬度大於開槽100的寬度W，並隨著遠離第一導電層10而逐漸增加；可撓性絕緣層12b的寬度大於可撓性絕緣層12a的寬度並大致呈矩形。於第6G圖中，可撓性絕緣層12a及12b大致呈矩形，且可撓性絕緣層12a及12b的寬度皆大於開槽100的寬度W。
隨後，於第一導電層10上設置至少一發光晶粒18，如第7至8C圖所示；發光晶粒18的數量可以為一或多個，且發光晶粒18為發光二極體晶粒。發光晶粒18置於二第一導電層10之其中之一第一導電層10上或跨設於可撓性絕緣曾12a之上，發光晶粒18電連接於第一導電層10。
配合參閱第7及8A圖，其中第8A圖為第7圖8A-8A線之剖視圖。發光晶粒18為覆晶形式封裝的發光二極體晶粒，且發光晶粒18跨設於開槽100之上(即發光晶粒18跨設於可撓性絕緣曾12a之上)，發光晶粒18之二電極180、182分別接觸開槽100兩側的第一導電層10並與第一導電層10形成電性連接。
配合參閱第8B圖，發光晶粒18為垂直式結構的發光二極體晶粒，發光晶粒18設置於二第一導電層10之其中之一第一導電層10，且發光晶粒18之一電極180直接與前述第一導電層10接觸並形成電性連接；發光晶粒180之另一電極182則通過跨設於開槽100之上的一焊線19電連接至位於開槽100另一側之第一導電層10。
配合參閱第8C圖，發光晶粒18為水平式結構的發光二極體，發光晶粒18設置於其中之一第一導電層10，並通過跨設於開槽100之上的二焊線19分別電連接至位於開槽100另一側之第一導電層10。於本實施例中，焊線19分別連接至非承載發光晶粒18的第一導電層10，實際實施時，其中之一焊線19可以連接於承載發光晶粒18的第一導電層10。
隨後，如第9圖所示，形成一封裝體20包覆發光晶粒18，封裝體20同時可以至少部分填充於開槽100中，藉以緊密地包覆發光晶粒18；其中第9圖之發光晶粒18的設置方式係相同於第8A圖所示。實際實施時，第9圖之發光晶粒18的設置方式也可以相同於第8B或8C圖所示。封裝體20係為透光樹脂，以較佳實施例而言，封裝體20為矽樹脂。於本實施例中，封裝體20可以僅包覆單一個發光晶粒18。再者，封裝體20的外型輪廓大致呈半球形，藉以提高取光效率；於實際實施時，封裝體20可依需求之光形而為其它形狀。封裝體20內部也可以設置有波長轉換物質如螢光粉，用以與發光晶粒18發出的部分光線發生波長轉換並產生波長轉換光線。
最後，沿著各封裝體20的外側切割，使形成多個發光元件，如第10圖所示。
第10圖即是本發明所提出之發光元件之一實施例。發光元件包含至少二第一導電層10、一可撓性絕緣層12、二第二導電層14、至少一發光晶粒18及一封裝體20；二第一導電層10間具有一開槽100，可撓性絕緣層12設置於開槽100下方並與第一導電層10結合。第二導電層14設置於第一導電層10下方，且第二導電層14之下表面140與可撓性絕緣層12之下表面120處於同一水平面。發光晶粒18置於二第一導電層14之其中之一第一導電層10上或跨設於可撓性絕緣層12之上，發光晶粒18與第一導電層10形成電性連接。封裝體20包覆發光晶粒18並部分填入於開槽100中，藉以緊密地包覆發光晶粒18。
另外，發光元件可選擇性地包含二第三導電層16，分別地設置於第二導電層14下方，藉以增加發光元件的導電性及導熱性。
在此，要說明的是，封裝體20也可以同時包覆多個發光晶粒18，如第11至14圖所示。配合參閱第11及12圖，其中第12圖為沿著第11圖12-12線之剖視圖。封裝體20係同時包覆兩個發光晶粒18，且該兩發光晶粒18係成串聯連接。於實際應用時，發光元件可以包含二個由封裝體20包覆的發光晶粒18，或者，發光元件也可以包含多個前述之二個由封裝體20包覆的發光晶粒18，且相鄰的二發光元件透過第一導電層10形成串聯連接，藉以提供條狀光源。
在第13圖中，封裝體20同時包覆九個發光晶粒18，且發光晶粒18係通過第一導電層10形成串並聯連接。在第14圖中，第一導電層10係排列形成特定圖形(如圓形)，多個發光晶粒18跨設於開槽100之上(及可撓性絕緣曾12a之上)，並藉由第一導電層10以形成電性連接，藉以提供特定光形分布的光源。在此要說明的是，在第11至14圖中，發光晶粒18是以跨設於可撓性絕緣層12之上作為說明範例，實際實施時，發光晶粒18也可以設置於二第一導電層10之其中之一第一導電層10上，並藉由至少一焊線使與位於開槽100另一側之第一導電層10形成電性連接。
另外，為了降低切割發光元件時，造成第一導電層10、第二導電層14及第三導電層16損毀，以至於無法提供導電性質，可選擇性地於製程中在相鄰之二發光元件的第一導電層10間設置可撓性絕緣層12c，如第15及16圖所示，其中第16為沿著第15圖16-16線之剖視圖。可撓性絕緣層12c的材質係相同於可撓性絕緣層12a。可撓性絕緣層12c是設置於第一導電層10上形成的部分開槽100之中，可撓性絕緣層12c的外型輪廓大致呈正方形，且可撓性絕緣層12c的寬度可隨切割刀具改變。如此一來，切割治具可以沿著可撓性絕緣層12c切割使形成多個發光元件，降低第一導電層10、第二導電層14及第三導電層16損毀的機率。
綜合以上所述，本實施例之發光元件是利用位於相鄰二第一導電層10間之開槽100下方的可撓性絕緣體12以結合第一導電層10，如此一來，發光元件具有可撓性，並可供設置於不規則的表面上。
配合參閱第2至5圖，以及第17至20圖，為對應本發明所提出之用於發光元件之製作方法之另一實施例的製作流程示意圖於發光元件之製作方法之製作流程示意圖。在此要說明的是，第17圖是接續在第5圖之後的製作流程示意圖，且第2至5圖的相關說明相同於前述實施例，在此則不予贅述。
在形成第二導電層14於第一導電層10下方後，係於可撓性絕緣層12及第二導電層14下方形成一中介層22，如第17圖所示。中介層22是使用絕緣材質，例如: 光阻、PI、PET、PO、塑膠或高分子聚合物，通過塗佈、蒸鍍、濺鍍、化學氣相沉積等方式形成於可撓性絕緣層12a及第二導電層14下方。
隨後，如第18圖所示，可選擇性地在中介層22下方設置一第三導電層16，並使至少一發光晶粒18跨設於開槽100之上(即跨設於可撓性絕緣曾12a之上)，並與第一導電層10形成電性連接。發光晶粒18的數量可以為一個或多個，於本實施例中，以三個發光晶粒18作為說明範例，且發光晶粒18為發光二極體晶粒。於本實施例中，發光晶粒18是跨設於可撓性絕緣層12a之上，並電連接於二第一導電層10。於實際實施時，發光晶粒18也可以是置於二第一導電層10之其中之一第一導電層10上，並電連接於二第一導電層10。如第19A及19B圖所示，形成一封裝體20使包覆發光晶粒18並部分填注於開槽100中，藉以緊密地包覆發光晶粒18。封裝體20係為透光樹脂，以較佳實施例而言，封裝體20為矽樹脂。封裝體20大致呈半球狀地包覆發光晶粒18，藉以提高取光效率；於實際實施時，封裝體20可依需求之光形而為其它形狀。封裝體20可以如第19A圖所示僅包覆單一個發光晶粒18；或者，封裝體20也可以如第19B圖所示同時包覆多個發光晶粒18，且發光晶粒18可以通過第一導電層10形成串並聯連接。
最後，沿著各封裝體20的外側切割，使形成多個發光元件，如第20圖所示；其中，第20圖所示之封裝體20使以包覆單一個發光晶粒18作為說明範例(相同於第19A圖)，於實際實施時，封裝體20也可以包覆多個發光晶粒18。
是故，第20圖所示便是本發明所提出之發光元件之另一實施例。由該圖示可知，發光元件包含二第一導電層10、一可撓性絕緣層12a、二第二導電層14、一發光晶粒18、一封裝體20及一中介層22；二第一導電層10間具有一開槽100，可撓性絕緣層12a設置於開槽100下方並與第一導電層10結合。第二導電層14設置於第一導電層10下方，且第二導電層14之下表面與可撓性絕緣層12a之下表面處於同一水平面。發光晶粒18置於二第一導電層10之其中之一第一導電層10上或跨設於可撓性絕緣層12a之上，發光晶粒18與第一導電層10形成電性連接。封裝體20包覆發光晶粒18並部分填入於開槽100中，藉以緊密地包覆發光晶粒18。中介層22設置於第二導電層12下方。發光元件更可以選擇性地包含二第三導電層16，第三導電層16分別地設置於中介層22下方。
配合參閱第21至26圖，為本發明所提出之用於發光元件之製作方法之又一實施例的製作流程示意圖於發光元件之製作方法之製作流程示意圖。
首先，如第21圖所示，提供一導電層11，導電層11係設置於一暫時基板3上。導電層11是使用具有良好導電特性的材料製作而成，藉以提供良好的導電效果；以較佳實施例而言，導電層11為金屬。再者，導電層11也可以同時具有高導熱係數，藉以提供良好的導熱效果。導電層11可以透過例如熱解膠帶(Thermal Release Tape,TRT)(未圖示)以結合於暫時基板。
如第22圖所示，於導電層11上形成複數開槽110。形成開槽110的方法可例如為濕式蝕刻、乾式蝕刻、雷射切割或研磨。
如第23圖所示，於開槽110中設置一可撓性絕緣層12，可撓性絕緣層12係與位於開槽110兩側之導電層11結合，可撓性絕緣層12的上表面120與導電層11的上表面112處於同一水平面。可撓性絕緣層12為軟性可撓材料製作而成，軟性可撓性材料可例如為光阻、PI、PET、PO、塑膠或高分子聚合物。
如第24圖所示，將複數發光晶粒18跨設於可撓性絕緣層12之上，並與導電層11形成電性連接。於本實施例中，發光晶粒18為覆晶形式封裝的發光二極體晶粒；發光晶粒18之二電極180、182分別接觸位於可撓性絕緣層12兩側的導電層11並與導電層11形成電性連接。於實際實施時，發光晶粒18也可以為水平式結構或垂直式結構的發光二極體晶粒，發光晶粒18置於二導電層11之其中之一導電層11上，並通過跨設於可撓性絕緣層12之上的至少一導線電連接於導電層11。
如第25圖所示，形成包覆發光晶粒18之一封裝體20，封裝體20係為透光樹脂，以較佳實施例而言，封裝體20為矽樹脂。封裝體20大致呈半球狀地包覆發光晶粒18，藉以提高取光效率；於實際實施時，封裝體20可依需求之光形而為其它形狀。於本實施例中，封裝體20僅包覆單一個發光晶粒18，於實際實施時，封裝體20也可以同時包覆多個發光晶粒18，且由封裝體20包覆之多個發光晶粒18可以通過導電層11形成串並聯連接。
如第26圖所示，沿著封裝體20的外側切割，使形成多個發光元件，同時移除暫時基板3。
是故，第26圖所示便是本發明所提出之發光元件之又一實施例。由該圖示可知，發光元件包含二導電層11、一可撓性絕緣層12、一發光晶粒18及一封裝體20；導電層11間具有一開槽110，可撓性絕緣層12設置於開槽110中並與導電層11結合，可撓性絕緣層12之上表面120與導電層11的上表面112處於同一水平面。發光晶粒18置於二導電層11之其中之一導電層11上或跨設於可撓性絕緣層12之上，發光晶粒18與導電層11形成電性連接。封裝體20包覆發光晶粒18，且較佳地，封裝體20大致呈半球狀地包覆發光晶粒18。
綜合以上所述，本實施例之發光元件之可撓性絕緣層12是設置在任二導電層11之間的開槽110中，如此一來，發光元件不但具有極佳的可撓性，並使發光元件的整體高度降低，可供應用於薄型化的光源裝置中。
如第27圖所示，前述之發光元件可供與一電路板4及一散熱件5配合構成一光源模組；其中，第27圖所示之發光元件係相同於第10圖所示之發光元件。複數發光元件設置於一電路板4上，電路板4具有一基板40及一金屬層42，金屬層42設置於基板40上，且其上係藉由複數穿槽44以形成特定的電路圖案。發光元件電連接於電路板4並與金屬層42形成電性連接，藉此，進入電路板4的電力可以驅動發光元件。散熱件5設置於電路板4下方，用以加速導離發光元件點亮時產生的熱能。
當然，發光元件也可以直接地設置於一散熱件5上，並與散熱件5配合構成一光源模組，如第28圖所示；其中，第28圖所示之發光元件相同於第12圖所示之發光元件。散熱件5可供快速地導離發光元件點亮時產生的熱能。
然以上所述者，僅為本發明之較佳實施例，當不能限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾等，皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍意圖保護之範疇。
11．．．導電層
110．．．開槽
112．．．上表面
12．．．可撓性絕緣層
120．．．上表面
18．．．發光晶粒
180．．．電極
182．．．電極
20．．．封裝體

Claims (23)

  1. 一種發光元件，包含:
    二導電層，該等導電層間具有一開槽；
    一可撓性絕緣層，設置於該開槽中並與該等導電層結合；
    一發光晶粒，置於該二導電層之其中之一導電層上或跨設於該可撓性絕緣層之上，該發光晶粒之一電極連接其中之一導電層，該發光晶粒之另一電極連接另一導電層；以及
    一封裝體，包覆該發光晶粒。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該可撓性絕緣層的上表面與該導電層的上表面處於同一水平面上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該可撓性絕緣層的厚度小於200微米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該導電層的厚度大於10微米。
  5. 一種發光元件，包含:
    至少二第一導電層，該等第一導電層間具有一開槽；
    一可撓性絕緣層，位於該開槽下方並與該等第一導電層結合；
    至少二第二導電層，對應地設置於該等第一導電層下方，該等第二導電層之一下表面係與該可撓性絕緣層之一下表面處於同一水平面；
    至少一發光晶粒，電連接於該等第一導電層；以及
    一封裝體，包覆該發光晶粒。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，其中該發光晶粒跨設於該可撓性絕緣層之上，該發光晶粒之一電極連接於其中之一第一導電層，另一電極連接於另一第一導電層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光元件，其中該封裝體至少部分設置於該開槽中，藉以緊密地包覆該發光晶粒。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，更包含至少一導線，該導線跨設於該開槽之上，該發光晶粒置於該二第一導電層之其中之一第一導電層，該導線之一端連接於該發光晶粒之一電極，另一端連接於另一第一導電層。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，其中該可撓性絕緣層的厚度小於200微米。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，其中該第一導電層的厚度大於10微米。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度等於該開槽的寬度。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度大於該開槽的寬度。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之發光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度一致。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之發光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度隨著遠離該第一導電層而遞增。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之發光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度隨著遠離該第一導電層而遞減。
  16. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，更包含至少二第三導電層，對應地設置於該等第二導電層下方。
  17. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，更包含一中介層，設置於該第二導電層下方。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之之發光元件，更包含至少二第三導電層，設置於該中介層下方。
  19. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，包含複數第一導電層及複數發光晶粒，任二導電層之間具有該開槽，該可撓性絕緣層設置於各該開槽下方並與第一導電層結合，各該發光晶粒置於任二第一導電層之其中之一第一導電層上或跨設於該可撓性絕緣層之上，該等發光晶粒係通過該等第一導電層形成串並聯連接。
  20. 一種發光元件之製作方法，包含:
    a)提供一第一導電層及一可撓性絕緣層，該可撓性絕緣層係位於該第一導電層的下方；
    b)於該第一導電層上形成至少一開槽；
    c)移除部分之該可撓性絕緣層，使露出至少部分之該第一導電層；
    d)形成一第二導電層於露出該可撓性絕緣層之該第一導電層，該第二導電層之一下表面係與該可撓性絕緣層之一下表面為於同一水平面；
    e)設置至少一發光晶粒於第一導電層上或跨設於可撓性絕緣層之上；以及
    f)形成包覆該發光晶粒之一封裝體。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之發光元件之製作方法，更包含:
    形成一中介層於該第二導電層下方。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之發光元件之製作方法，更包含:
    形成一第三導電層於該第二導電層或該中介層下方。
  23. 一種發光元件的之製作方法，包含:
    a)提供一導電層；
    b)於該導電層上形成至少一開槽；
    c)設置一可撓性絕緣層於該開槽中；
    d)設置至少一發光晶粒於該導電層上或跨設於該可撓性絕緣層之上；以及
    e)形成包覆該發光晶粒之一封裝體。
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