TW201441642A - 檢測方法及檢測裝置 - Google Patents

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Abstract

一種檢測方法包括下列步驟。令光電檢測元件與包括多個畫素單元的畫素陣列基板接觸。輸入多個電氣訊號至畫素陣列基板的畫素單元與光電檢測元件。根據光電檢測元件的光學特性，判斷畫素陣列基板的畫素單元是否正常。此外，一種實現上述檢測方法的檢測裝置亦被提出。

Description

檢測方法及檢測裝置
本發明是有關於一種檢測方法及檢測裝置，且特別是有關於一種用於檢測畫素陣列基板的檢測方法及檢測裝置。
顯示器包括畫素陣列基板以及對向基板。在顯示器的製程中，會分別製作畫素陣列基板與對向基板。然後，再將畫素陣列基板與對向基板對組，進而完成顯示器。一般而言，在將畫素陣列基板與對向基板對組之前會先對畫素陣列基板進行檢測。
在習知技術中，檢測畫素陣列基板時需更換治具，且治具上的探針不易與畫素陣列基板對準，或用於檢測畫素陣列基板的偵測器(modulator)與畫素陣列基板之間的間隙難以控制，且易刮傷畫素陣列基板。換言之，習知的檢測方法複雜，而習知的檢測裝置結構繁複且價格昂貴。
本發明提供一種檢測方法，其可簡便地檢測畫素陣列基 板。
本發明提供一種檢測裝置，其可簡便地檢測畫素陣列基板且價格低廉。
本發明的一種檢測方法包括下列步驟。令光電檢測元件與包括多個畫素單元的畫素陣列基板接觸。輸入多個電氣訊號至畫素陣列基板的畫素單元與光電檢測元件。根據光電檢測元件的光學特性，判斷畫素陣列基板的畫素單元是否正常。
本發明的一種檢測裝置用於檢測包括多個畫素單元的畫素陣列基板。檢測裝置包括用於與畫素陣列基板接觸的光電檢測元件、用於輸出多個電氣訊號至畫素陣列基板的畫素單元與光電檢測元件的訊號源以及用於根據光電檢測元件的光學特性判斷畫素陣列基板的畫素單元是否正常的分析單元。
在本發明的一實施例中，上述的每一畫素單元包括至少一主動元件以及與此主動元件電性連接的畫素電極。令光電檢測元件與畫素陣列基板接觸的步驟包括：將光電檢測元件置於畫素陣列基板上，以使光電檢測元件與畫素單元的畫素電極接觸。
在本發明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底以及位於基底上的顯示介質層。令光電檢測元件與畫素陣列基板接觸的步驟為：將光電檢測元件置於畫素陣列基板上，以使光電檢測元件的顯示介質層與畫素陣列基板接觸。
在本發明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底、位於基底上的異方向性導電膜以及位於異方向性導電膜與基 底之間的顯示介質層。令光電檢測元件與畫素陣列基板接觸的步驟為：將光電檢測元件置於畫素陣列基板上，以使光電檢測元件的異方向性導電膜與畫素陣列基板接觸。
在本發明的一實施例中，上述的檢測方法在令光電檢測元件與畫素陣列基板接觸之後更包括：施加一壓力於固定畫素陣列基板以及光電檢測元件。
在本發明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底以及位於基底上的顯示介質層。顯示介質層包括電子墨水層或有機發光二極體層。
在本發明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底、配置於基底上的顯示介質層以及配置於基底與顯示介質層之間的共用電極層。輸入電氣訊號至畫素陣列基板的畫素單元與光電檢測元件的步驟為：輸入電氣訊號至畫素陣列基板的畫素單元以及光電檢測元件的共用電極層。
在本發明的一實施例中，上述的畫素陣列基板更包括共用電極端。輸入電氣訊號至畫素陣列基板的畫素單元與光電檢測元件的步驟為：輸入電氣訊號至畫素陣列基板的畫素單元以及共用電極端，其中這些電氣訊號之一透過共用電極端而傳遞至光電檢測元件的共用電極層。
在本發明的一實施例中，上述的光電檢測元件劃分為多個檢測區塊，畫素陣列基板劃分為分別包括多個畫素單元的多個待測區塊。令光電檢測元件與畫素陣列基板接觸的步驟為：令光 電檢測元件的檢測區塊分別與畫素陣列基板的待測區域接觸。根據光電檢測元件的光學特性判斷畫素陣列基板的畫素單元是否正常的步驟為：比較電氣訊號輸入至畫素單元與光電檢測元件時光電檢測元件的檢測區塊的光學特性與檢測區塊的預期光學特性之間的差異，若光電檢測元件的這些檢測區塊之一的光學特性與預期光學特性不同，則判斷與此檢測區塊接觸的待測區塊的畫素單元異常。
在本發明的一實施例中，上述的每一畫素單元包括具有源極、閘極以及汲極的主動元件、與主動元件的汲極電性連接的畫素電極、與主動元件的源極性電性連接的資料線以及與主動元件的閘極性連接的掃描線。
在本發明的一實施例中，上述的檢測裝置更包括光偵測器。光偵測器用於偵測光電檢測元件的光學特性，而光偵測器所偵測到的光電檢測元件的光學特性傳送至分析單元。
在本發明的一實施例中，上述的光電檢測元件用於與畫素單元的畫素電極接觸。
在本發明的一實施例中，上述的光電檢測元件包括基底、位於基底上的顯示介質層以及位於基底與顯示介質層之間的共用電極層。
在本發明的一實施例中，上述的光電檢測元件的顯示介質層用於與畫素陣列基板接觸，而共用電極層用於接收所述電氣訊號之一。
在本發明的一實施例中，上述的光電檢測元件更包括異方向性導電膜。顯示介質層位於異方向性導電膜與共用電極層之間。異方向性導電膜用於與畫素陣列基板接觸，而共用電極層用於接收所述電氣訊號之一。
在本發明的一實施例中，上述的異方向性導電膜在與基底垂直的一方向上具導電性而在與基底平行的另一方向上不具導電性。
在本發明的一實施例中，上述的光電元件更包括由基底向外延伸且與共用電極層電性連接的導電結構。導電結構用於與畫素陣列基板的共用電極端接觸。
在本發明的一實施例中，上述的訊號源輸出的電氣訊號用於輸入至畫素陣列基板的畫素單元以及共用電極端。所述電氣訊號之一透過共用電極端而傳遞至光電檢測元件的共用電極層。
在本發明的一實施例中，上述的分析單元用於比較電氣訊號輸入至畫素單元與光電檢測元件時光電檢測元件的檢測區塊的光學特性與檢測區塊的預期光學特性之間的差異，若光電檢測元件的檢測區塊之一的光學特性與此檢測區塊的預期光學特性不同，則判斷與此檢測區塊接觸的待測區塊的畫素單元異常。
基於上述，本發明實施例的檢測方法及檢測裝置將光電檢測元件與待測的畫素陣列基板接觸並輸入電氣訊號至畫素陣列基板與光電檢測元件，然後根據光電檢測元件的光學特性判斷畫素陣列基板的畫素單元是否正常。本發明實施例的檢測裝置的構 造簡單、製造成本低，並可簡便地檢測出畫素陣列基板的缺陷處。利用本發明實施例的檢測方法及檢測裝置可簡便地檢測出畫素陣列基板的缺陷處，而避免後續製程材料及時間的浪費，進而達到降低成本的目的。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100‧‧‧檢測裝置
110‧‧‧光電檢測元件
111‧‧‧基底
111a‧‧‧軟性透光基板
111b‧‧‧剛性透光基板
112‧‧‧顯示介質層
112a‧‧‧微膠囊
113‧‧‧共用電極層
114‧‧‧導電結構
120‧‧‧訊號源
130‧‧‧分析單元
140‧‧‧光偵測器
200‧‧‧畫素陣列基板
210‧‧‧畫素單元
212‧‧‧畫素電極
220‧‧‧基板
A、ANG、Aok‧‧‧待測區塊
ACF‧‧‧異方向性導電膜
C、CNG、Cok‧‧‧檢測區塊
com‧‧‧共用電極端
D‧‧‧汲極
DL‧‧‧資料線
D1、D2‧‧‧方向
E‧‧‧電氣訊號
G1‧‧‧閘極開啟訊號
G‧‧‧閘極
g‧‧‧共閘極端
K‧‧‧表面
S‧‧‧源極
S1‧‧‧資料訊號
s‧‧‧共源極端
SL‧‧‧掃描線
S100~S500‧‧‧步驟
T‧‧‧主動元件
Vcom‧‧‧共用電極訊號
圖1為本發明一實施例的檢測方法的流程示意圖。
圖2為本發明一實施例的檢測裝置的示意圖。
圖3為圖2的畫素單元的電路示意圖。
圖4為本發明另一實施例的檢測裝置的示意圖
圖1為本發明一實施例的檢測方法的流程示意圖。圖2為本發明一實施例的檢測裝置的示意圖。特別是，圖2的檢測裝置100可具體地實施圖1的檢測方法。以下將搭配圖1及圖2說明本實施例的檢測方法及檢測裝置100。
請參照圖1及圖2，本實施例的檢測方法及檢測裝置100是用於檢測包括多個畫素單元210的畫素陣列基板200。首先，提供包括多個畫素單元210的畫素陣列基板200(步驟S100)。如圖2 所示，在本實施例中，畫素陣列基板200更包括基板220，而畫素單元210配置於基板220上。每一畫素單元210包括至少一主動元件T以及與主動元件T電性連接的畫素電極212。圖3為圖2的畫素單元的電路示意圖。請參照圖3，主動元件T(例如薄膜電晶體)具有源極S、閘極G與汲極D。畫素電極212與主動元件T的汲極D電性連接。每一畫素單元210更包括與主動元件T的源極S電性連接的資料線DL以及與主動元件T的閘極G電性連接的掃描線SL。
請再參照圖1及圖2，接著，提供光電檢測元件110(步驟S200)。如圖2所示，在本實施例中，光電檢測元件110包括基底111、位於基底111上的顯示介質層112以及位於基底111與顯示介質層112之間的共用電極層113。基底111包括軟性透光基板111a以及剛性透光基板111b。在本實施例中，顯示介質層112例如為電子墨水層。電子墨水層包括多個微膠囊(microcapsule)112a。每一微膠囊112a內含有白色的帶正電粒子以及黑色的帶負電粒子。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，顯示介質層112亦可為其他適當種類的顯示介質層，例如有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)層。
然後，令光電檢測元件110與畫素陣列基板200接觸(步驟300)。具體而言，本實施例的檢測裝置100包括光電檢測元件110。檢測裝置100可將光電檢測元件110置於畫素陣列基板200上，以使光電檢測元件110與畫素陣列基板200接觸。在本實施 例中，光電檢測元件110可與每一畫素單元210的畫素電極212接觸。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，待測的畫素陣列基板200可包括覆蓋畫素單元210的平坦層(Passivation)。光電檢測元件110亦可與平坦層接觸。輸入至畫素電極212及光電檢測元件110的電訊號E所造成的電場仍可穿過平坦層，而使與畫素電極212對應的部分顯示介質層112產生動作，進而使光電檢測元件110仍可發揮檢測畫素陣列基板200的功用。
在本實施例中，光電檢測元件110更可包括異方向性導電膜ACF，其中顯示介質層112位於異方向性導電膜ACF與共用電極層113之間。上述令光電檢測元件110與畫素陣列基板200接觸的步驟可為令光電檢測元件110的異方向性導電膜ACF與畫素陣列基板200接觸。異方向性導電膜ACF在與基底110垂直的方向D1上具導電性而在與基底110平行的另一方向D2上不具導電性。藉由異方向性導電膜ACF可增加畫素陣列基板200與顯示介質層112在方向D1上的導電性。此外，異方向性導電膜ACF面向畫素陣列基板200的表面K可無黏性，故光電檢測元件110於測試完一個畫素陣列基板200後，可自此畫素陣列基板200上移開，而與下一個待測的畫素陣列基板200接觸。換言之，光電檢測元件110是活動式的，而可重複地與待測的畫素陣列基板200接觸。然而，本發明不限於上段所述，圖4為本發明另一實施例的檢測裝置的示意圖，請參照圖4，在此實施例中，光電檢測元件110可不包括異方向性導電膜ACF，而畫素陣列基板200可與光 電檢測元件110的顯示介質層112直接接觸。
在本實施例中，在令光電檢測元件110與畫素陣列基板200接觸之後，施加壓力於固定畫素陣列基板200以及光電檢測元件110，使畫素陣列基板200以及光電檢測元件110接觸良好，以使畫素陣列基板200與顯示介質層112間的導電性更佳。
接著，輸入多個電氣訊號E至畫素陣列基板200的畫素單元210與光電檢測元件110(步驟400)。具體而言，檢測裝置100包括訊號源120。訊號源120可輸出多個電氣訊號E至畫素陣列基板200的畫素單元210與光電檢測元件110。進一步而言，可輸入多個電氣訊號E至畫素陣列基板200的畫素單元210以及光電檢測元件110的共用電極層113。詳言之，畫素陣列基板200更包括共用電極端com。共用電極端com可與畫素陣列基板200的多條共用電極線電性連接。這些電氣訊號E之其中一共用電極訊號Vcom可透過共用電極端com而傳遞至光電檢測元件110的共用電極層113。
在本實施例中，光電元件110更包括由基底111向外延伸且與共用電極層113電性連接的導電結構114。導電結構114用於與畫素陣列基板200的共用電極端com接觸。輸入至共用電極端com的共用電極訊號Vcom可透過導電結構114而傳遞至光電檢測元件110的共用電極層113。畫素陣列基板200更包括共源極端s，共源極端s電性連接多個畫素單元210的資料線DL。訊號源120輸出的一個電氣訊號E(例如資料訊號S1)可輸入至共源極 端s。畫素陣列基板200更包括共閘極端g，共閘極端g電性連接多個畫素單元210的掃描線SL。訊號源120輸出的一個電氣訊號E(例如閘極開啟訊號G1)可輸入至共閘極端g。
接著，根據光電檢測元件110的光學特性，判斷畫素陣列基板200的畫素單元210是否正常(步驟S500)。詳言之，若畫素單元210正常，則輸入至畫素單元210及光電測試元件110的電器訊號E可驅動畫素單元210上方的部份顯示介質層112，而使與畫素單元210重疊的部分光電檢測元件110的光學特性發生變化。若畫素單元210異常，則輸入至畫素單元210及光電測試元件110的電器訊號E無法正常驅動畫素單元210上方的部份顯示介質層112，而與畫素單元210重疊的部分光電檢測元件110的光學特性會呈現異常。據此，便可推測出畫素陣列基板200的缺陷處。
更清楚地說，在本實施例中，光電檢測元件110可劃分為多個檢測區塊C。畫素陣列基板200可劃分為分別包括多個畫素單元210的多個待測區塊A。當光電檢測元件110與畫素陣列基板200接觸時，光電檢測元件110的檢測區塊C分別與畫素陣列基板200的待測區域A接觸。
根據光電檢測元件110的光學特性判斷畫素陣列基板200的畫素單元210是否正常的步驟可為：比較電氣訊號E輸入至畫素陣列基板200的畫素單元210與光電檢測元件110時檢測區塊C的光學特性與檢測區塊C的預期光學特性之間的差異，若檢測區 塊CNG的光學特性與檢測區塊CNG的預期光學特性不同，則判斷與檢測區塊CNG接觸的待測區塊ANG的畫素單元210異常。若檢測區塊Cok的光學特性與檢測區塊Cok的預期光學特性相同，則判斷與檢測區塊Cok的待測區塊Aok的畫素單元210正常。
舉例而言，在本實施例中，若畫素單元210正常，當電氣訊號E輸入畫素單元210與光電檢測元件110時，畫素電極212與共用電極層113間的電場會使帶微膠囊120a中帶電的白色粒子移動，而使與包括畫素電極212的待測區塊Aok接觸的檢測區塊Cok呈現預期的光學特性，依此便可判斷待測區塊Aok正常。若畫素單元210異常，當電氣訊號E輸入至畫素單元210與光電檢測元件110時，畫素電極212與共用電極層113之間無法形成正常電位，而微膠囊120a中帶電粒子分佈異常。此時，與包括畫素電極212的待測區塊ANG接觸的檢測區塊CNG呈現的光學特性(例如灰色)與預期的光學特性(例如白色)不同，依此便可判斷待測區塊ANG異常。
具體而言，檢測裝置100包括分析單元130，而分析單元130可執行上述根據光電檢測元件110的光學特性判斷畫素單元210是否正常的動作。分析單元130可為檢測人員。然而，本發明不限於此，為了生產流程的自動化及提高檢測的正確性。在本實施例中，可採用機器取代檢測人員的功能。舉例而言，分析單元130可為電子處理器(例如個人電腦)，而檢測裝置100更包括光偵測器140，例如影像擷取器(image sensor)。電子處理器及光偵測器 140可取代檢測人員的功能。
詳言之，光偵測器140可偵測光電檢測元件110的光學特性，特別是偵測電氣訊號E輸入至畫素陣列基板200的畫素單元210與光電檢測元件110時光電檢測元件110的光學特性。光偵測器140所偵測到的光電檢測元件110的光學特性會傳送至分析單元130。分析單元130可取得光電檢測元件110的預期光學特性，並將光電檢測元件110的預期光學特性與光偵測器140在電氣訊號E輸入至畫素陣列基板200的畫素單元210與光電檢測元件110時所偵測到的光電檢測元件110的光學特性做比較，以判斷畫素陣列基板110的畫素單元210是否正常。
綜上所述，本發明實施例的檢測方法及檢測裝置將光電檢測元件與待測的畫素陣列基板接觸並輸入電氣訊號至畫素陣列基板與光電檢測元件，然後根據光電檢測元件的光學特性判斷畫素陣列基板的畫素單元是否正常。本發明實施例的檢測裝置的構造簡單、製造成本低，並可簡便地檢測出畫素陣列基板的缺陷處。利用本發明實施例的檢測方法及檢測裝置可簡便地檢測出畫素陣列基板的缺陷處，而避免後續製程材料及時間的浪費，進而達到降低成本的目的。
100‧‧‧檢測裝置
110‧‧‧光電檢測元件
111‧‧‧基底
111a‧‧‧軟性透光基板
111b‧‧‧剛性透光基板
112‧‧‧顯示介質層
112a‧‧‧微膠囊
113‧‧‧共用電極層
114‧‧‧導電結構
120‧‧‧訊號源
130‧‧‧分析單元
140‧‧‧光偵測器
200‧‧‧畫素陣列基板
210‧‧‧畫素單元
212‧‧‧畫素電極
220‧‧‧基板
A、ANG、Aok‧‧‧待測區塊
ACF‧‧‧異方向性導電膜
C、CNG、Cok‧‧‧檢測區塊
com‧‧‧共用電極端
D1、D2‧‧‧方向
E‧‧‧電氣訊號
G1‧‧‧閘極開啟訊號
g‧‧‧共閘極端
K‧‧‧表面
S1‧‧‧資料訊號
s‧‧‧共源極端
T‧‧‧主動元件
Vcom‧‧‧共用電極訊號

Claims (20)

  1. 一種檢測方法，包括：提供一畫素陣列基板，該畫素陣列基板包括多個畫素單元；提供一光電檢測元件；令該光電檢測元件與該畫素陣列基板接觸；輸入多個電氣訊號至該畫素陣列基板的該些畫素單元與該光電檢測元件；以及根據該光電檢測元件的光學特性，判斷該畫素陣列基板的該些畫素單元是否正常。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中每一該畫素單元包括至少一主動元件以及與該至少一主動元件電性連接的一畫素電極，而令該光電檢測元件與該畫素陣列基板接觸的步驟包括：將該光電檢測元件置於該畫素陣列基板上，以使該光電檢測元件與該些畫素單元的該些畫素電極接觸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中該光電檢測元件包括一基底以及位於該基底上的一顯示介質層，而令該光電檢測元件與該畫素陣列基板接觸的步驟為：將該光電檢測元件置於該畫素陣列基板上，以使該光電檢測元件的該顯示介質層與該畫素陣列基板接觸。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中該光電檢測元件包括一基底、位於該基底上的一異方向性導電膜以及位於該 異方向性導電膜與該基底之間的一顯示介質層，而令該光電檢測元件與該畫素陣列基板接觸的步驟為：將該光電檢測元件置於該畫素陣列基板上，以使該光電檢測元件的該異方向性導電膜與該畫素陣列基板接觸。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，在令該光電檢測元件與該畫素陣列基板接觸之後，更包括：施加一壓力於固定該畫素陣列基板以及該光電檢測元件。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中該光電檢測元件包括一基底以及位於該基底上的一顯示介質層，而該顯示介質層包括一電子墨水層或一有機發光二極體層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中該光電檢測元件包括一基底、配置於該基底上的一顯示介質層以及配置於該基底與該顯示介質層之間的一共用電極層，而輸入該些電氣訊號至該畫素陣列基板的該些畫素單元與該光電檢測元件的步驟為：輸入該些電氣訊號至該畫素陣列基板的該些畫素單元以及該光電檢測元件的該共用電極層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的檢測方法，其中該畫素陣列基板更包括一共用電極端，而輸入該些電氣訊號至該畫素陣列基板的該些畫素單元與該光電檢測元件的步驟為：輸入該些電氣訊號至該畫素陣列基板的該些畫素單元以及該共用電極端，其中該些電氣訊號之一透過該共用電極端而傳遞至該光電檢測元件的該共用電極層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中該光電檢測元件劃分為多個檢測區塊，該畫素陣列基板劃分為分別包括該些畫素單元的多個待測區塊，令該光電檢測元件與該畫素陣列基板接觸的步驟為令該光電檢測元件的該些檢測區塊分別與該畫素陣列基板的該些待測區域接觸，而根據該光電檢測元件的光學特性判斷該畫素陣列基板的該些畫素單元是否正常的步驟為：比較該些電氣訊號輸入至該畫素陣列基板的該些畫素單元與該光電檢測元件時該光電檢測元件的該些檢測區塊的光學特性與該些檢測區塊的預期光學特性之間的差異，若該光電檢測元件的該些檢測區塊之一的光學特性與該些檢測區塊之該一的預期光學特性不同，則判斷與該些檢測區塊之該一接觸的該待測區塊的該畫素單元異常。
  10. 一種檢測裝置，用於檢測包括多個畫素單元的一畫素陣列基板，該檢測裝置包括：一光電檢測元件，用於與該畫素陣列基板接觸；一訊號源，用於輸出多個電氣訊號至該畫素陣列基板的該些畫素單元與該光電檢測元件；以及一分析單元，用於根據該光電檢測元件的光學特性，判斷該畫素陣列基板的該些畫素單元是否正常。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的檢測裝置，更包括：一光偵測器，用於偵測該光電檢測元件的光學特性，而該光偵測器所偵測到的該光電檢測元件的光學特性傳送至該分析單 元。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的檢測裝置，用於檢測包括該些畫素單元的該畫素陣列基板，而每一該畫素單元包括至少一主動元件以及與該至少一主動元件電性連接的一畫素電極，其中該光電檢測元件用於與該些畫素單元的該些畫素電極接觸。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的檢測裝置，其中該光電檢測元件包括一基底、位於該基底上的一顯示介質層以及位於該基底與該顯示介質層之間的一共用電極層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的檢測裝置，其中該光電檢測元件的該顯示介質層用於與該畫素陣列基板接觸，而該共用電極層用於接收該些電氣訊號之一。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的檢測裝置，其中該光電檢測元件更包括一異方向性導電膜，該顯示介質層位於該異方向性導電膜與該共用電極層之間，該異方向性導電膜用於與該畫素陣列基板接觸，而該共用電極層用於接收該些電氣訊號之一。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的檢測裝置，其中該異方向性導電膜在與該基底垂直的一方向上具導電性而在與該基底平行的另一方向上不具導電性。
  17. 如申請專利範圍第13項所述的檢測裝置，其中該顯示介質層包括一電子墨水層或一有機發光二極體層。
  18. 如申請專利範圍第13項所述的檢測裝置，用於檢測更包括一共用電極端的該畫素陣列基板，而該光電元件更包括由該基 底向外延伸且與該共用電極層電性連接的一導電結構，而該導電結構用於與該畫素陣列基板的該共用電極端接觸。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的檢測裝置，其中該訊號源輸出的該些電氣訊號用於輸入至該畫素陣列基板的該些畫素單元以及該共用電極端，而該些電氣訊號之一透過該共用電極端而傳遞至該光電檢測元件的該共用電極層。
  20. 如申請專利範圍第10項所述的檢測裝置，用於檢測包括該些個畫素單元的該畫素陣列基板，該畫素陣列基板劃分為分別包括該些畫素單元的多個待測區塊，其中該光電檢測元件劃分為多個檢測區塊，該些檢測區塊用於分別與該些待測區塊接觸，而該分析單元用於比較該些電氣訊號輸入至該畫素陣列基板的該些畫素單元與該光電檢測元件時該光電檢測元件的該些檢測區塊的光學特性與該些檢測區塊的預期光學特性之間的差異，若該光電檢測元件的該些檢測區塊之一的光學特性與該些檢測區塊之該一的預期光學特性不同，則判斷與該些檢測區塊之該一接觸的該待測區塊的該畫素單元異常。
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