TW201438890A - 表面處理銅箔、積層板、附載體銅箔、印刷配線板、印刷電路板、電子機器及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

表面處理銅箔、積層板、附載體銅箔、印刷配線板、印刷電路板、電子機器及印刷配線板之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種即便用於高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗之表面處理銅箔、積層板、附載體銅箔、印刷配線板、印刷電路板、電子機器及印刷配線板之製造方法。本發明之表面處理銅箔形成有表面處理層，於將x軸設為表面處理層中Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量(μg/dm2)，將y軸設為表面處理面之表面粗糙度Rz(μm)而繪製之附著量-表面粗糙度圖表中，該表面處理銅箔位於由x=0、y=0、y=-0.000189x+1.400000、及y=-0.002333x+9.333333之4條直線包圍之區域內。

Description

表面處理銅箔、積層板、附載體銅箔、印刷配線板、印刷電路板、電子機器及印刷配線板之製造方法
本發明係關於一種表面處理銅箔、積層板、附載體銅箔、印刷配線板、印刷電路板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
印刷配線板於此半世紀取得重大發展，目前幾乎被用於所有電子機器。隨著近年來電子機器之小型化、高性能化需求之增大，搭載零件之高密度構裝化或訊號之高頻化不斷發展，對印刷配線板要求優異之高頻對應。
為了確保輸出訊號之品質，對高頻用基板要求減少傳輸損耗。傳輸損耗主要包括由樹脂(基板側)引起之介電體損耗、及由導體(銅箔側)引起之導體損耗。樹脂之介電常數及介電損耗正切越減小，介電體損耗越減少。於高頻訊號中，導體損耗之主要原因在於：頻率越增高，因電流僅於導體之表面流通的集膚效應而使電流流通之截面積越減少，電阻越增高。
作為以減少高頻用銅箔之傳輸損耗為目的的技術，例如於專利文獻1中揭示有一種高頻電路用金屬箔，其於金屬箔表面之單面或雙面被覆銀或銀合金，使銀或銀合金以外之被覆層薄於上述銀或銀合金被覆層的厚度而加於該銀或銀合金被覆層上。並且，記載有藉此可提供一種金屬 箔，其即便於如衛星通訊中所用之超高頻區域中，亦減小由集膚效應導致之損耗。
又，於專利文獻2中揭示有一種高頻電路用粗化處理壓延銅箔，其特徵在於：壓延銅箔之再結晶退火後之壓延面中之藉由X射線繞射求出之(200)面的積分強度(I(200))相對於微粉末銅之藉由X射線繞射求出之(200)面的積分強度(I0(200))，為I(200)/I0(200)>40，對該壓延面進行利用電鍍之粗化處理後之粗化處理面的算術平均粗糙度(以下，稱為Ra)為0.02μm~0.2μm，十點平均粗糙度(以下，稱為Rz)為0.1μm~1.5μm，其係印刷電路基板用素材。並且，記載有藉此可提供一種可於超過1GHz之高頻下使用之印刷電路板。
進而，於專利文獻3中揭示有一種電解銅箔，其特徵在於：銅箔之表面之一部分為由瘤狀突起構成的表面粗糙度為2~4μm之凹凸面。並且，記載有藉此可提供一種高頻傳輸特性優異之電解銅箔。
[專利文獻1]日本專利第4161304號公報
[專利文獻2]日本專利第4704025號公報
[專利文獻3]日本特開2004-244656號公報
已知由導體(銅箔側)引起之導體損耗係如上所述由電阻因集膚效應增大而引起，關於該電阻，不僅具有銅箔本身之電阻的影響，亦具有表面處理層之電阻的影響，該表面處理層之電阻係因為為了確保與樹脂基板之接合性而於銅箔表面進行的粗化處理而形成，具體而言，銅箔表面之粗糙度為導體損耗之主要因素，粗糙度越小，傳輸損耗越減少。
本發明者對銅箔表面之粗糙度與傳輸損耗的關係進一步進 行深入研究，結果發現，未必銅箔表面之粗糙度越小，傳輸損耗越減少，尤其是若銅箔表面之粗糙度減小至某種程度，則傳輸損耗之減少與銅箔表面之粗糙度的關係出現明顯變動，難以僅藉由控制銅箔表面之粗糙度而良好地減少傳輸損耗。
本發明之目的在於提供一種即便用於高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗之表面處理銅箔、積層板、附載體銅箔、印刷配線板、印刷電路板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
本發明者對若銅箔表面之粗糙度減小至某種程度，則傳輸損耗之減少與銅箔表面之粗糙度的關係出現明顯變動，難以僅藉由控制銅箔表面之粗糙度而良好地減少傳輸損耗的原因進行了研究，結果發現，銅箔之表面處理金屬種類及其附著量為對傳輸損耗造成影響的其他因素，藉由對該等因素與銅箔表面之粗糙度一同進行控制，可獲得即便用於高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗之表面處理銅箔。
基於以上之見解而完成之本發明於一態樣係一種表面處理銅箔，其形成有表面處理層，於將x軸設為表面處理層中Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量(μg/dm2)，將y軸設為表面處理面之表面粗糙度Rz(μm)而繪製的附著量-表面粗糙度圖表中，該表面處理銅箔位於由如下4條直線包圍之區域內，x=0、y=0、y=-0.000189x+1.400000、及y=-0.002333x+9.333333。
於本發明之表面處理銅箔之一實施形態中，於上述附著量-表面粗糙度圖表中，其位於由如下4條直線包圍之區域內，x=0、 y=0、y=-0.000183x+1.100000、及y=-0.002200x+7.150000。
於本發明之表面處理銅箔另一實施形態中，上述表面粗糙度Rz為1.3以下。
於本發明之表面處理銅箔再另一實施形態中，上述表面粗糙度Rz為1.0以下。
於本發明之表面處理銅箔再另一實施形態中，其係可撓性印刷配線板用。
於本發明之表面處理銅箔再另一實施形態中，其係5GHz以上之高頻電路基板用。
於本發明之表面處理銅箔再另一實施形態中，其不具有粗化處理層。
於本發明之表面處理銅箔再另一實施形態中，其具有粗化處理層。
於本發明之表面處理銅箔再另一實施形態中，於上述表面處理層之表面具備樹脂層。
於本發明之表面處理銅箔再另一實施形態中，上述樹脂層含有介電體。
本發明於另一態樣係一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為本發明之表面處理銅箔。
本發明之附載體銅箔於一實施形態中，於上述載體之一面依序具有上述中間層及上述極薄銅層，於上述載體之另一面具有粗化處理層。
本發明於再另一態樣係一種積層板，其係將本發明之表面處理銅箔與樹脂基板積層而構成。
本發明於再另一態樣係一種印刷配線板，其使用有本發明之積層板作為材料。
本發明於再另一態樣係一種印刷電路板，其使用有本發明之積層板作為材料。
本發明於再另一態樣係一種電子機器，其使用有本發明之印刷配線板或本發明之印刷電路板。
本發明於再另一態樣係一種印刷配線板之製造方法，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中任一方法而形成電路。
本發明於再另一態樣係一種印刷配線板之製造方法，包括如下步驟：於本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成樹脂層；於上述樹脂層上形成電路；於上述樹脂層上形成電路後，將上述載體剝離；及於將上述載體剝離後去除上述極薄銅層，藉此而使形成於上述極薄銅層側表面之埋沒於上述樹脂層的電路露出。
根據本發明，可提供一種即便用於高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗之表面處理銅箔、積層板、附載體銅箔、印刷配線板、印刷電路板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
圖1係將x軸設為Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量(μg/dm2)，將y軸設為表面處理面之表面粗糙度Rz(μm)而繪製之實施例及比較例的附著量-表面粗糙度圖表。
圖2A~C係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的至鍍敷電路、去除阻劑為止之步驟中配線板剖面的模式圖。
圖3D~F係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的自積層樹脂及第2層附載體銅箔至雷射開孔為止之步驟中配線板剖面的模式圖。
圖4G~I係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的自形成通孔填充物至剝離第1層載體為止之步驟中配線板剖面的模式圖。
圖5J~K係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的自快速蝕刻(flash etching)至形成凸塊、銅柱為止之步驟中配線板剖面的模式圖。
(銅箔基材)
於本發明中可使用之銅箔基材的形態並無特別限制，典型地可以壓延銅箔或電解銅箔之形態使用。通常，電解銅箔係利用硫酸銅鍍浴於鈦或不鏽鋼之轉筒上，使銅電解析出而製造，壓延銅箔係反覆進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。多數情況下將壓延銅箔應用於要求撓曲性之用途。
作為銅箔基材之材料，除通常用作印刷配線板之導體圖案之精銅或無氧銅等高純度的銅以外，例如亦可使用摻Sn銅、摻Ag銅、如添加有Cr、Zr或Mg等銅合金、添加有Ni及Si等卡遜系銅合金之銅合金。再者，於本說明書中，單獨使用術語「銅箔」時，亦包括銅合金箔。
再者，銅箔基材之板厚無需特別限定，例如為1~1000μm、或為1~500μm、或為1~300μm、或為3~100μm、或為5~70μm、或為6~35μm、 或為9~18μm。
又，本發明於另一態樣係一種附載體銅箔，其依序具有載體、中間層、及極薄銅層，上述極薄銅層為本發明之表面處理銅箔。即，於本發明中於另一態樣可使用依序具有載體、中間層、及極薄銅層之附載體銅箔作為銅箔基材。於本發明中，於使用附載體銅箔之情形時，於極薄銅層表面設置以下之粗化處理層等表面處理層。再者，關於附載體銅箔之另一實施形態，於下文中進行說明。
(表面處理層)
於銅箔基材之表面(於使用附載體銅箔之極薄銅層作為銅箔基材的情形時，為極薄銅層之表面)，較佳為形成有利用用以確保與樹脂基板之接合性之選自粗化處理、防銹處理、耐熱處理、耐候處理、耐酸性處理、矽烷處理中一種以上之處理的表面處理層。即，如此，本發明之表面處理層係形成於與樹脂之接合面(無光澤面(M面))。粗化處理例如可藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可為微細者。又，於粗化處理後，可進行覆蓋鍍敷處理。藉由該等粗化處理、防銹處理、耐熱處理、耐候處理、耐酸性處理、矽烷處理、於處理液中之浸漬處理或鍍敷處理而形成的表面處理層亦可含有選自由Cu、Ni、Fe、Co、Zn、Cr、Mo、W、P、As、Ag、Sn、Ge組成之群中任一單體或任一種以上之合金、或有機物。
(附著金屬量及表面粗糙度)
關於表面處理銅箔，雖表面粗糙度Rz越小，傳輸損耗越減少，但若表面粗糙度Rz減小至某種程度，則比起表面粗糙度，表面處理層中特定之金屬的附著量更明顯地對傳輸損耗造成影響。根據本發明者之研究，可知，此種表面處理金屬種之中，磁導率相對較高且導電率相對較低之Co、Ni、Fe、Mo尤其會對傳輸損耗造成影響。因此，關於本發明之表面處理銅箔，於表面處理層中，係於Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量與表面粗糙度Rz之 關係方面被控制。具體而言，實施各種製造步驟，變更表面處理層中Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量與表面粗糙度Rz而測定傳輸損耗，結果得知，若為於將x軸設為表面處理層中Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量(μg/dm2)，將y軸設為表面處理面之表面粗糙度Rz(μm)而繪製之附著量-表面粗糙度圖表中，由如下4條直線：x=0、y=0、y=-0.000189x+1.400000、及y=-0.002333x+9.333333
包圍之區域內進行控制之銅箔，則即便用於高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗。
關於本發明之表面處理銅箔，由於Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量與表面粗糙度Rz位於藉由上述4條直線包圍之區域內，因此即便用於例如較佳為5GHz以上、更佳為20GHz以上之高頻電路基板，亦可將傳輸損耗抑制為4dB/10cm以下之非常小的值。
將該區域示於圖1之附著量-表面粗糙度圖表中。根據圖1可知，Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量於與表面粗糙度Rz之關係方面，係以相對於減少表面粗糙度Rz而使其增加之方式進行控制，但並非單純地固定地增加，而係以自附著量3700μg/dm2附近使增加之比例下降的方式進行控制。
又，本發明之表面處理銅箔於上述附著量-表面粗糙度圖表中，較佳為於由如下4條直線包圍之區域內進行控制，x=0、y=0、y=-0.000183x+1.100000、及y=-0.002200x+7.150000。
又，規定該區域之4條直線之中，直線x=0亦可為x=1、3、5、10、或100之各直線。
進而，規定該區域之4條直線之中，直線y=0亦可為y=0.001、0.01、0.05、0.10、0.20、或0.30之各直線。
再者，於Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量之值大的情形時，亦具有耐熱性、耐候性、耐酸性等更優異之效果。
於表面粗糙度Rz之值大的情形時，亦具有剝離強度進一步增高之效果。
又，本發明之表面處理銅箔於上述附著量-表面粗糙度圖表中，較佳為於由如下4條直線包圍之區域內進行控制，x=0、y=0、y=-0.000189x+1.400000、及x=445。於Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量之值小的情形時，即便未將Rz設為如此小之值，亦具有傳輸損耗小之效果。又，Ni對鹼蝕刻性造成不良影響，故而如此於Ni之附著量成為445μg/dm2以下之情形時，鹼蝕刻性變良好，故而較佳。就提高鹼蝕刻性之觀點而言，上述直線x=445進而較佳為x=400，更佳為x=350，更佳為x=300，更佳為x=250，更佳為x=200。
又，本發明之表面處理銅箔於上述附著量-表面粗糙度圖表中，較佳為於由如下4條直線包圍之區域內進行控制，x=0、y=0、y=-0.000183x+1.100000、及x=445。於Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量之值小的情形時，即便未將Rz設為如此小之值，亦具有傳輸損耗小之效果。又，Ni對鹼蝕刻性造成不 良影響，故而如此於Ni之附著量成為445μg/dm2以下之情形時，鹼蝕刻性變良好，故而較佳。就提高鹼蝕刻性之觀點而言，上述直線x=445更佳為x=400，進而較佳為x=350，更佳為x=300，更佳為x=250，更佳為x=200。
又，本發明之表面處理銅箔於上述附著量-表面粗糙度圖表中，較佳為於由如下4條直線包圍之區域內進行控制，x=3010、y=0、y=-0.000189x+1.400000、及y=-0.002333x+9.333333。
於Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量之值大的情形時，具有提高耐化學品性之效果。
又，本發明之表面處理銅箔於上述附著量-表面粗糙度圖表中，較佳為於由如下3條直線包圍之區域內進行控制，即，X=3010、y=0、及y=-0.002200x+7.150000。
於Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量之值大的情形時，具有提高耐化學品性之效果。
若表面粗糙度Rz為上述區域內，則並無特別限定，為了進一步抑制傳輸損耗，較佳為控制在1.3μm以下，更佳為控制在1.0μm以下，更佳為控制在0.9μm以下，更佳為控制為0.8μm以下，更佳為控制為0.7μm以下，更佳為控制為0.6μm以下。
(表面處理銅箔之製造方法)
於本發明中，為了於銅箔基材(壓延銅箔或電解銅箔或附載體銅箔之 極薄銅層)與樹脂基材接合之面，提高積層後之銅箔的剝離強度，較佳為實施對脫脂後之銅箔之表面進行瘤狀之電鍍的粗化處理。通常之電解銅箔於製造時具有凹凸，藉由粗化處理增強電解銅箔之凸部，而進一步增大凹凸。壓延銅箔、或藉由含有調平劑之硫酸銅電解液製造的雙面平坦電解銅箔、或附載體銅箔的表面較通常之電解銅箔之析出面的表面平滑。藉由對該平滑之表面進行特定之條件下之粗化處理，可形成微細之凹凸。於本發明中，該粗化處理可藉由例如選自由Cu、Ni、Fe、Co、Zn、Cr、Mo、W、P、As、Ag、Sn、Ge組成之群中任一單體或任一種以上之合金的鍍敷、或利用有機物之表面處理等而進行。有進行通常之鍍銅等作為粗化前之預處理的情況，於粗化後，作為表面處理，亦有為了賦予耐熱性、耐化學品性而藉由上述金屬進行覆蓋鍍敷之情況。再者，亦可不進行粗化處理，而進行選自由Cu、Ni、Fe、Co、Zn、Cr、Mo、W、P、As、Ag、Sn、Ge組成之群中任一單體或任一種以上之合金的鍍敷。然後，作為表面處理，亦有為了賦予耐熱性、耐化學品性而藉由上述金屬進行覆蓋鍍敷之情況。於進行粗化處理之情形時，具有與樹脂之密接強度增高的優點。又，於未進行粗化處理之情形時，由於表面處理銅箔之製造步驟經簡化，因此具有可提高生產性，可減少成本，又，可減小粗糙度之優點。藉由調整此種銅箔表面之鍍敷處理的液體組成、鍍敷時間、電流密度，可控制本發明之表面處理層中Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量(μg/dm2)與表面處理面之表面粗糙度Rz(μm)的關係。
再者，為了控制表面處理銅箔之表面處理面的表面粗糙度Rz(μm)，預先控制表面處理前之銅箔(銅箔基材)之處理側之表面的TD的粗糙度(Rz)及光澤度亦為重要。具體而言，表面處理前之銅箔之TD的表面粗糙度(Rz)為0.20~0.80μm，較佳為0.20~0.50μm，壓延方向(MD)在入射角60度之光澤度為350~800%，較佳為500~800%，進而若較習知 之表面處理提高電流密度，並縮短表面處理時間，則可減小進行表面處理後的表面粗糙度Rz。作為此種銅箔，可藉由如下方法而製作，即，調整壓延油之油膜當量而進行壓延(高光澤壓延)、或進行如化學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨、又，添加特定之添加劑而製造電解銅箔。如此，將處理前之銅箔之TD的表面粗糙度(Rz)與光澤度設為上述範圍，藉此可易於控制處理後之銅箔的表面粗糙度(Rz)。
又，關於表面處理前之銅箔，MD之60度光澤度較佳為500~800%，更佳為501~800%，更佳為510~750%。若表面處理前之銅箔之MD的60度光澤度未達500%，則有Rz高於500%以上的情形之虞，若超過800%，則有產生難以製造的問題之虞。
再者，高光澤壓延可藉由將以下之式中規定之油膜當量設為13000~18000而進行。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(穿透速度[mpm]+輥周邊速度[mpm])}/{(輥之咬入角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]為40℃之動黏度。
為了將油膜當量設為13000~18000，只要使用低黏度之壓延油，或使用減緩穿透速度等公知之方法即可。
又，表面粗糙度Rz以及光澤度成為上述範圍之電解銅箔可藉由以下方法製作。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm.
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用以下之化學式的胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2係選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基組成之一群中者)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速度：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘(根據析出之銅厚、電流密度進行調整)
[附載體銅箔]
作為本發明另一實施形態之附載體銅箔於載體之一面或兩面，依序具有中間層、及極薄銅層。並且，上述極薄銅層為上述本發明一實施形態之表面處理銅箔。
<載體>
可於本發明中使用之載體典型地為金屬箔或樹脂膜，例如係以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不鏽鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜(例如聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚醯胺膜、聚酯膜、氟樹脂膜等)之形態提供。
作為可於本發明中使用之載體，較佳為使用銅箔。其原因在於：銅箔 由於導電率高，故而容易形成其後之中間層、極薄銅層。載體典型地以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。通常，電解銅箔係利用硫酸銅鍍浴於鈦或不鏽鋼之轉筒上，使銅電解析出而製造，壓延銅箔係反覆進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔之材料，除精銅或無氧銅等高純度之銅以外，例如亦可使用摻Sn銅、摻Ag銅、如添加有Cr、Zr或Mg等銅合金、添加有Ni及Si等卡遜系銅合金之銅合金。
對本發明中可使用之載體的厚度亦並無特別限制，只要適當調節為於發揮作為載體之作用方面適合的厚度即可，例如可設為5μm以上。但是，若過厚則生產成本增高，因此通常較佳為設為35μm以下。因此，載體之厚度典型地為12~70μm，更典型地為18~35μm。
又，關於本發明中使用之載體，可藉由以如下方式控制形成有中間層之側的表面粗糙度Rz以及光澤度，而控制進行了表面處理後之極薄銅層表面的表面粗糙度Rz以及光澤度。
對本發明中使用之載體，預先控制中間層形成前之載體其形成有中間層之側之表面之TD的粗糙度(Rz)及光澤度亦為重要。具體而言，中間層形成前之載體之TD的表面粗糙度(Rz)為0.20~0.80μm，較佳為0.20~0.50μm，壓延方向(MD)在入射角60度之光澤度為350~800%，較佳為500~800%。作為此種銅箔，可藉由如下方法而製作，即，調整壓延油之油膜當量而進行壓延(高光澤壓延)、或進行如化學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨、又，添加特定之添加劑而製造電解銅箔。如此，將處理前之銅箔之TD的表面粗糙度(Rz)與光澤度設為上述範圍，藉此可易於控制處理後之銅箔的表面粗糙度(Rz)。
又，關於中間層形成前之載體，MD之60度光澤度較佳為500~800%，更佳為501~800%，更佳為510~750%。若表面處理前之銅箔之MD的60度光澤度未達500%，則有Rz高於500%以上的情形之虞，若超 過800%，則有產生難以製造的問題之虞。
再者，高光澤壓延可藉由將以下之式中規定之油膜當量設為13000~18000而進行。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(穿透速度[mpm]+輥周邊速度[mpm])}/{(輥之咬入角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]為40℃之動黏度。
為了將油膜當量設為13000~18000，只要使用低黏度之壓延油，或使用減緩穿透速度等公知之方法即可。
又，表面粗糙度Rz以及光澤度成為上述範圍之電解銅箔可藉由以下方法而製作。可使用該電解銅箔作為載體。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1((雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用以下之化學式的胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2係選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷 基、不飽和烴基、烷基組成之一群中者)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速度：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘(根據析出之銅厚、電流密度進行調整)
再者，亦可於與載體之設置有極薄銅層之側的表面為相反側的表面設置粗化處理層。可使用公知之方法設置該粗化處理層，亦可藉由上述粗化處理而設置。於與載體之設置有極薄銅層之側的表面為相反側的表面設置粗化處理層，於自該具有粗化處理層之表面側將載體積層於樹脂基板等支持體時，具有載體與樹脂基板不易剝離之優點。
<中間層>
於載體上設置有中間層。亦可於載體與中間層之間設置其他層。本發明中所用之中間層只要為如下構成，則並無特別限定，：於將附載體銅箔積層於絕緣基板之步驟前，極薄銅層不易自載體剝離，另一方面，於積層於絕緣基板之步驟後，極薄銅層可自載體剝離。例如，本發明之附載體銅箔的中間層亦可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、及有機物組成之群中一種或二種以上。又，中間層亦可為複數層。
又，例如，中間層可藉由如下方式構成：自載體側形成由選自由以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種元素構成的單一金屬層，或由選自由以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素構成的合金層，於其上形成由選自由以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素的水合物或氧化物構成之層。
又，例如，中間層可藉由如下方式構成，即，自載體側形成選自由以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種元素構成之單一金屬層、或選自由以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素構成之合金層，於其上形成選自由以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種元素構成之單一金屬層、或選自由以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素構成的合金層。
又，中間層中，作為上述有機物，可使用公知之有機物，又，較佳為使用含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸之任一種以上。例如，作為具體之含氮有機化合物，較佳為使用作為具有取代基之三唑化合物之1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有機化合物較佳為使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、硫氰尿酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作為羧酸，尤佳為使用單羧酸，其中較佳為使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。
又，例如，中間層可於載體上依序積層鎳層、鎳-磷合金層或鎳-鈷合金層、及含鉻層而構成。由於鎳與銅之接合力高於鉻與銅之接合力，因此於剝離極薄銅層時，於極薄銅層與含鉻層之界面進行剝離。又，對中間層之鎳期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散的阻隔效果。中間層中鎳之附著量較佳為100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且未達1000μg/dm2，中間層中鉻之附著量較佳為5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。於僅於單面設置中間層之情形時，較佳為於載體之相反面設置鍍Ni層等防銹層。上述中間層之鉻層可藉由鍍鉻 或鉻酸鹽處理而設置。
若中間層之厚度變得過大，則有中間層之厚度對進行了表面處理後之極薄銅層表面的表面粗糙度Rz以及光澤度造成影響的情況，因此極薄銅層之表面處理層表面之中間層的厚度較佳為1~1000nm，較佳為1~500nm，較佳為2~200nm，較佳為2~100nm，更佳為3~60nm。再者，中間層亦可設置於載體之雙面。
<極薄銅層>
於中間層之上設置有極薄銅層。亦可於中間層與極薄銅層之間設置其他層。具有該載體之極薄銅層為作為本發明一實施形態之表面處理銅箔。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常薄於載體，例如為12μm以下。典型地為0.5~12μm，更典型地為1.5~5μm。又，於在中間層之上設置極薄銅層前，為了減少極薄銅層之針孔(pinhole)，亦可進行利用銅-磷合金之打底鍍敷(strike plating)。打底鍍敷可列舉焦磷酸銅鍍敷液等。再者，極薄銅層亦可設置於載體之雙面。
又，本申請案之極薄銅層係以下述條件形成。其係為了藉由形成平滑之極薄銅層，而控制極薄銅層表面的表面粗糙度Rz以及光澤度。
．電解液組成
銅：80~120g/L
硫酸：80~120g/L
氯：30~100ppm
調平劑1((雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用以下之化學式的胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2係選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基組成之一群中者)
．製造條件
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~65℃
電解液線速度：1.5~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘(根據析出之銅厚、電流密度進行調整)
[表面處理表面上之樹脂層]
於本發明之表面處理銅箔的表面處理表面之上亦可具備有樹脂層。上述樹脂層亦可為絕緣樹脂層。再者，於本發明之表面處理銅箔中，所謂「表面處理表面」，於粗化處理後，進行了用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理之情形時，係指進行了該表面處理後之表面處理銅箔的表面。又，於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層的情形時，所謂「表面處理表面」，於粗化處理後，進行了用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理之情形時，係指進行了該表面處理後之極薄銅層的表面。
上述樹脂層可為接合劑，亦可為接合用之半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包括即便以手指接觸其表面亦無黏著感，可使該絕緣樹脂層重疊而保管，進而若受到加熱 處理則產生硬化反應之狀態。
上述樹脂層可為接合用樹脂、即接合劑，亦可為接合用之半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包括即便以手指接觸其表面亦無黏著感，可使該絕緣樹脂層重疊而保管，進而若受到加熱處理則產生硬化反應之狀態。
又，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述樹脂層可含有熱塑性樹脂。上述樹脂層可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，上述樹脂層例如可使用國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國 際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號中記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
又，關於上述樹脂層，其種類並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉包含選自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、胺酯(urethane)樹脂、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、羧酸之酸酐、多元羧酸之酸酐、具有可交聯之官能基的線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯苯基)丙烷、含磷酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-環氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯基丁醛、苯氧基、高分子環氧樹脂、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂之群中一種以上樹脂。
又，上述環氧樹脂係分子內具有2個以上之環氧基者，只要為可用於電子材料用途者，則可並無特別問題地使用。又，上述環氧樹脂較佳為使用分子內具有2個以上環氧丙基之化合物而進行環氧化的環氧樹脂。又，可將選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環 氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、環氧丙胺型環氧樹脂、異氰尿酸三環氧丙酯、N,N-二環氧丙基苯胺等環氧丙胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯等環氧丙酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂之群中一種或兩種以上混合而使用，或可使用上述環氧樹脂之氫化體或鹵化體。
作為上述含磷環氧樹脂，可使用公知之含有磷的環氧樹脂。又，上述含磷環氧樹脂較佳為例如以源自分子內具備2個以上之環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物的形式獲得之環氧樹脂。
(於樹脂層含有介電體(介電體填料)之情形時)
上述樹脂層亦可含有介電體(介電體填料)。
於在上述任一種樹脂層或樹脂組成物中含有介電體(介電體填料)之情形時，可用於形成電容器層之用途，而增大電容器電路之電容。該介電體(介電體填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3．PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦(perovskite)結構之複合氧化物的介電體粉。
介電體(介電體填料)亦可為粉狀。於介電體(介電體填料)為粉狀之情形時，該介電體(介電體填料)之粉體特性，較佳為粒徑為0.01μm~3.0μm、較佳為0.02μm~2.0μm之範圍者。再者，於利用掃描型電子顯微鏡(SEM)對介電體拍攝照片，於該照片上之介電體的粒子之上劃出直線的情形時，將橫穿介電體粒子之直線之長度最長部分的介電體粒子之長度設為該介電體粒子之直徑。並且，將測定視野中介電體之粒子直徑的平均值設為介電體之粒徑。
將上述樹脂層中所含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、 N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基賽珞蘇、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，例如藉由輥式塗佈法等將其塗佈於上述表面處理銅箔的粗化處理表面之上，繼而，視需要進行加熱乾燥去除溶劑而設為B階段狀態。乾燥例如使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃、較佳為130~200℃即可。可使用溶劑溶解上述樹脂層之組成物，而製成樹脂固形物成分3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。再者，就環境之觀點而言，於現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑來進行溶解。再者，溶劑較佳為使用沸點為50℃~200℃之範圍的溶劑。
又，上述樹脂層較佳為依據MIL標準(美國軍用標準)中MIL-P-13949G而進行測定時之樹脂溢流量位於5%~35%的範圍之半硬化樹脂膜。
於本案說明書中，所謂樹脂溢流量，係依據MIL標準中MIL-P-13949G，自附有將樹脂厚度設為55μm之樹脂的表面處理銅箔取樣4片10cm見方之試樣，於使該4片試樣重疊之狀態(積層體)下，於加壓溫度171℃、加壓壓力14kgf/cm2、加壓時間10分鐘之條件下進行貼合，根據測定此時之樹脂流出重量的結果並根據數1而算出之值。
具備上述樹脂層之表面處理銅箔(附有樹脂之表面處理銅箔)係以如下態樣使用，即，於使其樹脂層與基材重疊後將整體熱壓合而使該樹脂層熱硬化，繼而於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層的情形時，將載體剝離而使極薄銅層露出(當然露出部分為該極薄銅層之中間層 側之表面)，自與表面處理銅箔經粗化處理之側為相反側的表面形成特定之配線圖案。
若使用該附有樹脂之表面處理銅箔，則可減少多層印刷配線基板之製造時預浸材料的使用片數。並且，即便將樹脂層之厚度設為如可確保層間絕緣之厚度、或完全未使用預浸材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可於基材之表面將絕緣樹脂底塗(undercoat)而進一步改善表面之平滑性。
再者，於未使用預浸材料之情形時，可節約預浸材料之材料成本，且亦簡化積層步驟，因此於經濟方面有利，並且，有製造之多層印刷配線基板厚度變薄如預浸材料之厚度程度，而可製造1層之厚度為100μm以下之極薄的多層印刷配線基板之優點。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則接合力下降，於不介隔預浸材料而將該附有樹脂之表面處理銅箔積層於具備有內層材料的基材時，具有難以確保與內層材料之電路之間的層間絕緣之情況。另一方面，若使樹脂層之厚度厚於120μm，則具有難以藉由1次塗佈步驟而形成目標厚度之樹脂層，而花費額外之材料費與工時，因此於經濟方面變得不利之情況。
再者，於將具有樹脂層之表面處理銅箔用於製造極薄之多層印刷配線板之情形時，為了減小多層印刷配線板之厚度，較佳為將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm，更佳為設為0.5μm~5μm，更佳為設為1μm~5μm。
以下，示出若干使用有本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造步驟之例。
於本發明之印刷配線板之製造方法一實施形態中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基 板積層；於以使極薄銅層側與絕緣基板對向之方式積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，經過剝離上述附載體銅箔之載體的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中任一方法而形成電路。絕緣基板亦可設為具有內層電路者。
於本發明中，所謂半加成法，係指於絕緣基板或銅箔籽晶層上進行薄無電電鍍，於形成圖案後，使用電鍍及蝕刻而形成導體圖案之方法。
因此，於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法一實施形態中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂中設置對穿孔(through hole)或/及盲孔(blind via)；對含有上述對穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於上述樹脂及含有上述對穿孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層；於上述無電電鍍層之上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，去除形成有電路之區域的鍍敷阻劑；於去除上述鍍敷阻劑之形成有上述電路的區域中設置電鍍層；去除上述鍍敷阻劑；藉由快速蝕刻等去除位於形成有上述電路之區域以外之區域的無電電鍍層。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法另一實施形態中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂之表面設置無電電鍍層；於上述無電電鍍層之上 設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，去除形成有電路之區域的鍍敷阻劑；於去除上述鍍敷阻劑之形成有上述電路之區域中設置電鍍層；去除上述鍍敷阻劑；藉由快速蝕刻等去除位於形成有上述電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層。
於本發明中，所謂改良半加成法，係指如下方法，即，於絕緣層上積層金屬箔，藉由鍍敷阻劑保護非電路形成部，藉由電鍍增加電路形成部之銅厚後，去除阻劑，藉由(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路。
因此，於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法一實施形態中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置對穿孔或/及盲孔；對含有上述對穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對含有上述對穿孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層表面設置鍍敷阻劑；於設置上述鍍敷阻劑後，藉由電鍍形成電路；去除上述鍍敷阻劑；藉由快速蝕刻去除因去除上述鍍敷阻劑而露出之極薄銅層。
又，於上述樹脂層上形成電路之步驟亦可為於上述樹脂層上自極薄銅層側貼合其他附載體銅箔，使用貼合於上述樹脂層之附載體銅箔而形成上述電路之步驟。又，貼合於上述樹脂層上之其他附載體銅箔亦可為本發明之附載體銅箔。又，於上述樹脂層上形成電路之步驟亦可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法任一方法進行。又，於上述表面形成電路之附載體銅箔可於該附載體銅箔的載體之表面具有基板或樹脂層。
於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法另 一實施形態中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層之上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，去除形成有電路之區域的鍍敷阻劑；於去除上述鍍敷阻劑之形成有上述電路之區域中設置電鍍層；去除上述鍍敷阻劑；藉由快速蝕刻等去除位於形成有上述電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層。
於本發明中，所謂部分加成法，係指如下方法：於設置導體層而成之基板、視需要開出對穿孔或通孔(via hole)用之孔而成之基板上賦予觸媒核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊劑或鍍敷阻劑後，於上述導體電路上，對對穿孔或通孔等藉由無電電鍍處理進行增厚，藉此製造印刷配線板。
因此，於使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法一實施形態中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置對穿孔或/及盲孔；對含有上述對穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對含有上述對穿孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，去除上述極薄銅層及上述觸媒核而形成電路；去除上述蝕刻阻劑；於藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而露出的上述絕緣基板表面，設置阻焊劑或鍍敷阻劑；於未設置上述阻焊劑或鍍敷阻劑之區域中設置無電電鍍層。
於本發明中，所謂減成法，係指如下方法：藉由蝕刻等，選 擇性地去除覆銅積層板上之銅箔之不需要的部分，而形成導體圖案。
因此，於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法一實施形態中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層與絕緣基板設置對穿孔或/及盲孔；對含有上述對穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對含有上述對穿孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層；於上述無電電鍍層之表面設置電鍍層；於上述電鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，去除上述極薄銅層、上述無電電鍍層及上述電鍍層而形成電路；去除上述蝕刻阻劑。
於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法另一實施形態中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置對穿孔或/及盲孔；對含有上述對穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對含有上述對穿孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層；於上述無電電鍍層之表面形成遮罩；於未形成遮罩之上述無電電鍍層之表面設置電鍍層；於上述電鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，去除上述極薄銅層及上述無電電鍍層而形成電路；去除上述蝕刻阻劑。
亦可不進行設置對穿孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
此處，使用圖式詳細地說明使用有本發明之附載體銅箔之印 刷配線板之製造方法的具體例。再者，此處，以具有形成有粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔為例進行說明，但並不限定於此，即便使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔，亦可同樣地實施下述印刷配線板之製造方法。
首先，如圖2-A所示，準備具有於表面形成有粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
繼而，如圖2-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈阻劑，進行曝光、顯影，將阻劑蝕刻為特定之形狀。
繼而，如圖2-C所示，於形成電路用之鍍層後，去除阻劑，藉此形成特定之形狀之電路鍍層。
繼而，如圖3-D所示，以覆蓋電路鍍層之方式(以埋沒電路鍍層之方式)於極薄銅層上設置嵌入樹脂而將樹脂層積層，繼而自極薄銅層側接合其他附載體銅箔(第2層)。
繼而，如圖3-E所示，自第2層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖3-F所示，於樹脂層之特定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
繼而，如圖4-G所示，於盲孔中嵌入銅而形成通孔填充物(via fill)。
繼而，如圖4-H所示，於通孔填充物上，如上述圖2-B及圖2-C般形成電路鍍層。
繼而，如圖4-I所示，自第1層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖5-J所示，藉由快速蝕刻去除兩表面之極薄銅層，而露出樹脂層內之電路鍍層之表面。
繼而，如圖5-K所示，於樹脂層內之電路鍍層上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。以上述方式製作使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
上述其他附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅 箔，可使用習知之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，於圖4-H所示之第2層之電路上，進而可形成1層或複數層電路，亦可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法任一方法進行該等電路形成。
本發明之附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)之方式控制極薄銅層表面之色差。於本發明中，所謂「極薄銅層表面之色差」，表示極薄銅層之表面的色差，或於實施有粗化處理等各種表面處理之情形時，表示其表面處理層表面之色差。即，本發明之附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)之方式控制極薄銅層的粗化處理表面之色差。再者，於本發明之表面處理銅箔中，所謂「粗化處理表面」，於粗化處理後，進行了用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理的情形時，係指進行了該表面處理後之表面處理銅箔(極薄銅層)的表面。又，於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，所謂「粗化處理表面」，於粗化處理後，進行了用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理的情形時，係指進行了該表面處理後之極薄銅層的表面。
(1)極薄銅層表面之式差中，基於JISZ8730之色差△E* ab為45以上。
此處，色差△L、△a、△b係分別以色差計進行測定，添加黑/白/紅/綠/黃/藍，使用基於JIS Z8730之L* a* b表色系統而表示之綜合指標，以△L：黑白、△a：紅綠、△b：黃藍之形式表示。又，△E * ab係使用該等色差以下述式表示。
上述色差可藉由提高極薄銅層形成時之電流密度、降低鍍敷液中之銅濃度、提高鍍敷液之線性流速而進行調整
又，上述色差亦可藉由對極薄銅層之表面實施粗化處理而設置粗化處理層來進行調整。於設置粗化處理層之情形時，可藉由使用含有選自由銅 及鎳、鈷、鎢、鉬組成之群中一種以上之元素的電解液，較習知提高電流密度(例如40~60A/dm2)，並縮短處理時間(例如0.1~1.3秒鐘)而進行調整。於在極薄銅層之表面未設置粗化處理層之情形時，可藉由如下方式達成，即，使用將Ni之濃度設為其他元素之2倍以上之鍍浴，於極薄銅層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面，對Ni合金鍍敷(例如Ni-W合金鍍敷、Ni-Co-P合金鍍敷、Ni-Zn合金鍍敷)，設定與習知相比較低之電流密度(0.1~1.3A/dm2)且長處理時間(20秒鐘~40秒鐘)而進行處理。
極薄銅層表面之式差中，若基於JISZ8730之色差△E* ab為45以上，則例如於在附載體銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比變得鮮明，其結果，視認性變良好而可精度良好地進行電路之位置對準。極薄銅層表面基於JISZ8730之色差△E* ab較佳為50以上，更佳為55以上，進而更佳為60以上。
於對極薄銅層表面之色差進行如上所述之控制的情形時，與電路鍍層之對比變得鮮明，視認性變良好。因此，於如上所述之印刷配線板之例如如圖2-C所示之製造步驟中，可精度良好地於特定之位置形成電路鍍層。又，根據如上所述之印刷配線板之製造方法，由於成為將電路鍍層埋入於樹脂層中之構成，因此於例如如圖5-J所示之利用快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層經樹脂層保護，其形狀得以保持，藉此易於形成微細電路。又，由於電路鍍層經樹脂層保護，因此耐遷移性提高，而良好地抑制電路之配線之導通。因此，易於形成微細電路。又，於如圖5-J及圖5-K所示般藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層之露出面成為自樹脂層凹陷之形狀，因此分別容易於該電路鍍層上形成凸塊，進而於其上形成銅柱，而提高製造效率。
再者，嵌入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸體。例如 可使用含浸有BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或BT樹脂之玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。又，上述嵌入樹脂(resin)可使用本說明書中記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
又，上述第一層中使用之附載體銅箔亦可於該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，第一層中使用之附載體銅箔受到支持，不易產生褶皺，因此具有生產性提高之優點。再者，只要上述基板或樹脂層具有支持上述第一層中使用之附載體銅箔之效果，則可使用所有基板或樹脂層。例如，作為上述基板或樹脂層，可使用本申請案說明書中記載之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔。
可將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側貼合於樹脂基板而製造積層體。樹脂基板只要為具有可應用於印刷配線板等之特性者，則並不受特別限制，例如，剛性PWB用可使用紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、氟樹脂含浸布、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，可撓性印刷基板(FPC)用可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、氟樹脂及氟樹脂-聚醯亞胺複合材料等。再者，由於液晶聚合物(LCP)之介電損耗小，故而高頻電路用途之印刷配線板較佳為使用液晶聚合物(LCP)膜。
關於貼合之方法，於剛性PWB用之情形時，準備使玻璃布等基材含浸樹脂，使樹脂硬化直至半硬化狀態之預浸體。可藉由使銅箔與預浸體重疊並加熱加壓而進行。於FPC之情形時，經由接合劑、或不使用接合劑而使液晶聚合物或聚醯亞胺膜等基材於高溫高壓下與銅箔積層接 合，或對聚醯亞胺前驅物進行塗佈、乾燥、硬化等，藉此可製造積層板。
本發明之積層體可用於各種印刷配線板(PWB)，並無特別限制，例如，就導體圖案之層數的觀點而言，可用於單面PWB、雙面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料之種類的觀點而言，可用於剛性PWB、可撓性PWB(FPC)、軟硬複合PWB。
[實施例]
準備厚度18μm之壓延銅箔(JX日鑛日石金屬製造之C1100)、或厚度18μm之電解銅箔作為實施例1~35及比較例1~28之銅箔基材。再者，銅箔基材於必要時可藉由上述方法控制表面處理前之表面粗糙度Rz與光澤度。
又，準備以下所記載之附載體銅箔作為實施例36~40之銅箔基材。
對實施例36~38、40，準備厚度18μm之電解銅箔作為載體，對實施例39，準備厚度18μm之壓延銅箔(JX日鑛日石金屬製造之C1100)作為載體。並且，於下述條件下，於載體之表面形成中間層，於中間層之表面形成極薄銅層。再者，載體於必要時可藉由上述方法控制形成中間層之側的表面中間層形成前之表面的表面粗糙度Rz與光澤度。
．實施例36
<中間層>
(1)Ni層(鍍Ni)
對載體，以如下條件於卷對卷(roll to roll)型之連續鍍敷生產線上進行電鍍，藉此形成1000μg/dm2之附著量的Ni層。將具體之鍍敷條件記載於以下。
硫酸鎳：270~280g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
硼酸：30~40g/L
光澤劑：糖精、丁二醇等
十二基硫酸鈉：55~75ppm
pH值：4~6
浴溫：55~65℃
電流密度：10A/dm2
(2)Cr層(電解鉻酸鹽處理)
繼而，於將(1)中形成之Ni層表面水洗及酸洗後，繼而於卷對卷型之連續鍍敷生產線上，於Ni層之上以如下條件進行電解鉻酸鹽處理，藉此使11μg/dm2之附著量的Cr層附著。
重鉻酸鉀：1~10g/L、鋅：0g/L
pH值：7~10
液溫：40~60℃
電流密度：2A/dm2
<極薄銅層>
繼而，於將(2)中形成之Cr層表面水洗及酸洗後，繼而於卷對卷型之連續鍍敷生產線上，以如下條件進行電鍍，藉此於Cr層之上形成厚度1.5μm之極薄銅層，從而製作附載體極薄銅箔。
銅濃度：90~110g/L
硫酸濃度：90~110g/L
氯化物離子濃度：50~90ppm
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
再者，使用下述胺化合物作為調平劑2。
(上述化學式中，R1及R2係選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基組成之一群中者)
電解液溫度：50~80℃
電流密度：100A/dm2
電解液線速度：1.5~5m/sec
．實施例37
<中間層>
(1)Ni-Mo層(鎳鉬合金鍍敷)
對載體，以如下條件於卷對卷型之連續鍍敷生產線上進行電鍍，藉此形成3000μg/dm2之附著量的Ni-Mo層。將具體之鍍敷條件記載於以下。
(液體組成)硫酸Ni六水合物：50g/dm3，鉬酸鈉二水合物：60g/dm3，檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒鐘
<極薄銅層>
於(1)中形成之Ni-Mo層之上形成極薄銅層。除將極薄銅層之厚度設為2μm以外，以與實施例36同樣之條件形成極薄銅層。
．實施例38
<中間層>
(1)Ni層(鍍Ni)
以與實施例36相同之條件形成Ni層。
(2)有機物層(有機物層形成處理)
繼而，於將(1)中形成之Ni層表面水洗及酸洗後，繼而以下述條件對Ni層表面噴淋含有濃度1~30g/L之羧基苯并三唑(CBTA)之液溫40℃、pH值5之水溶液20~120秒鐘而進行噴霧，藉此形成有機物層。
<極薄銅層>
於(2)中形成之有機物層之上形成極薄銅層。除將極薄銅層之厚度設為3μm以外，以與實施例36同樣之條件形成極薄銅層。
．實施例39、40
<中間層>
(1)Co-Mo層(鈷鉬合金鍍敷)
對載體，以如下條件於卷對卷型之連續鍍敷生產線上進行電鍍，藉此形成4000μg/dm2之附著量的Co-Mo層。將具體之鍍敷條件記載於以下。
(液體組成)硫酸Co：50g/dm3，鉬酸鈉二水合物：60g/dm3，檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒鐘
<極薄銅層>
於(1)中形成之Co-Mo層之上形成極薄銅層。除將極薄銅層之厚度於實施例39中設為5μm、於實施例40中設為3μm以外，以與實施例36同樣之條件形成極薄銅層。
繼而，關於實施例1~40及比較例1~28中準備之壓延銅箔、電解銅箔、附載體銅箔，於表1~3所示之條件下進行鍍敷作為表面處理。表1表示各液1~11之液體組成、pH值、溫度、電流密度。表2及表3表示藉由記載之浴組成及時間依序進行鍍敷處理1~4。再者，於該鍍敷後，藉由Zn、Ni或該等之合金鍍敷、及鉻酸鹽處理確保耐熱性，進而藉由塗佈胺基系矽烷而提高剝離強度。
胺基系矽烷之塗佈條件如下所述。
．胺基系矽烷：N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷
．矽烷濃度：5.0vol%(剩餘部分：水)
．處理溫度：45~55℃
．處理時間：5秒鐘
．矽烷處理後之乾燥：100℃×3秒鐘
再者，實施例5、11、18、20、21、25、26、27、31、34、40、比較例27之表面處理相當於平滑鍍敷處理(非粗化處理之表面處理)，此外之實施例及比較例中的表面處理相當於粗化處理。
對於以上述方式製作之實施例及比較例之各樣品，如下所述般進行各種評價。
<附著量之測定>
對於測定表面處理層之各種金屬的附著量，係使50mm×50mm之銅箔表面之皮膜溶解於混合有HNO3(2重量%)與HCl(5重量%)之溶液中，藉由ICP發光分光分析裝置(SII NanoTechnology股份有限公司製造，SFC- 3100)將該溶液中之金屬濃度定量，算出每單位面積之金屬量(μg/dm2)而導出。此時，為了不使與欲進行測定之面為相反面的金屬附著量混入，視需要進行遮蔽，並進行分析。再者，測定係對實施了上述Zn、Ni或該等之合金鍍敷、及鉻酸鹽處理、進而胺基系矽烷處理後之樣品進行。
<表面粗糙度Rz之測定>
使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計SP-11，依據JIS B0601-1994而對表面處理面測定十點平均粗糙度。於測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、截斷值0.25mm、進給速度0.1mm/秒鐘之條件下變更測定位置，進行10次，求出10次測定之值。
<傳輸損耗之測定>
對18μm厚之各樣品，將該各樣品經表面處理之側與市售之液晶聚合物樹脂(可樂麗股份有限公司製造之Vecstar CTZ-50μm)貼合後，以利用蝕刻使特性阻抗成為50Ω之方式形成微波傳輸帶線路，使用HP公司製造之網路分析儀HP8720C測定穿透係數，而求出頻率20GHz及頻率40GHz之傳輸損耗。作為頻率20GHz之傳輸損耗的評價，將未達3.7dB/10cm評價為◎，將3.7dB/10cm以上且未達4.1dB/10cm評價為○，將4.1dB/10cm以上且未達5.0dB/10cm評價為△，將5.0dB/10cm以上評價為×。再者，對附載體銅箔，於將極薄銅層經表面處理之側與上述市售之液晶聚合物樹脂(可樂麗股份有限公司製造之Vecstar CTZ-50μm)貼合後，將載體剝離，然後，對極薄銅層進行鍍銅，使極薄銅層與鍍銅層之合計厚度成為18μm。然後，進行與上述同樣之測定。
<接合性>
首先，對設置有被覆層(表面處理層)之銅箔，藉由真空加熱加壓將市售之液晶聚合物樹脂(可樂麗股份有限公司製造之Vecstar CTZ-50μm)之液晶聚合物膜接合。
繼而，對積層有液晶聚合物之銅箔，依據90°剝離法(JIS C 6471 8.1)測定剝離強度。再者，對附載體銅箔，藉由真空加熱加壓使極薄銅層之設置有被覆層之側(經表面處理之側)與上述市售之液晶聚合物樹脂(可樂麗股份有限公司製造之Vecstar CTZ-50μm)接合後，將載體剝離，然後，對極薄銅層進行鍍銅，使極薄銅層與鍍銅層之合計厚度成為18μm。然後，進行與上述同樣之測定。
<鹼蝕刻性>
再者，對實施例11與實施例34，對積層有上述液晶聚合物之銅箔進行鹼蝕刻性的調查。
．使用藥液：Meltex股份有限公司製造之A-Process
．溫度：50℃
．攪拌速度：200rpm
其結果，實施例11中，目測確認到於300秒鐘內全部溶解。另一方面，實施例34中，至全部溶解為止需要315秒鐘之時間。因此，可知，實施例11之鹼蝕刻性優異。
將評價結果示於表4及表5中。又，圖1中，表示將x軸設為Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量(μg/dm2)，將y軸設為表面處理面之表面粗糙度Rz(μm)而繪製的實施例及比較例之附著量-表面粗糙度圖表。
(評價結果)
實施例之任一者於將x軸設為表面處理層中Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量(μg/dm2)，將y軸設為表面處理面之表面粗糙度Rz(μm)而繪製之附著量-表面粗糙度圖表中，均位於由x=0、y=0、y=-0.000189x+1.400000、及y=-0.002333x+9.333333之4條直線包圍之區域內，故而將傳輸損耗良好地抑制為4.0dB/10cm以下。進而任一實施例均具有良好之接合性。
另一方面，比較例之任一者均為藉由上述4條直線包圍之區域外，故而傳輸損耗大於4.0dB/10cm而不良。
再者，於本實施例中，使用對厚度18μm之銅箔或附載體銅箔的極薄銅層進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅層之厚度之合計厚度成為18μm的銅箔，如上所述，由於在高頻區域中存在電流僅於導體表面流通之集膚效應的現象，故而銅箔厚度對阻抗控制造成影響，但並未嚴重干預傳輸損耗。因此認為，對18μm以外之厚度的銅箔，藉由控制本發明之粗糙度與表面處理之金屬量，亦可抑制傳輸損耗。

Claims (18)

  1. 一種表面處理銅箔，其形成有表面處理層，於將x軸設為表面處理層中Co、Ni、Fe、Mo之合計附著量(μg/dm2)，將y軸設為表面處理面之表面粗糙度Rz(μm)而繪製的附著量-表面粗糙度圖表中，該表面處理銅箔位於由如下4條直線包圍之區域內，x=0、y=0、y=-0.000189x+1.400000、及y=-0.002333x+9.333333。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，於該附著量-表面粗糙度圖表中，其位於由如下4條直線包圍之區域內，x=0、y=0、y=-0.000183x+1.100000、及y=-0.002200x+7.150000。
  3. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，該表面粗糙度Rz為1.3以下。
  4. 如申請專利範圍第3項之表面處理銅箔，其中，該表面粗糙度Rz為1.0以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其係可撓性印刷配線板用。
  6. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其係5GHz以上之高頻電路基板用。
  7. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其不具有粗化處理層。
  8. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其具有粗化處理層。
  9. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其於該表面處理層之表面 具備樹脂層。
  10. 如申請專利範圍第9項之表面處理銅箔，其中，該樹脂層含有介電體。
  11. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，該極薄銅層為申請專利範圍第1項之表面處理銅箔。
  12. 如申請專利範圍第11項之附載體銅箔，於該載體之一面依序具有該中間層及該極薄銅層，於該載體之另一面具有粗化處理層。
  13. 一種積層板，其係將申請專利範圍第1至12項中任一項之表面處理銅箔與樹脂基板積層而構成。
  14. 一種印刷配線板，其使用有申請專利範圍第13項之積層板作為材料。
  15. 一種印刷電路板，其使用有申請專利範圍第12項之積層板作為材料。
  16. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第14項之印刷配線板或申請專利範圍第15項之印刷電路板。
  17. 一種印刷配線板之製造方法，包括如下步驟：準備申請專利範圍第11或12項之附載體銅箔與絕緣基板；將該附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離該附載體銅箔之載體的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中任一方法而形成電路。
  18. 一種印刷配線板之製造方法，包括如下步驟：於申請專利範圍第11或12項之附載體銅箔的該極薄銅層側表面形成電路； 以埋沒該電路之方式於該附載體銅箔的該極薄銅層側表面形成樹脂層；於該樹脂層上形成電路；於該樹脂層上形成電路後，將該載體剝離；及於將該載體剝離後去除該極薄銅層，藉此而使形成於該極薄銅層側表面之埋沒於該樹脂層的電路露出。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI685000B (zh) * 2015-03-18 2020-02-11 日商大自達電線股份有限公司 可伸縮電路基板

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6023367B1 (ja) * 2015-06-17 2016-11-09 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6687409B2 (ja) * 2016-02-09 2020-04-22 福田金属箔粉工業株式会社 高彩度処理銅箔及び該処理銅箔を用いた銅張積層板並びに該処理銅箔の製造方法
JP7055049B2 (ja) * 2017-03-31 2022-04-15 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、キャリア付銅箔、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法
JP7421208B2 (ja) 2019-12-24 2024-01-24 日本電解株式会社 表面処理銅箔及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4295800B2 (ja) * 2002-05-13 2009-07-15 三井金属鉱業株式会社 電解銅箔
JP4161304B2 (ja) * 2003-02-04 2008-10-08 古河サーキットフォイル株式会社 高周波回路用金属箔
JP2004238647A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Furukawa Techno Research Kk 平滑化銅箔とその製造方法
US7341796B2 (en) * 2004-02-17 2008-03-11 Nippon Mining & Metals Co., Ltd Copper foil having blackened surface or layer
JP2006222185A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Furukawa Circuit Foil Kk ポリイミド系フレキシブル銅張積層板用銅箔、ポリイミド系フレキシブル銅張積層板、及びポリイミド系フレキシブルプリント配線板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI685000B (zh) * 2015-03-18 2020-02-11 日商大自達電線股份有限公司 可伸縮電路基板

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