TW201430504A - 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體 - Google Patents

液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體 Download PDF

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TW201430504A
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佐藤真路
小田中健洋
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    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Abstract

本發明之液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間。液浸構件具備：第1構件，配置在光學構件周圍之至少一部分：第2構件，能與物體對向，能在曝光用光之光路外側移動；以及保護部，係保護光學構件。保護部，係減低光學構件從液浸空間之液體承受之壓力變動。

Description

液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體
本發明係關於液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體。
本申請案主張2012年12月27日申請之美國專利暫時申請61/746,470之優先權，並將其內容援用於此。
微影製程所使用之曝光裝置中，例如有下述專利文獻1所揭示之透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置。
先行技術文獻
[專利文獻1]美國專利第7864292號
液浸曝光裝置中，例如當射出曝光用光之光學構件變動或於液體中產生氣泡(氣體部分)時，即有可能產生曝光不良。其結果，有可能產 生不良元件。
本發明態樣之目的，在於提供一種能抑制曝光不良之發生之液浸構件、曝光裝置、及曝光方法。又，本發明態樣之另一目的，在於提供一種能抑制不良元件之產生之元件製造方法、程式、及記錄媒體。
本發明第1態樣提供一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在光學構件周圍之至少一部分：第2構件，能與物體對向，能在曝光用光之光路外側移動；以及保護部，係保護光學構件；保護部，係減低光學構件從液浸空間之液體承受之壓力變動。
本發明第2態樣提供一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在光學構件周圍之至少一部分：以及第2構件，能與物體對向，能在曝光用光之光路外側移動；第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部；第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面；壁部之最下部配置成與第2上面同高或較第2上面下方處。
本發明第3態樣提供一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在光學構件周圍之至少一部分：以及第2構件，能與物體對向，能在曝 光用光之光路外側移動；第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部；第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面；壁部之最下部配置成與第2下面同高或較第2下面下方處。
本發明第4態樣提供一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在光學構件周圍之至少一部分：以及第2構件，能與物體對向，能在曝光用光之光路外側移動；第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部；第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面；壁部之最下部配置在較第2構件之第2上面上方處；在相對光路之最下部之外側，於第1構件與第2上面之間形成間隙；在與光學構件之光軸平行之方向，最下部與第2上面之距離較間隙之尺寸小。
本發明第5態樣提供一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分：以及第2構件，能與物體對向，能在光路外側移動；第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部；壁部具有最接近光路之第1部位；第2構件具有最接近光路之第2部位；在第2構件之移動期間，第2部位持續配置於相對光路之第1部位之外側。
本發明第6態樣提供一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配 置在光學構件周圍之至少一部分：以及第2構件，能與物體對向，能在曝光用光之光路外側移動；第1構件具有至少一部分能與第2構件對向之第1下面；第1下面，包含第1區域與配置於相對光路之第1區域外側且配置於較第1區域上方之第2區域。
本發明第7態樣提供一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1液體供應部，係供應第1液體；第1構件，配置在光學構件周圍之至少一部分：第2構件，能與物體對向，能在曝光用光之光路外側移動；以及第2液體供應部，係供應第2液體；第2構件，係從與第2液體供應部對向之第1狀態及不對向之第2狀態中之一方變化成另一方。
本發明第8態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備第1至第7態樣中任一個液浸構件。
本發明第9態樣提供一種曝光裝置，係透過第1液體以曝光用光使基板曝光，其具備：光學構件，具有射出曝光用光之射出面；液浸構件，具有配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件、以及能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件；以及保護構件，係保護光學構件；保護構件，係減低光學構件從液浸空間之液體承受之壓力變動。
本發明第10態樣提供一種元件製造方法，包含：使用第8或第9態樣之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。
本發明第11態樣提供一種曝光方法，係透過光學構件之射 出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及保護光學構件之保護部；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以保護部減低光學構件從液浸空間之液體承受之壓力變動的動作。
本發明第12態樣提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面，壁部之最下部配置成與第2上面同高或較第2上面下方處；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第13態樣提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下 面，壁部之最下部配置成與第2下面同高或較第2下面下方處；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第14態樣提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面，壁部之最下部配置在較第2構件之第2上面上方處，在相對光路之最下部之外側，於第1構件與第2上面之間形成間隙，在與光學構件之光軸平行之方向，最下部與第2上面之距離較間隙之尺寸小；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第15態樣提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分的第1構件、能與物體對向且能在光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，壁部具有最接近光路之第1部位，第2構件具有最接近光路之第2部位，在第2構件之移動期間，第2部位持續配置於相對光路之第1部位之外側；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光 的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第16態樣提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與物體對向且能在從射出面之曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有至少一部分能與第2構件對向之第1下面；第1下面，包含第1區域與配置於相對光路之第1區域外側且配置於較第1區域上方之第2區域；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第17態樣提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備供應第1液體之第1液體供應部、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件、能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及供應第2液體之第2液體供應部，第2構件，係從與第2液體供應部對向之第1狀態及不對向之第2狀態中之一方變化成另一方；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第18態樣提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在 能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以保護構件減低光學構件從液浸空間之液體承受之壓力變動的動作。
本發明第19態樣提供一種元件製造方法，包含：使用第11至第18態樣中任一個態樣之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。
本發明第20態樣提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及保護光學構件之保護部；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以保護部減低光學構件從液浸空間之液體承受之壓力變動的動作。
本發明第21態樣提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分 的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面，壁部之最下部配置成與第2上面同高或較第2上面下方處；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第22態樣提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面，壁部之最下部配置成與第2下面同高或較第2下面下方處；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第23態樣提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2 構件之間之壁部，第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面，壁部之最下部配置在較第2構件之第2上面上方處，在相對光路之最下部之外側，於第1構件與第2上面之間形成間隙，在與光學構件之光軸平行之方向，最下部與第2上面之距離較間隙之尺寸小；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第24態樣提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，壁部具有最接近光路之第1部位，第2構件具有最接近光路之第2部位，在第2構件之移動期間，第2部位持續配置於相對光路之第1部位之外側；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第25態樣提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在 從射出面之曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有至少一部分能與第2構件對向之第1下面；第1下面，包含第1區域與配置於相對光路之第1區域外側且配置於較第1區域上方之第2區域；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第26態樣提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備供應第1液體之第1液體供應部、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件、至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及供應第2液體之第2液體供應部，第2構件，係從與第2液體供應部對向之第1狀態及不對向之第2狀態中之一方變化成另一方；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第27態樣提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1 構件移動第2構件的動作；以及以保護構件減低光學構件從液浸空間之液體承受之壓力變動的動作。
本發明第28態樣提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有第20至第27態樣中任一個態樣之程式。
根據本發明之態樣，可抑制曝光不良之發生。又，根據本發明之態樣，可抑制不良元件之產生。
2‧‧‧基板載台
3‧‧‧測量載台
5‧‧‧液浸構件
6‧‧‧控制裝置
7‧‧‧記憶裝置
12‧‧‧射出面
13‧‧‧終端光學元件
16‧‧‧凹部
21‧‧‧第1構件
22‧‧‧第2構件
23‧‧‧第1開口部
24‧‧‧上面
25‧‧‧下面
28‧‧‧第2開口部
29‧‧‧上面
30‧‧‧下面
47‧‧‧部位
48‧‧‧部位
50‧‧‧壁部
211‧‧‧保護部
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明系
K‧‧‧光路
LG‧‧‧界面
LG1‧‧‧第1界面
LG2‧‧‧第2界面
LG3‧‧‧第3界面
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
P‧‧‧基板
SP1‧‧‧第1空間
SP2‧‧‧第2空間
SP3‧‧‧第3空間
圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖2係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。
圖3係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖4係從下方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。
圖5係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖6係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖7係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖8係顯示第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。
圖9係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖10係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。
圖11係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖12係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。
圖13係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖14係顯示第2實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖15係顯示第3實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖16係顯示第4實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖17係顯示第5實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖18係顯示第6實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖19係顯示第7實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖20係顯示第8實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖21係顯示第9實施形態之第1構件之一部分的側視剖面圖。
圖22係顯示第10實施形態之第1構件之一部分的側視剖面圖。
圖23係顯示第11實施形態之第1構件之一部分的側視剖面圖。
圖24係顯示第12實施形態之第1構件之一部分的側視剖面圖。
圖25係顯示第13實施形態之第1構件之一部分的側視剖面圖。
圖26係顯示第14實施形態之第1構件之一部分的側視剖面圖。
圖27係顯示第15實施形態之第1構件之一部分的側視剖面圖。
圖28係顯示第16實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖29係顯示第16實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖30係顯示第17實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖31係顯示第17實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖32係顯示比較例的圖。
圖33係顯示第17實施形態之液浸構件之一例的圖。
圖34係顯示第18實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖35係顯示第18實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖36係顯示第19實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖37係顯示第2開口部之一例的圖。
圖38係顯示基板載台之一例的圖。
圖39係用以說明元件之製造方法之一例的流程圖。
圖40A係顯示液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖40B係顯示液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖40C係顯示液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖40D係顯示液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖41係顯示液浸構件之一部分的側視剖面圖。
以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。以下之說明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。並設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。
<第1實施形態>
說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。於本實施形態，形成有將照射於基板P之曝光用光EL之光路ATL以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間LS係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS之液體LQ以 曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。
又，本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利申請公開第1713113號說明書等所揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。
圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動的光罩載台1、可保持基板P移動的基板載台2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量構件(測量器)C移動的測量載台3、測量基板載台2及測量載台3之位置的測量系統4、以曝光用光EL照明光罩M的照明系IL、將經曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至基板P的投影光學系PL、形成液體LQ之液浸空間LS的液浸構件5、控制曝光裝置EX全體之動作的控制裝置6、以及連接於控制裝置6用以儲存與曝光相關之各種資訊的記憶裝置7。
又，曝光裝置EX，亦具備支承投影光學系PL及包含測量系統4之各種測量系統的基準框架8A、支承基準框架8A的裝置框架8B、配置在基準框架8A與裝置框架8B之間用以抑制振動從裝置框架8B傳遞至基準框架8A的防振裝置10。防振裝置10包含彈簧裝置等。本實施形態中，防振裝置10包含氣體彈簧(例如air mount)。此外，亦可將檢測基板P上之對準標記的檢測系統、或檢測基板P等物體之表面位置的檢測系統支承於基準框架8A。
又，曝光裝置EX，具備調整曝光用光EL行進之空間CS之環境(温度、濕度、壓力及潔淨度中之至少一種)的腔室裝置9。於空間CS，至少配置有投影光學系PL、液浸構件5、基板載台2及測量載台3。本實施形態中，光罩載台1及照明系IL之至少一部分亦配置於空間CS。
光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。
基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可再包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。
照明系IL對照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均勻照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。
光罩載台1能在保持光罩M之狀態下移動。光罩載台1係藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統11之作動而移動。本實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統11之作動，移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統11可不包含平面馬達。例如，驅動系統11可包含線性馬達。
投影光學系PL將曝光用光EL照射於投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置。投影光 學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態中，投影光學系PL為縮小系。投影光學系PL之投影倍率為1/4。又，投影光學系PL之投影倍率亦可以是1/5、或1/8等。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一種。又，投影光學系PL可形成倒立像與正立像之任一種。
投影光學系PL，包含具有曝光用光EL射出之射出面12的終端光學元件13。射出面12朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL。終端光學元件13係投影光學系PL之複數個光學元件中、最接近投影光學系PL之像面的光學元件。投影區域PR包含從射出面12射出之曝光用光EL可照射到之位置。本實施形態中，射出面12朝向-Z軸方向。從射出面12射出之曝光用光EL，行進於-Z軸方向。射出面12與XY平面平行。又，朝向-Z軸方向之射出面12可以是凸面、亦可以是凹面。此外，射出面12可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。本實施形態中，終端光學元件13之光軸AX與Z軸平行。
在與終端光學元件13之光軸AX平行之方向，射出面12側為-Z軸側、入射面側為+Z軸側。在與投影光學系PL之光軸平行之方向，投影光學系PL之像面側為-Z軸側、投影光學系PL之物體面側為+Z軸側。
基板載台2，能在保持有基板P之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。測 量載台3，能在搭載有測量構件(測量器)C之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。基板載台2及測量載台3之各個，能在基座構件14之導引面14G上移動。導引面14G與XY平面實質平行。
又，基板載台2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書、及美國專利申請公開第2008/0049209號說明書等所揭示之將基板P保持成可釋放之第1保持部與配置在第1保持部周圍、將覆蓋構件T保持成可釋放之第2保持部。第1保持部將基板P保持成基板P之表面(上面)與XY平面實質平行。被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面，實質上配置在同一平面內。在Z軸方向，射出面12與被保持於第1保持部之基板P上面之距離，係與射出面12與被保持於第2保持部之覆蓋構件T上面之距離實質上相等。
此外，所謂射出面12與基板P上面之距離係與射出面12與覆蓋構件T上面之距離實質上相等，包含射出面12與基板P上面之距離與射出面12與覆蓋構件T上面之距離之差，在基板P曝光時之射出面12與基板P之上面之距離(所謂工作距離)之例如10%以內。
此外，被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面可以不是配置在同一平面內。例如，在Z軸方向，基板P上面之位置與覆蓋構件T上面之位置亦可相異。例如，基板P上面與覆蓋構件T上面之間亦可具有段差。
此外，亦可覆蓋構件T之上面相對基板P之上面傾斜。覆蓋構件T之上面亦可包含曲面。
基板載台2及測量載台3，係藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統15之作動而移動。驅動系統15具有配置在基板載台2之可動子2C、配置在測量載台3之可動子3C、與配置在基座構件14之固定子14M。基板載台2及測量載台3可分別藉由驅動系統15之作動，在導引面14G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統15可不包含平面馬達。例如，驅動系統15可包含線性馬達。
測量系統4包含干涉儀系統。干涉儀系統包含對基板載台2之測量鏡(mirror)及測量載台3之測量鏡照射測量光，以測量該基板載台2及測量載台3之位置的單元。
又，測量系統可包含例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書所揭示之編碼器系統。此外，測量系統4亦可僅包含干涉儀系統及編碼器系統中之任一方。
實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置6根據測量系統4之測量結果，實施基板載台2(基板P)及測量載台3(測量構件C)之位置控制。
其次，說明本實施形態之液浸構件5。又，亦可將液浸構件稱為嘴(nozzle)構件。圖2係終端光學元件13及液浸構件5之與XZ平面平行的剖面圖。圖3係將圖2之一部分予以放大的圖。圖4從下側(-Z軸側)觀察液浸構件5的圖。
終端光學元件13具有朝向-Z軸方向之射出面12與配置於射出面12周圍之外面131。曝光用光EL從射出面12射出。曝光用光EL 不從外面131射出。曝光用光EL係通過射出面12而不通過外面131。外面131係不射出曝光用光EL之非射出面。本實施形態中，外面131係在相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。
液浸構件5在能於終端光學元件13之下方移動之物體上形成液體LQ之液浸空間LS。
能在終端光學元件13之下方移動之物體，可在包含與射出面12對向之位置的XY平面內移動。該物體能與射出面12對向、能配置於投影區域PR。該物體能在液浸構件5之下方移動、能與液浸構件5對向。
本實施形態中，該物體包含基板載台2之至少一部分(例如基板載台2之覆蓋構件T)、被保持於基板載台2(第1保持部)之基板P、及測量載台3中之至少一者。
於基板P之曝光中，形成一將終端光學元件13之射出面12與基板P間之曝光用光EL之光路ATL被液體LQ充滿之液浸空間LS。形成一在基板P被曝光用光EL照射時，僅包含投影區域PR之基板P之表面部分區域被液體LQ覆蓋之液浸空間LS。
以下之說明中，係設物體為基板P。又，如上所述，物體可以是基板載台2及測量載台3中之至少一方，亦可以是與基板P、基板載台2及測量載台3不同之其他物體。
此外，有液浸空間LS形成為跨於兩個物體之情形。例如，有液浸空間LS形成為跨於基板載台2之覆蓋構件T與基板P之情形。亦有液浸空間LS形成為跨於基板載台2與測量載台3之情形。
液浸空間LS係以從終端光學元件13之射出面12射出之曝 光用光EL之光路ATL被液體LQ充滿之方式形成。液浸空間LS之至少一部分形成在終端光學元件13與基板P(物體)間之空間。又，液浸空間LS之至少一部分形成在液浸構件5與基板P(物體)之間之空間。
液浸構件5，具備配置在曝光用光EL之光路AT周圍之至少一部分之第1構件21、與配置在曝光用光EL之光路AT周圍之至少一部分之第2構件22。第2構件22係能移動之移動構件。
曝光用光EL之光路AT包含在終端光學元件13之曝光用光EL之光路ATO(在終端光學元件13行進之曝光用光EL之光路ATO)。又，曝光用光EL之光路AT包含從射出面12射出之曝光用光EL之光路ATL。亦即，本實施形態中，曝光用光EL之光路AT可係包含在終端光學元件13之曝光用光EL之光路ATO的概念。曝光用光EL之光路AT可係包含射出面12與基板P(物體)間之曝光用光EL之光路ATL的概念。
第1構件21之一部分係配置在終端光學元件13(光路ATO)周圍之至少一部分。第1構件21之一部分配置於光路ATL周圍之至少一部分。
第2構件22之一部分配置於終端光學元件13(光路ATO)及第1構件21周圍之至少一部分。第2構件22之一部分配置於光路ATL周圍。
第1構件21之至少一部分配置於終端光學元件13之下方。終端光學元件13之至少一部分配置於第1構件21上方。
第2構件22之至少一部分配置於第1構件21下方。第1構件21之至少一部分配置於第2構件22上方。第2構件22之至少一部分可 在第1構件21下方移動。第2構件22之至少一部分可在終端光學元件13及第1構件21之下方移動。第2構件22之至少一部分可在第1構件21與基板P(物體)之間移動。
第2構件22可在曝光用光EL之光路AT外側移動。第2構件22之至少一部分可在第1構件21下方於曝光用光EL之光路AT外側移動。
本實施形態中，終端光學元件13實質上不移動。第1構件21亦實質上不移動。第1構件21相對終端光學元件13實質上不移動。
第2構件22可相對終端光學元件13移動。第2構件22可相對第1構件21移動。終端光學元件13與第2構件22之相對位置係變化。第1構件21與第2構件22之相對位置係變化。
第1構件21配置成不與終端光學元件13接觸。於終端光學元件13與第1構件21之間形成間隙。第2構件22配置成不與終端光學元件13及第1構件21接觸。於第1構件21與第2構件22之間形成間隙。第2構件22以不與終端光學元件13及第1構件21接觸之方式移動。
基板P(物體)能隔著間隙與終端光學元件13之至少一部分對向。基板P(物體)能隔著間隙與第1構件21之至少一部分對向。基板P(物體)能隔著間隙與第2構件22之至少一部分對向。基板P(物體)能在終端光學元件13、第1構件21、以及第2構件22之下方移動。
第1構件21之至少一部分係隔著間隙與終端光學元件13對向。本實施形態中，第1構件21之一部分與射出面12對向。第1構件21之一部分隔著間隙配置於射出面12下方。第1構件21之一部分與外面131 對向。第1構件21之一部分隔著間隙配置於外面131周圍之至少一部分。
第2構件22之至少一部分隔著間隙與第1構件21對向。本實施形態中，第2構件22不與終端光學元件13對向。於第2構件22與終端光學元件13之間配置第1構件21。第1構件21配置成不與終端光學元件13及第2構件22對向。
第1構件21包含配置於光路ATL周圍之至少一部分之部分211與配置於終端光學元件13(光路ATO)周圍之至少一部分之部分212。部分212配置於部分211上方。本實施形態中，第1構件21係環狀之構件。第1構件21配置於光路ATL周圍。部分212配置於終端光學元件13(光路ATO)周圍。
第1構件21之部分211之至少一部分配置於終端光學元件13下方。終端光學元件13之至少一部分配置於第1構件21之部分211上方。終端光學元件13配置於較第1構件21之部分211更從基板P(物體)離開之位置。第1構件21之部分211之至少一部分配置於終端光學元件13與基板P(物體)之間。
本實施形態中，第1構件21之部分211之至少一部分能與射出面12對向。亦即，第1構件21之部分211之至少一部分配置於射出面12與基板P(物體)之上面之間。
第1構件21，具有從射出面12射出之曝光用光EL能通過之第1開口部23、上面24、至少一部分與第2構件22對向之下面25、至少一部分與終端光學元件13之外面131對向之內面26、以及在相對光軸AX(光路AT)之放射方向朝向外側之外面27。上面24之至少一部分朝向+Z 軸方向。下面25之至少一部分朝向-Z軸方向。
第1開口部23形成為連結上面24與下面25。上面24配置於第1開口部23之上端周圍。下面25配置於第1開口部23之下端周圍。
上面24能與射出面12之至少一部分對向。上面24係隔著間隙與射出面12之至少一部分對向。部分211包含上面24。
基板P(物體)之表面(上面)能與射出面12及下面25之至少一部分對向。基板P(物體)之表面(上面)能隔著間隙與射出面12及下面25之至少一部分對向。下面25之至少一部分能與第2構件22對向。下面25係隔著間隙與第2構件22對向。部分211包含下面25。
內面26之至少一部分與外面131對向。內面26隔著間隙與外面131對向。內面26之一部分(下部)配置於光路ATL周圍。內面26之一部分(上部)配置於終端光學元件13(光路ATO)周圍。內面26之下端與上面24之外緣連結。部分211包含內面26之一部分(下部)。部分212包含內面26之一部分(上部)。
外面27之至少一部分隔著間隙與第2構件22對向。外面27之下端與下面25之外緣連結。部分211包含外面27之一部分(下部)。部分212包含外面27之一部分(上部)。
第2構件22包含至少一部分配置於第1構件21下方之部分221與至少一部分配置於相對光路AT之第1構件21外側之部分222。部分222配置於相對光路AT之部分221之外側。本實施形態中，第2構件22係環狀之構件。部分221係在第1構件21下方配置於光路ATL周圍。部分222配置於終端光學元件13(光路ATO)及第1構件21周圍。
第1構件21配置於較第2構件22之部分221更從基板P(物體)離開之位置。第2構件22之部分221配置於第1構件21與基板P(物體)之間。第2構件22配置成基板P(物體)能對向。
第2構件22，具有從射出面12射出之曝光用光EL能通過之第2開口部28、至少一部分與第1構件21對向之上面29、基板P(物體)能對向之下面30、以及至少一部分與第1構件21之外面27對向之內面31。上面29之至少一部分朝向+Z軸方向。下面30之至少一部分朝向-Z軸方向。
第2開口部28形成為連結上面29與下面30。上面29配置於第2開口部28之上端周圍。下面30配置於第2開口部28之下端周圍。
上面29能與下面25之至少一部分對向。上面29係隔著間隙與下面25之至少一部分對向。部分221包含上面29。
基板P(物體)之表面(上面)能與下面30對向。基板P(物體)之表面(上面)能隔著間隙與下面30對向。部分221包含下面30。
內面31之至少一部分與外面27對向。內面31係隔著間隙與外面27對向。內面31之一部分(下部)配置於光路ATL周圍。內面31之一部分(上部)配置於第1構件21周圍。內面31之下端與上面29之外緣連結。部分222包含內面31。
圖5係顯示第1開口部23附近之第1構件21(部分211)之剖面圖。
如圖3及圖5所示，上面24包含區域241、以及配置於相對光路AT之區域241之外側之區域242。上面24之至少一部分能與射出面 12對向。
區域242配置於較區域241上方。
終端光學元件13之光軸AX與區域241所構成之角度，係與光軸AX與區域242所構成之角度不同。
區域241相對光軸AX傾斜。區域241係於相對光軸AX之放射方向朝向外側往上方傾斜。
區域242相對光軸AX實質地垂直。亦即，區域242與XY平面實質平行。
於區域241與區域242之間形成角部Ka。
於相對光軸AX之放射方向，區域242之尺寸較區域241之尺寸大。
如圖3及圖5所示，下面25包含區域251、配置於相對光路AT之區域251外側之區域252、配置於相對光路AT之區域252外側之區域253、配置於相對光路AT之區域253外側之區域254、以及配置於相對光路AT之區域254外側之區域255。下面25之至少一部分能與第2構件22之上面29對向。
區域252、區域253、區域254、以及區域255配置於較區域251上方。區域253、區域254、以及區域255配置於較區域252上方。在Z軸方向之區域253之位置(高度)與區域254之位置(高度)與區域255之位置(高度)係實質上相等。
光軸AX與區域251所構成之角度與光軸AX與區域252所構成之角度係相異。光軸AX與區域252所構成之角度與光軸AX與區域253 所構成之角度係相異。光軸AX與區域253所構成之角度與光軸AX與區域254所構成之角度係實質上相等。光軸AX與區域254所構成之角度與光軸AX與區域255所構成之角度係實質上相等。
區域252相對光軸AX傾斜。區域252係於相對光軸AX之放射方向朝向外側往上方傾斜。
本實施形態中，區域251相對光軸AX實質地垂直。亦即，區域251與XY平面實質平行。區域253相對光軸AX實質地垂直。亦即，區域253與XY平面實質平行。區域252係連結區域251與區域253之傾斜區域。於區域251與區域253之間形成段差。
於區域251與區域252之間形成角部Kb。於區域252與區域253之間形成角部Kc。
以下說明中，將在第1構件21之下面25中相對光路AT(光軸AX)之區域251外側之部分適當稱為凹部16。區域252之至少一部分及區域253之至少一部分配置於凹部16內側。第2構件22能與凹部16對向。
區域254及區域255之各個相對光軸AX實質地垂直。亦即，區域254及區域255之各個與XY平面實質平行。
於相對光軸AX之放射方向，區域253之尺寸較區域251之尺寸大。於相對光軸AX之放射方向，區域253之尺寸較區域252之尺寸大。
於區域241與區域251之間形成角部Ks。角部Ks包含區域251之內緣部分。
本實施形態中，區域251係第1構件21之最下部。區域251係第1構件21中最接近基板P(物體)之表面(上面)之部位。
又，區域251包含第1構件21中最接近光路AT(ATL)之部位。本實施形態中，區域251之內緣部分係第1構件21中最接近光路AT之部位。
區域251之內緣部分係規定第1開口部23。區域251之內緣部分配置於第1開口部23周圍。區域251之內緣部分係規定第1開口部23周圍之部位之至少一部分。
圖6係顯示第2開口部28附近之第2構件22(部分221)之剖面圖。
如圖3及圖6所示，上面29包含區域291、以及配置於相對光路AT之區域291之外側之區域292。上面29之至少一部分能與下面25之至少一部分對向。
區域292配置於較區域291上方。
終端光學元件13之光軸AX與區域291所構成之角度，係與光軸AX與區域292所構成之角度不同。
區域291相對光軸AX傾斜。區域291係於相對光軸AX之放射方向朝向外側往上方傾斜。
區域292相對光軸AX實質地垂直。亦即，區域292與XY平面實質平行。
於區域291與區域292之間形成角部Kd。
於相對光軸AX之放射方向，區域292之尺寸較區域291之尺寸大。
區域291面對光路AT(ATL)。亦可將區域291稱為面對光路 AT之第2構件22之端面。
如圖3及圖6所示，下面30包含區域301、配置於相對光路AT之區域301外側之區域302、以及配置於相對光路AT之區域302外側之區域303。下面30能與基板P(物體)之表面(上面)對向。
區域302及區域303配置於較區域301上方。進而，區域303配置於較區域302上方。
光軸AX與區域301所構成之角度與光軸AX與區域302所構成之角度係實質上相等。光軸AX與區域302所構成之角度與光軸AX與區域303所構成之角度係實質上相等。
區域301、區域302、以及區域303之各個相對光軸AX實質地垂直。亦即，區域301、區域302、以及區域303之各個與XY平面實質平行。
於區域291與區域301之間形成角部Kt。角部Kt包含區域301之內緣部分。
本實施形態中，區域301係第2構件22之最下部。區域301係第2構件22中最接近基板P(物體)之表面(上面)之部位。
又，區域301包含第2構件22中最接近光路AT(ATL)之部位。本實施形態中，區域301之內緣部分係第2構件22中最接近光路AT之部位。
區域301之內緣部分係規定第2開口部28。區域301之內緣部分配置於第2開口部28周圍。區域301之內緣部分係規定第2開口部28周圍之部位之至少一部分。
如圖3所示，內面26配置於較上面24上方。內面26之至少一部分係於相對光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。本實施形態中，內面26包含配置於相對光路AT之上面24之外側之區域261、配置於相對光路AT之區域261之外側之區域262、以及配置於相對光路AT之區域262之外側之區域263。內面26之至少一部分能與終端光學元件13之外面131對向。於內面26與外面131之間形成之間隙之尺寸係D3。
區域261與上面24之外緣連結。區域261配置於較上面24上方。區域262配置於較區域261上方。區域263配置於較區域262上方。
光軸AX與區域261所構成之角度與光軸AX與區域262所構成之角度係相異。光軸AX與區域262所構成之角度與光軸AX與區域263所構成之角度係相異。光軸AX與區域261所構成之角度與光軸AX與區域263所構成之角度係實質上相等。
區域261係相對光軸AX傾斜。區域261係於相對光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域263係相對光軸AX傾斜。區域263係於相對光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。
本實施形態中，區域262相對光軸AX實質地垂直。亦即，區域262與XY平面實質平行。於區域261與區域262之間形成角部。於區域262與區域263之間形成角部。於區域261與外面131之間形成之間隙之尺寸為D3。本實施形態中，區域263與外面131之間形成之間隙之尺寸雖較尺寸D3大，但亦可係相同。此情形下，亦可不設置區域262。
如圖3所示，外面27及內面31係與光軸AX實質平行。此外，外面27之至少一部分亦可於相對光軸AX之放射方向朝外側向上方傾 斜。內面31之至少一部分，亦可於相對光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。
包含區域241及區域242之上面24係不能回收液體LQ之非回收區域。上面24之至少一部分能在與終端光學元件13之間保持液體LQ。
下面25之區域251、區域252、區域253、以及區域255係不能回收液體LQ之非回收區域。下面25之區域254係能回收液體LQ之回收區域。下面25之至少一部分能在與基板P(物體)及第2構件22之間保持液體LQ。
包含區域261、區域262、以及區域263之內面26係不能回收液體LQ之非回收區域。內面26之至少一部分能在與終端光學元件13之間保持液體LQ。
包含區域291及區域292之上面29係不能回收液體LQ之非回收區域。上面29之至少一部分能在與第1構件21之間保持液體LQ。
下面30之區域301及區域303係不能回收液體LQ之非回收區域。下面30之區域302係能回收液體LQ之回收區域。上面30之至少一部分能在與基板P(物體)之間保持液體LQ。
如圖2及圖4等所示，於X軸方向，第2開口部28之尺寸較第1開口部23大。於Y軸方向，第2開口部28之尺寸較第1開口部23大。於XY平面內，第2開口部28較第1開口部23大。於XY平面內，於第2開口部28之內側配置光路AT(ATL)及第1構件21之至少一部分。於第1開口部23內側配置光路AT(ATL)。如圖4所示，於XY平面內，第1開口部23係於X軸方向較長之四角形(長方形)狀。第2開口部28亦係於X軸 方向較長之四角形(長方形)狀。
如圖2及圖3等所示，本實施形態中，第1構件21配置成終端光學元件13之光軸AX與第1開口部23之中心實質上一致。在第2構件22配置於終端光學元件13之光軸AX與第2開口部28之中心會實質上一致之原點時，第1開口部23之中心與第2開口部28之中心實質上一致。在第2構件22配置於原點時，規定第2開口部28之第2構件22之內緣(下面30之內緣、區域301之內緣)，係相對光路AT配置於較規定第1開口部23之第1構件21之內緣(下面25之內緣、區域251之內緣)外側。在第2構件22配置於原點時，第2構件22之上面29係與第1構件21對向而不與終端光學元件13對向。
圖7係顯示射出面12、上面24、下面25、上面29、以及下面30之圖。
如圖3及圖7所示，本實施形態中，上面24配置於射出面12下方。下面25配置於射出面12及上面24下方。上面29配置於射出面12、上面24、及下面25下方。下面30配置於射出面12、上面24、下面25、以及上面29下方。
以下說明中，將包含射出面12與基板P(物體)間之光路ATL之空間適當稱為光路空間SPK。光路空間SPK包含射出面12與基板P(物體)間之空間、以及射出面12與上面24間之空間。
又，將下面25與上面29間之空間適當稱為第1空間SP1。
又，將下面30與基板P(物體)之上面間之空間適當稱為第2空間SP2。
又，將外面131與內面26間之空間適當稱為第3空間SP3。
於Z軸方向，光路空間SPK之尺寸(射出面12與基板P之上面之間隙之尺寸)Dk，較第2空間SP2之尺寸(下面30與基板P之上面之間隙之尺寸)D2大。
於Z軸方向，第1空間SP1之尺寸(下面25與上面29之間隙之尺寸)D1較第2空間SP2之尺寸D2小。
此外，於Z軸方向，第1空間SP1之尺寸D1亦可與第2空間SP2之尺寸D2實質上相等，亦可較第2空間SP2之尺寸D2大。
區域251配置於較上面29上方(+Z側)。區域252配置於較上面29及區域251上方(+Z側)。在與終端光學元件13之光軸AX平行之Z軸方向，區域251與上面29之距離G1a較區域252與上面29之距離G1b小。
本實施形態中，上面24側之空間(射出面12與上面24間之空間)與下面25側之空間(下面25與基板P之上面間之空間)係透過第1開口部23連結。液體LQ能透過第1開口部23從上面24側之空間及下面25側之空間之一方往另一方流通。
光路空間SPK與第1空間SP1，係透過下面25之內緣與上面29之內緣間之開口32(第2開口部28)連結。液體LQ能透過開口32從光路空間SPK及第1空間SP1之一方往另一方流通。
光路空間SPK與第2空間SP2，係透過下面25之內緣與基板P之上面間之開口33連結。液體LQ能透過開口33從光路空間SPK及第2空間SP2之一方往另一方流通。
光路空間SPK與第3空間SP3，係透過外面131之下端與內面26之下端間之開口34連結。液體LQ能透過開口34從光路空間SPK及第3空間SP3之一方往另一方流通。
第1空間SP1與第2空間SP2，係透過第2開口部28(開口32)連結。液體LQ能透過第2開口部28從第1空間SP1及第2空間SP2之一方往另一方流通。
第1空間SP1之光路AT側之一端，係透過開口32與光路空間SPK連結。第1空間SP1之從光路AT離開之另一端，係透過下面25之外緣與上面29間之開口35、以及外面27與內面31之間隙與液浸構件5周圍之空間CS連結。第1空間SP1係透過開口35及外面27與內面31之間隙往液浸構件5外部之空間(環境氣體)CS開放。在空間CS為大氣壓時，第1空間SP1係開放至大氣。
第2空間SP2之光路AT側之一端，係透過開口33與光路空間SPK連結。第2空間SP2之從光路AT離開之另一端，係透過下面30之外緣與基板P(物體)上面間之開口36與液浸構件5周圍之空間CS連結。第2空間SP2係透過開口36往液浸構件5外部之空間(環境氣體)CS開放。在空間CS為大氣壓時，第2空間SP2係開放至大氣。
第3空間SP3之光路AT側之一端(下端)，係透過開口34與光路空間SPK連結。第3空間SP3之從光路AT離開之另一端(上端)，係透過外面131與內面26間之開口37與液浸構件5周圍之空間CS連結。第3空間SP3係透過開口37往液浸構件5外部之空間(環境氣體)CS開放。在空間CS為大氣壓時，第3空間SP3係開放至大氣。
本實施形態中，從上面29側之第1空間SP1及下面30側之第2空間SP2之一方往另一方之不透過第2開口部28之液體LQ之移動受到抑制。第1空間SP1與第2空間SP2係被第2構件22分隔。第1空間SP1之液體LQ能透過第2開口部28移動至第2空間SP2。第1空間SP1不透過第2空間SP2即無法移動至第2空間SP2。存在於相對光路AT較第2開口部28外側之第1空間SP1的液體LQ無法移動至第2空間SP2。第2空間SP2之液體LQ能透過第2開口部28移動至第1空間SP1。第2空間SP2不透過第2空間SP2即無法移動至第1空間SP1。存在於相對光路AT較第2開口部28外側之第2空間SP2的液體LQ無法移動至第1空間SP1。亦即，本實施形態中，液浸構件5除了第2開口部28以外，不具有將第1空間SP1與第2空間SP2流體地連接之流路。
本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分形成於第2構件22與基板P(物體)之間。液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分形成於第1構件21與第2構件22之間。液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分形成於終端光學元件13與第1構件21之間。
以下說明中，將形成於第1構件21與第2構件22間之液體LQ之界面LG適當稱為第1界面LG1。將形成於第2構件22與基板P(物體)間之界面LG適當稱為第2界面LG2。將形成於終端光學元件13與第1構件21間之界面LG適當稱為第3界面LG3。
液浸構件5具備能供應用以形成液浸空間LS之液體LQ之液體供應部41。
液體供應部41配置於較第2構件22之部分221上方。
液體供應部41配置於第1構件21。液體供應部41面對第3空間SP3。液體供應部41以面對第3空間SP3之方式配置於第1構件21之內面26。
液體供應部41包含配置於第1構件21之內面26之開口(液體供應口)。液體供應部41配置成對向於外面131。液體供應部41係對外面131與內面26間之第3空間SP3供應液體LQ。
本實施形態中，液體供應部41配置於光路AT(終端光學元件13)之+X側及-X側。
此外，液體供應部41亦可配置於相對光路AT(終端光學元件13)之Y軸方向，亦可於包含X軸方向及Y軸方向之光路AT(終端光學元件13)周圍配置複數個。液體供應部41亦可係一個。
此外，液體供應部41亦可於第1構件21配置成面對光路空間SPK。例如，亦可將液體供應部41設於內面26之區域261之下端部。
液體供應部(液體供應口)41透過形成於第1構件21內部之供應流路41R與液體供應裝置41S連結。液體供應裝置41S能將潔淨且經溫度調整之液體LQ供應至液體供應部41。液體供應部41係為了形成液浸空間LS而供應來自液體供應裝置41S之液體LQ。
從液體供應部41供應至第3空間SP3之液體LQ之至少一部分係透過開口34供應至光路空間SPK。藉此，光路ATL被液體LQ充滿。又，從液體供應部41供應至光路空間SPK之液體LQ之至少一部分係透過開口32供應至第1空間SP1。又，從液體供應部41供應至光路空間SPK之液體LQ之至少一部分係透過開口33供應至第2空間SP2。
液浸構件5具備能回收液體LQ之液體回收部42與能回收液體LQ之液體回收部43。此外，亦可將液體回收部43稱為流體回收部43。
液體回收部42配置於在相對光軸AX(光路AT)之放射方向之液體供應部41外側。
液體回收部42配置於第1構件21。液體回收部42面對第1空間SP1。液體回收部42於第1構件21之下面25配置成面對第1空間SP1。液體回收部42於第1構件21配置成第2構件22會對向。
液體回收部42包含配置於第1構件21之下面25之開口(液體回收口)。液體回收部42係於第1構件21配置成對向於第2構件22之上面29。液體回收部42係回收下面25與上面29間之第1空間SP1之液體LQ之至少一部分。
液體回收部42配置於下面25之區域(回收區域)254。液體回收部42配置於曝光用光EL之光路AT周圍。液體回收部42配置成包圍光路AT。
此外，液體回收部42亦可在曝光用光EL之光路AT周圍配置有複數個。液體回收部42亦可在光路AT周圍相隔間隔配置有複數個。
本實施形態中，液體回收部42係回收第1空間SP1之液體LQ之至少一部分，不回收第2空間SP2之液體LQ。
液體回收部42(液體回收口)係透過形成於第1構件21內部之回收流路(空間)42R而與液體回收裝置42C連接。液體回收裝置42C能連接液體回收部42與真空系統(未圖示)。液體回收部42能回收第1空間SP1之液體LQ之至少一部分。第1空間SP1之液體LQ之至少一部分能透過液 體回收部42(液體回收口)流入回收流路42R。此外，亦可藉由液體回收部42回收從第3空間SP3流經第1構件21上面並透過第1構件21之外面27與第2構件22之內面31間之空間而流至第2構件22之上面29上的液體LQ。亦即，亦可將液體回收部42作為回收不透過開口23而從第3空間SP3流至第2構件22之下面25上之液體LQ的回收部。當然，亦可將回收來自第3空間SP3之液體LQ之回收部設於第1構件21之上面，亦可設於第2構件22之上面29與內面31之至少一方。
又，將第1構件21之下面25(253等)與第2構件22之上面221間之空間與第3空間SP3連接之流路、以及將第1構件21之外面27與第2構件22之內面31間之空間與第3空間SP3連接之流路之至少一方設於第1構件21，而使液體LQ從第3空間SP3流至第1構件21與第2構件22間之空間。
本實施形態中，液體回收部42包含多孔構件44。液體回收口包含多孔構件44之孔。本實施形態中，多孔構件44包含網孔板(mesh plate)。多孔構件44，具有上面29可對向之下面、面向回收流路42R之上面、以及將下面與上面加以連結之複數個孔。液體回收部42透過多孔構件44之孔回收液體LQ。本實施形態中，下面25之區域(回收區域)254包含多孔構件44之下面。從液體回收部42(多孔構件44之孔)回收之第1空間SP1之液體LQ，流入回收流路42R並流過該回收流路42R後，被回收至液體回收裝置42C。
本實施形態中，透過液體回收部42實質上僅回收液體LQ，而氣體之回收則受到限制。控制裝置6調整多孔構件44之下面側之壓力(第1空間SP1之壓力)與上面側之壓力(回收流路42R之壓力)的差，以使第1空 間SP1之液體LQ通過多孔構件44之孔流入回收流路42R，氣體則不通過多孔構件44之孔。本實施形態中，第1空間SP1與空間CS連結。控制裝置6能控制腔室裝置9來調整第1空間SP1之壓力。控制裝置6能控制液體回收裝置42C來調整回收流路42R之壓力。此外，透過多孔構件僅回收液體之技術之一例，已揭示於例如美國專利第7292313號等中。
此外，亦可透過多孔構件44回收(吸引)液體LQ及氣體之兩方。亦即，液體回收部42可將液體LQ與氣體一起回收。又，液體回收部42之下無液體LQ存在時，可從液體回收部42僅回收氣體。又，亦可不於第1構件21設置多孔構件44。亦即，亦可不透過多孔構件而回收第1空間SP1之流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)。
液體回收部43配置於在相對光軸AX(光路AT)之放射方向之液體供應部41外側。
液體回收部43配置於第2構件22。液體回收部43面對第2空間SP2。液體回收部43於第2構件22之下面30配置成面對第2空間SP2。液體回收部43於第2構件22配置成基板P(物體)會對向。
液體回收部43包含配置於第2構件22之下面25之開口(液體回收口)。液體回收部43係於第2構件22配置成對向於基板P(物體)之上面。液體回收部43係回收下面30與基板P(物體)之上面間之第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。
液體回收部43配置於下面30之區域(回收區域)302。液體回收部43配置於曝光用光EL之光路AT周圍。液體回收部43配置成包圍光路AT。
此外，液體回收部43亦可在曝光用光EL之光路AT周圍配置有複數個。液體回收部43亦可在光路AT周圍相隔間隔配置有複數個。
本實施形態中，液體回收部43係回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分，不回收第1空間SP1之液體LQ。
液體回收部43(液體回收口)係透過形成於第2構件22內部之回收流路(空間)43R而與液體回收裝置43C連接。液體回收裝置43C能回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。第2空間SP2之液體LQ之至少一部分能透過液體回收部43(液體回收口)流入回收流路43R。
本實施形態中，液體回收部43包含多孔構件45。液體回收口包含多孔構件45之孔。本實施形態中，多孔構件45包含網孔板(mesh plate)。多孔構件45，具有基板P(物體)之上面可對向之下面、面向回收流路43R之上面、以及將下面與上面加以連結之複數個孔。液體回收部43透過多孔構件45之孔回收液體LQ。本實施形態中，下面30之區域(回收區域)302包含多孔構件45之下面。從液體回收部43(多孔構件45之孔)回收之第2空間SP2之液體LQ，流入回收流路43R並流過該回收流路43R後，被回收至液體回收裝置43C。
本實施形態中，係透過液體回收部43回收液體LQ與氣體。換言之，液體回收部43針對存在於第2空間SP2之流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)係進行氣液混合回收。此外，亦可透過多孔構件45僅回收液體LQ而限制氣體之回收。此外，亦可不於第2構件22設置多孔構件45。亦即，亦可不透過多孔構件而回收第2空間SP2之流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)。
本實施形態中，流體回收部43之下面包含多孔構件45之下面。流體回收部43之下面配置於下面30周圍。本實施形態中，流體回收部43之下面與XY平面實質平行。本實施形態中，流體回收部43之下面配置於較下面30更靠+Z側。
此外，流體回收部43之下面與下面30亦可配置於相同平面內(亦可係同一面高)。流體回收部43之下面亦可配置於較下面30更靠-Z側。此外，流體回收部43之下面可相對下面30傾斜、亦可包含曲面。例如，流體回收部43(多孔構件45)之下面可於相對光路AT(光軸AX)之放射方向朝外側向上方傾斜。又，亦可以是流體回收部43(多孔構件45)之下面於第2開口部28之周圍全周其高度(Z軸方向之位置)不同。例如，位於第2開口部28之Y軸方向兩側之流體回收部43(多孔構件45)下面之一部分，可較位於第2開口部28之X軸方向兩側之流體回收部43(多孔構件45)下面之一部分低。例如，亦可將流體回收部43(多孔構件45)下面之形狀設定成在第2構件22之流體回收部43(多孔構件45)之下面與基板P之表面對向時，相對曝光用光之光路K形成在Y軸方向一側之流體回收部43(多孔構件45)之下面與基板P之表面間之間隙尺寸(Z軸方向之距離)，較相對曝光用光之光路K形成在X軸方向一側之流體回收部43(多孔構件45)之下面與基板P之表面間之間隙尺寸(Z軸方向之距離)小。
本實施形態中，回收流路43R相對光路AT(光軸AX)配置於內面31之外側。回收流路43R配置於液體回收部43之上方。藉由第2構件22之移動，第2構件22之流體回收部43及回收流路43R在第1構件21之外面27外側移動。
本實施形態中，係藉由與液體LQ從液體供應部41之供應動作並行，實施液體LQ從液體回收部43之液體LQ回收動作，據以在一側之終端光學元件13及液浸構件5與另一側之基板P(物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS。
又，本實施形態中，係與液體LQ從液體供應部41之供應動作、及液體LQ從液體回收部43之回收動作並行，實施液體從液體回收部42之回收動作。
本實施形態中，第1界面LG1形成在液體回收部42之下面與上面29之間。第2界面LG2形成在液體回收部43與基板P(物體)之上面之間。
本實施形態中，第1界面LG1形成在液體回收部42與上面29之間，第1空間SP1之液體LQ移動至液體回收部42外側之空間(例如外面27與內面31間之空間)的情形受到抑制。外面27與內面31間之空間不存在液體LQ，外面27與內面31間之空間為氣體空間。因此，第2構件22可順暢的移動。
又，本實施形態中，即使液體LQ移動(流出)至相對光路AT之第1空間SP1外側(外面27之外側)，亦可藉由內面31而使該液體LQ移動(流出)至基板P上(第2空間SP2)之情形受到抑制。
本實施形態中，第2構件22係藉驅動裝置46之作動而移動。驅動裝置46，例如含馬達。驅動裝置46能使用羅倫茲力移動第2構件22。驅動裝置46能將第2構件22移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之六個方向。驅動裝置46能相對終端光學元件13及第1構件21移動 第2構件22。驅動裝置46被控制裝置6控制。
第2構件22能移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之至少一個方向。
本實施形態中，第2構件22至少可在與終端光學元件13之光軸AX(Z軸)垂直之XY平面內移動。第2構件22能與XY平面實質平行地移動。
本實施形態中，第2構件22至少可在與終端光學元件13之光軸AX實質垂直之X軸方向移動。以下說明中，第2構件22係於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之六個方向中專於與X軸平行之方向移動。
本實施形態中，第1構件21配置成保護終端光學元件13。第1構件21於光路AT周圍配置成保護終端光學元件13。第1構件21發揮保護終端光學元件13之保護構件之功能。
第1構件21之至少一部分發揮保護終端光學元件13之保護構件之功能。本實施形態中，第1構件21之部分211及部分212之各個發揮保護終端光學元件13之保護構件之功能。
第1構件21之部分211於光路AT周圍配置成保護終端光學元件13之射出面12。部分211之至少一部分以保護射出面12之方式隔著間隙配置於射出面12下方。
第1構件21之部分212於光路ATO(終端光學元件13)周圍配置成保護終端光學元件13之外面131。部分212之至少一部分以保護外面131之方式隔著間隙配置於外面131周圍。
以下說明中，將第1構件21之部分211適當稱為保護部 211，將部分212適當稱為保護部212。
保護部211及保護部212之各個係在光路AT外側配置於終端光學元件13與第2構件22之間。
第1構件21係從第2構件22保護終端光學元件13。第1構件21防止能移動之第2構件22與終端光學元件13之接觸(衝撞)。
第1構件21之至少一部分係減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。第1構件21之至少一部分係抑制終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。第1構件21之至少一部分能消除終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
因在形成有液浸空間LS之狀態下第2構件22移動，作用於終端光學元件13之液體LQ之壓力有可能變動。換言之，因在第2構件22之至少一部分浸於液浸空間LS之液體LQ之狀態下第2構件22移動，作用於終端光學元件13之液體LQ之壓力有可能變動。第1構件21之至少一部分係減低因第2構件22之移動而終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
本實施形態中，第2構件22之部分221之至少一部分係在浸於液浸空間LS之液體LQ之狀態下移動。配置於終端光學元件13與第2構件22之部分221間之第1構件21之部分(保護部)211，係減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
部分(保護部)211形成配置於終端光學元件13與第2構件22(部分221)間之壁部50。壁部50，分隔終端光學元件13與第1構件21(部分211)間之空間及第1構件21(部分211)與第2構件22(部分221)間之空間。
如圖5所示，以下說明中，將包含區域241、區域251、以及區域252之壁部50之一部分適當稱為第1壁部51。將包含區域242及區域253之區域適當稱為第2壁部52。第1壁部51係較角部Ka及角部Kc接近光路AT(ATL)之部分。第1壁部51係較第2壁部52接近光路AT(ATL)之部分。第1壁部51配置於較第2壁部52下方。
又，以下說明中，將保護部211中相當於第1壁部51之部分適當稱為第1保護部2111，將相當於第2壁部52之部分適當稱為第2保護部2112。
本實施形態中，保護部211(壁部50)具有曝光用光EL能通過之第1開口部23。
保護部211包含第1構件21中最接近光路AT(ATL)之部位47。本實施形態中，區域251之內緣部分(角部Ks)係第1構件21中最接近光路AT之部位47。
本實施形態中，部位47係保護部211之最下部。部位47係保護部211中最接近基板P(物體)之表面(上面)之部位。
部位47係隔著間隙配置於射出面12下方。部位47配置於射出面12與基板P(物體)之間。
部位47係規定第1開口部23。部位47配置於第1開口部23周圍。部位47規定第1開口部23周圍之部位之至少一部分。
如圖6所示，部位221具有曝光用光EL能通過之第2開口部28。
部分221包含第2構件22中最接近光路AT(ATL)之部位48。 本實施形態中，區域301之內緣部分(角部Kt)係第2構件22中最接近光路AT之部位48。
本實施形態中，部位48係部分221之最下部。部位48係部分221中最接近基板P(物體)之表面(上面)之部位。
部位48係隔著間隙配置於下面25下方。部位48配置於下面25與基板P(物體)之間。
部位48係規定第2開口部28。部位48配置於第2開口部28周圍。部位48規定第2開口部28周圍之部位之至少一部分。
在第2構件22之移動方向(X軸方向)，第2開口部28之尺寸較第1開口部23之尺寸大。在第2構件22配置於原點之狀態下，第2構件22之部位48係配置於相對光路AT(ATL)之第1構件21之部位47外側。
圖8係顯示第2構件22之動作一例。第2構件22能於在XY平面內規定之可動範圍(移動可能範圍)移動。本實施形態中，第2構件22能於在X軸方向規定之可動範圍移動。圖8係顯示第2構件22在可動範圍中移動至最靠-X側之狀態。
藉由第2構件22之移動，第1構件21之外面27與第2構件22之內面31之間隙尺寸會變化。換言之，藉由第2構件22之移動，外面27與內面31間之空間大小會變化。
在圖8所示之例，藉由第2構件22往-X軸方向移動，相對終端光學元件13在+X側之外面27與內面31之間隙之尺寸會變小(外面27與內面31間之空間會變小)。藉由第2構件22往-X軸方向移動，相對終端光學元件13在-X側之外面27與內面31之間隙之尺寸會變大(外面27 與內面31間之空間會變大)。
藉由第2構件22往+X軸方向移動，相對終端光學元件13在+X側之外面27與內面31之間隙之尺寸會變大(外面27與內面31間之空間會變大)。藉由第2構件22往+X軸方向移動，相對終端光學元件13在-X側之外面27與內面31之間隙之尺寸會變小(外面27與內面31間之空間會變小)。
例如，亦可將第2構件22之可動範圍(移動可能範圍)決定成第1構件21(外側面29)與第2構件22(內側面30)不接觸。
本實施形態中，第2構件22之部位48係相對光路AT(ATL)持續配置於第1構件21之部位47外側。
本實施形態中，即使第2構件22相對第1構件21移動，第2構件22之部位48亦相對光路AT(ATL)持續配置於第1構件21之部位47外側。在可動範圍移動之第2構件22之移動期間，第2構件22之部位48係相對光路AT(ATL)持續配置於第1構件21之部位47外側。
例如，亦可將第2構件22之可動範圍決定成第2構件22之部位48會相對光路AT(ATL)持續配置於第1構件21之部位47外側。
亦可根據以第2構件22之部位48相對光路AT(ATL)持續配置於第1構件21之部位47外側之方式被決定成第1構件21與第2構件22不接觸之第2構件22之可動範圍，來決定在第2構件22之移動方向(X軸方向)之第1開口部23之尺寸及第2開口部28之尺寸之一方或兩方。
亦可根據以第2構件22之部位48相對光路AT(ATL)持續配置於第1構件21之部位47外側之方式在第2構件22之移動方向(X軸方向) 之第1開口部23之尺寸及第2開口部28之尺寸之一方或兩方，來將第2構件22之可動範圍決定成第1構件21與第2構件22不接觸。
如圖8所示，於可動範圍中第2構件22移動至最靠-X側之狀態下，於相對光路AT(光軸AX)之+X側之第1構件21之部位47外側配置第2構件22之部位48。又，於可動範圍中第2構件22移動至最靠-X側之狀態下，於相對光路AT(光軸AX)之-X側之第1構件21之部位47外側配置第2構件22之部位48。
又，於可動範圍中第2構件22移動至最靠+X側之狀態下，於相對光路AT(光軸AX)之-X側之第1構件21之部位47外側配置第2構件22之部位48。又，於可動範圍中第2構件22移動至最靠+X側之狀態下，於相對光路AT(光軸AX)之+X側之第1構件21之部位47外側配置第2構件22之部位48。
保護部211(壁部50)，於移動於可動範圍之第2構件22之移動期間，係於終端光學元件13與第2構件22之間配置成終端光學元件13與第2構件22(部分221)不對向。換言之，於第2構件22移動於可動範圍之移動期間，在終端光學元件13與第2構件22(部分221)之間隨時配置保護部211。保護部211係阻止終端光學元件13與第2構件22(部分221)對向。
本實施形態中，第2構件22(部分221)係在下面25之區域253下方移動。亦即，於相對光軸AX之放射方向，以第2構件22之部位48不移動至較區域253內緣(角部Kc)內側之方式第2構件22之部位48在下面25下方移動。換言之，第2構件22(第2構件22之部位48)係相對光路AT(ATL)在區域251及區域252外側移動。
本實施形態中，第2構件22(部分221)亦可在下面25之區域252及區域253下方移動。亦即，亦可於相對光軸AX之放射方向，以第2構件22之部位48不移動至較區域252內緣(角部Kb)內側之方式第2構件22之部位48在下面25下方移動。換言之，第2構件22(第2構件22之部位48)亦可相對光路AT(ATL)在區域251外側移動。
亦即，第2構件22亦可在第1構件21之凹部16下方移動。
如圖7及圖8所示，保護部211(壁部50)之最下部之部位47配置於較第2構件22之上面29上方。於相對光路AT(ATL)之部位47外側，於第1構件21與上面29間形成間隙。在與終端光學元件13之光軸AX平行之Z軸方向，部位47與上面29之間隙之尺寸(距離)G1a，較第1構件21與上面29之間隙尺寸(距離)G1b小。
尺寸G1a係在Z軸方向之部位47與區域292之距離。尺寸G1b係在Z軸方向之區域252或區域253與區域292之距離。
尺寸G1a亦可係在Z軸方向之部位47與區域291之距離。尺寸G1b亦可係在Z軸方向之區域252或區域253與區域291之距離。
其次，說明第2構件22之一動作例。
第2構件22可與基板P(物體)之移動協力移動。第2構件22亦可與基板P(物體)分開獨立移動。第2構件22能與基板P(物體)之移動之至少一部分並行移動。
第2構件22能與基板P(物體)移動之期間之至少一部分並行移動。第2構件22能移動於基板P(物體)之移動方向。例如，在基板P移動之期間之至少一部分中，第2構件22能移動於基板P之移動方向。例如， 在基板P移動於在XY平面內之一方向(例如+X軸方向)時，第2構件22能與該基板P之移動同步地移動於在XY平面內之一方向(+X軸方向)。
第2構件22能在形成有液浸空間LS之狀態下移動。第2構件22能在與液浸空間LS之液體LQ接觸之狀態下移動。第2構件22能在第1空間SP1及第2空間SP2存在有液體LQ之狀態下移動。
第2構件22能與從液體供應部41之液體LQ供應並行地移動。
第2構件22能與從液體回收部42之液體LQ回收並行地移動。第2構件22能與從液體回收部43之液體LQ回收並行地移動。
第2構件22能與從液體供應部41之液體LQ供應及從液體回收部42(液體回收部43)之液體LQ回收並行地移動。
第2構件22能在從射出面12射出曝光用光EL之期間之至少一部分移動。
第2構件22能在形成有液浸空間LS之狀態下與基板P(物體)移動之期間之至少一部分並行地移動。
第2構件22能在形成有液浸空間LS之狀態下在從射出面12射出曝光用光EL之期間之至少一部分移動。
第2構件22，亦可在第2構件22與基板P(物體)不對向之狀態下移動。例如，第2構件22亦可在該第2構件22之下方無物體之狀態下移動。
第2構件22，亦可在第2構件22與基板P(物體)間之空間不存在液體LQ之狀態下移動。例如，第2構件22可在沒有形成液浸空間LS 之狀態下移動。
本實施形態中，第2構件22，例如係根據基板P(物體)之移動條件移動。控制裝置6，例如根據基板P(物體)之移動條件，與基板P(物體)之移動之至少一部分並行，使第2構件22移動。
控制裝置6，一邊進行液體LQ從液體供應部41之供應與液體LQ從液體回收部42之回收及液體LQ從液體回收部43之回收以持續形成液浸空間LS、一邊移動第2構件22。
本實施形態中，第2構件22能以和基板P(物體)之相對移動變小之方式移動。又，第2構件22能以和基板P(物體)之相對移動較第1構件21與基板P(物體)之相對移動小之方式移動。相對移動包含相對速度及相對加速度之至少一方。
例如，第2構件22亦可與基板P(物體)同步移動。第2構件22亦可以追隨基板P(物體)之方式移動。
第2構件22，能以與基板P(物體)之相對速度變小之方式移動。例如，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度變小之方式移動。
又，第2構件22，能以與基板P(物體)之相對加速度變小之方式移動。例如，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度變小之方式移動。
又，第2構件22，能以與基板P(物體)之相對速度較第1構 件21與基板P(物體)之相對速度小之方式移動。例如，第2構件22，亦可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度較第1構件21與基板P(物體)之相對速度小之方式移動。
又，第2構件22，能以與基板P(物體)之相對加速度較第1構件21與基板P(物體)之相對加速度小之方式移動。例如，第2構件22，亦可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度較第1構件21與基板P(物體)之相對加速度小之方式移動。
第2構件22，例如可於基板P(物體)之移動方向移動。例如，在基板P(物體)往+X軸方向移動時，第2構件22可往+X軸方向移動。在基板P(物體)往-X軸方向移動時，第2構件22可往-X軸方向移動。又，在基板P(物體)一邊往+X軸方向移動、一邊往+Y軸方向(或-Y軸方向)移動時，第2構件22可往+X軸方向移動。此外，在基板P(物體)一邊往-X軸方向移動、一邊往+Y軸方向(或-Y軸方向)移動時，第2構件22可往-X軸方向移動。
亦即，本實施形態中，基板P(物體)往包含X軸方向成分之方向移動時，第2構件22可往X軸方向移動。例如，亦可與基板P(物體)往包含X軸方向成分之方向移動之至少一部分並行地，第2構件22往X軸方向移動。
又，第2構件22亦可往Y軸方向移動。在基板P(物體)往包含Y軸方向成分之方向移動時，第2構件22亦可往Y軸方向移動。例如， 亦可與基板P(物體)往包含Y軸方向成分之方向移動之至少一部分並行地，以與基板P(物體)之相對速度差變小之方式，第2構件22往Y軸方向移動。
其次，針對使用上述之曝光裝置EX使基板P曝光之方法加以說明。
以下說明中，係從液體供應部41供應液體LQ且從液體回收部42及液體回收部43之各個回收液體LQ，以形成液浸空間LS。
此外，亦可從液體供應部41供應液體LQ，從液體回收部43回收液體LQ，以形成液浸空間LS，而不從液體回收部42回收液體LQ。
在離開液浸構件5之基板更換位置，進行將曝光前之基板P搬入(裝載於)基板載台2(第1保持部)之處理。在基板載台2離開液浸構件5之期間之至少一部分中，將測量載台3配置成與終端光學元件13及液浸構件5對向。控制裝置6，進行液體LQ從液體供應部41之供應、液體LQ從液體回收部42之回收及液體LQ從液體回收部43之回收，於測量載台3上形成液浸空間LS。
在將曝光前之基板P裝載於基板載台2、使用測量載台3之測量處理結束後，控制裝置6移動基板載台2，以使終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向。在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向之狀態下，與液體LQ從液體供應部41之供應並行實施液體LQ從液體回收部42之回收及液體LQ從液體回收部43之回收，據以在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)之間，形成光路ATL被液體LQ充滿之液浸空間LS。
控制裝置6，開始基板P之曝光處理。控制裝置6，在基板 P上形成有液浸空間LS之狀態下，從照明系IL射出曝光用光EL。照明系IL以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL，透過投影光學系PL及射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ，照射於基板P。據此，基板P即被透過終端光學元件13之射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ而從射出面12射出之曝光用光EL曝光，將光罩M之圖案之像投影於基板P。
本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩M之圖案之像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)。本實施形態中，以基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向、光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。控制裝置6使基板P相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對基板P照射曝光用光EL。
圖9係顯示被保持於基板載台2之基板P之一例的圖。本實施形態中，為曝光對象區域之照射(shot)區域S於基板P上配置有複數個成矩陣狀。控制裝置6，一邊相對從終端光學元件13之射出面12射出曝光用光EL使保持於第1保持部之基板P移動於Y軸方向(掃描方向)，一邊透過射出面12與基板P之間之液浸空間LS之液體LQ以從射出面12射出之曝光用光EL使基板P之複數個照射區域S依序曝光。
例如為使基板P之第1照射區域S曝光，控制裝置6在形成有液浸空間LS之狀態下，使基板P相對從射出面12射出之曝光用光EL(投 影光學系PL之投影區域PR)移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對該照射區域S照射曝光用光EL。據此，光罩M之圖案之像即被投影於基板P之照射區域S，該照射區域S即因從射出面12射出之曝光用光EL而曝光。
在該照射區域S之曝光結束後，控制裝置6為開始其次之照射區域S之曝光，在形成有液浸空間LS之狀態下，使基板P於XY平面內與X軸交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)移動，使次一照射區域S移動至曝光開始位置。之後，控制裝置6即開始該照射區域S之曝光。
控制裝置6，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，反覆進行一邊相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使照射區域移動於Y軸方向一邊使該照射區域曝光的動作，與在該照射區域之曝光後在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，將基板P移動於XY平面內與Y軸方向交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)以將次一照射區域配置於曝光開始位置的動作，一邊使基板P之複數個照射區域依序曝光。
以下說明中，將為使照射區域曝光而在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使基板P(照射區域)移動於Y軸方向的動作，適當的稱為掃描移動動作。並將某一照射區域之曝光完成後，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，在開始次一照射區域之曝光為止之期間，於 XY平面內移動基板P之動作，適當的稱為步進移動動作。
本實施形態中，掃描移動動作，包含基板P往Y軸方向從某照射區域S配置於曝光開始位置之狀態移動成配置於曝光結束位置之狀態的動作。步進移動動作，包含基板P在XY平面內往與Y軸方向交叉之方向從某照射區域S配置於曝光開始位置之狀態移動成次一照射區域S配置於曝光結束位置之狀態的動作。
曝光開始位置，包含為了使某照射區域S曝光而該照射區域S在Y軸方向之一端部通過投影區域PR之時點之基板P之位置。曝光結束位置，包含被照射曝光用光EL之該照射區域S在Y軸方向之另一端部通過投影區域PR之時點之基板P之位置。
照射區域S之曝光開始位置包含用以曝光該照射區域S之掃描移動動作開始位置。照射區域S之曝光開始位置包含用以將該照射區域S配置於曝光開始位置之步進移動動作結束位置。
照射區域S之曝光結束位置包含用以曝光該照射區域S之掃描移動動作結束位置。照射區域S之曝光結束位置包含用以將次一照射區域S配置於曝光開始位置之步進移動動作開始位置。
以下說明中，將為了某照射區域S之曝光而進行掃描移動動作之期間適當稱為掃描移動期間。以下說明中，將為了某照射區域S之曝光結束至次一照射區域S之曝光開始而進行步進移動動作之期間適當稱為步進移動期間。
掃描移動期間，包含某照射區域S之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間。步進移動期間，包含某照射區域S之曝光結束至次一照射 區域S之曝光開始為止之基板P之移動期間。
於掃描移動動作中，會從射出面12射出曝光用光EL。於掃描移動動作中，對基板P(物體)照射曝光用光EL。於步進移動動作中，不會從射出面12射出曝光用光EL。於步進移動動作中，對基板P(物體)不照射曝光用光EL。
控制裝置6一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使基板P之複數個照射區域S依序曝光。又，掃描移動動作主要係在Y軸方向之等速移動。步進移動動作包含加減速度移動。例如，某照射區域S之曝光結束至次一照射區域S之曝光開始為止之基板P之期間之步進移動動作，包含於Y軸方向之加減速移動、及於X軸方向之加減速移動之一方或兩方。
又，於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，亦有液浸空間LS之至少一部分形成在基板載台2(覆蓋構件T)上之情形。於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，有液浸空間LS形成為跨基板P與基板載台2(覆蓋構件T)之情形。在基板載台2與測量載台3接近或接觸之狀態下進行基板P之曝光的情形，有在掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中液浸空間LS形成為跨基板載台2(覆蓋構件T)與測量載台3之情形。
控制裝置6根據基板P上之複數個照射區域S之曝光條件，控制驅動系統15移動基板P(基板載台2)。複數個照射區域S之曝光條件，例如係以稱為曝光配方(recipe)之曝光控制資訊加以規定。曝光控制資訊儲存於記憶裝置7。
曝光條件(曝光控制資訊)包含複數個照射區域S之排列資訊(在基板P之複數個照射區域S各自之位置)。又，曝光條件(曝光控制資訊)包含複數個照射區域S各自之尺寸資訊(在Y軸方向之尺寸資訊)。
控制裝置6根據該記憶裝置7儲存之曝光條件(曝光控制資訊)，一邊以既定移動條件移動基板P、一邊使複數個照射區域S之各個依序曝光。基板P(物體)之移動條件，包含移動速度、加速度、移動距離、移動方向及在XY平面內之移動軌跡中之至少一種。
舉一例而言，在使複數個照射區域S之各個依序曝光時，控制裝置6，一邊移動基板載台2使投影光學系PL之投影區域PR與基板P，沿圖9中，例如箭頭Sr所示之移動軌跡相對移動，一邊對投影區域PR照射曝光用光EL，透過液體LQ以曝光用光EL使基板P之複數個照射區域S依序曝光。控制裝置6係一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作，一邊使複數個照射區域S之各個依序曝光。
本實施形態中，第2構件22係在基板P之曝光處理之至少一部分中移動。第2構件22，與例如在液浸空間LS形成之狀態下基板P(基板載台2)之步進移動動作之至少一部分並行移動。第2構件22，與例如在液浸空間LS形成之狀態下基板P(基板載台2)之掃描移動動作之至少一部分並行移動。亦即，與第2構件22之移動並行，從射出面12射出曝光用光EL。
第2構件22，例如可在基板P(基板載台2)進行步進移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)較第1構件21與基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)小之方式移 動。
又，第2構件22，可在基板P(基板載台2)進行掃描移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)較第1構件21與基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)小之方式移動。
此外，在掃描移動動作中第2構件22亦可不移動。亦即，第2構件22亦可不與來自射出面12之曝光用光EL之射出並行地移動。
圖10係顯示第2構件22之一動作例之示意圖。圖10係從上方觀看第2構件22之圖。
本實施形態中，第2構件22係往X軸方向移動。此外，如上所述，第2構件22亦可往Y軸方向移動，亦可在包含X軸方向(或Y軸方向)之成分之XY平面內之任意方向移動。
第2構件22係移動於在X軸方向規定之可動範圍(移動可能範圍)。來自射出面12之曝光用光EL通過第1開口部23及第2開口部28，且第2構件22之可動範圍被決定成第2構件22不接觸於第1構件21。
在基板P(物體)移動之期間之至少一部分，第2構件22係如圖10(A)~圖10(E)所示往X軸方向移動。圖10(A)係顯示於移動可能範圍之最靠+X側端之位置Jr配置有第2構件22的狀態。圖10(C)係顯示於移動可能範圍之中央之位置Jm配置有第2構件22的狀態。圖10(E)係顯示於移動可能範圍之最靠-X側端之位置Js配置有第2構件22的狀態。
以下說明中，將圖10(A)所示之第2構件22之位置Jr適當稱為第1端部位置Jr。將圖10(C)所示之第2構件22之位置Jm適當稱為中 央位置Jm。將圖10(E)所示之第2構件22之位置Js適當稱為第2端部位置Js。
又，圖10(B)係顯示第2構件22配置於第1端部位置Jr與中央位置Jm間之位置Jrm之狀態。圖10(D)係顯示第2構件22配置於第2端部位置Js與中央位置Jm間之位置Jsm之狀態。
此外，本實施形態中，第2構件22配置於中央位置Jm之狀態，包含第2構件22之第2開口部28中心與終端光學元件13之光軸AX實質上一致之狀態。亦可將第2開口部28中心與光軸AX一致之第2構件22之位置稱為原點。
第2構件22之移動可能範圍之尺寸包含在X軸方向之第1端部位置Jr與第2端部位置Js之距離。
控制裝置6能使第2構件22相對終端光學元件13(投影區域PR)之位置相異。控制裝置6能在從位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm、位置Js中選擇之兩個位置間使第2構件22移動。控制裝置6能使第2構件22在位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm、位置Js之至少一個位置停止。控制裝置6，不限於位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm、位置Js，亦可在其以外之任意位置使第2構件22停止。
在位置Jr與位置Jm間之第2構件22之移動距離，較位置Jrm與位置Jm間之第2構件22之移動距離長。在位置Js與位置Jm間之第2構件22之移動距離，較位置Jsm與位置Jm間之第2構件22之移動距離長。
控制裝置6能以規定之移動條件使第2構件22移動。第2 構件22之移動條件包含移動方向、移動速度、加速度、以及移動距離之至少一個。控制裝置6能控制第2構件22之移動方向、移動速度、加速度、以及移動距離之至少一個。
本實施形態中，在第2構件22配置於第1端部位置Jr之狀態下，第2構件22之部位48係配置於相對光路AT之第1構件21之部位47之外側。本實施形態中，在第2構件22配置於第2端部位置Js之狀態下，第2構件22之部位48係配置於相對光路AT之第1構件21之部位47之外側。
本實施形態中，不論在第2構件22配置於位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm、位置Js之任一位置之狀態下，第2構件22之部位48均持續配置於相對光路AT之第1構件21之部位47之外側。
圖11以示意方式顯示一邊進行基板P之包含+X軸方向成分之步進移動、一邊使照射區域Sa、照射區域Sb及照射區域Sc依序曝光時之基板P之移動軌跡之一例的圖。照射區域Sa、Sb、Sc配置於X軸方向。
如圖11所示，照射區域Sa、Sb、Sc被曝光時，基板P係在終端光學元件13之下，依序移動於從投影區域PR配置於基板P之位置d1之狀態至配置於相對該位置d1於+Y軸側相鄰之位置d2之狀態為止之路徑Tp1、從配置於位置d2之狀態至配置於相對該位置d2於+X軸側相鄰之位置d3之狀態為止之路徑Tp2、從配置於位置d3之狀態至配置於相對該位置d3於-Y軸側相鄰之位置d4之狀態為止之路徑Tp3、從配置於位置d4之狀態至配置於相對該位置d4於+X軸側相鄰之位置d5之狀態為止之路徑Tp4、以及從配置於位置d5之狀態至配置於相對該位置d5於+Y軸側之相 鄰之位置d6之狀態為止之路徑Tp5。位置d1、d2、d3、d4、d5、d6係於XY平面內之位置。
路徑Tp1之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp3之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp5之至少一部分包含與Y軸平行之直線。路徑Tp2包含經由位置d2.5之曲線。路徑Tp4包含經由位置d4.5之曲線。位置d1包含路徑Tp1之始點、位置d2包含路徑Tp1之終點。位置d2包含路徑Tp2之始點、位置d3包含路徑Tp2之終點。位置d3包含路徑Tp3之始點、位置d4包含路徑Tp3之終點。位置d4包含路徑Tp4之始點、位置d5包含路徑Tp4之終點。位置d5包含路徑Tp5之始點、位置d6包含路徑Tp5之終點。路徑Tp1係基板P移動於-Y軸方向之路徑。路徑Tp3係基板P移動於+Y軸方向之路徑。路徑Tp5係基板P移動於-Y軸方向之路徑。路徑Tp2及路徑Tp4係基板P移動於以-X軸方向為主成分之方向之路徑。
在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp1時，透過液體LQ於照射區域Sa照射曝光用光EL。在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp3時，透過液體LQ於照射區域Sb照射曝光用光EL。。在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp5時，透過液體LQ於照射區域Sc照射曝光用光EL。基板P移動於路徑Tp2及路徑Tp4時，不照射曝光用光EL。
基板P移動於路徑Tp1之動作、移動於路徑Tp3之動作、以及移動於路徑Tp5之動作均包含掃描移動動作。又，基板P移動於路徑Tp2之動作、及移動於路徑Tp4之動作，包含步進移動動作。
亦即，基板P移動於路徑Tp1之期間、移動於路徑Tp3之期間、以及移動於路徑Tp5之期間係掃描移動期間(曝光期間)。基板P移動於路徑Tp2之期間、以及移動於路徑Tp4之期間係步進移動期間。
圖12及圖13係顯示在曝光照射區域Sa、Sb、Sc時之第2構件22之一動作例的示意圖。圖12及圖13係從上方觀察第2構件22的圖。
基板P位於位置d1時，如圖12(A)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路ATL)配置於位置Js。
基板P位於位置d2時，如圖12(B)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路ATL)配置於位置Jr。亦即，在基板P從位置d1往位置d2之掃描移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相反之+X軸方向移動。在基板P之從位置d1往位置d2之掃描移動動作中，第2構件22係從位置Js經過位置Jsm、位置Jm、以及位置Jrm而移動至位置Jr。換言之，在基板P移動於路徑Tp1時，第2構件22係往+X軸方向移動而從圖12(A)所示之狀態變化至圖12(B)所示之狀態。
基板P位於位置d2.5時，如圖12(C)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路ATL)配置於位置Jm。
基板P位於位置d3時，如圖12(D)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路ATL)配置於位置Js。亦即，在基板P從位置d2往位置d3之步進移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相同之-X軸方向移動。在基板P之從位置d2往位置d3之步進移動動作中，第2構件22係從位置Jr經過位置Jrm、位置Jm、以 及位置Jsm而移動至位置Jm。換言之，在基板P移動於路徑Tp2時，第2構件22係往-X軸方向移動而從圖12(B)所示之狀態經由圖12(C)之狀態而變化至圖12(D)所示之狀態。
基板P位於位置d4時，如圖13(A)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路ATL)配置於位置Jr。亦即，在基板P從位置d3往位置d4之掃描移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相反之+X軸方向移動。在基板P之從位置d3往位置d4之掃描移動動作中，第2構件22係從位置Js經過位置Jsm、位置Jm、以及位置Jrm而移動至位置Jr。換言之，在基板P移動於路徑Tp3時，第2構件22係往+X軸方向移動而從圖12(D)所示之狀態變化至圖13(A)所示之狀態。
基板P位於位置d4.5時，如圖13(B)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路ATL)配置於位置Jm。
基板P位於位置d5時，如圖13(C)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路ATL)配置於位置Js。亦即，在基板P從位置d4往位置d5之步進移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相同之-X軸方向移動。在基板P之從位置d4往位置d5之步進移動動作中，第2構件22係從位置Jr經過位置Jrm、位置Jm、以及位置Jsm而移動至位置Jm。換言之，在基板P移動於路徑Tp4時，第2構件22係往-X軸方向移動而從圖13(A)所示之狀態經由圖13(B)之狀態而變化至圖13(C)所示之狀態。
基板P位於位置d6時，如圖13(D)所示，第2構件22係相 對投影區域PR(曝光用光EL之光路ATL)配置於位置Jr。亦即，在基板P從位置d5往位置d6之掃描移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相反之+X軸方向移動。在基板P之從位置d5往位置d6之掃描移動動作中，第2構件22係從位置Js經過位置Jsm、位置Jm、以及位置Jrm而移動至位置Jr。換言之，在基板P移動於路徑Tp5時，第2構件22係往+X軸方向移動而從圖13(C)所示之狀態變化至圖13(D)所示之狀態。
亦即，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp2移動之期間之至少一部分中，以和基板P之相對移動變小之方式，往+X軸方向移動。換言之，第2構件22在基板P進行包含+X軸方向成分之步進移動動作之期間之至少一部分中，以和基板P在X軸方向之相對速度變小之方式，往-X軸方向移動。同樣的，第2構件22在基板P沿路徑Tp4移動之期間之至少一部分中，以和基板P於X軸方向之相對速度變小之方式，往-X軸方向移動。
又，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp3移動之期間之至少一部分中，往+X軸方向移動。據此，在基板P之路徑Tp3之移動後、於路徑Tp4之移動中，即使第2構件22往-X軸方向移動，曝光用光EL亦能通過第1開口部23、30，而抑制第1構件21與第2構件22之接觸。基板P移動於路徑Tp1、Tp5時亦相同。
亦即，在基板P重複掃描移動動作與包含-X軸方向成分之步進移動動作之情形時，於步進移動動作中，第2構件22係以和基板P之相對速度變小之方式從位置Jr往位置Js移動於-X軸方向，於掃描移動動 作中，為了在次一步進移動動作中第2構件22能再度移動於-X軸方向，第2構件22從位置Js回到位置Jr。亦即，在基板P於掃描移動動作之期間之至少一部分中，由於第2構件22移動於+X軸方向，因此能將第2開口部28之尺寸抑制於所需最小限，而抑制第1構件21與第2構件22之接觸。
又，實施形態中，即使第2構件22配置在第1端部位置Jr(第2端部位置Js)，流體回收部43之至少一部分亦與基板P(物體)持續對向。據此，例如於步進移動動作中，流體回收部43可回收基板P(物體)上之液體LQ。
此外，在使用圖12及圖13所說明之例中，在基板P位於位置d1、d3、d5時，第2構件22係配置於第2端部位置Js。在基板P位於位置d1、d3、d5時，第2構件22亦可配置於中央位置Jm，亦可配置於中央位置Jm與第2端部位置Js間之位置Jsm。
此外，在使用圖12及圖13所說明之例中，在基板P位於位置d2、d4、d6時，第2構件22係配置於第1端部位置Jr。在基板P位於位置d2、d4、d6時，第2構件22亦可配置於中央位置Jm，亦可配置於中央位置Jm與第1端部位置Jr間之位置Jrm。
又，在基板P位於位置d2.5、d5、d4.5時，第2構件22亦可配置於與中央位置Jm不同之位置。亦即，在基板P位於位置d2.5、d5、d4.5時，第2構件22亦可配置於例如中央位置Jm與第2端部位置Js間之位置Jsm，亦可配置於中央位置Jm與第1端部位置Jr間之位置Jrm。
此外，在基板P之掃描移動期間之至少一部分中，第2構件22亦可停止，亦可移動於與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相同之-X 軸方向。
此外，在基板P之步進移動期間之至少一部分中，第2構件22亦可停止，亦可移動於與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相反之+X軸方向。
亦即，在基板P之移動期間(掃描移動期間及步進移動期間)之一部分中，第2構件22亦可以和基板P(物體)之相對速度較第1構件21與基板P(物體)之相對速度小之方式移動，在基板P之移動期間之一部分中則停止或以相對速度較大之方式移動。
如以上之說明，根據本實施形態，由於設置了能相對第1構件21移動之第2構件22，因此即使在液浸空間LS形成之狀態下基板P等物體於XY平面內移動，亦能抑制例如液體LQ從液浸構件5與物體間之空間流出、或於物體上殘留液體LQ之情形。
亦即，在液浸空間LS形成之狀態下基板P等物體於XY平面內高速移動時，若與該物體對向之構件(液浸構件等)靜止，則有可能會使液體LQ流出、或於基板P(物體)上殘留液體LQ、或於液體LQ中產生氣泡。
本實施形態中，第2構件22能以和例如基板P等物體之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動。因此，即使在液浸空間LS形成之狀態下物體高速度移動，亦能抑制液體LQ流出、基板P(物體)上殘留液體LQ、或液體LQ中產生氣泡等之情形。
又，本實施形態中，液浸構件5具有保護終端光學元件13之保護部211(壁部50)。因此，例如即使因第2構件22之移動而使液浸空間LS之液體LQ之壓力變動，或在液浸空間LS中液體LQ高速流動，亦能減 低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
又，亦有可能因基板P(物體)之移動而使液浸空間LS之液體LQ之壓力變動，或在液浸空間LS中液體LQ高速流動。又，亦有可能因與第2構件22之移動及基板P(物體)之移動不同之理由使液浸空間LS之液體LQ之壓力變動，或在液浸空間LS中液體LQ高速流動。在該情形下，亦可藉由保護部211(壁部50)減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
藉此，可抑制終端光學元件13移動或終端光學元件13變形或終端光學元件13之光學特性變動。因此，能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
又，本實施形態中，保護部211配置於光路AT周圍之至少一部分。藉此，能在確保曝光用光EL之通路(光路)之同時減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
又，本實施形態中，保護部211配置於終端光學元件13與第2構件22之間。藉此，能減低因第2構件22之移動所導致之終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
又，本實施形態中，保護部211(壁部50)係於終端光學元件13與第2構件22之間配置成在第2構件22之移動期間中終端光學元件13與第2構件22不對向。藉此，能有效地減低因第2構件22之移動所導致之終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
又，本實施形態中，第2構件22之部位48係持續配置於相對光路AT之第1構件21之部位47外側。因此，即使第2構件22移動， 亦能有效地減低終端光學元件13從第2開口部28內側之液體LQ承受之壓力變動。
又，本實施形態中，面對光路AT(ATL)之第2構件22之區域291，係於相對光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。藉此，在第2構件22之區域291(面對光路AT之第2構件22之端面)配置於液浸空間LS之狀態下，第2構件22能順暢地移動。又，即使在第2構件22之區域291配置於液浸空間LS之狀態下第2構件22移動，亦可抑制液浸空間LS之液體LQ之壓力變動。
<第2實施形態>
說明第2實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖14係顯示本實施形態之液浸構件5B一例的圖。液浸構件5B具有包含保護部211之第1構件21B、以及包含至少一部分與保護部211B對向之部分221B的第2構件22B。保護部211B包含配置於終端光學元件13與第2構件22B間之壁部50B。保護部211B包含第1構件21B之下面25B中最接近光路AT之區域251B。保護部211B具有最接近光路AT之部位47B。部位47B係保護部211B之最下部。部位(最下部)47B係第1構件21B中最接近基板P(物體)上面之部位。
第1構件21B具有第2構件22B能對向之凹部16B。第2構件22B之至少一部分能在第1構件21B之凹部16B下方移動。
如圖14所示，第2構件22B之至少一部分亦可在區域251B之下方移動。第2構件22B之至少一部分亦可在第1構件21B之部位47B 下方移動。亦可以最接近光路AT之第2構件22B之部位48B會配置於較第1構件21B之部位47B更靠光路AT側之方式使第2構件22B移動。
亦可以具有在第2構件22B之移動方向較第1開口部23B尺寸大之尺寸之第2開口部28之部位48B會配置於較第1構件21B之部位47B更靠光路AT側之方式使第2構件22B移動。
亦可以第2開口部28之部位48B會配置於較第1構件21B之部位47B更靠光路AT側之方式，使第2開口部28B於第2構件22B之移動方向之尺寸較第1開口部23B之尺寸小。
包含部位48B之第2構件22B之至少一部分亦可配置於終端光學元件13之射出面12與基板P(物體)上面之間。
在相對光路AT之第1構件21B之部位(最下部)47B外側，於第1構件21B與第2構件22B之上面29B之間形成間隙。在與終端光學元件13之光軸AX平行之Z軸方向，部位47B與上面29B之距離G1a，較第1構件21B與第2構件22B之上面29B之間隙之尺寸G1b小。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
<第3實施形態>
說明第3實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖15係顯示本實施形態之液浸構件5C一例的圖。液浸構件5C具有包含保護部211C(壁部50C)之第1構件21C、以及包含至少一部分與保護部211C對向之部分221C的第2構件22C。保護部211C包含配置 於第1構件21C之下面25C中最接近光路AT之區域251C。保護部211C具有最接近光路AT之部位47C。部位47C係保護部211C之最下部。部位(最下部)47C係第1構件21C中最接近基板P(物體)上面之部位。
本實施形態中，部位47C係在相對光軸AX之放射方向配置於射出面12外側。部位47C配置於射出面12與基板P(物體)之上面間之空間外側。部位47C不配置於射出面12與基板P(物體)之上面之間。
於Z軸方向，部位47C配置於射出面12下方。於Z軸方向，保護部211C(保護部211C之上面24C)配置於射出面12下方。
第2構件22C(部分221C)係在第1構件21C(保護部211C)下方配置成隔著間隙與第1構件21C(保護部211C)對向。保護部211C配置於終端光學元件13與第2構件22C(部分221C)之間。
第1構件21C具有第2構件22C能對向之凹部16C。第2構件22C之至少一部分能在第1構件21C之凹部16C下方移動。
最接近光路AT之第2構件22C之部位48C，配置於相對光路AT之第1構件21C之部位47C外側。在第2構件22C之移動期間，部位48C持續配置於相對光路AT之部位47C外側。
在相對光路AT之第1構件21C之部位(最下部)47C外側，於第1構件21C與第2構件22C之上面29C之間形成間隙。在與終端光學元件13之光軸AX平行之Z軸方向，部位47C與上面29C之距離G1a，較第1構件21C與第2構件22C之上面29C之間隙之尺寸G1b小。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
此外，本實施形態中，第2構件22C之至少一部分亦可移動至區域251C下方。第2構件22C之至少一部分亦可移動至第1構件21C之部位47C下方。第2構件22C亦可移動成最接近光路AT之第2構件22C之部位48C配置於較第1構件21C之部位47C更靠光路AT側。
此外，本實施形態中，亦可以第2構件22C之之部位48C會配置於較第1構件21C之部位47C更靠光路AT側之方式，使第2開口部28C於第2構件22C之移動方向之尺寸較第1開口部23C之尺寸小。
此外，本實施形態中，亦可第1構件21C(保護部211C)不配置於射出面12與基板P(物體)上面之間，包含部位48C之第2構件22C之至少一部分配置於射出面12與基板P(物體)上面之間。
<第4實施形態>
說明第4實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖16係顯示本實施形態之液浸構件5D一例的圖。液浸構件5D具有包含保護部211D(壁部50D)之第1構件21D、以及包含至少一部分與保護部211D對向之部分221D的第2構件22D。保護部211D包含配置於第1構件21D之下面25D中最接近光路AT之區域251D。保護部211D具有最接近光路AT之部位47D。部位47D係保護部211D之最下部。部位(最下部)47D係第1構件21D中最接近基板P(物體)上面之部位。
本實施形態中，部位47D係在相對光軸AX之放射方向配置於射出面12外側。於Z軸方向，部位47D配置於射出面12上方。部位47D配置於外面131周圍。於Z軸方向，保護部211D(保護部211D之上面24D) 配置於射出面12上方。
第2構件22D(部分221D)係在第1構件21D(保護部211D)下方配置成隔著間隙與第1構件21D(保護部211D)對向。保護部211D配置於終端光學元件13與第2構件22D(部分221D)之間。
第1構件21D具有第2構件22D能對向之凹部16D。第2構件22D之至少一部分能在第1構件21D之凹部16D下方移動。
最接近光路AT之第2構件22D之部位48D，配置於相對光路AT之第1構件21D之部位47D外側。在第2構件22D之移動期間，部位48D持續配置於相對光路AT之部位47D外側。
在相對光路AT之第1構件21D之部位(最下部)47D外側，於第1構件21D與第2構件22D之上面29D之間形成間隙。在與終端光學元件13之光軸AX平行之Z軸方向，部位47D與上面29D之距離G1a，較第1構件21D與第2構件22D之上面29D之間隙之尺寸G1b小。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
此外，本實施形態中，第2構件22D之至少一部分亦可移動至區域251D下方。第2構件22D之至少一部分亦可移動至第1構件21D之部位47D下方。第2構件22D亦可移動成最接近光路AT之第2構件22D之部位48D配置於較第1構件21D之部位47D更靠光路AT側。
此外，本實施形態中，亦可以第2構件22D之部位48D會配置於較第1構件21D之部位47D更靠光路AT側之方式，使第2開口部28D於第2構件22D之移動方向之尺寸較第1開口部23D之尺寸小。
此外，本實施形態中，亦可第1構件21D(保護部211D)配置於較射出面12上方，包含部位48D之第2構件22D之至少一部分配置於射出面12與基板P(物體)上面之間。
<第5實施形態>
說明第5實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖17係顯示本實施形態之液浸構件5E一例的圖。液浸構件5E具有包含保護部211E(壁部50E)之第1構件21E、以及包含至少一部分與保護部211E對向之部分221E的第2構件22E。保護部211E(壁部50E)配置於終端光學元件13與第2構件22E之間。
保護部211E具有第2構件22E之至少一部分能對向之下面25E。下面25E包含最接近光路AT之區域251E、配置於相對光路AT之區域251E外側之區域252E、以及配置於相對光路AT之區域252E外側之區域253E。
區域251E相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域252E於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域253E相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
保護部211E具有最接近光路AT之部位47E。部位47E係保護部211E之最下部。部位(最下部)47E係第1構件21E中最接近基板P(物體)上面之部位。
本實施形態中，第2構件22E(部分221E)係在第1構件21E(保護部211E)下方配置成隔著間隙與第1構件21E(保護部211E)對向。第2構 件22E具有至少一部分與第1構件21E對向之上面29E、以及基板P(物體)之上面能對向之下面30E。
上面29E包含最接近光路AT之區域291E、以及配置於相對光路AT之區域291E外側之區域292E。區域291E於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域292E相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
下面30E相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
本實施形態中，保護部211E(壁部50E)之部位(最下部)47E與第2構件22E之上面29E實質上同高。換言之，於Z軸方向，部位47E之位置與上面29E之位置實質上相等。在圖17所示之例中，部位47E與上面29E之區域292E實質上同高。此外，部位47E與上面29E之區域291E亦可實質上同高。
第1構件21E具有第2構件22E能對向之凹部16E。於凹部16E之內側配置區域252E及區域253E。第2構件22E(部分221E)之至少一部分能在凹部16E下方移動。第2構件22E(部分221E)之至少一部分能在區域252E及區域253E下方移動。
最接近光路AT之第2構件22E之部位48E，配置於相對光路AT之第1構件21E之部位47E外側。在第2構件22E之移動期間，部位48E持續配置於相對光路AT之部位47E外側。
本實施形態中，在第2構件22E之移動期間，部位48E持續配置於相對光路AT之區域251E外側。此外，部位48E亦可移動至區域251E下方。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
<第6實施形態>
說明第6實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖18係顯示本實施形態之液浸構件5F一例的圖。液浸構件5F具有包含保護部211F(壁部50F)之第1構件21F、以及包含至少一部分與保護部211F對向之部分221F的第2構件22F。保護部211F(壁部50F)配置於終端光學元件13與第2構件22F之間。
保護部211F具有第2構件22F之至少一部分能對向之下面25F。下面25F包含最接近光路AT之區域251F、配置於相對光路AT之區域251F外側之區域252F、以及配置於相對光路AT之區域252F外側之區域253F。
區域251F相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域252F於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域253F相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
保護部211F具有最接近光路AT之部位47F。部位47F係保護部211F之最下部。部位(最下部)47F係第1構件21F中最接近基板P(物體)上面之部位。
第2構件22F(部分221F)係在第1構件21F(保護部211F)下方配置成隔著間隙與第1構件21F(保護部211F)對向。第2構件22F具有至少一部分與第1構件21F對向之上面29F、以及基板P(物體)之上面能對向之 下面30F。
上面29F包含最接近光路AT之區域291F、以及配置於相對光路AT之區域291F外側之區域292F。區域291F於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域292F相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
下面30F相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
本實施形態中，保護部211F(壁部50F)之部位(最下部)47F配置於較第2構件22F之上面29F下方。換言之，於Z軸方向，部位47F之位置配置於較上面29F之位置更靠-Z側(物體側)。亦即，上面29F配置於較部位47F及區域251F上方。
本實施形態中，保護部211F(壁部50F)之部位(最下部)47F配置於較第2構件22F之下面30F上方。換言之，於Z軸方向，部位47F之位置配置於較下面30F之位置更靠+Z側(基板P側)。亦即，下面30F配置於較部位47F及區域251F下方。
第1構件21F具有第2構件22F能對向之凹部16F。於凹部16F之內側配置區域252F及區域253F。第2構件22F(部分221F)之至少一部分能在凹部16F下方移動。第2構件22F(部分221F)之至少一部分能在區域252F及區域253F下方移動。
本實施形態中，第2構件22F(部分221F)之至少一部分在凹部16F內側移動。
最接近光路AT之第2構件22F之部位48F，配置於相對光路AT之第1構件21F之部位47F外側。在第2構件22F之移動期間，部位 48F持續配置於相對光路AT之部位47F外側。
本實施形態中，在第2構件22F之移動期間，部位48F持續配置於相對光路AT之區域251F外側。此外，部位48F亦可移動至區域251F下方。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
<第7實施形態>
說明第7實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖19係顯示本實施形態之液浸構件5G一例的圖。液浸構件5G具有包含保護部211G(壁部50G)之第1構件21G、以及包含至少一部分與保護部211G對向之部分221G的第2構件22G。保護部211G(壁部50G)配置於終端光學元件13與第2構件22G之間。
保護部211G具有第2構件22G之至少一部分能對向之下面25G。下面25G包含最接近光路AT之區域251G、配置於相對光路AT之區域251G外側之區域252G、以及配置於相對光路AT之區域252G外側之區域253G。
區域251G相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域252G於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域253G相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
保護部211G具有最接近光路AT之部位47G。部位47G係保護部211G之最下部。部位(最下部)47G係第1構件21G中最接近基板P(物 體)上面之部位。
第2構件22G(部分221G)係在第1構件21G(保護部211G)下方配置成隔著間隙與第1構件21G(保護部211G)對向。第2構件22G具有至少一部分與第1構件21G對向之上面29G、以及基板P(物體)之上面能對向之下面30G。
上面29G包含最接近光路AT之區域291G、以及配置於相對光路AT之區域291G外側之區域292G。區域291G於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域292G相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
下面30G相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
本實施形態中，保護部211G(壁部50G)之部位(最下部)47G與第2構件22G之下面30G實質上同高。換言之，於Z軸方向，部位47G之位置與下面30G之位置實質上相等。
第1構件21G具有第2構件22G能對向之凹部16G。於凹部16G之內側配置區域252G及區域253G。第2構件22G(部分221G)之至少一部分能在凹部16G內側移動。第2構件22G(部分221G)之至少一部分能在區域252G及區域253G下方移動。
最接近光路AT之第2構件22G之部位48G，配置於相對光路AT之第1構件21G之部位47G(區域251G)外側。在第2構件22G之移動期間，部位48G持續配置於相對光路AT之部位47G(區域251G)外側。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
<第8實施形態>
說明第8實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖20係顯示本實施形態之液浸構件5H一例的圖。液浸構件5H具有包含保護部211H(壁部50H)之第1構件21H、以及包含至少一部分與保護部211H對向之部分221H的第2構件22H。保護部211H(壁部50H)配置於終端光學元件13與第2構件22H之間。
保護部211H具有第2構件22H之至少一部分能對向之下面25H。下面25H包含最接近光路AT之區域251H、配置於相對光路AT之區域251H外側之區域252H、以及配置於相對光路AT之區域252H外側之區域253H。
區域251H相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域252H於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域253H相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
保護部211H具有最接近光路AT之部位47H。部位47H係保護部211H之最下部。部位(最下部)47H係第1構件21H中最接近基板P(物體)上面之部位。
第2構件22H(部分221H)係在第1構件21H(保護部211H)下方配置成隔著間隙與第1構件21H(保護部211H)對向。第2構件22H具有至少一部分與第1構件21H對向之上面29H、以及基板P(物體)之上面能對向之下面30H。
上面29H包含最接近光路AT之區域291H、以及配置於相 對光路AT之區域291H外側之區域292H。區域291H於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域292H相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
下面30H相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
本實施形態中，保護部211H(壁部50H)之部位(最下部)47H配置於較第2構件22H之下面30H下方。換言之，於Z軸方向，部位47H之位置配置於較下面30H之位置更靠-Z側(基板P側)。亦即，下面30H配置於較部位47H及區域251H上方。
第1構件21H具有第2構件22H能對向之凹部16H。於凹部16H之內側配置區域252H及區域253H。第2構件22H(部分221H)之至少一部分能在凹部16H內側移動。第2構件22H(部分221H)之至少一部分能在區域252H及區域253H下方移動。
最接近光路AT之第2構件22H之部位48H，配置於相對光路AT之第1構件21H之部位47H(區域251H)外側。在第2構件22H之移動期間，部位48H持續配置於相對光路AT之部位47H(區域251H)外側。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
<第9實施形態>
說明第9實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖21係顯示本實施形態之保護部211I(壁部50I)一例的圖。保護部211I具有上面24I與至少一部分能與第2構件(22等)對向之下面25I。
上面24I包含最接近光路AT之區域241I與配置於相對光路AT之區域241I外側之區域242I。
區域241I於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域242I相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
下面25I包含最接近光路AT之區域251I、配置於相對光路AT之區域251I外側之區域252I、以及配置於相對光路AT之區域252I外側之區域253I。
區域251I相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域252I與終端光學元件13之光軸AX實質上平行。區域253I相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域253I配置於區域251I上方。下面25I於區域251I與區域253I之間具有段差。
保護部211I(壁部50I)具有第2構件(22等)能對向之凹部16I。於凹部16H之內側配置區域252I及區域253I。
本實施形態中，保護部211I中最接近光路AT之部位47I包含形成於區域241I與區域251I之間之角部Ksi。角部Ksi係保護部211I之最下部。本實施形態中，保護部211I之最下部包含角部Ksi及區域251I。
第2構件(22等)亦可在凹部16I下方移動，亦可在凹部16I內側移動。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
<第10實施形態>
說明第10實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等 之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖22係顯示本實施形態之保護部211J(壁部50J)一例的圖。保護部211J具有上面24J與至少一部分能與第2構件(22等)對向之下面25J。
上面24J包含最接近光路AT之區域241J與配置於相對光路AT之區域241J外側之區域242J。
區域241J與終端光學元件13之光軸AX實質平行。區域242J相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
下面25J包含最接近光路AT之區域251J、配置於相對光路AT之區域251J外側之區域252J、以及配置於相對光路AT之區域252J外側之區域253J。
區域251J相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域252J與終端光學元件13之光軸AX實質上平行。區域253J相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域253J配置於區域251J上方。下面25J於區域251J與區域253J之間具有段差。
保護部211J(壁部50J)具有第2構件(22等)能對向之凹部16J。於凹部16H之內側配置區域252J及區域253J。
本實施形態中，保護部211J中最接近光路AT之部位47J包含形成於區域241J與區域251J之間之角部Ksj。又，保護部211J中最接近光路AT之部位47J包含區域241J。
本實施形態中，保護部211J之最下部包含角部Ksj。又，保護部211J之最下部包含區域251J。
亦即，本實施形態中，保護部211J中最接近光路AT之最下 部包含角部Ksj。
第2構件(22等)亦可在凹部16J下方移動，亦可在凹部16J內側移動。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
<第11實施形態>
說明第11實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖23係顯示本實施形態之保護部211K(壁部50K)一例的圖。保護部211K具有上面24K與至少一部分能與第2構件(22等)對向之下面25K。
上面24K包含最接近光路AT之區域241K與配置於相對光路AT之區域241K外側之區域242K。
區域241K與終端光學元件13之光軸AX實質平行。區域242K相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
下面25K包含最接近光路AT之區域251K、配置於相對光路AT之區域251K外側之區域252K、以及配置於相對光路AT之區域252K外側之區域253K。
區域251K相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域252K於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域253K相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域253K配置於區域251K上方。下面25K於區域251K與區域253K之間具有段差。
保護部211K(壁部50K)具有第2構件(22等)能對向之凹部16K。於凹部16H之內側配置區域252K及區域253K。
本實施形態中，保護部211K中最接近光路AT之部位47K包含形成於區域241K與區域251K之間之角部Ksk。又，保護部211K中最接近光路AT之部位47K包含區域241K。
本實施形態中，保護部211K之最下部包含角部Ksk。又，保護部211K之最下部包含區域251K。
亦即，本實施形態中，保護部211K中最接近光路AT之最下部包含角部Ksk。
第2構件(22等)亦可在凹部16K下方移動，亦可在凹部16K內側移動。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
<第12實施形態>
說明第12實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖24係顯示本實施形態之保護部211L(壁部50L)一例的圖。保護部211L具有上面24L與至少一部分能與第2構件(22等)對向之下面25L。
上面24L包含最接近光路AT之區域241L與配置於相對光路AT之區域241L外側之區域242L。
區域241L於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝 外側向上方傾斜。區域242L相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
下面25L包含最接近光路AT之區域251L、以及配置於相對光路AT之區域251L外側之區域252L。
區域251L於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域252L相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。區域252L配置於區域251L上方。
保護部211L(壁部50L)具有第2構件(22等)能對向之凹部16L。於凹部16H之內側配置區域251L及區域252L。
本實施形態中，保護部211L中最接近光路AT之部位47L包含形成於區域241L與區域251L之間之角部Ksl。
本實施形態中，保護部211L之最下部包含角部Ksl。
第2構件(22等)亦可在凹部16L下方移動，亦可在凹部16L內側移動。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。
<第13實施形態>
說明第13實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖25係顯示本實施形態之第2構件22M(部分221M)一例的圖。第2構件22M具有上面29M、基板P(物體)上面能對向之下面30M、以及面對光路AT之內面290M。
上面29包含區域291M與配置於相對光路AT之區域291M 外側之區域292M。區域292M配置於較區域291M上方。
區域291M於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。區域292M相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
下面30M包含區域301M。區域301M相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
內面290M與終端光學元件13之光軸AX實質平行。
本實施形態中，區域291M及內面290M係面對光路AT之第2構件22M之端面。以下說明中，將面對光路AT之第2構件22M之區域291M及內面290M中之內面290M適當稱為第1內面290M，將區域291M適當稱為第2內面291M。
第2內面291M配置於第1內面290M上方。第2內面291M之下端與第1內面290M連結。第2內面291M之上端與上面29M之區域292M連結。
第1內面290M與第2內面291M為非平行。在與終端光學元件13之光軸AX平行之Z軸方向，第2內面291M之尺寸較第1內面290M之尺寸大。
本實施形態中，第1內面290M與終端光學元件13之光軸AX實質平行。第2內面291M相對光路AT朝外側向上方傾斜。
本實施形態中亦同樣地，在第2構件22M之端面配置於液浸空間LS之狀態下，第2構件22M能順暢地移動。又，即使在第2構件22M之端面配置於液浸空間LS之狀態下第2構件22M移動，亦可抑制液浸 空間LS之液體LQ之壓力變動。
<第14實施形態>
說明第14實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖26係顯示本實施形態之第2構件22N(部分221N)一例的圖。第2構件22N具有上面29N、基板P(物體)上面能對向之下面30N、以及面對光路AT之內面290N。
上面29包含區域291N。區域291N相對終端光學元件13之光路AT實質上垂直。
下面30N包含區域301N與配置於相對光路AT之區域301N外側之區域302N。區域302N配置於較區域301N下方。
區域301N於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝向外側往下方傾斜。區域302N相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
本實施形態中，內面290N及區域301N係面對光路AT之第2構件22N之端面。以下說明中，將面對光路AT之第2構件22N之內面290N及區域301N中之內面290N適當稱為第1內面290N，將區域301N適當稱為第2內面301N。
第2內面301N配置於第1內面290N下方。第2內面301N之上端與第1內面290N連結。第2內面301N之下端與下面30N之區域302N連結。
第1內面290N與第2內面301N為非平行。在與終端光學元件13之光軸AX平行之Z軸方向，第2內面301N之尺寸較第1內面290N 之尺寸大。
本實施形態中，第1內面290N與終端光學元件13之光軸AX實質平行。第2內面301N相對光路AT朝向外側往下方傾斜。
本實施形態中亦同樣地，在第2構件22N之端面配置於液浸空間LS之狀態下，第2構件22N能順暢地移動。又，即使在第2構件22N之端面配置於液浸空間LS之狀態下第2構件22N移動，亦可抑制液浸空間LS之液體LQ之壓力變動。
<第15實施形態>
說明第15實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖27係顯示本實施形態之第2構件22P(部分221P)一例的圖。第2構件22P具有上面29P、基板P(物體)上面能對向之下面30P。
上面29具有相對終端光學元件13之光路AT實質上垂直之區域291P。
下面30P包含區域301P與配置於相對光路AT之區域301P外側之區域302P。區域301P於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝向外側往下方傾斜。區域302P相對終端光學元件13之光軸AX實質上垂直。
在相對終端光學元件13之放射方向，區域302P之尺寸較區域301P之尺寸大。
區域301P係面對光路AT。亦可將區域301P稱為面對光路AT之第2構件22P之端面。
於區域291P與區域301P之間形成角部Ktp。第2構件22P中最接近光路AT之部位包含角部Ktp。
本實施形態中亦同樣地，在第2構件22P之端面配置於液浸空間LS之狀態下，第2構件22P能順暢地移動。又，即使在第2構件22P之端面配置於液浸空間LS之狀態下第2構件22P移動，亦可抑制液浸空間LS之液體LQ之壓力變動。
<第16實施形態>
說明第16實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖28係顯示本實施形態之液浸構件5Q一例的圖。液浸構件5Q具備具有下面25Q之第1構件21Q、以及具有上面29Q及下面30Q之第2構件22Q。
第1構件21Q之下面25Q包含區域251Q、配置於相對光路AT之區域251Q外側之區域252Q、配置於相對光路AT之區域252Q外側之區域253Q、配置於相對光路AT之區域253Q外側之區域254Q、配置於相對光路AT之區域254Q外側之區域255Q、配置於相對光路AT之區域255Q外側之區域256Q、以及配置於相對光路AT之區域256Q外側之區域257Q。下面25Q之至少一部分能與第2構件22Q之上面29Q對向。
第1構件21Q中最接近光路AT之部位47Q配置於區域251Q之內緣部分。
區域252Q相對終端光學元件13之光軸AX傾斜。區域252Q於相對光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。
本實施形態中，區域251Q相對光軸AX實質上垂直。亦即，區域251Q與XY平面實質平行。區域253Q相對光軸AX實質上垂直。亦即，區域253Q與XY平面實質平行。區域252Q係連結區域251Q與區域253Q之傾斜區域。於區域251Q與區域253Q之間形成段差。
本實施形態中，區域254Q與光軸AX實質平行。
本實施形態中，區域255Q相對光軸AX實質上垂直。亦即，區域255Q與XY平面實質平行。區域256Q相對光軸AX實質上垂直。亦即，區域256Q與XY平面實質平行。區域257Q相對光軸AX實質上垂直。亦即，區域257Q與XY平面實質平行。區域254Q係連結區域253Q與區域255Q之區域。於區域253Q與區域255Q之間形成段差。
於Z軸方向，區域255Q與區域256Q與區域257Q配置於實質上相等之位置(高度)。區域255Q與區域256Q與區域257Q配置於實質上相同平面內。
於Z軸方向，區域251Q之位置與區域252Q、區域253Q、以及區域254Q之位置不同。於Z軸方向，區域252Q、域253Q、以及區域254Q之位置與區域255Q、區域256Q、以及區域257Q之位置不同。
區域252Q、區域253Q、以及區域254Q配置於較區域251Q上方(+Z側)。區域255Q、區域256Q、以及區域257Q配置於較區域252Q、區域253Q、以及區域254Q下方(-Z側)。
本實施形態中，區域251Q配置於較區域255Q、區域256Q、以及區域257Q下方(-Z側)。此外，於Z軸方向，區域251Q之位置與區域255Q、區域256Q、以及區域257Q之位置亦可實質上不相等。
第1構件21Q具有第2構件22Q能對向之凹部16Q。於凹部16Q內側配置區域252Q、區域253Q、以及區域254Q。
區域251Q、區域252Q、區域253Q、區域254Q、區域255Q、以及區域257Q係無法回收液體LQ之非回收區域。區域256Q係能回收液體LQ之回收區域。區域256Q包含液體回收部42Q。
第2構件22Q之下面30Q包含區域301Q與配置於相對光路AT之區域301Q外側之區域302Q。下面30Q之至少一部分能與基板P(物體)對向。
第2構件22Q中最接近光路AT之部位48Q配置於區域301Q之內緣部分。
本實施形態中，區域301Q相對光軸AX實質上垂直。亦即，區域301Q與XY平面實質平行。區域302Q亦相對光軸AX實質上垂直。亦即，區域302Q亦與XY平面實質平行。
於Z軸方向，區域301Q與區域302Q配置於實質上相等之位置(高度)。區域301Q與區域302Q配置於實質上相同平面內。
區域301Q係無法回收液體LQ之非回收區域。區域302Q係能回收液體LQ之回收區域。區域302Q包含液體回收部43Q。
第2構件22Q之至少一部分能在凹部16Q下方移動。第2構件22Q之至少一部分能在區域252Q及區域253Q下方移動。
如圖29所示，第2構件22Q能以部位48Q能持續配置於相對光路AT之部位47Q外側之方式移動。
本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS 之液體LQ承受之壓力變動。
<第17實施形態>
說明第17實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖30係顯示本實施形態之液浸構件5T一例的圖。液浸構件5T具有第1構件21T與能移動之第2構件22T。
第1構件21T具備能供應用以形成液浸空間LS之液體LQ之液體供應部41T、能供應液體LQ之液體供應部53T、以及能回收液體LQ之液體回收部42T。又，第1構件21T具有配置於終端光學元件13與第2構件22T之間之保護部211T(壁部50T)。
第2構件22T具備能回收液體LQ之液體回收部43T。液體回收部43T能與基板P(物體)對向。
液體供應部41T於第1構件21T配置成面對終端光學元件13之外面131與第1構件21T之間之第3空間SP3。此外，液體供應部41T亦可於第1構件21T配置成面對包含從射出面12射出之曝光用光EL之光路ATL之光路空間SPK。
液體回收部42T配置成面對形成於第1構件21T之下面25T下方之第1空間SP1。
液體供應部53T配置成面對形成於第1構件21T之下面25T下方之第1空間SP1。第1空間SP1包含第1構件21T與第2構件22T之間之空間。
液體供應部53T相對光路AT(終端光學元件13之光軸AX) 配置於第2構件22T之移動方向。本實施形態中，液體供應部53T分別配置於相對光路AT(終端光學元件13之光軸AX)之+X側及-X側。
液體供應部53T配置於第1構件21T之下面25T。下面25T配置於曝光用光EL能通過之第1開口部23T下端周圍。
液體供應部53T包含形成於下面25T、能供應液體LQ之開口(液體供應口)。本實施形態中，液體供應口於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向配置複數個。在圖30所示之例中，於相對光路AT之+X側之下面25T配置兩個液體供應口。於相對光路AT之-X側之下面25T亦配置複數個(兩個)液體供應口。
圖30係顯示第2構件22T配置於原點(中央位置Jm)之狀態。圖31係顯示第2構件22T配置於第1端部位置Jr之狀態、以及第2構件22T配置於第2端部位置Js之狀態。圖31中，以實線顯示配置於第1端部位置Jr之第2構件22T，以鍊線顯示配置於第2端部位置Js之第2構件22T。
如圖30及圖31所示，在第2構件22T配置於中央位置Jm之狀態、或第2構件22T配置於第2端部位置Js之狀態下，相對光路AT在+X側之下面25T所配置之液體供應部53T與第2構件22T對向。
如圖31所示，在第2構件22T配置於第1端部位置Jr之狀態下，相對光路AT在+X側之下面25T所配置之液體供應部53T不與第2構件22T對向，而與基板P(物體)對向。
亦即，第2構件22T能以從與液體供應部53T對向之狀態及不對向之狀態之一方變化成另一方之方式移動。在X軸方向之第2構件22T之移動中，第2構件22T係從與液體供應部53T對向之狀態及不對向之狀 態之一方變化成另一方。
此外，雖圖示省略，但在第2構件22T配置於中央位置Jm之狀態、或第2構件22T配置於第1端部位置Jr之狀態下，相對光路AT在-X側之下面25T所配置之液體供應部53T與第2構件22T對向。
又，在第2構件22T配置於第2端部位置Js之狀態下，相對光路AT在-X側之下面25T所配置之液體供應部53T不與第2構件22T對向，而與基板P(物體)對向。
在第2構件22T移動之期間之至少一部分中，從液體供應部53T供應液體LQ。
本實施形態中，如圖30所示，在第2構件22T與液體供應部53T對向之狀態下，從液體供應部53T供應液體LQ。液體供應部53T係對第1構件21T與第2構件22T間之第1空間SP1供應液體LQ。
又，本實施形態中，如圖31所示，在第2構件22T不與液體供應部53T對向之狀態下，從液體供應部53T供應液體LQ。液體供應部53T係對第1構件21T與基板P(物體)間之空間供應液體LQ。
在形成有液浸空間LS之狀態下第2構件22T移動時，有可能會有在包含曝光用光EL之光路ATL之光路空間SPK之液體LQ中產生氣泡或於光路空間SPK之液體LQ中產生氣體部分等，無法以液體LQ充分充滿光路空間SPK之情形。
本實施形態中，由於設有液體供應部53T，因此可抑制於光路空間SPK之液體LQ中產生氣泡(氣體部分)。
圖32係顯示不具有液體供應部53T之液浸構件之一例。第 2構件22T具有曝光用光EL能通過之第2開口部28T。因在形成有液浸空間LS之狀態下第2構件22T移動，第2構件22T與基板P(物體)間之液體LQ之界面LG2有可能會以接近第2開口部28T之方式移動。例如，有可能會因第2構件22T移動於X軸方向且同時基板P(物體)移動於Y軸方向，而使液體LQ之界面LG2以接近第2開口部28T之方式移動。若液體LQ之界面LG2以接近第2開口部28T之方式移動，而其界面LG2之至少一部分移動至第2開口部28T下，則有可能於光路空間SPK之液體LQ中產生氣泡(氣體部分)。
圖33係顯示本實施形態之液浸構件5T之一例。於本實施形態之液浸構件5T設有液體供應部53T。因此，即使在形成有液浸空間LS之狀態下第2構件22T移動，亦可抑制第2構件22T與基板P(物體)間之液體LQ之界面LG2以接近第2開口部28T之方式移動，或界面LG2之至少一部分移動至第2開口部28T下。
亦即，即使界面LG2將接近第2開口部28T，亦會如圖33所示，藉由從液體供應部53T對第1構件21T與基板P(物體)間之空間供應液體LQ，而使該液體LQ之至少一部分流入第2構件22T與基板P(物體)間之第2空間SP2。換言之，從液體供應部53T供應之液體LQ，係補足第2構件22T與基板P(物體)間之第2空間SP2。藉此，可抑制液體LQ之界面LG2接近第2開口部28T。因此，可抑制於光路空間SPK之液體LQ中產生氣泡(氣體部分)。
如以上所說明，本實施形態中，亦可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。又，本實施形態中，由於設有 液體供應部53T，因此可抑制於液體LQ中產生氣泡(氣體部分)。因此，可抑制曝光不良之產生、以及不良元件之產生。
<第18實施形態>
說明第18實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖34係顯示本實施形態之液浸構件5U一例的圖。液浸構件5U具有第1構件21U與能移動之第2構件22U。
第1構件21U具備能供應用以形成液浸空間LS之液體LQ之液體供應部41U、能供應液體LQ之液體供應部53U、以及能回收液體LQ之液體回收部42U。又，第1構件21U具有配置於終端光學元件13與第2構件22U之間之保護部211U(壁部50U)。
第2構件22U具備能回收液體LQ之液體回收部43U。液體回收部43U能與基板P(物體)對向。
第1構件21U具有第2構件22U能對向之下面25U。第1構件21U具有凹部16U。第2構件22U能與凹部16U對向。第2構件22U能在凹部16U下方移動。
本實施形態中，於凹部16U內側配置液體供應部53U。液體供應部53U配置於在凹部16U內側所配置之下面25U之區域253U。
圖34係顯示第2構件22U配置於原點(中央位置Jm)之狀態。圖35係顯示第2構件22U配置於第1端部位置Jr之狀態、以及第2構件22U配置於第2端部位置Js之狀態。圖35中，以實線顯示配置於第1端部位置Jr之第2構件22U，以鍊線顯示配置於第2端部位置Js之第2構件 22U。
如圖34及圖35所示，在第2構件22U配置於中央位置Jm之狀態、或第2構件22U配置於第2端部位置Js之狀態下，相對光路AT在+X側之下面25U所配置之液體供應部53U與第2構件22U對向。
如圖35所示，在第2構件22U配置於第1端部位置Jr之狀態下，相對光路AT在+X側之下面25U所配置之液體供應部53U不與第2構件22U對向，而與基板P(物體)對向。
亦即，本實施形態亦同樣地，第2構件22U能以從與液體供應部53U對向之狀態及不對向之狀態之一方變化成另一方之方式移動。
此外，雖圖示省略，但在第2構件22U配置於中央位置Jm之狀態、或第2構件22U配置於第1端部位置Jr之狀態下，相對光路AT在-X側之下面25U所配置之液體供應部53U與第2構件22U對向。
又，在第2構件22U配置於第2端部位置Js之狀態下，相對光路AT在-X側之下面25U所配置之液體供應部53U不與第2構件22U對向，而與基板P(物體)對向。
如圖35所示，本實施形態中亦同樣地，在第2構件22U與液體供應部53U對向之狀態下，從液體供應部53U供應液體LQ。液體供應部53U係對第1構件21U與第2構件22U間之第1空間SP1供應液體LQ。
又，如圖35所示，在第2構件22U不與液體供應部53U對向之狀態下，從液體供應部53U供應液體LQ。液體供應部53U係對第1構件21U與基板P(物體)間之空間供應液體LQ。
如以上所說明，本實施形態中，亦可減低終端光學元件13 從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。又，本實施形態中，由於設有液體供應部53U，因此可抑制於液體LQ中產生氣泡(氣體部分)。因此，可抑制曝光不良之產生、以及不良元件之產生。
此外，上述第17、第18實施形態中，在第2構件22T(22U)與液體供應部53T(53U)對向之狀態之至少一部分期間，從液體供應部53T(53U)亦可不供應液體LQ。
此外，上述第17、第18實施形態中，在第2構件22T(22U)不與液體供應部53T(53U)對向之狀態之至少一部分期間，從液體供應部53T(53U)亦可不供應液體LQ。
此外，上述第17、第18實施形態中，從液體供應部41T(41U)供應之液體與從液體供應部53T(53U)供應之液體亦可為相同種類之液體，亦可為不同種類之液體。
此外，上述第17、第18實施形態中，從液體供應部41T(41U)供應之液體與從液體供應部53T(53U)供應之液體亦可為相同潔淨度，亦可為不同潔淨度。
此外，上述第17、第18實施形態中，從液體供應部41T(41U)供應之液體與從液體供應部53T(53U)供應之液體亦可為相同溫度，亦可為不同溫度。
<第19實施形態>
說明第19實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖36係顯示本實施形態之曝光裝置EX一例的圖。曝光裝 置EX具有形成液浸空間LS之液浸構件5W。液浸構件5W具有配置於終端光學元件13周圍之第1構件21W、以及至少一部分配置於第1構件21W下方且能與基板P(物體)對向、能在曝光用光EL之光路AT外側移動之第2構件22W。
曝光裝置EX具有保護終端光學元件13之保護構件54。保護構件54係與液浸構件5W不同之構件。保護構件54配置於終端光學元件13周圍之至少一部分。本實施形態中，保護構件54之一部分配置成隔著間隙與終端光學元件13之外面131對向。保護構件54之一部分配置成隔著間隙與終端光學元件13之射出面12對向。
保護構件54係減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。保護構件54之至少一部分係在光路AT外側配置於終端光學元件13與液浸構件5W之間。保護構件54之至少一部分係在光路AT外側配置於終端光學元件13與第2構件22W之間。
保護構件54亦可被例如支撐投影光學系PL之支撐裝置支撐。保護構件54亦可被例如基準框架8A支撐。保護構件54亦可被例如裝置框架8B支撐。
如以上所說明，本實施形態中亦同樣地，可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。因此，可抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
此外，上述第1~第19實施形態中，亦可將第1空間SP1在Z軸方向之尺寸(距離G1b等)決定成可減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動。亦可以減低終端光學元件13從液浸空間LS 之液體LQ承受之壓力變動之方式調整(變更)第1空間SP1在Z軸方向之尺寸(距離G1b等)。
此外，上述第1~第19實施形態中，設於第2構件(22等)之第2開口部(28等)亦可如圖37所示為六角形狀。
此外，上述各實施形態中，第1構件(21等)亦可非為環狀。第1構件(21等)亦可配置於光路AT(終端光學元件13)周圍之一部分。第1構件(21等)亦可在光路AT周圍配置有複數個。
此外，上述各實施形態中，第2構件(22等)亦可非為環狀。第2構件(22等)亦可配置於光路AT(終端光學元件13)周圍之一部分。第2構件(22等)亦可在光路AT周圍配置有複數個。
又，上述各實施形態中，亦可不設置從第1空間SP1回收液體之液體回收部(42、42Q、42T等)。又，亦可取代設於第1構件(21等)之液體回收部(42等)、或除了設於第1構件(21等)之液體回收部(42等)又進一步地，於第2構件(22等)設置從第1空間SP1回收液體之液體回收部。
又，上述第1~第19實施形態中，在第2構件(22等)之第2開口部(28等)周圍之第2構件之厚度亦可非為均一。例如，如圖40A所示，亦可於第2構件下面形成凹部4000，將在X軸方向之第2開口部兩側之第2構件之厚度設為較在Y軸方向之第2開口部兩側之第2構件之厚度小。藉此，於第2開口部附近，在X軸方向之第2開口部兩側之第2空間SP2之Z軸方向大小，較在Y軸方向之第2開口部兩側之第2空間SP2之Z軸方向大小更大。因此，於X軸方向，液體LQ較容易流入第2空間SP2。藉此，例如即使第2構件移動於X軸方向，亦可抑制液浸空間LS之界面LG2接 近光路ATL。又，能抑制終端光學元件13下方之液浸空間LS之液體LQ壓力升高，亦能期待抑制終端光學元件13位移之效果。
此外，於X軸方向之第2開口部兩側中第2空間SP2之一部分在Z軸方向之大小較於Y軸方向之第2開口部兩側中第2空間SP2之一部分在Z軸方向之大小更大之第2構件之凹部4000之形狀、位置、大小當然不限定於圖40A。例如，亦可如圖40B、圖40C所示，在第2開口部(28等)與液體回收部(43等)之間，於從第2開口部離開之位置形成凹部4000。
又，亦可如圖40D所示，以在X軸方向之第2開口部兩側從第2開口部(28等)至液體回收部(43等)為止、第2空間SP2在Z軸方向之大小較於Y軸方向之第2開口部兩側之第2空間SP2在Z軸方向之大小更大之方式，於第2構件下面設置凹部4000。
又，上述第1~第19實施形態中，亦可為了減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動而使來自液體供應部41之液體LQ之供應量變化。例如，可在第2構件(22等)往-X軸方向移動時，使從位於終端光學元件13之+X側之液體供應部41之液體供應量，少於從位於終端光學元件13之-X側之液體供應部41之液體供應量，而在第2構件(22等)往+X軸方向移動時，使從位於終端光學元件13之-X側之液體供應部41之液體供應量，少於從位於終端光學元件13之+X側之液體供應部41之液體供應量。
又，上述第1~第19實施形態中，亦可為了減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動而設置與液體供應部41不同之液體供應部。例如，如圖41(a)所示，亦可於第1構件21設置液體供 應部4141。例如，可在第2構件(22等)往-X軸方向移動時，使從位於終端光學元件13之+X側之液體供應部4141之液體供應量，少於從位於終端光學元件13之-X側之液體供應部4141之液體供應量，而在第2構件(22等)往+X軸方向移動時，使從位於終端光學元件13之-X側之液體供應部4141之液體供應量，少於從位於終端光學元件13之+X側之液體供應部4141之液體供應量。此情形下，從液體供應部41之液體LQ供應只要與上述第1~第19實施形態同樣地進行即可。
又，上述第1~第19實施形態中，亦可設置用以減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動之液體回收部。例如，如圖41(b)所示，亦可於第1構件21設置液體回收部4143。例如，可在第2構件(22等)往-X軸方向移動時，使從位於終端光學元件13之+X側之液體回收部4143之液體回收量，多於從位於終端光學元件13之-X側之液體回收部4143之液體回收量，而在第2構件(22等)往+X軸方向移動時，使從位於終端光學元件13之-X側之液體回收部4143之液體回收量，多於從位於終端光學元件13之+X側之液體回收部4143之液體回收量。
此外，當如上所述般可藉由液體供應與液體回收之至少一方來減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動時，則第1構件21可不具有保護終端光學元件13之功能，亦可如圖36所示不設置保護構件54。
此外，上述第1~第19實施形態及上述變形例等中，亦可為了減低終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動而使第1構件21移動。此情形下，第1構件21可不具有保護終端光學元件13之 功能，亦可如圖36所示不設置保護構件54。
此外，上述第1~第19實施形態及上述變形例等中，亦可具備對終端光學元件13施加力之致動器等，以在
即使終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動，亦不會有終端光學元件13位置變化或終端光學元件13傾斜之情形。此情形下，第1構件21可不具有保護終端光學元件13之功能，亦可如圖36所示不設置保護構件54。
此外，上述第1~第19實施形態及上述變形例等中，亦可調整投影光學系PL或控制基板載台2之位置(移動)，以在即使終端光學元件13從液浸空間LS之液體LQ承受之壓力變動，亦不會有投影至基板P上之像之狀態劣化、或像投影至與基板P上之所欲位置不同之位置。此情形下，第1構件21可不具有保護終端光學元件13之功能，亦可如圖36所示不設置保護構件54。
又，上述實施形態中，控制裝置6包含含CPU等之電腦系統。又，控制裝置6包含可實施電腦系統與外部裝置間之通訊的介面。記憶裝置7，例如包含RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置7安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。
又，亦可於控制裝置6連接可輸入輸入信號之輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸入機器、或可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等之顯示裝置。
包含記錄在記憶裝置7中之程式的各種資訊，可由控制裝置 (電腦系統)6加以讀取。於記憶裝置7中，儲存有使控制裝置6實施透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板之間之曝光用光之光路的液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制的程式。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及保護光學構件之保護部；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以保護部減低光學構件從液浸空間之液體承受之壓力變動的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面，壁部之最下部配置成與第2上面同高或較第2上面下方處；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之 液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面，壁部之最下部配置成與第2下面同高或較第2下面下方處；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，第2構件具有第2上面與能與物體之表面對向之第2下面，壁部之最下部配置在較第2構件之第2上面上方處，在相對光路之最下部之外側，於第1構件與第2上面之間形成間隙，在與光學構件之光軸平行之方向，最下部與第2上面之距離較間隙之尺寸小；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用 光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有配置於光學構件與第2構件之間之壁部，壁部具有最接近光路之第1部位，第2構件具有最接近光路之第2部位，在第2構件之移動期間，第2部位持續配置於相對光路之第1部位之外側；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在從射出面之曝光用光之光路外側移動之第2構件，第1構件具有至少一部分能與第2構件對向之第1下面；第1下面，包含第1區域與配置於相對光路之第1區域外側且配置於較第1區域上方之第2區域；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備供應第1液體之第1液體供應部、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件、至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及供應第2液體之第2液體供應部，第2構件，係從與第2液體供應部對向之第1狀態及不對向之第2狀態中之一方變化成另一方；透過液浸空間之液體以從射 出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在能於光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於第1構件下方且能與物體對向且能在曝光用光之光路外側移動之第2構件；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以保護構件減低光學構件從液浸空間之液體承受之壓力變動的動作。
藉由將記憶裝置7中儲存之程式讀取至控制裝置6，基板載台2、測量載台3及液浸構件5等曝光裝置EX之各種裝置即協同働作，在形成有液浸空間LS之狀態下，實施基板P之液浸曝光等的各種處理。
又，上述各實施形態中，投影光學系PL之終端光學元件13之射出面12側(像面側)之光路ATL係被液體LQ充滿。但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號說明書所揭示之終端光學元件13之入射側(物體面側)光路亦被液體LQ充滿之投影光學系。
又，上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用水，但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P之表面之感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin(登錄商標)oil)等。此外，液體LQ亦可是各種 流體、例如超臨界流體。
又，上述各實施形態之基板P，雖包含半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可包含顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。
又，上述各實施形態中，雖然曝光裝置EX係使光罩M基板P同步移動以對光罩M之圖案進行掃描曝光之步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)，但亦可以是例如使光罩M與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複(step & repeat)方式的投影曝光裝置(步進機)。
再者，於曝光裝置EX係步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致靜止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致靜止之狀態，使用投影光學系PL將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。
又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6611316號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上之一個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，本發明亦能適用於近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。
又，上述各實施形態中，曝光裝置EX亦可以是例如美國專 利第6341007號說明書、美國專利第6208407號說明書及美國專利第6262796號說明書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型之曝光裝置。例如圖38所示，在曝光裝置EX具備二個基板載台2001、2002之場合，可配置成與射出面12對向之物體，包含一方之基板載台、該一方之基板載台之第1保持部所保持之基板、另一方之基板載台、以及該另一方之基板載台之第1保持部所保持之基板中的至少一者。
又，曝光裝置EX亦可以是具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。
曝光裝置EX可以是將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可以是液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DN晶片、標線片或光罩等之曝光裝置。
又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。
上述各實施形態中，曝光裝置EX雖具備投影光學系PL，但亦可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照 射曝光用光之曝光裝置及曝光方法。
又，曝光裝置EX亦可以是例如國際公開第2001/035168號說明書所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。
上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置EX之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。
半導體元件等之微元件，如圖39所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩M(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板処理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及檢査步驟206等而製造。
又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使 用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分。
1‧‧‧光罩載台
2‧‧‧基板載台
2C‧‧‧可動子
3‧‧‧測量載台
3C‧‧‧可動子
4‧‧‧測量系統
5‧‧‧液浸構件
6‧‧‧控制裝置
7‧‧‧記憶裝置
8A‧‧‧基準框架
8B‧‧‧裝置框架
9‧‧‧腔室裝置
10‧‧‧防振裝置
11‧‧‧驅動系統
12‧‧‧射出面
13‧‧‧終端光學元件
14‧‧‧基座構件
14G‧‧‧導引面
14M‧‧‧固定子
15‧‧‧驅動系統
AT(ATL)‧‧‧光路
AX‧‧‧光軸
C‧‧‧測量構件
CS‧‧‧空間
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明系
IR‧‧‧照明區域
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
M‧‧‧光罩
P‧‧‧基板
PL‧‧‧投影光學系
PR‧‧‧投影區域
T‧‧‧覆蓋構件

Claims (103)

  1. 一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於前述光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在前述光學構件周圍之至少一部分：第2構件，能與前述物體對向，能在前述曝光用光之光路外側移動；以及保護部，係保護前述光學構件；前述保護部，係減低前述光學構件從前述液浸空間之液體承受之壓力變動。
  2. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述保護部配置於前述光路周圍之至少一部分。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，前述保護部具有前述曝光用光能通過之第1開口。
  4. 如申請專利範圍第3項之液浸構件，其中，前述第2構件可在與前述光學構件之光軸實質垂直之既定方向移動；前述第2構件具有前述曝光用光能通過之第2開口；在前述既定方向，前述第2開口之尺寸較前述第1開口之尺寸大。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件之至少一部分能移動至前述保護部之下。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之液浸構件，其中，前述保護部在前述光路之外側配置於前述光學構件與前述第2構件之間。
  7. 如申請專利範圍第6項之液浸構件，其中，前述保護部係於前述光學構件與前述第2構件之間配置成在前述第2構件之移動期間前述光學構件與前述第2構件不對向。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件具有前述保護部。
  9. 如申請專利範圍第8項之液浸構件，其中，前述保護部包含前述第1構件中最接近前述光路之第1部位。
  10. 如申請專利範圍第9項之液浸構件，其中，前述第1部位係前述保護部之最下部。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之液浸構件，其中，前述第2構件包含最接近前述光路之第2部位；前述第2部位持續配置於相對前述光路之前述第1部位之外側。
  12. 如申請專利範圍第11項之液浸構件，其中，前述第2構件之可動範圍被決定成前述第2部位可持續配置於相對前述光路之前述第1部位之外側。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之液浸構件，其中，前述第1構件具有前述曝光用光能通過之第1開口；前述第2構件具有前述曝光用光能通過之第2開口；前述第1部位係規定前述第1開口周圍之至少一部分；前述第2部位係規定前述第2開口周圍之至少一部分。
  14. 如申請專利範圍第13項之液浸構件，其中，前述第2構件可在與前述光學構件之光軸實質垂直之既定方向移動； 在前述既定方向，前述第2開口之尺寸較前述第1開口之尺寸大。
  15. 如申請專利範圍第9至14項中任一項之液浸構件，其中，前述第1部位隔著間隙配置於前述射出面之下方。
  16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面；前述保護部之最下部配置成與前述第2上面同高或較前述第2上面下方處。
  17. 如申請專利範圍第16項之液浸構件，其中，前述保護部之最下部配置在較前述第2下面上方處。
  18. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面；前述保護部之最下部配置成與前述第2下面同高或較前述第2下面下方處。
  19. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面；前述保護部之最下部配置在較前述第2上面上方處。
  20. 如申請專利範圍第19項之液浸構件，其中，在相對前述光路之前述最下部之外側，於前述第1構件與前述第2上面之間形成有間隙；在與前述光學構件之光軸平行之方向，前述最下部與前述第2上面之距離較前述間隙之尺寸小。
  21. 一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於前述光學構件 下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在前述光學構件周圍之至少一部分：以及第2構件，能與前述物體對向，能在前述曝光用光之光路外側移動；前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部；前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面；前述壁部之最下部配置成與前述第2上面同高或較前述第2上面下方處。
  22. 如申請專利範圍第21項之液浸構件，其中，前述壁部之最下部配置在較前述第2下面上方處。
  23. 一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於前述光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在前述光學構件周圍之至少一部分：以及第2構件，能與前述物體對向，能在前述曝光用光之光路外側移動；前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部；前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面；前述壁部之最下部配置成與前述第2下面同高或較前述第2下面下方處。
  24. 一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於前述光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在前述光學構件周圍之至少一部分：以及 第2構件，能與前述物體對向，能在前述曝光用光之光路外側移動；前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部；前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面；前述壁部之最下部配置在較前述第2構件之前述第2上面上方處；在相對前述光路之前述最下部之外側，於前述第1構件與前述第2上面之間形成有間隙；在與前述光學構件之光軸平行之方向，前述最下部與前述第2上面之距離較前述間隙之尺寸小。
  25. 如申請專利範圍第21至24項中任一項之液浸構件，其中，前述壁部具有最接近前述光路之第1部位；前述第2構件具有最接近前述光路之第2部位；前述第2部位持續配置於相對前述光路之前述第1部位之外側。
  26. 一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於前述光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在前述曝光用光之光路周圍之至少一部分：以及第2構件，能與前述物體對向，能在前述光路外側移動；前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部；前述壁部具有最接近前述光路之第1部位；前述第2構件具有最接近前述光路之第2部位；在前述第2構件之移動期間，前述第2部位持續配置於相對前述光路之前述第1部位之外側。
  27. 如申請專利範圍第25或26項之液浸構件，其中，前述第2構件之可動範圍被決定成前述第2部位可持續配置於相對前述光路之前述第1部位之外側。
  28. 如申請專利範圍第25至27項中任一項之液浸構件，其中，前述第1部位隔著間隙配置於前述射出面之下方。
  29. 如申請專利範圍第25至28項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件具有前述曝光用光能通過之第1開口；前述第2構件具有前述曝光用光能通過之第2開口；前述第1部位係規定前述第1開口之至少一部分；前述第2部位係規定前述第2開口之至少一部分。
  30. 如申請專利範圍第29項之液浸構件，其中，前述第2構件可在與前述光學構件之光軸實質垂直之既定方向移動；在前述既定方向，前述第2開口之尺寸較前述第1開口之尺寸大。
  31. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件具有前述曝光用光能通過之第1開口；前述第2構件具有前述曝光用光能通過之第2開口；前述第2構件可在與前述光學構件之光軸實質垂直之既定方向移動；在前述既定方向，前述第2開口之尺寸較前述第1開口之尺寸大。
  32. 如申請專利範圍第1至31項中任一項之液浸構件，其中，面對前述光路之前述第2構件之端面之至少一部分，係於相對前述光軸之放射方向朝外側向下方傾斜。
  33. 如申請專利範圍第32項之液浸構件，其中，面對前述前述光路之 前述第2構件之端面，包含：第1內面與第2內面，該第2內面配置於前述第1內面之下方，上端與前述第1內面連結，下端與前述第2構件之第2下面連結；前述第1內面與前述第2內面為非平行，在與前述光學構件之光軸平行之方向，前述第2內面之尺寸較前述第1內面之尺寸大；至少前述第2內面係相對前述光路朝外側向下方傾斜。
  34. 如申請專利範圍第1至31項中任一項之液浸構件，其中，面對前述光路之前述第2構件之端面之至少一部分，係於相對前述光軸之放射方向朝外側向上方傾斜。
  35. 如申請專利範圍第34項之液浸構件，其中，面對前述前述光路之前述第2構件之端面，包含：第1內面與第2內面，該第2內面配置於前述第1內面之上方，下端與前述第1內面連結，上端與前述第2構件之第2上面連結；前述第1內面與前述第2內面為非平行，在與前述光學構件之光軸平行之方向，前述第2內面之尺寸較前述第1內面之尺寸大；至少前述第2內面係相對前述光路朝外側向上方傾斜。
  36. 如申請專利範圍第1至35項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件具有至少一部分能與前述第2構件對向之第1下面；前述第1下面，包含第1區域與配置於相對前述光路之前述第1區域外側且配置於較前述第1區域上方處之第2區域。
  37. 一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於前述光學構件 下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在前述光學構件周圍之至少一部分：以及第2構件，能與前述物體對向，能在前述曝光用光之光路外側移動；前述第1構件具有至少一部分能與前述第2構件對向之第1下面；前述第1下面，包含第1區域與配置於相對前述光路之前述第1區域外側且配置於較前述第1區域上方處之第2區域。
  38. 如申請專利範圍第36或37項之液浸構件，其中，前述第1區域相對前述光學構件之光軸傾斜。
  39. 如申請專利範圍第36至38項中任一項之液浸構件，其中，前述光學構件之光軸與前述第1區域所構成之角度，與前述光軸與前述第2區域所構成之角度不同。
  40. 如申請專利範圍第36或37項之液浸構件，其中，前述第1下面具有連結前述第1區域與前述第2區域、相對前述光學構件之光軸傾斜之傾斜區域。
  41. 如申請專利範圍第36或37項之液浸構件，其中，於前述第1區域與前述第2區域之間具有段差。
  42. 如申請專利範圍第36至41項中任一項之液浸構件，其中，前述第1下面包含配置於相對前述光路之前述第2區域外側、在與前述光學構件之光軸平行之方向與前述第2區域之位置不同的第3區域。
  43. 如申請專利範圍第42項之液浸構件，其中，前述第3區域配置於較前述第2區域下方處。
  44. 如申請專利範圍第43項之液浸構件，其中，前述第1區域配置於 較前述第3區域下方處。
  45. 如申請專利範圍第36至44項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件係在前述第2區域下方移動。
  46. 如申請專利範圍第36至45項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件係相對前述光路在前述第1區域外側移動。
  47. 如申請專利範圍第36至46項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件具有能與前述第2構件對向之凹部；前述第2區域配置於前述凹部之內側。
  48. 如申請專利範圍第47項之液浸構件，其中，前述第2構件在前述凹部之下方移動。
  49. 如申請專利範圍第36至48項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件具有至少一部分與前述第1構件對向之第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面；前述第2上面，配置於較前述第1區域上方處。
  50. 如申請專利範圍第49項之液浸構件，其中，前述第2下面，配置於較前述第1區域上方處。
  51. 如申請專利範圍第49或50項之液浸構件，其中，前述第2構件具有前述曝光用光能通過之第2開口；前述第2上面之至少一部分配置於前述第2開口之上端周圍；前述第2下面之至少一部分配置於前述第2開口之下端周圍。
  52. 如申請專利範圍第36至51項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件具有前述曝光用光能通過之第1開口； 前述第1下面之至少一部分配置於前述第1開口之下端周圍。
  53. 如申請專利範圍第1至52項中任一項之液浸構件，其進一步具有供應前述第1液體之第1液體供應部。
  54. 如申請專利範圍第53項之液浸構件，其進一步具有供應第2液體之第2液體供應部。
  55. 如申請專利範圍第54項之液浸構件，其中，前述第2液體供應部配置成面對前述第1構件與前述第2構件之間之空間。
  56. 如申請專利範圍第54或55項之液浸構件，其中，前述第2液體供應部配置成在第1狀態下與前述第2構件對向，在第2狀態下與前述物體之表面對向。
  57. 如申請專利範圍第54或55項之液浸構件，其中，在前述第2構件之移動中，前述第2構件從與前述第2液體供應部對向之第1狀態及不對向之第2狀態中之一方變化成另一方。
  58. 一種液浸構件，係用於透過在光學構件之射出面與基板之間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置，可在能於前述光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1液體供應部，係供應第1液體；第1構件，配置在前述光學構件周圍之至少一部分：第2構件，能與前述物體對向，能在前述曝光用光之光路外側移動；以及第2液體供應部，係供應第2液體；前述第2構件，係從與前述第2液體供應部對向之第1狀態及不對向 之第2狀態中之一方變化成另一方。
  59. 如申請專利範圍第54至58項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件具有前述曝光用光能通過之第1開口與配置於前述第1開口之下端周圍之第1下面；前述第2液體供應部配置於前述第1下面。
  60. 如申請專利範圍第54至59項中任一項之液浸構件，其中，在前述第2構件不與前述第2液體供應部對向之第2狀態下，從前述第2液體供應部供應液體。
  61. 如申請專利範圍第54至60項中任一項之液浸構件，其中，在前述第2構件與前述第2液體供應部對向之第1狀態下，從前述第2液體供應部供應液體。
  62. 如申請專利範圍第54至61項中任一項之液浸構件，其中，在前述第2構件移動之期間之至少一部分，從前述第2液體供應部供應液體。
  63. 如申請專利範圍第53至62項中任一項之液浸構件，其中，前述第1液體供應部，係於前述第1構件配置成面對與前述光學構件外面間之空間及包含從前述射出面射出之前述曝光用光之光路之空間中之至少一方。
  64. 如申請專利範圍第1至63項中任一項之液浸構件，其進一步具有配置於前述第1構件之液體回收部。
  65. 如申請專利範圍第1至64項中任一項之液浸構件，其進一步具有於前述第2構件配置成與前述物體對向之流體回收部。
  66. 如申請專利範圍第1至65項中任一項之液浸構件，其中，在形成有前述液浸空間之狀態下，前述第2構件能移動。
  67. 如申請專利範圍第1至66項中任一項之液浸構件，其中，在從前述射出面射出前述曝光用光之期間之至少一部分，前述第2構件能移動。
  68. 如申請專利範圍第1至67項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件係在與前述光學構件之光軸垂直之面內移動。
  69. 如申請專利範圍第1至68項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件之至少一部分配置於前述第1構件下方。
  70. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備申請專利範圍第1至69項中任一項之液浸構件。
  71. 一種曝光裝置，係透過第1液體以曝光用光使基板曝光，其具備：光學構件，具有射出前述曝光用光之射出面；液浸構件，具有配置在前述光學構件周圍之至少一部分之第1構件、以及能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件；以及保護構件，係保護前述光學構件；前述保護構件，係減低前述光學構件從前述液浸空間之液體承受之壓力變動。
  72. 如申請專利範圍第71項之曝光裝置，其中，前述保護構件係在前述光路之外側配置於前述光學構件與前述第2構件之間。
  73. 如申請專利範圍第71或72項之曝光裝置，其中，前述第2構件之至少一部分配置於前述第1構件之下方。
  74. 如申請專利範圍第70至73項中任一項之曝光裝置，其中，前述第2構件能以和前述物體之相對速度變小之方式移動。
  75. 如申請專利範圍第70至74項中任一項之曝光裝置，其中，前述第2構件能以和前述物體之相對加速度變小之方式移動。
  76. 如申請專利範圍第70至75項中任一項之曝光裝置，其中，前述第2構件，能以前述第2構件與前述物體之相對速度較前述第1構件與前述物體之相對速度小之方式移動。
  77. 如申請專利範圍第70至76項中任一項之曝光裝置，其中，前述第2構件，能以前述第2構件與前述物體之相對加速度較前述第1構件與前述物體之相對加速度小之方式移動。
  78. 如申請專利範圍第70至77項中任一項之曝光裝置，其中，前述物體包含前述基板；在形成有前述液浸空間之狀態下，前述基板能在與前述光學構件之光軸實質垂直之面內，移動於第1路徑後、移動於第2路徑；於前述第1路徑，前述基板之移動包含往在前述面內與第2軸實質平行之第2方向的移動；於前述第2路徑，前述基板之移動包含往在前述面內和與前述第2軸正交之第3軸實質平行之第3方向的移動；前述第2構件係在前述基板移動於前述第2路徑之期間之至少一部分中，於前述第3方向移動。
  79. 如申請專利範圍第78項之曝光裝置，其中，在前述基板移動於前述第1路徑時透過前述液浸空間之液體對前述基板之照射區域照射前述曝光用光，而在前述基板移動於前述第2路徑時則不照射前述曝光用光。
  80. 如申請專利範圍第78或79項之曝光裝置，其中，前述基板在移動 於前述第2路徑後，移動於第3路徑；於前述第3路徑，前述基板之移動包含往與前述第1方向相反之第3方向的移動；前述第2構件在前述基板移動於前述第3路徑之期間之至少一部分中，往與前述第2方向相反之第4方向移動。
  81. 如申請專利範圍第70至77項中任一項之曝光裝置，其中，前述物體包含前述基板；在形成有前述液浸空間之狀態下，以一邊使前述基板於掃描方向掃描移動一邊曝光前述基板之第1照射區域後第2照射區域配置於曝光開始位置之方式使前述基板往步進方向步進移動；在前述基板之步進移動之至少一部分中，前述第2構件移動於與前述步進方向實質相同之方向。
  82. 如申請專利範圍第81項之曝光裝置，其中，在前述基板之掃描移動之至少一部分中，前述第2構件移動於與前述步進方向實質相反之方向。
  83. 如申請專利範圍第70至82項中任一項之曝光裝置，其中，前述物體包含能保持前述基板移動之基板載台。
  84. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第70至83項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之前述基板顯影的動作。
  85. 一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光，包含： 使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及保護前述光學構件之保護部；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作；以及以前述保護部減低前述光學構件從前述液浸空間之液體承受之壓力變動的動作。
  86. 一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部，前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面，前述壁部之最下部配置成與前述第2上面同高或較前述第2上面下方處；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2 構件的動作。
  87. 一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部，前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面，前述壁部之最下部配置成與前述第2下面同高或較前述第2下面下方處；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  88. 一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部，前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面，前述壁部之最下部配置在較前述第2構件之前述第2上面上方處， 在相對前述光路之前述最下部之外側，於前述第1構件與前述第2上面之間形成間隙，在與前述光學構件之光軸平行之方向，前述最下部與前述第2上面之距離較前述間隙之尺寸小；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  89. 一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述曝光用光之光路周圍之至少一部分的第1構件、能與前述物體對向且能在前述光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部，前述壁部具有最接近前述光路之第1部位，前述第2構件具有最接近前述光路之第2部位，在前述第2構件之移動期間，前述第2部位持續配置於相對前述光路之前述第1部位之外側；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  90. 一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光，包含： 使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、能與前述物體對向且能在從前述射出面之前述曝光用光之前述光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有至少一部分能與前述第2構件對向之第1下面；前述第1下面，包含第1區域與配置於相對前述光路之前述第1區域外側且配置在較前述第1區域上方處之第2區域；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  91. 一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備供應前述第1液體之第1液體供應部、配置在前述光學構件周圍之至少一部分之第1構件、能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及供應第2液體之第2液體供應部，前述第2構件，係從與前述第2液體供應部對向之第1狀態及不對向之第2狀態中之一方變化成另一方；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  92. 一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作；以及以保護構件減低前述光學構件從前述液浸空間之液體承受之壓力變動的動作。
  93. 如申請專利範圍第85至92項中任一項之曝光方法，其中，前述第2構件係在前述第2構件之至少一部分配置於前述第1構件下方之狀態下相對前述第1構件移動。
  94. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第85至93項中任一項之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之前述基板顯影的動作。
  95. 一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液 體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、至少一部分配置於前述第1構件下方且能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及保護前述光學構件之保護部；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作；以及以前述保護部減低前述光學構件從前述液浸空間之液體所承受之壓力變動的動作。
  96. 一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於前述第1構件下方且能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部，前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面，前述壁部之最下部配置成與前述第2上面同高或較前述第2上面下方處；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2 構件的動作。
  97. 一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於前述第1構件下方且能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部，前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面，前述壁部之最下部配置成與前述第2下面同高或較前述第2下面下方處；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  98. 一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於前述第1構件下方且能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部，前述第2構件具有第2上面與能與前述物體之表面對向之第2下面，前述壁部之最下部配置 在較前述第2構件之前述第2上面上方處，在相對前述光路之前述最下部之外側，於前述第1構件與前述第2上面之間形成間隙，在與前述光學構件之光軸平行之方向，前述最下部與前述第2上面之距離較前述間隙之尺寸小；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  99. 一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於前述第1構件下方且能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有配置於前述光學構件與前述第2構件之間之壁部，前述壁部具有最接近前述光路之第1部位，前述第2構件具有最接近前述光路之第2部位，在前述第2構件之移動期間，前述第2部位持續配置於相對前述光路之前述第1部位之外側；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  100. 一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於前述第1構件下方且能與前述物體對向且能在從前述射出面之前述曝光用光之前述光路外側移動之第2構件，前述第1構件具有至少一部分能與前述第2構件對向之第1下面；前述第1下面，包含第1區域與配置於相對前述光路之前述第1區域外側且配置在較前述第1區域上方處之第2區域；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  101. 一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備供應前述第1液體之第1液體供應部、配置在前述光學構件周圍之至少一部分之第1構件、至少一部分配置於前述第1構件下方且能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件、以及供應第2液體之第2液體供應部，前述第2構件，係從與前述第2液體供應部對向之第1狀態及不對向之第2狀態中之一方變化成另一方； 透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
  102. 一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之第1液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在能於前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備配置在前述光學構件周圍之至少一部分的第1構件、以及至少一部分配置於前述第1構件下方且能與前述物體對向且能在前述曝光用光之光路外側移動之第2構件；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作；以及以保護構件減低前述光學構件從前述液浸空間之液體承受之壓力變動的動作。
  103. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有申請專利範圍第95至102項中任一項之程式。
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