TW201428946A - 影像感測晶片封裝體及其製作方法 - Google Patents

影像感測晶片封裝體及其製作方法 Download PDF

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Abstract

一種影像感測晶片封裝體，包含一基底、形成於基底上之影像感測元件、設置於基底上並圍繞影像感測元件之間隔材，以及設置於間隔材上之透光基板。透光基板之一側具有應力缺口以及延伸自應力缺口之一斷裂面。一種影像感測晶片封裝體之製作方法亦在此揭露。

Description

影像感測晶片封裝體及其製作方法
本發明是有關於一種晶片封裝體與其製作方法，且特別是有關於一種影像感測晶片封裝體與其製作方法。
影像感測晶片封裝體通常包括有影像感測晶片以及設置於其上之透明基板。透明基板可作為影像感測晶片封裝體製作過程中之支撐，使製程得以順利進行。
然而，透光基板之材料多為高硬度的玻璃，當切割晶圓時，由於玻璃的硬度較高，因此，需要花費大量的時間在裁切玻璃的步驟上，使得生產效率難以提升。除此之外，因為玻璃的硬度較高，故裁切時刀片的汰換率極高，又會增加額外的刀片更換成本。
因此，需要一種有效率的影像感測晶片封裝體的製作方法。
本發明的目的就是在提供一種影像感測晶片封裝體與其製作方法，用以提升影像感測晶片封裝體的生產效 率。
本發明之一態樣提出一種影像感測晶片封裝體，包含一基底、形成於基底上之影像感測元件、設置於基底上並圍繞影像感測元件之間隔材，以及設置於間隔材上之透光基板。透光基板之一側具有應力缺口以及延伸自應力缺口之一斷裂面。
於本發明之一或多個實施例中，應力缺口之剖面形狀為V字形，斷裂面自該V字形的頂端延伸，應力缺口的表面粗糙度不同於斷裂面的表面粗糙度。
於本發明之一或多個實施例中，影像感測晶片封裝體更包含光學構件，形成於影像感測元件上。
於本發明之一或多個實施例中，透光基板包含面對基底之內表面以及與內表面相對之外表面，應力缺口形成於內表面。
於本發明之一或多個實施例中，影像感測晶片封裝體更包含膠帶，貼附於透光基板之外表面。
於本發明之一或多個實施例中，基底與間隔材鄰接應力缺口之一側面為一垂直表面。
於本發明之一或多個實施例中，影像感測晶片封裝體，更包含接觸區、導通孔、導體層與導電結構。接觸區連接影像感測元件。導通孔貫穿基底。導體層形成於導通孔之側壁與基底之外表面，導體層並與接觸區連接。導電結構設置於位於基底之外表面上的導體層，使影像感測元件藉由接觸區以及導體層，與導電結構電性連接。
於本發明之一或多個實施例中，影像感測晶片封裝體更包含封裝層，設置於基底之外表面上。封裝層具有開口，以露出部分之導體層與導電結構。
於本發明之一或多個實施例中，基底鄰近應力缺口之一側面為一斜面，間隔材包含連接斜面與應力缺口之凹槽。
於本發明之一或多個實施例中，影像感測晶片封裝體更包含接觸區、導體層與導電結構。接觸區形成於基底上，接觸區連接影像感測元件。導體層形成於凹槽、斜面與基底之外表面上，其中接觸區接觸導體層。導電結構設置於位於基底之外表面上的部分導體層，使影像感測元件藉由接觸區及導體層與導電結構電性連接。
於本發明之一或多個實施例中，影像感測晶片封裝體更包含封裝層，設置於基底之外表面上。封裝層具有開口，以露出部分之導體層與導電結構。
於本發明之一或多個實施例中，透光基板包含面對基底之內表面以及與內表面相對之一表面，應力缺口形成於外表面。
於本發明之一或多個實施例中，基底具有超出於間隔材之延伸段，影像感測晶片封裝體更包含接觸區，設置於延伸段上，並與影像感測元件連接。
於本發明之一或多個實施例中，影像感測元件與接觸區分別位於封裝材之兩側。
於本發明之一或多個實施例中，影像感測晶片封裝 體更包含膠帶，貼附於基底之外表面。
本發明之另一態樣為一種影像感測晶片封裝體之製作方法，包含提供一晶圓、切割晶圓之基底、形成複數個應力缺口於晶圓之透光基板的表面上，以及施加壓力於透光基板，該透光基板沿應力缺口破片，使晶圓分割為複數個影像感測晶片封裝體。
於本發明之一或多個實施例中，提供一晶圓之步驟包含提供一基底、形成複數個影像感測元件於基底上、形成複數個間隔材於基底上，其中間隔材圍繞影像感測元件，以及設置透光基板於該些間隔材上，透光基板與基底之間具有複數個空腔，影像感測元件分別位於空腔中。
於本發明之一或多個實施例中，切割晶圓之基底之步驟更包含切割間隔材與透光基板，以形成應力缺口於透光基材之表面。
於本發明之一或多個實施例中，更包含形成複數個接觸區於基底上，接觸區連接影像感測元件、形成複數個導通孔貫穿基底，導通孔對應於該些接觸區、形成導體層於導通孔之側壁與基底之外表面上，以及形成複數個導電結構於部分之導體層上。
於本發明之一或多個實施例中，切割晶圓之基底之步驟包含形成複數個梯形凹槽於基底與間隔材上。
於本發明之一或多個實施例中，更包含形成複數個接觸區於基底上，接觸區連接影像感測元件、形成導體層於梯形凹槽之表面與基底之外表面上，接觸區接觸導體 層，以及形成複數個導電結構於部分之導體層上。
於本發明之一或多個實施例中，應力缺口位於梯形凹槽上，部分之導體層填入該應力缺口中。
於本發明之一或多個實施例中，提供晶圓之步驟包含提供基底、形成複數個影像感測元件與複數個接觸區於基底上，接觸區連接至影像感測元件、形成複數個間隔材於基底上，其中間隔材圍繞影像感測元件，以及設置透光基板於間隔材上，透光基板與基底之間具有複數個空腔，其中部分的空腔容置有影像感測元件，另一部分的空腔中容置有接觸區。
於本發明之一或多個實施例中，應力缺口形成於透光基板對應於接觸區之處。
當在切割晶圓為多個影像感測晶片封裝體時，可以先在透光基板上形成應力缺口，接著施加壓力於透光基板上，使得透光基板沿著應力缺口的方向破片。又因為透光基板之材料為玻璃，因此在破片時會從應力缺口的位置沿著晶格排列的方向裂開。相較於傳統使用刀片切割的方式，本發明可以有效減短切割時間、提升製程效率，以及減少材料損耗的成本。
100、300、500‧‧‧晶圓
110、310、510‧‧‧基底
112、312、512‧‧‧內表面
114、314、514‧‧‧外表面
116、316、516‧‧‧斷裂面
120、320、520‧‧‧影像感測元件
122、322、522‧‧‧光學構件
130、330、530‧‧‧間隔材
140、340、540‧‧‧透光基板
142、342、542‧‧‧內表面
144、344、544‧‧‧外表面
150、350、550‧‧‧膠帶
160、360、560‧‧‧應力缺口
162、362、562‧‧‧下壓工具
170、370、570‧‧‧接觸區
172、372‧‧‧導體層
174、374‧‧‧導電結構
180‧‧‧導通孔
190、390‧‧‧封裝層
192、392‧‧‧開口
200、400、600‧‧‧影像感測 晶片封裝體
318‧‧‧梯形凹槽
332‧‧‧凹槽
380‧‧‧斜面
518‧‧‧延伸段
第1A圖到第1E圖分別繪示本發明之影像感測晶片封裝體之製作方法第一實施例的流程示意圖。
第2圖繪示第1E圖中之影像感測晶片封裝體的局部放大圖。
第3A圖到第3G圖分別繪示本發明之影像感測晶片封裝體之製作方法第二實施例的流程示意圖。
第4圖繪示第3G圖中之影像感測晶片封裝體的局部放大圖。
第5A圖到第5D圖分別繪示本發明之影像感測晶片封裝體之製作方法第三實施例的流程示意圖。
第6圖繪示第5D圖中之影像感測晶片封裝體的局部放大圖。
以下將以圖式及詳細說明清楚說明本發明之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本發明之較佳實施例後，當可由本發明所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本發明之精神與範圍。
參照第1A圖至第1E圖，其分別繪示本發明之影像感測晶片封裝體之製作方法第一實施例的流程示意圖。
第1A圖為提供一晶圓100。晶圓100包含有一基底110、形成於基底110上之多個影像感測元件120與接觸區170、多個間隔材130以及一透光基板140。其中基底110可以為矽基板，影像感測元件120以及接觸區170可以透過微影製程形成於基底110上，接觸區170為導體材料，接觸區170更透過金屬內連線而與影像感測元件120連 接。影像感測元件120位於基底110與透光基板140之間所形成的空腔處。間隔材130設置於基底110上，並圍繞影像感測元件120設置。間隔材130的具體位置為位於接觸區170上方。間隔材130更用以連接基底110以及透光基板140。基底110至少包含有矽基板。間隔材130之材料可以為如光阻等有機材料。透光基板140可以為玻璃基板，以提供足夠的支撐與保護，並使光線得以進入影像感測元件120之中。透光基板140與基底110之間具有空腔，影像感測元件120位於空腔之中。晶圓100更包含有光學構件122。光學構件122為形成於影像感測元件120之表面，以提升影像感測元件的成像品質。光學構件122可以為微透鏡陣列。第1B圖中，包含在基底110形成導通孔180。導通孔180為形成於每一個間隔材130下方的基材110上，導通孔180為貫穿基底110，使得導通孔180的一端通往接觸區170，導通孔180可以經由蝕刻的方式形成。本實施例中，每一個間隔材130下方形成有兩個導通孔180。
接著，第1B圖中更包含形成導體層172。導體層172為形成於導通孔180以及基底110上。導體層172可以透過物理或是化學氣相沉積的方式形成於導通孔180之側壁以及基底110的外表面114上。導體層172更與接觸區170連接。
第1B圖中更包含形成封裝層190，封裝層190為設置於基底110之外表面114上。封裝層190可以為塗佈於基底110上之綠漆(solder mask)。封裝層190上具有開口 192，以露出位於開口192中之部分導體層172。封裝層190可以用以定義出導電的位置，並可保護位於其下的導體層172。
第1B圖更包含形成導電結構174。導電結構174形成於位於基底110之外表面114上並暴露於封裝層190之開口192的導體層172上。導電結構174舉例而言可以為錫球。使得影像感測元件120藉由接觸區170以及導體層172，與導電結構174電性連接。而後導電結構174可以再與外部電路連接，使得影像感測元件120可以與外部電路電性連接。
接著，第1C圖為切割晶圓100之基底110。切割晶圓100之基底110的步驟可以透過刀片切割或是雷射切割的方式進行。基底110具有面對透光基板140之一內表面112以及與內表面112相對之一外表面114。切割晶圓100之方向係從基底110之外表面114向內表面112切割。切割基底110之位置大致為在對應於間隔材130之位置進行切割。更體地說，為沿著兩導通孔180之間切過基底110與間隔材130。晶圓100在透光基板140上可更貼附有膠帶150，膠帶150可以為UV膠帶。透光基板140具有面對基底110之一內表面142以及與內表面142相對之一外表面144。切割晶圓100之基底110與間隔材130的製程可以延續而後略微切入透光基板140之內表面142，以形成應力缺口160於透光基板140之內表面142上。應力缺口160之剖面形狀大致為V字形。
第1D圖為施加壓力於透光基板140上，特別是在對應於應力缺口160的位置下壓。更具體地說，壓力為施加於透光基板140上之膠帶150，並直接對應於應力缺口160的位置。此步驟可以利用銳物或是鈍物等下壓工具162下壓膠帶150對應於應力缺口160的位置，使得下壓的壓力傳遞至透光基板140，進而使得玻璃材料的透光基板140從應力缺口160處，沿著晶格排列方向破片。
由於透光基板140非採用刀片切割或是雷射切割的方式破片，因此，在斷面處會因晶格排列而呈現具有一定規律斷裂面116。其中斷裂面116自應力缺口160之V字形的頂端延伸，且應力缺口160的表面粗糙度不同於斷裂面116的表面粗糙度。在此步驟中，晶圓100可被分割為複數個影像感測晶片封裝體200。
最後，第1E圖為將影像感測晶片封裝體200自膠帶150上取下，以得到獨立的影像感測晶片封裝體200。膠帶150本身具有一定的延展性，因此，藉由拉開膠帶150使其延展，便可加大各個影像感測晶片封裝體200之間的距離，以方便將其從膠帶150上取下。
參照第2圖，其繪示第1E圖中之影像感測晶片封裝體200的局部放大圖。影像感測晶片封裝體200包含有基底110、形成於基底110上的影像感測元件120、形成於基底110上並圍繞影像感測元件120之間隔材130，以及位於間隔材130上之透光基板140。透光基板140上具有應力缺口160，透光基板140自應力缺口160延伸之表面為斷裂 面116。本實施例中，基底110與間隔材130鄰接應力缺口160之一側面為一垂直表面。
影像感測元件120形成於基底110上，並位於基底110與透光基板140之間所形成的空腔處。接觸區170形成於基底110上，位於間隔材130下方，接觸區170電性連接至影像感測元件120。導通孔180則是貫穿基底110，導通孔180之一端通往接觸區170。導體層172為形成於導通孔180以及基底110上。導體層172更與接觸區170連接。影像感測晶片封裝體200包含有封裝層190，封裝層190為設置於基底110之外表面114上。封裝層190可以為塗佈於基底110上之綠漆(solder mask)。封裝層190上具有開口192，以露出位於開口192中之部分導體層172。封裝層190可以用以定義導電區塊，並可保護位於其下的導體層172。影像感測晶片200包含有導電結構174。導電結構174設置於位於基底110之外表面114上並外露於封裝層190之開口192的導體層172，導電結構174舉例而言可以為錫球。使得影像感測元件120藉由接觸區170以及導體層172，與導電結構174電性連接。而後導電結構174可以再與外部電路連接，使得影像感測元件120可以與外部電路電性連接。
影像感測晶片封裝體200更包含有光學構件122。光學構件122為形成於影像感測元件120之表面，以提升影像感測元件的成像品質。光學構件122可以為微透鏡陣 列。
由於應力缺口160是採用切割的方式形成，而斷裂面116是透過裂片的方式形成，因此，兩者會分別具有不同的表面粗糙度。又因為透光基板140是用裂片的方式分離，相較於傳統採用刀片切割的方式，有效縮短所需要的時間、提升製程效率，並可降低切割工具磨損的成本。
參照第3A圖至第3G圖，其分別繪示本發明之影像感測晶片封裝體之製作方法第二實施例的流程示意圖。
第3A圖為提供一晶圓300。晶圓300包含有一基底310、形成於基底310上之多個影像感測元件320與接觸區370、多個間隔材330以及一透光基板340。其中基底310可以為矽基板，影像感測元件320與接觸區370可以透過微影製程形成於基底310上。接觸區370為導體材料，接觸區370更透過金屬內連線而與影像感測元件320連接。間隔材330設置於基底310上，並圍繞影像感測元件320設置。間隔材330更用以連接基底310以及透光基板340。基底310至少包含有矽基板。間隔材330之材料可以為如光阻等有機材料。透光基板340可以為玻璃基板，以提供足夠的支撐與保護，並使光線得以進入影像感測元件320之中。透光基板340與基底310之間具有空腔，影像感測元件320位於空腔之中。接觸區370位於間隔材330下方。基底310上更設置有光學構件322。光學構件322為形成於影像感測元件320之表面，以提升影像感測元件的成像品質。光學構件322可以為微透鏡陣列。第3B圖為切割晶圓 300之基底310。切割晶圓300之基底310的步驟可以透過治具裁切或是蝕刻方式進行。基底310具有面對透光基板340之一內表面312以及與內表面312相對之一外表面314。切割晶圓300之方向係從基底310之外表面314向內表面312切割。切割基底310之位置大致為在對應於間隔材330之位置進行切割。本實施例中，切割晶圓300之基底310的步驟為在基底310與間隔材330上形成多個梯形凹槽318。梯形凹槽318寬度較小的一端位於間隔材330上。晶圓300可更貼附有膠帶350，膠帶350可以為UV膠帶。接觸區370會外露於梯形凹槽318之表面。
第3C圖為形成複數個應力缺口360於晶圓300之透光基板340的表面上。透光基板340具有面對基底310之一內表面342以及與內表面342相對之一外表面344。應力缺口360為形成在透光基板340的內表面342上。形成應力缺口360的製程可以透過刀片切割或是雷射切割的方式，使得應力缺口360形成於透光基板340之內表面342上。應力缺口360之剖面形狀大致為V字形。應力缺口360為切過梯形凹槽318的頂面。
第3D圖為形成導體層372於基底310之外表面314以及梯形凹槽318的側壁上。導體層372更與接觸區370連接。導體層372與接觸區370連接處近似於T形。導體層372可以透過物理或是化學氣象沉積的方式形成於基底310之外表面314與梯形凹槽318之側壁上。部分的導體層372更填入應力缺口360中。
第3E圖為在基底310之外表面314上塗佈封裝層390。封裝層390可以為綠漆。封裝層390可用以保護導體層372並定義出導電區塊。封裝層390上具有多個開口392，用以露出部分的導體層372。接著，複數個導電結構374形成於外露於封裝層390之開口392的導體層372上，使得影像感測元件320藉由接觸層370以及導體層372與導電結構374連接。導電結構374為用以與外部電路連接，藉由接觸區370、導體層372以及導電結構374溝通影像感測元件320與外部電路。導電結構374可以為錫球。
第3F圖為施加壓力於透光基板340上，特別是在對應於應力缺口360的位置下壓。更具體地說，壓力為施加於透光基板340上之膠帶350，並直接對應於應力缺口360的位置。此步驟可以利用銳物或是鈍物等下壓工具362下壓膠帶350對應於應力缺口360的位置，使得下壓的壓力傳遞至透光基板340，進而使得玻璃材料的透光基板340從應力缺口360處，沿著晶格排列方向破片。由於透光基板340非採用刀片切割或是雷射切割的方式破片，因此，在斷面處會因晶格排列而呈現具有一定規律之斷裂面316。其中斷裂面316自應力缺口360之V字形的頂端延伸，且應力缺口360的表面粗糙度不同於斷裂面316的表面粗糙度。在此步驟中，晶圓300可被分割為複數個影像感測晶片封裝體400。
第3G圖為將影像感測晶片封裝體400自膠帶350上取下，以得到獨立的影像感測晶片封裝體400。膠帶350 本身具有一定的延展性，因此，藉由拉開膠帶350使其延展，便可加大各個影像感測晶片封裝體400之間的距離，以方便將其從膠帶350上取下。
參照第4圖，其繪示第3G圖中之影像感測晶片封裝體400的局部放大圖。影像感測晶片封裝體400包含有基底310、形成於基底310上的影像感測元件320與接觸區370、形成於基底310上並圍繞影像感測元件320之間隔材330，以及位於間隔材330上之透光基板340。透光基板340上具有應力缺口360，透光基板340自應力缺口360延伸之表面為斷裂面316。本實施例中，基底310鄰接應力缺口360之一側面為一斜面380。間隔材330上具有凹槽332，以連接斜面380與應力缺口360。
影像感測晶片封裝體400包含導體層372以及導電結構374。影像感測元件320形成於基底310上，並位於基底310與透光基板340之間所形成的空腔處。接觸區370形成於基底310上，位於間隔材330下方，接觸區370透過金屬內連線連接至影像感測元件320。
導體層372為形成於基底310之外表面314、斜面380以及間隔材330之凹槽332上。導體層372可以透過物理或是化學氣相沉積的方式形成於基底310的外表面314、斜面380以及間隔材330之凹槽332上。導體層372更與接觸區370連接。
導電結構374設置於位於基底310之外表面314上的導體層372，導電結構372舉例而言可以為錫球。使得影 像感測元件320藉由接觸區370以及導體層372，與導電結構374電性連接。而後導電結構374可以再與外部電路連接，使得影像感測元件320可以與外部電路電性連接。
影像感測晶片封裝體400包含有光學構件322。光學構件322為形成於影像感測元件320之表面，以提升影像感測元件的成像品質。光學構件322可以為微透鏡陣列。
影像感測晶片封裝體400包含有封裝層390，封裝層390為設置於基底310之外表面314上。封裝層390可以為塗佈於基底310上之綠漆。封裝層390上具有開口392，以露出位於開口392中之部分導體層372，以及位於該部分導體層372上之導電結構374。封裝層390可以避免導電結構374彼此接觸而短路，並可保護位於其下的導體層372。
由於應力缺口160是採用切割的方式形成，而斷裂面116是透過裂片的方式形成，因此，兩者會分別具有不同的表面粗糙度。又因為透光基板140是用裂片的方式分離，相較於傳統採用刀片切割的方式，有效縮短所需要的時間、提升製程效率，並可降低切割工具磨損的成本。
參照第5A圖至第5D圖，其分別繪示本發明之影像感測晶片封裝體之製作方法第三實施例的流程示意圖。
第5A圖為提供一晶圓500。晶圓500包含有一基底510、形成於基底510上之多個影像感測元件520與接觸區570、多個間隔材530與一透光基板540。其中基底510可以為矽基板，影像感測元件520與接觸區570可以透過 微影製程形成於基底510上。接觸區570為導體。間隔材530設置於基底510上，並圍繞影像感測元件520設置。間隔材530更用以連接基底510以及透光基板540。接觸區570位於基底510上，接觸區570以及影像感測元件520分別位於間隔材530的兩側。
基底510至少包含有矽基板。間隔材530之材料可以為如光阻等有機材料。透光基板540可以為玻璃基板，以提供足夠的支撐與保護，並使光線得以進入影像感測元件520之中。晶圓500更包含有膠帶550，基底510具有面對透光基板540之一內表面512以及與內表面512相對之一外表面514。膠帶550為黏附於基底510之外表面514。
透光基板540與基底510之間具有空腔，影像感測元件520位於部分的空腔之中，接觸區570位於另一部分的空腔之中。每一接觸區570分別透過金屬內連線與鄰近之影像感測元件520連接。
基底510上更設置有光學構件522。光學構件522為形成於影像感測元件520之表面，以提升影像感測元件的成像品質。光學構件522可以為微透鏡陣列。
第5B圖為形成複數個應力缺口560於晶圓500之透光基板540的表面上。透光基板540具有面對基底510之一內表面542以及與內表面542相對之一外表面544。應力缺口560為形成在透光基板540的外表面544上。形成應力缺口560的製程可以透過刀片切割或是雷射切割的方式進行。應力缺口560之剖面形狀大致為V字形。應力缺 口560之位置為在透光基板540對應於接觸區570的該些空腔的位置。應力缺口560的位置為位於間隔材530之外，即應力缺口560之位置不與間隔材530重疊。
第5C圖為施加壓力於透光基板540上，特別是在應力缺口560的位置下壓。此步驟可以利用銳物或是鈍物等下壓工具562下壓於應力缺口560的位置，使得下壓的壓力穿透至透光基板540，進而使得玻璃材料的透光基板540從應力缺口560處，沿著晶格排列方向破片。由於透光基板540非採用刀片切割或是雷射切割的方式破片，因此，在斷面處會因晶格排列而呈現具有一定規律的斷裂面516。其中斷裂面516自應力缺口560之V字形的頂端延伸，且應力缺口560的表面粗糙度不同於斷裂面516的表面粗糙度。接觸區570上方被斷開之透光基板540可再被移除。
第5D圖為切割晶圓500之基底510。切割晶圓500之基底510的步驟可以透過刀片切割或是雷射切割的方式進行。切割晶圓500之方向可以從基底510之內表面512向外表面514切割。切割基底510之位置大致為切過相鄰兩接觸區570之間。在此步驟中，晶圓500可被分割為複數個影像感測晶片封裝體600。之後，便可以將影像感測晶片封裝體600自膠帶550上取下，以得到獨立的影像感測晶片封裝體600。
參照第6圖，其繪示第5D圖中之影像感測晶片封裝體600的局部放大圖。影像感測晶片封裝體600包含有 基底510、形成於基底510上的影像感測元件520、形成於基底510上並圍繞影像感測元件520之間隔材530、位於間隔材530上之透光基板540，以及形成於基底510上之接觸區570。透光基板540上具有應力缺口560，透光基板540自應力缺口560延伸之表面為斷裂面516。
影像感測元件520形成於基底510上，並位於基底510與透光基板540之間所形成的空腔處。基底510具有超出間隔材530的延伸段518，接觸區570設置於延伸段518上。接觸區570與影像感測元件520連接，接觸區570與影像感測元件520分別位於間隔材530的兩側。影像感測元件520藉由接觸區570可以與外部電路電性連接。
影像感測晶片封裝體600包含有光學構件522。光學構件522為形成於影像感測元件520之表面，以提升影像感測元件的成像品質。光學構件522可以為微透鏡陣列。
由上述本發明較佳實施例可知，應用本發明具有下列優點。當在切割晶圓為多個影像感測晶片封裝體時，可以先在透光基板上形成應力缺口，接著施加壓力於透光基板上，使得透光基板沿著應力缺口的方向破片。又因為透光基板之材料為玻璃，因此在破片時會從應力缺口的位置沿著晶格排列的方向裂開。相較於傳統使用刀片切割的方式，本發明可以有效減短切割時間、提升製程效率，以及減少材料損耗的成本。
雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧晶圓
110‧‧‧基底
116‧‧‧斷裂面
120‧‧‧影像感測元件
130‧‧‧間隔材
140‧‧‧透光基板
142‧‧‧內表面
144‧‧‧外表面
150‧‧‧膠帶
160‧‧‧應力缺口
162‧‧‧下壓工具
180‧‧‧導通孔
200‧‧‧影像感測晶片封裝體

Claims (24)

  1. 一種影像感測晶片封裝體，包含：一基底；一影像感測元件，形成於該基底；一間隔材，設置於該基底上，並圍繞該影像感測元件；以及一透光基板，設置於該間隔材上，該透光基板之一側具有一應力缺口以及延伸自該應力缺口之一斷裂面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測晶片封裝體，其中該應力缺口之剖面形狀為V字形，該斷裂面自該V字形的頂端延伸，該應力缺口的表面粗糙度不同於該斷裂面的表面粗糙度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測晶片封裝體，更包含一光學構件，形成於該影像感測元件上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測晶片封裝體，其中該透光基板包含面對該基底之一內表面以及與該內表面相對之一外表面，該應力缺口形成於該內表面。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之影像感測晶片封裝體，更包含一膠帶，貼附於該透光基板之該外表面。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之影像感測晶片封裝體，其中該基底與該間隔材鄰接該應力缺口之一側面為一垂直表面。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之影像感測晶片封裝體，更包含：一接觸區，形成於該基底上，該接觸區連接該影像感測元件；一導通孔，貫穿該基底；一導體層，形成於該導通孔之側壁與該基底之一外表面，並與該接觸區連接；以及一導電結構，設置於位於該基底之該外表面上的該導體層，使該影像感測元件藉由該接觸區以及該導體層，與該導電結構電性連接。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之影像感測晶片封裝體，更包含一封裝層，設置於該基底之該外表面上，該封裝層具有一開口，以露出部分之該導體層與該導電結構。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之影像感測晶片封裝體，其中該基底鄰近該應力缺口之一側面為一斜面，該間隔材包含一凹槽連接該斜面與該應力缺口。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測晶片封裝 體，更包含：一接觸區，形成於該基底上，該接觸區連接該影像感測元件；一導體層，形成於該凹槽、該斜面與該基底之一外表面上，其中該接觸區接觸該導體層；以及一導電結構，設置於位於該基底之外表面上的該部分導體層，使該影像感測元件藉由該接觸區及該導體層與該導電結構電性連接。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測晶片封裝體，更包含一封裝層，設置於該基底之該外表面上，該封裝層具有一開口，以露出部分之該導體層與該導電結構。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測晶片封裝體，其中該透光基板包含面對該基底之一內表面以及與該內表面相對之一外表面，該應力缺口形成於該外表面。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之影像感測晶片封裝體，其中該基底具有超出於該間隔材之一延伸段，該影像感測晶片封裝體更包含一接觸區，設置於該延伸段上，並與該影像感測元件連接。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之影像感測晶片封裝體，其中該影像感測元件與該接觸區分別位於該間隔材之 兩側。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之影像感測晶片封裝體，更包含一膠帶，貼附於該基底之該外表面。
  16. 一種影像感測晶片封裝體之製作方法，包含：提供一晶圓；切割該晶圓之一基底；形成複數個應力缺口於該晶圓之一透光基板的表面上；以及施加壓力於該透光基板，使該透光基板沿該些應力缺口破片，使該晶圓分割為複數個影像感測晶片封裝體。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之影像感測晶片封裝體之製作方法，其中提供一晶圓之步驟包含：提供該基底；形成複數個影像感測元件於該基底上；形成複數個間隔材於該基底上，其中該些間隔材圍繞該些影像感測元件；以及設置該透光基板於該些間隔材上，該透光基板與該基底之間具有複數個空腔，該些影像感測元件分別位於該些空腔中。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測晶片封裝 體之製作方法，其中切割該晶圓之一基底之步驟更包含切割該些間隔材與該透光基板，以形成該些應力缺口於該透光基材之表面。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之影像感測晶片封裝體之製作方法，更包含：形成複數個接觸區於該基底上，該些接觸區連接該些影像感測元件；形成複數個導通孔貫穿該基底，該些導通孔對應於該些接觸區；形成一導體層於該導通孔之側壁與該基底之一外表面上；以及形成複數個導電結構於部分之該導體層上。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測晶片封裝體之製作方法，其中切割該晶圓之一基底之步驟包含形成複數個梯形凹槽於該基底與該間隔材上。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之影像感測晶片封裝體之製作方法，更包含：形成複數個接觸區於該基底上，該接觸區連接該些影像感測元件；形成一導體層於該些梯形凹槽之表面與該基底之一外表面上，該些接觸區接觸該導體層；以及 形成複數個導電結構於部分之該導體層上。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之影像感測晶片封裝體之製作方法，其中該些應力缺口分別位於該些梯形凹槽上，部分之該導體層填入該些應力缺口中。
  23. 如申請專利範圍第16項所述之影像感測晶片封裝體之製作方法，其中提供一晶圓之步驟包含：提供該基底；形成複數個影像感測元件與複數個接觸區於該基底上，該些接觸區連接至該些影像感測元件；形成複數個間隔材於該基底上，其中該些間隔材圍繞該些影像感測元件；以及設置該透光基板於該些間隔材上，該透光基板與該基底之間具有複數個空腔，其中部分的該些空腔容置有該些影像感測元件，另一部分的該些空腔中容置有該些接觸區。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之影像感測晶片封裝體之製作方法，其中該些應力缺口形成於該透光基板對應於該些接觸區之處。
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