TW201426849A - 用於ｔｓｖ刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了一種用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，包含如下步驟：步驟1：在TSV刻蝕完成後，在反應腔中，對矽通孔的側壁進行氧化；步驟2：在反應腔中，對經氧化後的矽通孔的側壁進行刻蝕，去除矽通孔的側壁經氧化所形成的氧化層。本發明能夠大大減低矽通孔側壁的粗糙度。
Description
本發明涉及一種TSV刻蝕工藝，特別涉及一種用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法。
隨著集成電路的集成度不斷提高，半導體技術也持續的飛速發展。目前半導體技術發展沿著摩爾定律走微細化道路發展到了22nm，已經接近其物理極限。此時，引入其他相關的新技術才能促成集成電路的進一步發展。其中，矽通孔(Through Silicon Via，TSV)技術是當今少有的一個正在快速發展，並且會廣泛地影響到消費和工業類電子產品的技術領域，其帶來的3-D IC集成正在不斷促進多芯片集成和封裝技術的發展。
TSV是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間製作垂直導通，實現芯片之間互連的最新技術，它實現了最短、最豐富的Z方向互連，將不同功能的芯片堆叠集成，可以同時實現更多的功能、更好的性能、更低的功耗和成本、爭取更大的製造靈活性。
TSV技術中最為關鍵的就是刻蝕，即矽通孔的形成。由於半導體矽片襯底通常都具有相當的厚度，形成通孔的工藝為等離子體刻蝕工藝，目前，TSV刻蝕領域常用的技術為波什刻蝕工藝(Bosch process)，能夠形成深寬比相當高的垂直通孔。當保持較高的蝕刻率時，它用來維持垂直剖面以保持深蝕刻特性。甚至對於在蝕刻和鈍化之間切換的極短的時間間隔內，在高放大率的檢測下，仍然可以看見其粗糙的表面。這種粗糙度是不需要的，工藝工程師需要不斷地將其最小化或者去除。
本發明的目的是提供一種用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，能夠大大减低矽通孔側壁的粗糙度。
為了實現以上目的，為本發明是通過以下技術方案實現的：一種用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，首先形成矽通孔，還包含如下步驟：步驟1：對矽通孔側壁進行氧化，以形成氧化層；步驟2：對經氧化後的矽通孔的側壁進行刻蝕，去除矽通孔的側壁經氧化所形成的氧化層。
在所述的步驟1中，採用含氧等離子體或者其他氧氣體激發產生的等離子體對矽通孔的側壁進行氧化。
所述的含氧等離子體或者含氧氣體的等離子體為以下任一項或任多項：O2、O3、N2O、CO2、水蒸氣。
在所述的步驟2中，採用含碳氟的等離子體對矽通孔的側壁進行刻蝕。
所述的含碳氟的等離子體由以下任一項或任多項激發產生：C4F8、CF4、C4F6、CHF3、CH2F2。
所述的步驟2中的刻蝕的射頻頻率為雙頻，其中高頻頻率為27MHz~60MHz，低頻頻率為2MHz~13.56MHz。
所述的步驟2中刻蝕的工藝參數為：電源功率為200W~1000W，偏置功率為300W~1500W，反應腔的腔體氣壓為20Mt~200Mt。
所述的步驟2中，採用含碳氟的等離子體、O2和/或Ar的等離子體進行刻蝕。
所述步驟2中，採用含碳氟的等離子體進行刻蝕時，其對氧
化矽與矽的選擇性的比例大於5：1。
經步驟2刻蝕後，矽通孔側壁的不平整突起的高度小於等於51nm。
本發明與現有技術相比，具有以下優點：
能夠大大减低矽通孔側壁的粗糙度。
圖1為在TSV刻蝕後，矽通孔側壁的形狀示意圖；圖2為本發明步驟1對矽通孔側壁進行氧化的原理示意圖；圖3為圖2中氧化後的效果的原理示意圖；圖4為本發明步驟2對氧化後的矽通孔側壁進行刻蝕後的效果示意圖；圖5a為圖1的效果圖；圖5b為圖4的效果圖。
舉凡熟悉此技藝者皆能輕易得知，以下結合附圖，通過詳細說明一個較佳的具體實施例，對本發明做進一步闡述。
一種用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，首先形成矽通孔，還包含如下步驟：
步驟1：在TSV刻蝕完成後(矽通孔的狀態如圖1所示)，在反應腔中，對矽通孔的側壁1進行氧化，如圖2和圖3所示，矽通孔的側壁1的粗糙表面將會被氧化成不同的形態，在兩個相對平坦的關鍵區域之間或者在許多扇形中的凹處，即矽通孔的側壁1的不平整突起11，為被氧化的更多的區域，粗糙表面的不平齊的氧化將在矽通孔的側壁1產出一個不平齊的氧化層2，即矽通孔的側壁1的不平整突起11處會產生相對更多的氧化層2(如圖3所示)。在本實施例中，採用含氧等離子體或者其他
氧氣體激發產生的等離子體對矽通孔的側壁1進行氧化，其中，含氧等離子體或者含氧氣體的等離子體為以下任一項或任多項：O2、O3、N2O、CO2、水蒸氣。
步驟2：在反應腔中，對經氧化後的矽通孔的側壁1進行刻蝕，去除矽通孔的側壁1經氧化所形成的氧化層。在本實施例中，採用含碳氟的等離子體對矽通孔的側壁1進行刻蝕，其中，含碳氟的等離子體由以下任一項或者任多項激發產生：C4F8、CF4、C4F6、CHF3、CH2F2，當然，在步驟2中，還可以採用含碳氟的等離子體和其他氣體(譬如：O2和/或Ar的等離子體)進行刻蝕。本步驟中的刻蝕的射頻頻率為雙頻，其中高頻頻率為27MHz~60MHz，低頻頻率為2MHz~13.56MHz。具體的刻蝕工藝參數為：電源功率：200W~1000W，偏置功率：300~1500W，反應腔的腔體氣壓：20~200Mt。在本實施例中，採用含碳氟的等離子體進行刻蝕時，其對氧化矽與矽的選擇性的比例大於5：1，因此，氧化層能夠快速去除，但是矽層損壞則非常微小，如圖4所示，因此，可有效去除被更多氧化了的矽通孔側壁1的不平整突起11。因此，經步驟2刻蝕後，矽通孔側壁1的不平整突起11的高度不大於51nm(如圖5b所示)，由於TSV刻蝕後的不平整突起11的高度為238nm左右(如圖5a所示)，因此，大大减低了矽通孔側壁1的粗糙度。
綜上所述，本發明用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，大大减低了矽通孔側壁的粗糙度。
上述實施方式只是對本發明的示例性說明而幷非限定它的保護範圍，因此，應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。本領域技術人員閱讀了上述內容後，對於本發明的所做的局部結構的等同替換，都將是顯而易見的，都在本發明的保護範圍之內。
Claims (10)
- 一種用TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，首先形成矽通孔，其特徵在於，還包含如下步驟：步驟1：對矽通孔側壁進行氧化，以形成氧化層；步驟2：對經氧化後的矽通孔的側壁進行刻蝕，去除矽通孔的側壁經氧化所形成的氧化層。
- 如權利要求1所述的用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，其特徵在於，在所述的步驟1中，採用含氧等離子體或者其他氧氣體激發產生的等離子體對矽通孔的側壁進行氧化。
- 如權利要求2所述的用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，其特徵在於，所述的含氧等離子體或者含氧氣體的等離子體為以下任一項或任多項：O2、O3、N2O、CO2、水蒸氣。
- 如權利要求1所述的用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，其特徵在於，在所述的步驟2中，採用含碳氟的等離子體對矽通孔的側壁進行刻蝕。
- 如權利要求4所述的用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，其特徵在於，所述的含碳氟的等離子體由以下任一項或任多項激發產生：C4F8、CF4、C4F6、CHF3、CH2F2。
- 如權利要求1或4所述的用於TSV刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法，其特徵在於，所述的步驟2中的刻蝕的射頻頻率為雙頻，其中高頻頻率為27MHz~60MHz，低頻頻率為2MHz~13.56MHz。
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