TW201426480A - 具有含銀之透明傳導層的投射式電容觸摸面板 - Google Patents

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Abstract

一種投射式電容觸摸面板，其包括一基材；一含銀之透明傳導塗層，其形成複數個列電極、複數個行電極及複數個傳導軌跡；及一信號處理器，其相繼地測量在每個列電極與毗連的行電極間之電容。該列電極、複數個行電極及複數個軌跡係在與該基材實質上平行的平面中。該列電極每個係藉由該複數個傳導軌跡之一電連接至該信號處理器。該複數個軌跡係至少部分與該行電極實質上平行。

Description

具有含銀之透明傳導層的投射式電容觸摸面板 發明領域
本申請案係關於一種投射式電容觸摸面板，特別是一種具有含銀之透明傳導層的投射式電容觸摸面板。
發明背景
一電容觸摸面板包括一塗佈傳導塗層的絕緣器，諸如玻璃。因為人體亦係一電導體，觸摸面板的表面會造成面板的靜電場變形，而此可以電容改變來度量。透明觸摸面板可與顯示器諸如液晶面板結合以形成觸控螢幕。投射式電容(PROCAP)觸摸面板允許透過在該傳導塗層前端中的保護層來感應手指或其它觸摸。該保護層增加耐久性，同時透過絕緣器來感應觸摸的能力允許使用者當戴著手套時操作該觸摸面板。
圖1(a)至1(g)闡明相關技藝的投射式電容觸摸面板之實施例，例如，參見美國專利案號8,138,425，此揭示藉此以參考之方式併入本文。
參照圖1(a)，提供基材11、列用x軸導體12、絕 緣器13、行用y軸導體14及傳導軌跡15。基材11可係透明材料，諸如玻璃。該x軸導體12及y軸導體14可係透明傳導塗層，典型為氧化銦錫(ITO)。該絕緣器13可係任何絕緣材料(例如，氮化矽)，其抑制在x軸導體12與y軸導體14間之傳導性。軌跡15在複數個導體每個與信號處理器(無顯示)間提供導電性。
參照圖1(b)，x軸導體12(例如，ITO)係在基材11上形成。該ITO係以連續層塗佈在基材11上，然後接受第一光微影光刻製程以將該ITO圖案化成x軸導體12。圖1(c)闡明圖1(b)的A-A’截面，其包括在基材11上形成的x軸導體12。參照圖1(d)，然後，在基材11上於x軸導體12的x軸通道上形成絕緣器13。圖1(e)闡明圖1(d)的B-B’截面，包括在基材11及x軸導體12上形成的絕緣器13。顯示在圖1(d)-(e)中的絕緣島13係藉由下列方式形成：在基材11上，將一連續絕緣材料(例如，氮化矽)層沈積在導體12上，然後，讓該絕緣材料接受第二光微影光刻、蝕刻或其它圖形化製程，以將該絕緣材料圖案化成島13。參照圖1(f)，然後，在基材上於絕緣島13及x軸導體上形成y軸導體14。該ITO係塗佈在基材11上之12,13上，然後讓其接受第三光微影光刻或其它圖形化製程，以將ITO圖案化成y軸導體14。雖然大部分的y軸導體材料14係直接形成在基材11上，該y軸通道係在絕緣器13上形成，以抑制在x軸導體12與y軸導體14間之傳導性。圖1(g)闡明圖1(f)的C-C’截面，包括部分的y軸導體14，其係在基材11上、於絕緣島13上及於實施例x軸導體12上形成。將 察知製造顯示在圖1(a)-(g)中的結構之方法需要三個沈積步驟及三個光微影光刻型式製程，此使得該製造方法惱人、無效率及成本高。
圖1(h)闡明根據相關技藝的投射式電容觸摸面板之x軸導體12與y軸導體14交叉的另一個實施例。參照圖1(h)，ITO層係在基材11上形成，然後，可以第一光微影光刻製程圖形化成x軸導體12及y軸導體14。然後，在基材上形成一絕緣層及以第二光微影光刻或蝕刻製程圖形化成絕緣島13。然後，在基材11上於12-14上形成一金屬傳導層及以第三光微影光刻製程圖形化成傳導橋16。金屬橋16對在x軸導體12上之y軸導體14提供導電性。再次，此製造方法需要三個沈積步驟及三個不同光微影光刻製程。
闡明在圖1(a)至1(h)中的投射式電容觸摸面板可係互電容式元件及自電容式元件。
在互電容式元件中，在x軸導體12與y軸導體14(或金屬橋16)間之每個交叉處有一電容器。對x軸導體12施加電壓，同時測量y軸導體14的電壓(及/或反之亦然)。當使用者將手指或觸控筆接近該元件的表面時，在局部靜電場上的改變減低該互電容。可測量在該網柵上的每個各別點處之電容改變，以正確地決定觸摸場所。
在自電容式元件中，x軸導體12及y軸導體14基本上各自獨立地操作。在自電容式中，藉由電流計量器測量手指或其類似物在每個x軸導體12及y軸導體14上之電容負載。
如顯示在圖1(g)及1(h)中，相關技藝的投射式電容觸摸面板需要在基材11上形成至少三種薄膜層(例如，ITO層、絕緣器及另一層ITO層或金屬橋)，以製得該觸摸感應式結構，及可能在其上面有進一步保護層。及每層薄膜層典型具有其自身的光微影光刻及/或雷射圖形化製程，此增加製造成本及/或時間。
如上所述，透明導體12及14典型係昂貴的氧化銦錫(ITO)。薄層ITO亦具有高薄片電阻(至少約100歐姆/平方)。為了讓ITO層具有薄片電阻少於5歐姆/平方，該層必需厚(例如，大於400奈米)。厚ITO層係更昂貴及更不透明二者。因此，薄層ITO的高薄片電阻限制其在需要長窄軌跡佈局之大型觸摸面板(例如，具有對角線度量多於5英吋面板)中的用途。將察知在技藝中對解決一或多個上述認定的問題存在有需求。
發明概要
這些及其它限制可藉由具有含銀之透明傳導層的投射式電容觸摸面板克服，其中該含銀層可夾在至少第一與第二介電層之間。
在本發明的某些典型具體實例中，有提供一種投射式電容觸摸面板，其包括：一基材；一含銀之透明傳導塗層，其由該基材支撐，其形成列電極、複數個行電極及複數個軌跡之矩陣；及一信號處理器，其相繼地測量在每個列電極與毗連的行電極間之電容，其中該列電極、複數 個行電極及複數個軌跡之矩陣係在與該基材實質上平行的平面上，每個列電極係藉由該複數個軌跡之一與該信號處理器電連接，及該複數個軌跡係與該行電極實質上平行。
在本發明的某些典型具體實例中，有提供一種製造包含基材及信號處理器的投射式電容觸摸面板之方法，該方法包括將一含銀之透明傳導塗層沈積在該基材上以形成一列電極、複數個行電極及複數個軌跡之矩陣，其中該列電極、複數個行電極及複數個軌跡之矩陣係在與該基材實質上平行的平面上，每個列電極係藉由該複數個軌跡之一與該信號處理器電連接，及該複數個軌跡係與該行電極實質上平行。
該含銀之透明傳導塗層可包括下列，以離開該基材的順序呈現：一第一矽基底層；一第一介電層；一第二介電層，其係由一第三介電層分開以便形成該第二介電層的第一及第二部分；一銀層，其係在該第二介電層的第二部分上且與其直接接觸；一上接觸層，其包含鎳及/或鉻的氧化物，其係直接在該銀層上且與其接觸；一第四介電層；及一第二矽基底層，其中該第三介電層包含氧化鈦或氧化錫。
11‧‧‧基材
12‧‧‧x軸導體
13‧‧‧絕緣器
14‧‧‧y軸導體
15‧‧‧傳導軌跡
16‧‧‧傳導橋
20‧‧‧觸摸面板
21‧‧‧互連區域
21’‧‧‧互連區域
22‧‧‧傳導軌跡
25‧‧‧信號處理器
30‧‧‧觸摸面板
31‧‧‧上節
32‧‧‧下節
40‧‧‧基材
41‧‧‧塗層
42‧‧‧下介電質氮化矽基底及/或含有層
43‧‧‧高介電指數層
43a‧‧‧高介電指數層
44a‧‧‧第一介電層
44b‧‧‧第二介電層
44c‧‧‧氧化鋅或包含其的介電層
45‧‧‧介電”膠合”層
46‧‧‧銀基底傳導層
47‧‧‧上接觸層
48‧‧‧氧化錫或包含其的第二層
49‧‧‧介電質氮化矽基底層
50‧‧‧含氧化鋯頂塗層
50‧‧‧外罩
51‧‧‧透明傳導塗層
61‧‧‧塗層
75‧‧‧下接觸層
85‧‧‧指數相配黏著層
100‧‧‧第一基材
200‧‧‧第二基材
300‧‧‧液晶層
圖1(a)至1(h)闡明相關技藝的投射式電容觸摸面板之實施例。
圖2(a)闡明根據典型的具體實例之投射式電容觸摸面板的上或下計劃佈局。
圖2(b)闡明用於圖2(a)及/或3的投射式電容觸摸 面板之電路系統的圖式表示。
圖3闡明根據另一個實施例具體實例的投射式電容觸摸面板之上或下計劃佈局。
圖4闡明根據典型具體實例之用於圖2-3的觸摸面板之含銀透明傳導塗層的截面圖。
圖5闡明用於圖2-3的觸摸面板之另一個含銀透明傳導塗層實施例的截面圖。
圖6闡明用於圖2-3的觸摸面板之更另一個含銀透明傳導塗層實施例的截面圖。
圖7係根據本發明的實施例具體實例之顯示器組合的截面圖，其包括與液晶面板耦合之根據圖2-6之任何的觸摸面板，其使用於電子裝置，諸如可攜式電話、可攜式平板、電腦及/或等等。
較佳實施例之詳細說明
參照伴隨的圖形提供典型具體實例之詳細說明。遍及圖形，類似的參考數字指示出類似的部分。
圖2(a)闡明根據本發明的典型具體實例之投射式電容觸摸面板的上/下計劃佈局。
參照圖2(a)，提供一觸摸面板20。該觸摸面板20包括一包含n行及m列的電極矩陣，其係提供在基材40上。該列/行電極的矩陣典型係提供在該基材(例如，玻璃基材40)其與由使用該觸摸面板的人士所觸摸之邊相反的邊上。換句話說，當該觸摸面板係由手指、觸控筆或其類似物觸摸 時，該基材40典型係位於手指與該列/行電極之矩陣間。在該矩陣中之毗連的列與行電極間由於手指或其類似物鄰近而在電容上的變化係由電子電路系統感應，因此，所連接的電路系統可偵測該面板是否由手指或其類似物觸摸。
例如，參照圖2(a)，第0列包括列電極x0,0、x1,0、x2,0等等至xn,0，及行0、1及2各別包括行電極y0、y1、y2等等至yn。在行方向上的x電極亦可選擇性分組用於行檢測。列及行電極的數目係由該觸摸面板之尺寸及解析度決定。在此實施例中，右上列電極係xn,m。
觸摸面板20的每個列電極x0,0-xn,m係藉由傳導軌跡22電連接至互連區域21及相應的處理電路系統/軟體。每個行電極y0-yn亦電連接至互連區域21及相應的處理電路系統/軟體。傳導軌跡22較佳由與列及行電極相同(例如，與至少列電極x0,0、x1,0、x2,0等等相同的材料)的透明傳導材料形成。因此，在某些實施例具體實例中，可在該基材(例如，玻璃基材)40上形成列及行電極的矩陣與相應軌跡22，其係藉由在該基材上形成單一塗層(單或多層塗層)及僅進行一個(或最多二個)光微影光刻製程而形成。在某些實施例具體實例中，在基材40上沈積(例如，濺鍍沈積)該含銀塗層(例如，參見圖4-6的實施例塗層)，然後接受光微影光刻及/或雷射圖形化以將該含銀塗層圖案化成軌跡22、列電極x0,0、x1,0、x2,0、x0,1、x0,2、x0,3等等至xn,m、及行電極y0-yn。
因為列電極x0,0-xn,m、行電極y0-yn及軌跡22當從上/下觀看時不重疊，列電極x0,0-xn,m、行電極y0-yn及軌跡22 可在與上面形成電極及軌跡的基材40平行(或實質上平行)之相同平面上形成。軌跡22的明顯部分亦可在與基材40平行(或實質上平行)的平面中與行電極平行(或實質上平行)。
此外，觸摸面板20可經由較少數目的光微影光刻或雷射圖形化步驟製得，當達成軌跡時，其達成足夠的透明度及導電度，因此減低製造成本及產生更有效率使用在顯示器組合或其類似物中的觸摸面板。
圖2(b)闡明根據典型具體實例，在圖2(a)中闡明之用於觸摸面板20的電路系統之圖式表示。
在觸摸面板20中，在每個列電極與毗連的行電極間(例如，在列電極x0,0與行電極y0間)有一電容。此電容可藉由對行電極(例如，行電極y0)施加電壓及測量毗連的列電極(例如，列電極x0,0)之電壓來測量。當使用者將手指或觸控筆接近觸摸面板20時，局部靜電場的改變會減低該互電容。在表面上的各別點處之電容改變可藉由依次測量每對列電極及行電極來測量。
在相同列中的每個列電極之軌跡22(例如，列0的列電極x0,0、x1,0、x2,0等等至xn,0之軌跡22)可電連接在一起(如顯示在圖2(b)中)。可在接附於該觸摸面板的周圍處之可撓電路上的互連區域中製得第一列區段彼此、第二列區段彼此等等互連，以便在玻璃上不需要交叉。在此例子中，對行電極施加電壓，及依次在重覆對另一行施加電壓的過程前測量每列的電壓。再者，每個軌跡22可連接至信號處理器25及可各別地測量每個軌跡22的電壓。
相同電容可藉由對列電極施加電壓及測量在毗連的行電極上之電壓來測量，而非對行電極施加電壓及測量毗連的列電極之電壓。
可藉由信號處理器25進行信號處理(例如，施加及測量電壓、測量在毗連電極間之電容、測量電容隨著時間的變化、因應使用者輸入而輸出訊號等等)。信號處理器25可係一或多個硬體處理器、可包括揮發性或非揮發性記憶體、及可包括用於執行該信號處理之電腦可讀取指令。信號處理器25係經由軌跡22電連接至行電極y0-yn及電連接至列電極x0,0-xn,m。信號處理器25可或可不設置在與列電極x0,0-xn,m、行電極y0-yn及軌跡22相同的平面上(例如，在圖2(a)的互連區域21中)。
圖3闡明根據其它典型具體實例的投射式電容觸摸面板之佈局。
參照圖3，觸摸面板30係類似於圖2(a)的觸摸面板20，除了觸摸面板30係劃分成上節31及下節32外，其每個皆包括一包含n行及m列的電極矩陣。例如，上節31的第0列包括列電極x0,0、x1,0、x2,0等等至xn,0。上節31亦包括行電極y0、y1、y2等等至yn。同樣地，下節32將亦包括列電極及行電極y0-yn，其可與上節31的行電極y0-yn電分開。
因此，下節32亦包括一包含n行及m列的列電極與n行電極的矩陣。在不同實施例具體實例中，下節32可具有比上節31多或少的列。
觸摸面板30的列及行電極數目係由該觸摸面板 之尺寸及解析度決定。
上節31的每個行電極係藉由軌跡22電連接至互連區域21，及上節31的每個列電極係藉由軌跡22電連接至互連區域21。如在圖2具體實例般，可或可不使用軌跡來將上節31的行電極連接至互連區域。下節32的每個行電極藉由軌跡22電連接至互連區域21’，及下節32的每個列電極藉由軌跡22電連接至互連區域21’。再次，可或可不使用軌跡來將下節32的行電極連接至互連區域21’。
仍然參照圖3，觸摸面板30係類似於觸摸面板20，其中在每個列電極與毗連的行電極間有一電容，其可藉由對行電極施加電壓及測量毗連的列電極之電壓(或再者，藉由對列電極施加電壓及測量毗連的行電極之電壓)來測量。當使用者將手指或觸控筆接近觸摸面板30時，局部靜電場的改變會減低該互電容。在表面上的各別點處之電容改變可藉由依次測量每對列電極及行電極的互電容來測量。
因為在圖3中所闡明的列電極及行電極不重疊，可以上述與圖2連結而解釋的方式在相同平面上形成該列電極及行電極。此外，用於觸摸面板30的電極結構在本質上可係薄的，及可以一個製程(例如，一個光微影光刻製程或一個雷射圖形化製程)圖形化，此減低該投射式電容觸摸面板的製造成本。
如一般技藝人士將了解，所描述的觸摸面板20及30不限於上述及顯示在圖2-3中的定向。換句話說，用語”列”、”行”、”x軸”及”y軸”當使用在本申請案中時不意欲意 謂著特定的方向。例如，圖2(a)的觸摸面板20可經修改或旋轉，如此互連區域21係位於觸摸面板20的任何部分中。
如在圖2(a)及3中闡明，窄的透明傳導軌跡22經安排以將電極電連接至互連區域21(及互連區域21’)。因為窄的ITO軌跡之大的電阻，窄的ITO軌跡僅可使用在小的觸摸面板中，諸如用於智慧型手機。為了將在圖2(a)及3中所闡明的佈局之一使用在較大的觸摸面板(例如，對角測量多於10英吋)上，必需使用具有低薄片電阻的透明傳導塗層。顯示在圖4-6中使用來形成列/行電極及軌跡22的含銀塗層在此方面上係優良的，因為它們具有比典型的習知ITO軌跡更低的薄片電阻。
根據典型的具體實例，具有低薄片電阻用以形成列電極、行電極及軌跡22的含銀透明傳導塗層(TCCs)之實施例係闡明在圖4-6中。在圖4-6每幅中，該TCC的低薄片電阻及高透明度允許該TCC形成在圖2(a)及3中闡明的觸摸面板之長窄軌跡22和列及行電極。
參照圖4，塗層(或層系統)41係直接或間接提供在基材40上。該基材40可係例如玻璃。該塗層41可包括例如下介電質氮化矽基底及/或含有層42，其可係Si3N4(在某些實施例例子中，其可或可不摻雜其它材料，諸如鋁)或用於去霾的富含Si型式，或在本發明的不同具體實例中，任何其它合適的化學計量之氮化矽；諸如氧化鈦或氧化鈮材料或包含其之高介電指數層43，其可包括氧化鈦(例如，TiO2或其它合適的化學計量)；及氧化鋅或包含其的第一及第二 介電層44a及44b，其可由氧化錫或包含其的介電”膠合”層45分開；銀基底傳導層46；包括鎳及/或鉻的上接觸層47，其可經氧化及/或氮化；氧化錫或包含其的第二層48；及氮化矽或包含其的最外面保護層49。在不同實施例具體實例中，該高介電指數層43可經完全氧化或係次化學計量。包含氧化鋅44b的種子層及鎳及/或鉻或包含其之上接觸層47直接接觸該銀基底傳導層46。
雖然在本發明的不同具體實例中，可於層中使用多種厚度及材料，在圖4具體實例中，於玻璃基材40上的各別濺鍍沈積塗層41之厚度及材料實施例係如下，從玻璃基材向外列出：
在某些實施例具體實例中，層44a及44b可具有相配或實質上相配的厚度。例如，在某些實施例例子中，這 些層的厚度可差異不多於15%；在其它實施例例子中，不超過10%；及在更其它實施例例子中，不超過3-5%。此係上述實施例1的情況，但是非上述實施例2的情況。
參照圖5，另一個透明傳導塗層(或層系統)51實施例係直接或間接提供在基材40上。該基材40可係例如玻璃。如在圖4具體實例中般，圖5包括例如下介電質氮化矽基底及/或含有層42，及高介電指數層43a，其可係氧化鈦或氧化鈮(例如，TiO2或其它合適的化學計量)或包含其。但是，如顯示在圖5中，該包含氧化鋅的第一及第二介電層44a及44b(其可摻雜Al或其類似物)係由氧化鈦或包含其(例如，TiO2或其它合適的化學計量)之層43b分開。另一個關於此的思考方向係該包含氧化鈦43的下高介電指數層係由氧化鋅44a或包含其的第一層分成二個次層(43a及43b)。可將包含鎳及/或鉻的上接觸層47，其可經氧化及/或氮化；氧化錫48或包含其的層；氧化鋅或包含其的介電層44c；及另一層介電質氮化矽基底層49提供在傳導銀基底層46上。可將第三含氧化鋅層44c插入包含氧化錫48之層與氮化矽基底層49間。在圖5中，選擇性含氧化鋯頂塗層50顯示出作為最外面層(及因此在氮化矽基底層49上)。此含氧化鋯頂塗層50可提供進一步耐久性改良。
雖然在本發明的不同具體實例中，可於層中使用多種厚度及材料，在圖5具體實例中，於基材40上的各別濺鍍沈積層之厚度及材料的實施例係如下，從基材40向外地表示：
圖6闡明可使用來形成在圖2-3中的列及行電極及軌跡22之另一個透明傳導塗層實施例。圖6的塗層包括下列，從玻璃基材40向外地表示：氮化矽或包含其的介電層；NiCr、NiCrOx、NiCrNx或其類似物或包含其的下接觸層75；銀或包含其的傳導層46；NiCr、NiCrOx、NiCrNx或其類似物或包含其的上接觸層47；氮化矽或包含其的介電層49；及選擇性諸如氧化鋯材料的外罩50。
投射式電容觸摸面板可藉由下列形成：使用含銀TCC(例如，圖4的塗層41、圖5的塗層51或圖6的塗層61)，以一佈局在基材40(例如，玻璃)上圖形化，以形成在圖2-3中闡明的觸摸面板20或30之列電極x0,0-xn,m、行電極y0-yn及軌跡 22。因為該含銀TCC可以一個光微影光刻製程及/或雷射圖形化製程來圖形化，該投射式電容面板的整體成本減低。
含銀TCCs 41、51、61係不貴、具有低薄片電阻(較佳為少於15歐姆/平方，更佳為少於約10或5歐姆/平方，其實施例係每平方大約4歐姆)及維持高透明度(較佳為大於70%，更佳為大於約80百分比)。該TCC(41、51或61)可沈積在該基材40遠離使用者的主要表面上，以便減低腐蝕性曝露至環境或與手指或觸控筆接觸。例如，顯示在圖7中的顯示器組合實施例包括裝配在液晶顯示器面板上的觸摸面板(20或30)。在圖7中，該列電極、行電極及軌跡係在該玻璃基材40與手指相對的表面上呈41，51，61形式，及觸摸面板(20,30)可經由指數相配黏著層85黏附至LCD面板。該LCD面板包括第一及第二基材(例如，玻璃基材)100,200，而液晶層300則提供於此之間。為了形成觸控螢幕，觸摸面板20,30可裝配在LCD面板上而具有小空氣間隙(無顯示)，或以指數相配黏著劑85黏合至顯示器。
投射式電容觸摸面板的畫素間距可例如在約6至7毫米的範圍內。觸摸場所可由信號處理及內插法更正確地決定至約1毫米。若軌跡22的線寬/間隔係大約10微米至20微米時，可對約4歐姆/平方的TCC薄片電阻計算出至少20英吋(對角測量)的投射式電容觸摸面板係可能的。該安排、信號處理及/或雜訊抑制的進一步最佳化允許製造甚至較大的觸摸面板(例如，最高對角40或50英吋)。
在某些典型的具體實例中，在上面含有塗層41， 51，61的玻璃基材40可經熱處理(例如，熱淬火)，例如，在塗佈後；或在塗佈前經化學增強。
在本發明的某些實施例具體實例中，有提供一種電容觸摸面板，其包括：一基材；一多層透明傳導塗層，其係由該基材支撐，其包括至少一層含銀傳導層、複數個列電極、複數個行電極及複數個傳導軌跡，其中該列電極、行電極及傳導軌跡包含該多層透明傳導塗層；一處理器，其測量在列與行電極間之電容，以偵測在觸摸面板上的觸摸位置，其中該列電極、行電極及傳導軌跡實質上係在與該基材實質上平行的共同平面中形成，其中每個列電極係藉由該傳導軌跡之至少一個電連接至該處理器，及其中該傳導軌跡係至少部分與該行電極實質上平行。
在緊接前述段的電容觸摸面板中，該透明傳導塗層可包含下列，以離開該基材的位置顯示：一包含氮化矽的第一介電層；一包含金屬氧化物的介電層；一包含銀的傳導層；一在該含銀傳導層上且與其接觸的上接觸層；及一包含氮化矽的第二介電層。該包含金屬氧化物的介電層可例如包含氧化鋅或NiCr的氧化物。該上接觸層可包含Ni及/或Cr。該透明傳導塗層可進一步包含一包含氧化鈦的介電層，其係位於至少該包含氮化矽的第一介電層與該包含金屬氧化物的介電層間。該透明傳導塗層可在至少該包含氮化矽的第一介電層與該包含金屬氧化物的介電層間包含一包含氧化鈦的層、一包含氧化鋅的層及一包含氧化錫的層。該透明傳導塗層可在至少該包含氮化矽的第一介電層 與該包含金屬氧化物的介電層間包含一包含氧化鈦的層、一包含氧化鋅的層及另一包含氧化鈦的層。該塗層可進一步包含一包含氧化鋯的外罩。該透明傳導塗層可包含下列，以離開該基材的位置顯示：一包含氮化矽的第一介電層；一包含Ni及/或Cr的下接觸層；一包含銀且與該下接觸層直接接觸的傳導層；一包含Ni及/或Cr且接觸該含銀傳導層的上接觸層；及一包含氮化矽的第二介電層。
在前述二段之任何的電容觸摸面板中，該透明傳導塗層可具有薄片電阻少於或等於約15歐姆/平方，更佳為少於或等於約10或5歐姆/平方。
一顯示器組合可包含前述三段的任何之電容觸摸面板且與液晶面板耦合，其中該液晶面板包括一對基材與提供於此之間的液晶層。
前述的典型具體實例想要對一般技藝人士提供本揭示之了解。前述說明不想要限制在本申請案中所描述的發明概念，其範圍係在下列申請專利範圍中定義。
20‧‧‧觸摸面板
21‧‧‧互連區域
22‧‧‧傳導軌跡
40‧‧‧基材

Claims (20)

  1. 一種電容觸摸面板，其包含：一基材；一多層透明傳導塗層，其包含至少一層含銀傳導層，其係由該基材支撐；複數個列電極、複數個行電極及複數個傳導軌跡，其中該等列電極、行電極及傳導軌跡包含該多層透明傳導塗層；一處理器，其測量在列與行電極間之電容以偵測在該觸摸面板上的觸摸位置；其中該等列電極、行電極及傳導軌跡實質上係在與該基材實質上平行的共同平面中形成；其中每個列電極係藉由該等傳導軌跡之至少一個電連接至該處理器；及其中該傳導軌跡係至少部分與該行電極實質上平行。
  2. 如請求項1之電容觸摸面板，其中該透明傳導塗層包含下列，以離開該基材的位置顯示：一包含氮化矽的第一介電層；一包含金屬氧化物的介電層；一包含銀的傳導層；一在該含銀傳導層上且與其接觸的上接觸層；及一包含氮化矽的第二介電層。
  3. 如請求項2之電容觸摸面板，其中該含金屬氧化物的介 電層包含氧化鋅。
  4. 如請求項2之電容觸摸面板，其中該含金屬氧化物的介電層包含NiCr的氧化物。
  5. 如請求項2-4之任何的電容觸摸面板，其中該上接觸層包含Ni及/或Cr。
  6. 如請求項2-5之任何的電容觸摸面板，其中該透明傳導塗層進一步包含一含氧化鈦的介電層，其係位於至少該包含氮化矽的第一介電層與該包含金屬氧化物的介電層之間。
  7. 如請求項2-5之任何的電容觸摸面板，其中該透明傳導塗層在至少該包含氮化矽的第一介電層與該包含金屬氧化物的介電層間進一步包含一包含氧化鈦的層、一包含氧化鋅的層及一包含氧化錫的層。
  8. 如請求項2-5之任何的電容觸摸面板，其中該透明傳導塗層在至少該包含氮化矽的第一介電層與該包含金屬氧化物的介電層間進一步包含一包含氧化鈦的層、一包含氧化鋅的層及另一包含氧化鈦的層。
  9. 如請求項2-8之任何的電容觸摸面板，其中該塗層進一步包含一包含氧化鋯的外罩。
  10. 如請求項1之電容觸摸面板，其中該透明傳導塗層包含下列，以離開該基材的位置顯示：一包含氮化矽的第一介電層；一包含Ni及/或Cr的下接觸層；一包含銀且與該下接觸層直接接觸的傳導層； 一包含Ni及/或Cr且接觸該含銀傳導層的上接觸層；及一包含氮化矽的第二介電層。
  11. 如任何前述請求項的電容觸摸面板，其中該透明傳導塗層具有少於或等於約15歐姆/平方之薄片電阻。
  12. 如任何前述請求項的電容觸摸面板，其中該透明傳導塗層具有少於或等於約10歐姆/平方之薄片電阻。
  13. 如任何前述請求項的電容觸摸面板，其中該透明傳導塗層具有少於或等於約5歐姆/平方之薄片電阻。
  14. 一種顯示器組合，其包含與一液晶面板耦合之任何前述請求項的電容觸摸面板，該液晶面板包含一對基材且於此之間提供液晶層。
  15. 一種製造包含一基材及一信號處理器的觸摸面板之方法，該方法包括：將一含銀之透明傳導塗層沈積在該基材上，及圖形化該含銀之透明傳導塗層以形成複數個列電極、複數個行電極及複數個傳導軌跡；其中該等列電極、行電極及軌跡係在與該基材實質上平行的平面中，其中該等列電極每個藉由該等軌跡之至少一個電連接至該信號處理器。
  16. 如請求項15之方法，其中該透明傳導塗層包含下列濺鍍沈積層，以離開該基材的位置顯示：一包含氮化矽的第一介電層；一包含金屬氧化物的介電層； 一包含銀的傳導層；一在該含銀傳導層上且與其接觸的上接觸層；及一包含氮化矽的第二介電層。
  17. 如請求項16之方法，其中該包含金屬氧化物的介電層包含氧化鋅。
  18. 如請求項16-17之任何的方法，其中該透明傳導塗層進一步包含一包含氧化鈦的介電層，其係位於至少該包含氮化矽的第一介電層與該包含金屬氧化物的介電層間。
  19. 如請求項15之方法，其中該透明傳導塗層包含下列濺鍍沈積層，以離開該基材的位置顯示：一包含氮化矽的第一介電層；一包含Ni及/或Cr的下接觸層；一包含銀且直接接觸該下接觸層的傳導層；一包含Ni及/或Cr且接觸該含銀傳導層的上接觸層；及一包含氮化矽的第二介電層。
  20. 如請求項15-19之任何的方法，其中該透明傳導塗層具有少於或等於約10歐姆/平方之薄片電阻。
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