CN104956297A - 具含银的透明导电层的投影电容式触控面板 - Google Patents

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Abstract

一种投影电容式触控面板，包括：基片；含有银的透明导电涂层，其形成多个行电极，多个列电极，和多个导电迹线；信号处理器，其在各行电极和相邻的列电极之间按顺序地测量电容。所述行电极，多个列电极，和多个迹线位于与基片基本平行的平面上。各行电极通过多个导电迹线中的一个与所述信号处理器电连接。所述多个迹线至少部分地与列电极基本平行。

Description

具含银的透明导电层的投影电容式触控面板
本申请涉及一种投影电容式触控面板，特别是，具有含银的透明导电层的投影电容式触控面板。
发明背景
一种电容式触控面板包括绝缘体，例如玻璃，被涂上导电涂层。由于人体也是导电体，当接触面板的表面时会导致面板的静电场的变形，可测量电容的变化。透明触摸面板可与显示器组合，例如形成触摸屏的液晶面板。投影电容式(PROCAP)触控面板允许手指或其他接触，通过导电涂层前的保护层被传感。保护层增加耐久性，且同时可通过绝缘体传感接触，允许用户在戴手套时操作触控面板。
图1(a)至图1(g)中示出一种相关技术的电容式触控面板的示例，例如，参照美国专利No.8,138,425，其公开的内容被纳入此处作为参考。
参照图1(a)，提供基片11，行的x轴导体12、绝缘体13、用于列的y轴导体14，和导电迹线15。基片11可以是透明材料，例如玻璃。X轴导体12和y轴导体14可以是透明导电涂层，通常为铟锡氧化物(ITO)。绝缘体13可以是任何绝缘材料(例如，氮化硅)，其抑制x轴导体12和y轴导体14之间的传导性。迹线15在多个导体的每一个和信号处理器(未示出)之间提供导电性。
参照1图(b)，x轴导体12(例如，ITO)被形成在基片11上。ITO被涂在基片11上的连续层中然后进行第一次光刻处理，将ITO图案化至x轴导体12。图1(c)示出图1(b)的横断面A-A'，包括形成在基片11上的x轴导体12。参照图1(d)，绝缘体13被形成在基片11上，于x轴导体12的x轴通道之上。图1(e)示出图1(d)的横断面B-B'，包括绝缘体13，被形成在基片11和x轴导体12上。图1(d)-(e)中示出的绝缘体区13通过将绝缘材料(例如，氮化硅)的连续层沉积在基片11上被形成，于导体12之上，并对绝缘材料进行第二次光刻、蚀刻，或其他图案化处理，将绝缘材料图案化至绝缘体区13。参照图1(f)，然后，y轴导体14被形成在基片上，于绝缘体区13和x轴导体之上。ITO被涂在基片11上，于12、13之上，然后进行第三次光刻或其他图案化处理，将ITO图案化至y轴导体14。当大部分y轴导体材料14被直接形成在基片11上，y轴通道被形成在绝缘体13上来抑制x轴导体12和y轴导体14之间的传导性。图1(g)示出图1(f)的横断面C-C'，包括y轴导体14的一部分，其被形成在基片11上，于绝缘体区13之上并于示例性x轴导体12之上。应注意，图1(a)-(g)中示出的制造该结构的过程需要三个沉积步骤和三次光刻型处理，使制造过程变得较麻烦，效率低、以及昂贵。
图1(h)示出根据相关技术的投射电容式触控面板的x轴导体12和y轴导体14的交叉点的另一示例。参照图1(h)，ITO层被形成在基片11上，然后在第一次光刻处理中被图案化至x轴导体12和y轴导体14。然后，绝缘层被形成在基片上并在第二次光刻处理中被图案化至绝缘体区13。然后，金属的导电层被形成在基片11上，于12-14之上，并在第三次光刻处理中被图案化至传导性桥接16中。金属的桥接16用于在x轴导体12上为y轴导体14提供导电性。此外，此制造过程需要三个沉积步骤和三次不同的光刻处理。
图1(a)至1(h)中示出的投影电容式触控面板可以是互电容装置和自电容装置。
在互电容装置中，x轴导体12和y轴导体14(或金属的桥接16)之间的每个交叉点具有一个电容器。当y轴导体14的电压被测量时电压被施加至x轴导体12(反之亦然)。当用户将手指或铁笔靠近装置的表面时，局部静电场中的变化减少互电容。网格上的各散点的电容变化可被测量，来准确地确定接触位置。
在自电容装置中，x轴导体12和y轴导体14本质上独立操作。经自电容，手指等的电容负载通过流速计在各x轴导体12和y轴导体14上被测量。
如图1(g)和1(h)中所示出的，相关技术的投射电容式触控面板需要至少三个薄膜层(例如ITO层、绝缘体、和其他ITO层或金属的桥接)，形成在基片11上来制备触摸感应结构，且以上可能具有进一步的保护层。各薄膜层通常具有各自的光刻和/或激光图案化过程，增加了制造成本和/或时间。
如上所述，透明的导体12和14通常为铟锡氧化物(ITO)，其成本较高。ITO层还具有较高的片电阻(至少约100欧姆/平方)。为了使ITO层具有小于5欧姆/平方的片电阻，层必须较厚(例如，大于400nm)。较厚的ITO层比较昂贵并且不太透明。因此，较薄的ITO层片电阻较高，限制其被用于大型触控面板(例如，具有5英寸以上的对角线的面板)上需要狭长迹线的布局中。应理解，当前需要在本技术领域中解决上述指出的一个或多个问题。
发明的示例性实施例概述
上述和其他缺陷可通过一种具有含银的透明导电层的投影电容式触控面板被克服，其中，含银的层可夹在至少第一和第二介质层之间。
在本发明的示例性实施例中，提供一种电容式触控面板，包括：基片；含有银的透明导电层，其由所述基片支撑，其形成行电极，多个列电极，和多个迹线的矩阵；以及信号处理器，按顺序测量各行电极和相邻的列电极之间的电容，其中，所述行电极，多个列电极，和多个迹线，位于与所述基片基本平行的平面上，各行电极通过多个迹线中的至少一个，与所述处理器电连接，且所述多个迹线基本与列电极平行。
在本发明的示例性实施例中，提供一种用于制造含有基片和信号处理器的投影电容式触控面板的方法，所述方法包括：将含有银的透明导电涂层沉积在基片上，从而形成行电极、多个列电极、和多个迹线的矩阵，其中，所述行电极，多个列电极，和多个迹线的矩阵位于与所述基片基本平行的平面上，各行电极通过多个迹线中的至少一个与所述信号处理器电连接，且所述多个迹线与所述列电极基本平行。
所述含有银的透明导电涂层，从所述基片按顺序可包括：第一基于硅的层；第一介质层；第二介质层，经第三介质层被分离，从而形成第二介质层的第一和第二部分；银层，位于所述第二介质层的第二部分之上并直接与其接触；含有镍和/或铬的氧化物的上接触层，直接位于所述银层之上并与其接触；第四介质层，和第二基于硅的层，其中，所述第三介质层包括氧化钛或氧化锡。
附图简要说明
图1(a)至1(h)是示出相关技术的投影电容式触控面板的示例。
图2(a)是示出根据示例性实施例的投影电容式触控面板的顶部或底部计划布局。
图2(b)是示出图2(a)和/或3中的投影电容式触控面板的电路示意图。
图3是示出根据另一示例性实施例的投影电容式触控面板的顶部或底部计划布局。
图4是示出根据示例性实施例，图2-3中的触控面板的含有银的透明导电涂层的横截面图。
图5是示出根据另一个示例，图2-3中的触控面板的含有银的透明导电涂层的横截面图。
图6是示出根据又另一个示例，图2-3中的触控面板的含有银的透明导电涂层的横截面图。
图7是示出根据本发明的示例性实施例的显示组件的横截面图，包括根据图2-6中任何一个的触控面板，被耦合到液晶面板，用于类似便携式电话、便携式平板电脑、计算机和/或其他的电子装置中。
示例性实施例的具体说明
以下参照附图对示例性实施例进行详细说明。整个附图中相同的参照符号表示相同的部分。
图2(a)是示出根据本发明的示例性实施例的投影电容式触控面板的顶部或底部计划布局。
参照图2(a)，触控面板20被提供。触控面板20包括电极矩阵，包括n列和m行，被配置在基片40上。行/列电极的矩阵通常被配置在基片(例如，玻璃基片40)的侧面，其与用户使用触控面板所触摸的侧面相反。换句话说，当触控面板经手指、铁笔等接触时，基片40通常位于手指和行/列电极的矩阵之间。由于手指等附近经电子电路学被传感，导致矩阵中相邻的行和列电极之间电容变化，且连接的电路由此检测出面板正被手指等接触的地方。
例如，参照图2(a)，行0包括行电极x0,0,x1,0,x2,0等穿过xn,0，且列0,1和2分别包括列电极y0,y1,y2等穿过yn。选择性地，列方向中的x电极还可被分组用于列感应。行和列电极的数量根据触控面板的尺寸和分辨率被决定。在该示例中，右上行电极为xn,m。
触控面板20的每一行电极x0,0-xn,m，通过导电迹线22被电连接至互连区域21和相应的处理电路/软件。每一列电极y0-yn也被电连接至互连区域21和相应的处理电路/软件。导电迹线22优选是使用与行和列电极(例如，最少是与行电极x0,0,x1,0,x2,0等相同的材料)相同的透明导电材料制成。因此，在示例性实施例中，行和列电极的矩阵和相应的迹线22可通过在基片上形成单个涂层(单个或多个涂层)被形成于基片(例如，玻璃基片)40上，并仅执行一次(或最多两次)光刻处理。在示例性实施例中，含有银的涂层(例如，参照图4-6的示例性涂层)被沉积(例如，溅射沉积)在基片40上，然后进行光刻和/或激光图案化，将含有银的涂层图案化至迹线22，行电极x0,0,x1,0,x2,0,x0,1,x,0,2,x0,3等穿过xn,m，和列电极y0-yn。
由于行电极x0,0-xn,m、列电极y0-yn，和迹线22从上面/下面观察时不重叠，行电极x0,0-xn,m、列电极y0-yn，和迹线22可形成在与基片40平行(或基本平行)的相同平面，其上形成有电极和迹线。迹线22的明显部分也可与平行(或基本平行)于基片40的平面中的列电极相平行(或基本平行)。
相应地，触控面板20可经较少次数的光刻或激光步骤被制备，从而迹线实现足够的透明度和传导性，因此，可降低生产成本，并实现更有效的触控面板来用于显示组件等中。
图2(b)是示出根据示例性实施例，图2(a)中的触控面板20的电路示意图。
在触控面板20中，各行电极和相邻的列电极之间具有电容(例如，行电极x0,0和列电极y0之间)。该电容可通过将电压施加至列电极(例如，列电极y0)被测量，并测量相邻的行电极(例如，行电极x0,0)的电压。当用户将手指或铁笔靠近触控面板20，局部静电场中的变化减少互电容。表面上的各散点的电容变化可通过按序列测量每一对行电极和列电极，从而被测量。
在相同行(例如，行电极x0,0,x1,0,x2,0等的迹线22，穿过行0的xn,0)中的每一个行电极的迹线22可被电连接在一起(如图2(b)所示)。第一行紧挨着的段、第二行紧挨着的段的互连等，可配置在柔性电路上，该柔性电路被附在互连区域中的触控面板的外围，从而基片上无需跨接。在该情况下，电压被施加至列电极，且各行的电压在电压被施加于另一列重复处理之前按序列被测量。可选择地，各迹线22可被连接到信号处理器25，各迹线22的电压可被单独测量。
相同的电容可通过将电压施加至行电极被测量，并测量相邻的列电极上的电压，而不是将电压施加到列电极以及测量相邻的行电极的电压。
信号处理(例如，应用和测量电压，测量相邻电极之间的电容，随时间推移测量电容变化，以响应用户输入的输出信号等)可由信号处理器25执行。信号处理器25可以是一个或多个硬件处理器，可包括挥发性或非易失性存储器，可包括用于执行信号处理的计算机可读指令。信号处理器25被电连接至列电极y0-yn并被电连接至行电极x0,0-xn,m，穿过迹线22。信号处理器25可位于或也可以不位于与行电极x0,0-xn,m、列电极y0-yn、以及迹线22(例如，在图2(a)的互连区域21)的相同平面。
图3是示出根据另一示例性实施例的投影电容式触控面板的布局。
参照图3，触控面板30类似于图2(a)的触控面板20，除了触控面板30被分成上部分31和下部分32，每一个包括电极的矩阵，含有n列和m行。例如，上部分31的行0包括行电极x0,0,x1,0,x2,0等，穿过xn,0。上部分31还包括列电极y0,y1,y2等，穿过yn。同样，下部分32还包括行电极，且列电极y0-yn可与上部分31的列电极y0-yn电分离。
因此，下部分32还包括行电极的矩阵，含有n列和m行，以及n列电极。在不同的示例性实施例中，下部分32可比上部分31具有更多或更少的行。
触控面板30的行和列电极的数量由触控面板的尺寸和分辨率决定。
上部分31的各列电极被电连接至互连区域21，且上部分31的各行电极通过迹线22被电连接至互连区域21。如同图2实施例，迹线可以或也可以不用来将上部分31的列电极连接至互连区域。下部分32的各列电极被电连接至互连区域21'，且下部分32的各行电极通过迹线22被电连接到互连区域21'。此外，迹线可以或也可以不用来将下部分32的列电极连接至互连区域21'。
仍旧参照图3，触控面板30类似于触控面板20，各行电极和相邻的列电极之间具有电容，其可通过将电压施加至列电极被测量，并测量相邻的行电极(或选择性地通过将电压施加至行电极以及测量相邻的列电极的电压)的电压。当用户将手指或铁笔靠近触控面板30时，局部静电场中的变化减少互电容。表面上的各散点的电容变化可通过按序列测量每一对行电极和列电极的互电容，从而被测量。
由于图3中示出的行电极和列电极不重叠，该行电极和列电极可通过图2中所述的方式被形成在相同的平面上。相应地，触控面板30的电极结构可以是较薄的，并可通过单进程(例如，单次光刻处理或单次激光图案化处理)被图案化，从而减少投影电容式触控面板的生产成本。
本技术领域的普通技术人员应理解，在此所述的触控面板20和30不局限于上述的以及图2-3中所示出的。换句话说，本申请中使用的术语“行”、“列”、“x轴”、“y轴”并不表示意味着特定的方向。图2(a)的触控面板20，例如，可被修改或旋转，从而互连区域21可位于触控面板20的任何部分。
如图2(a)和3中所示出的，狭窄的透明导电迹线22被路由，将电极电连接至互连区域21(以及互连区域21’)。由于狭窄的ITO迹线的较大电阻，狭窄的ITO迹线仅被用于较小的触控面板中，例如智能手机。在较大的触控面板中使用图2(a)和3中的一个布局时，必须使用具较低片电阻的透明导电涂层。图4-6中示出含有银的涂层，用来形成行/列电极和迹线22，由于其比现有的常规ITO迹线具有更低的片电阻，因此具有优势。
根据示例性实施例，图4-6中示出具有较低片电阻的示例性含有银的透明导电涂层(TCCs)，用来形成行电极、列电极、和迹线22。在图4-6的每一个中，该TCC的低片电阻和高透明性允许TCC来形成图2(a)和3中所示出的触控面板的狭长迹线22，与行电极和列电极一样。
参照图4，涂层(或层系统)41直接或间接地配置在基片40上。基片40可以是玻璃。涂层41可包括，例如，底部基于和/或包括氮化硅的介质层42，其可以是Si3N4(可以或也可以不掺杂其他材料，例如在一些示例中为铝)或是富硅型来去雾；或是在本发明的不同实施例中的任何其他合适的化学计量的氮化硅；或是含有类似氧化钛或氧化铌材料的高折射率介质层43，其可包括氧化钛(例如，TiO2或其他合适的化学计量)；以及含有氧化锌的第一和第二介质层44a、44b，经含有氧化锡的“胶合物”介质层45被分开；银基介质层46；含有镍和/或铬的上接触层47，其可被氧化和/或氮化；或含有氧化锡的第二层48；或是含有氮化硅的最外层的保护层49。在不同的示例性实施例中，高折射率介质层43可完全氧化或亚化学计量。含有氧化锌的种子层44b和含有镍和/或铬的上接触层47直接接触银基介质层46。
在本发明的不同的实施例中，可在层中使用不同的厚度和材料，例如，图4实施例中的玻璃基片40上的涂层41各自溅射沉积的层的示例性厚度和材料在以下被示出，顺序为从玻璃基片向外：
表1
在示例性实施例中，层44a和44b可以具有匹配或基本匹配的厚度。例如，在一些示例中，这些层的厚度可相差不超过15％，在其他示例中不超过10％，并且在又一些其他示例中不超过3-5％。其为上述的示例1的情况，但并非上述的示例2的情况。
参照图5，另一个示例性透明导电涂层(或层系统)51直接或间接地被配置在基片40上。基片40可以是，例如玻璃。如同图4的实施例，图5包括，例如底部基于和/或包括氮化硅的介质层42和高折射率介质层43a，其可具有或包括氧化钛或氧化铌(例如，TiO2或其他合适的化学计量)。但是如图5所示，含有氧化锌的第一和第二介质层44a、44b(可掺杂有铝或其他)通过含有氧化钛(例如，TiO2或其他合适的化学计量)的层43b被分开。另一种方式是考虑含有氧化钛43的低介电高折射率层通过含有氧化锌的第一层44a被分为两个子层(43a和43b)。可被氧化和/或氮化的含有镍和/或铬的上接触层47；含有氧化锡的层48；或含有氧化锌的介质层44c；以及另一个基于氮化硅的介质层49可配置在传导性的银基层46之上。第三个含有氧化锌的层44c可配置在含有氧化锡的层48和基于氮化硅的层49之间。选择性地，含有氧化锆的表涂层50在图5中作为最外层(在基于氮化硅的层49之上)被示出。该含有氧化锆的表涂层50可提供进一步被改善的耐久性。
虽然在本发明的不同实施例中可使用不同的厚度和材料，但图5实施例中的基片40上各自溅射沉积的层的示例性厚度和材料在以下被示出，顺序为从基片40向外：
表2
图6是示出另一个示例性透明导电涂层，其可用来形成图2-3中的行和列电极，以及迹线22。图6的涂层从玻璃基片40向外包括：含有氮化硅的介质层；或含有NiCr、NiCrOx、NiCrNx等的下接触层75；或含有银的导电层46；或含有NiCr、NiCrOx、NiCrNx等的上接触层47，或含有氮化硅的介质层49，以及选择性地，类似氧化锆材料的外层50。
投影电容式触控面板可通过使用含银的TCC(例如，图4的涂层41、图5的涂层51、或图6的涂层61)被制成，在布局中该TCC被图案化至基片40(例如玻璃)上，来形成图2-3中所示出的触控面板20或30的行电极x0,0-xn,m、列电极y0-yn、和迹线22。由于含银的TCC可通过一次光刻处理和/或激光图案化处理被图案化，因此投影电容式面板的整个成本被减少。
含有银的TCCs 41,51,61较便宜，具有较低的片电阻(优选是低于15欧姆/平方，更优选是低于10或5欧姆/平方，示例为约4欧姆/平方)，并维持较高的透射率(优选是大于70％，更优选是大于80％)。该TCC(41、51、或61)可沉积在远离用户的基片40的主要表面上，减少暴露于大气或使用手指或铁笔接触时产生的腐蚀。例如，如图7中示出的示例性显示组件，包括安装在液晶显示面板上的触控面板(20或30)。行电极、列电极、和迹线被形成在图7的41、51、61中，位于相对于手指的玻璃基片40的表面上，且触控面板20,30可通过折射率匹配粘胶层85被附至LCD面板。LCD面板包括第一和第二基片(例如玻璃基片)100、200，其之间配置有液晶层300。为了形成触屏，可将触控面板20,30安装在具有小的气隙(未示出)的LCD面板上，或是通过折射率匹配粘胶85被结合至显示器上。
用于投影电容式触控面板的像素间距，例如范围可约为6-7mm。通过信号处理和插值，触摸位置可更准确地被确定至1mm。当用于迹线22的线宽/间隔近似10-20μm时，可计算出至少可实现20英寸的投影电容式触控面板来用于约4欧姆/平方的TCC片电阻。进一步，优化路由、信号处理和/或噪声抑制，从而可制造更大的触控面板(例如对角线为40或50英寸)。
在示例性实施例中，具有涂层41、51、61的玻璃基片40可被热处理(例如，热回火)，例如在涂层之后，或是在涂层之前被化学强化。
在本发明的示例性实施例中提供一种电容式触控面板，包括：基片；多层透明导电涂层，包括至少一个含有银的导电层，其由所述基片支撑；多个行电极，多个列电极，和多个导电迹线，其中，所述行电极、所述列电极和所述导电迹线包括所述多层透明导电涂层；处理器，测量行电极和列电极之间的电容，来检测所述触控面板上的接触位置，其中，所述行电极，所述列电极，和所述导电迹线，在与所述基片基本平行的公共面被形成，其中，所述行电极的每一个通过所述导电迹线中的至少一个，与所述处理器电连接，且其中，所述导电迹线，至少部分地与所述列电极平行。
在前述段落的电容式触控面板中，所述透明导电涂层，从所述基片按顺序可包括：含有氮化硅的第一介质层；含有金属氧化物的介质层；含有银的导电层；接触层，位于所述含有银的导电层之上并与其接触；和含有氮化硅的第二介质层。例如，含有金属氧化物的介质层可包括NiCr的氧化物。上接触层可包括Ni和/或Cr。透明导电涂层可进一步包括：含有氧化钛的介质层，至少位于所述含有氮化硅的第一介质层和所述含有金属氧化物的介质层之间。透明导电涂层可包括：含有氧化钛的层、含有氧化锌的层、和含有氧化锡的层，至少位于所述含有氮化硅的第一介质层和所述含有金属氧化物的介质层之间。透明导电涂层可包括：含有氧化钛的层、含有氧化锌的层，和含有氧化钛的另一个层，至少位于所述含有氮化硅的第一介质层和所述含有金属氧化物的介质层之间。涂层可进一步包括：含有氧化锆的外层。透明导电涂层，从所述基片按顺序可包括：含有氮化硅的第一介质层；含有Ni和/或Cr的下接触层；含有银的导电层，其与所述下接触层直接接触；含有Ni和/或Cr的上接触层，其与所述含有银的导电层接触；和含有氮化硅的第二介质层。
上述两个段落的任何一个的电容式触控面板中，透明导电涂层可具有≤15欧姆/平方的片电阻，更优选是具有≤10或≤5欧姆/平方的片电阻。
一种显示组件，可包括上述权利要求中任何一项所述的电容式触控面板，被耦合到液晶面板，其中，所述液晶体面板包括一对基片，其之间配置有液晶层。
如上所述，对示例性实施例进行了说明使本领域的普通技术人员更容易理解，但是上述说明并不限制本申请的发明思想，范围由后附的权利要求定义。

Claims (20)

1.一种电容式触控面板，包括：
基片；
多层透明导电涂层，包括至少一个含有银的导电层，其由所述基片支撑；
多个行电极，多个列电极，和多个导电迹线，其中，所述行电极、所述列电极和所述导电迹线包括所述多层透明导电涂层；
处理器，测量行电极和列电极之间的电容，来检测所述触控面板上的接触位置，
其中，所述行电极，所述列电极，和所述导电迹线，在与所述基片基本平行的公共面被形成，
其中，所述行电极的每一个通过所述导电迹线中的至少一个，与所述处理器电连接，且
其中，所述导电迹线，至少部分地与所述列电极平行。
2.如权利要求1所述的电容式触控面板，其中，所述透明导电涂层，从所述基片按顺序包括：
含有氮化硅的第一介质层；
含有金属氧化物的介质层；
含有银的导电层；
上接触层，位于所述含有银的导电层之上并与其接触；和
含有氮化硅的第二介质层。
3.如权利要求2所述的电容式触控面板，其中，所述含有金属氧化物的介质层包括氧化锌。
4.如权利要求2所述的电容式触控面板，其中，所述含有金属氧化物的介质层包括NiCr的氧化物。
5.如权利要求2-4中任何一项所述的电容式触控面板，其中，所述上接触层包括Ni和/或Cr。
6.如权利要求2-5中任何一项所述的电容式触控面板，其中，所述透明导电涂层进一步包括：含有氧化钛的介质层，至少位于所述含有氮化硅的第一介质层和所述含有金属氧化物的介质层之间。
7.如权利要求2-5中任何一项所述的电容式触控面板，其中，所述透明导电涂层进一步包括：含有氧化钛的层、含有氧化锌的层、和含有氧化锡的层，至少位于所述含有氮化硅的第一介质层和所述含有金属氧化物的介质层之间。
8.如权利要求2-5中任何一项所述的电容式触控面板，其中，透明导电涂层进一步包括：含有氧化钛的层、含有氧化锌的层，和含有氧化钛的另一个层，至少位于所述含有氮化硅的第一介质层和所述含有金属氧化物的介质层之间。
9.如权利要求2-8中任何一项所述的电容式触控面板，其中，所述涂层进一步包括：含有氧化锆的外层。
10.如权利要求1所述的电容式触控面板，其中，所述透明导电涂层，从所述基片按顺序包括：
含有氮化硅的第一介质层；
含有Ni和/或Cr的下接触层；
含有银的导电层，其与所述下接触层直接接触；
含有Ni和/或Cr的上接触层，其与所述含有银的导电层接触；和
含有氮化硅的第二介质层。
11.如上述权利要求中任何一项所述的电容式触控面板，其中，所述透明导电涂层具有≤15欧姆/平方的片电阻。
12.如上述权利要求中任何一项所述的电容式触控面板，其中，所述透明导电涂层具有≤10欧姆/平方的片电阻。
13.如上述权利要求中任何一项所述的电容式触控面板，其中，所述透明导电涂层具有≤5欧姆/平方的片电阻。
14.一种显示组件，包括上述权利要求中任何一项所述的电容式触控面板，被耦合到液晶面板，所述液晶体面板包括一对基片，其之间配置有液晶层。
15.一种用于制造含有基片和信号处理器的触控面板的方法，所述方法包括：
将含有银的透明导电涂层沉积在基片上，并将所述含有银的透明导电涂层图案化，从而形成多个行电极、多个列电极、和多个导电迹线，
其中，所述行电极，所述列电极，和所述迹线位于与所述基片基本平行的平面上，其中，所述行电极的每一个通过所述迹线中的至少一个与所述信号处理器电连接。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述透明导电涂层，从所述基片随溅射沉积的层按顺序包括：
含有氮化硅的第一介质层；
含有金属氧化物的介质层；
含有银的导电层；
上接触层，位于所述含有银的导电层之上并与其接触；和
含有氮化硅的第二介质层。
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述含有金属氧化物的介质层包括氧化锌。
18.如权利要求16-17中任何一项所述的方法，其中，所述透明导电涂层进一步包括：含有氧化钛的介质层，至少位于所述含有氮化硅的第一介质层和所述含有金属氧化物的介质层之间。
19.如权利要求15所述的方法，其中，所述透明导电涂层，从所述基片随溅射沉积的层按顺序包括：
含有氮化硅的第一介质层；
含有Ni和/或Cr的下接触层；
含有银的导电层，其与所述下接触层直接接触；
含有Ni和/或Cr的上接触层，其与所述含有银的导电层接触；和
含有氮化硅的第二介质层。
20.如权利要求15-19中任何一项所述的方法，其中，所述透明导电涂层具有≤10欧姆/平方的片电阻。
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