TW201425626A - 磁控濺射鍍膜裝置 - Google Patents

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TW201425626A
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

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  • Materials Engineering (AREA)
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Abstract

本發明提供一種磁控濺射鍍膜裝置，包括真空室體、形成於該真空室體內的真空室、設置於真空室內的至少一磁控靶，該磁控濺射鍍膜裝置還包括設置於該真空室內與所述磁控靶一一對應的遮罩，每一遮罩包括二遮罩片，該二遮罩片對稱設置於相應的磁控靶的兩側，以遮擋鍍膜時磁控靶的散射粒子，避免散射粒子繞鍍至工件不需要鍍膜的部分。

Description

磁控濺射鍍膜裝置
本發明涉及一種真空鍍膜裝置，尤其涉及一種磁控濺射鍍膜裝置。
採用磁控濺射方法在工件上沉積具有顏色漸變效果的膜層時，需要在磁控靶與工件之間設置一擋板，用來遮擋工件不需要鍍膜的部分。由於遮擋板與工件之間有一定的間隙，使得散射的靶材粒子（離子或原子）在電場的作用下繞鍍至工件不需要鍍膜的部分，影響膜層的顏色漸變效果及產品的功能測試。
有鑒於此，本發明提供一種可有效減少散射靶材粒子繞鍍的磁控濺射鍍膜裝置。
一種磁控濺射鍍膜裝置，包括真空室體、形成於該真空室體內的真空室、設置於真空室內的至少一磁控靶，該磁控濺射鍍膜裝置還包括設置於該真空室內與所述磁控靶一一對應的遮罩裝置，每一遮罩包括二遮罩片，該二遮罩片對稱設置於相應的磁控靶的兩側，以遮擋鍍膜時磁控靶的散射粒子。
上述磁控濺射鍍膜裝置在磁控靶周圍加裝遮罩片，可將鍍膜時80％的靶材散射粒子（離子或原子）遮擋，將能量最強的粒子集中沉積於待鍍工件表面，有效減少靶材散射粒子繞鍍至待鍍工件不需要鍍膜的部分對無需鍍膜區域的造成污染，從而提高鍍膜良率。另，加裝該遮罩成本低，不改變鍍膜製程。
100．．．磁控濺射鍍膜裝置
10．．．真空室體
12．．．側壁
14．．．真空室門
140．．．內表面
20．．．真空室
30．．．磁控靶
32．．．濺射區
322．．．平行部
40．．．遮罩
42．．．遮罩片
421．．．遮擋部
4212．．．邊緣
423．．．定位部
425．．．連接部
427．．．空隙
50．．．轉架
70．．．擋板
200．．．工件
圖1係本發明較佳實施例磁控濺射鍍膜裝置的示意圖。
圖2係圖1中II處的放大圖。
請參閱圖1，本發明較佳實施例的磁控濺射鍍膜裝置100包括真空室體10、一形成於該真空室體10內的真空室20、設置於真空室20內的至少一磁控靶30、以及設置於真空室20內與所述磁控靶30一一對應的遮罩40。
該真空室體10包括一側壁12及一真空室門14。該真空室20內設置有用於固定工件200的轉架50及設置於轉架50與真空室體10之間的擋板70。該轉架50可帶動工件200進行旋轉。擋板70用於在濺射過程中對工件200不需鍍膜的部分進行遮擋。
所述磁控靶30可以為一個，亦可以為多個，其可固定於側壁12以及真空室門14上，亦可僅固定於側壁12或者真空室門14上。本實施例中，該磁控濺射鍍膜裝置100包括一個磁控靶30，其固定於真空室門14朝向真空室20的內表面140上。本實施例中，該磁控靶30為矩形平面靶，其包括一環形的濺射區32。該濺射區32是指在磁控濺射過程中，磁控靶30因被濺射氣體撞擊而蝕刻的區域。由於在磁控濺射系統中，靶面的濺射區域主要集中在磁力線近似平行於靶面的範圍，對於矩形平面磁控濺射靶而言，該區域通常呈環形或“U”形。該濺射區32包括二大致平行的平行部322。
所述遮罩40包括二間隔設置的遮罩片42。每一遮罩片42包括一遮擋部421、一定位部423及連接該遮擋部421與定位部423的連接部425。該遮擋部421、定位部423及該連接部425分別大致為一矩形片狀體。該遮擋部421與定位部423分別垂直連接於連接部425的相對兩端，且遮擋部421與定位部423分別位於連接部425的兩側。該二遮罩片42對稱設置於磁控靶30的兩側，使二遮罩片42的遮擋部421相對設置且大致與磁控靶30平行。每一遮罩片42的定位部423固定於真空室門14的內表面140上。每一遮罩片42的遮擋部421位於磁控靶30的上方，且距離磁控靶30的表面大約為2.5-3.5cm，較佳為3cm，且每一遮擋部421遠離連接部425的邊緣4212於磁控靶30上的正投影位於相對應的平行部322內。較佳地，每一遮擋部421遠離連接部425的邊緣4212於磁控靶30上的正投影位於相對應的平行部322的二分之一寬度(L/2)處（請參圖2）。所述二遮罩片42的遮擋部421之間保留有空隙427，使從磁控靶30濺射出來的能量最強的離子或原子可以從該空隙427沉積到工件200表面。
上述磁控濺射鍍膜裝置100在磁控靶30周圍加裝遮罩片42，可將鍍膜時80％的靶材散射粒子（離子或原子）遮擋，將能量最強的粒子集中沉積於工件200表面，有效減少靶材散射粒子繞鍍至工件200不需要鍍膜的部分對無需鍍膜區域造成污染，從而提高鍍膜良率。另外，加裝該遮罩40成本低，不改變鍍膜製程。
100．．．磁控濺射鍍膜裝置
10．．．真空室體
12．．．側壁
14．．．真空室門
140．．．內表面
20．．．真空室
30．．．磁控靶
32．．．濺射區
322．．．平行部
40．．．遮罩
42．．．遮罩片
421．．．遮擋部
4212．．．邊緣
423．．．定位部
425．．．連接部
427．．．空隙
50．．．轉架
70．．．擋板
200．．．工件

Claims (6)

  1. 一種磁控濺射鍍膜裝置，包括真空室體、形成於該真空室體內的真空室、設置於真空室內的至少一磁控靶，其改良在於：該磁控濺射鍍膜裝置還包括設置於該真空室內與所述磁控靶一一對應的遮罩，每一遮罩包括二遮罩片，該二遮罩片對稱設置於相應的磁控靶的兩側，以遮擋鍍膜時磁控靶的散射粒子。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之磁控濺射鍍膜裝置，其中所述每一遮罩片包括一遮擋部、一定位部及連接該遮擋部與定位部的連接部，該遮擋部與定位部分別垂直連接於連接部的相對兩端，且遮擋部與定位部分別位元於連接部的兩側；每一遮罩的二遮罩片藉由其定位部固定於真空室體上，使該二遮罩片的遮擋部相對設置且與磁控靶平行。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之磁控濺射鍍膜裝置，其中所述磁控靶為矩形片面靶，每一磁控靶包括一環形的濺射區，該濺射區包括二平行的平行部；每一遮罩片的遮擋部位於相對應的磁控靶的上方，且距離相對應的磁控靶的表面為2.5-3.5cm，每一遮罩片的遮擋部靠近另一遮罩片的邊緣於相對應的磁控靶上的正投影位於一相對應的平行部內。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之磁控濺射鍍膜裝置，其中所述每一遮罩片的遮擋部距離相對應的磁控靶的表面為3cm，且每一遮罩片的遮擋部靠近另一遮罩片的邊緣於相對應的磁控靶上的正投影位於一相對應的平行部的二分之一寬度處。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之磁控濺射鍍膜裝置，其中所述真空室體包括一側壁及一真空室門；所述磁控靶及對應的遮罩固定於該側壁及該真空室門上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之磁控濺射鍍膜裝置，其中所述真空室內設置有用於固定工件的轉架及設置於轉架與真空室體之間的擋板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109778128A (zh) * 2017-11-15 2019-05-21 佳能特机株式会社 溅射装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4022939A (en) * 1975-12-18 1977-05-10 Western Electric Company, Inc. Synchronous shielding in vacuum deposition system
JPS6120559U (ja) * 1984-07-06 1986-02-06 株式会社日立製作所 スパツタ装置
DE3521053A1 (de) * 1985-06-12 1986-12-18 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zum aufbringen duenner schichten auf ein substrat
JP2934711B2 (ja) * 1989-12-07 1999-08-16 カシオ計算機株式会社 スパッタ装置
JPH03202466A (ja) * 1989-12-28 1991-09-04 Fujitsu Ltd スパッタリング装置
JPH0413867A (ja) * 1990-05-01 1992-01-17 Casio Comput Co Ltd スパッタ装置
JPH06219783A (ja) * 1993-01-27 1994-08-09 Central Glass Co Ltd スパツタ法による成膜方法
DE19513691A1 (de) * 1995-04-11 1996-10-17 Leybold Ag Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
JPH10204629A (ja) * 1997-01-16 1998-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタ装置
JP2004027272A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜製造装置
US7879201B2 (en) * 2003-08-11 2011-02-01 Veeco Instruments Inc. Method and apparatus for surface processing of a substrate
JP2006009049A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Olympus Corp 成膜装置及び多面体並びに成膜方法
JP2006022389A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Shincron:Kk 薄膜形成方法
JP2006299362A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Optrex Corp スパッタ成膜装置
JP5447240B2 (ja) * 2010-07-07 2014-03-19 住友金属鉱山株式会社 マグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109778128A (zh) * 2017-11-15 2019-05-21 佳能特机株式会社 溅射装置
CN109778128B (zh) * 2017-11-15 2022-08-23 佳能特机株式会社 溅射装置

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