CN103898462B - 磁控溅射镀膜装置 - Google Patents

磁控溅射镀膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103898462B
CN103898462B CN201210588533.7A CN201210588533A CN103898462B CN 103898462 B CN103898462 B CN 103898462B CN 201210588533 A CN201210588533 A CN 201210588533A CN 103898462 B CN103898462 B CN 103898462B
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic control
control target
vacuum chamber
radome
occlusion part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210588533.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103898462A (zh
Inventor
张春杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nashi new materials Co.,Ltd.
Original Assignee
Shenzhen Futaihong Precision Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Futaihong Precision Industry Co Ltd filed Critical Shenzhen Futaihong Precision Industry Co Ltd
Priority to CN201210588533.7A priority Critical patent/CN103898462B/zh
Priority to TW102103215A priority patent/TWI553142B/zh
Priority to US13/949,917 priority patent/US20140183039A1/en
Priority to JP2013271358A priority patent/JP2014129602A/ja
Publication of CN103898462A publication Critical patent/CN103898462A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103898462B publication Critical patent/CN103898462B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种磁控溅射镀膜装置，包括真空室体、形成于该真空室体内的真空室、设置于真空室内的至少一磁控靶，该磁控溅射镀膜装置还包括设置于该真空室内与所述磁控靶一一对应的屏蔽装置，每一屏蔽装置包括二屏蔽罩，该二屏蔽罩对称设置于相应的磁控靶的两侧，以遮挡镀膜时磁控靶的散射粒子，避免散射粒子绕镀至工件不需要镀膜的部分。

Description

磁控溅射镀膜装置
技术领域
本发明涉及一种真空镀膜装置，尤其涉及一种磁控溅射镀膜装置。
背景技术
采用磁控溅射方法在工件上沉积具有颜色渐变效果的膜层时，需要在磁控靶与工件之间设置一挡板，用来遮挡工件不需要镀膜的部分。由于遮挡板与工件之间有一定的间隙，使得散射的靶材粒子（离子或原子）在电场的作用下绕镀至工件不需要镀膜的部分，影响膜层的颜色渐变效果及产品的功能测试。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种可有效减少散射靶材粒子绕镀的磁控溅射镀膜装置。
一种磁控溅射镀膜装置，包括真空室体、形成于该真空室体内的真空室、设置于真空室内的至少一磁控靶，该磁控溅射镀膜装置还包括设置于该真空室内与所述磁控靶一一对应的屏蔽装置，每一屏蔽装置包括二屏蔽罩，该二屏蔽罩对称设置于相应的磁控靶的两侧，以遮挡镀膜时磁控靶的散射粒子。
上述磁控溅射镀膜装置在磁控靶周围加装屏蔽罩，可将镀膜时80％的靶材散射粒子（离子或原子）遮挡，将能量最强的粒子集中沉积于待镀工件表面，有效减少靶材散射粒子绕镀至待镀工件不需要镀膜的部分对无需镀膜区域的造成污染，从而提高镀膜良率。另，加装该屏蔽装置成本低，不改变镀膜制程。
附图说明
图1是本发明较佳实施例磁控溅射镀膜装置的示意图。
图2是图1中II处的放大图。
主要元件符号说明
磁控溅射镀膜装置 100
真空室体 10
侧壁 12
真空室门 14
内表面 140
真空室 20
磁控靶 30
溅射区 32
平行部 322
屏蔽装置 40
屏蔽罩 42
遮挡部 421
边缘 4212
定位部 423
连接部 425
空隙 427
转架 50
挡板 70
工件 200
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，本发明较佳实施例的磁控溅射镀膜装置100包括真空室体10、一形成于该真空室体10内的真空室20、设置于真空室20内的至少一磁控靶30、以及设置于真空室20内与所述磁控靶30一一对应的屏蔽装置40。
该真空室体10包括一侧壁12及一真空室门14。该真空室20内设置有用于固定工件200的转架50及设置于转架50与真空室体10之间的挡板70。该转架50可带动工件200进行旋转。挡板70用于在溅射过程中对工件200不需镀膜的部分进行遮挡。
所述磁控靶30可以为一个，也可以为多个，其可固定于侧壁12以及真空室门14上，也可仅固定于侧壁12或者真空室门14上。本实施例中，该磁控溅射镀膜装置100包括一个磁控靶30，其固定于真空室门14朝向真空室20的内表面140上。本实施例中，该磁控靶30为矩形平面靶，其包括一环形的溅射区32。该溅射区32是指在磁控溅射过程中，磁控靶30因被溅射气体撞击而蚀刻的区域。由于在磁控溅射系统中，靶面的溅射区域主要集中在磁力线近似平行于靶面的范围，对于矩形平面磁控溅射靶而言，该区域通常呈环形或“U”形。该溅射区32包括二大致平行的平行部322。
所述屏蔽装置40包括二间隔设置的屏蔽罩42。每一屏蔽罩42包括一遮挡部421、一定位部423及连接该遮挡部421与定位部423的连接部425。该遮挡部421、定位部423及该连接部425分别大致为一矩形片状体。该遮挡部421与定位部423分别垂直连接于连接部425的相对两端，且遮挡部421与定位部423分别位于连接部425的两侧。该二屏蔽罩42对称设置于磁控靶30的两侧，使二屏蔽罩42的遮挡部421相对设置且大致与磁控靶30平行。每一屏蔽罩42的定位部423固定于真空室门14的内表面140上。每一屏蔽罩42的遮挡部421位于磁控靶30的上方，且距离磁控靶30的表面大约为2.5-3.5cm，较佳为3cm，且每一遮挡部421远离连接部425的边缘4212于磁控靶30上的正投影位于相对应的平行部322内。较佳地，每一遮挡部421远离连接部425的边缘4212于磁控靶30上的正投影位于相对应的平行部322的二分之一宽度(L/2)处（请参图2）。所述二屏蔽罩42的遮挡部421之间保留有空隙427，使从磁控靶30溅射出来的能量最强的离子或原子可以从该空隙427沉积到工件200表面。
上述磁控溅射镀膜装置100在磁控靶30周围加装屏蔽罩42，可将镀膜时80％的靶材散射粒子（离子或原子）遮挡，将能量最强的粒子集中沉积于工件200表面，有效减少靶材散射粒子绕镀至工件200不需要镀膜的部分对无需镀膜区域造成污染，从而提高镀膜良率。另外，加装该屏蔽装置40成本低，不改变镀膜制程。

Claims (4)

1.一种磁控溅射镀膜装置，包括真空室体、形成于该真空室体内的真空室、设置于真空室内的至少一磁控靶，其特征在于：该磁控溅射镀膜装置还包括设置于该真空室内与所述磁控靶一一对应的屏蔽装置，每一屏蔽装置包括二屏蔽罩，该二屏蔽罩对称设置于相应的磁控靶的两侧，以遮挡镀膜时磁控靶的散射粒子，每一屏蔽罩包括一遮挡部、一定位部及连接该遮挡部与定位部的连接部，该遮挡部与定位部分别垂直连接于连接部的相对两端，且遮挡部与定位部分别位于连接部的两侧；每一屏蔽装置的二屏蔽罩通过其定位部固定于真空室体上，使该二屏蔽罩的遮挡部相对设置且与磁控靶平行；该磁控靶为矩形片面靶，每一磁控靶包括一环形的溅射区，该溅射区包括二平行的平行部；每一屏蔽罩的遮挡部位于相对应的磁控靶的上方，且距离相对应的磁控靶的表面为2.5-3.5cm，每一屏蔽罩的遮挡部靠近另一屏蔽罩的边缘于相对应的磁控靶上的正投影位于一相对应的平行部的二分之一宽度处。
2.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于：每一屏蔽罩的遮挡部距离相对应的磁控靶的表面为3cm。
3.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于：该真空室体包括一侧壁及一真空室门；所述磁控靶及对应的屏蔽装置固定于该侧壁及该真空室门上。
4.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于：该真空室内设置有用于固定工件的转架及设置于转架与真空室体之间的挡板。
CN201210588533.7A 2012-12-29 2012-12-29 磁控溅射镀膜装置 Active CN103898462B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210588533.7A CN103898462B (zh) 2012-12-29 2012-12-29 磁控溅射镀膜装置
TW102103215A TWI553142B (zh) 2012-12-29 2013-01-28 磁控濺射鍍膜裝置
US13/949,917 US20140183039A1 (en) 2012-12-29 2013-07-24 Magnetron sputtering device
JP2013271358A JP2014129602A (ja) 2012-12-29 2013-12-27 マグネトロンスパッタ蒸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210588533.7A CN103898462B (zh) 2012-12-29 2012-12-29 磁控溅射镀膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103898462A CN103898462A (zh) 2014-07-02
CN103898462B true CN103898462B (zh) 2017-08-22

Family

ID=50990026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210588533.7A Active CN103898462B (zh) 2012-12-29 2012-12-29 磁控溅射镀膜装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140183039A1 (zh)
JP (1) JP2014129602A (zh)
CN (1) CN103898462B (zh)
TW (1) TWI553142B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6583930B2 (ja) * 2017-11-15 2019-10-02 キヤノントッキ株式会社 スパッタ装置および有機ｅｌパネルの製造方法
CN118222994B (zh) * 2024-05-24 2024-07-23 电子科技大学 一种自清洁的高通量磁控溅射设备及操作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4022939A (en) * 1975-12-18 1977-05-10 Western Electric Company, Inc. Synchronous shielding in vacuum deposition system
US4946576A (en) * 1985-06-12 1990-08-07 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for the application of thin layers to a substrate
US5514259A (en) * 1989-12-07 1996-05-07 Casio Computer Co., Ltd. Sputtering apparatus

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6120559U (ja) * 1984-07-06 1986-02-06 株式会社日立製作所 スパツタ装置
JPH03202466A (ja) * 1989-12-28 1991-09-04 Fujitsu Ltd スパッタリング装置
JPH0413867A (ja) * 1990-05-01 1992-01-17 Casio Comput Co Ltd スパッタ装置
JPH06219783A (ja) * 1993-01-27 1994-08-09 Central Glass Co Ltd スパツタ法による成膜方法
DE19513691A1 (de) * 1995-04-11 1996-10-17 Leybold Ag Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
JPH10204629A (ja) * 1997-01-16 1998-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタ装置
JP2004027272A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜製造装置
US7879201B2 (en) * 2003-08-11 2011-02-01 Veeco Instruments Inc. Method and apparatus for surface processing of a substrate
JP2006009049A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Olympus Corp 成膜装置及び多面体並びに成膜方法
JP2006022389A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Shincron:Kk 薄膜形成方法
JP2006299362A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Optrex Corp スパッタ成膜装置
JP5447240B2 (ja) * 2010-07-07 2014-03-19 住友金属鉱山株式会社 マグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4022939A (en) * 1975-12-18 1977-05-10 Western Electric Company, Inc. Synchronous shielding in vacuum deposition system
US4946576A (en) * 1985-06-12 1990-08-07 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for the application of thin layers to a substrate
US5514259A (en) * 1989-12-07 1996-05-07 Casio Computer Co., Ltd. Sputtering apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN103898462A (zh) 2014-07-02
JP2014129602A (ja) 2014-07-10
TW201425626A (zh) 2014-07-01
US20140183039A1 (en) 2014-07-03
TWI553142B (zh) 2016-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3140851B1 (en) Collimator for use in substrate processing chambers
KR102695398B1 (ko) Pvd 스퍼터 챔버를 위한 바이어스가능 플럭스 최적화기/콜리메이터
US20090308732A1 (en) Apparatus and method for uniform deposition
KR101926677B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
CN102301451A (zh) 晶圆处理沉积屏蔽部件
CN103898462B (zh) 磁控溅射镀膜装置
CN105887026A (zh) 物理气相沉积系统与应用其的物理气相沉积方法
CN108611612B (zh) 一种真空溅射设备及溅射方法
JP2008019508A (ja) 冷却アノード
CN105525269B (zh) 一种磁控溅射设备
CN204162776U (zh) 一种靶材组件
JP6509553B2 (ja) スパッタリング装置
EP2213765A1 (en) Stray coating prevention device, coating chamber device for coating substrates, and method of coating
CN214655220U (zh) 一种基板固定装置和溅射镀膜机
JP2024021196A (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2020176304A (ja) スパッタリング装置
JP2018162521A (ja) 高周波（ｒｆ）スパッタ堆積源、堆積装置及びその組立て方法
US20100183810A1 (en) Stray coating prevention device, coating chamber device for coating substrates, and method of coating
TW201708581A (zh) 用於濺射沉積之沉積源、沉積設備、以及裝配沉積源之方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20191220

Address after: 314200, No. two, 1661 Xingping Road, Pinghu Economic Development Zone, Zhejiang, Jiaxing

Patentee after: Nashi New Materials (Zhejiang) Co., Ltd.

Address before: 518109 F3 building, Foxconn science and Technology Industrial Park, Longhua Town, Shenzhen, Guangdong, A, China

Patentee before: Shenzhen Futaihong Precision Industry Co., Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 314200, No. two, 1661 Xingping Road, Pinghu Economic Development Zone, Zhejiang, Jiaxing

Patentee after: Nashi new materials Co.,Ltd.

Address before: 314200, No. two, 1661 Xingping Road, Pinghu Economic Development Zone, Zhejiang, Jiaxing

Patentee before: NASHI NEW MATERIAL (ZHEJIANG) Co.,Ltd.