JPH03202466A - スパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 非磁性基板上に、スパッタリング技術を用いて、下地膜
、磁性膜、保護膜の全部または一部をスパッタして、薄
膜型の磁気記録媒体を製造するスパッタリング装置に関
し、 スパッタ室の真空を破壊することなしに、外部から遮蔽
板を自由に制御可能とすることを目的とし、 スパッタ室中に、ターゲットおよび基板を内蔵し、基板
にスパッタリングを行なう装置であって、ターゲットと
基板との間に２枚の遮蔽板を配設し、 しかもそれぞれの遮蔽板を、ターゲットの中心線に対し
対称に配設し、両遮蔽板が、スパッタ室内に外部から挿
通された回転軸の回動によって、開閉ないし回動するよ
うに連動機構を介して連結されており、 前記回転軸が、スパッタ室の外部において回転操作でき
るようになっていること、 を特徴とする構成とする。

〔産業上の利用分野〕

磁気ディスク装置における記録媒体である磁気記録媒体
には、非磁性の円板に磁性塗料を塗布してなる塗膜型と
、Ｃｏ−Ｎｔ−ＣｒやＣｏ−Ｐｔ　、酸化鉄などの磁性
金属または磁性金属酸化物を成膜してなる薄膜型がある
０本発明は、非磁性基板上に、スパッタリング技術を用
いて、下地膜、磁性膜、保護膜の全部または一部をスパ
ッタして、薄膜型の磁気記録媒体を製造するスパッタリ
ング装置に関する。

〔従来の技術〕

第５図は薄膜型磁気記録媒体の全容を示す断面図である
。１は例えばアルミニウムなどのような非磁性体からな
る基板（円板）であり、その上に下地層２、磁性膜３、
保護膜４の順に積層されている。

第６図は薄膜型磁気記録媒体の断面構造を示す図であり
、磁性膜３が磁性金属（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ）によって形
成されている。基ｖｉ１はアルミニウム基板にＮ１−Ｐ
をメツキしてなり、その表面にスパッタ法でＣｒ層を形
成することで下地膜２としている。さらに、磁性Ｍ３と
してＧｏ−Ｎｉ−Ｃｒを、また保護膜４としてカーボン
を、それぞれスパッタすることで成膜される。

磁性膜３としては、磁性金属（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ）のほ
かに、酸化鉄（ｒ−ＦｅｚＯｓ）などが使用される。酸
化鉄の場合は、下地膜２は必要なく、基板はアルマイト
基板を用いる。

磁性膜などをスパッタリングするには、第７図〜第９図
に示すような方法が採られている。第７図は゛静止対向
型”と呼ばれる方法であり、基板１の両側にリング状の
ターゲット５１．５２が配置され、かつ基板１とリング
状ターゲット５１．５２との中心が一致している。その
ため、基板１は中心から半径方向に、同一条件でスパッ
タが行なわれるので、磁性膜の磁気特性が円周方向の全
周において均一となり、情報の記録／再生が正確に行な
われる。

第８図は、静止型のうち基板を回転させる方式であり、
基板１の両側にターゲット６１．６２が配設されている
。この方式は、ターゲット６１．６２が基板１の中心に
対し点対称になっていないため、基板１の円周方向に均
一な磁気特性が得られない。

そのため、基板１を回転させることで、被着条件を均一
化し、磁気特性の均一化を図っている。しかしながら、
基板１を回転可能に支持する摺動部からの発塵のために
欠陥を引き起こす恐れがあり、実用性に欠ける。

第９図は、同時に多数の基板１・・・にスパッタを行な
う方法であり、通過型ないしインライン方式と呼ばれて
いる。７は支持板であり、その各円形孔に基板１・・・
が挿入支持されている。そして支持板７が、ターゲット
６１．６２の間を移動する。この方法は、同時に多数の
基板に磁性膜のスパッタを行なうことができるが、各基
板１・・・において、その中心に対し点対称の条件でス
パッタが行なわれないため、円周方向において、磁気特
性が均一とならず、情報の記録／再生に支障を来してい
る。

第１０図は、このインライン通過型のスパッタ方法にお
ける被着模様を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
は基板の側面図である。ターゲット６１．６２からは四
方六方にスパッタ粒子が飛散するため、基板ｌがターゲ
ット６１と６２との間を通過する際に、基板１がターゲ
ット６１．６２間に進入する最初と最後の時点において
は、矢印ａＬ、　ａＲで示すように、基板１に対し斜め
方向から粒子が飛来し被着される。

つまり（ハ）に示すように、基板ｌの前後の領域１ａ、
１ｂにおいては、基板１に対し径方向に粒子が飛来し、
被着される。

ところが基板１の上下の領域ＩＣ％　ｌｄにおいては、
基板１に対し円周方向に粒子が飛来し、被着される。こ
のように基板１において、はぼ９０度おきに被着条件が
変化するために、基板１の円周方向において、磁気特性
が不均一になるという問題がある。

そのためテクスチャーと称して、基板ｌの下地層２の成
膜前に、基板ｌの表面に円周方向の微細な傷をつけ、そ
の上に下地層２、磁性膜３を成膜することで、磁気特性
の改善を図ることが行なわれている。なお下地層２の上
にテクスチャー加工することもできる。

このようにテクスチャー処理を行なうことで、磁性膜中
の磁性体の磁化容易軸がテクスチャ一方向に配向され、
形状異方性による磁気特性が増加し、また媒体表面と磁
気ヘッドとの接触面積の減少による潤滑性の向上および
吸着の防止が可能となる。

〔テクスチャー加工方法〕

第１１図はテクスチャー加工装置を示す斜視図である。

１は鏡面仕上げされた基板であり、２００〜３００ｒｐ
園で回転している基板ｌ上に、ノズル８によって研摩剤
や冷却・潤滑剤を供給しながら、研摩テープ９を押しつ
けることで、基板ｌの表面に、円周方向の傷をつける。

このとき、研摩テープ９としては、アルミナ等の硬質粉
末を接着したテープを使用したり、あるいは幾つかの研
摩剤との併用により行なっている。

なお、研摩テープ９は、繰り出しロール１０から繰り出
され、ガイドロール１１、加圧ローラ１２、ガイドロー
ル１３、キャプスタン１４・ピンチローラ１５を経由し
て、巻取りロール１６で巻き取られることで、常時新た
な面が基板１側に供給される。

このようにテクスチャー処理を行なった後、第５図、第
６図の下地層２、磁性膜３、保護膜４を形成する。この
とき、下地層２および磁性膜３の両方の膜厚を合わせて
も、２０００〜３０００人程度と薄いため、磁性膜３は
テクスチャー処理による凹凸に沿った薄い凹凸膜となり
、磁性体の配向が行なわれる。

このような従来のテクスチャー処理装置では、研摩テー
プによる場合も遊離砥粒によるテープ加工の場合も、テ
ープを加工面に加圧するローラー１２は、第１２図のよ
うに硬度４０〜５０度のゴム１７を金属ローラー１８に
ライニングしたものを使用し、研摩テープ９を加工面に
弾圧している。

〔発明が解決しようとする課題〕

このようにテクスチャー加工を行なった後に下地膜２や
磁性膜３をスパッタする際に、従来のスパッタリング装
置では、第１３図に示すように、ターゲットから基板面
に垂直に粒子が飛来して堆積する成分が多いため、テク
スチャー溝１９が次第に埋められていき、テクスチャー
加工の効果が低下していく、これに対し、第１４図に示
すように、テクスチャー溝１９に対し斜め方向からスパ
ッタできれば、テクスチャー溝１９は埋められず、テク
スチャー山にスパッタ粒子が堆積して、テクスチャー山
が高くなるので、極めて有効である。

すなわち、第１０図（ａ）、第１４図に示す如く、基板
１が矢印ａ、で示すように、左向きに移動するものとす
ると、初めは実線矢印ａＲで示すように斜め左側からス
パッタ粒子が飛来して被着し、次に破線矢印ａＬで示す
ように斜め右側からスパッタ粒子が飛来して被着する。

その結果、垂直方向から飛来する粒子よりも斜めから飛
来する粒子が多いために、テクスチャー溝が浅くなるこ
とはなく、斜めスパッタが有効に作用する。

このようにスパッタ粒子を斜めから飛来させるために、
遮蔽板を設けて、斜め方向から飛来する粒子のみが基板
に到達するように、遮蔽板を用いることが試みられてい
る。

ところで、遮蔽板の傾きやスパッタ粒子が通過する開口
の大きさなどを微妙に変更し調節することで、スパッタ
粒子の飛来方向をより緻密に制御できるが、そのために
は、スパッタリング装置を開けて調節するので、真空を
破壊しなければならず、効率的でない。まして、所期の
特性が得られるように、遮蔽板を頻繁に微調節したりす
ることは不可能に近い。

サイズの異なる基板にスパッタする場合も、スパッタリ
ング装置の真空を破壊して、サイズや傾きの異なる遮蔽
板と交換しなければならない、という不便がある。

また、テクスチャー加工後の基板にインライン通過型の
装置でスパッタリングする場合に限らず、スパッタ粒子
の飛来方向を自由に制御したり、大きさや形状の異なる
物体にスパッタする場合は、スパッタリング装置の真空
を破壊することなしに、外部から遮蔽板の傾きや開口を
自由に制御できることが望ましい。

本発明の技術的課題は、このような問題に着目　　　な
お、遮蔽板ｓ１、ｓ２は、直接回動軸Ａｌ、　Ａ２に取
し・３″ツタ室の真空を破壊することなしに、外　　り
付けずに、開閉式とし、回動輪によって開閉す部から遮
蔽板を自由に制御可能とすることにある。　　る構造に
してもよい。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明によるスパッタリング装置の基本原理を
説明する模式平面図である。この図は、スパッタ室の内
部を示したものであり、スパッタ室２１内に、ターゲッ
ト６と基Ｆｉ１が配設されている。ターゲット６と基板
１との間には、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｓ２が配設されてお
り、またターゲット６の中心線Ｃに対し、左右対称とな
るように配置されている。遮蔽板５１．　Ｓ２は、それ
ぞれ回動輪Ａ１、Ａ２に取り付けられている。回動軸Ａ
１、Ａ２は、スパッタ室の外部からスパッタ室２１の内
部に挿通されており、スパッタ室の外部において、回転
操作できるにようになっている。

両回動軸Ａ１、Ａ２は、互いに連動するように、タイミ
ングヘルド２０や歯車機構などで連結されている。

〔作用〕

基板１は、スパッタ粒子によって、スパッタ室の内部に
おいて回転しながら、あるいは回転しないで、ターゲッ
ト６の前で静止したり、または通過する。

そして、ターゲット６から飛来したスパッタ粒子が、基
板ｌに付着し、底膜が行なわれる。

本発明では、回動軸Ａ１、Ａ２の少なくとも片方を、ス
パッタ室の外部で回転操作すると、２枚の遮蔽板Ｓ１．
　Ｓ２が連動し、かつ常にターゲット６の中心線Ｃに対
し対称の状態で回動する。

そのため、少なくとも片方の回動輪ＡｌまたはＡ２を、
スパッタ室の外部で回動操作すると、２枚の遮蔽板Ｓ１
、Ｓ２が、常に対称の状態で、回動する。

その結果、実線で示すように、７字状にあるいは破線で
示すようにハの字状に傾けることができ、さらに鎖線で
示すように基１１に対し垂直に向けることもできる。

ところで、ターゲット６から飛来したスパッタ粒子は、
遮蔽板Ｓ１、Ｓ２の面と平行方向に飛来するものは容易
に基ｖｉ１まで到達できるが、遮蔽板Ｓ１、Ｓ２の面に
対し垂直方向に飛来するスパッタ粒子は、遮蔽板Ｓｌ、
　Ｓ２に遮られて、基ｖｉ１まで到達できない。結局、
遮蔽板５１．　Ｓ２の面に対する飛来角度の大きいスパ
ッタ粒子はど、遮蔽板Ｓ１、Ｓ２で遮られ、遮蔽板Ｓ１
、Ｓ２の面となす飛来角度の小さいスパッタ粒子はど、
基板１側に到達しやすい。

したがって、回動軸Ａ１、Ａ２を外部から操作して、遮
蔽板Ｓｌ、　Ｓ２の角度を対称状態で変えることにより
、基板】に入射して来るスパッタ粒子の角度を自由に選
択できる。つまり、磁気記録媒体において要求される特
性を満たすように、スパッタ粒子の基板１への入射角度
を選択できる。また、磁気記録媒体のサイズに応して、
あるいはインナー側とアウター側との膜厚調整のために
、基１１への入射角度を選択することもできる。

遮蔽板５１．　Ｓ２が、回動式でなく、開閉式の場合は
、少なくとも一つの回動輪を外部から回動操作すること
で、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｓ２を開閉して、ターゲット６
と基板１との間の開口面積を自由に選択できる。その結
果、基板１への入射角度によって、基板１に到達できた
り、遮られたりすることになり、最終的に入射角度の大
きいスパッタ粒子がより大量に到達するか、入射角度の
小さいスパッタ粒子がより大量に到達するかによって、
回動式の遮蔽板Ｓ１、Ｓ２と同じ効果が得られる。

〔実施例〕

次に本発明によるスパッタリング装置が実際上どのよう
に具体化されるかを実施例で説明する。

第２図は本発明のスパッタリング装置が適用されるイン
ライン通過量のスパッタリング装置の平面図である。２
１はスパッタ室であり、その片側に仕込み室２２と加熱
室２３を有し、反対側に取り出し室２４を有している。

スパッタ室２１中は常時排気され、スパッタ雰囲気が維
持されているため、スバッタリングを行なうための基板
をスパッタ室２１に供給するには、仕込み室２２の扉ｄ
１を開けて仕込み室２２に送り込んだ後、該仕込み室２
２を充分排気してから、仕切り壁の扉ｄ２を開けて、加
熱室２３に送り込み、加熱した後、扉ｄ３を開けてスパ
ッタ室２１に送り込む、そしてスパッタ室２１内を移動
して、ターゲット６からスパッタリングが行なわれた後
、出口側の仕切り壁の扉ｄ４を開け、真空状態の取り出
し室２４に移送し、該扉ｄ４を閉じてから、出口の扉ｄ
５を開けて、外部に取り出す。

スパッタ室２１には、基板を保持している支持板７の通
路の両側に、Ｃｒターゲット６ａＳＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒタ
ーゲッ）６ｂ、　Ｃターゲラｔ−６ｃの順に配設されて
いる。そのため、支持板７が矢印方向に進行していく間
に、両側のターゲットから、Ｃｒ、　Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
、Ｃの順にスパッタリングされ、Ｃｒ下地膜、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ磁性膜、Ｃ保護膜の順に底膜される。

Ｓｌ、Ｇ２が本発明による遮蔽板であり、外部から回動
軸を回動操作することによって、角度や開口面積を自由
に変えることができる。

第３図は遮蔽板を有する遮蔽機構の第一実施例であり、
（ａ）は遮蔽板を閉じた状態、（ｂ）は遮蔽板を斜めに
した状態、（Ｃ）は２枚の遮蔽板の連動機構である。

２５は基板の通路であり、基板を保持した支持板７が通
過する。基板通路２５とターゲット６との間には、ター
ゲット６の中心線Ｃに対し、左右対称の位置に、垂直軸
Ａ１、Ａ２が配設され、スパッタ室の外から回動操作で
きるように、少なくとも片方の垂直軸が、スパッタ室の
外に突出している。

垂直軸Ａ１、Ａ２には、長方形の遮蔽板Ｓ１、Ｇ２が取
り付は固定されている。また垂直軸Ａ１、Ａ２には、ス
パッタ室の外部（スパッタ室内でも可）において、歯車
Ｇ１、Ｇ２が取り付けられており、かつ互いに噛み合っ
ている。そのため、片方の垂直軸Ａ１またはＡ２が回転
すると、他方の垂直軸は逆向きに回動する。

なお、遮蔽板Ｓ１、Ｇ２の外側には、ターゲット６を囲
むように、カバー２６．２６を設け、ターゲットからス
パッタされた粒子が基板ｌ以外に向けて飛散するのを防
止している。ｅはターゲット６におけるエロージゴン領
域である。

（ａ）に示すように、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｇ２は、片方
の遮蔽板Ｓ１が基板通路２５と平行になっている場合は
、他方の遮蔽板Ｓ２も、基板通路２５と平行となるよう
に配設されている。そのため、スパッタ室の外部から垂
直軸＾ｌまたはＡ２が回動操作されると、２枚の遮蔽板
Ｓ１、Ｇ２は、互いに逆向きに回動する。

したがって、（ａ）の状態において、左側の回動輪ＡＩ
を時計方向に回動させると、左側の遮蔽板Ｓ１が同じ向
きに回動して、（ｂ）図のように傾く。しかも、左側の
回動輪ＡＩが時計方向に回動すると、右側の回動軸Ａ２
は反時計方向に回動するため、右側の遮蔽板Ｓ２は、反
時計方向に回動し、中）図のように逆向きに傾く。その
結果、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｇ２がＶ字状に開いた状態と
なる。

回動軸Ａｌ、　Ａ２をさらに回動させると、第１図にお
ける鎖線で示すように基板通路に対し垂直状態となり、
さらに回動させると、破線で示すように、ハの字状にな
る。すなわち、常にターゲット６の中心線Ｃに対し対称
の状態で、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｇ２が回動し、基板通路
に対する傾きを自由に変えることができる。

いま、回動軸ＡＩ、　Ａ２を外部から回動操作すること
で、（ａ）図に示すように、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｇ２が
、基板通路に対し平行状態に設定されている場合は、遮
蔽板Ｓ１、Ｇ２によって、ターゲット６と基板通路との
間の開口が最も狭くなり、ターゲット６の中央部のみが
開口した状態となる。そのため、スパッタされた粒子は
、ターゲット６からあらゆる方向に飛散するにも係わら
ず、矢印ａ２で示すように、基板通路に対し垂直方向に
飛来した粒子のみが基板に到達し、被着される。矢印ａ
３で示すように、斜めから飛来する粒子も無いわけでは
ないが、開口がＤｌで示すように狭いため、矢印ａ２と
なす角度θが小さく、基板に対し垂直方向に近い粒子の
みが飛来し被着される。

これに対し、第１図に破線で示すように、ハの字状に傾
けると、矢印ａ３で示すように斜め方向から飛来する粒
子が遮られるため、斜め成分の粒子はさらに少なくなる
。

（ｂ）図のように、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｓ２がＶ字状に
開くようにすると、遮蔽板Ｓｌ、　Ｓ２と平行方向に飛
来する粒子が基板に到達し易くなる。遮蔽板Ｓ１、Ｓ２
に対し角度をなして飛来する粒子は、該遮蔽板ＳＬ、　
Ｓ２に遮られ、基板に到達できない。そのため、遮蔽板
５１．　Ｓ２と平行方向の粒子がより大量に基板に飛来
し被着されるので、斜めスパッタが可能となる。斜めス
パッタの角度を変えたい場合は、スパッタ室の外から回
動輪Ａ１またはＡ２を操作し、遮蔽板Ｓｌ、　Ｓ２の傾
き角度を変えるだけでよい。

なお、遮蔽板Ｓ１と３２との連動機構は、歯車に限定さ
れず、例えば第１図に示すようにベルトをたすきがけに
したもの等でもよい。

第４図は本発明の別の実施例を示す平面図と背面図であ
る。この実施例では、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｓ２は、第３
図の（ａ）のように、基板通路に対し平行状態となって
いる。そして、回動動作するのでなく、開閉動作する。

すなわち、スパッタ室２１中において、ターゲット６と
基板通路２５との間に、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｓ２が配設
され、かつ基板通路に対し平行状態になっている。遮蔽
板Ｓ１、Ｓ２の下端には、互いに対向状態のラック２８
．２９を有し、両ラック２８．２９にピニオン３０が噛
み合っている。ピニオン３０の軸Ａは、スパッタ室の外
部に突出し、外部で回動操作できるようになっている。

２７．２７はカバーである。

いま（ａ）図のように、回動軸Ａを時計方向に回動操作
すると、ピニオン３０の時計方向回動によって、ラック
２８．２９が逆向きに平行移動し、２枚の遮蔽板Ｓ１、
Ｓ２が互いに接近して、開口りが狭くなる。

そのため、第３図の（萄と同様な状態となり、基板通路
に対し垂直方向の成分がより大量に蟇仮に到達し被着さ
れる。

これに対し、い）図のうように、回動軸Ａを反時計方向
に回動操作して、ピニオン３０を反時計方向に回動させ
ると、遮蔽板５ＩＳＳ２が開いして開口りが広くなる。

その結果、平面図に示すように、斜め方向から飛来する
成分が基板に到達し被着する。

結局、遮蔽板ＳＬ、　Ｓ２を開いて、開口りを大きくす
るほど、基板通路に対し垂直方向（矢印ａ２方向）とな
す角度θが大きくなるため、基板との傾斜角度αが小さ
くなり、斜めスパッタの効果がより大きくなる。

この開閉型のスパッタリング装置を、第２図のインライ
ン通過型の装置において、基板通路の両側に配設した場
合の斜めスパッタの効果を説明する。

第２図の仕込み室２２、加熱室２３、スパッタ室２１を
、支持板７に支持された基板が通過する間に、該基板が
２５０°Ｃに加熱され、Ｃｒターゲット、Ｃｏ−Ｎｉ−
ＣｒターゲットおよびＣターゲットの前を通過すること
で、基板の両面にＣｒからなる下地膜１５００人、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒからなる磁性膜６００人およびＣからなる
保護膜３５０人が底膜された。

表、１は、前記のＣｒを１５００人スパッタした際の結
果である。なお基板は、予めテクスチャー処理が行なわ
れた５インチＮ１−Ｐ基板を用い、Ｃｒターゲットのエ
ロージョンの大きさ：　３６０ｍ＋ｗ×１２０ｍｍ１ 支持板の搬送速度：　　２２０ｍ５／＋ｗｉｎ、ガス圧
：　５ｍＴｏｒｒ　％で行なった。

表、１ 表、１から明らかなように、遮蔽板Ｓｌ、　５２間の開
口が１４Ｏｎ＋ｍの場合より、２００−一に広げた場合
の方が、周方向の保磁力を１０００ｅ向上させることが
でき、角形比も改善された。

これは、開口を広げることで、斜めスパッタの効果によ
りＣｒ粒子がテクスチャー溝に添って成長し、その上に
磁性膜であるＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒがスパッタされるために
、周方向の磁気特性が向上したことによる。また、開口
が拡がることで、スパッタレー）・が約２割向上した。

なお、遮蔽ｖｉ、ｓ１、Ｓ２を同時に開閉動作させるた
めの連動機構は、ランク、ビニオン以外の機構を用いて
もよい。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、２枚の遮蔽板Ｓ１、Ｓ２
が、ターゲット６の中心線Ｃに対し対称となるように配
設されており、しかもスパッタ室の外部に突出した回動
輪を外部で回動操作することで２枚の遮蔽板Ｓｌ、　Ｓ
２が同期して開閉あるいは回動する。そのため、ターゲ
ット６と基板通路との間の開口の大きさや、遮蔽板Ｓｌ
、　Ｓ２の傾きを、スパッタ室の外部から容易に変更す
ることができ、斜めスパッタを行なう場合の、スパッタ
粒子の被着角度を外部から容易にかつきめ細かく制御で
き、磁気特性にすぐれた磁気記録媒体を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるスパッタリング装置の基本原理を
説明する平面図、 第２図は本発明のスパッタリング装置に適しているイン
ライン通過型のスパッタリング装置を例示する平面図、 第３図は本発明の第一実施例（回動式）を示す図、 第４図は本発明の第二実施例（開閉式）を示す平面図と
背面図、 第５図は薄膜型磁気記録媒体の全容を示す断面図、 第６図は薄膜型磁気記録媒体の層構成を示す断面図、 第７図〜第９図は薄膜型磁気記録媒体の各種スパッタリ
ング方法を示す斜視図、 第１０図はインライン通過型のスパッタリング方法にお
ける被着模様を示す図、 第１１図は磁気記録媒体用基板のテクスチャー加工装置
を示す斜視図、 第１２図は加圧ローラの断面図、 第１３図は垂直スパッタ方法の作用を説明する図、第１
４図は斜めスパッタ粒子の作用を説明する図、である。 図において、１は非磁性の基板、６．６１．６２はター
ゲット、ｅはエロージゴン領域、７は支持板、１９はテ
クスチャー溝、Ａ１、Ａ２は回動軸、Ｓｌ、Ｓ２は遮蔽
板、２０は連動機構、２１はスパッタ室、２５は基板通
路、をそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 スパッタ室中に、ターゲットおよび基板を内蔵し、基板
   にスパッタリングを行なう装置であって、ターゲット（
   ６）と基板（１）との間に、２枚の遮蔽板（Ｓ１）（Ｓ
   ２）を配設し、 しかもそれぞれの遮蔽板（Ｓ１）（Ｓ２）を、ターゲッ
   ト（６）の中心線（Ｃ）に対し対称に配設し、両遮蔽板
   （Ｓ１）（Ｓ２）が、スパッタ室（２１）内に外部から
   挿通された回転軸の回動によって、開閉ないし回動する
   ように連動機構を介して連結されており、 前記回転軸が、スパッタ室（２１）の外部において回転
   操作できるようになっていること、 を特徴とするスパッタリング装置。