TW201350599A - 濺鍍機及其磁鐵的控制方法 - Google Patents

Abstract

一種濺鍍機及其磁鐵的控制方法，此濺鍍機包括一腔室、一靶材載板、一遮罩、一磁鐵、一驅動機構及一程式化控制器。腔室具有一腔室開口。靶材載板位於腔室內。遮罩覆蓋腔室開口，遮罩具有一小於腔室開口且曝露靶材載板的遮罩開口。磁鐵位於腔室內。驅動機構連接磁鐵，以驅動磁鐵於靶材載板上移動。程式化控制器連接於驅動機構，以驅動磁鐵沿一具有兩第一端點的第一路徑及一具有兩第二端點的第二路徑移動，第一路徑與第二路徑均跨越遮罩開口，兩第二端點皆介於兩第一端點間。磁鐵於兩第一端點所佔空間不重疊於磁鐵於兩第二端點所佔空間。

Description

濺鍍機及其磁鐵的控制方法

本發明係關於一種金屬薄膜之沉積設備，尤其是一種濺鍍機及其磁鐵的控制方法。

在液晶顯示面板、電漿顯示面板或是半導體的微型電路的製程中，為了製作出各形狀的金屬線或是金屬接點，製造者需要將金屬薄膜形成於基板上。一般來說，將金屬薄膜形成於基板上的方法可分為物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，簡稱PVD)方法以及化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD)方法。其中，PVD法主要可分為濺鍍(Sputtering)法、電阻加熱蒸鍍法以及電子鎗加熱蒸鍍法。所謂的濺鍍法，係指於一真空系統中，通入惰性氣體(如氬氣，Argon，簡稱Ar)於一濺鍍機的一腔室內。濺鍍機利用磁場或電場產生電漿，電漿游離氬氣中的離子，以使離子轟擊一靶材。當靶材被離子轟擊後，靶材表面(正面)的靶材原子脫離濺出並且飛向基板(被濺鍍物)。最後，飛向基板的靶材原子會附著於基板的表面，以在基板的表面上堆積而形成一層金屬薄膜。

一般來說，濺鍍機由一腔室、一承載盤、一靶材載板、一遮罩以及一磁鐵所構成。承載盤用以承載一基板，同時承載板連接一正電極。腔室對應於承載盤，遮罩以及靶材載板設於腔室內。一負電極則連接載有一靶材的靶材載板。磁鐵設置於靶材載板 上。磁鐵以及靶材分別設於靶材載板的相對兩表面。磁鐵適於產生磁場線。磁鐵沿著一固定路徑移動，其中此固定路徑為一直線。另外，固定路徑具有一中點以及兩端點。於習知技術中，當磁鐵於固定路徑的兩端點間往返移動時，磁鐵於對稱於中繼點的位置上的速度皆相同。在進行濺鍍的過程中，磁鐵所產生的磁場線用以對靶材表面附近的電漿內的電子產生作用力，使電子以螺旋的方式進行移動。如此，相較於不具有磁鐵的濺鍍機，具有磁鐵的濺鍍機可提高電子移動時碰撞氬氣的次數。當電子碰撞氬氣的次數越多時，氬氣的離子數目亦會增加。當氬氣的離子數目增加時，將會有更多的靶材原子被離子轟擊而脫離，而使得更多的靶材原子附著於基板的表面。由上述可得知，藉由磁鐵的磁場線作用，相較於不具有磁鐵的濺鍍機，具有磁鐵的濺鍍機可提升濺鍍機的濺鍍(形成金屬薄膜)速率。

惟，於習知技術中，當磁鐵沿著固定路徑於靶材載板上移動時，因為磁鐵於兩端點的停留時間較長，容易導致相對於固定路徑兩端點的靶材產生過多的脫離。當靶材相對於兩端點之處產生過多的脫離時，靶材即無法繼續使用，製造者必須更換另一新的靶材以繼續進行濺鍍。從另外一個角度來看，當靶材相對於兩端點之處產生過多的脫離時，即表示靶材相對於固定路徑的中點附近之處仍具有足夠的材料以進行濺鍍。如此一來，雖然靶材相對於中點附近仍具有可利用的材料，但靶材卻無法繼續使用而需更換另一新的靶材。是故，習知技術的磁鐵的控制方法將造成靶材 的浪費，進而產生增加液晶顯示面板的生產成本的問題。

有鑒於上述問題，本發明提供一種濺鍍機及其磁鐵的控制方法，其中濺鍍機的磁鐵具有兩位於同一直線的移動路徑，藉以解決習知技術的濺鍍過程中，靶材的邊緣會產生過多的脫離，進而造成生產成本增加的問題。

本發明的一實施例揭露一濺鍍機，其包括一腔室、一靶材載板、一遮罩、一磁鐵、一驅動機構以及一程式化控制器。腔室具有一腔室開口。靶材載板位於腔室內。遮罩覆蓋腔室開口，遮罩具有一遮罩開口，遮罩開口小於腔室開口，並且遮罩開口曝露靶材載板。磁鐵位於腔室內，並且靶材載板介於遮罩與磁鐵之間。驅動機構連接於磁鐵，用以驅動磁鐵於靶材載板上移動。程式化控制器連接於驅動機構，用以經由驅動機構驅動磁鐵沿一第一路徑以及一第二路徑移動，第一路徑具有兩第一端點，第二路徑具有兩第二端點，第一路徑與第二路徑均跨越遮罩開口，第二路徑的兩第二端點介於第一路徑的兩第一端點之間，並且磁鐵於兩第一端點所佔據的空間不重疊於磁鐵於兩第二端點所佔據的空間。

在本發明的另一實施例揭露一磁鐵的控制方法，用以在一濺鍍過程中控制一靶材之消耗，此磁鐵的控制方法的步驟包括將靶材配置於一磁鐵與一遮罩之間，遮罩與一直流電源的正極連接，並且遮罩包括一遮罩開口。使磁鐵於一第一路徑的兩第一端點之間往返，以使部分的靶材自靶材表面脫離，而形成對應於兩第一 端點的兩第一凹陷，其中第一路徑跨越遮罩開口。當任一兩第一凹陷的深度大於一臨界值時，使磁鐵於一第二路徑的兩第二端點之間往返並且第二路徑不經過兩第一端點，以使部分的靶材自靶材表面脫離，而形成對應於兩第二端點的兩第二凹陷，其中第二路徑跨越遮罩開口，兩第二端點介於兩第一端點之間，以使兩第一凹陷與兩第二凹陷彼此間隔一大於零的距離。

基於上述的實施例，由於濺鍍機的磁鐵沿第一路徑以及第二路徑相對於靶材移動，其中第二路徑的兩第二端點介於第一路徑的兩第一端點之間，且磁鐵於兩第一端點所佔據的空間不重疊於磁鐵於兩第二端點所佔據的空間。是以，相較於習知技術而言，當濺鍍機進行濺鍍時，濺鍍機可有效利用靶材，以使靶材均勻地脫離，進而使靶材原子形成至基板上，同時可避免靶材的浪費，進而解決生產成本增加的問題。

以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本 發明之範疇。

根據本發明的實施例揭露一種濺鍍機，濺鍍機適於承載一基板，濺鍍機用對基板進行濺鍍製程，以使一靶材脫離，而使靶材形成至基板上。

請參照第1圖，第1圖係為本發明之一實施例的濺鍍機的剖面示意圖。在本實施例中，濺鍍機100包括一腔室110、一遮罩120、一靶材載板130、一磁鐵140、一驅動機構150以及一程式化控制器160。

腔室110具有一腔室開口112。靶材載板130適於承載一靶材(未繪示)。另外，靶材載板130對應於腔室開口112。靶材載板130內例如設有一冷卻水路132，冷卻水路132用以冷卻靶材。磁鐵140位於腔室110內且設置於靶材載板130上。另外，靶材載板130介於遮罩120與磁鐵140之間。

在本實施例中，靶材載板130的材質係為銅，但非用以限定本發明。

遮罩120覆蓋腔室開口112。遮罩120包括一板體125以及一環型牆體126。板體125具有一內壁面128，內壁面128面對靶材載板130。環型牆體126位於板體125上。此外，遮罩120具有一遮罩開口122，遮罩開口122自內壁面128貫穿遮罩120的板體125，以使遮罩開口122曝露靶材載板130。環型牆體126環繞遮罩開口122，遮罩開口122小於腔室開口112，遮罩開口122包括彼此相對的兩側緣123、124。

驅動機構150連接於磁鐵140。驅動機構150用以驅動磁鐵140於靶材載板130上移動。於本實施例以及本發明之部分的其他實施例中，驅動機構150設於腔室110內，且驅動機構150包括一滑軌152、一傳動件154以及一致動器156。滑軌152設於靶材載板130上，而磁鐵140以可滑動的方式配置於滑軌152上，傳動件154連接於磁鐵140。致動器156連接於傳動件154以及程式化控制器160，致動器156用以受程式化控制器160的控制而經由傳動件154驅動磁鐵140沿著滑軌152往返移動。

程式化控制器160連接於驅動機構150的致動器156。於本實施例以及本發明之部分的其他實施例中，程式化控制器160設於腔室110內。程式化控制器160用以經由傳動件154以及致動器156來驅動磁鐵140沿著滑軌152移動。

在本實施例以及本發明之部分的其他實施例中，濺鍍機100更包括一承載盤180(Susceptor)，承載盤180用以承載一基板(未繪示)，同時基板對應於遮罩120的遮罩開口122。承載盤180包括一碳板181、一加熱器182以及一冷卻水路184。加熱器182用以對基板加熱。碳板181係為一絕緣體，且碳板181主要用以吸收加熱器182運作時的熱能並進行散熱。冷卻水路184設於加熱器182下方，冷卻水路184用以冷卻加熱器182。

當濺鍍機100運作時，濺鍍機100連接一直流電源。直流電源的一負極連接於靶材載板130，且直流電源的一正極連接遮罩120。藉由上述的電源連接方式，一電場可以形成於濺鍍機100內。

於一實施例中，濺鍍機100更包括一環型擋牆170，環型擋牆170設於靶材載板130的邊緣，同時環型擋牆170圍繞環型牆體126。環型擋牆170用以預防濺鍍機100進行濺鍍時靶材的回鍍。另外，環型擋牆170係為接地。

以下介紹磁鐵140的移動路徑。滑軌152定義出一第一路徑310以及一第二路徑320，磁鐵140可沿第一路徑310以及第二路徑320移動。第一路徑310具有兩第一端點312、314以及一中點350。第一端點312對應於側緣123，而第一端點314對應於側緣124。第二路徑320由側緣123朝向側緣124延伸，第二路徑320具有兩第二端點322、324。第二端點322對應於側緣123，而第二端點324對應於側緣124。第一路徑310與第二路徑320均跨越遮罩開口122。在本實施例中，第二路徑320重疊於第一路徑310，同時第一路徑310以及第二路徑320皆為直線。

再者，第二路徑320的兩第二端點322、324介於第一路徑310的兩第一端點312、314之間。同時，磁鐵140於兩第一端點312、314時所佔據的空間不重疊於磁鐵140於兩第二端點322、324所佔據的空間。磁鐵140於平行於第一路徑310的方向上的寬度小於兩個相鄰的第一端點312與第二端點322之距離。於另一側，磁鐵140於平行於第一路徑310的方向上的寬度小於兩個相鄰的第一端點314與第二端點324之距離(如第5圖所示，第5圖係為第1圖之5-5剖切線的示意圖)。

以下介紹濺鍍機100的磁鐵140的控制方法的流程圖。請同 時參照第2圖以及第3圖，第2圖係為本發明之一實施例的磁鐵的控制方法的流程圖，第3圖係為第1圖之濺鍍機的磁鐵於濺鍍的過程中沿第一路徑的移動示意圖。

首先，將一靶材200配置於磁鐵140與遮罩120之間(S110)。首先，一銦膠240塗佈於靶材載板上，一靶材200配置於銦膠240上。靶材200的靶材表面230對應於腔室開口112。同時，將一基板400配置於一承載盤180上。此外，更將直流電源的正極連接於遮罩120，並且將直流電源的負極連接於靶材載板130。

在本實施例中，靶材200的材質可為鋁(Aluminum，簡稱Al)、鋁合金(Aluminum alloy)、銅(Copper，簡稱Cu)、金(Gold，簡稱Au)、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，簡稱ITO)或鉬(Molybdenum，簡稱MO)。基板400的材質係為玻璃。但上述的材質皆非用以限定本發明。

接著，使磁鐵140於第一路徑310的兩第一端點312、314之間往返，以使部分的靶材200自靶材表面230脫離(S130)，而形成對應於兩第一端點312、314的兩第一凹陷210、212。其中第一路徑310跨越遮罩開口122。也就是說，即濺鍍機110開始對基板400進行濺鍍時，程式化控制器160驅動磁鐵140於滑軌152上移動。磁鐵140利於促使靶材200自靶材表面230脫離。由於磁鐵140於第一路徑310上往返移動時，磁鐵140停留於兩第一端點312、314的時間較長，而容易使對應於兩第一端點312、314的靶材200脫離。所以，當靶材200的靶材表面230上的原子進行脫 離時，於對應於第一端點312、314的靶材200上分別產生兩第一凹陷210、212。

請同時參照第3圖以及第4圖，第4圖係為第1圖之濺鍍機的磁鐵於濺鍍過程中沿第二路徑的移動示意圖。然後，當任一兩第一凹陷210、212的深度大於一臨界值D1時，使磁鐵140於一第二路徑320的兩第二端點322、324之間往返並且第二路徑320不經過兩第一端點312、314，以使部分的靶材200自靶材表面230脫離(S150)，而形成對應於兩第二端點322、324的兩第二凹陷220、222(如第4圖所示)。第二路徑320跨越遮罩開口122。此時，因為靶材200的兩第一凹陷210、212的深度大於臨界值D1，即兩第一凹陷210、212接近至靶材載板130時，程式化控制器160調整磁鐵140改為於第二路徑320的兩第二端點322、324之間往返。如此，磁鐵140不再經過相對於靶材200的第一凹陷210、212處，是故，兩第一凹陷210、212的深度不會再加深。

在本實施例以及本發明之部分的其他實施例中，當磁鐵140位於第二端點322時，磁鐵140於內壁面128的一正交投影覆蓋側緣123，磁鐵140位於第二端點324時，磁鐵於內壁面128的另一正交投影覆蓋側緣124。兩第二端點322、324介於兩第一端點312、314之間，以使兩第一凹陷210、212與兩第二凹陷220、222彼此間隔一大於零的距離D2(磁鐵140的移動方式如第5圖所示，第5圖係為第1圖之5-5剖切線的示意圖，第一投影區510、512分別為磁鐵140位在第一端點310、第一端點312時於內壁面 128的正交投影，第二投影區520、522分別為磁鐵140位在第二端點320、第二端點322時於內壁面128的正交投影)。

在本發明中，正交投影係定義為投影線垂直於投影面的投影。也就是說，在本實施例以及部分的其他實施例中，當磁鐵140位於第二端點322時，磁鐵140的一垂直內壁面128的投影面會覆蓋側緣123；磁鐵140位於第二端點324時，磁鐵140的一垂直內壁面128的投影面會覆蓋側緣124。意即磁鐵140於第二路徑320進行往返移動時，磁鐵140覆蓋遮罩開口122。

於習知技術中，習知技術的磁鐵僅可對稱於中點以進行同速度的移動。在本實施例中，相較於習知技術，磁鐵140的移動速度可根據實際需求於同一路徑上的不同區間內進行不同速度的變化。以下將介紹磁鐵140於滑軌152上的移動速度區間。請同時參照第6圖以及第7圖，第6圖係為第1圖之濺鍍機的滑軌以及磁鐵的示意圖。第7圖係為第6圖的磁鐵的行進距離與速度的座標圖。第一路徑310具有一對中繼點340、342，中繼點340、342的位置對稱於第一路徑310的中點350，且磁鐵140經過上述的中繼點340、342的速度不相同。舉例來說，在本實施例中，第一路徑310的總長度為570公厘(millimetter，mm)，中繼點340位於中點350以及第一端點312的中端，中繼點342位於中點350以及第一端點314的中端。磁鐵140自第一路徑310的第一端點312至第一端點314進行移動。由第7圖可得知，當磁鐵140位於中繼點340時，磁鐵140的速度為490(公厘/秒，mm/s)；當磁鐵 140位於中繼點342時，磁鐵140的速度為430(mm/s)。換句話說，即本實施例的磁鐵140的移動速度並不對稱於中點350。如此一來，本實施例的濺鍍機100更能有效調整靶材200各部分的厚度，以利於濺鍍時靶材200的充分利用以及靶材200的原子的均勻脫離。

第1圖的實施例非用以限制磁鐵140的尺寸與寬度以及第一路徑310與第二路徑320之間的距離。為了更有效利用靶材200，磁鐵140更可具有彼此相互重疊的三條以上的移動路徑。請同時參照第8圖以及第9圖，第8圖係為本發明之另一實施例的濺鍍機的剖面示意圖，第9圖係為第8圖之9-9剖切線的示意圖。其中相同的標號代表著與前述實施例相同或是類似的元件。在本實施例中，除了原先的第一路徑310以及第二路徑320外，磁鐵140於滑軌152上更具有一第三路徑330，且第三路徑330具有兩第三端點332、334。第三端點332介於第一端點312以及第二端點322之間，第三端點334介於第一端點314以及第二端點324之間。同時，磁鐵140於平行於第一路徑310的方向上的寬度小於相鄰的第一端點312與第二端點332之距離的一半。另一側，磁鐵140於平行於第一路徑310的方向上的寬度小於相鄰的第一端點314與第二端點324之距離的一半(如第9圖所示，第一投影區510、512分別為磁鐵140位在第一端點310、第一端點312時於遮罩120的內壁面128的正交投影，第二投影區520、522分別為磁鐵140位在第二端點320、第二端點322時於內壁面128的正交投影，第 三投影區530、532分別為磁鐵140位在第三端點330、第三端點332時於內壁面128的正交投影)。是故，在本實施例以及部分的其他實施例中，磁鐵140更可具有介於第一路徑310以及第二路徑320之間的第三路徑330，且第三端點332、334所佔據的空間不重疊於磁鐵140於兩第一端點312、314或兩第二端點322、324所佔據的空間。如此一來，當磁鐵140的寬度越小時，磁鐵140即可具有更多跨越遮罩開口122的複數個移動路徑。因此，當磁鐵140具有三種以上彼此重疊的移動路徑時，更可有效利用靶材200以對基板400進行濺鍍。

基於上述的實施例，由於濺鍍機的磁鐵具有兩種以上不同長度的移動路徑，因此當濺鍍機進行濺鍍，而靶材的兩端點產生過深的凹陷時，濺鍍機自動調整磁鐵的移動路徑，使第二移動路徑不重疊於已產生過深的凹陷的第一動路徑的兩端點，以避免靶材的兩端點產生過多的脫離，進而損壞濺鍍機的靶材載板。是以，相較於習知技術而言，本實施例所揭露的濺鍍機及其磁鐵的控制方法，能有效控制靶材的脫離，進而可重複使用原本應被更換的靶材。同時，藉由可自由調整磁鐵的移動速度，更能調整靶材各部分的厚度，達到充分利用靶材的效果。如此一來，採用上述實施例之濺鍍機的液晶顯示面板製程，避免了靶材的浪費，以達到降低生產成本的功效。

雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍 內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧濺鍍機

110‧‧‧腔室

112‧‧‧腔室開口

120‧‧‧遮罩

122‧‧‧遮罩開口

123、124‧‧‧側緣

125‧‧‧板體

126‧‧‧環型牆體

128‧‧‧內壁面

130‧‧‧靶材載板

132‧‧‧冷卻水路

140‧‧‧磁鐵

150‧‧‧驅動機構

152‧‧‧滑軌

154‧‧‧傳動件

156‧‧‧致動器

160‧‧‧程式化控制器

170‧‧‧環型擋牆

180‧‧‧承載盤

181‧‧‧碳板

182‧‧‧加熱器

184‧‧‧冷卻水路

200‧‧‧靶材

210、212‧‧‧第一凹陷

220、222‧‧‧第二凹陷

230‧‧‧靶材表面

240‧‧‧銦膠

310‧‧‧第一路徑

312、314‧‧‧第一端點

320‧‧‧第二路徑

322、324‧‧‧第二端點

330‧‧‧第三路徑

332、334‧‧‧第三端點

340、342‧‧‧中繼點

350‧‧‧中點

400‧‧‧基板

510、512‧‧‧第一投影區

520、522‧‧‧第二投影區

530、532‧‧‧第三投影區

D1‧‧‧臨界值

D2‧‧‧距離

第1圖係為本發明之一實施例的濺鍍機的剖面示意圖。

第2圖係為本發明之一實施例的磁鐵的控制方法的流程圖。

第3圖係為第1圖之濺鍍機的磁鐵於濺鍍的過程中沿第一路徑的移動示意圖。

第4圖係為第1圖之濺鍍機的磁鐵於濺鍍的過程中沿第二路徑的移動示意圖。

第5圖係為第1圖之5-5剖切線的示意圖。

第6圖係為第1圖之濺鍍機的滑軌以及磁鐵的示意圖。

第7圖係為第6圖的磁鐵的行進距離與速度的座標圖。

第8圖係為本發明之另一實施例的濺鍍機的剖面示意圖。

第9圖係為第8圖之9-9剖切線的示意圖。

100‧‧‧濺鍍機

110‧‧‧腔室

112‧‧‧腔室開口

120‧‧‧遮罩

122‧‧‧遮罩開口

123、124‧‧‧側緣

125‧‧‧板體

126‧‧‧環型牆體

128‧‧‧內壁面

130‧‧‧靶材載板

132‧‧‧冷卻水路

140‧‧‧磁鐵

150‧‧‧驅動機構

152‧‧‧滑軌

154‧‧‧傳動件

156‧‧‧致動器

160‧‧‧程式化控制器

170‧‧‧環型擋牆

180‧‧‧承載盤

181‧‧‧碳板

182‧‧‧加熱器

184‧‧‧冷卻水路

310‧‧‧第一路徑

312、314‧‧‧第一端點

320‧‧‧第二路徑

322、324‧‧‧第二端點

350‧‧‧中點

Claims (10)

1. 一種濺鍍機，其包括：一腔室，具有一腔室開口；一靶材載板，位於該腔室內；一遮罩，覆蓋該腔室開口，該遮罩具有一遮罩開口，該遮罩開口小於該腔室開口，並且該遮罩開口曝露該靶材載板；一磁鐵，位於該腔室內，並且該靶材載板介於該遮罩與該磁鐵之間；一驅動機構，連接於該磁鐵，用以驅動該磁鐵於該靶材載板上移動；以及一程式化控制器，連接於該驅動機構，用以經由該驅動機構驅動該磁鐵沿一第一路徑以及一第二路徑移動，該第一路徑具有兩第一端點，該第二路徑具有兩第二端點，該第一路徑與該第二路徑均跨越該遮罩開口，該第二路徑的該兩第二端點介於該第一路徑的該兩第一端點之間，並且該磁鐵於該兩第一端點所佔據的空間不重疊於該磁鐵於該兩第二端點所佔據的空間。
2. 如請求項1所述之濺鍍機，其中該遮罩開口包括彼此相對的兩側緣，該第二路徑由一該側緣朝向另一該側緣延伸，該遮罩開口自該遮罩之一內壁面貫穿該遮罩，該磁鐵位於一該第二端點時，該磁鐵於該內壁面的一正交投影覆蓋一該側緣， 該磁鐵位於另一該第二端點時，該磁鐵於該內壁面的另一正交投影覆蓋另一該側緣。
3. 如請求項1所述之濺鍍機，其中該驅動機構包括：一滑軌，該磁鐵以可滑動的方式配置於該滑軌上，該滑軌定義出該第一路徑以及該第二路徑，其中該第二路徑重疊於該第一路徑；一傳動件，連接於該磁鐵；以及一致動器，連接於該傳動件以及該程式化控制器，用以受該程式化控制器的控制而經由該傳動件驅動該磁鐵沿著該滑軌滑動。
4. 如請求項1所述之濺鍍機，更包括一直流電源，該直流電源包括一正極以及一負極，該遮罩連接於該正極，該靶材載板連接於該負極。
5. 如請求項1所述之濺鍍機，更包括一接地的環型擋牆，該遮罩包括一板體以及一環型牆體，該遮罩開口貫穿該板體，該環型牆體位於該板體上並且環繞該遮罩開口，該環型擋牆圍繞該環型牆體。
6. 如請求項1所述之濺鍍機，其中該磁鐵於平行於該第一路徑的方向上的寬度小於兩個相鄰的該第一端點與該第二端點之距離。
7. 如請求項1所述之濺鍍機，其中該磁鐵於平行於該第一路徑的方向上的寬度小於兩個相鄰的該第一端點與該第二端點之距 離的一半。
8. 一種磁鐵的控制方法，用以在一濺鍍過程中控制一靶材之消耗，其步驟包括：將該靶材配置於一磁鐵與一遮罩之間，該遮罩與一直流電源的一正極連接，並且該遮罩包括一遮罩開口；使該磁鐵於一第一路徑的兩第一端點之間往返，以使部分的該靶材自該靶材表面脫離，而形成對應於該兩第一端點的兩第一凹陷，其中該第一路徑跨越該遮罩開口；以及當任一該兩第一凹陷的深度大於一臨界值時，使該磁鐵於一第二路徑的兩第二端點之間往返並且該第二路徑不經過該兩第一端點，以使部分的該靶材自該靶材表面脫離，而形成對應於該兩第二端點的兩第二凹陷，其中該第二路徑跨越該遮罩開口，該兩第二端點介於該兩第一端點之間，以使該兩第一凹陷與該兩第二凹陷彼此間隔一大於零的距離。
9. 如請求項8所述之磁鐵的控制方法，其中該遮罩開口包括彼此相對的兩側緣，該第二路徑由一該側緣朝向另一該側緣延伸，該遮罩開口自該遮罩之一內壁面貫穿該遮罩，該磁鐵位於一該第二端點時，該磁鐵於該內壁面的一正交投影覆蓋一該側緣，該磁鐵位於另一該第二端點時，該磁鐵於該內壁面的另一正交投影覆蓋另一該側緣。
10. 如請求項8所述之磁鐵的控制方法，其中該第一路徑具有至少一對中繼點，該對中繼點的位置對稱於該第一路徑的一中點，該磁鐵經過該對中繼點的速度不相同。