TW201425008A - 切割片用基材膜及切割片 - Google Patents

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Masashi Ueda
Masaharu Ito
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Abstract

為具有樹脂層(A)的切割片用基材膜2,樹脂層(A)包含含有來自降冰片烯系化合物之構造單位的熱塑性樹脂的降冰片烯系樹脂(a1)、苯乙烯系彈性體(a2)以及降冰片烯系樹脂(a1)以外且苯乙烯系彈性體(a2)以外的烯烴系熱塑性樹脂(a3)。上述切割片用基材膜2,不需要賦予電子線或γ線等的物理性能量,而抑製被切斷物切割時所產生的切割屑,特別是抑製絲狀切割屑的發生,在擴展(expanding)步驟中具有充分的擴張性。

Description

切割片用基材膜及切割片
本發明係關於在將半導體晶圓等的被切斷物自元件小片切斷分離之際,該被切斷物所貼附之切割片及該切割片所使用之基材膜。
矽、砷化鎵等的半導體晶圓及各種封裝類(以下有將該等統稱為「被切斷物」的情況),以大徑的狀態被製造,該等被切斷分離(切割步驟)成元件小片(以下稱為「晶片」)。
被交付給該切割(dicing)步驟之被切斷物,以切割(dicing)步驟及其以下之步驟中被切斷物及晶片的操作性的確保為目的,具備有基材膜以及設於其上之黏著劑層的切割片,預先貼附於接近切斷用的切削工具一側與相反側的被切斷物表面。此種切割片通常以聚烯烴系膜或聚氯乙烯系膜等作為基材膜而被使用。
作為切割步驟的具體技巧,在一般的全切割(full-cut dicing)中,以旋轉的圓刀進行被切斷物的切割。全切割(full-cut dicing)中,為使貼附切割片的被切斷物全面被確實地切斷,有超過被切斷物將黏著劑層也切斷,再者有將基材膜的一部分也切斷的情形。
此時,由構成黏著劑層及基材膜的材料所形成的 切割屑自切割片產生,而有所得的晶片因為該切割屑而被污染的情形。此種切割屑的型態之一,有附著在切割線上、或在因切割而分離的晶片斷面附近的絲狀的切割屑。
當以上述那樣的絲狀切割屑大量附著於晶片的狀態而進行晶片的密封時,則附著於晶片的絲狀切割屑因密封熱而分解,此熱分解物會破壞封裝,成為所得的裝置動作不良的原因。因為此絲狀切割屑難以經由洗淨而去除,因此絲狀切割屑的產生使得切割步驟的產率顯著下降。
又,以硬化的樹脂密封複數個晶片的封裝作為被切斷物而切割的情形時,相較於切割半導體晶圓的情形,使用刀寬較厚的切割刀,同時切割的切入深度也更深。因此,在切割時被切斷除去的基材膜的量較半導體晶圓的情形更為增加,絲狀切割屑的產生量也有增加的傾向。因此,使用切割片進行切割製造半導體封裝的情形時,進一步要求防止絲狀切割屑的產生。
切割步驟後所切斷的被切斷物,其後實施洗浄、擴展(expanding)步驟、拾取(pick up)步驟的各步驟。因此,對切割片進一步要求在擴展(expanding)步驟中的擴張性優異。
以抑製此種切割屑產生為目的,專利文獻1揭示了使用電子線或γ(gamma)線為1~80Mrad照射的聚烯烴系膜作為切割片的基材膜之發明。該發明認為,藉由電子線或γ線照射,構成基材膜的樹脂形成架橋,而抑製切割屑的產生。
專利文獻1中,作為照射電子線或γ線的聚烯烴系膜,可以例示聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙 烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-離聚物(ionomer)共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等樹脂。
專利文獻2中,揭示了一種半導體切割用黏接著帶,其特徴在於其為如下所成的樹脂組成物層:在基材膜的一側面塗布黏著劑而成的半導體切割加工用帶上,上述基材膜至少由2層構成,與上述基材膜的黏著層黏接的層的樹脂融點為130℃~240℃,相對於至少1層黏接於與上述黏著層黏接的層的下麵的、聚丙烯系樹脂100質量部,苯乙烯-丁二烯共聚物的氫添加物為20質量部~400質量部。
專利文獻3中,揭示了一種作為賦予擴展(expanding)步驟中的擴張性的膜,在含有無規丙烯與烯烴系彈性體的基材層上,層積了黏著劑層的切割膜。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】特開平5-211234號公報
【專利文獻2】特開2005-174963號公報
【專利文獻3】特開2011-216595號公報
然而,專利文獻1中所記載的膜是電子線或γ線的照射在如上述樹脂一旦成形成膜狀後而進行,因此增加一個製造步驟,製造成本較一般基材膜有增加的傾向。專利文獻2 的基材膜不能充分防止絲狀切割屑的產生。專利文獻3中所記載的切割膜,擴展(expanding)性雖然優異,但是不能充分防止絲狀切割屑的產生。
本發明為鑑於上述之實際狀況所完成之發明,以提供不賦予電子線或γ線等的物理能量,而抑製被切斷物切割時所產生的切割屑,特別是抑製絲狀切割屑的產生,於擴展(expanding)步驟中具有充分的擴張性(擴展性)的切割片用基材膜及具備上述切割片用基材膜的切割片為目的。
為了達成上述目的,第1,本發明提供一種切割片用基材膜,其為具有樹脂層(A)之切割片用基材膜,其特徵在於:該樹脂層(A)包含為具有來自降冰片烯系化合物的構造位的熱塑性樹脂之降冰片烯系樹脂(a1)、苯乙烯系彈性體(a2)、及上述降冰片烯系系樹脂(a1)以外且上述苯乙烯系彈性體(a2)以外的烯烴系熱塑性樹脂(a3)(發明1)
此處,本發明中「切割片」為也包含切割黏接片(dicing die bonding sheet)者,為也包含具有為了貼附環錘精紡機(ring frame)的其他基材及黏著劑層者。再者,本發明中「片」也包含「帶」(tape)的概念。
又,本發明中「降冰片烯系樹脂」為含有來自降冰片烯系化合物的構造單位之熱塑性樹脂「降冰片烯系化合物」在本發明中表示選自由降冰片烯、含降冰片烯雙環之環狀構造之化合物(例如二環戊二烯)、及此等之衍生物所構成之群組中一種或二種以上之化合物。
本發明中「烯烴系熱塑性樹脂(a2)」表示含有來自烯烴或其誘導體(於本說明書亦稱為「烯烴系化合物」)構造單位的共聚物,在含有常溫的溫度領域具有橡膠狀的彈性,同時具有熱塑性的材料。
本發明中所謂「降冰片烯系樹脂(a1)以外且苯乙烯系彈性體(a2)以外的烯烴系熱塑性樹脂(a3)」表示不具有來自降冰片烯系化合物的構造單位及來自苯乙烯系化合物的構造單位的烯烴系熱塑性樹脂的總稱,也有略稱為「第一烯烴系樹脂(a3)」的情況。所謂「烯烴系熱塑性樹脂」為含有來自烯烴的構造單位的熱塑性樹脂,賦予樹脂(a3)的重合前的全單體中含烯烴的單體的質量比率為1.0質量%以上者。
根據上述發明,藉由樹脂層(A)含有降冰片烯系樹脂(a1)、苯乙烯系彈性體(a2)、降冰片烯系樹脂(a1)以外且苯乙烯系彈性體(a2)以外的烯烴系熱塑性樹脂(a3),切割中絲狀屑的產生被抑製。因此,在賦予電子線或γ線等的物理能量,可有效地減少被切斷物在切割時所產生的切割屑。又,在擴展(expanding)步驟,可以得到具有充分的擴張性的基材膜。
上述發明(發明1)中,上述苯乙烯系彈性體(a2)較佳由苯乙烯-共軛二烯共聚物所構成(發明2)。上述苯乙烯-共軛二烯共聚物中較佳為水添苯乙烯-共軛二烯共聚物。
上述發明(發明1,2)中,苯乙烯含有率以5質量%以上50質量%以下為佳(發明3)。
上述發明(發明1~3)中,上述樹脂層(A)中的上述苯乙烯系彈性體(a2)的含有量以10質量%以上60質量%以下為 佳(發明4)。
上述發明(發明1~4)中,上述降冰片烯系樹脂(a1)於23℃的密度以0.98g/cm3以上為佳(發明5)。
上述發明(發明1~5)中,上述降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度以225℃以下為佳(發明6)。
此處,本發明中「流動化溫度」為經由高量式流量計(例如,島津製作所公司製,型號:CFT-100D為製品例)所得到之值。具體為,使用負重49.05N、孔形狀ψ 2.0mm、長度5.0mm的模具,一邊使試料溫度以升溫速度10℃/分上升,一邊與升溫同時測定變動的行程(stroke)變位元速度(mm/分),獲得行程變位元速度的溫度依賴性圖。試料為熱塑性樹脂的情形中,行程變位元速度以試料溫度到達軟化點者作為契機,上升至一定波峰後一度下降。行程變位元速度下降至最低點後,因試料全體的流動化進行而急遽上升。本發明中,超過軟化點而使試料溫度上升的情形中,行程變位元速度一旦到達波峰後所呈現的行程變位元速度的最低值的溫度定義為流動化溫度。
上述發明(發明1~6)中,上述樹脂層中的降冰片烯系樹脂(a1)的含有量以3質量%以上40質量%以下為佳(發明7)。
上述發明(發明1~7)中,上述樹脂層(A)在紫外光領域中的全光線透過率以75%以上為佳(發明8)。
本發明中,「全光線透過率」表示關於含有與基材膜同様材料的厚度為100μm的膜,作為紫外光領域(300nm~ 400nm)的範圍,測定所得的全光線透過率的最低值。
上述發明(發明1~8)中,以具有配置於上述樹脂層(A)的一側的表面的由至少一層所構成的樹脂層(B)為佳(發明9)。
上述發明(發明9)中,上述樹脂層(B)在23℃的拉伸彈性率以50MPa以上500MPa以下為佳,破斷伸度以100%以上為佳(發明10)。
上述發明(發明9,10)中,上述樹脂層(B)以含有乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物為佳(發明11)。
上述發明(發明1~11)中,上述切割片用基材膜於23℃的拉伸彈性率以80MPa以上1000MPa以下為佳(發明12)。
第2,本發明提供一種切割片,其特徵在於:具有上述發明(發明1~12)中任一項所述之切割用基材膜以及配置於該膜的上述樹脂層(A)上的黏著劑層(發明13)。
根據本發明之切割片用基材膜及切割片,可不賦予電子線或γ線等的物理能量,而有效地減少被切斷物在切割時產生的切割屑,再者,在擴展(expanding)步驟中具有充分的擴張性。該切割片用基材膜及切割片中,電子線或γ線的處理為非必要,因此容易生產。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材膜(樹脂層(A)/樹脂層(B))
3‧‧‧黏著劑層
【圖1】為本發明一實施形態所述之切割片的剖面圖。
【圖2】為本發明另一實施形態所述之切割片的剖面圖。
以下,就本發明一實施型態所述之切割片的構成要素或其製造方法等進行說明。
1.基材膜
如圖1所示,本發明一實施型態所述之切割片1,具有基材膜2及配置於該基材膜2上的黏著劑層3,作為基本構成。此基材膜2具有樹脂層(A),如後所述,於另一形態(圖2)中,進一步具有樹脂層(B)。
(1)樹脂層(A)
基材膜2只要具有樹脂層(A),可為單層也可為複數層。基材膜2由單層樹脂層所構成時,樹脂層(A)以單層的狀態形成基材膜2。基材膜2由複數個樹脂層所構成時,樹脂層(A)的位置沒有特別限定,但較佳基材膜2的至少一個主面成為上述樹脂層(A)的面。此情形中,當在基材膜2上形成黏著劑層3而形成切割片1時,較佳為於樹脂層(A)上形成黏著劑層3。藉由於樹脂層(A)上形成黏著劑層3,可有效地減少被切斷物在切割時所產生的切割屑。
該樹脂層(A)包含以降冰片烯系化合物為單體之至少一種的熱塑性樹脂之降冰片烯系樹脂(a1)、苯乙烯系彈性體(a2)、降冰片烯系樹脂(a1)以外且苯乙烯系彈性體(a2)以外的烯烴系熱塑性樹脂(第一烯烴系樹脂)(a3)。
藉由樹脂層(A)含有降冰片烯系樹脂(a1)、苯乙烯系彈性體(a2)、第一烯烴系樹脂(a3),可有效地減少在切割中絲狀切割屑產生。而且,在擴展(expanding)步驟可以得到具有 充分擴張性的基材膜。
藉由使樹脂層(A)中含有降冰片烯系樹脂(a1),切割片可以得到抑製切割屑發生的効果,及可以得到防止捲取基材膜2時產生黏連(blocking)的効果。降冰片烯系樹脂(a1)在樹脂層(A)中採用對抑製切割屑的發生有効果的分散形態,從穩定地抑製切割屑發生的觀點,樹脂層(A)中的降冰片烯系樹脂(a1)的含有量以3.0質量%以上為佳,以5.0質量%以上為更佳,以10質量%以上為特佳。另一方面,從抑製樹脂層(A)的加工性的低下、基材膜2的擴展(expanding)性的低下等的觀點,使樹脂層(A)中的降冰片烯系樹脂(a1)的含有量為40質量%以下為佳,以30質量%以下為更佳。
具備本實施形態所述基材膜2的樹脂層(A),進一步含有苯乙烯系彈性體(a2)。如果使樹脂層(A)中含有苯乙烯系彈性體(a2),則抑製切割屑發生的効果會進一步提高,且可以賦予優異的擴展(expanding)性。從穩定地得到這些効果的觀點,樹脂層(A)中的苯乙烯系彈性體(a2)的含有量以10質量%以上為佳,以20質量%以上為更佳。另一方面,如果使樹脂層(A)中過度地含有苯乙烯系彈性體(a2),則樹脂層(A)過度軟化,在基材膜2上易於發生黏連(blocking)等,操作性降低。因此,使樹脂層(A)中的苯乙烯系彈性體(a2)的含有量為60質量%以下為佳,以40質量%以下為更佳。
具備本實施形態所述基材膜2的樹脂層(A),除了含有降冰片烯系樹脂(a1)及苯乙烯系彈性體(a2)以外,進一步含有第一烯烴系樹脂(a3)。使樹脂層(A)中含有第一烯烴系樹脂 (a3),可以賦予樹脂層(A)柔軟性,提高擴展(expanding)性與操作性。從穩定地得到該効果的觀點,樹脂層(A)中的第一烯烴系樹脂(a3)的含有量以1.0質量%以上為佳,以5.0質量%以上為更佳,以30質量%以上為特佳。另一方面,如果使樹脂層(A)中過度地含有第一烯烴系樹脂(a3),則樹脂層(A)過度軟化,則於基材膜2上易於發生黏連(blocking)等,操作性降低。因此,樹脂層(A)中的第一烯烴系樹脂(a3)的含有量以80質量%以下為佳,以70質量%以下為更佳。
具備本實施形態所述基材膜2的樹脂層(A),於23℃的拉伸彈性率(以下,略記為「拉伸彈性率」),從減低在擴展(expanding)步驟中基材膜2破斷的可能性的觀點,為1000MPa以下。從更穩定地減低該基材膜2破斷的可能性的觀點,樹脂層(A)的拉伸彈性率以900MPa以下為佳,以500MPa以下為更佳。
另一方面,如果樹脂層(A)的拉伸彈性率過低,則基材膜2的操作性有變壞之虞。因此,樹脂層(A)的拉伸彈性率以50MPa以上為佳,以100MPa以上為更佳,以150MPa以上為特佳。
接著,對構成樹脂層(A)的成分進行詳細說明。
(1-1)降冰片烯系樹脂(a1)
降冰片烯系樹脂(a1)為以降冰片烯系化合物為單體之至少一種的熱塑性樹脂。
如前所述,降冰片烯系化合物為選自由降冰片烯(雙環[2.2.1]戊-2-烯)、含降冰片烯雙環之環狀構造之化合物(例 如二環戊二烯)、及此等之衍生物所構成之群組中一種或二種以上之化合物。具體例,例如降冰片烯、二環戊二烯、環戊二烯、四環十二烯(tetracyclododecene)等。
降冰片烯系樹脂(a1)以在主鏈或側鏈具有雙環[2.2.1]庚烷環構造為佳。
降冰片烯系樹脂(a1)如果為在主鏈上有環狀構造者(雙環環部分為構成上述主鏈一部分之構造),則更佳。具有如此構造之樹脂(a1),例如,可列舉降冰片烯系單體之開環易位聚合物氫化聚合物(具體可購入日本ZEO公司製ZEONEX(商標登記)系列)、降冰片烯與乙烯之共聚物(具體可購入Polyplastics公司製TOPAS(商標登記)系列)、基於二環戊二烯與四環十五烯開環聚合之共聚物(具體可購入日本ZEO公司製ZEONOR(商標登記)系列)、乙烯與四環十二烯之共聚物(具體可購入三井化學公司製APEL(商標登記)系列)、二環戊二烯與甲基丙烯酸酯為原料之含極性基的環狀烯烴樹脂(具體可購入JSR公司製ARTON(商標登記)系列)等。
此處,降冰片烯系樹脂(a1)可以具有架橋構造。形成架橋構造的架橋劑種類為任意。架橋構造可為構成降冰片烯系樹脂(a1)的高分子的一種類之間彼此形成架橋者,也可以使不同種類的高分子間形成架橋者。
降冰片烯系樹脂(a1)基於JIS K7210:1990,在溫度23℃、負重2.16kgf的熔流指數的值,從加工性的觀點,以0.1g/10min以上為佳。從確保高生產性(加工性)且穩定地實現抑製切割屑產生之觀點,降冰片烯系樹脂(a1)的熔流指數較佳 為0.5g/10min以上、50.0g/10min以下,如果為1.0g/10min以上、25.0g/10min以下則更佳。
降冰片烯系樹脂(a1)在23℃的拉伸彈性率超過1.5GPa為佳。又,拉伸彈性率的詳細測定方法於實施例中說明。使上述拉伸彈性率在此範圍內,則可以獲得能夠抑製切割屑產生的樹脂層(A)。降冰片烯系樹脂(a1)在23℃的拉伸彈性率為2.0GPa以上者為佳。降冰片烯系樹脂(a1)在23℃的拉伸彈性率的上限從抑製切割屑發生的觀點考慮沒有特別限製。
降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度以225℃以下為佳,以200℃以下為更佳,以180℃以下為更佳。流動化溫度為加熱過的樹脂試料經過軟化點,分子的變形自由度增加而超過分子間相互作用上升的狀態,且加熱試料的情形中發生試料全體流動化的最低溫度。藉由流動化溫度為225℃以下,在樹脂層(A)中降冰片烯系樹脂(a1)於層中適度地分散而可有效地抑製切割屑的發生。降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度過低時,恐難以得到抑製切割屑產生之效果。再者,樹脂層(A)的表面脆化,作為切割片1使用時,恐被切斷物的斷面部分容易產生碎裂,因此,流動化溫度的下限較佳為100℃以上。
降冰片烯系樹脂(a1)於23℃的密度,從易於抑製切割屑發生觀點考慮,以0.98g/cm3以上為佳。
降冰片烯系樹脂(a1)可為具有結晶性者,也可為非結晶性者。從易於抑製切割屑發生的觀點考慮,較佳為非結晶性。再者,降冰片烯系樹脂(a1)可以由一種類的樹脂所構成, 也可以為複數種類的樹脂的混合物。
(1-2)苯乙烯系彈性體
具備本實施形態所述基材膜2的樹脂層(A),含有苯乙烯系彈性體(a2)。本說明書中所謂「苯乙烯系彈性體(a2)」,為含有苯乙烯或來自其誘導體(苯乙烯系化合物)的構造單位的共聚物,表示在含有常溫的溫度領域具有橡膠狀的彈性同時具有熱塑性的材料。樹脂層(A)藉由含有苯乙烯系彈性體(a2),切削片的發生被抑製,擴展(expanding)性也提高。
作為苯乙烯系彈性體(a2),可例示苯乙烯-共軛二烯共聚物及苯乙烯-烯烴共聚物等。其中,從抑製切割屑發生的同時,又能提高擴展(expanding)性的觀點考慮,苯乙烯系彈性體(a2)以含有苯乙烯-共軛二烯共聚物為佳,由苯乙烯-共軛二烯共聚物構成者為更佳。
作為苯乙烯-共軛二烯共聚物的具體例,可以列舉苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物等的未水添苯乙烯-共軛二烯共聚物;苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物的水添加物)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS、苯乙烯-丁二烯共聚物的氫添加物)等的水添苯乙烯-共軛二烯共聚物等。
又,在工業上可以列舉出Tufprene(旭化成公司製)、Kraton(Kraton Polymers日本公司製)、住友TPE-SB(住友化學公司 製)、Epofriend(Daicel化學工業公司製)、Reborn(三菱化學公司製)、Septon(Kuraray公司製)、Tafutech(旭化成公司製)等的商品名。
苯乙烯系彈性體(a2)即可以為氫添加物也可以為未水添物。在為氫添加物的情況時,對降冰片烯系樹脂(a1)、第一烯烴系樹脂(a3)的相溶性提高,樹脂層(A)的全光線透過率提高。因此,具備本實施形態所述切割片的黏著劑層在含有紫外線硬化型黏著劑時,苯乙烯系彈性體(a2)較佳為氫添加物。作為所述氫添加物,例示苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS、苯乙烯-丁二烯共聚物的氫添加物)、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS、苯乙烯-異戊二烯共聚物的氫添加物)等的水添苯乙烯-共軛二烯共聚物。苯乙烯系彈性體(a2)以所述水添苯乙烯-共軛二烯共聚物為特佳。
苯乙烯系彈性體(a2)在用於形成該彈性體的全單體中,由苯乙烯系化合物所成的單體的質量比率(在本說明書中,也稱為「苯乙烯含有率」)為5質量%以上50質量%以下。苯乙烯含有率過度低時,則作為含有來自苯乙烯的構造單位的彈性體的性質難於表現,抑製切割屑發生的効果難於得到。從穩定地獲得所述効果的觀點考慮,苯乙烯含有率以5質量%以上為佳,以10質量%以上為更佳。另一方面,苯乙烯含有率過度高時,則可見有基材膜2的擴展(expanding)性降低的傾向。因此,苯乙烯含有率以50質量%以下為佳,以40質量%以下為更佳,以34質量%以下為特佳。
苯乙烯系彈性體(a2)可為由一種樹脂所構成,也可 為複數種樹脂的混合物。
(1-3)第一烯烴系樹脂
為上述降冰片烯系樹脂(a1)以外且上述苯乙烯系彈性體(a2)以外的烯烴系熱塑性樹脂(第一烯烴系樹脂)(a3),為含有來自烯烴的構造單位的熱塑性樹脂,且為不含有來自降冰片烯系化合物的構造單位及來自苯乙烯系化合物的構造單位的烯烴系熱塑性樹脂。
作為第一烯烴系樹脂(a3)的具體例,可舉出聚乙烯(直鏈狀低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的乙烯系共聚物、聚丙烯等的丙烯系樹脂、聚丁烯、聚甲基戊烯等。其中,以聚乙烯(低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烴共聚物、聚丙烯等的丙烯系樹脂為佳,以聚乙烯(低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)為更佳。
又,聚乙烯中乙烯含有率(高分子中的乙烯質量比率)以20質量%以上為佳,以50質量%以上為更佳,進一步以70質量%以上為更佳。
第一烯烴系樹脂(a3)可為一種,也可為混合複數種所形成者。
此處,第一烯烴系樹脂(a3)可以具有架橋構造。形成架橋構造的架橋劑的種類為任意。架橋劑可使構成第一烯烴系樹脂(a3)的高分子的一種類之間彼此形成架橋,也可以使不同種類的高分子間形成架橋。
本實施型態所述之第一烯烴系樹脂(a3)的熔流指數(190℃、2.16kgf),為0.5g/10min以上、10g/10min以下,如果為2.0g/10min以上、7g/10min以下則更佳。
第一烯烴系樹脂(a3)在23℃的拉伸彈性率沒有特別限定,但從抑製切割屑產生,提高擴展(expanding)性的觀點考慮,通常為1.0GPa以下,較佳為0.4GPa以上,更佳為0.2GPa以下。
第一烯烴系樹脂(a3)的流動化溫度沒有特別的限定,但以100℃以上180℃以下為佳。
第一烯烴系樹脂(a3)的密度沒有特別的限定。第一烯烴系樹脂(a3)的密度過低的情况,則基材膜2擴展(expanding)性降低,再者樹脂層(A)的表面發黏,因此加工製程上發生問題的可能性增加。從此觀點考慮,第一烯烴系樹脂(a3)的密度以0.87g/cm3以上為佳,以0.900g/cm3以上為更佳。
第一烯烴系樹脂(a3)可為非晶性,也可具有結晶性。第一烯烴系樹脂(a3)具有結晶性的情況時,融解峰溫度雖未特別限定,但是以90℃以上180℃以下為佳,以100℃以上150℃以下為更佳。融解峰的高度為2.0W/g以上,關於融解熱量△H以70.0J/g以上120.0J/g以下為佳。再者,融解峰的測量可使用示差掃描熱量計(DSC,具體例如,TA INSTRUMENTS公司製Q2000)測定。
(1-4)樹脂層(A)中的其他成份
樹脂層(A)除含有上述降冰片烯系樹脂(a1)、苯乙烯系彈性 體(a2)及第一烯烴系樹脂(a3)以外,在不損害本發明効果的範圍內,也可含有其他成份。作為此其他成份,例如可以例示異戊二烯橡膠或丁腈橡膠、丙烯橡膠、氨酯橡膠、丁二烯橡膠、或其共聚物等的熱塑性彈性體樹脂(但是,除去苯乙烯系彈性體(a2))、顏料、難燃劑、可塑劑、帯電防止劑、潤滑劑、填充料等各種添加劑。
(2)樹脂層(B)
當基材膜2由複數層所構成的情形中,基材膜2進一步具有上述樹脂層(A)以及樹脂層(B)。此種情形,樹脂層(A)的位置沒有特別限定,但較佳為基材膜2的主面的至少一面成為樹脂層(A)的面。具體如圖2所示,較佳為基材膜2具備配置於樹脂層(A)一側的表面側的至少由一層所構成的樹脂層(B),切割片1使該基材膜2的樹脂層(A)側的一面上配置黏著劑層3,層積基材膜2及黏著劑層3而成。
只要基材膜2為層積樹脂層(A)與樹脂層(B)所形成的複數層,則可以使基材膜2的擴展(expanding)性進一步提高。
樹脂層(B)的拉伸彈性率以50MPa以上500MPa以下為佳,且破斷伸度以100%以上為佳。拉伸彈性率及破斷伸度如果為上記範圍,則樹脂層(B)的柔軟性及擴張性優異,可以賦予由樹脂層(A)與樹脂層(B)層積所成的基材膜2優異的擴展(expanding)性能。
樹脂層(B)的拉伸彈性率如果超過500MPa,則樹脂層(B)的柔軟性降低,樹脂層(B)易於破斷,因此有基材膜2的 擴展(expanding)性降低之虞。另一方面,如果樹脂層(B)的拉伸彈性率未滿50MPa,則操作性有降低之虞。樹脂層(B)更較佳的拉伸彈性率為55MPa以上400MPa以下,進一步較佳拉伸彈性率為60MPa以上300MPa以下,特別較佳拉伸彈性率為65MPa以上200MPa以下。
再者,樹脂層(B)的破斷伸度如果未滿100%,則擴展(expanding)切割片1時,在樹脂層(B)易於發生破斷,有基材膜2的擴展(expanding)性降低之虞。樹脂層(B)更較佳的破斷伸度為200%以上,特別較佳好的破斷伸度為300%以上。再者,樹脂層(B)的破斷伸度的上限沒有特別的限定,但是一般為1000%以下,也可以為800%以下左右。
樹脂層(A)的拉伸彈性率相對於樹脂層(B)的拉伸彈性率的比率(〔樹脂層(A)的拉伸彈性率〕/〔樹脂層(B)的拉伸彈性率〕,於本說明書中也稱為「彈性率比」。)以10以下為佳。彈性率比過度大的情況下,則在擴展(expanding)步驟中,在樹脂層(A)與樹脂層(B)之間,產生層間剝離的可能性增高。再者,有樹脂層(A)側成為內側的方式發生彎曲之虞。從更穩定地減低產生這些問題的可能性的觀點,彈性率比以8以下為佳,以4以下為更佳。彈性率比的下限沒有特別的限定,但是通常為1.0以上。未滿1.0情況下,有基材膜2的操作性降低之虞。再者,樹脂層(B)在擴展(expanding)步驟,有發生破斷等不良情況的可能性。
作為構成樹脂層(B)的樹脂,例如,可以列舉出基於含有來自烯烴化合物的構造單位的聚合物的樹脂的烯烴系 樹脂;聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸(polyethylene naphthalate)等的聚酯;聚氨酯;聚氯乙烯;聚醯胺。
這些樹脂中,作為構成樹脂層(B)的樹脂,以烯烴系樹脂為佳。構成樹脂層(B)的樹脂為烯烴系樹脂的情況時,樹脂層(B)對於上述樹脂層(A)的密著性高,能更穩定地減低在樹脂層(A)與樹脂層(B)之間發生層間剝離的可能性。
作為上述烯烴系樹脂的例子,可以列舉聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等。烯烴系樹脂可以為單獨1種,也可以為將2種以上聚合物混合所成者。
在這些共聚物中,從易於得到靭性優異的樹脂層(B),且樹脂層(B)相對於樹脂層(A)的密著性高的觀點考慮,作為構成樹脂層(B)的樹脂所涉及的聚合物,以乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物為佳。這裡,本說明書中的「(甲基)丙烯酸」表示丙烯酸以及甲基丙烯酸的兩方。「乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物」可以為乙烯-丙烯酸共聚物,也可以為乙烯-甲基丙烯酸共聚物,且也可以為乙烯-丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物。
樹脂層(B)所涉及的聚合物,相對於構成樹脂層(B)的樹脂全體,以含有70質量%以上上述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物為佳,以含有80質量%以上為更佳,進一步以含有90質量%以上為佳。
樹脂層(B)在不損害本發明効果的範圍內,也可以 含有上述樹脂以外的成分。作為這様的成分可以例示顏料、難燃劑、可塑劑、帯電防止劑、潤滑劑、填充料等各種添加劑。作為顏料,例如可以列舉二酸化鈦、碳黑等。又,作為填充料,可以例示三聚氰胺樹脂這様的有機系材料、煙霧矽膠這様的無機系材料以及鎳粒子這様的金屬系材料。
本實施形態所涉及的切割片1中,樹脂層(B)由一層樹脂層所構成,但是樹脂層(B)也可以具有含有複數樹脂層的構造。此時,作為含有複數層的樹脂層(B),只要滿足上述拉伸彈性率條件以及破斷伸度條件即可。再者,在樹脂層(A)與樹脂層(B)之間也可以存在像接著劑層這様的介在層。
(3)基材膜的其他構成
如圖1所示,在基材膜2由樹脂層(A)單獨所構成的情況時,樹脂層(A)(即,基材膜2)的厚度通常為10μm以上500μm以下,較佳為40μm以上300μm以下,更較佳為60μm以上200μm以下。
另一方面,如圖2所示,基材膜2為具備樹脂層(A)以及樹脂層(B)的複數層的情形時,樹脂層(A)的厚度,通常為10μm以上300μm以下,較佳為20μm以上120μm以下,更較佳為40μm以上100μm以下。如果樹脂層(A)為上述的厚度,則可以防止產生切割屑。另一方面,樹脂層(B)的厚度,通常為10μm以上300μm以下,較佳為40μm以上120μm以下,特別較佳為50μm以上100μm以下。基材膜2的厚度,通常為20μm以上600μm以下,較佳為40μm以上300μm以下,更較佳為60μm以上200μm以下。
本實施形態所述的樹脂層(A)的紫外光領域中的全光線透過率以75%以上為佳。在本說明書,所謂「全光線透過率」,表示含有與基材膜2同様材料的厚度為100μm的膜,作為紫外光領域(300nm~400nm)的範圍,測定所得的全光線透過率的最低值。該全光線透過率可以使用分光光度計用公知的方法進行測定。如果樹脂層(A)的全光線透過率為75%以上,例如,在黏著劑層3含有紫外線硬化型黏著劑情況時,從樹脂層(A)側進行紫外線照射之際,因為光充分到達黏著劑層,因此為佳。
再者,本實施形態之基材膜2的拉伸彈性率(於23℃的拉伸彈性率),較佳為50MPa以上1000MPa以下、80MPa以上1000MPa以下。拉伸彈性率未滿50MPa時,則基材膜2的操作性有變壞之虞。另一方面,當基材膜2的拉伸彈性率超過1000MPa時,則在擴展(expanding)步驟,基材膜2破斷或因在擴展(expanding)步驟時的添加而荷重變大,恐發生切割片1本身自環錘精紡機(ring frame)剝落等的問題。
(4)基材膜之製造方法
基材膜2之製造方法沒有特別限定。例示T模具法、圓模具法等的熔融押出法;延壓法(calendaring);乾式法、濕式法等的溶液法等,任一方法皆可。考慮樹脂層(A)所含之降冰片烯系樹脂(a1)及苯乙烯系彈性體(a2)及第一烯烴系樹脂(a3)皆為熱塑性樹脂,較佳採用熔融押出法或延壓法。這些之中,以熔融押出法製造的情形中,可將構成樹脂層(A)的成分混煉,將所得的混煉物直接、或一度製成顆粒後,使用公知的押出機 進行製膜即可。
基材膜2具有樹脂層(B)的情形時,製造方法沒有限定,為任意。只要採用符合樹脂層(B)的組成及目的之適宜方法即可。例如,可藉由將樹脂層(A)及樹脂層(B)共押出成型而進行層積,也可將個別製造之樹脂層經接著劑等貼附而層積。
2.切割片
切割片具備配置於基材膜上的黏著劑層。更具體而言,切割片1較佳為在基材膜2的樹脂層(A)上配置有黏著劑層3。藉由在樹脂層(A)上形成黏著劑層3,可以効果地減低被切斷物在切割時發生的切割屑。
(1)黏著劑層
構成黏著劑層3之黏著劑沒有特別限定,可使用作為切割片通常使用者,例如橡膠系、丙烯系、環氧系、矽酮系、聚乙烯醚系等的黏著劑,也可使用能量線硬化型黏著劑(包含紫外線硬化型黏著劑)或加熱硬化型黏著劑。本實施形態中的切割片1作為切割黏接片(dicing die bonding sheet)使用時,可使用同時兼具晶圓固定機能與片(die)接著機能之黏接著劑、熱塑性接著劑、B stage接著劑等。
黏著劑層3的厚度通常為3μm~100μm,較佳為約5μm~80μm左右。
(2)剝離片
在黏著劑層3上也可以層積剝離片。保護黏著劑層3用的剝離片為任意。
作為剝離片沒有特別的限定,例如,可以使用具有在基材上藉由剝離劑進行了剝離處理的剝離層者。作為剝離片用的基材,可使用例如半透明紙、薄塗布紙、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)膜、聚萘二甲酸(polyethylene naphthalate)膜、聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate)膜、聚氨酯膜、乙烯乙酸乙烯酯膜、離聚物(ionomer)樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟系樹脂膜,或也可使用這些的架橋膜。而且,也可為這些膜複數個層積的層積膜。
作為剝離處理所使用的剝離劑,可舉出例如醇酸(alkide)系、矽酮系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、蠟系之剝離劑。
又,剝離片之厚度沒有特別限定,通常為約20μm~150μm左右。
3.切割片之製造方法
由上述基材膜2及黏著劑層3以及視需要使用的剝離片等的層積體所構成的切割片1的製造方法,沒有特別限定。
對於切割片1之製造方法若舉出幾個例,則為如下。
(i)在剝離片上形成黏著劑層3,在該黏著劑層3上壓接基材膜2而層積。此時,黏著劑層3的形成方法為任意。
將黏著劑層3的形成方法之一,列舉如下。調製含有構成 黏著劑層3之黏著劑與視需要進一步包含熔劑之塗布劑。經由輥塗布機、刀塗布機、輥刀塗布機、氣刀塗布機、模具塗布機、棒塗布機、凹槽輥塗布機、幕塗布機等的塗布機,塗布於基材膜2中樹脂層(A)所構成的一側主要面。使基材膜2上由塗布劑所形成的層乾燥,由此形成黏著劑層3。
(ii)於基材膜2上形成黏著劑層3,視需要再層積剝離片。此時之黏著劑層3的形成方法,如上所述為任意。
作為上述(i)、(ii)方法以外的例子,也可將另外形成片狀之黏著劑層3貼附於基材膜2上。
以上說明之實施形態為用於容易理解本發明之記載,非用以限定本發明之記載。因此,上述實施形態所揭示之各要素包含本發明所屬之技術領域的全體設計變更或均等物之旨趣。
【實施例】
以下根據實施例等更具體說明本發明,但本發明之範圍不限於此等實施例等。
〔實施例1〕
(基材膜之製作)
將作為降冰片烯系樹脂(a1)之環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製,製品名TOPAS(登記商標)7010,在23℃的密度:1.02g/cm3,流動化溫度(基於後述試驗例2所得之結果,以下同):136℃)20質量部,與作為苯乙烯系彈性體(a2)之苯乙烯-丁二烯共聚物的氫添加物(SEBS,旭化成公司製,製品名:Tafutech(登記商標)H1041,苯乙烯含有率:30 質量%)10質量部、與作為第一烯烴系樹脂(a3)的低密度聚乙烯(住友化學公司製,製品名:Sumikathene(登記商標)L705)70質量部,於雙軸混煉機(東洋精機製作所公司製造,Lapoplastomill)熔融混煉,獲得樹脂層(A)用的押出用原料。
又,將乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井-Dupont Polychemical公司製,製品名Nucrel(登記商標)N0903HC,來自MAA的酸含有量:9質量%),用雙軸混練機(東洋精機製作所公司製,Lapoplastomill)熔融混練,獲得樹脂層(B)用的押出用原材料。
將樹脂層(A)用的押出用原材料與樹脂層(B)用的押出用原材料,經小型T模具押出機(東洋精機製作所公司製,Lapoplastomill)共押出成形,獲得由厚度40μm的樹脂層(A)與、厚度60μm的樹脂層(B)所構成的2層構造的基材膜。
(黏著劑之調製)
另一方面,使丙烯酸正丁酯95質量部與丙烯酸5質量部共聚合所形成的共聚物(Mw:500,000)100質量部、氨酯丙烯酸酯寡聚物(Mw:8000)120質量部、異氰酸酯系硬化劑(日本POLYURETHANE公司,CORONATE L)5質量部、光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals公司製,Irgacure 184)4質量部混合,獲得能量線硬化型黏著劑組成物。
將所得之能量線硬化型黏著劑組成物,在經矽酮(silicone)處理了的剝離片(Lintec公司製,SP-PET3811(S))的剝離處理面上,以形成乾燥後膜厚為10μm的方式而塗布,以100℃乾燥1分鐘,形成黏著劑層,將其貼附於上述基材膜的樹脂層(A)側的一面,以此使黏著劑層轉移至基材膜上,作為切割 片。
〔實施例2~13〕
除將樹脂層(A)以及樹脂層(B)的材料改為表1所記載者之外,其餘與實施例1同様地進行操作,製造切割片。
〔實施例14〕
實施例1中,在基材膜的成型時,不使用樹脂層(B)用的押出用原材料,得到含有厚度100μm的樹脂層(A)的單層構造的基材膜,其餘與實施例1同様地進行操作,製造切割片。
〔實施例15~18、比較例1~3〕
於實施例14中,除將樹脂層(A)的材料改為表1所記載者之外,其餘與實施例14同様地進行操作,獲得單層構造的基材膜,製造切割片。
以下表示各例中所用之材料。
<樹脂層(A)>
降冰片烯系樹脂(a1)
.環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製,製品名TOPAS(登記商標)7010,於23℃的密度:1.02g/cm3,流動化溫度(基於後述試驗例2所得之結果,以下皆同):136℃,於溫度230℃.荷重2.16kgf的MFR:11g/10min)
.環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製,製品名:TOPAS(登記商標)8007,於23℃的密度:1.02g/cm3,流動化溫度:142℃,於溫度230℃.荷重2.16kgf的MFR:12g/10min)
.環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製,製品名:TOPAS(登記商標)5013,於23℃的密度:1.02g/cm3,流動化溫度:175 ℃)
.環烯烴共聚物(三井化學公司製,製品名:Appel(登記商標)APL6509T,於23℃的密度:1.02g/cm3,流動化溫度:130℃)
.環烯烴共聚物(三井化學公司製,製品名:Appel(登記商標)APL6011T,於23℃的密度:1.02g/cm3,流動化溫度:152℃)
苯乙烯系彈性體(a2)
.苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(苯乙烯-丁二烯共聚物的氫添加物)(SEBS,旭化成公司製,製品名:Tafutech(登記商標)H1041,苯乙烯含有率:30質量%)
.苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(苯乙烯-丁二烯共聚物的氫添加物)(SEBS,旭化成公司製,製品名:Tafutech(登記商標)H1221,苯乙烯含有率:12質量%)
.苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(苯乙烯-異戊二烯共聚物的氫添加物)(SEPS、Kraton Polymers日本公司製,製品名:Kraton(登記商標)G1730,苯乙烯含有率:21質量%)
.苯乙烯-丁二烯共聚物的未水添物(SBS、Kraton Polymers日本公司製,製品名:Kraton(登記商標)DKX405,苯乙烯含有率:24質量%)
第一烯烴系樹脂(a3)
.低密度聚乙烯(住友化學公司製,製品名:Sumikathene(登記商標)L705,於23℃的密度:0.919g/cm3)
.聚丙烯(Prime Polymer公司製,製品名:Prime polypro(登 記商標)F744NP)
<樹脂層(B)>
.乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井-Dupont Polychemical公司製,製品名:Nucrel(登記商標)N0903HC,来自MAA的酸含有量:9質量%)
.無規聚丙烯(日本Polypropylene公司製,製品名:Novatec PP FX4E)
.乙烯-甲基丙烯酸共聚物(住友化學公司製,製品名:Acryft(登記商標)W201,於23℃的拉伸彈性率:65MPa(測定方法與試驗例1相同))
將以上的實施例以及比較例的組成歸納表示於表1。表1中的數值表示各成分的質量部。
【表1】
[試驗例1](拉伸彈性率之測定)
藉由與實施例及比較例所使用的基材膜的製造方法同様的方法,製造厚度100μm的樹脂膜。將這様所得之樹脂膜切成15mm×140mm之試驗片,基於JIS K7161:1994及JIS K7127:1999,測定在23℃的拉伸彈性率。具體為將上述試驗片於拉伸試驗機(島津製作所製,Autoclave AG-IS 500N)中,設定夾具的間距為100mm後,以200mm/min的速度進行拉伸試驗,測定拉伸彈性率(單位:MPa)。又,拉伸彈性率的測定,以樹脂膜成形時的押出方向(MD)及其直角方向(CD)的兩方向進行,將此等測定結果的平均值作為對應於該樹脂之基材膜的拉伸彈性率。關於拉伸彈性率的結果如表2所示。
[試驗例2](流動化溫度之測定)
實施例及比較例所使用之降冰片烯系樹脂(a1)之流動化溫度的測定,使用高量式流量計(作為製品例可舉出,島津製作所公司製,型號:CFT-100D)進行,使用荷重49.05N、孔形狀ψ 2.0mm、長度5.0mm的模具,以升溫速度10℃/分,使作為測定試料之降冰片烯系樹脂(a1)的溫度上升,且升溫同時測定變動的行程(stroke)變位元速度(mm/分),獲得各降冰片烯系樹脂(a1)的行程變位元速度的溫度依賴性圖。從該溫度依賴性圖,經過超過軟化點所得的波峰後,行程變位元速度變得最小的溫度設為流動化溫度。流動化溫度的結果如前述。
[試驗例3](全光線透過率之測定)
藉由與實施例及比較例所使用的基材膜的製造方法同様 的方法,製造厚度100μm的樹脂膜。將這様所得之樹脂膜,使用分光光度計(島津製作所公司製,UV-3600),進行全光線透過率測定(UV-VIS,測定波長:300nm~400nm)。從所得數值中求得最低值,將該值作為對應於其樹脂膜的基材膜的全光線透過率。將全光線透過率的結果示於表2。
[試驗例4](觀察切割屑)
將實施例及比較例所製造之切割片的黏著劑層,貼附於未被切斷的BGA型封裝模型後,安裝於切割裝置(DISCO公司製,DFD-651),以下列條件進行切割。
.工作台(被黏著體):矽晶圓
.工作臺尺寸:6英寸徑,厚度350μm
.切割刀:Disco公司製27HEEE
.刀回轉數:50,000rpm
.切割速度:10mm/秒
.切入深度:將基材膜從黏著劑層表面切入至20μm的深度
.切割尺寸:10mm×10mm
之後,從基材膜側照射紫外線(160mJ/cm2),剝離被切斷的晶片。使用數位顯微鏡(Keyence公司製,VHX-100,倍率:100倍)計數,在縱及橫的切割線中,各自中央附近的縱的1線及橫的1線上所發生的長度100μm以上的絲狀屑個數。將計測結果用以下的基準進行評價。將評價結果示於表2。
A:絲狀屑個數為0~10個
B:11~15個
C:16個以上
〔試驗例5〕(擴展性試驗)
在由實施例及比較例所製造的切割片的黏著劑層上貼附6英寸矽晶圓後,將該切割片安裝於平板框(flat frame)上,利用厚20μm的鑽石刀。將晶圓全切割為10mm四方的晶片。接著,使用擴展夾具(NEC機械公司製DIEBONDER CSP-100VX),以速度300mm/分5mm與以600mm/分10mm的2個條件,將切割片拉掉。關於此時有無切割片的破斷進行確認。將其結果用以下基準進行評價。將評價結果示於表2。
A:兩個條件均未確認到有破斷的情況
B:在某一方的條件下確認到有破斷的情況
C:兩個條件都確認到有破斷的情況
〔試驗例6〕(操作性評價)
在實施上述試驗例4(観察切割屑)之際,用全自動切割裝置(DISCO公司製DFD-651)進行切割。關於此時的從様品的投入到回収之間的操作性,以下麵的基準進行評價。將評價結果示於表2。
A:沒有發生特別問題的情況
B:發生搬送錯誤的情況及/或再次裝入晶圓盒時切割片彎曲,與設置於下段的別的切割片接觸的情況
【表2】
從表2可知,由實施例所製造的切割片,於切割步驟之際切割屑的發生少,擴展(expanding)步驟之際的擴展性也優異,而且在切割步驟中的操作性也優異。另一方面,不含有降冰片烯系樹脂(a1)以及苯乙烯系彈性體(a2)的比較例1的切割片,雖然擴展(expanding)性優異,但是在切割步驟之際發生切割屑。不含有降冰片烯系樹脂(a1)的比較例3,與實施例相比,可見切割屑的發生,且在擴展(expanding)步驟中切割片破斷,擴展(expanding)性差。再者,僅由降冰片烯系樹脂(a1)所構成的比較例2,雖然切割屑的發生少,但是在擴展(expanding)步驟中切割片破斷,擴展(expanding)性差。
【產業上可利用性】
本發明所涉及之切割片用基材膜及切割片適宜用於半導體晶圓或各種封裝類等的切割。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材膜
3‧‧‧黏著劑層

Claims (13)

  1. 一種切割片用基材膜,其係具有樹脂層(A),其特徵在於:該樹脂層(A)包含含有來自降冰片烯系化合物之構造單位的熱塑性樹脂的降冰片烯系樹脂(a1)、苯乙烯系彈性體(a2)以及上述降冰片烯系樹脂(a1)以外且上述苯乙烯系彈性體(a2)以外的烯烴系熱塑性樹脂(a3)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜,其中上述苯乙烯系彈性體(a2)含有苯乙烯-共軛二烯共聚物。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜,其中上述苯乙烯系彈性體(a2)的苯乙烯含有率為5質量%以上50質量%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜,其中上述樹脂層(A)中的上述苯乙烯系彈性體(a2)的含有量為10質量%以上60質量%以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜,其中,該降冰片烯系樹脂(a1)於23℃的密度為0.98g/cm3以上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜,其中,上述降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度為225℃以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜,上述樹脂層中降冰片烯系樹脂(a1)的含有量為3質量%以上40質量%以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜,其中,上述樹脂層(A)於紫外光領域中的全光線透過率為75%以上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜,其具備配 置於上述樹脂層(A)的一方的表面側的、由至少一層所構成的樹脂層(B)。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之切割片用基材膜,其中,上述樹脂層(B)於23℃的拉伸彈性率為50MPa以上500MPa以下,破斷伸度為100%以上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之切割片用基材膜,其中,上述樹脂層(B)含有乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜,其於23℃的拉伸彈性率為80MPa以上1000MPa以下。
  13. 一種切割片,其特徵在於:具有如申請專利範圍第1至12項中任一項所述之切割用基材膜及配置於該膜的上述樹脂層(A)上之黏著劑層。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5414085B1 (ja) * 2013-03-04 2014-02-12 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよび当該基材フィルムを備えるダイシングシート
SG11201509734YA (en) * 2013-05-29 2015-12-30 Mitsui Chemicals Tohcello Inc Semiconductor wafer protective film and method of manufacturing semiconductor device
JP6297824B2 (ja) * 2013-12-04 2018-03-20 デクセリアルズ株式会社 環状オレフィン系樹脂組成物フィルム
MX2017008759A (es) * 2015-01-05 2017-10-26 Avery Dennison Corp Material polimérico intrínsecamente apto para impresión y métodos relacionados.
JP6667671B2 (ja) * 2016-12-27 2020-03-18 三井・ダウポリケミカル株式会社 ダイシングフィルム基材およびダイシングフィルム
WO2020189541A1 (ja) * 2019-03-15 2020-09-24 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体、及び装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05211234A (ja) 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
JP2003508623A (ja) * 1999-09-09 2003-03-04 バクスター・インターナショナル・インコーポレイテッド シクロオレフィンブレンドおよびポリオレフィン溶媒結合方法
US20040105994A1 (en) * 2002-12-03 2004-06-03 Pang-Chia Lu Thermoplastic film structures with a low melting point outer layer
US20050031822A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-10 Mitsui Chemicals, Inc. Adhesive sheet
JP4477346B2 (ja) 2003-12-05 2010-06-09 古河電気工業株式会社 半導体ダイシング用粘接着テープ
US7586060B2 (en) * 2003-12-25 2009-09-08 Nitto Denko Corporation Protective sheet for laser processing and manufacturing method of laser processed parts
JP4549239B2 (ja) * 2005-06-22 2010-09-22 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート
JP5068070B2 (ja) * 2006-12-21 2012-11-07 グンゼ株式会社 ダイシング用基体フイルム
JP5290853B2 (ja) * 2009-04-28 2013-09-18 三菱樹脂株式会社 ダイシング用粘着シート
JP5494132B2 (ja) 2010-03-31 2014-05-14 住友ベークライト株式会社 ダイシングフィルム

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