TW201424968A - 分斷方法及分斷裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於有效率地對積層板進行分斷。其解決手段為：在第1基板11之第1面11a，形成具有未到達第1基板11之外周緣11e之兩端11d之第1刻劃溝槽11c。此外，在第2基板12之第1面12a形成第2刻劃溝槽12c。在形成有第1及第2刻劃溝槽11c、12c之後，從第1基板11之第1面11a對貼合基板10進行按壓，沿著第2刻劃溝槽12c對第2基板12進行分斷。接著，從第2基板12之第1面12a對貼合基板10進行按壓，沿著第1刻劃溝槽11c對第1基板11進行分斷。

Description

分斷方法及分斷裝置
本發明係關於對積層板進行分斷之分斷方法及分斷裝置。
液晶裝置，係由將第1基板與第2基板以於之間隔有液晶層之方式藉由密封材貼合之貼合基板而構成(例如專利文獻1)。該貼合基板，由生產性之觀點來看，首先係以大片之狀態製作，對其進行分斷而成複數個貼合基板。針對該分斷方法詳細地進行說明時，首先於貼合基板之第1基板側之面形成刻劃溝槽，接著，從第2基板側對貼合基板進行按壓而使其撓曲，沿著刻劃溝槽分斷第1基板。接下來，於貼合基板之第2基板側之面形成刻劃溝槽，接著，從第1基板側對貼合基板進行按壓而使其撓曲，且沿著刻劃溝槽分斷第2基板。
專利文獻1：日本特開2012-203235號
在上述之方法中，在對貼合基板之第1基板進行刻劃加工之後進行分斷加工，之後對貼合基板之第2基板進行刻劃加工並進行分斷加工。如此般上述之分斷方法，由於刻劃加工與分斷加工交互地反覆進行，因此生產性不佳。
本發明之課題，係在有效率地對積層板進行分斷。
第1發明之分斷方法，係對具有以各第1面朝向外側之方式 積層之第1基板及第2基板的積層板進行分斷之分斷方法，包含以下之步驟(a)至(d)。步驟(a)，係在第1基板之第1面，形成具有未到達第1基板之外周緣之至少一端之第1刻劃溝槽。步驟(b)，係在第2基板之第1面，形成第2刻劃溝槽。步驟(c)，係在步驟(a)及(b)之執行後，從第1基板之第1面對積層板進行按壓並以第2刻劃溝槽為中心使積層板撓曲，藉此對第2基板沿著第2刻劃溝槽進行分斷。步驟(d)，係在步驟(c)之執行後，從第2基板之第1面對積層板進行按壓並以第1刻劃溝槽為中心使積層板撓曲，藉此對第1基板沿著第1刻劃溝槽進行分斷。
根據該方法，首先，藉由步驟(a)及(b)而於積層板之兩面形成刻劃溝槽後，接著藉由步驟(c)及(d)，對第1基板及第2基板分別沿著已形成之刻劃溝槽進行分斷。如此，由於可對積層板分別一起進行刻劃加工與分斷加工，因此能夠很有效率地對積層板進行分斷。
然而，在分別一起進行刻劃加工與分斷加工之情形，亦即，於積層板之兩面形成刻劃溝槽之後，分別對第1基板及第2基板進行分斷之情形，存在有一基板未沿著刻劃溝槽正確地分斷之情況。例如，於積層板之兩面形成刻劃溝槽之後，首先，為了對第2基板進行分斷而使積層板第2基板側以呈凸狀之方式撓曲。如此，由於在第1基板既已形成刻劃溝槽，因此存在有於用以對第2基板進行分斷之步驟中亦將第1基板分斷之情況。而且，第1基板由於以形成有刻劃溝槽之面呈凹狀之方式撓曲，因此未沿刻劃溝槽分斷之可能性高。
相對於此，在上述之第1發明之分斷分法中，於第1基板形成之第1刻劃溝槽，其至少一端未到達第1基板之外周緣。因此，在實行 用以對第2基板進行分斷之步驟(c)時，第1基板之第1面即使以呈凹狀之方式撓曲，亦能防止將第1基板分斷。
第2發明之分斷方法，係在第1發明之分斷方法中，藉由步驟(a)形成之第1刻劃溝槽，兩端未到達第1基板之外周緣。藉由該方法，能夠更確實地防止在實行了步驟(c)時損傷第1基板並分斷之情況。
第3發明之分斷方法，係在第1或第2發明之分斷方法中，藉由步驟(b)形成之第2刻劃溝槽，兩端延伸至第2基板之外周緣。根據該方法，第2基板能夠藉由步驟(c)而容易地進行分斷。亦即，在進行步驟(c)時由於無需將用以對第2基板進行分斷之按壓力設成較強，因此能夠更確實地防止將第1基板分斷。
第4發明之分斷方法，係在第1至第3發明之任一分斷方法中，在步驟(a)中，第1基板未形成從第1刻劃溝槽延伸至與第1面相對向之第2面之龜裂。
根據該方法，第1基板，由於在第2面未形成龜裂，因此即使第2面側以呈凸狀之方式撓曲，亦能防止被分斷。
第5發明之分斷方法，係在第1至第4發明之任一分斷方法中，第1刻劃溝槽及該第2刻劃溝槽之至少一方，藉由雷射加工而形成。
第6發明之分斷裝置，係對具有以各第1面朝向外側之方式積層之第1基板及第2基板之積層板進行分斷之分斷裝置，並具備第1刻劃溝槽形成部、第2刻劃溝槽形成部、第1分斷部、及第2分斷部。第1刻劃溝槽形成部，係在第1基板之第1面，形成具有未到達第1基板之外周緣之至少一方之端部的第1刻劃溝槽。第2刻劃溝槽形成部，係在第2 基板之第1面，形成第2刻劃溝槽。第1分斷部，係藉由對形成有第1及第2刻劃溝槽之積層板，從第1基板之第1面進行按壓，且以第2刻劃溝槽為中心使積層板撓曲，而沿著第2刻劃溝槽對第2基板進行分斷。第2分斷部，係藉由對已將第2基板分斷之積層板，從第2基板之第1面進行按壓，且以第1刻劃溝槽為中心使積層板撓曲，而沿著第1刻劃溝槽對第1基板進行分斷。
根據該構成，首先，藉由第1及第2刻劃溝槽形成部而於積層板之兩面形成刻劃溝槽後，接著藉由第1及第2分斷部，分別沿著所形成之刻劃溝槽對第1基板及第2基板進行分斷。如此，可對積層板分別一起進行刻劃加工與分斷加工，因此能夠有效率地對積層板進行分斷。
此外，於第1基板所形成之第1刻劃溝槽，其至少一端未到達第1基板之外周緣。因此，於藉由第1分斷部對第2基板進行分斷時，即使將第1基板之第1面以呈凹狀之方式撓曲，亦能防止將第1基板分斷。
根據本發明，能夠有效率地對積層板進行分斷。
10‧‧‧貼合基板(積層板)
11‧‧‧第1基板
12‧‧‧第2基板
11a、12a‧‧‧第1面
11b、12b‧‧‧第2面
11c、12c‧‧‧刻劃溝槽
11d‧‧‧端部
11e、12e‧‧‧外周緣
30‧‧‧第1刻劃溝槽形成部
40‧‧‧第2刻劃溝槽形成部
50‧‧‧第1分斷部
60‧‧‧第2分斷部
圖1，係分斷裝置之概略構成圖。
圖2，係第1基板之俯視圖。
圖3，係第1基板之側視剖面圖。
圖4，係第2基板之俯視圖。
圖5，係第2基板之側視剖面圖。
圖6，係表示對第2基板進行分斷之樣子之圖式。
圖7，係表示對第1基板進行分斷之樣子之圖式。
圖8，係第1基板之變形例1之俯視圖。
圖9，係表示對實施例及比較例之基板進行分斷之樣子之圖式。
圖10，係表示對參考例1及2之基板進行分斷之樣子之圖式。
以下，針對本發明之分斷方法及分斷裝置之實施形態一邊參照圖式一邊進行說明。
[貼合基板]首先，針對分斷對象即貼合基板(積層板之一例)進行說明。如圖1所示，貼合基板10，具有第1基板11、及隔著密封構件13貼合於第1基板11之第2基板12。第1基板11與第2基板12之間例如構成液晶層，且密封構件13包圍該液晶層。
第1基板11，具有第1面11a、及與第1面11a相對向之第2面11b。在第1基板11中，第1面11a朝向外側(圖1上側)，且第2面11b與第2基板12相對向。第2基板12，具有第1面12a、及與第1面12a相對向之第2面12b。在第2基板12中，第1面12a朝向外側(圖1下側)，且第2面12b與第1基板11相對向。另外，所謂的「外側」，係在配置於上側之第1基板11意指上方向，在配置於下側之第2基板12意指下方向。亦即，意指積層時之與對象側之基板所在之方向為相反側之方向。
[分斷裝置]接著，針對分斷裝置進行說明。分斷裝置，如圖1、圖6及圖7所示，具備載置貼合基板10之平台20、第1刻劃溝槽形成部30、第2刻劃溝槽形成部40、第1分斷部50(圖6)、及第2分斷部60(圖7)。
如圖1所示，第1刻劃溝槽形成部30，於第1基板11之第1面11a形成第1刻劃溝槽11c。該第1刻劃溝槽形成部30，具有照射部31、冷卻部32，且於形成第1刻劃溝槽11c之方向移動。照射部31，具有雷射振盪器31a、反射鏡31b、及聚光透鏡31c，且使雷射光束朝向第1基板11照射。雷射振盪器31a，對第1基板11發出具有吸收性及透過性之波長的光束。反射鏡31b，將來自雷射振盪器31a之雷射往平台20側引導。聚光透鏡31c，以焦點位於第1基板11之第1面11a、或第1面11a與第2面11b之間之方式對雷射進行聚光。
冷卻部32，將由未圖示之冷媒源所供給之冷媒對著第1基板11之第1面11a，透過噴嘴32a進行噴射，且形成冷卻點。
第2刻劃溝槽形成部40，於第2基板12之第1面12a形成第2刻劃溝槽12c。該第2刻劃溝槽形成部40，具有照射部41及冷卻部42。照射部41，具有雷射振盪器41a、反射鏡41b、及聚光透鏡41c，且冷卻部42，具有噴嘴42a。另外，第2刻劃溝槽形成部40，僅加工對象係非第1基板11而為第2基板12之方面與上述之第1刻劃溝槽形成部30相異，關於其他方面則係與第1刻劃溝槽形成部30為相同構成，因此省略其詳細之說明。
如圖6所示，第1分斷部50，對第2基板12沿著第2刻劃溝槽12c進行分斷。該第1分斷部50，具有一邊按壓第1基板11之第1面11a上一邊滾動之滾子50a、及對滾子50a往貼合基板10側壓入之汽缸(省略圖示)。
如圖7所示，第2分斷部60，對第1基板11沿著第1刻劃 溝槽11c進行分斷。該第2分斷部60，係與第1分斷部50為同樣之構成，且具有滾子60a、及汽缸(省略圖示)。
此外，分斷裝置，在此處雖未圖示，但於貼合基板10之掃描開始側之端部，設有用以形成成為刻劃溝槽之起點之初期龜裂之初期龜裂形成手段。作為初期龜裂形成手段，例如，可例舉按壓子、或刀輪等之機械性的工具、或雷射照射裝置。雷射照射裝置，藉由雷射剝蝕加工形成初期龜裂。
[分斷方法]接著，針對分斷貼合基板10之方法進行說明。首先，將貼合基板10載置於平台21上。然後，使用初期龜裂形成手段，於第1基板11之第1面11a、及第2基板12之第1面12a之各端部，形成成為刻劃溝槽之基點之初期龜裂。
接著，如圖1所示，將第1刻劃溝槽形成部30之照射部31對著第1基板11照射雷射。另外，聚光透鏡31，使雷射之焦點位於第1基板11之第1面11a、或第1面11a與第2面11b之間。此外，第1刻劃溝槽形成部30之冷卻部32，與雷射之照射同時地、且於經照射雷射之區域，透過冷卻噴嘴32a噴射冷卻媒介。
在此處，作為雷射，係對第1基板11使用具有吸收性及透過性之波長之雷射，因此藉由雷射照射，將第1基板11之表面及內部加熱。另一方面，由於將冷卻媒介噴射於雷射照射區域並冷卻，因此於基板內部產生溫度梯度，且於第1基板之表面產生拉伸應力，於內部產生壓縮應力。藉此，於第1基板11產生龜裂。
藉由以上之使雷射點及冷卻點沿著分斷預定線進行掃描，第 1基板11，沿著分斷預定線龜裂伸展，且形成如圖2及圖3所示般之第1刻劃溝槽11c。此處，藉由調整初期龜裂形成之位置、以及不使雷射點及冷卻點掃描至第1基板11之外周緣11e，第1刻劃溝槽11c，其兩端11d未到達第1基板11之外周緣11e。因此，於第1刻劃溝槽11c之兩端11d與外周緣11e之間形成間隔d。該間隔d，較佳為設成2mm以上10mm以下左右，更佳為設成3mm以上5mm以下左右。
第1刻劃溝槽11c，從第1基板11之第1面11a形成、且未到達第2面11b之所謂的半切。第1刻劃溝槽11c之深度，雖未特別地限定，但例如可設成第1基板11之厚度之10%以上20%以下左右。此外，第1基板11，未形成從第1刻劃溝槽11c延伸至第2面11b之龜裂。
接著，藉由第2刻劃溝槽形成部40，亦於第2基板12同樣地形成第2刻劃溝槽12c。該第2刻劃溝槽12c，如圖4及圖5所示，雖其兩端延伸至第2基板12之外周緣12e，此外，形成從第2刻劃溝槽12c延伸至第2面12b之龜裂12f，但關於此以外，係與第1刻劃溝槽11c相同。
接著，如圖6所示，第1分斷部50，對第2基板12沿著第2刻劃溝槽12c進行分斷。詳細而言，係藉由汽缸而往貼合基板10側壓入之滾子50a，一邊從第1基板11側按壓貼合基板10，一邊於第1基板11之第1面11a上滾動。另外，滾子50a，沿著與第2基板12之第2刻劃溝槽12c對應之線，於第1基板11之第1面11a上滾動。藉此，貼合基板10，以第2刻劃溝槽12c為中心往下側以呈凸狀之方式撓曲。其結果為，第2基板12，沿著第2刻劃溝槽12c分斷。另外，該步驟中之滾子50a之壓入量，雖未特別地限定，但較佳為以能不使第1基板11分斷而僅分斷第2基板12 之方式設成0.1mm以上1.0mm以下。另外，所謂的壓入量，係將滾子朝向貼合基板10壓入之量，且將滾子未按壓貼合基板10而僅為相接之狀態設為0mm。
接著，如圖7所示，第2分斷部60，對第1基板11沿著第1刻劃溝槽11c進行分斷。詳細而言，係藉由汽缸而往貼合基板10側壓入之滾子60a，一邊從第2基板12側按壓貼合基板10，一邊於第2基板12之第1面12a上滾動。另外，滾子，沿著與第1基板11之第1刻劃溝槽11c對應之線，於第2基板12之第1面12a上滾動。藉此，貼合基板10，以第1刻劃溝槽11c為中心往上側呈凸狀。其結果為，第1基板11，沿著第1刻劃溝槽11c分斷。藉由以上，貼合基板10，沿著第1刻劃溝槽11c及第2刻劃溝槽12c分斷。另外，在本實施形態中，第1刻劃溝槽11c與第2刻劃溝槽12c形成於相對應之位置。
[特徵](1)根據上述之實施形態之分斷方法，首先，於貼合基板10之兩面11a、12a形成刻劃溝槽11c、12c後，接著，對第1基板11及第2基板12分別沿著所形成之刻劃溝槽11c、12c進行分斷。如此，由於可對貼合基板分別一起進行刻劃加工與分斷加工，因此能有效率地對貼合基板10進行分斷。
(2)於第1基板11形成之第1刻劃溝槽11c，其至少一端11d未到達第1基板11之外周緣11e。因此，在為了對第2基板12進行分斷時，即使第1基板11之第1面11a以呈凹狀之方式撓曲，亦能防止將第1基板11分斷。
(3)第2刻劃溝槽12c，由於兩端延伸至第2基板12之外周 緣12e，因此能夠容易地對第2基板12進行分斷。藉此，由於無需將用以對第2基板12進行分斷之按壓力設成較強，因此在對第2基板12進行分斷時，能夠更確實地防止將第1基板11分斷。
(4)第1基板11，由於未形成從第1刻劃溝槽11c延伸至與第1面11a相對向之第2面11b之龜裂，因此在對第2基板12進行分斷時即使第2面側11b以呈凸狀之方式撓曲，亦能防止將第1基板11分斷。
[變形例]以上，雖已針對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於該等，只要在不脫離本發明之趣旨下，可做各種之變化。
變形例1：於第1基板11形成之第1刻劃溝槽11c，如圖8所示，亦可一端未到達第1基板11之外周緣11e。
變形例2：在上述實施形態中，第2基板12，雖第2刻劃溝槽12c之兩端延伸至第2基板12之外周緣12e，但亦可一端部或兩端未到達第2基板12之外周緣12e。
變形例3：此外，在上述實施形態中，雖藉由雷射加工形成刻劃溝槽，但刻劃溝槽之形成方法並未特別地限定於此。例如，亦可藉由切斷刀等之機械性的工具形成刻劃溝槽。
變形例4：在上述實施形態中，雖於貼合基板10形成刻劃溝槽、或對貼合基板10進行分斷時，第1及第2刻劃溝槽形成部30、40或第1及第2分斷部50、60進行移動，並未特別地限定於此。例如，亦可分斷裝置進一步具備平台移動機構，且第1及第2刻劃溝槽形成部30、40、以及第1及第2分斷部50、60在維持停止狀態下，平台移動機構僅使平台 20移動。再進一步地，亦可使第1及第2刻劃溝槽形成部30、40、第1及第2分斷部50、60、與平台20之整體移動，而於貼合基板10形成刻劃溝槽、對貼合基板10進行分斷等。
變形例5：可省略第2刻劃溝槽形成部40。於該情形，藉由第1刻劃溝槽形成部30，形成第2刻劃溝槽12c。此外，第2分斷部60亦可省略。於該情形，藉由第1分斷部50，對第1基板11進行分斷。
【實施例】
於以下揭示實施例及比較例，對本發明更具體地進行說明。另外，本發明並不限定於下述之實施例。
作為對象基板，採用了厚度0.5mm之碳酸鈉玻璃即基板1。於實施例之基板1，形成有深度120μm、兩端未到達基板1之外周緣之刻劃溝槽1c。另外，刻劃溝槽1c之兩端與基板1之外周緣之距離d，設成4mm。於比較例之基板1，雖以與實施例之基板1相同之方法形成有相同深度之刻劃溝槽1c，但該刻劃溝槽1c之兩端延伸至基板1之外周緣。
而且，如圖9所示，使滾子50a於各基板1之形成有刻劃溝槽1c之面1a上沿著刻劃溝槽1c滾動。使此時之滾子50a之壓入量就每一基板1變化，將以目視之方式確認各基板1是否分斷之結果表示於表1。另外，在表1中，「O」意指基板1未分斷，「X」意指基板1已分斷。
如表1所示，實施例之基板1，壓入量即使為1.0mm亦未分斷。相對於此，比較例之基板1，在壓入量為0.1mm下已分斷。而且，比較例之基板1，在所有之壓入量中，非沿著刻劃溝槽1c之分斷。亦即，比較例之基板1，在非分斷預定線之線分斷。
此外，將與上述實施例相同構成之基板1作為參考例1、將與上述比較例相同構成之基板1作為參考例2。然後，如圖10所示，使滾子50a於各基板1之與形成有刻劃溝槽1之面1a相對向之面1b上沿著刻劃溝槽1c滾動。使此時之滾子50a之壓入量就每一基板1變化，將以目視之方式確認各基板1是否分斷之結果表示於表2。另外，在表2中，「O」意指基板1完全地分斷；「X」意指基板1未完全地分斷，亦即，意指基板1僅一部分被分斷。可知：參考例1之基板1，為了沿著刻劃溝槽1c完全地分斷而壓入量必需為0.3mm，相對於此，參考例2之基板1，若壓入量為0.1mm則沿著刻劃溝槽1c完全地分斷。
11‧‧‧第1基板
11a‧‧‧第1面
11b‧‧‧第2面
11c‧‧‧刻劃溝槽
11d‧‧‧端部
11e‧‧‧外周緣
d‧‧‧間隔

Claims (10)

  1. 一種分斷方法，係對具有以各第1面朝向外側之方式積層之第1基板及第2基板的積層板進行分斷，其特徵在於，包含：(a)在該第1基板之該第1面，形成具有未到達該第1基板之外周緣之至少一端之第1刻劃溝槽之步驟；(b)在該第2基板之該第1面，形成第2刻劃溝槽之步驟；(c)在該步驟(a)及(b)之執行後，從該第1基板之該第1面對該積層板進行按壓並以該第2刻劃溝槽為中心使該積層板撓曲，藉此對該第2基板沿著該第2刻劃溝槽進行分斷之步驟；(d)在該步驟(c)之執行後，從該第2基板之該第1面對該積層板進行按壓並以該第1刻劃溝槽為中心使該積層板撓曲，藉此對該第1基板沿著該第1刻劃溝槽進行分斷之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之分斷方法，其中，於該步驟(a)中形成之該第1刻劃溝槽，兩端未到達該第1基板之該外周緣。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之分斷方法，其中，於該步驟(b)中形成之該第2刻劃溝槽，兩端延伸至該第2基板之該外周緣。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之分斷方法，其中，於該步驟(a)中，該第1基板，未形成從該第1刻劃溝槽延伸至與該第1面相對向之第2面之龜裂。
  5. 如申請專利範圍第3項之分斷方法，其中，於該步驟(a)中，該第1基板，未形成從該第1刻劃溝槽延伸至與該第1面相對向之第2面之龜裂。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之分斷方法，其中，該第1刻劃溝槽及 該第2刻劃溝槽之至少一方，係藉由雷射加工而形成。
  7. 如申請專利範圍第3項之分斷方法，其中，該第1刻劃溝槽及該第2刻劃溝槽之至少一方，係藉由雷射加工而形成。
  8. 如申請專利範圍第4項之分斷方法，其中，該第1刻劃溝槽及該第2刻劃溝槽之至少一方，係藉由雷射加工而形成。
  9. 如申請專利範圍第5項之分斷方法，其中，該第1刻劃溝槽及該第2刻劃溝槽之至少一方，係藉由雷射加工而形成。
  10. 一種分斷裝置，係對具有以各第1面朝向外側之方式積層之第1基板及第2基板之積層板進行分斷，其特徵在於，具備：第1刻劃溝槽形成部，係在該第1基板之該第1面，形成具有未到達該第1基板之外周緣之至少一方之端部的第1刻劃溝槽；第2刻劃溝槽形成部，係在該第2基板之該第1面，形成第2刻劃溝槽；第1分斷部，係藉由對形成有該第1及第2刻劃溝槽之該積層板，從該第1基板之該第1面進行按壓，且以該第2刻劃溝槽為中心使該積層板撓曲，而沿著該第2刻劃溝槽對該第2基板進行分斷；第2分斷部，係藉由對已將該第2基板分斷之該積層板，從該第2基板之該第1面進行按壓，且以該第1刻劃溝槽為中心使該積層板撓曲，而沿著該第1刻劃溝槽對該第1基板進行分斷。
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