TW201423846A - 光伏電池的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種形成n型擴散層的組合物和n型擴散層的製造方法，以及光伏電池的製造方法。所述組合物能夠在使用矽基板的光伏電池的製造過程中，在基板的特定部位上形成n型擴散層，而且不形成不必要的n型擴散層。根據本發明的形成n型擴散層的組合物包含含施體元素的玻璃粉末以及分散介質。n型擴散層和具有n型擴散層的光伏電池通過下列方法製備：塗佈形成n型擴散層的組合物，隨後進行熱擴散處理。

Description

光伏電池的製造方法
本發明涉及一種用於形成光伏電池(photovoltaic cell)的n型擴散層(n-type diffusion layer)的組合物，n型擴散層的製造方法，以及光伏電池的製造方法。更具體地，本發明涉及一種能夠在作為半導體基板的矽的特定部位上形成n型擴散層的技術。
以下描述矽光伏電池的相關技術製造方法。
首先，為了通過促進光學侷限效應(confinement effect)來實現高效率，製備其受光面上形成有紋理(texture)結構的p型矽基板，並且隨後將該p型矽基板在含有施體元素的化合物的三氯氧化磷(POCl3)、氮氣和氧氣的混合氣體氣氛下，在800℃至900℃的溫度進行處理幾十分鐘，從而均勻形成n型擴散層。根據此習知技術的方法，由於磷的擴散是使用混合氣體來進行，因此n型擴散層不僅形成在該表面上，而且形成在側面和後表面上。由於這些原因，需要側面蝕刻(side etching)製程來移除在側面上的n型擴散層。此外，需要將後表面的n型擴散層轉變成p+型擴散層，因此，將鋁膏賦予至後表面的n型擴散層，以藉由鋁的擴散實現n型擴散層至p+型擴散層的轉變。
其間，在半導體的製造領域中，作為含有施體元素的化合 物，提出了通過塗佈含有磷酸鹽如五氧化二磷(P2O5)或磷酸二氫銨(NH4H2PO4)的熔化液來形成n型擴散層的方法(例如，參見日本專利申請公開(JP-A)2002-75894)。另外，為了形成擴散層，將含有作為受體元素的磷的膏狀物作為擴散源而塗佈於矽基板的表面上，經由熱擴散來形成擴散層的技術亦為已知。(例如，參照日本專利申請4073968號公報)。然而，由於這些方法是施體元素或含有其的化合物為擴散源熔化液，或是自膏狀物中飛散，類似於上述使用混合氣體的氣相反應方法，在形成擴散層時，磷的擴散出現在側面和後表面上，並且n型擴散層還形成在塗佈以外的部分。
如上所述，在n型擴散層的形成中使用三氯氧化磷的氣相反應中，n型擴散層不僅形成在需要必要的n型擴散層的一個側面(通常是受光側，或表面)上，而且形成在其他面(非受光側，或後表面)或側面上。此外，甚至在包括塗佈含有含磷化合物的熔化液、或是膏狀物之後進行熱擴散的方法中，n型擴散層也甚至形成在除前表面以外的部分上，與氣相反應方法類似。因此，為了保證p-n接面(p-njunction)結構作為元件，應當蝕刻側面，並且應當對後表面進行n型擴散層至p型擴散層的轉變。通常，n型擴散層至p型擴散層的轉變通過下面的方法實現：在後表面上塗佈作為週期表的第13族(第IIIA族)元素的鋁的膏狀物，隨後燒結。此外，習知作為擴散源的含磷等的施體元 素的膏狀物的塗佈方法為：將含施體元素的化合物昇華(sublimation)氣體化，由於被認為是擴散必要以外的區域亦擴散了，因此具有難以將擴散層形成於選擇的特定區域上的缺點。
因此，本發明是考慮到由背景技術提出的以上問題而進行的，並且本發明的目的是提供一種形成n型擴散層的組合物，該組合物能夠在使用矽基板的光伏電池的製造方法中，在基板的特定部位上形成n型擴散層，而不形成不必要的n型擴散層，並且，提供一種形成n型擴散層的組成物，其在將擴散層形成於特定區域上的場合，能夠在n型擴散層的特定部位上形成n+層或n++層，提供一種n型擴散層的製造方法以及一種光伏電池的製造方法。
上述問題通過下列手段解決。
<1>一種形成n型擴散層的組合物，所述組合物包含含施體元素的玻璃粉末以及分散介質。
<2>根據<1>的形成n型擴散層的組合物，其中所述施體元素為選自磷(P)或銻(Sb)中的至少一種施體元素。
<3>根據<1>或<2>的形成n型擴散層的組合物，其中所述含施體元素的玻璃粉末含有選自P2O3、P2O5或Sb2O3中的至少一種含施體元素的材料、和選自SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及MoO3中的至少一種玻璃組分材料。
<4>根據<1>至<3>中任一項的形成n型擴散層的組合 物，更含有選自Ag、Si、Cu、Fe、Zn及Mn中的至少一種金屬。
<5>根據<4>的形成n型擴散層的組合物，其中所述金屬為銀(Ag)。
<6>一種形成n型擴散層的方法，所述方法包括：在半導體基板上塗佈<1>至<5>中任一項所述之形成n型擴散層的組合物的步驟；以及進行熱擴散處理的步驟。
<7>一種光伏電池的製造方法，所述方法包括：在半導體基板上塗佈<1>至<5>中任一項所述的形成n型擴散層的組合物的步驟；對所述基板進行熱擴散處理以形成n型擴散層的步驟；以及在所形成之n型擴散層上形成電極的步驟。
本發明能夠在使用矽基板的光伏電池的製造方法中，在基板的特定區域上形成n型擴散層，而在不必要的區域上不形成n型擴散層。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10‧‧‧p型半導體基板
11‧‧‧n型擴散層形成組合物層
12、22‧‧‧n型擴散層
13‧‧‧組合物
14‧‧‧高密度電場層
16‧‧‧抗反射膜
18‧‧‧表面電極
20‧‧‧後表面電極(電極層)
30‧‧‧匯流條電極
32‧‧‧指狀電極
圖1(1)-圖1(6)是概念地顯示本發明中的光伏電池製造方法的一個實例的橫截面圖。
圖2(A)是從前表面觀看的光伏電池的平面圖，而圖2(B)是圖2(A)的局部放大透視圖。
首先，將描述根據本發明的形成n型擴散層的組合物，然後將描述使用所述形成n型擴散層的組合物、n型擴散層的製造方法和光伏電池的製造方法。
在本說明書中「步驟(process)」的用語不僅包含獨立的步驟，亦包含當該步驟無法明確地與其他步驟區別時的場合，若該步驟能達成所預期的作用，亦被包含於本用語中。此外，在本說明書中「~」表示包括被記載於「~」的前後且分別代表最小值與最大值中的範圍。
根據本發明的形成n型擴散層的組合物至少包含含施體元素的玻璃粉末(以下通常簡稱為“玻璃粉末”)和分散介質，並且考慮到可塗布性等，還可以含有必要時的其他添加劑。
如本文中所使用的“形成n型擴散層的組合物”是指這樣的材料：該材料含有含施體元素的玻璃粉末，並且能夠在將該材料塗佈到矽基板上以後通過施體元素的熱擴散形成n型擴散層。根據本發明的在玻璃粉末中含施體元素的形成n型擴散層的組合物的使用確保了在所需部分中形成n型擴散層，而在後表面或側面上沒有形成不必要的n型擴散層。
因此，當塗佈根據本發明的形成n型擴散層的組合物時，在常規廣泛使用的氣相反應方法中所必需的側面蝕刻製程就變得不必要；因此簡化了製程。另外，用於將後表面上形成的n型擴散層轉變成p+型擴散層的製程就變得不必要。由於這些原因，在後表面上形成p+型擴散層的方法以及後表面電極的材質、形狀和厚度不受限制，並且拓寬了可應用的製造方法、材質和形狀的範圍。由於抑制了矽基板中歸因於後表面電極的厚度的內應力的出現；因此，還抑制了矽基板的翹曲，細節將在以下描述。
此外，根據本發明的形成n型擴散層的組合物中所含有的玻璃粉末經由燒結而熔融，從而形成在n型擴散層上的玻璃層。然而，常規氣相反應方法或常規的塗佈含磷酸鹽的熔化液或是膏狀物的方法也在n型擴散層上形成玻璃層，因此與常規方法類似地，在本發明中形成的玻璃層可以通過蝕刻移除。因此，甚至當與常規方法相比時，根據本發明的形成n型擴散層的組合物也不產生不必要的產物並且沒有進一步的其他製程。
此外，由於玻璃粉末中的施體成份甚至在燒結過程中也難以揮發，因此抑制了n型擴散層歸因於揮發氣體的產生而非僅只於形成在前表面上還形成在後表面或側面上。此理由被認為是：施體成份與玻璃粉末中的元素結合(鍵結)，或是被嵌入於玻璃中而難以揮發。
如上所述，由於根據本發明的形成n型擴散層的組合物可以以所需濃度在所需部分中形成n型擴散層，因此可以形成具有高n型摻雜劑濃度的選擇性區域。另一方面，一般而言難以藉由使用n型 擴散層的一般方法的氣體反應法及含磷酸鹽來形成高n型摻雜劑濃度的選擇性區域。
熔化液下面將更詳細地描述根據本發明的含施體元素的玻璃粉末。
如在本文中使用的“施體元素”是指能夠通過將其在矽基板上摻雜而形成n型擴散層的元素。作為施體元素，可以使用週期表第15族(第VA族)的元素。施體元素的實例包括P(磷)，Sb(銻)、Bi(鉍)和As(砷)。考慮到安全性，玻璃固化的便利性等，優選P或Sb。
用於將施體元素引入到玻璃粉末中的含施體元素的材料的實例包括P2O3、P2O5、Sb2O3、Bi2O3和As2O3。優選使用選自P2O3、P2O5和Sb2O3中的至少一種。
此外，必要時，可以通過調節組分比來控制含施體元素的玻璃粉末的熔融溫度，軟化點，玻璃化點，化學耐久性等。此外，優選含有以下所述玻璃組分物質(constituent matter)。
玻璃組分物質的實例包括SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、WO3、MoO3、MnO、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、TiO2、ZrO2、GeO2、TeO2和Lu2O3。優選使用選自下列各項中的至少一項：SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及MoO3。更優選使用選自下列各項中的至少一項：SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2和MoO3。
含施體元素的玻璃粉末的具體實例可列舉包含前述含施體元素的物質以及前述玻璃組成物質兩者，含受體元素的玻璃粉末可列舉包含P2O5-SiO2-系(以含施體元素的物質-玻璃組分物質的順序記載，以下相同)、P2O5-K2O-系、P2O5-Na2O-系、P2O5-Li2O-系、P2O5-BaO-系、P2O5-SrO-系、P2O5-CaO-系、P2O5-MgO-系、P2O5-BeO-系、P2O5-ZnO-系、P2O5-CdO-系、P2O5-PbO-系、P2O5-V2O5-系、P2O5-SnO-系、P2O5-GeO2-系、、P2O5-TeO2-系等的含作為施體元素物質的P2O5的系，以及包含以Sb2O3作為施體元素物質來取代前述包含P2O5系的P2O5的玻璃粉末。
此外，如同P2O5-Sb2O3系、P2O5-As2O3系等般，玻璃粉末也可以包含兩種類以上的含施體元素。
儘管在以上示出了含有兩種組分的複合玻璃，含有三種以上的物質的玻璃粉末如P2O5-SiO2-V2O5或P2O5-SiO2-CaO也是可以的。
玻璃組分材料在玻璃粉末中的含量優選考慮到熔融溫度、軟化點、玻璃化點和化學耐久性而適當地設置。通常，玻璃組分材料的含量優選為0.1質量%以上至95質量%以下，並且更優選為0.5質量%以上至90質量%以下。
具體地，當含施體元素的玻璃粉末為P2O5-V2O5-系玻璃時，考慮到降低熔融溫度或軟化點，V2O5的含量優選為1質量%至50質量%，並且更優選為3質量%至40質量%。
具體而言，例如，當玻璃含有選自SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、及 MoO3中的至少一種作為玻璃組分物質時，由於與矽基板的反應物在用氫氟酸處理時不殘留而為殘渣，因此這些玻璃是優選的。
此外，於作為玻璃組成物質的含氧化釩V2O5的玻璃(例如P2O5-V2O5系玻璃)的情況下，自降低熔融溫度及軟化點的觀點考量，V2O5的含量優選為1質量%以上至50質量%以下，並且更優選為3質量%以上至40質量%以下。
考慮到在擴散處理過程中的擴散性以及滴落(dripping)，玻璃粉末的軟化點優選在200℃至1000℃，並且更優選在300℃至900℃的範圍內。
作為玻璃粉末的形狀，可列舉大體上球狀，扁平狀，塊狀，板狀，以及鱗片狀等，基於作為形成n型擴散層的組成物的情況下對基板的塗佈性以及均勻擴散性的點來考量，較佳為大體上球狀，扁平狀，或板狀。
玻璃粉末的粒徑優選為100μm以下。當使用粒徑為100μm以下的玻璃粉末時，可以容易地得到平滑的塗膜。此外，玻璃粉末的粒徑更優選為50μm以下。又，下限並無特別的限制，較佳為0.01μm以上。
此處，玻璃的粒徑是表示平均粒徑，可藉由雷射散射繞射法(laser scattering diffraction method)粒徑分布(particle size distribution)的測定裝置來進行測定。
含施體元素的玻璃粉末根據下列步驟製備。
首先，將例如為前述含施體元素與玻璃組成物質的原料稱 重並且放入坩堝中。用於坩堝的材料的實例包括鉑、鉑-銠、銥、氧化鋁、石英和碳，其考慮到熔融溫度、氣氛、與熔融材料的反應性等而適當地選擇。
接著，將原料加熱到對應於電爐中的玻璃組合物的溫度，從而製備熔化液。此時，優選施加攪拌以使得熔化液變得均勻。
隨後，使所獲得的熔化液在氧化鋯基板或碳基板或等上流動以致使熔化液的玻璃固化。
最後，將玻璃粉碎成粉末。粉碎可以通過使用已知方法，例如使用噴射磨、珠磨或球磨進行。
含施體元素的玻璃粉末在形成n型擴散層的組合物中的含量考慮到可塗布性、施體元素的擴散性等而確定。通常，玻璃粉末在形成n型擴散層的組合物中的含量優選為0.1質量%以上至95質量%以下，並且更優選為1質量%以上至90質量%以下。進一步優選為1.5質量%以上至85質量%以下，並且最優選為2質量%以上至80質量%以下。
以下，將描述分散介質。
分散介質是將玻璃粉末分散在組合物中的介質。具體地，將粘合劑、溶劑用作分散介質。
例如，粘合劑可以適當地選自：聚乙烯醇、聚丙烯醯胺類、聚乙烯基醯胺類、聚乙烯基吡咯烷酮、聚環氧乙烷類、聚磺酸、丙烯醯胺烷基磺酸、纖維素醚類、纖維素衍生物、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、乙基纖維素、明膠、澱粉和澱粉衍生物、藻酸鈉類、蒼耳烷、 瓜耳膠和瓜耳膠衍生物、硬葡聚糖和硬葡聚糖衍生物、黃蓍膠和黃蓍膠衍生物、糊精和糊精衍生物、(甲基)丙烯酸類樹脂、(甲基)丙烯酸酯類樹脂(例如烷基(甲基)丙烯酸樹脂、二甲基胺基乙基(甲基)丙烯酸樹脂等)、丁二烯類樹脂、苯乙烯類樹脂，或它們的共聚物。其他亦可以適當地選擇矽氧烷樹脂。這些化合物可以單獨使用或以它們的兩種以上的組合使用。
粘合劑的分子量不受具體限制並且優選考慮到組合物的所需粘度而適當地調節。
溶劑的實例包括：例如丙酮、甲基乙基酮、甲基正丙基酮、甲基-異丙基酮、甲基-正丁基酮、甲基-異丁基酮、甲基-正戊基酮、甲基-正己基酮、二乙基酮、二丙基酮、二-異丁基酮、三甲基壬酮、環己酮、環戊酮、甲基環己酮、2,4-戊二酮、丙酮基丙酮、γ-丁內酯，和γ-戊內酯等酮系溶劑；例如二乙基醚、甲基乙基醚、甲基-正丙基醚(methyl-n-propyl)、二-異丙基醚、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、二噁烷(dioxane)、二甲基二噁烷、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二正丙基醚、乙二醇二丁基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇甲基乙基醚、二甘醇甲基單正丙基醚、二甘醇甲基單正丁基醚、二甘醇二正丙基醚、二甘醇二正丁基醚、二甘醇甲基單正己基醚、三甘醇二甲基醚、三甘醇二乙基醚、三甘醇甲基乙基醚、三甘醇甲基單-正丁基醚、三甘醇二正丁基醚、三甘醇甲基單正己基醚、四甘醇二甲基醚、四甘醇二乙基醚、四(二甘醇)(tetradiethylene glycol)甲基乙基醚、四甘醇甲基單正丁基醚、二甘醇二正丁基醚、四甘醇甲基單正己基醚、 四甘醇二正丁基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇二正丙基醚、丙二醇二丁基醚、一縮二丙二醇二甲基醚、一縮二丙二醇二乙基醚、一縮二丙二醇甲基乙基醚(dipropylene glycol methyl ethyl ether)、一縮二丙二醇甲基單正丁基醚、一縮二丙二醇二正丙基醚、一縮二丙二醇二正丁基醚、一縮二丙二醇甲基單正己基醚、三丙二醇二甲基醚、三丙二醇二乙基醚、三丙二醇甲基乙基醚、三丙二醇甲基單正丁基醚、三丙二醇二正丁基醚、三丙二醇甲基單正己基醚、四丙二醇二甲基醚、四丙二醇二乙基醚、四(二丙二醇)(tetradipropylene glycol)甲基乙基醚、四丙二醇甲基單正丁基醚、一縮二丙二醇二正丁基醚、四丙二醇甲基單正己基醚，和四丙二醇二正丁基醚等的醚系溶劑；例如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸正戊酯、乙酸仲戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯、乙酸苄酯、乙酸環己酯、乙酸甲基環己酯、乙酸壬酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯二甘醇單甲基醚乙酸酯、二甘醇單乙基醚乙酸酯、二甘醇單正丁基醚乙酸酯、一縮二丙二醇單甲基醚乙酸酯、一縮二丙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、甲氧基三甘醇乙酸酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯、草酸二-正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯，和乳酸正戊酯等的酯系溶劑；例如，乙二醇甲基醚丙酸酯、乙二醇乙基醚丙酸酯、乙二醇甲基醚乙酸酯、乙二醇乙基醚乙酸酯、二甘醇甲基醚乙酸酯、二甘醇乙基醚乙酸酯、二甘醇-正丁基醚乙酸酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙 二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、一縮二丙二醇甲基醚乙酸酯、和一縮二丙二醇乙基醚乙酸酯等的醚乙酸酯系溶劑；例如乙腈、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-丙基吡咯烷酮、N-丁基吡咯烷酮、N-己基吡咯烷酮、N-環己基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺，和二甲亞碸等的非質子(proton)極性溶劑；例如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、異戊醇、2-甲基丁醇、仲戊醇、叔戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、仲己醇、2-乙基丁醇、仲庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、仲辛醇、正壬醇、正癸醇、仲十一烷醇、三甲基壬醇、仲十四烷醇、仲十七烷醇、苯酚、環己醇、甲基環己醇、苄醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇、二甘醇、一縮二丙二醇、三甘醇、和三丙二醇等的醇系溶劑；例如乙二醇甲基醚、乙二醇乙基醚、乙二醇單苯基醚、二甘醇單甲基醚、二甘醇單乙基醚、二甘醇單正丁基醚、二甘醇單正己基醚、乙氧基三甘醇、四甘醇單正丁基醚、丙二醇單甲基醚、一縮二丙二醇單甲基醚、一縮二丙二醇單乙基醚、和三丙二醇單甲基醚等的乙二醇單醚溶劑；例如α-萜品烯、α-萜品醇、月桂油烯、醯化別羅勒烯(allo-ocimene)、檸檬烯、雙成烯、α-一烯蒎、β-一烯蒎、萜品醇(terpineol)、香旱芹酮、蘿勒萜(ocimene)、水芹烯等萜(terpene)系溶劑；水等。這些材料可以單獨使用或以它們的兩種以上的組合使用，作為形成n型擴散層的組合物的情況時，自對基板的塗佈性的觀點，作為較佳的溶劑可列舉α-萜品醇、二甘醇單正丁基醚、二甘醇單正丁基醚乙酸酯、較佳為α-萜品醇、二甘醇單正丁基醚。
分散介質在形成n型擴散層的組合物中的含量考慮可塗布性和施體濃度而確定。
此外，形成n型擴散層的組合物可以含有其他添加劑。其他添加劑的實例包括容易與玻璃粉末反應的金屬。
將形成n型擴散層的組合物塗佈在半導體基板上並且在高溫進行熱處理，以形成n型擴散層，在這過程中，在所述基板的表面上形成玻璃。此玻璃通過浸入酸如氫氟酸中而被移除，但是取決於玻璃的類型而可能難以移除。在這樣的情況下，通過加入Ag，Mn，Cu，Fe，Zn或Si，玻璃可以容易地在酸洗以後被移除。在它們中，優選使用選自Ag，Si，Cu，Fe，Zn和Mn中的至少一種。更優選使用選自Ag，Si和Zn中的至少一種。，特優選為使用Ag。
取決於玻璃的類型或有關的金屬的類型，優選適當地調節前述金屬的含量。通常，相對於玻璃粉末，金屬的含量優選為0.01質量%至10質量%。
以下，參考圖1(1)-圖1(6)描述根據本發明的用於形成n型擴散層的方法和用於光伏電池的製造方法。圖1(1)-圖1(6)是概念地顯示根據本發明的光伏電池的製備方法的一個實例的示意性橫截面圖。在附圖中，貫穿整個說明書，類似的數字表示類似的元件。
在圖1(1)中，將鹼性溶液賦予至作為p型半導體基板10的矽基板上，藉此移除受損層並且通過蝕刻得到紋理結構。
具體地，在從錠料切下時所致的矽表面的受損層通過使用20質量%的苛性鈉移除。然後，通過用1質量%的苛性鈉與10質量% 的異丙醇的混合物進行蝕刻而形成紋理結構(在附圖中，省略紋理結構)。通過在受光側(前表面)上形成紋理結構以促進光學侷限效應，從而光伏電池獲得高的效率。
在圖1(2)中，將形成n型擴散層的組合物塗佈在p型半導體基板10的表面上，即起受光側作用的面上，從而形成n型擴散層形成組合物層11。在本發明中，對塗佈方法沒有限制，例如可以使用印刷法，旋塗法，刷塗，噴塗，刮刀法，輥塗機法，噴墨法。
對形成n型擴散層的組合物的塗布量沒有特別限制，但是按照玻璃粉末，該量在0.01至100g/m2，並且優選0.1至10g/m2的範圍內。
此外，取決於形成n型擴散層的組合物的組成，必要時，在其塗佈以後，可能需要使組合物中含有的溶劑揮發的乾燥製程。在此情況下，乾燥在80℃~300℃的溫度進行，當使用電熱板時，進行1分鐘至10分鐘，或當使用乾燥器或類似裝置時，進行10分鐘至30分鐘。由於這些乾燥條件取決於形成n型擴散層的組合物的溶劑組成，因此本發明並不特別限於上述條件。
當使用本發明的製備方法時，後表面的p+型擴散層(高密度電場層)14的製備方法可以使用任何常規已知方法，而不限於包括使用鋁使n型擴散層至p型擴散層轉變的方法，於是拓寬了對於製備方法的選擇範圍。因此，例如，通過分配含有週期表的第13族(第IIIA族)元素如硼(B)的組合物13，可以形成高密度電場層14。
作為含有前述B(硼)等的第13族(第IIIA族)元素的組成 物13，例如，使用含受體元素的玻璃粉末來取代含施體元素的玻璃粉末，可列舉與形成n型擴散層的組成物同樣構成的形成p型擴散層的組成物。受體元素若為第13族(第IIIA族)的元素為佳，例如可舉例為B(硼)、Al(鋁)及Ga(鎵)。另外，含受體元素的玻璃粉末較佳為含有選自B2O3、Al2O3及Ga2O3中的至少一種。
此外，將形成p型擴散層的組成物賦予至基板後表面的方法，與前述的將形成n型擴散層的組成物塗佈於基板上的方法相同。
將賦予在基板後表面的形成p型擴散層的組成物，與在後述形成n型擴散層的組成物中的熱擴散處理同樣地進行熱擴散處理，藉此可於後表面上形成高密度電場層14。另，形成p型擴散層的組成物的熱擴散處理與形成n型擴散層的組成物的熱擴散處理同時進行為佳。
接著，將在其上形成有n型擴散層形成組合物層11的半導體基板10在600至1200℃的溫度進行熱擴散處理。此熱擴散處理導致施體元素進入到半導體基板中的擴散，從而形成n型擴散層12，如在圖1(3)中所示。熱擴散處理可以使用已知的連續爐、間歇爐或類似裝置進行。另外，在進行熱擴散處理時，可以用空氣、氧氣、氮氣或類似物適當地調節爐氣氛。
取決於在形成n型擴散層的組合物中含有的施體元素的含量，可以適當地選擇熱擴散的處理時間。例如，熱擴散的處理時間可以在1分鐘~60分鐘，並且優選2分鐘~30分鐘的範圍內。
由於在所形成的n型擴散層12的表面上形成由磷酸玻璃或 類似物構成的玻璃層(未示出)，因此通過蝕刻移除磷酸玻璃。蝕刻可以通過使用已知方法進行，所述已知方法包括將目標物浸入到酸如氫氟酸中的方法、將目標物浸入到鹼如苛性鈉中的方法等。
如在圖1(2)和圖1(3)中所示，使用根據本發明的形成n型擴散層的組合物以形成n型擴散層12的本發明的n型擴散層形成方法提供了在所需部位上形成n型擴散層12，而沒有在後表面或側面上形成不必要的n型擴散層。
因此，用於移除在側面上形成的不必要的n型擴散層的側面蝕刻方法在通過常規廣泛使用的氣相反應方法來形成n型擴散層的方法中是必要的，但是根據本發明的製備方法，側面蝕刻方法變得不必要，因而簡化了製程。
此外，常規製備方法需要將後表面上形成的不必要的n型擴散層轉變至p型擴散層，並且此轉變方法使用包括下列內容的方法：將作為週期表的第13族(第IIIA族)元素的鋁的膏狀物塗佈在後表面的n型擴散層上，隨後進行燒結，以將鋁擴散到n型擴散層中，由此所述n型擴散層被轉變成p型擴散層。由於在此方法中鋁的量需要高於特定程度，以實現至p型擴散層的充分轉變以及形成p+層的高密度電場層，因此必須形成厚的鋁層。然而，由於鋁的熱膨脹係數與用作基板的矽的熱膨脹係數顯著不同，因此這種差別導致在燒結和冷卻製造過程中在矽基板中產生大的內應力，這促進矽基板的翹曲。
這種內應力破壞晶體的晶粒界(crystal grain boundary)，從而導致功率損失增加的問題。此外，翹曲容易導致在光伏電池運輸 中電池的損壞，或導致在模組化處理過程中與稱為短小突出線路(tab line)的銅線的連接。近年來，切割加工技術的進步已經導致矽基板的厚度減小，這導致了電池更易於破裂的傾向。
然而，由於根據本發明的製備方法，在後表面上沒有形成不必要的n型擴散層，因此不需要n型擴散層至p型擴散層的轉變，因此這消除了使得鋁層更厚的必要性。結果，可以抑制矽基板中的內應力產生或翹曲。因此，可以抑制功率損失的增加或對電池的損壞。
此外，當使用本發明的製造方法時，後表面的p+型擴散層(高密度電場層)14的製備方法可以使用任何方法，而不限於包括使用鋁使n型擴散層至p型擴散層的轉變的方法，因而拓寬了對製備方法的選擇。
例如，使用含受體元素的玻璃粉末來取代含施體元素的玻璃粉末，將與形成n型擴散層的組合物同樣構成的形成p型擴散層的組成物塗佈在矽基板的後表面(與已塗佈形成n型擴散層的組成物的面位於相對側的面)，利用燒結處理，以在後表面形成p型擴散層(高密度電場層)為佳。
如將隨後所述，用於後表面的表面電極20的材料不限於週期表的第13族(第IIIA族)的鋁。例如，還可以使用Ag(銀)，Cu(銅)等，從而後表面的表面電極20的厚度相對於相關技術可以進一步減小。
在圖1(4)中，在n型擴散層12上形成抗反射膜16。抗反射膜16通過使用已知技術形成。例如，當抗反射膜16是氮化矽膜時， 抗反射膜16通過使用SiH4和NH3的混合氣體作為原料的等電漿(plasma)CVD方法形成。此時，氫擴散到晶體中，和擴散到對矽原子的結合沒有貢獻的軌道中，即懸鍵(dangling bond)與氫結合，這使得缺陷不活潑(氫鈍化)。
更具體地，抗反射膜16在下列條件下形成：混合氣體NH3/SiH4流量比為0.05~1.0，反應室壓力為0.1托至2托的，成膜溫度為300℃至550℃，和電漿放電的頻率為100kHz以上。
在圖1(5)中，通過絲網印刷法將用於表面電極的金屬膏印刷並塗佈在前表面(受光側)的抗反射膜16上，隨後通過乾燥以形成表面電極18。用於表面電極的金屬膏含有(1)金屬粒子和(2)玻璃粒子作為主要組分，並且必要時含有(3)樹脂粘合劑，(4)其他添加劑。
然後，在後表面的高密度電場層14上也形成後表面電極20。如之前所述，後表面電極20的材質和形成方法在本發明中沒有特別限制。例如，後表面電極20還可以通過下列方法形成：塗佈含有金屬如鋁、銀或銅的後表面電極膏，隨後乾燥。在此情況下，後表面的一部分還可以提供有用於形成銀電極的銀膏，用於在模組化處理中電池之間的連接。
在圖1(6)中，將電極燒結以完成光伏電池。當燒結在600℃~900℃範圍內的溫度進行若干秒至若干分鐘時，前表面側經歷作為絕緣膜的抗反射膜16的熔融，這歸因於在電極形成金屬膏中含有的玻璃粒子，並且矽10表面也部分熔融，由此在所述膏中的金屬粒子(例如，銀粒子)形成與矽基板10的接觸，隨後固化。以此方式，在形成 的表面電極18和矽基板10之間形成電傳導。此製程稱為火透(fire-through)。
以下，描述表面電極18的形狀。表面電極18由匯流條電極30和與匯流條電極30交叉的指狀電極32構成。圖2(A)是從前表面觀看的光伏電池的平面圖，所述光伏電池具有這樣的構造，其中表面電極18由匯流條電極30和與匯流排電極30交叉的指狀電極32構成，並且圖2(B)是圖2(A)的局部放大透視圖。
表面電極18可以例如通過下列方法形成：上述的金屬膏的絲網印刷，或電極材料的鍍敷，在高真空下電極材料通過電子束加熱的沉積，或類似方法。眾所周知，由匯流條電極30和指狀電極32構成的表面電極18被典型用作用於光接受表面側的電極，並且可以應用用於形成光接受表面側的匯流條電極和指狀電極的已知方法。
儘管以上描述了這樣的一種光伏電池，該光伏電池具有形成在前表面上的n型擴散層、形成在後表面上的p+型擴散層和設置在各個層上的前表面電極和後表面電極，但是根據本發明的形成n型擴散層的組合物的使用使得能夠製造背接觸型光伏電池。
背接觸型光伏電池意在通過在後表面上提供所有電極而增大光接受表面。即，背接觸型光伏電池需要通過在後表面上即形成n型擴散區域又形成p+型擴散區域而具有p-n接面結構。根據本發明的形成n型擴散層的組合物使得能夠在特定區域上形成n型擴散部分，因此可以優選用於背接觸型光伏電池的製備。
日本申請案第2010-013517號、日本申請案第2010-208429 號以及日本申請案第2011-005313號所揭示的所有內容是作為參照而被引用於本說明書中。
本說明書中所記載的全部文獻、日本專利申請案、以及技術規格是以與具體地且個別地記載以參照的形式引用各個文獻、日本專利申請案、以及技術規格時相同的程度，作為參照而被引用於本說明書中。
[實施例]
以下，將更詳細地描述根據本發明的實施例，但是本發明不限於所述實施例。除非具體指出，否則所使用的化學品全部是試劑級的。除非具體指出，否則“%”是指“質量%”。
[實施例1]
將20g的粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為3.5μm且軟化點為554℃的P2O5-V2O5-系玻璃(P2O5：29.6%，V2O5：10%，BaO：10.4%，MoO3：10%，WO3：30%，K2O：10%)粉末，0.3g乙基纖維素和7g乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯利用自動研缽(mortar)捏合裝置(kneading machine)混合並製成膏狀物，以製備形成n型擴散層的組合物。
玻璃粒子的形狀是使用(公司)日立高科技(HIGHTECHNOLOGIES)製造的TM-1000型掃描式電子顯微鏡觀察來觀察而判定的。玻璃的平均粒子徑是使用BECKMAN COULTER(公司)製造的LS 13 320型雷射散射繞射法(laser scattering diffraction method)粒徑分布測定裝置(測定波長：632nm)而計算出來的。玻 璃軟化點是使用(公司)島津製作所製造之DTG-60AH熱示差‧熱重同時測定裝置，根據示差熱分析(DTA)曲線而求出的。
接著，通過絲網印刷將所製備的膏狀物塗佈到p型矽基板表面上，並且在電熱板上在150℃乾燥5分鐘，形成約18μm厚度的膜層。隨後，在設定為1000℃的電爐中進行熱擴散處理10分鐘。然後，將基板浸入氫氟酸中5分鐘，以移除玻璃層，隨後用流水洗滌。一些附著的材料保留在表面上，但是可以通過用布擦拭而容易地移除。在這之後進行乾燥。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出186Ω/□的片電阻，並且通過P(磷)的擴散形成了n型擴散層，為作為光伏電池cell的充分機能的水準。另一方面，後表面表現出1,000,000Ω/□以上的不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例2]
除了熱擴散處理時間為20分鐘之外，以與實施例1相同的方式形成n型擴散層。在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出70Ω/□的片電阻和通過P(磷)的擴散形成n型擴散層。
另一方面，後表面表現出1,000,000Ω/□以上的不可測量的片電阻並且沒有形成n型擴散層。
且，片電阻是使用三菱化學(公司)製的Loresta-EPMCP-T360型的低電阻率計藉由四探針法所測定。
[實施例3]
除了熱擴散處理時間為30分鐘之外，以與實施例1相同的 方式形成n型擴散層。在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出17Ω/□的片電阻和通過P(磷)的擴散形成n型擴散層。
另一方面，後表面表現出1,000,000Ω/□以上的不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例4]
除了使用將玻璃粉末改變為粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為3.2μm且軟化點為493℃的P2O5-SnO-系玻璃(P2O5：70%，SnO：20%，SiO2：5%，CaO：5%)作為形成n型擴散層的組合物，並且進行熱擴散時的爐氣氛為氮氣之外，以與實施例1相同的方式形成n型擴散層。在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出77Ω/□的片電阻和通過P(磷)的擴散形成n型擴散層。
另一方面，後表面表現出1,000,000Ω/□以上的不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例5]
除了將玻璃粉末變為粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為2.5μm且軟化點為461℃的P2O5-ZnO-SiO2-系玻璃(P2O5：60%，ZnO：30%，SiO2：10%)作為形成n型擴散層的組合物之外，以與實施例1相同的方式形成n型擴散層。在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出10Ω/□的片電阻和通過P(磷)的擴散形成n型擴散層。
另一方面，後表面表現出1,000,000Ω/□以上的不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例6]
將與實施例1相同的19.7g的P2O5-V2O5-系玻璃(P2O5：29.6%，V2O5：10%，BaO：10.4%，MoO3：10%，WO3：30%，K2O：10%)粉末，0.3g的Ag，0.3g的乙基纖維素和7g乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯利用自動研缽捏合裝置混合並製成膏狀物，以製備形成n型擴散層的組合物。其後，以與實施例2相同的方式進行製造。
結果，洗滌後的基板沒有表現出附著於其上的玻璃材料，從而證實附著的材料容易去除。該表面表現出如實施例2中的70Ω/□的片電阻，並且後表面被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例7]
除了使用將玻璃粉末改變為粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為1.3μm且軟化點為435℃的P2O5-ZnO-系玻璃(P2O5：65%，ZnO：35%)之外，以與實施例1相同的方式形成n型擴散層。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出18Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例8]
除了使用將玻璃粉末改變為粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為2.9μm且軟化點為423℃的P2O5-ZnO-Al2O3-系玻璃(P2O5：61%，ZnO：35%，Al2O3：4%)作為形成n型擴散層的組合物之外，以與實施例1相同的方式形成n型擴散層。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出 21Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例9]
除了使用將玻璃粉末改變為粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為2.1μm且軟化點為430℃的P2O5-ZnO-Y2O3-系玻璃(P2O5：61%，ZnO：35%，Y2O3：4%)作為形成n型擴散層的組合物之外，以與實施例1相同的方式形成n型擴散層。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出25Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例10]
除了使用將玻璃粉末改變為粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為2.4μm且軟化點為395℃的P2O5-ZnO-K2O-系玻璃(P2O5：61%，znO：35%，K2O：4%)之外，以與實施例1相同的方式形成n型擴散層。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出19Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例11]
除了使用將玻璃粉末改變為粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為3.0μm且軟化點為406℃的P2O5-ZnO-K2O-Na2O-系玻璃(P2O5：62%，ZnO：35%，K2O：2%，Na2O：1%)作為形成n型擴散層的組合 物之外，以與實施例1相同的方式形成n型擴散層。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出21Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，後表面表現出不可測量的片電阻片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例12]
除了使用將玻璃粉末改變為粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為2.8μm且軟化點為470℃的P2O5-CaO-系玻璃(P2O5：83%，CaO：17%)作為形成n型擴散層的組合物之外，以與實施例1相同的方式形成n型擴散層。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出14Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例13]
除了將形成n型擴散層的組合物塗佈至矽基板的一半表面(5cm×5cm；該尺寸同樣適用於下列實施例)而不是塗佈至矽基板的整個表面，並且電爐的設置溫度為950℃之外，以與實施例7相同方式形成n型擴散層。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出38Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，沒有塗佈形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出不可測量的片電阻並且沒有形成n型擴散層，而塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分表現出n型擴散層的選擇性形成。此外，後表面表現出不可測量的 片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例14]
除了將形成n型擴散層的組合物塗佈至矽基板表面的一半表面而不是塗佈至矽基板表面的整個表面，並且電爐的設置溫度為950℃之外，以與實施例8相同方式形成n型擴散層。
塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出45Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，沒有塗佈形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出不可測量的片電阻並且沒有形成n型擴散層，而塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分表現出n型擴散層的選擇性形成。此外，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例15]
除了將形成n型擴散層的組合物塗佈至矽基板表面的一半表面而不是塗佈至矽基板表面的整個表面，並且電爐的設置溫度為950℃之外，以與實施例9相同方式形成n型擴散層。
塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出35Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，沒有塗佈形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出不可測量的片電阻並且沒有形成n型擴散層，而塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分表現出n型擴散層的選擇性形成。此外，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例16]
除了將形成n型擴散層的組合物塗佈至矽基板表面的一半表面而不是塗佈至矽基板表面的整個表面，並且電爐的設置溫度為950℃之外，以與實施例10相同方式形成n型擴散層。
塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出42Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，沒有塗佈形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出不可測量的片電阻並且沒有形成n型擴散層，而塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分表現出n型擴散層的選擇性形成。此外，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例17]
除了將形成n型擴散層的組合物塗佈至矽基板表面的一半表面而不是塗佈至矽基板表面的整個表面，並且電爐的設置溫度為950℃之外，以與實施例11相同方式形成n型擴散層。
塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出50Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，沒有塗佈形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出不可測量的片電阻並且沒有形成n型擴散層，而塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分表現出n型擴散層的選擇性形成。此外，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例18]
除了將形成n型擴散層的組合物塗佈至矽基板表面的一半表面而不是塗佈至矽基板表面的整個表面，並且電爐的設置溫度為 950℃之外，以與實施例12相同方式形成n型擴散層。
塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出38Ω/□的片電阻和通過P的擴散形成n型擴散層。另一方面，沒有塗佈形成n型擴散層的組合物的那部分的表面表現出不可測量的片電阻並且沒有形成n型擴散層，而塗佈了形成n型擴散層的組合物的那部分表現出n型擴散層的選擇性形成。此外，後表面表現出不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[實施例19]
除了使用將10g的粒子形狀呈大體上球狀、平均粒徑為1.7μm且軟化點為756℃的P2O5-SiO2-CaO系玻璃(P2O5：30%，V2O5：10%，SiO2：60%，CaO：10%)的玻璃粉末，4g乙基纖維素和86g的α-萜品醇同樣地混合製成n型擴散層的組合物之外，以與實施例1相同方式形成n型擴散層。在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出30Ω/□的片電阻和通過P(磷)的擴散形成n型擴散層。
另一方面，後表面表現出1,000,000Ω/□以上的不可測量的片電阻，被判定實質上沒有形成n型擴散層。
[比較例1]
將20g磷酸二氫銨(NH4H2PO4)粉末，3g乙基纖維素，和7g乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯混合並製成膏狀物，以製備形成n型擴散層的組合物。
接著，通過絲網印刷將所製備的膏狀物塗佈到p型矽基板表面，並且在電熱板上在150℃乾燥5分鐘。隨後，在設定為1000℃ 的電爐中進行熱擴散處理10分鐘。然後，將基板浸入氫氟酸中5分鐘，以移除玻璃層，隨後用流水洗滌並乾燥。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出14Ω/□的片電阻和通過P(磷)的擴散形成n型擴散層。另一方面，後表面表現出50Ω/□的片電阻並且還表現出形成n型擴散層。
[比較例2]
將1g磷酸二氫銨(NH4H2PO4)粉末，7g純水，0.7g聚乙烯醇，和1.5g異丙醇混合以形成溶液，從而製備形成n型擴散層的組合物。
接著，通過旋塗機(2000rpm，30秒)將所製備的熔化液塗佈到p型矽基板表面上，並且在電熱板上在150℃乾燥5分鐘。隨後，在設定為1000℃的電爐中進行熱擴散處理10分鐘。然後，將基板浸入氫氟酸中5分鐘，以移除玻璃層，隨後用流水洗滌並乾燥。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出10Ω/□的片電阻和通過P(磷)的擴散形成n型擴散層。另一方面，後表面表現出100Ω/□的片電阻並且還表現出形成n型擴散層。
[比較例3]
將1g磷酸，9g SiO2粉末，3g聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)，90g純水混合並製成膏狀物，從而製備形成n型擴散層的組合物。
接著，通過絲網印刷將所製備的膏狀物塗佈到p型矽基板表面，並且在電熱板上在150℃乾燥5分鐘。隨後，在設定為1000℃的電爐中進行熱擴散處理10分鐘。然後，將基板浸入氫氟酸中5分鐘， 以移除玻璃層，隨後用流水洗滌並乾燥。
在塗佈了形成n型擴散層的組合物的那一側的表面表現出30Ω/□的片電阻和通過P(磷)的擴散形成n型擴散層。然而，後表面表現出60Ω/□的片電阻並且還表現出形成n型擴散層。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧p型半導體基板
11‧‧‧n型擴散層形成組合物層
12‧‧‧n型擴散層
13‧‧‧組合物
14‧‧‧高密度電場層
16‧‧‧抗反射膜
18‧‧‧表面電極
20‧‧‧後表面電極(電極層)

Claims (20)

  1. 一種光伏電池的製造方法，包括：在半導體基板的至少一部分上塗佈含有含施體元素的玻璃粉末以及分散介質的形成n型擴散層的組合物；以在該半導體基板形成n型擴散領域的方式，藉由使該施體元素自該玻璃粉末往該半導體基板擴散的充分的溫度，對該形成n型擴散層的組合物所形成的該半導體基板進行加熱的加熱步驟，該含施體元素的玻璃粉末含有含施體元素材料、和選自SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、WO3、MoO3、MnO、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、TiO2、ZrO2、GeO2、TeO2和Lu2O3中的至少一種玻璃組分材料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光伏電池的製造方法，其中使該形成n型擴散層的組合物在該加熱步驟之前進行乾燥。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之光伏電池的製造方法，其中該乾燥是在80℃~300℃的範圍內的溫度被進行。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中在該加熱步驟的加熱是在600~1200℃的範圍內的溫度被進行。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中在該加熱步驟的加熱是在1分鐘~60分鐘的範圍內的時間被進行。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該半導體基板為矽基板。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該加熱步驟後，將形成於該半導體基板的表面的玻璃層移除。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該含施體元素的玻璃粉末包含選自磷(P)或銻(Sb)中至少一種的施體元素。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該含施體元素的玻璃粉末含有選自P2O3、P2O5或Sb2O3中的至少一種含施體元素材料、和選自SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及MoO3中的至少一種玻璃組分材料。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之光伏電池的製造方法，其中該含施體元素材料以29.6質量%~83質量%而被含有。
  11. 如申請專利範圍第9或10項所述之光伏電池的製造方法，其中該含施體元素的玻璃粉末中，該玻璃組分材料以0.1質量%~95質量%而被含有。
  12. 如申請專利範圍第9至11項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該含施體元素的玻璃粉末中的V2O5的含量為50質量%以下。
  13. 如申請專利範圍第9至12項中任一項所述之光伏電池的 製造方法，其中該玻璃組分材料實質上不含有V2O5。
  14. 如申請專利範圍第1至13項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該含施體元素的玻璃粉末的軟化點在200℃至1000℃的範圍。
  15. 如申請專利範圍第1至14項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該含施體元素的玻璃粉末的粒徑在100μm以下。
  16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該分散介質包含粘合劑和溶劑。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之光伏電池的製造方法，其中該粘合劑包含乙基纖維素。
  18. 如申請專利範圍第16或17項所述之光伏電池的製造方法，其中該溶劑為在80℃~300℃的範圍的溫度揮發的溶劑。
  19. 如申請專利範圍第1至18項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該形成n型擴散層的組合物中，該含施體元素的玻璃粉末是以0.1質量%~95質量%被含有。
  20. 如申請專利範圍第1至19項中任一項所述之光伏電池的製造方法，其中該形成n型擴散層的組合物中更含有容易與該含施體元素的玻璃粉末反應的金屬。
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