JP2012084898A - 太陽電池セルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の少なくとも一部に、ドナー元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有するn型拡散層形成組成物を塗布して、n型拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記半導体基板にn型拡散領域が形成されるよう、前記ガラス粉末から前記半導体基板へ前記ドナー元素が拡散するために充分な温度で、前記n型拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板を加熱する加熱工程と、を有する太陽電池セルの製造方法。
【選択図】なし
Description
まず、光閉じ込め効果を促して高効率化を図るよう、受光面にテクスチャー構造を形成したp型シリコン基板を準備し、続いてドナー元素含有化合物であるオキシ塩化リン(POCl3)、窒素、酸素の混合ガス雰囲気において800〜900℃で数十分の処理を行って一様にn型拡散層を形成する。この従来の方法では、混合ガスを用いてリンの拡散を行うため、表面のみならず、側面、裏面にもn型拡散層が形成される。そのため、側面のn型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必要であった。また、裏面のn型拡散層はp+型拡散層へ変換する必要があり、裏面のn型拡散層の上にアルミニウムペーストを付与して、アルミニウムの拡散によってn型拡散層からp+型拡散層に変換させていた。
<1> 半導体基板の少なくとも一部に、ドナー元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有するn型拡散層形成組成物を塗布して、n型拡散層形成組成物層を形成する工程と、
前記半導体基板にn型拡散領域が形成されるよう、前記ガラス粉末から前記半導体基板へ前記ドナー元素が拡散するために充分な温度で、前記n型拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板を加熱する加熱工程と、
を有する太陽電池セルの製造方法。
尚、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。
ここで、n型拡散層形成組成物とは、ドナー元素を含むガラス粉末を含有し、シリコン基板に塗布した後にこのドナー元素を熱拡散することでn型拡散層を形成することが可能な材料をいう。ドナー元素をガラス粉末中に含むn型拡散層形成組成物を用いることで、所望の部位にn型拡散層が形成され、裏面や側面には不要なn型拡散層が形成されない。
この理由として、ドナー成分がガラス粉末中の元素と結合しているか、又はガラス中に取り込まれているため、揮散しにくいものと考えられる。
ドナー元素とは、シリコン基板中にドーピングさせることによってn型拡散層を形成することが可能な元素である。ドナー元素としては第15族の元素が使用でき、例えばP(リン)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、As(ヒ素)等が挙げられる。安全性、ガラス化の容易さ等の観点から、P又はSbが好適である。
ガラス成分物質としては、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、WO3、MoO3、MnO、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、TiO2、ZrO2、GeO2、TeO2及びLu2O3等が挙げられ、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましく、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。
なお、P2O5−Sb2O3系、P2O5−As2O3系等のように、2種類以上のドナー元素含有物質を含むガラス粉末でもよい。
上記では2成分を含む複合ガラスを例示したが、P2O5−SiO2−V2O5、P2O5−SiO2−CaO等、3成分以上の物質を含むガラス粉末でもよい。
ここで、ガラスの粒径は、平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。
最初に原料、例えば、前記ドナー元素含有物質とガラス成分物質を秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金―ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられるが、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。
次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱し融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。
続いて得られた融液をジルコニア基板やカーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。
最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。
分散媒とは、組成物中において上記ガラス粉末を分散させる媒体である。具体的に分散媒としては、バインダーや溶剤が採用される。
n型拡散層形成組成物は、半導体基板上に塗布され、高温で熱処理されることでn型拡散層を形成するが、その際に表面にガラスが形成される。このガラスは、ふっ酸等の酸に浸漬して除去されるが、ガラスの種類によっては除去し難いものがある。その場合に、Ag、Mn、Cu、Fe、Zn、Si等の金属を添加しておくことにより、酸洗浄後に容易にガラスを除去することができる。これらのなかでも、Ag、Si、Cu、Fe、Zn及びMnから選択される少なくとも1種を用いることが好ましく、Ag、Si及びZnから選択される少なくとも1種を用いることがより好ましく、Agであることが特に好ましい。
詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン表面のダメージ層を20質量%苛性ソーダで除去する。次いで1質量%苛性ソーダと10質量%イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造を形成する(図中ではテクスチャー構造の記載を省略する)。太陽電池セルは、受光面(表面)側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。
上記n型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限は無いが、例えば、ガラス粉末量として0.01g/m2〜100g/m2とすることができ、0.1g/m2〜10g/m2であることが好ましい。
前記B(ボロン)等の第13族の元素を含む組成物13としては、例えば、ドナー元素を含むガラス粉末の代わりにアクセプタ元素を含むガラス粉末を用いて、n型拡散層形成組成物と同様にして構成されるp型拡散層形成組成物を挙げることができる。アクセプタ元素は第13族の元素であればよく、例えば、B(ボロン)、Al(アルミニウム)及びGa(ガリウム)等を挙げることができる。またアクセプタ元素を含むガラス粉末はB2O3、Al2O3及びGa2O3から選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。
さらにp型拡散層形成組成物をシリコン基板の裏面に付与する方法は、既述のn型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布する方法と同様である。
裏面に付与されたp型拡散層形成組成物を、後述するn型拡散層形成組成物における熱拡散処理と同様に熱拡散処理することで、裏面に高濃度電界層14を形成することができる。尚、p型拡散層形成組成物の熱拡散処理は、n型拡散層形成組成物の熱拡散処理と同時に行なうことが好ましい。
熱拡散処理時間は、n型拡散層形成組成物に含まれるドナー元素の含有率に応じて適宜選択することができる。例えば、1分間〜60分間とすることができ、2分間〜30分間であることがより好ましい。
したがって、従来広く採用されている気相反応法によりn型拡散層を形成する方法では、側面に形成された不要なn型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必須であったが、本発明の製造方法によれば、サイドエッチング工程が不要となり、工程が簡易化される。
この内部応力は、結晶の結晶粒界に損傷を与え、電力損失が大きくなるという課題があった。また、反りは、モジュール工程における太陽電池セルの搬送や、タブ線と呼ばれる銅線との接続において、セルを破損させ易くしていた。近年では、スライス加工技術の向上から、シリコン基板の厚みが薄型化されつつあり、更にセルが割れ易い傾向にある。
例えば、ドナー元素を含むガラス粉末の代わりにアクセプタ元素を含むガラス粉末を用いて、n型拡散層形成組成物と同様にして構成されるp型拡散層形成組成物を、シリコン基板の裏面(n型拡散層形成組成物を塗布した面とは反対側の面)に塗布し、焼成処理することで、裏面にp+型拡散層(高濃度電界層)14を形成することが好ましい。
また後述するように、裏面の表面電極20に用いる材料は第13族のアルミニウムに限定されず、例えばAg(銀)又はCu(銅)等を適用することができ、裏面の表面電極20の厚さも従来のものよりも薄く形成することが可能となる。
より具体的には、上記混合ガス流量比NH3/SiH4が0.05〜1.0、反応室の圧力が0.1Torr〜2Torr、成膜時の温度が300℃〜550℃、プラズマの放電のための周波数が100kHz以上の条件下で形成される。
バックコンタクト型の太陽電池セルは、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池セルでは、裏面にn型拡散部位及びp+型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要がある。本発明のn型拡散層形成組成物は、特定の部位にn型拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池セルの製造に好適に適用することができる。
粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.5μm、軟化点554℃のP2O5−V2O5系ガラス(P2O5:29.6%、V2O5:10%、BaO:10.4%、MoO3:10%、WO3:30%、K2O:10%)粉末20gと、エチルセルロース0.3gと、酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチル7gとを、自動乳鉢混練装置を用いて混合してペースト化し、n型拡散層形成組成物を調製した。
熱拡散処理時間を20分とした以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は70Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。
裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
熱拡散処理の時間を30分とした以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は17Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。
他方、裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
ガラス粉末を、粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μm、軟化点493℃のP2O5−SnO系ガラス(P2O5:70%、SnO:20%、SiO2:5%、CaO:5%)としたn型拡散層形成組成物を用い、熱拡散時の炉内雰囲気を窒素とした以外は、実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は77Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。
他方、裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
ガラス粉末を、粒子形状が略球状で、平均粒子径が2.5μm、軟化点460℃のP2O5−ZnO−SiO2系ガラス(P2O5:60%、ZnO:30%、SiO2:10%)としたn型拡散層形成組成物を用いた以外は、実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は10Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。
他方、裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
実施例1と同様のP2O5−V2O5系ガラス(P2O5:29.6%、V2O5:10%、BaO:10.4%、MoO3:10%、WO3:30%、K2O:10%)粉末19.7gと、Agを0.3gと、エチルセルロース0.3gと、酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチル7gとを、自動乳鉢混練装置を用いて混合してペースト化し、n型拡散層形成組成物を調製した。その後、実施例2と同様な操作を実施した。
その結果、洗浄後の基板にはガラスの付着物が無く、容易に除去されていた。また、表面のシート抵抗は実施例2と同様に70Ω/□で、裏面にはn型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
ガラス粉末を、粒子形状が略球状で、平均粒子径が1.3μm、軟化点435℃のP2O5−ZnO系ガラス(P2O5:65%、ZnO:35%)としたn型拡散層形成組成物を用いた以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は18Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗はで測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
ガラス粉末を、粒子形状が略球状で、平均粒子径が2.9μm、軟化点423℃のP2O5−ZnO−Al2O3系ガラス(P2O5:61%、ZnO:35%、Al2O3:4%)としたn型拡散層形成組成物を用いた以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は21Ω/□であり、Pが拡散しn形成型層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
ガラス粉末を、粒子形状が略球状で、平均粒子径が2.1μm、軟化点430℃のP2O5−ZnO−Y2O3系ガラス(P2O5:61%、ZnO:35%、Y2O3:4%)としたn型拡散層形成組成物を用いた以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は25Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
ガラス粉末を、粒子形状が略球状で、平均粒子径が2.4μm、軟化点395℃のP2O5−ZnO−K2O系ガラス(P2O5:61%、ZnO:35%、K2O:4%)としたn型拡散層形成組成物を用いた以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は19Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
ガラス粉末を、粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.0μm、軟化点406℃のP2O5−ZnO−K2O−Na2O系ガラス(P2O5:62%、ZnO:35%、K2O:2%、Na2O:1%)としたn型拡散層形成組成物を用いた以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は21Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
ガラス粉末を、粒子形状が略球状で、平均粒子径が2.8μm、軟化点470℃のP2O5−CaO系ガラス(P2O5:83%、CaO:17%)としたn型拡散層形成組成物を用いた以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は14Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
シリコン基板(5cm×5cm、以下の実施例において同様)の表面の全面ではなく半面に塗布することと、電気炉の設定温度を950℃にすること以外は実施例7と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した部分の表面のシート抵抗は38Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、n型拡散層形成組成物を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は形成されておらず、n型拡散層形成組成物を塗布した部分に選択的にn型拡散層が形成された。また、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
シリコン基板表面の全面ではなく半面に塗布することと、電気炉の設定温度を950℃にすること以外は実施例8と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した部分の表面のシート抵抗は45Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、n型拡散層形成組成物を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は形成されておらず、n型拡散層形成組成物を塗布した部分に選択的にn型拡散層が形成された。また、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
シリコン基板表面の全面ではなく半面に塗布することと、電気炉の設定温度を950℃にすること以外は実施例9と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した部分の表面のシート抵抗は35Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、n型拡散層形成組成物を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は形成されておらず、n型拡散層形成組成物を塗布した部分に選択的にn型拡散層が形成された。また、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
シリコン基板表面の全面ではなく半面に塗布することと、電気炉の設定温度を950℃にすること以外は実施例10と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した部分の表面のシート抵抗は42Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、n型拡散層形成組成物を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は形成されておらず、n型拡散層形成組成物を塗布した部分に選択的にn型拡散層が形成された。また、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
シリコン基板表面の全面ではなく半面に塗布することと、電気炉の設定温度を950℃にすること以外は実施例11と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した部分の表面のシート抵抗は50Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、n型拡散層形成組成物を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は形成されておらず、n型拡散層形成組成物を塗布した部分に選択的にn型拡散層が形成された。また、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
シリコン基板表面の全面ではなく半面に塗布することと、電気炉の設定温度を950℃にすること以外は実施例12と同様にn型拡散層形成を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した部分の表面のシート抵抗は38Ω/□であり、Pが拡散しn型拡散層が形成されていた。他方、n型拡散層形成組成物を塗布しなかった部分の表面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は形成されておらず、n型拡散層形成組成物を塗布した部分に選択的にn型拡散層が形成された。また、裏面のシート抵抗は測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
ガラス粉末を、粒子形状が略球状で、平均粒子径が1.7μm、軟化点756℃のP2O5−SiO2−CaO系ガラス(P2O5:30%、SiO2:60%、CaO:10%)とし、このガラス粉末10gと、エチルセルロース4gと、αテルピネオール86gとを同様にして混合して得たn型拡散層形成組成物を用いた以外は、実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は30Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。
他方、裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。
リン酸二水素アンモニウム(NH4H2PO4)粉末20gと、エチルセルロース3gと、酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチル7gとを混合してペースト化し、n型拡散層形成組成物を調製した。
次に、調製したペーストをスクリーン印刷によってp型シリコン基板表面に塗布し、150℃のホットプレート上で5分間乾燥させた。続いて、1000℃に設定した電気炉で10分間熱拡散処理を行い、その後ガラス層を除去するため基板をふっ酸に5分間浸漬し、流水洗浄、乾燥を行った。
リン酸二水素アンモニウム(NH4H2PO4)粉末1gと、純水7gと、ポリビニルアルコール0.7gと、イソプロピルアルコール1.5gとを混合して溶液とし、n型拡散層形成組成物を調製した。
次に、調製した溶液をスピンコータ(2000rpm、30sec)によってp型シリコン基板表面に塗布し、150℃のホットプレート上で5分間乾燥させた。続いて、1000℃に設定した電気炉で10分間熱拡散処理を行い、その後ガラス層を除去するため基板をふっ酸に5分間浸漬し、流水洗浄、乾燥を行った。
リン酸1gと、SiO2粉末9gと、ポリビニルアルコール3gと、純水90gとを混合してペースト化し、n型拡散層形成組成物を調製した。
次に、調製したペーストをスクリーン印刷によってp型シリコン基板表面に塗布し、150℃のホットプレート上で5分間乾燥させた。続いて、1000℃に設定した電気炉で10分間熱拡散処理を行い、その後ガラス層を除去するため基板をふっ酸に5分間浸漬し、流水洗浄、乾燥を行った。
n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は30Ω/□であり、P(リン)が拡散しn型拡散層が形成されていた。しかしながら、裏面のシート抵抗は60Ω/□であり、裏面にもn型拡散層が形成されていた。
12 n型拡散層
14 高濃度電界層
16 反射防止膜
18 表面電極
20 裏面電極(電極層)
30 バスバー電極
32 フィンガー電極
Claims (21)
- 半導体基板の少なくとも一部に、ドナー元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有するn型拡散層形成組成物を塗布して、n型拡散層形成組成物層を形成する工程と、
前記半導体基板にn型拡散領域が形成されるよう、前記ガラス粉末から前記半導体基板へ前記ドナー元素が拡散するために充分な温度で、前記n型拡散層形成組成物層が形成された前記半導体基板を加熱する加熱工程と、
を有する太陽電池セルの製造方法。 - 前記n型拡散層形成組成物層が、前記加熱工程の前に乾燥される、請求項1に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記乾燥が、80℃〜300℃の範囲内の温度で行われる、請求項2に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記加熱工程での加熱が、600℃〜1200℃の範囲内の温度で行われる、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記加熱工程での加熱が、1分〜600分の範囲内の時間で行われる、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記半導体基板がシリコン基板である、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記加熱工程の後に、前記半導体基板の表面に形成したガラス層を除去する、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ドナー元素を含むガラス粉末が、P(リン)及びSb(アンチモン)から選択される少なくとも1種のドナー元素を含む、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ドナー元素を含むガラス粉末が、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種のドナー元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有する、請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ドナー元素を含むガラス粉末中、前記ドナー元素含有物質が29.6質量%〜83質量%で含有される、請求項9に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ドナー元素を含むガラス粉末中、前記ガラス成分物質が0.1質量%〜95質量%で含有される、請求項9又は請求項10に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ドナー元素を含むガラス粉末中のV2O5の含有率が50質量%以下である、請求項9〜請求項11のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ガラス成分物質が実質的にV2O5を含有しない、請求項9〜請求項12のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ドナー元素を含むガラス粉末の軟化点が200℃〜1000℃の範囲である、請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ドナー元素を含むガラス粉末の粒径が100μm以下である、請求項1〜請求項14のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記分散媒がバインダーと溶剤とを含む、請求項1〜請求項15のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記バインダーがエチルセルロースを含む請求項16に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記溶剤が、80℃〜300℃の範囲の温度で揮発する溶剤である請求項16又は請求項17に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記n型拡散層形成組成物中、前記ドナー元素を含むガラス粉末が0.1質量%〜95質量%で含有される、請求項1〜請求項18のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記n型拡散層形成組成物が、前記ドナー元素を含むガラス粉末と反応しやすい金属を更に含有する、請求項1〜請求項19のいずれか1項に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ドナー元素を含むガラス粉末と反応しやすい金属が、Ag、Si、Cu、Fe、Zn及びMnから選択される少なくとも1種である、請求項20に記載の太陽電池セルの製造方法。
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