TW201421594A - 用於檢查基板之靜電之設備及製造基板之方法 - Google Patents

Abstract

一種檢查基板之靜電之設備，其包含具備與待檢查之基板大致相同形狀之探測器，探測器包含以導電材料組成之接觸面及連結探測器之接觸面及輸送探測器收集之靜電之線路，以及與線路連結之測量單元，測量單元接收來自線路之靜電及分析靜電強度。

Description

用於檢查基板之靜電之設備及製造基板之方法

實施例係關於一種檢查基板之靜電之設備及製造基板之方法。

用於平板顯示裝置(FPDs)，如有機發光顯示器、液晶顯示器(LCDs)及電漿顯示面板(PDPs)之基板在製成最終產品前須經過多道製造程序。

製程之其中之一可為利用氣體如反應氣體或液體如化學液體之流體處理製程。流體處理製程可為基板清潔製程、薄膜沉積製程、塗佈製程等。

實施例系針對一種用於檢查基板之靜電之設備，其包含具備與待檢查之基板實質上相同形狀之探測器，探測器包含以導電材料製成之接觸面、連結探測器之接觸面並輸送由探測器收集之靜電之線路、以及與線路連結之測量單元，測量單元接收來自線路之靜電及分析靜電強度。

測量單元可包含接收來自於探測器之靜電及測量靜電量之靜電量測單元、儲存參考靜電值之記憶體、以及將接收自靜電量測單元之測量靜電值與接收自記憶體之參考靜電值進行比對之比對器。

探測器可包含集合起來具有與待檢查之基板相同尺寸之複數個次探測器。

複數個線路各自連結至次探測器。

設備可進一步包含根據測量單元分析之電流強度，控制製程條件之控制單元。

實施例亦針對一種用於檢查基板之靜電之設備，其包含含有凸面及凹面之探測器，凸面及凹面至少之一係由導電材料製成之接觸面、連結至探測器之接觸面及輸送探測器收集之靜電之線路、以及與線路連結之測量單元，測量單元接收來自於線路之靜電及分析靜電強度。

測量單元可包含接收來自於探測器之靜電及測量靜電量之靜電量測單元、儲存參考靜電值之記憶體、以及將接收自靜電量測單元之測量靜電值與接收自記憶體之參考靜電值進行比對之比對器。

探測器可包含彼此相對之第一探測器及第二探測器。

探測器可為包含穿透凸面及凹面之複數個孔洞之網孔狀探測器。

探測器可包含沿一方向並排之第一探測器、第二探測器及第三探測器。第一探測器可為包含穿透凸面及凹面之複數個孔洞之網孔狀探測器。第二探測器及第三探測器可置於第一探測器之分別兩側。

設備可進一步包含根據測量單元分析之靜電強度控制製程條件之控制單元。

實施例亦針對一種製造基板之方法，包含提供具有與待檢查之基板實質上相同形狀之探測器，探測器包含以導電材料製成之接觸面，以及探測器位於基板所放置之位置，對探測器進行模擬處理製程，接收探測器之接觸面於進行之模擬處理製程中收集之靜電以及測量靜電量以得到測量靜電值，將測量靜電值與參考靜電值進行比對，以及判定測量靜電值是否大於參考靜電值。

上述方法可進一步包當測量靜電值小於參考靜電值時，於模擬處理製程之製程條件下進行真實處理製程，以及當測量靜電值大於參考靜電值時，調整用於真實處理製程之製程條件。

探測器可包含集合起來與基板具有相同尺寸並排列於平台上之複數個次探測器。

真實處理製程可為其中流體自流體噴嘴噴射之流體處理製程。

實施例亦針對一種製造基板之方法，包含放置包含凸面及凹面之探測器於待測之基板之側邊及上方上，其中凸面與凹面至少其一為以導電材料製成之接觸面；對探測器進行用於基板之模擬處理製程；接收由探測器之接觸面於進行之模擬處理製程中收集之靜電並測量靜電量以提供測量靜電值；將測量靜電值與參考靜電值進行比對；以及判定測量靜電值是否大於參考靜電值。

上述方法可進一步包含真實處理製程，當測量靜電值小於參考靜電值時，於模擬處理製程之製程條件下執行真實處理製程，及當測量靜電值大於參考靜電值，調整用於該真實處理製程之製程條件。

探測器可包含排列於基板之分別兩側以彼此相對之第一探測器及第二探測器。

探測器可為包含穿透凸面及凹面之複數個孔洞之網孔狀探測器。

探測器可包含含有穿透凸面及凹面之複數個孔洞之第一探測器，以及置於第一探測器之分別兩側之第二探測器及第三探測器。

真實處理製程可為其中流體自一流體噴嘴噴射之一流體處理製程。

1．．．輸送輪

10．．．設備

100．．．探測器

2．．．軌道

200．．．測量單元

210．．．靜電量測單元

220．．．記憶體

230．．．比對器

3．．．流體噴嘴

300．．．控制單元

4．．．基板

400．．．探測器

410．．．次探測器

420．．．次探測器

430．．．次探測器

440．．．次探測器

500．．．探測器

600．．．探測器

610．．．第一探測器

620．．．第二探測器

700．．．探測器

700a．．．孔洞

800．．．探測器

810．．．第一探測器

810a．．．孔洞

820．．．第二探測器

830．．．第三探測器

EM．．．靜電

S10．．．環摬設定操作

S20．．．探測器準備操作

S30．．．模擬處理製程操作

S40．．．靜電量測操作

S50．．．比對及決定操作

S60．．．製程操作

W．．．線路

W11．．．線路

W12．．．線路

W13．．．線路

W14．．．線路

W21．．．線路

W31．．．線路

W32．．．線路

W41．．．線路

W51．．．線路

W52．．．線路

W53．．．線路

以上及其他態樣及特徵將藉由參照附隨圖式對其例示性實施例詳細描述而變得顯而易見，其中：

第1圖係為描繪根據一實施例用於檢查基板之靜電之設備10之組成之圖。

第2圖係為第1圖所示之設備之方塊圖。

第3圖至第8圖係為根據不同實施例之用於檢查基板之靜電之設備之探測器之透視圖。

第9圖係為描繪根據一實施例製造基板之方法之流程圖。

第10圖至第12圖係為描繪根據各式實施例之檢查基板之靜電之方法之透視圖。

用於檢查基板之靜電之設備及完成基板之方法之優點及特點可藉參照較佳實施例之以下詳細描述及附隨圖式而更輕易的理解。然而，其可以許多不同形式實施且不應被解釋為受限於本文所述之實施例。相反地，提供此些實施例以使本揭露透徹並完整且充分地傳輸例示性實施例予領域內具通常知識者。

亦將了解到，當一層被表示為在另一層或基板之「上 (on)」時，其可直接位於另一層或基板上或亦可存在中間層。通篇說明書中相同標號代表相同元件。

須了解到，第一、第二、第三等用語可用於此處以描述各種構件、元件、區域、層及/或部分，這些構件、元件、區域、層或部分並不應被上述用語限制。該用語僅用來分別一構件、元件、區域、層或部分與另一構件、元件、區域、層或部分。因此，於下討論之第一構件、元件、區域、層或部分可被稱為第二構件、元件、區域、層或部分而不脫離教示。

下文中實施例將會參考附圖進行描述。

第1圖係為描繪根據一實施例用於檢查基板之靜電之設備10之組成之圖。

參考第1圖，設備10係用以檢查製造基板之製程中，所產生之靜電之設備。

基板可為用於顯示之基板。舉例而言，基板可為用於平板顯示裝置(FPDs)，如有機發光顯示器、液晶顯示器(LCDs)及電漿顯示面板(PDPs)之基板。基板可為裸基板或具像是薄膜或線路結構之基板。

此外，基板可為待製造或已製造之基板。基板可為用於單一顯示之基板或可為包含複數個單位格之母基板。母基板可分別對應單位格切割成顯示基板。進一步地，基板可為單一基板或互相接觸或分離以互相面對之二或多層基板之堆疊。

設備10可安裝為獨立設備或可附加或整合至另一基板製造設備。例示性實施例中，設備10可用於流體處理製程。舉例而言，設備10用以檢查流體處理製程前、中及/或後產生之靜電。

流體處理製程可為利用氣體如反應氣體或液體如化學液體之製程。流體處理製程之範例可為基板清潔製程、薄膜沉積製程及塗佈製程等。部分實施例中，流體處理製程可利用流體噴嘴進行。

設備10包含感知靜電之探測器100，傳輸探測器100感知之靜電之線路W，及藉由分析自探測器100接收之靜電強度以判定靜電強度是否正常之測量單元200。部分實施例中，設備10可進一步包含控制單元300，其根據測量單元200之判定結果調整製程條件。

探測器100收集包含靜電之流體並感知流體之靜電。為了可靠地感知靜電，探測器100包含擴張流體接觸面。探測器100將會於後詳細描述。

第2圖係為第1圖所示之設備10之方塊圖。參照第2圖，探測器100感知之靜電經由線路W傳送至測量單元200。測量單元200可包含靜電量測單元210、記憶體220及比對器230。

靜電量測單元210自探測器100接收靜電並測量靜電量。靜電可藉由感知電流之電壓或流量而測量。靜電之測量值被傳送至比對器230。傳送至比對器230之測量值可為測量預定期間之時間之靜電之最大值、平均值及累積量。

記憶體220可儲存參考靜電值。參考靜電值可為判定導致製程中缺陷之臨界靜電值。例示性實施例中，參考靜電值可包含複數個不同等級。舉例而言，第一等級、第二等級及第三等級可儲存為參考靜電值，其中製程在各等級之參考靜電值上無缺陷地進行之時間期間可對應於各參考電壓值。參考靜電值可提供至比對器230。

比對器230將輸入之測量靜電值與參考靜電值比較，並根據測量結果判定測量靜電值是否大於或小於參考靜電值或一定等級之參考靜電值。

可顯示比對器230之判定結果使使用者可觀察或可傳送至控制單元300。

如果比對器230判定測量靜電值小於參考靜電值，控制單元300控制製程執行而不需進行製程條件之調整。若測量靜電值不小於參考靜電值，則控制單元300調整製程條件。製程條件之調整可包含流體黏性之調整、流體噴射量之調整、流體噴射速率之調整、流體噴射角度之調整及限制製程可連續進行之時間期間。

以下將會更詳細描述用於上述設備10之不同形狀之探測器。第3圖至第8圖係為根據不同實施例之用於檢查基板之靜電之設備之之探測器之透視圖。

第3圖所示之探測器100具有與待檢查之基板大致相同之形狀與尺寸。探測器100之整體表面為接觸包含靜電之流體之表面且可以導電材料製成。由導電材料製成之流體接觸表面與線路電性連結。因此，收集之流體之靜電量可沿著線路傳輸。

第3圖之探測器100設置於與待測之基板相同之位置(如位於平台或輸送輪上)以檢查，以及於模擬處理製程中，可暴露於與真實處理製程相同之環境及製程條件。接著，可收集與於真實處理製程中所收集之流體相同或相當量之流體，並可測量流體內包含之靜電量。特別是因為探測器100之流體接觸面具有與待測基板大致相同之尺寸，可收集相當於真實處理製程中，於基板上收集並接觸基板之流體量的帶電流體量。此配置將可使靜電檢查更為直接精確。

第4圖中，第3圖之探測器100分為複數個探測器。亦即第4圖之探測器400包含四個次探測器410至440，其彼此分離且分別連結分離之線路W11至W14。次探測器410至440可比鄰排列但彼此分離。由彼此比鄰排列之次探測器410至440佔據之區域可具有與待檢查之基板大致相同之形狀與尺寸。每一次探測器410至440可獨立接觸流體並感知於模擬處理製程中流體之靜電。因此在待測基板放置處次探測器410至440可能可各自測量於基板上對應區域之靜電量。此可使靜電檢查更為精準。

第5圖之實施例與第3圖之實施例不同之處在於探測器500不似第3圖之探測器100般平整而為曲面。探測器500之凸面及凹面的至少其一用作為流體接觸表面。曲面探測器500在收集於真實處理製程中反彈於基板之流體上可具有優勢，如第11圖及第12圖所示。探測器500之流體接觸面彎曲且具足夠大之區域。因此，探測器500可能可接觸足夠之流體量。不同於第3圖之實施例，根據探測器500收集流體所測量之靜電值或許無法反應正確作用於基板上之靜電量。因此，測量之值可基於參考值或統計值校正然後輸入比對器230。

第5圖中與線路W21連結之探測器500於真實處理製程中，可設置於放置待檢查之基板之一側或上方。用於真實處理製程之基板可設置於上方位置，接著可使用探測器500進行靜電量測。使用具有較大接觸表面之探測器500收集反彈於用於真實處理製程之基板之流體。據此，可於與真實處理製程相近之環境中進行靜電檢查。進一步地，靜電檢查可與於基板上執行之流體處理製程同時進行。

第6圖中，可提供複數個第5圖之探測器500。亦即第6圖之探測器600可包含設置以相互面對且各自與分離之線路W31與W32連結之第一探測器610及第二探測器620。於真實處理製程中，第一探測器610及第二探測器620可以待檢查之基板隔開。因為第一探測器610及第二探測器620於兩位置而非於一位置，收集反彈於基板之流體，第一探測器610及第二探測器620可能可以接觸足夠之流體量。因此基於反彈於基板之流體量，靜電可被更為精確的檢查。部分實施例中，線路W31及W32可獨立連結至測量單位200或可結合並連結至測量單位200。

第7圖之實施例與第5圖之實施例不同之處在於第7圖之探測器700可為包含複數個穿透凹面及凸面之孔洞700a之網孔狀探測器。第7圖之實施例適用於反彈於基板之流體量較大之狀況。當流體壓力過高時，便不易固定第5圖之探測器500於適當位置。然而第7圖中與線路W41連結之探測器700，經由使一些流體通過孔洞700a，可減少作用於其上之壓力。因此探測器700可安裝於固定位置。雖然接觸探測器700之流體接觸面之流體量減少，仍可能可以使用參考值或統計值修正基於探測器700收集到之流體測量之靜電值。

第8圖中，可將第5圖之探測器500與第7圖之探測器700排列在一起。亦即第8圖之探測器800可包含沿一方向並排之第一探測器810、第二探測器820及第三探測器830。第一至第三探測器810至830分別與單獨線路W51至W53連接。如第7圖之探測器700，第一探測器810可為包含穿透凹面及凸面之複數個孔洞810a之網孔狀探測器。另一方面，第二探測器820及第三探測器830可各具連續面，如第5圖之探測器500。第一探測器810使一些反彈於基板之流體穿過孔洞810a，從而減少作用於第一探測器810之壓力。第二探測器820及第三探測器830分別置於第一探測器810之兩側以額外收集反彈於基板之流體。因此，第二探測器820及第三探測器830可能可以補償因為流體穿過第一探測器810之孔洞810a而造成第一探測器810收集之流體減少之量。因此，即使流體壓力過高，可能可以增加反彈於基板之流體之靜電之檢查精確度。

利用探測器100、400、500、600、700及800，根據實施例之設備10可能可精確測量製造用於大面積平板顯示器之基板之製程中產生之靜電量。

因此，根據實施例之設備10可能可更精確辨別基板上由製造用於大面積平板顯示器之基板之製程中(如流體處理製程中)之流體產生之靜電效應，並適當調整用於製造製程條件。

接下來將描述根據一實施例之製造基板之方法。

第9圖係為描繪根據一實施例製造基板之方法之流程圖。

第10圖至第12圖係為描繪根據各式實施例檢查基板之靜電之方法之透視圖。

參考第9圖，根據實施例製造之基板之方法包含用於檢查製程之環境設定操作(操作S10)、探測器準備操作(操作S20)、模擬處理製程(操作S30)、靜電量測操作(操作S40)、比對及決定操作(操作S50)及製程操作(操作S60)。

用於檢查過程之環境設定操作(操作S10)為設定應用之真實處理製程(如流體處理製程)之條件作為檢查過程之操作。製程條件之設定可包含設定流體黏性、流體之噴射速率、流體之噴射角及製程持續進行之時間期間。以下將假設真實處理製程為流體處理製程。

探測器準備操作(操作S20)為準備用於感知來自於將用於條件於環境設定操作(操作S10)設定之流體處理製程中之流體之靜電之探測器之操作。探測器可為以上參照第3圖至第8圖描述之探測器100、400、500、600、700及800中之任一。

於第3圖之探測器100之狀況中，參考第10圖，探測器100置於與軌道2一起安裝之輸送輪1上。探測器100置於與待檢查之基板相同之位置且具與基板相同之大小。因此使用探測器100可辨別流體處理製程中，作用於基板上之實際靜電量。雖然未出現於圖中，有鑑於待檢查之基板與輸送輪1間之靜電，與待檢查之基板相似之構件(如玻璃基板)可附著於探測器100底部面。於第4圖之探測器400之狀況中，雖然未出現於圖中，次探測器410至440可置於提供於輸送輪1上之平台(未繪出)上。

於第5圖之探測器500之狀況中，參考第11圖或第12圖，探測器500可置於提供於輸送輪1上之待檢查之基板4之一側或上方之位置上。置於上方之位置之探測器500可收集反彈於基板4之流體，且可以收集之流體為基礎，辨別作用於基板4之靜電量。待檢查之基板4之一側或上方之位置可為反彈於基板4之流體量相對較多之位置或探測器500可接觸來自於流體噴嘴3噴射出流體中，反彈於檢查製程於其中執行之空間的牆之流體的位置。雖然未出現於圖中，第6圖之探測器600、第7圖之探測器700及第8圖之探測器800均可與第5圖之探測器500以同一方式配置。

模擬處理製程(操作S30)中，製程於與真實處理製程相同環境中進行。舉例而言，參考第10圖，模擬處理製程(操作S30)可包含由流體噴嘴3噴射流體至輸送輪1上之探測器100之製程及利用輸送輪1移動探測器100之製程。於其他實施例中，參考第11圖及第12圖，模擬處理製程可包含由流體噴嘴3噴射流體至停止於輸送輪1上之基板4及利用輸送輪1移動基板4之製程。

靜電量測操作(操作S40)中，量測模擬處理製程(操作S30)中傳送至探測器之靜電量。舉例而言，靜電量測操作(操作S40)中，可測量當流體自第10圖中之流體噴嘴3噴射至停留在輸送輪1上之探測器100上時，傳送至探測器100之靜電量，或可測量當藉由輸送輪1於流體未自流體噴嘴3噴射之狀態下移動時傳送至探測器100之靜電量。靜電量之測量可經由包含於第2圖之測量單元200中之靜電量測單元210進行。參考第10圖，靜電量測可由感知傳送至探測器100之靜電EM電壓或靜電EM之電流量完成。於其他實施例中，參考第11圖或第12圖，靜電量測可由感知傳送至探測器500之靜電EM之電壓或靜電EM之電流量完成。

比對及判定操作(操作S50)為將靜電量測操作(操作S40)得到之測量靜電值與參考靜電值進行比對，並判定測量靜電值是否大於或小於參考靜電值或特定等級之參考靜電值。比對及判定操作(操作S50)可由包含於第2圖之測量單元200之比對器230進行。

製程操作(操作S60)為根據比對及判定操作(操作S50)之結果，控制製程不需調整製程條件或需調整製程條件地執行之操作。明確來說，若比對器230判定測量靜電值小於參考靜電值，則真實處理製程可被判定為不需調整製程操作(操作S60)中之製程條件地進行。若比對器230判定測量靜電持大於參考靜電值，則可調整用於真實處理製程之條件。處理條件之調整可包含流體黏性之調整、流體噴射量之調整、流體噴射速率之調整、流體噴射角度之調整及限制其中製程持續進行之時間期間。製程操作(操作S60)可於使用者確認比對器230之判定結果後進行，或由第2圖之控制單元300在接收比對器230之判定結果後進行。

藉由總結與回顧之方法，用於平板顯示器(FPD)之基板可能被用於流體處理製程之流體(例如，去離子水)產生之靜電或周遭環境產生靜電影響。如果基板上之靜電影響過大，可能在成品之操作上產生問題。

因此便需要於製造期間測量用於平板顯示器之基板上之靜電並調整製程條件以減少可能大幅影響基板之靜電。

實施例可提供至少一以下優點。

於根據一實施例之用於檢查基板之靜電之設備及製造基板之方法中，於製造用於大面積平板顯示裝置之基板之製程中產生之靜電量可利用具有大接觸面之探測器準確量測。

於根據一實施例之用於檢查基板之靜電之設備及製造基板之方法中，可精確辨別於製造用於大面積平板顯示裝置之基板之製程中於基板上產生之靜電之影響，且可根據辨別之效果適當地調整用於製造製程之條件。

然而，效果並不受本文所述限制。藉由參考專利範圍，上述及其他效應對於所屬技術領域之通常知識者而言將變得更顯而易見。

於詳細描述結束後，技術領域中具有通常知識者將理解的是，可在不實質上脫離其原則下，對較佳實施例作各種改變及修改。因此，揭露之較佳實施例僅用以概略及描述性而不意圖為限制。

100．．．探測器

200．．．測量單元

210．．．靜電量測單元

220．．．記憶體

230．．．比對器

300．．．控制單元

W．．．線路

Claims (21)

1. 一種用於檢查基板之靜電之設備，該設備包含：
   一探測器，其具備與待檢查之基板實質上相同之形狀，該探測器包含以一導電材料製成之一接觸面；
   一線路，連結該探測器之該接觸面及輸送由該探測器收集之靜電；以及
   一測量單元，與該線路連結，該測量單元接收來自該線路之靜電及分析靜電強度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之用於檢查基板之靜電之設備，其中該測量單元包含：
   一靜電量測單元，接收來自於該探測器之靜電及測量靜電量，
   一記憶體，儲存一參考靜電值，以及
   一比對器，將接收自該靜電量測單元之測量靜電值與接收自該記憶體之該參考靜電值進行比對。
3. 如申請專利範圍第1項所述之用於檢查基板之靜電之設備，其中該探測器包含集合起來具有與待檢查之該基板相同尺寸之複數個次探測器。
4. 如申請專利範圍第3項所述之用於檢查基板之靜電之設備，其中複數個該線路分別連結至該複數個次探測器。
5. 如申請專利範圍第1項所述之用於檢查基板之靜電之設備，進一步包含根據由該測量單元分析之靜電強度，控制製程條件之一控制單元。
6. 一種用於檢查基板之靜電之設備，該設備包含：
   一探測器，包含一凸面及一凹面，該凸面及該凹面至少之一為由一導電材料製成之一接觸面；
   一線路，連結至該探測器之該接觸面及輸送由該探測器收集之靜電；以及
   一測量單元，與該線路連結，該測量單元接收來自於該線路之靜電及分析靜電強度。
7. 如申請專利範圍第6項所述之用於檢查基板之靜電之設備，其中該測量單元包含：
   一靜電量測單元，接收來自於該探測器之靜電及測量靜電量，
   一記憶體，儲存一參考靜電值，以及
   一比對器，將接收自該靜電量測單元之測量靜電值與接收自該記憶體之該參考靜電值進行比對。
8. 如申請專利範圍第6項所述之用於檢查基板之靜電之設備，其中該探測器包含彼此相對之一第一探測器及一第二探測器。
9. 如申請專利範圍第6項所述之用於檢查基板之靜電之設備，其中該探測器為包含穿透該凸面及該凹面之複數個孔洞之一網孔狀探測器。
10. 如申請專利範圍第6項所述之用於檢查基板之靜電之設備，其中該探測器包含沿一方向並排之一第一探測器、一第二探測器及一第三探測器，其中：
    該第一探測器為包含穿透該凸面及該凹面之複數個孔洞之一網孔狀探測器，以及
    該第二探測器及該第三探測器各別置於該第一探測器之兩側上。
11. 如申請專利範圍第6項所述之用於檢查基板之靜電之設備，其中進一步包含根據由該測量單元分析之靜電強度，控制製程條件之一控制單元。
12. 一種製造基板之方法，該方法包含：
    提供具有與待檢查之一基板實質上相同形狀之一探測器，該探測器包含以一導電材料製成之一接觸面，以及該探測器位於該基板所放置之位置；
    對該探測器進行一模擬處理製程；
    接收由該探測器之該接觸面於進行之模擬處理製程中收集之靜電以及測量靜電量以提供一測量靜電值；
    將該測量靜電值與一參考靜電值進行比對；以及
    判定該測量靜電值是否大於該參考靜電值。
13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，進一步包含當該測量靜電值小於該參考靜電值時，於模擬處理製程之製程條件下進行一真實處理製程，以及當該測量靜電值大於該參考靜電值時，調整用於該真實處理製程之製程條件。
14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該探測器包含集合起來與該基板具有相同尺寸並排列於一平台上之複數個次探測器。
15. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該真實處理製程為其中流體自一流體噴嘴噴射之流體處理製程。
16. 一種製造基板之方法，該方法包含：
    放置包含一凸面及一凹面之一探測器於待測之一基板之側邊及上方上，其中該凸面與該凹面至少其一為以一導電材料製成之一接觸面；
    對該探測器進行用於該基板之一模擬處理製程；
    接收由該探測器之該接觸面於進行之該模擬處理製程中收集之靜電並測量靜電量以提供一測量靜電值；
    將該測量靜電值與一參考靜電值進行比對；以及
    判定該測量靜電值是否大於該參考靜電值。
17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，進一步包含當該測量靜電值小於該參考靜電於值時，於該模擬處理製程之製程條件下執行一真實處理製程，及當該測量靜電值大於該參考靜電值時，調整用於該真實處理製程之製程條件。
18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該探測器包含一第一探測器及一第二探測器排列於該基板之分別兩側以彼此相對。
19. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該探測器為包含穿透該凸面及該凹面之複數個孔洞之一網孔狀探測器。
20. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該探測器包含含有穿透該凸面及該凹面之複數個孔洞之一第一探測器，以及置於該第一探測器之分別兩側之一第二探測器及一第三探測器。
21. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該真實處理製程為其中流體自一流體噴嘴噴射之一流體處理製程。