CN103839848A

CN103839848A - 用于检查衬底的静电的装置及制造衬底的方法

Info

Publication number: CN103839848A
Application number: CN201310414785.2A
Authority: CN
Inventors: 安正铉; 金京孝
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2012-11-20
Filing date: 2013-09-12
Publication date: 2014-06-04
Anticipated expiration: 2033-09-12
Also published as: KR20140064444A; US9285409B2; US20140139232A1; KR101999720B1; CN103839848B; TW201421594A; TWI643278B

Abstract

本发明提供一种用于检查衬底的静电的装置及制造衬底的方法。该装置包括探针、布线和测量单元，该探针具有与需检查的衬底基本相同形状并且包括由传导性材料制成的接触表面，该布线连接至该探针的接触表面并且输送由该探针收集的静电，该测量单元连接至该布线、从该布线接收静电并且分析静电的强度。

Description

用于检查衬底的静电的装置及制造衬底的方法

技术领域

实施例涉及检查衬底的静电的装置和制造衬底的方法。

背景技术

用于诸如有机发光显示器、液晶显示器（LCD）和等离子体显示面板（PDP）之类的平板显示器（FPD）的衬底在被制成最终产品以前，经历许多制造过程。

这些制造过程之一可以是使用像反应气体这样的气体或使用像液体化学制品这样的液体的流体处理过程。流体处理过程可以是衬底清洁过程、薄膜沉积过程、涂覆过程等。

发明内容

实施例关于一种用于检查衬底的静电的装置，该装置包括探针、布线和测量单元，所述探针具有与需检查的衬底基本相同的形状，所述探针包括由传导性材料构成的接触表面，所述布线连接至所述探针的所述接触表面并且输送由所述探针收集的静电，所述测量单元连接至所述布线，所述测量单元从所述布线接收静电并且分析静电的强度。

所述测量单元可以包括静电测量单元、存储器和比较器，所述静电测量单元从所述探针接收静电并且测量静电的量，所述存储器存储参考静电值，所述比较器将从所述静电测量单元接收的测量静电值与从所述存储器接收的所述参考静电值进行比较。

所述探针可以包括多个子探针，所述多个子探针共同具有与所述需检查的衬底相同的尺寸。

所述布线可以包括分别连接至所述多个子探针的多个布线。

所述装置可以进一步包括控制单元，所述控制单元根据由所述测量单元分析的静电的强度控制过程条件。

实施例还关于一种用于检查衬底的静电的装置，该装置包括探针、布线和测量单元，所述探针包括凸出表面和凹陷表面，所述凸出表面和所述凹陷表面中至少之一是由传导性材料构成的接触表面，所述布线连接至所述探针的所述接触表面并且输送由所述探针收集的静电，所述测量单元连接至所述布线，所述测量单元从所述布线接收静电并且分析静电的强度。

所述探针可以包括面向彼此的第一探针和第二探针。

所述探针可以是包括多个孔的网眼式探针，所述多个孔穿透所述凸出表面和所述凹陷表面。

所述探针可以包括沿一方向并排布置的第一探针、第二探针和第三探针。所述第一探针可以是包括多个孔的网眼式探针，所述多个孔穿透所述凸出表面和所述凹陷表面。所述第二探针和所述第三探针可以位于所述第一探针的两侧。

实施例还关于一种制造衬底的方法，该方法包括：提供具有与需检查的衬底基本相同形状的探针，所述探针包括由传导性材料构成的接触表面，并且所述探针位于放置所述衬底的位置；向所述探针应用模拟处理过程；接收在应用所述模拟处理过程中由所述探针的所述接触表面收集的静电并且测量静电的量以提供测量静电值；将所述测量静电值与参考静电值进行比较；以及确定所述测量静电值是大于还是小于所述参考静电值。

所述方法可以进一步包括：当所述测量静电值小于所述参考静电值时在所述模拟处理过程的过程条件下执行真实处理过程，以及当所述测量静电值大于所述参考静电值时调整所述真实处理过程的过程条件。

所述探针可以包括多个子探针，所述多个子探针共同具有与所述衬底相同的尺寸并且被布置在台架上。

所述真实处理过程可以是从流体喷嘴喷射流体的流体处理过程。

实施例还关于一种制造衬底的方法，该方法包括：将包括凸出表面和凹陷表面的探针放置在需检查的衬底侧面或上方，其中所述凸出表面和所述凹陷表面中至少之一是由传导性材料构成的接触表面；向所述探针应用所述衬底的模拟处理过程；接收在应用所述模拟处理过程中由所述探针的所述接触表面收集的静电并且测量静电的量以提供测量静电值；将所述测量静电值与参考静电值进行比较；以及确定所述测量静电值是大于还是小于所述参考静电值。

所述探针可以包括第一探针和第二探针，所述第一探针和所述第二探针被布置在所述衬底的两侧以面向彼此。

所述探针可以包括第一探针、第二探针和第三探针，所述第一探针包括穿透所述凸出表面和所述凹陷表面的多个孔，所述第二探针和所述第三探针被布置在所述第一探针的两侧。

附图说明

通过对照附图详细地描述本发明的示例性实施例，上面和其它方面和特征将变得更明显，其中：

图1是图示根据实施例的用于检查衬底的静电的装置的构造的图；

图2是图1中示出的衬底检查装置的框图；

图3至图8是根据各个实施例的为用于检查衬底的静电的装置所用的探针的立体图；

图9是图示根据实施例的制造衬底的方法的流程图；以及

图10至图12是图示根据各个实施例的检查衬底的静电的方法的立体图。

具体实施方式

通过参考下面的优选实施例的详细描述和附图，特征和优势以及实现该特征和优势的方法可以更容易理解。然而，这些可以采用许多不同的形式来体现，而不应当被解释为限于这里所阐述的实施例。更确切地，提供这些实施例，使得本公开将全面且完整并且将示例性实现完整地传达给本领域的技术人员。

还应当理解，当一层被称为“位于另一层或衬底上”时，其可以直接位于另一层或衬底上或者还可以存在中间层。在整个说明书中相同的附图标记表示相同的部件。

应当理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述多个元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，下面介绍的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分，而不背离教导。

下文中，将参考附图描述实施例。

图1是图示根据实施例的用于检查衬底的静电的装置10的构造的图。

参考图1，检查装置10可以是用于检查在制造衬底的过程中生成的静电的装置。

该衬底可以是用于显示器的衬底。例如，该衬底可以是用于诸如有机发光显示器、液晶显示器（LCD）和等离子体显示面板（PDP）之类的平板显示器（FPD）的衬底。衬底可以是裸衬底或者是具有诸如薄膜和布线之类的结构的衬底。

此外，该衬底可以是正被制造的衬底或已制造的衬底。该衬底可以是用于单个显示器的衬底或者可以是包括多个单位元的母衬底。可以将母衬底切割为分别对应于单位元的显示衬底。进一步，衬底可以是单个衬底或者可以是彼此接触或被分离为面向彼此的两个或两个以上衬底的堆叠。

可以将检查装置10安装为单独的装置，或者检查装置10可以附接至或集成到另一衬底制造装置内。在示例性实施例中，检查装置10可以在流体处理过程中使用。例如，检查装置10可以用来检查在流体处理过程以前、期间和/或之后由流体处理生成的静电。

流体处理过程可以是使用像反应气体这样的气体或使用像液体化学制品这样的液体的过程。流体处理过程的示例可以包括衬底清洁过程、薄膜沉积过程和涂覆过程。在一些实施例中，可以使用流体喷嘴执行流体处理过程。

检查装置10包括探针100、布线W和测量单元200，探针100探测静电、布线W输送由探针100探测的静电，测量单元200通过分析从探针100接收的静电的强度来确定静电的强度是否正常。在一些实施例中，检查装置10可以进一步包括控制单元300，控制单元300基于测量单元200的确定结果对过程条件进行调整。

探针100收集包含静电的流体并且探测流体的静电。为了可靠地探测静电，探针100可以包括扩展的流体接触表面。下面将详细地描述探针100。

图2是图1中示出的衬底检查装置10的框图。参考图2，将由探针100探测的静电经由布线W输送至测量单元200。测量单元200可以包括静电测量单元210、存储器220和比较器230。

静电测量单元210从探针100接收静电并且测量静电的量。可以通过探测电流的量或电压对静电进行测量。将静电的测量值发送至比较器230。向比较器230发送的测量值可以是最大值、平均值和在预定的一段时间内测量的静电的累积量中的至少一种。

存储器220可以存储参考静电值。参考静电值可以是被确定为引起过程中的缺陷的临界静电值。在示例性实施例中，参考静电值可以包括多个不同的级。例如，第一级、第二级和第三级可以被存储为参考静电值，并且可以将在参考静电值的每级下能没有缺陷地执行过程的时间段与每级进行匹配。可以将参考静电值提供至比较器230。

比较器230将输入测量静电值与参考静电值进行比较并且基于比较结果确定所测量的静电值大于或小于参考静电值或参考静电值的特定级。

可以显示比较器230的确定结果，使得用户能够见到该结果或者可以将比较器230的确定结果发送至控制器300。

如果比较器230确定所测量的静电值小于参考静电值，则控制器300在不调整过程条件的情况下控制要执行的过程。如果所测量的静电值不小于参考静电值，则控制器300调整过程条件。过程条件的调整可以包括调整流体的粘度、调整所喷射的流体的量、调整流体的喷射速率、调整流体的喷射角度和限制可以连续地执行过程的时间段。

下面将更详细地描述向上面描述的检查装置10应用的各种形状的探针。图3至图8是根据各个实施例的为用于检查衬底静电的装置所用的探针的立体图。

图3中示出的探针100可以具有与需检查的衬底大致相同的形状和尺寸。探针100的整个表面是接触包含静电的流体的表面并且可以由传导性材料制成。由传导性材料制成的流体接触表面电连接至布线。因此，可以沿布线输送所收集的流体的静电。

可以将图3的探针100放置在与需检查的衬底相同的位置（例如在台架或传递辊上），并且在模拟处理过程中，图3的探针100可以暴露于与真实处理过程相同的环境和过程条件。然后，可以收集在量上与真实处理过程中收集的流体的量相等或相当的流体，并且可以测量在该流体中包含的静电的量。特别地，由于探针100的流体接触表面具有与需检查的衬底大致相同的尺寸，所以可以收集与真实处理过程中接触衬底并在衬底上收集的流体的量相当的带电流体的量。该构造可以实现更直接和准确的静电检查。

在图4中，图3的探针100可以被分成多个探针。也就是说，图4的探针400包括四个子探针410、420、430和440，这四个子探针410、420、430和440彼此分离并且分别连接至分离的布线W11、W12、W13和W14。可以将子探针410至440布置为彼此相邻但彼此分离。由被布置为彼此相邻的四个子探针410至440占据的区域可以具有与需检查的衬底基本相同的形状和尺寸。子探针410至440中每个子探针可以在模拟处理过程中单独地接触流体并且探测流体的静电。因此，在放置需检查的衬底的位置，子探针410至440可以能够分别测量该衬底的相应区域中的静电的量。这能够实现更精确的静电检查。

图5的实施例不同于图3的实施例，在图5的实施例中，图5的探针500（示为连接至布线W21）不像图3的探针100那样是平坦的，而是弯曲的。探针500的凸出表面和凹陷表面中至少之一充当流体接触表面。弯曲的探针500可以有利于收集在真实处理过程中跳离衬底的流体，如图11和图12所示。探针500的流体接触表面是弯曲的并且具有充分大的面积。相应地，探针500可以能够接触充分量的流体。与图3的实施例不同，基于由探针500收集的流体测量的静电值可能不能够准确地反映向衬底施加的静电的量。因此，可以基于参考值或统计数据修正测量值，并且然后将测量值输入比较器230。

可以将图5的探针500放置在需检查的衬底在真实处理过程中被放置的位置侧面或上方。在真实处理过程中使用的衬底可以被放置在上述位置，然后可以使用探针500测量静电。使用具有较大接触表面的探针500对跳离在真实处理过程中使用的衬底的流体进行收集。相应地，可以在接近真实处理过程的环境下执行静电检查。此外，可以与在衬底上执行的流体处理过程同时执行静电检查。

在图6中，可以提供多个图5的探针500。也就是说，图6的探针600可以包括第一探针610和第二探针620，第一探针610和第二探针620被放置为面向彼此并且分别连接至分离的布线W31和W32。在真实处理过程中需检查的衬底可以将第一探针610和第二探针620分离。因为第一探针610和第二探针620在两个位置而不是在一个位置收集跳离衬底的流体，所以探针610、620可以能够接触充分量的流体。因此，可以基于跳离衬底的流体更准确地检查静电。在一些实施例中，布线W31和W32可以独立地连接至测量单元200或者可以结合并且连接至测量单元200。

图7的实施例不同于图5的实施例，在图7的实施例中，图7的探针700（示为连接至布线W41）可以是包括多个孔700a的网眼式探针，多个孔700a穿透凸出表面和凹陷表面。图7的实施例可能在跳离衬底的流体的量大的情况下有用。如果流体压力高，则可能难以将图5的探针500固定在适当位置。然而，图7的探针700可以通过使流体中的一些通过孔700a而减少向探针施加的压力。因此，可以将探针700安装在固定位置。虽然接触探针700的流体接触表面的流体的量减少，但是可以能够使用参考值或统计数据对以由探针700收集的流体为基础测量的静电的值进行修正。

在图8中，可以将图5的探针500和图7的探针700布置在一起。也就是说，图8的探针800可以包括沿一个方向并排布置的第一探针810、第二探针820和第三探针830。第一探针810、第二探针820和第三探针830分别连接至分离的布线W51、W52和W53。与图7的探针700类似，第一探针810可以是包括穿透凸起表面和凹陷表面的多个孔800a的网眼式探针。另一方面，第二探针820和第三探针830每个可以具有连续的表面，与图5的探针500类似。第一探针810使跳离衬底的流体中的一些穿过孔810a，从而减少向第一探针810施加的压力。第二探针820和第三探针830分别放置在第一探针810的两侧，以附加地收集跳离衬底的流体。因此，第二探针820和第三探针830可以能够补偿因穿过第一探针810的孔810a的流体引起的由第一电极810收集的流体的量的减少。因此，即使流体的压力高，也可以能够以增加的精确度检查跳离衬底的流体的静电。

使用探针100、400、500、600、700和800，根据实施例的检查装置10可以能够准确地测量在制造用于大面积FPD的衬底的过程中生成的静电的量。

因此，根据实施例的检查装置10可以能够更准确地辨别在制造用于大面积FPD的衬底的过程中（例如在流体处理过程中）衬底上由流体生成的静电的影响，并且适当地调整制造过程的条件。

现在将描述根据实施例的制造衬底的方法。

图9是图示根据实施例的制造衬底的方法的流程图。

图10至图12是图示根据各实施例的检查衬底的静电的方法的立体图。

参考图9，根据实施例的制造衬底的方法包括：用于检查过程的环境设置操作（操作S10）、探针准备操作（操作S20）、模拟处理过程（操作S30）、静电测量操作（操作S40）、比较和确定操作（S50）和处理操作（操作S60）。

用于检查过程的环境设置操作（操作S10）是为作为检查过程应用的真实处理过程（例如流体处理过程）设置条件的操作。过程条件的设置可以包括：设置流体的粘度、设置流体的喷射速率、设置流体的喷射角度以及设置连续地执行过程的时间段。下面将假设真实处理过程是流体处理过程。

探针准备操作（操作S20）是准备探针的操作，以从在环境设置操作（操作S10）中设置条件的流体处理过程中使用的流体中探测静电。探针可以是上面关于图3至图8描述的探针100、400、500、600、700和800中的任一个。

在图3的探针100的情况下，参考图10，将探针100放置在与导轨2安装在一起的传递辊1上。探针100被放置在与需检查的衬底相同的位置，并且具有与衬底相同的尺寸。因此，使用探针100可以辨别在流体处理过程中向衬底施加的实际的静电量。虽然附图中未示出，但是鉴于需检查的衬底和传递辊1之间的静电，可以将与需检查的衬底类似的构件（例如玻璃衬底）附接至探针100的底部表面。在图4的探针400的情况下，虽然附图中未示出，但是可以在设置在传递辊1上的台架（未示出）上放置子探针410至440。

在图5的探针500的情况下，参考图11或图12，可以将探针500放置在设置在传递辊1上的需检查的衬底4的侧面或上方的位置。在上述位置设置的探针500可以收集跳离衬底4的流体，并且可以基于所收集的流体辨别向衬底4施加的静电的量。需检查的衬底4侧面或上方的位置可以是相对大量的流体跳离衬底4的位置或者是探针500可以接触跳离一空间的壁的流体的位置，在该空间中从喷射自流体喷嘴3的流体中执行检查过程。虽然附图中未示出，但是图6的探针600、图7的探针700和图8的探针800可以以与图5的探针500相同的方式放置。

在模拟处理过程（操作S30）中，在与真实处理过程相同的环境下执行过程。例如，参考图10，模拟处理过程（操作S30）可以包括将流体从流体喷嘴3喷射到传递辊1上的探针100的过程以及使用传递辊1移动探针100的过程。在其它实现中，参考图11和图12，模拟处理过程可以包括将流体从流体喷嘴3喷射到在传递辊1上停止的衬底4并且使用传递辊1移动衬底4的过程。

在静电测量操作（操作S40）中，测量在模拟处理过程（操作S30）中向探针输送的静电的量。例如，在静电测量操作（操作S40）中，可以测量在图10中将流体从流体喷嘴3喷射到在传递辊1上停止的探针100时向探针100输送的静电的量，或者可以测量在未从流体喷嘴3喷射流体的状态下当传递辊1移动探针100时向探针100输送的静电的量。可以由在图2的测量单元200中包括的静电测量单元210执行静电测量。参考图10，可以通过探测向探针100输送的静电EM的电压或静电EM的电流的量，实现静电测量。在其它实现中，参考图11和图12，静电测量可以通过探测向探针500输送的静电EM的电压或静电EM的电流的量来完成。

比较和确定操作（操作S50）是将在静电测量操作（操作S40）中获得的测量静电值与参考静电值进行比较并且确定所测量的静电值大于还是小于参考静电值或者参考静电值的特定级的操作。比较和确定操作（操作S50）可以由在图2的测量单元200中包含的比较器230执行。

处理操作（操作S60）是基于比较和确定操作（操作S50）的结果在不调整过程条件下或在调整过程条件下对需执行的过程进行控制的操作。具体地，如果比较器230确定所测量的静电值小于参考静电值，则可以确定在不调整处理操作（操作S60）中的过程条件的情况下执行真实处理过程。如果比较器230确定所测量的静电值大于参考静电值，则可以调整用于真实处理过程的条件。过程条件的调整可以包括调整流体的粘度、调整所喷射的流体的量、调整流体的喷射速率、调整流体的喷射角度和限制连续地执行过程的时间段。处理操作（操作S60）可以在用户检查比较器230的确定结果以后由用户执行，或者可以在控制单元300接收比较器230的确定结果以后由图2的控制单元300执行。

作为归纳和回顾，用于平板显示器（FPD）的衬底可能受在流体处理过程中使用的流体（例如去离子的水）生成的静电或由周围环境生成的静电影响。如果衬底上的静电影响大，则最终产品的操作可能存在问题。

因此，可能想要在制造过程期间测量用于平板显示器的衬底的静电并且调整过程条件，以减少可能非常影响衬底的静电。

实施例可以提供下面优势中的至少一种。

在根据实施例的用于检查衬底的静电的装置中和制造衬底的方法中，可以使用具有大接触面积的探针准确地测量在制造用于大面积FPD的衬底的过程中生成的静电的量。

在根据实施例的用于检查衬底的静电的装置和制造衬底的方法中，在制造用于大面积FPD的衬底的过程中生成的静电对衬底的影响可以更准确被辨别，并且可以基于所辨别的影响适当地调整制造过程的条件。

然而，效果不局限于本文提出的那种。通过参考权利要求，上面和其它效果将对与实施例有关的领域的普通技术人员更清楚。

在总结具体实施方式时，本领域的技术人员将理解，可以在实质不背离本发明的原理的情况下对优选实施例进行许多改变和修改。因此，仅从通常的和描述性的意义上使用所公开的优选实施例，所公开的优选实施例不用于限制用途。

Claims

1.一种用于检查衬底的静电的装置，所述装置包括：

探针，具有与需检查的衬底相同的形状，所述探针包括由传导性材料制成的接触表面；

布线，连接至所述探针的所述接触表面并且输送由所述探针收集的静电；以及

测量单元，连接至所述布线，所述测量单元从所述布线接收静电并且分析静电的强度。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述测量单元包括：

静电测量单元，从所述探针接收静电并且测量静电的量；

存储器，存储参考静电值；以及

比较器，将从所述静电测量单元接收的测量静电值与从所述存储器接收的所述参考静电值进行比较。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述探针包括多个子探针，所述多个子探针共同具有与所述需检查的衬底相同的尺寸。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述布线包括分别连接至所述多个子探针的多个布线。

5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括控制单元，所述控制单元根据由所述测量单元分析的静电的强度控制过程条件。

6.一种用于检查衬底的静电的装置，所述装置包括：

包括凸出表面和凹陷表面的探针，所述凸出表面和所述凹陷表面中至少之一是由传导性材料制成的接触表面；

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述测量单元包括：

静电测量单元，从所述探针接收静电并且测量静电的量；

存储器，存储参考静电值；以及

8.根据权利要求6所述的装置，其中所述探针包括面向彼此的第一探针和第二探针。

9.根据权利要求6所述的装置，其中所述探针是包括多个孔的网眼式探针，所述多个孔穿透所述凸出表面和所述凹陷表面。

10.根据权利要求6所述的装置，其中所述探针包括沿一方向并排布置的第一探针、第二探针和第三探针，其中：

所述第一探针是包括多个孔的网眼式探针，所述多个孔穿透所述凸出表面和所述凹陷表面；以及

所述第二探针和所述第三探针位于所述第一探针的两侧。

11.根据权利要求6所述的装置，进一步包括控制单元，所述控制单元根据由所述测量单元分析的静电的强度控制过程条件。

12.一种制造衬底的方法，所述方法包括：

提供具有与需检查的衬底相同形状的探针，所述探针包括由传导性材料构成的接触表面，并且所述探针位于放置所述衬底的位置；

向所述探针应用模拟处理过程；

接收在应用所述模拟处理过程中由所述探针的所述接触表面收集的静电，并且测量静电量，以提供测量静电值；

将所述测量静电值与参考静电值进行比较；以及

确定所述测量静电值是大于还是小于所述参考静电值。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：当所述测量静电值小于所述参考静电值时在所述模拟处理过程的过程条件下执行真实处理过程，当所述测量静电值大于所述参考静电值时调整所述真实处理过程的过程条件。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述探针包括多个子探针，所述多个子探针共同具有与所述衬底相同的尺寸并且被布置在台架上。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述真实处理过程是从流体喷嘴喷射流体的流体处理过程。

16.一种制造衬底的方法，所述方法包括：

将包括凸出表面和凹陷表面的探针放置在需检查的衬底侧面或上方，其中所述凸出表面和所述凹陷表面中至少之一是由传导性材料构成的接触表面；

向所述探针应用所述衬底的模拟处理过程；

接收在应用所述模拟处理过程中由所述探针的所述接触表面收集的静电，并且测量静电的量，以提供测量静电值；

将所述测量静电值与参考静电值进行比较；以及

确定所述测量静电值是大于还是小于所述参考静电值。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：当所述测量静电值小于所述参考静电值时在所述模拟处理过程的过程条件下执行真实处理过程，当所述测量静电值大于所述参考静电值时调整所述真实处理过程的过程条件。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述探针包括第一探针和第二探针，所述第一探针和所述第二探针被布置在所述衬底的两侧以面向彼此。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述探针是包括多个孔的网眼式探针，所述多个孔穿透所述凸出表面和所述凹陷表面。

20.根据权利要求16所述的方法，其中所述探针包括第一探针、第二探针和第三探针，所述第一探针包括穿透所述凸出表面和所述凹陷表面的多个孔，所述第二探针和所述第三探针被布置在所述第一探针的两侧。

21.根据权利要求17所述的方法，其中所述真实处理过程是从流体喷嘴喷射流体的流体处理过程。