TW201419611A - 將屏蔽箔分割之方法及系統 - Google Patents

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Abstract

提供一種將連續屏蔽箔分割之方法及系統，將連續屏蔽箔分割為一屏蔽箔區段，可不需要暴露屏蔽箔區段中的有機層而切割。靠近屏蔽箔區段的一周長，形成一溝槽。該溝槽延伸貫穿該有機層，且被一封裝材料封裝，形成一密封溝槽。當切割屏蔽箔區段時，該密封溝槽可防止水氣與/或氧氣，抵達在屏蔽箔區段中的有機材料。因此，提供一密封屏蔽箔區段。

Description

將屏蔽箔分割之方法及系統
本發明關於一種將屏蔽箔區段分割之方法及系統，由一連續屏蔽箔分割一屏蔽箔區段。本發明進一步關於該屏蔽箔本身。
屏蔽箔應用在製造元件堆疊，去保護敏感的構件或材料，不受環境影響。在一例中，一有機層夾在屏蔽箔之間，去防止水氣與/或氧氣滲漏到有機層中。例如，有機層可能為一有機發光元件(organic light emitting device)、有機光伏元件(organic phovoltaic device)或其他水氣與/或氧氣敏感構件的一部分。
大批元件堆疊可便利地用捲對捲製程(roll-to-roll,R2R)或捲對片製程(roll-to-sheet,R2S)。典型地，此種製程牽涉提供一連續基板，習知為“捲筒(web)”，且經由各式各樣製造過程傳送基板，例如，在基板上牽涉沉積各式各樣材料。在一例中，一基板可形成一連續屏蔽箔，該連續屏蔽箔包含一連續層狀結構，具有夾在屏蔽箔之間的一有機層。
為了轉換一連續屏蔽箔成有用的元件構件，需要分割連續屏蔽箔成一個個區段。然而，只簡單的分割屏蔽箔， 可能在切割屏蔽箔之處，造成區段邊緣的有機層暴露。
US 7,033,850 B2揭露在撓性基板上製作有機發光二極體的方法。該方法包含：提供撓性基板，在撓性基板上形成複數個薄膜層，去製造一有機發光二極體，配置撓性基板在屏蔽基底上，且配置屏蔽罩在基板及屏蔽基底上。雷射密封屏蔽基底，到覆蓋整個塗佈基板的屏蔽。在形成密封的過程中，切割塗佈基板。現在，封裝包括屏蔽罩、屏蔽基底及塗佈基板，繼續前進，直到切割貫穿屏蔽罩及屏蔽基底。不幸地，這個方法在所有例子中不一定符合要求，例如，在堆疊中有脆性無機層或交聯非回流有機層。
需要一個將屏蔽箔區段分割之改良方法及系統，由一連續屏蔽箔分割一屏蔽箔區段。進一步需要改良的屏蔽箔區段。
在第一型態中，根據申請專利範圍第1項，提供一種方法。特別是提供一種將屏蔽箔區段分割的方法，一屏蔽箔區段由一連續的屏蔽箔中分割。沿著一預定義區段周長，穿過該連續屏蔽箔，屏蔽箔區段由該連續屏蔽箔被切割。該連續屏蔽箔包含一連續層狀結構，該連續層狀結構包含一有機層，夾在屏蔽層之間。該方法包含提供該連續屏蔽箔，且部分切割穿過該連續屏蔽箔，在該連續屏蔽箔中，靠近該區段周長形成一伸長溝槽。該伸長溝槽由該連續屏蔽箔一面延伸，直到至少貫穿該有機層。該方法進一步包含沉積一密封材料到該伸長溝槽中，因此靠近該區段周長，形成一密封溝槽。該些屏蔽層及 該密封溝槽，佈置在該有機層至少一部分，去隔絕一有機材料。此外，經由該密封溝槽，該些屏蔽層及該密封溝槽，適合去預防使用時外部水氣與/或氧氣，抵達該有機材料。
以此方法，提供一屏蔽箔，沿著該區段周長，靠近該密封溝槽可切割屏蔽箔，在該有機層至少一部分，不暴露該有機材料。挖一溝槽，不完全割斷該箔片，允許維持處理連續薄片的優點。這可改良生產量，如在捲對捲製程中。在接著的密封製程中，該溝槽作為一方便的容器，例如，包含密封材料的液體或粉末先質，可沉積到該溝槽中，且其後固化。可增進使用不同的所要密封材料的可能性。由溝槽尺寸的變化，在被保護的有機層和外部環境之間，密封材料數量可能不同。可改良調和密封容量。該溝槽可能如所需挖的深，使此方法也可應用到較厚的箔片，其中如一起融合該屏蔽的其他製程是不可能的。可改良密封不同種類屏蔽箔的容量。
在第二型態中，根據申請專利範圍第9項，提供一種系統。特別是提供一種將屏蔽箔區段分割的系統，佈置為該屏蔽箔區段由一連續屏蔽箔分割。該系統包含一箔片提供裝置、一溝槽形成裝置、一溝槽密封裝置以及一控制器。該控制器佈置為控制該箔片提供裝置，去提供該連續屏蔽箔，其中該連續屏蔽箔包含一連續層狀結構，該連續層狀結構包含一有機層，夾在屏蔽層之間。該控制器進一步配置為控制該溝槽形成裝置，去部分切割穿過該連續屏蔽箔，在該連續屏蔽箔裡形成一伸長溝槽。該伸長溝槽靠近一預定義區段周長，在該連續屏蔽箔上延展。該伸長溝槽進一步由該連續屏蔽箔一面延展，直 到至少貫穿該有機層。該控制器進一步配置去控制該溝槽密封裝置，去沉積一密封材料到該伸長溝槽裡。因此形成靠近該區段周長的一密封溝槽。當沿著該預定義區段周長，穿過該連續屏蔽箔，該屏蔽箔區段由該連續屏蔽箔切割時，該密封溝槽及該些屏蔽層，佈置在該有機層至少一部分，去隔絕一有機材料，且適合去預防使用時外部水氣與/或氧氣，抵達該有機材料。
此系統可製造屏蔽箔，沿著該區段周長，靠近該密封溝槽可切割屏蔽箔，在該有機層至少一部分，不暴露該有機材料。根據第一型態方法的優點，可類似地應用到根據第二型態的系統。
在第三型態中，根據申請專利範圍第12項，提供一種屏蔽箔區段。特別是提供一種屏蔽箔區段，包含一層狀結構，該層狀結構包含一有機層，夾在屏蔽層之間。屏蔽箔區段包含一密封溝槽，靠近該屏蔽箔區段的一周長。藉由一伸長溝槽由該屏蔽箔區段的一面，部分貫穿該屏蔽箔區段延伸，直到至少貫穿該有機層，形成該密封溝槽。該伸長溝槽以一密封材料填充。該密封溝槽及該些屏蔽層，佈置在該有機層至少一部分，去隔絕一有機材料。該密封溝槽及該些屏蔽層，適合去預防使用時外部水氣與/或氧氣，抵達該有機材料。
根據第三型態的屏蔽箔區段，藉由根據第一型態的方法或根據第二型態的系統，可方便地製造。和其他習知屏蔽箔相比，優點可包括製造屏蔽箔區段可能更耐用與/或便宜。
10‧‧‧連續屏蔽箔
10a‧‧‧面
10’‧‧‧剩餘部分
11‧‧‧屏蔽層
12‧‧‧有機層
12m‧‧‧有機材料
13‧‧‧屏蔽層
14‧‧‧基板
15‧‧‧區段周長
15’‧‧‧切割
16‧‧‧伸長溝槽
16a‧‧‧溝槽底部
16b‧‧‧伸長溝槽
17‧‧‧密封溝槽
17a‧‧‧密封溝槽
17b‧‧‧密封溝槽
17c‧‧‧密封溝槽
17d‧‧‧液滴
17m‧‧‧密封材料
17t‧‧‧頂面
18‧‧‧密封邊緣
19‧‧‧氧氣
20‧‧‧屏蔽箔區段
20a‧‧‧底部屏壁結構
20b‧‧‧頂部屏壁結構
21‧‧‧外周長
22‧‧‧外周長
23‧‧‧一側
25‧‧‧支持層
27‧‧‧種子層
27s‧‧‧無機膜
27t‧‧‧無機層
28‧‧‧附著層
30‧‧‧元件堆疊
31‧‧‧電光層
37‧‧‧密封材料
50‧‧‧箔片提供裝置
51‧‧‧層沉積裝置
52‧‧‧溝槽形成裝置
53‧‧‧溝槽密封裝置
54‧‧‧箔片切割裝置
54d‧‧‧方向
55‧‧‧環境控制系統
56‧‧‧封閉區間
57‧‧‧無機粉末
57’‧‧‧燒結的材料
60‧‧‧箔片提供裝置
61‧‧‧方向
67‧‧‧有機填料
70‧‧‧控制器
77‧‧‧吸氣器粒子
80‧‧‧雷射
81‧‧‧雷射光束
82‧‧‧雷射光束
83‧‧‧雷射光束
87‧‧‧混合物
91‧‧‧方向
97‧‧‧施體基板
100‧‧‧系統
101‧‧‧加工系統
α‧‧‧角度
本發明之裝置、系統及方法的這些和其他特徵、型態及優點，由下列描述、附加的申請專利範圍和附隨圖示，可更容易了解，其中：
圖1繪示一種將屏蔽箔區段分割的方法之實施例，一屏蔽箔區段由一連續的屏蔽箔中分割。
圖2繪示另一實施例步驟，將屏蔽箔區段由一連續的屏蔽箔中分割。
圖3繪示一屏蔽箔區段由一連續的屏蔽箔中分割的剖面圖，為將屏蔽箔區段由一連續的屏蔽箔中分離方法又另一實施例之一步驟。
圖4繪示一系統，配置去將屏蔽箔區段由一連續的屏蔽箔中分離。
圖5繪示一區段周長的一實施例之立體圖。
圖6繪示一區段周長的另一實施例之立體圖。
圖7繪示一實施例步驟，使用雷射將屏蔽箔區段由一連續的屏蔽箔中分割。
圖8繪示填充溝槽的一實施例。
圖9繪示填充溝槽的另一實施例。
圖10繪示填充溝槽的另一實施例。
圖11繪示密封溝槽的一實施例。
圖12繪示密封溝槽的另一實施例。
圖13繪示一有機發光二極體或有機光伏元件堆疊，包含箔區段。
除非另外定義，否則在此使用的所有術語(包括技術和科學術語)，如本領域中具通常知識者普遍所了解，及讀到屬於本發明內文之實施方式及圖式，具有相同意義。進一步了解該些術語，如同普遍使用的字典中所定義，需解釋為具有一意義，和相關技術內文中意義一致，且不解釋為理想或過度正式的觀念，除非在此表達的定義如此。在一些例子，習知元件和方法的實施方式可省略，以便不模糊本系統及方法的描述。專門詞彙用來描述特定實施例，旨不在限於本發明。如在此使用，單數形不定冠詞(“a”,“an”)和定冠詞(“the”)旨在也包括複數形，除非內文清楚指示其他的意義。進一步了解，術語“包含”(comprises and/or comprising)，指明陳述的特徵出現，但不排除一個或多個其他特徵的出現或附加。在此提到的所有出版品、專利申請案、專利及其他參考，整體引入作為參考。為避免衝突，需控制包含定義的本說明書。
術語“箔”，參照為片，包含一個或多個材料層。最佳地，箔是撓性的，使得可用在捲對捲或捲對片製程中。為此種目的，箔可視為撓性的，如果它可以捲起或彎曲，超過50公分(cm)或更小的曲率半徑，而不損失基本的功能，例如，屏蔽與/或電性。或者，如果它具有撓曲剛性小於500帕/立方米(Pa．m3)，或連接箔可視為撓性的。
術語“屏蔽箔”參照為箔，功能如同屏蔽，對抗如水氣與/或氧氣的環境影響。屏蔽箔可隔絕敏感性材料或構件，由上述環境影響中分離。屏蔽箔可包含一或多個屏蔽層，屏蔽層具有對上述環境影響的低穿透率。典型地，屏蔽層由無機材 料形成。如果屏蔽層大幅延緩下層的層因外界水氣與/或氧氣影響造成的的惡化，則認為屏蔽層的穿透率低。對本應用，在標準大氣壓下純水蒸氣穿透率(WVTR)，屏蔽每平方公尺每天為10-5克水之下，則穿透率低。二擇一或附加地，對本應用屏蔽的氧氣穿透率每平方公尺每天小於一毫升(ml)，穿透率視為低。
術語“使用時”，如參照為屏蔽箔或屏蔽層的使用，旨在蘊涵正常或平均條件，其中當使用者，如終端使用者，會使用箔片或包含箔片的元件。在此種情況，箔片可能遭受正常(平均)周圍或大氣條件，如水氣、氧氣水準、壓力、溫度等等。佈置屏蔽層去防止使用時的水氣與/或氧氣抵達有機層，因此適於防止或大體上延緩外界周圍水氣與/或氧氣抵達有機層，否則水氣與/或氧氣可能損傷有機層。以此方式，有機層與/或元件的壽命可在正常使用下延長，如兩倍或更多，最佳是十倍或更多。當然，屏蔽層密封的性質可能遵守更嚴格的條件，如也適於更極端條件，例如在水裡使用元件或箔片。須注意如箔片溫度和使用有關，如元件包含箔片，可能加熱箔片，在箔片屏蔽性質上有不利的效應。
在典型的生產過程，屏蔽層可由一個或多個極化層分離，提供平坦化的表面，在其上沉積屏蔽層。平坦層可包含有機材料。在一例子中，平坦化的有機塗佈(OCP)夾在兩屏蔽層之間，形成單二元體屏蔽箔。屏蔽箔內的有機材料也偏好不受環境影響。二擇一或附加地，有機材料本身作為部分的屏蔽，如包含水氣吸氣器。當把屏蔽箔切成較小的屏蔽箔區段， 在暴露到環境影響中之前，偏好先密封區段的切割邊緣。
術語“連續的”，如同在“連續的箔片”中，參照為箔片包含一個或多個連續的或無分段的層。沿著箔片一個或多個維度，連續層包含高度平移對稱性。連續箔片也可能包含連續和非連續層的組合。當切割連續的箔片時，一個或多個連續層可能在切割邊緣暴露，如在切割連續的屏蔽箔的例子中。在切割之前，連續箔片可分成多個箔片區段。
術語“分割”，如同在“分割箔片”，參照為將連續箔片區段化成為箔片區段。分割箔片包含預備箔片被切割的步驟，但不一定需要包括切割箔片本身的步驟。箔片的一個或多個連續層，特別是有機層可分割為可分離的區段。靠近預定義區段周長，沿著箔片區段要被切割的周長，藉由預先密封邊緣，準備欲切割的箔片區段。
術語“箔片區段”可參照為連續箔片已被分割的一部分。箔片區段可由連續箔片切下或仍為連續箔片的一部分。在一例中，連續箔片在捲對捲製程中可分割為箔片區段，不需要完全由另一個箔片區段切下。這樣分割的箔片區段可以更容易放回一捲中。具有分割的箔片區段捲在後續捲對片的製程中可切成分離的箔片區段。在另一例中，在單個捲對片的製程中連續箔片接著分割且切割。又另一個子中，一片連續箔片(不需要在捲上)可分割為箔片區段，可選擇性地由一片連續的箔片切割，如在片對片製程中。
例如，連續層可形成在連續的生產過程中。連續箔片可能特別適合在捲對捲製程中生產或進一步在捲對捲或捲 對片製程中處理。在一例中，由第一捲供應基板，且通過一層沉積製程，在被捲回第二捲(捲對捲)之前，去形成連續層在基板上。
例如，非連續層可能形成在牽涉分離步驟的生產過程。在一例中，連續箔片由一捲供應，且通過圖案沉積裝置，施加分離的圖案，例如在連續箔片上的電路道。在另一例，分離的構件可置放在連續箔片上。二擇一或附加地，連續箔片可切割成分離片，其中每片形成一個元件構件。
典型的屏蔽層可能包含氮化矽(“SiN”)，如厚度在50至200奈米(nm)之間。也有另一個合適的材料和層厚度，如技術人員所習知，用關於水蒸氣與/或氧氣穿透率的期望特性形成屏蔽層。典型的技巧為在基板(如箔片)上沉積屏蔽層，可包含使用電漿增強化學氣相沉積(PECVD)。技術人員習知的另一個合適技巧可用來沉積屏蔽層。當使用此種沉積技巧時，偏好提供一平滑表面，以便避免不規則的沉積層。在基板上提供平坦層去提供平滑表面。平坦層可包含有機材料，如紫外線固化壓克力。有機材料的平坦層也參照為有機塗佈平坦層(OCP)。除了在屏蔽層之間提供平坦層之外，也可提供額外的平坦層，如在基板和屏蔽層之間。有機塗佈平坦層厚度典型為5至20微米(μm)之間。也可使用技術人員習知的其他合適平坦層材料與/或層厚度。偏好防止水氣滲入，而進入有機塗佈平坦層，如防止屏蔽層的變形與/或脫層。
在一例，單二元體屏蔽箔包含氮化矽-有機塗佈平坦層-氮化矽的層。在屏蔽箔上加工，屏蔽箔圖形可客制化去 符合需求，如客制化尺寸的有機發光二極體或顯示器的需求。可大規模使用工業用捲對捲量產規模，生產屏蔽箔。如此情境，屏蔽膜在基材捲上連續加工。在屏蔽堆疊的量產中，比起客制化的印刷或圖形化有機塗佈平坦層，未圖形化的有機塗佈平坦層在商業上可能更可行。傳統上，需圖形化有機塗佈層去防止側漏。然而，在一情境，其中一公司想要以捲對捲型式生產屏蔽箔，如供應給委託代工客戶，該公司典型需要事先知道他們委託代工客戶的元件佈局，使得在商業上難以作生意。為了有效率地生產有機發光二極體，偏好捲對捲連續塗佈方法。在此方法中，有機發光二極體或有機光伏元件的所有層連續地沉積在屏蔽箔上，且最終封裝起來。視情況，可在元件上由貼合另一屏蔽箔或金屬箔片，完成封裝。除了找到合適的方法切割，密封有機發光二極體、有機光伏或屏蔽堆疊也富有挑戰。在此描述對密封及切割前述堆疊之有優勢的方法。
在下面參照附隨的圖式，圖式繪示本發明實施例，可更完全的描述本發明。然而，本發明能以很多不同型式實施，不應理解為限制在提出的實施例。更準確地說，提供這些實施例，使得揭露會更正完完整整，且會完全傳達本發明的範疇給該領域的技術人員。示範實施例的描述旨在連同附隨圖式一起閱讀，圖式也被認為是整個書面描述的一部分。在圖式中，尺寸和系統、構件、層及區域的相對尺寸可能為了表示清楚而誇大。實施例參照繪示的剖面來描述，剖面繪示是本發明可能的理想實施例及中間結構的示意。
在描述中，應理解相關的術語和其衍生，參照如 討論裡已描述或已繪示圖式的介紹。相關的術語是為了方便描述起見，除非另外陳述，否則不需要在特定的方位建構或操作系統。進一步了解，當元件或層參照為“在上”(“on”)、“連接到”(“connected to”)、或“耦合到”(“coupled to”)另一個元件或層，可以是直接在上、連接或耦合到出現的另一個元件或層，或也可發生在其間的元件或層上。對比地，當元件參照為“直接在上”(“directly on”)、“直接連接到”(“directly connected to”)或“直接耦合到”(“directly coupled to”)另一元件或層，沒有發生在其間的元件或層。進一步了解，當方法的特定步驟參照為另一步驟的後續，在實行特定步驟之前，可直接跟隨該另一個步驟，或在一個或多個中間步驟實行。整份文件中，類似數字會參照到類似元件。如在此使用，術語“與/或”(“and/or”)包括一個或多個相關列舉品項的任何及全部組合。
圖1繪示由連續屏蔽箔10分割屏蔽箔區段20方法的實施例。箔片的剖面圖如步驟(A)至(D)繪示。
步驟(A)包含提供一連續屏蔽箔10。連續屏蔽箔10包含一連續層狀結構，連續層狀結構包含有機層12，夾在屏蔽層11、13之間。
步驟(B)包含部分切割穿過連續屏蔽箔10；在連續屏蔽箔10中形成一伸長溝槽16。伸長溝槽16在連續屏蔽箔10上靠近一預定義區段周長15而延展。可由圖4和圖5的立體圖更清楚看到。剖面圖繪示伸長溝槽16由該連續屏蔽箔10一面10a延伸，直到至少貫穿該有機層12。
步驟(C)包含沉積一密封材料17m，到伸長溝槽16 中。靠近預定義區段周長15，形成密封溝槽17。密封溝槽17及屏蔽層11、13佈置在該有機層12至少一部分，去隔絕一有機材料12m。特別是當屏蔽箔區段20由連續屏蔽箔10沿著預定義區段周長15切割，貫穿連續屏蔽箔10時，密封溝槽17及屏蔽層11、13適合去預防使用時外部水氣與/或氧氣19抵達該有機材料12m，如步驟(D)所示。
在一實施例，由密封溝槽17分割連續屏蔽箔10，沿著區段周長15切割，如步驟(D)所示。在此方法，藉屏蔽層11、13及密封溝槽17，由外部環境密封，獲得分離的屏蔽箔區段20。在此例，屏蔽箔區段20一終端22可包含一預密封邊緣18(如設置在先前密封製程中)。在一實施例，在施加密封溝槽之間或之前，沿著預定義區段周長15，進行切割貫穿連續屏蔽箔10。如果切割先於密封，偏好去維持這些步驟之間的時間，越短越好，去防止環境影響衰退箔片的暴露部分。
在另一實施例，藉密封溝槽17分割連續屏蔽箔10，可維持一片(即未裁開)。分割的連續屏蔽箔10可因此用在進一步加工或成捲儲放。
術語“預定義”如用在“預定義區段周長”，參照為在施加溝槽時，決定區段周長的絕對或相對位置，如指示區段已經切割或建立區段要被切割地點，如相對於密封溝槽。例如，預定義區段周長可能和元件的大小或形狀有關，元件是以區段周長被製造的。在一生產系統，區段周長可由控制器預定義，控制器控制切割與/或密封製程。例如，該控制器可包含有指令的記憶體，下指令去切割箔片成特定形狀，與/或特定距離 區間。
在一實施例，預定義區段周長15佈置在離密封溝槽17距離L處，在密封溝槽17和連續屏蔽箔10剩餘部分10’之間，在此切割屏蔽箔區段20。偏好距離L越小越好，以便不浪費箔片材料。另一方面，距離需夠大，以便不損傷密封。藉由離密封溝槽一距離之處，切割屏蔽箔，可防止切割製程對密封溝槽的損傷。可由其間的密封溝槽防止，由屏蔽箔區段切割側的水氣與/或氧氣，滲入到屏蔽箔區段的有機層。可改良密封箔片區段的良率。距離L和箔片切割工具相關，如切割雷射的光點大小或切割刀鋒的厚度。典型地，偏好L在10至500微米(μm)範圍之間。
在繪示的實施例，連續屏蔽箔10進一步包含基板14，去負載其他層。例如，基板14可包含彈性箔片。用在彈性基板箔片的典型材料可包括一個或多個乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚乙烯(polyethylene naphtalate,PEN)、聚二醚酮(polyetheretherketone,PEEK)及聚碳酸酯(polycarbonate)。基板14典型厚度為25至200微米(μm)之間。或者，更彈性一點，基板14也可為非彈性或剛性，如玻璃板。使用基板的替代，層11、12及13可自我支持，不需要基板。在一例，在施加目前揭露方法去分割連續屏蔽箔之前或之後，可剝離基板14。
在繪示的實施例步驟(B)中，溝槽16不只挖穿有機層12，還有貫穿底部屏蔽層13，且部分穿入基板14。或者，溝槽底部16a短暫停止在底部屏蔽層13。
反之，繪示在此或其他實施例，整個溝槽16填充密封材料17m，或者當密封層夠厚去形成足夠對抗水氣與/或氧氣的保護時，填充物可停止。一個例子繪示在圖12中。
此外，當繪示實施例包含單個二元體屏蔽，由夾在屏蔽層11及13之間的有機層12形成，此組態可以額外有機及屏蔽層擴展，形成為參照為多二元體結構。例如，在屏蔽層11頂面，可能有另一個有機層，且有另一個屏蔽層頂面。因此結構形成為包含層：屏蔽-有機-屏蔽-有機-屏蔽。結構可進一步擴展。設置更多層，屏蔽功能就越好。因此，偏好設置屏蔽箔，包含層狀結構，層狀結構包含兩個或多個有機層，夾在屏蔽層之間，其中兩個或多個有機層中間插入額外的屏蔽層。也有其他層，如電光層，可插入在有機與/或屏蔽層之間。當密封多層屏壁箔時，偏好密封溝槽擴展貫穿結構，去覆蓋所有有機層，如圖13所繪示。
圖2繪示由連續屏蔽箔10分割箔片區段20另一實施例的步驟。連續屏蔽箔10包含連續層結構，連續層結構包含第一屏蔽層11、有機層12及第二屏蔽層13、支持層25及基板14。
在一實施例，如此圖步驟(B)繪示，部分切割連續屏蔽箔，包含切割貫穿有機層12及停止在第二屏蔽層13(在底下有機層12和支持層25之間)。例如，可使用控制的雷射燒蝕或選擇性蝕刻達到。最佳地，控制切割去防止無機層的翹曲破裂，如由層中產生及發散的過熱造成。例如，藉由調整雷射波長和強度(如脈波寬度)控制。如在層中，雷射波長較高的脈 波強度或較高的吸收，比起熱消散更有利於燒蝕。理解支持層25可額外作為平坦層，提供第二屏蔽層13水平支持。
在一實施例，使用雷射燒蝕切割或挖溝槽16。雷射波長和強度可調整去燒蝕幾乎任意所要材料。可改良對不同種類屏蔽箔方法的合適度，如不限於可熔融的屏蔽層。切割貫穿有機層12及停止在第二屏蔽層13的方法，可藉雷射燒蝕方便地達到，之後會參照圖7解釋。
理解屏蔽層11及13的吸收頻譜，不止可由材料選擇調整，也和沉積製程的參數相關。例如，使用化學氣相沉積，沉積的非晶氫化氮化矽層(氮化矽：氫)的折射率可依沉積製程參數決定，如供應先質氣體四氫化矽(SiH4)：氮氣(NH3)的比例或壓力。
沉積中的溫度也有影響。以此方法，在特定波長的消光係數，特別是在雷射波長，可能依期望看該層要被燒蝕或沒有被燒蝕而增加或減少雷射波長。例如，在沉積製程，第一屏蔽層11可設置在特定波長具有高消光係數，而第二屏蔽層13可設置為低消光係數。也可調整支持層的吸收，例如藉材料選擇調整。
在一實施例，如圖式中步驟(C)所示，伸長溝槽16以密封材料17m溢出。如所示，會造成“蘑菇”形狀的密封17，其中密封17的頂面17t部分突出在屏蔽層11頂上。這組態優點是提供水氣/與或氧氣較長的路徑長度，去抵達封閉的有機材料12m，特別是經由密封17的邊緣。這可方便和圖式步驟(B)中的實施例結合，其中底屏蔽層13是無損傷的。以此方法， 可防止水氣與/或氧氣經由底基板14，抵達有機材料12m。
圖3繪示箔片區段20由連續屏蔽箔10分割及切割的剖面圖，是圖1或圖2實施例中步驟(D)的替代。
在此實施例，密封溝槽形成第一密封溝槽17a，該方法進一步包含提供靠近和間隔第一密封溝槽17a的密封溝槽17b。區段周長15佈置在第一和第二密封溝槽17a、17b之間。以此方法，由屏蔽箔區段20切下的屏蔽箔區段20和連續屏蔽箔剩餘部分10’兩者，可保護不受外界環境19影響。佔優勢地，在後續步驟中，另一個屏蔽箔區段可由剩餘部分10’切下，其中該另一屏蔽箔區段至少一側23已經密封。優點是最不浪費連續屏蔽箔材料。
靠近區段周長15，切割連續屏蔽箔之後，獲得分離的屏蔽箔區段20。屏蔽箔區段20包含層狀結構，層狀結構包含有機層12，夾在屏蔽層11及13之間。屏蔽箔區段20包含密封溝槽17a，密封溝槽17a沿著屏蔽箔區段20的外周長21、22。藉延伸伸長溝槽16，由屏蔽箔區段20的一面20a，部分貫穿屏蔽箔區段20，直到貫穿至少部分有機層12，形成密封溝槽17a。伸長溝槽16以密封材料17m填充。在有機層12至少一部分，配置密封溝槽17a及屏蔽層11、13去封閉有機材料12m。密封溝槽17a及屏蔽層11、13適合去防止使用時外界水氣與/或氧氣19，抵達有機材料12m。
密封溝槽17a可為一個溝槽，或包含連接屏蔽箔區段密封邊緣的多個溝槽。例如，連續屏蔽箔一些邊緣可預密封，如同圖1中所示預密封邊緣18。
圖4繪示系統100，配置由連續屏蔽箔10，去分割和切割箔片區段20。系統包含箔片提供裝置50及60、溝槽形成裝置52、溝槽密封裝置53及控制器70。
控制器70佈置(即程式化和連接)去控制箔片提供裝置50、60，去提供連續屏蔽箔10。連續屏蔽箔10包含連續層狀結構，連續層狀結構包含有機層12，夾在屏蔽層11、13之間。
控制器70進一步配置，去控制溝槽形成裝置52，去部分切割穿過連續屏蔽箔10，在連續屏蔽箔10裡形成伸長溝槽16。在連續屏蔽箔10上，伸長溝槽16因此切割延伸靠近預定義區段周長15。伸長溝槽16由連續屏蔽箔10一面延展，直到至少貫穿屏蔽層11和有機層12。控制器和溝槽形成裝置組合，因此佈置去切割至少貫穿屏蔽層11及有機層12。控制器例如可包含具指令的記憶體，去決定預定義區段周長15與/或伸長溝槽16的絕對或相對位置。指令也可包含持續時間與/或在層狀結構上由溝槽形成裝置52施加的切割功率，去切割至少貫穿屏蔽層11及有機層12。
控制器70進一步佈置去控制溝槽密封裝置53，去沉積密封材料到伸長溝槽16裡，因此形成靠近區段周長15的密封溝槽17。當沿著預定義區段周長15，貫穿連續屏蔽箔10，由連續屏蔽箔10切割屏蔽箔區段20，密封溝槽17及屏蔽層11、13，在該有機層12至少一部分，佈置為隔絕有機材料12m，且適合去預防使用時外部水氣與/或氧氣19，抵達該有機材料12m。
在繪示的實施例，系統100進一步包含箔片切割裝置54。控制器70進一步佈置去控制箔片切割裝置54，沿著該區段周長15，去切割貫穿連續屏蔽箔10。在分割成區段後，替代去切割箔片10，箔片10也可維持無損傷的，例如進一步加工或儲存分割的連續箔片回到捲中。
在繪示的實施例，系統100進一步包含層沉積裝置51，佈置在箔片基板14上去提供一或多層。控制器70佈置去控制層沉積裝置51，在箔片基板14上，形成連續層狀結構。連續層狀結構包含有機層12，夾在屏蔽層11、13之間，而形成連續屏蔽箔10。在一實施例，層沉積裝置51包含屏蔽層沉積裝置及有機層沉積裝置。典型地，屏蔽層沉積裝置包含屏蔽材料供應，及使用時以屏蔽材料填充，去沉積在基板14上，形成屏蔽層11與/或13。類似地，有機層沉積裝置包含有機材料供應，即使用時以有機材料填充，沉積在基板14上，去形成有機層12。
在一實施例，系統佈置去提供箔片加工步驟的次序，其中溝槽形成裝置52直接佈置在屏蔽層沉積裝置之後，屏蔽層沉積裝置沉積(頂面)屏蔽層11。首先沉積頂面屏蔽層11，且後續形成溝槽貫穿頂面屏蔽層11及有機層12，有機層12夾在屏蔽層11、13之間，有機層12可由所有側邊密封。
在一實施例，箔片提供裝置包含捲上的箔片供應50及箔片傳送系統60，其中箔片傳送系統60沿著該箔片加工的次序負載箔片，其中次序包含溝槽形成裝置，佈置由屏蔽層沉積裝置沉積外頂面屏蔽層11在有機層12上之後，在屏蔽箔 去形成溝槽。
在繪示的實施例，由箔片供應捲50供應箔片基板14，且由箔片帶式運送機系統60傳送，例如無止盡的帶式運送機皮帶在方向61移動箔片。也可使用其他習知裝置去運送箔片，如滾子。沉積在基板14上的層可形成連續屏蔽箔10。基板14可為連續屏蔽箔10的一部分，或沉積層之後移除。繪示實施例的替代，也可直接提供連續屏蔽箔10，如由包含連續屏蔽箔10的供應捲。連續屏蔽箔10例如可用前導捲對捲製程製造。
由捲提供連續屏蔽箔10的替代，連續屏蔽箔10也可如片狀提供，藉由在此描述的系統和製程，如連續屏蔽箔片可分割為屏蔽箔區段。如圖6繪示，由連續屏蔽箔片10，分割且切割箔片區段20。箔片提供裝置可因此包括任何和所有提供箔片的裝置。
在繪示的實施例，系統100進一步包含封閉區間56。連續屏蔽箔在封閉區間中加工。環境控制系統55可用來在封閉區間56內提供低水氣與/或低氧氣環境。切割連續屏蔽箔10時，由環境控制系統55與/或封閉區間56，由外界水氣與/或氧氣19隔離連續屏蔽箔10。例如，乾氮氣可沖洗通過封閉區間，去提供低水氣及低氧的環境。二擇一或附加地，封閉區間可保持在低壓，如真空。優於暴露在上述環境中，部分切割B中連續屏蔽箔10把箔片帶到低水氣與/或低氧的環境，適合去防止有機材料12m惡化。
在繪示的實施例，在加工系統101內進一步加工 箔片。進一步加工可包括額外的層沉積。進一步加工發生在切割箔片區段或非切割箔片。切割箔片區段的優點是可更容易處理，例如當膠合分離箔片區段時。在連續箔片使分割箔片區段靠在一起，方便進一步捲對捲的加工。
在一實施例(未繪示)，有機發光二極體層沉積在分割的屏蔽箔區段20。有機發光二極體層可包含額外層，如陰極及陽極層，與/或電荷注入層，但不限制於發光層。有機發光二極體層可被第二屏蔽箔片層覆蓋。第二屏蔽箔片層沉積在有機發光二極體層上或黏在有機發光二極體層。屏蔽箔片區段可封閉有機發光二極體層。屏蔽箔區段可熔融在一起，或在邊緣以其他方式密封。以此方法，保護有機發光二極體層不受水氣與/或氧氣影響。在另一實施例，連續屏蔽箔包含有機發光二極體層，為有機層其中之一。由密封連續屏蔽箔，因此密封有機發光二極體層。一個例子如圖13繪示。
圖5繪示由連續屏蔽箔10分割屏蔽箔區段的一實施例立體圖。在連續屏蔽箔10上靠近預定義區段周長15延展，伸長溝槽16b被溝槽密封裝置53密封，造成靠近預定義區段周長15的密封溝槽17b。
如根據圖3由捲供應，繪示實施例適合由連續屏蔽箔10去分割且切割箔片區段20。連續屏蔽箔10可包含預密封邊緣18，例如靠近捲出箔片的縱向維度。或者，由密封溝槽或其他密封製程密封邊緣18。可了解不是箔片區段20的所有邊緣都需要設置密封溝槽。特別是在此描述的方法，由連續屏蔽箔切下的箔片區段周長15一部分設置密封溝槽。
繪示的實施例，預定義區段周長15佈置在密封溝槽17a及17b之間。密封溝槽17b佈置為靠近且和第一密封溝槽17a間隔。密封溝槽17a及17b靠近區段周長15佈置。
雖然在實施例中，密封溝槽可佈置平行於區段周長，但不一定需要。如果密封溝槽和第一和第二無機層協力，封閉有機層一部分，就足夠去防止如大氣物質其中的水氣與氧氣進入。因此，溝槽或密封溝槽大約以其距離跟隨預定義區段周長就足夠了。
然而，為了最不浪費材料，當切割箔片時，偏好佈置溝槽周長靠近區段周長。參照圖5，位在離密封溝槽17c的區段周長15’越遠，靠近區段周長20的邊緣22就越長，沒有密封長條去隔絕外界環境。在一些例子，長條可視為浪費材料，在另一些例子，長條可用在其他目的，如裝設區段或在其上用對水氣不敏感的元件應用等等，如對主要組件的電導體。在一例，溝槽及區段周長可有不同形狀，如溝槽可為直線，而區段周長包含鋸齒狀圖形，大約平行或靠近溝槽佈置。鋸齒狀邊緣可能浪費材料或有其他目的，如進一步箔片區段的處理或加工。在箔片區段邊緣的非密封長條也可提供把手，如在顯示器的表框下去把持箔片區段。
在一些實施例，離密封溝槽太近去切割箔片會造成密封損傷的風險。因此，密封溝槽可間隔於區段周長15佈置。術語“間隔”可理解為溝槽或密封溝槽離預定義區段周長一段距離，使得沿著上述周長切割箔片時，不損傷密封溝槽。偏好的距離依照使用切割裝置的精準度而定。由密封溝槽一距離 去切割箔片的替代，密封溝槽本身也適於切割貫穿。例如，密封溝槽可足夠寬，使得當切割密封溝槽貫穿中間時，切割兩側的密封仍絲毫無損。
圖6繪示由連續屏蔽箔10切割屏蔽箔區段20另一實施例的立體圖。沿著區段周長15以切割裝置54切割15’。切割發生在方向54d。區段周長15及切割周長15’平行靠近施加到連續屏蔽箔10的密封溝槽17延展。當完成切割15’，箔片區段20可由外圍箔片分離。
繪示實施例可能適於由連續屏蔽箔10，分割及切割一個或多個如片狀提供的箔片區段20。須注意單個密封溝槽可能滿足去密封整個區段。視情況，在區段周長15另一側，設置第二密封溝槽(未繪示)，即區段周長設置在密封溝槽之間。這可能是有利的，例如片的剩餘部分10’也由密封得利，例如鄰近第一箔片區段的位置，可切割第二箔片區段。
反之，圖式繪示長方形箔片區段20，可為任何其他所要形狀，如正方形、三角形、圓形、橢圓形、星形或其他客制形狀。密封溝槽17一般依照區段周長15的外形，如大約平行於區段周長15。
圖7繪示使用雷射80，由連續屏蔽箔10分割箔片區段20實施例的步驟。
連續屏蔽箔10包含連續層狀結構，連續層狀結構包含有機層12，夾在屏蔽層11、13之間。在繪示的實施例，連續屏蔽箔10進一步包含基板14及支持層25。
在步驟(B)，雷射80部分切割穿過連續屏蔽箔10， 在連續屏蔽箔10中形成伸長溝槽16。伸長溝槽16由連續屏蔽箔10一面10a延伸，直到至少貫穿該有機層12。在此實施例，密封溝槽17延伸貫穿屏蔽層第一層11及有機層12，且終止在有機層12及支持層25之間的屏蔽層第二層13。
在有利的實施例，在雷射80的波長範圍，支持層25及屏蔽層第二層13的消光係數比有機層低(例如兩倍，最佳是十倍或更多)。典型的雷射用在這些任務，如準分子雷射，波長範圍在150與400奈米(nm)之間。或者，二氧化碳雷射典型波長大約在10微米(μm)，如9.4或10.6微米。不限於理論，假定因消光係數低，較少雷射能量被屏蔽層第二層13及支持層25吸收，例如在這些層雷射光點行進的每單位距離。在此方法，可防止或延遲這些層13及25的燒蝕。燒蝕製程可更好的控制去停止在屏蔽層第二層13，因此不破壞屏蔽層第二層13。不破壞屏蔽層第二13，可改良有機層12的密封。
在一實施例，支持層25的消光係數和支持層的厚度根據雷射波長和及強度去選擇，使得消光係數足夠低，而不去燒蝕支持層25，當消光係數或支持層厚度足夠大去衰減通過支持層25的雷射光，能防止下層基板14的燒蝕。
在一例中，基板14包含200微米厚的聚乙烯箔片。十微米的聚甲基丙烯酸甲酯(Poly Methyl Methacrylate,PMMA)層沉積在基板，形成支持層25。為了使形成屏蔽層13的一百奈米氮化矽層後續沉積，聚甲基丙烯酸甲酯可形成平順的表面。在屏蔽層13上，沉積有機層12，包含紫外線可固化的壓克力。有機層12可用為平坦層，去沉積另一個一百奈米 氮化矽的屏蔽層11。氟化氪(KrF)準分子雷射，操作在248奈米(nm)波長，可用作燒蝕有機層12，而使屏蔽層13及支持層25無損傷。
二擇一或額外的，第二屏蔽層13與/或支持層適合去增加雷射光的反射率。以此方法，可防止或延遲第二屏蔽層13的燒蝕。第二屏蔽層13對雷射光是穿透的，支持層25為反射的。以此方法，可防止或延遲第二屏蔽層13的燒蝕。
接著參照圖7，步驟(C)中，密封材料17m沉積到伸長溝槽16中，因此形成密封溝槽17。在繪示的實施例，由雷射誘導前向轉移(Laser-Induced Forward Transfer,LIFT)製程，傳送密封材料17m。雷射誘導前向轉移製程包含由雷射80傳送雷射脈波82到施體基板97。雷射脈波82會造成釋放材料17m的液滴17d，例如藉由衝擊波與/或燒蝕，由在溝槽16方向前進的施體基板91被密封。例如，施體基板97可包含薄箔片，薄箔片包含密封材料。在雷射射擊之間，恢復施體基板97，例如藉由在方向91轉移施體基板。有利地，相同雷射80可用去挖溝槽16，且沉積密封密封材料17m。參照圖2解釋，提供密封溝槽，包含蘑菇形的頂部形狀，是有利的。二擇一或除了雷射誘導前向轉移，其他的製程也可用作密封溝槽。例如，雷射誘導前向轉移可用去形成溝槽中的種子層。後續為電鍍製程，如圖8所繪示，可用來進一步密封溝槽。
視情況，在步驟(C)之間或之後，可燒結沉積到溝槽16密封材料17m。可改良沉積到溝槽16的液滴17d之間的內聚力，與/或在溝槽16壁上密封材料17m的浸潤。最佳地， 由相同雷射80施加燒結。或者，由另一個雷射提供燒結，與/或由其他裝置提供，例如熱、紫外線與或微波輻射。
接著參照圖7，步驟(D)中，使用雷射80切割貫穿連續屏蔽箔10，沿著預定義區段周長，平行且由溝槽17間隔。這可能由連續屏蔽箔的殘餘部分10’，造成分離的密封屏蔽箔區段20。沿著預定義區段周長15貫穿連續屏蔽箔10，由連續屏蔽箔10切下屏蔽箔區段20時，密封溝槽17及屏蔽層11、13佈置在有機層12至少一部分去隔離有機材料12m，適合去防止使用時外界水氣與/或氧氣，抵達有機材料12m。
在有利的實施例，在步驟(B)、(C)及(D)中，使用相同雷射80。在進一步的實施例，雷射80在步驟之間可維持固定。在步驟(B)挖溝槽之後，在屏蔽箔和及步驟(C)雷射誘導前向轉移製程用的雷射80之間，設置施體基板97。雷射80仍對準屏蔽箔上相同位置，液滴17d可前進，不用進一步調整成溝槽16的方向。步驟(C)之後，移除施體基板97，或燒穿施體基板97一個洞。移動屏蔽箔，例如在方向61，且使用相同雷射去切割箔片。在步驟之間，視情況更換如光束強度或或波長的雷射設定。或者，在不同步驟使用不同雷射。在步驟之間，因此雷射光束81、82及83可相同或變化。
在最佳實施例，使用雷射光束外形中心比邊緣具有高強度的雷射光束81，如高斯光束外形。有利地，當步驟(B)中挖溝槽16，這可造成在光束中心比在邊緣較快速燒蝕。由面10a看時，這接著導致錐形溝槽16向內漸縮。這對後續密封製程是有利的，其中材料沉積到溝槽內。特別是由頂面10a沉積 到溝槽16內，材料可能沉積到溝槽側邊，即沉積到有機層上。這可改良有機及其他層上的密封材料浸潤(附著性、固著)。可改良密封品質。這個想法進一步繪示在圖12中。一般來說，合適的封膠材料和元件堆疊具有高可濕性及附著性，例如有機層或屏蔽層的元件堆疊。
圖8繪示密封溝槽16的一實施例。在步驟(B)，溝槽16形成在連續屏蔽箔10，連續屏蔽箔10由箔片一面延伸至少貫穿有機層12，而被密封。在此例中，溝槽延伸貫穿屏蔽層11及13，還有到部分的下層的基板14。填充溝槽的步驟(C)，包含在溝槽16施加種子層27，且進一步以材料37密封溝槽。
形成種子層27，例如可使用雷射誘導前向轉移或任何其他合適的製程，如化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)。進一步密封材料37可在種子層27上成長，例如藉由電鍍。合適的電鍍材料例如可包含離子液體。最佳地，電鍍材料不包含水，因為水可能會惡化對水氣敏感的有機層。
或者，例如用在施加種子層的相同方法，去提供額外的密封材料37，例如雷射誘導前向轉移、化學氣相沉積等等。最佳地，額外密封材料37應用在複數個層沉積步驟，例如三十層。這可降低密封中的材料應力。
圖9繪示密封溝槽16的另一實施例。方法包含在步驟(C)中，以無機粉末57填充溝槽16，且同時或後續燒結粉末57，形成密封溝槽，密封溝槽包含燒結的材料57。粉末例如可包含二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)或其他合適材料的粒子。取代粉末，也可使用液體，例如包含奈米粒子，例如銀 墨水。取代以粉末或液體填充整個溝槽，且燒結所有材料，燒結製程也可施加在層上，去釋放密封中的應力。可使用雷射進行燒結。二擇一或額外地，粉末或液體可熱固化與/或(紫外線)輻射固化。也可使用微波輻射燒結粉末。
圖10繪示密封溝槽16的另一實施例。在此方法，設想無機-有機-無機材料的堆疊，如同溝槽中的封膠。如繪示，在溝槽裡首先沉積無機膜27s，接著是含可選的水氣吸氣器粒子77的有機填料67(例如是有機塗佈)，及然後是另一無機層27t。平坦層可視情況使用。在此實施例，區段周長15最佳地由溝槽16間隔，以便不切割密封的溝槽。無機層27s及27t合適的材料可包含氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽或氮化矽。如果不會導致不想要的短路，也可使用金屬層。理解相同材料可用為屏蔽層11、13、27s及27t。相同材料也可用作有機層12及有機填料67。合適的水氣吸氣器可包括沸石(zeolites)、以鈣為主體的水氣吸氣器或任何其他吸濕化合物。
圖11繪示密封溝槽17’的一實施例。在此實施例，溝槽填充以有機及無機構件的混合物87，為了對水氣有較低的混合物擴散係數，最佳地，其中無機構件的數量很高。視情況，無機構件可包含水氣吸氣器77。可燒結或固化混合物。無機粒子如氧化鋁、二氧化鈦及二氧化矽可內嵌在有機介質，例如包含聚氨基甲酸酯(polyurethane)或壓克力。有機介質可幫助浸潤或附著密封材料到溝槽中。也允許塑膠變形的程度。
圖12繪示密封溝槽17的另一實施例。在此實施例，沉積密封材料17m到溝槽中，因此形成密封溝槽17，密 封溝槽17包含密封材料17m的單層。在一些實施例，單層足以保護有機層12，不受環境影響。或者，溝槽不需要完全以密封材料17m填充。換句話說，以密封材料完全填充溝槽，可改良密封性質。
在一較佳的實施例，溝槽具有相對於基板表面的斜角，即在溝槽側壁和基板表面的角度小於九十度，最佳地小於八十度，即在五十至八十度範圍之間。小角度α可為有利，例如當藉由密封材料由頂面到溝槽中突出，密封所示的溝槽。對一實施例可能特別有利，其中溝槽未完全填充，例如足夠覆蓋側壁。因此，密封溝槽可包含反截頭圓錐(frustro-conica1)形狀。
圖13繪示有機發光二極體或有機光伏的元件堆疊30，可視為如上述的屏壁箔區段。特別是密封溝槽17a及17b，可由元件堆疊30一面延伸貫穿有機層，至少直到底部的有機層。根據上述方法，可製造元件堆疊30。元件堆疊30包含電光層31。層狀結構20a及20b佈置去封閉電光層31，防止外界水氣與/或氧氣19抵達電光層31。
最佳地，使用密封材料貫穿元件堆疊30去填充溝槽，密封材料不包含傳導的材料，如金屬。以此方法，可預防元件堆疊短路。
在一實施例，藉由在底部屏蔽結構20a沉積電光層31，可在連續製程產出元件堆疊30。可分開製造頂部屏蔽結構20b，且在電光層31頂面以附著層28附著。或者，在連續沉積製程，頂部屏蔽層20b可沉積在電光層31頂部。
替代繪示實施例，元件堆疊30也可藉由使用兩密封屏蔽箔區段產出，如上述製造，封閉水氣與/或氧氣敏感層或在之間的構件。
一般來說，有機層可包含多個有機層，視情況由無機層分離。密封有機層可因此包含貫穿所有有機層切割及密封溝槽。
在一些元件堆疊，偏好封閉有機材料的至少一層屏蔽層對光為透明，例如在有機發光二極體或有機光伏堆疊中。其他屏蔽層例如可包含不需為透明的金屬層。
為提供箔片而繪示例示性系統，在箔片中挖溝槽、密封溝槽與/或切割箔片，替代的系統及裝置也用作達成類似的結果。反之在討論中，參考箔片，相同的方法及系統也可應用到其他結構，如剛性基材及層。如雷射、鏡子、透鏡等等的光學構件，可和一個或多個具有相同效應的替代光學構件組合或分開。類似地，如控制器和處理器的電子構件也可分開，與/或專屬構件或整合在積體電路中。
如已討論及繪示實施例的不同元件，提供某些優點，如密封屏蔽箔。當然，理解任何一個上述實施例或製程可和一個或多個其他實施例或製程組合，尋找和搭配設計及優點，提供更進一步的改良。理解本發明提供特定的優點，去防止水氣與/或氧氣抵達有機層，且一般來說，可施加到任何應用中，其中由外界影響(例如其他氣體)密封層或構件。揭露的方法也具優勢地應用到非有機材料的密封構件，例如主成分為銅銦鎵硒(Copper indium gallium(di)selenide,CIGS)的太陽能 電池。取代屏蔽箔，本揭露也可在密封其他型層狀結構中找到應用。二擇一或額外地，對抗環境影響提供保護，另密封也可佈置為其他功能，例如為電性絕緣、熱絕緣等等。步驟不需要如所示的順序執行，例如連續屏蔽箔切割成箔片區段，可在挖與/或密封溝槽之前或之間，仍造成類似的優點。
最後，上述討論旨在僅描述本系統，且不應被理解為限制附加的申請專利範圍到任何特定的實施例或實施例群組。因此，參照其特定的示範實施例，已特別詳細描述本系統，在不偏離如提出在申請專利範圍中遵循的本系統及方法的範疇，也應理解眾多的修改及替代實施例可由本領域具通常知識者作出。說明書及圖式因此視為描述的方法，且旨不在限制附加的申請專利範圍的範疇。
在解讀附加的申請專利範圍時，應了解“包含”(“comprising”)這個字不排除除了那些在給定請求項列舉的其他構件或行為的存在，一(“a”或“an”)這個字在元件之前，不排除此元件複數個存在性，申請專利範圍中任何參考符號不限其範圍，幾個“裝置”(“means”)代表相同或不同品項或實行結構或功能。任何揭露的元件或其部分可一起組合或除非特定地陳述在其他情況下，分離成更進一步的部分。在彼此不同的申請專利範圍中引用特定手段，僅事實是不會指出這些手段的組合不提供進步性。
10’‧‧‧剩餘部分
11‧‧‧屏蔽層
12‧‧‧有機層
12m‧‧‧有機材料
14‧‧‧基板
15‧‧‧區段周長
16‧‧‧伸長溝槽
17a‧‧‧密封溝槽
17b‧‧‧密封溝槽
17m‧‧‧密封材料
19‧‧‧氧氣
20‧‧‧屏蔽箔區段
20a‧‧‧底部屏壁結構
21‧‧‧外周長
22‧‧‧外周長
23‧‧‧一側
25‧‧‧支持層

Claims (15)

  1. 一種將屏蔽箔區段(20)分割的方法，一屏蔽箔區段(20)由一連續屏蔽箔(10)中分割，該連續屏蔽箔(10)包含一連續層狀結構，該連續層狀結構包含一有機層(12)，夾在屏蔽層(11、13)之間，該方法包含：(A)提供一連續屏蔽箔(10)，該連續屏蔽箔(10)包含一連續層狀結構，該連續層狀結構包含一有機層(12)，夾在屏蔽層(11、13)之間；(B)部分切割，穿過該連續屏蔽箔(10)；在該連續屏蔽箔(10)中形成一伸長溝槽(16)，在該連續屏蔽箔(10)上，該伸長溝槽(16)靠近一預定義區段周長(15)而延展，該伸長溝槽(16)由該連續屏蔽箔(10)一面(10a)延伸，直到至少貫穿該有機層(12)；以及(C)沉積一密封材料(17m)，到該伸長溝槽(16)中，因此形成一密封溝槽(17)，平行於該預定義區段周長(15)；當該屏蔽箔區段(20)沿著該預定義區段周長(15)，穿過該連續屏蔽箔(10)，由該連續屏蔽箔(10)切割，該密封溝槽(17)及該些屏蔽層(11、13)佈置在該有機層(12)至少一部分，去隔絕一有機材料(12m)，且適合去預防使用時外部水氣與/或氧氣(19)，抵達該有機材料(12m)。
  2. 如申請專利範圍第1項之將屏蔽箔區段分割的方法，進一步包含沿著該預定義區段周長(15)，切割貫穿該連續屏蔽箔(10)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項中任一項之將屏蔽箔區段分割 的方法，其中該預定義區段周長(15)佈置在距離該密封溝槽(17)的一間隔(L)，在該密封溝槽(17)和該連續屏蔽箔(10)的一剩餘部分(10’)之間，由該連續屏蔽箔(10)的一剩餘部分(10’)，切割該屏蔽箔區段(20)。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之將屏蔽箔區段分割的方法，其中該密封溝槽(17)形成一第一密封溝槽(17a)，該方法進一步包含提供一第二密封溝槽(17b)靠近延展，且由該第一密封溝槽(17a)間隔，其中該預定義區段周長(15)佈置在該第一及該第二密封溝槽(17a、17b)之間。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之將屏蔽箔區段分割的方法，其中該部分切割(B)中該連續屏蔽箔(10)的履行，藉由以調入波長、強度和時序的一雷射(80)，照射該連續屏蔽箔(10)，去燒蝕該有機層(12)，同時該雷射(80)一路徑(81)中的該連續屏蔽箔(10)至少一部分(13、25)保持完整。
  6. 如申請專利範圍第5項之將屏蔽箔區段分割的方法，其中該連續屏蔽箔(10)接著包含：該些屏蔽層的一第一層(11)，在上述一面(10a)的一側，該有機層(12)，該些屏蔽層的一第二層(13)，以及一支持層(25)，其中該支持層(25)及該些屏蔽層的該第二層(13)，在該雷射波長，具有低於該有機層(12)至少兩倍的消光係數；以及其中該部分切割(B)中該連續屏蔽箔(10)包含在上述一面(10a)施加該照射，與此切割貫穿該有機層(12)且停在該有機層(12)及該支持層(25)之間的該些屏蔽層的 該第二層(13)。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之將屏蔽箔區段分割的方法，其中該密封(C)中該伸長溝槽(16)包含在該伸長溝槽(16)內電鍍一離子液體。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之將屏蔽箔區段分割的方法，其中該密封(C)中該伸長溝槽(16)包含以一無機粉末填充該伸長溝槽(16)，且燒結該粉末形成該密封溝槽(17)。
  9. 一種將屏蔽箔區段分割的系統(100)，佈置為分割一屏蔽箔區段(20)，該屏蔽箔區段(20)由一連續屏蔽箔(10)分割，該系統包含：一箔片提供裝置(50、60)；一層沉積裝置(51)；一溝槽形成裝置(52)；一溝槽密封裝置(53)；以及一控制器(70)，該控制器(70)佈置及程式化為控制該箔片提供裝置(50、60)，去提供一箔片基板(14)；控制該層沉積裝置(51)，在該箔片基板(14)上去沉積一連續層狀結構，該連續層狀結構包含一有機層(12)，夾在屏蔽層(11、13)之間，形成該連續屏蔽箔(10)；控制該溝槽形成裝置(52)，去部分切割穿過該連續屏蔽箔(10)，在該連續屏蔽箔(10)裡形成一伸長溝槽(16)，該伸長溝槽(16)靠近一預定義區段周長(15)，在該連續屏蔽箔(10)上延展，該伸長溝槽(16)由該連續屏蔽箔(10)一面(10a)延 展，直到至少貫穿該有機層(12)，因此切割貫穿至少一個該沉積屏蔽層(11)；以及控制該溝槽密封裝置(53)，去沉積一密封材料(17m)到該伸長溝槽(16)裡，因此形成平行於該區段周長(15)的一密封溝槽(17)，當沿著該預定義區段周長(15)，貫穿該連續屏蔽箔10)，該屏蔽箔區段(20)由該連續屏蔽箔(10)切割，該密封溝槽(17)及該些屏蔽層(11、13)，在該有機層(12)至少一部分，佈置為隔絕有機材料(12m)，且適合去預防使用時外部水氣與/或氧氣(19)，抵達該有機材料(12m)。
  10. 如申請專利範圍前述第9項之將屏蔽箔區段分割的系統(100)，進一步包含一箔片切割裝置(54)，其中該控制器(70)進一步佈置去控制該箔片切割裝置(54)，沿著該區段周長(15)，去切割貫穿該連續屏蔽箔(10)。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之將屏蔽箔區段分割的系統(100)，其中該層沉積裝置(51)，包含一有機層沉積裝置，該有機層沉積裝置包含一有機材料，供應去形成一有機層(12)；該層沉積裝置(51)，包含一屏蔽層沉積裝置，該屏蔽層沉積裝置包含一屏蔽材料，供應在該有機層(12)上形成一屏蔽層(11)；以及該溝槽形成裝置，在該屏蔽層沉積裝置之後接續佈置；其中該溝槽形成裝置(52)在該屏蔽層(11)及該有機層(12)裡，佈置去形成該溝槽(16)。
  12. 一種屏蔽箔區段(20)，包含： 一層狀結構，包含一有機層(12)，夾在屏蔽層(11、13)之間；以及一密封溝槽(17)，靠近該屏蔽箔區段(20)的一周長，藉由一伸長溝槽(16)由該屏蔽箔區段(20)的一面(20a)，部分延伸貫穿該屏蔽箔區段(20)，直到至少貫穿該有機層(12)，該伸長溝槽(16)以一密封材料(17m)填充，形成該密封溝槽(17)；該密封溝槽(17)及該些屏蔽層(11、13)，在該有機層(12)至少一部分，佈置去隔絕有機材料(12m)，且適合去防止使用時外部水氣與/或氧氣(19)，抵達該有機材料(12m)。
  13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之屏蔽箔區段，其中該密封溝槽(17)包含一水氣吸氣器(77)。
  14. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之屏蔽箔區段，其中該層狀結構接著包含：該些屏蔽層的一第一層(11)；該有機層(12)；該些屏蔽層的一第二層(13)；以及一支持層(25)，其中該支持層(25)及該些屏蔽層的該第二層(13)，在150及400奈米之間的波長範圍中至少部分，或在9.4及10.6微米之間的波長範圍中至少部分，具有低於該有機層(12)至少兩倍的消光係數；以及該密封溝槽(17)延伸貫穿該些屏蔽層的該第一層(11)及該有機層(12)，且終止在該有機層(12)及該支持層(25)之間的該些屏蔽層的該第二層(13)。
  15. 一種有機發光二極體或有機光伏元件堆疊(30)，包含： 如申請專利範圍前述任一項之該屏蔽箔區段(20)；以及一電光層(31)，其中該屏蔽箔區段(20)佈置去隔絕該電光層(31)，去防止外部水氣與/或氧氣(19)抵達該電光層(31)。
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