CN109256489B - 自发光型显示屏及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种自发光型显示屏及其制造方法，属于显示技术领域。自发光型显示屏具有显示区域和位于显示区域周围呈封闭环状的非显示区域，自发光型显示屏包括：衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的自发光器件和封装层；可伸缩挡墙结构，可伸缩挡墙结构位于显示区域周围，呈封闭环状，可伸缩挡墙结构设置在非显示区域内的封装层平行于衬底基板的一侧，封装层在目标区域内断裂，目标区域位于可伸缩挡墙结构在封装层的正投影所在区域内。本发明在对显示屏母板进行激光切割的过程中，即使高温导致封装层的切割边缘出现裂纹，由于非显示区域内的封装层已断裂，该裂纹无法延伸至显示区域内的封装层，提高了对自发光型显示屏的封装可靠性。

Description

自发光型显示屏及其制造方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种自发光型显示屏及其制造方法。

背景技术

目前，在自发光型显示屏的制造过程中，通常是先在衬底基板上依次制备自发光器件和封装层以得到显示屏母板，显示屏母板包括阵列排布的多个自发光型显示屏，再对显示屏母板进行切割得到自发光型显示屏。其中，自发光器件包括有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件和量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes，QLED)器件等。

相关技术中，通常采用激光切割方式对显示屏母板进行切割以得到多个自发光型显示屏。该切割过程包括：采用激光束从显示屏母板的封装层所在侧对显示屏母板进行切割，以得到多个自发光型显示屏。

但是，在采用激光束对显示屏母板进行切割的过程中，显示屏母板的切割位置会产生较高的温度，由于封装层一般由无机材料(例如陶瓷类材料)制备得到，高温会导致封装层的切割边缘出现裂纹，封装层上的裂纹可能会延伸至自发光型显示屏的显示区域，导致封装层无法隔绝水氧，水氧侵入自发光器件后会使得发光材料失效，影响自发光型显示屏的显示可靠性。

发明内容

本发明实施例提供了一种自发光型显示屏及其制造方法，可以解决相关技术中封装层上的裂纹可能会延伸至自发光型显示屏的显示区域，导致发光材料失效的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种自发光型显示屏，所述自发光型显示屏具有显示区域和位于所述显示区域周围呈封闭环状的非显示区域，所述自发光型显示屏包括：

衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的自发光器件和封装层；

可伸缩挡墙结构，所述可伸缩挡墙结构位于所述显示区域周围，呈封闭环状，所述可伸缩挡墙结构设置在所述非显示区域内的封装层平行于所述衬底基板的一侧，所述封装层在目标区域内断裂，所述目标区域位于所述可伸缩挡墙结构在所述封装层的正投影所在区域内。

可选的，所述可伸缩挡墙结构位于所述自发光器件与所述封装层之间；所述可伸缩挡墙结构包括可伸长挡墙。

可选的，所述可伸缩挡墙结构还包括可压缩挡墙，所述可压缩挡墙与所述可伸长挡墙相邻设置，且所述可压缩挡墙的高度不大于所述可伸长挡墙的高度。

可选的，所述自发光型显示屏还包括至少两个加固墙；

所述可伸缩挡墙结构靠近所述显示区域的一侧以及远离所述显示区域的一侧均设置有所述加固墙，且每个所述加固墙均位于所述非显示区域内。

可选的，所述可伸缩挡墙结构位于所述封装层远离所述自发光器件的一侧，位于所述非显示区域内的所述自发光器件上设置有至少两个凹槽；

所述可伸缩挡墙结构包括至少两个可伸长挡墙和至少一个可压缩挡墙，每个所述可压缩挡墙位于相邻的两个所述可伸长挡墙之间，在指定物理条件下，所述可压缩挡墙的高度不小于所述可伸长挡墙的高度；

所述自发光型显示屏还包括施重挡墙，所述施重挡墙设置在所述可伸缩挡墙结构远离所述自发光器件的一侧；

所述至少两个可伸长挡墙与所述至少两个凹槽一一对应设置，每个所述凹槽内填充有光致异构化材料，且每个所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖对应的可伸长挡墙在所述衬底基板上的正投影。

可选的，所述光致异构化材料远离所述衬底基板的一面上设置有保护层。

可选的，所述可伸缩挡墙结构的制造材料为磁致伸缩材料或热膨胀材料。

第二方面，提供了一种自发光型显示屏的制造方法，所述方法包括：

制备显示屏母板，所述显示屏母板包括阵列排布的多个自发光型显示屏，每个所述自发光型显示屏具有显示区域和位于所述显示区域周围呈封闭环状的非显示区域，所述自发光型显示屏包括衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的自发光器件和封装层，位于所述非显示区域内的封装层的一侧设置有可伸缩挡墙结构；

改变所述可伸缩挡墙结构的高度，以使得所述封装层在目标区域内断裂；

从所述封装层远离所述衬底基板的一侧，采用激光束在相邻两个所述自发光型显示屏之间对所述显示屏母板进行切割，以得到多个所述自发光型显示屏；

其中，所述目标区域位于所述可伸缩挡墙结构在所述封装层的正投影所在区域内。

可选的，所述制备所述显示屏母板，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成所述自发光器件；

在形成有所述自发光器件的衬底基板的所述非显示区域内形成所述可伸缩挡墙结构，所述可伸缩挡墙结构包括可伸长挡墙；

在形成有所述可伸缩挡墙结构的衬底基板上形成所述封装层；

所述改变所述可伸缩挡墙结构的高度，以使得所述封装层在目标区域内断裂，包括：

增大所述可伸长挡墙的高度，以使得所述封装层在所述高度方向上受到所述可伸长挡墙的支撑力后在所述目标区域内发生断裂。

可选的，所述制备所述显示屏母板，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成所述自发光器件；

在位于所述非显示区域内的所述自发光器件远离所述衬底基板的一侧形成至少两个凹槽；

在所述至少两个凹槽内填充液态光致异构化材料；

在对所述液态光致异构化材料进行固化处理得到固态光致异构化材料后，在所述自发光器件远离所述衬底基板的一侧形成所述封装层；

在形成有所述封装层的衬底基板的所述非显示区域内形成所述可伸缩挡墙结构，所述可伸缩挡墙结构包括至少两个可伸长挡墙和至少一个可压缩挡墙，每个所述可压缩挡墙位于相邻的两个所述可伸长挡墙之间，所述可压缩挡墙的高度不小于所述可伸长挡墙的高度，所述至少两个可伸长挡墙与所述至少两个凹槽一一对应设置，每个所述凹槽内填充有光致异构化材料，且每个所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖对应的可伸长挡墙在所述衬底基板上的正投影；

在所述可伸缩挡墙结构远离所述自发光器件的一侧形成施重挡墙；

在所述改变所述可伸缩挡墙结构的高度之前，所述方法还包括：

对所述固态光致异构化材料进行液化处理；

所述改变所述可伸缩挡墙结构的高度，以使得所述封装层在目标区域内断裂，包括：

增大所述可伸长挡墙的高度，并减小所述可压缩挡墙的高度，使所述可伸长挡墙的高度大于所述可压缩挡墙的高度，以通过所述施重挡墙对所述可伸长挡墙施加压力，增大所述可伸长挡墙对所述封装层施加的压力，使所述封装层在所述凹槽所在区域内发生形变后断裂。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：

本发明实施例提供的自发光型显示屏及其制造方法，通过在非显示区域内的封装层的一侧设置可伸缩挡墙结构，在对显示屏母板进行激光切割前，改变可伸缩挡墙结构的高度，可以使非显示区域内的封装层发生断裂。在对显示屏母板进行激光切割的过程中，即使高温导致封装层的切割边缘出现裂纹，由于非显示区域内的封装层已断裂，该裂纹无法延伸至显示区域内的封装层，提高了对自发光型显示屏的封装可靠性，进而提高了自发光型显示屏的显示可靠性。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种自发光型显示屏的结构示意图；

图2是图1所示的自发光型显示屏的俯视示意图；

图3是本发明实施例提供的另一种自发光型显示屏的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的又一种自发光型显示屏的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的再一种自发光型显示屏的结构示意图；

图6是本发明的另一实施例提供的一种自发光型显示屏的结构示意图；

图7是本发明的另一实施例提供的另一种自发光型显示屏的结构示意图；

图8是本发明的另一实施例提供的又一种自发光型显示屏的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的一种自发光型显示屏的制造方法的流程图；

图10是本发明实施例提供的另一种自发光型显示屏的制造方法的流程图；

图11是本发明实施例提供的又一种自发光型显示屏的制造方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1是本发明实施例提供的一种自发光型显示屏的结构示意图，该自发光型显示屏10具有显示区域A和位于显示区域A周围呈封闭环状的非显示区域B，该自发光型显示屏10包括：

衬底基板101，以及依次设置在衬底基板101上的自发光器件102和封装层103，可伸缩挡墙结构104位于显示区域A周围，呈封闭环状，可伸缩挡墙结构104设置在非显示区域B内的封装层103平行于衬底基板101的一侧，封装层104在目标区域内断裂，目标区域位于可伸缩挡墙结构104在封装层103的正投影所在区域内。

示例的，当自发光型显示屏呈矩形，则非显示区域呈矩形环状；当自发光型显示屏呈圆形，则非显示区域呈圆环状，本发明实施例对此不做限定。

其中，可伸缩挡墙结构设置在非显示区域内的封装层平行于衬底基板的一侧，包括：可伸缩挡墙结构设置在非显示区域内的封装层远离衬底基板的一侧；或者，参见图1，可伸缩挡墙结构设置在非显示区域内的封装层靠近衬底基板的一侧，即可伸缩挡墙结构设置在封装层与自发光器件之间。在本发明实施例中，可伸缩挡墙结构包括可伸长挡墙，或者，可伸缩挡墙结构包括可伸长挡墙和可压缩挡墙。其中，可伸长挡墙指在高度方向上能够伸长的结构，可压缩挡墙指在高度方向上能够压缩的结构。

可选的，图2是图1所示的自发光型显示屏的俯视示意图，如图2所示，封装层103整层设置，该封装层103包括位于显示区域A内的部分和位于非显示区域B内的部分。参见图2，封装层103在目标区域内断裂，该目标区域位于可伸缩挡墙结构104在封装层103的正投影所在区域内，封装层103在目标区域内的裂纹L呈封闭环状。

可选的，衬底基板可以由玻璃、硅片、石英以及塑料等透明材料制成。

综上所述，本发明实施例提供的自发光型显示屏，通过在非显示区域内的封装层的一侧设置可伸缩挡墙结构，在对显示屏母板进行激光切割前，改变可伸缩挡墙结构的高度，可以使非显示区域内的封装层发生断裂。在对显示屏母板进行激光切割的过程中，即使高温导致封装层的切割边缘出现裂纹，由于非显示区域内的封装层已断裂，该裂纹无法延伸至显示区域内的封装层，提高了对自发光型显示屏的封装可靠性，进而提高了自发光型显示屏的显示可靠性。

可选的，可伸缩挡墙结构的制造材料为磁致伸缩材料或热膨胀材料。

其中，磁致伸缩材料为随着磁场强度的变化发生膨胀或收缩的材料。磁致伸缩材料可分为正磁致伸缩材料和负磁致伸缩材料，正磁致伸缩材料随着磁场强度的增大而膨胀；负磁致伸缩材料随着磁场强度的增大而收缩。其中，含铁元素的磁致伸缩材料属于正磁致伸缩材料，含镍元素的磁致伸缩材料属于负磁致伸缩材料。正磁致伸缩材料可用于制备可伸长挡墙，负磁致伸缩材料可用于制备可压缩挡墙。

可选的，磁致伸缩材料包括：镍钴(Ni-Co)合金、镍钴镉(Ni-Co-Cr)合金和铁铝(Fe-Al)合金等金属系合金，镍钴(Ni-Co)铁氧化材料和镍钴铜(Ni-Co-Cu)铁氧体材料，以及铽(Tb)的二价铁化合物(例如TbFe₂)、镝(Dy)的二价铁化合物(例如DyFe₂)和钐(Sm)的二价铁化合物(例如SmFe₂)，本发明实施例对所采用的磁致伸缩材料的材质不做限定。

可选的，采用磁致伸缩材料通过真空转印的方式在衬底基板的非显示区域内形成可伸缩挡墙结构，本发明实施例对可伸缩挡墙结构的制备工艺不做限定。

其中，热膨胀材料为随着温度的变化发生膨胀或收缩的材料。热膨胀材料可分为正性热膨胀材料和负性热膨胀材料，正性热膨胀材料随着温度的升高而膨胀；负性热膨胀材料随着温度的升高而收缩。正性热膨胀材料可用于制备可伸长挡墙，负性热膨胀材料可用于制备可压缩挡墙。

可选的，正性热膨胀材料可以为铝(Al)、钼(Mo)或铌(Nb)等金属材料；也可为掺杂有正性热膨胀材料颗粒的光刻胶。当采用金属材料作为正性热膨胀材料制备可伸缩挡墙结构，可通过溅射或刻蚀等方式在衬底基板的非显示区域内形成可伸缩挡墙结构；当采用掺杂有正性热膨胀材料颗粒的光刻胶作为正性热膨胀材料制备可伸缩挡墙结构，可通过光刻工艺在衬底基板的非显示区域内形成可伸缩挡墙结构。

可选的，负性热膨胀材料可为掺杂有负性热膨胀材料颗粒的光刻胶。

需要说明的是，本发明实施例提供的自发光型显示屏的结构可以有多种，图1、图3至图8分别示出了一种示例性自发光型显示屏的结构示意图。

在一种可能的实现方式中，参见图1、图3至图5，可伸缩挡墙结构可以设置在非显示区域内的封装层靠近衬底基板的一侧，即可伸缩挡墙结构设置在封装层与自发光器件之间。

参见图1，可伸缩挡墙结构104位于自发光器件102与封装层103之间；可伸缩挡墙结构104包括可伸长挡墙104a。

可选的，可伸长挡墙的高度范围为：5微米至10微米；可伸长挡墙的宽度范围为：5微米至10微米。

需要说明的是，本发明实施例提供的自发光型显示屏是通过切割显示屏母板得到的，如图1所示的自发光型显示屏的制备过程包括：在衬底基板上形成自发光器件；在自发光器件远离衬底基板的一侧的非显示区域内形成可伸长挡墙；在形成有可伸长挡墙的衬底基板上形成封装层；增大可伸长挡墙的高度，以使得封装层在高度方向上受到可伸长挡墙的支撑力后在目标区域内发生断裂；通过对显示屏母板进行切割，得到该自发光型显示屏。

可选的，可伸长挡墙的纵截面呈矩形或梯形，该纵截面垂直于自发光型显示屏的显示面。通过设置侧截面呈矩形或梯形的可伸长挡墙，可以使封装层与可伸长挡墙的接触部分存在弯折结构，当封装层在高度方向上受到可伸长挡墙的支撑力后，该弯折结构处受到的应力最大，进而保证封装层在该弯折结构处断裂。

可选的，如图3所示，可伸缩挡墙结构104还包括可压缩挡墙104b，可压缩挡墙104b与可伸长挡墙104a相邻设置，且可压缩挡墙104b的高度不大于可伸长挡墙104a的高度。其中，可选可压缩挡墙的高度小于可伸长挡墙的高度。

可选的，可压缩挡墙的高度范围为：5微米至10微米；可压缩挡墙的宽度范围为：5微米至10微米。

可选的，可伸长挡墙与可压缩挡墙的间距范围为：0微米至5微米；可伸长挡墙的高度与可压缩挡墙的高度的差值范围为：0微米至5微米。

需要说明的是，在封装层和自发光器件之间设置相邻设置的可伸长挡墙和可压缩挡墙，可以通过增大可伸长挡墙的高度，减小可压缩挡墙的高度，使封装层在远离衬底基板的方向上受到可伸长挡墙的支撑力，以及在靠近衬底基板的方向上受到可压缩挡墙的拉力后在目标区域内发生断裂。其中，该目标区域位于可伸长挡墙与可压缩挡墙之间。

可选的，可压缩挡墙的纵截面呈矩形或梯形。

可选的，如图4所示，自发光型显示屏10还包括至少两个加固墙105；可伸缩挡墙结构104靠近显示区域A的一侧以及远离显示区域A的一侧均设置有加固墙105，且每个加固墙105均位于非显示区域B内。

需要说明的是，加固墙对可伸缩挡墙结构起到限位固定作用，以保证整体结构的稳定性。

可选的，加固墙由感光型树脂材料制成。例如加固墙可以由聚酰亚胺(Poiyimide，PI)材料制成，本发明实施例对此不做限定。

可选的，加固墙的高度范围为：1微米至2微米；加固墙的宽度范围为：10微米至20微米。

在本发明实施例中，自发光型显示屏的非显示区域内可以设置有一组或多组可伸缩挡墙结构，可以设置1至4组可伸缩挡墙结构，每组可伸缩挡墙结构可以包括贴合设置的可伸长挡墙和可压缩挡墙。当自发光型显示屏的非显示区域内设置有多组可伸缩挡墙结构时，可选相邻两组可伸缩挡墙结构的间隔范围为：0.05毫米至0.5毫米。

示例的，参见图5，可以在自发光型显示屏的非显示区域内设置2组可伸缩挡墙结构，其中，图5中的附图标记可参考图4，本发明实施例在此不做赘述。

在另一种可能的实现方式中，参见图6至图8，可伸缩挡墙结构可以设置在非显示区域内的封装层远离衬底基板的一侧。

可选的，参见图6，位于非显示区域内的自发光器件102上设置有至少两个凹槽m；可伸缩挡墙结构104包括至少两个可伸长挡墙104a和至少一个可压缩挡墙104b，每个可压缩挡墙104b位于相邻的两个可伸长挡墙104a之间，在指定物理条件下，可压缩挡墙104b的高度不小于可伸长挡墙104a的高度。可选可压缩挡墙的高度等于可伸长挡墙的高度。

需要说明的是，参见图6，自发光型显示屏10还包括施重挡墙106，施重挡墙106设置在可伸缩挡墙结构104远离自发光器件102的一侧；至少两个可伸长挡墙104a与至少两个凹槽m一一对应设置，每个凹槽m内填充有光致异构化材料，且每个凹槽m在衬底基板101上的正投影覆盖对应的可伸长挡墙104a在衬底基板101上的正投影。可选可伸长挡墙的宽度小于凹槽的宽度。

需要说明的是，在形成有封装层的衬底基板的非显示区域内设置可伸缩挡墙结构，当可压缩挡墙的高度大于可伸长挡墙的高度时，施重挡墙的压力全部施加在可压缩挡墙上，当可压缩挡墙的高度等于可伸长挡墙的高度时，施重挡墙的压力施加在可压缩挡墙和可伸长挡墙上。通过增大可伸长挡墙的高度，并减小可压缩挡墙的高度，使得可伸长挡墙的高度大于可压缩挡墙的高度，此时，施重挡墙的压力全部施加在可伸长挡墙上，同时由于填充在凹槽内的光致异构化材料已通过紫外光照射由固态转换为液态，因此可伸长挡墙对封装层施加压力后，能够使封装层在凹槽所在区域内发生形变后断裂。

可选的，当可伸缩挡墙结构的制备材料为磁致伸缩材料时，上述指定物理条件指自发光型显示屏处于未施加磁场的环境中；当可伸缩挡墙结构的制备材料为热膨胀材料时，上述指定物理条件指自发光型显示屏处于信赖性温度的环境中，该信赖性温度为自发光型显示屏正常使用时所处的温度。

可选的，凹槽的宽度范围为：10微米至50微米；凹槽的深度范围为：0.05微米至0.25微米。至少两个凹槽的间隔的范围为：10微米至50微米。可以通过刻蚀的方式在非显示区域内的自发光器件上形成凹槽。

可选的，可伸缩挡墙结构的高度范围为：1微米至5微米。可伸长挡墙的宽度范围为：10微米至50微米，可压缩挡墙的宽度范围为：10微米至50微米。

可选的，施重挡墙的制备材料为光刻胶，可以通过涂覆的方式在可伸缩挡墙结构远离自发光器件的一侧形成施重挡墙。可选施重挡墙的宽度范围为：20微米至100微米，施重挡墙的高度范围为：1微米至5微米。可选施重挡墙的宽度等于可伸缩挡墙结构的宽度，也即是，施重挡墙的宽度等于可伸长挡墙和可伸缩挡墙的宽度之和。

需要说明的是，光致异构化材料为含有偶氮苯分子的有机材料，也即是，光致异构化材料为分子式具有偶氮苯基团的有机材料，其具有在紫外光照射下从固态转化为液态、在可见光照射下从液态转化为固态的性质。光致异构化材料的物理状态转化原理为：偶氮苯基团同时具有亚稳定的顺式异构体和热力学稳定的反式异构体这两种异构体结构。在紫外光照射下，偶氮苯基团可以从顺式异构体转变为反式异构体，相应的，光致异构化材料由固态转化为液态；在可见光照射下，偶氮苯基团可以从反式异构体转变为顺式异构体，相应的，光致异构化材料由液态转化为固态。可选的，紫外光的波长范围为：350纳米至400纳米；可见光的波长范围为：500纳米至550纳米。

可选的，参见图6，光致异构化材料远离衬底基板101的一面上设置有保护层107。

可选的，保护层的制备材料为氮化硅(SiN_x)、二氧化硅(SiO₂)、碳化硅(SiC)、三氧化二铝(Al₂O₃)或氮氧化硅(SiON)等能够阻隔水氧的材料，本发明实施例对保护层的材质不做限定。

可选的，通过化学气相沉积(Chemicl Vpor Deposition，CVD)、溅射或原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)等方式制备保护层，本发明实施例对保护层的制备方式不做限定。保护层的厚度范围可以为：0.03微米至0.5微米。

需要说明的是，保护层应采用低温制备的方式制成。例如，在保护层的制备过程中，应确保保护层的制备温度小于预设温度阈值，该预设温度阈值可以为80摄氏度，以避免保护层的温度过高使得光致异构化材料失效。由于封装层通常在高温条件下制备，在光致异构化材料远离衬底基板的一面上形成保护层，保护层可以对光致异构化材料起到隔绝热量等保护作用，以避免在封装层的制备过程中产生的热量导致光致异构化材料失效。

在本发明实施例中，自发光型显示屏的非显示区域内可以设置有一组或多组可伸缩挡墙结构，可以设置1至4组可伸缩挡墙结构，每组可伸缩挡墙结构可以包括两个可伸长挡墙和一个设置在两个可伸长挡墙之间的可压缩挡墙，其中，自发光器件远离衬底基板的一面上设置有与可伸长挡墙凹槽一一对应设置的凹槽。

可选的，当自发光型显示屏的非显示区域内设置有多组可伸缩挡墙结构时，可选相邻两组可伸缩挡墙结构的间隔范围为：0.05毫米至0.5毫米。示例的，参见图7，可以在自发光型显示屏的非显示区域内设置2组可伸缩挡墙结构，其中，图7中的附图标记可参考图6，本发明实施例在此不做赘述。

可选的，自发光型显示屏的非显示区域内可以设置有一组可伸缩挡墙结构，该一组可伸缩挡墙结构包括交错设置的可伸长挡墙和可压缩挡墙，其中，每相邻两个可伸长挡墙之间设置有可压缩挡墙。示例的，参见图8，一组可伸缩挡墙结构包括3个可伸长挡墙104a和2个可压缩挡墙104b，其中，图8中的其他附图标记可参考图6，本发明实施例在此不做赘述。

综上所述，本发明实施例提供的自发光型显示屏，通过在非显示区域内的封装层的一侧设置可伸缩挡墙结构，在对显示屏母板进行激光切割前，改变可伸缩挡墙结构的高度，可以使非显示区域内的封装层发生断裂。在对显示屏母板进行激光切割的过程中，即使高温导致封装层的切割边缘出现裂纹，由于非显示区域内的封装层已断裂，该裂纹无法延伸至显示区域内的封装层，提高了对自发光型显示屏的封装可靠性，进而提高了自发光型显示屏的显示可靠性。

图9是本发明实施例提供的一种自发光型显示屏的制造方法的流程图，如图9所示，该方法可以包括以下工作过程：

步骤201、制备显示屏母板。

其中，显示屏母板包括阵列排布的多个自发光型显示屏，每个自发光型显示屏具有显示区域和位于显示区域周围呈封闭环状的非显示区域，自发光型显示屏包括衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的自发光器件和封装层，位于非显示区域内的封装层的一侧设置有可伸缩挡墙结构。

步骤202、改变可伸缩挡墙结构的高度，以使得封装层在目标区域内断裂。

需要说明的是，当可伸缩挡墙结构由磁致伸缩材料制备得到，向显示屏母板施加磁场，改变可伸缩挡墙结构的高度，以使得封装层在目标区域内断裂；当可伸缩挡墙结构由热膨胀材料制备得到，对可伸缩挡墙结构加热，改变可伸缩挡墙结构的高度，以使得封装层在目标区域内断裂，该目标区域位于可伸缩挡墙结构在封装层的正投影所在区域内。

步骤203、从封装层远离衬底基板的一侧，采用激光束在相邻两个自发光型显示屏之间对显示屏母板进行切割，以得到多个自发光型显示屏。

综上所述，本发明实施例提供的自发光型显示屏的制造方法，通过在非显示区域内的封装层的一侧设置可伸缩挡墙结构，在对显示屏母板进行激光切割前，改变可伸缩挡墙结构的高度，可以使非显示区域内的封装层发生断裂。在对显示屏母板进行激光切割的过程中，即使高温导致封装层的切割边缘出现裂纹，由于非显示区域内的封装层已断裂，该裂纹无法延伸至显示区域内的封装层，提高了对自发光型显示屏的封装可靠性，进而提高了自发光型显示屏的显示可靠性。

可选的，显示屏母板的结构可以有多种，其分别与上述如图1、图3至图8所示的自发光型显示屏的结构对应。在本发明实施例中，显示屏母板中的可伸缩挡墙结构可以设置封装层靠近衬底基板的一侧，即可伸缩挡墙结构设置在封装层与自发光器件之间；或者，显示屏母板中的可伸缩挡墙结构可以设置在封装层远离衬底基板的一侧。以下实施例分别对可伸缩挡墙结构设置的两种位置所对应的自发光型显示屏的制造方法进行示例性说明。

图10是本发明实施例提供的另一种自发光型显示屏的制造方法的流程图，如图10所示，该方法可以包括以下工作过程：

步骤301、提供一衬底基板。

可选的，衬底基板可以由玻璃、硅片、石英以及塑料等透明材料制成。

步骤302、在衬底基板上形成自发光器件。

可选的，自发光器件可以为OLED器件或QLED器件等。可选通过蒸镀的方式在衬底基板上形成自发光器件，本发明实施例对此不做限定。

步骤303、在形成有自发光器件的衬底基板的非显示区域内形成可伸缩挡墙结构。

可选的，参见图1，可伸缩挡墙结构104位于自发光器件102与封装层103之间；可伸缩挡墙结构104包括可伸长挡墙104a。或者，进一步参见图3，可伸缩挡墙结构104还包括可压缩挡墙104b，可压缩挡墙104b与可伸长挡墙104a相邻设置，且可压缩挡墙104b的高度不大于可伸长挡墙104a的高度。

可选的，可伸缩挡墙结构的制造材料为磁致伸缩材料或热膨胀材料。

在一种可能的实现方式中，当可伸缩挡墙结构的制造材料为磁致伸缩材料，可通过真空转印的方式在衬底基板的非显示区域内形成可伸缩挡墙结构。例如，当可伸缩挡墙结构包括可伸长挡墙和可压缩挡墙时，可先采用正磁致伸缩材料通过真空转印的方式在衬底基板的非显示区域内形成可伸长挡墙，再采用负磁致伸缩材料通过真空转印的方式在衬底基板的非显示区域内形成可压缩挡墙；或者，也可先采用负磁致伸缩材料通过真空转印的方式在衬底基板的非显示区域内形成可压缩挡墙，再采用正磁致伸缩材料通过真空转印的方式在衬底基板的非显示区域内形成可伸长挡墙，本发明实施例对可伸长挡墙和可压缩挡墙的形成先后顺序不做限定。

在另一种可能的实现方式中，可伸缩挡墙结构的制造材料为热膨胀材料。当热膨胀材料为金属材料时，可通过溅射刻蚀等方式在衬底基板的非显示区域内形成可伸缩挡墙结构；当热膨胀材料为掺杂有热膨胀材料颗粒(包括正性热膨胀材料颗粒或负性热膨胀材料颗粒)的光刻胶时，可通过光刻工艺在衬底基板的非显示区域内形成可伸缩挡墙结构。

可选的，参见图4，自发光型显示屏10还包括至少两个加固墙105；可伸缩挡墙结构104靠近显示区域A的一侧以及远离显示区域A的一侧均设置有加固墙105，且每个加固墙105均位于非显示区域B内。

需要说明的是，加固墙对可伸缩挡墙结构起到限位固定作用，以保证整体结构的稳定性。

可选的，在形成有自发光器件的衬底基板的非显示区域内形成可伸缩挡墙结构之前，可通过光刻的方式在形成有自发光器件的衬底基板的非显示区域内形成平行设置的多个加固墙；然后在加固墙之间形成可伸缩挡墙结构。

步骤304、在形成有可伸缩挡墙结构的衬底基板上形成封装层。

可选的，封装层可以由氧化物材料、氟化物材料或氮化硅材料制备得到。可通过蒸镀的方式在形成有可伸缩挡墙结构的衬底基板上形成封装层，本发明实施例对此不做限定。

步骤305、改变可伸缩挡墙结构的高度，以使得封装层在目标区域内断裂。

可选的，改变可伸缩挡墙结构的高度的方式包括：

当制备可伸缩挡墙结构的材质为磁致伸缩材料时，向显示屏母板施加磁场，由正磁致伸缩材料制备得到的可伸长挡墙会随着磁场强度的增大而膨胀，由负磁致伸缩材料制备得到的可压缩挡墙会随着磁场强度的增大而收缩，进而改变了可伸缩挡墙结构的高度。

当制备可伸缩挡墙结构的材质为热膨胀材料时，对可伸缩挡墙结构加热，由正性热膨胀材料制备得到的可伸长挡墙会随着温度的升高而膨胀，由负性磁致伸缩材料制备得到的可压缩挡墙会随着温度的升高而收缩，进而改变了可伸缩挡墙结构的高度。

可选的，当可伸缩挡墙结构包括可伸长挡墙，通过增大可伸长挡墙的高度，以使得封装层在高度方向上受到可伸长挡墙的支撑力后在目标区域内发生断裂；当可伸缩挡墙结构包括相邻设置的可伸长挡墙和可压缩挡墙，通过增大可伸长挡墙的高度，减小可压缩挡墙的高度，使封装层在远离衬底基板的方向上受到可伸长挡墙的支撑力，以及在靠近衬底基板的方向上受到可压缩挡墙的拉力后在目标区域内发生断裂。

步骤306、从封装层远离衬底基板的一侧，采用激光束在相邻两个自发光型显示屏之间对显示屏母板进行切割，以得到多个自发光型显示屏。

可选的，当可伸缩挡墙结构的制备材料为热膨胀材料时，也可以通过对显示屏母板进行切割的过程中，激光束所产生的热量改变可伸缩挡墙的高度，进而使封装层在目标区域内断裂，也即是，对显示屏母板进行切割前，无需单独对可伸缩挡墙结构加热，简化了制备工艺。

需要说明的是，本发明实施例提供的自发光型显示屏的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的自发光型显示屏的制造方法，通过在非显示区域内的封装层和自发光器件之间设置可伸缩挡墙结构，在对显示屏母板进行激光切割前，改变可伸缩挡墙结构的高度，可以使非显示区域内的封装层发生断裂。在对显示屏母板进行激光切割的过程中，即使高温导致封装层的切割边缘出现裂纹，由于非显示区域内的封装层已断裂，该裂纹无法延伸至显示区域内的封装层，提高了对自发光型显示屏的封装可靠性，进而提高了自发光型显示屏的显示可靠性。

关于上述方法实施例中的结构，其中自发光型显示屏的结构以及材质已经在装置侧实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

图11是本发明实施例提供的另一种自发光型显示屏的制造方法的流程图，如图11所示，该方法可以包括以下工作过程：

步骤401、提供一衬底基板。

可选的，衬底基板可以由玻璃、硅片、石英以及塑料等透明材料制成。

步骤402、在衬底基板上形成自发光器件。

其中，自发光器件的类型和制备方式可参考上述步骤302，本发明实施例在此不做赘述。

步骤403、在位于非显示区域内的自发光器件远离衬底基板的一侧形成至少两个凹槽。

可选的，可通过刻蚀的方式在非显示区域内的自发光器件上形成凹槽。

步骤404、在至少两个凹槽内填充液态光致异构化材料。

可选的，通过涂布的方式在凹槽内填充液态光致异构化材料。

步骤405、对液态光致异构化材料进行固化处理，得到固态光致异构化材料。

可选的，可采用可见光对液态光致异构化材料进行照射，使液态光致异构化材料转换为固态光致异构化材料，可选照射时间为10至20分钟。

步骤406、在固态光致异构化材料远离衬底基板的一面上形成保护层。

可选的，通过CVD、溅射或ALD等方式在固态光致异构化材料远离衬底基板的一面上制备保护层，本发明实施例对保护层的制备方式不做限定。

可选的，保护层的制备材料为SiN_x、SiO₂、SiC、Al₂O₃或SiON等能够阻隔水氧的材料，本发明实施例对保护层的材质不做限定。

需要说明的是，保护层应采用低温制备的方式制成。例如，在保护层的制备过程中，应确保保护层的制备温度小于80摄氏度，以避免保护层的温度过高使得光致异构化材料失效。由于封装层通常在高温条件下制备，在光致异构化材料远离衬底基板的一面上形成保护层，保护层可以对光致异构化材料起到隔绝热量等保护作用，以避免在封装层的制备过程中产生的热量导致光致异构化材料失效。

步骤407、在形成有保护层的衬底基板上形成封装层。

上述步骤407，也即是，在自发光器件远离衬底基板的一侧形成封装层。其中，封装层的材质和制备方式可参考上述步骤304，本发明实施例在此不做赘述。

步骤408、在形成有封装层的衬底基板的非显示区域内形成可伸缩挡墙结构。

可选的，参见图6，可伸缩挡墙结构104包括至少两个可伸长挡墙104a和至少一个可压缩挡墙104b，每个可压缩挡墙104b位于相邻的两个可伸长挡墙104a之间，在指定物理条件下，可压缩挡墙104b的高度不小于可伸长挡墙104a的高度，且每个凹槽m在衬底基板101上的正投影覆盖对应的可伸长挡墙104a在衬底基板101上的正投影。

其中，可伸缩挡墙结构的材质和制备方式可参考上述步骤303，本发明实施例在此不做赘述。

步骤409、在可伸缩挡墙结构远离自发光器件的一侧形成施重挡墙。

可选的，施重挡墙的制备材料为光刻胶，可以通过涂覆光刻胶的方式在可伸缩挡墙结构远离自发光器件的一侧形成施重挡墙。可选施重挡墙的宽度等于可伸缩挡墙结构的宽度，也即是，施重挡墙的宽度等于可伸长挡墙和可伸缩挡墙的宽度之和。

步骤410、对固态光致异构化材料进行液化处理。

可选的，可采用紫外光对固态光致异构化材料进行照射，使固态光致异构化材料转换为液态光致异构化材料，可选照射时间为10至20分钟。

步骤411、改变可伸缩挡墙结构的高度，以使得所述封装层在目标区域内断裂。

其中，改变可伸缩挡墙结构的高度的方式可参考上述步骤305，本发明实施例在此不做赘述。

需要说明的是，在形成有封装层的衬底基板的非显示区域内设置可伸缩挡墙结构，当可压缩挡墙的高度大于可伸长挡墙的高度时，施重挡墙的压力全部施加在可压缩挡墙上，当可压缩挡墙的高度等于可伸长挡墙的高度时，施重挡墙的压力施加在可压缩挡墙和可伸长挡墙上。通过增大可伸长挡墙的高度，并减小可压缩挡墙的高度，使得可伸长挡墙的高度大于可压缩挡墙的高度，此时，施重挡墙的压力全部施加在可伸长挡墙上，同时由于填充在凹槽内的光致异构化材料已通过紫外光照射由固态转换为液态，因此可伸长挡墙对封装层施加的压力后，能够使封装层在凹槽所在区域内发生形变后断裂。

步骤412、从封装层远离衬底基板的一侧，采用激光束在相邻两个自发光型显示屏之间对显示屏母板进行切割，以得到多个自发光型显示屏。

可选的，当可伸缩挡墙结构的制备材料为热膨胀材料时，也可以通过对显示屏母板进行切割的过程中，激光束所产生的热量改变可伸缩挡墙的高度，进而使封装层在目标区域内断裂，也即是，对显示屏母板进行切割前，无需单独对可伸缩挡墙结构加热，简化了制备工艺。

需要说明的是，本发明实施例提供的自发光型显示屏的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的自发光型显示屏的制造方法，通过在位于非显示区域内的自发光器件远离衬底基板的一面形成至少两个凹槽，并在每个凹槽对应的位置形成可伸长挡墙，以及在可伸长挡墙之间形成可压缩挡墙，在可伸长挡墙和可压缩挡墙远离衬底基板的一面上形成施重挡墙，在对显示屏母板进行激光切割前，改变可伸缩挡墙结构的高度，使得施重挡墙的压力施加在可伸长挡墙上，进而使非显示区域内的封装层发生形变后断裂。在对显示屏母板进行激光切割的过程中，即使高温导致封装层的切割边缘出现裂纹，由于非显示区域内的封装层已断裂，该裂纹无法延伸至显示区域内的封装层，提高了对自发光型显示屏的封装可靠性，进而提高了自发光型显示屏的显示可靠性。

关于上述方法实施例中的结构，其中自发光型显示屏的结构以及材质已经在装置侧实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种自发光型显示屏，其特征在于，所述自发光型显示屏具有显示区域和位于所述显示区域周围呈封闭环状的非显示区域，所述自发光型显示屏包括：

衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的自发光器件和封装层；

可伸缩挡墙结构，所述可伸缩挡墙结构位于所述显示区域周围，呈封闭环状，所述可伸缩挡墙结构设置在所述非显示区域内的封装层的靠近或远离所述衬底基板的一侧，所述封装层在目标区域内通过所述可伸缩挡墙结构的高度改变而断裂，所述目标区域位于所述可伸缩挡墙结构在所述封装层的正投影所在区域内。

2.根据权利要求1所述的自发光型显示屏，其特征在于，所述可伸缩挡墙结构位于所述自发光器件与所述封装层之间；

所述可伸缩挡墙结构包括可伸长挡墙。

3.根据权利要求2所述的自发光型显示屏，其特征在于，所述可伸缩挡墙结构还包括可压缩挡墙，所述可压缩挡墙与所述可伸长挡墙相邻设置，且所述可压缩挡墙的高度不大于所述可伸长挡墙的高度。

4.根据权利要求2或3所述的自发光型显示屏，其特征在于，所述自发光型显示屏还包括至少两个加固墙；

所述可伸缩挡墙结构靠近所述显示区域的一侧以及远离所述显示区域的一侧均设置有所述加固墙，且每个所述加固墙均位于所述非显示区域内。

5.根据权利要求1所述的自发光型显示屏，其特征在于，所述可伸缩挡墙结构位于所述封装层远离所述自发光器件的一侧，位于所述非显示区域内的所述自发光器件上设置有至少两个凹槽；

所述可伸缩挡墙结构包括至少两个可伸长挡墙和至少一个可压缩挡墙，每个所述可压缩挡墙位于相邻的两个所述可伸长挡墙之间，在指定物理条件下，所述可压缩挡墙的高度不小于所述可伸长挡墙的高度；

所述自发光型显示屏还包括施重挡墙，所述施重挡墙设置在所述可伸缩挡墙结构远离所述自发光器件的一侧；

所述至少两个可伸长挡墙与所述至少两个凹槽一一对应设置，每个所述凹槽内填充有光致异构化材料，且每个所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖对应的可伸长挡墙在所述衬底基板上的正投影。

6.根据权利要求5所述的自发光型显示屏，其特征在于，

所述光致异构化材料远离所述衬底基板的一面上设置有保护层。

7.根据权利要求1所述的自发光型显示屏，其特征在于，

所述可伸缩挡墙结构的制造材料为磁致伸缩材料或热膨胀材料。

8.一种自发光型显示屏的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

制备显示屏母板，所述显示屏母板包括阵列排布的多个自发光型显示屏，每个所述自发光型显示屏具有显示区域和位于所述显示区域周围呈封闭环状的非显示区域，所述自发光型显示屏包括衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的自发光器件和封装层，位于所述非显示区域内的封装层的一侧设置有可伸缩挡墙结构；

改变所述可伸缩挡墙结构的高度，以使得所述封装层在目标区域内断裂；

从所述封装层远离所述衬底基板的一侧，采用激光束在相邻两个所述自发光型显示屏之间对所述显示屏母板进行切割，以得到多个所述自发光型显示屏；

其中，所述目标区域位于所述可伸缩挡墙结构在所述封装层的正投影所在区域内。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述制备所述显示屏母板，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成所述自发光器件；

在形成有所述自发光器件的衬底基板的所述非显示区域内形成所述可伸缩挡墙结构，所述可伸缩挡墙结构包括可伸长挡墙；

在形成有所述可伸缩挡墙结构的衬底基板上形成所述封装层；

所述改变所述可伸缩挡墙结构的高度，以使得所述封装层在目标区域内断裂，包括：

增大所述可伸长挡墙的高度，以使得所述封装层在所述高度方向上受到所述可伸长挡墙的支撑力后在所述目标区域内发生断裂。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述制备所述显示屏母板，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成所述自发光器件；

在位于所述非显示区域内的所述自发光器件远离所述衬底基板的一侧形成至少两个凹槽；

在所述至少两个凹槽内填充液态光致异构化材料；

在对所述液态光致异构化材料进行固化处理得到固态光致异构化材料后，在所述自发光器件远离所述衬底基板的一侧形成所述封装层；

在形成有所述封装层的衬底基板的所述非显示区域内形成所述可伸缩挡墙结构，所述可伸缩挡墙结构包括至少两个可伸长挡墙和至少一个可压缩挡墙，每个所述可压缩挡墙位于相邻的两个所述可伸长挡墙之间，所述可压缩挡墙的高度不小于所述可伸长挡墙的高度，所述至少两个可伸长挡墙与所述至少两个凹槽一一对应设置，每个所述凹槽内填充有光致异构化材料，且每个所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖对应的可伸长挡墙在所述衬底基板上的正投影；

在所述可伸缩挡墙结构远离所述自发光器件的一侧形成施重挡墙；

在所述改变所述可伸缩挡墙结构的高度之前，所述方法还包括：

对所述固态光致异构化材料进行液化处理；

所述改变所述可伸缩挡墙结构的高度，以使得所述封装层在目标区域内断裂，包括：

增大所述可伸长挡墙的高度，并减小所述可压缩挡墙的高度，使所述可伸长挡墙的高度大于所述可压缩挡墙的高度，以通过所述施重挡墙对所述可伸长挡墙施加压力，增大所述可伸长挡墙对所述封装层施加的压力，使所述封装层在所述凹槽所在区域内发生形变后断裂。

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