KR100810645B1 - 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 검은색 안료와 열경화성 수지를 이용하여 형성한 블랙 화소정의막을 포함하는 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제 1전극; 상기 제 1전극 상에 개구부를 구비하는 블랙 화소정의막; 상기 제 1전극 상의 개구부에 위치하는 발광층; 및 상기 발광층 상에 위치하는 제 2전극을 포함하며, 상기 블랙 화소정의막은 열경화성 수지 및 검은색 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
또한 본 발명은 기판 상에 제 1전극을 형성하고; 상기 제 1전극 상에 개구부를 구비하는 블랙 화소정의막을 형성하고; 상기 제 1전극 상의 개구부 상에 발광층을 형성하고; 상기 발광층 상에 제 2전극을 형성하며; 상기 블랙 화소정의막은 열경화성 수지 및 검은색 안료를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
Figure R1020070038915
블랙 화소정의막, 유기전계발광소자

Description

유기전계발광소자 및 그의 제조 방법{Organic eletroluminescence device and method for fabricating of the same}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101 : 기판 102 : 버퍼층
103 : 반도체층 104 : 게이트 절연막
105 : 게이트 전극 106 : 층간 절연막
107 : 소스/드레인 전극 108 : 패시베이션층
109 : 평탄화층 110 : 제 1전극
111a : 블랙 화소정의막 112 : 발광층
113 : 제 2전극 201 : 기재층
202 : 광-열변환층
본 발명은 유기전계발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 검은색 안료를 포함하는 열경화성 수지 물질로 블랙 화소정의막을 형성한 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 소자(Flat Panel Display Device) 중에 하나인 유기전계발광소자(Organic Electroluminescence Device)는 자체 발광형이기 때문에 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Deivce)에 비해 시야각, 콘트라스트(Contrast) 등이 우수하며 백라이트(Back Light)가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 또한 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 구성하는 소자 모두가 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 비용 측면에서도 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
특히, 상기 유기전계발광소자의 제조 공정은 액정 표시 장치나 PDP(Plasma Display Panel)와는 달리 증착/식각(Deposition/Etching) 공정의 반복 및 인캡슐레이션(Encapsulation) 공정이 전부라고 할 수 있기 때문에 공정이 매우 단순하다는 장점이 있다.
상기 유기전계발광소자는 양극과 음극, 그 사이에 발광층으로 작용하는 유기 물질로 구성되는 구조로, 상기 두 전극에 전압을 인가하여 줌으로써 전자와 정공이 유기 발광층 내에서 재결합하여 빛을 발생하는 자체발광형 소자이다.
상기 유기전계발광소자는 콘트라스트(contrast) 및 휘도가 좋아야 하는데, 외광이 밝을 경우 콘트라스트가 좋지 않다. 배면 발광형인 유기전계발광소자의 경 우, 소자의 음극이 반사율이 우수한 금속으로 되어있기 때문에 외부에서 소자내부로 들어오는 빛이 음극면에 반사되어, 발광층에서 나오는 빛과 섞이게 된다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 현재 대부분의 유기전계발광소자는 투명기판 하부에 원편광판(Circular polarizer)을 형성함으로써 음극에 의한 외부 입사광의 반사를 줄였다. 즉, 상기 원편광판에 의해 외부의 빛이 입사될 때, 절반이 차단되고, 나머지 반은 음극에 반사되어 나올 때 차단됨으로써, 외광에 의한 콘트라스트 저하를 억제할 수 있다.
그러나 상술한 종래의 투명기판 위에 원편광판을 붙인 유기전계발광소자는 음극에 의한 외부 입사광의 반사를 크게 줄여줌과 동시에 유기 발광층으로부터 외부로 발산되는 빛까지도 차단하기 때문에, 콘트라스트는 향상되지만 휘도는 50%이상 감소하는 문제점과 고비용이 야기되는 문제점이 있었다.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위해, 외부 입사광을 흡수하여, 콘트라스트를 향상시키는 블랙 화소정의막을 형성할 수 있다. 하지만, 광경화성 물질과 검은색 안료 등을 사용하여 블랙 화소정의막을 형성하는 방법은 검은색 안료 등이 UV광을 흡수하여 광경화의 효율을 떨어뜨리거나, 검은색 안료 등이 광개시제와 반응하여 광개시제의 효율을 떨어뜨림으로써, 광경화도를 저해하는 문제점이 있다.
또한, 광리소그래피 공정은 노광, 현상 및 식각 등의 공정을 거쳐야 하기 때문에, 공정이 복잡하고, 패턴 특성이 양호하지 않는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 개선하기 위한 것 으로서, 검은색 안료를 포함하는 열경화성 수지 물질을 이용한 블랙 화소정의막을 포함하는 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 제공한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제 1전극; 상기 제 1전극 상에 개구부를 구비하는 블랙 화소정의막; 상기 제 1전극 상의 개구부에 위치하는 발광층; 및 상기 발광층 상에 위치하는 제 2전극을 포함하며, 상기 블랙 화소정의막은 열경화성 수지 및 검은색 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자를 제공한다.
또한, 상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 제 1전극을 형성하고; 상기 제 1전극 상에 개구부를 구비하는 블랙 화소정의막을 형성하고; 상기 제 1전극 상의 개구부에 발광층을 형성하고; 상기 발광층 상에 제 2전극을 형성하며; 상기 블랙 화소정의막은 열경화성 수지 물질 및 검은색 안료를 적용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
플라스틱 또는 유리와 같은 절연 기판(101)상에 버퍼층(102)을 형성하고, 상기 버퍼층(102) 상에 비정질 실리콘층을 형성한 후, 상기 비정질 실리콘층을 결정 화하여 다결정 또는 단결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝하여 반도체층(103)을 형성한다.
이때 상기 버퍼층(102)은 하부 기판에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나, 결정화시 열의 전달의 속도를 조절함으로써, 반도체층(103)의 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 하는 역할을 한다.
이때 상기 비정질 실리콘은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용하여 형성할 수 있다. 또한 상기 비정질 실리콘을 형성할 때 또는 형성한 후에 탈수소처리하여 수소의 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다. 상기 비정질 실리콘은 RTA(Rapid Thermal Annealing) 공정, SPC법(Solid Phase Crystallization), ELA법(Excimer Laser Crystallization), MIC법(Metal Induced Crystallization), MILC법(Metal Induced Lateral Crystallization) 또는 SLS법(Sequential Lateral Solidification) 중 어느 하나의 결정화법을 이용하여 다결정실리콘층이 될 수 있다. 이어서, 상기 반도체층(103)이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막(104)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(104)상에 게이트 전극 형성 물질을 형성한 후, 패터닝하여 게이트 전극(105)을 형성한다. 게이트 전극(105)을 형성한 후, 상기 게이트 전극(105)을 마스크로 이용하여 불순물 이온 주입 공정을 진행하여 상기 반도체층(103)에 소오스/드레인 및 채널 영역을 정의하는 공정을 진행할 수 있다.
이어서, 상기 기판 전면에 층간절연막(106)을 형성하는데, 상기 층간절연막(106)은 하부에 형성된 소자들을 보호하는 역할 또는 전기적 절연을 위해 형성된 다. 이때, 상기 버퍼층(102), 게이트 절연막(104) 및 층간절연막(106)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성한다.
상기 층간절연막(106)이 형성된 기판상에 상기 반도체층(103)에 형성된 소오스/드레인 영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하고, 기판 전면에 소오스/드레인 전극 물질을 증착한 후, 패터닝하여 소오스/드레인 전극(107)을 형성하여 박막트랜지스터를 완성한다.
이어서, 박막트랜지스터가 형성된 절연 기판상에 상기 박막트랜지스터를 보호하기 위한 패시베이션층(108)을 형성하고, 상기 패시베이션층(108)이 형성된 기판상에 하부 구조에 의해 발생한 단차를 제거하기 위한 평탄화층(109)을 형성한다.
상기 평탄화층(109) 및 패시베이션층(108)의 일부를 식각하여 상기 소오스/드레인 전극(107)이 노출되도록 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀이 형성된 기판상에 제1전극(110)을 형성한다. 이때 상기 제 1전극(110)은 일함수가 높은 ITO 또는 IZO로 이루어지며, 하부층에 Al, Al-Nd, Ag와 같은 고반사율의 특성을 갖는 금속으로 이루어진 반사막을 포함할 수 있다. 다만, 배면 발광인 경우, 반사막을 포함하지 않고, 투명전도막인 ITO이나 IZO 중의 하나로 이루어질 수 있다.
상기 박막 트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층 및 제 1전극이 형성된 기판 (101) 상에 제 1전극(110)의 일부를 노출시키는 개구부를 가지는 블랙 화소정의막(111a)를 형성한다. 상기 블랙 화소정의막(111a)은 검은색 안료와 열경화성 수지를 이용하여 형성한다.
상기 열경화성 수지로는 축중합형 수지로서 페놀수지, 요소수지 또는 멜라민 수지가 사용될 수 있고, 첨가형 중합 수지로서 에폭시수지 또는 폴리에스테르 수지가 사용될 수 있다.
또한, 가교 반응이 가능한 관능기를 가지는 (메타) 아크릴계 모노머 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 예를 들면, 아크릴산 등의 카르복실기 함유 모노머로서는 2- 히드록시 에틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시 프로필(메타)아크릴레이트 등이 있고, 히드록시기 함유 모노머로서는 4-히드록시 부틸 (메타)아크릴산 (메타)아크릴계 모노머가 있으며, (메타)아크릴산의 알킬 에스테르류로서는 부틸 (메타)크릴레이트가 있다. 또한, (메타)아크릴산의 에스테르류로서는 시크로헥실 (메타)크릴레이트 등이 있으므로, 상기 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 국한하지 않고 사용할 수 있다.
상기 제시한 물질을 가지고, 열중합 반응을 시키기 위해서는 열중합 개시제가 요구된다. 열중합 개시제는 열에 의해 활성라디칼을 형성하며, 가교 반응을 개시할 수 있다.
상기 열중합 개시제로서는 아조-비스-이소-부티로 니트릴 (AIBN), 4,4'-아조 비스 (4-시아노 바레르산), t-부틸퍼피바레이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴), t-부틸퍼옥시이소부틸레이트 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용할 수 있다.
상기 열중합 개시제의 중량은 상기 열중합 개시제에 의해 가교 반응이 충분히 일어나게 하기 위해, 열경화용 수지 100중량%에 있어서, 0.5중량% 내지 15중량%을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 범위는 열중합 반응이 일어나면서도, 열중합 개시제가 이물질로 작용하지 않도록 하기 위한 것이다.
또한, 상기 열경화성 수지와 함께 사용되는 검은색 안료로는 코발트 산화물을 사용할 수 있고, 상기 코발트 산화물의 예로서, Co3O4, FeCoCrO4 및 MnCo2O4(망간 코발트 옥사이드) 중의 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. 그 외에도 Ni, Fe, Mn, Co, Cr 등의 단독 산화물 또는 복합 산화물이나, 티타늄계 흑색 안료, 페릴렌계 블랙 물질 및 아닐린 블랙계 흑색 안료로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 검은색 안료는 열경화성 수지의 가교 결합에 방해가 되지 않으면서, 블랙 화소정의막의 기능을 구현하기 위해, 상기 검은색 안료를 포함한 열경화성 수지 물질 총중량%에 대하여, 10중량% 내지 70중량%을 사용할 수 있어, 종래보다 많은 양의 검은색 안료를 사용할 수 있다.
상기 블랙 화소정의막(111a)은 상기 검은색 안료를 포함하는 열경화성 수지 물질을 기판 상에 스틴 코팅하여, 열경화성 수지층을 형성한 후, 제 1전극(110)이 노출되도록 상기 열경화성 수지층을 패터닝하여 형성한다.
상기 열경화성 수지층을 패터닝하는 방법은 상기 검은색 안료를 포함하는 열경화성 수지층 상에 블랙 화소정의막(111a)이 형성될 소정의 영역에 열원을 근접시켜 형성할 수 있다. 열원이 블랙 화소정의막(111a)이 형성될 소정의 영역에 근접하면, 상기 소정의 영역이 경화되고, 그 외 영역으로서, 제 1전극이 노출될 개구부는 미경화된다. 따라서, 상기 열경화성 수지층은 경화된 영역과 미경화된 영역이 교차되어 형성된다. 이어서, 상기 열경화성 수지층을 세척하면, 미경화된 부분만이 제 거되어, 검은색 안료를 포함하는 블랙 화소정의막(111a)이 형성된다.
또는 스크린 인쇄법을 통하여, 상기 열경화성 수지층을 패터닝한 후, 열원을 가하여, 블랙 화소정의막(111a)을 형성할 수도 있다.
검은색 안료를 포함하는 열경화성 수지층을 열원에 의해 경화시키고, 패터닝하여, 블랙 화소정의막(111a)을 형성하는 방법으로 바람직하게는 광열변환필름을 사용하는 레이저 열전사법(LITI)에 의한 방법을 적용할 수 있다.
따라서, 하기에서는 본 발명에서는 바람직한 실시예에 따라, 광열변환필름을 사용한 레이저 열전사법(LITI)에 의해 블랙 화소정의막이 형성되는 것을 설명하도록 한다.
도 2a 내지 2d는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 2a를 참조하면, 박막 트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층 및 제 1전극이 형성된 기판(101) 상에 검은색 안료를 포함한 열경화성 수지를 스핀코팅방법으로 얇게 코팅한 후, 건조시켜, 검은색 안료를 포함하는 열경화성 수지층(111)을 형성한다. 검은색 안료와 열경화성 수지 물질로는 상기 제시한 물질을 사용하여, 형성한다.
도 2b를 참조하면, 광열변환필름을 상기 기판 상에 적용한다.
상기 광열변환필름(200)은 두 개의 층으로 이루어지며, 기재층(201), 상기 기재층(201) 상에 광-열변환층(202)이 위치한다.
상기 기재층(201)은 광-열변환층(202)에 빛을 전달하기 위하여 투명성을 가져야 하며, 적당한 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가지는 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 상기 기재층(201)은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택된 하나이상의 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(201)은 폴리에틸렌테레프탈레이트일 수 있다. 상기 기재층의 역할은 지지기판으로서의 역할을 수행한다.
상기 기재층(201) 상에 형성된 상기 광-열변환층(202)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부분을 열로 변환시키는 층이며, 빛을 흡수하기 위한 광흡수성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 광-열변환층(202)은 Al, Ag 및 이들의 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막이거나 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함하는 고분자로 이루어진 유기막으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필름 코팅 방법으로서, 그라비아(Gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin) 및 나이프(knife) 코팅방법 중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층, 제 1전극 및 검은색 안료를 포함하는 열경화성 수지를 포함하는 층(111)을 형성한 기판(101) 상에 상기 광열변환필름(200)을 광-열변환층(202)과 상기 기판(101)이 마주보도록 광-열변환층(202)을 라미네이션한다.
이어서, 화소 사이의 비발광영역에 블랙 화소정의막(111a)이 형성되도록, 기 재층(201) 상의 소정의 영역에 레이저를 조사한다.
상기 소정의 영역 위로 레이저를 조사함으로써, 광-열변환층(202)에서 발생한 열은 그 하부에 있는 상기 검은색 안료를 포함하는 열경화성 수지층(111)의 소정 영역(111a)을 경화시키고, 상기 레이저가 조사되지 않은 그 이외의 부분(111b)은 미경화한다. 레이저 조사 후, 상기 열경화성 수지층(111)이 경화된 영역과 미경화된 영역이 교차로 이루어진다. 이어서, 기판(101) 상에 라미네이션된 광열변환필름(200)을 제거한다. 이는 도 2c와 같다.
상기 광열변환필름(200)을 제거한 후, 상기 열경화성 수지로 이루어진 층(111)의 미경화 부분(111b)을 세척하여 제거한다.
따라서, 레이저 조사로 인해, 열경화된 부분(111a)만 남게 되어, 블랙 화소정의막이 형성된다. 이는 도 2d와 같다.
도 1를 다시 참조하면, 박막트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층, 제 1전극 및 상기 블랙 화소정의막을 형성한 기판 상에, 상기 개구부를 구비하는 블랙 화소정의막(111a)을 형성한 후, 제 1전극(110)이 노출된 개구부에 유기 발광층(112)을 형성한다. 여기서, 소자의 특성을 향상시키기 위하여 유기 발광층 외에 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함하도록 할 수 있다. 상기와 같은 유기막은 스핀 코팅이나 증착법에 의해 형성될 수 있거나, 도너 기판 및 레이저 전사법(LITI)을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 블랙 화소정의막(111a) 및 개구부에 형성한 발광층(112) 상에 제 2전극(113)을 형성한 후, 봉지하여 유기전계발광소자를 제조할 수 있다.
상기 제 2전극(113)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 반사형 도체를 사용하여, 배면 발광형 유기전계발광소자로 이용할 수 있다. 또한, 상기 제 2전극(113)은 MgAg 또는 CaAg 등의 광투과물질로 형성하거나, ITO 또는 IZO 등의 투명 물질로 형성할 수 있고, 상기 물질로 제 2전극(113)을 형성한 경우, 전면 발광형 유기전계발광소자로 이용할 수 있다. 그리고, 상기 제 2전극(113)은 공통 전극으로 형성할 수 있다.
상기 도면에서는 액티브 매트릭스 유기전계발광소자에 대해서 도시하였으나, 패시브 매트릭스 유기전계발광소자에 대해서도 상기 실시예에 따라 비발광영역에 검은색 안료와 열경화성 수지를 적용한 블랙 화소정의막을 형성하여 높은 휘도와 우수한 콘트라스트를 가지는 유기전계발광소자를 제공할 수 있다.
본 발명은 블랙 화소정의막을 포함하는 유기전계발광소자를 제공함으로써, 외부광을 흡수하여, 콘트라스트를 우수하게 하는 기능을 제공한다.
열경화성 물질과 검은색 안료를 사용하여, 블랙 화소정의막을 형성하는 경우, 검은색 안료를 보다 많이 사용할 수 있어, 더욱 효율적으로 외부광을 흡수할 수 있다.
또한, 포토 마스크를 필요로 하지 않으면서, 포토리소그래피 공정의 노광, 현상 및 식각 등의 공정을 단순화하고, 패턴 특성이 우수한 제조 공정에 의한 유기 전계발광소자를 제공할 수 있는 장점이 있다.

Claims (6)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 제 1전극;
    상기 제 1전극 상에 개구부를 구비하는 블랙 화소정의막;
    상기 제 1전극 상의 개구부에 위치하는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 위치하는 제 2전극을 포함하며,
    상기 블랙 화소정의막은 열경화성 수지 및 검은색 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 열경화성 수지는 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 검은색 안료는 Ni, Fe, Mn, Co, Cr의 단독 산화물 또는 복합 산화물, Co3O4, FeCoCrO4, MnCo2O4, 티타늄계 흑색 안료, 페릴렌계 블랙 물질 및 아닐린 블랙계 흑색 안료로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 기판 상에 제 1전극을 형성하고;
    상기 제 1전극 상에 개구부를 구비하는 블랙 화소정의막을 형성하고;
    상기 제 1전극 상의 개구부 상에 발광층을 형성하고;
    상기 발광층 상에 제 2전극을 형성하며;
    상기 블랙 화소정의막은 열경화성 수지 및 검은색 안료를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 블랙 화소정의막은 검은색 안료를 포함한 열경화성 수지를 상기 기판상에 스핀 코팅하여, 열경화성 수지층을 형성하고;
    기재층, 광-열변환층을 차례로 적층한 광열변환필름을 상기 광-열변환층이 상기 기판과 마주보도록 라미네이션하고;
    상기 기재층 상의 일영역에 레이저를 조사하여 상기 검은색 안료를 포함한 열경화성 수지층의 일영역이 경화되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 광열변환필름을 제거하고;
    상기 열경화성 수지층의 미경화된 부분을 제거하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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