WO2015030123A1 - トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材 - Google Patents

トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材 Download PDF

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WO
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organic
layer
side substrate
organic electroluminescence
auxiliary electrode
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隆佳 二連木
武田　利彦
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大日本印刷株式会社
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    • H10K2102/3026—Top emission

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a top emission type organic electroluminescence display device having an auxiliary electrode.
  • organic electroluminescence element has high visibility due to self-coloring, is an all-solid-state display unlike a liquid crystal display device, has excellent impact resistance, has a fast response speed, is less affected by temperature changes, and Advantages such as a wide viewing angle are attracting attention.
  • organic electroluminescence may be abbreviated as organic EL.
  • the configuration of the organic EL element is based on a laminated structure in which an organic EL layer is sandwiched between an anode and a cathode.
  • passive matrix driving and active matrix driving as a driving method of an organic EL display device having such an organic EL element.
  • Matrix driving is advantageous.
  • active matrix driving refers to a system in which a circuit such as a TFT is formed on a substrate on which an organic EL element is formed and the circuit is driven by the circuit such as the TFT.
  • Such organic EL display devices include a bottom emission type in which light is extracted from the substrate side on which the organic EL element is formed, and a top emission type in which light is extracted from the side opposite to the substrate on which the organic EL element is formed.
  • the aperture ratio is limited by a circuit such as a TFT formed on a substrate which is a light extraction surface, and the light extraction efficiency is reduced. There's a problem.
  • the top emission type since light is extracted from the surface opposite to the substrate, light extraction efficiency superior to that of the bottom emission type is obtained.
  • a transparent electrode layer is used as the electrode layer on the side that becomes the light extraction surface.
  • a general transparent electrode layer has a higher resistance than an electrode layer made of a metal such as Al or Cu. Therefore, in an organic EL display device having a transparent electrode layer, a voltage drop occurs due to the resistance of the transparent electrode layer, and as a result, the occurrence of so-called luminance unevenness in which the luminance uniformity of the organic EL layer is lowered is a problem. . In addition, since the resistance increases as the area of the transparent electrode layer increases, the above-described problem of luminance unevenness becomes prominent when a large display is manufactured.
  • a method in which a voltage drop is suppressed by forming an auxiliary electrode having a low resistance value and electrically connecting the auxiliary electrode to a transparent electrode layer.
  • the auxiliary electrode is usually formed in a pattern by performing a wet process etching after forming a metal layer. Therefore, in the top emission type organic EL display device, when the auxiliary electrode is formed after the organic EL layer is formed, there is a problem that the organic EL layer is eroded by the etching solution used when the auxiliary electrode is formed. . Therefore, as described in Patent Documents 1 to 3, a method of forming an auxiliary electrode before forming an organic EL layer is known.
  • the organic EL layer is formed on the entire surface when the organic EL layer is formed on the entire surface or when at least one organic layer constituting the organic EL layer is formed on the entire surface.
  • An organic EL layer and at least one organic layer are formed. Therefore, there has been a problem that the electrical connection between the auxiliary electrode and the transparent electrode layer is hindered by the organic EL layer or the organic layer on the auxiliary electrode.
  • Patent Document 1 proposes a method of manufacturing an organic EL display device in which the auxiliary electrode and the transparent electrode layer are electrically connected by removing the organic EL layer on the auxiliary electrode with laser light.
  • the organic EL layer removed by the laser light is scattered, the pixel region in the organic EL display device is contaminated, and the display characteristics are deteriorated.
  • Patent Document 2 As a method for solving the above problem, for example, in Patent Document 2, before the organic EL layer is removed by laser light, the first electrode having translucency is applied to the entire surface of the auxiliary electrode covered with the organic EL layer. A method is proposed in which the organic EL layer is removed by laser light through the first electrode and then the second electrode is formed.
  • the first electrode and the second electrode are formed as the transparent electrode layer, so that there is a problem that the manufacturing process increases.
  • Patent No. 4959119 Special table 2010-538440 gazette Japanese Patent No. 4340982
  • Patent Document 3 discloses the following method for manufacturing an organic EL display device as a method for preventing the organic layer removed by laser light from contaminating the display device. That is, as shown in FIG. 12A, the pixel electrode 30 and the auxiliary electrode 40 are formed on the substrate 20, and the partition wall 50 is formed between the pixel electrode 30 and the auxiliary electrode 40. As shown in b), an organic EL layer 60 is formed to form an organic EL layer side substrate 100 ′. Next, as shown in FIG. 12C, the lid 80 made of a glass substrate or a resin film is opposed to the organic EL layer side substrate 100 ′ under reduced pressure, and the lid 80 is in contact with the top of the partition wall 50.
  • the space V between the organic EL layer side substrate 100 ′ and the lid member 80 is in a reduced pressure state. Thereafter, the outer peripheral space of the organic EL layer side substrate 100 ′ and the lid member 80 is pressurized so that the lid member 80 is brought into close contact with the organic EL layer side substrate 100 ′. Next, the organic EL layer 60 on the auxiliary electrode 40 is removed by the laser light L, and the lid member 80 is peeled off as shown in FIG. Finally, as shown in FIG. 12E, an organic EL display device in which the auxiliary electrode 40 and the transparent electrode layer 70 are electrically connected by forming the transparent electrode layer 70 on the organic EL layer side substrate. 100.
  • the present inventors use a flexible lid material such as a resin film to bring the organic EL layer side substrate and the lid material into contact with each other under a reduced pressure, thereby providing a space between the organic EL layer side substrate and the lid material. And then pressurizing the space around the organic EL layer side substrate and the lid material to bring the organic EL layer side substrate and the lid material into close contact with each other, and then irradiating laser light through the lid material to assist A method for removing the organic layer on the electrode was studied. As a result, the present inventors have discovered the following new problems.
  • the lid made of a resin film is brought into contact with the organic EL layer side substrate under reduced pressure to reduce the space between the organic EL layer side substrate and the lid material, and then the organic EL layer side substrate and the lid material
  • the degree of vacuum in the space between the organic EL layer side substrate and the lid member decreases with time. This is presumably because the gas has entered the space between the organic EL layer side substrate and the outer periphery of the lid member into the space between the organic EL layer side substrate and the lid member.
  • the space between the organic EL layer side substrate and the lid member is very narrow, the degree of vacuum is remarkably lowered even if a slight amount of gas enters.
  • the adhesion between the organic EL layer side substrate and the lid material is the difference between the pressure in the space between the organic EL layer side substrate and the lid material and the pressure in the outer space of the organic EL layer side substrate and the lid material. It increases as it grows larger. Therefore, when the degree of vacuum in the space between the organic EL layer side substrate and the lid member decreases, the pressure in the space between the organic EL layer side substrate and the lid member, and the outer space of the organic EL layer side substrate and the lid member. The difference between the pressure and the organic EL layer side substrate and the cover material is weakened.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and using a flexible lid material such as a resin film, the space between the organic EL layer side substrate and the lid material is reduced in pressure, and then The space between the organic EL layer side substrate and the lid material when the pressure in the space opposite to the organic EL layer side substrate of the lid material is adjusted to bring the organic EL layer side substrate and the lid material into close contact with each other.
  • a flexible lid material such as a resin film
  • the present invention provides a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, and a spacer portion formed on the substrate.
  • an organic EL layer which is formed on the pixel electrode and is composed of a plurality of organic layers and has at least a light emitting layer, at least one organic layer formed on the auxiliary electrode, and the auxiliary electrode
  • a contact portion which is an opening portion of the organic layer formed on the surface, a transparent electrode layer formed on the organic EL layer and the contact portion, and the spacer portion includes the contact portion and the contact portion.
  • a top emission type that produces a top emission type organic EL display device that is formed between the pixel electrodes adjacent to each other and the transparent electrode layer is electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion.
  • Organic A method for manufacturing an L display device comprising the substrate, the pixel electrode, the auxiliary electrode, the spacer portion, and the organic EL layer, wherein at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode.
  • the lid member is to provide a method of manufacturing a top emission type organic EL display device having an oxygen permeability, characterized in that a resin film having the following barrier properties 100cc / m 2 ⁇ day.
  • the lid material used in the arranging step is a resin film having a barrier property with an oxygen permeability of 100 cc / m 2 ⁇ day or less, so that the gap between the organic EL layer side substrate and the lid material is The decompressed state of the space can be maintained. Therefore, in the contact portion forming step, the adhesion between the organic EL layer side substrate and the cover material can be maintained even when the organic layer on the auxiliary electrode is irradiated with the laser light through the cover material.
  • a top-emission organic EL display device that can sufficiently prevent the removed organic layer from being scattered in the pixel region where the pixel electrode is formed and can suppress deterioration in display characteristics can be obtained. .
  • cover material used in this invention is a resin film, in order to enable expansion
  • the minimum transmittance of the lid member in the wavelength range of 340 nm to 400 nm is 70% or more. Since the minimum transmittance of the lid material in the wavelength range of 340 nm to 400 nm is 70% or more, when the organic layer is irradiated with the laser light through the lid material in the contact portion forming step, the laser beam is applied to the lid material. Since it can prevent that it absorbs, an organic layer can be removed reliably and a contact part can be formed. Thereby, it is possible to sufficiently connect the transparent electrode layer and the auxiliary electrode at the contact portion and suppress the occurrence of luminance unevenness due to a voltage drop.
  • the present invention provides a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, a spacer portion formed on the substrate, and formed on the pixel electrode. And an organic EL layer having at least a light emitting layer, at least one organic layer formed on the auxiliary electrode, and the organic layer formed on the auxiliary electrode.
  • a contact portion that is an opening of the contact portion, and the organic EL layer and a transparent electrode layer formed on the contact portion, and the spacer portion is between the contact portion and the pixel electrode adjacent to the contact portion.
  • the transparent electrode layer is a method for manufacturing a top emission type organic EL display device that manufactures a top emission type organic EL display device that is electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion.
  • the organic EL layer side substrate having the substrate, the pixel electrode, the auxiliary electrode, the spacer portion, and the organic EL layer, wherein at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode.
  • Contact portion forming step, and the lid material is To provide a method of manufacturing a top emission type organic EL display device, characterized in that the ethylene terephthalate film.
  • the lid used in the arranging step is made of polyethylene terephthalate, the decompressed state of the space between the organic EL layer side substrate and the lid can be maintained. Therefore, in the contact portion forming step, the adhesion between the organic EL layer side substrate and the cover material can be maintained even when the organic layer on the auxiliary electrode is irradiated with the laser light through the cover material.
  • a top-emission organic EL display device that can sufficiently prevent the removed organic layer from being scattered in the pixel region where the pixel electrode is formed and can suppress deterioration in display characteristics can be obtained. .
  • the lid material used in the present invention is made of polyethylene terephthalate
  • the laser beam is prevented from being absorbed by the lid material when the organic layer is irradiated with the laser beam through the lid material in the contact portion forming step.
  • the contact portion can be formed by reliably removing the organic layer.
  • the production efficiency can be improved to enable the development of roll-to-roll production technology.
  • the lid member preferably has a barrier layer.
  • the lid member used in the present invention has the barrier layer, the reduced pressure state of the space between the organic EL layer side substrate and the lid member can be more effectively maintained.
  • substrate and a cover material can fully be maintained. Therefore, the top emission organic EL display that can more reliably prevent the organic layer removed by the laser light from scattering into the pixel region where the pixel electrode is formed, and can suppress deterioration in display characteristics. A device can be obtained.
  • the present invention provides a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, a spacer portion formed on the substrate, and formed on the pixel electrode. And an organic EL layer having at least a light emitting layer, at least one organic layer formed on the auxiliary electrode, and the organic layer formed on the auxiliary electrode.
  • a contact portion that is an opening of the contact portion, and the organic EL layer and a transparent electrode layer formed on the contact portion, and the spacer portion is between the contact portion and the pixel electrode adjacent to the contact portion.
  • the transparent electrode layer is a method for manufacturing a top emission type organic EL display device that manufactures a top emission type organic EL display device that is electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion.
  • the organic EL layer side substrate having the substrate, the pixel electrode, the auxiliary electrode, the spacer portion, and the organic EL layer, wherein at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode.
  • a contact part forming step, and the lid member is To provide a method of manufacturing a top emission type organic EL display device which is a scan film.
  • the lid material used in the arranging step is a glass film
  • the decompressed state of the space between the organic EL layer side substrate and the lid material can be maintained. Therefore, in the contact portion forming step, the adhesion between the organic EL layer side substrate and the cover material can be maintained even when the organic layer on the auxiliary electrode is irradiated with the laser light through the cover material.
  • a top-emission organic EL display device that can sufficiently prevent the removed organic layer from being scattered in the pixel region where the pixel electrode is formed and can suppress deterioration in display characteristics can be obtained.
  • the lid material is a glass film, it is possible to develop the roll-to-roll manufacturing technique, so that the manufacturing efficiency can be improved.
  • the present invention is a cover material for forming a top emission type organic EL display device used in the above method for manufacturing a top emission type organic EL display device, and has a barrier property with an oxygen permeability of 100 cc / m 2 ⁇ day or less.
  • a lid material for forming a top emission type organic EL display device which is a resin film and has a minimum transmittance of 70% or more in a wavelength range of 340 nm to 400 nm.
  • the present invention is a resin film having a barrier property with an oxygen permeability of 100 cc / m 2 ⁇ day or less, and has a minimum transmittance of 70% or more in a wavelength region of 340 nm to 400 nm.
  • the reduced pressure state of the space between the organic EL layer side substrate and the flexible cover material such as a resin film can be maintained, and the organic layer on the auxiliary electrode removed by the laser beam.
  • the manufacturing method of the top emission type organic EL display device of the present invention and the lid material for forming the top emission type organic EL display device will be described in detail.
  • the top emission type organic EL display device may be abbreviated as an organic EL display device.
  • A. Method for Manufacturing Organic EL Display Device The method for manufacturing an organic EL display device of the present invention has three embodiments depending on the lid.
  • a first embodiment of a method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention includes a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, and the substrate.
  • a lid material is made to face the organic EL layer side substrate obtained in the organic EL layer side substrate preparing step under a substrate preparatory step and a first pressure, and the lid material is placed on the top of the spacer portion.
  • the lid material has an oxygen permeability of 100 cc / A method which is a resin film having a 2 ⁇ day following barrier properties.
  • a second embodiment of the method for manufacturing an organic EL display device of the present invention includes a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, and the substrate.
  • a contact portion that is an opening portion of the organic layer formed on the auxiliary electrode, and a transparent electrode layer formed on the organic EL layer and the contact portion, and the spacer portion has the contact And an organic EL display device formed between the pixel electrode adjacent to the contact portion and the transparent electrode layer electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion And above the substrate,
  • a lid material is made to face the organic EL layer side substrate obtained in the organic EL layer side substrate preparing step under a substrate preparatory step and a first pressure, and the lid material is placed on the top of the spacer portion.
  • the lid is made of polyethylene terephthalate A method which is a Tofirumu.
  • a third embodiment of the method for manufacturing an organic EL display device includes a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, and the substrate.
  • a contact portion that is an opening portion of the organic layer formed on the auxiliary electrode, and a transparent electrode layer formed on the organic EL layer and the contact portion, and the spacer portion has the contact And an organic EL display device formed between the pixel electrode adjacent to the contact portion and the transparent electrode layer electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion And above the substrate,
  • a lid material is made to face the organic EL layer side substrate obtained in the organic EL layer side substrate preparing step under a substrate preparatory step and a first pressure, and the lid material is placed on the top of the spacer portion.
  • the lid is a glass film. Is a method which is characterized in.
  • the “first pressure” and the “second pressure” are not particularly limited as long as the first pressure is lower than the second pressure. Further, the pressure of the space between the organic EL layer side substrate and the lid material when the lid material is disposed on the surface of the organic EL layer side substrate is adjusted to a first pressure, and the organic EL layer of the lid material is further adjusted. When the pressure in the space on the opposite side of the side substrate is adjusted to the second pressure, the pressure between the organic EL layer side substrate and the lid material and the side of the lid material opposite to the organic EL layer side substrate The pressure is not particularly limited as long as the pressure is such that the organic EL layer side substrate and the lid member can be brought into close contact with each other by the differential pressure from the space pressure.
  • first pressure is lower than the normal pressure
  • second pressure is higher than the “first pressure”.
  • first pressure and second pressure will be described in the sections “2. Arrangement step” and “3. Adhesion step”, which will be described later. .
  • FIGS. 1A to 1F are process diagrams showing an example of a method for manufacturing an organic EL display device of the present invention.
  • a pixel electrode and auxiliary electrode forming step for forming the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4 on the substrate 2 is performed.
  • a spacer part forming step for forming the spacer part 5 on the substrate 2 is performed.
  • an organic EL layer forming step is performed in which an organic EL layer 6 including a plurality of organic layers and having at least a light emitting layer is formed.
  • an organic EL layer side substrate preparation step for preparing the organic EL layer side substrate 1 is performed.
  • FIG. 1A a pixel electrode and auxiliary electrode forming step for forming the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4 on the substrate 2 is performed.
  • a spacer part forming step for forming the spacer part 5 on the substrate 2 is performed.
  • an organic EL layer forming step is performed in which an organic EL layer 6 including a plurality of organic layers and having at least
  • a cover material 8 that is a resin film having a predetermined oxygen permeability in the organic EL layer side substrate 1, a cover material 8 that is a polyethylene terephthalate film, Or the arrangement
  • the space V between the organic EL layer side substrate 1 and the lid member 8 is in a reduced pressure state.
  • the space P1 on the opposite side of the lid 8 from the organic EL layer side substrate 1 is adjusted to a second pressure higher than the first pressure to bring the organic EL layer side substrate 1 and the lid 8 into close contact.
  • the organic EL layer 6 formed on the auxiliary electrode 4 is irradiated with a laser beam L through the lid member 8 to remove the organic EL layer 6 on the auxiliary electrode 4, and FIG.
  • a contact portion forming step of forming the contact portion 9 by exposing the auxiliary electrode 4 is performed.
  • the organic EL display device 10 according to the present invention is obtained.
  • 2 (a) to 2 (f) are process diagrams showing another example of the method for manufacturing the organic EL display device of the present invention.
  • 2A to 2C are the same as FIGS. 1A to 1C, and will be omitted.
  • the lid 8 that satisfies the predetermined condition is made to face the organic EL layer side substrate 1, and the top of the spacer portion 5 and the lid 8. Is arranged so as to be in contact with the organic EL layer 6.
  • the space V between the organic EL layer side substrate 1 and the lid member 8 is in a reduced pressure state.
  • the space P1 on the opposite side of the lid 8 from the organic EL layer side substrate 1 is adjusted to a second pressure higher than the first pressure to bring the organic EL layer side substrate 1 and the lid 8 into close contact.
  • the organic EL layer 6 formed on the auxiliary electrode 4 is removed by irradiating the region where the auxiliary electrode 4 is formed through the mask M having an opening to the region where the auxiliary electrode 4 is formed.
  • a contact part forming step is performed in which the auxiliary electrode 4 is exposed to form the contact part 9.
  • the lid used in the arranging step is a resin film having a predetermined oxygen permeability, a polyethylene terephthalate film, or a glass film, so that the gap between the organic EL layer side substrate and the lid is used.
  • the decompressed state of the space can be maintained. Therefore, even when the organic layer on the auxiliary electrode is irradiated with a laser beam through the lid in the contact portion forming step, the adhesion between the organic EL layer side substrate and the lid can be maintained. It is possible to sufficiently prevent the removed organic layer from scattering into the pixel region where the pixel electrode is formed. Thereby, it is possible to obtain an organic EL display device capable of suppressing deterioration of display characteristics.
  • the adhesion between the organic EL layer side substrate 1 and the lid member 8 is determined by the pressure in the space P1 on the opposite side of the organic EL layer side substrate 1 of the lid member 8 and the organic EL layer.
  • the pressure in the space V between the organic EL layer side substrate 1 and the lid member 8 is made lower than the pressure in the space P1 on the opposite side of the organic EL layer side substrate 1 of the lid member 8, and the lid
  • the organic EL layer side substrate 1 and the lid Adhesion with the material 8 is increased.
  • the space on the opposite side of the lid from the organic EL layer side substrate, the organic EL layer side substrate, and The differential pressure with the space between the lid members decreases with time.
  • the differential pressure is reduced by 50% after 2 minutes, and the differential pressure is eliminated after 10 minutes.
  • the gas barrier property of the lid used in the conventional method is low, so the gas from the outer periphery of the organic EL layer side substrate and the lid material to the space between the organic EL layer side substrate and the lid material. Is considered to be caused by the intrusion.
  • the space between the organic EL layer side substrate and the lid member is very narrow, the degree of vacuum is remarkably reduced even if a slight amount of gas enters, and the space on the opposite side of the lid member from the organic EL layer side substrate. It is considered that the differential pressure between the substrate and the space between the organic EL layer side substrate and the lid member decreases.
  • the lid material used in the present invention has a predetermined barrier property against gas, so that from the outer periphery of the organic EL layer side substrate and the lid material to the space between the organic EL layer side substrate and the lid material. It is considered that gas can be prevented from entering.
  • the lid material used in the present invention is a resin film, a polyethylene terephthalate film, or a glass film, it is possible to develop into a roll-to-roll manufacturing technique. Thereby, the manufacturing efficiency of the organic EL display device can be improved.
  • lid material used in the present invention is a resin film or a polyethylene terephthalate film, it is possible to prevent cracking and facilitate handling.
  • “at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode” means, for example, an organic EL layer as illustrated in FIG. 1 (c) and FIG. 2 (c). 6 is formed on the entire surface so as to cover the pixel region p in which the pixel electrode 3 is formed and the auxiliary electrode 4, and in addition to this, the organic EL layer is assumed to be a hole.
  • the organic EL layer is assumed to be a hole.
  • four layers including an injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection layer, three of the four layers are formed in a pattern in the pixel region, and the remaining one layer is a pixel.
  • Layer is formed in a pattern in the pixel region, including the aspects remaining three layers are formed on the entire surface so as to cover the pixel region and the auxiliary electrode and the like.
  • the “top portion of the spacer portion” refers to the upper bottom surface H of the spacer portion 5 when the spacer portion 5 is trapezoidal as illustrated in FIG.
  • the spacer portion has a shape other than the trapezoid, it refers to the uppermost portion of the spacer portion, and when the organic EL layer side substrate and the lid material are brought into contact with each other, the lid material first comes into contact with the spacer portion. Point to.
  • Organic EL layer side substrate preparation step First, a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, and the substrate were formed. A spacer part, an organic EL layer formed on the pixel electrode and composed of a plurality of organic layers, having at least a light emitting layer, at least one organic layer formed on the auxiliary electrode, and A contact portion that is an opening portion of the organic layer formed on the auxiliary electrode; and a transparent electrode layer formed on the organic EL layer and the contact portion. The spacer portion includes the contact portion and the contact portion.
  • the organic EL display device is formed between the pixel electrodes adjacent to the contact portion, and the transparent electrode layer is electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion.
  • the substrate and the pixel electrode Preparation of organic EL layer side substrate for preparing an organic EL layer side substrate having the auxiliary electrode, the spacer portion, and the organic EL layer, wherein at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode Perform the process.
  • the formation process of each member formed in this process will be described.
  • Pixel electrode and auxiliary electrode formation process This process is a process of forming a pixel electrode and an auxiliary electrode on a substrate.
  • each member used in this step, and specific pixel electrode and auxiliary electrode forming steps will be described.
  • the substrate in this step supports a pixel electrode, an auxiliary electrode, a spacer portion, an organic EL layer, and a transparent electrode layer, which will be described later.
  • the substrate may or may not have light transmittance.
  • the substrate is light transmissive and is a transparent substrate, a double-sided light emitting organic EL display device can be obtained.
  • the substrate may or may not have flexibility, and is appropriately selected depending on the use of the organic EL display device.
  • Examples of such a substrate material include glass and resin.
  • a gas barrier layer may be formed on the surface of the substrate.
  • the thickness of the substrate is appropriately selected depending on the material of the substrate and the use of the organic EL display device, and is specifically about 0.005 mm to 5 mm.
  • Pixel electrode A plurality of pixel electrodes in this step are formed in a pattern on the substrate.
  • the pixel electrode may or may not have optical transparency, but the organic EL display device manufactured according to the present invention is a top emission type and takes out light from the transparent electrode layer side. Usually, it does not have optical transparency. Further, when the pixel electrode is light transmissive and is a transparent electrode, a double-sided light emitting organic EL display device can be obtained.
  • the pixel electrode may be either an anode or a cathode.
  • the resistance is small, and generally a metal material that is a conductive material is used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
  • a conductive material having a large work function is preferably used so that holes can be easily injected. Examples thereof include metals such as Au, Cr, and Mo; inorganic oxides such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide, and indium oxide; and conductive polymers such as metal-doped polythiophene. It is done.
  • These conductive materials may be used alone or in combination of two or more. When two or more types are used, layers made of each material may be stacked.
  • a metal material that is a conductive material is generally used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
  • a conductive material having a low work function so that electrons can be easily injected.
  • magnesium alloys such as MgAg
  • aluminum alloys such as AlLi, AlCa, and AlMg
  • alloys of alkali metals and alkaline earth metals such as Li, Cs, Ba, Sr, and Ca.
  • the thickness of the pixel electrode is appropriately adjusted according to the presence or absence of leakage current from the edge portion of the pixel electrode, and can be, for example, about 10 nm to 1000 nm, preferably about 20 nm to 500 nm. Note that the thickness of the pixel electrode may be the same as or different from the thickness of the auxiliary electrode described later. Note that when the pixel electrode is formed together with an auxiliary electrode described later, the pixel electrode and the auxiliary electrode have the same thickness.
  • auxiliary electrode in this process is formed between pixel electrodes.
  • the auxiliary electrode may or may not have optical transparency.
  • a metal material that is a conductive material is generally used for the auxiliary electrode.
  • the material used for the auxiliary electrode can be the same as the material used for the pixel electrode, and thus the description thereof is omitted here.
  • the material used for the auxiliary electrode may be the same as or different from the material used for the pixel electrode.
  • the pixel electrode and the auxiliary electrode are preferably made of the same material. This is because the pixel electrode and the auxiliary electrode can be formed collectively, and the manufacturing process can be simplified.
  • the thickness of the auxiliary electrode is appropriately adjusted according to the presence or absence of leakage current from the edge portion of the auxiliary electrode, and is preferably in the range of, for example, 10 nm to 1000 nm, and more preferably in the range of 20 nm to 500 nm. Is preferred. Note that when the auxiliary electrode is formed together with the above-described pixel electrode, the pixel electrode and the auxiliary electrode have the same thickness.
  • the shape when such an auxiliary electrode is observed in the thickness direction of the auxiliary electrode is a shape that can exhibit the function of the auxiliary electrode to suppress a voltage drop due to the resistance of the transparent electrode layer.
  • the shape is not particularly limited, but is preferably a shape that does not reduce the light extraction efficiency of the organic EL display device.
  • a stripe shape or a lattice shape can be used.
  • the distance between the adjacent pixel electrode and auxiliary electrode is not particularly limited as long as a spacer portion described later can be formed. Specifically, it is preferably in the range of 1 ⁇ m to 50 ⁇ m, and more preferably in the range of 2 ⁇ m to 30 ⁇ m. Note that the interval between adjacent pixel electrodes and auxiliary electrodes refers to the distance d shown in FIG.
  • the pixel electrode and auxiliary electrode forming step in the present invention includes a step of first forming a pixel electrode on a substrate.
  • the method for forming the pixel electrode is not particularly limited as long as the pixel electrode can be formed in a pattern on the substrate, and a general electrode forming method can be employed.
  • the vapor deposition method using a mask, the photolithographic method, etc. are mentioned.
  • the vapor deposition method include a sputtering method and a vacuum vapor deposition method.
  • this step has a step of forming an auxiliary electrode between the pixel electrodes.
  • the method for forming the auxiliary electrode is not particularly limited as long as the auxiliary electrode can be formed in a pattern on the substrate, and a general electrode forming method can be employed.
  • a specific method for forming the auxiliary electrode can be the same as the method for forming the pixel electrode, and thus description thereof is omitted here.
  • This process is a process of forming a spacer part on the substrate.
  • the spacer part formed in this process and the concrete spacer part formation process are demonstrated.
  • (A) Spacer portion The spacer portion formed in this step is formed between the pixel electrode and a contact portion described later, and the organic layer removed by the laser beam in the contact portion forming step described later is scattered. It has the function of the spacer part to prevent this. In addition, when the spacer portion is in contact with the pixel electrode, the spacer portion functions as an insulating layer.
  • FIG. 6 (a) to 6 (b) are schematic process diagrams showing an example in which an insulating layer forming process is performed simultaneously with this process to form a spacer portion and an insulating layer in a lump.
  • FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. First, as illustrated in FIG. 6A, the pixel electrode 3 and the frame-shaped auxiliary electrode 4 are formed on the substrate 2.
  • the spacer portion 5 and the insulating layer 13 are collectively arranged so that the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4 forming the contact portion 9 are exposed.
  • the spacer portion and the insulating layer are made of the same material, and the spacer portion 5 and the insulating layer 13 are continuous as illustrated in FIG. 6B. It may be formed.
  • the function of the spacer portion described above is sufficiently achieved by separating the pixel region where the pixel electrode is formed from the contact portion. If it can be exhibited, it will not be specifically limited, One may be sufficient and two or more may be sufficient.
  • the number of spacer portions formed between the pixel electrode and a contact portion to be described later is that a stripe-shaped spacer portion is formed in the longitudinal direction between the adjacent pixel electrode and the contact portion. Sometimes refers to the number of stripes formed between the pixel electrode and the contact portion. Therefore, for example, the number of the spacer portions 5 illustrated in FIGS. 7A and 7B is one.
  • FIG. 7 is a schematic view showing an example of a spacer portion formed in this step.
  • FIG. 7A is a schematic plan view when the spacer portion is formed between the pixel electrode and the auxiliary electrode
  • FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 7A. is there.
  • Reference numerals not described in FIG. 7 are the same as those in FIG.
  • the planar shape of the spacer portion formed in this step is not particularly limited as long as it is formed so as to separate the pixel electrode from a contact portion described later.
  • the spacer portion 5 may be formed in a stripe shape between the pixel electrode 3 and the contact portion 9 in the auxiliary electrode 4, and as illustrated in FIG. 8A, the contact in the auxiliary electrode 4.
  • the spacer portion 5 may be formed in a frame shape so as to surround the portion 9, or, as illustrated in FIG. 9A, the spacer so as to surround the pixel electrode 3 adjacent to the contact portion 9 in the auxiliary electrode 4.
  • the part 5 may be formed in a frame shape. 8 and 9 are schematic views showing other examples of the spacer portion formed in this step. FIGS.
  • FIGS. 8A and 9A are schematic plan views when a spacer portion is formed between the pixel region where the pixel electrode is formed and the contact portion of the auxiliary electrode, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 8A, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 9A.
  • the reference numerals not described in FIGS. 8 and 9 are the same as those in FIG.
  • the vertical cross-sectional shape of the spacer portion formed in this step is not particularly limited as long as the function of the spacer portion described above can be exhibited.
  • a forward taper shape, a reverse taper shape, a rectangle and the like can be mentioned, and among them, a forward taper shape is preferable.
  • a transparent electrode layer which will be described later, is uniformly formed even when the spacer portion is formed so as to surround the pixel electrode or the auxiliary electrode. This is because sufficient conduction can be obtained.
  • the height of the spacer portion formed in this step is such that when the organic EL layer side substrate and the lid member are opposed to each other in the arrangement step described later, the lid member contacts the top of the spacer portion via the organic layer.
  • it is preferably within a range of 0.1 ⁇ m to 10 ⁇ m, and more preferably within a range of 0.5 ⁇ m to 5 ⁇ m. In particular, it is preferably in the range of 1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the height of the spacer portion refers to a height h from the bottom surface of the spacer portion 5 to the top portion H as shown in FIG.
  • the spacer portion is not particularly limited as long as it does not adversely affect the characteristics of the organic EL display device obtained by the present invention.
  • the spacer portion is a pixel electrode.
  • an insulating material is preferably used as the material of the spacer portion. Problems due to leakage current from the edge portion of the pixel electrode can be prevented.
  • Specific examples of the material include photo-curable resins such as photosensitive polyimide resins and acrylic resins, thermosetting resins, and inorganic materials.
  • the spacer part formed in this process may be comprised from the base part and the contact
  • the base part 11 formed on the substrate 2 and the contact part 12 formed on the base part 11 may be included.
  • the spacer part is composed of the pedestal part and the contact part, the height of the spacer part can be easily adjusted. For example, when a certain wiring layer is formed on the substrate and an insulating layer is formed on the wiring layer, the height of the insulating layer is increased by an amount corresponding to the thickness of the wiring layer. In such a case, the insulating layer is used as a pedestal portion, and a close contact portion is formed on the insulating layer as the pedestal portion, and this is used as a spacer portion, thereby increasing the height of the insulating layer formed on the wiring layer. In addition, it is possible to easily increase the height of the spacer portion constituted by the insulating layer as the pedestal portion and the close contact portion formed on the insulating layer.
  • the spacer portion and the lid member can be selectively brought into contact with each other. Thereby, it is possible to sufficiently exhibit the above-described function as the spacer portion.
  • the size of the pedestal portion is the size between the pixel region and the contact portion, the size and number of close contact portions formed on the pedestal portion. Is appropriately adjusted according to the above.
  • the height of the pedestal is, for example, preferably in the range of 0.1 ⁇ m to 5 ⁇ m, more preferably in the range of 0.5 ⁇ m to 3 ⁇ m, and particularly in the range of 1 ⁇ m to 2 ⁇ m. preferable. When the height of the pedestal portion is within the above range, the above-described effect by forming the pedestal portion can be obtained. Note that the height of the pedestal, as shown in FIG. 10 refers to the height h d from the bottom surface of the base portion 11 to the top.
  • the vertical cross-sectional shape of the pedestal portion is not particularly limited as long as the close contact portion can be formed on the pedestal portion.
  • a forward taper shape, a reverse taper shape, a rectangle and the like can be mentioned, and among them, a forward taper shape is preferable.
  • the transparent electrode layer described later can be uniformly formed on the entire surface, and sufficient conduction can be obtained. It is.
  • the material used for the pedestal portion is the same as the material for the spacer portion described above, description thereof is omitted here.
  • the material used for the contact portion can be the same as the material for the spacer portion described above, but in addition, when the pedestal portion is formed of an insulating material, A conductive material can be used.
  • the size and number of the close contact portions can be the same as the size and number of the spacer portions described above, description thereof is omitted here.
  • the spacer part formation process in this invention has the process of forming a spacer part between the pixel area
  • a method for forming the spacer portion a general method such as a lamination method, a photolithography method, or a printing method can be used.
  • Another example is a method in which a spacer portion is separately formed using a mold or the like, and is bonded using an adhesive or the like between the pixel region and the contact portion.
  • the spacer portion forming step in the present invention forms a pedestal portion between a pixel region where the pixel electrode is formed and a contact portion described later, Forming a contact portion on the pedestal portion; Since the method for forming the pedestal portion and the close contact portion can be the same as the method for forming the spacer portion described above, description thereof is omitted here.
  • adherence part are comprised from the same material, you may form a base part and a contact
  • Organic EL layer forming step is a step of forming an organic EL layer including a plurality of organic layers and having at least a light emitting layer on the pixel electrode. In this step, at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode in the organic EL layer side substrate.
  • the organic EL layer formed in this step and a specific organic EL layer forming step will be described.
  • Organic EL layer As an organic layer which comprises an organic EL layer, a positive hole injection layer, a positive hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, etc. other than a light emitting layer are mentioned. Hereinafter, each organic layer constituting the organic EL layer will be described.
  • the light-emitting layer formed in this step may be a single-color light-emitting layer or a multi-color light-emitting layer, and is appropriately selected according to the use of the organic EL display device.
  • the organic EL display device is a display device, a plurality of color light emitting layers are usually formed.
  • the light emitting material used for the light emitting layer may be any material that emits fluorescence or phosphorescence, and examples thereof include pigment materials, metal complex materials, and polymer materials. Note that specific pigment materials, metal complex materials, and polymer materials can be the same as those generally used, and thus description thereof is omitted here.
  • the thickness of the light emitting layer is not particularly limited as long as it can provide a recombination field of electrons and holes and can exhibit a function of emitting light.
  • the thickness of the light emitting layer is about 10 nm to 500 nm. it can.
  • a hole injecting and transporting layer may be formed between the light emitting layer and the anode.
  • the hole injection transport layer may be a hole injection layer having a hole injection function, or a hole transport layer having a hole transport function, and the hole injection layer and the hole transport layer are laminated. And may have both a hole injection function and a hole transport function.
  • the material used for the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection and transportation of holes to the light emitting layer, and a general material can be used. .
  • the thickness of the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as the hole injecting function and the hole transporting function are sufficiently exerted.
  • the hole injecting and transporting layer has a thickness within the range of 0.5 nm to 1000 nm, particularly 10 nm to It is preferable to be in the range of 500 nm.
  • an electron injecting and transporting layer may be formed between the light emitting layer and the cathode.
  • the electron injection / transport layer may be an electron injection layer having an electron injection function, may be an electron transport layer having an electron transport function, or may be a laminate of an electron injection layer and an electron transport layer. It may have both an electron injection function and an electron transport function.
  • the material used for the electron injection layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection of electrons into the light emitting layer, and the material used for the electron transport layer is from the cathode.
  • the material is not particularly limited as long as the injected electrons can be transported to the light emitting layer.
  • a general material can be used as a specific material used for the electron injection layer and the electron transport layer.
  • the thickness of the electron injection / transport layer is not particularly limited as long as the electron injection function and the electron transport function are sufficiently exhibited.
  • the organic EL layer formation process in this invention has the process of forming the organic EL layer mentioned above on a pixel electrode.
  • the method for forming the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can be formed on at least the pixel electrode, and is appropriately selected according to the kind of material. For example, a wet process in which a coating solution for forming a hole injection transport layer in which a material or the like is dissolved or dispersed in a solvent is applied, a dry process such as a vacuum deposition method, or the like can be given.
  • the method for forming the light emitting layer is not particularly limited as long as it can be formed on the hole injecting and transporting layer.
  • a light emitting material or the like is dissolved or dispersed in a solvent.
  • examples thereof include a wet process for applying a light emitting layer forming coating solution and a dry process such as a vacuum deposition method.
  • a dry process is preferable because of the influence on the light emission efficiency and life of the organic EL display device.
  • the method for forming the electron injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can be formed on the light emitting layer, and is appropriately selected according to the type of material. For example, a wet process in which a coating solution for forming an electron injecting and transporting layer in which a material or the like is dissolved or dispersed in a solvent is applied, and a dry process such as a vacuum deposition method is used.
  • the organic EL layer is formed, and at least one organic layer constituting the organic EL layer is formed so as to cover the auxiliary electrode.
  • a hole injection transport layer and an electron injection transport layer are formed on the pixel electrode and the auxiliary electrode, and the light emitting layer is patterned on the pixel electrode. Formed.
  • the organic layer is generally formed continuously on the pixel electrode and the auxiliary electrode.
  • a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer may be formed in this step, and then the electron injecting layer may be formed after the arrangement step and the contact portion forming step described later.
  • the electron injection layer formed after the placement step and the contact portion formation step is formed not only on the pixel electrode but also on the contact portion in the auxiliary electrode, when the thickness of the electron injection layer is extremely thin, This is because the auxiliary electrode and the transparent electrode layer formed by the transparent electrode layer forming step described later can be electrically connected at the contact portion.
  • the electron injection layer when the electron injection layer is formed after the placement step and the contact portion formation step, the electron injection layer can be prevented from being deteriorated by the placement step or the contact portion formation step. It becomes possible to use a material such as lithium iodide as a material for the electron injection layer.
  • Arrangement Step Under the first pressure, a lid material is made to face the organic EL layer side substrate obtained in the organic EL layer side substrate preparation step, and the lid material is placed on the top of the spacer portion. An arrangement step of arranging the layers so as to contact each other is performed.
  • the lid used in this process and a specific arrangement process will be described.
  • the lid material used in this step is a first aspect that is a resin film having a barrier property with an oxygen permeability of 100 cc / m 2 ⁇ day or less, a second aspect that is a polyethylene terephthalate film, and glass. It can be divided into three modes, the third mode being a film.
  • the lid member used in this step will be described separately for each aspect.
  • the oxygen permeability of the lid of the first aspect the present embodiment is preferably from among them 30cc / m 2 ⁇ day, particularly 15 cc / m 2 ⁇ It is preferably not more than day.
  • the lid has an oxygen permeability within the above range, a lid having a desired barrier property can be obtained. Therefore, in the contact portion forming step described later, the organic EL layer side substrate of the lid is It is possible to prevent gas from entering from the space on the opposite side into the space between the organic EL layer side substrate and the lid member.
  • GTR V c / (R ⁇ T ⁇ P u ⁇ A) ⁇ d p / d t (I)
  • GTR Gas permeability (mol / m 2 ⁇ Pa)
  • Vc Low pressure side volume (l)
  • T Test temperature
  • P u Supply gas differential pressure
  • A Transmission area (m 2 )
  • d p / d t Pressure change (Pa) on the low pressure side in unit time (s)
  • the lid material of this aspect is made of a resin film. Since the cover material is made of a resin film, it is possible to develop a roll-to-roll manufacturing technique and to improve manufacturing efficiency. Specific examples of the material include polyethylene (PE), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), and cyclic polyolefin (COP). Of these, polyethylene terephthalate is preferable. A resin film made of polyethylene terephthalate has a lower oxygen permeability than a resin film made of other materials. Therefore, in the contact part forming step described later, from the space opposite to the organic EL layer side substrate of the lid material. Further, it is possible to more effectively prevent gas from entering the space between the organic EL layer side substrate and the lid member.
  • PE polyethylene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • COP cyclic polyolefin
  • the cover material of this embodiment has a minimum transmittance of 70% or more in a wavelength region of 340 nm to 400 nm.
  • the minimum transmittance is preferably 75% or more, and particularly preferably 80% or more. Since the minimum transmittance of the lid material in the wavelength range of 340 nm to 400 nm is within the above range, the laser beam is prevented from being absorbed by the lid material when the laser beam is irradiated through the lid material in the contact portion forming process. can do.
  • an organic layer can be removed reliably and a contact part can be formed, a transparent electrode layer and an auxiliary electrode can fully be connected in a contact part, and generation
  • the minimum transmittance of the lid member in the wavelength range of 340 nm to 400 nm can be measured by, for example, an ultraviolet-visible light spectrophotometer UV-3600 manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the thickness of the lid material is not particularly limited as long as it can achieve the above-described oxygen permeability and transmittance.
  • it is preferably in the range of 1 ⁇ m to 1000 ⁇ m, more preferably in the range of 10 ⁇ m to 200 ⁇ m, and particularly preferably in the range of 30 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the lid material of this aspect may have a barrier layer formed on the surface. Since the cover material of this aspect has a barrier layer, in the contact part forming step described later, the space between the organic EL layer side substrate and the cover material from the space opposite to the organic EL layer side substrate of the cover material. It is possible to more effectively prevent the gas from entering the sea.
  • an inorganic material is mentioned.
  • Specific examples of the inorganic material include silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, titanium oxide, niobium oxide, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, tantalum oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, calcium oxide, and zirconium oxide. .
  • the thickness of the barrier layer is not particularly limited as long as it is a thickness that allows the lid material to achieve the above-described average transmittance when the barrier layer is formed on the lid material of this embodiment.
  • it is preferably within the range of 10 nm to 800 nm, more preferably within the range of 50 nm to 500 nm, and particularly preferably within the range of 70 nm to 300 nm.
  • Examples of the method for forming the barrier layer on the surface of the lid member of this aspect include a sputtering method, a vacuum deposition method, a plasma CVD method, and the like.
  • the barrier layer may be formed alone, and the barrier layer may be bonded to the surface of the lid using an adhesive layer made of an adhesive material.
  • the pressure-sensitive adhesive material used for the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as it can be adhered to the surface of the lid material with a desired strength and transmits laser light used in the contact portion forming step described later.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as it can sufficiently bond the lid and the barrier layer, and specifically, it is set within a range of 5 ⁇ m to 50 ⁇ m. can do.
  • the barrier layer may be disposed on one surface of the cover material, or may be disposed on both surfaces of the cover material.
  • the barrier layer is arrange
  • the combination of the lid material and the barrier layer in the case where the lid material of the present embodiment has a barrier layer is not particularly limited as long as the desired barrier property can be exhibited.
  • the lid material made of COP A combination in which a barrier layer is formed on the surface, a combination in which a barrier layer is formed on the surface of a lid material made of PP, and a combination in which a barrier layer is formed on the surface of a lid material made of PC are preferable.
  • a combination in which a barrier layer is formed on the surface of a lid made of COP is preferable. Since the lid made of COP has a higher transmittance for laser light than the lid made of other materials, even when a barrier layer is formed on the surface of the lid, This is because the laser beam can be sufficiently irradiated through the lid.
  • the cover material of this aspect is a polyethylene terephthalate film. Since the lid material is a polyethylene terephthalate film, it is possible to develop a roll-to-roll manufacturing technique and to improve manufacturing efficiency.
  • the thickness of the lid material of this embodiment is not particularly limited as long as it is in the range of 15 ⁇ m to 200 ⁇ m, but is preferably in the range of 30 ⁇ m to 150 ⁇ m, and particularly in the range of 70 ⁇ m to 130 ⁇ m. It is preferable to be within.
  • the thickness of the lid material of this embodiment is 15 ⁇ m or more, even when the lid material surface does not have a barrier layer or the like, a desired barrier property against gas can be exhibited. Thereby, in the contact part formation process mentioned later, it can prevent that gas penetrate
  • the thickness of the cover material of this aspect is 200 micrometers or less, the effect that the expansion
  • the oxygen permeability is preferably 100 cc / m 2 ⁇ day or less. In particular, it is preferably 30 cc / m 2 ⁇ day or less, and particularly preferably 15 cc / m 2 ⁇ day or less.
  • a barrier layer may be formed on one side or both sides of the lid member.
  • the cover material of this aspect is a glass film.
  • a glass film is a flexible glass substrate.
  • flexibility means that it can wind up in roll shape. Specifically, flexibility refers to bending when a force of 5 KN is applied in the fine ceramic bending test method of JIS R1601.
  • the material used for the glass film is not particularly limited as long as it can be formed into a film shape, and examples thereof include soda lime glass and alkali-free glass. Among them, an alkali-free glass that is colorless and has high transparency is preferable. This is because the laser beam can be prevented from being absorbed by the lid material when the laser beam is irradiated through the lid material in the contact portion forming step.
  • the thickness of the glass film may be any thickness that satisfies the flexibility, and is preferably within a range of 5 ⁇ m to 300 ⁇ m, for example.
  • a glass film has a high barrier property and satisfies the barrier property of the resin film of the first aspect.
  • a resin layer may be formed on one side or both sides of the glass film. Breaking of the glass film can be suppressed.
  • a resin base material can be used as the resin layer. Examples of the material used for the resin substrate include polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES), polyimide (PI), polyetheretherketone (PEEK), and polycarbonate (PC).
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PES polyethersulfone
  • PI polyimide
  • PEEK polyetheretherketone
  • PC polycarbonate
  • the thickness of the resin base material is not particularly limited as long as a flexible cover material can be obtained.
  • the thickness is preferably in the range of 3 ⁇ m to 200 ⁇ m, and is preferably in the range of 5 ⁇ m to 200 ⁇ m. It is more preferable that
  • the resin substrate can be bonded to the glass film via the adhesive layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be the same as the pressure-sensitive adhesive layer described in the first aspect.
  • the lid member is opposed to the organic EL layer side substrate under the first pressure so that the lid member contacts the top of the spacer portion via the organic layer. It is a process of arranging. At this time, the space between the organic EL layer side substrate and the lid member is in a reduced pressure state. Specific examples of a method for performing such a process include the following methods.
  • the organic EL layer side substrate on which the sealing agent is formed on the outer peripheral portion and the lid material are arranged to face each other, and the organic EL layer Examples thereof include a method of bringing the side substrate and the lid material into contact, and a method of bringing the organic EL layer side substrate and the lid material into contact with each other using a jig or the like in a vacuum chamber set to the first pressure.
  • the jig is not particularly limited as long as the organic EL layer side substrate and the lid material can be brought into contact with each other.
  • a jig that holds and fixes only the lid material so that the lid material does not bend may be used.
  • tool can seal the space on the opposite side to the organic electroluminescent layer side board
  • a frame-shaped jig can be mentioned.
  • frame-shaped jigs are arranged on both sides of the lid material, and the lid material is attached to the laser light transmission window of the vacuum chamber via the frame-shaped jig arranged on the opposite surface of the organic EL layer side substrate of the lid material.
  • the organic EL layer side substrate can be placed, for example, on a stage that can move up and down, and the stage is moved upward, and the organic EL layer side substrate is placed on a lid fixed by a frame-shaped jig.
  • a frame-shaped jig By contacting, the space between the organic EL layer side substrate and the lid member can be in a reduced pressure state.
  • an O-ring may be used as a frame-shaped jig disposed on the surface of the lid material opposite to the organic EL layer side substrate.
  • the space between the organic EL layer side substrate and the lid member has a predetermined degree of vacuum that is the first pressure. Specifically, the space between the organic EL layer side substrate and the lid material and the lid material are adjusted by adjusting the space on the opposite side of the organic EL layer side substrate of the lid material to the second pressure in the adhesion step described later. In the contact part forming step described later, a differential pressure can be generated between the organic EL layer side substrate and the space opposite to the organic EL layer side substrate to sufficiently adhere the organic EL layer side substrate and the lid material.
  • the value of the degree of vacuum is as large as possible, that is, the organic EL layer side substrate and the lid material It is preferable that the value of the pressure in the space between is as small as possible. Especially, in this process, it is preferable that the space between the organic EL layer side substrate and the lid member is a vacuum space.
  • the specific degree of vacuum is preferably in the range of 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa to 1 ⁇ 10 4 Pa, and more preferably in the range of 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa to 1 ⁇ 10 3 Pa. In particular, it is preferably in the range of 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa to 1 ⁇ 10 2 Pa.
  • Adhering Step the space on the opposite side of the lid material from the organic EL layer side substrate is adjusted to a second pressure higher than the first pressure so that the organic EL layer side substrate and the lid material are in close contact with each other. A close contact process is performed.
  • a specific adhesion process will be described.
  • This step adjusts the space on the opposite side of the lid to the organic EL layer side substrate to a second pressure higher than the first pressure, thereby allowing the space between the organic EL layer side substrate and the lid material and the lid material to be adjusted.
  • a differential pressure is generated between the organic EL layer side substrate and the space opposite to the organic EL layer side substrate, and the organic EL layer side substrate and the lid member are brought into close contact with each other.
  • At least the space opposite to the organic EL layer side substrate of the lid may be adjusted to the second pressure, For example, only the space opposite to the organic EL layer side substrate of the lid material may be adjusted to the second pressure, and the outer space of the lid material and the organic EL layer side substrate may be adjusted to the second pressure.
  • the “normal pressure space” in the case where the adhesion process is performed by a method of exposing the contacted organic EL layer side substrate and the cover material to the normal pressure space, for example,
  • the space preferably has an oxygen concentration and a water concentration of at least 1 ppm or less and is filled with an inert gas such as nitrogen or argon.
  • an inert gas such as nitrogen or argon.
  • the gas may flow into the entire vacuum chamber, or the gas may flow into only the space on the side opposite to the organic EL layer side substrate of the lid. Also good.
  • the space on the side opposite to the organic EL layer side substrate of the lid can be sealed, and the organic EL can be obtained by flowing gas into this space.
  • substrate and a cover material can be stuck.
  • the gas flowing into the vacuum chamber is preferably an inert gas such as nitrogen or argon for the same reason as described above.
  • the “second pressure” is a pressure higher than the first pressure in the disposing step, and the lid material can be brought into close contact with the organic EL layer side substrate by the differential pressure between the first pressure and the second pressure.
  • the second pressure is preferably 100 Pa or more higher than the first pressure, more preferably 1000 Pa or more, and particularly preferably 10,000 Pa or more.
  • the differential pressure between the second pressure and the first pressure is equal to or higher than the above numerical value, the lid member can be sufficiently adhered to the organic EL layer side substrate.
  • the contact part formed in this process is an area
  • the planar shape of the contact portion formed in this step is not particularly limited as long as it is a planar shape capable of sufficiently sufficiently connecting a transparent electrode layer and an auxiliary electrode described later. , Rectangular and circular.
  • FIGS. 11A to 11C are schematic views for explaining the mode of the contact portion formed in this step.
  • the contact portion 9 is formed by removing at least one organic layer 6a formed on the auxiliary electrode 4 in a stripe shape.
  • FIG. 11 (b) an embodiment in which an opening is provided in at least one organic layer 6a formed on the auxiliary electrode 4 may be used.
  • the organic layer 6a formed on the auxiliary electrode 4 may be provided with a plurality of openings.
  • the contact part formation process in this invention has the process of forming the contact part mentioned above by irradiating a laser beam through a cover material, and removing the organic layer which covers an auxiliary electrode.
  • this process can be performed by the following methods, for example. That is, a contact portion is formed by irradiating a laser beam through a laser beam transmitting window or the like installed in a vacuum chamber composed of a transparent substrate such as glass and removing the organic layer covering the auxiliary electrode. Is the method.
  • the laser light used in this step is not particularly limited as long as it can remove the organic layer covering the auxiliary electrode through the lid material when irradiated through the lid material, Laser light generally used in the method of removing the organic layer with laser light can be employed.
  • the wavelength range of the laser light is not particularly limited as long as it is a wavelength range that allows the organic material to be removed efficiently through the lid material used in the present invention.
  • the specific ultraviolet region is preferably in the range of 300 nm to 400 nm, more preferably in the range of 320 nm to 380 nm, and particularly preferably in the range of 340 nm to 360 nm.
  • Examples of laser light having such a wavelength range include solid lasers such as YAG and YVO 4 , excimer lasers such as XeCl and XeF, and semiconductor lasers.
  • the laser beam may be a pulse laser or a continuous wave laser, and among these, a pulse laser is preferable. Since the pulse laser has a high peak value, the organic layer covering the auxiliary electrode can be efficiently removed. On the other hand, because of the high output, the organic layer removed by the pulse laser is likely to scatter and there is a possibility that the contamination of the pixel region becomes wide. On the other hand, in the present invention, scattering of the organic layer can be prevented, which is useful when a pulse laser is used.
  • the pulse width is preferably in the range of 0.01 nanoseconds to 100 nanoseconds.
  • the repetition frequency is preferably in the range of 1 kHz to 1000 kHz.
  • the output is appropriately adjusted as long as the organic layer can be removed.
  • Transparent electrode layer forming step In the present invention, a transparent electrode layer forming step of forming a transparent electrode layer on the organic EL layer and the contact portion is performed so as to be electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion. .
  • the transparent electrode layer formed in this step and a specific transparent electrode layer forming step will be described.
  • Transparent electrode layer The transparent electrode layer in this process is formed on the organic EL layer side substrate.
  • the transparent electrode layer only needs to have transparency and conductivity, and examples thereof include metal oxides.
  • the metal oxide include indium tin oxide, indium oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, and stannic oxide.
  • metal materials such as magnesium-silver alloy, aluminum, and calcium can also be used when forming a film thin enough to have light transmittance.
  • the transparent electrode layer formation process in this invention peels the cover material closely_contact
  • a general electrode forming method can be used, for example, a PVD method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an EB deposition method, an ion plating method, or a CVD method. be able to.
  • the present invention is not particularly limited as long as it has the steps described above, and may have other steps.
  • the sealing process which seals an organic EL display device with a sealing substrate is mentioned, for example.
  • the sealing substrate will be described.
  • the sealing substrate has light transmittance.
  • the light transmittance of the sealing substrate only needs to be transparent to the wavelength in the visible light region. Specifically, the light transmittance for the entire wavelength range in the visible light region is 80% or more. Of these, 85% or more, particularly 90% or more is preferable.
  • the light transmittance can be measured by, for example, an ultraviolet-visible light spectrophotometer UV-3600 manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the sealing substrate may or may not have flexibility, and is appropriately selected depending on the use of the organic EL display device.
  • the material of the sealing substrate is not particularly limited as long as a light-transmitting sealing substrate can be obtained.
  • inorganic materials such as quartz and glass, acrylic resin, and COP are used.
  • resins such as cycloolefin polymer, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyimide, polyamideimide, polyethersulfone, polyetherimide, and polyetheretherketone.
  • a gas barrier layer may be formed on the surface of the resin sealing substrate.
  • the thickness of the sealing substrate is appropriately selected depending on the material of the sealing substrate and the use of the organic EL display device. Specifically, the thickness of the sealing substrate is about 0.001 mm to 5 mm.
  • Organic EL display device The organic EL display device obtained by the production method of the present invention may be of any type that can extract light from at least the transparent electrode layer side, and may be a top emission type that extracts light from the transparent electrode layer side, A double-sided light emission type in which light is extracted from both sides of the transparent electrode layer and the pixel electrode may be used.
  • Organic EL display device-forming lid material The organic EL display device-forming lid material of the present invention is used in the above-described method for producing an organic EL display device, and has an oxygen permeability of 100 cc / m 2 ⁇ day or less. It is a resin film having a barrier property, and has a minimum transmittance of 70% or more in a wavelength region of 340 nm to 400 nm.
  • the organic EL display device can be produced by the method described in the above section “A. Method for producing an organic EL display device”, and the display characteristics are degraded. An organic EL display device capable of suppressing the above can be obtained.
  • the lid material for forming the organic EL display device is the same as that described in the above section “A. Manufacturing method of organic EL display device 2. Arrangement step (1) Lid material (a) First aspect”. Explanation here is omitted.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
  • the lid material Under the first pressure, the lid material is made to face the surface of the organic EL layer side substrate to reduce the space between the organic EL layer side substrate and the lid material, and then the outer periphery of the organic EL layer side substrate and the lid material Difference between the pressure in the space between the organic EL layer side substrate and the lid material and the pressure in the outer space of the organic EL layer side substrate and the lid material when the space is adjusted to the second pressure, that is, in both spaces A simulation was performed on the change of the differential pressure over time. The conditions for the lid are as shown in Table 1 below.
  • the nitrogen permeability is normally about 1/3 of the oxygen permeability. Therefore, the nitrogen permeability shown in Table 1 was calculated as 1/3 of the oxygen permeability.
  • the oxygen permeability was evaluated using a MOCON oxygen permeability measuring device OX-TRAN 2/21 manufactured by Hitachi High-Tech.
  • the lid material is made to face the surface of the organic EL layer side substrate to reduce the space between the organic EL layer side substrate and the lid material, and then the outer periphery of the organic EL layer side substrate and the lid material Difference between the pressure in the space between the organic EL layer side substrate and the lid material and the pressure in the outer space of the organic EL layer side substrate and the lid material when the space is adjusted to the second pressure, that is, in both spaces Changes over time in the differential pressure were evaluated.
  • the differential pressure here is calculated by the following formulas (1) and (2).
  • GTR V c / (R ⁇ T ⁇ P u ⁇ A) ⁇ d p / d t (1)
  • GTR gas permeability (mol / m 2 ⁇ Pa)
  • V c low pressure side volume (l)
  • T test temperature
  • P u differential pressure (Pa) of supply gas
  • A Permeation area (m 2 )
  • d p / d t Pressure change (Pa) on the low pressure side in unit time (s)
  • R 8.31 ⁇ 10 3 (l ⁇ Pa / K ⁇ mol).
  • the lid material of the present invention in which the gas permeability of the lid material is within a predetermined range, the reduced pressure state between the lid material and the organic EL layer side substrate can be maintained. It was found that the adhesion between the substrate and the organic EL layer side substrate can be prevented from decreasing with time.
  • Example 2 (Pixel electrode and auxiliary electrode formation process) A chromium film having a thickness of 150 nm was formed by sputtering on a substrate made of alkali-free glass having a thickness of 0.7 mm. Thereafter, a pixel electrode and an auxiliary electrode were simultaneously formed by photolithography.
  • a spacer portion was formed by a photolithography method between the pixel electrode and the region where the contact portion is formed in the auxiliary electrode.
  • the planar shape of the spacer portion was a frame shape, and the vertical cross-sectional shape was a forward tapered shape.
  • the height of the spacer portion was 1.5 ⁇ m.
  • Organic EL layer formation process Next, a 0.1 ⁇ m hole injection layer was formed on the pixel electrode, and then a 0.3 ⁇ m light emitting layer was formed on the hole injection layer. Thereafter, an electron transport layer having a thickness of 0.3 ⁇ m was formed on the light emitting layer to obtain an organic EL layer.
  • the organic EL layer was formed on the pixel electrode and also on the auxiliary electrode.
  • a sealant was formed on the outer periphery of the pattern of the organic EL layer side substrate using a dispenser.
  • the minimum transmittance shown in Table 3 is a measured value in a wavelength range of 340 nm to 400 nm, and was measured using an ultraviolet-visible light spectrophotometer UV-3600 manufactured by Shimadzu Corporation.
  • No. Nos. 16 to 18 use a lid material on the surface of which a barrier layer made of SiO 2 having a thickness of 0.2 ⁇ m is formed.
  • the lid material is peeled off, and lithium fluoride is deposited by vacuum deposition so as to have a thickness of 0.5 nm so as to be electrically connected to the auxiliary electrode exposed at the contact portion, and the electron injection layer is formed. Formed.
  • the film was formed by vacuum deposition so that the calcium film thickness was 10 nm and the aluminum film thickness was 5 nm to form a transparent electrode layer.
  • both oxygen permeability and nitrogen permeability are 200 cc / m 2 ⁇ day or more.
  • the cover material of 9 to 11 When the cover material of 9 to 11 is used, the removed organic layer is scattered in the pixel region even when the interval between the reduced pressure state and the laser beam irradiation is within 10 minutes. End up. From the above, it is difficult to maintain the reduced pressure state of the space between the organic EL layer side substrate and the lid material when the oxygen permeability and the nitrogen permeability are within a predetermined range, and the organic EL layer side It turned out that a board
  • the nitrogen permeability oxygen permeability is 100cc / m 2 ⁇ day is 33cc / m 2 ⁇ day No.
  • the organic layer on the auxiliary electrode is removed by irradiating a laser beam within 10 minutes after the pressure is reduced, so that the removed organic layer is scattered in the pixel region.
  • the oxygen permeability is 27.8 cc / m 2 ⁇ day or less
  • the nitrogen permeability is 9.3 cc / m 2 ⁇ day or less.
  • Example 3 An organic EL display device was produced in the same manner as in Example 2 except that the organic EL layer forming step was performed as shown below. (Organic EL layer formation process) Next, a hole injection layer and a hole transport layer were formed on the pixel electrode so as to have a thickness of 0.1 ⁇ m, and then a 0.02 ⁇ m light emitting layer was formed on the hole transport layer. Thereafter, an electron transport layer having a thickness of 0.03 ⁇ m was formed on the light emitting layer to obtain an organic EL layer. The organic EL layer was formed on the pixel electrode and also on the auxiliary electrode. (Evaluation) Results similar to those of Example 2 were obtained.

Abstract

　本発明は、樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材を用いて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力を調整して有機ＥＬ層側基板と蓋材とを密着させた際に、上記有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持して有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持し、レーザー光により除去された補助電極上の有機層が画素領域に飛散するのを防いで、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを主目的とする。　上記のようなトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法において、蓋材として、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムを用いる。

Description

トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材
　本発明は、補助電極を有するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関するものである。
　有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発色により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体ディスプレイであるため耐衝撃性に優れていること、応答速度が速いこと、温度変化による影響が少ないこと、および視野角が広いこと等の利点が注目されている。なお、以下、有機エレクトロルミネッセンスを有機ＥＬと略す場合がある。
　有機ＥＬ素子の構成は、陽極と陰極との間に有機ＥＬ層が狭持された積層構造を基本としている。このような有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置の駆動方式には、パッシブマトリクス駆動およびアクティブマトリクス駆動があるが、大型ディスプレイを製造するにあたっては、低電圧による駆動が可能であるという観点から、アクティブマトリクス駆動が有利である。なお、アクティブマトリクス駆動とは、有機ＥＬ素子が形成された基板にＴＦＴ等の回路を形成し、上記ＴＦＴ等の回路により駆動する方式をいう。
　このような有機ＥＬ表示装置には、有機ＥＬ素子が形成された基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、有機ＥＬ素子が形成された基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型とがある。ここで、アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示装置の場合、ボトムエミッション型では、光の取り出し面である基板に形成されたＴＦＴ等の回路により開口率が制限され、光取り出し効率が低下してしまうという問題がある。これに対し、トップエミッション型では、基板とは反対側の面から光を取り出すため、ボトムエミッション型に比べて優れた光取り出し効率が得られる。なお、トップエミッション型の場合には、光取り出し面となる側の電極層として透明電極層が用いられる。
　ところで、一般的な透明電極層は、ＡｌやＣｕ等の金属から構成される電極層に比べて抵抗が大きい。そのため、透明電極層を有する有機ＥＬ表示装置においては、透明電極層の抵抗によって電圧降下が生じ、結果として有機ＥＬ層の輝度の均一性が低下する、いわゆる輝度ムラの発生が問題になっている。また、透明電極層の面積が大きくなるほどその抵抗はより大きくなることから、上述した輝度ムラの問題は大型ディスプレイを製造する場合に顕著になる。
　上記課題に対しては、抵抗値の低い補助電極を形成し、これを透明電極層と電気的に接続させることにより電圧降下を抑制する方法が知られている。ここで、補助電極は、通常、金属層を成膜した後にウェットプロセスによるエッチング処理を施し、パターン状に形成される。そのため、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ層の形成後に補助電極を形成する場合には、補助電極を形成する際に用いられるエッチング液により有機ＥＬ層が侵されるという問題があった。そこで、特許文献１～３に記載されているように、有機ＥＬ層を形成する前に補助電極を形成する方法が知られている。
　しかしながら、有機ＥＬ層を形成する前に補助電極を形成すると、有機ＥＬ層を全面に形成する場合や有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層を全面に形成する場合に、補助電極上に有機ＥＬ層や少なくとも１層の有機層が形成されることになる。そのため、補助電極と透明電極層との電気的な接続が、補助電極上の有機ＥＬ層や有機層によって妨げられてしまうという問題があった。
　そこで、特許文献１では、レーザー光により補助電極上の有機ＥＬ層を除去して、補助電極と透明電極層とが電気的に接続された有機ＥＬ表示装置を作製する方法が提案されている。しかしながら、この場合、レーザー光により除去された有機ＥＬ層が飛散して有機ＥＬ表示装置における画素領域が汚染され、表示特性が低下してしまうという問題がある。
　また、上記問題を解決する方法として、例えば特許文献２では、レーザー光による有機ＥＬ層の除去を行う前に、有機ＥＬ層で被覆された補助電極全面に透光性を有する第１の電極を形成し、その後、第１の電極を介してレーザー光により有機ＥＬ層を除去し、最後に第２の電極を形成する方法が提案されている。しかしながら、この場合、上述した表示特性の低下は抑制することができるものの、透明電極層として第１の電極および第２の電極を形成するため、製造工程が増加してしまうという問題がある。
特許第４９５９１１９号 特表２０１０－５３８４４０号公報 特許第４３４０９８２号
　ところで、特許文献３には、レーザー光により除去された有機層が表示装置を汚染することを防止する方法として、次のような有機ＥＬ表示装置の製造方法が開示されている。すなわち、図１２（ａ）に示すように、基板２０上に画素電極３０および補助電極４０を形成し、上記画素電極３０と上記補助電極４０との間に隔壁５０を形成した後、図１２（ｂ）に示すように、有機ＥＬ層６０を形成して有機ＥＬ層側基板１００’を形成する。次いで、図１２（ｃ）に示すように、減圧下にて、有機ＥＬ層側基板１００’にガラス基板や樹脂フィルムからなる蓋材８０を対向させて、隔壁５０の頂部に蓋材８０が接触するように配置し、有機ＥＬ層側基板１００’および蓋材８０の間の空間Ｖを減圧状態にする。その後、有機ＥＬ層側基板１００’および蓋材８０の外周の空間を加圧することにより、有機ＥＬ層側基板１００’に蓋材８０を密着させる。次いで、レーザー光Ｌによって補助電極４０上の有機ＥＬ層６０を除去して、図１２（ｄ）に示すように、蓋材８０を剥離する。最後に、図１２（ｅ）に示すように、有機ＥＬ層側基板上に透明電極層７０を形成することにより、補助電極４０と透明電極層７０とが電気的に接続された有機ＥＬ表示装置１００を作製する方法である。ところで、上述の方法により有機ＥＬ表示装置を製造する際にガラス基板からなる蓋材を用いると、ロール・ツー・ロール製造技術への展開が困難になるという問題がある。そのため、樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材を用いることが、製造効率向上の観点からは有利であると考えられる。
　そこで、本発明者らは、樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材を用いて、減圧下で有機ＥＬ層側基板および蓋材を接触させて有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間を減圧状態にし、次いで有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を加圧することにより有機ＥＬ層側基板と蓋材とを密着させ、その後、蓋材を介してレーザー光を照射して補助電極上の有機層を除去する方法について検討を行った。その結果、本発明者らは、次のような新規な課題を発見した。すなわち、減圧下で樹脂フィルムからなる蓋材を有機ＥＬ層側基板に接触させて有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を加圧すると、時間の経過とともに有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の真空度が低下してしまうことが分かった。これは、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入しているからだと考えられる。また、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間は非常に狭いため、僅かに気体が侵入するだけでも真空度は著しく低下してしまう。ここで、有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性は、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間の圧力と有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間の圧力との差が大きくなるにつれて増大するものである。したがって、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の真空度が低下すると、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間の圧力と、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間の圧力との差が縮まり、有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性が弱まってしまう。その結果、レーザー光により有機層を除去する際に、有機ＥＬ層側基板と蓋材との接触面における密着性が維持できなくなり、レーザー光により除去された有機層が画素領域に飛散するのを十分に防ぐことが困難になるという問題がある。
　本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材を用いて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力を調整して有機ＥＬ層側基板と蓋材とを密着させた際に、上記有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持して有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持し、レーザー光により除去された補助電極上の有機層が画素領域に飛散するのを防いで、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを主目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を製造するトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
　本発明によれば、配置工程において用いられる蓋材が、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができる。そのため、接触部形成工程において、蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができ、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのを十分に防止することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。また、本発明において用いられる蓋材が樹脂フィルムであることにより、ロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にするため製造効率の向上を図ることができる。
　本発明においては、上記蓋材の、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍにおける最小透過率が７０％以上であることが好ましい。上記蓋材の、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍにおける最小透過率が７０％以上であることにより、接触部形成工程において蓋材を介して有機層にレーザー光を照射する際に、蓋材にレーザー光が吸収されるのを防ぐことができるため、有機層を確実に除去して接触部を形成することができる。これにより、接触部において透明電極層と補助電極とを十分に接続して電圧降下による輝度ムラの発生を抑制することができる。
　本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を製造するトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
　本発明によれば、配置工程において用いられる蓋材が、ポリエチレンテレフタレートから構成されていることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができる。そのため、接触部形成工程において、蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができ、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのを十分に防止することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。また、本発明において用いられる蓋材がポリエチレンテレフタレートからなることにより、接触部形成工程において蓋材を介して有機層にレーザー光を照射する際に、蓋材にレーザー光が吸収されるのを防ぐことができるため、有機層を確実に除去して接触部を形成することができる。これにより、接触部において透明電極層と補助電極とを十分に接続して電圧降下による輝度ムラの発生を抑制することができる。さらには、ロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にするため製造効率の向上を図ることができる。
　本発明においては、上記蓋材がバリア層を有することが好ましい。本発明において用いられる蓋材がバリア層を有することにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態をより効果的に保持することができる。これにより、接触部形成工程において、蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を十分に維持することができる。そのため、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのをより確実に防止することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
　本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を製造するトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材が、ガラスフィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
　本発明によれば、配置工程において用いられる蓋材がガラスフィルムであることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができる。そのため、接触部形成工程において、蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができ、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのを十分に防止することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。また、蓋材がガラスフィルムであることにより、ロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にするため製造効率の向上を図ることができる。
　本発明は、上述のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いられるトップエミッション型有機ＥＬ表示装置形成用蓋材であって、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであり、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置形成用蓋材を提供する。
　本発明は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであり、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることにより、トップエミッション型有機ＥＬ表示装置を上述した製造方法により製造することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
　本発明においては、有機ＥＬ層側基板と樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができ、レーザー光により除去された補助電極上の有機層が画素領域に飛散するのを防いで、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができるという効果を奏する。
本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。 本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の他の例を示す工程図である。 本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する模式図である。 蓋材の気体透過度を示すグラフである。 本発明におけるスペーサ部を説明する模式図である。 本発明におけるスペーサ部形成工程および絶縁層形成工程の一例を示す概略図である。 本発明におけるスペーサ部の形成態様の一例を示す概略図である。 本発明におけるスペーサ部の形成態様の他の例を示す概略図である。 本発明におけるスペーサ部の形成態様の他の例を示す概略図である。 本発明におけるスペーサ部を説明する模式図である。 本発明における接触部を説明する模式図である。 従来のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
　以下、本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機ＥＬ表示装置形成用蓋材について詳細に説明する。なお、以下、トップエミッション型有機ＥＬ表示装置を有機ＥＬ表示装置と略す場合がある。
　Ａ．有機ＥＬ表示装置の製造方法
　本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、蓋材に応じて３つの実施態様を有する。
　本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の第１実施態様は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであることを特徴とする方法である。
　本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の第２実施態様は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする方法である。
　本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の第３実施態様は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材が、ガラスフィルムであることを特徴とする方法である。
　ここで、上記「第１圧力」および上記「第２圧力」とは、第１圧力が第２圧力よりも低い圧力であれば特に限定されるものではない。また、有機ＥＬ層側基板の表面に蓋材を配置したときの上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材の間の空間の圧力を第１圧力に調整し、さらに上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力を第２圧力に調整した際に、上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材の間の圧力と上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力との差圧により、上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させることができる程度の圧力であれば特に限定されるものではない。なお、通常は、上記「第１圧力」が常圧よりも低い圧力となり、上記「第２圧力」が上記「第１圧力」よりも高い圧力となる。また、具体的な上記「第１圧力」および上記「第２圧力」については、後述する「２．配置工程」および「３．密着工程」の項に記載するため、ここでの説明は省略する。
　図１（ａ）～（ｆ）は本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図１（ａ）に例示するように、基板２上に画素電極３および補助電極４を形成する画素電極および補助電極形成工程を行う。次に、図１（ｂ）に例示するように、基板２上にスペーサ部５を形成するスペーサ部形成工程を行う。その後、図１（ｃ）に例示するように、複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層６を形成する有機ＥＬ層形成工程を行う。このようにして、有機ＥＬ層側基板１を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程を行う。次いで、図１（ｄ）に例示するように、第１圧力下で、有機ＥＬ層側基板１に所定の酸素透過度を有する樹脂フィルムである蓋材８、ポリエチレンテレフタレートフィルムである蓋材８、あるいはガラスフィルムである蓋材８を対向させ、上記スペーサ部５の頂部に上記蓋材８が上記有機ＥＬ層６を介して接触するように配置する配置工程を行う。この際、有機ＥＬ層側基板１および蓋材８の間の空間Ｖは減圧状態になる。その後、上記蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１を第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板１および上記蓋材８を密着させる密着工程を行う。次に、上記蓋材８を介して、補助電極４上に形成された有機ＥＬ層６にレーザー光Ｌを照射して、上記補助電極４上の上記有機ＥＬ層６を除去し、図１（ｅ）に例示するように、補助電極４を露出させて接触部９を形成する接触部形成工程を行う。最後に、図１（ｆ）に例示するように、接触部９において補助電極４と電気的に接続されるように、有機ＥＬ層側基板上に透明電極層７を形成する透明電極層形成工程を行う。これにより、本発明における有機ＥＬ表示装置１０が得られる。
　図２（ａ）～（ｆ）は本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の他の例を示す工程図である。なお、図２（ａ）～（ｃ）は上記図１（ａ）～（ｃ）と同様であるので省略する。次に、図２（ｄ）に例示するように、第１圧力下で、有機ＥＬ層側基板１に所定の条件を満たす蓋材８を対向させ、上記スペーサ部５の頂部および上記蓋材８が上記有機ＥＬ層６を介して接触するように配置する配置工程を行う。この際、有機ＥＬ層側基板１および蓋材８の間の空間Ｖは減圧状態になる。その後、上記蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１を第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板１および上記蓋材８を密着させる密着工程を行う。次いで、上記蓋材８側から、補助電極４が形成された領域に開口部を有するマスクＭを介してレーザー光Ｌを照射して、補助電極４上に形成された有機ＥＬ層６を除去し、図２（ｅ）に例示するように、補助電極４を露出させて接触部９を形成する接触部形成工程を行う。最後に、図２（ｆ）に例示するように、接触部９において補助電極４と電気的に接続されるように、有機ＥＬ層側基板上に透明電極層７を形成する透明電極層形成工程を行う。これにより、本発明における有機ＥＬ表示装置１０が得られる。
　このように本発明においては、配置工程において用いられる蓋材が所定の酸素透過度を有する樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、あるいはガラスフィルムであることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができる。そのため、接触部形成工程において蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも、有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができ、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのを十分に防止することができる。これにより、表示特性の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
　この理由については、次のようなことが考えられる。まず、図３に例示するように、有機ＥＬ層側基板１と蓋材８との密着性は、蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１の圧力と、有機ＥＬ層側基板１および蓋材８の間の空間Ｖの圧力との差、すなわち差圧が大きい程増大するものである。そのため、第１圧力下で有機ＥＬ層側基板１と蓋材８とを接触させ、その後、蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１を第１圧力よりも高い第２圧力に調整して、有機ＥＬ層側基板１と蓋材８との間の空間Ｖの圧力を蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１の圧力よりも低くし、蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１と有機ＥＬ層側基板１および蓋材８の間の空間Ｖとの差圧を大きくすることにより、有機ＥＬ層側基板１と蓋材８との密着性が増す。しかしながら、樹脂フィルムからなる一般的な蓋材を用いた従来の方法においては、図４のグラフに示すように、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間と有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間との差圧は経時的に低下してしまう。具体的に、従来の蓋材の場合には、２分経過後に差圧が５０％低下し、１０分経過後には差圧が解消してしまう。これは、従来の方法において用いられている蓋材の気体に対するバリア性が低いため、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入していることが原因であると考えられる。なお、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間は非常に狭いため、僅かに気体が侵入するだけでも真空度は著しく低下し、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間と有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間との差圧が低下するものと考えられる。一方、所定の条件を満たす蓋材を用いた本発明においては、図４のグラフに示すように、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間と有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間との差圧を維持することができる。これは、本発明において用いられる蓋材が気体に対して所定のバリア性を有することにより、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのを防ぐことができるものと考えられる。したがって、本発明においては、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持し、接触部形成工程において蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができるものと推量される。
　さらに、本発明において用いられる蓋材が樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、あるいはガラスフィルムであることにより、ロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にすることができる。これにより、有機ＥＬ表示装置の製造効率の向上を図ることができる。
　また、本発明において用いられる蓋材が樹脂フィルム、あるいはポリエチレンテレフタレートフィルムである場合には、割れを防止することができ、取り扱いが容易になる。
　ここで、本発明において「上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された」とは、例えば図１（ｃ）および図２（ｃ）に例示するように、有機ＥＬ層６を構成する全ての層が、画素電極３が形成された画素領域ｐ内および補助電極４を覆うように全面に形成された態様、また、この他にも、仮に有機ＥＬ層が、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子注入層の４層から構成されている場合においては、上記４層のうち３層が画素領域内にパターン状に形成され、残りの１層が画素領域内および補助電極を覆うように全面に形成されている態様や、上記４層のうち２層が画素領域内にパターン状に形成され、残りの２層が画素領域内および補助電極を覆うように全面に形成されている態様や、さらには上記４層のうち１層が画素領域内にパターン状に形成され、残りの３層が画素領域内および補助電極を覆うように全面に形成されている態様等を含む。
　また、本発明において「スペーサ部の頂部」とは、例えば図５に例示するように、スペーサ部５が台形である場合にはスペーサ部５の上底面Ｈを指す。また、スペーサ部が台形以外の形状である場合には、スペーサ部の最上部を指し、有機ＥＬ層側基板と蓋材とを接触させた際に、スペーサ部において蓋材が先に接触する部分を指す。
　以下、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における各工程について説明する。
　１．有機ＥＬ層側基板準備工程
　本発明においては、まず、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程を行う。
　以下、本工程において形成される各部材の形成工程について説明する。
　（１）画素電極および補助電極形成工程
　本工程は、基板上に画素電極と補助電極とを形成する工程である。
　以下、本工程において用いられる各部材、および具体的な画素電極および補助電極形成工程について説明する。
　（ａ）基板
　本工程における基板は、後述する画素電極、補助電極、スペーサ部、有機ＥＬ層および透明電極層を支持するものである。
　本発明において製造される有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型であるため、基板は光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。基板が光透過性を有し、透明基板である場合には、両面発光型の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
　また、基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。このような基板の材料としては、例えば、ガラスや樹脂が挙げられる。なお、基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
　基板の厚みとしては、基板の材料および有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択され、具体的には０．００５ｍｍ～５ｍｍ程度である。
　（ｂ）画素電極
　本工程における画素電極は、基板上にパターン状に複数形成されるものである。
　画素電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよいが、本発明により製造される有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型であり、透明電極層側から光を取り出すため、通常は光透過性を有さないものとされる。また、画素電極が光透過性を有し、透明電極である場合には、両面発光型の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
　画素電極は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
　画素電極が陽極である場合には、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
　陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属；酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物；金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
　また、画素電極が陰極である場合には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
　陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
　画素電極の厚みとしては、画素電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、１０ｎｍ～１０００ｎｍ程度にすることができ、好ましくは２０ｎｍ～５００ｎｍ程度である。なお、画素電極の厚みとしては、後述する補助電極の厚みと同じであってもよく異なっていてもよい。なお、画素電極を、後述する補助電極と一括して形成する場合には、画素電極および補助電極の厚みは等しくなる。
　（ｃ）補助電極
　本工程における補助電極は、画素電極の間に形成されるものである。
　補助電極は、光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。
　補助電極には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられる。なお、補助電極に用いられる材料については、上記画素電極に用いられる材料と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
　また、補助電極に用いられる材料は、画素電極に用いられる材料と同じであってもよく異なってもよい。中でも、画素電極および補助電極は同一の材料であることが好ましい。画素電極および補助電極を一括して形成することができ、製造工程を簡略化することができるからである。
　補助電極の厚みとしては、補助電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、１０ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも２０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。なお、補助電極を、上述した画素電極と一括して形成する場合には、画素電極および補助電極の厚みは等しくなる。
　このような補助電極を、補助電極の厚み方向に観察した際の形状、すなわち平面形状としては、透明電極層の抵抗による電圧降下を抑制するという補助電極の機能を発揮することができる形状であれば特に限定されるものではないが、有機ＥＬ表示装置の光取り出し効率を低下させないような形状であることが好ましい。例えば、ストライプ状や格子状等が挙げられる。
　（ｄ）画素電極および補助電極
　隣り合う画素電極および補助電極の間隔としては、後述するスペーサ部を形成することができる程度であれば特に限定されるものではない。具体的には、１μｍ～５０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも２μｍ～３０μｍの範囲内であることが好ましい。なお、隣り合う画素電極および補助電極の間隔とは、図１（ａ）に示した距離ｄを指す。
　（ｅ）画素電極および補助電極形成工程
　本発明における画素電極および補助電極形成工程は、まず基板上に画素電極を形成する工程を有する。画素電極の形成方法としては、基板上に画素電極をパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。例えば、マスクを用いた蒸着法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、蒸着法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等が挙げられる。
　次に本工程は、画素電極の間に補助電極を形成する工程を有する。補助電極の形成方法としては、基板上に補助電極をパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。具体的な補助電極の形成方法については、上記画素電極の形成方法と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。なお、本工程においては、補助電極を画素電極と一括して形成することが好ましい。製造工程を簡略化することができるからである。
　（２）スペーサ部形成工程
　本工程は、上記基板上にスペーサ部を形成する工程である。
　以下、本工程において形成されるスペーサ部および具体的なスペーサ部形成工程について説明する。
　（ａ）スペーサ部
　本工程において形成されるスペーサ部は、画素電極と後述する接触部との間に形成されるものであり、後述する接触部形成工程においてレーザー光により除去された有機層が飛散するのを防止するというスペーサ部の機能を有するものである。また、スペーサ部が画素電極に接触している場合には、スペーサ部は絶縁層としての機能を有する。
　なお、スペーサ部が絶縁層としての機能を有する場合には、スペーサ部を形成する本工程とともに絶縁層を形成する絶縁層形成工程を同時に行い、スペーサ部と絶縁層とを一括して形成してもよい。スペーサ部と絶縁層とを一括して形成することにより、製造効率の向上を図ることができる。図６（ａ）～（ｂ）は、本工程と同時に絶縁層形成工程を行い、スペーサ部および絶縁層を一括して形成する場合の一例を示した概略工程図であり、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＡ－Ａ線断面図である。まず、図６（ａ）に例示するように、基板２上に画素電極３および枠状の補助電極４を形成する。次に、図６（ｂ）、（ｃ）に例示するように、画素電極３上および接触部９を形成する補助電極４上が露出するように、スペーサ部５および絶縁層１３を一括して形成する。スペーサ部および絶縁層が一括して形成される場合には、スペーサ部および絶縁層は同じ材料から構成され、また図６（ｂ）に例示するように、スペーサ部５および絶縁層１３は連続して形成されていてもよい。
　本工程において、画素電極と後述する接触部との間に形成されるスペーサ部の数としては、画素電極が形成された画素領域と接触部とを隔てることにより、上述したスペーサ部の機能を十分に発揮することができれば特に限定されるものではなく、１つであってもよく２つ以上であってもよい。
　ここで、画素電極と後述する接触部との間に形成されるスペーサ部の数とは、隣接する画素電極と接触部との間に長手方向にストライプ状のスペーサ部が形成されており、このときに画素電極と接触部との間に形成されたストライプの数を指す。したがって、例えば、図７（ａ）、（ｂ）に例示するスペーサ部５の数は１つである。なお、図７は、本工程において形成されるスペーサ部の一例を示す概略図である。また、図７（ａ）は画素電極と補助電極との間にスペーサ部が形成された際の概略平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ－Ｂ線断面図である。図７において説明していない符号については、図１と同様であるためここでの説明は省略する。
　本工程において形成されるスペーサ部の平面形状としては、画素電極と後述する接触部とを隔てるように形成されていれば特に限定されるものではないが、例えば、上述した図７（ａ）に例示するように、画素電極３と補助電極４における接触部９との間にスペーサ部５がストライプ状に形成されていてもよく、図８（ａ）に例示するように、補助電極４における接触部９を囲うようにスペーサ部５が枠状に形成されていてもよく、あるいは図９（ａ）に例示するように、補助電極４における接触部９と隣接する画素電極３を囲うようにスペーサ部５が枠状に形成されていてもよい。なお、図８および図９は、本工程において形成されるスペーサ部の他の例を示す概略図である。また、図８（ａ）および図９（ａ）は画素電極が形成された画素領域と補助電極における接触部との間にスペーサ部が形成された際の概略平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ－Ｃ線断面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＤ－Ｄ線断面図である。図８および図９において説明していない符号については、図１と同様であるためここでの説明は省略する。
　また、本工程において形成されるスペーサ部の縦断面形状としては、上述したスペーサ部の機能を発揮することができるものであれば特に限定されない。例えば、順テーパー形状、逆テーパー形状、矩形等が挙げられるが、中でも、順テーパー形状であることが好ましい。図８（ａ）や図９（ａ）に例示するように、画素電極または補助電極を囲うようにスペーサ部が形成されている場合であっても、後述する透明電極層を全面に均一に形成することができ、十分な導通を得ることができるからである。
　本工程において形成されるスペーサ部の高さとしては、後述する配置工程において、有機ＥＬ層側基板および蓋材を対向させた際に、スペーサ部の頂部に蓋材が有機層を介して接触するように配置することができる程度であれば特に限定されるものではないが、具体的には、０．１μｍ～１０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも０．５μｍ～５μｍの範囲内であることが好ましく、特に１μｍ～３μｍの範囲内であることが好ましい。スペーサ部の高さが上記範囲内であることにより、有機ＥＬ層側基板および蓋材を対向させた際に形成される有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を大きくすることができるため、上記空間に僅かに気体が侵入した場合であっても、上記空間の真空度が急激に低下するのを抑制することができるからである。また、後述する配置工程において有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させて接触させた際に、蓋材が撓んで画素電極上に形成された有機ＥＬ層と接触し、有機ＥＬ表示装置の表示特性に悪影響を及ぼすという問題を防ぐことができる。
　なお、スペーサ部の高さとは、図５に示すように、スペーサ部５の下底面から頂部Ｈまでの高さｈを指す。
　このようなスペーサ部に用いられる材料としては、本発明により得られる有機ＥＬ表示装置の特性に悪影響を及ぼさないような材料であれば特に限定されるものではないが、例えばスペーサ部が画素電極と接触する場合には、スペーサ部の材料として絶縁性材料を用いることが好ましい。画素電極のエッジ部分からのリーク電流による不具合を防ぐことができる。具体的な材料としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。
　さらに、本工程において形成されるスペーサ部は、台座部と台座部上に形成された密着部とから構成されていてもよい。具体的には、図１０に例示するように、基板２上に形成された台座部１１と、上記台座部１１上に形成された密着部１２とから構成されていてもよい。
　スペーサ部が台座部と密着部とから構成されていることにより、スペーサ部の高さの調整が容易になる。例えば、基板上に何らかの配線層が形成されており、上記配線層上に絶縁層が形成されている場合、上記配線層の厚みに相当する分だけ上記絶縁層の高さが高くなる。このような場合には、上記絶縁層を台座部とし、上記台座部としての絶縁層上に密着部を形成してこれをスペーサ部とすることにより、配線層上に形成された絶縁層の高さよりも、台座部としての絶縁層および絶縁層上に形成された密着部から構成されたスペーサ部の高さを容易に高くすることが可能になる。また、後述する配置工程において有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させた際に、スペーサ部と蓋材とを選択的に接触させることができる。これにより、スペーサ部としての上述した機能を十分に発揮することが可能になる。
　スペーサ部が台座部と密着部とから構成されている場合において、台座部の大きさとしては、画素領域と接触部との間の大きさや、台座部上に形成される密着部の大きさや数に応じて適宜調整されるものである。台座部の高さとしては、例えば、０．１μｍ～５μｍの範囲内であることが好ましく、中でも０．５μｍ～３μｍの範囲内であることが好ましく、特に１μｍ～２μｍの範囲内であることが好ましい。台座部の高さが上記範囲内であることにより、台座部を形成することによる上述の効果を得ることができる。
　なお、台座部の高さとは、図１０に示すように、台座部１１の下底面から頂部までの高さｈｄを指す。
　また、台座部の縦断面形状としては、台座部上に密着部を形成することが可能であれば特に限定されない。例えば、順テーパー形状、逆テーパー形状、矩形等が挙げられるが、中でも、順テーパー形状であることが好ましい。画素電極または補助電極を囲うように台座部および密着部が形成されている場合であっても、後述する透明電極層を全面に均一に形成することができ、十分な導通を得ることができるからである。
　さらに、台座部に用いられる材料としては、上述したスペーサ部の材料と同様であるため、ここでの記載は省略する。
　一方、密着部に用いられる材料としては、上述したスペーサ部の材料と同様とすることができるが、その他にも、上記台座部が絶縁性材料から形成される場合には、密着部の材料として導電性材料を用いることができる。
　密着部の大きさおよび数については、上述したスペーサ部の大きさおよび数と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
　（ｂ）スペーサ部形成工程
　本発明におけるスペーサ部形成工程は、画素電極が形成された画素領域と後述する接触部との間にスペーサ部を形成する工程を有する。スペーサ部の形成方法としては、ラミネーション法、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。また、鋳型等を用いてスペーサ部を別途形成し、画素領域と接触部との間に接着剤等を用いて貼り合わせる方法を挙げることができる。
　また、スペーサ部が台座部および密着部から構成される場合、本発明におけるスペーサ部形成工程は、画素電極が形成された画素領域と後述する接触部との間に台座部を形成し、その後、台座部上に密着部を形成する工程を有する。台座部および密着部の形成方法としては、上述したスペーサ部の形成方法と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。なお、台座部および密着部が同じ材料から構成される場合には、台座部および密着部を一括して形成してもよい。
　（３）有機ＥＬ層形成工程
　本工程は、複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層を、上記画素電極上に形成する工程である。また、本工程では、有機ＥＬ層側基板における上記補助電極の全面に少なくとも１層の有機層が形成される。
　以下、本工程において形成される有機ＥＬ層および具体的な有機ＥＬ層形成工程について説明する。
　（ａ）有機ＥＬ層
　有機ＥＬ層を構成する有機層としては、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。
　以下、有機ＥＬ層を構成する各有機層について説明する。
　（ｉ）発光層
　本工程において形成される発光層は、単色の発光層であってもよく、複数色の発光層であってもよく、有機ＥＬ表示装置の用途に応じて適宜選択される。有機ＥＬ表示装置が表示装置である場合には、通常、複数色の発光層が形成される。
　発光層に用いられる発光材料としては、蛍光もしくは燐光を発するものであればよく、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等を挙げることができる。なお、具体的な色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料については、一般的に用いられるものと同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。
　発光層の厚みとしては、電子および正孔の再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば１０ｎｍ～５００ｎｍ程度にすることができる。
　（ｉｉ）正孔注入輸送層
　本工程において形成される有機ＥＬ層としては、発光層と陽極との間に正孔注入輸送層が形成されていてもよい。
　正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
　正孔注入輸送層に用いられる材料としては、発光層への正孔の注入、輸送を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的な材料を用いることができる。
　正孔注入輸送層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内、中でも１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
　（ｉｉｉ）電子注入輸送層
　本工程において形成される有機ＥＬ層としては、発光層と陰極との間に電子注入輸送層が形成されていてもよい。
　電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
　電子注入層に用いられる材料としては、発光層への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、また、電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではない。
　電子注入層および電子輸送層に用いられる具体的な材料としては、一般的な材料を用いることができる。
　電子注入輸送層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
　（ｂ）有機ＥＬ層形成工程
　本発明における有機ＥＬ層形成工程は、上述した有機ＥＬ層を画素電極上に形成する工程を有する。なお、ここでは有機ＥＬ層が、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の順で積層される場合について説明する。
　正孔注入輸送層の形成方法としては、少なくとも画素電極上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。
　次に、発光層の形成方法としては、上記正孔注入輸送層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、発光材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた発光層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。中でも、有機ＥＬ表示装置の発光効率および寿命への影響からドライプロセスが好ましい。
　次に、電子注入輸送層の形成方法としては、上記発光層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた電子注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセスが挙げられる。
　また、有機ＥＬ層形成工程では、有機ＥＬ層を形成するとともに、上記有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層が補助電極を覆うように形成される。例えば、有機ＥＬ表示装置の画素毎に発光層を塗り分ける場合には、正孔注入輸送層や電子注入輸送層が画素電極上および補助電極上に形成され、発光層が画素電極上にパターン状に形成される。なお、有機層が画素電極上および補助電極上に形成される場合には、有機層は画素電極上および補助電極上に連続して形成されることが一般的である。
　なお、本発明においては、例えば、本工程で正孔注入輸送層、発光層および電子輸送層を形成し、その後、後述する配置工程および接触部形成工程後に電子注入層を形成してもよい。配置工程および接触部形成工程後に形成される電子注入層が、画素電極上のみならず補助電極における接触部上に形成された場合であっても、電子注入層の厚みが極めて薄い場合には、接触部において補助電極と後述する透明電極層形成工程により形成される透明電極層とを電気的に接続させることができるからである。このように、配置工程および接触部形成工程後に電子注入層を形成する場合には、配置工程や接触部形成工程による電子注入層の劣化を防ぐことができるため、比較的不安定とされるフッ化リチウム等の材料を電子注入層の材料として用いることが可能になる。
　２．配置工程
　本発明においては、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程を行う。
　以下、本工程において用いられる蓋材および具体的な配置工程について説明する。
　（１）蓋材
　本工程において用いられる蓋材は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムである第１態様と、ポリエチレンテレフタレートフィルムである第２態様と、ガラスフィルムである第３態様との３つの態様に分けることができる。
　以下、本工程おいて用いられる蓋材について、各態様に分けて説明する。
　（ａ）第１態様
　本態様の蓋材の酸素透過度としては、１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であればよく、中でも３０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、特に１５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましい。蓋材の酸素透過度が上記範囲内であることにより、所望のバリア性を有する蓋材とすることができるため、後述する接触部形成工程の際に、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのを防ぐことができる。これにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持し、接触部形成工程において蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができる。
　なお、ここでの酸素透過度については、下記式（Ｉ）を用いて求めることができる。
　ＧＴＲ＝Ｖｃ／（Ｒ×Ｔ×Ｐｕ×Ａ）　×　ｄｐ／ｄｔ　　　　（Ｉ）
　ＧＴＲ：気体透過度（ｍｏｌ／ｍ２・Ｐａ）
　Ｖｃ　：低圧側容積（ｌ）
　Ｔ　　：試験温度
　Ｐｕ　：供給気体の差圧（Ｐａ）
　Ａ　　：透過面積（ｍ２）
　ｄｐ／ｄｔ：単位時間（ｓ）における低圧側の圧力変化（Ｐａ）
　Ｒ　　：８．３１×１０３（ｌ・Ｐａ／Ｋ・ｍｏｌ）
　また、本態様の蓋材は、樹脂フィルムからなるものである。蓋材が樹脂フィルムからなることによりロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にし、製造効率の向上を図ることができる。具体的な材料としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。ポリエチレンテレフタレートからなる樹脂フィルムは、他の材料からなる樹脂フィルムに比べて酸素透過度が低いため、後述する接触部形成工程の際に、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのをより効果的に防ぐことができる。
　さらに、本態様の蓋材は、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることが好ましい。中でも、最小透過率が７５％以上であることが好ましく、特に８０％以上であることが好ましい。波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍにおける蓋材の最小透過率が上記範囲内であることにより、接触部形成工程において蓋材を介してレーザー光を照射した際にレーザー光が蓋材に吸収されるのを抑制することができる。これにより、有機層を確実に除去して接触部を形成することができ、接触部において透明電極層と補助電極とを十分に接続して電圧降下による輝度ムラの発生を抑制することができる。
　なお、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍにおける蓋材の最小透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計ＵＶ－３６００により測定することができる。
　蓋材の厚みとしては、上述した酸素透過度および透過率を達成することができる厚みであれば特に限定されるものではない。例えば、１μｍ～１０００μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１０μｍ～２００μｍの範囲内であることが好ましく、特に３０μｍ～１００μｍの範囲内であることが好ましい。
　また、本態様の蓋材は表面にバリア層が形成されていてもよい。本態様の蓋材がバリア層を有することにより、後述する接触部形成工程において、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのをより効果的に防ぐことができる。
　本態様におけるバリア層の材料としては、酸素や窒素等の気体に対して所望のバリア性を発揮することができ、後述する接触部形成工程において用いられるレーザー光を透過することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、無機材料が挙げられる。具体的な無機材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウムおよび酸化ジルコニウム等が挙げられる。また、バリア層としてガラスフィルムを用いてもよい。ガラスフィルムは割れが懸念されるが、樹脂フィルムと貼り合わされていることで、ガラスフィルムの割れを抑制することができ、またガラスフィルムが割れた場合においても搬送可能である。
　バリア層の厚みとしては、本態様の蓋材にバリア層を形成した際に、上記蓋材が上述した平均透過率を達成することができる程度の厚みであれば特に限定されるものではないが、例えば、１０ｎｍ～８００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも５０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に７０ｎｍ～３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
　本態様の蓋材の表面にバリア層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法等が挙げられる。また、バリア層を単独で形成し、上記バリア層を蓋材の表面に粘着材からなる粘着層を用いて貼り合わせてもよい。また、バリア層としてガラスフィルムを用いる場合、ガラスフィルムを蓋材の表面に粘着層を介して貼り合わせてもよい。粘着層に用いられる粘着材としては、蓋材の表面に所望の強度で接着させることができ、後述する接触部形成工程において用いられるレーザー光を透過するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂等が挙げられる。さらに、粘着層の厚みとしては、蓋材とバリア層とを十分に接着させることができる程度の厚みであれば特に限定されるものではなく、具体的には、５μｍ～５０μｍの範囲内で設定することができる。
　本態様の蓋材がバリア層を有する場合、上記バリア層は蓋材の一方の表面に配置されていてもよく、蓋材の両方の面に配置されていてもよい。なお、バリア層が蓋材の一方の表面に配置されている場合には、上記蓋材と有機ＥＬ層側基板とを対向させる際に上記蓋材におけるバリア層が有機ＥＬ層側基板側になるように配置されていてもよく、有機ＥＬ層側基板とは反対側になるように配置されていてもよい。
　また、本態様の蓋材がバリア層を有する場合の蓋材およびバリア層の組み合わせとしては、所望のバリア性を発揮することができれば特に限定されるものではないが、例えば、ＣＯＰからなる蓋材の表面にバリア層が形成された組み合わせ、ＰＰからなる蓋材の表面にバリア層が形成された組み合わせ、さらにはＰＣからなる蓋材の表面にバリア層が形成された組み合わせであることが好ましい。中でも、ＣＯＰからなる蓋材の表面にバリア層が形成された組み合わせであることが好ましい。ＣＯＰからなる蓋材は、他の材料からなる蓋材と比較してレーザー光に対する透過率が高いため、蓋材の表面にバリア層が形成された場合であっても、接触部形成工程の際に蓋材を介してレーザー光を十分に照射することができるからである。
　（ｂ）第２態様
　本態様の蓋材は、ポリエチレンテレフタレートフィルムである。蓋材がポリエチレンテレフタレートフィルムであることによりロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にし、製造効率の向上を図ることができる。
　このような本態様の蓋材の厚みとしては、１５μｍ～２００μｍの範囲内であれば特に限定されるものではないが、中でも３０μｍ～１５０μｍの範囲内であることが好ましく、特に７０μｍ～１３０μｍの範囲内であることが好ましい。本態様の蓋材の厚みが１５μｍ以上であることにより、蓋材の表面にバリア層等を別途有さない場合であっても、気体に対して所望のバリア性を発揮することができる。これにより、後述する接触部形成工程において、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのを防ぐことができるという効果が得られる。また、本態様の蓋材の厚みが２００μｍ以下であることにより、上記蓋材のロール・ツー・ロール製造技術への展開を好適にし、製造効率の向上を図ることができるという効果が得られる。
　なお、上述した所望のバリア性としては、上記効果が得られる程度のバリア性であれば特に限定されるものではないが、例えば、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、中でも３０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、特に１５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましい。
　また、蓋材の片面もしくは両面にバリア層が形成されていてもよい。本態様の蓋材がバリア層を有することにより、後述する接触部形成工程において、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのをより効果的に防ぐことができる。なお、バリア層の材料、厚みおよび形成方法については、上記「（ａ）第１態様」の項で記載した内容と同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。
　（ｃ）第３態様
　本態様の蓋材は、ガラスフィルムである。ガラスフィルムとは、可撓性を有するガラス基材である。なお、可撓性とは、ロール状に巻き取ることが可能であることをいう。具体的には、可撓性とは、ＪＩＳ Ｒ１６０１のファインセラミックスの曲げ試験方法で、５ＫＮの力をかけたときに曲がることを指す。
　ガラスフィルムに用いられる材料としては、フィルム状に形成可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えばソーダライムガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。中でも、無色で透明度が高い無アルカリガラスが好適である。接触部形成工程において蓋材を介してレーザー光を照射した際にレーザー光が蓋材に吸収されるのを抑制することができるからである。
　ガラスフィルムの厚みは、可撓性を満たす厚みであればよく、例えば５μｍ～３００μｍの範囲内であることが好ましい。
　なお、一般的にガラスフィルムはバリア性が高く、上記第１態様の樹脂フィルムが有するバリア性を満たしている。
　ガラスフィルムの片面もしくは両面には樹脂層が形成されていてもよい。ガラスフィルムの割れを抑制することができる。樹脂層としては樹脂基材を用いることができる。樹脂基材に用いられる材料としては、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、セルローストリアセテート（ＣＴＡ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ノボルネン系樹脂、アリルエステル樹脂等を挙げることができる。
　樹脂基材の厚みは、可撓性を有する蓋材が得ることができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば３μｍ～２００μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ～２００μｍの範囲内であることがより好ましい。
　樹脂基材は粘着層を介してガラスフィルムに貼り合わせることができる。なお、粘着層については、上記第１態様に記載した粘着層と同様とすることができる。
　（２）配置工程
　本工程は、第１圧力下で、上述した蓋材を有機ＥＬ層側基板に対向させて、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する工程である。このとき、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間は減圧状態になる。このような工程を行う方法としては、具体的には、次のような方法が挙げられる。すなわち、まず、第１圧力である所定の真空度に設定された真空チャンバー内において、外周部にシール剤が形成された有機ＥＬ層側基板と蓋材とを対向させて配置し、有機ＥＬ層側基板と蓋材とを接触させる方法や、第１圧力に設定された真空チャンバー内において、治具等を用いて有機ＥＬ層側基板と蓋材とを接触させる方法が挙げられる。
　治具を用いる場合、治具としては、有機ＥＬ層側基板および蓋材を接触させることができるものであればよく、例えば有機ＥＬ層側基板および蓋材を挟んで固定する治具であってもよく、蓋材が撓まないように蓋材のみを挟んで固定する治具であってもよい。
　また、治具は、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を密閉可能なものであることが好ましい。具体的には、枠状の治具を挙げることができる。例えば蓋材の両面に枠状の治具を配置し、蓋材の有機ＥＬ層側基板の反対側の面に配置された枠状の治具を介して真空チャンバーのレーザー光透過窓に蓋材を押し当てることで、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を密閉することができ、後述の密着工程にて蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力を調整することができるからである。この場合、有機ＥＬ層側基板は、例えば上下移動可能なステージ上に載置することができ、ステージを上方に移動させ、枠状の治具で固定された蓋材に有機ＥＬ層側基板を接触させることで、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にすることができる。蓋材の有機ＥＬ層側基板の反対側の面に配置する枠状の治具としては、例えばＯリングを用いてもよい。
　有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間は、第１圧力である所定の真空度となる。具体的には、後述する密着工程にて蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第２圧力に調整することにより、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間と蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間との間に差圧を生じさせて、上記有機ＥＬ層側基板と上記蓋材とを十分に密着させることができ、後述する接触部形成工程においてレーザー光により除去される有機層の粉塵が画素領域に飛散するのを防ぐことができれば特に限定されるものではないが、真空度の値ができるだけ大きいこと、すなわち、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の圧力の値ができるだけ小さいことが好ましい。中でも、本工程においては、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間が真空空間であることが好ましい。具体的な真空度としては、１×１０－５Ｐａ～１×１０４Ｐａの範囲内であることが好ましく、中でも１×１０－５Ｐａ～１×１０３Ｐａの範囲内であることが好ましく、特に１×１０－５Ｐａ～１×１０２Ｐａの範囲内であることが好ましい。
　３．密着工程
　本発明においては、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程を行う。
　以下、具体的な密着工程について説明する。
　本工程は、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第１圧力よりも高い第２圧力に調整することにより、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間と蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間との間に差圧を生じさせ、有機ＥＬ層側基板および蓋材を密着させる工程である。
　蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第２圧力に調整する際には、少なくとも蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第２圧力に調整すればよく、例えば蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間のみを第２圧力に調整してもよく、蓋材および有機ＥＬ層側基板の外周の空間を第２圧力に調整してもよい。
　蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第２圧力に調整する方法としては、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間と蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間との間に差圧を生じさせ、有機ＥＬ層側基板および蓋材を密着させることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、以下のような方法が挙げられる。すなわち、真空チャンバー内にて接触させた有機ＥＬ層側基板および蓋材を、常圧空間にさらすことにより有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を常圧に戻す方法や、真空チャンバー内にて有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間を減圧状態にした後に、真空チャンバー内に気体を流入させて加圧する方法等が挙げられる。なお、接触させた有機ＥＬ層側基板および蓋材を常圧空間にさらす方法により密着工程を行う場合における上記「常圧空間」としては、有機ＥＬ表示装置の劣化を抑制するという観点から、例えば酸素濃度および水分濃度が少なくとも１ｐｐｍ以下であり、窒素やアルゴン等の不活性ガスで充填された空間であることが好ましい。また、真空チャンバー内に気体を流入して加圧する場合には、真空チャンバー全体に気体を流入してもよく、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間のみに気体を流入してもよい。上述したように、例えば枠状の治具を用いた場合には、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を密閉することができ、この空間に気体を流入することで有機ＥＬ層側基板および蓋材を密着させることができる。真空チャンバー内に流入する気体としては、上記と同様の理由から、窒素やアルゴン等の不活性ガスであることが好ましい。
　上記「第２圧力」としては、配置工程における第１圧力よりも高い圧力であり、また第１圧力と第２圧力との差圧により有機ＥＬ層側基板に蓋材を密着させることができる程度の圧力であれば特に限定されるものではないが、例えば第２圧力が第１圧力よりも１００Ｐａ以上高いことが好ましく、中でも１０００Ｐａ以上高いことが好ましく、特に１００００Ｐａ以上高いことが好ましい。第２圧力と第１圧力との差圧が上記数値以上であることにより、有機ＥＬ層側基板に蓋材を十分に密着させることができる。
　４．接触部形成工程
　本発明においては、蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極を覆う上記有機層を除去して接触部を形成する接触部形成工程を行う。
　以下、本工程において形成される接触部および具体的な接触部形成工程について説明する。
　（１）接触部
　本工程において形成される接触部は、補助電極と後述する透明電極層とが接触する領域である。
　本工程において形成される接触部の平面形状としては、後述する透明電極層と補助電極とを電気的に十分に接続することができるような平面形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、矩形や円形等が挙げられる。
　また、上記接触部の態様としては、後述する透明電極層と補助電極とを電気的に十分に接続することができるものであれば特に限定されるものではない。図１１（ａ）～（ｃ）は、本工程において形成される接触部の態様を説明する模式図である。上記接触部９の具体的な態様としては、図１１（ａ）に示すように、補助電極４上に形成された少なくとも１層の有機層６ａをストライプ状に除去して形成された態様であってもよく、図１１（ｂ）に示すように、補助電極４上に形成された少なくとも１層の有機層６ａに開口部を設けて形成された態様であってもよく、図１１（ｃ）に示すように、補助電極４上に形成された少なくとも１層の有機層６ａに複数の開口部を設けて形成された態様であってもよい。
　（２）接触部形成工程
　本発明における接触部形成工程は、蓋材を介してレーザー光を照射して補助電極を覆う有機層を除去することにより、上述した接触部を形成する工程を有する。なお、上述した密着工程として真空チャンバー内に気体を流入させて圧力を調整する方法を用いる場合には、例えば次のような方法により本工程を行うことができる。すなわち、ガラス等の透光性基材から構成される真空チャンバーに設置されたレーザー光透過窓等を介してレーザー光を照射し、補助電極を覆う有機層を除去することにより接触部を形成する方法である。
　本工程に用いられるレーザー光としては、蓋材を介して照射した際に蓋材を透過して補助電極を覆う有機層を除去することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、有機層のレーザー光による除去方法において一般的に用いられるレーザー光を採用することができる。レーザー光が有する波長域としては、本発明において用いられる蓋材を透過し、有機層を効率的に除去することができる波長域であれば特に限定されるものではないが、例えば、紫外線領域であることが好ましい。具体的な紫外線領域としては、３００ｎｍ～４００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも３２０ｎｍ～３８０ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に３４０ｎｍ～３６０ｎｍの範囲内であることが好ましい。このような波長域を有するレーザー光としては、例えば、ＹＡＧ、ＹＶＯ４等の固体レーザー、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等のエキシマーレーザーや半導体レーザー等が挙げられる。
　また、レーザー光はパルスレーザーであってもよく連続波レーザーであってもよいが、中でも、パルスレーザーが好ましい。パルスレーザーは高い尖頭値を有するため、補助電極を覆う有機層を効率的に除去することができる。一方、高出力のため、パルスレーザーにより除去された有機層は飛散しやすく、画素領域の汚染が広範囲になるおそれがある。これに対し、本発明においては有機層の飛散を防ぐことができるため、パルスレーザーを用いる場合に有用である。
　パルスレーザーの場合、パルス幅は、０．０１ナノ秒～１００ナノ秒の範囲内であることが好ましい。また、繰り返し周波数は、１ｋＨｚ～１０００ｋＨｚの範囲内であることが好ましい。出力は、有機層を除去することができればよく適宜調整される。
　５．透明電極層形成工程
　本発明においては、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を行う。
　以下、本工程において形成される透明電極層および具体的な透明電極層形成工程について説明する。
　（１）透明電極層
　本工程における透明電極層は、有機ＥＬ層側基板上に形成されるものである。
　上記透明電極層は、透明性および導電性を有するものであればよく、例えば金属酸化物が挙げられる。具体的な金属酸化物としては、酸化インジウム錫、酸化インジウム、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、および酸化第二錫等が挙げられる。また、マグネシウム－銀合金、アルミニウム、およびカルシウム等の金属材料についても、光透過性を有する程度に薄く成膜する場合には用いることができる。
　（２）透明電極層形成工程
　本発明における透明電極層形成工程は、上記密着工程にて有機ＥＬ層側基板に密着させた蓋材を剥離して、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に透明電極層を形成する工程を有する。透明電極層の形成方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、またはＣＶＤ法等を挙げることができる。
　６．その他の工程
　本発明においては、上述した工程を有していれば特に限定されるものではなく、その他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、例えば、有機ＥＬ表示装置を封止基板により封止する封止工程が挙げられる。
　以下、封止基板について説明する。
　本発明における有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型であるため、封止基板は光透過性を有している。封止基板の光透過性としては、可視光領域の波長に対して透過性を有していればよく、具体的には、可視光領域の全波長範囲に対する光透過率が８０％以上であることが好ましく、中でも８５％以上、特に９０％以上であることが好ましい。
　ここで、光透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計ＵＶ－３６００により測定することができる。
　また、封止基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。
　封止基板の材料としては、光透過性を有する封止基板が得られるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、石英、ガラス等の無機材料や、アクリル樹脂、ＣＯＰと称されるシクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂が挙げられる。また、樹脂製の封止基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
　封止基板の厚みとしては、封止基板の材料および有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。具体的に、封止基板の厚みは０．００１ｍｍ～５ｍｍ程度である。
　７．有機ＥＬ表示装置
　本発明の製造方法により得られる有機ＥＬ表示装置は、少なくとも透明電極層側から光を取り出すものであればよく、透明電極層側から光を取り出すトップエミッション型であってもよく、透明電極層および画素電極の両側から光を取り出す両面発光型であってもよい。
　Ｂ．有機ＥＬ表示装置形成用蓋材
　本発明の有機ＥＬ表示装置形成用蓋材は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いられるものであって、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであり、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることを特徴とするものである。
　本発明の有機ＥＬ表示装置形成用蓋材を用いることにより、有機ＥＬ表示装置を上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置の製造方法」の項に記載した方法により製造することができ、表示特性の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
　上記有機ＥＬ表示装置形成用蓋材については、上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置の製造方法　２．配置工程　（１）蓋材　（ａ）第１態様」の項に記載したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
　本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
　以下、本発明について実施例を用いて具体的に説明する。
　［実施例１］
　第１圧力下で有機ＥＬ層側基板の表面に蓋材を対向させて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を第２圧力に調整した際の、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間における圧力と、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間における圧力との差、すなわち両空間における差圧の経時的な変化についてシミュレーションを行った。なお、上記蓋材の条件は下記表１に示すとおりである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　なお、窒素透過度は、通常、酸素透過度の約１／３であるとされている。したがって、表１に示した窒素透過度については、酸素透過度の１／３として算出した。また、酸素透過度は、日立ハイテク社製　ＭＯＣＯＮ酸素透過度測定装置　ＯＸ－ＴＲＡＮ　２／２１を用いて評価した。
　（評価）
　第１圧力下で有機ＥＬ層側基板の表面に蓋材を対向させて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を第２圧力に調整した際の、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間における圧力と、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間における圧力との差、すなわち両空間における差圧の経時的な変化について評価した。なお、ここでの差圧は、下記式（１）、（２）により算出される。
　ＧＴＲ＝Ｖｃ／（Ｒ×Ｔ×Ｐｕ×Ａ）　×　ｄｐ／ｄｔ　　　　（１）
（上記式（１）において、ＧＴＲ：気体透過度（ｍｏｌ／ｍ２・Ｐａ）、Ｖｃ：低圧側容積（ｌ）、Ｔ：試験温度、Ｐｕ：供給気体の差圧（Ｐａ）、Ａ：透過面積（ｍ２）、ｄｐ／ｄｔ：単位時間（ｓ）における低圧側の圧力変化（Ｐａ）、Ｒ：８．３１×１０３（ｌ・Ｐａ／Ｋ・ｍｏｌ）である。）
　差圧＝（有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間における圧力）－
　　　　　　　　（有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間における圧力）　　（２）
　評価結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２の結果に示すように、Ｎｏ．１～４では、蓋材と有機ＥＬ層側基板との間の空間を減圧状態にしてから１０分後の差圧低下率は１５％以下であり、蓋材と有機ＥＬ層側基板との密着性を維持することができた。これに対し、Ｎｏ．５～８では、蓋材と有機ＥＬ層側基板との間の空間を減圧状態にしてから１０分後の差圧低下率はそれぞれ３８％、６２％、９３％、１００％であり、蓋材と有機ＥＬ層側基板との密着性を維持するのは困難であった。以上のことから、蓋材の気体透過度が所定の範囲である本発明の蓋材を用いることにより、蓋材と有機ＥＬ層側基板との間の減圧状態を維持することができ、蓋材と有機ＥＬ層側基板との密着性が経時的に低下するのを防止できることが分かった。
　［実施例２］
　（画素電極および補助電極形成工程）
　膜厚０．７ｍｍの無アルカリガラスからなる基板上に、スパッタリング法により膜厚１５０ｎｍのクロム膜を成膜した。その後、フォトリソグラフィー法により画素電極および補助電極を同時に形成した。
　（スペーサ部形成工程）
　次に、画素電極と補助電極において接触部を形成する領域との間に、フォトリソグラフィー法によりスペーサ部を形成した。なお、スペーサ部の平面形状は枠状であり、縦断面形状は順テーパー形状であった。また、スペーサ部の高さは１．５μｍであった。
　（有機ＥＬ層形成工程）
　次に、画素電極上に０．１μｍの正孔注入層を形成し、次いで正孔注入層上に０．３μｍの発光層を形成した。その後、発光層上に０．３μｍの電子輸送層を形成し、有機ＥＬ層とした。なお、上記有機ＥＬ層は画素電極上に形成するとともに、補助電極上にも形成した。
　（シール材形成工程）
　ディスペンサーを用いて、上記有機ＥＬ層側基板のパターン外周部にシール材を形成した。
　（配置工程および密着工程）
　次に、５０Ｐａの真空度に設定された真空チャンバー内において、上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させて有機ＥＬ層側基板表面に蓋材を接触させて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にした。その後、真空チャンバー内に窒素ガスを流入させることにより、チャンバー内を常圧に戻して有機ＥＬ層側基板と蓋材とを密着させた。このとき用いた蓋材は、表３に示す条件を満たす。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　なお、表３における酸素透過率および窒素透過度については、実施例１と同様の方法により算出した。
　また、表３に示した最小透過率は、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍにおける測定値であり、島津製作所製紫外可視光分光光度計ＵＶ－３６００を用いて測定した。
　さらに、表３におけるＮｏ．１６～１８は、膜厚０．２μｍのＳｉＯ２からなるバリア層が表面に形成された蓋材を用いたものである。
　（接触部形成工程）
　次に、蓋材を介してエネルギー５００ｍＪ／ｃｍ２、スポット径１０μｍφ、波長３５５ｎｍ、パルス幅５ｎｓｅｃのＹＡＧレーザー光を１ショット照射して、補助電極を覆う正孔注入層、発光層および電子輸送層を除去し、補助電極を露出させて接触部を形成した。
　（電子注入層および透明電極層形成工程）
　その後、蓋材を剥離して、接触部において露出した補助電極に電気的に接続されるようにフッ化リチウムを膜厚０．５ｎｍとなるように真空蒸着法により成膜し、電子注入層を形成した。次いで、カルシウムを膜厚１０ｎｍ、アルミニウムを膜厚５ｎｍとなるように真空蒸着法により成膜し、透明電極層を形成した。
　（封止工程）
　上述したように作製した有機ＥＬ表示装置を接着材を塗布した封止基板と貼り合せ封止を行った。
　（評価）
　上記表３に示すＮｏ．９～１８の蓋材を用いて蓋材と有機ＥＬ層側基板との間の空間を減圧状態にして有機ＥＬ層側基板および蓋材を密着させ、その後、所定の時間を置いて、蓋材を介してレーザー光により補助電極上に形成された有機層を除去して、このときの画素領域における有機ＥＬ層表面への有機層の飛散の有無について観察した。なお、減圧状態にしてからレーザー光を照射するまでの間隔を１時間以上とした場合に、画素領域における有機ＥＬ層表面への有機層の飛散を防止することができれば「Ａ」、また、減圧状態にしてからレーザー光を照射するまでの間隔を１０分以内とした場合に、画素領域における有機ＥＬ層表面への有機層の飛散を防止することができれば「Ｂ」、さらに、減圧状態にしてからレーザー光を照射するまでの間隔を１０分以内とした場合に、画素領域における有機ＥＬ層表面への有機層の飛散を防止することができなければ「Ｃ」と評価した。
　評価結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　酸素透過度および窒素透過度がいずれも２００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以上であるＮｏ．９～１１の蓋材を用いた場合には、減圧状態にしてからレーザー光を照射するまでの間隔を１０分以内とした場合であっても、除去された有機層が画素領域に飛散してしまう。以上のことから、酸素透過度および窒素透過度が所定の範囲以上であることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を維持することが困難となり、有機ＥＬ層側基板と蓋材とを十分に密着させることができないことが分かった。
　これに対し、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙであり窒素透過度が３３ｃｃ／ｍ２・ｄａｙであるＮｏ．１２の蓋材を用いた場合には、減圧状態にした後１０分以内にレーザー光を照射して補助電極上の有機層を除去することにより、除去された有機層が画素領域に飛散するのを防止することができた。また、酸素透過度が２７．８ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であり窒素透過度が９．３ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であるＮｏ．１３～１８の蓋材を用いた場合には、減圧状態にしてから１時間以上が経過した後にレーザー光を照射して補助電極上の有機層を除去したとしても、除去された有機層が画素領域に飛散するのを防止することができた。以上のことから、酸素透過度および窒素透過度が所定の範囲以下であることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を維持し、有機ＥＬ層側基板と蓋材とを十分に密着させることができることが分かった。
　［実施例３］
　下記に示すように有機ＥＬ層形成工程を行った以外は、実施例２と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
　（有機ＥＬ層形成工程）
　次に、画素電極上に０．１μｍとなるように正孔注入層および正孔輸送層を形成し、次いで正孔輸送層上に０．０２μｍの発光層を形成した。その後、発光層上に０．０３μｍの電子輸送層を形成し、有機ＥＬ層とした。なお、上記有機ＥＬ層は画素電極上に形成するとともに、補助電極上にも形成した。
　（評価）
　実施例２と同様の結果が得られた。
　１　…　有機ＥＬ層側基板
　２　…　基板
　３　…　画素電極
　４　…　補助電極
　５　…　スペーサ部
　６　…　有機ＥＬ層
　７　…　透明電極層
　８　…　蓋材
　９　…　接触部
　１０　…　トップエミッション型有機ＥＬ表示装置
　１１　…　台座部
　１２　…　密着部

Claims (6)

  1. 　基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の間に形成された補助電極と、前記基板上に形成されたスペーサ部と、前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、前記補助電極上に形成された少なくとも１層の前記有機層と、前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層とを有し、前記スペーサ部は、前記接触部および前記接触部に隣接する前記画素電極の間に形成されており、また、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    　前記基板、前記画素電極、前記補助電極、前記スペーサ部、および前記有機エレクトロルミネッセンス層を有し、前記補助電極上の全面に少なくとも１層の前記有機層が形成された有機エレクトロルミネッセンス層側基板を準備する有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程と、
    　第１圧力下で、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程で得られた前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板に蓋材を対向させ、前記スペーサ部の頂部に前記蓋材が前記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、
    　前記蓋材の前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板とは反対側の空間を前記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋材を密着させる密着工程と、
    　前記蓋材を介してレーザー光を照射して、前記補助電極上に形成された前記有機層を除去して前記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、
    　前記蓋材は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  2. 　前記蓋材の、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍにおける最小透過率が７０％以上であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  3. 　基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の間に形成された補助電極と、前記基板上に形成されたスペーサ部と、前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、前記補助電極上に形成された少なくとも１層の前記有機層と、前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層とを有し、前記スペーサ部は、前記接触部および前記接触部に隣接する前記画素電極の間に形成されており、また、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    　前記基板、前記画素電極、前記補助電極、前記スペーサ部、および前記有機エレクトロルミネッセンス層を有し、前記補助電極上の全面に少なくとも１層の前記有機層が形成された有機エレクトロルミネッセンス層側基板を準備する有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程と、
    　第１圧力下で、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程で得られた前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板に蓋材を対向させ、前記スペーサ部の頂部に前記蓋材が前記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、
    　前記蓋材の前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板とは反対側の空間を前記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋材を密着させる密着工程と、
    　前記蓋材を介してレーザー光を照射して、前記補助電極上に形成された前記有機層を除去して前記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、
    　前記蓋材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  4. 　前記蓋材がバリア層を有することを特徴とする請求範囲第１項から第３項のいずれかに記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  5. 　基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の間に形成された補助電極と、前記基板上に形成されたスペーサ部と、前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、前記補助電極上に形成された少なくとも１層の前記有機層と、前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層とを有し、前記スペーサ部は、前記接触部および前記接触部に隣接する前記画素電極の間に形成されており、また、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    　前記基板、前記画素電極、前記補助電極、前記スペーサ部、および前記有機エレクトロルミネッセンス層を有し、前記補助電極上の全面に少なくとも１層の前記有機層が形成された有機エレクトロルミネッセンス層側基板を準備する有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程と、
    　第１圧力下で、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程で得られた前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板に蓋材を対向させ、前記スペーサ部の頂部に前記蓋材が前記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、
    　前記蓋材の前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板とは反対側の空間を前記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋材を密着させる密着工程と、
    　前記蓋材を介してレーザー光を照射して、前記補助電極上に形成された前記有機層を除去して前記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、
    　前記蓋材が、ガラスフィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  6. 　請求の範囲第２項に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に用いられるトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材であって、
    　酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであり、波長域３４０ｎｍ～４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107579165A (zh) * 2017-08-30 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制作方法、显示面板及显示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5787015B2 (ja) * 2013-09-02 2015-09-30 大日本印刷株式会社 トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP6722980B2 (ja) * 2014-05-09 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および発光装置、並びに電子機器
JP6834609B2 (ja) * 2017-03-07 2021-02-24 デクセリアルズ株式会社 画像表示装置の製造方法
KR102370355B1 (ko) * 2017-03-09 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP7072225B2 (ja) * 2018-09-07 2022-05-20 株式会社Joled 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007049470A1 (ja) * 2005-10-27 2007-05-03 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
JP2008288074A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sony Corp 表示装置の製造方法
JP2010027210A (ja) * 2008-07-15 2010-02-04 Canon Inc 有機発光素子の製造方法及び有機発光素子
JP2010538440A (ja) * 2007-09-04 2010-12-09 グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー 上面発光型ｏｌｅｄデバイスの製造
JP2012028638A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2012028226A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6822391B2 (en) * 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
JP4255643B2 (ja) * 2001-02-21 2009-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6995035B2 (en) 2003-06-16 2006-02-07 Eastman Kodak Company Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
EP1899503B1 (en) 2005-06-30 2018-08-08 Akzo Nobel Chemicals International B.V. Electrosynthesis of hydrogen peroxide
JP2007038529A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2012079419A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
JP5940460B2 (ja) * 2010-12-18 2016-06-29 株式会社カネカ 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置、光電変換装置の製造方法及び光電変換装置の製造装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007049470A1 (ja) * 2005-10-27 2007-05-03 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
JP2008288074A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sony Corp 表示装置の製造方法
JP2010538440A (ja) * 2007-09-04 2010-12-09 グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー 上面発光型ｏｌｅｄデバイスの製造
JP2010027210A (ja) * 2008-07-15 2010-02-04 Canon Inc 有機発光素子の製造方法及び有機発光素子
JP2012028638A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2012028226A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107579165A (zh) * 2017-08-30 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN107579165B (zh) * 2017-08-30 2024-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制作方法、显示面板及显示装置

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