JP2015065160A - トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材 - Google Patents

トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材を用いて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力を調整して有機ＥＬ層側基板と蓋材とを密着させた際に、上記有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持して有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持し、レーザー光により除去された補助電極上の有機層が画素領域に飛散するのを防いで、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】上記のようなトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法において、蓋材として、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムを用いる。
【選択図】図１

Description

本発明は、補助電極を有するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関するものである。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発色により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体ディスプレイであるため耐衝撃性に優れていること、応答速度が速いこと、温度変化による影響が少ないこと、および視野角が広いこと等の利点が注目されている。なお、以下、有機エレクトロルミネッセンスを有機ＥＬと略す場合がある。
有機ＥＬ素子の構成は、陽極と陰極との間に有機ＥＬ層が狭持された積層構造を基本としている。このような有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置の駆動方式には、パッシブマトリクス駆動およびアクティブマトリクス駆動があるが、大型ディスプレイを製造するにあたっては、低電圧による駆動が可能であるという観点から、アクティブマトリクス駆動が有利である。なお、アクティブマトリクス駆動とは、有機ＥＬ素子が形成された基板にＴＦＴ等の回路を形成し、上記ＴＦＴ等の回路により駆動する方式をいう。
このような有機ＥＬ表示装置には、有機ＥＬ素子が形成された基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、有機ＥＬ素子が形成された基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型とがある。ここで、アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示装置の場合、ボトムエミッション型では、光の取り出し面である基板に形成されたＴＦＴ等の回路により開口率が制限され、光取り出し効率が低下してしまうという問題がある。これに対し、トップエミッション型では、基板とは反対側の面から光を取り出すため、ボトムエミッション型に比べて優れた光取り出し効率が得られる。なお、トップエミッション型の場合には、光取り出し面となる側の電極層として透明電極層が用いられる。
ところで、一般的な透明電極層は、ＡｌやＣｕ等の金属から構成される電極層に比べて抵抗が大きい。そのため、透明電極層を有する有機ＥＬ表示装置においては、透明電極層の抵抗によって電圧降下が生じ、結果として有機ＥＬ層の輝度の均一性が低下する、いわゆる輝度ムラの発生が問題になっている。また、透明電極層の面積が大きくなるほどその抵抗はより大きくなることから、上述した輝度ムラの問題は大型ディスプレイを製造する場合に顕著になる。
上記課題に対しては、抵抗値の低い補助電極を形成し、これを透明電極層と電気的に接続させることにより電圧降下を抑制する方法が知られている。ここで、補助電極は、通常、金属層を成膜した後にウェットプロセスによるエッチング処理を施し、パターン状に形成される。そのため、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ層の形成後に補助電極を形成する場合には、補助電極を形成する際に用いられるエッチング液により有機ＥＬ層が侵されるという問題があった。そこで、特許文献１〜３に記載されているように、有機ＥＬ層を形成する前に補助電極を形成する方法が知られている。
しかしながら、有機ＥＬ層を形成する前に補助電極を形成すると、有機ＥＬ層を全面に形成する場合や有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層を全面に形成する場合に、補助電極上に有機ＥＬ層や少なくとも１層の有機層が形成されることになる。そのため、補助電極と透明電極層との電気的な接続が、補助電極上の有機ＥＬ層や有機層によって妨げられてしまうという問題があった。
そこで、特許文献１では、レーザー光により補助電極上の有機ＥＬ層を除去して、補助電極と透明電極層とが電気的に接続された有機ＥＬ表示装置を作製する方法が提案されている。しかしながら、この場合、レーザー光により除去された有機ＥＬ層が飛散して有機ＥＬ表示装置における画素領域が汚染され、表示特性が低下してしまうという問題がある。
また、上記問題を解決する方法として、例えば特許文献２では、レーザー光による有機ＥＬ層の除去を行う前に、有機ＥＬ層で被覆された補助電極全面に透光性を有する第１の電極を形成し、その後、第１の電極を介してレーザー光により有機ＥＬ層を除去し、最後に第２の電極を形成する方法が提案されている。しかしながら、この場合、上述した表示特性の低下は抑制することができるものの、透明電極層として第１の電極および第２の電極を形成するため、製造工程が増加してしまうという問題がある。
特許第４９５９１１９号 特表２０１０−５３８４４０号公報 特許第４３４０９８２号
ところで、特許文献３には、レーザー光により除去された有機層が表示装置を汚染することを防止する方法として、次のような有機ＥＬ表示装置の製造方法が開示されている。すなわち、図１２（ａ）に示すように、基板２０上に画素電極３０および補助電極４０を形成し、上記画素電極３０と上記補助電極４０との間に隔壁５０を形成した後、図１２（ｂ）に示すように、有機ＥＬ層６０を形成して有機ＥＬ層側基板１００’を形成する。次いで、図１２（ｃ）に示すように、減圧下にて、有機ＥＬ層側基板１００’にガラス基板や樹脂フィルムからなる蓋材８０を対向させて、隔壁５０の頂部に蓋材８０が接触するように配置し、有機ＥＬ層側基板１００’および蓋材８０の間の空間Ｖを減圧状態にする。その後、有機ＥＬ層側基板１００’および蓋材８０の外周の空間を加圧することにより、有機ＥＬ層側基板１００’に蓋材８０を密着させる。次いで、レーザー光Ｌによって補助電極４０上の有機ＥＬ層６０を除去して、図１２（ｄ）に示すように、蓋材８０を剥離する。最後に、図１２（ｅ）に示すように、有機ＥＬ層側基板上に透明電極層７０を形成することにより、補助電極４０と透明電極層７０とが電気的に接続された有機ＥＬ表示装置１００を作製する方法である。ところで、上述の方法により有機ＥＬ表示装置を製造する際にガラス基板からなる蓋材を用いると、ロール・ツー・ロール製造技術への展開が困難になるという問題がある。そのため、樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材を用いることが、製造効率向上の観点からは有利であると考えられる。
そこで、本発明者らは、樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材を用いて、減圧下で有機ＥＬ層側基板および蓋材を接触させて有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間を減圧状態にし、次いで有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を加圧することにより有機ＥＬ層側基板と蓋材とを密着させ、その後、蓋材を介してレーザー光を照射して補助電極上の有機層を除去する方法について検討を行った。その結果、本発明者らは、次のような新規な課題を発見した。すなわち、減圧下で樹脂フィルムからなる蓋材を有機ＥＬ層側基板に接触させて有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を加圧すると、時間の経過とともに有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の真空度が低下してしまうことが分かった。これは、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入しているからだと考えられる。また、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間は非常に狭いため、僅かに気体が侵入するだけでも真空度は著しく低下してしまう。ここで、有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性は、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間の圧力と有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間の圧力との差が大きくなるにつれて増大するものである。したがって、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の真空度が低下すると、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間の圧力と、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間の圧力との差が縮まり、有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性が弱まってしまう。その結果、レーザー光により有機層を除去する際に、有機ＥＬ層側基板と蓋材との接触面における密着性が維持できなくなり、レーザー光により除去された有機層が画素領域に飛散するのを十分に防ぐことが困難になるという問題がある。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材を用いて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力を調整して有機ＥＬ層側基板と蓋材とを密着させた際に、上記有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持して有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持し、レーザー光により除去された補助電極上の有機層が画素領域に飛散するのを防いで、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを主目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を製造するトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
本発明によれば、配置工程において用いられる蓋材が、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができる。そのため、接触部形成工程において、蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができ、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのを十分に防止することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。また、本発明において用いられる蓋材が樹脂フィルムであることにより、ロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にするため製造効率の向上を図ることができる。
本発明においては、上記蓋材の、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍにおける最小透過率が７０％以上であることが好ましい。上記蓋材の、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍにおける最小透過率が７０％以上であることにより、接触部形成工程において蓋材を介して有機層にレーザー光を照射する際に、蓋材にレーザー光が吸収されるのを防ぐことができるため、有機層を確実に除去して接触部を形成することができる。これにより、接触部において透明電極層と補助電極とを十分に接続して電圧降下による輝度ムラの発生を抑制することができる。
本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を製造するトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
本発明によれば、配置工程において用いられる蓋材が、ポリエチレンテレフタレートから構成されていることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができる。そのため、接触部形成工程において、蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができ、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのを十分に防止することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。また、本発明において用いられる蓋材がポリエチレンテレフタレートからなることにより、接触部形成工程において蓋材を介して有機層にレーザー光を照射する際に、蓋材にレーザー光が吸収されるのを防ぐことができるため、有機層を確実に除去して接触部を形成することができる。これにより、接触部において透明電極層と補助電極とを十分に接続して電圧降下による輝度ムラの発生を抑制することができる。さらには、ロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にするため製造効率の向上を図ることができる。
本発明においては、上記蓋材がバリア層を有することが好ましい。本発明において用いられる蓋材がバリア層を有することにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態をより効果的に保持することができる。これにより、接触部形成工程において、蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を十分に維持することができる。そのため、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのをより確実に防止することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を製造するトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材が、ガラスフィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
本発明によれば、配置工程において用いられる蓋材がガラスフィルムであることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができる。そのため、接触部形成工程において、蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができ、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのを十分に防止することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。また、蓋材がガラスフィルムであることにより、ロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にするため製造効率の向上を図ることができる。
本発明は、上述のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いられるトップエミッション型有機ＥＬ表示装置形成用蓋材であって、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであり、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置形成用蓋材を提供する。
本発明は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであり、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることにより、トップエミッション型有機ＥＬ表示装置を上述した製造方法により製造することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
本発明においては、有機ＥＬ層側基板と樹脂フィルム等の可撓性を有する蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができ、レーザー光により除去された補助電極上の有機層が画素領域に飛散するのを防いで、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができるという効果を奏する。
本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。 本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の他の例を示す工程図である。 本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する模式図である。 蓋材の気体透過度を示すグラフである。 本発明におけるスペーサ部を説明する模式図である。 本発明におけるスペーサ部形成工程および絶縁層形成工程の一例を示す概略図である。 本発明におけるスペーサ部の形成態様の一例を示す概略図である。 本発明におけるスペーサ部の形成態様の他の例を示す概略図である。 本発明におけるスペーサ部の形成態様の他の例を示す概略図である。 本発明におけるスペーサ部を説明する模式図である。 本発明における接触部を説明する模式図である。 従来のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
以下、本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機ＥＬ表示装置形成用蓋材について詳細に説明する。なお、以下、トップエミッション型有機ＥＬ表示装置を有機ＥＬ表示装置と略す場合がある。
Ａ．有機ＥＬ表示装置の製造方法
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、蓋材に応じて３つの実施態様を有する。
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の第１実施態様は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであることを特徴とする方法である。
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の第２実施態様は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする方法である。
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の第３実施態様は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程と、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程と、上記蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記蓋材が、ガラスフィルムであることを特徴とする方法である。
ここで、上記「第１圧力」および上記「第２圧力」とは、第１圧力が第２圧力よりも低い圧力であれば特に限定されるものではない。また、有機ＥＬ層側基板の表面に蓋材を配置したときの上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材の間の空間の圧力を第１圧力に調整し、さらに上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力を第２圧力に調整した際に、上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材の間の圧力と上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力との差圧により、上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させることができる程度の圧力であれば特に限定されるものではない。なお、通常は、上記「第１圧力」が常圧よりも低い圧力となり、上記「第２圧力」が上記「第１圧力」よりも高い圧力となる。また、具体的な上記「第１圧力」および上記「第２圧力」については、後述する「２．配置工程」および「３．密着工程」の項に記載するため、ここでの説明は省略する。
図１（ａ）〜（ｆ）は本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図１（ａ）に例示するように、基板２上に画素電極３および補助電極４を形成する画素電極および補助電極形成工程を行う。次に、図１（ｂ）に例示するように、基板２上にスペーサ部５を形成するスペーサ部形成工程を行う。その後、図１（ｃ）に例示するように、複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層６を形成する有機ＥＬ層形成工程を行う。このようにして、有機ＥＬ層側基板１を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程を行う。次いで、図１（ｄ）に例示するように、第１圧力下で、有機ＥＬ層側基板１に所定の酸素透過度を有する樹脂フィルムである蓋材８、ポリエチレンテレフタレートフィルムである蓋材８、あるいはガラスフィルムである蓋材８を対向させ、上記スペーサ部５の頂部に上記蓋材８が上記有機ＥＬ層６を介して接触するように配置する配置工程を行う。この際、有機ＥＬ層側基板１および蓋材８の間の空間Ｖは減圧状態になる。その後、上記蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１を第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板１および上記蓋材８を密着させる密着工程を行う。次に、上記蓋材８を介して、補助電極４上に形成された有機ＥＬ層６にレーザー光Ｌを照射して、上記補助電極４上の上記有機ＥＬ層６を除去し、図１（ｅ）に例示するように、補助電極４を露出させて接触部９を形成する接触部形成工程を行う。最後に、図１（ｆ）に例示するように、接触部９において補助電極４と電気的に接続されるように、有機ＥＬ層側基板上に透明電極層７を形成する透明電極層形成工程を行う。これにより、本発明における有機ＥＬ表示装置１０が得られる。
図２（ａ）〜（ｆ）は本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の他の例を示す工程図である。なお、図２（ａ）〜（ｃ）は上記図１（ａ）〜（ｃ）と同様であるので省略する。次に、図２（ｄ）に例示するように、第１圧力下で、有機ＥＬ層側基板１に所定の条件を満たす蓋材８を対向させ、上記スペーサ部５の頂部および上記蓋材８が上記有機ＥＬ層６を介して接触するように配置する配置工程を行う。この際、有機ＥＬ層側基板１および蓋材８の間の空間Ｖは減圧状態になる。その後、上記蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１を第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板１および上記蓋材８を密着させる密着工程を行う。次いで、上記蓋材８側から、補助電極４が形成された領域に開口部を有するマスクＭを介してレーザー光Ｌを照射して、補助電極４上に形成された有機ＥＬ層６を除去し、図２（ｅ）に例示するように、補助電極４を露出させて接触部９を形成する接触部形成工程を行う。最後に、図２（ｆ）に例示するように、接触部９において補助電極４と電気的に接続されるように、有機ＥＬ層側基板上に透明電極層７を形成する透明電極層形成工程を行う。これにより、本発明における有機ＥＬ表示装置１０が得られる。
このように本発明においては、配置工程において用いられる蓋材が所定の酸素透過度を有する樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、あるいはガラスフィルムであることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持することができる。そのため、接触部形成工程において蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも、有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができ、レーザー光により除去された有機層が画素電極が形成された画素領域に飛散するのを十分に防止することができる。これにより、表示特性の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
この理由については、次のようなことが考えられる。まず、図３に例示するように、有機ＥＬ層側基板１と蓋材８との密着性は、蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１の圧力と、有機ＥＬ層側基板１および蓋材８の間の空間Ｖの圧力との差、すなわち差圧が大きい程増大するものである。そのため、第１圧力下で有機ＥＬ層側基板１と蓋材８とを接触させ、その後、蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１を第１圧力よりも高い第２圧力に調整して、有機ＥＬ層側基板１と蓋材８との間の空間Ｖの圧力を蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１の圧力よりも低くし、蓋材８の有機ＥＬ層側基板１とは反対側の空間Ｐ１と有機ＥＬ層側基板１および蓋材８の間の空間Ｖとの差圧を大きくすることにより、有機ＥＬ層側基板１と蓋材８との密着性が増す。しかしながら、樹脂フィルムからなる一般的な蓋材を用いた従来の方法においては、図４のグラフに示すように、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間と有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間との差圧は経時的に低下してしまう。具体的に、従来の蓋材の場合には、２分経過後に差圧が５０％低下し、１０分経過後には差圧が解消してしまう。これは、従来の方法において用いられている蓋材の気体に対するバリア性が低いため、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入していることが原因であると考えられる。なお、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間は非常に狭いため、僅かに気体が侵入するだけでも真空度は著しく低下し、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間と有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間との差圧が低下するものと考えられる。一方、所定の条件を満たす蓋材を用いた本発明においては、図４のグラフに示すように、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間と有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間との差圧を維持することができる。これは、本発明において用いられる蓋材が気体に対して所定のバリア性を有することにより、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのを防ぐことができるものと考えられる。したがって、本発明においては、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持し、接触部形成工程において蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができるものと推量される。
さらに、本発明において用いられる蓋材が樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、あるいはガラスフィルムであることにより、ロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にすることができる。これにより、有機ＥＬ表示装置の製造効率の向上を図ることができる。
また、本発明において用いられる蓋材が樹脂フィルム、あるいはポリエチレンテレフタレートフィルムである場合には、割れを防止することができ、取り扱いが容易になる。
ここで、本発明において「上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された」とは、例えば図１（ｃ）および図２（ｃ）に例示するように、有機ＥＬ層６を構成する全ての層が、画素電極３が形成された画素領域ｐ内および補助電極４を覆うように全面に形成された態様、また、この他にも、仮に有機ＥＬ層が、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子注入層の４層から構成されている場合においては、上記４層のうち３層が画素領域内にパターン状に形成され、残りの１層が画素領域内および補助電極を覆うように全面に形成されている態様や、上記４層のうち２層が画素領域内にパターン状に形成され、残りの２層が画素領域内および補助電極を覆うように全面に形成されている態様や、さらには上記４層のうち１層が画素領域内にパターン状に形成され、残りの３層が画素領域内および補助電極を覆うように全面に形成されている態様等を含む。
また、本発明において「スペーサ部の頂部」とは、例えば図５に例示するように、スペーサ部５が台形である場合にはスペーサ部５の上底面Ｈを指す。また、スペーサ部が台形以外の形状である場合には、スペーサ部の最上部を指し、有機ＥＬ層側基板と蓋材とを接触させた際に、スペーサ部において蓋材が先に接触する部分を指す。
以下、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における各工程について説明する。
１．有機ＥＬ層側基板準備工程
本発明においては、まず、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機ＥＬ層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも１層の上記有機層が形成された有機ＥＬ層側基板を準備する有機ＥＬ層側基板準備工程を行う。
以下、本工程において形成される各部材の形成工程について説明する。
（１）画素電極および補助電極形成工程
本工程は、基板上に画素電極と補助電極とを形成する工程である。
以下、本工程において用いられる各部材、および具体的な画素電極および補助電極形成工程について説明する。
（ａ）基板
本工程における基板は、後述する画素電極、補助電極、スペーサ部、有機ＥＬ層および透明電極層を支持するものである。
本発明において製造される有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型であるため、基板は光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。基板が光透過性を有し、透明基板である場合には、両面発光型の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
また、基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。このような基板の材料としては、例えば、ガラスや樹脂が挙げられる。なお、基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
基板の厚みとしては、基板の材料および有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択され、具体的には０．００５ｍｍ〜５ｍｍ程度である。
（ｂ）画素電極
本工程における画素電極は、基板上にパターン状に複数形成されるものである。
画素電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよいが、本発明により製造される有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型であり、透明電極層側から光を取り出すため、通常は光透過性を有さないものとされる。また、画素電極が光透過性を有し、透明電極である場合には、両面発光型の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
画素電極は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
画素電極が陽極である場合には、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属；酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物；金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
また、画素電極が陰極である場合には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
画素電極の厚みとしては、画素電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度にすることができ、好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。なお、画素電極の厚みとしては、後述する補助電極の厚みと同じであってもよく異なっていてもよい。なお、画素電極を、後述する補助電極と一括して形成する場合には、画素電極および補助電極の厚みは等しくなる。
（ｃ）補助電極
本工程における補助電極は、画素電極の間に形成されるものである。
補助電極は、光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。
補助電極には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられる。なお、補助電極に用いられる材料については、上記画素電極に用いられる材料と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
また、補助電極に用いられる材料は、画素電極に用いられる材料と同じであってもよく異なってもよい。中でも、画素電極および補助電極は同一の材料であることが好ましい。画素電極および補助電極を一括して形成することができ、製造工程を簡略化することができるからである。
補助電極の厚みとしては、補助電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも２０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。なお、補助電極を、上述した画素電極と一括して形成する場合には、画素電極および補助電極の厚みは等しくなる。
このような補助電極を、補助電極の厚み方向に観察した際の形状、すなわち平面形状としては、透明電極層の抵抗による電圧降下を抑制するという補助電極の機能を発揮することができる形状であれば特に限定されるものではないが、有機ＥＬ表示装置の光取り出し効率を低下させないような形状であることが好ましい。例えば、ストライプ状や格子状等が挙げられる。
（ｄ）画素電極および補助電極
隣り合う画素電極および補助電極の間隔としては、後述するスペーサ部を形成することができる程度であれば特に限定されるものではない。具体的には、１μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。なお、隣り合う画素電極および補助電極の間隔とは、図１（ａ）に示した距離ｄを指す。
（ｅ）画素電極および補助電極形成工程
本発明における画素電極および補助電極形成工程は、まず基板上に画素電極を形成する工程を有する。画素電極の形成方法としては、基板上に画素電極をパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。例えば、マスクを用いた蒸着法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、蒸着法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等が挙げられる。
次に本工程は、画素電極の間に補助電極を形成する工程を有する。補助電極の形成方法としては、基板上に補助電極をパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。具体的な補助電極の形成方法については、上記画素電極の形成方法と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。なお、本工程においては、補助電極を画素電極と一括して形成することが好ましい。製造工程を簡略化することができるからである。
（２）スペーサ部形成工程
本工程は、上記基板上にスペーサ部を形成する工程である。
以下、本工程において形成されるスペーサ部および具体的なスペーサ部形成工程について説明する。
（ａ）スペーサ部
本工程において形成されるスペーサ部は、画素電極と後述する接触部との間に形成されるものであり、後述する接触部形成工程においてレーザー光により除去された有機層が飛散するのを防止するというスペーサ部の機能を有するものである。また、スペーサ部が画素電極に接触している場合には、スペーサ部は絶縁層としての機能を有する。
なお、スペーサ部が絶縁層としての機能を有する場合には、スペーサ部を形成する本工程とともに絶縁層を形成する絶縁層形成工程を同時に行い、スペーサ部と絶縁層とを一括して形成してもよい。スペーサ部と絶縁層とを一括して形成することにより、製造効率の向上を図ることができる。図６（ａ）〜（ｂ）は、本工程と同時に絶縁層形成工程を行い、スペーサ部および絶縁層を一括して形成する場合の一例を示した概略工程図であり、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。まず、図６（ａ）に例示するように、基板２上に画素電極３および枠状の補助電極４を形成する。次に、図６（ｂ）、（ｃ）に例示するように、画素電極３上および接触部９を形成する補助電極４上が露出するように、スペーサ部５および絶縁層１３を一括して形成する。スペーサ部および絶縁層が一括して形成される場合には、スペーサ部および絶縁層は同じ材料から構成され、また図６（ｂ）に例示するように、スペーサ部５および絶縁層１３は連続して形成されていてもよい。
本工程において、画素電極と後述する接触部との間に形成されるスペーサ部の数としては、画素電極が形成された画素領域と接触部とを隔てることにより、上述したスペーサ部の機能を十分に発揮することができれば特に限定されるものではなく、１つであってもよく２つ以上であってもよい。
ここで、画素電極と後述する接触部との間に形成されるスペーサ部の数とは、隣接する画素電極と接触部との間に長手方向にストライプ状のスペーサ部が形成されており、このときに画素電極と接触部との間に形成されたストライプの数を指す。したがって、例えば、図７（ａ）、（ｂ）に例示するスペーサ部５の数は１つである。なお、図７は、本工程において形成されるスペーサ部の一例を示す概略図である。また、図７（ａ）は画素電極と補助電極との間にスペーサ部が形成された際の概略平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図７において説明していない符号については、図１と同様であるためここでの説明は省略する。
本工程において形成されるスペーサ部の平面形状としては、画素電極と後述する接触部とを隔てるように形成されていれば特に限定されるものではないが、例えば、上述した図７（ａ）に例示するように、画素電極３と補助電極４における接触部９との間にスペーサ部５がストライプ状に形成されていてもよく、図８（ａ）に例示するように、補助電極４における接触部９を囲うようにスペーサ部５が枠状に形成されていてもよく、あるいは図９（ａ）に例示するように、補助電極４における接触部９と隣接する画素電極３を囲うようにスペーサ部５が枠状に形成されていてもよい。なお、図８および図９は、本工程において形成されるスペーサ部の他の例を示す概略図である。また、図８（ａ）および図９（ａ）は画素電極が形成された画素領域と補助電極における接触部との間にスペーサ部が形成された際の概略平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ線断面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。図８および図９において説明していない符号については、図１と同様であるためここでの説明は省略する。
また、本工程において形成されるスペーサ部の縦断面形状としては、上述したスペーサ部の機能を発揮することができるものであれば特に限定されない。例えば、順テーパー形状、逆テーパー形状、矩形等が挙げられるが、中でも、順テーパー形状であることが好ましい。図８（ａ）や図９（ａ）に例示するように、画素電極または補助電極を囲うようにスペーサ部が形成されている場合であっても、後述する透明電極層を全面に均一に形成することができ、十分な導通を得ることができるからである。
本工程において形成されるスペーサ部の高さとしては、後述する配置工程において、有機ＥＬ層側基板および蓋材を対向させた際に、スペーサ部の頂部に蓋材が有機層を介して接触するように配置することができる程度であれば特に限定されるものではないが、具体的には、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも０．５μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましく、特に１μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。スペーサ部の高さが上記範囲内であることにより、有機ＥＬ層側基板および蓋材を対向させた際に形成される有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を大きくすることができるため、上記空間に僅かに気体が侵入した場合であっても、上記空間の真空度が急激に低下するのを抑制することができるからである。また、後述する配置工程において有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させて接触させた際に、蓋材が撓んで画素電極上に形成された有機ＥＬ層と接触し、有機ＥＬ表示装置の表示特性に悪影響を及ぼすという問題を防ぐことができる。
なお、スペーサ部の高さとは、図５に示すように、スペーサ部５の下底面から頂部Ｈまでの高さｈを指す。
このようなスペーサ部に用いられる材料としては、本発明により得られる有機ＥＬ表示装置の特性に悪影響を及ぼさないような材料であれば特に限定されるものではないが、例えばスペーサ部が画素電極と接触する場合には、スペーサ部の材料として絶縁性材料を用いることが好ましい。画素電極のエッジ部分からのリーク電流による不具合を防ぐことができる。具体的な材料としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。
さらに、本工程において形成されるスペーサ部は、台座部と台座部上に形成された密着部とから構成されていてもよい。具体的には、図１０に例示するように、基板２上に形成された台座部１１と、上記台座部１１上に形成された密着部１２とから構成されていてもよい。
スペーサ部が台座部と密着部とから構成されていることにより、スペーサ部の高さの調整が容易になる。例えば、基板上に何らかの配線層が形成されており、上記配線層上に絶縁層が形成されている場合、上記配線層の厚みに相当する分だけ上記絶縁層の高さが高くなる。このような場合には、上記絶縁層を台座部とし、上記台座部としての絶縁層上に密着部を形成してこれをスペーサ部とすることにより、配線層上に形成された絶縁層の高さよりも、台座部としての絶縁層および絶縁層上に形成された密着部から構成されたスペーサ部の高さを容易に高くすることが可能になる。また、後述する配置工程において有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させた際に、スペーサ部と蓋材とを選択的に接触させることができる。これにより、スペーサ部としての上述した機能を十分に発揮することが可能になる。
スペーサ部が台座部と密着部とから構成されている場合において、台座部の大きさとしては、画素領域と接触部との間の大きさや、台座部上に形成される密着部の大きさや数に応じて適宜調整されるものである。台座部の高さとしては、例えば、０．１μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましく、中でも０．５μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましく、特に１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。台座部の高さが上記範囲内であることにより、台座部を形成することによる上述の効果を得ることができる。
なお、台座部の高さとは、図１０に示すように、台座部１１の下底面から頂部までの高さｈｄを指す。
また、台座部の縦断面形状としては、台座部上に密着部を形成することが可能であれば特に限定されない。例えば、順テーパー形状、逆テーパー形状、矩形等が挙げられるが、中でも、順テーパー形状であることが好ましい。画素電極または補助電極を囲うように台座部および密着部が形成されている場合であっても、後述する透明電極層を全面に均一に形成することができ、十分な導通を得ることができるからである。
さらに、台座部に用いられる材料としては、上述したスペーサ部の材料と同様であるため、ここでの記載は省略する。
一方、密着部に用いられる材料としては、上述したスペーサ部の材料と同様とすることができるが、その他にも、上記台座部が絶縁性材料から形成される場合には、密着部の材料として導電性材料を用いることができる。
密着部の大きさおよび数については、上述したスペーサ部の大きさおよび数と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
（ｂ）スペーサ部形成工程
本発明におけるスペーサ部形成工程は、画素電極が形成された画素領域と後述する接触部との間にスペーサ部を形成する工程を有する。スペーサ部の形成方法としては、ラミネーション法、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。また、鋳型等を用いてスペーサ部を別途形成し、画素領域と接触部との間に接着剤等を用いて貼り合わせる方法を挙げることができる。
また、スペーサ部が台座部および密着部から構成される場合、本発明におけるスペーサ部形成工程は、画素電極が形成された画素領域と後述する接触部との間に台座部を形成し、その後、台座部上に密着部を形成する工程を有する。台座部および密着部の形成方法としては、上述したスペーサ部の形成方法と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。なお、台座部および密着部が同じ材料から構成される場合には、台座部および密着部を一括して形成してもよい。
（３）有機ＥＬ層形成工程
本工程は、複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層を、上記画素電極上に形成する工程である。また、本工程では、有機ＥＬ層側基板における上記補助電極の全面に少なくとも１層の有機層が形成される。
以下、本工程において形成される有機ＥＬ層および具体的な有機ＥＬ層形成工程について説明する。
（ａ）有機ＥＬ層
有機ＥＬ層を構成する有機層としては、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。
以下、有機ＥＬ層を構成する各有機層について説明する。
（ｉ）発光層
本工程において形成される発光層は、単色の発光層であってもよく、複数色の発光層であってもよく、有機ＥＬ表示装置の用途に応じて適宜選択される。有機ＥＬ表示装置が表示装置である場合には、通常、複数色の発光層が形成される。
発光層に用いられる発光材料としては、蛍光もしくは燐光を発するものであればよく、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等を挙げることができる。なお、具体的な色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料については、一般的に用いられるものと同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。
発光層の厚みとしては、電子および正孔の再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度にすることができる。
（ｉｉ）正孔注入輸送層
本工程において形成される有機ＥＬ層としては、発光層と陽極との間に正孔注入輸送層が形成されていてもよい。
正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
正孔注入輸送層に用いられる材料としては、発光層への正孔の注入、輸送を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的な材料を用いることができる。
正孔注入輸送層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
（ｉｉｉ）電子注入輸送層
本工程において形成される有機ＥＬ層としては、発光層と陰極との間に電子注入輸送層が形成されていてもよい。
電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
電子注入層に用いられる材料としては、発光層への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、また、電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではない。
電子注入層および電子輸送層に用いられる具体的な材料としては、一般的な材料を用いることができる。
電子注入輸送層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
（ｂ）有機ＥＬ層形成工程
本発明における有機ＥＬ層形成工程は、上述した有機ＥＬ層を画素電極上に形成する工程を有する。なお、ここでは有機ＥＬ層が、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の順で積層される場合について説明する。
正孔注入輸送層の形成方法としては、少なくとも画素電極上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。
次に、発光層の形成方法としては、上記正孔注入輸送層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、発光材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた発光層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。中でも、有機ＥＬ表示装置の発光効率および寿命への影響からドライプロセスが好ましい。
次に、電子注入輸送層の形成方法としては、上記発光層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた電子注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセスが挙げられる。
また、有機ＥＬ層形成工程では、有機ＥＬ層を形成するとともに、上記有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層が補助電極を覆うように形成される。例えば、有機ＥＬ表示装置の画素毎に発光層を塗り分ける場合には、正孔注入輸送層や電子注入輸送層が画素電極上および補助電極上に形成され、発光層が画素電極上にパターン状に形成される。なお、有機層が画素電極上および補助電極上に形成される場合には、有機層は画素電極上および補助電極上に連続して形成されることが一般的である。
なお、本発明においては、例えば、本工程で正孔注入輸送層、発光層および電子輸送層を形成し、その後、後述する配置工程および接触部形成工程後に電子注入層を形成してもよい。配置工程および接触部形成工程後に形成される電子注入層が、画素電極上のみならず補助電極における接触部上に形成された場合であっても、電子注入層の厚みが極めて薄い場合には、接触部において補助電極と後述する透明電極層形成工程により形成される透明電極層とを電気的に接続させることができるからである。このように、配置工程および接触部形成工程後に電子注入層を形成する場合には、配置工程や接触部形成工程による電子注入層の劣化を防ぐことができるため、比較的不安定とされるフッ化リチウム等の材料を電子注入層の材料として用いることが可能になる。
２．配置工程
本発明においては、第１圧力下で、上記有機ＥＬ層側基板準備工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する配置工程を行う。
以下、本工程において用いられる蓋材および具体的な配置工程について説明する。
（１）蓋材
本工程において用いられる蓋材は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムである第１態様と、ポリエチレンテレフタレートフィルムである第２態様と、ガラスフィルムである第３態様との３つの態様に分けることができる。
以下、本工程おいて用いられる蓋材について、各態様に分けて説明する。
（ａ）第１態様
本態様の蓋材の酸素透過度としては、１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であればよく、中でも３０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、特に１５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましい。蓋材の酸素透過度が上記範囲内であることにより、所望のバリア性を有する蓋材とすることができるため、後述する接触部形成工程の際に、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのを防ぐことができる。これにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を保持し、接触部形成工程において蓋材を介して補助電極上の有機層にレーザー光を照射する際にも有機ＥＬ層側基板と蓋材との密着性を維持することができる。
なお、ここでの酸素透過度については、下記式（Ｉ）を用いて求めることができる。
ＧＴＲ＝Ｖｃ／（Ｒ×Ｔ×Ｐｕ×Ａ） × ｄｐ／ｄｔ （Ｉ）
ＧＴＲ：気体透過度（ｍｏｌ／ｍ２・Ｐａ）
Ｖｃ ：低圧側容積（ｌ）
Ｔ ：試験温度
Ｐｕ ：供給気体の差圧（Ｐａ）
Ａ ：透過面積（ｍ２）
ｄｐ／ｄｔ：単位時間（ｓ）における低圧側の圧力変化（Ｐａ）
Ｒ ：８．３１×１０３（ｌ・Ｐａ／Ｋ・ｍｏｌ）
また、本態様の蓋材は、樹脂フィルムからなるものである。蓋材が樹脂フィルムからなることによりロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にし、製造効率の向上を図ることができる。具体的な材料としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。ポリエチレンテレフタレートからなる樹脂フィルムは、他の材料からなる樹脂フィルムに比べて酸素透過度が低いため、後述する接触部形成工程の際に、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのをより効果的に防ぐことができる。
さらに、本態様の蓋材は、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることが好ましい。中でも、最小透過率が７５％以上であることが好ましく、特に８０％以上であることが好ましい。波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍにおける蓋材の最小透過率が上記範囲内であることにより、接触部形成工程において蓋材を介してレーザー光を照射した際にレーザー光が蓋材に吸収されるのを抑制することができる。これにより、有機層を確実に除去して接触部を形成することができ、接触部において透明電極層と補助電極とを十分に接続して電圧降下による輝度ムラの発生を抑制することができる。
なお、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍにおける蓋材の最小透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計ＵＶ−３６００により測定することができる。
蓋材の厚みとしては、上述した酸素透過度および透過率を達成することができる厚みであれば特に限定されるものではない。例えば、１μｍ〜１０００μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１０μｍ〜２００μｍの範囲内であることが好ましく、特に３０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。
また、本態様の蓋材は表面にバリア層が形成されていてもよい。本態様の蓋材がバリア層を有することにより、後述する接触部形成工程において、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのをより効果的に防ぐことができる。
本態様におけるバリア層の材料としては、酸素や窒素等の気体に対して所望のバリア性を発揮することができ、後述する接触部形成工程において用いられるレーザー光を透過することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、無機材料が挙げられる。具体的な無機材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウムおよび酸化ジルコニウム等が挙げられる。また、バリア層としてガラスフィルムを用いてもよい。ガラスフィルムは割れが懸念されるが、樹脂フィルムと貼り合わされていることで、ガラスフィルムの割れを抑制することができ、またガラスフィルムが割れた場合においても搬送可能である。
バリア層の厚みとしては、本態様の蓋材にバリア層を形成した際に、上記蓋材が上述した平均透過率を達成することができる程度の厚みであれば特に限定されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に７０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
本態様の蓋材の表面にバリア層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法等が挙げられる。また、バリア層を単独で形成し、上記バリア層を蓋材の表面に粘着材からなる粘着層を用いて貼り合わせてもよい。また、バリア層としてガラスフィルムを用いる場合、ガラスフィルムを蓋材の表面に粘着層を介して貼り合わせてもよい。粘着層に用いられる粘着材としては、蓋材の表面に所望の強度で接着させることができ、後述する接触部形成工程において用いられるレーザー光を透過するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂等が挙げられる。さらに、粘着層の厚みとしては、蓋材とバリア層とを十分に接着させることができる程度の厚みであれば特に限定されるものではなく、具体的には、５μｍ〜５０μｍの範囲内で設定することができる。
本態様の蓋材がバリア層を有する場合、上記バリア層は蓋材の一方の表面に配置されていてもよく、蓋材の両方の面に配置されていてもよい。なお、バリア層が蓋材の一方の表面に配置されている場合には、上記蓋材と有機ＥＬ層側基板とを対向させる際に上記蓋材におけるバリア層が有機ＥＬ層側基板側になるように配置されていてもよく、有機ＥＬ層側基板とは反対側になるように配置されていてもよい。
また、本態様の蓋材がバリア層を有する場合の蓋材およびバリア層の組み合わせとしては、所望のバリア性を発揮することができれば特に限定されるものではないが、例えば、ＣＯＰからなる蓋材の表面にバリア層が形成された組み合わせ、ＰＰからなる蓋材の表面にバリア層が形成された組み合わせ、さらにはＰＣからなる蓋材の表面にバリア層が形成された組み合わせであることが好ましい。中でも、ＣＯＰからなる蓋材の表面にバリア層が形成された組み合わせであることが好ましい。ＣＯＰからなる蓋材は、他の材料からなる蓋材と比較してレーザー光に対する透過率が高いため、蓋材の表面にバリア層が形成された場合であっても、接触部形成工程の際に蓋材を介してレーザー光を十分に照射することができるからである。
（ｂ）第２態様
本態様の蓋材は、ポリエチレンテレフタレートフィルムである。蓋材がポリエチレンテレフタレートフィルムであることによりロール・ツー・ロール製造技術への展開を可能にし、製造効率の向上を図ることができる。
このような本態様の蓋材の厚みとしては、１５μｍ〜２００μｍの範囲内であれば特に限定されるものではないが、中でも３０μｍ〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、特に７０μｍ〜１３０μｍの範囲内であることが好ましい。本態様の蓋材の厚みが１５μｍ以上であることにより、蓋材の表面にバリア層等を別途有さない場合であっても、気体に対して所望のバリア性を発揮することができる。これにより、後述する接触部形成工程において、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのを防ぐことができるという効果が得られる。また、本態様の蓋材の厚みが２００μｍ以下であることにより、上記蓋材のロール・ツー・ロール製造技術への展開を好適にし、製造効率の向上を図ることができるという効果が得られる。
なお、上述した所望のバリア性としては、上記効果が得られる程度のバリア性であれば特に限定されるものではないが、例えば、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、中でも３０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、特に１５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましい。
また、蓋材の片面もしくは両面にバリア層が形成されていてもよい。本態様の蓋材がバリア層を有することにより、後述する接触部形成工程において、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間から、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間へと気体が侵入するのをより効果的に防ぐことができる。なお、バリア層の材料、厚みおよび形成方法については、上記「（ａ）第１態様」の項で記載した内容と同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。
（ｃ）第３態様
本態様の蓋材は、ガラスフィルムである。ガラスフィルムとは、可撓性を有するガラス基材である。なお、可撓性とは、ロール状に巻き取ることが可能であることをいう。具体的には、可撓性とは、ＪＩＳ Ｒ１６０１のファインセラミックスの曲げ試験方法で、５ＫＮの力をかけたときに曲がることを指す。
ガラスフィルムに用いられる材料としては、フィルム状に形成可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えばソーダライムガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。中でも、無色で透明度が高い無アルカリガラスが好適である。接触部形成工程において蓋材を介してレーザー光を照射した際にレーザー光が蓋材に吸収されるのを抑制することができるからである。
ガラスフィルムの厚みは、可撓性を満たす厚みであればよく、例えば５μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。
なお、一般的にガラスフィルムはバリア性が高く、上記第１態様の樹脂フィルムが有するバリア性を満たしている。
ガラスフィルムの片面もしくは両面には樹脂層が形成されていてもよい。ガラスフィルムの割れを抑制することができる。樹脂層としては樹脂基材を用いることができる。樹脂基材に用いられる材料としては、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、セルローストリアセテート（ＣＴＡ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ノボルネン系樹脂、アリルエステル樹脂等を挙げることができる。
樹脂基材の厚みは、可撓性を有する蓋材が得ることができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば３μｍ〜２００μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜２００μｍの範囲内であることがより好ましい。
樹脂基材は粘着層を介してガラスフィルムに貼り合わせることができる。なお、粘着層については、上記第１態様に記載した粘着層と同様とすることができる。
（２）配置工程
本工程は、第１圧力下で、上述した蓋材を有機ＥＬ層側基板に対向させて、上記スペーサ部の頂部に上記蓋材が上記有機層を介して接触するように配置する工程である。このとき、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間は減圧状態になる。このような工程を行う方法としては、具体的には、次のような方法が挙げられる。すなわち、まず、第１圧力である所定の真空度に設定された真空チャンバー内において、外周部にシール剤が形成された有機ＥＬ層側基板と蓋材とを対向させて配置し、有機ＥＬ層側基板と蓋材とを接触させる方法や、第１圧力に設定された真空チャンバー内において、治具等を用いて有機ＥＬ層側基板と蓋材とを接触させる方法が挙げられる。
治具を用いる場合、治具としては、有機ＥＬ層側基板および蓋材を接触させることができるものであればよく、例えば有機ＥＬ層側基板および蓋材を挟んで固定する治具であってもよく、蓋材が撓まないように蓋材のみを挟んで固定する治具であってもよい。
また、治具は、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を密閉可能なものであることが好ましい。具体的には、枠状の治具を挙げることができる。例えば蓋材の両面に枠状の治具を配置し、蓋材の有機ＥＬ層側基板の反対側の面に配置された枠状の治具を介して真空チャンバーのレーザー光透過窓に蓋材を押し当てることで、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を密閉することができ、後述の密着工程にて蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間の圧力を調整することができるからである。この場合、有機ＥＬ層側基板は、例えば上下移動可能なステージ上に載置することができ、ステージを上方に移動させ、枠状の治具で固定された蓋材に有機ＥＬ層側基板を接触させることで、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にすることができる。蓋材の有機ＥＬ層側基板の反対側の面に配置する枠状の治具としては、例えばＯリングを用いてもよい。
有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間は、第１圧力である所定の真空度となる。具体的には、後述する密着工程にて蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第２圧力に調整することにより、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間と蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間との間に差圧を生じさせて、上記有機ＥＬ層側基板と上記蓋材とを十分に密着させることができ、後述する接触部形成工程においてレーザー光により除去される有機層の粉塵が画素領域に飛散するのを防ぐことができれば特に限定されるものではないが、真空度の値ができるだけ大きいこと、すなわち、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の圧力の値ができるだけ小さいことが好ましい。中でも、本工程においては、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間が真空空間であることが好ましい。具体的な真空度としては、１×１０−５Ｐａ〜１×１０４Ｐａの範囲内であることが好ましく、中でも１×１０−５Ｐａ〜１×１０３Ｐａの範囲内であることが好ましく、特に１×１０−５Ｐａ〜１×１０２Ｐａの範囲内であることが好ましい。
３．密着工程
本発明においては、上記蓋材の上記有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を上記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して上記有機ＥＬ層側基板および上記蓋材を密着させる密着工程を行う。
以下、具体的な密着工程について説明する。
本工程は、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第１圧力よりも高い第２圧力に調整することにより、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間と蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間との間に差圧を生じさせ、有機ＥＬ層側基板および蓋材を密着させる工程である。
蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第２圧力に調整する際には、少なくとも蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第２圧力に調整すればよく、例えば蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間のみを第２圧力に調整してもよく、蓋材および有機ＥＬ層側基板の外周の空間を第２圧力に調整してもよい。
蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を第２圧力に調整する方法としては、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間と蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間との間に差圧を生じさせ、有機ＥＬ層側基板および蓋材を密着させることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、以下のような方法が挙げられる。すなわち、真空チャンバー内にて接触させた有機ＥＬ層側基板および蓋材を、常圧空間にさらすことにより有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を常圧に戻す方法や、真空チャンバー内にて有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間を減圧状態にした後に、真空チャンバー内に気体を流入させて加圧する方法等が挙げられる。なお、接触させた有機ＥＬ層側基板および蓋材を常圧空間にさらす方法により密着工程を行う場合における上記「常圧空間」としては、有機ＥＬ表示装置の劣化を抑制するという観点から、例えば酸素濃度および水分濃度が少なくとも１ｐｐｍ以下であり、窒素やアルゴン等の不活性ガスで充填された空間であることが好ましい。また、真空チャンバー内に気体を流入して加圧する場合には、真空チャンバー全体に気体を流入してもよく、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間のみに気体を流入してもよい。上述したように、例えば枠状の治具を用いた場合には、蓋材の有機ＥＬ層側基板とは反対側の空間を密閉することができ、この空間に気体を流入することで有機ＥＬ層側基板および蓋材を密着させることができる。真空チャンバー内に流入する気体としては、上記と同様の理由から、窒素やアルゴン等の不活性ガスであることが好ましい。
上記「第２圧力」としては、配置工程における第１圧力よりも高い圧力であり、また第１圧力と第２圧力との差圧により有機ＥＬ層側基板に蓋材を密着させることができる程度の圧力であれば特に限定されるものではないが、例えば第２圧力が第１圧力よりも１００Ｐａ以上高いことが好ましく、中でも１０００Ｐａ以上高いことが好ましく、特に１００００Ｐａ以上高いことが好ましい。第２圧力と第１圧力との差圧が上記数値以上であることにより、有機ＥＬ層側基板に蓋材を十分に密着させることができる。
４．接触部形成工程
本発明においては、蓋材を介してレーザー光を照射して、上記補助電極を覆う上記有機層を除去して接触部を形成する接触部形成工程を行う。
以下、本工程において形成される接触部および具体的な接触部形成工程について説明する。
（１）接触部
本工程において形成される接触部は、補助電極と後述する透明電極層とが接触する領域である。
本工程において形成される接触部の平面形状としては、後述する透明電極層と補助電極とを電気的に十分に接続することができるような平面形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、矩形や円形等が挙げられる。
また、上記接触部の態様としては、後述する透明電極層と補助電極とを電気的に十分に接続することができるものであれば特に限定されるものではない。図１１（ａ）〜（ｃ）は、本工程において形成される接触部の態様を説明する模式図である。上記接触部９の具体的な態様としては、図１１（ａ）に示すように、補助電極４上に形成された少なくとも１層の有機層６ａをストライプ状に除去して形成された態様であってもよく、図１１（ｂ）に示すように、補助電極４上に形成された少なくとも１層の有機層６ａに開口部を設けて形成された態様であってもよく、図１１（ｃ）に示すように、補助電極４上に形成された少なくとも１層の有機層６ａに複数の開口部を設けて形成された態様であってもよい。
（２）接触部形成工程
本発明における接触部形成工程は、蓋材を介してレーザー光を照射して補助電極を覆う有機層を除去することにより、上述した接触部を形成する工程を有する。なお、上述した密着工程として真空チャンバー内に気体を流入させて圧力を調整する方法を用いる場合には、例えば次のような方法により本工程を行うことができる。すなわち、ガラス等の透光性基材から構成される真空チャンバーに設置されたレーザー光透過窓等を介してレーザー光を照射し、補助電極を覆う有機層を除去することにより接触部を形成する方法である。
本工程に用いられるレーザー光としては、蓋材を介して照射した際に蓋材を透過して補助電極を覆う有機層を除去することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、有機層のレーザー光による除去方法において一般的に用いられるレーザー光を採用することができる。レーザー光が有する波長域としては、本発明において用いられる蓋材を透過し、有機層を効率的に除去することができる波長域であれば特に限定されるものではないが、例えば、紫外線領域であることが好ましい。具体的な紫外線領域としては、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも３２０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に３４０ｎｍ〜３６０ｎｍの範囲内であることが好ましい。このような波長域を有するレーザー光としては、例えば、ＹＡＧ、ＹＶＯ４等の固体レーザー、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等のエキシマーレーザーや半導体レーザー等が挙げられる。
また、レーザー光はパルスレーザーであってもよく連続波レーザーであってもよいが、中でも、パルスレーザーが好ましい。パルスレーザーは高い尖頭値を有するため、補助電極を覆う有機層を効率的に除去することができる。一方、高出力のため、パルスレーザーにより除去された有機層は飛散しやすく、画素領域の汚染が広範囲になるおそれがある。これに対し、本発明においては有機層の飛散を防ぐことができるため、パルスレーザーを用いる場合に有用である。
パルスレーザーの場合、パルス幅は、０．０１ナノ秒〜１００ナノ秒の範囲内であることが好ましい。また、繰り返し周波数は、１ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚの範囲内であることが好ましい。出力は、有機層を除去することができればよく適宜調整される。
５．透明電極層形成工程
本発明においては、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を行う。
以下、本工程において形成される透明電極層および具体的な透明電極層形成工程について説明する。
（１）透明電極層
本工程における透明電極層は、有機ＥＬ層側基板上に形成されるものである。
上記透明電極層は、透明性および導電性を有するものであればよく、例えば金属酸化物が挙げられる。具体的な金属酸化物としては、酸化インジウム錫、酸化インジウム、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、および酸化第二錫等が挙げられる。また、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、およびカルシウム等の金属材料についても、光透過性を有する程度に薄く成膜する場合には用いることができる。
（２）透明電極層形成工程
本発明における透明電極層形成工程は、上記密着工程にて有機ＥＬ層側基板に密着させた蓋材を剥離して、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に透明電極層を形成する工程を有する。透明電極層の形成方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、またはＣＶＤ法等を挙げることができる。
６．その他の工程
本発明においては、上述した工程を有していれば特に限定されるものではなく、その他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、例えば、有機ＥＬ表示装置を封止基板により封止する封止工程が挙げられる。
以下、封止基板について説明する。
本発明における有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型であるため、封止基板は光透過性を有している。封止基板の光透過性としては、可視光領域の波長に対して透過性を有していればよく、具体的には、可視光領域の全波長範囲に対する光透過率が８０％以上であることが好ましく、中でも８５％以上、特に９０％以上であることが好ましい。
ここで、光透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計ＵＶ−３６００により測定することができる。
また、封止基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。
封止基板の材料としては、光透過性を有する封止基板が得られるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、石英、ガラス等の無機材料や、アクリル樹脂、ＣＯＰと称されるシクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂が挙げられる。また、樹脂製の封止基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
封止基板の厚みとしては、封止基板の材料および有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。具体的に、封止基板の厚みは０．００１ｍｍ〜５ｍｍ程度である。
７．有機ＥＬ表示装置
本発明の製造方法により得られる有機ＥＬ表示装置は、少なくとも透明電極層側から光を取り出すものであればよく、透明電極層側から光を取り出すトップエミッション型であってもよく、透明電極層および画素電極の両側から光を取り出す両面発光型であってもよい。
Ｂ．有機ＥＬ表示装置形成用蓋材
本発明の有機ＥＬ表示装置形成用蓋材は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いられるものであって、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであり、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることを特徴とするものである。
本発明の有機ＥＬ表示装置形成用蓋材を用いることにより、有機ＥＬ表示装置を上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置の製造方法」の項に記載した方法により製造することができ、表示特性の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
上記有機ＥＬ表示装置形成用蓋材については、上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置の製造方法 ２．配置工程 （１）蓋材 （ａ）第１態様」の項に記載したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下、本発明について実施例を用いて具体的に説明する。
［実施例１］
第１圧力下で有機ＥＬ層側基板の表面に蓋材を対向させて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を第２圧力に調整した際の、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間における圧力と、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間における圧力との差、すなわち両空間における差圧の経時的な変化についてシミュレーションを行った。なお、上記蓋材の条件は下記表１に示すとおりである。
Figure 2015065160
なお、窒素透過度は、通常、酸素透過度の約１／３であるとされている。したがって、表１に示した窒素透過度については、酸素透過度の１／３として算出した。また、酸素透過度は、日立ハイテク社製 ＭＯＣＯＮ酸素透過度測定装置 ＯＸ−ＴＲＡＮ ２／２１を用いて評価した。
（評価）
第１圧力下で有機ＥＬ層側基板の表面に蓋材を対向させて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にし、その後、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間を第２圧力に調整した際の、有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間における圧力と、有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間における圧力との差、すなわち両空間における差圧の経時的な変化について評価した。なお、ここでの差圧は、下記式（１）、（２）により算出される。
ＧＴＲ＝Ｖｃ／（Ｒ×Ｔ×Ｐｕ×Ａ） × ｄｐ／ｄｔ （１）
（上記式（１）において、ＧＴＲ：気体透過度（ｍｏｌ／ｍ２・Ｐａ）、Ｖｃ：低圧側容積（ｌ）、Ｔ：試験温度、Ｐｕ：供給気体の差圧（Ｐａ）、Ａ：透過面積（ｍ２）、ｄｐ／ｄｔ：単位時間（ｓ）における低圧側の圧力変化（Ｐａ）、Ｒ：８．３１×１０３（ｌ・Ｐａ／Ｋ・ｍｏｌ）である。）
差圧＝（有機ＥＬ層側基板および蓋材の外周の空間における圧力）−
（有機ＥＬ層側基板および蓋材の間の空間における圧力） （２）
評価結果を表２に示す。
Figure 2015065160
表２の結果に示すように、Ｎｏ．１〜４では、蓋材と有機ＥＬ層側基板との間の空間を減圧状態にしてから１０分後の差圧低下率は１５％以下であり、蓋材と有機ＥＬ層側基板との密着性を維持することができた。これに対し、Ｎｏ．５〜８では、蓋材と有機ＥＬ層側基板との間の空間を減圧状態にしてから１０分後の差圧低下率はそれぞれ３８％、６２％、９３％、１００％であり、蓋材と有機ＥＬ層側基板との密着性を維持するのは困難であった。以上のことから、蓋材の気体透過度が所定の範囲である本発明の蓋材を用いることにより、蓋材と有機ＥＬ層側基板との間の減圧状態を維持することができ、蓋材と有機ＥＬ層側基板との密着性が経時的に低下するのを防止できることが分かった。
［実施例２］
（画素電極および補助電極形成工程）
膜厚０．７ｍｍの無アルカリガラスからなる基板上に、スパッタリング法により膜厚１５０ｎｍのクロム膜を成膜した。その後、フォトリソグラフィー法により画素電極および補助電極を同時に形成した。
（スペーサ部形成工程）
次に、画素電極と補助電極において接触部を形成する領域との間に、フォトリソグラフィー法によりスペーサ部を形成した。なお、スペーサ部の平面形状は枠状であり、縦断面形状は順テーパー形状であった。また、スペーサ部の高さは１．５μｍであった。
（有機ＥＬ層形成工程）
次に、画素電極上に０．１μｍの正孔注入層を形成し、次いで正孔注入層上に０．３μｍの発光層を形成した。その後、発光層上に０．３μｍの電子輸送層を形成し、有機ＥＬ層とした。なお、上記有機ＥＬ層は画素電極上に形成するとともに、補助電極上にも形成した。
（シール材形成工程）
ディスペンサーを用いて、上記有機ＥＬ層側基板のパターン外周部にシール材を形成した。
（配置工程および密着工程）
次に、５０Ｐａの真空度に設定された真空チャンバー内において、上記有機ＥＬ層側基板に蓋材を対向させて有機ＥＬ層側基板表面に蓋材を接触させて、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間を減圧状態にした。その後、真空チャンバー内に窒素ガスを流入させることにより、チャンバー内を常圧に戻して有機ＥＬ層側基板と蓋材とを密着させた。このとき用いた蓋材は、表３に示す条件を満たす。
Figure 2015065160
なお、表３における酸素透過率および窒素透過度については、実施例１と同様の方法により算出した。
また、表３に示した最小透過率は、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍにおける測定値であり、島津製作所製紫外可視光分光光度計ＵＶ−３６００を用いて測定した。
さらに、表３におけるＮｏ．１６〜１８は、膜厚０．２μｍのＳｉＯ２からなるバリア層が表面に形成された蓋材を用いたものである。
（接触部形成工程）
次に、蓋材を介してエネルギー５００ｍＪ／ｃｍ２、スポット径１０μｍφ、波長３５５ｎｍ、パルス幅５ｎｓｅｃのＹＡＧレーザー光を１ショット照射して、補助電極を覆う正孔注入層、発光層および電子輸送層を除去し、補助電極を露出させて接触部を形成した。
（電子注入層および透明電極層形成工程）
その後、蓋材を剥離して、接触部において露出した補助電極に電気的に接続されるようにフッ化リチウムを膜厚０．５ｎｍとなるように真空蒸着法により成膜し、電子注入層を形成した。次いで、カルシウムを膜厚１０ｎｍ、アルミニウムを膜厚５ｎｍとなるように真空蒸着法により成膜し、透明電極層を形成した。
（封止工程）
上述したように作製した有機ＥＬ表示装置を接着材を塗布した封止基板と貼り合せ封止を行った。
（評価）
上記表３に示すＮｏ．９〜１８の蓋材を用いて蓋材と有機ＥＬ層側基板との間の空間を減圧状態にして有機ＥＬ層側基板および蓋材を密着させ、その後、所定の時間を置いて、蓋材を介してレーザー光により補助電極上に形成された有機層を除去して、このときの画素領域における有機ＥＬ層表面への有機層の飛散の有無について観察した。なお、減圧状態にしてからレーザー光を照射するまでの間隔を１時間以上とした場合に、画素領域における有機ＥＬ層表面への有機層の飛散を防止することができれば「Ａ」、また、減圧状態にしてからレーザー光を照射するまでの間隔を１０分以内とした場合に、画素領域における有機ＥＬ層表面への有機層の飛散を防止することができれば「Ｂ」、さらに、減圧状態にしてからレーザー光を照射するまでの間隔を１０分以内とした場合に、画素領域における有機ＥＬ層表面への有機層の飛散を防止することができなければ「Ｃ」と評価した。
評価結果を表４に示す。
Figure 2015065160
酸素透過度および窒素透過度がいずれも２００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以上であるＮｏ．９〜１１の蓋材を用いた場合には、減圧状態にしてからレーザー光を照射するまでの間隔を１０分以内とした場合であっても、除去された有機層が画素領域に飛散してしまう。以上のことから、酸素透過度および窒素透過度が所定の範囲以上であることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を維持することが困難となり、有機ＥＬ層側基板と蓋材とを十分に密着させることができないことが分かった。
これに対し、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙであり窒素透過度が３３ｃｃ／ｍ２・ｄａｙであるＮｏ．１２の蓋材を用いた場合には、減圧状態にした後１０分以内にレーザー光を照射して補助電極上の有機層を除去することにより、除去された有機層が画素領域に飛散するのを防止することができた。また、酸素透過度が２７．８ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であり窒素透過度が９．３ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下であるＮｏ．１３〜１８の蓋材を用いた場合には、減圧状態にしてから１時間以上が経過した後にレーザー光を照射して補助電極上の有機層を除去したとしても、除去された有機層が画素領域に飛散するのを防止することができた。以上のことから、酸素透過度および窒素透過度が所定の範囲以下であることにより、有機ＥＬ層側基板と蓋材との間の空間の減圧状態を維持し、有機ＥＬ層側基板と蓋材とを十分に密着させることができることが分かった。
［実施例３］
下記に示すように有機ＥＬ層形成工程を行った以外は、実施例２と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
（有機ＥＬ層形成工程）
次に、画素電極上に０．１μｍとなるように正孔注入層および正孔輸送層を形成し、次いで正孔輸送層上に０．０２μｍの発光層を形成した。その後、発光層上に０．０３μｍの電子輸送層を形成し、有機ＥＬ層とした。なお、上記有機ＥＬ層は画素電極上に形成するとともに、補助電極上にも形成した。
（評価）
実施例２と同様の結果が得られた。
１ … 有機ＥＬ層側基板
２ … 基板
３ … 画素電極
４ … 補助電極
５ … スペーサ部
６ … 有機ＥＬ層
７ … 透明電極層
８ … 蓋材
９ … 接触部
１０ … トップエミッション型有機ＥＬ表示装置
１１ … 台座部
１２ … 密着部

Claims (6)

  1. 基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の間に形成された補助電極と、前記基板上に形成されたスペーサ部と、前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、前記補助電極上に形成された少なくとも１層の前記有機層と、前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層とを有し、前記スペーサ部は、前記接触部および前記接触部に隣接する前記画素電極の間に形成されており、また、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    前記基板、前記画素電極、前記補助電極、前記スペーサ部、および前記有機エレクトロルミネッセンス層を有し、前記補助電極上の全面に少なくとも１層の前記有機層が形成された有機エレクトロルミネッセンス層側基板を準備する有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程と、
    第１圧力下で、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程で得られた前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板に蓋材を対向させ、前記スペーサ部の頂部に前記蓋材が前記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、
    前記蓋材の前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板とは反対側の空間を前記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋材を密着させる密着工程と、
    前記蓋材を介してレーザー光を照射して、前記補助電極上に形成された前記有機層を除去して前記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、
    前記蓋材は、酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  2. 前記蓋材の、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍにおける最小透過率が７０％以上であることを特徴とする請求項１に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  3. 基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の間に形成された補助電極と、前記基板上に形成されたスペーサ部と、前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、前記補助電極上に形成された少なくとも１層の前記有機層と、前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層とを有し、前記スペーサ部は、前記接触部および前記接触部に隣接する前記画素電極の間に形成されており、また、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    前記基板、前記画素電極、前記補助電極、前記スペーサ部、および前記有機エレクトロルミネッセンス層を有し、前記補助電極上の全面に少なくとも１層の前記有機層が形成された有機エレクトロルミネッセンス層側基板を準備する有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程と、
    第１圧力下で、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程で得られた前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板に蓋材を対向させ、前記スペーサ部の頂部に前記蓋材が前記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、
    前記蓋材の前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板とは反対側の空間を前記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋材を密着させる密着工程と、
    前記蓋材を介してレーザー光を照射して、前記補助電極上に形成された前記有機層を除去して前記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、
    前記蓋材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  4. 前記蓋材がバリア層を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかの請求項に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  5. 基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の間に形成された補助電極と、前記基板上に形成されたスペーサ部と、前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、前記補助電極上に形成された少なくとも１層の前記有機層と、前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層とを有し、前記スペーサ部は、前記接触部および前記接触部に隣接する前記画素電極の間に形成されており、また、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    前記基板、前記画素電極、前記補助電極、前記スペーサ部、および前記有機エレクトロルミネッセンス層を有し、前記補助電極上の全面に少なくとも１層の前記有機層が形成された有機エレクトロルミネッセンス層側基板を準備する有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程と、
    第１圧力下で、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程で得られた前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板に蓋材を対向させ、前記スペーサ部の頂部に前記蓋材が前記有機層を介して接触するように配置する配置工程と、
    前記蓋材の前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板とは反対側の空間を前記第１圧力よりも高い第２圧力に調整して前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋材を密着させる密着工程と、
    前記蓋材を介してレーザー光を照射して、前記補助電極上に形成された前記有機層を除去して前記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、
    前記蓋材が、ガラスフィルムであることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  6. 請求項２に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に用いられるトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材であって、
    酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下のバリア性を有する樹脂フィルムであり、波長域３４０ｎｍ〜４００ｎｍの最小透過率が７０％以上であることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材。
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