KR101383894B1 - 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

태양 전지의 효율을 용이하게 향상할 수 있도록, 본 발명은 제1 전극, 상기 제1 전극상에 형성되고 상기 제1 전극을 노출시키지 않도록 소정의 깊이를 갖는 복수의 그루브를 구비하는 광흡수층, 상기 광흡수층상에 형성되는 버퍼층 및 상기 버퍼층상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 태양 전지를 제공한다.

Description

태양 전지 및 그 제조 방법{Solar cell and method of manufacturing the same}
본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 효율이 향상된 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지는 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생성하는 전지로서 친환경적이고 에너지원이 무한할 뿐만 아니라 수명이 긴 장점이 있다. 이러한 태양 전지로는 실리콘 태양 전지, 화합물 태양 전지, 염료 감응 태양 전지 등이 있다,
태양 전지는 통상적으로 p-n 반도체 접합층을 포함하는 광흡수층, 광흡수층의 양단에 형성되는 전극층들을 포함한다. 태양 전지의 효율을 향상하기 위해서는 태양 광선이 광흡수층에 최대한 많이 도달하여야 한다.
그러나 태양 광선이 광흡수층에 도달하기 전에 전극층을 거치게 되는데 이 때 많은 양의 태양 광선이 손실되어 광흡수층에 도달하는 태양 광선의 양이 감소하고, 결과적으로 태양 전지의 효율을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명은 효율이 향상된 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 제1 전극, 상기 제1 전극상에 형성되고 상기 제1 전극을 노출시키지 않도록 소정의 깊이를 갖는 복수의 그루브를 구비하는 광흡수층, 상기 광흡수층상에 형성되는 버퍼층 및 상기 버퍼층상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 태양 전지를 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 버퍼층은 상기 그루브의 형태에 대응하도록 상기 광흡수층의 전면(全面)상에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 그루브의 형태에 대응하도록 상기 버퍼층의 전면(全面)상에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 버퍼층은 상기 그루브의 형태에 대응하도록 상기 광흡수층의 전면(全面)상에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 그루브 형태를 덮도록 상면이 평평하게 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 광흡수층은 실리콘, CdTe 및 CIS(cupper indium selenide)계 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제2 전극은 소정의 양의 태양 광선을 투과하도록 투과형 도전층으로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극상에 광흡수층을 형성하는 단계, 상기 제1 전극을 노출시키지 않도록 상기 광흡수층 에 소정의 깊이를 갖는 복수의 그루브를 형성하는 단계, 상기 광흡수층상에 버퍼층을 형성하는 단계 및 상기 버퍼층상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 각 단계들은 롤투롤(roll to roll)방식으로 수행되는 태양 전지의 제조 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 그루브는 레이저를 조사하여 형성할 수 있다.
본 발명에 관한 태양 전지 및 그 제조 방법은 태양 광선이 광흡수층에 흡수되는 양을 증가하여 태양 전지의 효율을 용이하게 향상할 수 있고, 태양 전지의 공정의 효율성을 향상한다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 태양 전지를 도시한 개략적인 단면도이다. 태양 전지(100)는 제1 전극(110), 광흡수층(120), 버퍼층(130) 및 제2 전극(140)을 포함한다.
제1 전극(110)은 도전성 물질을 포함한다. 제1 전극(110)을 형성하기 위하여 금속 포일(foil), 전도성 고분자 등을 이용할 수 있다.
제1 전극(110)상에 광흡수층(120)이 형성된다. 광흡수층(120)은 태양 전지(100)에서 광을 흡수하여 전자 및 정공을 발생하는 영역으로 다양한 재료가 사용될 수 있다. 실리콘 계열의 재료를 이용할 경우 광흡수층(120)은 비정질 실리콘(a- si), 결정질 실리콘을 포함한다. 또한 결정질 실리콘은 단결정 또는 다결정의 형태일 수있다.
본 발명은 이에 한정되지 않고 광흡수층(120)을 형성하기 위하여 화합물 반도체를 이용할 수 있다. 이러한 화합물 반도체로는 CIS(cupper indium selenide)계 화합물, CdTe등이 이용될 수 있다. CIS계 화합물로는 CIGS(cupper indium gallium selenide)화합물 등이 사용될 수 있다.
광흡수층(120)은 그루브(125)를 포함한다. 도 1에는 설명의 편의를 위하여 하나의 그루브만을 도시하였으나 본 실시예의 광흡수층(120)은 복수의 그루브(125)를 포함한다.
그루브(125)는 도 1에 도시한 것과 같이 소정의 깊이를 갖도록 형성되고 제1 전극(110)을 노출하지 않도록 형성된다. 또한 그루브(125)는 바닥에서 상부로 올라갈수록 폭이 커지는 형태로 형성한다. 이는 태양 광선의 흡수 및 굴절을 통한 효율을 향상하기 위함이다. 또한 그루브(125)의 평면의 형상은 원형과 같이 곡선부를 가질 수 있다.
광흡수층(120)상에 버퍼층(130)이 형성된다. 도 1을 참조하면 버퍼층(130)은 광흡수층(120)의 전면(全面)에 형성되고 그루브(125)의 형태를 따라 그루브(125)에 대응되도록 형성된다. 즉 버퍼층(130)을 형성한 후에도 그루브(125)의 형태는 유사하게 유지된다.
버퍼층(130)은 CdS, InxSey, InxSyOz, Inx(OHS)y 등을 이용하여 형성할 수 있 다. 버퍼층(130)은 태양 광선의 투과도가 높은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 버퍼층(130)으로 인하여 태양 광선이 광흡수층(120)에 흡수될 때 광흡수층(120)의 광효율이 감소하는 것을 방지할 수 있고, 광흡수층(120)과 제2 전극(130)간의 접촉 계면을 향상하여 접촉 저항의 감소를 방지한다.
버퍼층(130)상에 제2 전극(140)을 형성한다. 제2 전극(140)은 하부의 그루브(125)의 형태에 대응하도록 형성된다. 즉 제2 전극(140)은 그루브(125)를 충진하지 않으므로 제2 전극(140)이 형성된 후에 그루브(125)의 형태가 유사하게 유지된다. 그 예로 제2 전극(140)의 상면은 그루브(125)와 유사하게 굴곡면을 갖는다. 제2 전극(140)은 태양 광선을 투과하도록 투과형 도전체로 형성한다. 제2 전극(140)은 ZnO 또는 ITO를 포함할 수 있다.
본 실시예의 태양 전지(100)의 광흡수층(120)은 그루브(125)를 포함한다. 이를 통하여 광흡수층(120)의 표면적이 증가한다. 광흡수층(120)의 표면적이 증가하면 태양 광선의 흡수량이 증가하여 태양 전지(100)의 효율이 향상된다.
또한 종래에는 광흡수층(120)의 표면에서 태양 광선이 반사하여 태양 전지의 효율이 감소하였다. 그러나 본 실시예의 태양 전지(100)의 경우 태양 광선이 광흡수층(120)에 입사될 때 입사된 태양 광선은 그루브(125)에서 굴절, 산란하게 된다. 이를 통하여 태양 광선이 광흡수층(120)에서 반사하는 것을 감소할 수 있다. 특히 광흡수층(120)의 그루브(125)의 측면을 테이퍼 형상, 즉 그루브(125)의 바닥에서 상부로 올라갈수록 폭이 커지는 형상을 가지므로 태양 광선의 흡수량을 향상한다. 이는 그루브(125)의 상부모서리에서 발생하는 태양 광선의 반사 및 간섭 현상을 효 과적으로 차단하기 때문이다. 또한 그루브(125)의 평면 형상이 원형과 같은 곡선부를 갖도록 하여 그루브(125)의 모서리부분에서 생기는 태양 광선의 반사로 인한 간섭을 감소한다.
결과적으로 광흡수층(120)의 태양 광선 흡수량을 향상하여 태양 전지(100)의 효율이 향상된다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 관한 태양 전지를 도시한 개략적인 단면도이다. 태양 전지(200)는 제1 전극(210), 광흡수층(220), 버퍼층(230) 및 제2 전극(240)을 포함한다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.
제1 전극(210)상에 광흡수층(220)이 형성된다. 광흡수층(220)은 태양 전지(200)에서 광을 흡수하여 전자 및 정공을 발생하는 영역으로 다양한 재료가 사용될 수 있다. 실리콘 계열의 재료를 이용할 경우 광흡수층(220)은 비정질 실리콘(a-si), 결정질 실리콘을 포함한다. 또한 결정질 실리콘은 단결정 또는 다결정의 형태일 수있다.
본 발명은 이에 한정되지 않고 광흡수층(220)을 형성하기 위하여 화합물 반도체를 이용할 수 있다. 이러한 화합물 반도체로는 CIS(cupper indium selenide)계 화합물, CdTe등이 이용될 수 있다. CIS계 화합물로는 CIGS(cupper indium gallium selenide)가 사용될 수 있다.
광흡수층(220)은 그루브(225)를 포함한다. 도 2에는 설명의 편의를 위하여 하나의 그루브만을 도시하였으나 본 실시예의 광흡수층(220)은 복수의 그루브(225) 를 포함한다.
그루브(225)는 도 1에 도시한 것과 같이 소정의 깊이를 갖도록 형성되고 제1 전극(210)을 노출하지 않도록 형성된다. 또한 그루브(225)는 바닥에서 상부로 올라갈수록 폭이 커지는 형태로 형성한다. 이는 태양 광선의 흡수 및 굴절을 통한 효율을 향상하기 위함이다. 또한 그루브(225)의 평면의 형태는 원형과 같은 곡선부를 가질 수 있다.
광흡수층(220)상에 버퍼층(230)이 형성된다. 도 2를 참조하면 버퍼층(230)은 광흡수층(220)의 전면(全面)에 형성되고 그루브(225)의 형태를 따라 그루브(225)에 대응되도록 형성된다. 즉 버퍼층(230)을 형성한 후에도 그루브(225)의 형태는 유사하게 유지된다. 버퍼층(230)을 형성하는 재료는 전술한 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다.
버퍼층(230)상에 제2 전극(240)을 형성한다. 제2 전극(240)은 하부의 그루브(225)를 충진하도록 형성된다. 즉 제2 전극(240)의 두께를 일정값 이상이 되도록 하여 그루브(225)의 형태가 보이지 않도록 한다. 그 예로 도 2에 도시한 것과 같이 제2 전극(240)의 상면은 평평하게 형성된다. 제2 전극(240)은 태양 광선을 투과하도록 투과형 도전체로 형성한다. 제2 전극(240)은 ZnO 또는 ITO를 포함할 수 있다.
본 실시예의 태양 전지(200)의 광흡수층(220)은 그루브(225)를 포함한다. 이를 통하여 광흡수층(220)의 표면적이 증가한다. 광흡수층(220)의 표면적이 증가하면 태양 광선의 흡수량이 증가하여 태양 전지(200)의 효율이 향상된다.
또한 본 실시예의 제2 전극(240)은 전술한 실시예와 다르게 그루브(225)를 충진하는 구조이다. 전술한 실시예의 태양 전지(100)에서와 같이 그루브(125)형태가 유지되도록 제1 전극(140)이 형성되면 태양 전지(100)를 먼지등과 같은 이물이 많이 발생하는 환경에서 사용할 경우 그루브(125)형태 내로 이물 등이 충진되기 용이하다. 그 결과 광흡수량이 감소하여 원하는 효과보다 낮은 효율을 얻게 된다.
그래서 본 실시예는 먼지 등이 많이 발생하는 특수한 환경에서 사용하도록 제2 전극(240)이 그루브(225)를 충진하여 먼지 등의 이물이 충진되는 것을 원천적으로 방지한다. 결과적으로 이물로 인한 태양 광선 흡수량의 감소를 방지할 수 있다
도 1 및 도 2에 도시한 본 발명의 태양 전지(100, 200)들은 롤투롤(roll to roll)방식으로 제조할 수 있다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 태양 전지의 제조 방법을 설명하기 위한 롤투롤(roll to roll)장치의 개략적인 구성도이다. 또한 도 4 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 관한 태양 전지의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 3을 참조하면 공급롤(310)과 회수롤(320)이 배치된다. 롤부재(300)가 공급롤(310)에 감긴 상태로 준비된다. 또한 회수롤(320)은 롤부재(300)를 감아 회수하도록 배치된다. 롤부재(300)는 유연성이 있는 부재를 사용한다.
이송되는 롤부재(300)의 텐션(tension)을 유지하도록 공급롤(310)과 회수롤(320)의 근방에 텐션 유지 부재(315)를 포함할 수 있다.
태양 전지를 제조하기 위하여 롤투롤 장치의 제1 공정부(400)를 먼저 거치게 된다. 도 4는 제1 공정부를 거치고 난 뒤의 상태를 도시한다. 도 4를 참조하면 캐 리어(101) 상에 제1 전극(110)이 형성되어 있다. 여기서 캐리어(101)는 공정의 편의를 위하여 준비되는 것으로 각 공정 별 이송을 용이하게 한다. 또한 캐리어(101)는 상부의 제1 전극(110)의 하부가 이송단계에서 오염되는 것을 방지하는 것으로 태양 전지의 제조 공정이 완료되면 제거된다. 다만 태양 전지의 용도에 따라 캐리어(101)를 그대로 남겨두어도 상관 없다.
캐리어(101)는 유연성이 있는 수지를 포함한다. 공정의 편의를 위하여 캐리어(101)를 별도로 준비하지 않고 롤부재(300)를 이용할 수 있다. 롤부재(300)를 캐리어(101)로 이용하여 각 공정을 거친 뒤에 캐리어(101)로 이용된 롤부재(300)를 다시 회수롤(320)에 감기게 하여 회수할 수 있다.
캐리어(101)상에 제1 전극(110)을 형성한다. 제1 전극(110)은 도전성을 갖도록 금속 포일, 전도성 고분자막일 수 있다. 제1 전극(110)을 캐리어(101)상에 형성하는 방법은 다양하다. 즉 여러 가지 박막 형성 공정을 이용할 수 있다. 또한 공정의 편의를 위하여 롤부재(300)를 캐리어(101)와 제1 전극(110)의 적층체의 형태로 구비하여 롤투롤 공정을 진행할 수 있다.
그리고 나서 도 3의 제2 공정부(500)를 거치게 된다. 도 5는 제2 공정부(500)를 거치고난 뒤의 상태를 도시한다. 도 5를 참조하면 제1 전극(110)상에 광흡수층(120)을 형성한다. 광흡수층(120)은 다양한 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 광흡수층(120)을 형성하기 위하여 실리콘 계열의 재료를 이용할 수 있다. 또한 광흡수층(120)을 형성하기 위하여 화합물 반도체를 이용할 수 있다. 이러한 화합물 반도체로는 CIS(cupper indium selenide)계 화합물, CdTe등이 이용될 수 있다. CIS 계 화합물로는 CIGS(cupper indium gallium selenide)가 사용될 수 있다.
광흡수층(120)을 형성하기 위하여 CVD, PECVD, 스퍼터링등의 방법을 이용할 수 있다. 또한 코팅, 프린팅, 라미네이팅등의 방법을 이용할 수 있고 결정성장방법을 이용할 수도 있다. 광흡수층(120)을 형성하는 방법에 따라 제2 공정부(500)의 설비는 자유롭게 준비된다.
그리고 나서 도 3의 제3 공정부(600)를 거치게 된다. 도 6a는 제3 공정부(600)에서 한 개의 그루브(125)를 형성하는 과정을 구체적으로 도시한 도면이고, 도 6b는 제3 공정부(600)를 거치고 난 후의 상태를 도시한다.
광흡수층(120)에 복수의 그루브(125)를 형성하는 방법은 다양할 수 있다. 도 6a에서는 레이저(610)를 조사하여 그루브(125)를 형성하는 것을 도시하였다. 이 때 CO2 레이저 및 UV 레이저를 이용하여 그루브(125)를 형성하는 것이 바람직하다.
그루브(125)는 소정의 깊이를 갖도록 형성하고 제1 전극(110)이 노출되지 않도록 형성한다. 이는 광흡수층(120)에 흡수되는 태양 광선의 흡수량이 감소하는 것을 방지하고 제1 전극(110)이 태양 광선에 의하여 열화되는 것을 방지하기 위함이다. 또한 그루브(125)는 바닥에서 상부로 올라갈수록 폭이 줄어들도록 형성하고 그루브의 평면형상은 원형태와 같은 곡선부를 포함하도록 한다.
도 6b를 참조하면 복수의 그루브(125)가 형성된 것이 도시되어 있다. 그루브(125)의 배치 형태는 다양하게 정할 수 있다.
그리고 나서 도 3의 제4 공정부(700)를 거치게 된다. 도 7은 제4 공정부(700)를 거치고 난 후의 상태를 도시한다. 도 7을 참조하면 광흡수층(120)상에 버퍼층(130)을 형성한다.
버퍼층(130)은 CdS, InxSey, InxSyOz, Inx(OHS)y 등을 이용하여 형성할 수 있다. 버퍼층(130)은 태양 광선의 투과도가 높은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 버퍼층(130) 형성하는 방법은 다양할 수 있다. 버퍼층(130)을 형성하는 방법의 예로 CBD(chemical bath deposition), 스퍼터링, 코팅 등의 방법이 있을 수 있다. 버퍼층은 박막으로 형성하여 하부의 그루브(125) 형태에 대응되도록 굴곡을 갖는다.
버퍼층(130)을 형성하고 나서 도 3의 제5 공정부(800)를 거치게 된다. 도 8은 제5 공정부(800)를 거치고 난 후의 상태를 도시한다. 도 8을 참조하면 버퍼층(130)상에 제2 전극(140)을 형성한다. 제2 전극(140)은 ZnO 또는 ITO를 포함할 수 있고 CBD, 스퍼터링, 코팅 등의 방법으로 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 버퍼층(130)과 제2 전극(140)을 별도의 공정부에서 형성하나 이들은 동일 공정부에서 연속으로 형성하는 것도 가능하다.
제2 전극(140)은 하부의 그루브(125)형태에 대응되도록 형성된다. 즉 제2 전극(140)이 일정 두께 이하로 형성되어 제2 전극(140)이 형성된 후에 그루브(125)의 형태가 유지되도록 한다. 그 예로 제2 전극(140)의 상면에는 그루브(125)와 유사하게 굴곡의 형태가 생겨난다.
그리고 나서 도 9를 참조하면 캐리어(101)를 제거하여 태양 전지(100)를 최종적으로 제조한다. 상술한대로 롤부재(300)를 캐리어(101)로 사용할 경우 캐리어(101)는 제1 전극(110)과 분리되어 회수롤(320)로 감겨 회수될 수 있다.
본 실시예의 태양 전지의 제조 방법은 롤투롤 방식을 이용하여 효율이 향상된 태양 전지를 용이하게 제조할 수 있다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 관한 태양 전지의 제조 방법의 일부를 도시한 개략적인 단면도들이다. 본 실시예는 도 4 내지 도 9에 도시한 제조 방법과 비교할 때 후반부의 공정만이 다르다. 설명의 편의를 위하여 이러한 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 10을 참조하면 캐리어(201)상에 제1 전극(210), 광흡수층(220) 및 버퍼층(230)이 형성되어 있다. 여기까지의 공정은 전술한 실시예와 동일하므로 각 부재들의 형성 과정에 대한 자세한 설명은 생략한다.
그리고 나서 도 11을 참조하면 버퍼층(230)상에 제2 전극(240)을 형성한다. 제2 전극(240)은 ZnO 또는 ITO를 포함할 수 있고 CBD, 스퍼터링, 코팅 등의 방법으로 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 버퍼층(230)과 제2 전극(240)을 별도의 공정부에서 형성하나 이들은 동일 공정부에서 연속으로 형성하는 것도 가능하다.
제2 전극(240)은 하부의 그루브(225)형태를 채우도록 형성한다. 즉 제2 전극(240)을 일정 두께 이상으로 형성하여 제2 전극(240)이 형성된 후에 그루브(225)의 형태가 보이지 않도록 한다. 그 예로 도 11을 참조하면 제2 전극(240)의 상면은 평평하게 형성된다.
그리고 나서 도 12를 참조하면 캐리어(201)를 제거하여 태양 전지(200)를 최종적으로 제조한다. 상술한대로 롤부재(300)를 캐리어(201)로 사용할 경우 캐리어(201)는 제1 전극(210)과 분리되어 회수롤(320)로 감겨 회수될 수 있다.
본 실시예의 태양 전지의 제조 방법은 롤투롤 방식을 이용하여 효율이 향상된 태양 전지를 용이하게 제조할 수 있다.
도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 태양 전지를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 관한 태양 전지를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 태양 전지의 제조 방법을 설명하기 위한 장치의 개략적인 구성도이다.
도 4 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 관한 태양 전지의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 관한 태양 전지의 제조 방법의 일부를 도시한 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
100, 200: 태양 전지 101, 201: 캐리어
110, 210: 제1 전극 120, 220: 광흡수층
125, 225: 그루브 130, 230: 버퍼층
140, 240: 제2 전극

Claims (11)

  1. 제1 전극;
    상기 제1 전극상에 형성되고 상기 제1 전극을 노출시키지 않도록 소정의 깊이를 갖는 복수의 그루브를 구비하는 광흡수층;
    상기 광흡수층상에 형성되는 버퍼층; 및
    상기 버퍼층상에 형성되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극은 소정의 양의 태양 광선을 투과하도록 투과형 도전층으로 형성되는 태양 전지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 상기 그루브의 형태에 대응하도록 상기 광흡수층의 전면(全面)상에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 그루브의 형태에 대응하도록 상기 버퍼층의 전면(全面)상에 형성되는 태양 전지.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 상기 그루브의 형태에 대응하도록 상기 광흡수층의 전면(全面)상에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 그루브 형태를 덮도록 상면이 평평하게 형성되는 태양 전지.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1 항에 있어서,
    상기 광흡수층은 실리콘, CdTe 및 CIS(cupper indium selenide)계 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 태양 전지.
  5. 삭제
  6. 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극상에 광흡수층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극을 노출시키지 않도록 상기 광흡수층에 소정의 깊이를 갖는 복수의 그루브를 형성하는 단계;
    상기 광흡수층상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼층상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 각 단계들은 롤투롤(roll to roll)방식으로 수행되는 태양 전지의 제조 방법.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제6 항에 있어서,
    상기 버퍼층을 상기 그루브의 형태에 대응하도록 상기 광흡수층의 전면(全面)상에 형성하고, 상기 제2 전극은 상기 그루브의 형태에 대응하도록 상기 버퍼층의 전면(全面)상에 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제6 항에 있어서,
  9. 삭제
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제6 항에 있어서,
    상기 광흡수층은 실리콘, CdTe 및 CIS(cupper indium selenide)계 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 재료로 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
  11. 삭제
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