JP6573306B2 - 透明導電膜を有する薄膜太陽電池 - Google Patents
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Description
特に薄膜シリコン太陽電池は、厚さ0.2〜5μm程度のシリコン薄膜を光吸収層として用いており、他の太陽電池と較べて資源的制約が少ないため、大規模普及に適した太陽電池として期待が寄せられている。
実際に、薄膜シリコン太陽電池においては、テクスチャ構造を有する基板を用いることにより光吸収が改善され、市販太陽電池でも応用されている。
少なくとも透明導電層1、発電層3、太陽電池基板(製膜基板)5から構成される太陽電池であって、
発電層3の表面に最小開口角度120度以下の逆さにした角錐あるいは円錐に準ずる開口が0.01個/μm2(1×1010個/m2)以上の密度で存在し、
この開口が透明導電層1で充填され、かつ、この透明導電層1が発電層3表面にて連続な構造を持つことを特徴とする太陽電池。
太陽電池基板5が、一辺の長さあるいは直径が0.2〜10μmの四角形または円形を開口部とする逆さにした錘台形状の凹型構造を敷き詰めた構造を有し、さらにその凹型構造がその一辺の長さあるいは直径の半分以下の深さと1/5〜1/2倍の大きさの略平坦底部を有することを特徴とする(1)に記載の太陽電池。
(3)
太陽電池基板5が、一辺の長さあるいは直径が0.2〜10μmの四角形または円形を開口部とする逆さにした錘台形状の凹型構造の規則的な配列を有し、さらにその凹型構造がその一辺の長さあるいは直径の半分以下の深さと1/5〜1/2倍の大きさの略平坦底部を有することを特徴とする(1)に記載の太陽電池。
発電層3に単層または多層の薄膜シリコン層あるいはその合金層を含むことを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の太陽電池。
発電層3に微結晶シリコン層または微結晶シリコンゲルマニウム合金層を含むことを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の太陽電池。
発電層3の厚さが0.2〜10μmの範囲にあることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載の太陽電池。
透明導電層1が光入射側に配置されることを特徴とする(1)〜(6)のいずれかに記載の太陽電池。
透明導電層1が化学堆積法あるいは溶液堆積法で製膜されたことを特徴とする(1)〜(7)のいずれかに記載の太陽電池。
(9)
透明導電膜1が酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化錫(SnO2)あるいはその合金から成ることを特徴とする(1)〜(8)のいずれかに記載の太陽電池。
図1は、本発明に係る薄膜シリコン太陽電池を示す図である。
また図2は、図1のA−A’−A”を含む面にて切断した、本発明に係る薄膜シリコン太陽電池を示す断面図である。以下では、主として図2を参照しながら説明する。
テクスチャ構造が図2にあるような凹型構造を為す場合、非特許文献2に記載の通り、凹型構造の一辺の長さ(円形の凹型構造であればその直径)を発電層3の膜厚とほぼ同程度に調整することにより、光吸収を促進できることが知られている。
平坦底部のないV字型の凹型構造上に発電層3を成長させると、非特許文献1に記載されているように、V字形状の底から欠陥が発生しやすく、結果として太陽電池の特性を低下させる。
またこの平坦底部6は、凹型構造に比して小さすぎれば欠陥抑制効果が小さくなり、また大きすぎれば光散乱効果が失われるため、平坦底部6の一辺の長さあるいはその直径は凹型構造のそれの1/5〜1/2倍程度に調整することが望ましい。
特に、光散乱効果を高めるように凹部の高低差の大きいテクスチャ構造を持つ基板を利用すると、ボイド2の最小開口角度7が小さくなる傾向がある。
ボイド2の最小開口角度7が120度を下回ると、その上へ成長される透明導電層の膜質および膜厚の均一性の確保が難しくなってくる。
ボイド2は、太陽電池基板5の凹型構造を反映して形成されるものであるため、その密度は凹型構造の密度とおよそ一致する。よってボイド2は、凹部構造の一辺の長さあるいはその直径を0.2〜10μmとした場合、発電層3の表面上において10μm×10μmにつき1個以上、すなわち0.01個/μm2以上の密度で存在する。しかしながら製膜手法によっては、ボイド2の位置が太陽電池基板5の凹型構造と必ずしも一対一に対応しない場合も有り得る。
つまり、非晶質半導体でもよく、また材料として化合物半導体や有機材料であってもよく、さらには複数の接合が積層されたいわゆるタンデム構造をなすものであってもよい。
また、バンドギャップが不連続となるヘテロ接合を含んでいてもよい。
これにより、発電層表面に対して透明導電層が良好な被覆性を持って形成されることになり、光生成電流が効率的に収集できる。
特にボイドの最小開口角度が120度を下回ると、物理蒸着法ではボイド2の底部周辺への均一な製膜が困難となる。
図2の断面図との相違点は透明導電層1の形態である。図3では、透明導電層1が反射防止膜を兼ねて膜厚が100nm以下の薄膜で形成された場合を想定している。
このような不均一性・不連続性があると、ボイド近傍における光生成電流の収集が不十分となる上に、電極としての電気抵抗が増加し、光電変換効率の低下を招く。
図4の左側は本発明に係る微結晶シリコン太陽電池、右側は本発明を適用しなかった微結晶シリコン太陽電池である
この場合、発電層3の表面に形成されたボイド2の底部にて、透明導電層1の膜厚が不均一となり、一部では膜の欠損が認められる。
このような構造では、発電層3で発生した光生成電流の収集が不十分となり、かつまた透明導電層1全体としての電気抵抗が増加するために、発電特性が低下する。
ここでは、図4に示した各微結晶シリコン太陽電池に対し、エアマス1.5における太陽光を模擬した光を入射して電流−電圧特性および電力−電圧特性を取得し比較している。
2 ボイド
3 発電層
4 反射層
5 太陽電池基板
6 平坦底部
7 最小開口角度(θ)
8 太陽光
9 発電層の頂点を結んだ線(面)
Claims (7)
- 少なくとも透明導電層(1)、発電層(3)、及び太陽電池基板(5)から構成される太陽電池であって、
発電層(3)の表面に最小開口角度120度以下の逆さにした角錐あるいは円錐に準ずる開口が0.01個/μm2(1×1010個/m2)以上の密度で存在し、
この開口が透明導電層(1)で充填され、かつ、この透明導電層(1)が発電層(3)の頂部を結ぶ線を越えて成膜されて表面にて面内方向に連続な構造を持ち、
太陽電池基板(5)が、一辺の長さあるいは直径が0.2〜10μmの四角形または円形を開口部とする逆さにした錘台形状の凹型構造を敷き詰めた構造を有し、さらにその凹型構造がその一辺の長さあるいは直径の半分以下の深さと1/5〜1/2倍の大きさの略平坦底部を有することを特徴とする太陽電池。 - 少なくとも透明導電層(1)、発電層(3)、及び太陽電池基板(5)から構成される太陽電池であって、
発電層(3)の表面に最小開口角度120度以下の逆さにした角錐あるいは円錐に準ずる開口が0.01個/μm2(1×1010個/m2)以上の密度で存在し、
この開口が透明導電層(1)で充填され、かつ、この透明導電層(1)が発電層(3)の頂部を結ぶ線を越えて成膜されて表面にて面内方向に連続な構造を持ち、
太陽電池基板(5)が、一辺の長さあるいは直径が0.2〜10μmの四角形または円形を開口部とする逆さにした錘台形状の凹型構造の規則的な配列を有し、さらにその凹型構造がその一辺の長さあるいは直径の半分以下の深さと1/5〜1/2倍の大きさの略平坦底部を有することを特徴とする太陽電池。 - 発電層(3)に単層または多層の薄膜シリコン層あるいはその合金層を含むことを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の太陽電池。
- 発電層(3)に微結晶シリコン層または微結晶シリコンゲルマニウム合金層を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 発電層(3)の厚さが0.2〜10μmの範囲にあることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 透明導電層(1)が光入射側に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 透明導電膜(1)が酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化錫(SnO2)あるいはその合金から成ることを特徴とする、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の太陽電池。
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