TW201349736A - 振盪裝置、振盪元件及電子機器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種既可提昇頻率穩定度亦不會使製造之效率下降之、小型且廉價之振盪裝置。本發明之振盪裝置包括：溫度補償型振盪器2，其於包含第1溫度範圍之一部分之溫度補償範圍內補償頻率溫度特性；及溫度控制電路5，其具備加熱器6，藉由上述加熱器6，將上述溫度補償型振盪器2之水晶振動器3之溫度設為上述溫度補償範圍中所含之第2溫度範圍內。進而，上述溫度補償型振盪器2亦可使上述第1溫度範圍中之可藉由一次近似補償之一部分包含於上述溫度補償範圍內。

Description

振盪裝置、振盪元件及電子機器

本發明係關於一種振盪裝置、振盪元件及電子機器等。

溫度補償型水晶振盪器(TCXO：Temperature Compensated X'tal Oscillator)藉由於特定之溫度範圍內消除水晶振動器之振盪頻率自所期望之頻率(標稱頻率)之偏離(頻率偏差)，而獲得較高頻率穩定度。例如，一般之TCXO之頻率穩定度為±200 ppb左右(使用溫度範圍：-20℃~+70℃)。

如圖12(A)所示，於TCXO中，一般使用頻率溫度特性近似於3次函數之AT切割水晶振動器(AT cut quartz resonator)，但於各個AT切割水晶振動器中該3次函數不同。因此，於TCXO之特性檢查中，必需求出4點以上之溫度與振盪頻率之關係而算出用以對水晶振動之頻率溫度特性進行溫度補償之資訊(溫度補償資訊)。

然後，於TCXO進行動作時，基於該溫度補償資訊，相對於溫度變化使如圖12(B)所示之導致頻率變化產生之溫度補償電壓於內部產生，從而使所輸出之振盪信號之頻率溫度特性接近於平穩。

近年來，於超微型小區(Femto Cell)這類之小通話區域用之小型基地台或計測器中，需要更高精度之時脈信號。於此用途中，有時會要求例如±50 ppb左右之頻率穩定度。

作為與TCXO相比頻率穩定度較佳之振盪裝置，有包含恆溫槽之 OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator，烘箱控制晶體振盪器)。然而，由於該裝置包含恆溫槽及其溫度控制電路，故而存在與TCXO相比高價且大型之缺點。

專利文獻1之發明提供一種振盪裝置，其係藉由遮罩密封搭載有TCXO之基極而將溫度維持為固定者，具備TCXO與OCXO之中間程度之溫度特性，廉價且小型。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-124348號公報

然而，即便為專利文獻1之方法，亦進行相對於溫度變化使如圖12(B)所示之溫度補償電壓於內部產生，從而使所輸出之振盪信號之頻率溫度特性平穩之操作。因此，於製造時如下作業成為必需：求出依各個AT切割水晶振動器而不同之高次函數，以例如極大值或極小值正好相抵之方式進行調整。此時，必需求出4點以上之溫度與振盪頻率之關係，從而導致製造之效率降低。

又，於專利文獻1之方法中，藉由遮罩密封基極而形成之密閉空間發揮作為虛擬烘箱之功能(以下，亦將此種密閉空間之虛擬烘箱包括在內而稱為烘箱)。此時，必需以與OCXO同等高之精度(例如±1℃)將烘箱維持為特定之溫度。然而，於將TCXO與其他電路組裝而構成之專利文獻1之振盪裝置中，易於因個體而產生不均。因此，為了使烘箱之溫度與目標溫度一致而必需進行溫度控制電路之調整作業，但為了將烘箱之溫度收於例如±1℃之狹小範圍內，不得不進行非常費工之調整作業。

如上述般，於專利文獻1之方法中，出貨前之調整作業費工，從而製造之效率下降，結果成本上升之可能性較高。

本發明係鑒於如上所述之問題點而完成者。根據本發明之若干態樣，可提供一種既使頻率穩定度提昇亦不會使製造之效率降低之、小型且廉價之振盪裝置。

本發明係為了解決上述課題之至少一部分而完成者，可作為以下之態樣或應用例而實現。

[應用例1]

本應用例之振盪裝置包括：溫度補償型振盪器，其具有振盪元件，於包含第1溫度範圍之一部分之溫度補償範圍內補償頻率溫度特性；及溫度控制電路，其將上述振盪元件之溫度控制在上述溫度補償範圍中所含之第2溫度範圍內。

[應用例2]

於上述應用例之振盪裝置中，上述溫度補償型振盪器亦可使上述第1溫度範圍中之可藉由一次近似補償之一部分包含在上述溫度補償範圍內。

[應用例3]

於上述應用例之振盪裝置中，上述溫度補償型振盪器亦可將上述溫度補償範圍設為包含上述第1溫度範圍之上限溫度之高溫側之一部分。

該等應用例之振盪裝置包括溫度補償型振盪器及溫度控制電路。溫度補償型振盪器根據振盪元件之溫度而補償頻率溫度特性。溫度補償型振盪器例如為TCXO(溫度補償型水晶振盪器)、矽振盪器等。

溫度補償型振盪器於使用溫度範圍即應該獲得作為使用時之溫度補償型振盪器而被期待之特性的第1溫度範圍之「一部分」內進行溫度補償。即，無需求出跨及使用溫度範圍之全部之高次函數而進行 補償，故而於製造時，以例如極大值或極小值正好相抵之方式進行調整之作業之勞力得以減輕。

例如，使用溫度範圍中之藉由一次近似可補償之一部分亦可為溫度補償範圍。此時，只要求出2點之溫度與振盪頻率之關係即可，調整變得容易。因此，可提高製造之效率。又，由於藉由一次近似而進行補償，故而可使溫度補償範圍內之頻率穩定度提昇。作為藉由一次近似可補償之使用溫度範圍之一部分，可列舉例如上限溫度附近或下限溫度附近(參照圖12(A))。

而且，溫度控制電路藉由溫度調節元件，進行使溫度補償型振盪器之振盪元件之溫度處於溫度補償範圍中所包含之第2溫度範圍內之控制。即，將包含振盪元件之烘箱之溫度維持於第2溫度範圍內。溫度調節元件例如既可為發熱之發熱元件(以下，稱為加熱器)，亦可為珀爾帖元件(Peltier element)等。

藉由溫度控制電路之控制，振盪元件之溫度包含於溫度補償型振盪器之溫度補償範圍內。因此，可提供一種使頻率穩定度提昇之振盪裝置。此時，並不如OCXO般使用恆溫槽，故而振盪裝置小型且廉價。

又，溫度補償型振盪器亦可使溫度補償範圍為包含使用溫度範圍之上限溫度之高溫側之一部分。此時，不僅可藉由一次近似進行補償，而且可使用加熱器作為溫度調節元件，因而可抑制成本。例如，亦可利用1個功率電晶體實現加熱器。

[應用例4]

於上述應用例之振盪裝置中，溫度控制電路亦可包含測定上述振盪元件之溫度之溫度感測器，且以如下方式決定上述第2溫度範圍，即，使上述第2溫度範圍之下限溫度與上述溫度補償範圍之下限溫度之差之大小、及上述溫度補償範圍之上限溫度與上述第2溫度範 圍之上限溫度之差之大小，大於上述溫度感測器之測定值與上述振盪元件之實際溫度之差之大小。

[應用例5]

於上述應用例之振盪裝置中，上述溫度控制電路亦可具有加熱振盪元件之發熱元件。

該等應用例之振盪裝置包含測定振盪元件之溫度之溫度感測器。該溫度感測器並非位於溫度補償型振盪器之內部，故而於測定溫度中含有誤差。然而，若藉由該等應用例之振盪裝置，則能夠以獲得大於該誤差之容限(margin)之方式設定第2溫度範圍，從而即便存在誤差，烘箱之溫度亦一定包含於溫度補償範圍內。因此，可提供一種使頻率穩定度提昇之振盪裝置。又，若使用加熱器作為發熱元件而調整烘箱之溫度，則可抑制成本。

[應用例6]

於上述應用例之振盪裝置中，上述振盪元件亦可為振動器。

[應用例7]

本應用例之電子機器包含上述應用例之振盪裝置。

1‧‧‧振盪裝置

2‧‧‧溫度補償型振盪器

3‧‧‧水晶振動器

4‧‧‧積體電路

5‧‧‧溫度控制電路

6‧‧‧加熱器

7‧‧‧溫度感測器

9‧‧‧端子

11‧‧‧NTC熱阻器

12‧‧‧調節器

14‧‧‧印刷基板

15‧‧‧蓋

16‧‧‧封裝體

18‧‧‧烘箱

20‧‧‧差動放大器

30‧‧‧功率電晶體

31‧‧‧功率電晶體

32‧‧‧可變電容元件

34‧‧‧電壓控制振盪電路

36‧‧‧溫度補償電壓產生電路

38‧‧‧溫度感測器

40‧‧‧電阻

41‧‧‧電阻

42‧‧‧電阻

43‧‧‧電阻

44‧‧‧電阻

45‧‧‧電阻

46‧‧‧電阻

47‧‧‧電阻

48‧‧‧電阻

50‧‧‧電容器

51‧‧‧電容器

52‧‧‧電容器

53‧‧‧電容器

54‧‧‧電容器

300‧‧‧電子機器

320‧‧‧中央處理單元

330‧‧‧操作部

340‧‧‧惟讀記憶體

350‧‧‧隨機存取記憶體

360‧‧‧通訊部

370‧‧‧顯示部

380‧‧‧音輸出部

GND‧‧‧接地電位

S10‧‧‧步驟

S20‧‧‧步驟

S30‧‧‧步驟

S40‧‧‧步驟

S50‧‧‧步驟

S60‧‧‧步驟

Vcc‧‧‧電源電位

Vref‧‧‧基準電位

圖1係表示本實施形態之振盪裝置之構成例之圖。

圖2係表示本實施形態之TCXO之構成例之圖。

圖3係表示本實施形態之水晶振動器之頻率穩定度之例之圖。

圖4係表示本實施形態之TCXO之溫度補償之例之圖。

圖5係表示本實施形態之溫度控制電路之例之電路圖。

圖6係表示本實施形態之TCXO與加熱器之位置關係之例之圖。

圖7(A)係表示本實施形態之TCXO與加熱器之位置關係之例之模式剖面圖。

圖7(B)係表示變形例中之TCXO與加熱器之位置關係之例之模式 剖面圖。

圖8(A)~圖8(B)係表示未對印刷基板進行加工之情形時之另一變形例中之TCXO與加熱器之位置關係之例之模式剖面圖。

圖9係表示本實施形態之烘箱之溫度範圍與溫度補償範圍之關係之例之圖。

圖10係表示本實施形態之振盪裝置之製造方法之流程圖。

圖11係應用例之電子機器之功能方塊圖。

圖12(A)係表示水晶振動器之頻率溫度特性之一例之圖。

圖12(B)係表示藉由溫度補償電壓而產生之頻率變化之一例之圖。

以下，使用圖式詳細地對本發明之較佳實施形態進行說明。再者，以下所說明之實施形態並非不當地限定專利請求之範圍內所記載之本發明之內容。又，以下所說明之構成之全部並不一定為本發明之必需構成要件。

1.振盪裝置之整體構成

圖1係表示本實施形態之振盪裝置1之構成之圖。振盪裝置1包括TCXO2與溫度控制電路5。TCXO2包括水晶振動器3與積體電路4。又，溫度控制電路5包括加熱器6與溫度感測器7。

此處，圖1中之TCXO2、水晶振動器3、加熱器6分別與本發明之溫度補償型振盪器、振盪元件、溫度調節元件對應。

TCXO2於包含使用溫度範圍之一部分之溫度補償範圍內補償頻率溫度特性。例如，於本實施形態中，設使用溫度範圍為-20℃~+85℃。TCXO2於包含該使用溫度範圍中之僅一部分(例如+70℃~+85℃)之溫度補償範圍(+70℃~100℃)內補償頻率溫度特性。

積體電路4(Integrated Circuit，IC)設為如下所述不僅包含溫度補 償電路亦包含與水晶振動器3連接之振盪電路而單晶片化者。

溫度控制電路5藉由加熱器6之熱而調整TCXO2之溫度。具體而言，以維持下述烘箱18(參照圖7(A))之溫度之方式進行控制。此時，烘箱18之溫度收於溫度補償範圍中所包含之某固定之範圍內。

溫度感測器7配置於水晶振動器3之附近而測定溫度。而且，基於溫度感測器7之測定溫度，溫度控制電路5控制加熱器6之發熱。再者，於本實施形態中，加熱器6係作為發熱元件之功率電晶體30(參照圖5)。又，溫度感測器7係NTC(Negative Temperature Coefficient，負溫度係數)熱阻器11(參照圖5)。

2. TCXO之構成

圖2係表示本實施形態之TCXO2之構成之圖。如圖2所示，於本實施形態中，積體電路4包含電壓控制振盪電路34、溫度補償電壓產生電路36、溫度感測器38而構成。

電壓控制振盪電路34經由端子而與水晶振動器3連接，藉由根據來自溫度補償電壓產生電路36之控制電壓使可變電容元件32之電容值變化，從而控制水晶振動器3之振盪頻率。電壓控制振盪電路34之振盪信號設定為經由端子(未圖示)向外部輸出者。

溫度補償電壓產生電路36基於來自溫度感測器38之輸出值(例如，電壓值)，產生控制電壓。此處，溫度感測器38與圖1之溫度感測器7不同，與水晶振動器3一併存在於TCXO2之內部。因此，與溫度感測器7相比，可更準確地測定水晶振動器3之溫度。

此處，於不考慮溫度補償之情形時，水晶振動器3之頻率穩定度成為如圖3所示。圖3中之頻率穩定度係表示以25℃下之頻率為基準之變動者。如圖3般，於使用溫度範圍即上限溫度之85℃附近，頻率穩定度之變化可為線性近似(linear approximation)。即，非為高次函數(參照圖12(B))而可為一次函數近似。從而，若以使用溫度範圍之上限 溫度即85℃為基準而溫度補償僅±15℃(即，70℃~100℃)之範圍(圖3之P)，則可藉由線性近似進行高精度之補償。

圖4表示關於本實施形態之TCXO2之溫度補償後之輸出之頻率穩定度。如圖4般，於85℃±15℃之範圍內持平，表示良好之頻率穩定性。即，只要於85℃±15℃之範圍內使用本實施形態之TCXO2，便可獲得與OCXO同等之頻率穩定度。

因此，於本實施形態之振盪裝置1中，溫度控制電路5係以使包含水晶振動器3之烘箱18(參照圖7(A))之溫度收於85℃±15℃之範圍內之方式進行溫度控制。以下，對溫度控制電路5詳細地進行說明。

3.溫度控制電路

圖5係本實施形態之溫度控制電路5之電路圖。於圖5之溫度控制電路5中，功率電晶體30與加熱器6對應，NTC熱阻器11與溫度感測器7對應。

向圖5之上側之端子9自外部供給電源電位Vcc。又，圖5之下側之端子9接地，而被供給接地電位GND。又，藉由調節器12，而生成基準電位Vref。

於基準電位Vref與接地電位GND之間連接有交流雜訊除去用之電容器52，於電源電位Vcc與接地電位GND之間連接有交流雜訊除去用之電容器53、54。又，自端子9向差動放大器20供給電源電位Vcc、接地電位GND。

就NTC熱阻器11而言，第1端子與基準電位Vref連接，第2端子與電阻40之第1端子、電阻43之第1端子及電容器50之第1端子連接，電阻40之第2端子與接地電位GND連接。電阻43之第2端子與差動放大器20之反轉輸入端子(-輸入端子)、電阻44之第1端子連接。電阻44之第2端子與差動放大器20之輸出端子及電阻45之第1端子連接，電容器50之第2端子與接地電位GND連接。

就電阻41而言，第1端子與基準電位Vref連接，第2端子與差動放大器20之非反轉輸入端子(+輸入端子)及電阻42之第1端子連接。電阻42之第2端子與接地電位GND連接。

電阻45之第2端子與功率電晶體30之集極端子、功率電晶體31之基極端子、電容器51之第1端子及電阻48之第1端子連接，電容器51之第2端子及電阻48之第2端子與接地電位GND連接。

功率電晶體31之集極端子與電源電位Vcc連接，射極端子與功率電晶體30之基極端子、電阻46之第1端子及電阻47之第1端子連接。功率電晶體30之射極端子、電阻46之第2端子及電阻47之第2端子與接地電位GND連接。

功率電晶體30(發熱元件之一例)係靠近被加熱物而配置、利用散熱來加熱被加熱物之NPN(Negative-Positive-Negative，負-正-負)型雙極電晶體。因此，於本實施形態中發揮作為加熱器6之功能。發熱量根據流過功率電晶體30之電量而變化。

NTC熱阻器11根據作為測定對象之被加熱物之溫度而使電阻值變化。具體而言，相對於被加熱物之溫度之上升，電阻會減少。因此，於本實施形態中發揮作為溫度感測器7之功能。

而且，於本實施形態之溫度控制電路5中，可藉由差動放大器20，基於NTC熱阻器11之電阻值控制功率電晶體30之發熱量。

於被加熱物之溫度低於設定溫度之情形時，一面根據NTC熱阻器11之電阻值而控制功率電晶體30之發熱量一面加熱被加熱物。具體而言，於被加熱物之溫度與設定溫度一致時NTC熱阻器11之電阻值成為特定值，電阻43之第1端子之電位與差動放大器20之非反轉輸入端子(+輸入端子)之電位變得一致。因而，於被加熱物之溫度低於設定溫度之情形時，NTC熱阻器11之電阻值高於特定值，故而電阻43之第1端子之電位低於差動放大器20之非反轉輸入端子(+輸入端子)之電 位。因此，差動放大器20之輸出電位變高，功率電晶體30導通而發熱。

若被加熱物藉由功率電晶體30得到加熱，被加熱物之溫度上升，則NTC熱阻器11之電阻值降低，故而電阻43之第1端子之電位上升。與此相對地，差動放大器20之非反轉輸入端子(+輸入端子)之電位幾乎不變。從而，差動放大器20之非反轉輸入端子(+輸入端子)與電阻43之第1端子之間之電位差變小。藉此差動放大器20之輸出電位降低，因而功率電晶體30之發熱量減少。而且，若被加熱物之溫度高於設定溫度，則功率電晶體30斷開而停止被加熱物之加熱。

4.振盪裝置之外觀

此處，對本實施形態之振盪裝置1之外觀進行說明。所謂外觀，具體而言係指TCXO2、加熱器6、溫度感測器7之位置關係。圖6係表示包含本實施形態之TCXO2之端子9之面的示意性仰視圖。如圖6般，加熱器6與TCXO2之封裝體面(端子9以外之部分)接觸。從而，可有效率地向TCXO2傳遞熱。

圖7(A)係表示本實施形態之TCXO2、加熱器6(即圖5之功率電晶體30)、溫度感測器7(即圖5之NTC熱阻器11)、印刷基板14(例如玻璃環氧基板等)之位置關係之示意性剖面圖(關於圖7(B)~圖8(B)亦相同)。再者，關於加熱器6、溫度感測器7之間之配線或其他電路省略圖示。

如圖7(A)般，於本實施形態之振盪裝置1中，印刷基板14受到對端子9之間之部分開孔之加工，於TCXO2之封裝體16上例如藉由接著劑等安裝有加熱器6。

TCXO2於封裝體16之內部安裝有水晶振動器3及積體電路4，且藉由蓋15而密封。因此，內部之密閉空間可發揮作為虛擬烘箱18之功能，而將溫度維持為固定。於本實施形態之振盪裝置1中，加熱器6加 熱TCXO2，將烘箱18之溫度收於溫度補償範圍中所包含之特定之溫度範圍內。此時，如使用圖4而說明般，可獲得與OCXO同等之頻率穩定度。

此處，為了加熱器6之適當之控制，溫度感測器7必需對水晶振動器3之環境溫度即烘箱18之溫度(與圖5之說明中之被加熱物之溫度對應)進行測定。於本實施形態中，溫度感測器7配置於TCXO2之附近之印刷基板14。而且，基於溫度感測器7之測定值而控制加熱器6。

溫度感測器7測定烘箱18之溫度，但由於並非配置於TCXO2之內部而是配置於外部，故而於測定值與實際之烘箱18之溫度上會產生誤差。因此，較佳為將藉由加熱器6而設定之烘箱18之溫度之範圍自TCXO2之溫度補償範圍縮小與誤差相當之量。即，較佳為使其具有大於誤差之容限。

圖9係表示烘箱18之溫度範圍(應設定之溫度範圍)與TCXO2之溫度補償範圍之關係之圖。於圖9之例中，將溫度感測器7之誤差考慮在內，相對於TCXO2之溫度補償範圍具有5℃之容限而決定烘箱18之溫度範圍。因此，例如即便存在-5℃誤差，亦為TCXO2之溫度補償範圍內，因而可獲得所期望之頻率穩定度。

此處，圖7(B)、圖8(A)、圖8(B)分別表示關於TCXO2、加熱器6、溫度感測器7之位置關係之變形例。於圖7(B)之例中，與圖7(A)相比溫度感測器7之位置不同。於圖7(B)之例中，在TCXO2之封裝體16上不僅安裝有加熱器6，亦例如藉由接著劑等安裝有溫度感測器7。因此，存在可更準確地測定烘箱18之溫度之可能性。

圖8(A)~圖8(B)係表示未對印刷基板14進行加工之情形時之配置例。於圖8(A)之例中，與圖7(B)之例不同，端子9具有充分之高度。因此，即便於印刷基板14上不開孔，亦可將加熱器6、溫度感測器7安裝於封裝體16之底面。

於圖8(B)之例中，將未安裝於封裝體16之底面上之加熱器6安裝於蓋15上。即便於該情形時，加熱器6亦可有效地向TCXO2傳遞熱。再者，溫度感測器7與本實施形態相同地配置於TCXO2之附近之印刷基板14上。

無論為圖7(A)~圖8(B)所示之哪種外觀，均可藉由利用加熱器6使烘箱18之溫度為特定之範圍內(將溫度感測器7之誤差考慮在內而自溫度補償範圍縮小之溫度範圍內)，獲得與OCXO同等之頻率穩定度。

5.振盪裝置之製造方法

圖10係表示本實施形態之振盪裝置1之製造方法之流程圖。首先，於以作為使用溫度範圍之上限溫度之85℃為基準±15℃之範圍內進行溫度補償(S10)。此時，亦可以例如於85℃下成為目標之頻率穩定度(例如±100 ppb以內)之方式進行線性近似。

其次，進行TCXO與溫度控制電路之組裝(S20)。然後，以烘箱之設定溫度包含於特定之溫度範圍內之方式，藉由調整電阻(對應圖5之電阻40~42)而進行調整(S30)。

其後，進行包裝(S40)，執行出貨檢查(S50)，將良品出貨(S60)。此處，於本實施形態之振盪裝置1之製造方法中，與先前大不相同者為步驟S30。

例如，若為OCXO，則要求烘箱之設定溫度為目標(例如85℃)之溫度之±1℃以內。因此，調整費工，而使製造之效率下降。

然而，於本實施形態之振盪裝置1之製造方法中，若使用圖9之例，則即便將溫度感測器7之誤差考慮在內亦只要收於85℃±10℃之範圍內即可。因此，幾乎無需調整，從而製造之效率提高。

如上述般，本實施形態之振盪裝置1藉由使用線性近似進行高精度之補償，一方面提昇TCXO之頻率穩定度且幾乎無需對烘箱之設定溫度之調整，因而不會使製造之效率下降，且無需如OCXO般包含恆 溫槽，因此可提供一種小型且廉價之振盪裝置。

6.電子機器

圖11係應用例之電子機器300之功能方塊圖。本應用例之電子機器300包括振盪裝置1、CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)320、操作部330、ROM(Read Only Memory，惟讀記憶體)340、RAM(Random Access Me1nory，隨機存取記憶體)350、通訊部360、顯示部370、音輸出部380而構成。再者，本應用例之電子機器300既可省略或變更圖11之構成要素(各部)之一部分，亦可成為添加有其他構成要素之構成。

振盪裝置1如上述實施形態中所說明般，可輸出高精度之振盪信號(時脈信號)。

CPU320依照記憶於ROM340等中之程式，使用振盪裝置1所輸出之振盪信號(時脈信號)進行各種計算處理或控制處理。具體而言，CPU320進行與來自操作部330之操作信號相應之各種處理、用以與外部進行資料通訊而控制通訊部360之處理、發送用以使各種資訊顯示於顯示部370中之顯示信號之處理、使各種音輸出至音輸出部380中之處理等。

操作部330係由操作鍵或按鈕開關等構成之輸入裝置，將與使用者之操作相應之操作信號輸出至CPU320中。

ROM340記憶有CPU320用以進行各種計算處理或控制處理之程式或資料等。

RAM350作為CPU320之作業區域而使用，暫時地記憶自ROM340讀出之程式或資料、自操作部330輸入之資料、CPU320依據各種程式而執行之演算結果等。

通訊部360進行用以使CPU320與外部裝置之間之資料通訊成立之各種控制。

顯示部370係由LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)等構成之顯示裝置，基於自CPU320輸入之顯示信號而顯示各種資訊。

音輸出部380係揚聲器等輸出音訊之裝置。

根據本實施形態之電子機器300，可藉由振盪裝置1獲得與OCXO同等之高精度之時脈信號。因此，可考慮應用於超微型小區這類之小通話區域用之小型基地台、覆蓋廣泛範圍之行動電話之基地台、解析度較高之計測器等電子機器300中。

7.其他

本發明並不限定於上述實施形態，可於本發明之主旨之範圍內進行各種變形實施。

於上述實施形態中，作為振盪裝置所含之振盪器，列舉溫度補償型水晶振盪器(TCXO)為例進行了說明，但本發明之振盪器並不限於此，亦可為例如壓電振盪器、表面聲波(Surface Acoustic Wave,SAW)振盪器、電壓控制型振盪器、矽振盪器、原子振盪器等。

又，於本實施形態中，使用水晶振動器作為振盪器之振盪元件，但作為振盪元件，可使用例如：SAW(Surface Acoustic Wave)共振子、AT切割水晶振動器、SC切割水晶振動器、音叉型水晶振動器、其他壓電振動器或MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)振動器等。又，作為振盪元件之基板材料，可使用水晶、鉭酸鋰、鈮酸鋰等壓電單晶、或鋯酸鈦酸鉛等壓電陶瓷等壓電材料、或矽半導體材料等。又，作為振盪元件之激振方法，既可使用壓電效果方式者，亦可使用藉由庫倫力之靜電驅動。

上述實施形態及變形例僅為一例，並不限定於該等。例如，亦可將各實施形態及各變形例適當組合。

本發明包含與實施形態中所說明之構成實質相同之構成(例如，功能、方法及結果相同之構成、或目的及效果相同之構成)。又，本 發明包含置換實施形態中所說明之構成之非本質之部分而成之構成。又，本發明包含可發揮與實施形態中所說明之構成相同之作用效果之構成或可達成相同之目的之構成。又，本發明包含於實施形態中所說明之構成中添加有公知技術之構成。

1‧‧‧振盪裝置

2‧‧‧溫度補償型振盪器

3‧‧‧水晶振動器

4‧‧‧積體電路

5‧‧‧溫度控制電路

6‧‧‧加熱器

7‧‧‧溫度感測器

Claims (12)

1. 一種振盪裝置，其包括：溫度補償型振盪器，其具有振盪元件，於包含第1溫度範圍之一部分之溫度補償範圍內補償頻率溫度特性；及溫度控制電路，其將上述振盪元件之溫度控制在上述溫度補償範圍中所含之第2溫度範圍內。
2. 如請求項1之振盪裝置，其中上述溫度補償型振盪器係使上述第1溫度範圍中之可藉由一次近似補償之一部分含在上述溫度補償範圍內。
3. 如請求項1之振盪裝置，其中上述溫度補償型振盪器係將上述溫度補償範圍設為包含上述第1溫度範圍之上限溫度之高溫側之一部分。
4. 如請求項1之振盪裝置，其中上述溫度控制電路包含測定上述振盪元件之溫度之溫度感測器；且以如下方式決定上述第2溫度範圍，即，使上述第2溫度範圍之下限溫度與上述溫度補償範圍之下限溫度之差之大小、及上述溫度補償範圍之上限溫度與上述第2溫度範圍之上限溫度之差之大小，大於上述溫度感測器之測定值與上述振盪元件之實際溫度之差之大小。
5. 如請求項1之振盪裝置，其中上述溫度控制電路具有加熱振盪元件之發熱元件。
6. 如請求項1之振盪裝置，其中上述振盪元件為振動器。
7. 一種電子機器，其包含如請求項1之振盪裝置。
8. 一種電子機器，其包含如請求項2之振盪裝置。
9. 一種電子機器，其包含如請求項3之振盪裝置。
10. 一種電子機器，其包含如請求項4之振盪裝置。
11. 一種電子機器，其包含如請求項5之振盪裝置。
12. 一種電子機器，其包含如請求項6之振盪裝置。