TW201348324A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為提供一種不僅只是濕式粗化步驟後絕緣層表面之低算術平均粗糙度(Ra值)，且即使為低均方根粗糙度(Rq值)，鍍敷導體層亦呈現相當高的剝離強度的新穎樹脂組成物。用以解決課題的手段為藉由含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑及(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材之樹脂組成物，終至完成本發明。

Description

樹脂組成物

本發明係關於特定之樹脂組成物。進而係關於含有該樹脂組成物、接著薄膜、預浸物、多層印刷配線板、半導體裝置。

近年來於電子機器小型化、高性能化進展、多層印刷配線板，追求堆積層(Build up layer)之複層化、接線之微細化及高密度化。

對於此已做出各式各樣之組合。例如，於專利文獻1，已揭示含有有機-無機混合化物之樹脂組成物。已記載由此等之組成物提高玻璃轉移點。又，於專利文獻2~4亦研究一般之摻合。然而，該性能亦非絕對滿足者。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平10-95901號公報

[專利文獻2]日本特許第4674730號

[專利文獻3]日本特許第4686750號

[專利文獻4]日本特許第4782870號

本發明所欲解決之課題，係提供一種不僅只是濕式粗化步驟後絕緣層表面之低算術平均粗糙度(Ra值)，且即使為低均方根粗糙度(Rq值)，鍍敷導體層亦呈現相當高的剝離強度的新穎樹脂組成物。

本發明者們，經努力研究後之結果，藉由含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑及(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材之樹脂組成物，發現可解決上述課題而完成本發明。

亦即，本發明係含有以下內容者。

〔1〕一種樹脂組成物，其特徵為含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑及(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材。

〔2〕如上述〔1〕之樹脂組成物，其中(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材係相對於無機填充材100質量%以該環氧樹脂0.05~3質量%所表面處理者。

〔3〕如上述〔1〕或〔2〕之樹脂組成物，其中(C) 經以環氧樹脂表面處理之無機填充材，以該環氧樹脂進行表面處理之際的平均溫度為20~100℃。

〔4〕如上述〔1〕或〔2〕之樹脂組成物，其中(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材，以該環氧樹脂進行表面處理之際的最高到達溫度為50~150℃。

〔5〕如上述〔1〕~〔4〕中任一項之樹脂組成物，其中(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材的該環氧樹脂為液狀環氧樹脂。

〔6〕如上述〔5〕之樹脂組成物，其中，該液狀環氧樹脂於25℃之黏度為0.01~50Pa．s。

〔7〕如上述〔1〕~〔6〕中任一項之樹脂組成物，其中(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材的該環氧樹脂係選自由萘型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、甘油型環氧樹脂及p-胺苯酚型環氧樹脂所構成之群中的一種以上。

〔8〕如上述〔1〕~〔7〕中任一項之樹脂組成物，其中(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材係進一步以選自由矽烷偶合劑、烷氧基矽烷、烷氧基寡聚物、鋁系偶合劑、鈦系偶合劑及鋯系偶合劑所構成之群中的一種以上所表面處理者。

〔9〕如上述〔1〕~〔8〕中任一項之樹脂組成物，其係進一步含有(D)硬化促進劑。

〔10〕如上述〔1〕~〔9〕中任一項之樹脂組成物，其係進一步含有(E)熱可塑性樹脂。

〔11〕如上述〔1〕~〔10〕中任一項之樹脂組成物，其係進一步含有(F)橡膠粒子。

〔12〕如上述〔1〕~〔11〕中任一項之樹脂組成物，其係進一步含有(G)難燃劑。

〔13〕如上述〔1〕~〔12〕中任一項之樹脂組成物，其係硬化樹脂組成物而形成絕緣層，粗糙化處理該絕緣層表面後之算術平均粗糙度為10nm~330nm、均方根粗糙度為10~480nm，且對粗糙化處理之該絕緣層表面鍍敷而得到之導體層與絕緣層之剝離強度為0.4kgf/cm~1.0kgf/cm。

〔14〕一種接著膜，其係使如上述〔1〕~〔13〕中任一項之樹脂組成物於支持體上形成為樹脂組成物層所成。

〔15〕如上述〔14〕之接著膜，其中，樹脂組成物層之最低熔融黏度為500~14000poise。

〔16〕一種預浸物，其係將如上述〔1〕~〔13〕中任一項之樹脂組成物含浸至薄片狀補強基材中所成。

〔17〕一種多層印刷配線板，其係藉由上述〔1〕~〔13〕中任一項之樹脂組成物之硬化物形成絕緣層所成。

〔18〕一種半導體裝置，其特徵為使用如上述〔17〕之多層印刷配線板。

藉由使用其特徵為含有(A)環氧樹脂、 (B)硬化劑及(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材之樹脂組成物，成為可提供一種不僅只是濕式粗化步驟後絕緣層表面之低算術平均粗糙度(Ra值)，且即使為低均方根粗糙度(Rq值)，鍍敷導體層亦呈現相當高的剝離強度的新穎樹脂組成物。

本發明之特徵為含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑及(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材之樹脂組成物。

<(A)環氧樹脂>

作為使用於本發明之環氧樹脂，並未有特別限制，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、第三丁基-鄰苯二酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環(Spiro ring)之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、鹵化環氧樹脂等。此等可1種或2種以上組合使用。

此等之中，從耐熱性提高、絕緣信賴性提高、與金屬箔之附著力提高的觀點來看，以具有雙酚A型環 氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂為佳。具體而言，例如可列舉雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「Epikote828 EL」、「YL 980」)、雙酚F型環氧樹脂(三菱化學(股)製「jER806H」、「YL983U」)、萘型2官能環氧樹脂(DIC(股)製「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」)、萘型4官能環氧樹脂(DIC(股)製「HP4700」、「HP4710」)、萘酚型環氧樹脂(東都化成(股)製「ESN-475V」)、具有丁二烯構造之環氧樹脂(Daicel化學工業(股)製「PB-3600」、「Epolead PB」)、具有聯苯基構造之環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC 3000H」、「NC 3000L」、「NC 3100」、三菱化學(股)製「YX 4000」、「YX 4000H」、「YX 4000HK」、「YL6121」)、環己烷二甲醇型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「ZX1658」)、聯苯基二甲醇型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「TX-0934」)、苯二甲醇型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「TX-0929」)、丙二醇型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「PG-207」)、脂環式環氧樹脂(Daicel化學工業(股)製「CELLOXIDE 2021P」、「CELLOXIDE 2081」、「CELLOXIDE 3000」、「CELLOXIDE 2000」、「EHPE3150」、「Epolead GT400」、「CELLVENUS」)、具有脂環式環氧基之甲基丙烯酸酯(Daicel化學工業(股)製「CYCLOMER M100」)、具有甲基環氧丙基之甲 基丙烯酸酯(Daicel化學工業(股)製「M-GMA」)、蒽型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX8800」)、甘油型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「ZX1542」)、伸萘基醚型環氧樹脂(DIC(股)製「EXA-7310」、「EXA-7311」、「EXA-7311L」、「EXA7311-G3」)等。

環氧樹脂亦可併用2種以上，以含有於1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂為佳。又，以併用於1分子中具有2個以上環氧基，溫度20℃下為液狀之芳香族系環氧樹脂之環氧樹脂、以及於1分子中具有3個以上環氧基，溫度20℃下為固體狀之芳香族系環氧樹脂之態樣更佳。尚且，於本發明所謂芳香族系環氧樹脂，係意味著於其分子內具有芳香環構造之環氧樹脂。作為環氧樹脂，併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂時，從將樹脂組成物以接著膜形態使用時具有適度可撓性這點或樹脂組成物之硬化物具有適度斷裂強度這點來看，其摻合比例(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比於1：0.1~1：2之範圍為佳，以1：0.3~1：1.8之範圍更佳，以1：0.6~1：1.5之範圍特佳。

於本發明之樹脂組成物，從提高樹脂組成物之硬化物的機械強度或耐水性觀點來看，將樹脂組成物中之非揮發成分作為100質量%時，環氧樹脂之含量以3~40質量%為佳，以5~35質量%更佳，以10~30質量%特佳。

<(B)硬化劑>

作為使用於本發明之硬化劑，並未有特別限制，可列舉酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并惡嗪(Benzoxazine)系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、酸酐系硬化劑等，其中以酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑或氰酸酯系硬化劑為佳。此等可1種或組合2種以上使用。

作為酚系硬化劑、萘酚系硬化劑，並未有特別限制，可列舉具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑，以酚系酚醛清漆樹脂、含有三嗪骨架之酚系酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂、萘酚芳烷基型樹脂、三嗪骨架含有萘酚樹脂、聯苯基芳烷基型酚樹脂為佳。作為市售品，作為聯苯基芳烷基型酚樹脂，可列舉「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、「MEH7851-4H」(明和化成(股)製)、「GPH」(日本化藥(股)製)，作為萘酚酚醛清漆樹脂，可列舉「NHN」、「CBN」(日本化藥(股)製)，作為萘酚芳烷基型樹脂，可列舉「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN395」、「SN375」(東都化成(股)製)，作為酚系酚醛清漆樹脂，可列舉「TD2090」(DIC(股)製)、含有三嗪骨架之酚系酚醛清漆樹脂「LA3018」、「LA7052」、「LA7054」、「LA1356」(DIC(股)製)等。此等可併用1種或2種以上。

作為活性酯系硬化劑，並未有特別限制，一般以使用酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之於1分子中具有2個以上反應活性高的酯基之化合物為佳。該活性酯系硬化劑，係以藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應而獲得者為佳。尤其是從提高耐熱性之觀點來看，以從羧酸化合物與羥基化合物所得到之活性酯系硬化劑為佳，以從羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物所得到之活性酯系硬化劑更佳。作為羧酸化合物，例如可列舉安息香酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸、苯二甲酸、異苯二甲酸、對苯二甲酸、苯均四酸等。作為酚化合物或萘酚化合物，例如可列舉對苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、鄰苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚(Phloroglucin)、苯三醇、二環戊二烯二酚、酚系酚醛清漆等。活性酯系硬化劑可1種或2種以上使用。作為活性酯系硬化劑，可使用日本特開2004-277460號公報已揭示之活性酯系硬化劑，又亦可使用市售。作為市售之活性酯系硬化劑，以含有二環戊二烯二酚構造者、酚系酚醛清漆之乙醯化物、酚系酚醛清漆之苄醯基化物等為佳，其中以含有二環戊二烯二酚構造者更佳。具體而言，作為含有二環戊二烯二酚構造者可列舉 EXB 9451、EXB 9460、EXB 9460S-65T、HPC-8000-65T(DIC(股)製，活性基當量約223)，作為酚系酚醛清漆之乙醯化物可列舉DC808(三菱化學(股)製、活性基當量約149)，作為酚系酚醛清漆之苄醯基化物可列舉YLH1026(三菱化學(股)製、活性基當量約200)、YLH1030(三菱化學(股)製，活性基當量約201)、YLH1048(三菱化學(股)製、活性基當量約245)等，其中以HPC-8000-65T從清漆之保存安定性、硬化物之熱膨脹率觀點來看為佳。

作為含有二環戊二烯二酚構造之活性酯系硬化劑，更具體可列舉下式(1)之化合物。

(式中，R表示苯基、萘基，k表示0或1，n為重複單位之平均0.05~2.5)

從所謂使介電正切降低、提高耐熱性之觀點來看，R為萘基較佳，另一方面，k為0較佳、又，n為0.25~1.5較佳。

作為苯并惡嗪系硬化劑，並未有特別限制，作為具體例，可列舉F-a、P-d(四國化成(股)製)、HFB2006M(昭和高分子(股)製)等。

作為氰酸酯系硬化劑，並未特別限制，可列 舉酚醛清漆型(酚系酚醛清漆型、烷酚系酚醛清漆型等)氰酸酯系硬化劑、二環戊二烯型氰酸酯系硬化劑、雙酚型(雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等)氰酸酯系硬化劑、及此等一部份經三嗪化之預聚物等。氰酸酯系硬化劑之重量平均分子量，並未有特別限定，以500~4500為佳，以600~3000更佳。作為氰酸酯系硬化劑之具體例，例如可列舉雙酚A二氰酸酯、聚酚氰酸酯(寡(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂、酚系酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、從含有雙環戊二烯構造之酚樹脂等所衍生之多官能氰酸酯樹脂、此等氰酸酯樹脂一部份經三嗪化之預聚物等。此等可1種或組合2種以上使用。作為市售之氰酸酯樹脂，可列舉下式(2)所表示之酚系酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂(Lonza Japan(股)製，PT30、氰酸酯當量124)、下式(3)所表示之雙酚A二氰酸酯之一部份或全部變成經三嗪化之三聚物的預聚物(Lonza Japan(股)製，BA230、氰酸酯當量232)、下式(4)所表示之含有雙環戊二烯構造之氰酸酯樹脂(Lonza Japan(股)製、DT-4000、DT-7000)等。

〔式中，n表示作為平均值之任意數(較佳為0~20)〕

(式中，n表示作為平均值之0~5數)

作為酸酐系硬化劑，並未有特別限定，可列舉苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、甲基四氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、甲基納迪克酸(Methyl Nadic acid)酸酐、氫化甲基納迪克酸酸酐、三 烷基四氫苯二甲酸酐、十二烯基琥珀酸酐、5-(2,5-二側氧基四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、苯偏三酸酐、苯均四酸酐、二苯甲酮四羧酸二酐、二苯基四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、氧基二苯二甲酸二酐、3,3’-4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘基〔1,2-C〕呋喃-1,3-二酮、乙二醇雙(苯偏三酸酐)、苯乙烯與馬來酸經共聚合之苯乙烯．馬來酸樹脂等之聚合物型的酸酐等。

於本發明之樹脂組成物，從所謂提高樹脂組成物硬化物之機械強度或耐水性之觀點來看，(A)環氧樹脂環氧基之合計數目與(B)硬化劑反應基之合計數目的比以1：0.2~1：2為佳，以1：0.3~1：1.5更佳，以1：0.4~1：1特佳。尚且，所謂存在於樹脂組成物中之環氧樹脂的環氧基合計數目，係將各環氧樹脂之固體含量質量除以環氧基當量之值就全部環氧樹脂予以合計之值，所謂硬化劑反應基之合計數目，係將各硬化劑之固體含量質量除以反應基當量之值就全部硬化劑予以合計之值。

於本發明之樹脂組成物，從提高所謂樹脂組成物之硬化物的機械強度或耐水性之觀點來看，將樹脂組成物中之非揮發成分作為100質量%時，硬化劑含量以3~30質量%為佳，以5~25質量%更佳，以7~20質量%特佳。

<(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材>

作為使用於本發明之無機填充材，並未有特別限制，例如可列舉二氧化矽、氧化鋁、硫酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣等。其中以二氧化矽為佳。又，以無定形二氧化矽、粉碎二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等之二氧化矽為佳，以熔融二氧化矽更佳。又，作為二氧化矽以球狀者為佳。此等可1種或組合2種以上使用。作為市售之球狀熔融二氧化矽，可列舉(股)Admatechs製「SOC2」、「SOC1」。

無機填充材之平均粒徑，並未特別限定，從對絕緣層上進行微細接線形成之觀點來看，以5μm以下為佳，以3μm以下較佳，以1μm以下更佳，以0.7μm以下又更佳，以0.5μm以下又再更佳，以0.4μm以下特佳，以0.3μm以下特別佳。另一方面，將環氧樹脂組成物作為樹脂清漆時，從所謂防止清漆之黏度上升、操作性降低之觀點來看，無機填充材之平均粒徑，以0.01μm以上為佳，以0.03μm以上較佳，以0.05μm以上更佳，以0.07μm以上又更佳，以0.1μm以上特佳。上述無機填充材之平均粒徑係基於米氏(Mie)散射理論可由雷射衍射．散射法測定。具體而言係由雷射衍射式粒度分布測定裝置，將無機填充材之粒度分布以體積基準作成，可將其中位徑以平均粒徑測定。測定試料，可使用以將無機填充 材由超音波分散於水中者為佳。作為雷射衍射式粒度分布測定裝置，可使用(股)堀場製作所製LA-500、750、950等。

作為用以表面處理無機填充材之環氧樹脂，並未特別限制，從可均勻表面處理之觀點，以液狀環氧樹脂為佳。作為液狀環氧樹脂，以25℃之黏度為0.01~50Pa．s為佳，以0.05~35Pa．s更佳。黏度之測定，使用E型黏度計(東機產業(股)公司製RE-80)，於調整至25℃之裝置內，使用注射器使該液狀環氧樹脂計量約為0.2ml，可以設定為5~20rpm旋轉數測定。又，從得到無機填充材與高反應率之觀點，以多官能環氧樹脂為佳，以環氧當量為50~300之多官能環氧樹脂更佳。於此所謂「多官能環氧樹脂」，係指於1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂。又，所謂環氧當量(g/eq)，係指將平均分子量除以每1分子之環氧基數的值。作為該環氧樹脂，具體而言，可列舉萘型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、甘油型環氧樹脂、p-胺苯酚型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂、環氧丙基甲基丙烯酸酯樹脂、環氧丙基丙烯酸酯樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、聯苯基二甲醇型環氧樹脂、苯二甲醇型環氧樹脂、丙二醇型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、具有脂環式環氧基之甲基丙烯酸酯、具有甲基環氧丙基之甲基丙烯酸酯等。其中，以由萘型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、甘油型環氧樹脂及p-胺苯酚型環氧樹脂所構成之群 選出一種以上為佳。

作為以環氧樹脂表面處理無機填充材之方法，可列舉將無機填充材投入攪拌機，一邊噴霧環氧樹脂，一邊攪拌無機填充材5~30分鐘之方法。此時，為了易於噴霧環氧樹脂，可調整溶解於有機溶劑之黏度。又，從有效率地進行表面處理這點來看，於該環氧樹脂進行表面處理之際的平均溫度以20℃以上為佳，以25℃以上更佳，以30℃以上又更佳，以35℃以上又再更佳，以40℃以上特佳，以45℃以上特別佳。另一方面，從防止該環氧樹脂劣化這點來看，於該環氧樹脂進行表面處理之際的平均溫度以100℃以下為佳，以95℃以下更佳，以90℃以下又更佳。又，從使其充分進行表面處理之觀點，表面處理時的最高到達溫度以50℃以上為佳，以55℃以上更佳，以60℃以上又更佳，以65度以上又再更佳，以70℃以上特佳。另一方面，從防止該環氧樹脂劣化這點來看，於該環氧樹脂進行表面處理之際的最高到達溫度以150℃以下為佳，以140℃以下更佳，以130℃以下又更佳，120℃以下又再更佳，以110℃以下特佳，以105℃以下特別佳。作為攪拌機，可列舉旋轉混合機、滾筒混合機、搖擺式混合機、振動流化床、粉體乾燥機等，以簡便可行這點來看以旋轉混合機為佳。作為旋轉混合機可列舉亨舍爾型混粉機。

該環氧樹脂之含量，從提高樹脂清漆之分散性、提高無機填充材之被覆率觀點來看，相對於無機填充 材100質量%以0.05質量%以上表面處理為佳，以0.1質量%以上更佳，以0.15質量%以上又更佳，以0.2質量%以上又再更佳，以0.25質量%以上特佳，以0.3質量%以上特別佳。又，從抑制黏度上昇有效率地表面處理之觀點來看，以3質量%以下表面處理為佳，以2.8質量%以下更佳，以2.6質量%以下又更佳，以2.4質量%以下又再更佳，以2.2質量%以下特佳，以2質量%以下特別佳。

(C)摻合經以環氧樹脂表面處理之無機填充材時的含量，將樹脂組成物中之非揮發成分作為100質量%時，從使硬化物之熱膨張率降低之觀點來看，以20質量%以上為佳，以30質量%以上更佳，以40質量%以上又更佳，以50質量%以上又再更佳。又，從提高硬化物之機械特性的觀點來看，以85質量%以下為佳，以80質量%以下更佳，以75質量%以下又更佳，以70質量%以下又再更佳。

無機填充材，從提高樹脂清漆之分散性、減低算術平均粗糙度、減低均方根粗糙度的觀點來看，以使用預先以矽氮烷化合物表面處理之無機填充材為佳。在以矽氮烷化合物表面處理之後，藉由以環氧樹脂表面處理，以提高分散性、提高與導體層之親和性這點變為有利。作為矽氮烷化合物，可列舉六甲基二矽氮烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氮烷、八甲基三矽氧烷、六(t-丁基)二矽氮烷、六丁基二矽氮烷、六辛基二矽氮烷、1,3-二乙基四甲基二矽氮烷、1,3-二-n-辛基四甲基二矽氮烷、1,3- 二苯基四甲基二矽氮烷、1,3-二甲基四苯基二矽氮烷、1,3-二乙基四甲基二矽氮烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-二甲基二矽氮烷、1,3-二丙基四甲基二矽氮烷、六甲基環三矽氮烷、六苯基二矽氮烷、二甲基胺基三甲基矽氮烷、三矽氮烷、環三矽氮烷、1,1,3,3,5,5-六甲基環三矽氮烷等，尤其是以六甲基二矽氮烷為佳。可組合此等1種或2種以上使用。作為以六甲基二矽氮烷表面處理之球狀熔融二氧化矽，可列舉(股)Admatechs製「SC 2050-SQ」。

矽氮烷化合物之處理量，從提高分散性的觀點來看，相對於無機填充材100質量%以由0.001~0.3質量%表面處理為佳，以0.005~0.2質量%更佳，以0.01~0.1質量%又更佳，以0.02~0.04質量%又再更佳。

(C)將經以環氧樹脂表面處理之無機填充材，從提高疏水性、藉由與未反應之矽烷醇基反應進一步提高分散性的觀點來看，以選擇由矽烷偶合劑、烷氧基矽烷、烷氧基寡聚物、鋁系偶合劑、鈦系偶合劑及鋯系偶合劑所構成之群1種以上表面處理為佳。此表面處理，可對(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材直接表面處理，亦可添加於樹脂清漆之中。

作為矽烷偶合劑，可使用環氧矽烷系偶合劑、胺基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑等。此等可1種或組合2種以上使用。具體而言，可列舉環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、環氧丙基丁基三甲氧基矽 烷、(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等之環氧矽烷系偶合劑、胺丙基甲氧基矽烷、胺丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-2(胺乙基)胺丙基三甲氧基矽烷等之胺基矽烷系偶合劑、巰基丙基三甲氧基矽烷、巰基丙基三乙氧基矽烷等之巰基矽烷系偶合劑。

作為烷氧基矽烷，可使用甲基三甲氧基矽烷、十八基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、甲丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三嗪矽烷等。此等可1種或組合2種以上使用。

烷氧基寡聚物，係指具有合併有機基與烷氧基甲矽烷基之低分子樹脂，可列舉含有甲基之烷氧基寡聚物、含有苯基之烷氧基寡聚物、含有甲基/苯基之烷氧基寡聚物、含有環氧基之烷氧基寡聚物、含有巰基之烷氧基寡聚物、含有胺基之烷氧基寡聚物、含有丙烯酸基之烷氧基寡聚物、含有甲基丙烯酸基之烷氧基寡聚物、含有脲基之烷氧基寡聚物、含有異氰酸酯基之烷氧基寡聚物、含有乙烯基之烷氧基寡聚物等。此等可1種或組合2種以上使用。具體而言，烷氧基寡聚物可以下述一般式(5)之構造表示。

式(5)中，R1、R2、R3各自獨立為碳數1 ~10之直鏈或分支鏈的烷基，較佳為碳數1~5之直鏈或分支鏈的烷基，更佳為碳數1~4之直鏈或分支鏈，又更佳為甲基、乙基、丙基，又再更佳為甲基、乙基。式(5)中，X可列舉低級烷基、環氧丙氧基烷基、胺烷基、巰基烷基、丙烯醯氧基烷基、甲基丙烯醯氧基烷基、脲烷基、異氰酸酯烷基、乙烯烷基，以環氧丙氧基丙基、胺丙基、N-2-(胺基乙基)-3-胺丙基、N-苯基-3-胺丙基、甲基丙烯醯氧基丙基、丙烯醯氧基丙基、巰基丙基、脲丙基、異氰酸酯丙基為佳，以環氧丙氧基丙基、胺丙基、N-2-(胺基乙基)-3-胺丙基、N-苯基-3-胺丙基、巰基丙基較佳，以胺丙基、N-2-(胺基乙基)-3-胺丙基、N-苯基-3-胺丙基更佳。式(5)中，n為2~10之整數，較佳為2~8之整數，更佳為2~6之整數，又更佳為3~5之整數。

作為鋁系偶合劑，可列舉鋁異丙酸酯、單第二丁氧基鋁二異丙酸酯、鋁第二丁酸酯、鋁乙醇酯、乙基乙醯乙酸酯鋁二異丙酸酯、鋁參(乙基乙醯乙酸酯)、烷基乙醯乙酸酯鋁二異丙酸酯、鋁單乙醯丙酮酸酯雙(乙基乙醯乙酸酯)、鋁參(乙醯丙酮酸酯)、氧化環狀鋁異丙酸酯、氧化環狀鋁異丙酸酯、氧化環狀鋁硬脂酸、氧化環狀鋁辛酸酯、氧化環狀鋁硬脂酸等。此等可1種或組合2種以上使用。

作為鈦系偶合劑，可列舉丁基鈦酸酯二聚物、鈦辛烯甘醇酸酯、二異丙氧基鈦雙(三乙醇胺根 (triethanolaminato))、二羥基鈦雙乳酸酯、二羥基雙(銨乳酸酯)鈦、雙(二辛基焦磷酸酯)伸乙基鈦酸酯、雙(二辛基焦磷酸酯)氧基乙酸酯鈦酸酯、三-n-丁氧基鈦單硬脂酸、四-n-丁基鈦酸酯、四(2-乙基己基)鈦酸酯、四異丙基雙(二辛基亞磷酸酯)鈦酸酯、四辛基雙(雙十三烷基亞磷酸酯)鈦酸酯、四(2,2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)雙(雙十三烷基)亞磷酸酯鈦酸酯、異丙基三辛醯基鈦酸酯、異丙基三異丙苯基苯基鈦酸酯、異丙基三異硬脂基 鈦酸酯、異丙基異硬脂基二丙烯醯基鈦酸酯、異丙基二甲基丙烯醯基異硬脂基 鈦酸酯、異丙基三(二辛基磷酸酯)鈦酸酯、異丙基參十二烷基苯磺醯基鈦酸酯、異丙基參(二辛基焦磷酸酯)鈦酸酯、異丙基三(N-醯胺乙基．胺基乙基)鈦酸酯等。此等可1種或組合2種以上使用。

作為鋯系偶合劑，可列舉鋯IV(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯(Propenoate methyl))丁酸酯，參新癸酸酯(Neodecanoate))、鋯IV(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，參(十二烷基苄基磺酸酯))、鋯IV(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，參(二辛基)磷酸酯)、鋯IV(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，參2-甲基2-丙烯酸甲酯)、鋯IV-雙(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，雙對胺基苯甲酸酯)、鋯IV(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，參(二異辛基)焦磷酸酯)、鋯IV(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，參2-丙烯酸酯(Propenoate))、鋯IV (2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，參(2-伸乙基二胺基)乙醇酯)、鋯IV，雙(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，雙(3-巰基丙酸酯(Propanoate)))、鋯IV(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，參(2-胺基)苯醚(phenylate))、鋯IV(2,2-雙(2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，參(二異辛基)焦磷酸酯)，N-取代甲基丙烯醯基醯胺加成物、鋯IV(2-乙基,2-丙烯酸甲酯)-1,3-丙烷二辛酯(propane Dioctylate)，環二2,2-(雙-2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，對磷酸酯)、鋯IV(肆-2,2-(雙-2-丙烯酸甲酯)丁酸酯，雙十三烷基氫亞磷酸酯2莫耳加成物等。此等可1種或組合2種以上使用。

將本發明之樹脂組成物經硬化形成絕緣層，粗糙化處理其絕緣層表面，經鍍敷所得到之導體層與絕緣層之剝離強度，由後述<鍍敷導體層之剝離強度(Peel Strength)測定>所記載之測定方法可以掌握。

剝離強度，以0.8kgf/cm以下為佳，以0.9kgf/cm以下更佳，以1.0kgf/cm以下又更佳，以1.5kgf/cm以下又再更佳。又，剝離強度以0.4kgf/cm以上為佳，0.5kgf/cm以上更佳。

將本發明之樹脂組成物硬化而形成絕緣層，將該絕緣層表面經粗糙化處理後之算術平均粗糙度(Ra值)、均方根粗糙度(Rq值)，由後述<粗糙化後之算術平均粗糙度(Ra值)、均方根粗糙度(Rq值)之測定>所記載之測定方法可以掌握。

算術平均粗糙度(Ra值)，為了減輕電氣信號之傳輸損耗，以330nm以下為佳，以300nm以下更佳，以250nm以下又更佳，以220nm以下又再更佳，以200nm以下進而又再更佳，以180nm以下特佳。另一方面、算術平均粗糙度(Ra值)，從提高剝離強度之觀點來看，以10nm以上為佳，以20nm以上更佳，以30nm以上又更佳，以40nm以上又再更佳，50nm以上為又進而再更佳。

均方根粗糙度(Rq值)，為了反應絕緣層表面之局部狀態，已發現可確認由Rq值而成為細緻平滑之絕緣層表面。Rq值，為了成為平滑之絕緣層表面，以480nm以下為佳，460nm以下更佳，以440nm以下又更佳，以420nm以下又再更佳，以400nm以下進而又再更佳，以380nm以下特佳，以360nm以下進而再特佳，以340nm以下為最佳。另一方面，均方根粗糙度(Rq值)，從提高剝離強度之觀點來看，以10nm以上為佳，30nm以上更佳，以50nm以上又更佳，以70nm以上又再更佳，以90nm以上進而又再更佳。

本發明樹脂組成物之硬化物的延伸，由後述<延伸之測定>所記載之測定方法可以掌握。藉由提高延伸可提高硬化物之操作性，從可防止裂紋或裂縫的觀點來看，以2.4%以上為佳，以2.6%以上更佳，以2.8%以上又更佳，以3.0%以上又再更佳。另一方面，從降低硬化物之熱膨張率的觀點來看，以5%以下為佳，以4%以下 更佳。

本發明之接著膜之樹脂組成物層的最低熔融黏度，由後述<最低熔融黏度之測定>所記載之測定方法可以掌握。從提高接著膜之層合性、提高嵌入性、抑制滲出的觀點來看，以500~14000poise為佳，以1000~13000poise更佳，以2000~12000poise又更佳，以3000~11000poise又再更佳，以4000~10000poise特佳。

<(D)硬化促進劑>

由本發明之樹脂組成物，進一步藉由使其含有硬化促進劑，可有效率地將環氧樹脂與硬化劑硬化。作為硬化促進劑，並未有特別限制，可列舉胺系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、鏻系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等。此等可1種或組合2種以上使用。

作為胺系硬化促進劑，並未有特別限定，可列舉三乙基胺、三丁基胺等之三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6,-參(二甲基胺基甲基)酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯(以下，簡稱為DBU)等。此等可1種或組合2種以上使用。

作為胍系硬化促進劑，並未有特別限定，可列舉雙氰胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環〔4.4.0〕十-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環〔4.4.0〕十-5-烯、1-甲基 雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等。此等可1種或組合2種以上使用。

作為咪唑系硬化促進劑，並未有特別限定，可列舉2-甲基咪唑、2-十一基咪唑、2-十七基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一基咪唑鎓(Imidazolium)偏苯三甲酸酯、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸酯、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-〔2’-十一基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-〔2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5 羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯〔1,2-a〕苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物。此等可1種或組合2種以上使用。

作為鏻系硬化促進劑，並未有特別限定，可列舉三苯基膦、鏻硼酸酯化合物、四苯基鏻四苯基硼酸 酯、n-丁基鏻四苯基硼酸酯、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸酯、四苯基鏻硫氰酸酯、丁基三苯基鏻硫氰酸酯等。此等可1種或組合2種以上使用。

在本發明之樹脂組成物，硬化促進劑(金屬系硬化促進劑除外)之含量，將樹脂組成物中之非揮發成分作為100質量%時，以0.005~1質量%之範圍為佳，以0.01~0.5質量%之範圍更佳。未滿0.005質量%時，有硬化變遲熱硬化時間變長成為必要之傾向，超過1質量%時有樹脂組成物之保存安定性降低之傾向。

作為金屬系硬化促進劑，並未有特別限定，可列舉鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬的有機金屬錯合物或有機金屬鹽。作為有機金屬錯合物之具體例，可列舉鈷(II)乙醯丙酮酸鹽、鈷(III)乙醯丙酮酸鹽等之有機鈷錯合物、銅(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機銅錯合物、鋅(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機鋅錯合物、鐵(III)乙醯丙酮酸鹽等之有機鐵錯合物、鎳(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機鎳錯合物、錳(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機錳錯合物等。作為有機金屬鹽之具體例，可列舉辛基酸鋅、辛基酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。此等可1種或組合2種以上使用。

在本發明之樹脂組成物，金屬系硬化促進劑之添加量，將樹脂組成物中之非揮發成分作為100質量%時，基於金屬系硬化觸媒金屬之含量以25~500ppm之範圍為佳，以40~200ppm之範圍更佳。未滿25ppm時，有 對形成低算術平均粗糙度之絕緣層表面的附著力優異導體層變為困難之傾向，超過500ppm時，有變為降低樹脂組成物之保存安定性、絕緣性之傾向。

<(E)熱可塑性樹脂>

在本發明之樹脂組成物，進一步可由使其含有(E)熱可塑性樹脂提高硬化物之機械強度，進而亦可提高以接著膜之形態使用時之膜成型能。作為如此之熱可塑性樹脂，例如可列舉苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚伸苯基醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂。此等之熱可塑性樹脂可1種或2種以上組合使用。從提高膜成型能或機械強度、提高樹脂清漆之相溶性的點來看，熱可塑性樹脂之重量平均分子量以5000~200000之範圍為佳。尚且於本發明之重量平均分子量，以透膠層析術(GPC)法(以聚苯乙烯換算)測定。由GPC法之重量平均分子量，具體而言，作為測定裝置使用(股)島津製作所製LC-9A/RID-6A、作為管柱使用之昭和電工(股)公司製Shodex K-800P/K-804L/K-804L、作為移動相使用氯仿等，在管柱溫度40℃測定，可使用標準聚苯乙烯之檢量線算出。

於本發明之樹脂組成物，摻合(E)熱可塑性樹脂時，樹脂組成物中之熱可塑性樹脂含量，並未有特別限定，相對於樹脂組成物中之非揮發成分為100質量%， 以0.1~10質量%為佳，以1~5質量%更佳。熱可塑性樹脂之含量過少時，有無法發揮提高膜成型能或機械強度之效果的傾向，過多時有熔融黏度上升與濕式粗糙化步驟後之絕緣層表面的算術平均粗糙度增加的傾向。

<(F)橡膠粒子>

本發明之樹脂組成物，進而藉由使其含有(F)橡膠粒子，可提高鍍敷剝離強度、提高穿孔加工性、降低介電正切，亦可得到應力緩和效果。在本發明所使用而得到之橡膠粒子，例如使用於調製該樹脂組成物清漆之際的有機溶劑亦無法溶解，為必須成分之氰酸酯樹脂或環氧樹脂等亦不相溶者。因此，該橡膠粒子，係於本發明之樹脂組成物的清漆中以分散狀態存在。如此之橡膠粒子，一般而言係將橡膠成分之分子量增大到無法溶解於有機溶劑或樹脂之水準為止，調製成粒子狀。

作為在本發明所使用而得到之橡膠粒子較佳的例子，可列舉核殼型橡膠粒子、交聯丙烯腈丁二烯橡膠粒子、交聯苯乙烯丁二烯橡膠粒子、丙烯醯基橡膠粒子等。核殼型橡膠粒子，係具有心層與殼層之橡膠粒子，例如，可列舉外層之殼層係以玻璃狀聚合物所構成，內層之心層係以橡膠狀聚合物所構成之2層構造、或外層之殼層係以玻璃狀聚合物所構成，中間層係以橡膠狀聚合物所構成，心層係以玻璃狀聚合物所構成之3層構造者等。玻璃狀聚合物層，例如，以甲基丙烯酸甲酯之聚合物等所構 成，橡膠狀聚合物層，例如，以丙烯酸丁酯聚合物(丁基橡膠)等所構成。橡膠粒子亦可組合2種以上使用。

作為核殼型橡膠粒子之具體例，可列舉STAPHYLOID AC 3832、AC 3816N、IM-401改1、IM-401改7-17(商品名，甘茲化成(股)製)、METABLEN KW-4426(商品名，三菱麗陽(股)製)。作為交聯丙烯腈丁二烯橡膠(NBR)粒子之具體例，可列舉XER-91(平均粒徑0.5μm，JSR(股)製)等。作為交聯苯乙烯丁二烯橡膠(SBR)粒子之具體例，可列舉XSK-500(平均粒徑0.5μm，JSR(股)製)等。作為丙烯醯基橡膠粒子之具體例，可列舉METABLEN W300A(平均粒徑0.1μm)、W450A(平均粒徑0.2μm)(三菱麗陽(股)製)。

橡膠粒子之平均粒徑，較佳為0.005~1μm之範圍，更佳為0.2~0.6μm之範圍。於本發明所使用之橡膠粒子的平均粒徑，可使用動態光散射法測定。例如，於適當有機溶劑使橡膠粒子由超音波等均勻地分散，使用濃厚系粒徑分析儀(FPAR-1000；大塚電子(股)製)，將橡膠粒子之粒度分布以質量基準作成，可將該中位徑作為平均粒徑測定。

橡膠粒子之含量，相對於樹脂組成物中之非揮發成分為100質量%，較佳為1~10質量%，更佳為2~5質量%。

<(G)難燃劑>

本發明之樹脂組成物，進而由使其含有(G)難燃劑，可賦予阻燃性。作為難燃劑，例如可列舉有機磷系難燃劑、含有機系氮之磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。作為有機磷系難燃劑，可列舉三光(股)製之HCA、HCA-HQ、HCA-NQ等之菲型磷化合物、昭和高分子(股)製之HFB-2006M等之含有磷之苯并惡嗪化合物、味之素Fine-Techno(股)製之REOFOS30、50、65、90、110、TPP、RPD、BAPP、CPD、TCP、TXP、TBP、TOP、KP140、TIBP、北興化學工業(股)製之TPPO、PPQ、Clariant(股)製之OP930、大八化學(股)製之PX200等之磷酸酯化合物、東都化成(股)製之FX289、FX305、TX0712等之含磷環氧樹脂、東都化成(股)製之ERF001等之含磷苯氧基樹脂、日本環氧樹脂(股)製之YL7613等之含磷環氧樹脂等。作為含有有機系氮之磷化合物之具體例，可列舉四國化成工業(股)製之SP670、SP703等之磷酸酯醯胺化合物、大塚化學(股)公司製之SPB100、SPE100、(股)伏見製藥所製FP-series等之偶磷氮化合物等。作為金屬氫氧化物之具體例，可列舉宇部材料(股)製之UD65、UD650、UD653等之氫氧化鎂、巴工業(股)公司製之B-30、B-325、B-315、B-308、B-303、UFH-20等之氫氧化鋁等。

難燃劑之含量，將樹脂組成物中之非揮發成 分作為100質量%時，以0.1~10質量%範圍為佳，以0.5~8質量%範圍更佳，以1~6質量%範圍再更佳。

<其他成分>

在本發明之樹脂組成物，以不阻礙本發明效果的範圍，如有必要可摻合其他成分。作為其他成分，可列舉如乙烯基苄基化合物、丙烯醯基化合物、馬來醯亞胺化合物、嵌段異氰酸酯化合物之熱硬化性樹脂、矽粉、耐隆粉、氟粉等之有機填充劑、Orben、本頓(Benton)等之增黏劑、聚矽氧系、氟系、高分子系之消泡劑或整平劑、咪唑系、噻唑系、三唑系、矽烷系偶合劑等之附著力賦予劑、酞菁．藍、酞菁．綠、碘．綠(iodine green)、雙偶氮黃、碳黑等之著色劑等。

本發明之樹脂組成物的調製方法，並未特別限制，例如，可列舉因應需要將摻合成分添加溶劑等、使用旋轉混合機等之混合方法等。

本發明之樹脂組成物的用途，並未有特別限制，可使用於接著膜、預浸物等之薄片狀層合材料、配線板(層合板、多層印刷配線板等)、焊料抗蝕、下填材、晶片接合材、半導體密封材料、填充樹脂、部件嵌入樹脂等以樹脂組成物作為必要用途的廣泛範圍上。其中，在多層印刷配線板之製造，可適合作為用以形成絕緣層之樹脂組成物使用，可更適合作為由鍍敷用以形成導體層之樹脂組成物使用。本發明之樹脂組成物，雖可以清漆狀態塗佈 於配線板形成絕緣層，然而工業上一般以使用接著膜、預浸物等之薄片狀層合材料的形態為佳。從樹脂組成物之軟化點，薄片狀層合材料之層合性觀點來看以40~150℃為佳。

<接著膜>

本發明之接著膜，於該領域具有通常知識者以公知方法，例如，經溶解樹脂組成物於有機溶劑而調製樹脂清漆，此樹脂清漆可由使用模塗佈機等，塗佈於支持體，進而加熱、或吹熱風等使有機溶劑乾燥形成樹脂組成物層而製造。藉由此可使樹脂組成物於支撐體上製造經形成之作為樹脂組成物層的接著膜。

作為有機溶劑，例如可列舉丙酮、甲基乙基酮、環己酮等之酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類、溶纖劑、丁基卡必醇等之卡必醇類、甲苯、二甲苯等之芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑亦可組合2種以上使用。

乾燥條件並未有特別限制，使對樹脂組成物層之有機溶劑含量變為10質量%以下，較佳係變為5質量%以下乾燥。清漆中之有機溶劑量，因有機溶劑之沸點而有所不同，例如藉由含有30~60質量%之有機溶劑的清漆於50~150℃下乾燥3~10分鐘左右，可使樹脂組成物於支持體上形成經形成之層的接著膜。

在接著膜經形成之樹脂組成物層的厚度，以導體層之厚度以上為佳。因為具有配線板之導體層的厚度通常於5~70μm之範圍，樹脂組成物層以具有10~100μm之厚度為佳，以具有20~80μm之厚度更佳。

作為支持體，可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯等聚烯烴之膜、聚對苯二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯之膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜等之各種塑膠膜。又亦可使用脫模紙或銅箔、鋁箔等之金屬箔等。於支持體及後述之保護膜，亦可實施中位數絕對誤差處理、電暈處理等之表面處理。又，亦可實施以聚矽氧樹脂系脫模劑、醇酸樹脂系脫模劑、氟樹脂系脫模劑等之脫模劑作脫模處理。

支持體之厚度並未有特別限制，以10~150μm為佳，以25~50μm更佳。

於樹脂組成物層之支持體未密著的面上，可將根據支持體的保護膜進一步層合。保護膜之厚度，並未有特別限定，例如為1~40μm。藉由層合保護膜，可防止對樹脂組成物層之表面塵埃等的附著或傷痕。接著薄膜亦可捲繞成卷狀儲存。

<使用接著薄膜之多層印刷配線板>

接著，說明使用如上述所製造之接著薄膜製造多層印刷配線板方法之一例。

首先，將接著薄膜使用真空層合機層合於配 線板之單面或雙面上。作為用於配線板之基板，例如可列舉玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯基醚基板等。尚且，於此所謂配線板，係指已形成於如上述之基板之單面或雙面經圖型加工之導體層(電路)。又在將導體層與絕緣層成相互層合之多層印刷配線板，該多層印刷配線板之最外層的單面或雙面成為經圖型加工之導體層(電路)，亦包含於此之配線板。尚且於導體層表面，亦可由黑化處理、銅蝕刻等實施預先粗糙化處理。

於上述層合，接著薄膜具有保護膜時去除該保護膜之後，如有必要預熱接著薄膜及配線板，將接著薄膜一邊加壓及加熱一邊壓接於配線板。在本發明之接著薄膜，適合使用由真空層合法於減壓下層合於配線板之方法。層合之條件，並未有特別限定，例如，壓接溫度(層合溫度)較佳為70~140℃，壓接壓力較佳為1~11kgf/cm²(9.8×10⁴~107.9×10⁴N/m²)，空氣壓於20mmHg(26.7hPa)以下之減壓下層合為佳。又，層合之方法，可為批式亦可為以輥之連續式。真空層合，可使用市售之真空層合機進行。作為市售之真空層合機，例如可列舉日合．莫頓(股)製真空施加器、(股)名機製作所製真空加壓式層合機、(股)日立Industries製輥式乾燥塗佈機、日立A-I-C(股)製真空層合機等。

又，減壓下進行加熱及加壓之層合步驟，亦可使用一般之真空熱壓機進行。例如可由將經加熱之SUS 板等之金屬板從支持體層側加壓進行。加壓條件，將減壓程度減壓至通常為1×10^-2MPa以下，較佳為1×10^-3MPa以下。加熱及加壓，雖亦可以1階段進行，但從控制樹脂滲出的觀點來看，以分成2階段以上之條件進行為佳。例如，將第一階段之加壓，以溫度為70~150℃、壓力為1~15kgf/cm²之範圍；第二階段之加壓，以溫度為150~200℃、壓力為1~40kgf/cm²之範圍進行為佳。各階段之時間以30~120分鐘進行為佳。作為市售之真空熱壓機，例如可列舉MNPC-V-750-5-200(股)名機製作所製)、VH1-1603(北川精機(股)製)等。

將接著薄膜層合於配線板之後，冷卻至室溫附近後，剝離支持體時剝離，藉由熱硬化可形成絕緣層於配線板。熱硬化之條件，配合樹脂組成物中樹脂成分之種類、含量等適當選擇即可，選擇較佳為於150℃~220℃下20分鐘~180分鐘，更佳為於160℃~210℃下30~120分鐘之範圍。

形成絕緣層之後，於硬化前未剝離支持體時，於此剝離。接著因應需要，於配線板上所形成之絕緣層進行鑽孔形成介層孔(via hole)、通孔。鑽孔，例如由穿孔、雷射、電漿等公知之方法，又因應需要雖可組合此等之方法進行，但以碳酸氣體雷射、YAG雷射等之雷射鑽孔為最一般之方法。

其次，由乾式鍍敷或濕式鍍敷形成導體層於絕緣層上。作為乾式鍍敷，可使用蒸鍍、濺鍍、離子鍍等 之眾知之方法。濕式鍍敷時，藉由將絕緣層表面由膨潤液之膨潤處理、由氧化劑之粗糙化處理及由中和液之中和處理以此順序進行形成凸凹之固定錨。由膨潤液之膨潤處理，以絕緣層於50~80℃下浸漬於膨潤液5~20分鐘進行，較佳為55~65℃下進行5~10分鐘。作為膨潤液可列舉鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，作為該鹼溶液，例如可列舉氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液等。作為市售之膨潤液，例如可列舉Atotech Japan(股)製之Swelling Dip．SecuriganthP(Swelling Dip Securiganth P)、Swelling Dip．Securiganth SBU(Swelling Dip Securiganth SBU)等。由氧化劑之粗糙化處理，以絕緣層於60℃~80℃下浸漬於氧化劑溶液10分鐘~30分鐘進行，較佳為於70~80℃下進行10~20分鐘。作為氧化劑，例如可列舉於氫氧化鈉水溶液之經溶解過錳酸鉀或過錳酸鈉之鹼性過錳酸溶液、重鉻酸鹽、臭氧、過氧化氫/硫酸、硝酸等。又，在鹼性過錳酸溶液中過錳酸鹽之濃度以5~10重量%為佳。作為市售之氧化劑，例如可列舉Atotech Japan(股)製之Concentrate．Compact CP、Dosing Solution．SecuriganthP等之鹼性過錳酸溶液。由中和液之中和處理，以於30~50℃下浸漬於中和液3~10分鐘進行，較佳為於35~45℃下進行3~8分鐘。作為中和液，以酸性水溶液為佳，作為市售品，可列舉Atotech Japan(股)製之Reduction solution．SecuriganthP。

其次，組合無電解鍍敷與電解鍍敷形成導體 層。又所謂導體層係形成逆圖型之鍍敷抗蝕，僅以無電解鍍敷亦可形成導體層。作為其後之圖型形成方法，例如可使用於該領域具有通常知識者所眾知的減法、半添加法等。

<預浸物>

本發明之預浸物，將本發明之樹脂組成物由熱熔法或溶劑法浸漬於薄片狀補強基材，可由加熱使其半硬化製造。亦即，本發明之樹脂組成物可作為浸漬於薄片狀補強基材之預浸物。作為薄片狀補強基材，例如可使用由作為玻璃布或醯胺纖維等之預浸物用纖維所常用之纖維所構成者。

熱熔法，不是將樹脂溶解於有機溶劑，而是一旦塗佈於與該樹脂之剝離性良好之塗佈紙，將其層合於薄片狀補強基材，或並非將樹脂溶解於有機溶劑，而是由模塗佈機直接塗佈於薄片狀補強基材等，係製造預浸物之方法。又溶劑法，與接著薄膜同樣將樹脂溶解於有機溶劑調製樹脂清漆，浸漬薄片狀補強基材於此清漆，將樹脂清漆浸漬於薄片狀補強基材，之後使其乾燥之方法。

<使用預浸物之多層印刷配線板>

其次，說明製造如上述使用所製造之預浸物的多層印刷配線板之方法的一例。將本發明之預浸物1片或因應需要重疊數片於配線板，透過脫模膜以金屬板挾住，於加壓 ．加熱條件下真空加壓層合。加壓．加熱條件，較佳為於壓力5~40kgf/cm²(49×10⁴~392×10⁴N/m²)、溫度120~200℃下20~100分鐘。又與接著薄膜相同，將預浸物由真空層合法層合於配線板之後，亦可加熱硬化。然後以與上述所記載之方法相同，將經硬化之預浸物表面粗糙化之後，可製造將導體層由鍍敷形成的多層印刷配線板。

<半導體裝置>

以使用本發明之多層印刷配線板可製造半導體裝置。於本發明之多層印刷配線板的導通處，藉由安裝半導體晶片可製造半導體裝置。所謂「導通處」，係指「在多層印刷配線板傳遞電氣信號之處」，該處即使是表面，或是嵌入處都沒關係。又，半導體晶片只要是將半導體作為材料之電氣電路元件就沒有特別限定。

製造本發明之半導體裝置之際半導體晶片的安裝方法，半導體晶片若能有效地行使功能，並未有特別限制、具體而言，可列舉由引線結合安裝方法、交換晶片安裝方法、無凸塊之堆積層(BBUL)的安裝方法、由異方性導電膜(ACF)之安裝方法、由非導電性膜(NCF)之安裝方法等。

所謂「由無凸塊之堆積層(BBUL)之安裝方法」，係指「將半導體晶片直接嵌入於多層印刷配線板之凹部，使半導體晶片與印刷配線板上之接線連接的安裝方法」，進而與以下之BBUL方法1)、BBUL方法2)之 安裝方法大為不同。

BBUL方法1)係使用底部填充劑將半導體晶片安裝於多層印刷配線板之凹部的安裝方法

BBUL方法2)係使用接著薄膜或預浸物將半導體晶片安裝於多層印刷配線板之凹部的安裝方法

BBUL方法1)，具體包含以下之步驟。

步驟1)設置從多層印刷配線板之雙面去除導體層者，藉由雷射、機械穿孔形成貫通孔。

步驟2)將接著膠帶貼附於多層印刷配線板之單面上，如將半導體晶片之底面固定於接著膠帶上並配置於貫通孔之中。此時之半導體晶片以比貫通孔之高度更低者為佳。

步驟3)將底部填充劑注入於貫通孔與半導體晶片之間隙，藉由填充將半導體晶片固定於貫通孔。

步驟4)然後剝離接著膠帶，使半導體晶片之底面露出。

步驟5)將本發明之接著薄膜或預浸物層合於半導體晶片之底面側，被覆半導體晶片。

步驟6)硬化接著薄膜或預浸物後，藉由雷射鑽孔，使於半導體晶片之底面的接合銲墊暴露，以進行上述所示之粗糙化處理、無電解鍍敷、電解鍍敷，與接線連接。如有必要亦可進一步層合接著薄膜或預浸物。

BBUL方法2)，具體包含以下之步驟。

步驟1)於多層印刷配線板雙面之導體層上形成光阻 膜，以光微影工法僅於光阻膜之單面形成開口部。

步驟2)將暴露於開口部之導體層由蝕刻液去除，使其暴露絕緣層，然後去除雙面之光阻膜。

步驟3)使用雷射或穿孔，將經暴露之絕緣層全部去除並進行鑽孔，而形成凹部。雷射之能量，可調整為以降低銅之雷射吸收率、提高絕緣層之雷射吸收率能量的雷射為佳，以碳酸氣體雷射更佳。藉由使用如此之雷射，雷射並非將導體層之開口部對面的導體層貫通，而是可僅去除絕緣層。

步驟4)將半導體晶片之底面面向開口部側配置於凹部，將本發明之接著薄膜或預浸物從開口部之一側層合被覆半導體晶片，嵌入半導體晶片與凹部之間隙。此時半導體晶片以比凹部之高度更低為佳。

步驟5)將接著薄膜或預浸物硬化後，藉由雷射鑽孔，使半導體晶片底面之接合銲墊暴露。

步驟6)藉由進行上述所示之粗糙化處理、無電解鍍敷、電解鍍敷，連接接線，如有必要進一步層合接著薄膜或預浸物。

即使於半導體晶片之安裝方法之中，從半導體裝置之小型化、傳送損失之減輕的觀點、或因為不使用焊接不採用其熱履歷於半導體晶片，進而從將來不發生焊接與樹脂之變形的觀點來看，以由無凸塊之堆積層(BBUL)的安裝方法為佳，以BBUL方法1)、BBUL方法2)較佳，其中以BBUL方法2)更佳。

[實施例]

以下，將本發明由實施例做具體說明，然而本發明並非被限定於此等之實施例者。

<測定方法．評價方法>

首先對各種測定方法．評價方法進行說明。

<剝離強度、算術平均粗糙度(Ra值)、均方根粗糙度(Rq值)測定用試料之調製>

(1)內層配線板之底塗處理

將經形成內層電路之玻璃布基材環氧樹脂雙面覆銅層合板(銅箔之厚度18μm、基板厚度0.3mm，松下電工(股)製R5715ES)的雙面蝕刻1um於MEC(股)製CZ8100進行銅表面之粗糙化處理。

(2)接著薄膜之層合

將於實施例1~7及比較例1~3所作成之接著薄膜，使用批式真空加壓層合機MVLP-500(名機(股)製商品名)，層合內層配線板之雙面。層合，係將經30秒減壓之氣壓降於13hPa以下，然後由以30秒、100℃、壓力0.74MPa加壓而進行。

(3)樹脂組成物之硬化

對於實施例1~6及比較例1~3，從經層合之接著薄膜剝離PET膜之後，以100℃、30分鐘，進而以180℃、30分鐘之硬化條件硬化樹脂組成物。對實施例7以相同條件使其熱硬化之後剝離PET膜。

(4)粗糙化處理

對於實施例1~6及比較例1~3，將形成絕緣層之內層配線板，於係膨潤液之Atotech Japan(股)的含有二乙二醇單丁基醚之Swelling Dip Securiganth P(二醇醚類、氫氧化鈉水溶液)60℃下浸漬5分鐘，接著作為粗糙化液，於Atotech Japan(股)之Concentrate．CompactP(KMnO4：60g/L、NaOH：40g/L之水溶液)以80℃浸漬15分鐘，最後作為中和液，於Atotech Japan(股)之Reduction Solution．Securiganth P(乙二醛、硫酸之水溶液)以40℃浸漬5分鐘。對實施例7以60℃下於膨潤液浸漬10分鐘，以80℃下於粗糙化液浸漬20分鐘，以40℃下於中和液浸漬5分鐘。然後以80℃乾燥30分鐘後，對此粗糙化處理後之絕緣層表面，進行算術平均粗糙度(Ra值)、均方根粗糙度(Rq值)之測定。

(5)由半添加工法之鍍敷

對於實施例1~6及比較例1~3，為了形成電路於絕緣層表面，將內層配線板於含有PdCl₂之無電解鍍敷用溶液以40℃浸漬5分鐘，接著於無電解銅鍍敷液以25℃浸 漬20分鐘。以150℃加熱30分鐘進行回火處理之後，形成蝕刻抗阻，由蝕刻形成圖型之後，進行硫酸銅電解鍍敷，以35±5μm之厚度形成導體層。其次，將回火處理於200℃進行60分鐘。對此配線板進行鍍敷導體層之剝離強度(Peel strength)測定。

<鍍敷導體層之剝離強度(Peel strength)測定>

於配線板之導體層，加入寬10mm、長100mm部分的刻痕，將此一端剝離以夾持器(股份有限公司T．S．E，Auto com型試驗機AC-50C-SL)挾住，於室溫中以50mm/分鐘之速度測定於垂直方向剝離35mm時之荷重(kgf/cm)。

<粗糙化後之算術平均粗糙度(Ra值)、均方根粗糙度(Rq值)之測定>

使用非接觸型表面粗糙度計(Veeco Instruments公司製WYKO NT3300)，由VSI接觸模式、50倍鏡片藉由將測定範圍作為121μm×92μm而得到之數值求得Ra值、Rq值。然後，由各自隨機求得10點的平均值測定。

<延伸之測定>

將於實施例1~7及比較例1~3所作之接著膜以190℃ 90分鐘之硬化條件作成經熱硬化之硬化物。依照JIS K 7127，從此硬化物切出啞鈴狀而作成試驗片，剝離 PET膜，使用ORIENTEC公司製拉伸試驗機RTC-1250A進行拉伸試驗，測定斷裂點伸度。

<最低熔融黏度之測定>

在於實施例1~7及比較例1~3所作成之接著膜測定樹脂組成物層之熔融黏度。使用(股)U．B．M公司製型式Rheosol-G3000，使用樹脂量為1g、直徑18mm之平行板，從開始溫度60℃至200℃，在升溫速度5℃/分鐘、測定溫度間隔2.5℃、振動1Hz/deg之測定條件下測定熔融黏度。

<製造例1>

將100質量份球狀二氧化矽((股)Admatechs製「SC2050-SQ」，平均粒徑0.5μm)投入亨舍爾型混粉機，一邊噴霧2.5質量份液狀多官能環氧樹脂(DIC(股)製「HP4032 SS」、萘型環氧樹脂、25℃之黏度為32Pa．s、環氧當量144、非揮發成分80質量%之甲基乙基酮(以下簡稱為「MEK」)溶液)一邊攪拌球狀二氧化矽10分鐘，製成製造物1。表面處理時之最高到達溫度約為80℃，平均溫度約為70℃。

<製造例2>

將100質量份球狀二氧化矽((股)Admatechs製「SC2050-SQ」，平均粒徑0.5μm)投入亨舍爾型混粉 機，一邊噴霧2質量份液狀多官能環氧樹脂(三菱化學(股)製「630LSD」、p-胺酚型環氧樹脂、25℃之黏度為0.6Pa．s、環氧當量95、非揮發成分80質量%之MEK溶液)一邊攪拌球狀二氧化矽10分鐘，製成製造物2。表面處理時之最高到達溫度約為65℃，平均溫度約為60℃。

<製造例3>

將100質量份球狀二氧化矽((股)Admatechs製「SC2050-SQ」，平均粒徑0.5μm)投入亨舍爾型混粉機，一邊噴霧2.7質量份液狀多官能環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「ZX1059」、雙酚A型環氧樹脂及雙酚F型環氧樹脂、25℃之黏度為2.3Pa．s、環氧當量165、非揮發成分75質量%之MEK溶液)一邊攪拌球狀二氧化矽10分鐘，製成製造物3。表面處理時之最高到達溫度約為80℃，平均溫度約為65℃。

<製造例4>

將100質量份球狀二氧化矽((股)Admatechs製「SC2050-SQ」，平均粒徑0.5μm)投入亨舍爾型混粉機，一邊噴霧2質量份液狀多官能環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「ZX1542」、甘油型環氧樹脂、25℃之黏度為0.08Pa．s、環氧當量240、非揮發成分80質量%之MEK溶液)一邊攪拌球狀二氧化矽10分鐘之後，一邊噴霧0.3 質量份聚(甲基三甲氧基矽烷)(多摩化學(股)製「MTMS-A」)一邊攪拌5分鐘，製成製造物4。表面處理時之最高到達溫度約為90℃，平均溫度約為75℃。

<製造例5>

將100質量份球狀二氧化矽((股)Admatechs製「SC2050-SQ」，平均粒徑0.5μm)投入亨舍爾型混粉機，一邊噴霧2質量份液狀多官能環氧樹脂(DIC(股)製「HP 4032 SS」、萘型環氧樹脂、25℃之黏度為32Pa．s、環氧當量144、非揮發成分80質量%之MEK溶液)一邊攪拌球狀二氧化矽10分鐘之後，一邊噴霧0.6質量份含有N-苯基-3-胺丙基烷氧基之寡聚物(信越化學工業(股)製、25℃之黏度為1000mm²/s)一邊攪拌5分鐘，製成製造物5。表面處理時之最高到達溫度約為95℃，平均溫度約為85℃。

<製造例6>

將100質量份球狀二氧化矽((股)Admatechs製「SC2050-SQ」，平均粒徑0.5μm)投入亨舍爾型混粉機，一邊噴霧0.6質量份含有環氧基之矽烷偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM 403」)一邊攪拌5分鐘，製成製造物6。表面處理時之最高到達溫度約為70℃，平均溫度約為60℃。

<實施例1>

將5質量份萘型環氧樹脂(環氧基當量144，DIC(股)製「HP4700」)、14質量份液狀雙酚A型環氧樹脂(環氧基當量180，三菱化學(股)製「jER828 EL」)、14質量份聯苯基型環氧樹脂(環氧基當量269，日本化藥(股)製「NC3000H」)於30質量份溶劑石腦油中一邊攪拌一邊使其加熱溶解，然後冷卻至室溫。於其混合溶液，將1.5質量份橡膠粒子(GANTSU化成(股)製，STAPHYLOID AC3816N)，於6質量份溶劑石腦油中以12小時、20℃下靜置膨潤，進而再添加製造物1，進而再添加5質量份難燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物，平均粒徑1μm)，以3本輥混練，使均勻地分散。而且，混合10質量份酚系酚醛清漆系硬化劑(DIC(股)製「LA-7054」，酚性氫氧基當量124之非揮發成分60質量%的甲基乙基酮(以下簡稱為「MEK」)溶液)、10質量份萘系酚樹脂(酚性氫氧基當量215，新日鐵化學(股)製「SN485」，非揮發成分60質量%之MEK溶液)、7質量份苯氧基樹脂(重量平均分子量35000，三菱化學(股)製「YL7553」，非揮發成分30質量%之MEK與環己酮1：1溶液)，2質量份作為硬化促進劑之4-二甲基胺基吡啶之5質量%的MEK溶液、4質量份甲基乙基酮(MEK)，以旋轉混合機均勻地分散，製成樹脂清漆。其次，將該樹脂清漆於醇酸系附脫模處理 之聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度38μm)的脫模面上，以模塗佈機均勻地塗佈使乾燥後樹脂組成物層的厚度變為40μm，以80~110℃(平均95℃)下乾燥5分鐘(樹脂組成物層中之殘留溶劑量：約2質量%)。其次，於樹脂組成物層之表面貼合厚度15μm之聚丙烯膜的同時捲成卷狀。將卷狀之接著薄膜縫成寬507mm，得到尺寸507×336mm薄片狀之接著薄膜。

<實施例2>

除將實施例1之製造物1變更為製造物2之外，其餘以完全相同方式製造樹脂清漆。接著使用該樹脂清漆，與實施例1完全相同方式進行而得到接著薄膜。

<實施例3>

除將實施例1之製造物1變更為製造物3之外，其餘以完全相同方式製造樹脂清漆。接著使用該樹脂清漆，與實施例1完全相同方式進行而得到接著薄膜。

<實施例4>

除將實施例1之製造物1變更為製造物4之外，其餘以完全相同方式製造樹脂清漆。接著使用該樹脂清漆，與實施例1完全相同方式進行而得到接著薄膜。

<實施例5>

除將實施例1之製造物1變更為製造物5之外，其餘以完全相同方式製造樹脂清漆。接著使用如此樹脂清漆，與實施例1完全相同方式進行而得到接著薄膜。

<實施例6>

除了於實施例1之樹脂清漆進一步後添加0.6質量份含有N-苯基-3-胺丙基之烷氧基寡聚物(信越化學工業(股)製、25℃之黏度為1000mm²/s)後之外，其餘以完全相同方式製造樹脂清漆。接著使用該樹脂清漆，與實施例1完全相同方式進行而得到接著薄膜。

<實施例7>

將15質量份萘型環氧樹脂(環氧基當量144，DIC(股)製「HP4032 SS」)、2質量份雙二甲酚(Bixylenol)型環氧樹脂(環氧基當量190，三菱化學(股)製「YX4000 HK」)、18質量份改質萘型環氧樹脂(環氧基當量約330，新日鐵化學(股)製「ESN475V」)於25質量份溶劑石腦油中一邊攪拌一邊使其加熱溶解，然後冷卻至室溫。於其混合溶液，將1.5質量份橡膠粒子(GANTSU化成(股)製，STAPHYLOID AC3816N)，於6質量份溶劑石腦油以12小時、20℃下靜置膨潤，進而混合160質量份製造物5，進而添加3質量份難燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物，平均粒徑1 μm)，以3本輥混練，使均勻地分散。而且，添加20質量份活性酯系硬化劑(活性基當量約223，DIC(股)製「HPC-8000-65T」，非揮發成分65質量%之甲苯溶液)、30質量份雙酚A二氰酸酯之預聚物(Lonza Japan(股)製「BA230S75」、氰酸酯當量約232、非揮發成分75質量%之MEK溶液)、10質量份苯氧基樹脂(重量平均分子量35000，三菱化學(股)製「YL7553」，非揮發成分30質量%之MEK與環己酮1：1溶液)，混合1質量份作為硬化促進劑之4-二甲基胺基吡啶之4質量%的MEK溶液、4質量份鈷(III)乙醯丙酮酸鹽(東京化成(股)製)之1質量%的MEK溶液，以旋轉混合機均勻地分散，製成樹脂清漆。接著使用該樹脂清漆，與實施例1完全相同方式進行而得到接著薄膜。

<比較例1>

除將實施例1之製造物1變更為100質量份球狀二氧化矽((股)Admatechs製「SC2050-SQ」，平均粒徑0.5μm)之外，其餘以完全相同方式製造樹脂清漆。接著使用該樹脂清漆，與實施例1完全相同方式進行而得到接著薄膜。

<比較例2>

除將實施例1之製造物1變更為100質量份球狀二氧化矽((股)Admatechs製「SC2050-SQ」，平均粒徑0.5 μm)之外，添加2質量份環氧樹脂(環氧當量144、DIC(股)製「HP4032 SS」)之外，其餘以完全相同方式製造樹脂清漆。接著使用該樹脂清漆，與實施例1完全相同方式進行而得到接著薄膜。

<比較例3>

除將實施例1之製造物1變更為製造物6之外，其餘以完全相同方式製造樹脂清漆。接著使用該樹脂清漆，與實施例1完全相同方式進行而得到接著薄膜。

結果表示於表1。

從表1之結果，實施例1~7之樹脂組成物， 理解到係於低算術平均粗糙度、低均方根粗糙度得到剝離強度充分之值。又，理解到可提高延伸而提高操作性。進而亦理解熔融黏度降低而提高接著膜之操作性。尚且，Rq值為了反映絕緣層表面局部的狀態，理解到由Rq值的減少而造成細緻的粗糙面。另一方面，於比較例1~3，算術平均粗糙度、均方根粗糙度變大、鍍敷膨脹剝離強度顯著變成較小值。

[產業上之可利用性]

本發明係提供一種無論濕式粗化步驟後絕緣層表面之算術平均粗糙度(Ra值)為低，且即使為低均方根粗糙度(Rq值)，鍍敷導體層亦呈現相當高的剝離強度的新穎樹脂組成物。進而成為可提供使用該之接著膜、預浸物、多層印刷配線板、半導體裝置。再進一步搭載此等，成為亦可提供於電腦、手機、數位相機、電視、等之電氣製品或摩托車、汽車、電車、船舶、航空機、等之交通工具。

Claims (18)

1. 一種樹脂組成物，其特徵為含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑及(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材。
2. 如請求項1之樹脂組成物，其中(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材係相對於無機填充材100質量%以該環氧樹脂0.05~3質量%所表面處理者。
3. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材，以該環氧樹脂進行表面處理之際的平均溫度為20~100℃。
4. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材，以該環氧樹脂進行表面處理之際的最高到達溫度為50~150℃。
5. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材的該環氧樹脂為液狀環氧樹脂。
6. 如請求項5之樹脂組成物，其中，該液狀環氧樹脂於25℃之黏度為0.01~50Pa．s。
7. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C)經以環氧樹脂表面處理之無機填充材的該環氧樹脂係選自由萘型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、甘油型環氧樹脂及p-胺苯酚型環氧樹脂所構成之群中的一種以上。
8. 如請求項1之樹脂組成物，其中(C)經以環氧樹 脂表面處理之無機填充材係進一步以選自由矽烷偶合劑、烷氧基矽烷、烷氧基寡聚物、鋁系偶合劑、鈦系偶合劑及鋯系偶合劑所構成之群中的一種以上所表面處理者。
9. 如請求項1之樹脂組成物，其係進一步含有(D)硬化促進劑。
10. 如請求項1之樹脂組成物，其係進一步含有(E)熱可塑性樹脂。
11. 如請求項1之樹脂組成物，其係進一步含有(F)橡膠粒子。
12. 如請求項1之樹脂組成物，其係進一步含有(G)難燃劑。
13. 如請求項1之樹脂組成物，其係硬化樹脂組成物而形成絕緣層，粗糙化處理該絕緣層表面後之算術平均粗糙度為10nm~330nm、均方根粗糙度為10~480nm，且對粗糙化處理之該絕緣層表面鍍敷而得到之導體層與絕緣層之剝離強度為0.4kgf/cm~1.0kgf/cm。
14. 一種接著膜，其係使如請求項1~13中任一項之樹脂組成物於支持體上形成為樹脂組成物層所成。
15. 如請求項14之接著膜，其中，樹脂組成物層之最低熔融黏度為500~14000poise。
16. 一種預浸物，其係將如請求項1~13中任一項之樹脂組成物含浸至薄片狀補強基材中所成。
17. 一種多層印刷配線板，其係藉由如請求項1~13中任一項之樹脂組成物之硬化物形成絕緣層所成。
18. 一種半導體裝置，其特徵為使用如請求項17之多層印刷配線板。