TW201340393A - 由選擇性區域粗糙化控制之發光裝置光輸出 - Google Patents

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Abstract

一發光裝置之表面經粗糙化以提高表面之光提取效率，但粗糙化區域之量經選定以實現一所要位準之光提取效率。光微影技術可用於產生將粗糙化限制於發光表面之選定區域之一光罩。由於可精確控制粗糙化區域之量，所以可精確控制光提取效率，實質上無關於用於粗糙化表面之特定程序。另外，表面之選擇性粗糙化可用於實現一所要光發射輸出圖案。

Description

由選擇性區域粗糙化控制之發光裝置光輸出
本發明係關於發光裝置(LED)之領域，且更特定言之，本發明係關於一種發光裝置，其具有提高該裝置之光提取效率之一選擇性粗糙化發光表面。
使用粗糙化發光表面來提高LED提取效率為諸多LED設計之一常見態樣。粗糙化可應用於不同類型之LED結構，其尤其包含InGaN、AlInGaP系統及覆晶接合與垂直薄膜裝置架構。
John Epler、Paul Martin及Michael Krames於2011年1月25日發表且以引用方式併入本文中之美國專利第7,875,533號(「PACKAGE INTEGRATED THIN FILM LED,AND DEVICES」)揭示使用一光電化學蝕刻程序(其使用一KOH溶液)來粗糙化一LED之GaN發光表面以提高光提取效率。使用在發光裝置之形成期間生長之一蝕刻終止層來控制蝕刻之深度。同樣地，美國專利申請案第2010/0025717號、美國專利申請案第2009/0146170號、美國專利申請案第2008/0113463號及美國專利第7,749782號亦揭示藉由粗糙化發光表面而改良光提取效率之技術，且該等專利案以引用方式併入本文中。
以上所引用方法之各者產生允許最大光提取之一實質上均勻粗糙化表面，其通常允許兩倍於初始未粗糙化表面之光提取。當光發射 效率之連續提高時，無法在某些應用中實現雙倍之光提取效率。例如，可期望將總光輸出限制至一客戶之最大通量規格以符合一特定標準或實現一特定發光效應。
對於各粗糙化方法，可藉由改變粗糙化之特性(諸如藉由改變粗糙化程序之參數以增大或減小所得粗糙化表面之粗糙度或其他態樣)而改變光提取效率。然而，客製化程序之開發成本過高，且可控效率之可實現範圍受限於或經受程序之變數。
能夠可靠及/或廉價地控制一發光裝置之光提取效率將是有利的。能夠控制一發光裝置之光提取效率且實質上不影響用於粗糙化該發光裝置之表面之程序及/或實質上不受該等程序影響亦將是有利的。
為更佳解決此等關注之一或多者，在本發明之一實施例中，使用習知技術來粗糙化一發光裝置之表面以提高光提取效率，但粗糙化區域之量經選擇以實現一所要位準之光提取效率。可使用光微影技術來產生將粗糙化限制於發光表面之選定區域之一光罩。由於可精確控制粗糙化區域之量，所以可精確控制光提取效率，實質上無關於用於粗糙化表面之特定程序。另外，可使用表面之選擇性粗糙化來實現一所要光發射輸出圖案。
110‧‧‧發光裝置(LED)
115‧‧‧發光表面/未粗糙化表面/未粗糙化區域/未粗糙化帶/環
150‧‧‧蝕刻程序
180‧‧‧發光裝置
185‧‧‧粗糙化表面
230‧‧‧遮罩程序
235‧‧‧蝕刻防止圖案/蝕刻抑制圖案/蝕刻抑制材料/光阻材料/遮罩材料
270‧‧‧拋光程序
280‧‧‧發光裝置
285‧‧‧粗糙化表面/粗糙化區域/粗糙化帶/環/粗糙化圖案
310‧‧‧粗糙化區域
320‧‧‧光輸出
350‧‧‧線/線性關係
圖1A至圖1C繪示藉由粗糙化一發光裝置之發光表面而提高該發光裝置之光提取效率之一實例性先前技術程序。
圖2繪示藉由粗糙化一發光裝置之發光表面之選定區域而提高該發光裝置之光提取效率之一程序之一實例性流程圖。
圖3繪示光提取效率與發光表面上之粗糙化區域之百分比之間之一實例性關係。
圖4A至圖4D繪示選擇性粗糙化發光表面之實例性圖案。
進一步詳細且例如參考附圖而解釋本發明。
在全部圖式中，相同元件符號指示類似或對應特徵或功能。包含圖式以為說明之目的且圖式非意欲限制本發明之範疇。
在以下描述中，為解釋而非限制之目的，闡述諸如特定架構、介面、技術等等之具體細節以提供本發明之概念之一全面理解。然而，熟習技術者應明白：可在背離此等具體細節之其他實施例中實踐本發明。同樣地，此描述之內文係針對如圖中所繪示之實例性實施例，且非意欲限制超出申請專利範圍中明確所包含之限制之所主張發明。為簡明及清楚之目的，省略熟知裝置、電路及方法之詳細描述以便不使本發明之無需詳細描述內容不清楚。
圖1A至圖1C繪示藉由粗糙化一發光裝置110之發光表面115而提高發光裝置110之光提取效率之一實例性先前技術程序。為本發明之目的，裝置之發光表面115被視為能夠發射裝置內所產生之光之裝置之表面之部分。無法發射該光之裝置之表面之部分(諸如由接觸件或其他結構覆蓋之部分)不是發光表面。為便於說明及解釋，發光表面115係繪示為裝置110之整個上表面，但可存在不發射光且本身因此不是發光表面之部分之上表面之區域。
圖1A繪示程序之一實例性流程圖。發光裝置110可藉由此項技術中已知之各種程序之任何者而製造，且包含可包含GaN、AlInGaP或其他材料之一上表面。歸因於表面材料與裝置110之外部材料(其可為空氣或一隨後施加之環氧樹脂或其他材料(實質上平坦之上表面))之間之一不同折射率，裝置110內所產生之實質量之光自表面115內反射且隨後在裝置110內被吸收。
為增加自裝置110提取之光量，發光表面115經粗糙化以改良光提 取效率。可使用任何數目之程序150(其例如包含電漿蝕刻、濕式化學、光電化學(PEC)、雷射及其他方法)來產生具有一粗糙化表面185之一裝置180。一實例性蝕刻程序可例如包含具有高偏壓功率(100瓦至1000瓦)之一電感耦合電漿蝕刻系統且包含引入諸如Ar、O2、HBr、Cl2、BCl3、SiC4、SF6之蝕刻氣體。為便於引用，術語「蝕刻」在下文中用於意指將一粗糙化表面185引入至發光裝置110以產生具有一粗糙化表面之一發光裝置180之任何方法。
圖1B及圖1C繪示一電漿蝕刻發光裝置180之一實例性粗糙化表面185之影像。發光表面185與裝置180之外部材料之間之不規則介面減小歸因於內反射而使光束變為「受困」於裝置180內之可能性，藉此增加自粗糙化表面185提取之光量。一般不藉由粗糙化一裝置110之平坦發光表面115而使光提取加倍。
如上文所註釋，為便於說明，發光表面115係繪示為延伸橫跨裝置110之上表面，但上表面可包含並非為發明表面115之部分之區域，諸如接觸區域。同樣地，粗糙化表面185係繪示為延伸橫跨裝置180之上表面，但為本發明之目的，粗糙化表面185對應於發光表面115之一粗糙化。即，粗糙化表面185中不包含發光表面115中不包含之裝置110之上表面之前文所提及部分，無論蝕刻程序150是否粗糙化此等部分。
如上文所提及，在一些應用中，可期望產生特定量之光，而非產生與裝置180能夠產生之光一樣多之光。假定用於產生裝置180之技術能夠產生可產生比所要光量更多之光量之裝置180，製程之一或多者之參數可經調整以產生比最大可實現光輸出更少之光輸出。例如，可藉由允許所產生光之更多者在裝置180內被吸收、或藉由允許到達表面185之光之更多者被內反射或藉由以上兩者之一組合而減少到達裝置180之表面115之光量。
例如，為降低光提取效率，可調整暴露於蝕刻化學物之持續時間或蝕刻化學物之濃度或強度以減小粗糙度，藉此增大在光能夠透過裝置之發光表面而射出之前其在裝置內被吸收之可能性。若使用前文所提及之美國專利第7,875,533號之程序，則例如可控制蝕刻終止層之生長以減小表面粗糙度。
即，為控制由裝置提供之最大光輸出，可將蝕刻程序之參數調整為「次最佳」以降低自裝置之光提取效率。然而，可由一次最佳化蝕刻程序實現之精確度及/或控制範圍不足以提供所要位準之光輸出，且修改不同應用之不同位準之光輸出之程序參數會引入與此程序控制相關聯之額外任務及成本。
在本發明之一實例性實施例中，控制經粗糙化之表面區域之比例以實現一所要位準之光提取效率。以此方式，程序參數可維持處於其等之最佳位準，且可實現一廣泛範圍之精確控制。即，控制將在自由一完全未粗糙化表面提供之最小提取效率至由一完全粗糙化表面提供之最大提取效率之範圍內，其中程序之精度由被選擇為經粗糙化或未經粗糙化之表面之區域之精度控制。
圖2繪示基於一發光裝置之表面上之粗糙化區域之量而控制該裝置之光輸出之一實例性程序。
使用一遮罩程序230來在發光裝置110上施加一蝕刻防止或蝕刻抑制圖案235。如此項技術中所熟知，可使用例如包含光微影、網版印刷等等之技術來在一表面115上精確產生材料之一圖案235。被選擇用於產生圖案235之材料將取決於隨後施加之特定蝕刻程序150。在一實例性電漿蝕刻程序中，可使用習知光阻材料。
熟習技術者將認識到：在一些程序中，亦可藉由在其中將進行蝕刻之區域中產生蝕刻產生或蝕刻增強材料之一「負」圖案而產生蝕刻抑制圖案235。同樣地，熟習技術者將認識到：可使用其他程序(諸 如雷射蝕刻)來選擇性粗糙化表面。
藉由施加一表面蝕刻程序150而粗糙化未由蝕刻抑制材料235遮罩之表面區域。如上文所註釋，由於基於經粗糙化之區域之量而控制提取效率，所以此程序無需修改習知蝕刻程序150本身。此蝕刻程序150產生僅在由圖案235界定之區域中具有粗糙化表面285之一發光裝置280。
可視情況施加一拋光程序270以自選擇性粗糙化發光裝置280移除任何剩餘材料。在利用光阻材料235之實例性電漿蝕刻程序中，可移除光阻材料以產生具有初始未粗糙化表面115之區域及粗糙化表面285之區域之一發光裝置。此移除程序可包含使用一習知濕式抗蝕劑剝離程序或O2灰化程序。
就具有未粗糙化區域115及粗糙化區域285之一發光裝置280而言，將由此等區域115、285之相對比例判定光提取效率。
在表面之選定區域之實例性電漿蝕刻中，已發現提取效率與粗糙化表面區域之比例實質上成線性關係，如圖3中之線350所繪示。在此實例中，將光輸出正規化為具有一未粗糙化表面115之初始發光裝置110之光量。如此圖中所繪示，一完全粗糙化表面285提供約兩倍於一未粗糙化表面115之光輸出。如圖3之355處所繪示，當四分之三(75%)之表面區域被粗糙化時，光輸出為未粗糙化表面115之光輸出之約1.75倍。
其他程序可產生光輸出320之量與粗糙化區域310之比例之間之一不同關係，且可藉由取樣具有不同比例之粗糙化區域之裝置之光輸出而容易地判定此一關係。在判定光輸出320與粗糙化區域310之間之關係之後，可藉由精確控制裝置280之表面上之區域115與區域285之比例而容易地實現裝置280之輸出之一精確控制。
圖4A至圖4D繪示選擇性粗糙化發光表面之實例性圖案。熟習技 術者將認識到：可使用各種粗糙化圖案之任何者來實現不同光學效應，同時亦控制自表面發射之光量。
圖4A繪示具有配置成垂直帶之粗糙化區域285及未粗糙化區域115之一裝置之一實例性表面區域。在此實例中，粗糙化區域之比例為約75%，其將在圖3之光輸出320與粗糙化區域310之間之一線性關係350之實例中提供由粗糙化之前之發光裝置提供之光量之約1.75倍之一光輸出。
在此實例中，將產生來自粗糙化區域285之較亮光帶，且該較亮光帶會令人感到不適。熟習技術者將認識到：可界定具有含不明顯圖案之粗糙化區域之所要比例之替代圖案。例如，可提供數百粗糙化帶285及人眼無法區分之對應較小較暗帶115以取代圖4A之九個明亮粗糙化帶285及清晰可區分之較暗未粗糙化帶115。
圖4B繪示粗糙化區域285及未粗糙化區域115之一棋盤狀配置。實例性圖案提供約50%之粗糙化區域之一比例，其將在圖3之實例中提供由粗糙化之前之發光裝置提供之光量之約1.5倍之一光輸出。藉由將區域285、115配置成一棋盤配置，區域285上之較亮光與區域115上之較暗光之間之對比度將比具有相同比例之粗糙化區域285之帶之一圖案更不明顯。如同圖4A之實例，可增加不同區域285、115之數目以減少任何明顯光學異常。
在圖4A及圖4B之實例中，呈現用於使由粗糙化區域285及未粗糙化區域115之配置產生之光輸出圖案不清楚之技術。在一些應用中，可期望一可區分光輸出圖案。
在圖4C中，粗糙化區域285經配置以提供一光輸出圖案，該光輸出圖案將使中心區域更明亮且隨與中心之距離增大而逐漸變暗以提供一聚光狀圖案。環285、115經定尺寸以提供基於此等粗糙化區域285與未粗糙化區域115之比例之所要量之光輸出。
在圖4D中，粗糙化區域285經配置以提供一明亮中心圖案及一橢圓光輸出圖案。
僅提供此等圖案4A至4D以繪示：幾乎任何圖案可用於產生一所要光學效應，同時控制將自發光表面發射之光量。熟習技術者將明白其他圖案。例如，在圖4C至圖4D之圖案中，表面之中心處之粗糙化圖案285可如圖所繪示，而此中心外之區域可為一不明顯圖案，諸如圖4B之棋盤配置。同樣地，光罩亦可界定一圖形或裝飾影像。
雖然已在圖式及先前描述中詳細繪示及描述本發明，但此繪示及描述應被視為說明性或例示性而非限制性；本發明不受限於所揭示之實施例。
例如，可在一實施例中操作本發明，其中藉由進一步限制自未粗糙化表面115發射之光量而提供一更大範圍之控制。即，在圖3中，假定光輸出320與粗糙化區域310之間之關係350在自完全平坦表面115至一完全粗糙化表面185之範圍內。然而，若未粗糙化表面之區域不透明，則光輸出可被減少至低於由一(非不透明)完全平坦表面115產生之光量。可藉由將遮罩材料235之部分或全部留於圖2之選擇性蝕刻裝置280之表面上而實現此不透明性。
同樣地，雖然已在「粗糙化」/「未粗糙化」之雙重遮罩程序之內文中呈現本發明，但技術之一組合可用於產生特定光學效應。可例如藉由產生一靶眼圖案(其中一中心區段被完全粗糙化且其他區段之粗糙化百分比較低)而產生一強制高斯分佈。可藉由選擇性施加粗糙化程序之多個階段、藉由使用不同粗糙化抑制材料、藉由使蝕刻終止層生長於不同深度處等等而產生變動粗糙化。
熟習技術者可在實踐本發明時自圖式、揭示內容及隨附申請專利範圍之一研究瞭解及實現所揭示實施例之其他變動。在申請專利範圍中，用語「包括」不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一」不排 除複數個。一單一處理器或其他單元可實現申請專利範圍中之所敘述之若干項之功能。在互相不同之從屬請求項中敘述某些措施之純事實不指示不能有利使用此等措施之一組合。一電腦程式可儲存/分佈於一適合媒體(諸如與其他硬體一起供應或作為其他硬體之部分之一光儲存媒體或一固體儲存媒體)上，但亦可諸如經由網際網路或其他有線或無線電信系統而分佈成其他形式。申請專利範圍中之任何元件符號不應被解譯為限制範疇。
110‧‧‧發光裝置(LED)
115‧‧‧發光表面/未粗糙化表面/未粗糙化區域/未粗糙化帶環
150‧‧‧蝕刻程序
230‧‧‧遮罩程序
235‧‧‧蝕刻防止圖案/蝕刻抑制圖案/蝕刻抑制材料/光阻材料/遮罩材料
270‧‧‧拋光程序
280‧‧‧發光裝置
285‧‧‧粗糙化表面/粗糙化區域/粗糙化帶/環/粗糙化圖案

Claims (15)

  1. 一種方法，其包括：產生經結構化以透過具有一第一區域之一經界定發光表面而發射光之一發光裝置；識別該經界定發光表面中之一或多個選定區域，該等選定區域佔用比該第一區域更小之一第二區域；及更改該發光表面以產生該第二區域中之一粗糙化表面及與該第一區域之一剩餘部分對應之一第三區域中之一未粗糙化表面。
  2. 如請求項1之方法，其中該識別包含：施加界定該等選定區域之一光罩材料。
  3. 如請求項2之方法，其中施加該光罩材料：包含一光微影程序。
  4. 如請求項1之方法，其中該發光裝置自該第二表面區域發射具有一第一光輸出位準之光及自該第三表面發射具有比該第一光輸出位準更小之一第二光輸出位準之光。
  5. 如請求項4之方法，其中該第一光輸出位準約為該第二光輸出位準之兩倍。
  6. 如請求項1之方法，其中該等選定區域經圖案化以提供一可區分光學效應。
  7. 如請求項1之方法，其中該更改包含：將該等選定區域之至少一者粗糙化為具有與該等選定區域之另一者之一粗糙度不同之一粗糙度。
  8. 如請求項1之方法，其中該更改包含：化學蝕刻。
  9. 如請求項8之方法，其中該化學蝕刻包含一光電化學蝕刻。
  10. 如請求項1之方法，其中該更改包含雷射蝕刻。
  11. 一種發光裝置，其包括：一發光結構，其經結構化以透過具有一第一表面區域之一發光表面而發射光，該發光表面在比該第一表面區域更小之一第二表面區域中被粗糙化且在一第三表面區域中未被粗糙化。
  12. 如請求項11之發光裝置，其中該第二表面區域經圖案化以提供一可區分光學效應。
  13. 如請求項11之發光裝置，其中該發光裝置自該第二表面區域發射具有一第一光輸出位準之光且自該第三表面區域發射具有比該第一發光輸出位準更小之一第二光輸出位準之光。
  14. 如請求項13之發光裝置，其中該第一光輸出位準約為該第二光輸出位準之兩倍。
  15. 如請求項11之發光裝置，其中該第二表面區域包含複數個選定區域，且該等選定區域之至少一者被粗糙化為具有與該等選定區域之另一者之一粗糙度不同之一粗糙度。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014201885A1 (de) * 2014-02-03 2015-08-06 Johnson Controls Automotive Electronics Gmbh Abdeckscheibe für mindestens ein Anzeigeinstrument in einem Fahrzeug
KR101630799B1 (ko) * 2014-11-12 2016-06-16 주식회사 레이토피아 발광 소자 및 그의 제조방법

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0738146A (ja) * 1993-07-20 1995-02-07 Victor Co Of Japan Ltd 半導体発光装置
KR20030052060A (ko) * 2001-12-20 2003-06-26 엘지전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조방법
US7102175B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
US6847057B1 (en) 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
JP4124102B2 (ja) * 2003-11-12 2008-07-23 松下電工株式会社 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法
KR101156146B1 (ko) 2003-12-09 2012-06-18 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시 질소면의 표면상의 구조물 제조를 통한 고효율 3족 질화물계 발광다이오드
KR100649494B1 (ko) 2004-08-17 2006-11-24 삼성전기주식회사 레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드
US7256483B2 (en) 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
KR100638666B1 (ko) 2005-01-03 2006-10-30 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
US20060204865A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Luminus Devices, Inc. Patterned light-emitting devices
JP2006253298A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR100691177B1 (ko) * 2005-05-31 2007-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광소자
KR100640497B1 (ko) * 2005-11-24 2006-11-01 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
JP4986445B2 (ja) 2005-12-13 2012-07-25 昭和電工株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2007220865A (ja) 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Chemical Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
TWI288979B (en) 2006-02-23 2007-10-21 Arima Optoelectronics Corp Light emitting diode bonded with metal diffusion and manufacturing method thereof
KR101030659B1 (ko) * 2006-03-10 2011-04-20 파나소닉 전공 주식회사 발광 소자
JP2007273975A (ja) * 2006-03-10 2007-10-18 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
CN101079460B (zh) * 2006-05-23 2010-05-12 台达电子工业股份有限公司 发光装置
JP2008066557A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
KR101262226B1 (ko) 2006-10-31 2013-05-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자의 제조방법
TW200822788A (en) 2006-11-09 2008-05-16 Univ Nat Central Method of using laser in fabricating GaN device
US20080277682A1 (en) * 2007-03-29 2008-11-13 The Regents Of The University Of California Dual surface-roughened n-face high-brightness led
US8114698B2 (en) 2007-11-30 2012-02-14 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency nitride based light emitting diode by surface roughening
CN101226977A (zh) * 2007-12-18 2008-07-23 西安电子科技大学 GaN基发光二极管表面粗化的处理方法
US20110012154A1 (en) * 2007-12-28 2011-01-20 Mitsubishi Chemical Corporation Led element and method for manufacturing led element
KR101164663B1 (ko) * 2007-12-28 2012-07-12 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
US8105853B2 (en) * 2008-06-27 2012-01-31 Bridgelux, Inc. Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
TWI384651B (zh) 2008-08-20 2013-02-01 Au Optronics Corp 發光二極體結構及其製造方法
JP2010056459A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Kyocera Corp 発光素子の製造方法
US7749782B1 (en) 2008-12-17 2010-07-06 Palo Alto Research Center Incorporated Laser roughening to improve LED emissions
JP5304563B2 (ja) * 2009-09-15 2013-10-02 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
US8471288B2 (en) * 2009-09-15 2013-06-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride semiconductor light-emitting device including an auxiliary electrode in contact with a back surface of an n-type layer
JP2011100829A (ja) 2009-11-05 2011-05-19 Toshiba Corp 半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置
TWI412161B (zh) 2009-11-06 2013-10-11 Semileds Optoelectronics Co 發光二極體裝置
TWI411135B (zh) 2009-12-24 2013-10-01 Walsin Lihwa Corp 發光裝置及增益發光裝置的電注入效率和出光效率的方法
KR101039880B1 (ko) * 2010-04-28 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
US8154042B2 (en) 2010-04-29 2012-04-10 Koninklijke Philips Electronics N V Light emitting device with trenches and a top contact
TW201145579A (en) * 2010-06-08 2011-12-16 Epileds Technologies Inc Substrate for light-emitting diode
US20120023516A1 (en) * 2010-07-21 2012-01-26 Robert Wolinsky System and method for verifying home television audience viewership via a set-top box
JP2011066453A (ja) 2010-12-27 2011-03-31 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
CN102169936A (zh) * 2011-02-16 2011-08-31 亚威朗光电(中国)有限公司 图形衬底和led芯片
JP5050109B2 (ja) * 2011-03-14 2012-10-17 株式会社東芝 半導体発光素子
CN104160520A (zh) * 2012-02-01 2014-11-19 松下电器产业株式会社 半导体发光元件、其制造方法和光源装置

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