JP2010056459A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光取り出し効率を十分に向上させた発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子の製造方法は、第1の主面1aと第2の主面1bとを有する単結晶基板1の第1の主面1a上に、第1導電型III族窒化物半導体層4aと、発光層4bと、第2導電型III族窒化物半導体層4cと、を積層して光半導体部4を形成する工程と、第2の主面1b上に、極性反転層2をエピタキシャル成長により形成する工程と、角錐体状のIII族窒化物半導体3を極性反転層2上に形成する工程と、を具備する。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明の発光素子の製造方法は、第1の主面1aと第2の主面1bとを有する単結晶基板1の第1の主面1a上に、第1導電型III族窒化物半導体層4aと、発光層4bと、第2導電型III族窒化物半導体層4cと、を積層して光半導体部4を形成する工程と、第2の主面1b上に、極性反転層2をエピタキシャル成長により形成する工程と、角錐体状のIII族窒化物半導体3を極性反転層2上に形成する工程と、を具備する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、III族窒化物半導体を有する発光素子の製造方法に関する。
現在、紫外光、青色光、緑色光等を発光する発光素子の開発が行われている。このような発光素子は、III族窒化物半導体を有している。
近年、特にIII族窒化物半導体を有する発光素子の光取り出し効率の向上を目的とした開発が数多くされている。
例えば、特許文献1には、光の取り出し効率を向上させるために、光取り出し面である基板の主面を凹凸加工することが記載されている。
特開2007-207981号公報
しかし、特許文献1に記載された発光素子の凹凸面は粗面であり、凹凸形状が制御されたものではなく、光取り出し効率向上の効果が不十分であった。
本発明は、光取り出し効率を十分に向上させた発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、III族極性を示す第1の主面とN極性を示す第2の主面とを有するIII族窒化物半導体の単結晶基板の前記第1の主面上に、第1導電型III族窒化物半導体層と、III族窒化物半導体から構成される発光層と、第2導電型III族窒化物半導体層と、を積層して光半導体部を形成する工程と、前記第2の主面上に、N極性をIII族極性に変換する極性反転層をエピタキシャル成長により形成する工程と、成長した結晶面が角錐体の斜面となるようにエピタキシャル成長により角錐体状のIII族窒化物半導体を前記極性反転層上に形成する工程と、を具備する発光素子の製造方法に関する。
前記極性反転層の形成工程と前記角錐体状のIII族窒化物半導体の形成工程との間に、前記極性反転層を複数に均等分割する工程をさらに含むことが好ましい。
前記極性反転層の形成工程の前工程として、前記第2の主面上に、前記極性反転層のエピタキシャル成長に対して不活性な材料から成る物質により成長用マスクパターンを形成して、相互に均等分割された複数の前記第2の主面上に露出部を形成する工程をさらに含み、前記極性反転層の形成工程において、前記第2の主面上の前記露出部上に、N極性をIII族極性に変換する極性反転層をエピタキシャル成長により形成し、前記極性反転層の形成工程と前記角錐体状のIII族窒化物半導体の形成工程との間に、前記マスクパターンを除去する工程をさらに含むことが好ましい。
本発明の発光素子の製造方法によれば、光半導体部のIII族窒化物半導体の単結晶基板の第2の主面上に極性反転層を形成し、極性反転層上に、成長した結晶面が角錐体の斜面となるようにエピタキシャル成長により角錐体状のIII族窒化物半導体を形成することにより、III族窒化物半導体の単結晶基板の主面のうち光半導体部が設けられる側とは反対側の主面側に、角錐体状の突起を形成することができる。これにより角錐体の体積変化に伴って屈折率変化が緩やかになるため、光取り出し効率を十分に向上させることが可能となる。
前記極性反転層の形成工程と前記角錐体状のIII族窒化物半導体の形成工程との間に、極性反転層を複数に均等分割する工程をさらに含むことが好ましく、これにより角錐体状の突起が周期的に形成され、発光素子の光取り出し効率をさらに向上させることが可能となる。
成長用マスクパターンを形成して、相互に均等分割された複数の前記第2の主面上に露出部を形成したのち、N極性をIII族極性に変換する極性反転層をエピタキシャル成長により形成して除去する工程を好適に含むことにより、極性反転層が均等分割されて、極性反転層の上に角錐体状の突起が周期的に形成され、発光素子の光取り出し効率をさらに向上させることが可能となる。
以下、図面に基づいて本発明の発光素子の製造方法について詳細に説明する。
なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を施すことは何ら差し支えない。
図1は、発光素子の一例を示す模式的な縦断面図である。図1において、1はIII族窒化物半導体の単結晶基板、1aは単結晶基板1の第1の主面、1bは単結晶基板1の第2の主面、2は極性反転層、3は角錘体状のIII族窒化物半導体、4は光半導体部、4aは第1導電型III族窒化物半導体層、4bはIII族窒化物半導体層から構成される発光層、4cは第2導電型III族窒化物半導体層、5はp型電極、6はn型電極、7はパッド電極をそれぞれ示す。
本発明の発光素子の製造方法は、(1)III族窒化物半導体から構成される光半導体部の形成工程(以下、工程1)、(2)極性反転層の形成工程(以下、工程2)、および(3)角錐体状のIII族窒化物半導体の形成工程(以下、工程3)を具備する。
以下、各工程について図2(1)〜(3)をもとに説明する。なお図2(1)は工程1を、図2(2)は工程2を、また、図2(3)は工程3をそれぞれ示す。なお、工程1、工程2、工程3と工程を番号で示しているが、工程1に関しては、工程2および3の前に必須として行う工程ではなく、例えば、工程2および3を行ったのちに工程1を行ってもよい。
<工程1>
工程1は、光半導体部を形成する工程である。光半導体部は、III族窒化物半導体の単結晶基板1の第1主面上1a上に形成される(図1(1)参照)。
工程1は、光半導体部を形成する工程である。光半導体部は、III族窒化物半導体の単結晶基板1の第1主面上1a上に形成される(図1(1)参照)。
なお、本発明において「III族窒化物半導体」とは、V族元素である窒素とIII族元素とから構成される半導体をいう。III族窒化物半導体としては、例えば、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)などが挙げられる。
(III族窒化物半導体の単結晶基板1)
III族窒化物半導体の単結晶基板1は、元素周期律表においてIII族(13族)極性を示す第1の主面1aと、N極性を示す第2の主面1bと、を有する。例えば、III族元素がGaの場合、III族極性とはGa極性を意味する。窒化物半導体の単結晶基板としては、例えば、窒化ガリウムの単結晶基板、窒化アルミニウムの単結晶基板などが挙げられる。
III族窒化物半導体の単結晶基板1は、元素周期律表においてIII族(13族)極性を示す第1の主面1aと、N極性を示す第2の主面1bと、を有する。例えば、III族元素がGaの場合、III族極性とはGa極性を意味する。窒化物半導体の単結晶基板としては、例えば、窒化ガリウムの単結晶基板、窒化アルミニウムの単結晶基板などが挙げられる。
なお、III族窒化物半導体の単結晶基板1の主面においてIII族極性かN極性かの判別は、KOHによるエッチング耐性評価、収束電子線回折法、同軸型直衝突イオン分光法等の分析法により行われる。
III族窒化物半導体の単結晶基板1の厚みは、具体的には50〜500μmである。
(光半導体部4)
光半導体部4は、第1導電型III族窒化物半導体層4aと、III族窒化物半導体から構成される発光層4bと、第2導電型III族窒化物半導体層4cと、を積層して作製される。
光半導体部4は、第1導電型III族窒化物半導体層4aと、III族窒化物半導体から構成される発光層4bと、第2導電型III族窒化物半導体層4cと、を積層して作製される。
第1導電型III族窒化物半導体層4aとしては、n型のIII族窒化物半導体層が挙げられる。III族窒化物半導体層としては、例えば、窒化ガリウム層、窒化アルミニウムガリウム層などが挙げられる。また、III族窒化物半導体層をn型とするには、元素周期律表においてIV族の元素であるSi等をドーパントとして窒化物半導体層に混入させればよい。第1導電型III族窒化物半導体層4aの厚みは2〜3μm程度である。
また、第2導電型III族窒化物半導体層4cとしては、p型の窒化物半導体が挙げられる。第2導電型III族窒化物半導体層4cとしては、例えば、窒化ガリウム層、窒化アルミニウムガリウム層などが挙げられる。第2導電型III族窒化物半導体層4cをp型とするには、元素周期律表においてII族の元素であるMg等をドーパントとして窒化物半導体層に混入させればよい。第2導電型III族窒化物半導体層4cの厚みは200〜300nm程度である。
III族窒化物半導体から構成される発光層4bは、第1導電型III族窒化物半導体層4aと第2導電型III族窒化物半導体層4cとの間に設けられる。発光層4bは、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とから成る量子井戸構造が複数回(例えば約3回)繰り返し規則的に積層された多重量子井戸構造(MQW)としてもよい(図示せず)。なお、障壁層としては、In0.01Ga0.99N層などが挙げられる。また、井戸層としては、In0.11Ga0.89N層などが挙げられる。障壁層の厚みは5〜15nm程度、井戸層の厚みは2〜10nm程度である。発光層4bの厚みは25〜150nm程度である。
第1導電型III族窒化物半導体層4aと、III族窒化物半導体から構成される発光層4bと、第2導電型III族窒化物半導体層との成長方法4cとしては、分子線エピタキシー(MBE;Molecular Beam Epitaxy)法、有機金属エピタキシー(MOVPE;Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)法、ハイドライド気相成長(HVPE;Hydride Vapor Phase Epitaxy)、パルスレーザデポジション(PLD;Pulse Laser)法等が用いられる。
以下に、有機金属化学気相成長(MOCVD)法によるエピタキシャル成長の具体例を示す。
まず、第1導電型III族窒化物半導体層4aを成長させる。例えば、III族窒化物半導体の単結晶基板1の温度を950〜1150℃とし、III族窒化物半導体として窒化ガリウム(GaN)を数μm程度(例えば1〜5μm)の厚さで形成し、第1導電型III族窒化物半導体層4aを作製すればよい。この際、Siをドープする。
また、発光層4bは、III族窒化物半導体の単結晶基板1の温度を700℃程度とし、厚さ5〜50nm程度の窒化インジウムガリウム(In0.01Ga0.99N)から成る障壁層と、厚さ1〜20nm程度の窒化インジウムガリウム(In0.11Ga0.89N)から成る井戸層とを順次積層して形成すればよい。
また、第2導電型III族窒化物半導体層4cは、第1のp型クラッド層、第2のp型クラッド層、p型コンタクト層からなる。第1のp型クラッド層は、基板1の温度を700℃程度とし、多重量子井戸層の障壁層上に、窒化アルミニウムガリウム(Al0.15Ga0.85N)層を、10〜100nm程度の厚さで形成する。また、第2のp型クラッド層は、基板1の温度を820℃程度とし、第1のp型クラッド層上に、窒化アルミニウムガリウム(Al0.2Ga0.8N)層を50〜300nm程度の厚さで形成する。また、p型コンタクト層は、基板1の温度を820〜1050℃程度とし、第2のp型クラッド層上に、窒化ガリウム(GaN)層を、5〜50nm程度の厚さで形成する。この際、p型不純物元素としては、マグネシウム(Mg),亜鉛(Zn)等が添加される。
以上より、光半導体部4を形成する。
n型電極6としては、第1導電型III族窒化物半導体層4aと良好にオーミック接続する材質から成る層状のものが好ましい。また、p型電極5は第2導電型III族窒化物半導体層4cと良好にオーミック接続でき、かつ発光層からの発光を透過させられる材質から成る層状のものが好ましい。n型電極6およびp型電極5としては、Al、Ti、Ni、Cr、In、Sn、Mo、Ag、Au、Nb、Ta、V、Pt、Pb、Be、In2O3、Au−Si合金、Au−Ge合金、Au−Zn合金、Au−Be合金などからなるものがよい。
工程1において、図2(1)に示すように、光半導体部4は、第1導電型III族窒化物半導体層4aの表面が露出するまでエッチングされていてもよい。そして、第1導電型III族窒化物半導体層4a、第2導電型III族窒化物半導体層4cには、それぞれの層と良好なオーミック接続することができる材質から成るp型電極5およびn型電極6が形成される。そして、p型電極5およびn型電極6上には電極と良好な電気伝導を取る材質からなるパッド電極7が形成されている。
p型電極5およびn型電極6は、Ni,Au層を積層したもの、酸化インジウム錫(ITO)層から成るもの等を用いることができる。パッド電極7としては、Ti層,Au層を積層したもの等を使用することができる。
<工程2>
工程2は、第2の主面上1bに、N極性をIII族極性に変換する極性反転層2をエピタキシャル成長により形成する工程である(図2(2)参照)。
工程2は、第2の主面上1bに、N極性をIII族極性に変換する極性反転層2をエピタキシャル成長により形成する工程である(図2(2)参照)。
(極性反転層2)
III族窒化物半導体の単結晶基板1の第2の主面1b上に、化学式Ga1-x-yAlxInyN(ただし、0<x≦1,0<x+y≦1,0≦y<0.1である)で表される極性反転層2が設けられる。この化学式を満たすIII族窒化物半導体としては、例えば、Ga0.09Al0.9In0.01N等が挙げられる。
III族窒化物半導体の単結晶基板1の第2の主面1b上に、化学式Ga1-x-yAlxInyN(ただし、0<x≦1,0<x+y≦1,0≦y<0.1である)で表される極性反転層2が設けられる。この化学式を満たすIII族窒化物半導体としては、例えば、Ga0.09Al0.9In0.01N等が挙げられる。
前記化学式においてyが0.1未満である。これによりInが少なく、成長温度を高くすることができる。
前記化学式においてxは0より大きい、つまり、極性反転層2はAlを含む。これにより、III族窒化物半導体の単結晶基板1と、工程3により形成される角錐体状のIII族窒化物半導体3との間の結合力、歪み応力に変調を加えることができる。変調の効果には結合力の増加、引張り歪み変調等、その他諸々の効果が候補として挙げられる。詳細な作用機構は不明であるが、上記の組成比とし、Alを含む極性反転層2を第2の主面1b上に設けることにより、単結晶基板1の両面をIII族極性に制御することができる。
極性反転層2が存在することで、単結晶基板1の第2の主面を、表面平坦性や不純物の取込など、形状制御性や結晶品質の観点から適さないN極性からIII族極性に変換することにより、極性反転層2を設けない場合は設けることができなかった角錐体状のIII族窒化物半導体3を形成することができる。
なお、極性反転層2は2層以上の積層構造から形成されていてもよく、多結晶膜やアモルファス層が含まれていても良い。極性反転層2の厚みは、具体的には1〜100nmである。100nm以下であることで、例えばGaN基板の品質を引き継いだままGa極性の窒化ガリウム系化合物半導体層の転位欠陥の増加を低減させて成長させることができる。そして、欠陥の非常に少ない高品質な窒化ガリウム系化合物半導体を形成することが可能となる。1nm以上であることが、原子ステップなどの凹凸のある表面をくまなく中間層で覆う点で好ましい。
工程2では、第2の主面上1bの温度を950〜1050℃とし、圧力を100〜400Torrとしてエピタキシャル成長により極性反転層2を形成する。
<工程3>
工程3は、極性反転層2上に角錐体状のIII族窒化物半導体3を形成する工程である(図2(3)参照)。
工程3は、極性反転層2上に角錐体状のIII族窒化物半導体3を形成する工程である(図2(3)参照)。
角錐体状のIII族窒化物半導体3は、エピタキシャル成長により形成される。エピタキシャル成長としては有機金属エピタキシー(MOVPE;Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)法等が用いられる。
エピタキシャル成長の条件としては、成長した結晶面が角錐体の斜面となるものであればよい。具体的な条件としては、例えば圧力100〜400Torr、温度900〜1000℃などが挙げられる。
本発明では、成長した結晶面がc面ではなく、例えば、R面など結晶面が角錐体の斜面であればよい。結晶面の面方位は例えば、(1−101)、(11−22)などが挙げられる。
得られた角錐体の形状としては、三角錘体、六角錘体などが挙げられる。
角錐体3の底面の長さ(平均長さ)は、効果的な光散乱が得られる波長の約1〜2倍が好ましい。この範囲内であることにより、半導体層とその外部との間の屈折率差がより緩和されて光の反射が抑制されるとともに光散乱の効果が得られる。その結果、角錐体3が無い場合には、外部との界面において臨界角を超えて全反射し、発光素子内部に閉じ込められていた光も、角錐体3によって光の進行方向が変化するために、臨界角以内に入る割合が増加することによって、光取り出し量が向上する。なお、底面の長さとは、隣り合わない二つの頂点を結ぶ線分が最大となる長さをいう。
また、角錐体3の高さ(平均高さ)は、300〜1500nmであることが好ましい。角錐体3の高さが上記範囲内であることにより、半導体層から外部にかけての実効的屈折率の変化が緩やかであるため、透過率の向上効果が十分に得られる。
以上のように工程1〜3を経ることにより、図1に示す発光素子を作製することができる。なお、得られた発光素子は、角錐体状のIII族窒化物半導体3を光取り出し面としており、第1の主面1a側の電極パッド7をパッケージに実装させたフリップチップ実装を想定したものである。
本発明の発光素子の製造方法では、図3に示すように、極性反転層2を均等に分割することにより、工程3において得られる角錐体状のIII族窒化物半導体3を周期的に形成することができる。「均等に分割する」とは、分割されて得られた極性反転層の体積差(面積差が5%以内であればよい。
極性反転層2を均等に分割する方法としては、成長させた極性反転層2を分割する方法と、極性反転層2を成長させる基板領域を先に分割させ、その後に極性反転層2を成長させる方法と、が挙げられる。なお、いずれの場合にも、分割された極性反転層2上にIII族窒化物半導体3を堆積させる際に、極性反転層2上以外に堆積したIII族窒化物半導体3は、KOHなどの薬品により容易に除去できる。
極性反転層2を成長させた後に分割する方法としては、工程(2)と工程(3)との間に、極性反転層2を複数に均等分割する工程が挙げられる。この場合、極性反転層2は、例えば、ドライエッチングなどの方法により均等分割される。
また、極性反転層2を成長させる基板領域を分割させた後に成長させる方法としては、工程(1)と工程(2)との間に、第2の主面1b上に、極性反転層2のエピタキシャル成長に対して不活性な材料から成る物質により成長用マスクパターンを形成して、相互に均等分割された複数の第2の主面1b上に露出部を形成し、工程(2)において、第2の主面1b上の露出部上に、N極性をIII族極性に変換する極性反転層2をエピタキシャル成長により形成したのちマスクパターンを除去する工程が挙げられる。
成長用マスクパターンは、極性反転層2のエピタキシャル成長に対して不活性な材料から成り、具体的にはSiO2,多結晶シリコンなどが挙げられる。これらはIII族窒化物半導体のエピタキシャル成長に対して不活性である。
成長用マスクパターンは、具体的に、蒸着やCVD等によりマスク材料を一面に成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングをすることにより形成される。
形成された成長用マスクパターンは、後の工程で作製される極性反転層2を所望の形状に分離することができればよい。
成長用マスクパターンを形成した後に、成長用マスクパターンによって分離された極性反転層2を、エピタキシャル成長によって形成する。
極性反転層2を形成したのちに成長用マスクパターンを除去して、極性反転層を分離させる。具体的に、マスク材料がSiO2の場合はフッ酸、多結晶シリコンの場合は硝酸及びフッ酸による混酸によるウェットエッチングをすることにより成長用マスクパターンを除去する。
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
1 窒化物半導体の単結晶基板
1a 第1の主面
1b 第2の主面
2 極性反転層
3 錘状の窒化物半導体
4 光半導体部
4a 第1導電型窒化物半導体層
4b 発光層
4c 第2導電型窒化物半導体層
5 p型電極
6 n型電極
7 パッド電極
1a 第1の主面
1b 第2の主面
2 極性反転層
3 錘状の窒化物半導体
4 光半導体部
4a 第1導電型窒化物半導体層
4b 発光層
4c 第2導電型窒化物半導体層
5 p型電極
6 n型電極
7 パッド電極
Claims (3)
- III族極性を示す第1の主面とN極性を示す第2の主面とを有するIII族窒化物半導体の単結晶基板の前記第1の主面上に、第1導電型III族窒化物半導体層と、III族窒化物半導体から構成される発光層と、第2導電型III族窒化物半導体層と、を積層して光半導体部を形成する工程と、
前記第2の主面上に、N極性をIII族極性に変換する極性反転層をエピタキシャル成長により形成する工程と、
成長した結晶面が角錐体の斜面となるようにエピタキシャル成長により角錐体状のIII族窒化物半導体を前記極性反転層上に形成する工程と、
を具備する発光素子の製造方法。 - 前記極性反転層の形成工程と前記角錐体状のIII族窒化物半導体の形成工程との間に、前記極性反転層を複数に均等分割する工程をさらに含む請求項1記載の発光素子の製造方法。
- 前記極性反転層の形成工程の前工程として、前記第2の主面上に、前記極性反転層のエピタキシャル成長に対して不活性な材料から成る物質により成長用マスクパターンを形成して、相互に均等分割された複数の前記第2の主面上に露出部を形成する工程をさらに含み、
前記極性反転層の形成工程において、前記第2の主面上の前記露出部上に、N極性をIII族極性に変換する極性反転層をエピタキシャル成長により形成し、
前記極性反転層の形成工程と前記角錐体状のIII族窒化物半導体の形成工程との間に、前記マスクパターンを除去する工程をさらに含む請求項1記載の発光素子の製造方法。
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2008
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